Primera Gua de semiconductores

INTRODUCCIN

Un semiconductor es un elemento material cuya conductividad elctrica puede considerarse situada

entre las de un aislante y la de un conductor, considerados en orden creciente
Los semiconductores ms conocidos son el silicio (Si) y el germanio (Ge). Debido a que, como
veremos ms adelante, el comportamiento del silicio es ms estable que el germanio frente a todas las
perturbaciones exteriores que peden variar su respuesta normal, ser el primero (Si) el elemento
semiconductor ms utilizado en la fabricacin de los componentes electrnicos de estado slido. A l
nos referiremos normalmente, teniendo en cuenta que el proceso del germanio es absolutamente
similar.
Como todos los dems, el tomo de silicio tiene tantas cargas positivas en el ncleo, como electrones
en las rbitas que le rodean. (En el caso del silicio este nmero es de 14). El inters del semiconductor
se centra en su capacidad de dar lugar a la aparicin de una corriente, es decir, que haya un
movimiento de electrones. Como es de todos conocidos, un electrn se siente ms ligado al ncleo
cuanto mayor sea su cercana entre ambos. Por tanto los electrones que tienen menor fuerza de
atraccin por parte del ncleo y pueden ser liberados de la misma, son los electrones que se encuentran
en las rbitas exteriores. Estos electrones pueden, segn lo dicho anteriormente, quedar libres al
inyectarles una pequea energa. En estos recaer nuestra atencin y es as que en vez de utilizar el
modelo completo del tomo de silicio (figura 1), utilizaremos la representacin simplificada (figura 2)
donde se resalta la zona de nuestro inters.

La zona sombreada de la figura 2 representa de una manera simplificada a la zona sombreada de la figura 1

Como se puede apreciar en la figura, los electrones factibles de ser liberados de la fuerza de atraccin
del ncleo son cuatro

SEMICONDUCTOR INTRNSECO

Cuando el silicio se encuentra formado por tomos del tipo explicado en el apartado anterior, se dice
que se encuentra en estado puro o ms usualmente que es un semiconductor intrnseco
Una barra de silicio puro est formada por un conjunto de tomos en lazados unos con otros segn una
determinada estructura geomtrica que se conoce como red cristalina
Si en estas condiciones inyectamos energa desde el exterior, algunos de esos electrones de los rbitas
externas dejarn de estar enlazados y podrn moverse. Lgicamente si un electrn se desprende del
tomo, este ya no est completo, decimos que est cargado positivamente, pues tiene una carga
negativa menos, o que ha aparecido un hueco. Asociamos entonces el hueco a una carga positiva o al
sitio que ocupaba el electrn.
El tomo siempre tendr la tendencia a estar en su estado normal, con todas sus cargas, por lo tanto en
nuestro caso, intentar atraer un electrn de otro tomo para rellenar el hueco que tiene.
Toda inyeccin de energa exterior produce pues un proceso continuo que podemos concretar en dos
puntos:
Electrones que se quedan libres y se desplazan de un tomo a otro a lo largo de la barra del
material semiconductor de silicio.
Aparicin y desaparicin de huecos en los diversos tomos del semiconductor.
Queda as claro que el nico movimiento real existente dentro de un semiconductore el de electrones.
Lo que sucede es que al aparecer y desaparecer huecos, "cargas positivas", en puntos diferentes del
semiconductor, parece que estos se mueven dando lugar a una corriente de cargas positivas. Este
hecho, movimiento de huecos, es absolutamente falso,. Los huecos no se mueven, slo parece que lo
hacen.
Ahora bien, para facilitar el estudio de los semiconductores hablaremos de corriente de huecos (cargas
positivas), pues nos resulta ms cmodo y los resultados obtenidos son los mismos que los reales.
SEMICONDUCTOR DOPADO
Si aplicamos una tensin al cristal de silicio, el positivo de la pila intentar atraer los electrones y el
negativo los huecos favoreciendo as la aparicin de una corriente a travs del circuito

Sentido del movimiento de un electrn y un hueco en el silicio

Ahora bien, esta corriente que aparece es de muy pequeo valor, pues son pocos los electrones que
podemos arrancar de los enlaces entre los tomos de silicio. Para aumentar el valor de dicha corriente
tenemos dos posibilidades:

Aplicar una tensin de valor superior

Introducir previamente en el semiconductor electrones o huecos desde el exterior

La primera solucin no es factible pues, an aumentando mucho el valor de la tensin aplicada, la

corriente que aparece no es de suficiente valor. La solucin elegida es la segunda.
En este segundo caso se dice que el semiconductor est "dopado".
El dopaje consiste en sustituir algunos tomos de silicio por tomos de otros elementos. A estos
ltimos se les conoce con el nombre de impurezas. Dependiendo del tipo de impureza con el que se
dope al semiconductor puro o intrnseco aparecen dos clases de semiconductores.

Semiconductor tipo P
Semiconductor tipo N

SEMICONDUCTOR TIPO N

Si en una red cristalina de silicio (tomos de silicio enlazados entre s)....

Enlace covalente de tomos de germanio, obsrvese que cada tomo comparte cada uno de sus electrones con otros cuatro tomos

sustituimos uno de sus tomos (que como sabemos tiene 4 electrones en su capa exterior) por un
tomo de otro elemento que contenga cinco electrones en su capa exterior, resulta que cuatro de esos
electrones sirven para enlazarse con el resto de los tomos de la red y el quinto queda libre.
....

Semiconductor dopado tipo N

A esta red de silicio "dopado" con esta clase de impurezas se le denomina "Silicio tipo N"
En esta situacin hay mayor nmero de electrones que de huecos. Por ello a estos ltimos se les
denomina "portadores minoritarios" y "portadores mayoritarios" a los electrones
Las Impurezas tipo N ms utilizadas en el proceso de dopado son el arsnico, el antimonio y el fsforo
Est claro que si a un semiconductor dopado se le aplica tensin en sus Bornes, las posibilidades de
que aparezca una corriente en el circuito son mayores a las del caso de la aplicacin de la misma
tensin sobre un semiconductor intrnseco o puro.
SEMICONDUCTOR TIPO P

Si en una red cristalina de silicio (tomos de silicio enlazados entre s)....

Enlace covalente de tomos de germanio, obsrvese que cada tomo comparte cada uno de sus electrones con otros cuatro tomos

.... sustituimos uno de sus tomos (que como sabemos tiene 4 electrones en su capa exterior) por un
tomo de otro elemento que contenga tres electrones en su capa exterior, resulta que estos tres
electrones llenarn los huecos que dejaron los electrones del tomo de silicio, pero como son cuatro,
quedar un hueco por ocupar. Osea que ahora la sustitucin de un tomo por otros provoca la aparicin
de huecos en el cristal de silicio. Por tanto ahora los "portadores mayoritarios" sern los huecos y los
electrones los portadores minoritarios.
A esta red de silicio dopada con esta clase de impurezas se le denomina "silicio tipo P"

Semiconductor dopado tipo P

semiconductor dopado tipo N

3.0. TIPO N Y TIPO P

Cuando al dopar introducimos tomos con tres electrones de valencia en un elemento de tomos con
cuatro estamos formando un semiconductor tipo P, viniendo su nombre del exceso de carga
aparentemente positiva (porque los tomos siguen siendo neutros, debido a que tienen igual
nmero de electrones que de protones) que tienen estos elementos. Estos tomos "extraos" que
hemos aadido se recombinan con el resto pero nos queda un hueco libre que produce atraccin sobre
los electrones que circulan por nuestro elemento. Tambin se produce una circulacin de estos huecos
colaborando en la corriente.
Sin embargo, si los tomos aadidos tienen cinco electrones en su ltima capa el semiconductor se
denomina de tipo N, por ser potencialmente ms negativo que uno sin dopar. En este tipo de
materiales tenemos un quinto electrn que no se recombina con los dems y que, por tanto, est libre y
vaga por el elemento produciendo corriente. Para hacerse una idea de las cantidades que entran en
juego en esto del dopaje se podra decir que se introduce un tomo extrao por cada doscientos
millones de tomos del semiconductor.
Hasta ahora hemos descrito la corriente elctrica como el paso de electrones de un lado a otro pero ha
llegado el momento de aumentar este concepto. Como hemos visto la aparicin de un hueco produce el
movimiento de un electrn hacia l dejando de nuevo un hueco al que ir otro electrn. Este
movimiento puede verse desde dos puntos de vista. El primero es el del electrn movindose de
derecha a izquierda, el segundo sera el del hueco desplazndose de izquierda a derecha. Pues bien, no
es correcto ni uno ni otro, sino los dos a la vez. Hay que pensar que tan importante es un movimiento
como el otro, y que la corriente elctrica hemos de concebirla como la suma de los dos. Como
veremos, en unos casos ser ms importante, cuantitativamente hablando, la corriente creada por el
movimiento de los electrones y, sin embargo, en otros lo ser la creada por los huecos. Se ha adoptado
por convenio que la corriente elctrica lleva el sentido de los huecos, es decir, cuando seguimos el
sentido de los electrones la corriente es negativa y positiva en caso contrario.
Debemos dividir a los semiconductores en dos grupos: intrnsecos y extrnsecos. Los
semiconductores extrnsecos son aquellos a los que se les ha dopado de alguna forma, produciendo
as un semiconductor tipo P o del tipo N. Y los intrnsecos son los que no han sufrido ninguna clase
de dopaje
Puesto que el paso de electrones a travs de cualquier material siempre produce calor nos va a ser
imposible separar los efectos producidos por el dopaje y el aumento de temperatura en un
semiconductor; as que ambos efectos se suman y la circulacin de electrones y huecos va a ser mayor.
3.1. Portadores mayoritarios y minoritarios
No est completa nuestra explicacin sin comentar brevemente lo que se conoce con el nombre de
portadores mayoritarios y minoritarios.
Cuando existe corriente dentro de un material hemos visto que es debida a electrones movindose
hacia un lado y a huecos desplazndose en sentido contrario. Pero las cantidades de unos y otros no
tienen por qu ser iguales ni parecidas, esto depende del material por el que circule la corriente.
Llamamos portadores mayoritarios a quien contribuya al paso de la corriente en mayor medida y,
obviamente, los minoritarios sern aquellos que lo hagan en menor medida.
Si tenemos un material tipo N por el que circula corriente, los portadores mayoritarios sern los
electrones que le sobran por el dopaje junto con los electrones que saltan debido al calor y los
portadores minoritarios sern los huecos producidos al marcharse los electrones de su sitio. Por el
contrario, en un semiconductor tipo P los portadores mayoritarios sern los huecos que tienen en

exceso por el dopaje ms los huecos que se producen por efecto del calor, mientras que los portadores
minoritarios sern los electrones que han saltado de su sitio.
3.2. Unin P-N
Llegados a este punto, cualquiera con un poco de curiosidad se habr hecho la siguiente pregunta:
Qu ocurrira si se juntase un trozo de material tipo P con un trozo de material tipo N? Pues bien,
esta pregunta ya se la hizo alguien hace unos cuantos aos y dio origen a lo que hoy da se conoce
como unin P-N.
De nuevo, como electrnicos que somos, solamente nos interesa algo muy concreto de esta unin, lo
cual no es otra cosa que su comportamiento de cara al paso de corriente elctrica.

Supongamos, primeramente, que hemos unido por las buenas un trozo de material tipo P con uno tipo
N; Qu ocurre?, pues que los electrones que le sobran al material tipo N se acomodan en los
huecos que le sobran al material tipo P. Pero, ojo!, no todos los de un bando se pasan al otro,
solamente lo hacen los que estn medianamente cerca de la frontera que los separa. A esto se le
llama recombinacin
Y Por qu solo unos pocos? Pues porque el hecho de que se vayan los electrones con los huecos es
debido a la atraccin mutua que existe entre ellos ya que poseen cargas opuestas; sin embargo, una vez
que se han pasado cierta cantidad de electrones al otro bando comienza a haber una concentracin de
electrones mayor de lo normal, lo que provoca que estos empiecen a repelerse entre ellos. Por tanto,
se llega a un equilibrio al haberse ido los suficientes electrones para apaciguar la atraccin huecoelectrn inicial pero no tantos como para llegar a repelerse entre ellos.
Una vez alcanzado este equilibrio se dice que se ha creado una barrera de potencial. Una barrera de
potencial es simplemente una oposicin a que sigan pasando los electrones y huecos de un lado a otro.
Esta situacin permanecer inalterable mientras no hagamos nada externo para modificarla, es decir,
compensar el efecto de esa barrera de potencial con otro potencial aportado por nosotros, por ejemplo,
conectndolo a una batera.
3.3 Polarizacin directa e inversa
Existen dos formas de conectar una batera a una unin P-N. Primero conectar el borne positivo de la
batera con el material tipo P y el borne negativo con el material tipo N y la otra conectar el borne
positivo con el material tipo N y el borne negativo con el tipo P. A la primera de ellas se la denomina
polarizacin directa y a la segunda polarizacin inversa. Veamos qu ocurre en cada una de ellas. Al
polarizar directamente una unin P-N el polo negativo de la batera est inyectando electrones al
material N, mientras que el polo positivo recibe electrones del lado P crendose as una corriente
elctrica. Con esta batera hemos conseguido vencer el obstculo que se haba creado debido a la
barrera de potencial existente entre ambos materiales. De nuevo los electrones y los huecos pueden
pasar libremente a travs de la frontera.

Sin embargo, al polarizar inversamente una unin P-N no se crea una corriente en sentido opuesto sino
que, curiosamente, no hay corriente alguna. Esto es por que los huecos libres del tipo P se
recombinan con los electrones que proceden del polo negativo de la batera, y los electrones libres
del tipo N son absorbidos por sta, alejndose tanto huecos como electrones de la unin, en vez de
vencer nuestra barrera de potencial sta se ha hecho ms grande y no existe corriente; aunque, para ser
exactos, s existe una corriente y esta es la producida por los portadores minoritarios, pero es
demasiado pequea e inapreciable.

4.0. EL DIODO
Todo dispositivo semiconductor est formado bsicamente por uniones P-N. Los transistores (BJT),
FET, MOSFET, etc., son combinaciones de estas uniones. Incluso una unin P-N es por s sola un
dispositivo electrnico ampliamente conocido: el diodo.

Para empezar, vamos a hablar del diodo ideal, es decir, un diodo cuyo comportamiento sera el
deseado pero que no es posible alcanzarlo en la realidad. Este tipo de diodos solamente permiten el
paso de corriente en un sentido, oponindose en el sentido contrario. Esta caracterstica tiene un gran
inters en la conmutacin ya que de ella se deriva una propiedad ON-OFF (abierto-cerrado), como
veremos ms adelante.

La diferencia entre un diodo real y un diodo ideal est en que el primero va a permitir la corriente en
un sentido pero no libremente sino que ofrece una pequea resistencia y adems, al polarizarse
inversamente, no corta la corriente de una manera tajante sino que, como hemos visto en la unin P-N,
hay una pequea corriente en sentido contrario. Si la diferencia de potencial existente entre los
extremos del diodo fuese lo suficientemente grande, esta corriente inversa ahora s empezara a
aumentar de manera considerable. Nos encontramos en la regin de funcionamiento llamada zener, la
cual es tremendamente destructiva para el diodo. Sin embargo, ciertos diodos estn fabricados
especialmente para funcionar en esta regin y son conocidos como diodos zener.

A) Esta es la grfica que representa a un diodo ideal. B) Smbolo con el que se representa al diodo dentro de un
circuito.

5.0. TIPOS BSICOS DE DIODOS.

Diodos rectificadores
Diodos de tratamiento de seal (RF)
Diodos de capacidad variable (varicap)
Diodos Zener
Fotodiodos
Diodos luminiscentes (LED)
5.1 Diodos rectificadores.

Un diodo estndar (rectificador) responde a un esquema interno como este:(A) Terminales, (B) Soporte metlico, (C)
Semiconductor, (D) Punta de contacto.

Los diodos que todo aficionado al mundillo electrnico conoce en primer lugar son los de tipo
rectificador sencillo. Quizs esto se deba a lo intuitivo de la comprensin de la funcin rectificadora.
Como ya se ha visto anteriormente, una de las principales caractersticas prcticas de los diodos es
facilitar el paso de la corriente continua en un nico sentido (polarizacin directa). Parece lgico
comprender de un plumazo que si hacemos circular a travs de un diodo una Corriente Alterna esta
slo lo har en la mitad de los semiciclos, aquellos que polaricen directamente el diodo, por lo que a la
salida del mismo obtendremos una seal de tipo pulsatoria pero continua (si entendemos por tensin o
seal continua aquella que no vara su polaridad).
5.2. Diodos de tratamiento de seal (RF).
Los diodos de tratamiento de seal requieren algo ms de calidad de fabricacin que los tpicos
rectificadores. Estos diodos estn destinados a formar parte de etapas moduladoras, demoduladoras,
mezcla y limitacin de seales. etc.
Uno de los puntos ms crticos en el diodo, a la hora de trabajar con media y alta frecuencia, se centra
en la capacidad de unin, la cual se debe a que en la zona de la unin PN se forman dos capas de carga
de sentido opuesto que conforman una capacidad real.
En los diodos de RF (Radio-frecuencia) se intenta que dicha capacidad sea reducida a su mnima
expresin, lo cual ayudar a que el diodo conserve todas sus "habilidades" rectificadoras, incluso
cuando tenga que trabajar en altas frecuencias.
Entre los diodos ms preparados para bregar con las altas frecuencias destaca el diodo denominado
Schottky. Este diodo fue desarrollado a principio de los setenta por la firma Hewletty deriva de los
diodos de punta de contacto y de los de unin PN de los que han heredado el procedimiento de
fabricacin.

El diodo Schottky est constituido as: (1) Resorte a presin. (2) Contacto de oro. (3) Silicio. (4) Molibdeno vaporizado.
(5) Soldadura.

5.3. Diodos de capacidad variable (varicap).

La capacidad formada en extremos de la unin PN puede resultar de suma utilidad cuando, al contrario
de lo que ocurre con los diodos de RF, se busca precisamente utilizar dicha capacidad en provecho del
circuito en el cual est situado el diodo.

El diodo varicap sustituye con gran xito a los obsoletos condensadores variables.

Al polarizar un diodo de forma directa se observa que, adems de las zonas constitutivas de la
capacidad buscada, aparece en paralelo con ellas una resistencia de muy bajo valor hmico, lo que
conforma un condensador de elevadas prdidas. Sin embargo, si polarizamos el mismo en sentido
inverso la resistencia paralelo que aparece es de un valor muy alto, lo cual hace que el diodo se pueda
comportar como un condensador con muy bajas prdidas.
Si aumentamos la tensin de polarizacin inversa las capas de carga del diodo se espacian lo suficiente
para que el efecto se asemeje a una disminucin de la capacidad del hipottico condensador (similar al
efecto producido al distanciar las placas de un condensador estndar).
Por esta razn podemos concluir que los diodos de capacidad variable (conocidos ms popularmente
como Varicaps varan su capacidad interna al ser alterado el valor de la tensin que los polariza de
forma inversa.
La utilizacin ms solicitada para este tipo de diodos suele ser la de sustituir a complejos sistemas
mecnicos de condensador variable en etapas de sintona en todo tipo de equipos de emisin y
recepcin. Por poner un ejemplo, cuando actuamos en la sintona de un viejo receptor de radio estamos
variando (mecnicamente) el eje del condensador variable que incorpora ste en su etapa de sintona;
pero si, por el contrario, actuamos sobre la ruedecilla o, ms comnmente, sobre el botn (pulsador) de
sintona de nuestro moderno receptor de TV color lo que estamos haciendo es variar la tensin de
polarizacin inversa de un diodo varicap contenido en el mdulo sintonizador del equipo
5.4. Diodo zener
Al estudiar los diodos se hace hincapi en la diferencia existente en la grfica tipo con respecto a lo
que es corriente directa e inversa. Si polarizamos inversamente un diodo estndar y aumentamos la
tensin llega un momento en que se origina un fuerte paso de corriente que lleva el diodo a su
destruccin. Este punto viene dado por la tensin de ruptura del diodo.
Pero podemos conseguir controlar este fenmeno y aprovecharnos de l, de forma que no se origine
necesariamente la destruccin del diodo. Todo lo que tenemos que hacer es que este fenmeno se d
dentro de unos mrgenes controlables.

El diodo zener se comporta como diodo normal hasta que su polarizacin inversa alcanza el valor a que ha sido tarado
de fbrica.

El diodo zener es capaz de trabajar en la regin en la que se da el efecto del mismo nombre cuando las
condiciones de polarizacin as lo determinen y volver a comportarse como un diodo estndar una vez
que la polarizacin retorne a su zona de trabajo habitual.
Resumiendo, el diodo zener se comportar como un diodo normal, salvo que alcance la tensin zener
para la que ha sido tarado en fbrica, momento en que dejar pasar a travs de l una cantidad ingente
de corriente. Este efecto se produce en todo tipo de circuitos reguladores, limitadores y recortadores de
tensin. La aplicacin zener, sobre todo a fuentes de alimentacin, ser tratada con profusin algo ms
adelante.
5.5. Fotodiodos.
Un hecho que tambin se ha utilizado en provecho de la moderna tcnica electrnica es la influencia
de la energa luminosa en la ruptura de los enlaces de electrones situados en el seno constitutivo de un
diodo.

Los fotodiodos responden de diferente forma en funcin de la luz que reciben.

Los fotodiodos son diodos es los cuales se ha optimizado el proceso de componentes y forma de
fabricacin de modo que la influencia luminosa sobre su conduccin sea la mxima posible. Esto se
logra, por ejemplo, con fotodiodos de silicio en el mbito de la luz incandescente y con fotodiodos de
germanio en zonas de influencia de luz infrarrojo.

5.6. Diodos luminiscentes (LED).

Este tipo de diodos se ha popularizado ltimamente y ya puede encontrarse casi en cualquier equipo
electrnico que se tilde de moderno. Las formas y, no tanto, los colores se han diversificado a pasos
agigantados.
La operativo de un diodo LED se basa en la recombinacin de portadores mayoritarios en la capa de
barrera cuando se polariza una unin PN en sentido directo. En cada recombinacin de un electrn con

un hueco se libera cierta energa. Esta energa, en el caso de determinados semiconductores, se irradia
en forma de luz; en otros se hace en forma trmica. Dichas radiaciones son bsicamente
monocromticas. Mediante un adecuado dopado del material semiconductor se puede afectar la
energa de radiacin del diodo,
El nombre de LED se debe a su abreviatura inglesa (Light Emmiting Diode).
Adems de los diodos LED existen otros diodos con diferente emisin, en concreto infrarrojo, y que
responden a la denominacin IRED (Infrared Emmiting Diode).
5.7. Encapsulados y nomenclatura
Existen, claro est, serias divergencias a nivel mundial en cuanto a la nomenclatura que ha de
utilizarse a la hora de identificar los diferentes tipos de diodos existentes. Fabricantes europeos,
americanos y japoneses no parecen ponerse de acuerdo. Aunque, ciertamente, lo que s existe es un
buen nmero de recopilaciones de tablas de equivalencias en el argot tcnico que intentan identificar
tipos europeos, americanos y japoneses de la mejor manera posible. Ante cualquier duda no tendremos
ms remedio que utilizar estas tablas si no queremos emplear un componente errneo como sustituto
de uno averiado. No son perfectas pero intentan paliar el desaguisado normativo.
Las ilustraciones adjuntas intentan mostrar parte de la normativa europea al respecto. Baste mencionar
tan solo que los americanos suelen identificar sus semiconductores con denominaciones que
comienzan casi siempre con 1N o 2N correspondiendo, respectivamente, a diodos y transistores.

La nomenclatura utilizada por los diodos zner se ajusta a la tabla aqu presentada.