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DEFINICION DE MEMORIA
Las memorias son dispositivos electrnicos de almacenamiento de datos
binarios, retienen informacin a un largo o corto periodo de tiempo. Este tipo de
formato numrico es utilizado por los computadores y dems equipos del
presente para realizar distintos procesos
TIPOS DE MEMORIA
FLASH
MEMORIA RAM
RAM son las siglas de random access memory, un tipo de memoria de
ordenador a la que se puede acceder aleatoriamente; es decir, se puede
acceder a cualquier byte de memoria sin acceder a los bytes precedentes. La
MEMORIA ROM
Las memorias de slo lectura (ROM, read-only memory) son, al igual que
las RAM, memorias de acceso aleatorio, pero, en principio, no pueden cambiar
su contenido. Tampoco se borra la informacin de ellas si es interrumpida la
corriente, por lo tanto es una memoria no voltil.
La ROM forma parte del grupo de componentes llamados dispositivos lgicos
programables (PLD, programmable logic devices), que emplean la informacin
almacenada para definir circuitos lgicos.
Este tipo de memorias suele almacenar datos bsicos y la configuracin del
ordenador para ser usado, principalmente, en el arranque del mismo. Por
ejemplo, la BIOS y su configuracin suele almacenarse en este tipo de
memorias.
Las caractersticas fundamentales de las memorias ROM son:
1. Alta densidad: la estructura de la celda bsica es muy sencilla y permite altas
integraciones.
2. No voltiles: el contenido de la memoria permanece si se quita la
alimentacin.
3. Costo: dado que la programacin se realiza a nivel de mscaras durante el
proceso de fabricacin, resultan baratas en grandes tiradas, de modo que el
costo de fabricacin se reparte en muchas unidades y el coste unitario baja.
4. Slo lectura: nicamente son programables a nivel de mscara durante su
fabricacin. Su contenido, una vez fabricada, no se puede modificar.
MEMORIA PROM
Las PROM (Programmable ROM) son memorias ROM vrgenes que se hallan
dispuestas para ser programadas por el adquiridor para su aplicacin
especfica.
Este tipo de memoria que puede ser programada una sola vez a travs de un
programador PROM. Estn compuestas de fusibles (o antifusibles) que slo
pueden ser quemados una vez. Una memoria PROM sin programar se
encuentra con todos los fusibles sin ser quemados, o sea, valor 1. Cada fusible
quemado corresponde a un 0 produciendo una discontinuidad en el circuito.
Estas memorias se van programando aplicando pulsos elctricos.
Fue creada en 1956 por Wen Tsing Chow en Nueva York a pedido de la Fuerza
Area estadounidense para conseguir una forma segura de almacenar las
constantes de los objetivos en la computadora del misil MBI Atlas E/F.
Actualmente siguen siendo utilizadas en misiles, satlites, etc.
Las Aplicaciones ms importantes:
Microprogramacin. Librera de subrutinas. Programas de sistema. Tablas de
funcin.
MEMORIA EPROM
Las EPROM, o Memorias slo de Lectura Reprogramables, se programan
mediante impulsos elctricos y su contenido se borra exponindolas a la luz
ultravioleta (de ah la ventanita que suelen incorporar este tipo de circuitos), de
manera tal que estos rayos atraen los elementos fotosensibles, modificando su
estado.
Al ser programadas, puede borrarse su contenido mantenindolas expuestas a
una luz ultravioleta fuerte. Esto sucede porque los fotones de luz ultravioleta
excitan los electrones de las celdas, lo que produce que se descarguen. Los
tiempos medios de borrado de una EPROM, por exposicin a la luz ultravioleta,
oscilan entre 10 y 30 minutos. Las EPROM pueden retener los datos entre diez
y veinte aos, y pueden ser ledas ilimitadas veces.
MEMORIA EEPROM
La memoria EEPROM es programable y borrable elctricamente y su nombre
proviene de la sigla en ingls Electrical Erasable Programmable Read Only
Memory.
Las celdas de memoria de una EEPROM estn constituidas por un transistor,
que tiene una compuerta flotante, su estado normal est cortado y la salida
proporciona un 1 lgico.
Aunque una EEPROM puede ser leda un nmero ilimitado de veces, slo
puede ser borrada y reprogramada entre 100.000 y un milln de veces
Ventajas de la EEPROM:
Las palabras almacenadas en memoria se pueden borrar de forma individual.
Para borra la informacin no se requiere luz ultravioleta.
Las memorias EEPROM no requieren programador.
De manera individual puedes borrar y reprogramar elctricamente grupos de
caracteres o palabras en el arreglo de la memoria.
Para reescribir no se necesita hacer un borrado previo.
Se pueden conectar fcilmente con microprocesadores o microcontroladores,
algunas de estas memorias tienen pines para realizar esta labor.
Transferencia de datos de manera serial, lo que permite ahorro del micro para
dedicarlo a otras funciones.
El consumo de corriente es mucho menor que en las memorias que trabajan en
paralelo.
MEMORIAS FLASH
Es un tipo de memoria no voltil que pueden borrarse y reescribirse fcilmente.
Suele ser usadas en celulares, cmaras digitales, PDAs, reproductores
porttiles, discos rgidos, etc. El trmino Memoria Flash fue acuado por
Toshiba, por su capacidad para borrarse en un flash (instante).
Son una evolucin de las memorias EEPROM que permiten que mltiples
posiciones de memoria sean escritas o borradas en una misma operacin
mediante impulsos elctricos. Por esta razn, este tipo de memorias funcionan
a velocidades muy superiores cuando los sistemas emplean lectura y escritura
actualmente
Acceso aleatorio
Una memoria es de acceso aleatorio cuando el tiempo de acceso a cualquier
posicin de memoria es siempre el mismo.
Cadencia de transferencia
Es la velocidad a la cual la memoria acepta informaciones de lectura o escritura
(Bits por segundo)
Capacidad
Es el nmero de palabras o de bits que la memoria puede almacenar. Se
denomina tambin volumen.
Densidad de informacin
Es el nmero de informaciones por unidad de volumen fsico.
Volatilidad
Es el defecto de una memoria que pierde la informacin almacenada, si se
produce un corte de alimentacin
MEMORIAS. CLASIFICACION GENERAL
Las memorias pueden clasificarse atendiendo a diversos parmetros:
Por el modo de acceso:
Acceso Aleatorio (RAM)
Acceso Secuencial
Asociativas
Por el modo de almacenamiento:
Voltiles
No voltiles
Por el tipo de soporte
Semiconductoras
Magnticas
De papel
Por su funcin o jerarqua
Tampn o borrador: (LIFO,FIFO)
Central o Principal
De masas
POR LA FORMA DE ACCESO
Memorias de Acceso Aleatorio. Denominadas usualmente RAM (Ramdon
Access Memory), son memorias en las que cualquier informacin puede leerse
o escribirse con el mismo tiempo de acceso, cualquiera que sea la clula de
memoria
elegida.
Memoria de acceso secuencial o serie.- Para la lectura o escritura de una
determinada clula, espreciso leer todas las clulas que le preceden
fsicamente
Memoria asociativa.- Es una memoria direccionable por su contenido, no por
una direccin.
POR EL MODO DE ALMACENAMIENTO
Memoria voltil.- Es aquel tipo de memoria que pierde la informacin en ella
almacenada,
al
cortar
la
alimentacin.
Memoria no voltil.- Retienen la informacin en modo permanente an despus
de eliminar o cortar la alimentacin
POR EL TIPO DE SOPORTE
Fig. 1
Su funcionamiento es el siguiente:
Ciclo de lectura
Ciclo de escritura
CS
AUTORIZACION DE FUNCIONAMIENTO
Una vez expuesto el principio de una memoria RAM en general, vamos a ver
cmo
estn
realizadas
las
de
tipo
semiconductor.
Se pueden clasificar en dos grupos:
Las RAM estticas estn basadas en estructuras biestable con un tipo de
transistor
u
otro.
Las RAM dinmicas estn formadas por clulas dinmicas, (registros de
desplazamiento dinmicos), las cuales estn basadas en el aprovechamiento
de las capacidades estructurales de los transistores MOS, para almacenar una
carga determinada.
Como sabemos, cada clula de memoria es capaz de almacenar 1 bit. Sin
embargo, la forma de trabajo habitual de los sistemas digitales, obliga a
almacenar grandes cantidades de informacin, bien en forma de bits aislados,
o
bien
en
forma
de
palabras.
Ello da lugar a dos tipos diferentes de organizacin de las memorias RAM
En la organizacin por palabras, al direccionar una posicin de memoria, se
tiene a la salida una palabra que puede estar constituida por 6, 8, 12, 16, 32, 64
incluso
ms
bits.
Sin embargo, al direccionar una posicin de memoria organizada en bits, slo
se obtiene un bit de salida.
Para poder introducir datos en la memoria, y para poder sacarlos de ella, cada
posicin de memoria viene dada por su correspondiente "direccin". La
direccin es, pues, una palabra binaria que define la posicin. Es importante
distinguir entre lo que es una direccin de una posicin de memoria, y el dato
que
puede
ser
almacenado
en
esa
direccin.
En general a nivel de pastillas de memoria en C.I. los fabricantes, ponen a
disposicin del usuario organizaciones de un bit (por ejemplo: 256 X 1 bits,
4096 x 1 bits, tc.) que asociadas en paralelo permiten obtener palabras de la
longitud requerida.
Memoria
RAM
esttica.Las memorias estticas tiene clulas de memoria en forma de flip-flops o
biestables. Por tanto, como los flip-flops pueden ser unos ms rpidos que
otros, as ocurrir con las memorias. Si se desea una memoria rpida puede
elegirse una RAM a base de flip-flops en TTL Schottky o ECL. Si se desea una
memoria barata aunque lenta, puede realizarse a partir de flip-flops con MOS.
ENTRADAS/SALIDAS
l
a
b
r
a
LINEA DE SELECCION
DE PALABRA
Los transistores T1 y T2 trabajan en conmutacin y son los encargados de
almacenar el bit de informacin. Por su parte T3 y T4 actan como puerta de
intercambio con el exterior. Cada uno de ellos canaliza una informacin binaria
(0 1) desde la lnea de bit correspondiente hasta el transistor de
almacenamiento
Cuando T3 y T4 se hallen en reposo, el biestable permanece aislado del
exterior,
preservando
la
informacin
memorizada.
La escritura de un bit "0" "1" se produce al excitar, a travs de T3 o T4 , al par
T1-T2; uno de los dos transistores pasar a saturacin, mientras que el otro
evolucionar hacia el estado de bloqueo (OFF) Dependiendo de la transicin
de estados del par T1-T2 , el punto de memoria almacenar un estado lgico u
otro.
Para leer la informacin almacenada, se introduce un impulso de tensin a
travs de la lnea de seleccin, lo que provocar una corriente a travs de la
rama T1-T3 o T2-T4, segn sea "0" o "1" el bit almacenado.
En definitiva, la lectura se efecta detectando la presencia de corriente en una
u
otra
lnea
de
bit.
Para terminar, diremos que el mayor inconveniente de las RAM estticas lo
constituyen su elevado consumo energtico, comparativamente con las
dinmicas. Ello se debe, como hemos visto, a que las resistencias R1 y R2
consumen permanentemente, al mantener el estado lgico en el que se halla
posicionado
el
biestable.
El hecho de que cada celda de memoria incorpore un notable nmero de
componentes, tambin limita las posibilidades de integracin de este tipo de
memorias.
D3 A3
D4 A4
D5 A5
D6 A6
D7 R/W
CS0 CS5
CS1 CS4
CS2 CS3
RAM esttica 2114
Tiene una estructura de 1024 palabras de 4 bits
Cada uno de los cuatro bits dato es bidirecional, con lgica tri-estado para
permitir su desconexin virtual del bus de datos.
Las lneas de control son dos:
CS y WE
Esta segunda lnea es equivalente a R/W; si WE = 0 la operacin efectuada
ser de escritura; y si WE = 1 ser de lectura.
Sus caractersticas ms sobresalientes son:
Organizacin 1024 X 4 bits
Tecnologa NMOS
Alimentacin 5 V
Disipacin tpica 300 mW
E/S datos Bidireccional y tri-estado
Encapsulado DIL 18 patillas
Vemos que para direccionar 1024 posiciones necesitamos 10 patillas puesto
que 210=1.024
Para los datos, como son palabras de 4 bits necesitaremos 4 patillas
Para indicar Lectura o Escritura (R/W) necesitamos 1 patilla
Para selecccionar el integrado CS (Chip Select) 1 patilla
Para alimentacin 2 patillas
El nmero de patillas del integrado es pues de 18.
A6 Vcc
A5 A7
A4 A8
A3 A9
A0 I/O1
A1 I/O2
A2 I/O3
CS I/O4
GND WE
Memorias Comerciales
Las memorias son circuitos integrados cuyos pines se hayan en ambos lados de la
cpsula, formando dos lneas o hileras de pines (DIP) y generalmente se fabrican con
capacidades de orden de Kilobytes o Megabytes mltiplos de 8, por ejemplo 8k, 16k,
32k, 64k, 128k, o 8M, 16M, 32M, etc
memorias vistas.
MEMORIA SRAM - MCM6264C
Esta memoria fabricada por Motorola y desarrollada con tecnologa CMOS tiene una
capacidad de 8K x 8. Los tiempos de lectura y escritura del integrado son de
aproximadamente 12 ns y tiene un consumo de potencia aproximado de 100 mW
MEMORIA DRAM 4116
El CI 4116 es una memoria DRAM de 16K x 1. La estructura interna de este integrado se
encuentra constituida por un arreglo de 128 filas y 128 columnas donde cada uno de los
bits se ubican con una direccin de 14 bits. En la figura 10.5.3 se muestra la disposicin
de los pines del circuito integrado. Observe que la entrada de direcciones es de 7
(A0...A6). La razn de poseer 7 pines y no 14, se debe a que estos tienen funcin doble,
por ejemplo la entrada A0 se utiliza para establecer los valores de los bits A0/A7
direccin de memoria que se quiere acceder.
MEMORIAS PROM - 74S473
Esta memoria tiene una capacidad de 512 palabras de 8 bits.
MEMORIA EPROM - 27C16B
Esta memoria de 24 pines tiene una capacidad de 2048 palabras de 8 bits, es decir
2KB. Las salidas de esta memoria son triestado, lo que permite escribir o leer los datos
con el mismo bus de datos.
MEMORIA EEPROM - 28C64A
Esta memoria tiene una capacidad de 8K X 8 y tiene caractersticas diferentes a las
dems. La informacin almacenada puede perdurar aproximadamente 100 aos y
puede soportar hasta 100.000 ciclos de grabado y borrado.
MEMORIA FLASH - 27F256
La capacidad de esta memoria es de 32K X 8 y como memoria Flash tiene la
caracterstica particular de ser borrada en un tiempo muy corto (1 seg.). El tiempo de
programacin por byte es de 100 ms y el tiempo de retencin de la informacin es de
aproximadamente 10 aos