INTRODUCCIN A LOS DISPOSITIVOS ELECTRNICOS DE

POTENCIA
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Introduccin

Dentro de los dispositivos electrnicos de potencia, podemos citar: los

diodos y transistores de potencia, el tiristor, as como otros derivados
de stos, tales como los triac, diac, conmutador unilateral o SUS,
transistor uniunin o UJT, el transistor uniunin programable o PUT y
el diodo Shockley.
Existen tiristores de caractersticas especiales como los fototiristores,
los tiristores de doble puerta y el tiristor bloqueable por puerta (GTO).
Lo ms importante a considerar de estos dispositivos, es la curva
caracterstica que nos relaciona la intensidad que los atraviesa con la
cada de tensin entre los electrodos principales.
El componente bsico del circuito de potencia debe cumplir los
siguientes requisitos:
Tener dos estados claramente definidos, uno de alta impedancia
(bloqueo) y otro de baja impedancia (conduccin).
Poder controlar el paso de un estado a otro con facilidad y
pequea potencia.
Ser capaces de soportar grandes intensidades y altas tensiones
cuando est en estado de bloqueo, con pequeas cadas de
tensin entre sus electrodos, cuando est en estado de
conduccin. Ambas condiciones lo capacitan para controlar
grandes potencias.
Rapidez de funcionamiento para pasar de un estado a otro.
El ltimo requisito se traduce en que a mayor frecuencia de
funcionamiento habr una mayor disipacin de potencia. Por tanto, la
potencia disipada depende de la frecuencia.

Ahora veremos los tres bloques bsicos de semiconductores de

potencia y sus aplicaciones fundamentales:
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Semiconductores de alta potencia

Dispositivo

Intensidad mxima

Rectificadores estndar o rpidos

50 a 4800 Amperios

Transistores de potencia

5 a 400 Amperios

Tiristores estndar o rpidos

40 a 2300 Amperios

GTO

300 a 3000 Amperios

Aplicaciones :
Traccin elctrica: troceadores y convertidores.
Industria:
o Control de motores asncronos.
o Inversores.
o Caldeo inductivo.
o Rectificadores.
o Etc.
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Mdulos de potencia

Dispositivo

Intensidad mxima

Mdulos de transistores

5 a 600 A. 1600 V.

SCR / mdulos rectificadores

20 a 300 A. 2400 V.

Mdulos GTO

100 a 200 A. 1200 V.

IGBT

50 a 300A. 1400V.

Aplicaciones:
Soldadura al arco.
Sistema de alimentacin ininterrumpida (SAI).
Control de motores.
Traccin elctrica.
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Semiconductores de baja potencia

Dispositivo

Intensidad mxima

SCR

0'8 a 40 A. 1200 V.

Triac

0'8 a 40 A. 800 V

Mosfet

2 a 40 A. 900 V.

Aplicaciones :
Control de motores.
aplicaciones domsticas.
Cargadores de bateras.
Control de iluminacin.
Control numrico.
Ordenadores, etc.

Aplicaciones generales: evolucin prctica

[Bibliografa]
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J. Domingo Aguilar Pea: jaguilar@ujaen.es

Miguel ngel Montejo Rez: radastan@swin.net