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La diode de puissance

Rappel :

Equations des semi-conducteurs

Dans une structure unidimensionnelle, les densités de courant des électrons et

des trous sont données par les équations de dérives-diffusions à la position x

J

n

J

p

=

=

q

m

q

m

n

p

nE

pE

+

-

n

qD n x

qD

p

p x

La conservation du nombre de charges mobiles (trous ou électrons libres) contenues

dans le volume élémentaire du semi-conducteur est régie par les équations de continuités

suivantes établies sous une forme locale.

-

q

n

q

dt

+

divJ

p

dt

+

divJ

p

n

-

+

q( G

q( G

-

-

R )

R )

=

0

=

0

p et n sont les concentrations des électrons et des trous respectivement, G et R sont

les taux de génération et de recombinaison respectivement.

En négligeant les recombinaisons Auger nous avons

G

-

R

=

U

=

 

2

 

pn

-

n

i

t

p

n

+t

n

p

+t

0

n

i

La diode de puissance

Avec

t

n

,

t

p les durées de vie des électrons et des trous respectivement et t 0 la

constante de temps qui définit le courant de génération dans la zone de charge d'espace (ZCE).

Evidemment

Poisson suivante

les

équations

précédentes

divE =

q(

-

N

A

+

N

D

+

p

-

n)

 

e

s

doivent

être

complétées

par

l’équation

de

N A et N D sont les concentrations respectives des accepteurs et des donneurs.

La diode de puissance

La diode de puissance

La jonction PN

N A

-----

   

+++++

N D

-----

E

i

+++++

 

-----

+++++

 
-----

-----

   
   

+++++

p

-----

   

+++++

n

anode cathode
anode
cathode
E i -x p x n x -E m N A x p =N D
E
i
-x p
x
n x
-E m
N A x p =N D x n
Potentiel x
Potentiel
x

La diode de puissance

r : densité de charge

ZCE: Zone de Charge d’Espace (ou zone désertée)

En dehors de la ZCE

r =

p

-

n

-

N

r =

p

-

n

+

N

A

D

= 0

= 0

(dans la couche p)

(dans la couche n)

Dans la ZCE la neutralité électrique n’est pas réspectée ( r 0 )

Hauteur

thermodynamique)

de

la

barrière

V

D0

=

V( x

n

J

p

=

J

n

=

0

,

E

i = -

de

potentiel

)

-

V(

-

x

p

grad(V )

)

+

de

la

ZCE

jonction abrupte

V

D0

=

U T

kT

=

q

U

T

Log(

N

A

N

D

2

n i

)

=

U

T

Log(

tension thermodynamique

N

A

)

p n0

l’équilibre

La diode de puissance

NA ~ 10

ND ~ 10

19 atomes/cm3

14

¸ Ô

˝

atomes/cm3 Ô

˛

ææÆ

V

D0

~ 0.7V

tenue en tension importante ææÆ dopage faible + epaisseur importante

Diode de puissance

ææÆ

structure PIN

 

- +++

   

P+

- +++

N

-

N+

 

N

A

- +++

 

N

D

dopage 10 19 10 19 P+ 10 14 N -
dopage
10 19
10 19
P+
10 14
N -

x

- +++ N - N+   N A - +++   N D dopage 10 19

La diode de puissance

Aspect technologique

Deux principaux processus de fabrication de la diode de puissance

technologie toute diffusée

substrat de départ homogène, faiblement dopé (10 à 100W cm)

de départ homogène, faiblement dopé (10 à 100 W cm) 70um à 700um N - diffusion

70um à 700um

homogène, faiblement dopé (10 à 100 W cm) 70um à 700um N - diffusion sur chaque

N -

diffusion sur chaque face

P+

N

-

N+

700um N - diffusion sur chaque face P+ N - N+ P+ N+ dopage P+ N

P+

N - diffusion sur chaque face P+ N - N+ P+ N+ dopage P+ N -
N - diffusion sur chaque face P+ N - N+ P+ N+ dopage P+ N -
N - diffusion sur chaque face P+ N - N+ P+ N+ dopage P+ N -

N+

dopage P+ N - x 30um à 150um 30um à 500um 10um à 50um
dopage
P+
N -
x
30um à 150um
30um à 500um
10um à
50um

La zone N - est d’épaisseur importante et difficile à controler

La diode de puissance

technologie épi-diffusée

substrat de départ fortement dopé (N + )

N+

On fait croître une couche épitaxiée faiblement dopée, faible épaisseur et bien controlée

N -

2 à 20 Ohm.cm

N+

Diffusion ou implantation de P + pour former l’anode

N+

N

-

P+

de P + pour former l’anode N+ N - P+ P+ dopage N+ N - P+

P+ de P + pour former l’anode N+ N - P+ dopage N+ N - P+ 400um

de P + pour former l’anode N+ N - P+ P+ dopage N+ N - P+
dopage N+ N - P+ 400um à 500um 5um à 50um 5um à 20um
dopage
N+
N
- P+
400um à 500um
5um à 50um
5um à
20um

La diode de puissance

Caractéristique directe

E i - +++ - +++ P+ N - N+ - +++ E e V
E
i
-
+++
- +++
P+
N -
N+
- +++
E e
V F
E
à l’équilibre
à l’équilibre

En direct

I F

Champ électrique diminue on favorise le phénomène de diffusion

rapport au phénomène de conduction.

I F

A
A

B

V F

‡ on favorise le phénomène de diffusion rapport au phénomène de conduction. I F A B

part

La diode de puissance

La tension aux bornes de la ZCE

H.Faible.I

V D = V(x n ) – V(-x p )

V F = V D0 – V D

Nouveau équilibre

V

D

=

U

T

= U

Log(

N A

p n

)

T

Log(

N

D

n p

)

p n et n p concentrations des minoritaires aux deux limites de la ZCE

p

n

N

p

n

D

n

p

=

=

=

p

n

n0

p0

n

p

N

A

exp(

exp(

V

F

U

T

V

F

U

T

)

)

=

n

2

i

exp(

V

F

U

T

)

La diode de puissance

pn > n 2 si V F >0 i pn < n 2 si V
pn
>
n
2 si V F >0
i
pn < n
2 si V F <0
i
ZCE
P+
N +
p n
n p
N -
x

Dans la zone P

n

1

-

t

q

divJ

n

-

U

=

0

il y a surtout de la diffusion des minoritaires de parts et d’autres de la ZCE

U

=

n

-

n

p0

t

n

divJ

n

=

qD

n

2

n

x

2

La diode de puissance

Dans la zone n

avec

t >>>

J

s =

q[

H. Forte. I.

D

n

n

J

T

p0

W

p

=

p

1

+

t

q

J

n

+

J

p

divJ

p

-

U

=

J [exp(

s

=

0

V

F

U

T

)

-

1]

+

D

p

p

n0

W

n

] le courant de saturation

0 V F U T ) - 1] + D p p n0 W n ]

W p

F U T ) - 1] + D p p n0 W n ] le courant

P

n p n p0
n p
n p0
W n N p n p n0
W n
N
p n
p n0

Zone neutre en forte injection ou zone de plasma n ª p

La diode de puissance

N C P A ZCE n 1 p 1 P+ Zone de Plasma p 3
N C
P A
ZCE
n 1
p 1
P+
Zone de Plasma
p
3
p 2
n
2
p 4
N -
n p0
p n0
x
a
b
chute de tension DV n DV j1 DV B DV j 2 DV p p
chute
de tension
DV
n
DV j1
DV
B
DV j 2
DV
p
p
2
D Vj 1
=
U
Log(
)
T

D

D

D

V

j2

V

p

V

n

p

n0

=

U

T

Log(

n

2

N

D

=

=

U

T

U

T

Log(

Log(

P

A

p

1

)

N

C

n 1

)

)

La diode de puissance

DV

B

= -

b

Ú

a

Edx

dans la zone de plasma

E =

 

J

T

 

-

m

n

-

m

p

)

U

 

1

P( x,t )

q(

m

n

+

m

p

)P( x,t )

(

m

n

+

DV

B

m

p

)

= R

D

I

T

F

P( x,t )

+U

D

x

 
     
 
     
 
 

dû à la présence d’un courant

 

dû à la variation du dopage entre a et b

 

1

b

dx

R

=

D

 

qA(

m

n

+

m

p

)

Ú

a

P( x,t )

 

U

D

=

m

m

n

n

-

+

m

m

p

p

U

T

Log

P(a,t )

P(b,t )

 

Si P(x)

Si P(x) R D   faible chute de tension puis chute de

R D

Si P(x) R D   faible chute de tension puis chute de
 

faible chute de tension puis chute deSi P(x) R D  

 

,

 

tension peu sensible aux surcharges

La diode de puissance

Zone de Plasma

La diode de puissance Zone de Plasma avantage principal : faible chute de tension Charge strockée.

avantage principal : faible chute de tension

Charge strockée.

Q

p

( t )

équation ambipolaire

Mais à quel prix?

=

b

qA [ P( x,t )

Ú

a

P

t

( x,t )

=

D

-

p

n0

]dx

2 P

x

2

( x,t ) -

(minoritaires)

P( x,t )

t

D =

t = t

dQ

p

dt

= -

2 m

n

m

p

m

n

+

m

p

n

+ t

p

U

T coefficient de diffusion ambipolaire

durée de vie ambipolaire

Q

p

t

+ I

N

p

I

N

p

=

I

p

( x

=

a )

La diode de puissance

t paramètre important

La diode de puissance t paramètre important compromis entre chute de tension faible et temps de

compromis entre chute de tension faible et temps

de commutation faible

Fonctionnement en inverse

E i - ++ - ++++ - ++++ - ++ P+ N - N+ -
E
i
- ++
-
++++
- ++++
-
++
P+
N -
N+
- ++++
-
++
E
V R

E

- ++++ - ++++ - ++ P+ N - N+ - ++++ - ++ E V
- ++++ - ++++ - ++ P+ N - N+ - ++++ - ++ E V
- ++++ - ++++ - ++ P+ N - N+ - ++++ - ++ E V

à l’équilibre

En inverse

ZCE s ’élargie

Le terme de dérive est favorisé part rapport au terme de diffusion

La diode de puissance

V R p N = n N = n 2 exp( - ) n D
V
R
p
N
=
n
N
=
n
2 exp(
-
)
n
D
p
A
i
U
T
n
2
i
pn << n
U = -
i
t 0
V
R
=
J
[exp(
-
)
-
1]
J R
S
U
T
J
ææÆ-J
R
S
Tenue en tension
Jonction PN
W
n
-
P+
E
N
VR
E W -E max
E
W
-E max

La diode de puissance

Claquage

*Par avalanche

E max >

E crit

E crit = 4000N A 1/8 V/cm

V BR =5.34 10 13 N D

dans le Si

-3/4

*Par percement

V

BR

W = W n

=

q

2 e

s

N

D

2

W

n

La diode de puissance

Jonction PIN

Structure Punch-through

W b W H - P+ E N N+ VR
W b
W H
-
P+
E
N
N+
VR
E W -E max
E
W
-E max

Claquage par avalanche

V

PT

=

E max > E crit

V

BR

(

W

b

W

m

)( 2 -

W

b

W

m

)

La diode de puissance

W m : étendue maximale quand E max =E crit

(Jonction PN)

W m

=

2V e BR s qN D
2V
e
BR
s
qN
D
P A P+ p a N D N - x -x p x n W
P A
P+
p a
N D
N -
x
-x p
x n
W b
Zone désertée
Zone Ohmique
DV potentiel n DV B DV j1 DV p P A D = U Log(
DV
potentiel
n
DV
B
DV j1
DV
p
P
A
D
=
U
Log(
)
V p
T
p
a

La diode de puissance

D

V

n

DV

R

DV

J

=

U

T

Log(

= R

D

I

F

= -

xn

Ú

Edx

- xp

N

C

N

D

)

R

D

=

W

b

-

x

n

qAN

D

m

n

Si la concentration est uniforme

divE =

divE =

q

e

s

q

e

s

N

D 0 < x < x n

N

A -x p < x < 0

Charge électrostatique

jonction en inverse courant de trous très faible

-

Q

I

e

F =

dQ

e

dt

=

qA

x

n

Ú

0

N

D

( x )dx

La diode de puissance

Multiplication par avalanche

Jonction en inverse champ important dans la ZCE

Création

de

paires

réseau cristallin.

è

électrons-trous

due

e +
e +

aux

chocs

è è

réseau cristallin. è électrons-trous due e + aux chocs è è des électrons avec le Ce

è

des

électrons

avec

le

Ce phénomène peut être caractérisé par un facteur de multiplication M

Approximation

V j ææÆ V BR

M

=

1

1

-

(

V j

V BR

)

n

M ææÆ ,

3 < n < 6

I F aussi

La diode de puissance

Courant de génération

I gen

=

qAn W

i

j

t

0

I D V BR V -J s
I D
V BR
V
-J s

La commutation de la diode de puissance

Phase de blocage

Conducteur bloqué

K

l I F0 V F V R I F
l
I
F0
V F
V R
I
F

l: inductance de cablage

La diode de puissance

À t=0 on férme l’interrupteur K

I F I F0 dI F / dt t IRM t t 2 t 4
I F
I F0
dI
F / dt
t IRM
t
t 2
t 4
t 0
t 1
Q r
dI
R / dt
t b
t rr
V F
t 3
-V R
V RM

t 0 <t< t 1

t 1 <t< t 2

diode conductrice V F = V F0

dI F /dt =V R /l

la diode ne se bloque pas

il faut évacuer la charge stockée

La diode de puissance

la charge Q r est évacuée

à

t=t 2

dI F /dt =0

V F = -V R

t 2 < t < t 4

le

comportement

dI R /dt est défini par la diode

de

la

diode

est

déterminé

par

l’interaction

entre

la

zone de plasma, la ZCE et le circuit exterieur.

t>t 3

la diode se comporte comme une capacité non linéaire.

Interprétation physique

dopage t=t 0 t 1 t 2 t3 t 4 x Champ électrique x
dopage
t=t 0
t 1
t 2
t3
t 4
x
Champ électrique
x

La diode de puissance

Si l et V R varient

I F

V R
V R
La diode de puissance Si l et V R varient I F V R ou l

ouLa diode de puissance Si l et V R varient I F V R l t

l

La diode de puissance Si l et V R varient I F V R ou l

t

La diode de puissance Si l et V R varient I F V R ou l
La diode de puissance Si l et V R varient I F V R ou l

Si le courant direct varie

I F1

I F0 t
I
F0
t

Types de diodes PIN

I F

Snap off t Soft
Snap off
t
Soft

La diode de puissance

Paramètres importants I RM et t IRM Q r dépend de et de dI F
Paramètres importants
I RM et
t IRM
Q r dépend de
et de
dI F /dt
I F0
Q r
I F1
I F2 <I F1
I F3
dI F /dt
I RM ?
t IRM ?
V R , l connus
2
1
I
RM
Q
souvent donée par le fabricant
r =
2 dI
F / dt
= 2Q ( dI / dt ) I RM r F t = 2Q /(
=
2Q ( dI
/ dt )
I RM
r
F
t
=
2Q
/( dI
/ dt )
IRM
r
F

La diode de puissance

Enérgie à évacuer (au blocage)

W

off

=

t

4

Ú

t

1

V

F

I

F

dt

approximation

I F

t b t IRM V R V RM
t b
t IRM
V
R
V
RM

Soit

W

off

 

t

b

=

(

dI

R

/ dt )

t

IRM

 

(

dI

F

/ dt )

RM

Q

r

S

= V

RM

V

S =

=

Q

S

1

+

S

Nb:

C =

V RM

V

R

coefficient de progressivité

La diode de puissance

Phase d’amorçage

I F0 dI F /dt V FP V F0 t 0 t 1 t fr
I
F0
dI F /dt
V FP
V
F0
t 0
t 1
t fr
d’amorçage I F0 dI F /dt V FP V F0 t 0 t 1 t fr

(dI F /dt)

chute de tension importante dissipation plus importante

V FP 20V BYT 30PI400 dI F /dt
V FP
20V
BYT 30PI400
dI F /dt

400A/µs

La diode de puissance

Interprétation physique

dopage n p t=t fr t=t 1 t=t 0
dopage
n
p
t=t fr
t=t 1
t=t 0

Compromis technologiques

*Chute de tension à l’état passant

*Rapidité

*tenue en tension

V F (t , W b , N D )

t rr (t ,N D ,W b ,A)

V BR (N D , W b )

La diode de puissance

 

N

D

t

W

b

V

 

Peu

 

Peu

 

F

sensible

sensible

sensible

 

Peu

 

Peu

t rr

sensible

sensible

sensible

     

Sensible

V BR

sensible

x

(jonction PN)

Diodes Schottky

Contact Métal-Semiconducteur

A

N

-

N +

K

Métal

A K
A
K

La diode de puissance

E + + qV bi + + + E c E F E v
E
+ +
qV bi
+
+
+
E
c
E
F
E v
La diode de puissance E + + qV bi + + + E c E F

équilibre

thermodynamique

E + + E c q(V bi -V F ) E F En direct E
E
+
+
E c
q(V bi -V F )
E F
En direct
E v
E + q(V bi +V R ) + + + + + + + qV
E
+
q(V bi +V R )
+
+
+
+ + +
+
qV R
E c
E F

E

v

En inverse E + + E c q(V bi -V F ) E F En direct E v

La diode de puissance

Le courant est régie par les majoritaires

pas de charges stockées

 

diode rapide

 

chute

de

tension

faible

(mais

avec

une

tenue

en

tension

inverse

ne

dépassant pas les 100V)

 

capacité parasite importante