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Features
Value
10mV
50pA
4MHz
13V/us
10
Value
3nV/Hz
Low noise
1.1. Especificaciones del diseo:
, = 60
= 10
100
2
=
50
High CMRR
138dB
160dB
10nA max
75uV
2.5 to
18V
1
3
)( )
2. SIMULACIN.
Para la simulacin se hizo uso de bloques
jerrquicos para construir de una forma ms
organizada y sencilla las diferentes configuraciones
para el circuito de acuerdo a cada parmetro que
necesitamos medir: Ganancia diferencial, valor de
offset y seal de modo comn.
FREQ = 10k
VAMPL = 1
VOFF = 0
V4
V1
0
1Vac
0Vdc
V2
15
R1
VDD
R1
200
VEE
OUT
R2
INA
V3
FREQ = 10k
VAMPL = 10m
VOFF = 0
V4
15
V1
0
1Vac
0Vdc
V2
15
VDD
R1
R1
200
VEE
OUT
R2
INA
V3
15
15
R1
VDD
R1
200
R2
VEE
OUT
INA
V3
15
5. CONCLUSIONES
4. ANALISIS DE RESULTADOS
Datos
Simulacin
Datos
Experimentales
Adiff.
981,3
913,04
Offset
54,96m
-2,54
Comun
Mode
6,167m
160m
Variables