Propriedades dos Materiais

importantes para MEMS

27

Propriedades dos Materiais

Propriedades
para MEMS

O desenvolvimento de MEMS depende criticamente da disponibilidade de

materiais com propriedades apropriadas para as diversas aplicaes.
Sensores e atuadores baseados em MEMS tambm dependem da interrelao existente entre as diversas grandezas e parmetros fsicos.
Em particular, so de especial interesse para MEMS as inter-relaes entre
parmetros eltricos e parmetros mecnicos, trmicos e pticos.
Alguns dos principais efeitos fsicos e/ou propriedades fsicas de interesse
em MEMS so :
Piesoresistividade
Piezoeletricidade
Termoeletricidade

28

Piezoresistividade

Propriedades
para MEMS

Piezoresistividade a propriedade que descreve a

mudana de resistncia eltrica de certos materiais
quando submetidos a esforo e deformao
mecnica.
Em metais conhecida desde 1856 (Lord Kelvin). A 1a
aplicao foi em extensmetros (strain gauges)
metlicos para medir esforo (trao ou compresso)
e, a partir dele, outros parmetros como foras e
presses.
O esforo aplicado deforma extensmetro, o que
produz uma variao da sua resistncia eltrica (R).
Em metais, R tem origem puramente geomtrica ,
devida a mudanas na espessura, largura e
comprimento dos eletrodos.
A piezoresistividade em semicondutores conhecida desde 1954 (C.S.Smith) e est
relacionada mudana na mobilidade eltrica de eltrons e lacunas.
A piezoresistividade do Si e Ge da ordem de 100 vezes maior que a dos metais.
O 1o sensor de presso baseado em resistores difundidos em membranas de Si so de
1969, e na atualidade a grande maioria dos sensores de presso comerciais so feitos com
piezoresistores de Si.
29

Piezoresistividade

Propriedades
para MEMS

Ao ser submetido a uma fora de deformao, a

variao de resistncia ser dada por :

Por outro lado, o Coeficiente de Poisson , que a

relao entre o aumento relativo no comprimento (L) e
a diminuio no dimetro (D), ser dado por :

Mas, lembrado que :

Podemos escrever :

30

Piezoresistividade em metais

Propriedades
para MEMS

Em metais, o strees aplicado deforma a amostra mas no provoca variao da resistividade

intrnseca do material. Portanto, neste caso termos :

E quanto vale K ?. Para responder isso, consideremos em primeira aproximao que

a fora de trao deforma o fio metlico mas no muda o seu volume (o comprimento
aumenta mas o dimetro diminui). Portanto, a variao de volume ser dada por :

Logo :

Portanto, o Fator de Medida em metais bastante pequeno (da ordem de 2) !

31

Propriedades
para MEMS

Piezoresistividade do Si

Em semicondutores o strees aplicado provoca, alm da deformao fsica, uma variao

da resistividade intrnseca do material. De fato, voltando expresso mais geral do Fator
de Medida :
onde

Ou seja, alm dos fatores geomtricos (implcitos no coeficiente de Poisson ), o Fator

de Medida de um semicondutor depende do nmero de portadores de carga e da sua
mobilidade.
Por tanto, a piezoresistividade dos semicondutores depende da :
temperatura,
dopagem,
esforo mecnico sobre o material
Porque do esforo mecnico ?.
resistividade ?

Porque foras aplicadas ao material iriam mudar a sua

32

Propriedades
para MEMS

Piezoresistividade do Si
Porque o esforo mecnico sobre um semicondutor muda a sua resistividade ?
Tenses
mecnicas

Distncias
Interatmicas

Estrutura
de Bandas

Mudam m* e
dos portadores

Como isto acontece ?, A mobilidade dos

portadores de carga dada por :

onde m* a massa efetiva, que obtida a

partir da estrutura de bandas, E(k) vs. k,
atravs da expresso :
Mas, qual a relao entre a estrutura de bandas e deformao ?, ...

Para entender isto devemos lembrar conceitos da mecnica quntica e sobre a

origem das Estrutura de Bandas. Um explicao mais detalhada pode ser encontrada
em Silicon Sensors, S. Middelhoek and S.A. Audet, Ed.Academic Press, 1989.
33

Lembrando ...

Piezoresistividade do Si
O comportamento do um eltron regido pela equao de Schrodinger :

onde (r,k) a funo de onda do eltron, r a posio no espao, m a massa do eltron,

constante de Plank, V(r) o potencial eltrico na regio do espao onde o eltron se encontra
e E sua energia. Assim, no caso do eltron livre, V(r)=0 e a funo de onda do eltron ser :

(r) = C.e-ik.r
que descreve uma onda plana de amplitude constante "C que se desloca na direo do vetor
de onda k, que por sua vez, est relacionado ao comprimento de onda do eltron atravs
de :
Alm disso, a energia
do um eltron ser :
Note que a energia no quantizada euqe, se o eltron
se mover com velocidade v, a energia cintica pode ser
escrita como :

Piezoresistividade do Si
Dentro de um cristal com tomos separados por
uma distncia a, a massa do eltron ser m* e
o potencial ser dado pela soma dos potenciais
atmicos e portanto, peridico: V(r+a) = V(r)
Neste caso a Energia em funo de k ter a
forma ao lado:

Tambm note que :

(1) na base das bandas, ainda vale a
aproximao do eltron livre :

Lembrando ...

Piezoresistividade do Si

Num cristal real de Si, com os tomos distribudos

espacialmente numa clula de diamante, o clculo
da estrutura de bandas mais complicado.
Mas o que importa para nos aqui que a massa
efetiva dos eltros, m*, dada por :

portanto , como E(k) depende da distncia

interatmica, a massa efetiva tambm depende da
distncia entre os tomos !.
Por isso, desde que :
e
ao se esticar ou comprimir um semicondutor, alteramos a
mobilidade dos portadores (eltrons e lacunas) e portanto,
tambm variamos a sua resistividade.

Piezoresistividade do Si

Propriedades
para MEMS

Fator de Medida para o Si

Dependncia com a temperatura e dopagem : Coeficiente P(N,T) pelo qual deve ser multiplicar K
temperatura para obter K temperatura T, em funco da dopagem:

Comportamento semelhante ao Si tipo-N

Variao com a temperatura exige mtodos
para corrigir deriva dos elementos
piezoresistivos

37

Piezoresistividade do Si

Propriedades
para MEMS

38

Silcio : Propriedades Mecnicas

No caso mais geral, tracionar ou comprimir um slido,

mesmo numa nica direo, prova uma distribuio interna
de esforos bastante complexa, com componentes em
todas as direes (x,y e z) :

Portanto :

ou

2.2 Materiais e propriedades

Piezoresistividade do Si

Propriedades
para MEMS

Mnimo
Mximo

Dependncia de // e com a temperatura, a dopagem e orientao

Para altas concentraes de dopagem (>1019 cm-3) a piezoresistividade cai
rapidamente.
Piezoresistores de Si tipo-P devem ser orientados ao longo da direo <110> :
paralelos ou perpendiculares ao chanfro da lmina
Como faria um piezoresistor insensvel ao stress ?
Note que nestes e resistores / aumenta quando o resistor alongado (// > 0)
e diminui quando o resistor alargado ( < 0)
Isso sempre verdade ?

Piezoresistividade do Si : dependencia com a orientao

Propriedades
para MEMS

Coeficientes piezoresitivos do Si temperatura ambiente

Silicon Sensors,
S. Middelhoek and S.A. Audet, 1989

41

Piezoresistividade do Si tipo-P

Propriedades
para MEMS

42

Piezoresistividade do Si tipo-P

Propriedades
para MEMS

43

Propriedades
para MEMS

Piezoeletricidade

Piezoeletricidade : a propriedade que apresentam certos materiais de

produzir campos eltricos quando submetidos a esforos mecnico. Em
MEMS so utilizados como sensores e atuadores. Ex. Quartzo.
Usados em osiladores, geradores de clock, campainha de celulares, etc.
Origem est associada assimetria na distribuio de carga :

Diplos
eltricos

O processo reversvel, ou seja, quando submetidos a campos eltricos os

materiais piezoeltricos se expandem ou comprimem.
Temperatura de Curie : perda das propriedades piezoeletricas
44

Piezoeletricidade em Si

Propriedades
para MEMS

Cristal com simetria cbica :

ligao covalente
(no inica)

Si cristalino
NO
piezoeltrico

45

Piezoeletricidade

Propriedades
para MEMS

Materiais Piezoeltricos :
Quartzo
Cermicas : Niobato de ltio (LiNbO3) titanato de brio (TiBaO3)
PZT (zirconato titatano de chumbo) : cermica (PbZrO3 + PbTiO3) (sputering ou sol-gel)
ZnO (sputtering)
PVDF : polimrico (spin-coating)
Polarizao + Aquecimento ( T>TCurie )

FILMES

Novos Materiais :
Nitreto de Alumnio (AlNx) (sputtering)

46

Piezoeletricidade

2.2 Materiais e propriedades

O efeito piezoeletrico descrito em termos dos coeficientes de carga dij que relacionam
a voltagem (campo eletrico ou carga superficial) na direo i com o deslocamento (fora
ou esforo) na direo j. Por conveno, a polarizao a direo 3 (direo z no
cristal).
d33 o coeficientes de carga quando o campo eltrico e deslocamento so no
mesmo eixo (z)
d31 o coeficientes de carga quando o campo eltrico no eixo Z e
deslocamento nos eixos x ou y.

47

Bibliografia

Fundamental of Microfabrication, Marc Madou,

CRC Press, 2a Ed. 2002

An Introduction to Microelectromechanical Systems

Engineering, 2a Ed., Nadim Maluf, Kirt Williams, Ed.
Artech House, Inc., 2004.

Propriedades
para MEMS

48

Trabalho 4

(1)

Ler :
Silicon as a mechanical material, Kurt E. Petersen, Proceedings
of the IEEE, vol.70, No 5 (1982) 420.
A leitura obrigatria. O contedo destes e outros textos indicados no futuro, ser
cobrado em exerccios e provas.

(2) Pesquisar e entregar na prxima aula um resumo (no menos do que 1 e

no mais que 2 paginas) sobre os principais metais utilizados em MEMS,
indicando sua aplicao, mtodo de obteno, vantagens e desvantagens.
(3) Estude e Explique a dependncia de // e com a temperatura e com a
dopagem. Para altas concentraes de dopagem (>1019 cm-3)
piezoresistividade cai rapidamente
(3) Estudar sobre Posio e Orientao dos piezoresistores na fabricao de
sensores de presso. Haver teste na proxima aula.
(4)

Pesquisar e entregar na prxima aula um resumo (no menos do que 1 e

no mais que 2 paginas) sobre a Piezoeletricidade em semicondutores,
destacando origem, relao com estrutura cristalina, etc.
49