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DEL et PHOTODIODES

PROPRIETES OPTIQUES DES


SEMI-CONDUCTEURS
Absorption de photons
Coefficient dabsorption
Valeurs usuelles

PHOTODIODES A JONCTIONS

Principe de la photodtection
Sensibilit, seuil de rponse
Temps de rponse
Structure PIN optimise
Photodiode avalanche PDA

LA DEL

Emission spontane
Principe de fonctionnement
Efficacit quantique externe
Spectre dmission

ABSORPTION INTERBANDES

GENERATION OPTIQUE DE PAIRES ELECTRON/TROU

CHOC ELECTRON - PHOTON


Conservation de lnergie

Electrons

h = E2 E1

Niveaux dnergie
vides dlectrons

E2

EC
w = h = E2 E1

photon
incident

lectron libre

E1

trou libre

Eg

EV

Niveaux dnergie
remplis dlectrons

EFFET DE SEUIL
s ( m) =

h Eg

Conservation de la quantit de
mouvement

h 2
p= =
= hk pk
2

Photon :

Electron :

Diagramme dnergie dun semi-conducteur


intrinsque lquilibre

1, 24
Eg (eV )

ke = h ( k2 k1 )

k2 k1 = k ph

GAP DIRECT ET GAP INDIRECT


Electron

Electron

Bande de
conduction

Bande de
conduction

ke

k ph

ke

Bande de
valence

Matriaux gap direct

Semi-conducteurs composs III-V


GaAs, InP, GaN et drivs.
Semi-conducteurs composs II-VI
Forte probabilit de transition

k ph

Bande de
valence

Matriaux gap indirect


Semi-conducteurs simples Si, Ge
Ncessite la participation dun (ou
plusieurs) phonon
Faible probabilit de transition

ABSORPTION OPTIQUE
Le nombre de photons diminue

P(x)

Puissance optique labscisse x

N
P0
0

P( x) = N ( x)h

matriau
absorbant

x + dx

Diminution du nombre de
photons entre x et x+ dx

dN = N dx
Dcroissance exponentielle

P(x)

N ( x) = N 0 exp ( x )

P0

P( x) = P0 exp ( x )

Profondeur de pntration

P0
e

x
1/
Dcroissance exponentielle de la puissance
optique dans un milieu absorbant

distance

COEFFICIENT DABSORPTION OPTIQUE DE QUELQUES


MATERIAUX SEMI-CONDUCTEURS
Largeur de bande interdite (eV)

Longueur donde (m)

DEL et PHOTODIODES

PROPRIETES OPTIQUES DES


SEMI-CONDUCTEURS
Absorption de photons
Coefficient dabsorption
Valeurs usuelles

PHOTODIODES A JONCTIONS

Principe de la photodtection
Sensibilit, seuil de rponse
Temps de rponse
Structure PIN optimise
Photodiode avalanche PDA

LA DEL

Emission spontane
Principe de fonctionnement
Efficacit quantique externe
Spectre dmission

CARACTERISTIQUES DUNE PHOTODIODE

1. SENSIBILITE SPECTRALE
Domaine dutilisation : ultraviolet, visible, infra-rouge
Dfini par la largeur de bande interdite du semiconducteur
2. TEMPS DE REPONSE
Trs court pour conversion optolectronique de signaux
rapides
1. DETECTIVITE
Aptitude dtecter des signaux de faible puissance
dpend du bruit de photo-gnration et de lenvironnement.

Jonction PN lquilibre

r
Eint erne

Rgion P neutre
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+

+++ +
+++ +
+++ +
+++ +
+++ +
+++ +
+++ +
+++ +
+++ +
+++ +

+ +
+ +
+ +
+ +
+ +
+ +
+ +
+ +
+ +
+ +

+
+
+
+
+
+
+
+
+
+

Accepteurs ioniss
fixes dans le rseau
charge q

+
+
+
+
+
+
+
+
+
+

++
++
++
++
++
++
++
++
++
++

Rgion N neutre
- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -

Zone dserte
par suite des
RECOMBINAISONS
des porteurs libres
(lectrons et trous)

Donneurs ioniss
fixes dans le rseau
charge + q

PRINCIPE DE PHOTODETECTION
Polarisation inverse
Efficacit quantique apparente

zone dserte w

VCC

a =
h

Pi

+r -

N C paires collectes
N ph photon s in cidents

I ph

NC =

N ph =

Rflexions
face avant

P(x)

P0 = Pi (1 R )

a =

x
0

d+w

Absorption des photons dans le matriau

I ph
q

Pi Pi
=
h hc
I ph hc
Pi q

Sensibilit spectrale S
I ph
S=
unit A / W
Pi

S = a

q
hc

CARACTERISTIQUE I V
+VC

Pi

obscurit

I ph
RC

VB

iD

I ph = SPi

AVALANCHE ELECTRONIQUE

clairement P
croissant
V

I0

PHOTODIODE A AVALANCHE

M=

IM
I0

POLARISATION DIRECTE
MODE PHOTOVOLTAIQUE

IM

M fonction de V

M=

MODE
PDA

1
1 (V VB )

POLARISATION INVERSE
MODE PHOTOCONDUCTEUR

REPONSE A UNE IMPULSION OPTIQUE


Diffusion et transit des porteurs
Po pt ( t )

I ph (t )

Lente devant la drive sous champ E


dans la zone dserte
viter labsorption de photons

t
Rponse lente :
diffusion des
porteurs

+ -

r
E

Diffusion des lectrons dans la


couche frontale :

dans cette rgion.

Temps de transit
Les porteurs sont collects en
limite de la zone dserte
Le temps de rponse est
proportionnel au temps mis pour
parcourir toute la distance w

TEMPS DE TRANSIT travers la zone dserte

Vitesse de drive des porteurs


sous champ E (zone dserte)
Dpend derla valeur du champ
lectrique E
Pour E > Elim = 2 104 V/cm

vsat

105 m / s

temps de transit :
proportionnel w
Minimum si v = vsat
r r
Il faut E > Elim

LA STRUCTURE PN EST TRES MAL ADAPTEE

PHOTODIODE PIN
Photons

VC

Couche anti-reflets
limine les pertes par rflexion
Champ lectrique

paisseur d faible
(rduit labsorption)
paisseur wi
par construction

p+

- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -couche intrinsque
r r
ou faiblement dope N
E>E
im

I
+++++++++++++++++++++++++++++++
Le champ lectrique
est quasi-constant dans
la zone dserte

N
x

Champ lectrique : E
vsat = 105 m/s

VC
(Ex : wi = 1 m, E > 2.104 V/cm; VC > 2 V
wi
w

=
= 10 ps / m
Temps de transit : t
vsat

TEMPS DE REPONSE
Effet capacitif
+VC

P = P0 + P cos (t )

Capacit de transition :
Condensateur plan, A est laire
de la jonction

I ph

Ct =

RC

0 r A
wi

Frquence de coupure 3 dB

FC =

i ph ( )

Ct

RC

u = Zi

1
2 RC Ct

Application :

A = r 2 ; r = 25 m; A = 1,96 109 m 2

r = 11; RC = 50 ; wi = 1 m
Schma quivalent petit signal

C = 0, 2 pF

FC

16 GHz

PHOTODIODE PIN A HETEROJONCTION


Photons

VC
EG1

Couche anti-reflet

p+

- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - --

EG2

r r
E > Eim

Couche grand gap EG1 :


transparente pour h < EG1
Couche petit gap EG2
absorbante pour h > EG2

+++++++++++++++++++++++++++++++

EG1

Grand gap EG1

Bandes dnergie

Absorption optique uniquement dans la couche petit gap


Suppression des pertes dans la couche frontale
Suppression de la composante lente de courant de diffusion

PIN A HETEROJONCTION
POUR TRANSMISSIONS A 1,55 m

Couch InP type P


Couche dabsorption
petit gap : GaInAs.
EG2 = 0,75 eV
s = 1,65 m
Couches N grand gap
transparentes en InP
EG1 = 1,35 eV
s = 0,92 m

Contact suprieur
Technologie Msa :
Structure en relief obtenue
par gravure chimique

n
n+

Contact infrieur
rsine
epoxy
Fibre optique dclairage
(Illumination par larrire)

Utilisable dans le domaine 0,92 m < < 1,65 m

STRUCTURE GUIDE DONDE


faible absorption optique
Rduire le temps de transit

S 0

Diminuer wi
Augmentation de la capacit

Rduire la capacit

P+

Diminuer laire de la jonction

Grand gap indice n2 < n1

wi < 0,5 m
Grand gap

Photodiode illumination
par la tranche

GUIDE DONDE RECTANGULAIRE Aire de la jonction : 2 m x 200 m

PHOTODIODE A AVALANCHE

Structure de base de la diode PIN, utilise dans la zone


davalanche
Temps de rponse comparable celui de la PIN
Bnficie dun gain interne au dtriment du rapport Signal
Bruit
Adapte aux tlcommunications optiques lorsque le rapport
S/B est limit par le bruit damplification.

AVALANCHE ELECTRONIQUE (ionisation par impact)

Si

Si
1er e- libr

e- initial
Si

Ionisation par impact si lnergie cintique de

2d e- libr

Si

e- initial

llectron est suprieure EG

Multiplication des porteurs dans la zone


dserte augmentation du courant

Ee

ecin > EG
C

Le champ E dans la zone dserte croit en


fonction de la tension V :
Si : 3.105 V/cm Ecrit 106 V/cm

B
lectron

type P

Avalanche pour E > Ecrit

rtrou
E

qVR

type N

EF
zone dserte
O

FACTEUR DE MULTIPLICATION

1
1 (V VB )

Facteur M

M=

n=3

0,9

1
0,95
Tension applique (V/VB)

Variation du facteur de multiplication en


fonction de la tension dans le cas du Si

PROPRIETES DE QUELQUES DETECTEURS INFRAROUGE

Fentre

Premire

Deuxime et troisime

Matriau

Si

Ge

GaInAs

HgCdTe

llim (m)

1,0

1,6

1,7

1,7 2,2

Smax (A/W)

0,6

0,7

0,8

0,9

iD (nA)

15

500

15

10

En avalanche:
VB (V)

100 200

25

100
160

100

gain max M

100

10

20

30

exposant *

0,5

0,7

0,5

*Le facteur dexcs de bruit est donn par : F ( M )

DEL et PHOTODIODES

PROPRIETES OPTIQUES DES


SEMI-CONDUCTEURS
Absorption de photons
Coefficient dabsorption
Valeurs usuelles

PHOTODIODES A JONCTIONS

Principe de la photodtection
Sensibilit, seuil de rponse
Temps de rponse
Structure PIN optimise
Photodiode avalanche PDA

LA DEL

Emission spontane
Principe de fonctionnement
Efficacit quantique externe
Spectre dmission

EMISSION SPONTANEE DE PHOTONS


DANS UN SEMI-CONDUCTEUR A GAP DIRECT
Semi-conducteur hors dquilibre
Ex : zone de transition dune jonction
PN en polarisation directe.

Electrons

Niveaux dnergie
lectronique occups
densit n

TAUX DE RECOMBINAISONS R =
E2

EC

h = E2 E1

Niveaux dnergie
vides dlectrons
ou TROUS densit p

E1

n est la dure de vie


Unit s-1 m-3

Eg

EV

TAUX DEMISSION SPONTANEE


n
Rsp = i

i efficacit quantique interne

Semi-conducteurs gap direct


i est voisin de lunit
Recombinaisons RADIATIVES
Diagramme dnergie dun semi-conducteur
hors dquilibre

Semi-conducteurs gap indirect


NON RADIATIF (i = 0)

PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT
Diffusionrecombinaison

Diagramme de bandes dnergie :


injection de porteurs
en polarisation directe

EF

- - ---

N+
lectrons
-- -- - -- -- -- -- -- - - - - - - - -

qV
+ + +

+ +
+ + +

+
trous

Recombinaisons radiatives
lectrons/trous et mission
spontane de photons.
Rabsorption
Transmission
AIR
ZDR : zone de
diffusion
recombinaison

P
photons
EC EV
+

Diffusionrecombinaison

lectrons

Trous
+
-

Transmission R-absorZDR
F = 1,3 %
ption dlectrons

EF

+
-

ZDR des
trous

N+

EFFICACITE QUANTIQUE EXTERNE : F


1 < c Transmission
T = 1 R

DEFINITION
Nombre de photons transmis
n0 < ns
F=
Nombre de photons produits
HYPOTHESES DE CALCUL
1 > c Rflexion
Emission isotrope (4 stradians)
totale
R-absorption ngligeable
semiconducteur
ns
c petit
Milieu externe

+
-

CONE DE SORTIE
Demi angle au sommet c
n
sin c = 0
ns
Angle solide (c peit)

C =

S
d2

c2

1n
F = C (1 R ) = 0 (1 R )
4
4 ns

EXEMPLE NUMERIQUE : ns = 3,6; n0 = 1


c = 16 degrs
F = 1,3 %

EXEMPLE DE REALISATION
n0
np

1,5

rsine
poxy

Electrodes

0, 035

Dispositifs daffichage :
Amlioration de lefficacit quantique
par encapsulation dans un dme en
plastique

PROPRIETES DU RAYONNEMENT
Gap direct
AlN

Nitrures

Energie (eV)

Gap indirect
MgS

Les II-VI

ZnS

MgSe

GaN
3

SiC

AlP
GaP

InN

ZnSe
AlAs

GaAs
InP

CdSe

Saphir
3

Paramtre de maille ()

LONGUEUR DONDE DEMISSION SPONTANEE

Electrons
niveaux dnergie
occups
par les lectrons

Limite basse
nergie du
spectre :
h = EG
niveaux dnergie
occups
par les trous

E2

EG

Emissions

plus haute
nergie

E1

SPECTRE LARGE 5 THz


EMISSION INCOHERENTE

SPECTRES DEMISSION SPONTANEE

longueur donde (m)