FACULDADE ANHANGUERA DE

SO JOS DOS CAMPOS

QUALIDADE NO PROJETO
Gerenciamento da qualidade do projeto com aplicao
de softwares de simulao eletrnica para aumento da
qualidade em projetos eletrnicos.

CURSO DE BACHARELADO EM
ENGENHARIA ELTRICA
RESUMO

Nome: Carlos Henrique Maciel

RA: 00000000
Curso: Engenharia Eltrica
Srie: 7 E

Pedro Henrique Vilas Boas

RA: 00000000
Curso: Engenharia Eltrica
Srie: 8 E

O desafio desta ATPS consiste em projetar e construir um filtro

ativo passa-baixas capaz de eliminar o rudo de alta frequncia
do sinal proveniente de um sensor de temperatura em uma
caldeira, reduzindo a potncia do rudo e, consequentemente,
melhorando a qualidade do sinal.
Palavras-Chave: filtro, ativo, rudo, potncia, sinal.

ABSTRACT
The challenge of this ATPS is to design and build a low-pass
active filter able to eliminate the high frequency noise signal
from a temperature sensor in a boiler, reducing the noise power
and hence improving the signal quality.
Keywords: filter, active, noise, power, signal.

Professor orientador:
Renato Cezar Agricco Jnior
Anhanguera Educacional
renatocajr@aedu.com

2 ATPS: desenvolvimento de circuitos eletrnicos de potncia

1. ETAPA 1
Inserir o texto inicial da etapa, com esta fonte.
PASSO 1
Inserir o texto ao qual de refere o passo, com esta fonte. Exemplo: Contatar
uma empresa da cidade ou regio para agendamento de uma visita mesma
pelo grupo. Durante a visita o grupo deve observar cada atividade desenvolvida
na empresa tanto no setor de produo quanto no setor administrativo, desde a
primeira etapa para a fabricao do produto (ou servio) at a entrega desse
produto (ou prestao desse servio) para o cliente.
Os transistores bipolares utilizados no trabalho foram inicialmente idealizados
no fim da dcada de 40 (em 23 de dezembro de 1947), no Bell Laboratories,
por trs cientistas: Dr. William Schockley (na Figura 01, sentado), Dr. John
Bardeen ( esquerda) e Dr. Walter H. Brattain ( direita).

Figura 01: Co-inventores do transistor bipolar de juno

PASSO 2
Inserir o texto ao qual de refere o passo, com esta fonte.
Os transistores bipolares utilizados no trabalho foram inicialmente idealizados
no fim da dcada de 40 (em 23 de dezembro de 1947), no Bell Laboratories,
por trs cientistas: Dr. William Schockley (na Figura 01, sentado), Dr. John
Bardeen ( esquerda) e Dr. Walter H. Brattain ( direita).

ATPS: Desenvolvimento de circuitos eletrnicos de potncia Bacharelado em Engenharia Eltrica Turma 8 EES

3 ATPS: desenvolvimento de circuitos eletrnicos de potncia

Figura 02: Aspecto fsico do primeiro transistor, produzido pela Bell Telephone Laboratories

PASSO 3
Inserir o texto ao qual de refere o passo, com esta fonte.
Os transistores bipolares utilizados no trabalho foram inicialmente idealizados
no fim da dcada de 40 (em 23 de dezembro de 1947), no Bell Laboratories,
por trs cientistas: Dr. William Schockley (na Figura 01, sentado), Dr. John
Bardeen ( esquerda) e Dr. Walter H. Brattain ( direita).

Figura 03: Estrutura fsica e polarizao de um transistor NPN

PASSO 4
Inserir o texto ao qual de refere o passo, com esta fonte.
Os transistores bipolares utilizados no trabalho foram inicialmente idealizados
no fim da dcada de 40 (em 23 de dezembro de 1947), no Bell Laboratories,
por trs cientistas: Dr. William Schockley (na Figura 01, sentado), Dr. John
Bardeen ( esquerda) e Dr. Walter H. Brattain ( direita).
A simulao de um circuito eletrnico deve ser etapa anterior ao de sua
montagem fsica. Por esse motivo, no plausvel que se desenvolva um
circuito ou sistema eletrnico sem que realize sua simulao prvia, pelos
seguintes motivos, entre outros:

Qualidade no Projeto Ps-Graduao em Engenharia da Qualidade Integrada Turma 2011/2012.

4 ATPS: desenvolvimento de circuitos eletrnicos de potncia

a.
Fcil mudana de componentes na estrutura do circuito
eletrnico;
a.
Eliminao de perdas materiais de dispositivos eltricos ou
eletrnicos e at mesmo do circuito eletrnico como um todo;
b.
Simulao de parmetros como largura de banda, corrente
mxima fornecida, mxima potncia fornecida, etc;
c.
Simulao do circuito atravs de passos ou de maneira
contnua, ferramenta til para o conhecimento da funcionalidade ou do
no-funcionalidade do circuito a ser projetado.

2. ETAPA 2
Inserir o texto inicial da etapa, com esta fonte.
PASSO 1
Inserir o texto ao qual de refere o passo, com esta fonte. Exemplo: Contatar
uma empresa da cidade ou regio para agendamento de uma visita mesma
pelo grupo. Durante a visita o grupo deve observar cada atividade desenvolvida
na empresa tanto no setor de produo quanto no setor administrativo, desde a
primeira etapa para a fabricao do produto (ou servio) at a entrega desse
produto (ou prestao desse servio) para o cliente.
Os transistores bipolares utilizados no trabalho foram inicialmente idealizados
no fim da dcada de 40 (em 23 de dezembro de 1947), no Bell Laboratories,
por trs cientistas: Dr. William Schockley (na Figura 01, sentado), Dr. John
Bardeen ( esquerda) e Dr. Walter H. Brattain ( direita).

Figura 01: Co-inventores do transistor bipolar de juno

PASSO 2
Inserir o texto ao qual de refere o passo, com esta fonte.

ATPS: Desenvolvimento de circuitos eletrnicos de potncia Bacharelado em Engenharia Eltrica Turma 8 EES

5 ATPS: desenvolvimento de circuitos eletrnicos de potncia

Os transistores bipolares utilizados no trabalho foram inicialmente idealizados

no fim da dcada de 40 (em 23 de dezembro de 1947), no Bell Laboratories,
por trs cientistas: Dr. William Schockley (na Figura 01, sentado), Dr. John
Bardeen ( esquerda) e Dr. Walter H. Brattain ( direita).

Figura 02: Aspecto fsico do primeiro transistor, produzido pela Bell Telephone Laboratories

PASSO 3
Inserir o texto ao qual de refere o passo, com esta fonte.
Os transistores bipolares utilizados no trabalho foram inicialmente idealizados
no fim da dcada de 40 (em 23 de dezembro de 1947), no Bell Laboratories,
por trs cientistas: Dr. William Schockley (na Figura 01, sentado), Dr. John
Bardeen ( esquerda) e Dr. Walter H. Brattain ( direita).

Figura 03: Estrutura fsica e polarizao de um transistor NPN

PASSO 4
Inserir o texto ao qual de refere o passo, com esta fonte.
Os transistores bipolares utilizados no trabalho foram inicialmente idealizados
no fim da dcada de 40 (em 23 de dezembro de 1947), no Bell Laboratories,
por trs cientistas: Dr. William Schockley (na Figura 01, sentado), Dr. John
Bardeen ( esquerda) e Dr. Walter H. Brattain ( direita).

Qualidade no Projeto Ps-Graduao em Engenharia da Qualidade Integrada Turma 2011/2012.

6 ATPS: desenvolvimento de circuitos eletrnicos de potncia

A simulao de um circuito eletrnico deve ser etapa anterior ao de sua

montagem fsica. Por esse motivo, no plausvel que se desenvolva um
circuito ou sistema eletrnico sem que realize sua simulao prvia, pelos
seguintes motivos, entre outros:
a.
Fcil mudana de componentes na estrutura do circuito
eletrnico;
b.
Eliminao de perdas materiais de dispositivos eltricos ou
eletrnicos e at mesmo do circuito eletrnico como um todo;
c.
Simulao de parmetros como largura de banda, corrente
mxima fornecida, mxima potncia fornecida, etc;
d.
Simulao do circuito atravs de passos ou de maneira
contnua, ferramenta til para o conhecimento da funcionalidade ou do
no-funcionalidade do circuito a ser projetado.

3. ETAPA 3
Inserir o texto inicial da etapa, com esta fonte.
PASSO 1
Inserir o texto ao qual de refere o passo, com esta fonte. Exemplo: Contatar
uma empresa da cidade ou regio para agendamento de uma visita mesma
pelo grupo. Durante a visita o grupo deve observar cada atividade desenvolvida
na empresa tanto no setor de produo quanto no setor administrativo, desde a
primeira etapa para a fabricao do produto (ou servio) at a entrega desse
produto (ou prestao desse servio) para o cliente.
Os transistores bipolares utilizados no trabalho foram inicialmente idealizados
no fim da dcada de 40 (em 23 de dezembro de 1947), no Bell Laboratories,
por trs cientistas: Dr. William Schockley (na Figura 01, sentado), Dr. John
Bardeen ( esquerda) e Dr. Walter H. Brattain ( direita).

ATPS: Desenvolvimento de circuitos eletrnicos de potncia Bacharelado em Engenharia Eltrica Turma 8 EES

7 ATPS: desenvolvimento de circuitos eletrnicos de potncia

Figura 01: Co-inventores do transistor bipolar de juno

PASSO 2
Inserir o texto ao qual de refere o passo, com esta fonte.
Os transistores bipolares utilizados no trabalho foram inicialmente idealizados
no fim da dcada de 40 (em 23 de dezembro de 1947), no Bell Laboratories,
por trs cientistas: Dr. William Schockley (na Figura 01, sentado), Dr. John
Bardeen ( esquerda) e Dr. Walter H. Brattain ( direita).

Figura 02: Aspecto fsico do primeiro transistor, produzido pela Bell Telephone Laboratories

PASSO 3
Inserir o texto ao qual de refere o passo, com esta fonte.
Os transistores bipolares utilizados no trabalho foram inicialmente idealizados
no fim da dcada de 40 (em 23 de dezembro de 1947), no Bell Laboratories,
por trs cientistas: Dr. William Schockley (na Figura 01, sentado), Dr. John
Bardeen ( esquerda) e Dr. Walter H. Brattain ( direita).

Qualidade no Projeto Ps-Graduao em Engenharia da Qualidade Integrada Turma 2011/2012.

8 ATPS: desenvolvimento de circuitos eletrnicos de potncia

Figura 03: Estrutura fsica e polarizao de um transistor NPN

PASSO 4
Inserir o texto ao qual de refere o passo, com esta fonte.
Os transistores bipolares utilizados no trabalho foram inicialmente idealizados
no fim da dcada de 40 (em 23 de dezembro de 1947), no Bell Laboratories,
por trs cientistas: Dr. William Schockley (na Figura 01, sentado), Dr. John
Bardeen ( esquerda) e Dr. Walter H. Brattain ( direita).
A simulao de um circuito eletrnico deve ser etapa anterior ao de sua
montagem fsica. Por esse motivo, no plausvel que se desenvolva um
circuito ou sistema eletrnico sem que realize sua simulao prvia, pelos
seguintes motivos, entre outros:
a.
Fcil mudana de componentes na estrutura do circuito
eletrnico;
b.
Eliminao de perdas materiais de dispositivos eltricos ou
eletrnicos e at mesmo do circuito eletrnico como um todo;
c.
Simulao de parmetros como largura de banda, corrente
mxima fornecida, mxima potncia fornecida, etc;
d.
Simulao do circuito atravs de passos ou de maneira
contnua, ferramenta til para o conhecimento da funcionalidade ou do
no-funcionalidade do circuito a ser projetado.

4. ETAPA 4
Inserir o texto inicial da etapa, com esta fonte.
PASSO 1
Inserir o texto ao qual de refere o passo, com esta fonte. Exemplo: Contatar
uma empresa da cidade ou regio para agendamento de uma visita mesma
pelo grupo. Durante a visita o grupo deve observar cada atividade desenvolvida

ATPS: Desenvolvimento de circuitos eletrnicos de potncia Bacharelado em Engenharia Eltrica Turma 8 EES

9 ATPS: desenvolvimento de circuitos eletrnicos de potncia

na empresa tanto no setor de produo quanto no setor administrativo, desde a

primeira etapa para a fabricao do produto (ou servio) at a entrega desse
produto (ou prestao desse servio) para o cliente.
Os transistores bipolares utilizados no trabalho foram inicialmente idealizados
no fim da dcada de 40 (em 23 de dezembro de 1947), no Bell Laboratories,
por trs cientistas: Dr. William Schockley (na Figura 01, sentado), Dr. John
Bardeen ( esquerda) e Dr. Walter H. Brattain ( direita).

Figura 01: Co-inventores do transistor bipolar de juno

PASSO 2
Inserir o texto ao qual de refere o passo, com esta fonte.
Os transistores bipolares utilizados no trabalho foram inicialmente idealizados
no fim da dcada de 40 (em 23 de dezembro de 1947), no Bell Laboratories,
por trs cientistas: Dr. William Schockley (na Figura 01, sentado), Dr. John
Bardeen ( esquerda) e Dr. Walter H. Brattain ( direita).

Figura 02: Aspecto fsico do primeiro transistor, produzido pela Bell Telephone Laboratories

PASSO 3
Inserir o texto ao qual de refere o passo, com esta fonte.
Os transistores bipolares utilizados no trabalho foram inicialmente idealizados
no fim da dcada de 40 (em 23 de dezembro de 1947), no Bell Laboratories,
Qualidade no Projeto Ps-Graduao em Engenharia da Qualidade Integrada Turma 2011/2012.

10 ATPS: desenvolvimento de circuitos eletrnicos de potncia

por trs cientistas: Dr. William Schockley (na Figura 01, sentado), Dr. John
Bardeen ( esquerda) e Dr. Walter H. Brattain ( direita).

Figura 03: Estrutura fsica e polarizao de um transistor NPN

PASSO 4
Inserir o texto ao qual de refere o passo, com esta fonte.
Os transistores bipolares utilizados no trabalho foram inicialmente idealizados
no fim da dcada de 40 (em 23 de dezembro de 1947), no Bell Laboratories,
por trs cientistas: Dr. William Schockley (na Figura 01, sentado), Dr. John
Bardeen ( esquerda) e Dr. Walter H. Brattain ( direita).
A simulao de um circuito eletrnico deve ser etapa anterior ao de sua
montagem fsica. Por esse motivo, no plausvel que se desenvolva um
circuito ou sistema eletrnico sem que realize sua simulao prvia, pelos
seguintes motivos, entre outros:
b.
Fcil mudana de componentes na estrutura do circuito
eletrnico;
c.
Eliminao de perdas materiais de dispositivos eltricos ou
eletrnicos e at mesmo do circuito eletrnico como um todo;
d.
Simulao de parmetros como largura de banda, corrente
mxima fornecida, mxima potncia fornecida, etc;
e.
Simulao do circuito atravs de passos ou de maneira
contnua, ferramenta til para o conhecimento da funcionalidade ou do
no-funcionalidade do circuito a ser projetado.

REFERNCIAS
Padro NBR 6023 e NBR 10520.

ATPS: Desenvolvimento de circuitos eletrnicos de potncia Bacharelado em Engenharia Eltrica Turma 8 EES