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c Boukaddid

[LE,RO]1 [LO] [RE]

Cours electrocinetique

sup TSI

plain

Lois g
en
erales dans le cadre de lapproximation des r
egimes quasi-permanents

Table des mati`


eres
1 D
efinitions
1.1 Approximation des regimes quasi-permanents A.R.Q.P
1.2 Courant electrique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.2.1 Definition . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.2.2 Types de courants . . . . . . . . . . . . . . . .
1.2.3 Effets de courants . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.2.4 Intensite du courant i(t) . . . . . . . . . . . . .
2 Lois de Kirchhoff
2.1 Caracteristiques dun circuit electrique
2.2 Lois de Kirchhoff en regime permanent
2.2.1 Lois des Noeuds . . . . . . . . .
2.2.2 Loi des mailles . . . . . . . . .

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3 Classification des dip


oles
electrocin
etiques
3.1 Aspect energetique . . . . . . . . . . . . . . . .
3.1.1 Convention algebrique thermodynamique
3.1.2 Puissance electrique P . . . . . . . . . .
3.1.3 Convention recepteur ou generateur . . .
3.2 Caracteristique tension courant dun dipole . . .
3.2.1 Definition . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.2.2 Caracteristique statique ou dynamique .
3.3 Dipole actif ou passif . . . . . . . . . . . . . . .
3.4 Dipole lineaire . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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2
2
2
2
2
3
3

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3
3
4
4
4

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5
5
5
5
6
6
6
6
7
7

1/7

c Boukaddid

Cours electrocinetique

sup TSI

Lors de letude des circuits electriques ,nous rencontrons :


Regimes permanents : La grandeur physique G ne varie pas dans le temps :
G(t + dt) = G(t)

G
=0
t

Regimes variables : La grandeur physique G varie en fonction du temps


G(t + dt) 6= G(t)
donc on doit preciser la grandeur G en un point M du circuit G(M, t)
On sinteresse dans ce chapitre aux regimes lentement variables,ou quasi-permanent .

1
1.1

D
efinitions
Approximation des regimes quasi-permanents A.R.Q.P

Il consiste `a negliger le temps de propagation devant un temps cracteristique de la


variation du signal .
Exemples : Un circuit de longueur L = 1m
1
L
=
= 3.109 s
Le temps de propagation est de lordre de : =
C
3.108
Pour rester dans LA.R.Q.P,la periode du signal doit etre T >> f << 300M Hz
Donc pour des circuits aux laboratoires (quelques dizaines de cm) et pour des signaux
de frequence de quelques MHz on est dans LA.R.Q.P. Donc on peut appliquer a` chaque
instant a` un R.Q.P les lois demontrees en R.P .

1.2
1.2.1

Courant
electrique
D
efinition

Il sagit dun deplacement densemble ,ordonee de particules chargees,par convention


le sens de courant est le sens de deplacement des charges positives .
1.2.2

Types de courants

On peut distinguer entre trois types de courant :


Courant particulaire : Particules chargees se deplacant dans le vide (faisceau electronique
dans un tube cathodique) .
Courant de conduction : mouvement des particules chargees dans un milieu materiel
sans deplacement du milieu
Exemples
electrons libres dans les conducteurs metalliques .
electrons libres et lacunes (|e|) dans les semi-conducteurs .
anions et cations dans les electrolytes (eau salee : N a+ , Cl )
Courant de convection : Deplacement des charges provoque par le mouvement du
milieu .

2/7

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1.2.3

Cours electrocinetique

sup TSI

Effets de courants

On peut distinguer entre les :


I Effet thermique (effet Joule)
I Effet magnetique (Champ magnetique produit par un circuit)
I Effet chimique (electrolyse )
1.2.4

Intensit
e du courant i(t)

On appelle intensite du courant electrique traversant la section (S) dun conducteur ,


la quantite delectricite dq traversant (S) par unite du temps dt .

i(t) =

dq
en amp`ere (A)
dt

Lois de Kirchhoff

2.1

Caract
eristiques dun circuit
electrique

I Dipole electrocinetique : Il sagit dun composant electrique comportant dex


bornes , lune dentree et lautre de sortie du courant .
B

A
R

UAB = UA UB
UAB est la difference de potentiel aux bornes du dipole
I Noeud : Borne commune `a plus de deux dipoles (N1 , N2 ..).
I Branche : portion de circuit entre deux noeuds consecutifs (N1 N2 ) .
I Maille : ensemble de branches successives definissant un circuit ferme qui passe
une seule fois par les noeuds rencontres (N1 , N2 , N3 ...).
N1

N2
D1

D5

D2

D4

D3
N4

N3

3/7

c Boukaddid

2.2
2.2.1

Cours electrocinetique

sup TSI

Lois de Kirchhoff en regime permanent


Lois des Noeuds

Considerons un conducteur filiforme de longueur tres grand devant son diam`etre se


separe au noeud N en deux autres conducteurs filiformes :

dq1
N

dq

dq2

La conservation de la charge entre les instant t et t + dt se traduit par :


dq
dq1 dq2
dqe = dqs dq = dq1 + dq2
=
+
dt
dt
dt
donc
i = i1 + i2
Generalisation au cas de N conducteurs : Loi de Kirchhoff
N
X

k i k = 0

k=1

k = +1 pour un courant arrivant vers N


k = 1 pour un courant seloignant de N
2.2.2

Loi des mailles

Considerons la maille suivante :

4/7

c Boukaddid

Cours electrocinetique

sup TSI

U1
N2

N1
D1

U3

D3

D2

U2

N3
VN3 VN1 + VN1 VN2 + VN2 VN3 = 0 U3 + U1 + U2 = 0
Generalisation : Loi de Kirchhoff relative a` une maille
X

k Uk = 0

k = +1 pour Uk orientee dans le sens de la maille


k = 1 pour Uk orientee dans le sens inverse de la maille
Remarque : Les lois de Kirchhoff sont valables en A.R.Q.P en remplacant ik et uk
par ik (t) et uk (t).

Classification des dip


oles
electrocin
etiques

3.1
3.1.1

Aspect
energ
etique
Convention alg
ebrique thermodynamique

En thermodynamique par convention on compte positivement lenergie recue par un


syst`eme detude et negativement lenergie cedee par le syst`eme au milieu exterieur .
3.1.2

Puissance
electrique P

La puissance electrique algebriquement recue par un dipole D est :


P = uAB .iAB en (W)
En peut distinguer entre deux types de dipoles :
I Dipole recepteur : P = uAB .iAB > 0 le courant et la difference de potentiel ont
un sens inverse (car le sens reel du courant est celui des potentiels decroissant)
le dipole recoit alors de lenergie electrique .
I Dipole generateur : P = uAB .iAB < 0 le courant et la difference de potentiel ont
le meme sens , le dipole fourni de lenergie .

5/7

c Boukaddid

3.1.3

Cours electrocinetique

sup TSI

Convention recepteur ou g
en
erateur

I Convention recepteur : P = uAB .iAB > 0


I Convention generateur : P = uAB .iAB < 0
iAB

A iAB
D

UAB

UAB
convention recepteur

3.2
3.2.1

convention generateur

Caract
eristique tension courant dun dip
ole
D
efinition

Soit un dipole (D) quelconque etudie en convention recepteur . On appelle caracteristique


courant tension du dipole D la courbe representant les variations du courant i en fonction de la tension u
i
M
iM

u
uM

Tout point M (uM , iM ) de la caracteristique est un point de fonctionnement du dipole


D
3.2.2

Caract
eristique statique ou dynamique

I Caracteristique statique : Lensemble des points (u,i) obtenus en regime continu


(permanent).
Si la courbe obtenue est symetrique par rapport `a lorigine le dipole est dit
symetrique (on peut permuter ses bornes de connexion).
Si la courbe obtenue est dissymetrique par rapport a` lorigine ,le dipole est dit
non symetrique ou polarisee.

6/7

c Boukaddid

Cours electrocinetique

sup TSI

I Caracteristique dynamique : lensemble des points (u,i) obtenus en regime variable . En general elle ne correspond pas au deplacement du point de fonctionnement sur la caracteristique statique .

3.3

Dip
ole actif ou passif

I Dipole actif : sa caracteristique statique ne passe pas par lorigine (pile,alimentation


stabilisee...)
I Dipole passif : Sa caracteristique statique passe par lorigine (toujours recepteur).

3.4

Dip
ole lin
eaire

Un dipole est lineaire si la tension u(t) entre ses bornes et le courant qui le traverse
i(t) sont liees par une equation differentielle a` coefficients constants :
N
X

dn u(t) X dm i(t)
+
= F (t)
an
bm
dtn
dtm
n=0
m=0

En regime continu
a0 u + b 0 i = F
Cest une relation affine entre u et i la caracteristique statique dun dipole lineaire
est une droite .
Exemples :
I Ordre 0 : Resistance U (t) = R.i(t)
du(t)
I Ordre 1 : Condensateur i(t) = c
dt
di(t)
Bobine u(t) = L
dt

7/7

c Boukaddid

Cours electrocinetique

sup TSI

El
ements de circuits lin
eaires en regime continu ou quasi-permanent

Table des mati`


eres
1 Dip
oles passifs lin
eaires fondamentaux : R,L,C
1.1 Conducteur ohmique ou resistor R . . . . . . . . .
1.1.1 Loi dOhm . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.1.2 Mod`ele microscopique . . . . . . . . . . .
1.1.3 Aspect energetiques . . . . . . . . . . . . .
1.1.4 Groupement de resistor . . . . . . . . . . .
1.2 Condensateur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.2.1 Aspect energetique . . . . . . . . . . . . .
1.2.2 Groupement des condensateurs ideaux . .
1.3 Bobine . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.3.1 Aspect energetique pour une bobine ideale
1.3.2 Groupement de bobines ideales . . . . . .

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2
2
2
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7
7
7

2 Diviseur de tension ou de courant


2.1 Pont diviseur de tension . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.2 Diviseur de courant . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

8
8
8

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3 Dip
oles actifs
3.1 Source de tension (source independante de tension) .
3.1.1 Source lineaire ideale . . . . . . . . . . . . . .
3.1.2 Mod`ele de Thevenin . . . . . . . . . . . . . .
3.2 Source de courant (source independante de courant )
3.2.1 Source ideale . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.2.2 Mod`ele de Norton . . . . . . . . . . . . . . . .
3.2.3 Equivalence Thevenin-Norton . . . . . . . . .

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9
9
9
9
9
9
10
10

4 Groupement de dip
oles actifs lineaires
4.1 Groupement serie : modelisation de Thevenin . . . . . . . . . . . . . .
4.2 Groupement parall`ele : mod`ele de Norton . . . . . . . . . . . . . . . . .

11
11
11

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Cours electrocinetique

sup TSI

Dip
oles passifs lin
eaires fondamentaux : R,L,C

1.1

Conducteur ohmique ou r
esistor R

La resistance est constituee soit par un depot de carbone ou doxyde metallique sur un
isolant soit par un enroulementdun fil conducteur.
1.1.1

Loi dOhm

un conducteur ohmique ou resistor satisfait a` la loi dOhm :


u = r.i ou i = G.u
R : resistance en ohm ()
1
G=
conductance en Siemens(s)
R
i

i
R
u
u
Les caracteristiques statiques et dynamiques sont confondues . Il sagit dun dipole
symetrique .
1.1.2

Mod`
ele microscopique

La resistance R ne depend que de la nature du conducteur et ses caracteristiques


geometriques et pas de son etat electrique (u,i) .
Application : Resistance dun conducteur cylindrique homog`ene
Soit un fil metallique cylindrique homog`ene daxe (ox) de section s et de resistivite ,
alimente par un courant continu I .
resistance R dune longueur l du fil
On admet

E = grad(V )
et


dV = E . dl

2 / 13

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Cours electrocinetique

sup TSI

S
x

V(x+l)

V(x)
La loi dOhm local

E = . j

j : densite volumiqueZde courantZ


x+l
V (x) V (x + l) =
dv =
x

x+l

E.dx = .j.l (en regime permanent E et j sont

des constantes)
or i = j.s u = v1 v2 = R.i avec R = .

l
s

Resultat
Pout tout conducteur de section s constante on a :

R = .

l
s

avec R : resistance ()
: la resistivite (.m)
l : la longueur du conducteur (m)
s : la section du conducteur (m2 )
Remarque : La resistance dun conducteur metallique est une fonction croissante de
la temperature.
1.1.3

Aspect
energ
etiques

Le passage dun courant dans un resistor se manifeste par un echauffement du milieu conducteur, ce phenom`ene est appele effet Joule,qui sinterpr`ete par lechanges
energetiques entre les electrons mobiles (acceleres par le champ electrique) et les ions
fixes du reseau `a la suite des collisions.
La puissance consommee par le resistor secrit :
P =

u2
W
= u.i = R.i2 =
dt
R

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c Boukaddid

1.1.4

Cours electrocinetique

sup TSI

Groupement de r
esistor

1. Groupement en serie

Ai

R2

R1

u1

Rn
un

u2

Req

u
u=

n
X
k

uk =

Rk .i = Req .i avec Req la resistance equivalente entre A et B .

Req =

n
X

Rk

2. Groupement prall`ele
R1

i1
A i

Ai
Req

in
Rn

La loi des noeuds : i =

n
X
k

u
n
X
u
u
ik =
=
Rk
Req
k
n

X 1
1
=
Req
Rk
k=1
Application : Shunt
Un shunt est une resistance de faible valeur s que lon monte en parall`ele avec une
resistance R
u
i
R

s
i
4 / 13

c Boukaddid

i = Geq .u = (

Cours electrocinetique

sup TSI

1
1
1
1
+ )u or s << R
<<
R s
R
s
i

u
= i0
s

Donc le shunt sert en pratique a` proteger un appareil electrique (galvanom`etre ) en


limitant lintensite `a la valeur maximale supportee par lappareil.

1.2

Condensateur

Un condensateur est constitue de deux armatures qui se font en face et qui portent des
charges opposees +q et q . La charge q est proportionnelle `a la tension u appliquee
entre les armatures :
q = C.u
C la capacite en F arad (F)
u
i

+q

-q

Dans le cadre de lA.R.Q.P et pour un condensateur ideal


i=
1.2.1

dq
du
= C.
dt
dt

Aspect
energ
etique

La puissance electrique instantanee P = u.i = C.u.

d 1
dEe
du
= ( C.u2 ) =
dt
dt 2
dt

1
Ee = C.u2
2
Ee represente lenergie emmagasinee dans un condensateur ideal . Cette energie est
continue par consequent la tension aux bornes du condensateur ideal (de meme pour
q) est toujours continue .
du
Remarque : En regime continue u = cte i = C.
= 0 le condensateur ideal se
dt
comporte comme un coupe circuit (circuit ouvert) .
Application : Caracteristique statique et dynamique dun condensateur
En statique i = 0, u
du
En regime harmonique : u(t) = Um cos(t) i = C.
= CUm sin(t)
dt
u 2
i
(
) +(
)2 = cos2 (t) + sin2 (t) = 1
Um
CUm

5 / 13

c Boukaddid

Cours electrocinetique

sup TSI

i
i
CUm

u
umin

Um

umax

caracteristique dynamique

caracteristique statique
1.2.2

Groupement des condensateurs ideaux

1. Groupement serie

C1

Cn

C2

U1

U2

Ceq
B

Un

U
duk
du
= Ceq
le courant traversant ces condensateurs i = Ck
dt
dt
P
du P duk P i
i
= k
= k
=
Donc
u = k uk
dt
dt
Ck
Ceq
P 1
1
= k
Ceq
Ck
2. Groupement parall`ele
C1

i1
i

i2

C2

in

Cn

Ceq
B

U
i=

k ik

k (Ck

P
du
du
du
) = ( k Ck )
= Ceq
dt
dt
dt
6 / 13

c Boukaddid

Cours electrocinetique
Ceq =

1.3

sup TSI

Ck

Bobine

Cest un enroulement dun fil conducteur avec ou sans noyau , la bobine sans noyau
presnte une inductance L = cte
Pour une bobine
u = r.i + L

di
dt

L :inductance en Henry (H)


r : resistance en Ohm ()
Pour une bobine ideal
u=L

di
dt
L

(L,r)
i

u
Bibine ideale

u
Bobine
1.3.1

Aspect
energetique pour une bobine ideale

La puissance instantannee : P = u.i = Li

di
d 1
dEm
= ( Li2 ) =
dt
dt 2
dt

1
Em = Li2
2
Em represente lenergie magnetique emmagasinee dans la bobine ideale . Le bilan
energetique exige la continuite de Em par consequent lintensite dun courant i traversant une bobine ideale reste toujours continue .
di
Remarque : En regime continu i = cte u = L = 0 donc la bobine ideale se
dt
comporte comme un court-circuit .
La cracteristique dynamique dune bobine est une ellipse .
1.3.2

Groupement de bobines ideales

1. Groupement serie
L1

L2

Leq

Ln
i

i
u1

u2

un

u
7 / 13

c Boukaddid

u=

Cours electrocinetique
uk =

k (Lk

sup TSI

P
di
di
di
) = ( k Lk ) = Leq
dt
dt
dt
P
Leq = k Lk

2. Groupement prall`ele
On montre que
P 1
1
= k
Leq
Lk

2
2.1

Diviseur de tension ou de courant


Pont diviseur de tension
u
R2

R1
i
u
u0
u
=
R1 + R2
R2
u0 =

2.2

R2
u
R1 + R2

Diviseur de courant
i
i1

i2

i3

u
R2

R1

R3

u
u
u
u
ik =
i1 =
, i2 =
, i3 =
Rk
R1
R2
R3
P
P
1
i = k ik = ( k Gk )u = Geq u avec G =
R
ik =

Gk
i
Geq

1
1
1
R1
R2
R3
Donc i1 =
i ;i2 =
i ;i3 =
i
1
1
1
1
1
1
1
1
1
+
+
+
+
+
+
R1 R2 R3
R1 R2 R3
R1 R2 R3
8 / 13

c Boukaddid

Cours electrocinetique

sup TSI

Dip
oles actifs

3.1

Source de tension (source ind


ependante de tension)

3.1.1

Source lin
eaire ideale

Elle presente une force electromotrice constante e = cte quelque soit le courant
i

e
i

u=e
regime variable

3.1.2

u=e
regime continu

caracteristique statique

Mod`
ele de Thevenin

Il tient compte les effets dissipatifs au sein de la source


R

3.2
3.2.1

u = e Ri

Source de courant (source ind


ependante de courant )
Source ideale

Elle presente un courant constant quellque soit la tension u a` ses bornes i = = cte, u

9 / 13

c Boukaddid

Cours electrocinetique

sup TSI

i=
u
u
3.2.2

Mod`
ele de Norton

Il tient compte des effets dissapatifs


i

i=
3.2.3

u
= gu
r

Equivalence Thevenin-Norton

En general :
Les deux mod`eles obtenus sont equivalent et lon exploitera lun ou lautre suivant la
nature du circuit exterieur connecte.

10 / 13

c Boukaddid

Cours electrocinetique

sup TSI

A
dipole
lineaire

u0 : tension en circuit ouvert


i0 : courant de court circuit

A
u0
i0

u0
i0

i0

u0

Groupement de dip
oles actifs lineaires

4.1

Groupement serie : mod


elisation de Thevenin

Considerons un groupement de deux generateurs :


e1

e1 e2

e2

r1 + r2

i
r1

r2

u = (e1 e2 ) (r1 + r2 )i

Plus generalement,un groupement de generateurs Dk (ek , rk ) est equivalent `a un generateur


Deq de :
P
I f.e.m eeq = k k ek avec :
k = +1 pour ek suivant le sens de u
k = 1 pour le cas contraire
P
I de resistance interne : req = k rk

4.2

Groupement parall`
ele : mod`
ele de Norton

Quand les generateurs sont montes en parall`ele on utilise en pratique le mod`ele de


Norton
11 / 13

c Boukaddid

Cours electrocinetique

sup TSI

A
A
u
1

r1

geq = g1 + g2

eq = 1 2

r2

B
B

1
)
rk
donc pour un groupement de generateurs (k , gk )
P
P
i = k k k + ( k gk )u
P
eq = k k k
i = 1 g1 u 2 g2 u avec (gk =

geq =

gk =

P 1
k
rk

avec :
k =1 si k oriente suivant i
k = 1 dans le cas contraire
Application : modelisation dun groupement mixte
e
e

r
A

C
2r

r
2e
entre A et C les dipoles actifs sont en parall`ele on doit utiliser le mod`ele de Norton

12 / 13

c Boukaddid

Cours electrocinetique
=

sup TSI

e
r

e
r

2 =

2r

2e
r

3
3

e
C

r
3
= e
2
2

r
2

2r

2r

r
2

e
2
A

5
r
2
B

13 / 13

c Boukaddid

Cours electrocinetique

sup TSI

Th
eor`
emes de base et mod
elisation des r
eseaux lineaires

Table des mati`


eres
1 R
eseau `
a une maille : Loi de Pouillet

2 R
eseau quelconque : Lois de kirchhoff

3 Potentiel de noeud-th
eor`
eme de Millman
3.1 Loi des noeuds en termes de potentiels . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.2 Theor`eme de Millman . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

3
3
4

4 Mod
elisation des r
eseaux lineaires : th
eor`
emes de bases
4.1 superposition des etats-theor`eme dHelmoltz . . . . . . . .
4.2 Theor`eme de Thevenin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.3 Theor`eme de Norton . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.4 Application : pont de Wheatston . . . . . . . . . . . . . .
4.4.1 Modelisation du pont par le generateur de Thevenin
4.4.2 Modelisation de Norton . . . . . . . . . . . . . . .

5
5
7
7
7
8
9

. . . . . .
. . . . . .
. . . . . .
. . . . . .
(eeq , Req )
. . . . . .

.
.
.
.
.
.

1/9

c Boukaddid

Cours electrocinetique

sup TSI

Un reseau electrique est un syst`eme de dipoles electrocinetiques,reliees entre eux par des
fils conducteurs de resistance negligeable . Ce reseau est dit lineaire lorsquil ne fait intervenir que des dipoles actifs (source de tension ou de courant) et passifs (resistances...)
lineaires .

R
eseau `
a une maille : Loi de Pouillet

Considerons la maille suivante :


e1
i

r1
u1

e2

R
u
+
u2

r2

Loi des mailles : u + u1 + u2 e1 + e2 = 0 Ri + r1 i + r2 i e1 + e2 = 0


i=

e1 e2
R + r1 + r2

Generalisation : Loi de Pouillet


Pour une maille comportant Dk (ek , rk ) generateurs et dautres resistors R la loi de
Pouillet secrit sous la forme :
P
k ek
kP
i=
R + k rk
k = +1 pour ek suivant le sens de i
k = 1 pour le cas contraire

R
eseau quelconque : Lois de kirchhoff

Pour determiner ik dans un reseau quelconque on utilise les lois de kirchhoff


X
I Loi des Noeuds :
k ik = 0
k

I Loi des mailles :

k uk = 0

Application : Circuit comportant un transistor

2/9

c Boukaddid

Cours electrocinetique

sup TSI

Rc

R1

C
B

C
B

iB

iB

iB

rB

uc

E
R2

RE

Exprimer la tension uc en fonction de e, , Rc , RE et rB


iB
A

rB

iB
uc
E
Rc

iE
e

R1

R2

RE

M
La loi des Noeuds au point E : iE = iB + iB = ( + 1)iB
La maille ABEM A : e = rB iB + RE iE = [rB + ( + 1)RE ]iB
uc = iB Rc
uc =

3
3.1

Rc
e
rB + ( + 1)RE

Potentiel de noeud-th
eor`
eme de Millman
Loi des noeuds en termes de potentiels

Considerons le montage suivant :

3/9

c Boukaddid

Cours electrocinetique
i1

sup TSI
i3

i2
e1
r3
r2

2
r1

A1

A3

A2

(e1 , r1 ) generateur de tension


(2 , r2 )generateur de courant
vN le potentiel au noeud N (commune entre les 3 branches)
vk le potentiel au noeud Ak
on a v1 vN = r1 i1 e1
i1 = g1 (e1 + v1 vN )
i2 = 2 + g2 (v2 vN ))
i3 = g3 (v3 vN )
la loi des noeuds au ptN : i1 + i2 + i3 = 0
g1 (v1 vN ) + g2 (v2 vN ) + g3 (v3 vN ) + g1 e1 + 2 = 0
Generalisation
Pour n branches (dindice k) parvenant en N et comportant eventuellement des sources
de tension ou de courant la relation se generalise
X
X
k k = 0
gk [(Vk VN ) + k ek ] +
k

k = +1 si ek ou k oriente vers N .

3.2

Th
eor`
eme de Millman

IlX
sagit duneX
variante de la loi deX
des noeuds en terme de potentiel
(
gk )VN =
gk (Vk + k ek ) +
k k
k

P
VN =

gk (Vk + k ek ) +
P
k gk

k k

k = 1 si ek ou k orientes vers N
En pratique les points Ak sont relies a` la masse Vk = 0 donc le theor`eme de Millman
devient :
P
P
ek + k k k
k gk kP
VN = VN Vmasse =
k gk
Application
Exprimer lintensite i traversant la resistance de charge R en fonction des composantes
du reseau
4/9

c Boukaddid

Cours electrocinetique

sup TSI
N

R1
R1

e1

R2

R3

e2

Theor`eme de Millman u = VN VM

e1
e2

+
2R1 R2
= Ri
=
1
1
1
1
+
+
+
2R1 R2 R3 R

e1
e2

+
1
2R1 R2
i=
1
1
1
R 1
+
+
+
2R1 R2 R3 R

Mod
elisation des r
eseaux lineaires : th
eor`
emes de
bases

4.1

superposition des
etats-th
eor`
eme dHelmoltz

Letat electrique dun reseau lineaire comportant une distribution quelconque de sources
(tension ou courant) est obtenu en superposant les etats associes a` chaque source supposee seule dans le reseau .
I lintensite du courant circulant dans une branche est la somme des intensites
produites par chaque source supposee seule (on eteint les autres sources) .
I la tension aux bornes dun dipole est la somme des tensions produites par chaque
source supposee seule .
Remarque : En pratique on eteint une source independante (libre) de mani`ere suivante :
I source de tension est remplacee par un court circuit (fil conducteur)
I source de courant est remplacee par un circuit ouvert(coupe-circuit)
Application
Exprimer lintensite i du courant circulant dans la resistance R en superposant deux
etats electriques du reseau .
I Etat 1 (e1 = 0, 2 ) correspond au courant i1
I Etat 2 (e1 , 2 = 0) correspond au courant i2
i = i1 + i2
5/9

c Boukaddid

Cours electrocinetique

sup TSI

e1

r2
R

r1

B
si on eteint la source e1 on obtient un diviseur de courant
2

i1

2
r2

r1

1
R
i
i1 =
1
1
1
+ +
R r1 r2
pour letat 2 on utilise le mod`ele de Norton
1

i2

i2

r1

e1

r2

1 =

e1
r1

r1

r2

1
e1
R
i2 =
1
1
1 r1
+ +
R r1 r2
6/9

c Boukaddid

Cours electrocinetique

sup TSI

Donc
1
e1
R
i = i1 + i2 =
( + 2 )
1
1
1 r1
+ +
R r1 r2

4.2

Th
eor`
eme de Thevenin

Un reseau dipolaire lineaire,entre deux bornes A et B,peut etre modelise par une source
de tension ou generateur de Thevenin .
I de f.e.m eeq egale a` la tension en circuit ouvert entre A et B : eeq = (uAB )0
I de resistance interne egale a` la resistance equivalente Req du reseau dipolaire
passif (apres extinction des sources) entre A et B .

4.3

Th
eor`
eme de Norton

Un reseau dipolaire lineaire,entre A et B,peut etre modelise par une source de courant
ou generateur de Norton :
I de C.e.m eq egale au courant de court-circuit,entrant en B dans le reseau,A et
B etant reliees par un fil conducteur.
1
(Req en parall`ele avec la source libre ) .
I de conductance Geq =
Req

4.4

Application : pont de Wheatston


i

i3

i1
B

i2

i4

R
C

Le pont de Wheatston est dit equilibre lorsque le courant i qui circule dans le galvanom`etre de resistance r est nul .

7/9

c Boukaddid

4.4.1

Cours electrocinetique

sup TSI

Mod
elisation du pont par le g
en
erateur de Thevenin (eeq , Req )
i

uAC

eeq

r
Req

C
I Calcul de eeq eeq = (uAC )0 le circuit est ouvert entre A et C (en enl`eve la branche
AC)
i2 = i4 et i1 = i3
e = (P + X)i1 = (Q + R)i2
P
XQ RP
Q

)=e
cest la f.e.m de
eeq = P i1 + Qi2 = e(
Q+R
P +X
(Q + R)(P + X)
Thevenin
I Calcul de Req
P

Q
B

D
X

PX
RQ
Req = (P//X) + (Q//R) Req =
+
P +X R+Q
eeq
Le courant i =
loi de Pouillet
Req + r
lequilibre du pont exige i = 0 Req = 0 donc
XQ = P R
Utilite du pont : le pont permet de determiner la valeur de la resistance X inconue

8/9

c Boukaddid

4.4.2

Cours electrocinetique

sup TSI

Mod
elisation de Norton
eq

eq =

eeq
Req

Req

C
eeq
Req + r
i = 0 XQ = P R
i=

9/9

c
S.Boukaddid

Cours electrocinetique

sup TSI

R
egime transitoire

Table des mati`


eres
1 Circuit RC s
erie soumis `
a un
echelon de tension
1.1 Echelon de tension . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.2 Charge dun condensateur . . . . . . . . . . . . .
1.2.1 Conditions initiales . . . . . . . . . . . . .
1.2.2 Expression de u(t) et i(t) . . . . . . . . . .
1.2.3 Regime transitoire-temps de relaxation . .
1.2.4 Temps de monte . . . . . . . . . . . . . .
1.2.5 Aspect energetique . . . . . . . . . . . . .
1.3 Decharge dun condensateur - Regime libre . . . .
1.3.1 Regime libre dun circuit R,C . . . . . . .
1.3.2 Aspect energetique . . . . . . . . . . . . .

.
.
.
.
.
.
.
.
.
.

2
2
2
2
3
4
4
4
5
5
6

2 R
egime transitoire dun circuit RL
2.1 Reponse dun circuit RL a` un echelon de tension . . . . . . . . . . . . .
2.2 Regime libre du circuit RL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

6
6
8

.
.
.
.
.
.
.
.
.
.

.
.
.
.
.
.
.
.
.
.

3 R
egime libre dun circuit RLC
3.1 Conditions initiales . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.2 Equation differentielle - Facteur de qualite - Pulsation
3.3 Divers regimes de variation . . . . . . . . . . . . . . .
3.3.1 Regime aperiodique . . . . . . . . . . . . . . .
3.3.2 Regime critique . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.3.3 Regime pseudo-periodique . . . . . . . . . . .

.
.
.
.
.
.
.
.
.
.

.
.
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.
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.
.

.
.
.
.
.
.
.
.
.
.

.
.
.
.
.
.

9
9
9
10
10
11
11

4 R
eponse dun circuit RLC s
erie `
a un
echelon de tension
4.1 Regime transitoire-Regime libre . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.2 Aspect energetique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

13
13
13

. . . .
propre
. . . .
. . . .
. . . .
. . . .

.
.
.
.
.
.

.
.
.
.
.
.

.
.
.
.
.
.

.
.
.
.
.
.

.
.
.
.
.
.

1 / 14

c
S.Boukaddid

Cours electrocinetique

sup TSI

Dans ce chapitre on va sinteresser a` leffet dune brusque variation de tension sur un


syst`eme lineaire . Cette variation sera modelisee par une fonction appelee echelon de
tension .

1
1.1

Circuit RC s
erie soumis `
a un
echelon de tension
Echelon de tension

Il sagit dun signal electrique produit par une source libre de tension de la forme :

u0 , t > 0
u(t) =
0, t < 0
On peut realiser cet echelon de tension par un basculement de linterrupteur K a` t = 0
u(t)

K
u0
u(t)
t

1.2
1.2.1

Charge dun condensateur


Conditions initiales
k

q
C

u(t)

E
R

Pour t < 0 linterrupteur k est ouvert et le condensateur est non charge .


q(0 ) = 0, u(0 ) = 0, i(0 ) = 0
on ferme linterrupteur k a` t = 0,la continuite de la tension aux bornes du condensateur
se traduit par
u(0 ) = u(0+ ) = 0
2 / 14

c
S.Boukaddid

Cours electrocinetique

sup TSI

de meme la continuite de la charge


q(0 ) = q(0+ ) = 0
1.2.2

Expression de u(t) et i(t)

Pour t > 0 la loi des mailles : E = u + Ri avec i = C


RC

du
donc
dt

du
+u=E
dt

On pose = RC : constante du temps du circuit RC

du
+u=E
dt

La solution de cette equation secrit sous la forme


u(t) = u1 (t) + u2 (t)
u1 : solution generale de lequation : equation sans seconde membre
u2 : solution particulier de lequation compl`ete
t
u1 (t) = k exp( )

u2 = cte u2 = E
donc
t
u(t) = k exp( ) + E

on determine la constante k par les conditions initales


a` t = 0 u(0) = 0 k + E = 0 k = E finalement
t
u(t) = E(1 exp( ))

i(t) = C

du
E
t
= exp( )
dt
R

E
R

E
0,63E
0, 37

E
R
t

3 / 14

c
S.Boukaddid

Cours electrocinetique

sup TSI

Remarque :on observe :


I une continuite de la tension u(t) en t = 0
I Une discontinuite du courant i(t) en t = 0
1.2.3

R
egime transitoire-temps de relaxation

Pour t >> u E le syst`eme se trouve alors en un regime etabli independant du


temps .
Soit tn la duree necessaire au syst`eme pour approcher le regime etabli
ut = E a` 10n pres (n = 2.3...)
E u(tn )
tn
ut u(tn )
= 10n =
= exp( )
ut u(0)
E

tn = 2, 3n
: de lordre de grandeur du regime transitoire est appelee temps de relaxation
ordre de grandeur
R = 103 , C = 0, 1F = 104 s
1.2.4

Temps de mont
e

On appelle le temps de montee du signal la duree tm necessaire a` la tension pour passer


de 100 /0 a` 900 /0 de sa valeur finale.
u(t)

E
0, 9E
0, 1E
t
t1

tm

t2

t1
t1
u(t1 ) = E(1 exp( )) = 100 /0 E = 0, 1E exp( ) = 0, 9 t1 = 0, 1

t2
u(t2 ) = E(1 exp( )) = 900 /0 E = 0, 9E t2 = 2, 3

tm = t2 t1 = 2, 2
1.2.5

Aspect
energ
etique

u + Ri = E en multipliant par i = C

du
dt

d 1 2
( Cu ) + Ri2 = Ei
dt 2
4 / 14

c
S.Boukaddid

Cours electrocinetique

sup TSI

Ei : puissance fournie par le generateur


Ri2 : puissance liee `a leffet joule dans la resistance
1 2
Cu = Ee : energie electrique emmagasinee dans le condensateur
Z E
Z
Z2 E
Z
1 2
2
ECdu = CE 2
Eidt =
Ri dt =
d( Cu ) +
2
0
0
0
0
Z
1
1
wJ =
Ri2 dt = CE 2 CE 2 = CE 2
2
2
0

1.3
1.3.1

D
echarge dun condensateur - R
egime libre
R
egime libre dun circuit R,C

Le regime libre (ou propre ) caracterise levolution du circuit RC en labsence de la


source .
R

(1)
k

(2)
u

a` t < 0 k se trouve dans la position (1) qui permet la charge du condensateur .Apres
quelques u atteint la valeur de E
a` t = 0 k bscule vers la position (2) , le circuit RC se trouve dans le regime libre
la continuite de u aux bornes de C : u(0+ ) = u(0 ) = u0 = E
du
et u + Ri = 0
i=C
dt
u+

du
=0
dt

avec = RC
t
la solution de cette equation secrit sous la forme u(t) = k exp( ) , avec u(0) = E = k

donc
t
u(t) = E exp( )

i=C

du
E
t
= exp( )
dt
R

5 / 14

c
S.Boukaddid

Cours electrocinetique

sup TSI

0, 37
0, 37E
t

continuite de u en t = 0

1.3.2

E
R

E
R

discontinuite de i en t = 0

Aspect
energ
etique

En multipliant lequation u + Ri = 0 par idt = Cdu


1
Cudu + Ri2 dt = d( Cu2 ) + Ri2 dt = 0
2
lintegration entre t = 0 et t = (quelques ) on obtient :
Z

wJ =
0

1
Ri2 dt = CE 2
2

Le condensateur restitue ,au cours de la decharge ,sous forme deffet Joule lenergie
quil avait emmagasinee pendant la charge .

2
2.1

R
egime transitoire dun circuit RL
R
eponse dun circuit RL `
a un
echelon de tension
(1) K

(2)
L

Pour t < 0,le courant circulant dans le circuit RL est suppose nul .
k est place en position (1) a` t = 0
6 / 14

c
S.Boukaddid

Cours electrocinetique

sup TSI

la continuite du courant dans la bobine se traduit par i(0 ) = i(0+ ) = 0


di
pour t > 0 : E = Ri + u = Ri + L
dt
i+

E
di
=
dt
R

L
avec =
temps de relaxation
R
la solution de cette equation secrit sous la forme

i(0) = 0 k =

i(t) =

E
t
+ k exp( )
R

i(t) =

E
t
(1 exp( ))
R

E
R

u(t) = L

t
di
= E exp( )
dt

iM =

E
R

0, 63iM

continuite de i(t) en t=0

discontinuite de u(t) en t=0

Aspect energetique
di
En multipliant E = Ri + L par idt
dt
1 2
2
Eidt = Ri dt + d( Li )
Z
Z 2
Z
1
2
Eidt =
Ri dt + d( Li2 )
2
0
0
1
wg = wJ + Li2M
2
E
avec : iM =
R
wg : lenergie fournie par le generateur
wJ : lenergie dissipee par effet Joule dans la resistance
7 / 14

c
S.Boukaddid

2.2

Cours electrocinetique

sup TSI

R
egime libre du circuit RL
(1)

i
(2)

E
dans le
a` t < 0 k est dans la position (1),on attend letablissement du courant iM =
R
circuit .
a` t = 0 on bascule linterrupteur k vers la position (2) , le circuit se trouve a` t > 0
dans le regime libre .
La continuite du courant en 0 : i(0 ) = i(0+ ) = iM .
di
di
L
u + Ri = L + Ri = 0 + i = 0, =
dt
dt
R
t
i(t) = k exp( ) avec i(0) = iM = k

t
i(t) = iM exp( )

u=L

di
t
= RiM exp( )
dt

iM

RiM

Bilan energetique
di
1
Multiplions L + Ri = 0 par idt on obtient d( Li2 ) + Ri2 dt = 0
dt
2
par integration entre t = 0 et t1 >> :
1
wJ = Li2M
2
Lenergie electromagnetique initiale dans la bobine est totalement dissipee par effet
Joule dans la resistance .
8 / 14

c
S.Boukaddid

Cours electrocinetique

sup TSI

R
egime libre dun circuit RLC

3.1

Conditions initiales

Pour resoudre les equations dun circuit RLC il es necessaire dutilser les conditions
initiales et les deux conditions suivantes :
I La continuite du courant i (circulant dans la bobine)
I La continuite de la tension u aux bornes du condensateur

3.2

Equation diff
erentielle - Facteur de qualit
e - Pulsation
propre
R

uR
L

uL

uc

C
q

di
du
+ Ri + u = 0; i = c
dt
dt
1
d2 u R du
+
+
u=0
dt2
L dt
Lc

d2 u
du
+
2
+ 02 u = 0
dt2
dt
R
: Coefficient damortissement
2L
1
0 =
: pulsation propre
Lc
On definit le facteur de qualite du circuit RLC par
=

1
1
L0
=
=
Q=
R
Rc0
R

L
c

d2 u 0 du
+
+ 02 u = 0
2
dt
Q dt
de meme lequation en charge q : q = cu
d2 q 0 dq
+
+ 02 q = 0
dt2
Q dt

9 / 14

c
S.Boukaddid

3.3

Cours electrocinetique

sup TSI

Divers r
egimes de variation

lequation caracteristique de lequation differentielle r2 + 2r + 02 = 0 avec =


0 = 2 02 = 02 (
3.3.1

0
2Q

1
1)
4Q2

R
egime ap
eriodique

r
L
1
Pour un amortissement eleve > 0 > 0 Q < R > 2
2
c
q
r1,2 = 2 02 donc
0

q
q
2
2
u(t) = exp(t)(a exp( 0 t) + b exp( 2 02 t))
Portrait de phase
du
en fonction de u(t) .
Cest la representation de
dt
Pour un signal sinusoidal le portrait de phase est un ellipse
du
dt

u(t)

u
Q1 > Q2 > Q3
Q3
Q1

Q2
t

Les trajectoires de phase montrent un retour sans oscillation vers le point attracteur `a
lorigine .
10 / 14

c
S.Boukaddid

Cours electrocinetique

sup TSI

Ordre de grandeur de la duree du regime libre


q
t
Pour t suffisament eleve : u(t) a exp(( 2 02 )t) = a exp( )

p
+ 2 02
1
p
=
=
02
2 02
La duree du regime libre est de quelques varie avec le facteur de qualite Q .
3.3.2

R
egime critique

r
1
L
= 0, c = 0 , Qc = , Rc = 2
2
c
0

u(t) = (a + bt) exp(0 t)


Ordre de grandeur du regime libre

c =

1
0
du
dt

Qc =

1
2

Qc =
t

Portrait de phase

Le syst`eme tente encore `a contourner lorigine dans le sens horaire mais ne peut y
parvenir : il echoue rapidement au point o .
3.3.3

R
egime pseudo-p
eriodique

r
1
L
Pour un amortissement faible : 0 < 0; < 0 ; Q > ; R < 2
2
c
q
2
r1,2 = i 0 2 = i
11 / 14

1
2

c
S.Boukaddid

Cours electrocinetique
=

sup TSI

q
02 2

: pseudo-pulsation
la solution est :
u(t) = a exp(t) cos(t + )
a; sont des constantes dintegration
0
=
2Q
r
= 0

1
< 0
4Q2

Pseudo-periode T
la periode propre T0 =
la pseudo-periode :

2
0

T =

T0
2
=r
> T0

1
1
4Q2

Decrement logarithmique
u(t + T ) = exp(T )u(t)
= T =

2
T
0
r 0
=p
2Q
1
4Q2 1
1
4Q2

= ln[

u(t)
]
u(t + T )

la duree du regime pseudo-periodique


=

1
2Q
=

Portrait de phase

12 / 14

c
S.Boukaddid

Cours electrocinetique

sup TSI

R
eponse dun circuit RLC s
erie `
a un
echelon de
tension

4.1

R
egime transitoire-R
egime libre
R

lequation differentielle :
d2 u 0 du
+
+ 02 u = 02 E
dt2
Q dt
la solution de cette equation secrit sous la forme :
u(t) = u1 (t) + E
avec :
I E : solution particuli`ere
I u1 (t) : solution generale
u1 (t) correspond au regime libre (aperiodique-critique-pseudo-periodique) . Pendant
la duree de lexistence du regime libre le circuit RLC se trouve en regime transitoire
,cependant au bout de quelques on parvient a` un regime etabli independant du temps
u1 = 0; u = E .
Le regime etabli ne depend pas des conditions initiales (i0 , u0 ) car u1 (t) 0 lorsque
t.

4.2

Aspect
energ
etique

di
En multipliant lequation E = L + Ri + u par idt = cdu
dt
1 2 1 2
2
Eidt = d( Li + cu ) + Ri dt = dE + wJ
2
2
lintegration entre t = 0 et t =
13 / 14

c
S.Boukaddid

Cours electrocinetique

sup TSI

Z
1 2
1 2
2
2
Ri2 dt
dq = L(i i(0) ) + c(u() u(0) ) +
E
2
2
0
q(0)
avec : q(0) = u(0) = i(0) = 0 et q() = cE ;u() = E ; i() = 0
Z

q()

1
1
cE 2 = cE 2 + wJ wJ = cE 2
2
2
I La bobine nintervient pas dans le bilan energetique globale de la charge du
condensateur .
I Lenergie fournie par le generateur se repartit a` egalite entre la resistance (effet
Joule) et le condensateur .

14 / 14

c Boukaddid

Cours delectrocinetique

sup TSI

R
egime sinusoidal forc
e dun circuit RLC

Table des mati`


eres
1 Diagramme de Fresnel
1.1 Definitions . . . . . . . . . . . . . . .
1.2 Application : Etude dun circuit RLC
1.2.1 Dipoles fondamentaux . . . .
1.2.2 Groupement R,L,C . . . . . .

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2
2
3
3
4

2 M
ethode des grandeurs complexes-Imp
edance complexe
2.1 Notation complexe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.1.1 Preliminaire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.1.2 proprietes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.1.3 Application a` une grandeur alternative sinusoidale .
2.1.4 Derivee et primitive en notation complexe . . . . .
2.2 Lois de Kirchhoff en notation complexe . . . . . . . . . . .
2.3 Impedance complexe-Admittance complexe . . . . . . . . .
2.3.1 Definitions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.3.2 Dipoles fondamentales R,L,C . . . . . . . . . . . .
2.4 Groupement serie de dipoles passifs . . . . . . . . . . . . .
2.4.1 Impedance equivalente . . . . . . . . . . . . . . . .
2.4.2 Cas du RLC serie . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.5 Groupement parall`ele de dipoles passifs . . . . . . . . . . .

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5
5
5
6
6
7
7
7
7
8
8
8
8
9

.
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3 Th
eor`
emes g
en
eraux
4 R
esonance dun circuit RLC
4.1 resonance en intensite . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.1.1 Intensite efficace du circuit . . . . . . . . . .
4.1.2 Resonance . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.1.3 Bande passante . . . . . . . . . . . . . . . .
4.1.4 Aspect graphique . . . . . . . . . . . . . . .
4.2 Resonance en tension aux bornes du condensateur .
4.2.1 Tension efficace aux bornes du condensateur
4.2.2 Resonance en tension . . . . . . . . . . . . .
4.2.3 Aspect graphique . . . . . . . . . . . . . . .

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10
10
10
10
11
11
12
12
13
13

1 / 13

c Boukaddid

Cours delectrocinetique

sup TSI

On sinteresse a` un circuit RLC,soumis a` une tension sinusoidale . Le regime sinusoidal


force setablit rapidement apr`es extinction du regime transitoire .

Diagramme de Fresnel

1.1

D
efinitions

Diagramme de Fresnel : Il sagit dune representation vectorielle des grandeurs sinusoidales .


Vecteur de Fresnel : Il sagit dun vecteur representant une grandeur sinusoidale .

Considerons un vecteur OP de module Vm tournant autour du poit O dans le sens


trigonometrique avec une vitesse angulaire constante .

On choisit laxe OX de reference tq :(OX, OP ) = a` t = 0
Y
P

t +
X
O

H la projection de P sur OX
OH = OP cos(t + ) = Vm cos(t + )
Resultat : a` toute grandeur sinusoidale on peut faire correspondre un vecteur de
Fresnel .

v(t) = Vm cos(t + ) OP tq :

||OP || = Vm lamplitude de v(t)



(OX, OP ) = t + la phase instantannee
I Somme de deux grandeurs sinusoidales
Soient : v1 (t) = V1m cos(t + 1 ) et v2 (t) = V2m cos(t + 2 ) des grandeurs

sinusoidales associees aux vecteurs OP1 et OP2

OP = OP1 + OP2 donc
v = v1 + v2 = Vm cos(t + )

2 / 13

c Boukaddid

Cours delectrocinetique

sup TSI

P
P2

P1

X
O
I Derivee et primitive dune grandeur sinusoidale

v(t) = Vm cos(t + ) OP

dv(t)
= Vm sin(t + ) = Vm cos(t + + ) OP1
dt
2
dv
Resultat : la grandeur
est en quadrature avance par rapport `a v(t)
dt
Z

Vm
Vm

vdt =
sin(t + ) =
cos(t + ) OP2

2
Z
Resultat : la grandeur

vdt est en quadrature retard par rapport a` v(t)

P1

P2

1.2
1.2.1

Application : Etude dun circuit RLC


Dip
oles fondamentaux

Par analogie avec la loi dOhm :


Um = ZIm et Im = Y Um
Um : Amplitude de la tension
Im : Amplitude du courant
Z : Impedance modulaire ()
Y : Admittance modulaire (1 ou siemens s)
3 / 13

c Boukaddid

Cours delectrocinetique

sup TSI

Um
cos(t)
I Resistance pure : u(t) = Um cos(t) = Ri(t) i(t) =
R
En prenant comme axe de reference la tension,nous obtenons un diagramme tres
simple .
=0
Im
Um

Z=R
I Bobine pure

di(t)
Um
: u(t) = L
= Um cos(t) i(t) =
dt
L

Z
cos(t)dt =

Um
sin(t)
L
Um

Um

i(t) =
cos(t ) Im =
; = ; Z = L
L
2
L
2
Um

Im

Z = L

=
2
Resultat : Le courant est en quadrature retard par rapport `a la tension .
q(t)
= Um cos(t)
I Condensateur : u(t) =
C
dq

i(t) =
= CUm sin(t) = CUm cos(t + )
dt
2

On deduit : Im = CUm et = +
2

Im

2
Um
+
Z=
=

1
C

Resultat : Le courant est en quadrature avance par rapport `a la tension .


1.2.2

Groupement R,L,C

En serie la grandeur commune est lintensite on la choisit comme axe de reference .


i(t) = Im cos(t)

4 / 13

c Boukaddid

Cours delectrocinetique

u1

sup TSI
C

u3

u2
u

u1 (t) = RIm cos(t) = U1m cos(t)

u2 (t) = L cos(t + ) = U2m cos(t + )


2
2
Im

u3 (t) =
cos(t ) = U3m cos(t )
C
2
2
U2m

Im
axe de reference

U1m

U3m U2m

Um

U3m
1
L)2 ]i2m
C
r
1
Z = R2 + (
L)2
C

2
2
Um
= U1m
+ (U3m U2m )2 = [R2 + (

tan =

1
C

cos =

2
2.1
2.1.1

L
R
R
Z

M
ethode des grandeurs complexes-Imp
edance complexe
Notation complexe
Pr
eliminaire

En physique pour ne pas confondre le nombre dHamilton i tq i2 = 1 avec lintensite


du courant on note j 2 = 1 .
Un nombre complexe peut se mettre sous la forme
5 / 13

c Boukaddid

Cours delectrocinetique

sup TSI

z = a + jb = r(cos + j sin ) = r exp j


a : partie reelle
b : partie imaginaire
r : module
: argument

On peut lui associer un vecteur OM dans le plan complexe (


u
X , uY )
Y

b
r

u
Y
O
u
X

r=

a2 + b 2

tan =
2.1.2

b
a

propri
et
es

I z1 = z2 a1 = a2 ; b1 = b2 r1 = r2 ; 1 = 2
I z = z1 z2 r = r1 r2 ; = 1 + 2
r1
z1
r = ; = 1 2
I z=
z2
r2
I z = a + jb z = a jb; z = (r, )

I Lexpression du module de z est r = z.z


I La condition z reel se traduit par z = z
I La condition z imaginaire se traduit par z = z
2.1.3

Application `
a une grandeur alternative sinusoidale

Considerons les grandeurs sinusoidales : u(t) = Um cos(t) et i(t) = Im cos(t + )


On peut leur faire correspondre les grandeurs complexes :
u(t) = Um exp jt et i(t) = Im exp(jt + )
seules les parties reelles ont un sens physique .
Usuellement on pose I m = Im exp j lintensite maximale complexe de i(t)
i(t) = I m exp jt avec
|I m | = Im : intensite maximale de i
argI m = : phase a` lorigine de i(t)/u(t)
6 / 13

c Boukaddid

2.1.4

Cours delectrocinetique

D
eriv
ee et primitive en notation complexe

i(t) = I m exp jt

Z
i(t)dt =

di
= jI m exp jt
dt
di
= ji(t)
dt

1
I exp jt
j m
Z
i(t)dt =

2.2

sup TSI

1
i(t)
j

Lois de Kirchhoff en notation complexe

Dans le cadre de lARQP,en regime sinusoidal les lois de Kirchhoff se generalisent en


notation complexe :
I Loi des Noeuds
X

k i k = 0

I Loi des mailles


X

k uk = 0

2.3
2.3.1

Imp
edance complexe-Admittance complexe
D
efinitions
i
D
u

Par analogie avec la loi dOhm :


u = Z.i i = Y .u
Z : Impedance complexe
1
admittance complexe
Y =
Z
u(t) = Um exp jt et i(t) = Im exp(jt + ) = I m exp jt
la relation precedente se simplifie en
Um = Z.I m
est le dephasage de i/u
I En modules Um = Z.Im
I Le dephasage
0 = arg Z +
7 / 13

c Boukaddid

2.3.2

Cours delectrocinetique

sup TSI

Dip
oles fondamentales R,L,C

I Resistance pure : u(t) = R.i(t) u(t) = R.i(t) donc


ZR = R ; Y R =

1
R

I Bobine pure
di(t)
di
u(t) = L
u = L = jLi
dt
dt
Z L = jL; Y L =

1
jL

|Z L | = L et i/u = arg Z = arg Y = (quadrature retard)


Z
Z2
1
1
1
I Condensateur u(t) =
i
i(t)dt u =
idt =
c
c
jc
Zc =
i/u =

2.4

1
; Y = jc
jc c

(quadrature avance)
2

Groupement s
erie de dip
oles passifs

2.4.1

Imp
edance
equivalente
Z2

Z1

u1

u2

ZN

Z eq

uN

u
u=

Z k i = Z eq i

Z eq =

Zk

2.4.2

Cas du RLC s
erie
i

u
i(t) = Im cos(t + ) et u(t) = Um cos(t + )
en utilisant les impedances complexes :
Z = ZL + ZR + Zc
8 / 13

c Boukaddid

Cours delectrocinetique
Z = R + j(L

Im =

sup TSI

1
)
c

Um
Um
=r
|Z|
1
R2 + (L )2
c
L
tan =

1
c

avec cos > 0

2.5

Groupement parall`
ele de dip
oles passifs
D1

i
DN

u
i=

X
k

ik =

Y ku

Y eq =

X
k

Y k ; Z eq =

1
Y eq

Th
eor`
emes g
en
eraux

Les lois de kirchhoff et les theor`emes generaux qui decoulent de la linearite du syst`eme
se generalisent au regime sinusoidal dans le cadre de la representation complexe . Tout
les theor`emes vu precedement restent valables a` condition de remplacer chaque dipole
par son impedance complexe ou son admittance complexe .

9 / 13

c Boukaddid

Cours delectrocinetique

sup TSI

R
esonance dun circuit RLC

4.1
4.1.1

r
esonance en intensit
e
Intensit
e
efficace du circuit
c

u(t)

u(t) = U 2 cos t
i(t) = I 2 cos(t + )
En notation
complexe

u = U 2 exp jt

i = I 2 exp(jt + ) = I 2 exp jt
1
u = Z.i avec Z = R + j(L )
c
I exp j =

1
R + j(L )
c
On definit :

1
c

L
et () = arctan

1
I Pulsation propre du circuit : 0 =
Lc
L0
1
I Facteur de qualite du circuit : Q =
=
R
RC0

I Pulsation reduite du circuit : X =


0
U
R

I(X) = r
1
1 + Q2 (X )
X
(X) = arctan (Q(X
4.1.2

1
))
X

R
esonance

Il se produit le phenom`ene de resonance en courant lorsque lintensite efficace I est


1
maximale Xr
= 0 Xr = 1 r = 0 et (Xr ) = 0
Xr
Resultat : La pulsation de resonance en intensite est egale a` la pulsation propre du
circuit, et le courant est en phase avec la tension `a la resonance quelque soit le facteur
de qualite Q du circuit RLC serie .
r = 0 et (r ) = 0
10 / 13

c Boukaddid

4.1.3

Cours delectrocinetique

sup TSI

Bande passante

` la resonance lintensite efficace est maximale Imax = U .


A
R
On appelle bande passante en pulsation reduite lintervalle X = X2 X1 pour lequel
Imax
6 I(X) 6 Imax
2
Imax
1
1
1
X
I(X) = 1 + Q2 (X )2 = 2 X
= X2
1 = 0 on prend
X
X
Q
Q
2
les solutions positives
1
1
+
X1 =
2Q 2
1
1
+
X2 =
2Q 2

1
+4
Q2

1
+4
Q2

La bande passante en pulsation reduite


X = X2 X1 =

1
Q

La bande passante en pulsation


=

R
0
=
Q
L

La bande passante est dautant plus etroite que le facteur de qualite est plus eleve .
4.1.4

Aspect graphique

I(x) 0 lorsque X 0 ou X cest le comportement limite du condensateur et


du bobine .
Y c = jc 0 lorsque 0 un condensateur se comporte comme une coupe circuit aux tres basses frequences .
1
YL =
0 lorsque la bobine se comporte comme une coupe circuit aux
jc
frequences eleves .

11 / 13

c Boukaddid

Cours delectrocinetique

sup TSI

I
Imax
Imax

X
1

X1

X2

2
4
X

4.2
4.2.1

R
esonance en tension aux bornes du condensateur
Tension
efficace aux bornes du condensateur
i

uc

uc (t) =
Uc 2 cos(t + )
i(t) = I 2 cos(t + )
u(t) = U 2 cos t
Z
u
uc = c u =
1
Z
jc[R + j(L )]
c

12 / 13

c Boukaddid

Uc exp j =

Cours delectrocinetique

U
U
Uc = p
2
1 Lc + jRc
(1 Lc 2 )2 + R2 c2 2
Uc = s

(1 X 2 )2 +

4.2.2

sup TSI

X2
Q2

R
esonance en tension

Il existe une resonance en tension aux bornes du condensateur , lorsque la tension


efficace Uc aux bornes du condensateur passe par un maximum pour une certaine
r
(r pulsation de resonance ) .
valeur Xr =
0
2
` la resonance la fonction f (X) = (1 X 2 )2 + X doit etre minimale
A
Q2
1
df
1
( )X=Xr = 0 2Xr [2(1 Xr2 ) + 2 ] = 0 Xr2 = 1
> 0 ce qui exige
dx
Q
2Q2
r
1
1
6= 0
Q > donc r = 0 1
2Q2
2
1
Pour Q < pas de resonance .
2
1
Resultat : La resonance en tension exige Q >
2
r
1
La pulsation de resonance en tension r = 0 1
2Q2
1

Dephasage : U cm =
I cm =
jc
2
La courbe representant en fonction de se deduit directement `a partir de la courbe

= f () par un simple decalage vers le bas de .


2
4.2.3

Aspect graphique

Uc

Q = 1, 5
Q=1

Q = 0, 5

13 / 13

c Boukaddid

Cours electrocinetique

sup TSI

Puissance en r
egime sinusoidal

Table des mati`


eres
1 Puissance instantan
ee
1.1 Expression . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.2 Aspect graphique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

2
2
2

2 Puissance moyenne
2.1 Definition . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.2 Puissance moyenne dun resistor - grandeurs efficaces . . . . . . . . . .
2.3 Puissance moyenne en regime sinusoidal . . . . . . . . . . . . . . . . .

2
2
3
3

3 Puissance en notation complexe


3.1 Definition . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.2 Adaptation dimpedance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

4
4
5

1/5

c Boukaddid

1
1.1

Cours electrocinetique

sup TSI

Puissance instantan
ee
Expression
D

u
Dans le cadre de la convention recepteur la puissance consommee par un dipole electrocinetique
(D) est definie par :
P (t) = u(t).i(t)
En regime sinusoidal u(t) = Um cos t et i(t) = Im cos(t + )
Um .Im
[cos + cos(2t + )]
P (t) = Um Im cos t. cos(t + ) =
2
Donc la puissance P (t) est une fonction periodique de pulsation p = 2
2
T

La periode Tp =
= =
p

1.2

Aspect graphique
P

Um .Im
cos
2
t

Tp

Au cours dune periode T le dipole se comporte reellement :


Comme un recepteur si P > 0
comme un generateur si P < 0

2
2.1

Puissance moyenne
D
efinition

Dans le cas de signaux periodiques (u(t) et i(t)) on definit la puissance moyenne


consommee par un dipole electrocinetique par :
2/5

c Boukaddid

Cours electrocinetique
Z

1
Pm =
T

sup TSI

P (t)dt en watt : w
0

Remarque : En regime sinusoidal cette puissance est appelee puissance active .

2.2

Puissance moyenne dun r


esistor - grandeurs
efficaces

En regime continu (I = cte) la puissance moyenne consommee par effet Joule secrit
Pm = U.I = R.I 2
En regime
moyenne consommee :
Z variable la puissance
Z
1 T
1 T 2
Pm =
P (t)dt =
Ri (t)dt
T 0
T 0
Definition : On appelle intensite efficace I la valeur de lintensite du courant continu
qui produirait le meme effet Joule quen regime periodique .
Pm = R.I 2 donc lintensite efficace est :
1
I =
T
2

i2 (t)dt

Pour un courant sinusoidal i(t) = Im cos(t + )


2 Z T
2 Z T
Im
Im
2
2
I =
cos (t + )dt =
(1 + cos(2(t + )))dt avec T = 2
T 0
2T 0
Im
I=
2
Valeur efficace dune tension sinusoidale
Il sagit de la valeur quadratique moyenne de la tension u(t) = Um cos(t + ) sur une
periode T .
Um
U=
2

2.3

Puissance moyenne en r
egime sinusoidal

u(t) = Um cos t et i(t) = Im cos(t + )


Um .Im
[cos + cos(2t + )]
P (t) = u(t).i(t) =
2
Z
Z
1 T
Um .Im
1 T
Pm =
P (t)dt =
[cos +
cos(2t + )dt]
T 0
2
T 0
Pm =

Um .Im
cos
2

avec Um = U 2 et Im = I 2
Pm = U.I cos
I La puissance moyenne represente la puissance active consommee
I Le produit U.I designe la puissance apparente (V.A) du dipole
3/5

c Boukaddid

Cours electrocinetique

sup TSI

I cos est appele facteur de puissance


Exemples
I Puissance moyenne dun condensateur et dune bobine

Pour un condensateur le courant est en avance de par rapport a` la tension


2

Pour une bobine le courant est en retard de par rapport a` la tension


2

Donc cos( ) = 0 donc Pm = 0


2
Le condensateur et la bobine emmagasinent de lenergie pendant une alternance
et restituent cette energie lors de lalternance suivante .
I Cas de RLC serie
i

uR

uL

uc

u
u = uR + uL + uc
Pm = PR + PL + Pc = PR = RI 2
La seule energie consommee lest par effet Joule dans la resistance .

Puissance en notation complexe

3.1

D
efinition

On definit la puissance complexe P consommee par le dipole par


1
P = u.i
2
i complexe
conjugue de i

u = U 2 exp jt et i = I 2 exp j exp jt = I 2 exp jt P = U .I = U.I exp j


P = U I(cos + j sin )
I la puissance active ou moyenne (w)
Pm = Rel(P )
I la puissance reactive (V.A)
Im(P ) = pr

4/5

c Boukaddid

3.2

Cours electrocinetique

sup TSI

Adaptation dimp
edance
i

Zg

u
D

Considerons undipole D dimpedance Z = R + jX,alimente par un generateur de


f.e.m e(t) = E 2 cos t dimpedance interne Z g = Rg + jXg .
La puissance moyenne consommee par un dipole D est :
Pm = Rel(Z).I 2 = R.I 2
e
e
E2
=
I2 =

loi de Poouillet : i =
Zg + Z
Rg + R + j(Xg + X)
(Rg + R)2 + (Xg + X)2
RE 2
Pm =
(Xg + X)2 + (Rg + R)2
Pm = f (R, X)
Pm
Pm
)Xf ixe = 0 et (
)Rf ixe = 0
Pm est maximale : (
R
X
Pour simplifier les calculs on utilise la derivee logarithmique
1 Pm
ln Pm
2(Xg + X)
)R = (
)R =
= 0 donc X = Xg
(
Pm X
X
(Rg + R)2 + (Xg + X)2
ln Pm
1
2(Rg + R)
Rg R
1 Pm
(
)X = (
)X =

=
= 0 donc
2
2
Pm R
R
R
(Rg + R) + (Xg + X)
R(Rg + R)
R = Rg
Resultat :
Pm est maximum si
Z = Zg R = Rg ; X = Xg

5/5

c Boukaddid

Cours delectrocinetique

sup TSI

Diagramme de Bode des filtres du premier et second ordre

Table des mati`


eres
1 Fonction de transfert dun circuit lin
eaire
1.1 Ordre dun circuit . . . . . . . . . . . . . . . .
1.2 Fonction de transfert harmonique H . . . . . .
1.3 Stabilite dun circuit lineaire . . . . . . . . . .
1.3.1 Definition . . . . . . . . . . . . . . . .
1.3.2 Crit`ere de stabilite en regime sinusoidal
1.3.3 Crit`ere de stabilite en regime libre . . .

.
.
.
.
.
.

2
2
2
3
3
3
3

.
.
.
.
.

4
4
4
4
4
5

3 Filtre dordre un
3.1 Filtre passe bas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.2 Filtre passe haut . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.3 Dephaseur ou filtre passe tout . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

5
5
6
7

. . . .
. . . .
. . . .
. . . .
force .
. . . .

.
.
.
.
.
.

.
.
.
.
.
.

2 Diagramme de Bode dun filtre


2.1 Gain en decibel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.2 Diagramme de Bode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.2.1 Definition . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.2.2 Pulsation de coupure c - bande passante a` 3dB
2.2.3 Diagramme asymptotique-diagramme reel . . . .

4 Filtres dordre 2
4.1 Filtre passe bas . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.1.1 Definition . . . . . . . . . . . . . . . .
4.1.2 Aspect graphique . . . . . . . . . . . .
4.2 Filtre passe haut . . . . . . . . . . . . . . . .
4.2.1 Fonction de transfert . . . . . . . . . .
4.2.2 Aspect graphique . . . . . . . . . . . .
4.3 Filtre passe bande dordre deux : resonance en
4.3.1 Fonction de transfert . . . . . . . . . .
4.3.2 Aspect graphique . . . . . . . . . . . .
4.4 Filtre coupe bande . . . . . . . . . . . . . . .
4.5 Dephaseur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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8
8
8
9
11
11
12
12
12
13
14
15

5 Filtres actifs
5.1 Probl`eme des filtres passifs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.2 Exemple . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

15
15
16

. . . . .
. . . . .
. . . . .
. . . . .
. . . . .
. . . . .
intensite
. . . . .
. . . . .
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1 / 16

c Boukaddid

Cours delectrocinetique

sup TSI

Le filtrage est une forme de traitement de signal qui consiste :


I Selectionner une partie de linformation utile dans un signal et le transmettre
(transmission de quelques frequences du signal et attenuation des autres)
I Eliminer les frequences parasites dans un signal
I Un filtre est tout circuit lineaire realisant loperation filtrage

1
1.1

Fonction de transfert dun circuit lin


eaire
Ordre dun circuit
Circuit
detude

e(t)

s(t)

Du fait de la linearite du syst`eme les signaux e(t) et s(t) sont reliees par une equation
differentielle de type :
a0 s + a1

dn s
de
dm e
ds
+ ... + an n = b0 e + b1 + ... + bm m
dt
dt
dt
dt

Definition : On appelle ordre du circuit lineaire,lordre de lequation differentielle lineaire


associee cest-`a-dire lordre de la derivation le plus eleve (n si n > m)
Exemples
L

e(t)

e(t) = us + Rc

1.2

us

dus
d2 us
+ Lc 2 circuit dordre 2
dt
dt

Fonction de transfert harmonique H

ue (t)

Circuit
lineaire

us (t)

Le signal dentree est suppose sinusoidal, du fait de la linearite du syst`eme le signal de


sortie est aussi sinusoidal .
On definit la fonction de transfert harmonique par :
2 / 16

c Boukaddid

Cours delectrocinetique
H(j) =

sup TSI

us
ue

cette fonction permet de determiner lamplitude et le dephasage du signal de sortie


us (t) par rapport `a ue (t) .
H(j) = H() exp j avec = s e
Us = H()Ue
s = e + arg(H(j))
` partir de lequation differentielle :
A
dn s
dm e
de
ds
a0 s + a1 + ... + an n = b0 e + b1 + ... + bm m
dt
dt
dt
dt
d
En regime harmonique
j
dt
H(j) =

1.3
1.3.1

b0 + b1 j + ... + bm (j)m
a0 + a1 j + ... + an (j)n

Stabilit
e dun circuit lin
eaire
D
efinition

un circuit est dit stable lorsque sa reponse s(t) , a` un signal dentree e(t) restant
borne,ne diverge pas quelque soient les pram`etres du signal dentree et les conditions
initiales du syst`eme .
1.3.2

Crit`
ere de stabilit
e en r
egime sinusoidal forc
e

Notons p = j , la fonction de transfert secrit sous la forme :


H(j) =

N (j)
b0 + jb1 + ... + (j)m bm
b0 + b1 p + ... + bm pm
=
=
D(j)
a0 + ja1 + ... + (j)n an
a0 + a1 p + ... + an pn

Definition : On appelle poles de fonction H(p)les racines de lequation D(p) = 0.


Afin que H(p) ne diverge pas , il faut que les poles pk ne soient pas des imaginaires
purs (si non pour k telle que pk = jk ,H devient infini).
bm (mn)
Dautre part : lorsque H(p)
p
an
H(p) reste fini si m 6 n
1.3.3

Crit`
ere de stabilit
e en r
egime libre

I Syst`eme du premier ordre

ds
a0
= 0 s(t) = k exp( t)
dt
a1
Lorsque t le signal diverge si a0 et a1 ont des signes contraires .

En regime libre : a0 s + a1

Resultat : Un syst`eme du premier ordre est stable si les coefficients a0 et a1 de lequation


differentielle ont le meme signe .
3 / 16

c Boukaddid

Cours delectrocinetique

sup TSI

I Syst`eme du second ordre


d2 s
ds
a0 s + a1 + a2 2 = 0 on montre le syst`eme est stable si les coefficients a0 , a1 , a2
dt
dt
ont le meme signe

Diagramme de Bode dun filtre

2.1

Gain en d
ecibel

ue = Uem exp jt et us = Usm exp j exp jt


On appelle gain du filtre G() tq
G() = |H(j)|
() = arg H(j)
Definition : On appelle gain en decibels (dB)(grandeurs electriques)
G(dB) = 20 log G()
Remarque : Pour des grandeurs energetiques (ou de puissance) le gain en decibels
est defini par :
X(dB) = 10 log(

2.2
2.2.1

p1
)
p2

Diagramme de Bode
D
efinition

On appelle diagramme de Bode dun filtre lensemble de deux graphes :


I G(dB) = f (log ) : courbe de reponse en gain
I = f (log ) : courbe de reponse en phase
On appelle decade un intervalle de log egale a` 1 (2 = 101 )
2.2.2

Pulsation de coupure c - bande passante `


a 3dB

La pulsation de coupure c dun filtre est definie par :


Gmax
G(c ) =
2
GdB (c ) = GdB (max) 3
La bande passante dun filtre est lintervalle de pulsation qui satisfait `a :
Gmax
6 G() 6 Gmax
2

4 / 16

c Boukaddid

2.2.3

Cours delectrocinetique

sup TSI

Diagramme asymptotique-diagramme r
eel

Il sagit de representer les asymptotes,associees a` 0 et ,des graphes GdB =


f (log )
On deduit ensuite le diagramme reel en faisant intervenir la pulsation de coupure .

3
3.1

Filtre dordre un
Filtre passe bas

La fonction de transfert dun filtre passe bas secrit sous la forme :


1

H(j) =

1+j

avec c : la pulsation de coupure


1
G() = r

1 + ( )2
c
= arctan(

)
c

Exemples
R

ue

us

us
zc
=
ue
zR + zc
1
1
1
H(j) =
=
donc c =

1 + jRc
Rc
1+j
c
H(j) =

1
G() =
1 + R 2 c2 2
1
Gmax
G(0) = Gmax = 1 et G(c ) = =
2
2
Gmax
la bande passante du filtre passe bas tq : 6 G() 6 Gmax
2
donc la bande passante est [0, c ]
1
c
us
dus
Si >> c H(j) =
j = u dt = c ue
e
1+j
c
5 / 16

c Boukaddid

Cours delectrocinetique

sup TSI

Z
us = c

ue dt

Resultat : En haute frequence le filtre passe bas du premier ordre se comporte comme un
integrateur
Diagramme de Bode
1
1

G(dB) = 20 log G = 20 log r


= 20 log
avec x =
2
2
c
1+x
1+( )
c
pour x 0+ ,G(dB) 0 asymptote horizontale .
pour x + ,G(dB) 20 log x asymptote oblique de pente 20dB par decade
= arg H(j) = arctan x
pour x 0, 0

pour x +,
2

G(dB)

log x
3dB

log x

20dB /decade

3.2

Filtre passe haut

La fonction de transfert dun filtre passe haut secrit sous la forme :


j
H(j) =

1+j

G= r

1
1+(

c 2
)

Gmax
1
G() = 1 = Gmax et G(c ) = =
2
2
la bande passante du filtre passe haut est : [c , ]

u
Pour << c H(j) j = s
c
ue
6 / 16

c Boukaddid

Cours delectrocinetique
us =

sup TSI

1 due
c dt

Resultat : En basse frequence le filtre passe haut du premier ordre se comporte comme
un derivateur
Exemple
C

us

ue

1
us
jcR
=
c =
=

ue
1 + jcR
Rc
1+j
c
Diagramme de Bode
1
1
= 10 log(1 + 2 )
G(dB) = 20 log r
x
c
1 + ( )2

x G(dB) 0
x 0 G(dB) 20 log x

= arctan x
2

x0
2
x0

H(j) =

G(dB)

log x
20dB/decade

log x

3.3

D
ephaseur ou filtre passe tout

La fonction de transfert dun dephaseur secrit :

7 / 16

c Boukaddid

Cours delectrocinetique

sup TSI

c
H(j) =

1+j
c
1j

G() = |H(j)| = 1
donc le dephaseur naffecte pas lamplitude quelque soit la frequence f .
= arg H(j) = 2 arctan

= 2 arctan x
c

x00
x

log x

4
4.1
4.1.1

Filtres dordre 2
Filtre passe bas
D
efinition

La fonction de transfert dun filtre passe bas dordre 2 secrit sous la forme :
H(j) =

02
0
(j)2 + (j) + 02
Q

Q : facteur de qualite du circuit


0 : pulsation propre du circuit
On pose p = j
H(p) =

02
1
=

x
0
p2 + p + 02
1 + j + (jx)2
Q
Q

0
Exemple
avec x =

8 / 16

c Boukaddid

Cours delectrocinetique

sup TSI

L
ie

us

ue

1
jc

us
1
1
=
=
=
x
2
1
ue
1 + jRc Lc
1 + j + (jx)2
+ jL + R
Q
jc
1
L0
1
0 =
et Q =
=
R
Rc0
Lc
H(j) =

4.1.2

Aspect graphique

Consid`erons lequation p2 +
=

0
p + 02 = 0 avec p = j
Q

02
2
2 1

4
=

( 2 4)
0
0
Q2
Q

I Premier cas : > 0 Q <

1
2

0
0
+
p1 =
2Q
2

1
4
Q2

0
0
p2 =

2Q
2

1
4
Q2

On pose
p1 = 1 ; p2 = 2
On verifie que
1 .2 = 02
H(j) =

02
1
=

(j + 1 )(j + 2 )
(1 + j )(1 + j )
1
2

G(dB) = 20 log r

1 + ( )2
1

+ 20 log r

1 + ( )2
2

= G1 + G2

() = arctan(H(j)) = 1 + 2

9 / 16

c Boukaddid

Cours delectrocinetique

sup TSI

G(dB)
log

1
0

log

2
0

log
log x
20dB/decade

log

2
0

log x

40dB/decade

I Deuxi`eme cas : = 0 Q =

1
0

1
2
1

H(j) =

(1 + j

2
)
0

G(dB) = 20 log

1+(

2 = 2G(filtre passe bas)


)
0

G(dB)

log x

log x
40dB/decade

I troisi`eme cas : < 0 Q > 0 : Resonance en tension


H(j) =

1
2
1
1( ) +j
0
Q 0

1
1
G(dB) = 20 log r
= 20 log s

1
x2
(1 ( )2 )2 + 2 ( )2
2 )2 +
(1

x
0
Q 0
Q2
<< 0 ; G 0 asymptote horizontal

>> 0 ; G 40 log
asymptote de pente 40dB /decade
0
d
x2
1
G presente un maximum si : [(1 x2 )2 + 2 ] = 0 x2r = 1
dx
Q
2Q2
r
1
= 0 1
2Q2
10 / 16

c Boukaddid

Cours delectrocinetique

sup TSI

1
Q 0
= arctan

1 ( )2
0
<< 0 0
>> 0

G(dB)
1
Q1 >
2
Q2 > Q1
log x

log x

40dB/decade

4.2
4.2.1

Filtre passe haut


Fonction de transfert
H(p) =

p2
0
p2 + p + 02
Q

(jx)2
H(j) =
=
0 =
x
02
1 0
02 2 + j
1
+
j
+ (jx)2
1 2 j
Q
Q

Q
1

G(dB) = 20 log
1(

En remplacant

0 2
1 0
) + 2 ( )2

0
par
on retrouve le G du filtre passe bas .
0

= (filtre passe bas)+ arg( 2 )=(filtre passe bas)+

11 / 16

c Boukaddid

4.2.2

Cours delectrocinetique

sup TSI

Aspect graphique
G(dB)

log x

1
Q<
2

log x

Le filtre passe haut dordre deux presente en basse frequence une attenuation de
40dB/decade

4.3
4.3.1

Filtre passe bande dordre deux : r


esonance en intensit
e
Fonction de transfert
0
p
Q
H(p) =
0
p2 + p + 02
Q

p = j
H(j) =

1
2 02
1 + jQ
0

Exemple
ie

ue

La fonction de transfert secrit sous la forme H(j) =

us
=
ue

us

1
L
1
1+j
+
R
jRc

On introduit les param`etres :


12 / 16

c Boukaddid

Cours delectrocinetique

sup TSI

0
1
La pulsation propre 0 =
Lc
1
L0
=
Le facteur dr qualite Q =
R
Rc0

La pulsation reduite x =

H(jx) =

G= r

1
1
1 + jQ(x )
x

Usm
RIm
=
Uem
Uem

1
1 + Q2 (x )2
x
Il se produit le phenom`ene de resonance en intensite lorsque Im passe par un maximum
quelque soit le facteur de qualite .
1
r
xr
= 0 xr =
= 1 r = 0
xr
0
Bande passante
La bande passante correspond `a lintervalle [1 , 2 ] tq :
1

1
1
0
=
x =

x
Q
0

Q
=
4.3.2

R
0
=
Q
L

Aspect graphique
1
G(dB) = 20 log G = 10 log[1 + Q2 (x )2 ]
x

x
asymptote de pente 20dB/decade
Q
x G(dB) 20 log(xQ) asymptote de pente 20dB/decade
les asymptotes se coupent en x = 1 G(dB) = 20 log Q
Q < 1 : La courbe se trouve au dessous des asymptotes
Q > 1 : La courbe se trouve au dessus des asymptotes
x 0 G(dB) 20 log

1
= arctan[Q(x )] = (filtre passe bas)+
x
2

13 / 16

c Boukaddid

Cours delectrocinetique

sup TSI

G(dB)

log x

log x

(1)

(2)

pente de 20dB
par decade

pente de 20dB
par decade
Q1 < 1 : courbe au dessous des asymptotes
Q2 > 1 : courbe au dessus des asymptotes

Plus Q est grand plus le filtre est selectif

4.4

Filtre coupe bande

la fonction de transfert dun coupe bande


H(p) =

p2 + 02
0
p2 + p + 02
Q
1

H(j) =
1+j

1 0
Q 02 2

1
G(dB) = 20 log r
1
0 2
1 + 2( 2
)
Q 0 2
= (passe bas)+ arg(02 2 )
0 = ; G
<< 0 ; G 0 (p.b)
>> 0 ; G 0 (p.b) +

14 / 16

c Boukaddid

Cours delectrocinetique

sup TSI

G(dB)

2
log x

log x

4.5

D
ephaseur
0
p + 02
Q
H(p) =
0
p2 + p + 02
Q
p2

|H| = 1 pas dattenuation


= 2(passe bas)

log x

5
5.1

Filtres actifs
Probl`
eme des filtres passifs

Les impedances de sortie et dentre ne sont pas adaptees


Le gain en bande passante ne depasse pas un
15 / 16

c Boukaddid

Cours delectrocinetique

sup TSI

I Les filtres actifs utilisent les amplificateurs operationnels


I Les filtres passifs sont utilisees en hautes frequences et puissance elevee (limitation des O.A)

5.2

Exemple
R

R
B
A

C
vs

ve

r
r

Millman en A et B
1
vs
vB = v+ = v =
1+
0

Q
H(j) = k
0
+ 02
(j)2 + j
Q
j

2
2
1+
0 =
;Q =
;k =
Rc
4
4

16 / 16

c S.Boukaddid

TP-Cours 2 delectronique

sup TSI

Amplificateur op
erationnel en r
egime lin
eaire

Table des mati`


eres
1 AO r
eel - AO id
eal
1.1 Description de lAO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.2 Fonctionnement lineaire dun AO . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.2.1 Syst`eme lineaire du premier ordre . . . . . . . . . . . . . . .
1.2.2 Cas du regime continu . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.3 Comportements non lineaires dun AO : phenom`enes de saturations
1.3.1 Saturation en tension . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.3.2 Limitation en courant de sortie . . . . . . . . . . . . . . . .
1.3.3 Vitesse de balayage : limitation en frequence (slew-rate) . . .
1.4 AO ideal en regime lineaire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.4.1 AO ideal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.4.2 Propriete fondamentale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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2
2
2
2
3
3
3
4
4
5
5
5

2 Amplificateur non inverseur


2.1 Modelisation dun amplificateur lineaire . . . . . . . . . .
2.1.1 Amplificateur ideal en regime continu . . . . . . .
2.1.2 Amplificateur reel-Resistance dentree et de sortie
2.1.3 Cas dun regime sinusoidal . . . . . . . . . . . . .
2.2 Amplificateur non inverseur `a AO en regime lineaire . . .
2.3 Stabilisation du montage . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.3.1 Amplificateur ideal de tension . . . . . . . . . . .
2.3.2 Amplificateur a` AO reel en regime sinusoidal . . .

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5
5
5
6
6
6
7
7
7

3 Montages usuels `
a AO ideal
3.1 Suiveur de tension . . . .
3.2 Amplificateur inverseur . .
3.3 Sommateur de tension . .
3.4 Soustracteur de tension . .
3.5 Integrateur simple . . . . .
3.6 derivateur simple . . . . .

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8
8
9
9
10
10
12

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1 / 12

c S.Boukaddid

TP-Cours 2 delectronique

sup TSI

Lamplificateur operationnel,designe par AO dans la suite du cours,est un syst`eme


electronique complexe,du type circuit int
egr
e compose de resistance , condensateur
diodes , transistors .

1
1.1

AO r
eel - AO id
eal
Description de lAO
8

1 : reglage de loffset
2 : Entree inverseuse (-)
3 : Entree non inverseuse (+)
4 : Polarisation negative (Vcc = 15V )
5 : Reglage de la tension de decalage (offset)
6 : Sortie
7 : Polarisation positive (+Vcc = 15V )
8 : Borne non connectee
Exemples : TL081 , CA741 , A741
Shematiquement on represente AO par
(3)
E

(2)

(6)
s

(6)

+
(3)

(2)
E + : Entree non inverseuse
E : Entree inverseuse

1.2
1.2.1

Fonctionnement lin
eaire dun AO
Syst`
eme lin
eaire du premier ordre

us

2 / 12

c S.Boukaddid

TP-Cours 2 delectronique

sup TSI

La tension de sortie us est reliee a` par lequation suivante :

dus
+ us =
dt

: temps de relaxation du syst`eme 102 s


: Coefficient damplification : gain en regime continue = 105
lequation precedente secrit sous la forme suivante
us

1
=
avec 0 =

1+j
0
1.2.2

Cas du r
egime continu

En regime continu lequation precedente devient


Us =

1.3
1.3.1

Comportements non lin


eaires dun AO : ph
enom`
enes de
saturations
Saturation en tension

En regime continue faisons varier entre 0 et +0 la reponse est comme suit :


us
saturation haute
Usat

+0

Usat
saturation basse
En pratique Usat = Vsat = 15V
Pour > M : saturation haute (phenom`ene non lineaire)
Pour < M : saturation basse
Dans le cas dun signal sinusoidal us (t) damplitude Usm superieur `a Usat

3 / 12

c S.Boukaddid

TP-Cours 2 delectronique

sup TSI

us
saturation
+Usat

Usat

Ordre de grandeur : Usat = 13V ,Vcc = 15V , = 105 M =

Usat
104 V

Conclusion : En regime lineaire dun AO reel,la tension est tres faible < M .
1.3.2

Limitation en courant de sortie

Le courant de sortie is produit un echauffement des composantes internes en circulant


dans lAO . Pour eviter la deterioration de leurs composants,les AO sont en general
munis de limiteurs de courant de sortie is < Imax 20mA .
1.3.3

Vitesse de balayage : limitation en fr


equence (slew-rate)

Dans la structure des AO,il existe une vitesse limite de variation de tension us dite
vitesse de balayage notee avec
|

dus
| 6 0, 5V.s1
dt

La vitesse de balayage caracterise le temps de reponse t dun AO .


=

us
t

augmente t diminue
us

us

t
pas de limitation en frequence

t
t
limitation en frequence

4 / 12

c S.Boukaddid

TP-Cours 2 delectronique

sup TSI

La vitesse de balayage est responsable sur la triangularisation de us .


us (t) = Usm cos(t + ) telque Usm . > .
dus
| = Usm | sin(t + )| >
Il existe un intervalle de temps pour laquelle |
dt
dus
on doit poser |
| = us (t) = .t + cte variation affine de us (t) dans t .
dt

1.4
1.4.1

AO id
eal en r
egime lin
eaire
AO id
eal

Un AO ideal est un amplificateur differentiel de tension :


I de gain infini :
I de courants nuls en entree : i+ = i = 0
1.4.2

Propri
et
e fondamentale

Pour eviter le phenom`ene de saturation en tension il faut que us < Usat


us
Usat
En regime lineaire us = on deduit que =
6
avec donc 0

En regime lineaire de lAO ideal = 0


us
+Usat

Usat
Remarque
I La puissance fournie en entree est nulle :
i+ = i = 0 P + = U + .i+ = 0, P = U .i = 0
I Lenergie consommee par la charge et par les composantes internes de lAO est
preleve des sources dalimentation (+Vcc et Vcc )

2
2.1
2.1.1

Amplificateur non inverseur


Mod
elisation dun amplificateur lin
eaire
Amplificateur id
eal en r
egime continu

Un operateur qui amplifie la tension dentree (us > ue ) sans prelever denergie en entree
est appele amplificateur ideal de tension .
us
Gain de lamplificateur G0 =
>1
ue
5 / 12

c S.Boukaddid

TP-Cours 2 delectronique

sup TSI

ie = 0

us

ue

2.1.2

G0 ue

Amplificateur r
eel-R
esistance dentr
ee et de sortie
ie
Rs
ue

2.1.3

us

Re

Gue

Cas dun r
egime sinusoidal
ie
zs
ue

us

ze

H.ue

Lamplificateur est consid`ere comme ideal si : z e = , z s = 0

2.2

Amplificateur non inverseur `


a AO en r
egime lin
eaire

Consid`erons le montage suivant


ie = i+ = 0
is

r
ve
e

R
i = 0

vs
Ru

ve0

R
i

operateur amplification
6 / 12

c S.Boukaddid

2.3

TP-Cours 2 delectronique

sup TSI

Stabilisation du montage

dvs
+ vs =
dt
ie = i+ = i = 0 , ve = ve0 + = e rie = e ,ve0 = R0 i =

= ve ve0 est lie a` vs par :

lequation devient

R0
R0
v
on
pose

=
s
R + R0
R + R0

dvs vs
e
+ (1 + ) =
dt

la solution de lequation homog`ene (regime transitoire)


t
vs = K exp[(1 + ) ] 0, t donc loperateur a` AO est stable

2.3.1

Amplificateur id
eal de tension

si on suppose que lAo est ideal = 0


R + R0
1
vs
= =
ve = ve0 = vs G =
ve

R0

ve

Gve

vs

Operateur damplification
2.3.2

Amplificateur `
a AO r
eel en r
egime sinusoidal

En regime sinusoidal lAo se comporte comme un filtre passe bas de fonction de transfert
h=

vs

1
=
avec 0 =

1+j
0

0 represente la pulsation de coupure ou la bande passante de lAo


R0
v
1
1
v s = s , v e = + v 0e = v s ( + )
ve0 =
0
R+R
G
h G
G
vs
1
1
( + G)
=
=
=
1
1
1

G
ve
+
+ +j
1+j
h G
G
0
0 ( + G)
vs
0
=

ve
1+j 0
0
avec 0 =

G
0 ( + G)
et 00 =
+G
G
7 / 12

c S.Boukaddid

TP-Cours 2 delectronique

sup TSI

0 .00 = .0 = cte
Ce facteur est appele facteur de merite ou le produit gain x bande passante
Resultat : Le produit gain x bande passante est le meme pour un AO en boucle ferme
ou en boucle ouverte .

3
3.1

Montages usuels `
a AO ideal
Suiveur de tension

=0

vs
Rc

ve

AO ideal : i = i+ = 0, = 0 v + = v = ve or v = vs ve = vs
ve = vs
donc on peut modeliser le suiveur par un amplificateur ideal de tension de gain 1,dimpedance
dentree infini et dimpedance de sortie nulle .

ve = e

vs

Suiveur
La puissance delivree a` la resistance de charge Rc est
Ps =

vs2
e2
=
= Pmax
Rc
Rc

Conclusion : En suiveur la puissance maximale disponible de la source de tension a


ete transmise integralement `a la resistance de charge . Le suiveur est un adaptateur
dimpedance .

8 / 12

c S.Boukaddid

3.2

TP-Cours 2 delectronique

sup TSI

Amplificateur inverseur
R
ie
R

ie
-

ue

us

ue us
+ 0
+

R
R =0
v = v = 0 et v =
1
1
+ 0
R R
G=

us
R0
=
ue
R

supposons que R0 > R donc on peut modeliser lamplificateur inverseur par le montage
ue
amplificateur non ideal de tension de gain G et de resistance dentree R =
ie
ie
ue

us
R

Gue

cet operateur damplification consomme de lenergie en entree ce qui constitue un defaut


par rapport a` lamplificateur non inverseur .
Remarque : si R = R0 on obtient us = ue cest un changeur de signe .

3.3

Sommateur de tension
R

R
ie
R
ve1

vs

ve2

9 / 12

c S.Boukaddid

TP-Cours 2 delectronique

sup TSI

vs ve1 ve2
+
+
R
R =0
v + = v = 0 et v = R
1
1
1
+ +
R R R
vs = (ve1 + ve2 ) sommateur inverseur

3.4

Soustracteur de tension
R

vs

ve2

ve1
R

vs ve2
+
R
AO ideal : v + = v avec v + =
et v = R
1
1
1
1
+
+
R R
R R
v = v + vs + ve2 = ve1
ve1
R

vs = ve1 ve2

3.5

Int
egrateur simple
k
uc

ie

R
+

ve

vs

10 / 12

c S.Boukaddid

TP-Cours 2 delectronique

sup TSI

a` t = 0 on ouvre linterrepteur (k) uc (0) = 0


dq
duc
ue = Rie , ie =
=c
et vs = uc
dt
dt
dvs
ve
ie = c
=
dt
R
1
vs =
RC

Z
ve dt

En regime sinusoidal ve = Vm exp(jt)


vs ve
+
v
v
zc
R

+
= 0 vs = e zc = e
v =v =
1
1
R
jRc
+
z c ZR
Z
1
1
donc v s =
v e dt vs (t) =
ve (t)dt
Rc
Rc
Remarque : En pratique , il se produit le phenom`ene de derive en tension du aux
courants de polarisation dun AO reel,donc on realise le montage pseudo-integrateur
R
uc

ie

R
+

ve

vs

vs
v
+ e
0
v
1
z //R
R
v = v+ = c
=0 s =
1
1
ve
R(zc //R0 )
+
z c //R R
R0
jc

z c //R0 =

R0 +

1
jc

R0
1 + jR0 c

R0
R0

v
R
R
donc s =
=

ve
1 + jR0 c
1+j
0
1
vs
R0 1
Si >> 0 = 0

Rc
ve
R j
0

11 / 12

c S.Boukaddid

TP-Cours 2 delectronique
1
vs =
Rc

3.6

sup TSI

Z
v e dt

d
erivateur simple
R
C

ie

ie

+
ve

vs

due
ue
due
= us = Rc
dt
R
dt
ve vs
+
R
zc
R

+
v =v =0=
v s = v e = jRcv e
1
1
zc
+
zc R
ie = c

dv e
dt
En pratique on utilise le montage pseudo-derivateur
v s = Rc

R
ie

ie
+

ve

vs

ve
v
+ s
R
jRc
+ zc
R
v = v+ = 0 =
vs =
ve =
v
1
1
1
1 + jR0 c e
0+
+
R
z c + R0 R
jc
1
dv
si << 0 = 0 v s = jRcv e = Rc e
Rc
dt
dv
v s = Rc e
dt
R0

12 / 12

c S.Boukaddid

TP-Cours 3 delectronique

sup TSI

Amplificateur op
erationnel en r
egime non lin
eaire

Table des mati`


eres
1 Comparateur `
a AO
1.1 Comparateur simple en boucle ouverte
1.2 Comparateur en boucle fermee : trigger
1.2.1 Montage . . . . . . . . . . . . .
1.2.2 Stabilisation du montage . . . .
1.2.3 Comparateur a` hysteresis . . . .

.
.
.
.
.

2
2
3
3
3
3

2 Multivibrateur astable
2.1 Montage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.2 Etude theorique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

4
4
5

. . . . . . .
de schmitt .
. . . . . . .
. . . . . . .
. . . . . . .

.
.
.
.
.

.
.
.
.
.

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.
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.
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.
.
.

.
.
.
.
.

.
.
.
.
.

.
.
.
.
.

.
.
.
.
.

1/6

c S.Boukaddid

TP-Cours 3 delectronique

sup TSI

Comparateur `
a AO

Il sagit doperateur a` AO suppose ideal,en regime non lineaire ( 6= 0) on obtient a` la


sortie
Saturation basse si < 0
Saturation haute si > 0

1.1

Comparateur simple en boucle ouverte

Cet operateur a` AO va permettre de comparer une tension ve (t) appliquee sur une
entree (+) (par exemple) et une tension de reference vr sur lautre entree .
+

ve
vr

vs

= v + v = ve vr
si ve > vr > 0 saturation haute
si vr > ve < 0 saturation basse
vs

vr

ve

Remarque : Si lon permute les deux entrees,le comparateur est dit inverseur .
En pratique la caracteristique de transfert est visualise en mode X Y de loscilloscope
.

2/6

c S.Boukaddid

1.2
1.2.1

TP-Cours 3 delectronique

sup TSI

Comparateur en boucle ferm


ee : trigger de schmitt
Montage

ve

vs

i
R1

R2

vr

On pose
=

R1
R1 + R2

vr0 = (1 )vr =
1.2.2

R2
vr
R1 + R2

Stabilisation du montage

Pour montrer linstabilite du montage on consid`ere que lAO est reel tq vs et sont
relies par lequation : on suppose que vr = 0

v + = R1 i =

dvs
+ vs =
dt

R1
vs = vs et = vs ve
R1 + R2

dvs
+ (1 )vs = ve
dt

>> 1 vs = k exp( t) , t (solution de lequation SSM)

donc vs diverge et lAO sature en tension .


1.2.3

Comparateur `
a hyster
esis

v + = vr + R1 i = vr + R1

vs vr
= vr + (vs vr ) = vs + vr0
R1 + R2
= v + v = vs + vr0 ve

I Saturation haute > 0 ve < vs + vr0 = Vsat + vr0 = ve2


3/6

c S.Boukaddid

TP-Cours 3 delectronique

sup TSI

I Saturation basse < 0 ve > Vsat + vr0 = ve1


I Cycle dhysteresis
vs
+Vsat

A2

A0

ve1

ve

ve2

vr0

A00

Vsat
A1

On part du point A0 tq vs = +Vsat > 0


On augmente la tension jusqu`a ve = ve2 donc on decrit le segment A0 A2 .
` ve = ve2 : = ve2 ve2 = 0 basculement de vs a` Vsat et si on augmente ve
A
toujours on aura vs = Vsat car < 0
On diminue ve jusqu`a ve = ve1 tq = 0 basculement de vs a` +Vsat do`
u lallure du
cycle `a hysteresis
La largeur du cycle est
ve = ve2 ve1 = 2Vsat
Le centre du cycle a` hysteresis
ve =

2
2.1

ve1 + ve2
= vr0
2

Multivibrateur astable
Montage
i = 0
i

vc

i+ = 0
R2

i1

vs

R1
i1

Le signal de sortie Vsat fournie par le trigger de schmitt,est integre par un circuit RC
Ce syst`eme (non lineaire) `a deux etats instables correspondant aux basculement de vs
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c S.Boukaddid

TP-Cours 3 delectronique

sup TSI

est appele multivibrateur astable .


Interet : Il permet de generer des signaux periodiques creneau vs (t) et pseudo-triangulaire
vc (t) associes `a des oscillations de relaxation .

2.2

Etude th
eorique

R1
R1
, = RC et v + = R1 i1 =
vs = vs
R1 + R2
R1 + R2
on choisit comme origine du temps t = 0 linstant o`
u vs bascule de +Vsat a` Vsat
vs (0 ) = Vsat et vs (0+ ) = Vsat ,(0 ) = v + (0 ) v (0 ) = 0
vc (0 ) = vs (0 ) = Vsat
La continuite de la tension aux bornes du condensateur
vc (0+ ) = vc (0 ) = Vsat
(0+ ) = v + (0+ ) v (0+ ) = vs (0+ ) vc (0+ ) = Vsat Vsat = 2Vsat
on deduit que

vc = v , =

(0+ ) = 2Vsat < 0


donc le condensateur se decharge dans R :
dvc
dvc
et vc + Ri = vs
+ vc = vs = Vsat
i=c
dt
dt
t
la solution de cette equation est vc (t) = k exp( ) Vsat

vc (0+ ) = Vsat k = (1 + )Vsat


t
vc (t) = Vsat [(1 + ) exp( ) 1]

vc diminue jusqu`a = 0 basculement a` +Vsat


+
= 0 vc (t
1 ) = v (t1 ) = Vsat donc
1+
t1
Vsat = Vsat [(1 + ) exp( ) 1] t1 = ln

1
dvc
t t1
a` vs = +Vsat : vc +
= Vsat vc = k exp(
) + Vsat
dt

t t1

vc (t+
)]
1 ) = vc (t1 ) = Vsat vc = Vsat [1 (1 + ) exp(

vc augmente jusqu`a = 0 a` t = t2 basculement a` Vsat

+
(t
2 ) = 0, vc (t2 ) = Vsat = v (t2 )
t2 t1
1
)=
exp(

1+
t2 = t1 + ln(

1+
) = 2t1
1

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sup TSI

Vsat
Vsat
vc (t)
t1

t2

Vsat
Vsat

T = 2t1 = 2 ln(

2R1 + R2
1+
) = 2Rc ln(
)
1
R2
T = 2Rc ln(1 + 2

R1
)
R2

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