Transistores MOSFET e o efeito liga-desliga: a base de funcionamento

dos computadores.
Os processadores de computador utilizam o efeito liga-desliga dos transistores
MOSFET para funcionar e realizar o processamento de dados. A tecnologia a
CMOS (Complementary Metal-Oxide Semicondutor Semicondutor de Metalxido Complementar). O material utilizado normalmente o silcio (Si). O silcio
semicondutor de eletricidade porque permite, atravs de tratamentos
qumicos, que a energia eltrica seja conduzida em umas partes do silcio e
no seja conduzida em outras partes do mesmo silcio. O mesmo silcio
condutor e no condutor de eletricidade. Os transistores so os MOSFET
(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor - Transistor de Efeito de
Campo de Semicondutor de xido Metlico). O nome metal se refere aos
primeiros chips que utilizavam portas de metal. Os chips modernos usam
portas de polisilcio, mas continuam sendo chamados de MOSFET. Veja abaixo
um esquema de um transistor MOSFET:

Transistor MOSFET em 2D.

Existem trs partes:

Source (Fonte) Por onde entra a corrente eltrica, corrente essa que ser
ligada ou desligada.
Gate (Porta) Onde entra a tenso que controla o fluxo ou corte de
corrente eltrica.
Drain (Dreno) Por onde sai a corrente eltrica que veio de Source,
quando a corrente no cortada pela tenso de Gate.
Alm disso, os transistores MOSFET possuem uma camada isolante de dixido
de silcio (SIO2), que isola as portas do transistor do canal de conduo de
corrente eltrica, e de substratos de silcio tipo P e silcio tipo N. Se o canal for
feito de silcio tipo N e o substrato de silcio tipo P trata-se de um transistor tipo
N (NMOSFET), se for ao contrrio trata-se de um transistor tipo P (PMOSFET).
Veja abaixo:

Estrutura de um E-MOSFET de canal N.

MOSFET tipo Depleo:

Quando h uma tenso de porta negativa a tenso VDD fora os eltrons que
esto livres a flurem da fonte para o dreno. A tenso da porta controla a
largura do canal de corrente eltrica. Quanto mais negativa a tenso menor a
largura do canal e conseqentemente menos corrente eltrica passa da fonte
para o dreno. Se a tenso negativa porta-fonte (Vgs) exceder um limite o canal
fechado e a corrente eltrica cortada. A operao do MOSFET no modo
Depleo se d quando Vgs est entre Vgs-off (canal fechado) e 0 volt (canal
conduzindo corrente eltrica). Abaixo smbolo e esquema do MOSFET tipo
Depleo (D-MOSFET):

Smbolo de um D-MOSFET.

Esquema de um D-MOSFET.

MOSFET tipo Intensificao:

Nos transistores MOSFET tipo intensificao (E-MOSFET) o substrato se
estende at o dixido de silcio. Essa a diferena para os D-MOSFET. Veja
abaixo o esquema e o smbolo dos E-MOSFET:

Smbolo e Esquema de um E-MOSFET.

O E-MOSFET possui uma tenso positiva mnima para a criao de um

canal de corrente eltrica entre o substrato e o dixido de silcio, permitindo o
fluxo de eltrons livres entre a fonte e o dreno (corrente de dreno). Essa tenso
chamada de tenso limiar.
Acima de um limite de tenso negativa ou positiva o transistor danificado,
pois a camada isolante de dixido de silcio, que muito fina, destruda pela
tenso muito alta.
Veja abaixo a curva de dreno dos E-MOSFET:

Curva de dreno dos E-MOSFET.

Enquanto Vgs (tenso porta-fonte) no atinge Vgs (th) (tenso limiar), no

h corrente de dreno. H um limite de saturao para Vgs, a partir do qual a
corrente de dreno no aumenta mais.
Os grficos abaixo resumem o funcionamento dos D-MOSFET e E-MOSFET:

Resumo de funcionamento dos D-MOSFET e E-MOSFET.

Portanto podemos construir circuitos lgicos eletrnicos (processadores)

utilizando transistores tipo P (D-MOSFET e E-MOSFET) ou N (D-MOSFET e EMOSFET). Por exemplo, podemos construir trs tipos de porta Not (Inversora)
com os transistores MOSFET:

Porta NOT tipo NMOS.

Porta NOT tipo PMOS.

Porta NOT tipo CMOS.

H o Resistor-Transistor Logic (RTL) e o Transistor-Transistor Logic (TTL).

Lembrando que a porta Not inverte o sinal de entrada: se for 1 sai 0; se for
0 sai 1.
Vamos entender o funcionamento:
A terceira porta Not (tipo TTL) tem dois transistores, uma entrada A, uma
sada Q, uma tenso VSS e uma tenso VDD. Adotaremos como exemplo VSS

= 0 volt (significando 0) e VDD = 5 volts (significando 1). Se precisar revise o

sistema binrio dos computadores. O transistor MOSFET com a bolinha opera
em modo de Depleo e o transistor MOSFET sem bolinha opera em modo de
Intensificao.
Se a entrada for igual a 0 volt a sada igual a 5 volts; isso porque 0 volt
faz com que o D-MOSFET (o da bolinha) conduza corrente eltrica (5 volts) de
VDD at a sada Q, e o E-MOSFET (sem bolinha), por sua vez, quando recebe
0 volt no conduz 0 volt (terra) at a sada Q.
Se a entrada for igual a 5 volts a sada igual a 0 volt; isso porque 5 volts
fazem com que o D-MOSFET (o da bolinha) no conduza corrente eltrica (5
volts) de VDD at a sada Q, e o E-MOSFET (sem bolinha), por sua vez,
quando recebe 5 volts conduz 0 volt (terra) at a sada Q.
As outras duas portas Not das figuras (tipo RTL) funcionam de maneira
semelhante, mas possuem um resistor para funcionarem com apenas um
transistor. A porta Not com dois transistores tem melhor desempenho, pois
gasta menos energia e tem maior velocidade de processamento.
Veja abaixo o smbolo de uma porta lgica Not e o esquema de um pequeno
chip com portas Not:

Smbolo da porta NOT (Inversora).

Segundo exemplo: podemos construir uma porta lgica do tipo OR com

transistores MOSFET, tipo N ou tipo P, arranjados na forma CMOS. Veja a
figura:

Porta OR tipo CMOS.

A porta lgica OR (OU) tem duas entradas A e B, uma sada Q, uma tenso
VSS e uma tenso VDD. Como exemplo vamos utilizar VSS = 0 volt
(significando 0) e VDD = 5 volts (significando 1).
Vejamos qual sinal (0 ou 1) deve ser obtido na sada Q, dependendo de
quais sinais esto entrando nas entradas A e B:
ENTRADA
A
B
0
0
0
1
1
0
1
1

SADA
Q
0
1
1
1

Portanto a sada Q s igual a 0 se ambas as entradas A e B forem iguais

a zero.
Vamos entender o funcionamento:
Os transistores 3, 4 e 6 operam em modo Intensificao.
Os transistores 1, 2 e 5 operam em modo Depleo.
Se A = 0 e B = 0 ento:
Os transistores 1 e 2 (Depleo) conduzem corrente eltrica de VDD (5
volts) at as portas dos transistores 5 e 6. Os transistores 3 e 4 (Intensificao)
no conduzem corrente eltrica de VSS (0 volt) at as portas dos transistores 5
e 6. Portanto a tenso VDD (5 volts) chega nas portas dos transistores 5 e 6. O
transistor 5 (Depleo) no conduz corrente eltrica de VDD (5 volts) para a
sada Q. E em fim o transistor 6 (Intensificao) conduz a tenso VSS (0 volt)
at a sada Q. Portanto se A = 0 e B = 0 => Q = 0.
Se A = 0 e B = 1 ento:
O transistor 1 (Depleo) conduz corrente eltrica de VDD (5 volts), mas o
transistor 2 (Depleo) recebe o sinal 1 da entrada B e no conduz corrente
eltrica. Portanto, os transistores 1 e 2 no conduzem corrente eltrica de VDD
(5 volts) at as portas dos transistores 5 e 6. O transistor 3 tambm no conduz
corrente. Porm o transistor 4 (Intensificao) que recebe o sinal 1 da entrada

B conduz a tenso VSS (0 volt) at as portas dos transistores 5 e 6. O

transistor 5 (Depleo) quando recebe VSS (0 volt) conduz corrente eltrica de
VDD (5 volts) at a sada Q. O transistor 6 (Intensificao) quando recebe a
tenso VSS (0 volt) no conduz VSS (0 volt) at a sada Q. Portanto se A = 0 e
B = 1 => Q = 1.
Se A = 1 e B = 0 ento:
O transistor 2 (Depleo) est apto a conduzir corrente eltrica, mas o
transistor 1 (Depleo) no conduz corrente porque est recebendo o sinal 1
da entrada A. Com isso os transistores 1 e 2 no conduzem corrente eltrica de
VDD (5 volts) at as portas dos transistores 5 e 6. O transistor 4
(Intensificao) no conduz corrente, mas o transistor 3 (Intensificao) que
recebe o sinal 1 da entrada A conduz corrente 0A de VSS (0 volt) at as portas
dos transistores 5 e 6. Com isso o transistor 5 (Depleo) conduz corrente
eltrica de VDD (5 volts) para a sada Q. Por ltimo o transistor 6
(Intensificao) no conduz VSS (0 volt) para a sada Q. Portanto se A = 1 e B
= 0 => Q = 1.
Se A = 1 e B = 1 ento:
Os transistores 1 e 2 (Depleo) no conduzem a tenso VDD (5 volts) at
as portas dos transistores 5 e 6, porm os transistores 3 e 4 (Intensificao)
conduzem VSS (0 volt) at as portas dos transistores 5 e 6. Com isso o
transistor 5 (Depleo) conduz corrente eltrica de VDD (5 volts) para a sada
Q. O transistor 6 (Intensificao) no conduz VSS (0 volt) para a sada Q.
Portanto se A = 1 e B = 1 => Q = 1.
Veja abaixo o esquema de um pequeno circuito que utiliza portas lgicas Or.

As portas lgicas descritas acima implementam as funes booleanas NOT e

OR. Existem outras diversas funes booleanas como por exemplo AND,
NAND, NOR, XOR, XNOR etc. Existem portas lgicas que implementam todas
as funes booleanas, uma porta para cada funo, e com isso ns podemos
combin-las para fazer circuitos complexos como somadores, subtratores,
multiplicadores, divisores, memrias com flip-flops, controladores de memria,
micro-controladores, comparadores, deslocadores esquerda e direita,
contadores, incrementador, decrementador, unidades que executam instrues
etc. Em fim, podemos construir processadores super complexos inteiros com
milhes de portas lgicas super integradas em escala muito pequena em uma
placa de silcio de 1 cm.