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Efecto Hall
En un conductor por el que circula una
corriente, en presencia de un campo
magntico perpendicular al movimiento de
las cargas, aparece una separacin de cargas
que da lugar a un campo elctrico en el
interior del conductor, perpendicular al
movimiento de las cargas y al campo
magntico aplicado. A este campo
magntico se le denomina campo Hall.
Llamado efecto Hall en honor a su
descubridor Edwin Herbert Hall.
En pocas contemporneas (1985) el fsico
alemn Klaus von Klitzing y colaboradores
descubrieron el hoy conocido como efecto
Hall cuntico que les vali el premio Nobel
de Fsica en 1985. En 1998, se otorg un
nuevo premio Nobel de Fsica a los
profesores Laughlin, Strmer y Tsui por el
descubrimiento de un nuevo fluido cuntico
con excitaciones de carga fraccionarias. Este
nuevo efecto ha trado grandes problemas a
los fsicos tericos y hoy en da, constituye
uno de los campos de investigacin de
mayor inters y actualidad en toda la fsica
del estado slido.
Diagrama del efecto Hall, mostrando el flujo de electrones. (en vez de la corriente
convencional).Leyenda: 1. Electrones 2. Sensor o sonda Hall 3. Imanes 4. Campo
magntico 5. Fuente de energaDescripcin En la imagen A, una carga negativa
aparece en el borde superior del sensor Hall (simbolizada con el color azul), y una
positiva en el borde inferior (color rojo). En B y C, el campo elctrico o el
magntico estn invertidos, causando que la polaridad se invierta. Invertir tanto la
corriente como el campo magntico (imagen D) causa que la sonda asuma de
nuevo una carga negativa en la esquina superior.
Dibujo explicativo.
Efecto Hall
denominado campo Hall (
2
), y ligado a l aparece la tensin Hall, que se puede medir mediante el voltmetro de la
figura.
En el caso de la figura, tenemos una barra de un material desconocido y queremos saber cuales son sus portadores de
carga. Para ello, mediante una batera hacemos circular por la barra una corriente elctrica. Una vez hecho esto,
introducimos la barra en el seno de un campo magntico uniforme y perpendicular a la tableta.
Aparecer entonces una fuerza magntica sobre los portadores de carga, que tender a agruparlos a un lado de la
barra, apareciendo de este modo una tensin Hall y un campo elctrico Hall entre ambos lados de la barra.
Dependiendo de si la lectura del voltmetro es positiva o negativa, y conociendo la direccin del campo magntico y
del campo elctrico originado por la batera, podemos deducir si los portadores de carga de la barra de material
desconocido son las cargas positivas o las negativas.
En la figura de al lado vemos como el material tiene dos zonas: la de la izquierda y la de la derecha. En una zona, los
portadores son huecos y en la otra electrones.
de direccin contraria a
La direccin de la fuerza ser perpendicular al plano formado por v y B (ya que es resultado del producto vectorial
de ambos) y provocar un desplazamiento de electrones en esa direccin.
Como consecuencia tendremos una concentracin de cargas negativas sobre uno de los lados del material y un dficit
de cargas negativas en el lado opuesto. Esta distribucin de cargas genera una diferencia de potencial entre ambos
Efecto Hall
lados, la tensin de Hall VH, y un campo elctrico EH.
Este campo elctrico que genera a su vez una fuerza elctrica sobre los electrones dada por la Ley de Coulomb, Fe =
-e . EH, que acta en direccin contraria que la fuerza de Lorentz. El equilibrio se alcanzar cuando la suma de las
dos fuerzas sea nula, de lo cual deducimos que en el equilibrio el valor del campo Hall es: EH = -v^B.
Tcnicas de medicin
Sin duda, la tcnica de medicin ms utilizada para la determinacin de los portadores de carga y resistividad en un
semiconductor es la tcnica de Van Der Paw. Es conocida tambin como tcnica de cuatro puntas.
donde e es la carga de un electrn, h es la constante de Planck y puede ser un nmero natural o una fraccin
sencilla.
actualmente la especial estructura de los electrones del grafeno ha permitido observar el efecto Hall cuantico a
temperatura ambiente, antes solo se podia observar en silicio y germanio a temperaturas muy bajas 4k.
El efecto Hall cuntico con nmeros enteros se puede explicar a partir de electrones individuales confinados a una
superficie con defectos y en presencia de campo magntico; el efecto de las interacciones interelectrnicas es trivial
y se limita al llenado progresivo de los niveles de Landau. Es comparativamente fcil de medir, y est en la base del
estndar de resistencia elctrica desde 1990.
El efecto Hall cuntico con nmeros fraccionales es una propiedad emergente debida a interacciones
interelectrnicas: el efecto surge precisamente de la correlacin electrnica, del movimiento correlacionado de los
electrones para minimizar su repulsin.
Efecto Hall
Enlaces externos
Referencias
[1] http:/ / obelix. physik. uni-wuerzburg. de/ Vorlesungen/ AngewPh3-2004/ St%F6rmer-FQHE. pdf
[2] http:/ / ingeniaste. com
Licencia
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