POLARIZACION FIJA

Universidad Militar Nueva Granada

Nicols Alberto Beltrn Urrego
u1802292@unimilitar.edu.co

ABSTRACT
This document was created using the IEEE rules, and
to be presented as a report to Electronics Lab with
simulation and calculations.
Keywords: Transistor, Fixed Polarization, DC
circuit,
Active region, Saturation region, Cutting region.

INTRODUCCION
El transistor bipolar de unin es aquel dispositivo
electrnico que est constituido por tres materiales
semiconductores extrnsecos, de forma PNP o NPN,
es decir, porcin de material N, seguido de material
P, Luego otra porcin de material N, en el tipo de
transistor NPN y de manera anloga PNP, pero con
los materiales inversos.
El transistor BJT se conoce como tambin como,
porque la conduccin es a travs de espacios y
electrones
El proceso de manufacturacin de estos dispositivos
est incrementando rpidamente y en esta rea de
elementos de un tamao nano son logros importantes
de la sociedad en el cual se puede brindar
rendimiento en los equipos electrnicos.

OBJETIVOS

Conocer los circuitos de polarizacin

necesarios para el trabajo del transistor en las
diferentes zonas de trabajo.

Disear el circuito de polarizacin necesario

para el funcionamiento del transistor en las
diferentes zonas de trabajo.

MARCO TEORICO
POLARIZACIN DEL TRANSISTOR
El transistor sin polarizar se puede considerar como
dos diodos contrapuestos, con una barrera de

potencial de 0,7V para cada Diodo. Si se polariza

ambos diodos directa o inversamente, se comportaran
permitiendo o no el paso de la corriente. El efecto de
amplificacin en el transistor se crea al polarizar
directamente la unin base- emisor e inversamente la
unin colector base.
Al estar la unin de emisor polarizada directamente,
permite el paso de electrones mediante los espacios
dejados del emisor a la base, as como los electrones
que pasan de la base al emisor. La relacin entre la
corriente de los espacios y la corriente de electrones
es proporcional a las conductividades de los
materiales P y N.
En los transistores comerciales el dopado del emisor
es mucho mayor, por lo que la corriente en un
transistor PNP esta prcticamente constituida por
espacios.
La polarizacin de la unin de colector hace que los
espacios que atraviesan la unin de emisor se vean
atrados por el potencial negativo del colector y a la
vez repelidos por el potencial positivo de la base, no
todos los espacios que cruzan la unin de emisor
llegan a la del colector, ya que se produce la
recombinacin de algunos de ellos en la zona de la
base.

http://jorgemendozapua.blogspot.com/2007/09/polarizacion-del-bjt.html

En este caso la resistencia R C limita la corriente

mxima que circula por el transistor cuando este se
encuentra en saturacin, mientras que la resistencia
de base RB regula la cantidad de corriente que
ingresa a la base del transistor la cual determinara en
que zona se polarizara el transistor:

Saturacin , Activa o Corte

http://html.rincondelvago.com/0002662895.jpg

Resistencias
(2K, 300K, 572K, 7.15M)

Generador de Seales
(AFG 2225 GWINSTEK)

Fuente de Voltaje
(PROTECK Pl-3003T)

Transistor 2N2222

Osciloscopio
(TDS 2012B TEKTRONIX)

Capacitores (15F)

Simulador Proteus 8.1

CALCULOS
Saturacin(0.05):
Polarizacin en directa de la Unin base- emisor:
Realizando la malla base-emisor se obtiene:
VCC-IBRB-VBE = 0
Ya que se conoce el VCC y el VCE deseado para que el
transistor trabaje en la zona de saturacin
reemplazamos en la formula anterior para encontrar
el voltaje en colector:
QDC = VCE/VCC
QDC = 0.8 / 15
QDC= 0.053
15V 0.8V = VC
VC = 14.2V
Al no conocer ninguna de las resistencias se elige una
en este caso RC es de 2K y hallamos la corriente en
colector de la siguiente forma:
IC = VC/RC
IC = 14.2V / 2 K

MATERIALES

IC = 7, 1 mA

Malla colector-emisor:
Ya conociendo la Corriente de colector y el beta del
transistor ( = 150), se puede aplicar la siguiente
ecuacin:
IC = (IB)
Como no se conoce IB se despeja:
IB = I C /
IB = 7,1 mA / 150
IB = 47,3 A
Realizando la malla colector-emisor se obtiene:
VCE + ICRC VCC = 0
En este caso como no hay resistencia en el emisor el
voltaje colector-emisor y el voltaje del colector son
iguales:
VCE = VC
VCE = 14.2 V
Para completar el circuito se necesita saber cunto
vale RB, por lo cual cogemos la ecuacin inicial y
despejando RB se obtiene el equivalente de la
resistencia en base:

la formula anterior para encontrar el voltaje en

colector:
QDC = VCE/VCC
QDC = 7.5 / 15
QDC= 0.5
15V 7.5V = VC
VC = 7.5V
Al no conocer ninguna de las resistencias se elige una
en este caso RC es de 2K y hallamos la corriente en
colector de la siguiente forma:
IC = VC/RC
IC = 7.5V / 2 K
IC = 3.75 mA
Malla colector-emisor:
Ya conociendo la Corriente de colector y el beta del
transistor ( = 150), se puede aplicar la siguiente
ecuacin:
IC = (IB)
Como no se conoce IB se despeja:

VCC-IBRB-VBE = 0

IB = IC /

RB = (VCC - VBE)/ (IB)

IB = 3.75 mA / 150

Reemplazamos:

IB = 25 A

RB = (15V 0.7 V) / (47.3 A)

RB = 302,3 K
Activa (0.5):
Polarizacin en directa de la Unin base- emisor:
Realizando la malla base-emisor se obtiene:
VCC-IBRB-VBE = 0
Ya que se conoce el VCC y el VCE deseado para que el
transistor trabaje en la zona activa reemplazamos en

Realizando la malla colector-emisor se obtiene:

VCE + ICRC VCC = 0
En este caso como no hay resistencia en el emisor el
voltaje colector-emisor y el voltaje del colector son
iguales:
VCE = VC
VCE = 7.5 V
Para completar el circuito se necesita saber cunto
vale RB, por lo cual cogemos la ecuacin inicial y

despejando RB se obtiene el equivalente de la

resistencia en base:
VCC-IBRB-VBE = 0
RB = (VCC - VBE)/ (IB)
Reemplazamos:
RB = (15V 0.7 V) / (25 A)
RB = 572 K
Corte (0.98):
Polarizacin en directa de la Unin base- emisor:
Realizando la malla base-emisor se obtiene:
VCC-IBRB-VBE = 0
Ya que se conoce el VCC y el VCE deseado para que el
transistor trabaje en la zona de corte reemplazamos
en la formula anterior para encontrar el voltaje en
colector:

Como no se conoce IB se despeja:

IB = IC /
IB = 300 A / 150
IB = 2 A
Realizando la malla colector-emisor se obtiene:
VCE + ICRC VCC = 0
En este caso como no hay resistencia en el emisor el
voltaje colector-emisor y el voltaje del colector son
iguales:
VCE = VC
VCE = 0.3 V
Para completar el circuito se necesita saber cunto
vale RB, por lo cual cogemos la ecuacin inicial y
despejando RB se obtiene el equivalente de la
resistencia en base:
VCC-IBRB-VBE = 0

QDC = VCE/VCC

RB = (VCC - VBE)/ (IB)

QDC = 14.7 / 15

Reemplazamos:

QDC= 0.98

RB = (15V 0.7 V) / (2 A)

15V 14.7V = VC

RB = 7.15 M

VC = 0.3V
Al no conocer ninguna de las resistencias se elige una
en este caso RC es de 1K y hallamos la corriente en
colector de la siguiente forma:
IC = VC/RC
IC = 0.3V / 1 K
IC = 300 A
Malla colector-emisor:
Ya conociendo la Corriente de colector y el beta del
transistor ( = 150), se puede aplicar la siguiente
ecuacin:
IC = (IB)

TABLAS:

Corte:

Saturacin:
Mediciones

Mediciones

Simulacin

Experimental

VCC

Simulacin

Experimental

VCC
VRB
VRC

VRB

VRE

VRC

VCE

VRE

VBE

VCE

VCB

VBE

VC

VCB

VB

VC

VE

VB

IC

VE

IB

IC

IE

IB
IE

BIBLIOGRAFIA

Activa:

Mediciones

Simulacin

[ONLINE]
Transistor de Unin Bipolar. Disponible:
http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_un
i%C3%B3n_bipolar

[ONLINE]
Configuracin Polarizacin Fija. Disponible:
http://datateca.unad.edu.co/contenidos/20141
9/contLinea/leccin_11_circuito_de_polarizaci
n_fija_y_de_polarizacin_estabilizada_por_e
misor.html

Robert L. Boylestad - Louis Nashelsky,

Decima Edicin, Teora de Circuitos y
Dispositivos Elctricos, (2003).

Experimental

VCC
VRB
VRC
VRE
VCE
VBE
VCB
VC
VB
VE
IC
IB
IE