Electronica Industrial

Tema 2. Circuitos con Diodos.
rev4
TEMA 2
CIRCUITOS CON DIODOS
Profesores:
Germn Villalba Madrid
Miguel A. Zamora Izquierdo
Departamento de Ingeniera de la Informacin y Comunicaciones
Universidad de Murcia
Tema 2. Circuitos con Diodos. rev4
CONTENIDO
Introduccin
Conceptos bsicos de semiconductores. Unin pn.
Diodo real. Ecuacin del diodo. Recta de carga.
Diodos zener.
Modelos del diodo
Modelo del diodo ideal.
Modelo completo del diodo.
Modelo del diodo zener.
Otros tipos de diodos.

Circuitos con diodos
Rectificadores. Filtrado.
Circuitos recortadores.
Circuitos fijadores.
Circuitos lgicos con diodos.
Estabilizadores de tensin zener.

Conmutacin y comportamiento en alta frecuencia. Capacidades.
INTRODUCCION
El diodo es el dispositivo electrnico ms simple. Es un semiconductor
de dos terminales (nodo y Ctodo) que ofrece una baja resistencia
del orden de los m en una polarizacin y del orden de los G en la
otra. Esto lo convierte en un componente adecuado como rectificador.
El diodo exhibe una relacin no lineal entre la tensin entre sus
terminales y la corriente que circula por l. En el anlisis de circuitos
con diodos, se pueden realizar algunas aproximaciones que faciliten la
resolucin del sistema.
Se estudian tambin algunos diodos de uso especial, como son los
zener, LED, fotodiodos y Schottky.
Los diodos permiten desarrollar circuitos con distintas aplicaciones,
destacando la rectificacin, en cualquiera de sus variantes.

CONCEPTOS BASICOS DE SEMICONDUCTORES INTRNSECOS

Materiales vlidos para la fabricacin de dispositivos electrnicos de
estado slido: silicio, germanio y arseniuro de galio.
Semiconductor Intrnseco (puro)
Cada par de tomos forma un enlace covalente con cada uno de los
cuatro tomos cercanos (disposicin tetradrica). Electrones de la capa de
valencia (grupo 4).
A 0 K, no existen electrones libres.
A 300 K, los electrones libres permiten flujo de una corriente si se aplica
una ddp. (Tiene mayor R que un conductor elctrico).
Concentracin de huecos (np) igual a concentracin de electrones libres
(ni) en un material puro.
Ambos tipos de portadores contribuyen al flujo de corriente.
Generacin: a mayor temperatura, mayor velocidad de generacin de
electrones libres y huecos (energa trmica).
Recombinacin: el hueco y el electrn libre se combinan formando un
enlace covalente.
La conductividad de un semiconductor intrnseco aumenta con la T.
CONCEPTOS BASICOS DE SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS
Semiconductor Extrnseco (impurificado)

Tipo N: impurezas donantes de electrones. Portadores mayoritarios
(electrones); Portadores minoritarios (huecos).
n = p + ND
n concentracin de electrones.
p concentracin de huecos
Nd concentracin tomos donantes.
Tipo P: impurezas aceptadoras de electrones (aportan huecos).

Portadores mayoritarios (huecos); Minoritarios (electrones).
Na concentracin tomos aceptadores
NA + n = p
Ley de accin de masas: en un tipo n, el valor de p se reduce (mayor

probabilidad de recombinacin). Se cumple que el producto de la
concentracin de huecos por la de electrones libres es constante a
una temperatura dada:
En el material intrnseco:
pn = pi ni pn = ni2
pi = ni

UNION pn NO POLARIZADA
Una unin pn consiste en un nico cristal semiconductor al cual se le han

aadido impurezas de manera que se obtiene un zona p y otra n.
Si estuviera formado por dos cristales independientes, antes de conformar
fsicamente la unin, se tendra una distribucin de portadores segn se
indica en la figura.
El elevado gradiente de
concentracin hueco-electrn a
lo largo de la unin, inicia un
proceso de difusin, creando
una zona de carga espacial
en la zona de unin.

DIFUSION PORTADORES EN UNION NO POLARIZADA

La zona de carga espacial
surge por la difusin de
portadores mayoritarios
desde las zonas de mayor a
menor concentracin.
El efecto principal del campo
elctrico de la zona de carga
espacial es una barrera de
potencial que impide la
circulacin de electrones.

UNION PN EN POLARIZACION INVERSA
Un diodo est inversamente polarizado,

si la tensin aplicada aumenta la zona
de carga espacial.
Los portadores mayoritarios son atrados
por cada uno de los terminales del
generador.
Si la tensin externa inversa es mayor
de unas dcimas de voltio, la corriente
de los portadores mayoritarios se reduce
casi a cero.
As, la corriente inversa estar formada por los portadores minoritarios, que
al ser muy pocos, da lugar a una corriente pequea, e independiente del
valor de la tensin inversa aplicada.
Sin embargo, al depender la concentracin de los portadores minoritarios de
la generacin trmica, a medida que aumente sta, tambin aumentar el
valor de la corriente inversa.
Si la tensin inversa es suficientemente alta, el campo elctrico es capaz de
romper los enlaces covalentes, lo que produce una gran cantidad de pares
hueco-electrn, y por tanto, un gran flujo de corriente inversa.
UNION PN EN POLARIZACION DIRECTA
La corriente total corresponde a la suma de la corriente debida a los huecos,

y la debida a los electrones.
A mayor distancia en cada una de las zonas desde la unin, la corriente
predominante corresponde a los huecos en la zona p, y a los electrones en la
zona n.
DIODO REAL - CARACTERISTICAS
Caracterstica del diodo.

Posee dos terminales (nodo y Ctodo).
Polarizacin DIRECTA:
Si Vd es > 0 voltios.
Polarizacin INVERSA:
Si Vd < 0 voltios.
En Directa la corriente fluye con facilidad.

En Inversa, al alcanzar la regin de
ruptura o zona de avalancha, el flujo de
corriente es elevado siempre y cuando no se
exceda la potencia mxima de disipacin.
Designacin caractersticas:
Vr: tensin inversa.

If(av): corriente media directa.
If(rms): corriente eficaz directa
Vf: cada de tensin directa.

10
DIODO REAL ECUACION DEL DIODO

v D / nVT
i
=
I
(
e
1)
La ecuacin del diodo (ecuacin de Shockley) es: D
S
Donde:
La tensin trmica es
Is es la corriente de saturacin inversa.
n es el coeficiente de emisin entre 1 y 2.
VT = k T / q
En la regin de polarizacin directa, los diodos de Si de pequea seal

conducen muy poca corriente (menos de 1 mA) hasta que se aplica
una tensin de 0,6 a 0,7 voltios (a temperatura ambiente).
A partir de dicha tensin (Vumbral), la corriente incrementa
rpidamente a pequeos aumentos de tensin.
La respuesta del diodo de Si a variaciones de temperatura es
de aproximadamente -2 mV/K.
En la regin inversa la corriente es aproximadamente de 1 nA. Si T
aumenta, tambin aumenta la I.
En la zona de ruptura, la corriente aumenta rpidamente. Existen
diodos especiales para trabajar en dicha zona (diodos Zener).
11
DIODO REAL RECTA DE CARGA
Aplicando la 2 Ley de Kirchhoff:

VSS = RiD + vD
Conocido el valor de Vss, R y la

curva caracterstica del diodo, se
puede obtener el punto de trabajo
del circuito.
La recta de carga se obtiene a
partir de los puntos de corte de la
ecuacin obtenida con los ejes
coordenados:
Fig. .- Polarizacin diodo.
Si id = 0 -> Vd = Vss; (pto A)

Si Vd = 0 -> id = Vss / R; (pto B)
Uniendo los dos puntos A y B, se

obtiene la recta de carga.
El punto de trabajo es la
interseccin entre la caracterstica
del diodo y la recta de carga.
12
RESISTENCIA DINAMICA DEL DIODO

En la zona de polarizacin positiva, antes de Vumbral la pendiente de
la recta que se aproxima a la caracterstica tiende a cero
(conductancia); por tanto, su resistencia ser elevada. Si se sobrepasa
la Vu, la pendiente es muy grande, y por tanto, la resistencia
reducida. As, la pendiente de la curva se modifica segn sea el punto
Q en el que se encuentre el diodo.
Suponiendo que la tensin continua de alimentacin hace que el diodo
trabaje en un punto de reposo, punto Q, y superponiendo una
pequea seal alterna, su comportamiento se aproximar al de una
1
resistencia segn:
di
r d = D
dvD Q
vD
diD
I
= S e nVT
dvD nVT
como e
vD
nVT
iD
+1
IS
sustituyendo y sup oniendo I S << I D

diD iD + I S
i
=
D
dvD
nVT
nVT
13
DIODO IDEAL
Es un modelo til que permite simplificar el

anlisis por medio de las siguientes
aproximaciones:
En polarizacin directa, el diodo acta como
un cortocircuito. (R = 0 ohmios).
En polarizacin inversa, el diodo se comporta
como un circuito abierto. (R = infinito)
En la Fig. , se representa la caracterstica i v de un diodo ideal.

Obsrvese, que en este modelo no existe
una tensin umbral en directa necesaria para
el inicio de la conduccin de corriente.
En el anlisis con diodos ideales, primero se supondr cuales estn en corte

y en conduccin. Posteriormente, si id es positiva en los diodos en
conduccin, y Vd negativa en los supuestamente en corte, la suposicin
inicial ser correcta.

14
MODELO COMPLETO DEL DIODO
En este modelo, se sustituye el diodo por un diodo ideal, en serie con

una fuente de tensin de valor la tensin umbral, y la resistencia en
directa.

15
OTROS TIPOS DE DIODOS
Diodos LED (Light Emiter Diode Diodo Emisor de Luz)

El diodo LED es un tipo especial de diodo, que trabaja como un diodo comn, pero
que al ser atravesado por una corriente emite luz proporcionalmente a la cantidad
de corriente que circula.
Existen diodos que emiten luz de diferentes longitud de onda segn el material del
que estn construidos. Existen diodos led Rojos, Amarillos, Verde, Ambar e
Infrarrojos.
La cada de tensin en directa est en el rango de 1,5 voltios a 2,2 voltios,
aproximadamente.
Fotodiodos
Realiza la funcin inversa al LED.
Si se polariza en inversa, y recibe energa luminosa, la cantidad de corriente inversa
ser proporcional a la intensidad incidente. (Es debida a los pares hueco-electrn
generados por los fotones).
Diodo Schottky
Se usan en aplicaciones de alta frecuencia y conmutacin rpida.
Diodo Zener
Trabajan en la zona de ruptura inversa.
16
CIRCUITOS CON DIODOS

Ejemplo anlisis de un circuito simple con diodos:

17
CIRCUITOS RECTIFICADORES
Circuitos Rectificadores: convierten la corriente alterna en corriente
continua (unidireccional). Tambin se conoce como convertidor AC-DC
Tipos:
Rectificadores de media onda
Rectificadores de onda completa
Con trafo de toma intermedia (dos diodos).
Con puente de diodos (cuatro diodos).
Conceptos bsicos de Transformadores Ideales

Trafo
Trafo con toma intermedia
Relacin Vmax & Vef

18
RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA
Cuando la tensin es positiva (intervalo 0 t ), el diodo se encuentra

polarizado en directa, y conducir la corriente (cada de 0.7 V).
Cuando la tensin es negativa, el diodo se polariza inversamente, no dejando
pasar corriente. En este intervalo el diodo soporta la tensin inversa impuesta
por la entrada.
Aplicando la 2 Ley de Kirchhoff, a los dos casos anteriores, se obtiene:
En directa, prcticamente la cada de tensin de la alimentacin est en bornes de
la carga.
En inversa, la cada de tensin la acapara el diodo por no circular corriente.
Diodo ideal 0,7 V

Vmsen ( t)
Diodo
real
(a) Diagrama del circuito
(b) Tensin de la fuente

en funcin del tiempo
(c) Tensin de la carga

en funcin del tiempo

19
RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA

La tensin de entrada es senoidal segn: vS = Vm sen t
El valor medio de la tensin Vo(dc) se obtiene realizando la integral:
VO ( DC )
1
=
2
1
vO d (t ) =
2
Vm sen t d (t ) =
Vm
= 0,318Vm
La corriente media para una carga resistiva R, se obtiene por la Ley

de Ohm.
El valor de la tensin eficaz (rms) ser:
VO ( rms )
1
=
2
Vm
V sen t d (t ) =
= 0,5Vm
2
2
m
La frecuencia de salida es igual a la de entrada

20
RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA CON TRAFO DE TOMA

INTERMEDIA
Consiste en dos rectificadores de media

onda con fuentes de tensin desfasadas
180.
El trafo asla (respecto de tierra) a la
carga de la corriente alterna de entrada.
Durante el ciclo positivo, conduce el diodo
A; durante el ciclo negativo, el diodo B
conduce rectificando la seal.
Voltaje medio o de continua:
VO ( DC ) =
2Vm
Frecuencia de salida
f out = 2 f in

21
RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA CON PUENTE DE DIODOS
Ciclo positivo de la entrada, los diodos A y B conducen.

Ciclo negativo de la entrada, los diodos D y C conducen.
Valor medio
f out = 2 f in
Frecuencia de salida
La configuracin en Puente ofrece las siguientes ventajas:
VO ( DC ) = 2Vm /
El valor del condensador para un cierto rizado, es la mitad; con lo cual se reduce el
tamao y el precio del sistema.
La corriente soportada por cada diodo es aproximadamente la mitad que para el de
media onda, reduciendo as el espacio ocupado por los diodos y el coste del diseo.
22
FILTRADO DE LA SEAL RECTIFICADA
La tensin de salida de un rectificador tiene una componente continua (valor

medio), y una parte fluctuante (componentes senoidales de varias frecuencias
o armnicos).
Se utilizan filtros de continua: L, C y LC. (L y LC en fuentes de alimentacin; C
en circuitos integrados).
Anlisis de un filtro L (superposicin):
En el circuito de continua, el valor de la tensin corresponde a la tensin

media. A 0Hz la reactancia inductiva es cero.
Al aumentar la frecuencia XL se hace ms grande (XL aumenta con el nmero
de armnico)
El filtro L produce una tensin de salida continua igual al valor medio de la
tensin rectificada.
23
FILTRO CON CONDENSADOR A LA ENTRADA
El condensador permite el paso de bajas

frecuencias hacia la carga, e impide el paso de
las altas frecuencias. (Filtro Paso Bajo).
El diodo slo conducir cuando la tensin de
entrada sea superior a la tensin mantenida por
el condensador.
Mientras la constante de tiempo RloadC sea
mucho mayor que el periodo, el condensador
permanece casi totalmente cargado y la tensin
en la carga es aproximadamente Vm
Se obtiene una componente continua, y sobre
ella, una componente alterna, cuyo valor de
rizado mximo depende del filtro,
El valor del rizado ser:
Q = Vr C , Q = I T Vr = I / FC
y en valor eficaz, el rizado es:
Vr ( ef ) =
I
2 2CF
siendo F = fin (Hz) en m.o. y 2fin en o.c. y p.d.

24
CIRCUITOS RECTIFICADORES. VOLTAJE DE PICO INVERSA

v2 = V p sen t
VPI = 2V p
VPI = V p
VPI = V p

25
CIRCUITOS RECORTADORES
Los circuitos recortadores son
aquellos que recortan una porcin
de la seal de entrada.
En el ejemplo, si la tensin de
entrada es superior a 6v, o inferior
a 9v, recorta a dichos valores la
seal de salida.

26
CIRCUITOS FIJADORES
Aaden una componente continua a una seal de entrada de CA.
Se obliga a los picos a tener un valor especificado.
En el ejemplo, el condensador desacopla la seal de entrada CA de la
alimentacin DC. Si la seal de entrada intenta forzar un valor de
tensin superior a 5V, el diodo entrar en conduccin.
El condensador se carga con la tensin mxima de la fuente, y en el
siguiente ciclo el diodo no conduce y el condensador se encontrar en
serie con la fuente.
La constante de tiempo
RC debe ser unas 10
veces mayor que el
periodo de la seal.

27
CIRCUITOS LOGICOS CON DIODOS

En el ejemplo, se muestra como crear dos puertas lgicas de 3
entradas haciendo uso de diodos.
No todas las funciones lgicas se pueden realizar con diodos; por

ejemplo, el inversor.

28
DIODOS ZENER O DIODOS DE AVALANCHA

Trabajan en la zona de ruptura inversa. Dos tipos:
Ruptura de avalancha (Aprox. Vz <= 5v).
Ruptura zener (Aprox. Vz > 5v).
Se usan para mantener constante la tensin en un punto.

Caractersticas del diodo zener:
1.8 v < Vz < 200 v (comercialmente)

Pmax: potencia mxima del diodo zener.
Izmin: intensidad mnima que polariza el zener en inversa.
Izmax: Pmax / Vz

29
MODELO DEL DIODO ZENER CON DIODOS IDEALES
En este modelo, se sustituye el

zener por dos diodos ideales en
paralelo, incluyendo en la rama
inversa una fuente de tensin con
valor la tensin zener.
Se le puede incluir en serie una Rz.

30
ESTABILIZACION DE LA TENSION DE SALIDA MEDIANTE ZENER
Los reguladores de tensin se

utilizan para suministrar una
tensin constante a la carga,
Vc arg a
100%
aunque flucte la tensin de Re gulacin fuente =
VSS
alimentacin.
La regulacin de entrada:
Re gulacin c arg a =
La regulacin de carga:
Vsin c arg a V plena c arg a

V plena c arg a

100%
31
ESTABILIZACION DE LA TENSION DE SALIDA MEDIANTE ZENER

Caractersticas Zener:
Vz: tensin zener
Izk: intensidad zener mnima para superar la rodilla de la
caracterstica y mantener as la Vz
Izt: intensidad de prueba.
Izm: intensidad zener mxima.
Polarizacin y clculo de R (valor hmico y potencia).

Clculo de la Rcmin.
Clculo de la Vin mxima y mnima para R dado.

32
ESTABILIZACION DE TENSION DE SALIDA MEDIANTE ZENER
Si en el circuito anterior, R=1k, y se utiliza un zener con las

caractersticas del grfico. Determinar la tensin de salida para Vss =
15 v y para 20 voltios. Determinar el porcentaje de regulacin de
entrada.
Re gulacin de entrada =
VCARGA
0.5
x 100% =
x100% = 10%
VSS
5

33
CONMUTACION Y COMPORTAMIENTO EN ALTA FRECUENCIA

Los dispositivos electrnicos de alta velocidad precisan que el cambio
de estados de conduccin y no conduccin sea rpido.
El almacenamiento de carga (capacidad) de la unin pn, afectar
negativamente a dicho requisito.
La capacidad (no lineal) en una unin pn se puede deber a:
Capacidad de transicin: est asociada al almacenamiento de carga en
la zona de carga espacial, en polarizacin inversa.
Capacidad de difusin: aparece a causa de los portadores minoritarios
almacenados en los lados opuestos de la unin con polarizacin directa.

34
CAPACIDAD DEL DIODO - CONMUTACION

A medida que la tensin de polarizacin inversa aumenta, la carga
almacenada en la zona de carga espacial tambin aumenta.
La carga en la zona espacial es similar a la carga almacenada en un
condensador de placas paralelas.
Cj: capacidad de transicin.
Cdif: capacidad de difusin.

35

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UNION PN EN POLARIZACION INVERSA

Un diodo est inversamente polarizado,

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UNION PN EN POLARIZACION DIRECTA

La corriente total corresponde a la suma de la corriente debida a los huecos,

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DIODO REAL - CARACTERISTICAS

Caracterstica del diodo.

En Directa la corriente fluye con facilidad.

Vr: tensin inversa.

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En la regin de polarizacin directa, los diodos de Si de pequea seal

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DIODO REAL RECTA DE CARGA

Aplicando la 2 Ley de Kirchhoff:

Conocido el valor de Vss, R y la

Fig. .- Polarizacin diodo.

Si id = 0 -> Vd = Vss; (pto A)

Uniendo los dos puntos A y B, se

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RESISTENCIA DINAMICA DEL DIODO

sustituyendo y sup oniendo I S << I D

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Es un modelo til que permite simplificar el

En la Fig. , se representa la caracterstica i v de un diodo ideal.

En el anlisis con diodos ideales, primero se supondr cuales estn en corte

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