UNIVERSIDADE FEDERAL DE SO CARLOS

CENTRO DE CINCIAS EXATAS E DE TECNOLOGIA

PROGRAMA DE PS-GRADUAO EM FSICA

MODELAGEM, SIMULAO E OTIMIZAO DE

TRANSFORMADORES PIEZOELTRICOS DE MODO RADIAL PARA
APLICAES EM CONVERSO DE POTNCIA

Marcelo H. M. Barros

So Carlos
2008

MODELAGEM, SIMULAO E OTIMIZAO DE

TRANSFORMADORES PIEZOELTRICOS DE MODO RADIAL PARA
APLICAES EM CONVERSO DE POTNCIA

UNIVERSIDADE FEDERAL DE SO CARLOS

CENTRO DE CINCIAS EXATAS E DE TECNOLOGIA
PROGRAMA DE PS-GRADUAO EM FSICA

MODELAGEM, SIMULAO E OTIMIZAO DE

TRANSFORMADORES PIEZOELTRICOS DE MODO RADIAL PARA
APLICAES EM CONVERSO DE POTNCIA

Marcelo H. M. Barros

Dissertao apresentada ao Programa de Ps-Graduao em Fsica

da Universidade Federal de So Carlos como parte dos requisitos
para obteno do Ttulo de Mestre em Fsica
Orientador: Prof. Dr. Fernando Manuel Arajo-Moreira

Ficha catalogrfica elaborada pelo DePT da

Biblioteca Comunitria da UFSCar

B277ms

Barros, Marcelo Henrique Martins de.

Modelagem, simulao e otimizao de transformadores
piezoeltricos de modo radial para aplicaes em converso
de potncia / Marcelo Henrique Martins de Barros. -- So
Carlos : UFSCar, 2009.
94 f.
Dissertao (Mestrado) -- Universidade Federal de So
Carlos, 2008.
1. Eletricidade e eletrnicos. 2. Transformadores eltricos.
3. Converso de potncia. 4. Cermicas ferroeltricas. I.
Ttulo.
CDD: 537 (20a)

--~~

Marcelo Henrique Martins de Barros

Dissertaode Mestradosubmetida
Coordenao do Programa de
Ps-Graduao em Fsica, da
Universidade Federal de So
Carlos,como requisitoparcialpara
a obtenodo ttulo de.Mestre em
Fsica.

Aprovado em: 26 de Novembrode 2008

BANCAEXAMINADORA
.1

Proj Dr. Jos Roberto Boifino de Almeida Monteiro

Universidadede So Paulo EESC

AGRADECIMENTOS

Agradeo ao meu orientador, Prof. Fernando, por sempre acreditar em mim e

pela confiana incondicional;

A ATCP do Brasil e ao Henrique Alves, pela construo dos prottipos e pelas

discusses;

Ao Gilberto A. Grossi, pela elaborao dos desenhos;

A minha famlia, Aline e Pedro Henrique, por terem me provido suporte e

inspirao sem limites.

RESUMO
Este trabalho visa a aperfeioar a modelagem, analisar, simular e otimizar os parmetros de
transformadores piezoeltricos de modo radial, construdos com cermicas ferroeltricas de

Pb(Zr,Ti)O3 polarizadas, para aplicaes em converso de potncia, alm de caracteriz-los

fisicamente.
A principal motivao reside na grande similaridade do modelo eltrico do transformador
piezoeltrico em relao ao circuito-tanque LC mais transformador magntico comumente empregado
em conversores AC/DC e DC/DC. Tal similaridade poderia viabilizar a aplicao do mesmo em
converso de potncia com boa eficincia energtica e com reduo de volume, peso, complexidade,
custo e emisso eletromagntica, quando comparado aos conversores baseados em dispositivos
magnticos, que hoje dominam quase todas as aplicaes.
A converso de potncia realizada de forma cada vez mais racional e com baixas perdas de energia
sem dvida uma das grandes preocupaes da nossa poca, pelos grandes impactos econmicos,
tecnolgicos e ambientais que acarreta.
Um transformador piezoeltrico um dispositivo que combina um atuador piezoeltrico no lado
primrio com um transdutor piezoeltrico no lado secundrio. Ambos podem trabalhar com modos de
vibrao transversais ou longitudinais. Estes atuadores e transdutores so feitos de elementos
piezoeltricos, sendo por sua vez compostos de placas (eletrodos) e de materiais cermicos
ferroeltricos polarizados. semelhana dos transformadores magnticos, os transformadores
piezoeltricos so dispositivos de transmisso de energia eltrica, porm realizada via acoplamento
eletromecnico entre o atuador e o transdutor. Eles podem ser utilizados na funo de isoladores,
redutores ou elevadores da tenso aplicada no primrio.
Baseado nas equaes piezoeltricas e nas equaes de onda, o circuito equivalente eltrico de um
transformador piezoeltrico de modo radial foi obtido e posteriormente melhorado, a partir de uma
abordagem mais completa, incluindo efeitos que normalmente so desprezados. Realizou-se uma
anlise de desempenho atravs de simulao computacional e exploraram-se os limites para a
transferncia de potncia impostos por consideraes trmicas e eletromecnicas. Posteriormente foi
traado um esquema de otimizao do transformador piezoeltrico de modo radial, a fim de
maximizar a eficincia e adequ-lo a aplicaes de converso de potncia; tambm atravs de
simulao computacional.
Desde que o circuito equivalente eltrico de um transformador piezoeltrico idntico ao circuitotanque LC comumente usado em converso de potncia em modo chaveado ressonante de alta
frequncia, ele poder substituir o transformador magntico, o indutor e o capacitor do circuitotanque; possivelmente aumentar a eficincia energtica e certamente reduzir o nmero de dispositivos,
o volume, o custo e a emisso eletromagntica de uma aplicao em converso de potncia.

ABSTRACT
This work seeks to improve the modeling, analysis and the optimization of the parameters of
piezoelectric transformer (PT) built with polarized Pb(Zr,Ti)O3 electro-ceramics for applications in
power conversion, as well as to characterize them. The main motivation resides in the great similarity
of the electric model of the PT in relation to the LC resonant tanks plus magnetic transformer
commonly employees in AC/DC and DC/DC power converters. Such similarity could make possible
its application in power conversion, with good energy efficiency, as well as reduction of volume,
weight, complexity, cost and electromagnetic emission, when compared to the converters based on
magnetic devices, that today dominate almost all the applications.
The power conversion accomplished in way more and more rational and with low losses of energy it
is, without a doubt, one of the great concern of our time, for the expressive economic and
environment impacts.
A PT is a electric device that combines an piezoelectric driver on the primary side with a piezoelectric
receiver on the secondary side. Both can work with transverse or longitudinal vibration modes. These
drivers and receivers are made of piezoelectric elements, being for its time composed of metal plates
(electrodes) and of polarized electro-ceramics. To the likeness of the magnetic transformers,
piezoelectric transformers are transmission devices of electric energy, even so accomplished through
eletro-mechanic coupling between the driver and the receiver. They can be used in the function of
insulators, reducers or elevators of the applied voltage on the primary side.
Based on the piezoelectric and wave equations, the electric equivalent circuit of a piezoelectric
transformer in radial-mode vibration was obtained and later on improved, starting from a more
complete approach, including effects that are usually despised. A performance analysis was
accomplished through computer simulation and it was explored the limits for the power rate transfer
for thermal and electromechanics considerations. Later on an outline of optimization of the
piezoelectric transformer in a radial-mode was traced, in order to maximize the efficiency and of
adapting it to applications of power conversion; also through computer simulation.
Since the electric equivalent circuit of a piezoelectric transformer is commonly identical to the LC
resonant tanks used in power conversion in high frequency switch-mode resonant scheme, the PT can
substitute the magnetic transformer, the indutor and the capacitor of the resonant tanks, as well as to
increase the energy efficiency and to reduce significantly the number of devices, the volume, the cost
and the electromagnetic emission of an application in power conversion.

SUMRIO
CAPTULO 1 INTRODUO ......................................................................................................... 12
1.1 Motivao ................................................................................................................................ 12
1.2 Histrico .................................................................................................................................. 13
1.3 O circuito equivalente eltrico ................................................................................................ 14
1.4 Os materiais piezoeltricos monocristais e cermicas ferroeltricas ................................... 15
1.5 Aplicao dos transformadores piezoeltricos ........................................................................ 16
1.6 Sumrio da seo .................................................................................................................... 17
CAPTULO 2 OBTENDO O CIRCUITO EQUIVALENTE ELTRICO DO TRANSFORMADOR
PIEZOELTRICO DE MODO RADIAL ........................................................................................... 18
2.1 Circuito equivalente eltrico para um elemento piezoeltrico................................................. 18
2.1.1 Elemento piezoeltrico em modo longitudinal................................................................. 19
2.1.2 Elemento piezoeltrico em modo transversal................................................................... 19
2.1.3 As analogias mecano-eltricas ......................................................................................... 20
2.2 Circuito equivalente eltrico para um transformador piezoeltrico......................................... 21
2.2.1 O transformador piezoeltrico de Rosen abordagem simplificada................................ 22
2.2.2 O transformador piezoeltrico de modo de espessura abordagem simplificada............ 23
2.2.3 O transformador piezoeltrico de modo radial................................................................. 24
2.3 Sumrio da seo .................................................................................................................... 30
CAPTULO 3 ANLISE E SIMULAO DO TRANSFORMADOR PIEZOELTRICO DE
MODO RADIAL A PARTIR DO CIRCUITO EQUIVALENTE ELTRICO ................................... 31
3.1 Carga R L otimizada para uma dada frequncia FS ................................................................. 31
3.2 A frequncia de ressonncia f R para uma dada carga R L ..................................................... 33
3.3 A eficincia em funo da frequncia FS e da carga R L ....................................................... 33
3.4 Aplicando as definies e anlise 3D ...................................................................................... 35
3.5 Sumrio da seo .................................................................................................................... 37
CAPTULO 4 CIRCUITO EQUIVALENTE ELTRICO APRIMORADO COM A INCLUSO
DAS PERDAS DIELTRICAS ........................................................................................................... 38
4.1 O modelo para as perdas dieltricas ........................................................................................ 38
4.2 A eficincia em funo da frequncia FS e da carga R L para o modelo incluindo as
perdas dieltricas .............................................................................................................................. 40
4.3 Anlise 3D incluindo-se as perdas dieltricas ......................................................................... 41
4.4 Sumrio da seo .................................................................................................................... 43

CAPTULO 5 OS FATORES QUE LIMITAM A TRANSFERNCIA DE POTNCIA MODELAGEM TRMICA E OS LIMITES ELETROMECNICOS................................................ 44
5.1 Modelagem trmica ................................................................................................................. 44
5.2 Anlise trmica 3D .................................................................................................................. 50
5.3 Os limites eletromecnicos para a transferncia de potncia .................................................. 51
5.4 Sumrio da seo .................................................................................................................... 55
CAPTULO 6 CARACTERIZAO DO TRANSFORMADOR PIEZOELTRICO .................... 56
6.1 Medida do circuito equivalente eltrico do transformador piezoeltrico usando o
analisador de impedncias HP4194A ............................................................................................... 56
6.2 Medida do circuito equivalente eltrico do transformador piezoeltrico usando um
analisador de udio e um capacmetro de baixas frequncias .......................................................... 58
6.2.1 O preparo do arranjo experimental e medidas.................................................................. 58
6.3 - Sumrio da seo...................................................................................................................... 61
CAPTULO 7 A OTIMIZAO DO TRANSFORMADOR PIEZOELTRICO DE MODO
RADIAL ............................................................................................................................................... 62
7.1 Os parmetros do circuito equivalente eltrico em alta potncia parmetros degradados 62
7.2 Otimizao em funo do raio e da frequncia de chaveamento............................................. 66
7.3 Sumrio da seo .................................................................................................................... 71
CAPTULO 8 RESULTADOS EXPERIMENTAIS ......................................................................... 73
8.1 Construo do dispositivo prottipo e caracterizao ............................................................. 73
8.2 Anlise a partir da caracterizao fsica .................................................................................. 77
8.3 Procedimento experimental ..................................................................................................... 78
8.4 Resultados e comparativos ...................................................................................................... 79
8.5 Sumrio da seo .................................................................................................................... 82
CAPTULO 9 CONCLUSES FINAIS E TRABALHOS FUTUROS ............................................ 83
REFERNCIAS.................................................................................................................................... 86
APNDICE A Programa para Maple de clculo dos parmetros do circuito equivalente eltrico
de transformadores piezoeltricos de modo radial................................................................................ 88
APNDICE B Programa para Maple de anlise 3D de transformadores piezoeltricos de modo
radial com o modelo que no inclui as perdas dieltricas .................................................................... 89
APNDICE C Programa para Maple de anlise 3D de transformadores piezoeltricos de modo
radial com o modelo que inclui as perdas dieltricas ........................................................................... 90

APNDICE D Programa para Maple de anlise 3D da temperatura de operao de

transformadores piezoeltricos de modo radial .................................................................................... 91
APNDICE E Programa para Maple de otimizao da frequncia de operao SMPS de
transformadores piezoeltricos de modo radial .................................................................................... 91
APNDICE F Programa para Maple de otimizao iterativa de transformadores piezoeltricos de
modo radial para aplicaes em converso de potncia ....................................................................... 92
APNDICE G Programa para Maple para caracterizao de transformadores piezoeltricos ......... 94

ATRIBUIO DAS CONSTANTES E VARIVEIS E GLOSSRIO DE TERMOS

TCNICOS
A : rea;

AV : mdulo do ganho de tenso;

C : capacitncia eltrica;
Cm : compliance mecnica equivalente, anloga a uma capacitncia eltrica;
D : deslocamento eltrico;

D _ sobrescrito : a deslocamento eltrico constante;

d : constante piezoeltrica;
E : campo eltrico;
E _ sobrescrito : a campo eltrico constante;
E m : fora mecnica equivalente, anloga a um campo eltrico;
F : fora mecnica;
FS : frequncia linear de chaveamento/excitao;

f R : frequncia linear de ressonncia;

f A : frequncia linear de anti-ressonncia;
I : corrente eltrica;
i : parte imaginria de um nmero complexo, i = 1 ;
L : indutncia eltrica;
Lm : massa mecnica equivalente, anloga a uma indutncia eltrica;
: comprimento;

N : relao de espiras;
P : potncia;

PD : potncia dissipada;
Qm : fator de qualidade mecnico;
R : resistncia eltrica;
Rm : resistncia mecnica equivalente, anloga a uma resistncia eltrica;
R : resistncia trmica;

RL : resistncia eltrica da carga;

r : raio;

10

S : strain;
S _ sobrescrito : a strain constante;
s E : compliance mecnica a campo eltrico constante;
Q : fluxo trmico;
q : fluxo de energia trmica;
T : stress;
T _ sobrescrito : a stress constante;
t : espessura (ou tambm tempo, mas apenas no Captulo 5);
tan : perdas dieltricas;

u : deslocamento;
V : tenso eltrica;
V0 , V1 , Vn : potenciais eltricos;
W : trabalho/energia;

w : largura;
Z : impedncia;

: fator de fora mecnica equivalente, anlogo a uma relao de espiras;

T : permissividade eltrica a stress constante;

0 : permissividade eltrica do espao livre;
: temperatura;

: eficincia;
: densidade;

: velocidade;
S : frequncia angular de chaveamento/excitao;

R : frequncia angular de ressonncia;

A : frequncia angular de anti-ressonncia;
: condutividade trmica;

: razo de Poisson;
E : condutividade eltrica;
DC:

ciclo de trabalho (duty cycle) de uma forma de onda peridica e quadrada;

PT: piezoelectric transformer, ou transformador piezoeltrico;

SMPS: switching-mode power supply, ou fonte de alimentao de modo chaveado;
Conversor AC/DC e DC/DC: fontes de alimentao com entradas AC ou DC e sadas DC.

11

CAPTULO 1 INTRODUO
1.1 Motivao
O incessante aumento da densidade dos equipamentos eletrnicos demanda tambm por
aumento da densidade de potncia das fontes de alimentao (conversores AC/DC e DC/DC)
e indiretamente dos dispositivos que as compem, bem como incrementos em eficincia a fim
de reduzir o consumo de energia eltrica, aumentar a durabilidade das baterias e gerar menos
calor. Em aplicaes portteis modernas, como em laptops, palmtops, celulares, etc;
indispensvel o uso dos gerenciadores de energia, onde provavelmente sero utilizados
transformadores; na funo de elevadores, abaixadores e isoladores de tenso.
Transformadores magnticos apresentam srias restries e dificuldades em aplicaes de
alta tenso e/ou pequenas dimenses e tambm pouca praticidade de manufatura. Por outro
lado, em aplicaes de maior potncia, os conversores baseados em transformadores
magnticos so quase sempre volumosos, pesados e caros [4,10,11].
Os transformadores piezoeltricos representam uma relativamente nova e vlida alternativa
aos transformadores magnticos, com vrias vantagens [6,13], entre as quais se destacam:

So construdos a partir de simples fragmentos de material cermico ferroeltrico,

requerendo processos industriais simples, diretos e baratos;

Possuem um inerente baixo perfil, possibilitando maior compactao. Alm disso, em

pequenas dimenses eles no necessitam de alteraes na sua concepo;

So construdos basicamente com materiais isolantes (cermicas) tornando

praticamente impossvel o rompimento da isolao, com ganhos substanciais na
segurana. Uma isolao de mais de 5kV comum e facilmente obtida;

No apresentam risco de incndio, o que sempre poder acontecer em um

transformador magntico, em caso de falha;

As suas propriedades eltricas podem simplificar substancialmente a eletrnica dos

conversores, trazendo a sempre desejada reduo de custo e volume [4,10,11];

So invariavelmente mais leves do que seus anlogos magnticos;

A emisso eletromagntica do conversor se torna quase nula, dada a total ausncia ou

drstica diminuio no nmero de componentes magnticos presentes na aplicao.

12

1.2 Histrico
O transformador piezoeltrico a combinao mecnica de um atuador piezoeltrico (ou

driver, em alguns textos) e de um transdutor piezoeltrico (em alguns textos, receiver). So

dispositivos de transmisso de energia e no contm nenhum elemento magntico. Essa
funo realizada via acoplamento eletromecnico (acstico) entre o atuador e o transdutor.

Figura 1 Elementos piezoeltricos. A esquerda um elemento piezoeltrico de modo

longitudinal e a direita um elemento piezoeltrico de modo transversal (nessas figuras o
vetor P a polarizao, ao contrrio do restante do texto, onde o escalar P ser usado como
potncia)
Os transformadores piezoeltricos podem ser basicamente de trs tipos, a saber:

O transformador de Rosen: inventado por C.A. Rosen nos anos 1950, ele a combinao
de um atuador (primrio) em modo transversal com um transdutor (secundrio) em modo
longitudinal.

Figura 2 O transformador piezoeltrico de Rosen

Devido ao seu inerente alto ganho de tenso, o transformador de Rosen algumas vezes
chamado de transformador piezoeltrico de alta tenso. Pode ser empregado onde se
necessite de uma alta tenso de sada em baixas potncias, como por exemplo, em painis
LCD (cristal lquido).

O transformador de modo de espessura: desenvolvido pela NEC japonesa nos anos 1990, o
transformador de modo de espessura a combinao de um atuador em modo longitudinal
(primrio) com um transdutor tambm em modo longitudinal (secundrio) conhecido
13

tambm por transformador piezoeltrico de baixa tenso, devido ao seu inerente baixo ganho
de tenso.

Figura 3 O transformador piezoeltrico de modo de espessura

As aplicaes possveis deste transformador incluem os conversores e adaptadores.

O transformador de modo radial: desenvolvido em 1998 pela FACE Electronics USA, ele
composto de um atuador em modo transversal (primrio) combinado a um transdutor
tambm em modo transversal (secundrio). Este trabalho ser devotado a este tipo de
transformador piezoeltrico.

Figura 4 O transformador piezoeltrico de modo radial

1.3 O circuito equivalente eltrico

Os trs tipos de transformadores descritos anteriormente possuem diferentes caractersticas
mecnicas e eltricas, mas de um modo geral eles podem ser representados por um mesmo
circuito equivalente eltrico, a saber:

C
1:N

C1

C2

Figura 5 Circuito equivalente eltrico simplificado, para um transformador piezoeltrico

genrico
14

Este circuito equivalente eltrico deriva da combinao dos circuitos equivalentes eltricos de
um atuador e de um transdutor piezoeltrico (estes so chamados elementos piezoeltricos).
Neste trabalho, o modelo utilizado para obter o circuito equivalente eltrico do transformador
piezoeltrico uma simplificao do modelo de Mason [1].

1.4 Os materiais piezoeltricos monocristais e cermicas ferroeltricas

Os elementos piezoeltricos (atuadores e transdutores) tanto podem ser realizados com
cristais piezoeltricos (quartzo, por ex.) como com cermicas ferroeltricas polarizadas. Os
cristais trazem consigo as vantagens dos altos fatores de qualidade mecnicos e uma alta
estabilidade trmica. Suportam altas temperaturas de trabalho sem sofrer danos ou
despolarizaes, pois o seu estado polarizado estvel. Porm agregam srias desvantagens,
como baixos fatores de acoplamento mecnico, dificuldade de manufatura e alto custo.
As cermicas ferroeltricas polarizadas possuem vrias vantagens importantes: podem ser
preparadas em uma grande variedade de composies e geometrias e possuem altos fatores de
acoplamento eletromecnico. Alm disso so obtidas atravs de processos industriais muito
mais simples e baratos, se comparado aos cristais. As desvantagens residem em seu estado
polarizado meta-estvel elas envelhecem com o tempo ou devido a altos campos aplicados.
Ademais, possuem baixa estabilidade trmica, ou seja, seu estado polarizado ainda pode ser
comprometido por temperaturas muito altas.

Figura 6 Esquema representativo das partes principais que compe um corpo cermico
No obstante essas desvantagens, os elementos que compem os transformadores
piezoeltricos so geralmente realizados com cermicas ferroeltricas polarizadas de
Pb(Zr,Ti)O3 (PZT) do tipo duro (tipicamente PZT-4, PZT-5 e PZT-8 [6]) devido
principalmente aos seus altos fatores de acoplamento e relativo alto fator de qualidade
mecnico, alm do baixo custo. Diferentemente dos monocristais, os materiais cermicos,
tambm conhecidos como materiais policristalinos, apresentam um grande nmero de
monocristais ordenados de maneira aleatria, ento no se espera encontrar uma ordem

15

preferencial de simetria que caracterize o material, por essa razo tais materiais, ao contrrio
dos cristais de quartzo, so isotrpicos. Em linhas gerais os materiais cermicos so
caracterizados por apresentarem trs divises diferenciadas, conforme a Figura 6.

Gro regio do corpo cermico que apresenta o comportamento mais prximo de

um monocristal. Em geral, para cermicas preparadas pelos mtodos convencionais de
sntese, os gros possuem tamanho mdio de 3m e so orientados de forma aleatria.
A forma geomtrica dos gros em um material cermico est fortemente relacionada
com a composio do material;

Contorno de gro regio que une dois ou mais gros em um corpo cermico,
geralmente apresenta composio qumica diferente do gro;

Poro so regies vazias dentro do corpo cermico, geralmente formadas nos

processos de sinterizao, so os responsveis pela baixa densidade relativa do corpo
cermico.

1.5 - Aplicao dos transformadores piezoeltricos

O circuito da Figura 5 representa, com razovel aproximao, o comportamento do
transformador piezoeltrico do ponto de vista eltrico (para um modo de vibrao o modo
principal). Este circuito notavelmente semelhante ao circuito-tanque LC srie acoplado ao
transformador magntico comum, presente nos conversores chaveados que operam em modo
ressonante. Nestas aplicaes esse circuito-tanque construdo com componentes discretos
separados, alm do prprio transformador. Na Figura 7 pode-se ver uma aplicao tpica
deste tipo de conversor, com o circuito-tanque LC e o transformador magntico destacados
[4,10,11]:
AC

Csnubb

Cout

1:N
+

Csnubb

|
Controle
|

RL

Figura 7 Conversor AC/DC (SMPS) chaveado ressonante tpico com o circuito-tanque LC

em destaque

16

Essa configurao largamente utilizada em converso de potncia por permitir baixas

perdas de comutao nos dispositivos ativos (comutao suave). Neste trabalho no ser
focado o sistema eletrnico e suas tcnicas, mas sim, a notvel semelhana entre essa
configurao eletrnica discreta, formada pelo circuito ressonante LC, com o circuito
equivalente eltrico de qualquer transformador piezoeltrico, como o mostrado na Figura 5.
Devido a essa grande similaridade, o transformador piezoeltrico, por meio de um trabalho
apropriado de modelagem, simulao e otimizao, poder vir a substituir todo o conjunto
formado pelo transformador magntico, capacitor e indutor tanque, preservando as vantagens
dessa configurao, mas substituindo peso, volume e emisso eletromagntica por um baixo
perfil, baixo peso, maior segurana eltrica, simplicidade de manufatura e simplicidade de
circuito.

1.6 Sumrio da seo

1. Em converso de potncia inevitvel o uso de transformadores e a partir de certas
potncias tambm so utilizados circuitos-tanque LC com indutores e capacitores discretos,
com o intuito de diminuir as perdas por chaveamento nos elementos ativos (MOSFETs,
IGBTs ou transistores bipolares);
2. Os transformadores magnticos apresentam vrias restries, como por exemplo a
complexidade de manufatura, o relativo grande peso e volume e a baixa segurana eltrica. A
grande similaridade do circuito equivalente eltrico de qualquer transformador piezoeltrico
com o circuito ressonante LC dos conversores chaveados ressonantes torna bastante atrativa a
sua aplicao em converso de potncia, em substituio aos transformadores magnticos e
seus circuitos-tanque associados;
3. Transformadores piezoeltricos so geralmente construdos com cermicas ferroeltricas
polarizadas, pois apesar de no possurem a estabilidade e longevidade dos monocristais,
proporcionam um bom desempenho eltrico, flexibilidade de construo e baixo custo;
4. Transformadores piezoeltricos possuem uma simplicidade estrutural sem paralelos, bom
desempenho eltrico e vantagens mecnicas incomparveis, como o seu inerente baixo perfil
e peso reduzido. Eles constituem uma alternativa bastante vlida em converso de potncia
em substituio aos tradicionais transformadores magnticos.

17

CAPTULO 2 OBTENDO O CIRCUITO EQUIVALENTE ELTRICO DO

TRANSFORMADOR PIEZOELTRICO DE MODO RADIAL
O circuito equivalente eltrico de vital importncia para a aplicao do dispositivo. Com ele
podem-se realizar, com grande preciso, anlises e simulaes e por meio destas proceder
com a sua otimizao e a do prprio circuito eletrnico que o incorpora, sempre focado na
aplicao.

2.1 Circuito equivalente eltrico para um elemento piezoeltrico

Na figura abaixo tem-se um elemento piezoeltrico formado por placas metlicas (eletrodos),
geralmente de nquel ou prata e por um material cermico ferroeltrico polarizado,
geralmente zirconato titanato de chumbo (Pb(Zr,Ti)O3), ou PZT.

Figura 7 Elemento piezoeltrico, com a orientao padro

Escrevendo-se as equaes piezoeltricas lineares para o atuador e o transdutor:

S = s E T + dE

(2.1)

atuador

D = dT + T E

(2.2)

transdutor

Devido orientao padro (campo eltrico na direo-z), E e D ficam:

0

D= 0
D
3

(2.3)

0

E = 0
E
3

(2.4)

18

2.1.1 Elemento piezoeltrico em modo longitudinal

Neste elemento, a polarizao da cermica est na mesma direo que o stress e o strain e
tambm na mesma direo do campo eltrico:

Figura 8 Elemento piezoeltrico em modo longitudinal

Os tensores stress e strain ficam:

0

T = 0
T
3

(2.5)

0

S = 0
S
3

(2.6)

Baseado em 2.3, 2.4, 2.5 e 2.6, as equaes 2.1 e 2.2 podem ser abertas e simplificadas em:

E
0 S11
E
0 = S12
S E
3 S
13

E
S12
E
S11
E
S13

E
S13
0 0 0 d 31 0
E 0 + 0 0 d 0
S13

31
T 0 0 d 33 E
E
3

3
S 33

T
0
0 0
0
0 0 11
0 0

T
0
0 0 + 0 22
0 0
0 = 0

D d
T E3
3 31 d 31 d 33 T3 0
0 33

(2.7)

atuador em modo longitudinal

(2.8)

transdutor em modo longitudinal

2.1.2 Elemento piezoeltrico em modo transversal

Figura 9 Elemento piezoeltrico em modo transversal

19

Neste elemento, os tensores stress e strain esto perpendiculares polarizao, bem como ao
campo aplicado. Assim, os tensores stress e strain agora ficam:

T1

T = 0
0

(2.9)

S1

S = 0
0

(2.10)

E as equaes 2.1 e 2.2 para esse caso ficam:

E
S1 S11
E
0 = S12
0 E
S
13

E
S12
E
S11
E
S13

E
S13
T1 0 0 d 31 0
E 0 + 0 0 d 0
S13

31
0 0 0 d 33 E
E
3
S 33

T
0
0 0
0
0 T1 11
0 0

T
0
0 0 + 0 22
0 0
0 = 0

D d
T E3
3 31 d 31 d 33 0 0
0 33

(2.11) atuador em modo transversal

(2.12) transdutor em modo transversal

2.1.3 As analogias mecano-eltricas

Uma abordagem de anlogos eltricos ser utilizada para obter o circuito equivalente eltrico
do elemento piezoeltrico. Essencialmente ela se baseia na seguinte equivalncia de
propriedades:

Lado mecnico Lado eltrico

massa = indutncia
compliance = capacitncia
resistncia mecnica = resistncia eltrica
fora = campo eltrico
fator de fora mecnica = relao de espiras

20

Baseado nas equaes de onda e nas equaes piezoeltricas o circuito equivalente eltrico
para um elemento piezoeltrico genrico pode ser obtido [1][3] conforme a Figura 10, onde:

V = tenso eltrica aplicada aos eletrodos;

Cdm = capacitncia entre as placas;
Rm = resistncia mecnica equivalente, anloga a uma resistncia eltrica;
Lm = massa mecnica equivalente, anloga a uma indutncia eltrica;
Cm = compliance mecnica equivalente, anloga a uma capacitncia eltrica;
Em = fora mecnica equivalente, anloga a um campo eltrico;

= fator de fora mecnica equivalente, anlogo a relao de espiras.

Figura 10 Elemento piezoeltrico e o seu circuito equivalente eltrico

2.2 Circuito equivalente eltrico para um transformador piezoeltrico

Desde que o transformador piezoeltrico uma combinao de um atuador piezoeltrico com
um transdutor piezoeltrico, o circuito equivalente eltrico de um transformador pode ser
obtido pela conexo, pelo lado mecnico, dos circuitos equivalentes eltricos para esses dois
elementos piezoeltricos separados.

21

Figura 12 Processo de obteno do circuito equivalente eltrico do transformador

piezoeltrico, a partir dos circuitos equivalentes de dois elementos piezoeltricos separados

2.2.1 O transformador piezoeltrico de Rosen abordagem simplificada

O transformador piezoeltrico de Rosen a combinao de um atuador em modo transversal
no primrio com um transdutor em modo longitudinal no secundrio. Quando se aplica uma
tenso alternada com frequncia prxima ao modo de vibrao planar (comprimento) no
atuador de modo transversal; este vibra e transmite energia via strain ao transdutor
piezoeltrico do lado secundrio, do tipo longitudinal, que por sua vez tem uma carga
induzida entre seus eletrodos, produzindo a tenso de sada. Para esse transformador
piezoeltrico se far uma anlise simplificada, somente para obter as dependncias de seus
parmetros com as dimenses.

Figura 13 O transformador piezoeltrico de Rosen

22

Usando 2.11 e 2.8, os parmetros R, L, C, N, C1 e C2 podem ser obtidos e verificados. Alm

da dependncia com os coeficientes mecnicos, eltricos e piezoeltricos, os parmetros do
circuito equivalente eltrico para o transformador de Rosen tambm dependem das
dimenses do mesmo, como mostrado a seguir:

C1

w
t

(2.13)

C2

w t

(2.14)

t
w

(2.15)

(2.16)

R
L

(2.17)

(2.18)

Examinando 2.18 percebe-se claramente o porqu deste transformador ser chamado de

transformador de alta tenso. Como geralmente a espessura muito menor do que o

comprimento, o parmetro N geralmente muito maior que a unidade.

2.2.2 O transformador piezoeltrico de modo de espessura abordagem simplificada

O transformador piezoeltrico de modo de espessura a combinao de um atuador em modo
longitudinal no primrio com um transdutor tambm em modo longitudinal no secundrio.
Quando se aplica uma tenso alternada com frequncia prxima ao modo de vibrao de
espessura no atuador este vibra e transmite energia via strain ao transdutor piezoeltrico do
lado secundrio, que por sua vez sente uma carga induzida entre seus eletrodos, produzindo a
tenso de sada. Novamente se far uma anlise simplificada, onde apenas as dependncias de
seus parmetros com as dimenses sero obtidas.

23

Figura 14 O transformador piezoeltrico de modo de espessura

Usando 2.7 e 2.8, os parmetros R, L, C, N, C1 e C2 podem ser obtidos e verificados.
Novamente, alm da dependncia com os coeficientes mecnicos, eltricos e piezoeltricos,
os parmetros do circuito equivalente eltrico tambm dependem das dimenses, como se
pode ver a seguir:

C1

w
t1

(2.19)

C2

w
t2

(2.20)

(2.21)

R t1w
L
C

( t1 + t2 )t12

w
( t1 +t 2 )w
2
1

t1
t2

(2.22)
(2.23)
(2.24)

2.2.3 O transformador piezoeltrico de modo radial

O transformador piezoeltrico de modo radial a combinao de um atuador em modo
transversal no primrio com um transdutor tambm em modo transversal no secundrio.
Quando se aplica uma tenso alternada com frequncia prxima ao modo de vibrao radial
no atuador, este vibra e transmite energia via strain ao transdutor piezoeltrico do lado
secundrio, que por sua vez sente uma carga induzida entre seus eletrodos, produzindo a
tenso de sada.

24

Figura 15 O transformador piezoeltrico de modo radial

Neste trabalho, a nfase ser dada a esse transformador piezoeltrico, comeando com a
obteno do circuito equivalente eltrico, baseado nas seguintes hipteses simplificadoras:

As perdas dieltricas tanto do atuador quanto do transdutor no sero consideradas;

No h perdas mecnicas nas interfaces entre os elementos piezoeltricos (eletrodocola-eletrodo);

O atuador e o transdutor so idnticos;

Outros modos de vibrao, como o modo de espessura e o shear no so considerados.

essa aproximao boa desde que a espessura seja muito menor que o dimetro;

No sero considerados os dispositivos de multi-camada (multi-layers).

Partindo-se das equaes piezoeltricas lineares 2.1 e 2.2:

S = s E T + dE

(atuador campo aplicado gera strain, que transmitido para o transdutor...)

D = dT + T E

(...transdutor stress gerado pelo strain do atuador resulta em deslocamento

eltrico).
Abrindo a 2.1 e a 2.2 e utilizando-se da simetria para simplific-las, obtm-se:

E
S1 S11
E
0 = S12
0 E
S
13

E
S12
E
S11
E
S13

E
S13
T1 0 0 d 31 0


E
S13 0 + 0 0 d 31 0
E 0 0 0 d 33 E3
S 33

T
0
0 0
0
0 T1 11
0 0

T
0
0 0 + 0 22
0 0
0 = 0

D d
T E3
3 31 d 31 d 33 0 0
0 33

(2.25 atuador em modo transversal)

(2.26 transdutor em modo transversal)

25

Porm, o modo de vibrao radial tem simetria cilndrica. As equaes de transformao das
2.25 e da 2.26 so:

Strain

S
1

S2 =
S
3

Stress

T1

T2 =
T
3

Campo eltrico

E1

E2 =
E
3

Deslocamento eltrico

1
2
1

2
1

2
0

2
1
2
0

1
1

2
0

2
0

2
0

1
1

2
0

D1

D2 =
D
3

0
S r

0 S

1 S z

(2.27)

0
Tr

0 T

1 T z

(2.28)

0
Er

0 E

1 E z

(2.29)

1
2
1
2
0

1
1

2
0

0
Dr

0 D

1 D z

(2.30)

As equaes piezoeltricas lineares em coordenadas cilndricas j simplificadas so:

Tr =

S r 2 d 31E z 2 s E Tz
13
E
(1 ) s11

T E
D z = 2 d 31Tr + d 33Tz + 33
z

(2.31 atuador)
(2.32 transdutor)

O transformador de modo radial pode ser dividido em dois elementos piezoeltricos de

acoplamento transversal:

Figura 16 O transformador piezoeltrico de modo radial, dividido em atuador e transdutor

26

O circuito equivalente eltrico do elemento piezoeltrico :

Figura 17 Elemento piezoeltrico de modo radial e o seu circuito equivalente eltrico

Os parmetros do circuito equivalente para o elemento piezoeltrico (em funo das
dimenses e dos coeficientes do material) so:

Rm =

Lm =

Cm =

2 rt
4 Qm

2
E
s (1 )
11

r 2t
2
E
4(1 ) s11

3t

2 2rd 31
E
(1 ) s11

C dm =

d 31

r 2 T
33 1

t
(1 ) s E T
11 33

(2.33)

(2.34)
(2.35)
(2.36)

(2.37)

Os detalhes desse processo podem ser encontrados em trabalhos anteriores [4 e 11].

Da combinao do atuador com o transdutor pelo lado mecnico, obtm-se o transformador,
pela soma (associao) dos elementos mecnicos Rm , Lm e Cm.

27

Figura 18 Processo de obteno do circuito equivalente eltrico do transformador de modo

radial a partir de dois elementos piezoeltricos de modo transversal
Ento, os parmetros (ainda mecnicos em sua maioria) ficam:

C1 = C dm1

d 312
r 2 T

33 1
=
E T
t1
(
1

)
s

11 33

(2.38)

d 312
r 2 T

33 1
E T
t2
(1 ) s11 33

(2.39)

C 2 = C dm 2 =

1 =

2 2r1d 31
(1 ) s11E

2 =

2 2r2 d 31
(1 ) s11E

Rm = Rm1 + Rm 2 =

2 r (t1 + t 2 )
4 (1 )Qm

Lm = Lm1 + Lm 2 =

r 2 (t1 + t 2 )
2

Cm =

C m1 C m 2 4(1 ) s11E
=
C m1 + C m 2 3 (t1 + t 2 )

2
s (1 )
E
11

(2.40)

(2.41)

(2.42)
(2.43)

28

Por fim, preciso refletir as componentes mecnicas para o lado eltrico e unir os dois
transformadores do modelo:
R

C
1:N

C1

C2

Figura 19 Circuito equivalente eltrico do transformador de modo radial

Onde foram usadas as seguintes prescries para a reflexo do lado mecnico para o lado
eltrico:

1
2

(2.44)

R
R= m
12

(2.45)

L
L= m
12

(2.46)

C = Cm 12

(2.47)

N=

Os parmetros do transformador piezoeltrico de modo radial so finalmente:

N=

1
=1
2

(2.48)

C1 =

d 312
r 2 T
[Farads ]
33 1
E T
t1
(1 ) s11 33

(2.49)

C2 =

d 312
r 2 T
[Farads ]
33 1
E T
t2
(1 ) s11 33

(2.50)

( )

E
3
(t1 + t 2 ) 2 s11 (1 )
R=
[Ohms ]
r
32Qm d 312

(2.51)

(t1 + t 2 )(s11E ) (1 ) 2
L=
[Henries]
16d 312

(2.52)

32r 2 d 312
C=
[Farads ]
(t1 + t 2 )(1 ) s11E

(2.53)

29

Lembrando que para a obteno do circuito equivalente eltrico do transformador

piezoeltrico de modo radial foram feitas algumas simplificaes, notadamente a hiptese de
que no havia perdas dieltricas. Tambm se considerou que o atuador e o transdutor eram
idnticos, que a interface atuador/transdutor no introduzia perdas mecnicas e que os outros
modos de vibrao alm do radial no estavam presentes.

2.3 Sumrio da seo

1. O circuito equivalente eltrico do transformador piezoeltrico fundamental para a anlise,
bem como para a simulao, otimizao e aplicao do dispositivo. Neste captulo obteve-se
o mesmo para o modo radial, atravs das equaes de onda, das equaes piezoeltricas e de
uma abordagem de anlogos eltricos, permitindo-se algumas simplificaes;
2. Os parmetros do circuito equivalente eltrico podem ser completamente escritos em
funo dos parmetros geomtricos e dos parmetros eletromecnicos da cermica utilizada
em sua construo.

30

CAPTULO 3 ANLISE E SIMULAO DO TRANSFORMADOR

PIEZOELTRICO DE MODO RADIAL A PARTIR DO CIRCUITO EQUIVALENTE
ELTRICO
Atravs do circuito equivalente eltrico obtido no Captulo 2, importantes caractersticas do
transformador piezoeltrico de modo radial, tais como impedncia de entrada, ganho de
tenso eltrica e a eficincia podero ser obtidos e analisados como funo da carga RL e da
frequncia de chaveamento (excitao) FS , utilizando-se da teoria de circuitos eltricos e de
recursos computacionais.

3.1 Carga RL otimizada para uma dada frequncia FS

Para uma dada frequncia angular de excitao S (ou linear FS ) existe uma carga RL que
maximiza a eficincia do transformador. Inicialmente conecta-se uma carga resistiva RL na
sada do transformador:
C

1:N
C1

C2

RL

Figura 20 Circuito equivalente eltrico conectado a uma carga RL

Refletindo todo o lado secundrio para o lado primrio, por meio das prescries 2.45 a 2.47
o circuito equivalente eltrico torna-se:
R

C1

N^2*C2

RL/N^2

Figura 21 Circuito equivalente eltrico com as componentes do secundrio C2 e RL

refletidas para o primrio
Para uma dada frequncia S a conexo paralela de C2 e de RL pode ser convertida em uma
conexo em srie, conforme a Figura 22:

31

Cs

Rs

C1

Figura 22 C2 e RL convertidos em uma ligao em srie

Com C S e RS fornecidos pelas equaes:

RS =

RL
1

2
N 1 + ( S C 2 RL ) 2

1 + ( S C2 RL ) 2
CS = N C2
( S C2 RL ) 2
2

(3.1)

(3.2)

A eficincia para os circuitos das figuras 21 e 22 pode ser expressa por:

2

Psaida
I rms RS
1
1
=
=
=
2
2
Pentrada I rms RS + I rms R 1 + R
N 2R
1 + [1 + ( S C 2 RL ) 2 ]
RS
RL

(3.3)

Onde I rms a corrente eficaz que circula no ramo RLC. Tomando a derivada da ltima
forma da expresso 3.3 com relao RL e fazendo-a igual a zero:

d
= 0 , obtm-se um
dRL

certo R L ( otm ) que maximiza a eficincia:

max =

RL ( otm )
2

2 N R + RL ( otm )

onde R L ( otm ) =

1
S C2

(3.4)

(3.5)

32

Essa ltima equao mostra que, para uma dada frequncia de chaveamento S , a mxima
eficincia do transformador piezoeltrico obtida quando a carga numericamente igual
reatncia do capacitor C2. Esse resultado ser utilizado posteriormente.

3.2 A frequncia de ressonncia f R para uma dada carga RL

Para cada valor de carga RL existe uma frequncia de ressonncia natural f R na qual o
ganho de tenso mximo. Este o modo de vibrao principal do transformador. Na Figura
21, quando RL = 0 (sada em curto-circuito), a frequncia de ressonncia do circuito ser
simplesmente:
1

f R0 =

(3.6)

2 LC

E quando RL = (sada em circuito aberto), a frequncia de ressonncia do circuito ser:

f R =

N 2CC 2
2 L
C + N 2C2

(3.7)

E para um RL de valor intermedirio, ser:

fR =

1
CC S
2 L
C + CS

(3.8)

onde C S dada pela expresso 3.2

fcil ver que, para um dado RL de valor finito, f R sempre estar entre f R 0 e f R .

3.3 A eficincia em funo da frequncia FS e da carga RL

A eficincia do transformador piezoeltrico pode ser calculada em funo da frequncia de
chaveamento FS e da carga RL , por meio de:

33

 ( FS , RL ) =

Pmdia _ saida ( FS , RL )

(3.9)

Pmdia _ entrada ( FS , RL )

Onde:

Pmdia _ saida ( FS , RL ) =

[Vrms _ saida ( FS , RL )]2

RL

[Vrms _ entrada AV ( FS , RL )]2

RL

Vrms _ entrada 2

Pmdia _ entrada ( FS , RL ) = Re
Z entrada ( FS , RL )

(3.10)

(3.11)

Onde AV o mdulo do ganho de tenso do transformador piezoeltrico e Z entrada a

impedncia de entrada do circuito da Figura 21. Tomou-se somente a parte real da potncia
de entrada, pois o interesse na potncia real. AV e Z entrada com base no circuito da Figura 21
podem ser calculados por:

RL
1
2
N 2iFS N 2C 2
RL
1
+
2
N
2iFS N 2C2
AV ( FS , RL ) = N
RL
1
2
N 2iFS N 2C2
1
R + 2iFS L +
+
1
2iFS C RL +
2
N
2iFS N 2C 2

(3.12)

RL
1

2
2
N 2iFS N C 2
1
R + 2iF L + 1
+
S

1
2iFS C1
2iFS C RL
+

N 2 2iFS N 2 C 2

Z entrada ( FS , RL ) =
RL
1

2
2
N 2iFS N C 2
1
1

+ R + 2iFS L +
+

1
2iFS C1
2iFS C RL
+

2
2
N
2iFS N C 2

(3.13)

34

3.4 Aplicando as definies e anlise 3D

Para um dado transformador piezoeltrico de modo radial pode-se, apenas de posse dos
parmetros geomtricos e da cermica de PZT pretendida em seu projeto, analisar
detalhadamente cada aspecto de seu desempenho antes mesmo que ele seja efetivamente
construdo, por meio de um programa para software Maple. Partindo-se dos seguintes dados
hipotticos:

Geomtricos:
r = 12mm

(raio)

t1 = t 2 = 0,2mm

(espessura dos elementos piezoeltricos)

Parmetros da cermica pretendida (neste ex. PZT-4, Morgan Electroceramics [18]):

d 31 = 130 10 12

m
V

= 0,3

(fator de acoplamento eletro-mecnico)

(razo de Poisson)

s11E = 13 10 12

m2
N

33T
= 1325
0
= 7800

kg
m3

Qm = 750

(compliance mecnica)
(permeabilidade eltrica relativa)
(densidade)
(fator de qualidade mecnico)

Utilizando as definies 2.48 2.53, escreveu-se um programa para Maple (listado no

Apndice A), com o qual se atribui os seguintes valores para o circuito equivalente eltrico da
Figura 19:

304.14uH

0.28ohms

6.81nF

1:N=1
C1
22.30nF

C2
22.30nF

Figura 23 Circuito equivalente eltrico para o ex. proposto, com os valores atribudos

35

O transformador piezoeltrico em questo possui

f R 0 = 110,5kHz

e f R = 126,3kHz

(utilizando 3.6 e 3.7), portanto, sua f R para um RL qualquer estar sempre dentro desse
intervalo. Agora se pode efetuar uma anlise 3D do ganho de tenso, da eficincia, da
potncia de sada (desenvolvida na carga RL), e da potncia dissipada (perdas) do
transformador piezoeltrico, como funo dos parmetros FS e RL (frequncia de
chaveamento e resistncia da carga, respectivamente). Utilizando-se as definies 3.9 a 3.14
escreveu-se um programa para Maple (listado no Apndice B) para efetuar a anlise. A
tenso aplicada na entrada do dispositivo neste exemplo Ventrada = 10Vrms , do tipo onda
quadrada (SMPS) e com DC = 50%.

Figura 24 Ganho de tenso

Figura 25 - Eficincia

Figura 26 Potncia desenvolvida na carga

Figura 27- Potncia dissipada pelo PT

Onde a PD (potncia dissipada) definida como sendo:

PD ( FS , RL ) =

Pmdia _ sada (1 )

(3.14)

36

3.5 Sumrio da seo

1. Aplicando-se anlise de redes ao circuito equivalente eltrico do transformador
piezoeltrico de modo radial foi possvel obter expresses para o ganho de tenso, eficincia
e para as potncias transferidas e dissipadas, em funo da frequncia de chaveamento FS e do
valor da carga que ele alimenta RL ;
2. Atravs destas expresses e de definies do captulo anterior, pde-se escrever um
programa para o software de matemtica Waterloo Maple e aliment-lo com os parmetros
geomtricos e da cermica de PZT pretendida, obtendo como resultado o circuito equivalente
eltrico do transformador e uma completa anlise de seu desempenho;
3. Visualizando os resultados em forma grfica, foi possvel verificar que o ganho de tenso
do transformador de modo radial varia fortemente tanto com FS como com RL e portanto a
tenso de sada tambm depender dessas variveis;
4. A eficincia do transformador varia muito com RL mas no depende tanto de FS ,
principalmente para valores baixos e medianos de RL . Posteriormente ser demonstrado

que tal resultado no se verifica e que devido a uma das simplificaes introduzidas no
Captulo 2;
5. A potncia til na carga atingiu valores relativamente altos. Posteriormente ser
demonstrado que ela limitada por consideraes eletromecnicas e principalmente,
trmicas;
6. Estes resultados foram obtidos admitindo-se vrias simplificaes, notadamente a de que
no havia perdas dieltricas nos elementos piezoeltricos.

37

CAPTULO 4 CIRCUITO EQUIVALENTE ELTRICO APRIMORADO COM A

INCLUSO DAS PERDAS DIELTRICAS
No circuito equivalente eltrico obtido no Captulo 2 e analisado no Captulo 3, admitiram-se
vrias simplificaes. A menos justificvel de todas elas excluiu as perdas dieltricas do
processo de obteno do modelo. Neste Captulo elas sero introduzidas e a anlise de
desempenho refeita, a fim de que se possa analisar o impacto dessa simplificao no modelo
do transformador piezoeltrico de modo radial.

4.1 O modelo para as perdas dieltricas

As perdas dieltricas do material cermico podem ser consideradas a partir do fator de
dissipao eltrica tan fornecido pelo fabricante da cermica. A maneira mais direta de
inserir as perdas dieltricas no modelo obtido no Captulo 2 consiste em representar essas
perdas por meio de uma resistncia eltrica equivalente em srie (ou ESR, electric series

resistance) com a capacitncia C1 formada pelos dois eletrodos do atuador (e tambm C2 a

capacitncia formada pelos eletrodos do transdutor).

Rs

C1

Figura 28 As perdas dieltricas do capacitor C1 representadas por RS

Onde RS definido como:

RS ( S ) =

tan
S C1

(4.1)

Essa resistncia, dependente da frequncia de chaveamento S , pode ser escrita como um

resistor Rp , tambm dependente da frequncia, mas em paralelo com o capacitor C1:

38

C1

Rp

Figura 29 RS escrito como uma resistncia Rp em paralelo com C1

RP ( S ) =

tan
1
+
S C1 S C1 tan

(4.2)

Como a tan um valor sempre muito pequeno e S geralmente grande, o primeiro termo
seguramente desprezvel em relao ao segundo. Pode-se ento simplificar, para o atuador:

R1

1
1
=
S C1 tan 2FS C1 tan

(4.3)

e de modo anlogo, para o elemento transdutor:

R2

1
1
=
S C 2 tan 2FS C 2 tan

(4.4)

E o circuito equivalente eltrico fica agora acrescido de duas resistncias R1 e R2:

C
1:N

R1

C1

C2

R2

Figura 30 O circuito equivalente eltrico com as perdas dieltricas includas

Onde R representa somente as perdas mecnicas do dispositivo e R1 e R2 representam as
perdas dieltricas, dependentes da frequncia de chaveamento. Essa modificao ir alterar
drasticamente a figura de eficincia do dispositivo, que passar tambm a depender
fortemente da frequncia.

39

4.2 A eficincia em funo da frequncia FS e da carga RL para o modelo incluindo as

perdas dieltricas
A eficincia d para o modelo incluindo as perdas dieltricas (o ndice d denota perdas

dieltricas) pode, de maneira semelhante ao que foi executado no Captulo 3, ser calculada
em funo da frequncia de chaveamento FS e da carga RL , por meio de:

( FS , RL ) =

d
Pmdia
_ saida ( FS , RL )

d
mdia _ saida

( FS , RL ) =

d
mdia _ entrada

(4.5)

d
Pmdia
_ entrada ( FS , RL )
d
2
[Vrms
_ saida ( FS , R L )]

RL

[Vrms _ entrada AVd ( FS , RL )]2

RL

Vrms _ entrada 2

( FS , RL ) = Re d
Z entrada ( FS , RL )

PDd ( FS , RL ) =

(4.6)

(4.7)

d
d
Pmdia
_ sada (1 )

(4.8)

d
d
Onde AVd o mdulo do ganho de tenso, Vrms
_ saida a tenso eficaz de sada e Z entrada a

impedncia de entrada do circuito da Figura 30 e PDd a potncia dissipada. Todos agora

d
incluem as perdas dieltricas. De modo semelhante ao que foi feito em 3.3, AVd e Z entrada
so

definidos por:

RL
N2

1
2iFS N 2C2 +

RL
+
N2
AVd ( FS , RL ) = N

N2
R2

1
2iFS N 2C 2 +
RL
N2

N2
R2
1

(4.9)

N2
2iFS N C2 +
1
R2
R + 2iFS L +
+
1
2iFS C RL
+
2
N2
N
2iFS N 2C 2 +
R2
2

40

RL
1

2
2
N N
2

+ 2iFS N C 2

R2
1
1
+
R + 2iFS L +

1
1
2iFS C RL

2iFS C1 +
+
R1
N2 N2

2
+ 2iFS N C2

R2

(4.10)
d
Z entrada
( FS , RL ) =
RL
1

2
2
N N
2

+ 2iFS N C2

1
1
R2
+ R + 2iFS L +
+

1
1
2iFS C RL

+
2iFS C1 +
R1
N2 N2

2
+ 2iFS N C 2

R2

4.3 Anlise 3D incluindo-se as perdas dieltricas

Uma anlise de desempenho mais realstica pode ser agora realizada a partir do circuito
equivalente eltrico que inclui as perdas dieltricas. Para o mesmo caso hipottico
exemplificado em 3.4, o circuito equivalente eltrico agora fica:

R1= 2E9/Fs

C= 6.81nF

R=0.28

R2=2E9/Fs
1:1

L=304.14uH

C1=22.30nF

C2=22.30nF

Figura 31 Circuito equivalente eltrico incluindo as perdas dieltricas para o caso de 3.4
Os resultados agora obtidos podem ser postos lado-a-lado com os resultados obtidos para o
modelo mais simples da Figura 23. Com o auxlio de 3.9-3.14 e de 4.5-4.10 escreveu-se um
programa para Maple (listado no Apndice C) e com ele obtm-se:

Figura 32 Ganho AV sem perdas dieltricas

Figura 33 - Ganho AVd com perdas dieltricas

41

Figura 34 Eficincia s/ perdas dieltricas

Figura 35 - Eficincia c/ perdas dieltricas

Figura 36 Potncia na carga s/ perdas dieltricas

Figura 37 Potncia na carga c/ perdas dieltricas

Figura 38 Potncia dissipada s/ perdas dieltricas

Figura 39 Potncia dissipada c/ perdas dieltricas

Esses grficos foram realizados utilizando-se os mesmos parmetros do circuito equivalente

eltrico do exemplo da Figura 23; apenas incluram-se os termos R1 e R2, relacionados com as
perdas dieltricas e calculados com a informao adicional tan = 0,017 (PZT-4, alto

42

campo). O circuito equivalente eltrico mais completo para esse exemplo mostrado na
Figura 31. Portanto os dados geomtricos e os parmetros da cermica foram os mesmos
propostos em 3.4. Novamente o software utilizado para a anlise foi o Maple.

4.4 Sumrio da seo

1. A introduo das perdas dieltricas no modelo do transformador piezoeltrico de modo
radial acarretou mudanas substanciais nos resultados obtidos. Portanto, as perdas dieltricas
no so de modo algum desprezveis em aplicaes de converso de potncia;
2. A figura de mrito mais afetada, a eficincia, j dependia fortemente de RL , mas o modelo
mais simples no denunciava a sua forte dependncia com FS . Em realidade a eficincia
depende fortemente tanto de RL quanto de FS , o que demandar um cuidado ainda maior na
aplicao;
3. Com a introduo das perdas dieltricas a potncia disponvel na carga foi
consideravelmente diminuda, bem como se observou um aumento na potncia dissipada pelo
dispositivo, que ser transferida na forma de calor. Torna-se imperativo, portanto, que o
modelo inclua consideraes trmicas, a fim de determinar as temperaturas internas de
operao em uma dada aplicao, de modo a prevenir uma possvel despolarizao da
cermica e uma reduo da sua vida til.

43

CAPTULO 5 OS FATORES QUE LIMITAM A TRANSFERNCIA DE

POTNCIA MODELAGEM TRMICA E OS LIMITES ELETROMECNICOS
A mxima potncia que pode ser transferida por um dado transformador piezoeltrico
depende tanto de fatores eletromecnicos (de modo a no haver rompimento da rigidez
dieltrica ou danos mecnicos) como da temperatura interna de operao (que no dever se
aproximar da temperatura de despolarizao da cermica).
A temperatura interna de operao do transformador piezoeltrico de modo radial ser
calculada em funo da potncia dissipada e da condutividade trmica da cermica utilizada,
bem como da condutividade do ar, para uma aplicao com dissipao convectiva (sem
ventilao forada).
J a mxima densidade de potncia limitada eletromecanicamente depende da mxima
densidade superficial de carga, do rompimento da rigidez dieltrica, da despolarizao devido
ao campo eltrico e do strain e stress mximos. Ela ser calculada em funo da frequncia
de chaveamento, do stress mximo aplicvel, da compliance mecnica e do volume do
transformador piezoeltrico.

5.1 Modelagem trmica

A conduo trmica em slidos pode ser equacionada pela lei de Fourier, que diz que o fluxo
de energia trmica proporcional ao gradiente de temperatura, no ponto e no instante
considerados:

q (r , t ) = (r , t )

(5.1)

Onde foi usada a letra para representar a temperatura, de modo a no causar confuso com
o stress (T). (Notar que, apenas neste Captulo, a letra t ser usada alternadamente para
representar o tempo e tambm a espessura, sendo que o texto tornar essa distino bem
explcita). No caso de regime permanente unidimensional, essa equao se reduz :

q ( r ) =

d ( r )
dr

(5.2)

44

O regime permanente se justifica pois, neste trabalho, apenas a temperatura mdia de

equilbrio do dispositivo relevante; excluindo-se pois, os transientes. A simplificao para o
caso unidimensional se dar por consideraes de simetria, que sero comentadas mais
adiante.
As grandezas e suas unidades no SI so definidas como:
q (r ) : densidade de fluxo de energia trmica, que a quantidade de energia por unidade de
J W
tempo e unidade de rea ou potncia por unidade de rea 2 = 2 ;
m s m

W
: condutividade trmica do material
m K

(r ) : campo escalar de temperaturas [K ]

d(r )
K
: gradiente de temperaturas
dr
m

Considera-se agora a seguinte situao:

Figura 40 Barra conduzindo calor, com extremidades mantidas temperatura constante

45

Onde a barra cilndrica um bom condutor de calor em relao ao ar. As faces do cilindro
so mantidas a temperaturas constantes 1 > 0 . A a rea transversal do cilindro e o seu
comprimento. O cilindro est isolado termicamente do ambiente pelas laterais.
Pode-se agora definir fluxo trmico, como sendo:
Q( x) = q ( x) A

(5.3)

e a equao (5.2) escrita em termos do fluxo trmico fica:

Q ( x ) = A

d ( x )
dx

(5.4)

O gradiente de temperaturas para o caso da Figura 40 pode ser escrito como:

d
= 1 0
dx

E ento 5.4 poder ser reescrita como:

Q=

(1 0 ) 1 0 =

Q
A

(5.5)

Da ltima forma de 5.5 nota-se a analogia com a expresso que fornece a diferena de
potencial eltrico V em um condutor quando a corrente que o percorre I (lei de Ohm):

V1 V0 = R I

(5.6)

A resistncia eltrica R de um condutor cilndrico de rea A, comprimento e condutividade

eltrica E :

R=

EA

(5.7)

46


Tirando proveito da similaridade entre 5.5 e 5.6, identifica-se em 5.5 como sendo uma
A

resistncia trmica do slido:

R =

(5.8)

A analogia da conduo eltrica com o fenmeno da conduo trmica completa ( Q I ;

1 0 V1 V0 e E ) e plenamente justificada, pois a lei de distribuio dos

potenciais em um condutor eltrico de forma idntica a lei de Fourier para a conduo
trmica, que fornece a distribuio das temperaturas.
Considera-se agora um caso semelhante ao da figura 40, mas com dois materiais diferentes e
de condutividades trmicas diferentes 1 e 2 , acoplados por uma nica superfcie de rea A:

Figura 41 Duas barras conduzindo calor ligadas em srie, com extremidades mantidas a
temperatura constante
Onde 1 > ' > 2 . Novamente os cilindros esto isolados termicamente do ambiente. Aplicase novamente a 5.4, para a qual os gradientes de temperatura so agora escritos como:
d 1 '
=
; para a barra 1
dx
1

(5.9)

47

d ' 2
=
; para a barra 2
dx
2

(5.10)

Admitindo que o fluxo trmico seja o mesmo nas duas barras:

1 '
' 2

Q = 1 A
= 2 A

Q=

Q=

(5.11)

1 2
1
1
+
1 A 2 A

(5.12)

1 2
R 1 + R 2

(5.13)

Desde que o fluxo trmico Q tem dimenses de potncia [W] a identificao deste com PD
(definido em 3.14) ou com PDd (definido em 4.8) imediata.

Figura 42 Transformador piezoeltrico de modo radial em corte lateral, mostrando as

interfaces e o gradiente de temperaturas
Observando a Figura 42, pode-se facilmente associar a barra 1 (da Figura 41) com a cermica
e a barra 2 com o eletrodo de metal. A simplificao para sistema unidimensional
justificada, pois todas as isotermas so planos circulares, paralelos com a seo transversal.
Assim segue-se que 1 identificado como sendo a temperatura d , na parte mais interna do
meio cermico e 2 como sendo a temperatura na superfcie do eletrodo de metal (lembrando

48

que o mesmo ainda est isolado do ambiente). R 1 a resistncia trmica existente ao longo
do meio cermico, definido a partir de 5.8 como sendo:

RC =

t
2C r 2

(5.14)

Onde t a espessura do disco primrio (ou secundrio) e r o seu raio; C a condutividade

trmica da cermica e o fator 2 que aparece no denominador devido a existirem, no
transformador de modo radial, duas interfaces cermica-metal em contato com o ambiente,
conforme a Figura 42. Analogamente R 2 a resistncia trmica ao longo do eletrodo,
definida como:

Rel =

t eletrodo
2el r 2

(5.15)

Onde t eletrodo a espessura do eletrodo de metal e el a sua condutividade trmica. O fator

2 devido s mesmas consideraes do item anterior. Ento 5.13 se torna:

PD =

d 2
RC + Rel

(5.16)

Examinando 5.5 e 5.12 se verifica o princpio de superposio; podendo-se prolongar a soma

das resistncias trmicas tanto quanto se queira, at que o ambiente seja atingido. Neste caso
resta apenas determinar a resistncia trmica de uma fina camada de ar envolvendo o eletrodo
e somar esta com as resistncias trmicas j obtidas.

PD =

d 0
RC + Rel + Rar

(5.17)

Onde agora o a temperatura ambiente. A expresso 5.17 pode ser reescrita na forma:
d ( FS , RL ) = 0 + PD ( FS , RL )[RC + Rel + Rar ]

(5.18)

49

Onde:
d : temperatura no interior do dispositivo;

0 : temperatura ambiente;

PD : potncia dissipada pelo dispositivo;

RC : resistncia trmica da cermica;

Rel : resistncia trmica do eletrodo;

Rar =

t cm _ ar
2ar r 2

: resistncia trmica do eletrodo para o ambiente;

tcm _ ar : espessura da interface de ar sobre a face do dispositivo.

5.2 Anlise trmica 3D

Continuando com a anlise do circuito equivalente eltrico, agora ser efetuada a anlise 3D
das temperaturas internas do dispositivo como funo dos parmetros FS e RL (frequncia
de chaveamento e resistncia da carga) utilizando-se as definies 5.15 a 5.18 e as expresses
3.14 e 4.8. O exemplo o mesmo utilizado no Captulo 3 e no Captulo 4 e as condies
tambm so as mesmas. Ser executada a anlise para o modelo mais simples (do Captulo 2)
e tambm para o modelo que inclui as perdas dieltricas (do Captulo 4). Novamente o
software utilizado foi o Maple (programa listado no Apndice D).
Os dados introduzidos neste Captulo (novos) so:

C = 1,2

W
:
mK

condutividade trmica da cermica;

50

ar = 0,025

W
:
m K

0 :

condutividade trmica do ar;

temperatura ambiente de operao, neste exemplo 27C.

E tcm _ ar sendo a fina interface de ar que envolve o eletrodo, com o valor experimental de
10 3 m . A resistncia trmica do eletrodo Rel neste exemplo ser desprezada (devido boa
condutividade trmica dos metais e da muito pequena espessura dos eletrodos).

Fig. 43 Temperatura interna (C) s/ perdas dieltricas

Fig. 44 - Temperatura interna (C) c/ perdas dieltricas

Observa-se que a temperatura interna de operao aumentou consideravelmente para o

modelo incluindo as perdas dieltricas, principalmente para valores elevados de RL. Essa
temperatura interna no deve ultrapassar a mxima temperatura de trabalho especificada pelo
fabricante da cermica.

5.3 Os limites eletromecnicos para a transferncia de potncia

O limite para a densidade volumtrica de energia que um elemento piezoeltrico capaz de
converter pode ser obtido por meio de consideraes eletromecnicas e pela anlise do ciclo
de trabalho ciclo este totalmente consistente com uma excitao quadrada (a tenso de
entrada do tipo onda quadrada), tal como ocorre em aplicaes SMPS. O acoplamento
eletromecnico para um elemento piezoeltrico descrito pelas equaes constitutivas,
obtidas de 2.11 e de 2.12 e simplificadas para o modo radial com acoplamento transversal:

S1 = S11E T1 + d 33 E3

(5.19)

atuador
51

T1 =

T
D3 33
E3
d 31

(5.20)

transdutor

Para determinar a densidade de energia transferida pelo elemento piezoeltrico, considera-se

um elemento infinitesimal situado em um ponto central do elemento. A energia ser
determinada examinando o ciclo de trabalho, onde ser assumida a hiptese de que o
elemento piezoeltrico no possui perdas mecnicas nem dieltricas (essa hiptese se justifica
lembrando que tanto as perdas mecnicas como dieltricas foram includas na modelagem
trmica e que ambas as consideraes sero utilizadas em conjunto).

Figura 45 Ciclos de trabalho, no domnio eltrico e mecnico

No estado 1 (ponto 1 dos grficos da figura 45) o sistema est bloqueado mecanicamente,
quando o campo eltrico E3 reduzido at zero e logo assume algum valor negativo (ponto
2). Neste ponto, o campo eltrico novamente constante e a estrutura desbloqueada e
movida de um estado de strain positivo para um estado de strain negativo (ponto 3) e o
sistema ento executa trabalho (do ponto 2 para o ponto 3). No ponto 3, o elemento
novamente bloqueado mecanicamente e neste estado de strain negativo o campo eltrico
aumentado at assumir um valor positivo (ponto 4). O campo eltrico ento se mantm
constante e o sistema novamente desbloqueado mecanicamente, executando trabalho,
quando se move para o seu estado original de strain positivo (ponto 1).

52

A rea inscrita pelo ciclo fechado das Figuras 45.a e 45.b numericamente igual densidade
volumtrica de energia transformada. Especificamente, a rea inscrita pelo paralelogramo da
Figura 45.a representa a densidade de energia eltrica fornecida pela fonte e a rea inscrita
pelo paralelogramo da Figura 45.b representa a densidade de trabalho mecnico executado
pelo elemento. Notar que as duas reas so iguais, o que satisfaz a hiptese inicial de que o
sistema no possui perdas. O ciclo repetido periodicamente, sendo que a densidade de
potncia transferida pelo elemento igual densidade de energia vezes a frequncia FS com
que o ciclo se repete (frequncia de chaveamento).
Os ciclos so coerentes com uma excitao (tenso) quadrada e como E3 versus t (tempo)
est em fase com S1 versus t (tempo), a excitao se d prxima a frequncia de ressonncia
principal fR .
A potncia mxima transferida depende dos valores mximos para o campo eltrico,
densidade de carga, stress e strain que podem ser obtidos para um dado material. Para um
caso sem perdas mecnicas e dieltricas, a rea mxima do ciclo de trabalho limitada por
um ou mais fatores, a saber, Dmax, Emax, Tmax e Smax. Para encontr-los marca-se um ponto de
referncia, correspondente a um estado de mximo valor em um dos domnios, como Emax e
Dmax (no domnio E-D) e determina-se este estado dento do domnio mecnico S-T, atravs
das equaes constitutivas.

Figura 46 A mxima densidade de energia para um material limitado pelo stress pode ser
obtida maximizando a rea inscrita pelo ciclo de trabalho no domnio S-T
Por experincia prvia, nota-se que nas cermicas normalmente empregadas em dispositivos
de potncia, o material sempre limitado no domnio S-T, ou seja, limitado mecanicamente.
Observando-se a Figura 46, a rea inscrita pelo paralelogramo :

53


S'
4
W = 2 S ' 2T1 max 2T ' = 2S ' 2T1 max 2 E = 4S 'T1 max E S '2
s11
s11

(5.21)

Onde a inclinao da reta dada por s11E . Maximizando W em relao a S

dW
=0
dS '
dW
8
= 4T1max E S ' = 0
'
dS
s11

(5.22)

Obtm-se:
1
S1otimo = T1max s11E
2

(5.23)

Verificando que S1otimo menor que S1max , obtm-se Wmax

2 J
Wmax = s11E Tmax
m 3

(5.24)

que a densidade de energia transferida mxima, a partir da qual se obtm:

2 W
Pmax = FS s11E Tmax
m3

(5.25)

que a densidade volumtrica de potncia transferida mxima.

Aplicando as definies obtidas neste tpico para o exemplo de 3.4 em uma aplicao SMPS
a 120kHz, tem-se:

54

T
= 30 106
max

N
Q = 100
m
m2

m2
s E = 12,5 10 12
11
N
F = 120kHz
s
Watts
P
= F s E T 2 = 1,35 109
max
s 11 max
m3

Onde o stress mximo T

= 30 10 6
max

N
aplicado cermica degradou (situao de alto
2
m

stress) o fator de qualidade mecnico para Qm = 100 e a compliance mecnica para

m2
s E = 12,5 10 12
, conforme o fabricante da cermica [6]. Com as dimenses do
11
N
exemplo de 3.4 (t = 0,2mm, r = 12mm) obtm-se a mxima potncia transferida,
multiplicando o resultado obtido pelo volume do elemento piezoeltrico, Pmax = 122W.

5.4 Sumrio da seo

1. A modelagem trmica imps srias restries ao transformador piezoeltrico de modo
radial para aplicaes que requeiram altas potncias. Este equacionamento torna claro a
grande diferena existente entre a abordagem mais simples do Captulo 2 e a abordagem mais
completa do Captulo 4. A mxima potncia transferida pelo transformador piezoeltrico
deve ser, portanto, limitada para no permitir que o dispositivo aproxime-se da temperatura
de despolarizao da cermica. Tal considerao deve se levada em conta no projeto e no
dimensionamento de transformadores piezoeltricos, bem como na escolha da melhor
frequncia de chaveamento FS , tendo-se sempre em foco a aplicao almejada;
2. As consideraes eletromecnicas tambm limitam a mxima potncia que se pode obter
para um dado dispositivo, levando em conta apenas os fatores eltricos e mecnicos;
3. Os fatores limitantes trmicos e eletromecnicos devem ser considerados em conjunto para
estimar a mxima densidade de potncia que uma dada configurao geomtrica e que um
dado material podem manejar, de modo a garantir a viabilidade do transformador
piezoeltrico para cada aplicao em especfico.

55

CAPTULO 6 CARACTERIZAO DO TRANSFORMADOR PIEZOELTRICO

A caracterizao fsica do transformador piezoeltrico de vital importncia para o projeto e
otimizao do dispositivo; pois atravs dela pode-se aperfeioar os mtodos de manufatura.
Neste trabalho sero descritos dois mtodos bastante eficientes; o primeiro utilizando apenas
um analisador de impedncias e o segundo utilizando vrios equipamentos, todos comuns nos
laboratrios de fsica e engenharia.

6.1 Medida do circuito equivalente eltrico do transformador piezoeltrico usando o

analisador de impedncias HP4194A
O impedancmetro Hewlett-Packard HP4194A possui um modelo bsico de circuito
ressonante srie (parmetro-Y), sendo possvel com ele medir, quase que diretamente, os
valores dos parmetros R, L, C, N, C1 e C2 do circuito equivalente eltrico do transformador
piezoeltrico. Para tanto, basta seguir o procedimento:

Passo 1 Para obter C1, R, L e C, coloca-se o lado secundrio do transformador em curto e

conecta-se o lado primrio ao impedancmetro.

Figura 47 Circuito equivalente eltrico do transformador de modo radial no procedimento

de caracterizao passo 1
Conectando-se o secundrio em curto, o circuito equivalente fica reduzido a:

56

R1

Cb1

L1

Ca1

Figura 48 Circuito equivalente eltrico reduzido pelo passo 1

Onde basta fazer a seguinte identificao dos valores apresentados pelo impedancmetro com
as componentes do circuito equivalente eltrico:

Cb1 = C1
R1 = R
L1 = L
Ca1 = C

(6.1)

Passo 2 Para obter C2 e N, basta colocar o lado primrio em curto e conectar o lado
secundrio ao impedancmetro.

Figura 49 Circuito equivalente eltrico do transformador de modo radial no procedimento

de caracterizao passo 2

57

R2

Cb2

L2

Ca2

Figura 50 Circuito equivalente eltrico reduzido pelo passo 2

E usar a seguinte prescrio para obter as componentes restantes:

C 2 = Cb 2

N=

L2
L1

(6.2)

6.2 Medida do circuito equivalente eltrico do transformador piezoeltrico usando um

analisador de udio e um capacmetro de baixas frequncias
tambm possvel medir, mediante poucos clculos, os valores dos parmetros R, L, C, N, C1
e C2 do circuito equivalente eltrico do transformador piezoeltrico utilizando-se um
analisador de udio (gerador de udio + plotador da resposta) e um capacmetro de baixas
frequncias. O mtodo apresentado a seguir se baseia no conceito de gerador de corrente
constante para medir o mdulo da impedncia com um voltmetro True-RMS de banda larga
(analisador). Para tanto, o gerador de udio do analisador utilizado, que uma fonte de tenso
constante, dever ser convertido em uma fonte de corrente constante, com a adio de um
resistor srie Rs de valor bem mais alto do que o maior mdulo da impedncia que se espera
encontrar para um dado transformador piezoeltrico na condio de ensaio descrita em 6.1.
Como so feitas medies essencialmente na regio de ressonncia, alguns milhares de Ohms
para Rs certamente ser suficiente.

6.2.1 O preparo do arranjo experimental e medidas

Neste trabalho ser utilizado um capacmetro ICEL MD 6680 um Analisador de udio Audio
Precision System One + DSP controlado via PC por seu software para Windows APWIN

58

v.2.24. Este equipamento possui internamente um gerador de udio de varredura programvel

com alcance de 204kHz, sendo suficiente para a regio de ressonncia radial dos
transformadores piezoeltricos propostos neste trabalho. Sua preciso bastante
considervel, com desvios inferiores a 0,03% em frequncia e inferiores a 1% em amplitude.
Como o seu gerador uma fonte de tenso constante, a converso para fonte de corrente
constante se dar pela adio de um resistor Rs de alto valor em srie com a sada do gerador.
O gerador ento submeter a amostra a uma corrente constante e o analisador ir capturar a
queda de tenso sobre a impedncia da amostra. O valor do mdulo dessa impedncia poder
ser facilmente calculado pela expresso:

Z = VA

RS
VG

(6.3)

Onde VA a tenso RMS colhida pelo voltmetro do analisador, VG a tenso alternada RMS
aplicada pelo gerador e Rs o valor do resistor srie adicionado sada do gerador. Para cada
frequncia de tenso alternada o analisador plotar um valor VG correspondente a um certo
mdulo de impedncia da amostra. A resoluo do gerador de udio foi ajustada para 1024
passos; mais do que suficiente para os propsitos deste trabalho. O esquema bsico do arranjo
experimental mostrado na figura a seguir:

Figura 51 Arranjo experimental para medidas do mdulo da impedncia versus frequncia

Onde XFG1 representa o gerador de udio e XBP1 o analisador de amplitude ou fase (bode
plotter) do analisador Audio Precision System One. Para determinar os parmetros do
circuito equivalente eltrico, ser usado o mesmo procedimento proposto em 6.1, apenas
substituindo-se o HP4194A pelo analisador Audio Precision juntamente com o capacmetro.
Para a configurao mostrada nas Figuras 47 e 48, deve-se em primeiro lugar identificar o
valor da capacitncia de entrada Cb1 com o capacmetro de baixas frequncias (< 1kHz) e em

59

seguida executar uma varredura em banda larga (onde o transformador ter seus terminais de
secundrio colocados em curto e os terminais de entrada so conectados conforme a Figura
51). O resultado de uma varredura desse tipo pode ser visto na Figura 52.
2.500kOhms

A: v1[z]

2.250kOhms
2.000kOhms
1.750kOhms
1.500kOhms
1.250kOhms
1.000kOhms
0.750kOhms
0.500kOhms
0.250kOhms
0.000kOhms
50.00kHz

60.00kHz

70.00kHz

80.00kHz

90.00kHz

100.0kHz

110.0kHz

120.0kHz

130.0kHz

140.0kHz

Measurement Cursors
1

v1[z]

X: 91.907k

Y: 54.643

v1[z]

X: 97.558k

Y: 2.1484k

X: 5.6512k

Y: 2.0938k

Cursor 2 - Cursor 1

Figura 52 Curva do mdulo da impedncia versus frequncia para o diagrama da Fig. 51

Onde podem ser identificadas os valores de frequncia para a impedncia mnima
(ressonncia) e para a impedncia mxima (anti-ressonncia). Na frequncia de ressonncia
(marcado pelo cursor 1) pode-se imediatamente retirar o valor de R1, pois nessa frequncia o
circuito puramente resistivo.
Pode ser demonstrado [1] que para elementos piezoeltricos de acoplamento transversal o
capacitor Ca1 e o indutor L1 podem ser calculados a partir das frequncias de ressonncia e de
anti-ressonncia por meio de:

A2
C a1 = Cb1 2 1
R
L1 =

1
C a1
2
R

(6.4)
(6.5)

Onde Cb1 j dever ter sido previamente medido com o capacmetro. De posse de todos esses
valores resta apenas fazer a identificao prescrita em 6.1:

Cb1 = C1
R1 = R
L1 = L
60

Ca1 = C
Exatamente como no caso anterior, onde usou-se o impedancmetro HP4194A. Tambm de
maneira anloga, deve-se fazer uma segunda medio de capacitncia e uma segunda
varredura, desta vez com o transformador conectado ao analisador conforme a Figura 49,
com o lado primrio em curto-circuito e o lado secundrio conectado ao analisador (Figura
51). Aps essas medies e de proceder com 6.4 e 6.5, deve-se utilizar a prescrio 6.2

C 2 = Cb 2

N=

L2
L1

para concluir com todos os parmetros do circuito equivalente eltrico. Lembrando que neste
segundo passo Cb1 e Ca1 foram renomeados para Cb2 e Ca2 e L1 foi renomeado para L2 ,
assim como no segundo passo do tpico 6.1. Os clculos necessrios ao processo de
caracterizao utilizando este mtodo foram compilados na forma de um pequeno programa
para Maple, disponvel no Apndice G.

6.3 - Sumrio da seo

1. Um mtodo extremamente rpido e preciso de caracterizao de transformadores
piezoeltricos pode ser implementado com um impedancmetro HP4194A, que permite a
identificao quase direta de todos os parmetros do circuito equivalente eltrico. Este
mtodo foi descrito no tpico 6.1;
2. Na indisponibilidade de um analisador desse tipo, um bom mtodo alternativo o que faz
uso das frequncias de ressonncia e de anti-ressonncia do modo de vibrao de interesse.
Com esse mtodo pode-se, com um capacmetro de baixas frequncias, um gerador de udio
e um voltmetro True-RMS, determinar todos os parmetros do circuito equivalente eltrico
do transformador piezoeltrico com muito boa preciso desde que o gerador de udio e o
voltmetro tenham a resoluo e o alcance em frequncia necessrios para explorar o
principal modo de vibrao de interesse; o que no caso deste trabalho se situa entre algumas
dezenas e algumas centenas de kHz, para a maioria dos casos prticos. Este mtodo foi
descrito no tpico 6.2.
61

CAPTULO 7 A OTIMIZAO DO TRANSFORMADOR PIEZOELTRICO DE

MODO RADIAL
Utilizando as definies obtidas nos Captulos anteriores possvel estabelecer uma
estratgia de otimizao e projeto de modo a garantir sempre a melhor eficincia com o
menor volume ocupado possvel em uma dada aplicao de converso de potncia
empregando transformadores piezoeltricos de modo radial. Tambm imperativo garantir
que a temperatura de trabalho e o stress mximos no ultrapassem os limites estabelecidos
pelo fabricante da cermica.

7.1 Os parmetros do circuito equivalente eltrico em alta potncia parmetros

degradados
Em 3.4 foram obtidos, para um exemplo hipottico, os parmetros do circuito equivalente
eltrico atravs das definies do Captulo 2. Em 4.3 foram acrescentados a esse circuito
equivalente os parmetros relacionados com as perdas dieltricas e finalmente no Captulo 5
foram considerados os fatores que limitam a transferncia de potncia. Todas essas
informaes e definies podem agora serem resumidas e aplicadas em um novo exemplo:
Dados geomtricos valores iniciais:
r = 15,12mm

(raio, um valor comercial)

t1 = t 2 = 2,1mm

(espessura dos elementos piezoeltricos, tambm um valor comercial)

Parmetros da cermica pretendida (PZT-4, Morgan Electroceramics [18]):

d 31 = 130 10 12

= 0,3
s11E = 13 10 12

33T
= 1325
0

m
V

(fator de acoplamento eletro-mecnico)

(razo de Poisson)

m2
N

(compliance mecnica em baixo campo)

(permeabilidade eltrica relativa)

62

 = 7800

kg
m3

(densidade)

Qm = 750

(fator de qualidade mecnico em baixo campo)

tan = 0,0035

(perdas dieltricas em baixo campo)

C = 1,2

W
mK

(condutividade trmica da cermica)

Com esses dados possvel, usando as definies obtidas em 2.2 e 4.1 e com a ajuda do
programa para Maple (Apndice A), obter o seguinte circuito equivalente eltrico:

R1= 13.8E9/Fs

C=1nF

R= 2.4

R2=13.8E9/Fs
1:1

L= 3.27mH

C2=3.29nF

C1=3.29nF

Figura 51 Circuito equivalente eltrico para um novo exemplo de transformador radial

Um caso semelhante j foi analisado em 4.3. Agora tendo em foco uma aplicao de
converso de potncia SMPS de alta frequncia, no qual o dispositivo ir alimentar uma
carga de aproximadamente 600 (por ex. uma lmpada fluorescente de 40W). O circuito
bsico :

|
Controle PWM
|

AC 127V

PT
DC block

Lamp

Figura 52 Uma aplicao em iluminao fluorescente (ballast)[4]

No qual o dispositivo PT representa o transformador piezoeltrico de modo radial cujo
circuito equivalente eltrico o mostrado na Fig. 51. A lmpada fluorescente tem as
seguintes caractersticas aproximadas [4];

63

Tenso de ignio 250Vrms;

Resistncia interna na ignio RLamp_ig 1M;
Tenso de manuteno 100Vrms;
Resistncia interna na manuteno RLamp 600.
O ganho de tenso no constante do transformador piezoeltrico fornece o mtodo de ignio
da lmpada, pois com uma carga de aprox. 1M (106) o ganho ser substancialmente maior
do que em carga de 600. A tenso de entrada no transformador de 90Vrms do tipo onda
quadrada (SMPS) com DC de 50% e a temperatura ambiente de 27oC.
Iniciando o procedimento, a primeira coisa a fazer examinar a eficincia e a temperatura
interna deste transformador piezoeltrico de modo radial quando em pleno funcionamento.
Com a ajuda do programa para Maple listado nos Apndices C e D obtemos:

Figura 53 Eficincia

Figura 54 - Temperatura

Convm em seguida examinar o campo eltrico aplicado no elemento piezoeltrico.

Considerando uma tenso V aplicada de 90Vrms e uma espessura t = 2,1mm, encontramos
ERMS = 428V/cm (ERMS = V/t). Consultando o fabricante da cermica [6], verifica-se que, a
partir de certos valores de campo eltrico, alguns parmetros da cermica degradam, como
mostrado na figura 55:

64

Figura 55 Variao dos parmetros Qm e s11E com o campo eltrico aplicado para vrias
cermicas de PZT [6]

Para a cermica de PZT-4, os novos valores de Qm e s11E degradados com ERMS = 428V/cm
agora ficam:

Qm = 200
s11E = 12,7 10 12

m2
N

tan = 0,017

Todos obtidos para um campo de 428V/cm, exceto a tan , que corresponde a um campo de
2kV/cm (valor disponvel mais prximo). Todos os dados foram obtidos de [6] e [18].
Procedendo novamente com a anlise, mas agora substituindo os parmetros antigos pelos
degradados, obtm-se o seguinte circuito equivalente eltrico (utilizando-se o Apndice A):

R1= 2.85E9/Fs

C= 1.03nF

R= 8.7

R2=2.85E9/Fs
1:1

L= 3.12mH

C1=3.28nF

C2=3.28nF

Figura 56 Circuito equivalente eltrico para os parmetros degradados

65

Refazendo a anlise de eficincia e temperatura, obtm-se:

Figura 57 Eficincia degradada

Figura 58 Temperatura degradada

Que se mostram sensivelmente diferentes da anlise anterior, onde se percebe claramente que
a eficincia diminuiu e as temperaturas aumentaram.

7.2 Otimizao em funo do raio e da frequncia de chaveamento

Para a condio de funcionamento apresentada em 7.1 visvel que o dispositivo ir
experimentar altas temperaturas de operao. Observando-se a Figura 58, fcil ver que uma
boa escolha para a frequncia de chaveamento FS essencial para se obter o melhor
rendimento e portanto as mais baixas temperaturas de operao possveis. Se a expresso 4.5:

d ( FS , RL ) =

d
Pmdia
_ saida ( FS , RL )
d
Pmdia
_ entrada ( FS , RL )

for maximizada em relao FS e calculada para um RL fixo, obter-se- a frequncia de

chaveamento FS _ tima que minimiza a temperatura de operao. Procedendo com essa idia,
atravs do software Maple (Apndice E), obtm-se para:

d d ( FS , RL )
dFS

RL = 600

=0

66

O resultado obtido : { [ { Fs = 94892.71896 }, 93.86056850 ] } , ou seja:

= 93,8%
FS _ tima = 94,89kHz

Tambm se deve, atravs de 5.3, verificar se essa configurao satisfaz os limites

eletromecnicos para a transferncia de potncia em estado estacionrio. Atentando para o
fato de que o Qm degradado implica em um valor de stress mximo, este dever ser
consultado nos dados fornecidos pelo fabricante da cermica, tal como:

Figura 59 Variao dos parmetros Qm e s11E com o stress mximo, para vrias cermicas
de PZT [6]

A inspeo do grfico fornece para Qm = 200, T

= 22 10 6
max

N
e com esse dado,
2
m

executando 5.25, obtm-se:

Pmax := 879.7341128

ou aproximadamente 880W. Portanto, os limites eletromecnicos no sero problema nesta

aplicao, visto que nela se exigir uma potncia til de apenas 40W.

67

Finalmente, para essa frequncia FS _ tima = 94,89kHz e carga RL = 600 pode-se calcular,
com a ajuda de 5.18, a temperatura interna mxima do dispositivo na condio de plena
potncia e ventilao natural convectiva:
Td := 68.56221589

ou aproximadamente 68,6oC, ainda dentro das especificaes da cermica, mas certamente

alta.
Com a ajuda da expresso 3.4:

R L ( otm ) =

1
2FS C 2

pode-se implementar um mtodo iterativo de otimizao (Apndice F), visando a maximizar

a eficincia e a minimizar a temperatura de operao para uma aplicao especfica de
converso de potncia. A expresso 3.4 diz que, para uma dada frequncia de chaveamento
FS e uma dada carga RL, a mxima eficincia do transformador piezoeltrico obtida quando
essa carga RL numericamente igual reatncia do capacitor C2 . Fazendo RL ( otm ) = 600
em 3.4, obtm-se um C 2 _ timo = 2,8nF, que um valor menor que o C2 obtido para o circuito
equivalente eltrico da Figura 55 (3,28nF). Observando a expresso 2.50 fcil ver que o
valor de C2 depende do quadrado do raio do elemento transdutor (que no nosso exemplo
igual ao do elemento atuador). Pode-se ento calcular um raio timo, de modo a satisfazer
a equao 3.4 e sucessivamente, usando-se do resultado anterior, repetir o procedimento de
anlise e otimizao de FS, de modo a convergir para os valores de rtimo e FS _ timo que
maximizem a eficincia. Resumindo os dados e os resultados j obtidos e considerando-os
como o primeiro passo deste processo iterativo:
Passo 1 (dados e resultados iniciais):

r = 15,12mm

= 93,8%
FS _ tima = 94,89kHz
d = 68,6 o C
68

E seguindo adiante com o processo iterativo (executando repetidamente o programa do

Apndice F):
Passo 2:

rtimo = 13,79mm

= 94%
FS _ tima = 103,48kHz
d = 64,0 o C
Passo 3:

rtimo = 13,20mm

= 94,2%
FS _ tima = 107,82kHz
d = 62,2 o C
Passo 4:

rtimo = 12,93mm

= 94,3%
FS _ tima = 109,93kHz
d = 61,5o C
Passo 40:

rtimo = 8mm

= 94,7%
FS _ tima = 172,96kHz
d = 54,0 o C
A convergncia obtida quando a diminuio da temperatura de operao j no mais
significativa. Para essa configurao otimizada em termos da temperatura deve-se agora
novamente verificar se ela compatvel com os limites eletromecnicos. Executando 5.25
com T
= 22 10 6
max

N
Q = 200
m
2
m

e para o raio r otimizado em 8mm obtm-se

69

Pmax := 448.9018894 , ou seja aprox. 449W, o que perfeitamente compatvel com a

aplicao almejada (40W). A tenso RMS de sada tambm deve ser verificada passo-a-passo
para excluir um possvel desvio da aplicao, mas nesse caso, para o ltimo passo, a tenso
de sada de Vout := 100.3293970 , perfeitamente compatvel com a aplicao considerada.
Aps o processo de otimizao pode-se visualizar o circuito equivalente eltrico do
transformador piezoeltrico de modo radial, agora com o desempenho maximizado para a
aplicao em foco:

R1=10.19E9/Fs R=16.4

C= 288.2pF

R2=10.19E9/Fs
1:1

L= 3.12mH

C1=918.8pF

C2=918.8pF

Figura 60 Circuito equivalente eltrico obtido aps o processo de otimizao

Os parmetros finais do projeto, otimizado para a aplicao, ficam ento:

r = 8mm
t1 = t 2 = 2,1mm
FS 173kHz
RL 600
Ventrada = 90VRMS SMPS
Vsada 100VRMS

= 94,7%
max = 54 o C
Cermica de PZT-4 (Morgan)

Cujo rendimento, potncia na carga, potncia dissipada e temperaturas internas em funo de

FS e RL so descritos pelos seguintes grficos e para uma temperatura ambiente de 27oC:

70

Figura 61 Eficincia otimizada

Figura 62 Potncia na carga otimizada

Figura 63 Potncia dissipada otimizada

Figura 64 Temperatura interna otimizada

7.3 Sumrio da seo

1. Altos campos eltricos e altos nveis de stress mecnico degradam os valores de alguns
parmetros das cermicas de PZT, em especial os parmetros relacionados com a eficincia;
2. de suma importncia incluir esses efeitos no projeto de transformadores piezoeltricos,
visto que essas pequenas variaes podem afetar sensivelmente os resultados;
3. A eficincia e a temperatura de operao do transformador piezoeltrico dependem
fortemente da frequncia de chaveamento e do valor da carga que ele alimenta, portanto
grandes melhorias podem ser obtidas por um bom mtodo de otimizao, onde o dispositivo
projetado com o foco na aplicao;

71

4. Neste Captulo foi descrito um mtodo iterativo para a otimizao das dimenses do
transformador piezoeltrico de modo radial e da frequncia de chaveamento empregada no
conversor. Verificou-se que, alm dos ganhos substanciais no desempenho trmico, o volume
do dispositivo (e consequentemente as dimenses do conversor) foi bastante otimizado.

72

CAPTULO 8 RESULTADOS EXPERIMENTAIS

Um prottipo de transformador piezoeltrico de modo radial foi construdo para verificao
das definies apresentadas nos Captulos 2, 3, 4, 5, 6 e 7. O dispositivo prottipo foi
construdo pela ATCP do Brasil [19], empresa sediada em So Carlos e especializada em
cermicas ferroeltricas. Com base neste prottipo foram realizados ensaios tericos e
experimentais, a fim de verificar os resultados, bem como a consistncia dos mtodos
apresentados.

8.1 Construo do dispositivo prottipo e caracterizao

O prottipo foi realizado utilizando-se discos de cermica pr-polarizados de procedncia
indiana, da marca Sparkler [20]. Os discos so fornecidos polarizados na direo padro z
(eixo 3). O material o PZT-4, com eletrodos de prata. A preparao dos discos consistiu em
limpar as superfcies metalizadas, com uma lixa de gramatura 1500.
Em seguida, preparou-se o adesivo, que consiste de resina epxi com uma carga metlica,
sendo que esta obedece a uma distribuio de tamanho dos gros bem especfica. Por fim,
com o adesivo pronto, efetuou-se a colagem dos elementos primrio e secundrio (atuador e
transdutor) em prensa hidrulica, a uma temperatura de 100C por 60 minutos. Aps um
perodo de descanso de 24 horas efetuou-se a soldagem dos terminais.

Figura 65 O dispositivo prottipo

Dados geomtricos do prottipo:
r = 12mm

(raio)

73

t1 = t 2 = 1mm

(espessura dos elementos piezoeltricos)

Parmetros da cermica Sparkler SP-4 (PZT-4):

d 31 = 115 10 12

= 0,3

m
V

(fator de acoplamento eletro-mecnico)

(razo de Poisson)

s11E = 12 10 12

m2
N

33T
= 1250
0
= 7600

(compliance mecnica em baixo campo)

(permeabilidade eltrica relativa)

kg
m3

(densidade)

Qm = 500

(fator de qualidade mecnico em baixo campo)

tan = 0,004

(perdas dieltricas em baixo campo)

W
mK

(condutividade trmica da cermica)

C = 1,2

max = 90 o C

(temperatura mxima de trabalho)

Segundo o fabricante [20], todas as especificaes esto sujeitas a variaes de at 20%.

Com esses dados possvel, usando as definies obtidas em 2.2 e 4.1 e com a ajuda do
programa para Maple do Apndice A, obter o seguinte circuito equivalente eltrico:

R1= 9.27E9/Fs R= 2.36

C= 1.15nF

R2= 9.27E9/Fs
1:1

L= 1.61mH

C1= 4.29nF

C2= 4.29nF

Figura 66 Circuito equivalente eltrico terico para o prottipo de transformador radial

em baixo campo

74

Esse circuito equivalente eltrico est pronto para ser confrontado com o circuito equivalente
eltrico obtido atravs da caracterizao fsica do prottipo. Utilizando o mtodo descrito em
6.2 (baixo campo), obtm-se para o transformador prottipo as seguintes curvas:
Audio Precision

08/13/08 11:47:41

dx=-5.1111 kHz

1.1

dy=-.9637 V

1.05
1.0061
.95
.9
850m
800m
750m
700m
650m
600m
V

550m
500m
450m
400m
350m
300m
250m
200m
150m
100m
50m
41.93m
0
80k

81k

82k

83k

84k

85k

86k

87k

88k88.6444k
89k

90k

91k

92k

93k 93.7556k
94k

95k

96k

97k

98k

99k

100k

Hz
Sweep

Trace

Color

Line Style

Thick

Data

Axis

Comment

Blue

Solid

Anlr.Ampl

Left

Amostra 4 - lado*1.006
primrioV

Cursor1

Cursor2
*41.93 mV

Fig. 67 Curva do mdulo da impedncia versus frequncia, para o lado primrio

Audio Precision

08/20/08 13:35:53

dx=-4.8584 kHz

1.1

dy=-1.000 V

1.05
1.043
1
.95
.9
850m
800m
750m
700m
650m
600m
V

550m
500m
450m
400m
350m
300m
250m
200m
150m
100m
50m
43.14m
0
80k

81k

82k

83k

84k

85k

86k

87k

88k

89.2285k
89k
90k

91k

92k

93k

94.0869k
94k

95k

96k

97k

98k

99k

100k

Hz
Sweep

Trace

Color

Line Style

Thick

Data

Axis

Comment

Blue

Solid

Anlr.Ampl

Left

amostra 4 - lado*1.043
secundrio
V *43.14 mV

Cursor1

Cursor2

Fig. 68 Curva do mdulo da impedncia versus frequncia, para o lado secundrio

75

Dessas duas curvas obtm-se as frequncias de ressonncia e de antiressonncia, alm de se

medir do primeiro grfico o parmetro R diretamente. Para tanto, a escala provida pelo
Analisador Audio Precision de 1m = 1. Os parmetros C1 e C2 so obtidos diretamente
com o multmetro de bancada ICEL MD 6680 na funo de capacmetro. Com esses dados e
com a ajuda do programa listado no Apndice G, obtm-se o seguinte circuito equivalente
eltrico:

R1= 12E9/Fs

C= 0.5nF

R= 42

R2=9.3E9/Fs
1:0.9

L= 6.8uH

C2= 4.9nF

C1= 3.8nF

Figura 69 Circuito equivalente eltrico real para o prottipo de transformador radial em

baixo campo
Os resultados para o modelo terico e medido podem ser reunidos em uma tabela para
comparao:

Parmetro

Terico

Medido

Desvio relativo

0,9

-10%

C1 (nF)

4,29

3,8

-11,4%

C2 (nF)

4,29

4,9

14,2%

R ()

2,36

42

+1680%

L (mH)

1,61

6,8

+322%

C (nF)

1,15

0,5

-56,5%

116,60

88,5

-24,1%

fR radial (kHz)
(sada em curtocircuito)

fR =

1
2

1
LC

Tabela 1 Os parmetros tericos e experimentais para o prottipo

Os desvios encontrados sero comentados aqui. So devidos, primordialmente, a dois fatores:

76

1. O fabricante Sparkler especifica uma variao de at 20% para os parmetros de suas

cermicas de PZT [20]. Isso explica os erros de at 14% encontrados em C1 e C2 e de mais de
320% em L, pois nesse caso especfico trs parmetros esto elevados ao quadrado. O mesmo
se observa em menor escala para C, que possui 2 parmetros elevados ao quadrado. Para a
frequncia de ressonncia fR , o desvio devido aos desvios de L e C, ficando na casa dos
20%, certamente por ocorrerem cancelamentos da maior parte dos desvios presentes em L e C
individualmente.
2. O modelo ainda admite algumas simplificaes, sendo que a mais importante delas referese no incluso do processo de colagem e conseqente formao de interface entre os
elementos piezoeltricos. Isso afeta diretamente o fator de qualidade mecnico, pois mesmo
que este seja elevado no material cermico, certamente ser muito menor no material da
interface (adesivo epxi endurecido). O nico parmetro afetado por esse efeito R, que
representa as perdas mecnicas do dispositivo e que nesse caso foi o mais afetado de todos.
Devido a esses desvios serem de magnitude alm da esperada, para o prosseguimento da
anlise do prottipo se far uso somente dos parmetros reais, medidos em baixo campo.

8.2 Anlise a partir da caracterizao fsica

Com os dados fornecidos pela caracterizao fsica do dispositivo (medidos) e por meio dos
Apndices B, C e D, ir agora se fazer uma anlise de desempenho e em seguida comparar os
resultados tericos dessa anlise com os resultados experimentais obtidos. Escolheu-se uma
carga resistiva RL = 324,7 (medida) para servir de carga til, visando a obter a melhor
eficincia do prottipo. Por meio do Apndice E, obteve-se a melhor frequncia de operao
FS para essa carga e para as caractersticas do prottipo, a fim de maximizar a eficincia.
Escolheu-se tambm uma tenso de entrada SMPS de V = 29,13Vrms, por ser de fcil
obteno no laboratrio. Todos esses dados podem ser reunidos abaixo:
FS = 89,90kHz (otimizada pelo Apndice E);
Ventrada = 29,13Vrms;
RL = 324,7 (resistor de potncia comercial, valor real medido);
A = 22 o C .

77

Obtm-se, nestas condies, as seguintes figuras de anlise 3D e os seguintes resultados:

Figura 70 Eficincia

Figura 71 Potncia desenv. na carga

Figura 72 Potncia dissipada

Figura 73 Temperatura interna

Juntamente com Vsada = 28,38Vrms e temperatura interna mxima de 47C.

8.3 Procedimento experimental

O prottipo do transformador piezoeltrico foi conectado pelo seu lado secundrio ao resistor
de potncia que serve como carga e pelo seu lado primrio a um chaveador de potncia, que
produz uma onda quadrada (SMPS) ajustvel em frequncia (10kHz 200kHz) e em
amplitude (0-30Vrms), possuindo a seguinte configurao bsica (capacitor DC block ~
10uF):

78

DC varivel
(0-60V)

PT
DC block

RL

Controlador PWM
Frequncia varivel (10kHz - 200kHz)

Figura 74 Circuito bsico utilizado no ensaio experimental

Por meio deste circuito foi aplicado na entrada do prottipo uma tenso quadrada (SMPS), de
amplitude e frequncia ajustvel e ciclo de trabalho fixo em 50%. As formas de onda na
entrada e na sada do transformador foram amostradas diretamente da tela do osciloscpio
Tektronix TAS 465. Com a ajuda do analisador Audio Precision, configurado na funo de
voltmetro True-RMS, foram efetuadas medidas das tenses RMS e da frequncia de entrada
e sada do dispositivo prottipo, amostradas e exportadas pelo software APWIN. A
temperatura de operao do prottipo foi monitorada com o multmetro de bancada ICEL
MD 6680 na funo de termmetro tipo termopar, mantido em contato direto com uma das
faces metlicas do dispositivo e este foi mantido na posio vertical, em ambiente livre de
correntes de ar, onde a temperatura era controlada e mantida constante 22C.

8.4 Resultados e comparativos

A tenso aplicada ao primrio do dispositivo prottipo era da forma:

Figura 75 Tenso aplicada ao primrio do transformador prottipo

79

E possua o seguinte valor RMS e frequncia:

Figura 76 Valor RMS e a frequncia da amostra exibida na Fig. 75

J a tenso obtida no secundrio do dispositivo era da forma:

Figura 77 Tenso obtida no secundrio do transformador prottipo

Que comprova o funcionamento em modo ressonante, pois seu contedo foi filtrado at restar
quase que somente a frequncia fundamental (restanto apenas um pequeno contedo do modo
de vibrao de espessura). Ela tambm possua o seguinte valor RMS e frequncia:

Figura 78 - Valor RMS e a frequncia da amostra exibida na Fig. 77

Que mostra uma concordncia bem razovel com o valor terico predito de 28,38Vrms para a
Vsada.
80

A temperatura no dispositivo foi medida aps um perodo de aprox. 15 minutos, onde se

alcanou a temperatura final de regime estacionrio e apresentou um valor de:

Figura 79 Temperatura medida diretamente da face metlica do transformador prottipo

Sendo que o valor terico predito para a temperatura interna foi de 47C. Como no
possvel medir diretamente a temperatura interna, resta comparar o valor esperado para a
temperatura interna com o valor medido da temperatura externa; obtido diretamente das faces
metlicas do dispositivo. Esta temperatura est de acordo com as recomendaes do
fabricante [20], que especifica um mximo de 90C para as suas cermicas de PZT-4.
Finalmente, de posse do valor RMS para a tenso nos terminais da carga, pode-se calcular o
valor da potncia transferida, como sendo:

P( RL ) =

V rms2 _ saida
RL

2
(
27,18)
=

324,7

= 2,3W

Que tambm mostra boa concordncia com o grfico da Figura 70 para a potncia
desenvolvida na carga. A seguir, algumas fotos do arranjo experimental.

Figura 80 Transformador piezoeltrico prottipo conectado ao arranjo experimental

81

Figura 81 Chaveador de potncia alimentando o prottipo

Equipamentos utilizados nos ensaios deste Captulo:

Analisador de udio Audio Precision System One, com software APWIN 2.24 para
Windows Desvios: < 0,03% em frequncia e < 1% em amplitude;

Multmetro de bancada ICEL MD 6680 Desvios de 2,5% para capacmetro, de

0,8% para ohmmetro e de 1% para termmetro;

Osciloscpio analgico 100MHz Tektronix TAS 465.

8.5 Sumrio da seo

1. Os resultados obtidos para o modelo terico e os obtidos via caracterizao fsica no
apresentaram boa concordncia. Em parte essa discrepncia pode ser compreendida
observando que o fabricante da cermica especifica uma variao de at 20% para os
parmetros de suas cermicas de PZT. Tambm deve ser observado que o modelo empregado
admite algumas simplificaes, sendo que a mais importante refere-se no incluso do
processo de colagem e conseqente formao de interface entre os elementos piezoeltricos;
2. Os resultados obtidos via caracterizao fsica alimentando os modelos de anlise e
simulao apresentaram uma concordncia entre dados tericos e experimentais bastante
satisfatria, lembrando que a anlise terica foi realizada a partir do circuito equivalente
eltrico obtido por caracterizao fsica em baixo campo e que o ensaio experimental foi
realizado em alto campo. Mesmo considerando estas limitaes, os resultados mostram ser
possvel utilizar tais modelos na prtica, para o projeto e dimensionamento de
transformadores piezoeltricos de modo radial com foco na aplicao.

82

CAPTULO 9 CONCLUSES FINAIS E TRABALHOS FUTUROS

Neste trabalho discorreu-se sobre teoria de modelagem, anlise, simulao e otimizao de
transformadores piezoeltricos de modo radial. As informaes includas nos captulos
iniciais, em grande parte obtidas da literatura, foram complementadas por uma anlise
computacional desenvolvida para o aplicativo Maple. A partir deste ponto procurou-se refinar
o modelo com a incluso de efeitos que normalmente so desprezados, como as perdas
dieltricas, consideraes trmicas e os limites eletromecnicos; efeitos estes que limitam a
capacidade de potncia do dispositivo. Todos estes refinamentos esto devidamente
acompanhados de anlises e/ou simulaes desenvolvidas para o aplicativo Maple. De posse
desses resultados, um plano de otimizao com foco na eficincia e na compactao foi
desenvolvido, utilizando-se mtodos computacionais e com visualizao dos resultados em
forma grfica 3D. Demonstrou-se ao longo deste trabalho que o dispositivo transformador
piezoeltrico de modo radial pode ser aplicado em converso de potncia com praticidade e
que grandes melhorias no desempenho podem ser obtidas mediante os mtodos aqui
apresentados.
No Captulo 1 foi apresentado um breve histrico e estabelecidas s motivaes para esse
trabalho. Logo aps, no Captulo 2, foi descrito um modelo eltrico para o dispositivo (de
extrema importncia para o trabalho de anlise e otimizao). Um processo computacional de
anlise foi descrito no Captulo 3, visando a avaliar o desempenho eltrico do transformador
piezoeltrico de modo radial dentro da aplicao pretendida. Para tanto se lanou mo de
recursos computacionais e de programas escritos para o aplicativo de matemtica Waterloo
Maple. Dentro dessa proposta, foi traado um caminho para a futura otimizao do
dispositivo. Os resultados apresentados at este ponto ainda contm algumas limitaes,
devidas principalmente simplicidade do modelo apresentado.
Um aprimoramento do modelo bsico do Captulo 2 incluiu as perdas dieltricas. Novamente
recursos computacionais foram utilizados e programas desenvolvidos para a anlise deste
modelo, agora um pouco mais aprimorado e descrito no Captulo 4. Ficou claro que as perdas
dieltricas so de fundamental importncia em aplicaes de converso de potncia que
envolvam altas freqncias e mdias e grandes potncias.

83

Na parte central do trabalho, no Captulo 5, foram considerados os fatores que limitam a

transferncia de potncia do dispositivo os trmicos e os eletromecnicos. Os limites
eletromecnicos foram introduzidos a partir da literatura especializada. J a modelagem
trmica foi desenvolvida diretamente da teoria de conduo trmica de Fourier e aplicada ao
transformador piezoeltrico de modo radial. Com base nesses resultados agora possvel
impor limites de potncia ao dispositivo e de se estabelecer diretrizes de aplicao. Desde que
os fatores eletromecnicos impem limites claros para a mxima potncia a ser transferida,
estes agora podem ser determinados com preciso e orientar o projeto do dispositivo. A
modelagem trmica permite que se estabelea um primeiro limite para a mxima potncia
transferida, incluindo certas condies de trabalho tais como a temperatura ambiente. As duas
consideraes em conjunto estabelecem uma diretriz clara de aplicao e projeto.
Dois breves, mas suficientes mtodos de caracterizao fsica de transformadores
piezoeltricos foram fornecidos no Captulo 6. O mtodo que emprega o impedancmetro
HP4194A extremamente simples e direto, mas tratou-se de desenvolver uma alternativa,
para laboratrios que no possuam esse equipamento relativamente dispendioso.
No Captulo 7 foi desenvolvido um mtodo sistemtico e completo de otimizao de
transformadores piezoeltricos de modo radial, visando a aplicao e considerando o
importante fenmeno dos parmetros degradados. Com os resultados apresentados neste
Captulo, um projeto cuidadoso de transformador piezoeltrico de modo radial pode ser
implementado a partir da aplicao, onde os resultados desejados orientaro o projeto para o
mximo de eficincia e otimizao do volume do dispositivo.
Os estudos baseados na literatura, bem como os mtodos desenvolvidos durante este trabalho,
foram postos prova no Captulo 8, onde um prottipo de modo radial, construdo pela
ATCP do Brasil, foi caracterizado e testado, apresentando resultados experimentais em boa
concordncia com as predies tericas.
Os trabalhos futuros (inviveis para um mestrado com durao de dois anos), recomendados
para uma tese de doutorado, incluem:

84

1. O estudo de mtodos de preparao/construo de transformadores piezoeltricos que

obtenham melhores resultados globais, bem como melhor concordncia entre os parmetros
tericos e experimentais;
2. Estudos acerca das perdas mecnicas relacionadas interface atuador-transdutor (adesivo)
que neste trabalho foram consideradas inexistentes. Tal desenvolvimento dever ser
preferencialmente estrutural, com utilizao de softwares de clculos de elementos finitos;
3. O desenvolvimento de um mtodo de anlise trmica tambm estrutural e baseada em
clculos de elementos finitos, a fim de obter uma melhor descrio dos gradientes de
temperatura dentro da estrutura do dispositivo. Tal abordagem ser especialmente
interessante para transformadores piezoeltricos de alta potncia, que inevitavelmente estaro
associados a volumes maiores;
4. A elaborao de tcnicas e mtodos que estendam as limitaes trmicas dos
transformadores piezoeltricos de modo radial, de modo a permitir seu emprego em
aplicaes de grande densidade de potncia;
5. A extenso dos mtodos aqui desenvolvidos para a estrutura multi-layer (transformador
piezoeltrico de modo radial de vrias camadas).

85

REFERNCIAS
[1] Ikeda, T., Fundamentals of Piezoelectricity, Oxford University Press, 1990;
[2] Nye, J.F., Physical Properties of Crystals, Oxford University Press, 1957;
[3] Silk, M.G., Ultrasonic Transducers for Nondestructive Testing, Adam Hilger Ltd,
1984;
[4] Lin, R.L., Piezoelectric Transformer Characterization and Application of Electronic
Ballast, dissertation submitted to the Faculty of the Virginia Polytechnic Institute and State
University of the requirement for the Ph.D degree;
[5] Flynn, A.M. and Sanders, S.R., Fundamental Limits on Energy Transfer and Circuit
Considerations for Piezoelectric Transformers, Ieee Transactions on Power Electronics,
Vol. 17, No. 1, January 2002;
[6] Berlincourt, D. A., General Description of Piezoelectric Transformers, Morgan Electro
Ceramics Technical Publication TP-244;
[7] Barros, Marcelo H. M., Modelagem e Caracterizao de Transformadores
Piezoeltricos, Monografia de Concluso do Curso Tpicos de Fsica Aplicada I
Piezoeletricidade, Prof. Dr. J. A. Eiras, Programa de Ps-graduao em Fsica do
Departamento de Fsica da Universidade Federal de So Carlos, Dezembro de 2006;
[8] Anurag Kasyap, Ji-Song Lim, David Johnson, Stephen Horowitz, Toshikazu Nishida,
Khai Ngo, Mark Sheplak, and Louis Cattafesta, Energy Reclamation From a Vibrating
Piezoceramic Composite Beam, Ninth International Congress on Sound And Vibration;
[9] Gregory Ivensky, Isaac Zafrany and Sam Ben-Yaakov, Generic Operational
Characteristics of Piezoelectric Transformers, Power Electronics Laboratory, Department
of Electrical and Computer Engineering, Ben-Gurion University of the Negev, Israel;
[10] Huang, W., Design of a Radial Mode Piezoelectric Transformer for a Charge Pump
Electronic Ballast with High Power Factor and Zero Voltage Switching, Thesis submitted to
the faculty of the Virginia Polytechnic Institute and State University in partial fulfillment of
the requirements for the M.Sci. degree;
[11] Lin, C., Design and Analysis of Piezoelectric Transformer Converters, Dissertation
submitted to the Faculty of theVirginia Polytechnic Institute and State University in partial
fulfillment of the requirements for the Ph.D degree;
[12] Baker, E. M., Design of Radial Mode Piezoelectric Transformers for Lamp Ballast
Applications, Thesis submitted to the Faculty of the Virginia Polytechnic Institute and State
University in partial fulfillment of the requirements for the M.Sci. degree;

86

[13] Bronstein, S.,Piezoelectric Transformers in Power Electronics, Thesis submitted to

the Senate of Ben-Gurion University of the Negev in partial fulfillment of the requirements
for the Ph.D degree;
[14] Edminister, J., Circuitos Eltricos, 2. ed. McGraw-Hill, 1991;
[15] Gebhart, B., Heat Transfer, McGraw-Hill, 1961;
[16] Lucie, P., Fsica Trmica, Coleo de Fsica Bsica, Editora Campus, 1980;
[17] Reitz, Milford, Christy, Fundamentos da Teoria Eletromagntica, Editora Campus,
1982;
[18] Morgan Electro Ceramics web site; http://www.morganelectroceramics.com;
[19] ATCP do Brasil web site; http://www.atcp.com.br/;
[20] Sparkler Ceramics PVT. Ltd. web site; http://www.sparklerceramics.com/.

87

APNDICE A Programa para Maple de clculo dos parmetros do circuito

equivalente eltrico de transformadores piezoeltricos de modo radial
> "CLCULO DOS PARMETROS DO CIRCUITO EQUIVALENTE ELTRICO, PT DE MODO RADIAL":

restart;
epsilon_zero:= 8.85E-12: "[F/m]":
"Parmetros geomtricos do PT em [m]":
r:= : "entrar com o raio":
t1:= : "entrar com a espessura do elemento primrio":
t2:= : "entrar com a espessura do elemento primrio":
"Entrar com os parmetros da cermica no S.I.":
d31:= : "fator de acoplamento, [m/V]":
sigma:= : "Razo de Poisson":
s11:= : "s_11_E, compliance mecnica [m2/N]":
epsilon:= (
)*epsilon_zero: "permeabilidade eltrica relativa":
rho:= : "densidade, [kg/m3]":
Qm:= : "fator de qualidade mecnico":
Td:= : "tangente de delta/perdas dieltricas":
"PARMETROS DO CIRCUITO EQUIVALENTE ELTRICO":
C1:=((r^2*evalf(Pi))/t1)*epsilon*(1-(d31^2/((1-sigma)*s11*epsilon)));
C2:=((r^2*evalf(Pi))/t2)*epsilon*(1-(d31^2/((1-sigma)*s11*epsilon)));
R:=((t1+t2)*sqrt(2*rho*s11^3*(1-sigma)^3))/(32*r*Qm*d31^2);
R1:= 1/(2*(evalf(Pi))*Fs*C1*Td);
R2:= 1/(2*(evalf(Pi))*Fs*C2*Td);
C:=(32*r^2*d31^2)/(evalf(Pi)*(t1+t2)*(1-sigma)*s11);
L:=(rho*(t1+t2)*s11^2*(1-sigma)^2)/(16*evalf(Pi)*d31^2);
N:= 1;
Fr1:=1/(2*evalf(Pi)*sqrt(L*C)); "Frequncia de ressonncia com a sada em curtocircuito":
Caberto:=(N^2*C*C2)/(C+N^2*C2):
Fr2:=1/(2*evalf(Pi)*sqrt(L*Caberto)); "Frequncia de ressonncia com a sada em
aberto":

88

APNDICE B Programa para Maple de anlise 3D de transformadores piezoeltricos

de modo radial com o modelo que no inclui as perdas dieltricas
> "ANLISE 3D GANHO DE TENSO, EFICINCIA E POTNCIA, COMO FUNO DA CARGA (RL) E
DA FREQUNCIA SMPS (Fs), SEM INCLUIR AS PERDAS DIELTRICAS":

restart;
"Dados de sistema, dados da cermica e do dispositivo":
Vin:=: "entrar com a tenso RMS de entrada,

DC

50%":

"Entrar com o dados tericos do circuito equivalente eltrico":

C1:= :
C2:= :
R:= :
C:= :
L:= :
N:= :
"CLCULO DE Av, Zin, Pin, Pout e EFICINCIA, SEM PERDAS DIELTRICAS":
"Ganho de tenso, Av(RL,Fs)":
A1:=RL/N^2:
A2:=1/(I*2*evalf(Pi)*Fs*N^2*C2):
A3:=R+I*2*evalf(Pi)*Fs*L+(1/(I*2*evalf(Pi)*Fs*C)):
A4:=(A1*A2)/(A1+A2):
Av:= abs(N*A4/(A3+A4)):
"Impedncia de entrada, Zin(RL,Fs)":
Z5:=(1/(I*2*evalf(Pi)*Fs*C1)):
Zin:= (Z5*(A3+A4))/(Z5+A3+A4):
"Potncia de entrada, Pin(RL,Fs)":
Pin:= Re(Vin^2/Zin):
"Potncia de sada, Pout(RL,Fs)":
Pout:= ((Vin*Av)^2)/RL:
"Eficincia, Eff(RL,Fs)":
Eff:= (Pout/Pin)*100:
Effn:=Eff/100:
"Potncia dissipada":
Pd:= Pout*(1-Effn)/Effn:
> "GRFICOS 3D SEM PERDAS DIELETRICAS":

"plot3d(Av,RL=2..1000,Fs=100E3..140E3,axes=framed,style=patch,numpoints=5000,orient
ation=[20,52],lightmodel=light3,title=``)": "ganho de tenso":
"plot3d(Eff,RL=2..1000,Fs=20E3..200E3,axes=framed,style=patch,numpoints=5000,orient
ation=[20,52],lightmodel=light3,title=``)": "eficincia":
"plot3d(Pout,RL=10..1000,Fs=100E3..140E3,axes=framed,style=patch,numpoints=5000,ori
entation=[-20,52],lightmodel=light3,title=``)": "potencia de saida":
"plot3d(Pd,RL=10..1000,Fs=100E3..140E3,axes=framed,style=patch,numpoints=5000,orien
tation=[-20,52],lightmodel=light3,title=``)": "potencia dissipada":

89

APNDICE C Programa para Maple de anlise 3D de transformadores piezoeltricos

de modo radial com o modelo que inclui as perdas dieltricas
> "ANLISE 3D GANHO DE TENSO, EFICINCIA E POTNCIA, COMO FUNO DA CARGA (RL) E
DA FREQUNCIA SMPS (Fs), INCLUINDO AS PERDAS DIELTRICAS COMPLEMENTO AO APENDICE
C":

restart;
"Dados de sistema, dados da cermica e do dispositivo complementares ":
Td:= : "entrar com a tangente de delta/perdas dieltricas, alto campo":
> "CLCULO DE Av(d), Zin(d), Pin(d), Pout(d) e EFICINCIA(d), INCLUINDO AS PERDAS
DIELTRICAS":

"Ganho de tenso com perdas dieltricas, Avd(RL,Fs)":

AD2:=1/((N^2/R2)+(I*2*evalf(Pi)*Fs*N^2*C2)):
AD4:=(A1*AD2)/(A1+AD2):
Avd:= abs((N*AD4)/(A3+AD4)):
"Impedncia de entrada com perdas dieltricas, Zind(RL,Fs)":
ZD5:=(1/((1/R1)+(I*2*evalf(Pi)*Fs*C1))):
Zind:=(ZD5*(A3+AD4))/(ZD5+A3+AD4):
"Potncia de entrada com perdas dieltricas, Pind(RL,Fs)":
Pind:= Re(Vin^2/Zind):
"Potncia de sada com perdas dieltricas, Poutd(RL,Fs)":
Poutd:= ((Vin*Avd)^2)/RL:
"Eficincia com perdas dieltricas, Effd(RL,Fs)":
Effd:= (Poutd/Pind)*100:
Effdn:=Effd/100:
"Potncia dissipada":
Pdd:= Poutd*(1-Effdn)/Effdn:
> "GRFICOS 3D COM PERDAS DIELETRICAS":

"plot3d(Avd,RL=2..1000,Fs=100E3..140E3,axes=framed,style=patch,numpoints=5000,orien
tation=[20,52],lightmodel=light3,title=``)": "ganho de tenso":
"plot3d(Effd,RL=2..1000,Fs=20E3..200E3,axes=framed,style=patch,numpoints=5000,orien
tation=[20,52],lightmodel=light3,title=``)": "eficincia":
"plot3d(Poutd,RL=10..1000,Fs=100E3..140E3,axes=framed,style=patch,numpoints=5000,or
ientation=[-20,52],lightmodel=light3,title=``)": "potencia de saida":
"plot3d(Pdd,RL=10..1000,Fs=100E3..140E3,axes=framed,style=patch,numpoints=5000,orie
ntation=[-20,52],lightmodel=light3,title=``)": "potencia dissipada":

90

APNDICE D Programa para Maple de anlise 3D da temperatura de operao de

transformadores piezoeltricos de modo radial
> "ANLISE 3D - TEMPERATURA COMO FUNO DA CARGA (RL) E DA FREQUNCIA SMPS (Fs)
COMPLEMENTO AOS APENDICES C e D":
> "Entrar com os dados de sistema, dados da cermica e do dispositivo
complementares":

lambda:= : "condutividade trmica da cermica":

lambda1:= : "condutividade trmica do ar":
t1:= : "espessura do disco primrio":
r:= : "raio do disco":
To:=: "temperatura ambiente, em graus Celsius":
> "CLCULO DE TEMPERATURA, SEM PERDAS DIELTRICAS":
> "Temperatura no dispositivo":

Rc:=(t1/((lambda*2*evalf(Pi)*r^2))):
Ra:=(E-3/((lambda1*2*evalf(Pi)*r^2))):
Td:= To+(Pd*(Rc+Ra)):
> "CLCULO DE TEMPERATURA, COM PERDAS DIELTRICAS":
> "Temperatura no dispositivo":

Tdd:= To+(Pdd*(Rc+Ra)):
> "GRFICO 3D SEM PERDAS DIELETRICAS":

plot3d(Td,RL=10..1000,Fs=120E3..135E3,axes=framed,style=patch,numpoints=5000,orient
ation=[42,48],lightmodel=light3,title=``); "temperatura no dispositivo":
> "GRFICO 3D COM PERDAS DIELETRICAS":

plot3d(Tdd,RL=10..1000,Fs=120E3..135E3,axes=framed,style=patch,numpoints=5000,orien
tation=[42,48],lightmodel=light3,title=``); "temperatura no dispositivo":

APNDICE E Programa para Maple de otimizao da frequncia de operao SMPS

de transformadores piezoeltricos de modo radial
> "FREQUNCIA OTIMIZADA PARA MXIMA EFICINCIA A UMA DADA CARGA RL MODELO COMPLETO
COMPLEMENTO AOS APENDICES C, D e E":

RL:=: "entrar com a carga requerida pela aplicao SMPS":

maximize(Effd,Fs=20E3..200E3,location);

91

APNDICE F Programa para Maple de otimizao iterativa de transformadores

piezoeltricos de modo radial para aplicaes em converso de potncia
> "PROCESSO ITERATIVO DE OTIMIZAO, PT DE MODO RADIAL":
restart;
epsilon_zero:= 8.85E-12: "[F/m]":
"Entrar com os dados de sistema":
Vin:=: "tenso RMS de entrada, DC 50%":
To:=: "temperatura ambiente em graus Celsius":
"Entrar com os parmetros geomtricos do PT em [m]":
r:= : "raio a ser otimizado, estimativa inicial ou o resultado anterior":
t1:= : "espessura do elemento primrio":
t2:= : "espessura do elemento secundrio":
"Entrar com os parmetros da cermica":
d31:= : "fator de acoplamento, [m/V]":
sigma:= : "Razo de Poisson":
s11:= : "s_11_E, compliance mecnica [m2/N]":
epsilon:= (
)*epsilon_zero: "permeabilidade eltrica relativa":
rho:= : "densidade, [kg/m3]":
Qm:= : "fator de qualidade mecnico":
Td:= : "tangente de delta/perdas dieltricas":
lambda:= : "condutividade trmica da cermica":
"PARMETROS DO CIRCUITO EQUIVALENTE ELTRICO":
C1:=((r^2*evalf(Pi))/t1)*epsilon*(1-(d31^2/((1-sigma)*s11*epsilon)));
C2:=((r^2*evalf(Pi))/t2)*epsilon*(1-(d31^2/((1-sigma)*s11*epsilon)));
R:=((t1+t2)*sqrt(2*rho*s11^3*(1-sigma)^3))/(32*r*Qm*d31^2);
R1:= 1/(2*(evalf(Pi))*Fs*C1*Td);
R2:= 1/(2*(evalf(Pi))*Fs*C2*Td);
C:=(32*r^2*d31^2)/(evalf(Pi)*(t1+t2)*(1-sigma)*s11);
L:=(rho*(t1+t2)*s11^2*(1-sigma)^2)/(16*evalf(Pi)*d31^2);
N:= 1;
Fr1:=1/(2*evalf(Pi)*sqrt(L*C)); "Frequncia de ressonncia com a sada em curto-circuito":
Fr2:=1/(2*evalf(Pi)*sqrt(L*Caberto)); "Frequncia de ressonncia com a sada em aberto":
> "ANLISE 3D DA EFICINCIA COMO FUNO DA CARGA (RL) E DA FREQUNCIA SMPS (Fs)":
"Clculo de Av, Zin, Pin, Pout e Eficincia, sem perdas dieltricas":
"Ganho de tenso, Av(RL,Fs)":
A1:=RL/N^2:
A2:=1/(I*2*evalf(Pi)*Fs*N^2*C2):
A3:=R+I*2*evalf(Pi)*Fs*L+(1/(I*2*evalf(Pi)*Fs*C)):
A4:=(A1*A2)/(A1+A2):
Av:= abs(N*A4/(A3+A4)):
"Impedncia de entrada, Zin(RL,Fs)":
Z5:=(1/(I*2*evalf(Pi)*Fs*C1)):
Zin:= (Z5*(A3+A4))/(Z5+A3+A4):
"Potncia de entrada, Pin(RL,Fs)":
Pin:= Re(Vin^2/Zin):
"Potncia de sada, Pout(RL,Fs)":
Pout:= ((Vin*Av)^2)/RL:
"Eficincia, Eff(RL,Fs)":
Eff:= (Pout/Pin)*100:
"Clculo de Av(d), Zin(d), Pin(d), Pout(d) e Eficincia(d), com perdas dieltricas":
"Ganho de tenso com perdas dieltricas, Avd(RL,Fs)":
AD2:=1/((N^2/R2)+(I*2*evalf(Pi)*Fs*N^2*C2)):
AD4:=(A1*AD2)/(A1+AD2):
Avd:= abs((N*AD4)/(A3+AD4)):

92

"Impedncia de entrada com perdas dieltricas, Zind(RL,Fs)":

ZD5:=(1/((1/R1)+(I*2*evalf(Pi)*Fs*C1))):
Zind:=(ZD5*(A3+AD4))/(ZD5+A3+AD4):
"Potncia de entrada com perdas dieltricas, Pind(RL,Fs)":
Pind:= Re(Vin^2/Zind):
"Potncia de sada com perdas dieltricas, Poutd(RL,Fs)":
Poutd:= ((Vin*Avd)^2)/RL:
"Eficincia com perdas dieltricas, Effd(RL,Fs)":
Effd:= (Poutd/Pind)*100:
Effdn:=Effd/100:
"Potncia dissipada":
Pd:= Poutd*(1-Effdn)/Effdn:
"Temperatura no dispositivo":
Rc:=(t1/((lambda*2*evalf(Pi)*r^2))):
Ra:=(E-3/((lambda1*2*evalf(Pi)*r^2))):
Tdd:= To+(Pd*(Rc+Ra)):
"GRFICOS 3D INCLUINDO AS PERDAS DIELTRICAS":
plot3d(Effd,RL=200..2000,Fs=20E3..300E3,axes=framed,style=patch,numpoints=5000,orientation=[34
,52],lightmodel=light3,title=``); "Eficincia do dispositivo";
plot3d(Poutd,RL=100..1000,Fs=140E3..200E3,axes=framed,style=patch,numpoints=5000,orientation=[
34,52],lightmodel=light3,title=``); "Potncia desenvolvida na carga";
plot3d(Pd,RL=100..1000,Fs=140E3..200E3,axes=framed,style=patch,numpoints=5000,orientation=[34,
52],lightmodel=light3,title=``); "Potncia dissipada pelo dispositivo";
plot3d(Td,RL=100..1000,Fs=140E3..200E3,axes=framed,style=patch,numpoints=5000,orientation=[34,
52],lightmodel=light3,title=``); "Temperatura interna, em graus Celsius";
> "FREQUNCIA OTIMIZADA PARA MXIMA EFICINCIA A UMA DADA CARGA RL":
RL:= : "entrar com a carga requerida pela aplicao SMPS":
maximize(Effd,Fs=20E3..200E3,location);
> "TRANSFERNCIA DE POTNCIA EM ESTADO ESTACIONRIO LIMITADA ELETROMECANICAMENTE, SEM
CONSIDERAES TRMICAS":
Fs:= : "entrar com a frequncia de operao otimizada obtida na passagem anterior, [Hz]":
Tmax:= : "entrar com o stress max. tabelado pelo fabricante da cermica, [N/m2]":
Pmax:= Fs*s11*Tmax^2*evalf(Pi)*r^2*t1;
> "TEMPERATURA MXIMA PARA UM DADO RL E FS":
Td:= To+Pd*(t1/((lambda*evalf(Pi)*r^2))+20);
> "RAIO r PARA MAXIMIZAR A EFICINCIA DO PROXIMO STEP":
C2_otimo:=1/(2*(evalf(Pi))*Fs*RL):
r_otimo:=sqrt((1/(1-(d31^2/((1-sigma)*s11*epsilon))))*((C2_otimo*t2)/(epsilon*(evalf(Pi)))));

93

APNDICE G Programa para Maple para caracterizao de transformadores

piezoeltricos
> "Medida dos parmetros do circuito equivalente eltrico, via Fa e Fr":
restart;
"Lado primrio, entrar com os dados":
Frp:= E3: "frequncia de ressonncia com o secundrio em curto, em kHz":
Fap:= E3: "frequncia de anti-ressonncia com o secundrio em curto, em kHz":
C1:= E-9; "capacitncia em baixas frequncias, lado primrio, em nanofarads":
"Lado secundrio, entrar com os dados":
Frs:= E3:"frequncia de ressonncia com o primrio em curto":
Fas:= E3:"frequncia de anti-ressonncia com o primrio em curto":
C2:= E-9;"capacitncia em baixas frequncias, lado secundrio":
omega_r:=2*(evalf(Pi))*Frp:
omega_a:=2*(evalf(Pi))*Fap:
C:=C1*(((omega_a^2)/(omega_r^2))-1);
L:=1/((omega_r^2)*C);
omega_r_2:=2*(evalf(Pi))*Frs:
omega_a_2:=2*(evalf(Pi))*Fas:
Cs:=C2*(((omega_a_2^2)/(omega_r_2^2))-1):
Ls:=1/((omega_r_2^2)*Cs):
N:=sqrt(Ls/L);

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