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Transistor bipolaire

Vue interne d'un transistor bipolaire de puissance 2N3055 conu


dans les annes 1970.
Rplique du premier transistor bipolaire invent par les laboratoires Bell en 1947

Transistor bipolaire mont en surface.

Dirents types de transistors NPN/PNP

Un transistor bipolaire est un dispositif lectronique


base de semi-conducteur de la famille des transistors. Son
principe de fonctionnement est bas sur deux jonctions
PN, l'une en direct et l'autre en inverse. La polarisation
de la jonction PN inverse par un faible courant lectrique
(parfois appel eet transistor) permet de commander
un courant beaucoup plus important, suivant le principe
de l'amplication de courant.

1 Histoire
La dcouverte du transistor bipolaire a permis de remplacer ecacement les tubes lectroniques dans les annes
1950 et ainsi d'amliorer la miniaturisation et la abilisation des montages lectroniques.
1

3 PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT

1.1

Transistor avec des jonctions PN

de puissance, utiliss par exemple dans les amplicateurs audio de puissance ou dans les alimentations
stabilises peuvent supporter, condition d'tre placs sur un dissipateur thermique adquat, plus de
100 W ;

Peu aprs la dcouverte de Bardeen et Brattain, Shockley tenta une autre approche base sur les jonction P-N,
une dcouverte de Russell Ohl remontant 1940. Les
travaux de Shockley ouvrirent la voie pour la ralisa la gamme de frquence : transistors pour frquences
tion des transistors bipolaires composs d'un sandwich
basses (fonctionnent correctement jusqu' quelques
NPN ou PNP. Toutefois, leurs fabrications posaient de
MHz), moyennes (jusqu' quelques dizaines de
rels problmes car les semi-conducteurs taient insufMHz), hautes (jusqu' quelques GHz), encore plus
samment homognes. Un chimiste du laboratoire Bell,
hautes (frquences maximales d'oscillation de pluGordon Teal, mit au point en 1950 un procd de puri[1]
sieurs centaines de GHz).
cation du germanium . Morgan Sparks, Teal et d'autres
chercheurs purent fabriquer des jonctions PN puis un
sandwich NPN.
La gure ci-contre montre le symbole et indique le nom
des 3 lectrodes des transistors. On peut donc distinguer
3 dirences de potentiel intressantes : VBE, VCE et
1.2 Amlioration des procds de fabrica- Vcb ; et 3 courants : courant de base IB, d'metteur IE et
tion
de collecteur IC. Cependant, ces 6 variables ne sont pas
indpendantes. En eet, on peut crire :
Les deux annes suivantes furent consacres la recherche de nouveaux procds de fabrication et de traiteVCE = VCB + VBE et IE = IC + IB
ment du germanium. Le silicium tait plus dicile travailler que le germanium en raison de son point de fusion
plus lev mais il orait une meilleure stabilit devant les Certains constructeurs proposent de nombreux rseaux
changements thermiques. Nanmoins, ce n'est pas avant de caractristiques, mais cette tendance est en voie de
1954 que le premier transistor en silicium put tre ra- disparition. De plus, il faut savoir que les paramtres tylis. En 1952[2] , les premiers appareils avec des transis- piques des transistors se modient avec la temprature, et
tors furent commercialiss. Les laboratoires Bell impo- varient fortement d'un transistor l'autre, mme pour le
srent leur savoir-faire durant toute la dcennie avec no- mme modle.
tamment la mise au point du masquage par oxyde par Carl
Frosch[3] . Cette technique orait des perspectives nouvelles pour la fabrication en masse des transistors en sili3 Principe de fonctionnement
cium. La photolithographie sur les plaques de silicium, un
procd dvelopp par Jules Andrus et Walter Bond en
1955, contribua fortement l'arrive de nouvelles techp
n++
n+
niques d'usinage plus prcises et ecaces. Encore aui
i
electrons
jourd'hui, la photolithographie constitue une tape cruE
C
i
i
i
ciale dans la ralisation des transistors.
i
trous
C

En

Ep

iB1

Types et symboles

iB2

recombinaison

B
vBE

iB

vCB

Les catalogues de transistors comportent un nombre lev de modles. On peut classer les transistors bipolaires Principe physique du transistor NPN
selon dirents critres :
Nous prendrons le cas d'un type NPN pour lequel les ten le type : NPN ou PNP. Ces deux types sont com- sions VBE et VCE, ainsi que le courant entrant la base,
plmentaires, c'est--dire que le sens des courants IB, sont positifs.
et tensions pour le PNP est le complment de ceux Dans ce type de transistor, l'metteur, reli la premire
du NPN. Les transistors NPN ayant en gnral des zone N, se trouve polaris une tension infrieure celle
caractristiques meilleures que les PNP, ils sont les de la base, relie la zone P. La diode metteur/base se
plus utiliss. La suite de l'article discutera donc uni- trouve donc polarise en direct, et du courant (injection
quement les circuits utilisant des transistors NPN ;
d'lectrons) circule de l'metteur vers la base.
la puissance : les transistors pour l'amplication de
petits signaux ne dissipent que quelques dizaines
ou centaines de milliwatts. Les transistors moyenne
puissance supportent quelques watts ; les transistors

En fonctionnement normal, la jonction base-collecteur


est polarise en inverse, ce qui signie que le potentiel
du collecteur est bien suprieur celui de la base. Les
lectrons, qui ont pour la plupart dius jusqu' la zone

3.2

Modle d'Ebers-Moll

3
page de la base. Une htrojonction peut aussi bloquer compltement le courant de trous, et autoriser
un dopage lev de la base.

Les recombinaisons des lectrons (minoritaires)


dans la base riche en trous doit rester faible (moins
de 1 % pour un gain de 100). Cela impose que la
base soit trs ne.
E
Modle simple d'un transistor en fonctionnement linaire

La surface de collecteur est souvent plus grande que


la surface de l'metteur, pour assurer que le chemin
de collection reste court (perpendiculaire aux jonctions).

de champ de cette jonction, sont recueillis par le contact


3.2
collecteur.

Modle d'Ebers-Moll

Idalement tout le courant issu de l'metteur se retrouve


dans le collecteur. Ce courant est une fonction exponentielle de la tension base-metteur. Une trs petite variation de la tension induit une grande variation du courant
(la transconductance du transistor bipolaire est trs suprieure celle des transistors eet de champ).
Le courant des trous circulant de la base vers l'metteur
ajout au courant de recombinaison des lectrons neutraliss par un trou dans la base correspond au courant de
base IB, grossirement proportionnel au courant de collecteur IC. Cette proportionnalit donne l'illusion que le
courant de base contrle le courant de collecteur. Pour un
modle de transistor donn, les mcanismes de recombinaisons sont technologiquement diciles matriser et
le gain IC/IB peut seulement tre certi suprieur une
certaine valeur (par exemple 100 ou 1000). Les montages
lectroniques doivent tenir compte de cette incertitude
(voir plus bas).

Modle d'Ebers-Moll d'un transistor en fonctionnement linaire

Le modle d'Ebers-Moll rsulte de la superposition des


modes Forward et Reverse.
Il consiste modliser le transistor par une source de courant place entre le collecteur et l'metteur.

Cette source de courant comporte deux composantes,


Lorsque la tension collecteur-base est susamment posi- commandes respectivement par la jonction BE et la
tive, la quasi-totalit des lectrons est collecte, et le cou- jonction BC.
rant de collecteur ne dpend pas de cette tension ; c'est Le comportement des deux jonctions est simul par des
la zone linaire. Dans le cas contraire, les lectrons sta- diodes.
tionnent dans la base, se recombinent, et le gain chute ;
Cette section est vide, insusamment dtaille ou
c'est la zone de saturation.
incomplte. Votre aide est la bienvenue !

3.1

Principes de conception

premire vue, le transistor bipolaire semble tre un 4 Caractristiques lectriques


dispositif symtrique, mais en pratique les dimensions et
le dopage des trois parties sont trs dirents et ne per- La gure ci-contre montre l'allure de la caractristique Ic
mettent pas d'inverser metteur et collecteur. Le principe / Vce. On distingue deux zones principales :
du transistor bipolaire repose en eet sur sa gomtrie,
sur la dirence de dopage entre ses direntes rgions,
zone de saturation : pour des tensions Vce < 1 V ;
voire sur la prsence d'une htrojonction.
dans cette zone, Ic dpend la fois de Vce et de Ib
(La tension Vcesat se situe en gnral autour des 0,2
Le courant des trous de la base vers l'metteur doit
V jusqu' Uj (Uj = 0,7 V)) ;
tre ngligeable par rapport au courant d'lectrons
zone linaire : le courant collecteur est quasi indvenus de l'metteur. Cela peut tre obtenu avec un
pendant de Vce, il ne dpend que de Ib.
dopage trs lev de l'metteur par rapport au do-

5 PRINCIPES GNRAUX DE MISE EN UVRE


lement. On dmontre[4]
[ ainsi que
] le courant
( )collecteur Ic
Vce
be
est gal Ic = Is 1 + VEA exp VVth
, o Is correspond au courant de saturation de la jonction metteur
base et VEA la tension d'Early.
En pratique, Vbe est gnralement compris entre 0,65 V
(pour des Ic de quelques mA) et 1 V (pour les transistors
de puissance parcourus par un Ic important, pe. 1 A).
Outre le gain en courant, on utilise certaines autres caractristiques lectriques pour qualier le fonctionnement
d'un transistor :

Caractristiques idalises d'un transistor bipolaire

sa frquence de transition FT , caractristique de sa


vitesse de fonctionnement (produit gain-bande accessible) ; plus le transistor est capable d'atteindre
une transconductance leve pour une capacit
faible, plus la frquence de transition est grande ;
grce aux progrs technologiques, on atteint ainsi de
nos jours des FT de plusieurs dizaines de gigahertz.
Les transistors bipolaires sont en cela suprieurs aux
transistors eet de champ.
sa tension d'Early VEA , d'autant plus grande que
le transistor se comporte comme une source idale
de courant ; la rsistance metteur-collecteur correspond au ratio entre la tension d'Early et le courant
collecteur.

Caractristique Ic/Vbe d'un transistor bipolaire

Lorsque le transistor travaille dans la zone linaire, il peut


tre considr comme un amplicateur de courant : le
courant de sortie, Ic est proportionnel au courant d'entre,
Ib. Le rapport Ic/Ib, appel gain en courant du transistor, est une des caractristiques fondamentales de celuici ; il est gnralement not par la lettre grecque . Le
du transistor illustr vaut 100. Il est important de tenir
compte du fait que, pour un transistor donn, varie selon
la temprature. Par ailleurs, les de transistors de mme
type prsentent une grande dispersion. Cela oblige les
constructeurs indiquer des classes de gain. Si l'on prend
par exemple un transistor trs rpandu comme le BC107,
le gain en courant varie de 110 460. Le constructeur
teste alors les transistors aprs fabrication et ajoute une
lettre aprs le numro, pour indiquer la classe de gain A,
B, C...
La gure Ic/Vbe montre que, pour un transistor travaillant dans la zone de saturation, la tension Vbe varie
fort peu. En dessous de Vbe = 0,65 V, le transistor ne
conduit pas. Lorsqu'on dpasse cette valeur, appele tension de seuil, le courant collecteur augmente exponentiel-

sa transconductance (gain tension-courant ou pente


du composant actif), directement lie au courant
collecteur (en premire approximation, elle vaut
gm = Ic /Vth o on a la tension thermique Vth =
kT /q ). Bien sr, chaque transistor tant prvu pour
fonctionner correctement dans une certaine plage de
courant, il est inutile d'augmenter le courant au del
d'une certaine limite pour accroitre le gain.

5 Principes gnraux de mise en


uvre
Comme les paramtres d'un transistor (et tout particulirement le ) varient avec la temprature et d'un transistor
l'autre, il n'est pas possible de calculer les proprits des
circuits (gain en tension...) avec grande prcision. Les 4
principes fondamentaux donns ci-dessous permettent de
simplier les calculs.
Les courants collecteur et metteur d'un transistor
peuvent tre considrs comme gaux, sauf en cas
de saturation pousse.
Pour qu'un courant Ic circule dans le transistor, il
faut lui fournir un courant de base gal (pour un
fonctionnement dans la zone linaire) ou suprieur
(pour un fonctionnement dans la zone de saturation)
Ic/.

6.1

Polarisation

Lorsque le transistor est conducteur, la tension basemetteur Vbe est comprise entre 0,6 et 1 V.

du rgime statique et du rgime dynamique, on calcule


les droites de charge dans ces deux cas. Le point de polarisation du montage se situe l'intersection de ces deux
La tension collecteur-metteur a peu d'inuence sur caractristiques.
le courant collecteur tant qu'on travaille dans la zone
linaire des caractristiques.
6.1.1 Droite de charge statique
La loi suivante est utile pour les montages plus labors.
Pour deux transistors identiques mme temprature, une mme tension Vbe dnit un mme courant Ic.

Montages amplicateurs

R1

R2

Articles dtaills : Base commune, Collecteur commun


et metteur commun.
D'une faon gnrale, on peut distinguer deux grands
types de fonctionnement des transistors :
fonctionnement dans la zone linaire des caractristiques ; il est utilis lorsqu'il sagit d'amplier des signaux provenant d'une source ou d'une autre (microphone, antenne...) ;
fonctionnement en commutation : le transistor commute entre deux tats, l'tat bloqu (c'est--dire que
Ic est nul, c'est le point B dans la gure ci-dessus) et
l'tat satur (Vce faible, c'est le point A). Les circuits
rapides vitent cet tat A, qui correspond un excs
de porteurs dans la base, car ces porteurs sont longs
vacuer, ce qui allonge le temps de commutation
de l'tat satur vers l'tat bloqu.

Schma de polarisation simple d'un transistor bipolaire

La faon la plus simple de polariser un montage de type


metteur commun est reprsente sur le schma cicontre. L'metteur est la masse, la base est relie a la
tension d'alimentation Vcc par l'intermdiaire de R1, le
collecteur est reli a Vcc par l'intermdiaire de R2. Pour
des raisons de simplications, le montage n'est pas charDans les paragraphes qui suivent, nous discuterons le
g. Les relations entre les rsistances R1 et R2 et les diffonctionnement du transistor comme amplicateur. Le
frentes tensions sont les suivantes :
fonctionnement en commutation est discut en n de
l'article.

6.1

Polarisation

R1 =

Vcc Vbe0
IbO

et :
La polarisation permet de placer le point de repos du transistor (tat du transistor lorsque l'on ne lui applique aucun
signal) l'endroit souhait de sa caractristique. La posiVcc Vce0
tion de ce point de repos va xer les tensions et courants R2 =
IcO
de repos nots IbO , IcO , Vce0 et Vbe0 ainsi que la classe
de l'amplicateur (A, B, AB ou C).
qui peut tre r-crite de la faon suivante :
Article dtaill : Classes de fonctionnement d'un amplicateur lectronique.
R2 =

Vcc Vce0
IbO

Du fait des capacits de liaison et de dcouplage, la relation courant/tension en sortie des montages transistor Ce schma simple soure toutefois d'un grand dfaut : les
est souvent dirente entre les rgimes statique et dyna- rsistances calcules dpendent fortement du gain en coumique. An d'tudier le comportement du montage lors rant du transistor. Or, ce gain en courant change d'un

6 MONTAGES AMPLIFICATEURS

transistor l'autre (et cela mme si les transistors pos- Si Req est petit devant ( + 1)R4 , la relation cousdent les mmes rfrences) et varie fortement en fonc- rant/tension peut scrire :
tion de la temprature. Avec un tel montage, le point de
polarisation du transistor n'est pas maitris. On lui prfre
(Veq Vbe0 )
donc des montages plus complexes mais dont le point de
I =
polarisation dpend moins du gain en courant du tran- cO
R4
sistor.
Le courant de polarisation est alors indpendant du gain
en courant du transistor et est stable en fonction de la
temprature. Cette approximation revient aussi choisir
R1 et R2 de faon que le courant qui les traverse soit
grand devant Ib0 . Ainsi, la tension applique la base
du transistor dpend peu du courant de base Ib0 .

+Vcc

R1

R3

La droite de charge statique est une droite trace dans la


gure qui donne Ic en fonction de Vce . Elle passe par le
point Vcc sur l'axe des x, et le point Vcc /(R3 + R4 ) sur
l'axe des y. Pour une tension d'alimentation, une charge
R3 et une rsistance d'metteur R4 donnes, cette droite
de charge indique le point de fonctionnement.
6.1.2 Caractristiques dynamiques

+Vcc
R1

R3

C1

R2

R4

Ve

C2
Rl

R2

R4

C3

schma d'un montage metteur commun.


Schma pratique de polarisation.

Pour viter ce problme, on a recours au schma complet indiqu ci-dessous. Les rsistances R1 et R2 forment
un diviseur de tension qui xe non plus le courant base
mais la tension entre base et le zro. La relation entre les
courants et tension peut scrire ainsi :

IcO =

(Veq Vbe0 )
Req + ( + 1)R4

avec :

Req =

R1 R2
R1 + R2

et

Veq = Vcc

R2
R1 + R2

Le schma complet d'un amplicateur metteur commun est reprsent sur la gure ci-contre. Compar au
schma utilis lors du calcul du point de polarisation, le
schma utilis comporte en plus les condensateurs de liaison C1 et C2, la capacit de dcouplage C3 ainsi qu'une
charge Rl.
Les condensateurs de liaison empchent les tension et
courant continus de se propager dans tout le montage et
de se retrouver en entre et en sortie ou de modier la polarisation des autres montages prsents dans le circuit nal. Les capacits de dcouplage permettent d'enlever
certains composants (ici R4) du montage dans une certaine gamme de frquence.
La valeur des condensateurs de couplage C1 et C2 est
choisie de faon que ceux-ci aient une impdance susamment faible dans toute la gamme des frquences des
signaux amplier :
par rapport la rsistance d'entre de l'tage pour le
condensateur C1 ;

6.2

Puissance dissipe dans le transistor

par rapport la rsistance de charge pour le conden- La transconductance peut tre dnie comme suit : c'est
sateur C2 ;
la variation du courant collecteur due une variation de
la tension base-metteur ; elle sexprime en A/V. Elle
La valeur de C3 choisie de faon que son impdance soit est essentiellement dtermine par le courant continu
faible compare celle de R4 dans la gamme de fr- d'metteur Ie (x par le circuit de polarisation).
quence dsire.
Les condensateurs C1, C2 et C3 n'avaient pas t repr- 6.2 Puissance dissipe dans le transistor
sents jusqu' prsent, car ils possdent une impdance
innie au continu. La charge Rl n'tait, elle aussi, pas pr- Pour un montage amplicateur en classe A, la puissance
sente car le condensateur C2 empchait le courant conti- dissipe dans le transistor vaut :
nu d la polarisation de la traverser et donc d'inuencer
les caractristiques statiques du montage.
Ve

R1

R2

ib
Rbe

ic

P = Vce Ic + Vbe Ib
.ib

R3

Rl

Vs

o Vce et Vbe sont les dirences de potentiels continues


entre le collecteur et l'metteur, la base et l'metteur, et
Ic , Ib sont respectivement les courants de collecteur et
Schma quivalent petits signaux d'un montage metteur commun de base. Cette puissance ne varie pas lorsqu'un signal est
en basses frquences
appliqu l'entre de l'amplicateur. Comme le gain en
courant (bta) du transistor est gnralement trs lev
An de calculer les caractristiques du montage en r(quelques dizaines quelques centaines), le second terme
gime dynamique, on a recours un modle petits signaux
est gnralement ngligeable.
du transistor. Ce modle permet de dcrire le comportement du transistor autour de son point de polarisation. Pourquoi calculer la puissance dissipe dans le transisLe modle utilis ici est le plus simple possible. Il mod- tor ? Pour valuer la temprature de la jonction ce du
lise le transistor grce une rsistance R et une source transistor, qui ne peut dpasser environ 150 C pour un
de courant dont l'intensit est proportionnelle au courant fonctionnement normal de l'amplicateur.
de base. Si l'on dsire une modlisation plus ne du tran- La temprature de jonction sera calcule l'aide de la Loi
sistor, il faut utiliser un modle plus complexe (Ebers- d'Ohm thermique.
Moll par exemple). La rsistance R modlise la pente
de la droite V (Ib) au point de polarisation et se calcule Dans notre exemple, la puissance dissipe dans le transistor vaut 4, 2 103 + 0, 65 20 106 = 4, 2mW . La
comme suit :
temprature de la jonction, si la temprature ambiante est
de 25 C et la rsistance thermique jonction-ambiance de
500 C/W, vaut 25 + 500 4, 2 103 soit 27,11 C.
Vt
kT
Rbe =
=
Ibe0
qIbe0
avec : V la tension thermique, k la constante de Boltzmann, q la charge lmentaire, et T la temprature du 7 Le transistor en commutation
transistor en kelvins. temprature ambiante V vaut 25
On appelle fonctionnement en tout-ou-rien, un mode de
mV.
fonctionnement du transistor o ce dernier est soit bloAvec ce modle, on obtient facilement :
qu, soit parcouru par un courant susamment important
pour qu'il soit satur (c'est--dire. Vce rduite moins d'1
V). Dans la gure ci-contre, lorsque l'interrupteur Int est
R3 Rl
Vs =
IC
ouvert, Ib est nul, donc Ic est nul et Vc = U cc (point B
R3 + Rl
sur les caractristiques du transistor). Par contre, lorsque
Ve
l'on ferme Int, un courant (U cc Vbe )/RB circule dans
Ib =
Rbe
la base. Le transistor va donc essayer d'absorber un courant collecteur Ic gal Ib . Cependant, gnralement,
Ic = Ib
la charge RL est choisie pour que Ic soit limit une vaSi on note G le gain en tension de l'tage et S, sa
leur infrieure Ib , typiquement 10Ib . Le transistor
transconductance. on obtient :
est alors satur (point A sur les caractristiques).

G=

Vs
R3 Rl
=
Ve
Rbe (R3 + Rl )

7.1 Puissance dissipe dans le transistor

S=

Ic
=
Ve
Rbe

La puissance dissipe dans le transistor peut tre calcule


par la formule :

NOTES ET RFRENCES

bornes d'une DEL varie entre 1,5 et 3,6 V selon le


courant qui la parcourt et sa couleur (qui dpend du
matriau employ pour sa fabrication) ;
bobine de relais : la tension nominale de la bobine du
relais sera choisie gale Ucc ; il faut placer en parallle de la bobine une diode dont la cathode est relie Ucc ; la diode protgera le transistor en vitant
l'apparition d'une surtension importante au moment
o Ic est interrompu.

7.2.1 Exemple
Soit piloter une ampoule de 12W. Nous choisirons une
alimentation Ucc de 12 V, et un transistor capable de supporter le courant de l'ampoule, soit 1 A.

Montage d'un transistor pour fonctionnement en commutation

P = (Vce Ic + Vbe Ib ) RC
Vce , Vbe , Ic , Ib ont t dnis ci-dessus, RC est le rapport cyclique, cest--dire la fraction du temps durant laquelle le transistor est conducteur. Dans un fonctionnement en commutation, la puissance dissipe dans le transistor est beaucoup plus faible que celle dissipe dans la
charge. En eet, lorsque le transistor est bloqu, Ic et Ib
sont nuls et donc P vaut 0 ; et quand le transistor conduit,
Ic peut tre lev (jusqu' plusieurs ampres pour les
transistors de puissance) mais Vce est faible, c'est la tension de saturation (0,2 1 V). La puissance dissipe dans
la charge vaut, elle

P = ((Ucc Vce ) Ic ) RC

La rsistance de base sera calcule pour fournir la


base un courant I/10, soit 100 mA. Rb vaudra donc
12/100.103 = 120. La puissance dissipe dans le transistor, quand il conduit, vaut 0,2.1 + 0,75.100.103 soit
265mW. Nous avons considr que Vce en saturation valait 0,2 V et Vbe en saturation 0,75 V, ce sont des valeurs
typiques.
Nous constatons qu'ici, contrairement la situation o le
transistor n'est pas satur, la puissance lie au courant de
base n'est plus ngligeable par rapport la puissance lie
au courant collecteur. Ceci est d au fait que la tension
collecteur-metteur est trs faible lors de la saturation.
Remarque : au moment de l'allumage de l'ampoule,
son lament est froid et prsente une rsistance bien
infrieure sa rsistance chaud ; ds lors, le courant circulant dans l'ampoule et donc dans le transistor juste aprs l'allumage est bien plus lev que le 1
A qui circule une fois le lament chaud ; il faut donc
choisir un transistor capable d'accepter cette pointe
de courant l'allumage.

o Ucc est la tension d'alimentation.

7.2

Applications

Le fonctionnement en tout-ou-rien est frquemment utilis pour piloter des charges telles que :
ampoules incandescence ; il faut utiliser des ampoules dont la tension nominale est gale ou lgrement suprieure Ucc (lorsqu'une ampoule est alimente par une tension infrieure sa tension nominale, elle claire moins mais sa dure de vie est
accrue) ;
Diode lectroluminescente ou DEL ; dans ce cas, la
diode est place en srie avec RL, cette dernire servant limiter le courant dans la diode ; la tension aux

8 Notes et rfrences
[1] (en) 1951 - First Grown-Junction Transistors Fabricated,
Computer History Museum
[2] (en) 1952 - Transistorized Consumer Products Appear,
Computer History Museum
[3] (en) 1955 - Development of Oxide Masking, Computer
History Museum
[4] Analyse et calcul de circuits lectroniques - Amplication
composants discrets. Editions Eyrolles, 1995, (ISBN 2212-09572-4)

9.2

Liens externes

Annexes

9.1

Articles connexes

Amplicateur lectronique
Eet Early
Montages amplicateurs :
Pour transistor bipolaire :
Base commune ;
Collecteur commun ;
metteur commun.
Pour transistor eet de champ :
Drain commun ;
Grille commune ;
Source commune.

9.2

Liens externes

Cours sur le transistor bipolaire par Andr Bonnet


[PDF] Cours sur le transistor bipolaire par JeanJacques Rousseau
[PDF] Cours sur le transistor bipolaire par Claude
Chevassu

Portail de llectricit et de llectronique

Portail des micro et nanotechnologies

10

10

10
10.1

SOURCES, CONTRIBUTEURS ET LICENCES DU TEXTE ET DE LIMAGE

Sources, contributeurs et licences du texte et de limage


Texte

Transistor bipolaire Source : https://fr.wikipedia.org/wiki/Transistor_bipolaire?oldid=117499582 Contributeurs : Hashar, Dirac, Pulsar,


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Do not follow et Anonyme : 78

10.2

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