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I.
corriente,
diodo,
INTRODUCCION
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Analizando la curva del diodo zener se ve que conforme se
va aumentando negativamente el voltaje aplicado al diodo, la
corriente que pasa por el aumenta muy poco. Pero una vez que
se llega a un determinado voltaje, llamada voltaje o tensin de
Zener (Vz), el aumento del voltaje (siempre negativamente) es
muy pequeo, pudiendo considerarse constante. Para este
voltaje, la corriente que atraviesa el diodo zener, puede variar
en un gran rango de valores. A esta regin se le llama la zona
operativa.
Su principal aplicacin es como regulador de tensin; es
decir, como circuito que mantiene la tensin de salida casi
constante, independientemente de las variaciones que se
presenten en la lnea de entrada o del consumo de corriente de
las cargas conectadas en la salida del circuito.
Algunas referencias comerciales del diodo tipo zener son:
TL431T Zener ajustable de 3 a 36Vlts. TL431CLP
TO-92
TL431DZener ajustable de 3 a 36Vlts. TL431CP
DIP-8
DZ241 SMD 24V 1W
DZ3.31 SMD 3.3 V 1W
DZ331 SMD 33 V 1W
DZ391 SMD 39 V 1W
E. Diodo de potencia
Son diseados para especficamente para manejar las
demandas de alta potencia y alta temperatura de ciertas
aplicaciones. El uso ms frecuente de los diodos de potencia
se presenta en aplicaciones de rectificadores.
La mayora de los diodos de potencia se construyen
mediante silicio debido a sus niveles de corriente, temperatura
y PIV ms altos. Las altas demandas de corriente requieren
que el rea de unin sea ms grande, para asegurar que exista
una baja resistencia directa del diodo. Si las resistencia directa
en el diodo fuese muy altas las perdidas por I 2 R serian
muy altas la capacidad de la corriente de los diodos de
potencia puede incrementarse mediante la colocacin de dos o
ms diodos en paralelo, y el valor PIV puede incrementar al
agruparse los diodos en serie.
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III. REFERENCIAS
[1]. R. L. Boylestad y L. Nashelsky, Electrnica:
Teora de Circuitos y Dispositivos Elctricos, New
York, Pearson 2003 p. 897
[2]. C. J. Savant, Diseo electrnico, New York
Prendice Hall 2000 p. 49
[3]. A. S. Sedra y K. C. Smith, Circuitos
Microelectrnicos, Oxford 2002 p. 215.