AMPLIFICADOR CASCODE

INTRODUCCIN
Ya que en los anteriores laboratorios hemos estudiado el comportamiento de los
amplificadores con BJT y FET, y sus configuraciones bsicas, as como la
respuesta en frecuencia de estos mismos. A continuacin analizaremos los
mismos aspectos pero en un amplificador multi-etapa, este es el cascode
compuesto por una primera etapa de emisor comn y otra en base comn.
OBJETIVO

Comprobar y comparar las caractersticas de ganancia y de frecuencia del

acoplamiento directo en un amplificador.
Observar el comportamiento de la polarizacin.
Obtener una respuesta alta de frecuencia.

MATERIALES Y EQUIPOS

Transistor bipolar referencia 2N2222 y 2N2222 con Beta (hfe) iguales.

Multmetro
Osciloscopio
Resistencias de diferentes valores
Condensadores de diferentes valores
Fuente de voltaje

MARCO REFERENCIAL
Un amplificador es aquel dispositivo que magnifica la amplitud de un fenmeno, en
este caso magnifica la amplitud de una seal ondulatoria de entrada. Cascode o
cascodo es una tcnica universal para mejorar un circuito donde intervienen
transistores 2N2222. Este transistor posee muchos transistores similares, uno de
ellos podra ser el transistor BC547B.En circuitos modernos el cascode se
construye solo con 2 transistores, uno funcionando como emisor comn o fuente
comn y el otro funcionando como base comn o puerta comn. El cascode
mejora el aislamiento de la entrada-salida y esto elimina el efecto molinero que, a
su vez, contribuye a una anchura de banda ms alta. Este amplificador posee dos
fuentes de alimentacin.
Respuesta en alta frecuencia de la conexin multietapa cascode
La configuracin cascode est compuesta por una etapa en emisor comn que
alimenta otra etapa en base comn. Esta arreglo est diseado para proporcionar
una alta impedancia de entrada con una baja ganancia de voltaje, y para asegurar

que la capacitancia de Miller de entrada est a un mnimo, en tanto la etapa BC

proporciona una buena operacin a alta frecuencia. Es importante resaltar que
para que nuestros clculos funcionen correctamente en la prctica se tomen dos
transistores muy parecidos, es decir, que pertenezcan al mismo arreglo de
transistores. En la siguiente figura se muestra la forma bsica de un amplificador
cascode.

Anlisis DC:
Tomaremos como ejemplo el siguiente circuito

Entonces:

DISEO
Para nuestro diseo utilizaremos dos amplificadores emisor comn base
comn anteriormente diseados el primero con una ganancia V1=-1v

Analizamos el circuito de la imagen a continuacin:

Hacemos:
V B 1=

V CCR3
=3.505938813 V
R 1 + R2 + R 3
R2 + R

V CC( 3)
=4.521548347 V
R 1 + R 2+ R 3
V B 2 =
Por la malla de el primer transistor
V B 1=V BE +V R

Siendo VBE 0.7v y el voltaje q cae en la resistencia VREIC*RE con

RE= 2.712307692 nos queda
V B 1=0.7+ I C R E

IC Q =

V B 10.7
=1.034520833 mA
RE

La ganancia del amplificador si B1=B2 hFE1=hFE2 es

hib =

26 mV
=35.47066849
I CQ

V =

(1 )R C II RL
=11.55884615
h ib

Donde el (-1) nos indica la ganancia de nuestro emisor comn si h FE1=hFE2

Nos queda igual que en el diseo anterior Ci, Co, C B y CE
Ci =19.3297307 F
C0 =1.94091394 F
C B=1.165669 mF
C E=0.20141099mF
Nuestra RC=RL=820

Simulacin:

Aqu la ganancia es:

V =11.3

CONCLUSIONES:
El parmetro al que llamamos h11 = hie es el mismo asociado al
transistor en cada caso especificado por la hoja del fabricante.
Cada transistor posee sus propios parmetros hbridos es as que a pesar
de que el fabricante aproxima el = hie en cada transistor de la misma
referencia, para cada cual es diferente.
A travs de los parmetros hbridos podemos describir el comportamiento
de un componente (en este caso el transistor), en diferentes estados de
funcionamiento.
Los parmetros hbridos se pueden obtener por variados mtodos unos
menos confiables q otros

LABORATORIO NUMERO 2
PARMETROS HBRIDOS

PRESENTADO A:
JOS POVEDA
MATERIA: ELECTRNICA II

INTEGRANTES:

KEVIN ALEJANDRO RINCN GRISALES

JESICA PAOLA CASAS RODRGUEZ
JAMES MELENGE DAZ

CDIGO: 20111005038

CDIGO: 20111005040

CDIGO: 20111005014

UNIVERSIDAD DISTRITAL FRANCISCO JOS DE CALDAS

FACULTAD DE INGENIERA
PROYECTO CURRICULAR INGENIERA ELECTRNICA
BOGOT D.C.

10 DE SEPTIEMBRE DE 2012