[DIODOS ESPECIALES.

Tipos de diodos
Diodo Tnel.
El diodo tnel (diodo Esaki) Como se ha comentado anteriormente, en un diodo de
unin p-n con fuerte dopado puede producirse el efecto tnel o zener en
condiciones de polarizacin inversa. En el caso que ambas regiones
semiconductoras estn muy fuertemente dopadas (del orden de 1000 veces ms
que en un diodo zener), la zona de agotamiento es muy estrecha y el campo
elctrico en la zona de agotamiento es tan grande que el efecto tnel o zener
deviene tambin importante para el caso de polarizacin directa. En estas
condiciones, la caracterstica corriente-tensin del diodo cambia drsticamente
observndose una regin en que la corriente disminuye cuando aumenta la
tensin de polarizacin directa (zona de resistencia negativa, con dV/dI < 0). Un
diodo operando de esta manera es llamado diodo tnel o tambin diodo
degenerado. Generalmente se suele fabricar de As Ga en vez de Si o Ge.
Conforme aumenta la polarizacin directa, la corriente aumenta con mucha
rapidez desde cero hasta el valor de pico de iD (Ip) en que se produce la ruptura.
Entonces la corriente cae hasta Iv (corriente de valle), dando lugar a la regin de
resistencia negativa. Dicha regin se desarrolla de manera caracterstica en el
intervalo de 50 mV a 250 mV. A partir de la tensin de valle V v, el diodo tnel se
comporta prcticamente como un diodo normal. La tensin de ruptura inversa no
existe y, por tanto, el diodo tnel no es capaz de bloquear tensiones inversas
como otros diodos. Como, debido a su funcionamiento, no hay procesos de
almacenamiento de portadores minoritarios, el diodo tnel es til en aplicaciones
de alta velocidad.

Smbolo del diodo tnel.

Curva caracterstica del diodo tnel.
Cuando se aplica una pequea tensin, el diodo tnel
empieza a conducir (la corriente empieza a fluir). Si se
sigue aumentando esta tensin la corriente aumentar
hasta llegar un punto despus del cual la corriente
disminuye. La corriente continuar disminuyendo hasta
llegar al punto mnimo de un "valle" y despus volver a
incrementarse. Esta ocasin la corriente continuar
aumentando conforme aumenta la tensin.
Los diodos tnel tienen la cualidad de pasar entre los
niveles de corriente Ip e Iv muy rpidamente, cambiando
de estado de conduccin al de no conduccin incluso
ms rpido que los diodos Schottky fig. 1.

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FIG: 1 C URVA CARACTERSTICA

La principal utilidad del diodo tnel est en la zona de resistencia negativa. Esta se
puede utilizar en conjuncin con un circuito sintonizado para producir un oscilador
de alta frecuencia y alta Q. Modificando adecuadamente el dopado del diodo tnel
es posible hacer que en condiciones de polarizacin directa el efecto tnel casi no
se produzca haciendo desaparecer la zona de resistencia negativa. Si nos
limitamos a bajos valores de la tensin de polarizacin (inferiores a 0,7 V) se tiene
que, en ese caso, la corriente inversa sera mayor que la directa, de ah que el
dispositivo resultante reciba el nombre de diodo unitnel o diodo "backward".
Empleando este diodo en el sentido inverso y para bajos niveles de la tensin de
polarizacin, la cada de tensin en dicho diodo es muy pequea. Es por ello que
dicho diodo suele utilizarse para la deteccin de seales muy dbiles. Otra
aplicacin es la rectificacin de seales pequeas. Como no hay almacenamiento
de portadores minoritarios tiene una buena respuesta en frecuencia.

Aplicacin sencilla del diodo tnel.

Circuito oscilador utilizando el
diodo tnel.
La regin de resistencia negativa
del diodo tnel es muy til para
circuitos oscilador, tipo LC Fig: 2.

FIG: 2 CIRCUITO OSCILADOR.

Caractersticas del diodo 1N3716.

Part Number = 1N3716
V(f)(V) Forward Voltage @Ipeak = 500m
Ipeak Max. (A) = 4.7m
Peak Current Tol. (A) = .50m
V(P) (V) Peak-Point Voltage = 65m
V(V) (V) Valley-Point Voltage = 350m
Ratio Ipeak/Ivalley Min. = 4.0
I(F) Max. (A) Forward Current = 25m
f(co) (Hz) Res. Cutoff Freq = 1.8G
R(neg) (Ohms) Negative Res. = 25
r(s) Max. (Ohms) Series Res. = .50
L(s) Max.(H),Series Inductance = .50n
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Diodo 1N3716

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C(t) Max.(F) Total Capacitance = 50p
Semiconductor Material = Germanium
Package = DO-17

Diodo Schottky o de barrera.

El diodo Schottky es un diodo que proporciona conmutaciones muy rpidas entre
los estados de conduccin directa e inversa (menos de 1ns en dispositivos
pequeos) y que tiene muy bajas tensiones umbral (del orden de 0.2V).
Smbolo del diodo
Schottky

F IG. 3 CURVA CARACTERSTICA Y ESTRUCTURA

PLANA .

El diodo Schottky est constituido por una juntura metal-semiconductor, en lugar

de una juntura PN. En la Fig. 3 se muestra un diodo Schottky de aluminio. Debido
a efectos cunticos, la juntura N-Al tiene las propiedades rectificativas similares a
la de una juntura PN, mientras que la juntura N+ -Al se comporta como una juntura
hmica metal-metal. De este modo, si el cuerpo semiconductor est dopado con
impurezas tipo N, solamente los portadores tipo N (electrones mviles)
desempearn un papel significativo en la operacin del diodo N-Al y no se
realizar la recombinacin aleatoria y lenta de portadores tipo N y P que tiene
lugar en los diodos rectificadores normales, con lo que la operacin del dispositivo
ser mucho ms rpida. La alta velocidad de conmutacin del diodo Schottky
permite rectificar seales de muy altas frecuencias y encuentra una gran variedad
de aplicaciones en circuitos de alta velocidad para comunicaciones y
computadoras.
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Caracteristicas electricas de algunos diodos Schottky.

Rectificador de barrera Schottky; 1N5817, 1N5818, 1N5819.

Circuito equivalente de pequea seal

El circuito equivalente de pequea seal del diodo Schottky cuyo

smbolo esquemtico se muestra en la figura 4, es muy similar al de un
diodo de juntura PN, figura 5.

Figura

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Fig: 5

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Fig: 4

Aplicacin del diodo.

Figura
11
Diodo
rectificador
1n4001
Diodo
rectificador
BAS70-

Fig. 4

Fig. 5

El circuito recortar de media onda mostrado en la figura 4 nos compara la velocidad polarizacin
del diodo

Schottky en comparacin de un diodo rectificador 1N4001, Los cuales

estn sometidos a una frecuencia de 1MHz y un voltaje Vp-p de 40V.
en la figura 5 podemos observar que el diodo rectificador 1N4001 no puede
rectificar la onda ya que posee una conmutaciones muy lenta entre los estados de
conduccin directa e inversa, mientras que el diodo Schottky tiene un estado de
conmutacin muy rpido por lo que puede rectificar la seal.

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Diodo Varicap.
El de potencial en una unin PN varie en funcin de la tensin Diodo de capacidad
variable o Varactor (Varicap) es un tipo de diodo que basa su funcionamiento en el
fenmeno que hace que la anchura de la barrera inversa aplicada entre sus
extremos. Al aumentar dicha tensin, aumenta la anchura de esa barrera,
disminuyendo as la capacidad del diodo. De este modo se obtiene un
condensador variable controlado por tensin. En el figura 6 se muestran las
similitudes entre un diodo y un capacitor. Los valores de capacidad obtenidos van
desde 1 a 500 pF. La tensin inversa mnima tiene que ser de 1 V. La aplicacin
de estos diodos se encuentra, sobre todo, en la sintona de TV, modulacin de
frecuencia en transmisiones de FM y radio y en los osciladores controlados por
voltaje
(Oscilador
controlado por tensin).

SMBOLO DEL DIODO

VARICAP

Fig. 6

Esta zona de agotamiento acta como

un dielctrico (aislante), ya que no hay
ninguna carga y flujo de corriente.
Las reas exteriores a la zona de
agotamiento si tienen portadores de
carga (rea semiconductor). Se puede
visualizar sin dificultad la formacin de
un capacitor en el diodo (dos materiales
semiconductores deparados por un
aislante).

Entonces la capacitancia es funcin de la tensin aplicada al diodo.

- Si la tensin aplicada al diodo aumenta la capacitancia disminuye
- Si la tensin disminuye la capacitancia aumenta

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Curva caracterstica.
En la figura 7 se encuentra una relacin entre la capacidad y el voltaje inverso es
del tipo CS V-1/3.

FIG. 7 VARIACIN

EN LA CONCENTRACIN DE
IMPUREZAS CON LA DISTANCIA A LA UNIN X, EN
UNA UNIN P - N UNILATERAL PARA TRES TIPOS
DIFERENTES DE DOPAJES EN EL LADO N.

C IRCUITO EQUIVALENTE DEL DIODO

VARICAP .

Aplicacin del diodo varicap.

El ejemplo de aplicacin ms corriente de los diodos varicap es la realizacin de
los circuitos de sintonizacin de un receptor de radio, como se muestra en la figura
8. Este circuito, de realizacin inmediata est compuesto bsicamente por la
bobina L y el diodo varicap DV1, que sustituye al condensador variable clsico.

FIG 8- E SQUEMA

ELCTRICO DEL
RECEPTOR DE RADIO DE ONDA MEDIA
QUE EMPLEA UN DIODO VARICAP
COMO ELEMENTO VARIABLE DE
SINTONA

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Varistor.
Los varistores proporcionan una proteccin fiable y econmica contra transitorios
de alto voltaje que pueden ser producidos, por ejemplo, por relmpagos,
conmutaciones o ruido elctrico en lneas de potencia de CC o CORRIENTE
ALTERNA.
Los varistores tienen la ventaja sobre los diodos (supresores de transitorios) que,
al igual que ellos pueden absorber energas transitorias (incluso ms altas) pero
adems pueden suprimir los transitorios positivos y negativos.
Cuando aparece un transitorio, el varistor cambia su resistencia de un valor alto a
otro valor muy bajo. El transitorio es absorbido por el varistor, protegiendo de esa
manera los componentes sensibles del circuito.
Los varistores se fabrican con un material no-homogneo.(Carburo de silicio).

Caractersticas
1. Amplia gama de voltajes - desde 14 V a 550 V (RMS). Esto permite una
seleccin fcil del componente correcto para una aplicacin especfica.
2. Alta capacidad de absorcin de energa respecto a las dimensiones del
componente.
3. Tiempo de respuesta de menos de 20 ns, absorbiendo el transitorio en el
instante que ocurre.
4. Bajo consumo (en stabd-by) - virtualmente nada.
5. Valores bajos de capacidad, lo que hace al varistor apropiado para la
proteccin de circuitera en conmutacin digital.
6. Alto grado de aislamiento.

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SMBOLO DEL
VARISTOR

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Curva caracterstica.
La operacin de los varistores se puede describir por medio de su curva caracterstica mostrada en
la figura 9

FIG. 9

En fuentes de alimentacin
En las fuentes de alimentacin normalmente se usan en la parte de entrada de la
misma y se los puede ver acompaados de una bobina de filtrado.

La bobina de esta realizada sobre un ncleo de ferrita y posee 2 bobinados

realizados en el mismo sentido de giro, la bobina junto al varistor evitara que los
transitorios lleguen a la parte principal de la fuente, ya sea esta realizada con un
transformador y una fuente del tipo switching.

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En el caso de que la fuente sea realizada con un transformador tambin se los
puede ver en el secundario del mismo, como lo demuestra el esquema:

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El diodo PIN
El diodo PIN es un diodo de unin p-n al que se le ha insertado una tercera
zona semiconductora sin dopado (intrnseca) entre la zona p y la zona n,
mostrada en la figura 10. Es pues un diodo p-i-n y de ah su nombre. Gracias a
esa zona i, este diodo tiene una baja capacidad por lo que se aplica en altas
frecuencias. Cuando se polariza directamente la inyeccin de portadores
minoritarios aumenta la conductividad de la zona intrnseca y cuando se le
aplica tensin inversa la zona intrnseca se vaca totalmente de portadores y el
campo elctrico a travs de dicha regin permanece constante. Esto permite
que el diodo PIN soporte altas tensiones inversas. Sus aplicaciones son en
potencia y alta tensin y tambin en radiofrecuencia como modulador o
conmutador.

FIG. 10

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CIRCUITO EQUIVALENTE ELCTRICO

En la figura 11 se muestra el diagrama elctrico simplificado utilizado para el modelado
del diodo. Las fuentes controladas de corriente calculan la componente de huecos a
partir de (2), los diodos genricos calculan las corrientes de electrones a partir de (3),
se incorpora al modelo el clculo de la dinmica de cargas en la regin N-, QB a travs
de (5).

FIG. 11. EQUIVALENTE ELCTRICO SIMPLIFICADO

PARA SIMULACIN DE DIODO PI N

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http://www.uv.es/~esanchis/cef/pdf/Temas/A_T1.pdf
http://www.tme.eu/es/details/1n5817/diodos-schottky-tht/dc-components/
http://www.ebah.com.br/content/ABAAAfYEAAI/diodos
http://www.juntadeandalucia.es/averroes/centrostic/29009909/helvia/aula/archivos/_56/el_diodo_varicap.pdf
http://slideplayer.es/slide/1817301/

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