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ELECTRNICA

FISICA
TEMA: Diodos
CARRERA: Ing. Electrnica
FECHA
DE
24/04/2013
PROFESOR
Nybeiro

ENTREGA:

TITULAR:

Daniel

ALUMNOS:

Pablo

Cornelli

(pablocosquin05@gmail.com)

Gonzalo

de

la

Prida

(gdelaprida@hotmail.com)

Walter

Roque

Galian

(wrrgalian@gmail.com)

UNIVERSIDAD CATOLICA DE
CORDOBA

ELECTRONICA FISICA
DIODOS

Cornelli,
De la Prida, Galian

FACULTAD DE INGENIERIA
AO 2015
FOTODIODO:
Clasificacin diodos sensibles a la luz
Convierten la energa luminosa en una carga, una corriente elctrica o la variacin
de un parmetro elctrico.
Los ms utilizados son:
- Fotorresistencia
- Fotodiodo
- Fototransistor
- Fotosensor capacitivo

FOTODIODO

El fotodiodo se
parece mucho a un diodo
semiconductor comn, pero tiene una caracterstica que lo hace muy especial: es un
dispositivo que conduce una cantidad de corriente elctrica proporcional a la cantidad de
luz que lo incide (lo ilumina). Esta corriente elctrica fluye en sentido opuesto a la flecha
del diodo y se llama corriente de fuga. El fotodiodo se puede utilizar como dispositivo
detector de luz, pues convierte la luz en electricidad y esta variacin de electricidad es la
que se utiliza para informar que hubo un cambio en el nivel de iluminacin sobre el
fotodiodo.
Tambin reciben la denominacin de sensores opto electrnicos y pueden ser
sensibles a la luz ultravioleta, visible o infrarroja.

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Si el fotodiodo es polarizado en directa, la luz que incide no tendra efecto sobre l


y se comportara como un diodo semiconductor normal. (Recuerde, el fotodiodo trabaja
en inversa). La mayora de los fotodiodos vienen equipados con un lente que concentra la
cantidad de luz que lo incide, de manera que su reaccin a la luz sea ms evidente. A
diferencia del LDR o fotorresistencia, el fotodiodo responde a los cambios de oscuridad a
iluminacin y viceversa con mucha ms velocidad, y puede utilizarse en circuitos con
tiempo de respuesta ms pequeo. Esta cualidad tambin la tienen los fototransistores

FUNCIONAMIENTO y COMPOSICION
El diodo en el que se generan pares electrn-hueco cuando inciden sobre l
fotones que poseen una energa superior a la banda prohibida.
Si un fotodiodo iluminado se polariza inversamente, los electrones y los huecos
generados por los fotones que se desplazan hacia la zona N y la P respectivamente.
Si se cierra el circuito externo se produce una corriente denominada fotocorriente.

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La energa necesaria para que los electrones traspasen la banda prohibida


depende del tipo de semiconductor utilizado.
Por ello los fotodiodos son sensibles a radiaciones luminosas de diferente l segn
el material con el que estn construidos.

Semiconductores

Energa de la banda
prohibida, Eh (eV)

Longitud de onda de
corte, h (nm)

Si

1,12

1100

Ge

0,66

1870

InP

1,35

910

InGaAsP

0,89

1400

InGaAs

0,75

1650

Valores de la energa de la banda prohibida y de la longitud de onda de corte para


diferentes semiconductores
Espectro electromagntico relacionado con la sensibilidad de diferentes

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LDR - Resistencia dependiente de la luz - Fotoresistencia


El LDR (Light Dependent Resistor) o resistencia dependiente de la luz o
tambin fotoclula, es una resistencia que vara su resistencia en funcin de la luz
que incide sobre su superficie. Cuanto mayor sea la intensidad de la luz que
incide en la superficie del LDR menor ser su resistencia y cuanto menos luz
incida mayor ser su resistencia.

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Smbolo electrnico

Material de Fabricacin
Los materiales fotosensibles ms utilizados para la fabricacin de las resistencias
LDR son, el sulfuro de talio, el sulfuro de cadmio, el sulfuro de plomo, y el seleniuro de
cadmio.

Funcionamiento
Cuando la LDR no est expuesta a radiaciones luminosas los electrones estn
firmemente unidos en los tomos que la conforman pero cuando sobre ella inciden
radiaciones luminosas esta energa libera electrones con lo cual el material se hace ms
conductor, y de esta manera disminuye su resistencia.
Las resistencias LDR solamente reducen su resistencia con una radiacin
luminosa situada dentro de una determinada banda de longitudes de onda. Las
construidas con sulfuro de cadmio son sensibles a todas las radiaciones luminosas
visibles, las construidas con sulfuro de plomo solamente son sensibles a las radiaciones
infrarrojas.

Valor hmico
Si medimos entre sus extremos nos encontraremos que pueden llegar a medir en
la oscuridad valores cercanos al Mega Ohm (1M) y expuestas a la luz mediremos
valores en el entorno de los 100 .

Tiempo de respuesta
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El tiempo de respuesta tpico de un LDR est en el orden de la dcima de


segundo.

Aplicaciones
Se emplean en iluminacin, apagado y encendido de alumbrado (interruptores
crepusculares), en alarmas, en cmaras fotogrficas, en medidores de luz. Las de la
gama infrarroja en control de mquinas y procesos de contaje y deteccin de objetos.

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DIODO LED
Introduccin:
Un led (del acrnimo ingls LED, light-emitting diode: diodo emisor de luz) es un
componente optoelectrnico pasivo y, ms concretamente, un diodo que emite luz.

Utilizacin:
Los ledes se usan como indicadores en muchos dispositivos y en iluminacin. Los
primeros ledes emitan luz roja de baja intensidad, pero los dispositivos actuales emiten
luz de alto brillo en el espectro infrarrojo, visible y ultravioleta.
Debido a su capacidad de operacin a altas frecuencias, son tambin tiles en
tecnologas avanzadas de comunicaciones y control (comunicacin por fibra ptica). Los
ledes infrarrojos tambin se usan en unidades de control remoto de muchos productos
comerciales incluyendo equipos de audio y video (sensores infrarrojos, opto transistores,
etc.).

Polaridad:
Existen tres formas principales de conocer la polaridad de un led:

La pata ms larga siempre va a ser el nodo.


En el lado del ctodo, la base del led tiene un borde plano.

Dentro

del led, la plaqueta indica el nodo. Se puede reconocer porque es ms


pequea que el yunque, que indica el ctodo.

Representacin simblica del led

Ventajas:
Los ledes presentan muchas ventajas sobre las fuentes de luz incandescente y
fluorescente, tales como: el bajo consumo de energa, un mayor tiempo de vida, tamao
reducido, resistencia a las vibraciones, reducida emisin de calor, no contienen mercurio
(el cual al exponerse en el medio ambiente es altamente nocivo), en comparacin con la
tecnologa fluorescente, no crean campos magnticos altos como la tecnologa de
induccin magntica (con los cuales se crea mayor radiacin residual hacia el ser
humano; reducen ruidos en las lneas elctricas) son especiales para utilizarse con
sistemas fotovoltaicos (paneles solares) en comparacin con cualquier otra tecnologa
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actual; no les afecta el encendido intermitente (es decir pueden funcionar como luces
estroboscpicas) y esto no reduce su vida promedio, son especiales para sistemas anti
explosin ya que cuentan con un material resistente, y en la mayora de los colores (a
excepcin de los ledes azules), cuentan con un alto nivel de fiabilidad y duracin.

Desventajas:
Segn un estudio reciente parece ser que los ledes que emiten una frecuencia de
luz muy azul, pueden ser dainos para la vista y provocar contaminacin lumnica. Los
ledes con la potencia suficiente para la iluminacin de interiores son relativamente caros
y requieren una corriente elctrica ms precisa, por su sistema electrnico para funcionar
con voltaje alterno, y requieren de disipadores de calor cada vez ms eficientes en
comparacin con las bombillas fluorescentes de potencia equiparable.

Funcionamiento:
Cuando un led se encuentra en polarizacin directa, los electrones pueden
recombinarse con los huecos en el dispositivo, liberando energa en forma de fotones.
Este efecto es llamado electroluminiscencia y el color de la luz (correspondiente a la
energa del fotn) se determina a partir de la banda de energa del semiconductor. Por lo
general, el rea de un led es muy pequea (menor a 1 mm2), y se pueden usar
componentes pticos para ampliar se radiacin. Comienza a lucir con una tensin de
unos 2 Voltios.

Un poco de historia:
Primeras observaciones:
Henry Joseph Round fue la primera persona en observar luz emitida por un diodo de
Carburo de Silicio en 1907.
Desarrollo
Oleg Vladimrovich Lsev desarroll el primer led en 1927.
Invencin
Nick Holonyak invent el led en 1962 en Nueva York.
Ledes rojos, verdes y amarillos
En los aos sesenta el led se comenz a producir industrialmente. Solo se podan
construir de color rojo, verde y amarillo, con poca intensidad de luz y se limitaba su
utilizacin a mandos a distancia (controles remotos) y electrodomsticos, como
indicadores para sealar el encendido y apagado.
Ledes ultravioletas y azules
A finales de los aos noventa se inventaron los ledes ultravioletas y azules.

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Ledes blancos
Gracias a la invencin de los ledes azules se dio el paso al desarrollo del led blanco, que
es un led de luz azul con recubrimiento de fsforo que produce una luz amarilla. La
mezcla del azul y el amarillo produce una luz blanquecina denominada luz de luna que
consigue alta luminosidad (7 lmenes unidad), con lo cual se ha logrado ampliar su
utilizacin en otros sistemas de iluminacin.
Premio nobel de fsica
El 7 de octubre de 2014, los japoneses Isamu Akasaki, Hiroshi Amano y Shuji Nakamura
(este ltimo nacionalizado estadounidense), han sido distinguidos con el Premio Nobel de
Fsica 2014 por inventar el diodo emisor de luz LED azul, anunci la Real Academia de
las Ciencias de Suecia.

Aplicaciones:
Los ledes en la actualidad se pueden acondicionar o incorporarse en un
porcentaje mayor al 90 % a todas las tecnologas de iluminacin actuales. Todas estas
aplicaciones se dan gracias a su diseo compacto.
Los diodos infrarrojos (IRED) se emplean desde mediados del siglo XX en
mandos a distancia de televisores, habindose generalizado su uso en otros
electrodomsticos como equipos de aire acondicionado, equipos de msica, etc., y, en
general, para aplicaciones de control remoto as como en dispositivos detectores,
adems de ser utilizados para transmitir datos entre dispositivos electrnicos como en
redes de computadoras y dispositivos como telfonos mviles, computadoras de mano,
aunque esta tecnologa de transmisin de datos ha dado paso al bluetooth en los ltimos
aos, quedando casi obsoleta.

En cualquier dispositivo electrnico hay al menos un led.


Sus prestaciones son superiores a las de la lmpara incandescente y la lmpara
fluorescente, desde diversos puntos de vista. La iluminacin con ledes presenta
indudables ventajas: fiabilidad, mayor eficiencia energtica, mayor resistencia a las
vibraciones, mejor visin ante diversas circunstancias de iluminacin, menor disipacin
de energa, menor riesgo para el medio ambiente, capacidad para operar de forma
intermitente de modo continuo, respuesta rpida, etc. Asimismo, con ledes se pueden
producir luces de diferentes colores con un rendimiento luminoso elevado, a diferencia de
muchas de las lmparas utilizadas hasta ahora que tienen filtros para lograr un efecto
similar (lo que supone una reduccin de su eficiencia energtica).
RGB: el LED est permitiendo en muchos productos conseguir diferentes colores.
Quedan muy luminosos ya que es el propio LED el que cambia de color, no se usan
filtros.
Cabe destacar tambin que diversas pruebas realizadas por importantes
empresas y organismos han concluido que el ahorro energtico vara entre el 70 y el 80%
respecto a la iluminacin tradicional que se utiliza hasta ahora. Todo ello pone de

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manifiesto las numerosas ventajas que los ledes ofrecen en relacin al alumbrado
pblico.
Los ledes de luz blanca son uno de los desarrollos ms recientes y pueden
considerarse como un intento muy bien fundamentado para sustituir los focos o bombillas
actuales (lmparas incandescentes) por dispositivos mucho ms ventajosos. En la
actualidad se dispone de tecnologa que consume el 92 % menos que las lmparas
incandescentes de uso domstico comn y el 30 % menos que la mayora de las
lmparas fluorescentes; adems, estos ledes pueden durar hasta 20 aos.
Pantalla de ledes: pantalla muy brillante formada por filas de ledes verdes, azules
y rojos ordenados segn la arquitectura RGB, controlados individualmente para formar
imgenes vivas muy brillantes, con un altsimo nivel de contraste.

Funcionamiento y fabricacin:
En corriente continua (CC), todos los diodos emiten cierta cantidad de radiacin
cuando los pares electrn-hueco se recombinan; es decir, cuando los electrones caen
desde la banda de conduccin (de mayor energa) a la banda de valencia (de menor
energa) emitiendo fotones en el proceso. Indudablemente, por ende, su color depender
de la altura de la banda prohibida (diferencias de energa entre las bandas de conduccin
y valencia), es decir, de los materiales empleados. Los diodos convencionales, de silicio o
germanio, emiten radiacin infrarroja muy alejada del espectro visible. Sin embargo, con
materiales especiales pueden conseguirse longitudes de onda visibles.

Compuesto

Color

Long. de onda

arseniuro de galio (GaAs)

Infrarrojo

940 nm

arseniuro de galio y aluminio (AlGaAs)

rojo e infrarrojo

890 nm

arseniuro fosfuro de galio (GaAsP)

rojo, anaranjado y amarillo

630 nm

fosfuro de galio (GaP)

verde

555 nm

nitruro de galio (GaN)

verde

525 nm

seleniuro de cinc (ZnSe)

azul

nitruro de galio e indio (InGaN)

azul

450 nm

carburo de silicio (SiC)

azul

480 nm

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diamante (C)

ultravioleta

silicio (Si)

en desarrollo

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Los ledes comerciales tpicos estn diseados para potencias del orden de los 30
a 60 mW.

Explicacin Detallada del Funcionamiento:


Cuando pasa un electrn de la banda de conduccin a la de valencia, se
manifieste como un fotn desprendido o como otra forma de energa (calor por ejemplo)
depende principalmente del tipo de material semiconductor. Cuando un diodo
semiconductor se polariza directamente, los huecos de la zona positiva se mueven hacia
la zona negativa y los electrones se mueven de la zona negativa hacia la zona positiva;
ambos desplazamientos de cargas constituyen la corriente que circula por el diodo.
Si los electrones y huecos estn en la misma regin, pueden recombinarse, es
decir, los electrones pueden pasar a "ocupar" los huecos "cayendo" desde un nivel
energtico superior a otro inferior ms estable. No quiere decir que en los dems
semiconductores no se produzcan emisiones en forma de fotones; sin embargo, estas
emisiones son mucho ms probables en los semiconductores de banda prohibida directa
(como el nitruro de galio) que en los semiconductores de banda prohibida indirecta (como
el silicio).
La emisin espontnea, por tanto, no se produce de forma notable en todos los
diodos y solo es visible en diodos como los ledes de luz visible, que tienen una
disposicin constructiva especial con el propsito de evitar que la radiacin sea
reabsorbida por el material circundante, y una energa de la banda prohibida coincidente
con la correspondiente al espectro visible. En otros diodos, la energa se libera
principalmente en forma de calor, radiacin infrarroja o radiacin ultravioleta. En el caso
de que el diodo libere la energa en forma de radiacin ultravioleta, se puede conseguir
aprovechar esta radiacin para producir radiacin visible mediante sustancias
fluorescentes o fosforescentes que absorban la radiacin ultravioleta emitida por el diodo
y posteriormente emitan luz visible.
El dispositivo semiconductor est comnmente encapsulado en una cubierta de
plstico de mayor resistencia que las de vidrio que usualmente se emplean en las
lmparas incandescentes. Aunque el plstico puede estar coloreado, es solo por razones
estticas, ya que ello no influye en el color de la luz emitida. Usualmente un led es una
fuente de luz compuesta con diferentes partes.

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A: nodo
B: ctodo
1: lente/encapsulado epxico (cpsula plstica).
2: contacto metlico (hilo conductor).
3: cavidad reflectora (copa reflectora).
4: terminacin del semiconductor
5: yunque
6: poste
7: marco conductor
8: borde plano

Para obtener buena intensidad luminosa debe escogerse bien la corriente que
atraviesa el led. Para ello hay que tener en cuenta que el voltaje de operacin va desde
1,8 hasta 3,8 voltios aproximadamente (lo que est relacionado con el material de
fabricacin y el color de la luz que emite) y la gama de intensidades que debe circular por
l vara segn su aplicacin. Los valores tpicos de corriente directa de polarizacin de un
led corriente estn comprendidos entre los 10 y los 40 mA. En general, los ledes suelen
tener mejor eficiencia cuanto menor es la corriente que circula por ellos, con lo cual, en
su operacin de forma optimizada, se suele buscar un compromiso entre la intensidad
luminosa que producen (mayor cuanto ms grande es la intensidad que circula por ellos)
y la eficiencia (mayor cuanto menor es la intensidad que circula por ellos).

Conexin:
Para conectar ledes de modo que iluminen de forma continua, deben estar
polarizados directamente, es decir, con el polo positivo de la fuente de alimentacin
conectada al nodo y el polo negativo conectado al ctodo. Adems, la fuente de
alimentacin debe suministrarle una tensin o diferencia de potencial superior a su
tensin umbral. Por otro lado, se debe garantizar que la corriente que circula por ellos no
exceda los lmites admisibles, lo que daara irreversiblemente al led. (Esto se puede
hacer de manera sencilla con una resistencia R en serie con los ledes).
En trminos generales, pueden considerarse de forma aproximada los siguientes
valores de diferencia de potencial:

Rojo = 1,8 a 2,2 voltios.


Anaranjado = 2,1 a 2,2 voltios.
Amarillo = 2,1 a 2,4 voltios.
Verde = 2 a 3,5 voltios.
Azul = 3,5 a 3,8 voltios.
Blanco = 3,6 voltios.

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Luego, mediante la ley de Ohm, puede calcularse la resistencia R adecuada para la


tensin de la fuente (Vfuente) que utilicemos.

En la frmula, el trmino I se refiere al valor de corriente para la intensidad


luminosa que necesitamos. Lo comn es de 10 mA para ledes de baja luminosidad y 20
mA para ledes de alta luminosidad; un valor superior puede inutilizar el led o reducir de
manera considerable su tiempo de vida.
Cabe recordar que tambin pueden conectarse varios en serie, sumndose las
diferencias de potencial en cada uno. Tambin se pueden hacer configuraciones en
paralelo, aunque este tipo de configuraciones no son muy recomendadas para diseos de
circuitos con ledes eficientes.

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DIODO LSER
Introduccin:
Un diodo lser es un dispositivo semiconductor similar a un led pero que bajo las
condiciones adecuadas emite luz lser.
Un lser (de la sigla inglesa Light Amplification by Stimulated Emission of
Radiation, amplificacin de luz por emisin estimulada de radiacin) es un dispositivo que
utiliza un efecto de la mecnica cuntica, la emisin inducida o estimulada, para generar
un haz de luz coherente tanto espacial como temporalmente. La coherencia espacial se
corresponde con la capacidad de un haz para permanecer con un pequeo tamao al
transmitirse por el vaco en largas distancias y la coherencia temporal se relaciona con la
capacidad para concentrar la emisin en un rango espectral muy estrecho.

Un poco de historia:
En 1916, Albert Einstein estableci los fundamentos para el desarrollo de los
lseres y de sus predecesores, los mseres (que emiten microondas), utilizando la ley de
radiacin de Max Planck basada en los conceptos de emisin espontnea e inducida de
radiacin.
En 1953, Charles H. Townes y los estudiantes de postgrado James P. Gordon y
Herbert J. Zeiger construyeron el primer mser: un dispositivo que funcionaba con los
mismos principios fsicos que el lser pero que produce un haz coherente de microondas.
El primer lser fue uno de rub y funcion por primera vez el 16 de mayo de 1960.
Dos aos despus, Robert Hall inventa el lser generado por semiconductor.

Elementos bsicos de un lser:


Un lser tpico consta de tres elementos bsicos de operacin. Una cavidad ptica
resonante, en la que la luz puede circular, que consta habitualmente de un par de espejos
de los cuales uno es de alta reflectancia (cercana al 100%) y otro conocido como
acoplador, que tiene una reflectancia menor y que permite la salida de la radiacin laser
de la cavidad. Dentro de esta cavidad resonante se sita un medio activo con ganancia
ptica, que puede ser slido, lquido o gaseoso (habitualmente el gas se encontrar en
estado de plasma parcialmente ionizado) que es el encargado de amplificar la luz. Para
poder amplificar la luz, este medio activo necesita un cierto aporte de energa, llamada
comnmente bombeo. Este bombeo es generalmente un haz de luz (bombeo ptico) o
una corriente elctrica (bombeo elctrico).

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Medio activo con ganancia ptica


Energa de bombeo para el lser
Espejo de alta reflectancia
Espejo de acoplamiento o salida (no es de alta reflectancia)
Emisin del haz lser

Diodo lser:
Cuando un diodo convencional o led se polariza en directa, los huecos de la zona
p se mueven hacia la zona n y los electrones de la zona n hacia la zona p; ambos
desplazamientos de cargas constituyen la corriente que circula por el diodo. Si los
electrones y huecos estn en la misma regin, pueden recombinarse cayendo el electrn
al hueco y emitiendo un fotn con la energa correspondiente a la banda prohibida.
En condiciones apropiadas, el electrn y el hueco pueden coexistir un breve
tiempo, del orden de nanosegundos, antes de recombinarse, de forma que si un fotn con
la energa apropiada pasa por casualidad por all durante ese periodo, se producir la
emisin estimulada, es decir, al producirse la recombinacin el fotn emitido tendr igual
frecuencia, polarizacin y fase que el primer fotn.

En los diodos lser, para favorecer la emisin estimulada y generacin de luz


lser, el cristal semiconductor del diodo puede tener la forma de una lmina delgada con
un lado totalmente reflectante y otro slo reflectante de forma parcial (aunque muy
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reflectante tambin), logrndose as una unin PN de grandes dimensiones con las caras
exteriores perfectamente paralelas y reflectantes. Es importante aclarar que las
dimensiones de la unin PN guardan una estrecha relacin con la longitud de onda a
emitir.
Los fotones emitidos en la direccin adecuada se reflejarn repetidamente en
dichas caras reflectantes (en una totalmente y en la otra slo parcialmente), lo que ayuda
a su vez a la emisin de ms fotones estimulados dentro del material semiconductor y
consiguientemente a que se amplifique la luz (mientras dure el bombeo derivado de la
circulacin de corriente por el diodo). Parte de estos fotones saldrn del diodo lser a
travs de la cara parcialmente transparente (la que es slo reflectante de forma parcial).
Este proceso da lugar a que el diodo emita luz, que al ser coherente en su mayor parte
(debido a la emisin estimulada), posee una gran pureza espectral.

Aplicaciones:

Comunicaciones de datos por fibra ptica.

Lectores de CD, DVD, Blu-rays, HD DVD, entre otros.

Interconexiones pticas entre circuitos integrados.

Impresoras lser.

Escneres o digitalizadores.

Sensores.

Tratamiento con lser odontolgico.

Depilacin corporal.

Pantalla lser
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Odontologa

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Ventajas:

Son muy eficientes.

Son muy fiables.

Tienen tiempos medios de vida muy largos.

Son econmicos.

Permiten la modulacin directa de la radiacin emitida, pudindose modular a


dcimas de Gigahercio.

Su volumen y peso son pequeos.

El umbral de corriente que necesitan para funcionar es relativamente bajo.

Su consumo de energa es reducido (comparado con otras fuentes de luz)

El ancho de banda de su espectro de emisin es angosto (puede llegar a ser de slo


algunos kHz)

Desventajas:

Una baja potencia a consecuencia de las bandas de energa ocupadas por los electrones
los electrones.
Una alta sensibilidad a los cambios de temperatura.
Alto calentamiento al pasar corriente sobre el material diodo.
Poca colimacin en el haz obtenido.

A pesar de las desventajas, el lser de semiconductores es el segundo ms vendido


despus del lser He-Ne.

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DIFERENCIAS LSER LED


LASER

LED

*Ms rpido

*Mayor estabilidad trmica

*Potencia de salida mayor

*Menor potencia de salida, mayor tiempo de


vida

*Emisin coherente de luz

*Emisin incoherente

*Construccin es ms compleja

*Ms econmico

*Actan como fuentes adecuadas en Se acoplan a fibras pticas en distancias


sistemas de telecomunicaciones
cortas de transmisin
*Modulacin
hasta GHz

altas

velocidades,
*Velocidad de modulacin hasta 200MHz

Ventajas del diodo lser con un diodo LED

La emisin de luz es dirigida en una sola direccin: Un diodo LED emite


fotones en muchas direcciones. Un diodo lser, en cambio, consigue realizar un
guiado de la luz preferencial una sola direccin.

La emisin de luz lser es monocromtica: Los fotones emitidos por un lser


poseen longitudes de onda muy cercanas entre s. En cambio, en la luz emitida
por diodos LED, existen fotones con mayores dispersiones en cuanto a las
longitudes de onda.

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Con el lser se pueden conseguir rayos de luz monocromtica dirigidos en una


direccin determinada. Como adems tambin puede controlarse la potencia emitida, el
lser resulta un dispositivo ideal para aquellas operaciones en las que sea necesario
entregar energa con precisin.
Un diodo lser requiere de una fuente de alimentacin de 100 a 200 mW.

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Rectificadores Metlicos
El rectificador metlico es aquel que surge de la formacin de una barrera
rectificante entre un semiconductor tipo P y un metal, caso en el que el metal
acta como un material N de alta conductividad. Formando un contacto hmico
sobre el semiconductor, se obtiene un diodo en el que el semiconductor acta
como nodo y el metal como ctodo. A estos diodos se los conoce como
rectificadores metlicos.
En estos dispositivos, se producen los contactos rectificantes mediante
procesos qumicos o electrolticos cuidados, con el fin de obtener un tiempo de
vida de los portadores minoritarios muy alto en la regin de contacto.
Si bien los rectificadores metlicos ms comunes son los de xido de cobre y
los de selenio, existen otros dos tipos ms, dndonos un total de cuatro tipos de
rectificadores metlicos, que son:
1)
2)
3)
4)

De xido de cobre
De selenio
De germanio
De silicio

Estos dos ltimos suelen llamarse rectificadores semiconductores.


1) Rectificador de Oxido de Cobre: Este tipo de rectificador consiste en una
capa de xido cuproso, que es un semiconductor tipo P, aplicado sobre un
disco de cobre. La conduccin inversa del rectificador hace que la tensin
inversa admisible se limite por lo general a unos 10 V, aunque para obtener
regmenes de tensin inversa ms elevados es posible recurrir a la
conexin en serie de un gran nmero de celdas, la baja tensin inversa por
celda releva este tipo de rectificador a las aplicaciones de baja tensin. Al
conectar varias celdas en paralelo se obtiene altas capacidades de
corriente directa.
Los rectificadores de xido de cobre encuentran sus mayores aplicaciones
en el campo del instrumental y de las telecomunicaciones. Este rectificador
es el mejor para utilizar en los instrumentos de cuadro mvil para leer
valores de corriente alterna por ejemplo, y tambin tiene las caractersticas
correctas para proteccin de distorsin de escala y sobrecarga, aunque su
uso actual se limita a cargadores de batera y a instrumentos de medicin
con rectificador.
2) Rectificador de Selenio: La caracterstica directa de este rectificador es
similar a la del rectificador de xido de cobre, pero la caracterstica inversa
es superior. La celda puede utilizarse con tensiones inversas de hasta 25 V,
en comparacin de los 10 V mximos que tenemos en los rectificadores de

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xido de cobre. Adems deja pasar corrientes inversas menores a


temperaturas de funcionamiento ms altas.
Este tipo de rectificador tiene como propiedad principal su gran estabilidad,
ya que puede funcionar, como ya lo mencionamos, a temperaturas muy
altas. Por otro lado, tambin puede funcionar durante mucho ms tiempo
en condiciones normales de funcionamiento. Tambin son muy verstiles,
ya que fueron usados con tensiones de hasta 500.000 V y corrientes de
unos pocos microamperios, y con corrientes de ms de 100.000 A a 9 V
aproximadamente.
Los rectificadores de selenio han reemplazado a los rectificadores de xido
de cobre especficamente en las fuentes de alimentacin de los receptores
y transmisores de radio y televisin, ya que se usan para los casos de baja
tensin, donde el costo inicial es importante, y la facultad de resistir
sobrecargas substanciales y repetidas elimina la necesidad de dispositivos
de proteccin, donde si son tiles en el caso de rectificadores de silicio o
germanio.
Las aplicaciones de este tipo de rectificador
tambin incluyen el
electrochapado donde las unidades sumergidas en aceite proporcionan
corrientes de hasta 1000 A.
La precipitacin electrosttica, donde se necesitan tensiones desde 30 a
100 kV en corriente continua, es otra de las aplicaciones comunes de los
rectificadores de selenio.
3) Rectificador de Germanio: Los rectificadores de germanio se usan
extensamente para aplicaciones industriales de baja y media potencia,
donde la temperatura ambiente no es elevada y particularmente para
tensiones por debajo de 100 V. El germanio se extrae de depsitos de
carbn y cinc y se refina a un alto grado de pureza. El material metlico
resultante gris se transforma en un monocristal que se corta especialmente
para formar pequeas pastillas. Por tratamiento trmico, se suelda un
botn de indio y se difunde dentro de la pastilla de germanio. El enlace
entre el germanio y el indio forma la unin rectificadora que se monta en un
recipiente hermticamente cerrado.
Ambos rectificadores de germanio y silicio se usan extensamente en
equipos que proporcionan potencia a la produccin electroltica de cloro e
hidrogeno. El germanio ofrece un rendimiento mejor para tensiones por
debajo de 100 V, pero puede no ser apropiado en regiones donde la
temperatura ambiente es elevada.
Los suministros industriales de potencia en corriente continua se alimentan
mejor con equipos semiconductores de germanio y silicio. Los cargadores
para bateras de vehculos elctricos generalmente son del tipo de
rectificador de germanio.
4) Rectificador de Silicio: El silicio es un metal obtenido a partir de la arena
y se refina a un alto grado de pureza, al igual que el germanio, se
23

ELECTRONICA FISICA
DIODOS

Cornelli,
De la Prida, Galian

transforma en grandes monocristales y se corta en pastillas. Se adosa una


delgada placa de aluminio para que se difunda en el interior de la pastilla
de silicio, y la unin entre el aluminio y el silicio forma la unin rectificadora.
Este tipo de rectificador ofrece como ventaja mayor tensin inversa por
celda y caracterstica directa ms favorable.
Muchas de las aplicaciones de este tipo de rectificador ya han sido
terminadas, pero este tipo de rectificador es considerado el mejor para
alimentacin de la traccin elctrica.

C
omparacin de caractersticas directas e inversas de los cuatro
tipos de rectificadores.

Sobrecargas:
Los rectificadores de xido de cobre y de selenio estn formados sobre una
base de metal y operan a densidad de corriente baja, por lo tanto pueden
soportar severas sobrecargas de corriente de corta duracin sin dao. Por
otra parte, la poca masa trmica de los otros dos tipos de rectificadores, no
les permite soportar sobrecargas de corriente.
Las sobretensiones dan lugar al aumento de las corrientes de fuga y
calentamiento. En este aspecto los rectificadores de silicio y los de
germanio son ms sensibles y deben protegerse de tales sobretensiones
en condiciones de funcionamiento normal.

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ELECTRONICA FISICA
DIODOS

Cornelli,
De la Prida, Galian

Conexiones en serie y paralelo:


Con los rectificadores de germanio y de silicio se tiene que tener un mayor
cuidado cuando se los conecta en serie o en paralelo. Las potencias
efectivas debern reducirse notablemente. Es conveniente tener proteccin
individual de los diodos por fusibles.
Tamao y rendimiento:
Un rectificador de germanio tiene un volumen cerca de un tercio del de un
rectificador de selenio para la misma potencia de salida. Un rectificador de
silicio tiene cerca de un tercio del volumen de un rectificador de germanio
y un dcimo del volumen de un rectificador de selenio.
El rendimiento total de una instalacin se determina por consideracin de
todo el equipo y en cierto grado por las conexiones del circuito, carga, etc.
La siguiente tabla nos muestra la relacin de los rendimientos de los
rectificadores de selenio, germanio y silicio en diferentes tensiones de
corriente continua.

TENSION C.C. (V)

SELENIO (%)

GERMANIO (%)

SILICIO (%)

85

91

83

12

91

95

90

25

91

97

94

50

91

97

97

100

92

97

97

500

92

97

98

750

92

98

98

25

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