Potencial en Medios Estratificados

Un problema comn y relativamente sencillo en geoelectricidad se presenta cuando en

una seccin generalmente sedimentaria, se desea investigar la geometra y posible
litologa de las unidades que la conforman. En estos casos se suelen usar campos
estacionarios, que a travs de electrodos permiten inyectar corrientes y con otros se mide
el potencial. Podemos intentar medir indirectamente las variaciones de resistividad con
profundidad en un punto, se habla entonces de Sondeos Elctricos Verticales (SEV), o se
pueden buscar variaciones laterales de propiedades elctricas, en este caso se habla de
Calicatas.
Como primera aproximacin supondremos que el medio a estudiar se puede caracterizar,
por una cierta estratificacin y se mostrar el proceso de cmo a partir de datos medidos
en superficie, podremos deducir nuestras incgnitas. El problema se solucionar con
cuatro suposiciones:
1. El subsuelo consiste en un nmero finto de capas, separadas entre s por interfases
horizontales, la ms profunda de espesor infinito, las otras poseen espesores finitos.
2. Cada una de las capas es elctricamente homognea e isotrpica.
3. El campo es generado por una fuente puntual de corriente, localizada en la superficie
de la tierra.
4. La fuente de corriente es directa.
Vamos a encontrar una expresin para el potencial en trminos de corrientes, distancias
entre electrodos y parmetros del subsuelo, para esto solucionaremos la ecuacin de
Laplace para el potencial elctrico V. La solucin se plantea por simetra, en coordenadas
cilndricas:
2 V 1 V 2 V + 1 2 V 0
(1)
2
2
2
2
r
r r
z
r
Como se asume isotropa en cada capa, no habr dependencia angular, por lo tanto slo
subsisten los primeros tres trmino y la solucin de la ecuacin se puede hacer por
separacin de variables:
V (r, z) = U(r) W(z)
(2)
Esto conduce a las siguientes soluciones para U y W
W = C e -z y W = C e +z
U = C J o ( r)

(3)
(4)

Donde C y son constantes arbitrarias y J o es la funcin Bessel de orden cero. De

modo que la solucin general, suponiendo que C vara en dependencia de , ser:
V = o e - z e + z J o ( r) d

(5)

La solucin anterior va a tener algunas ventajas si se expresa de modo que incluya en

forma expresa la solucin para un medio homogneo e isotrpico al que se le inyecta una
corriente I:
V=
1 I
2
2 r + z 2

(6)

utilizando adems en la teora de las funciones Bessel, la denominada integral de

Lipschitz:
o e - z J o ( r) d =
1
(7)
2
2
r +z
De este modo, la solucin general se puede escribir como:
V = 1 I o e - z + e - z e + z J o ( r) d
(8)
2
Donde y son funciones arbitrarias de , que no necesariamente son las mismas
para cada capa, por lo tanto hay necesidad de especificar su valor.
Vi = 1 I o e - z + i e - z i e + z J o ( r) d
2

(9)

Cuando se aplican las condiciones de frontera para tratar de encontrar los valores de las
constantes se obtiene que:
1 = 1 y que n = 0
Se puede entonces establecer un sistema de n ecuaciones para las n capas, para encontrar
los respectivos valores de i y i , el sistema es lineal y se puede solucionar, p.ej.
mediante determinantes (Koefoed, 1979). El caso quizs ms comn va a ser el de medir
el potencial en la capa i = 1, mediciones en la superficie del terreno (z = 0). En este caso:
V = 1 I o 1 + 2 1 J o ( r) d
2

(10)

En esta ecuacin V es el potencial en un punto de la superficie, I es la intensidad de

corriente emitida por una fuente puntual, 1 es la resistividad elctrica de la primera
capa, es una variable de integracin, r es la distancia desde la fuente de corriente hasta
el punto de medicin, J o es la funcin Bessel de orden cero y finalmente 1 es una
funcin que se denominar funcin Kernel, que est controlada por las resistividades de
las capas, i y las profundidades de los planos de interfases, hi. La funcin kernel se
puede expresar en trminos de los parmetros del subsuelo, como el cociente de dos
determinantes.
Relaciones de Recurrencia.
Al observar la ecuacin (10) conviene definir una nueva funcin, K() como:
K() = 1 + 2 1
(11)
De este modo, la expresin del potencial se transforma en:
V = 1 I o K J o ( r) d
(12)
2
La funcin K se denomina la funcin kernel de Slichter y a 1 la funcin kernel de
Stefanescu. La relacin entre estas funciones y los parmetros del subsuelo se puede

obtener a partir del clculo de los determinantes, sin embargo, existen expresiones ms
convenientes para estas relaciones, expresadas en trminos de relaciones de
recurrencia.Dos relaciones de recurrencia comunmente usadas son las de Pekeris y la de
Flathe. Su diferencia se esquematiza en la figura 1
0
1
2

1
2

1
2

3
Figura 1
El diagrama de la izquierda ilustra una secuencia original de capas en el subsuelo, el
diagrama del centro ilustra el efecto de la relacin de recurrencia de Flathe, que es el de
agregar una nueva capa en la base de la secuencia original y el diagrama de la derecha
muestra el efecto de la relacin de recurrencia de Pekeris, que es el de agregar una nueva
capa en el tope de la secuencia original y al mismo tiempo mover los electrodos a la
superficie de la nueva capa.
La relacin de recurrencia de Pekeris se puede aplicar en el sentido inverso, esto es,
remover la capa del tope y bajar los electrodos al tope de la nueva capa, proceso que se
conoce como reduccin al plano de una interfase inferior.
Realmente el problema que se quiere simplificar con las frmulas de recurrencia, es la
solucin del sistema lineal de n ecuaciones, expresando una parte del determinante
general, en funcin de la otra y viendo como se modifican las matrices al agregar o quitar
ms informacin. Flathe demostr que la adicin de una nueva capa modificaba los
determinantes que definan el numerador, N y el denominador, D del kernel de Slichter:
D n +1 (u) = D n (u) k n u 2 n D n (1 /u)

(13)

N n +1 (u) = N n (u) k n u 2 n N n (1 /u)

(14)

Los subndices se refieren al nmero de capas que poseen las secuencias y

k n = ( n 1 - n ) / ( n 1 + n ) ; u n = exp (- h n )
En estas expresiones, h n es la profundidad al plano de interfase de la capa n. La relacin
de recurrencia de Flathe consta de dos ecuaciones separadas, una para el numerador
y otra para el denominador, las cuales no se pueden combinar para obtener una sola
ecuacin de recurrencia para la funcin kernel.
La relacin de recurrencia de Pekeris describe la adicin de una nueva capa en el tope
de la secuencia original de capas, combinado con el desplazamiento de los electrodos.
Pekeris encontr que:
K i = K i + 1 + p i tanh ( t i) / p i + K i + 1 tanh ( t i )

(15)

En esta ltima ecuacin K es la funcin kernel de Slichter, el subndice corresponde a la

capa ms superficial de la secuencia en consideracin. Se ha usado p i = i / i +1 y t i es
el espesor de la capa i. Se ve que la relacin de recurrencia de Pekeris consiste en una
sola ecuacin que describe los cambios de la funcin kernel de Slichter.
Ntese que la recurrencia de Pekeris se puede invertir:
K i +1 = p i K i p i tanh ( t i) / 1 + K i tanh ( t i )

(16)

Koefoed introdujo el concepto de Transformada de resistividad, T i , definido como:

T i = iK i
(17)
Para la transformada de resistividad, las relaciones de recurrencia de Pekeris son:
T i = T i + 1 + i tanh ( t i) / 1 +T i + 1 tanh ( t i ) / i (18)
T i +1 = T i i tanh ( t i) / 1 T i tanh ( t i ) / i (19)
La transformada de resistividad tiene las dimensiones fsicas de una resistividad y es
funcin de los parmetros de las capas y de , que tiene dimensiones de recproco de
longitud. Existen comportamientos anlogos entre transformada de resistividad como
funcin de longitud (1/) y la resistividad aparente como funcin de separacin de
electrodos. Por ejemplo, sus comportamientos asintticos y sus ambigedades descritas
en los fenmenos de equivalencia y supresin.

La Funcin Resistividad Aparente.

Cuando se tiene un medio Semi Infinito Homogneo e Isotrpico (SIHI), el potencial
medido a una distancia r de la fuente de corriente I est dado por:
V(r) = I / 2 r

(20)

En esta ecuacin la resistividad que aparece es la resistividad verdadera del medio y

como los otros trminos de la ecuacin ( V, I, r) son resultados de una medicin, la
resistividad tambin se conoce como resistividad medida o aparente. Esta resistividad
aparente va a seguirse observando o midiendo aun cuando el medio sea heterogneo. En
la prctica, las medidas se realizan con cuatro electrodos, dos de corriente Ay B, y dos
de potencial M y N. Para un medio SIHI se obtiene que:
V = 2 I 1
1
(21)
2
sb
s+b
A
M
N
B
b
s
Figura 2

Despejando el valor de de la ecuacin anterior, se obtiene la expresin para la

resistividad aparente, :
= V 2 s ( s 2 - b 2 )
(22)
I
4bs
El factor ( s 2 - b 2 ) / 4 b s, es el denominado factor geomtrico y depende del tipo de
configuracin de electrodos que se utilice. Si la separacin de electrodos consecutivos es
igual (=a), el arreglo se denomina de Wenner. En este caso b= a/2 y s = 3 a /2 y :
W = ( V / I ) 2 a
Para la interpretacin de los datos de SEV es importante conocer la relacin entre las
funciones resistividad aparente y transformada de resistividad. Primero se encontrar la
relacin entre resistividad aparente y funcin kernel de Slichter. La ecuacin (23) sirve
de partida:
V = 1 I o K J o ( r) d
(23)
2
As que la diferencia de potencial de la ecuacin (23) se debe remplazar por:
V 2 V s - b - V s + b
Donde la expresin para V est dada por la ecuacin (12). Esto conduce a:
2 1 s s 2 - b 2 K () Jo s b Jo s bd
4bs

(24)

o
2 s s 2 - b 2 T () Jo s b Jo s bd
(25)
4bs
Introduciendo la excentricidad c = b / s, esta ecuacin se puede escribir como:
2 s 1 - c 2 T () Jo s (1 c Jo s (1 c d
4c

(26)

Casos particulares se obtienen para la configuracin de Wenner, cuando c = 1/3 y s =

3a/2,
W 2 a T () Jo (a Jo ( 2a d
(27)
y para la configuracin de Schlumberger:
Sc 1 + s 2 T () 1 J1 (s d

(28)

Por conveniencia es preferible expresar la relacin entre resistividad aparente y

transformada de resistividad en trminos de variables logartmicas. De este modo, las
curvas van a tener una apariencia ms regular, en el sentido de que los perodos de las
oscilaciones de las funciones tienden a permanecer del mismo orden de magnitud sobre
todo el rango de las curvas. Se introducen entonces las variables x, y, definidas por:
x = log e (s)

(29)

y = log e (1 / ) = log e ()
Si se usa adems la notacin 2s = 2 e x para la distancia entre electrodos de corriente, la
expresin general para el arreglo lineal simtrico se transforma en:
1 - c 2 T (y) Jo (1 c e x - y Jo (1 c e x - y e x - y d y
2c

(30)

Que para el arreglo de Wenner se trasforma en:

W = 2 T (y) Jo ( e x - y ) Jo (2 e x - y ) e x - y d y

(31)

y para el de Schlumberger:
Sc = 1 + T (y) - 1 J1 ( e x - y ) e 2 (x - y) d y

(32)

Filtrado Digital
La aplicacin del mtodo de filtros lineales digitales en la interpretacin de sondeos de
resistividad fue iniciada a finales de la dcada del 60 por Kunetz y principalmente Ghosh.
La aplicabilidad del mtodo se basa en el hecho de que las relaciones mostradas entre
transformada de resistividad y resistividad aparente son lineales y tambin lo son las
distintas funciones de resistividad aparente entre los diversos arreglos lineales.
En el mtodo de filtros lineales digitales, los valores de una de las funciones se obtienen
como una expresin lineal de los valores muestreados de la otra funcin, habindolos
tomado a intervalos constantes sobre el eje de las abscisas. Los coeficientes de esta
expresin lineal se denominan los coeficientes del filtro.
Recordemos dos teoremas bsicos del muestreo:
1. Una funcin queda completamente definida por sus valores muestreados, a intervalo
constante, y, siempre que el espectro de Fourier de la funcin sea cero, para todas las
frecuencias mayores que 1 / ( 2 y).
2. Este teorema define como se puede reconstruir una funcin a partir de sus valores
muestreados: Cada valor muestreado se debe remplazar por el producto de su valor
muestreado por una funcin sinc - tipo (Sen x)/x - con perodo 2 y y cuyo eje de
simetra pasa por el punto en consideracin. El valor de la funcin en cualquier punto es
entonces, igual a la suma infinita de estas funciones sinc. As, si una funcin T (y) se
muestre a distancias ( yo + j y ), entonces el valor de la funcin en una abscisa y, se
obtendr como:
T (y) = - T ( yo + j y ) Sen (y - yo - j y) / y
(y - yo - j y) / y

(33)

El requerimiento mencionado en el primer teorema de que el espectro de Fourier de la

funcin no deba contener frecuencias ms altas que la de Nyquist, nunca se satisface
plenamente en las funciones de resistividad aparente o transformada de resistividad, ya
que sus espectros no se vuelven cero en una frecuencia finita, sino que tienden

asintticamente a cero. El muestreo, que significa una frecuencia de corte en la

frecuencia de Nyquist ( 1 / 2 y), causa un error que aumenta con la longitud del
intervalo de muestreo.
A manera de ejemplo consideremos la relacin entre la transformada de resistividad y la
resistividad aparente, en el caso de un arreglo de Wenner, sustituyamos el valor de T(y)
de la ecuacin 4.7.11 por el dado por la ecuacin (33).
W = - T ( yo + j y ) 2 Sen (y - yo - j y) / y
(34)
(y - yo - j y) / y
x Jo ( e x - y ) Jo (2 e x - y ) e x - y d y
La ecuacin anterior se puede escribir como:
W = - f j T ( yo + j y )

(35)

Donde la notacin f j ha sustituido la integral de la ecuacin (34). Estos f j son los

coeficientes del filtro, mediante el cual los valores muestreados de la transformada
de resistividad se deben multiplicar para obtener la funcin de resistividad aparente.
Introduciendo la notacin = x y, los coeficientes del filtro se pueden dar como:
f j = 2 Sen (- + x - yo - j y) / y Jo (e ) Jo (2 e ) e d
(- + x - yo - j y) / y

(36)

En la anterior ecuacin se puede ver que el valor de los coeficientes del filtro est
determinado nicamente por los valores x - yo - j y, esto es, la distancia sobre las
abscisas desde el punto de muestreo T ( yo + j y ), hasta el punto donde se determina el
valor de la funcin resistividad aparente (x). As que el filtro se puede considerar como
una funcin continua de (x - yo - j y).
En el proceso de interpretacin de SEVs se usan tres tipos de filtros:
1. Filtros para la determinacin de valores de la funcin de resistividad aparente, a
partir de la transformada de resistividad, estos filtros se denominan indirectos.
2. Filtros para determinar valores muestreados de la funcin transformada de
resistividad, a partir de la resistividad aparente, estos se denominan filtros directos.
3. Filtros para determinar valores muestreados de funcin de resistividad aparente, en
una configuracin de electrodos, a partir de otra configuracin.
Los filtros se pueden calcular de diferentes maneras: por integracin directa, por
mnimos cuadrados, mediante la transformada z, o mediante la transformada de Fourier,
siendo este ltimo mtodo el ms usado actualmente, porque entre otras cosas sirve para
cualquier tipo de filtros.
Se puede ver la semejanza entre ecuaciones como la que describe la convolucin:
g (t) = h () k(t) d
y ecuaciones que aparecen en los filtros de resistividad:
T(y) = Sc (x) J1 ( e

- ( y -x )

) dx

Clculo de Curvas modelo de Resistividad Aparente.

Desde el comienzo de la interpretacin de SEVs (1955) se establecieron bacos de dos,
tres y hasta cuatro capas, para modelos representativos. Este trabajo se puede hacer
mediante diferentes mtodos, tales como: integracin numrica, mtodo de imgenes,
descomposicin en fracciones parciales o mediante filtros lineales. Este ltimo mtodo es
el que ms se usa actualmente.
El procedimiento consiste en dos etapas: la primera es calcular los valores muestreados
de la transformada de resistividad, a partir de los parmetros de las capas. Esto se realiza
mediante la aplicacin de una relacin de recurrencia, recordemos que por ejemplo la
relacin de Pekeris da:
Ti = = T i + 1 + i tanh ( t i) / 1 +T i + 1 tanh ( t i ) / i

(37)

La segunda etapa del proceso es la determinacin de valores muestreados de resistividad

aparente, a partir de los de la transformada de resistividad mediante la aplicacin de un
filtro lineal, que en general se puede escribir como:
(x o ) =

- f j T ( yo - j y )

(38)

En esta ecuacin, x o es la abscisa del punto de la funcin salida ( resistividad aparente) y

yo, la abscisa del primer punto de la funcin entrada ( transformada de resistividad), con
abscisa x o , si no hay desplazamiento entre entrada y salida, yo = x o , la inversin del
signo corresponde a una inversin en la secuencia de los coeficientes del filtro.