Matematica Discreta

INSTITUTO DE PESQUISAS ENERGTICAS E NUCLEARES
SECRETARIA DA INDSTRIA. COMRCIO. CINCIA E TECNOLOGIA

AUTARQUIA ASSOCIADA A UNIVERSIDADE DE SAO PAULO
DESENVOLVIMENTO E IMPLANTAO DE UMA TCNICA DE ANLISE DE

PERFIS DE DIFRAO DE RAIOS X, PARA A DETERMINAO DA ENERGIA
DE FALHA DE EMPILHAMENTO DE METAIS E LIGAS DE ESTRUTURA CFC
LUIS GALLEGO MARTINEZ
Dissertao apresentada como parta dos

requisitos para oiitenio do grau de
Mestre am Cidnciaa na rea de
Teonotogia Nuclear".
Orientador: Or. Kengo Imakuma
So Paulo
1989
INSTITUTO DE PESQUISAS ENERGTICAS E NUCLEARES

AUTARQUIA ASSOCIADA A
DESENVOLVIMENTO
IMPLANTAO
UNIVERSIDADE DE SO PAULO
DE UMA TCNICA
DE ANLISE
DE PERFIS DE
DIFRACAO D E R A I O S X. PARA A D E T E R M I N A O D A ENERGIA D E F A L H A D E

EMPILHAMENTO
DE METAIS E LIGAS DE ESTRUTURA CFC
LOS
G A L L E C O IMAIRTDINEZ
Dissertao apresentada como

parte dos requisitos
para
obteno do ttulo de Mestre
em Cincias na rea de Tecnologia Nuclear.
Orientador: Dr. Kengo Imakuma
SO PAULO
1989
AOS meus
pais
LUIS E VICTORIA
NDICE GERAL
Agradecimentos
Objetivos do Trabalho
ii
Resumo
iii
Abstract
iv
- Difrao de Raios X
1.1
- Introduo
1.2
- Produo e Caractersticas
1.3
- Estrutura Cristalina
1.4
- Direo do Feixe Difratado (Lei de Bragg)
1.5
- Intensidade do Feixe Difratado
11
1.6
- Mtodos Utilizados para Difrao de Raios X
17
1.7
- Difratmetro de Raios X
19
1.8
- Instrumentao para Difratometria de Raios X
20
II
- Energia de Falha de Empilhamento
26
11.1
- Falha de Empilhamento
26
11.2
- Discordncias na rede efe
29
11.3
- Mtodos de Medida da Energia de Falha de Empilhamento
32
11.4
- Mtodos
de
Determinao
da
Energia
de
Falha
de
Empilhamento por Difrao de Raios X

11.5
33
- Relao entre a Probabilidade de Falha de Empilhamento,

Microdeformao e Energia de Falha de Empilhamento
34
11.6
- Calibrao do Mtodo
36
11.7
- Determinao da Probabilidade Falha de Empilhamento
38
11.8
- Determinao da Microdeformao
39
11.9
- Separao do Tamanho de Partcula e Deformao
43
III
- Anlise do Perfis de Difrao de Raios X
45
111.1 - Introduo
45
111.2 - Aquisio e Armazenamento de Dados (Prog.Aq/Dados)
45
111.3 - Correo do Background e fator de Lorentz-Polarizao (Prog.BGLP)
46
111.4 - Obteno da Srie de Fourier e Correes do Dubleto K^j~K^2 Alargamento Instrumental
(Prog.Fourier/
Rachinger/Stokes)
49
111.5 - Impresso dos Perfis (Prog.Plot)
*^
nr^,r.MAl
r.P
tWFffil
57
NIllT.lFAR/SP
- iPfeM
III. 6 - Determinao da Posio de Picos e Probabilidade de

Falhas de Empilhamento
(Prog.Pos/Pico/Alpha)
61
111.7 - Correo de Roth ^'man-Cohen
62
111.8 - Diagramas de Blocos
65
IV
- Estabelecimento das Condies Experimentais e Materiais Utilizados
67
IV. 1
- Estabelecimento dos Parmetros Experimentais
67
IV.2
- Materiais Utilizados
71
IV.3
- Preparao das Amostras
72
- Resultados e Discusso
75
V.l
- Resultados para os Metais Puros
75
V.2
- Resultados para Aos Inoxidveis Austenticos
78
V.3
- Influncia do Nb na Matriz Austentica
81
VI
- Concluses
83
Referncias
84
INDICE DAS FIGURAS
Figura
I.l
- Espectro
W(100
Figura
1.2
de um tubo de raios
1.3
nodo
de
KV).
- Transies
eletrnicas
para o tomo de
Figura
X com
- Processos
de
que resultam
em raios
X,
cobre.
interao
dos
raios
absoro
de
com
matria.
Figura
1.4
- Variao do coeficiente
com o comprimento
de
massa
de onda para o
tungstnio.
cristalinos
Bravais.
Figura
1.5
- Os 14 reticulados
de
Figura
1.6
- Difrao de raios X por um
Figura
1.7
- Espalhamento
de radiao por um
Figura
1.8
- Espalhamento
da radiao por um tomo.
Figura
1.9
- Fator
de espalhamento
Figura
I.10
- Fator
de
Figura
I.ll
- Fator
de temperatura
Figura
I.12
- Mtodo de Laue por transmisso
Figura
1.13
- Cmara de
Figura
1.14
- Cmara
Figura
1.15
- Esquema
Figura
1.16
- Diagrama
cristal.
eltron.
atmico do
11
12
cobre.
13
Lorentz-Polarizao.
de
15
Debye-Waller.
e
16
reflexo.
18
Debye-Scherrer
18
focal
18
de um difratmetro
esquemtico
de raios X.
de
um
19
difratmetro
de
raios X.
22
Figura
I.17
- Difratograma
Figura
I.18
- Padro "PDF" do LiF
de ZnO
24
25
Figura II.1
- Representao
Figura II.2
- Falhas
Figura II.3
- Sequncia
Figura II.4
- Direes de deslizamento
na estrutura
efe.
29
Figura II.5
- Deslizamento
dos planos
(111) da rede
efe.
30
Figura II.6
- Discordncias
parciais
Figura III.1 - Perfis
de
de um plano
compacto.
26
empilhamento
de
27
empilhamento.
de
28
Shockley.
31
do pico de difrao (222) de amostra
de
aO;
Figura III.2 - As
48
tres
curvas
alargamento
Figura III.3 - Correo de
de Cu
utilizadas
na
correo
do
instrumental
50
Rachinger.
experimentais
53
do pico
(222) de
amostras
58
Figura III.L - Ajuste
da >ar.'tbola lr:s poniou.
Figura III. 6 - Coc icicnle
dc Fourier
In A^^ versus
n.
Figura III. 7 - Coeficiente
de Fourier
In A^^ versus
62
63
correo de
com
Rothman-Cohen.
Figura III.8 - Diagrama de blocos - Determinao da probabili-
64
dade de falhas de empilhamento.

65
Figura II1.9 - Diagrama
de blocos
- Dcterminao
da
microde-
formao quadr/itica mdia.

Figura V.l
- Grfico
de
^/^m^p
66
versus
"^^50^11/"
para
valores de -f da tabela II. 1.

Figura V.2
- Grfico
valores
Figura V.3
de y/G_ b
versus
77
<cf>,,/a
para
os
de y da tabela II. 2.
77
- Energia de falha de empilhamento versus teor

de Nb para os aos I, I I , m
e IV.
81
INDICE DAS TABELAS
Tabela I.l
Geometria
dos sistemas
Tabela 1.2
Espaamento
cristalinos.
interplanar
para
08
os
sistemas
cristalinos.
Tabela
Reflexes
1.3
Tabela 1.4
- Fator
10
possveis
para cada rede de
de multiplicidade
Tabela II.1 Reviso
dos valores
'7'
de
dos valores
14
15
para o mtodo do p.
Au, Cu, Al e Ni - Reed e

Tabela II.2 - Reviso
Bravais.
para
os
metais
Ag,
Shrann^-'^^K
de 'r' para
os
37
metais
Ag,
Au, Cu, Ni e Al - Coulomb^^^\

Tabela IV.1 - Degraus
de absoro K dos
37
elementos
Fe,
Cr
Ni''\
67
Tabela IV.2 - Comprimentos

utilizadas
Tabela IV.3 - Grau
Tabela IV.4
de
de onda das radiaes
normalmente
em difrao de raios X
pureza
dos
calibrao
do mtodo.
Composio
dos aos
metais
68
utilizados
para
71
inoxidveis
austenticos
72
estudados.
Tabela IV.5 - Condies
dos
recristalizao
Tabela V.l -
Resultados
Parmetro
Tabela V.3 -
Energias
das amostras
experimentais
para os metais
Tabela V.2 -
tratamentos
trmicos
de
padro.
demais
74
grandezas
puros.
elstico
76
dos aos.
de falha de empilhamento
79
para
os aos.
79
AGRADECIMENTOS
Quero registrar meus sinceros agradecimentos s pessoas que, direta

ou indiretamente, colaboraram na execuo deste trabalho:
Ao Dr. Kengo
Imakuma pela orientao, pelo
incentivo
e pela
opor-
tunidade.
Ao D r .
Humberto Gracher Riella pelas proveitosas discusses e suges-
tes sobre a anlise de perfis de difrao.

Ao
Dr.
Angelo
Fernando
Padilha
por
ceder
as
amostras
de
aos
inoxidveis e pelas sugestes e incentivo.

Ao
Dr.
Paulo
ris
Ferreira
pelo
fornecimento
de
amostras
incentivo.
Ao Dr. Luiz Filipe C. P. de Lima pelas sujestes e discusses.
Ao Amigo MsC. Nilton Itiro Morimoto pela colaborao inestimvel no
desenvolvimento dos programas para microcomputador
e discusses
ao
longo do desenvolvimento de nossos respectivos trabalhos.

Ao Amigo MsC. Nelson Batista de Lima pelo apoio, discusses e sugestes.
Aos Amigos MsC. Maria Silvia Gorski, Willy e Artur pelo auxlio nos
tratamentos trmicos das amostras.
Ao pessoal do Laboratrio de Difrao de Raios-X pela colaborao.
Ao
Eguiberto
e Marllene
pela
ajuda manuteno
dos
aparelhos
na
digitao desta dissertao.

Aos companheiros do Departamento de Metalurgia e do Departamento de
Processos
Especiais,
atravs
de
seus
chefes
Dr.
Jose
Otvio
A.
Paschoal e Dr. Spero P. Morato.

Eliz pelo apoio e compreenso.
queles
cujos
nomes
foram
involuntariamente
omitidos,
porm
no
esquecidos.
Fundao de Amparo Pesquisa do Estado de So Paulo pelo
apoio
financeiro durante parte deste trabalho.

Ao Instituto de Pesquisas Energticas e Nucleares, IPEN-CNEN/SP, na
pessoa de seu Superintendente, Dr. Claudio Rodrigues, pela oportunidade de realizar este trabalho.
OBJETIVOS
DO
TRABALHO
Os objetivos deste trabalho so:
a)
Implantao
de
uma metodologia
de
determinao
da
energia
de
falha de empilhamento em metais cbicos de faces centradas, por

difrao
de
raios
X,
partir
da
anlise
do
alargamento
dos
perfis e do deslocamento de picos de difrao de raios X.
b) Desenvolvimento e implantao da tcnica de anlise de perfis de

linhas de difrao
para a determinao de microtenses e tamanho
de cristalitos, com o uso de um microcomputador Apple 11+.
c)
Determinao
de
energia
de
falha
de
empilhamento
em
aos
inoxidveis utilizados para aplicaes em altas temperaturas.
11
COMISSO N A C I C N H
TE E N E R i A
l G L E A R / S P ^ \PtH
RESUMO
DESENVOLVIMENTO E IMPLANTAO DE UMA TCNICA DE ANLISE DE PERFIS DE

DIFRAO DE RAIOS X, PARA A DETERMINAO DA ENERGIA DE FALHA DE
EMPILHAMENTO DE METAIS E LIGAS DE ESTRUTURA CFC

r
Foi
falha
de
implantada uma tcnica de determinao da energia
empilhamento,
em
metais
ligas
de
estrutura
de
cbica
de
falha
de
faces centradas, por difrao de raios X.

A
tcnica
baseia-se
em relacionar
a energia
de
empilhamento com a razo entre a microdeformao quadrtica mdia e

a probabilidade de falhas de empilhamento, para amostras severamente
deformadas a frio por limagem.
A
microdeformao
quadrtica mdia
anlise dos perfis das reflexes
(111) e
obtida
a partir
da
(222) com a aplicao
do
mtodo de Iiârren-ilverJbach.
A anlise do deslocamento relativo dos picos das reflexes
(111) e (200) fornece a probabilidade de falhas de empilhamento.
Foram desenvolvidos
e implantados programas
em
linguagem
BASIC para a aquisio dos dados do difratmetro e para o tratamento

dos dados.
So discutidas as tcnicas de anlise de perfis de
de difrao
linhas
e inovaes introduzidas atravs dos programas desen-
volvidos.
O mtodo foi calibrado com os materiais A u , Ag, Cu, Ni e
A l , e aplicado a seis amostras de aos inoxidveis austenticos.
111
ABSTRACT
DEVELOPMENT AND IMPLANTATION OF A METHOD FOR THE X-RAY DIFFRACTION

PROFILE ANALYSIS, FOR THE DETERMINATION OF STACKING
FAULT ENERGY IN FCC METALS AND ALLOYS.
A method was implanted for the determination of stacking

fault
energies
of
face
centered
cubic
metals
using
X-ray
diffraction.
The stacking fault energy is determined from the relation
of
the
rms
microstrain
and
stacking
fault
probability
in
cold
worked filings of these metals.

The
diffraction
rms
peak
microstain
profile
was
analysis
obtained
from
the
X-ray
of
(111)
and
(222)
the
reflections and the stacking fault probability was determined

the
relative
peak
shift
analysis
of
the
(111)
and
from
(200)
reflections.
Microcomputer
acquisition
and
programs
were
calculations, using
developed
BASIC
for
language
the
for Apple
data
11+
microcomputer. Some innovations were introduced in the analysis of

the peak profiles.
The method was calibrated by means of pure A u , Ag, Cu, Ni
and
AT
metals
and
applied
in
the
determination
fault energies of six austenitic stainless steels.
IV
of
the
stacking
DIFRAO DE RAIOS
I.l - INTRODUO
A descoberta dos raios X por Rntgen

trs
ramos
da
cincia
que utilizam
essa
em 1895 deu origem a
radiao * . O primeiro
m a i s antigo deles o campo da radiologia, que teve o incio de sua

aplicao imediatamente aps a descoberta dos raios X. A radiologia
utiliza-se da propriedade de um feixe de raios X que, ao atravessar
um objeto qualquer tem sua intensidade diminuda numa proporo que
depende da espessura,, densidade e nmero atmico mdio do material
absorvedor. Desta forma, possvel detectar a radiao que atravessa o objeto por meio de um filme, e visualizar diferenas de espessura, densidade, composio, trincas e bolhas em estruturas opacas
luz
visvel. Esta utilizao
tem
inmeras aplicaes
em
medicina,
indstria e pesquisa.
confirmar
Laue
em
Um
segundo
natureza
1912
campo
originou-se
ondulatoria
pelos
Bragg
em
dos
dos
estudos
raios X,
1913,
atravs
no
sentido
realizados
da
por
de
Von
experincia
de
difrao de raios X por um cristal. Desta experincia derivou-se o

ramo da cincia conhecido como cristalografia de raios X.
O terceiro ramo, que estuda o espectro de emisso de raios
X dos materiais, embora tenha sido utilizado j no incio do sculo,
somente veio a ter aplicao rotineira
(hoje conhecida como espec-
trometria por fluorescncia de raios X) na segunda metade do sculo.
1.2 - PRODUO E CARACTERSTICAS DOS RAIOS X
Normalmente define-se como sendo raios X a parte

pectro
eletromagntico
0,1 a 100
compreendida
entre
os comprimentos
do e s de
onda
(ou energias entre 0,1 e 100 KeV) . Os raios X usual-
mente so produzidos fazendo-se incidir um feixe de eltrons, acelerados por uma diferena de potencial de alguns milhares de Volts, em
um alvo metlico. O espectro de raios X produzidos neste alvo tem a
forma mostrada na figura 1.1.
Nesta figura pode-se observar uma distribuio contnua de
comprimentos de onda, e sobrepostas a esta, vrias raias de comprimentos
de
onda
discretos
diferentes
intensidades.
-1-
f ni,;,L9Cn
KACiCNM Ct E N E R G I A N C L E A R / S f ^ - IPN
Essa
superposio deve-se a dois processos distintos que ocorrem simultaneamente. Um conhecido como radiao contnua, radiao branca ou
ainda bremsstrahlung, e o outro como radiao caracterstica.
LjXi
1-31
KC<i
1 '
1
1
1 '
UJ
Mf|
1 '
z
1
50
100
20
0,2
05
Figura 1.1 - Espectro
10
KeV
2J0
1.0
de um tuho de raios X com ando de W(100
KV).
O espectro contnuo devido interao coulombiana entre

os eltrons acelerados do feixe e os eltrons orbitais dos tomos do
alvo, que provoca uma desacelerao dos primeiros e, segundo a eletrodinmica clssica, essa desacelerao de cargas eltricas resulta
na emisso de radiao. A energia de um fton dada por E = hv' =
hc
r , onde h a constante de Planck, v a freqncia,
c a velo-19
cidade da
ento E =
cial
luz e A o comprimento de onda. Como 1 eV = 1,6x10

J,
12 4
fi
, onde E dado em KeV e X em A.
Portanto um eltron de carga ê' acelerado por um poten-
cintica
ter
energia
cintica
(em eV) numericamente
Se esse eltron
for
eV,
ou
seja,
igual ao potencial
sua
energia
acelerador.
freado num nico evento, resultando
num
fton
com energia igual energia cintica do eltron, seu comprimento

onda ser A
min
. Esse o menor comprimento de onda
de
(ou maior
KV
energia) possvel, uma vez que fizemos a suposio de que o eltron

converteu
toda
sua
energia
potencial
-2-
(no
campo
eltrico)
em
cintica, e toda esta em eletromagntica num nico fton. Porm isto

no
regra
geral,
os
eltrons
acelerados
num
campo
eletrosttico em vcuo tm uma distribuio de velocidades e ainda a

desacelerao na interao com os eltrons do alvo pode dar-se por
uma srie de eventos sucessivos com a perda de parte da energia em
cada um deles, resultando na emisso de vrios ftons cuja soma de
energias igual energia inicial do eltron. Isto resulta na emisso
de
vrios
acima do
ftons
limite mnimo
com todos os comprimentos

(X
de
onda
possveis
) , dado pelo potencial de acelerao. A
min
distribuio
do
espectro
contnuo
pode
ser
dada
em
termos
das
condies de excitao pela frmula de Kramers^^^.

I(A) d(A) = K i Z \{X/X
) - 1 l(l/A^) dX
1.1
min
que relaciona
intensidade de raios x de comprimento
de onda
X,
produzidos num alvo de espessura infinitesimal, de nmero atmico Z

por
uma
corrente
expresso
no
eletrnica
leva
em
conta
i,
a
onde
auto-absoro
uma
pelo
constante.
alvo,
Esta
o que
na
prtica resulta em modificaes na distribuio de intensidades.

Quando
eletrosttico
um
dos
eltrons
acelerados
pelo
interage com um eltron de uma camada
potencial
interna
de um
tomo do alvo, este eltron ser ejetado com energia E = E - I onde

O
a energia do eltron incidente e l o
potencial de ionizao do
eltron. A posio deste eltron ser imediatamente ocupada por um

outro eltron de uma camada mais externa que, na transio, emitir
um fton cuja enegia hi^ igual diferena entre a energia no nvel
inicial
(Ej) e a energia no nvel final (E^)'^^:

hi^ = AE = Ej - E^
1.2
Na figura 1.2 so mostradas as transies eletrnicas para

o tomo de cobre.
Quando um feixe de raios X incide numa lmina de um material absorvedor
Â' de espessura
^x', 4
processos diferentes podem
ocorrer. Considerando um fton individual do feixe, este pode atravessar o
absorvedor sem sofrer nenhuma
interao, pode ser total-
mente absorvido, pode ser espalhado com o mesmo comprimento de onda

inicial ou
onda. A
ainda ser espalhado com o aumento do seu comprimento de
probabilidade
governada pelo
de
respectivo
ocorrncia de cada um dos processos

coeficiente, que depende do comprimento
-3-
N,
t I :
8 ; g
3d
3d
3P
3P
3s
Ml
Lffl
2p
2p
2s
ft
tf
Pi
B3
0(1
Figura 1.2 - Transies

tomo de
de
onda
da
pares,
maiores
eletrnicas
absoro
no
ser
que resultam
em raios
X. para
e do nmero atmico do absorvedor. Um

de
radiao
considerada
por
estar
restrita
energias
consideradas
como raios X.
FEIXE
V /
INCIDENTE
//Z////
ABSOVERDOR
FLUORECENTES
FEIXE
TRANSMITIDO
RAIOS X ESPALHADOS
COERENTE
(THONSON)
Figura 1.3 - Processos
ELTRONS
ELTRONS
DE RECUO
COMPTON
INCOERENTE
ICOMPTON)
FOTOELETRONS
ELTRONS (AUGER)
de interao dos raios X com a matria.
-4-
r-r
outro
eletromagntica, a produo de
(E > 1.02 M e V ) , acima das que normalmente so
RAIOS X
cobre.
radiao
processo de
1s
t- .C C ll A
NIi
m F A R / S P ' IPEN
Esses quatro processos so denominados: transmisso, absoro fotoeltrica, espalhamento incoerente ou Compton
ou
Rayleigh,
respectivamente.
e espalhamento coerente
figura
1.3
sumariza
esses
processos*^'.
ABSORO
- Quando um
mento de onda
frao do
feixe de raios X de intensidade
incide em um absorvedor
feixe, de
intensidade
e compri-
*A' de espessura
I, ser transmitida,
^x', uma
sendo
I dado
por:
I(A^) = I^ (A^) exp -(H^P^x)
1.3
onde ji^ o coeficiente de absoro de massa do material

(que depende de Aê Z) e
do feixe
absorvedor
a densidade desse material. O restante
I^- I = I^[l - exp-(/i^p^x)] ser removido por um dos
pro-
cessos descritos a seguir:
EFEITO FOTOELTRICO - Na faixa de energias considerada, a maior parte da intensidade removida do feixe primrio devida ao efeito fotoeltrico, pelo qual um fton do feixe
incidente
interage
com
um
eltron orbital de um tomo do absorvedor que ser ejetado com uma

energia
cintica
igual energia
do
fton menos
a sua
energia
ligao ao tomo. O coeficiente de absoro fotoeltrica
de
x, repre-
senta a frao do feixe incidente que absorvida por esse processo.

Como a absoro fotoeltrica ocorre em cada um dos nveis de energia
do tomo o coeficiente de absoro fotoeltrica
total
ser
soma
dos coeficientes parciais para cada nvel de energia:
=
total
+
K
+ T
L
L
I
+ T
+ T
M
L
II
III
+ T
M
I
+ T
...
M
II
X
n
III
1.4
onde
corresponde ao ltimo nvel ocupado do tomo. No
rearranjo
dos nveis eletrnicos do tomo sero emitidos ftons cujas energias

so caractersticas do tomo e da transio ocorrida.
ESPALHAMENTO - O espalhamento pode ser interpretado como uma coliso

entre o fton e um eltron do absorver. Se esta coliso elstica
no haver perda de energia pelo fotn e o espalhamento dito coerente ou espalhamento
Rayleigh.
Se a coliso entre o fton e um eltron fracamente
ligado
transferir parte da energia do primeiro ao segundo, o espalhamento

-5-
dito incoerente ou espalhamento Compton.
Neste caso o fotn espalha-
do tem comprimento de onda maior que ê o eltron carrega a diferena de energia. O coeficiente total de espalhamento a composto
dos coeficientes dos dois tipos de espalhamento'*':
cr
+(1
f:
coer
Incoer'
onde f o fator de estrutura eletrnica.
COEFICIENTE DE ABSORO DE MASSA - O coeficiente de absoro de m a s sa a soma dos coeficientes de absoro fotoeltrica e de espalhamento. Mas como cr muito menor que X,
podemos considerar'**
1.5
H = X.
A maneira como N varia com o comprimento de onda

trada
na
figura
1.4,
que
mostra
curva
de
absoro
ilus-
para
tungstnio.
300
LIII
<
tf)
Z
/1
2X
c
o
t/)
m
<
Y
o
10C
0
02
OA
Oj6
0,8
10
16
12
16
X
Figura
1.4
- Variao
comprimento
do
coeficiente
de
de onda para o
absoro
20
(X)
de
massa
com
tungstnio.
1.3 - ESTRUTURA CRISTALINA
Todas as substncias so compostas por tomos e quase todas apresentam algum grau de ordem ou periodicidade no arranjo desses tomos. Um cristal pode ser definido como um slido composto de
tomos em um reticulado que se repete nas trs dimenses. Idealmente
-6-
CUBICO
SIMPLES
FIGURA
1.5
- Os
CUBICO
DE CORPO
CENTRADO
cristalinos
de
Bravais,
TETRAGONAL
SIMPLES
TETRAGONAL
DE
CORPO
CENTRADO
7,
7
ROMBODRICO
ORTORROMBICO
DE
FACES
CENTRADAS
HEXAGONAL
V
ORTORROMBICO
DE
BASES
CENTRADAS
CUBICO
DE
FACES
CENTRADAS
14 reticulados
ORTORROMBICO
DE
CORPO
CENTRADO
MONOCLINICO
DE
BASES
CENTRADAS
7\ JT^
ORTORROMBICO
SIMPLES
MONOCUNICO
SIMPLES
o arranjo mais estvel dos tomos num cristal aquele que minimiza
a
energia
por unidade de volume, ou seja: preserva
eltrica,
satisfaz
carter
direcional
das
neutralidade
ligaes
covalentes,
minimiza as repulses entre ons e agrupa os tomos mais compactamente'*'. Esses arranjos so chamados de reticulados ou redes espaciais e cada estrutura cristalina baseada num dos possveis reticulados
espaciais.
Um
reticulado
espacial
um
arranjo
tridimen-
sional infinito de pontos, no qual todo ponto tem a mesma vizinhana

e se chama ponto de reticulado. A cada ponto do reticulado pode e s tar associado mais de um tomo. Estes pontos podem estar arranjados
de
14
maneiras
Bravais,
diferentes
denominados
reticulados
ou
redes
de
envolvendo sete sistemas diferentes, conhecidos como siste-
mas cristalinos
cristalinos de
As
de Bravais.
A figura
1.5
mostra
os 14
reticulados
Bravais
redes
cristalinas
podem
ser
definidas
em
termos
dos
comprimentos dos lados da clula unitria e dos ngulos entre
suas
faces. Os lados da clula unitria definem os trs vetores fundamentais:
a, e nas direes x, y e z respectivamente
ngulos
entre
z e y ;
z e x ;
x e y
como
a,
/3
e tambm
e
y'^'.
os
As
caractersticas desses sistemas podem ser vistos na tabela 1.1.
sistema
eixos
cbico
^2
tetragonal
ngulos
axiais
todos os ngulos = 90
=
* c
ortorrmbico
a * b * c
monoclnico
a * b * c
2 ngulos = 9 0 ; 1 ngulo * 90
triclnico
a * b * c
todos os ngulos diferentes;

nenhum igual a 90
hexagonal
ngulo = 90 e 120
rombodrico
todos os ngulos iguais.

mas no de 90
Tabela 1.1 - Geometria
Portanto,
dos sistemas
sendo
r o vetor
cristalinos.
que
define
um
ponto
da
rede,
podemos definir a rede como sendo o conjunto de pontos r' tais que:
r' = r + ua + v + wc
onde u, v e w so inteiros
-8-
1.6
1.4 - DIREO DO FEIXE DIFRATADO (LEI DE BRAGG)
Se um feixe de raios X incidir sobre um tomo isolado os

eltrons
freqncia
cargas
desse
da
tomo
onda
eltricas
sero
excitados
incidente,
aceleradas.
emitindo
Em
outras
vibraro
com
radiao,
uma
palavras,
vez
mesma
que
tomo
so
espalha
parte do feixe incidente em todas as direes. Por outro lado, quando os tomos esto regularmente espaados em uma rede cristalina e a
radiao
incidente
tem
comprimento
de
onda
da
ordem
desse
espaamento, ocorrer interferncia construtiva entre as ondas espalhadas por cada .tomo, em determinadas direes ^ .
A figura 1.6 mostra um feixe monocromtico colimado de raios X com comprimento de onda X, incidindo em um conjunto de planos
cristalinos com espaamento d, segundo um ngulo de incidncia 0'^'.
Figura 1.6 - Difrao de raios X por um
cristal.
Como pode ser visto na figura 1.6,

(isto , interferncia construtiva)
rida por cada feixe for
se a
s ocorrer
distncia extra percor-
m mltiplo inteiro de A.
feixe difratado pelo segundo plano
reflexo
Por exemplo, o
de tomos percorre uma distncia
PO + OQ a mais que o feixe difratado pelo primeiro plano de tomos.

A condio para que ocorra interferncia construtiva :
P 0 + 0 Q = n A = 2 d
sen 6; onde n = 1, 2, 3,
Esta equao conhecida como Lei de Bragg
e os ngulos 8
para os quais ocorre difrao so chamados de ngulos de Bragg.
-9-
1.7
Fica
claro
nesta
equao que as direes para as quais ocorre
so determinadas
planos
(hkl)
pela
para
os
geometria
da rede. Os espaamentos
diversos
sistemas
de
Bravais
em
difrao
entre
funo
os
dos
parmetros e ngulos do reticulado so apresentados na tabela 1.2!^'
Relaes entre espaamento interplanar ( d ) ,

parmetros de reticulado
(a,b,c),
ngulos a, /3, y e planos cristalinos (h, k, 1) .

a ngulo entre b e c , /3 entre a e c e y entre a e b.
h" + k^ + 1'
Cbico:
d*
1
Tetragonal:
h^ + k^
^ _ll
h^ + hk + k^
Hexagonal:
Rombodrico:
1
(h^ + k^ + 1^) sen^g + 2(hk + kl + hl)(cos^g - cos a)

a^
(1-3
cos^ g + 2 cos^ g)
Ortorrmbico:
Monoclnico:
1
h^ ^
k^ sen^p
1^
2hl cos g
sen^g
Triclnico:
1
1
V2
(S
ac
h^ + S
^ 1 1
k^ + S
22
1^ +
2S
33
hk + 2S
12
kl + 2S
23
hl)
1 3 '
Na equao para cristais triclnicos:

V = volume da clula,
S.
11
= b^ c^ sen^g.
=
3 ^
S^^ = a
sen^/3,
2
sen y,
S^^ = abe
(cos g cos ^ - cos y ) ,
(cos
= a^bc
cos y - cos g) ,
= ab^c (cos y cos a - cos P ) .

1
Tabela 1.2 - Espaamento interplanar

-10-
para os sistemas
cristalinos
1.5
- INTENSIDADE DO FEIXE DIFRATADO
A
no
equao
suficiente
de Bragg
para
estabelece
existncia
de
a condio
uma
dada
necessria
reflexo,
sem
mas
fazer
referncia sua intensidade. As intensidades relativas dos picos de

difrao so determinadas por seis fatores*^':
a) FATOR DE ESPALHAMENTO ATMICO

Um eltron situado num campo eletromagntico oscilante ir
oscilar acelerado pelo campo eltrico, emitindo
mesma
freqncia
deste. Thonson
desenvolveu
(ou espalhando)
um tratamento
na
clssico
para um eltron livre, esquematizado na figura I . 7 ^ '
Figura 1.7
- Espalhamento
Nesta
de radiao por um
figura temos um eltron na
eltron.
origem do
sistema
um
feixe de radiao na direo do eixo x, com intensidade I^. A intensidade espalhada no ponto P, a uma distncia r da origem ser:
^0
(1
COS
29)
1.8
onde ^c' a velocidade da luz, ^m' e ê' a massa e carga do eltron

respectivamente. O
fator
[ ( 1 + cos^2)
2]
denominado
fator
de
polarizao'^'.
discretos
Um
tomo
consiste
em um ncleo
em
torno
do ncleo. Quando
e Z eltrons
ngulo
entre
em
orbitais
a direo
da
radiao incidente e a direo de observao zero, no haver d i -11-
ferena de fase entre as ondas espalhadas por cada eltron e a amplitude espalhada ser:
(1 + eos
I, (Ze)
I
29)
1.9
= Z' I
r- (Zm)^ c*
Quando o ngulo de observao aumenta, as ondas espalhadas

pelos eltrons estaro defasadas e suas contribuies
celar
parcialmente,
diminuindo
intensidade
iro se can-
observada,
como
pode
ser visto na figura 1.8.
DIFERENA
DE
FASE
Figura 1.8 - Espalhamento
da radiao por um tomo.
O poder de espalhamento
de um tomo depende, portanto,
do seu nmero atmico Z e da direo de observao. O fator
chamando de fator de espalhamento atmico e definido como a razo

entre a amplitude da onda espalhada por um tomo e a amplitude espalhada
tambm
por
um
depende
diferena
eltron:
f^=
I^/I^.
do comprimento
fator
de onda
de
espalhamento
da radiao, uma
vez
atmico
que
de fase est relacionada com a diferena de caminho e o
comprimento da onda, conforme por ser visto na figura 1.8.

Em geral *f' varia inversamente com
das
razes
pelas
quais
as
intensidades
so
(sen 9/X).
menores
ngulos. A figura 1.9 mostra a variao de *f' com

cobre.
-12-
Esta uma
para
(sen 9/X)
altos
para o
30
20
fcu
10
02
OA
0.6
0,8
1,0
Sip 9
x(-il
Figura 1.9 - Fator
de espalhamento
atmico do
cobre.
b) FATOR DE ESTRUTURA
A intensidade de uma dada reflexo tambm funo da p o sio dos tomos na clula unitria. Como o cristal uma repetio
desta,
suficiente
considerar
como
as
posies
dos
tomos
numa
nica clula unitria afetam a intensidade difratada. A onda resultante espalhada pelos tomos da clula unitria chamada de
fator
de estrutura, pois descreve como o arranjo dos tomos, dado por suas
coordenadas u, v e w afeta a intensidade. O fator de estrutura F
obtido pela adio das ondas
Se a clula unitria contm
u ' v^, w^, u^,
, o
por
espalhadas pelos tomos

N tomos, com
e
fator
de
fatores
estrutura
individuais.
coordenadas
de
fracionais
espalhamento
para a
atmico
reflexo hkl dado
(5)
F = f j exp [2ni(hu^+kv^+lw^)]+f2exp[2ni(hU2+kv2+lw^)]+. .. ^ .^^

que pode ser escrito como:
N
F = J: f
exp [2ni (hu +kv +lw )]

n
n =l
-13-
I.ll
onde a somatria feita sobre todos os N tomos da clula unitria.

O
fator de estrutura
^F' , em geral, um nmero
complexo
que expressa a amplitude e a fase da onda resultante. Seu valor absoluto
|F| d a amplitude da onda resultante em termos da
amplitude
da onda espalhada por um eltron. Da mesma forma que o fator de e s palhamento atmico ^f,
o fator de estrutura
|F| definido como uma
razo de amplitudes (5)

IPI _amplitude da onda espalhada por todos tomos da clula unitria
amplitude da onda espalhada por um eltron
A
intensidade do feixe difratado por todos
os tomos
clula unitria, na direo determinada pela lei de Bragg,
da
propor-
cional a IFI^, o quadrado da amplitude da onda resultante*^'.

Urna observao importante que o fator de estrutura independe da forma e tamanho da clula unitria. Podemos, portanto, relacionar a rede de Bravais
de uma substncia com seu espectro de d i -
frao, como mostrado na tabela 1.3**'.
reticulado de
Bravais
reflexes possivelmente
presentes
reflexes necessariamente
ausentes (proibidas)
simples
todas
nenhuma
base centrada
h, k todos pares ou todos impares(nao-mistos)
h, k mistos
corpo centrado (h + k + 1) par

face centrada
(h + k + 1) impar
h, k, 1 todos pares
todos impares
(nao-mistos)
Tabela 1.3 - Reflexes
ou
h, k, 1 mistos
possveis para cada rede de
Bravais
c) - FATOR DE MULTIPLICIDADE
Este
fator
leva em conta a proporo
relativa
de
planos
cristalinos contribuindo para a reflexo. Ele pode ser definido como

o nmero de planos que tm o mesmo espaamento ^d'. Planos paralelos
com diferentes ndices de Miller, tais como (100) e (100), so contados separadamente. O fator de multiplicidade *p' para planos
(100)
no sistema cbico 6 e para os planos (111) 8*^'.

O valor de
^p' depende do sistema cristalino em questo.
Por exemplo, no sistema tetragonal os planos
(001) e
suem
^p' igual a 4 para
o mesmo
espaamento, sendo o valor de
(100) no posos
planos (100) e 2 para os planos (001). Os valores do fator de multi-14-
plicidade so mostrados na tabela
1.4
(3)
hkl
48
hhl
24
Okl
24
Okk
12
hhh
8
001
6
hk-1
24
hh-1
12
Ok-1
12
hk-O
12
hh-0
6
Ok-0
6
00-1
2
Tetragonal:
hkl
16
hhl
8
Okl
8
hkO
8
hhO
4
OkO
4
001
2
Ortorrmbico:
hkl
8
Okl
4
kOl
4
hkO
4
hOO
2
OkO
2
001
2
Monoclnico:
hkl
4
kOl
OkO
Cbico:
Hexagonal e
Rombodrico:
Triclnico:
hkl
Tabela 1.4 - Fator
de multiplicidade
para o mtodo do p.
d) - FATOR DE LORENTZ-POLARIZAO
O fator de Lorentz-Polarizao composto, na verdade, de
dois fatores distintos. O fator de polarizao provm do espalhamento da radiao no polarizada como j foi visto no
de Thonson
[(1 + cos^2e) / 2]. O fator de Lorentz
tores trigonomtricos
leva em conta fa-
[1 / (4sen^0 cose)]. Como ambos dependem
ANGULO DE BRAGG O
Figura I.IO - Fator de
desenvolvimento
Lorentz-Polarizao.
-15-
ape-
nas do ngulo de difrao, so geralmente agrupados num nico fator

e
so
geralmente
encontrados
em
tabelas
como
de
* Fator
Lorentz-Polarizao':
LP
26
JLJLOE:
sen
; omitindo-se a constante 1/8
1.12
e cos
O efeito global deste fator decrescer a intensidade das

reflexes
que
ocorrem
com o ngulo de Bragg
para
ngulos
intermedirios. A
sua
variao
est representada na figura I.IO*^'.
e) FATOR DE ABSORO
Este fator leva em conta a absoro dos raios X na amostra.
Seu
valor
depende
do
mtodo
de
difrao
empregado.
Para
mtodo do p com difratmetro o fator de absoro A = 1/(2^),

de /n o coeficiente de absoro) que independe de 6. A
neste caso diminui
fator
e,
no
influe
no
clculo
das
(on-
absoro,
a intensidade de todas as reflexes pelo
portanto,
mesmo
intensidades
relativas'^'.
f) - FATOR DE TEMPERATURA
O fator de temperatura
(ou fator de Debye-Waller)
leva em
conta o aumento da vibrao dos tomos com a temperatura. Este aumento na vibrao trmica dos tomos alm de causar a expanso
10
Dial riond
0J&
0.6
Cu
e2M
Al
OA
02
0.2
0.6
Si-r>0
Figura I.ll - Fator
de temperatura
de
-16-
Debye-Waller.
das
clulas unitrias, alterando assim os valores dos espaamentos
in
terplanares, e consequentemente dos ngulos de Bragg, provoca tambm

uma diminuio das intensidades dos picos de difrao e aumento da
radiao
de
fundo
(background). O fator de temperatura
depende
do
material, do comprimento de onda A e do ngulo de difrao , conforme pode ser visto na figura I.ll'^'.
Para
a tcnica difratomtrica
a intensidade
relativa
das
raias difratadas dada por:

1 + cos ^28
I = IFI^ p
1.13
sen^ 8 cos 8
Esta
intensidade
orientao preferencial
1.6
M T O D O S
pode
ser
alterada
por
dois
fenmenos:
(textura) e extino'^'.
U T I L I Z A D O S
PARA
DIFRAO
D E
RAIOS
Existem vrios mtodos para obtermos o padro de difrao

de substncias cristalinas. Esses mtodos diferem no tipo de aparato
utilizado, no tipo de amostra e nas informaes que se deseja obter
sobre a estrutura do material. Podemos destacar entre eles o mtodo
de Laue
(para monocristais) e o mtodo do p.

O mtodo de Laue
um
fino
feixe
colimado
o mais antigo e mais simples. Utiliza
de
radiao
policromtica
que
incide
num
cristal estacionrio. Os planos cristalinos selecionam os comprimentos de onda que obedecem lei de Bragg
e os difratam
formando um
conjunto de pontos que so detectados por um filme. Duas geometrias

diferentes
so
normalmente
empregadas:
transmisso
reflexo,
dependendo da posio relativa do feixe de radiao, do cristal e do

filme, conforme pode ser visto na figura 1.12.
O mtodo do p, desenvolvido independentemente por Debye
Scherrer
(1916) e Hull
ser capaz de
estrutura
(1917) , o mais intensamente utilizado por
fornecer uma grande variedade de informaes
do material
investigado.
Basicamente
o mtodo
sobre
envolve
difrao de raios X monocromticos por uma amostra policristalina. A

radiao empregada
, geralmente, a raia de emisso
caracterstica
Ka__de um tubo de,raiosX, filtrada ou monocromatizad por um cristal.
A amostra pode estar fisicamente na forma de p ou de um slido
policristalino.
-17-
COMiSSO NAClCNl CE E N E R G I A N U C L E A R / S P - IPEN
1180 - 2
Figura 1.12 - Mtodo de Laue por transmisso
Existem
duas
tcnicas
6)
e reflexo.
principais,
diferenciadas
pela
posio relativa da amostra e filme:

TCNICA DE DEBYE-SCHERRER: O filme posicionado na superficie de um
cilindro e a amostra no eixo do mesmo.
TCNICA PARAFOCAL
(FOCUSING METHOD): O filme, a amostra e a fonte de
raios X so posicionados na superfcie de um cilindro.

As figuras 1.13 e 1.14 mostram esquematicamente essas duas
tcnicas.
FILME
ALVO
FONTE
FILME
ANTEPARO
AMOSTRA
Figura 1.13 - Cmara de Debye-Scherrer
-18-
Figura 1.14 - Cmara
focal.
1.7
D I F R A T M E T R O
D E
RAIOS
Uma variao da cmara de Debye-Scherrer

de raios
onde, ao
invs de um
o difratmetro
filme, utiliza-se
um
dispositivo
eletrnico para detectar e medir a intensidade do feixe difratado. A

vantagem desta tcnica est na possibilidade de medir as posies e
intensidades das reflexes simultnea e rapidamente, apesar do maior
custo do aparelho.
A
figura
1.15
apresenta
esquematicamente
difratmetro
(ou gonimetro) de raios X.
Figura 1.15 - Esquema
No
de um difratmetro
difratmetro
de raios X.
o feixe de raios
gerado
pela
fonte
^ S ' , passa pelo colimador Â' e incide na amostra ^ C , que se encontra
sobre
suporte
^H'. A amostra
sofre movimento
de rotao
em
torno do eixo Ô', perpendicular ao plano da figura. O feixe difra-
-19-
tado passa pelos colimadores

qual est sobre o suporte
mecanicamente
acompanhado
de
modo
pela
e 'F' e incide no detector
Ê'. Os suportes
que
rotao
o movimento
de
X graus
de
na
*E' e
2X
so
graus
amostra.
no
^G', o
acoplados
detector
Este
acoplamento
assegura que o ngulo de incidncia e o de emergncia so iguais

metade do ngulo de difrao 26. O contador pode varrer toda a faixa
angular em torno do eixo
Ô' com velocidade constante ou ser posi-
cionado manualmente em uma posio desejada. Em alguns aparelhos
detector pode tambm deslocar-se de forma intermitente avanando um

pequeno
ngulo
parando
por
um
tempo
pr-determinado
em
cada
posio enquanto feita a contagem.

A
intensidade
do
feixe difratado
que pode ser do tipo Geiger-Muller,
medida
pelo
detector
proporcional, de cintilao
ou
ainda semicondutor. Um graficador sincronizado com o gonimetro r e gistra a intensidade medida pelo detector, em funo da posio angular do detector.
A
amostra
pode
ser
em
forma
de p compactado
sobre
uma
lmina plana, slida com a superfcie plana ou, em gonimetros verticais, diluidas em um lquido. A superfcie analisada deve paralela
ao eixo Ô'. O ponto focal da fonte de raios X e a fenda de recepo
esto sobre uma circunferncia
(crculo difratomtrico) que tangen-
cia a superfcie da amostra, e so equidistantes desta. Esta geometria conhecida como geometria de Bragg-Brentano
mente empregada
A
e a mais comu-
radiao
pode
ser
monocromatizad
por
meio
cristal, tanto no feixe primrio como no feixe difratado
de
ou
um
ainda
por meio de um filtro e discriminao eletrnica. Neste caso o filtro, que uma fina lmina de um material que tenha alto coeficiente
de absoro para comprimentos de onda menores que a raia a ser utilizada
(geralmente a raia caracterstica
essa parte do espectro

um
analisador
K a ) , absorve
intensamente
(principalmente a raia caracterstica
de altura de pulso
(monocanal)
seleciona
K/S) e
a faixa
de
comprimentos de onda em torno daquele desejado, que ser detectado.
1.8 - INSTRUMENTAO PARA DIFRATOMETRIA DE RAIOS X
Um
difratmetro
de raios X consiste
basicamente
de
trs
partes:
a) Uma fonte de raios X composta de um gerador de alta tenso alta-
-20-
mente estabilizado e o tubo onde so produzidos os raios X;

b) O gonimetro;
c) O detector e eletrnica associada para deteco e
discriminao
da radiao e os mdulos para controle do gonimetro, aquisio e

tratamento de dados.
A figura 1.16 mostra um diagrama de blocos de um
difrat-
metro tpico e alguns dos equipamentos perifricos mais comuns**'.

O gerador basicamente um transformador altamente estabilizado que permite a seleo da tenso de excitao do tubo de raios
X e da corrente aplicada no filamento
(que determina a corrente
tubo) . O tubo , geralmente, do tipo selado, e pode ser

substituido.
Existem
atualmente
geradores
com
no
facilmente
tubos
de
ando
rotatrio que permitem a utilizao de potncias de at algumas d e zenas de KW
(para geradores com tubos de raios X comuns a potncia
mxima e da ordem de 3 KW) . O gerador contm tambm um sistema
de
refrigerao do ando e sistemas de segurana para evitar superaquecimento e descargas eltricas no tubo.
O gonimetro um conjunto mecnico de preciso que executa
o movimento
do
detector
da
amostra
mantendo
geometria
da
tcnica empregada. Deve ter grande preciso na determinao das p o sies angulares do feixe de radiao primria, da amostra e do d e tector. O gonimetro deve ter tambm motores com velocidades
tantes para a tcnica de varredura contnua. Os aparelhos
utilizam-se de motores de passo, controlados por
cons-
modernos
microprocessadores
para o controle dos seus movimentos. No gonimetro tambm feita a

colimao e a filtragem ou monocromatizao do feixe.
Existem gonimetros especiais para aplicaes particulares
tais como anlise de textura, anlise de filmes, anlise de peas de
grandes dimenses etc.
O
detector
normalmente
do
tipo proporcional
gs
ou
cintilador pois em ambos os casos possvel selecionar, por meio de

um analisador de altura de pulso, a radiao que quer-se utilizar. O
sinal do detector depois de discriminado entra no contador que pode
apresentar a taxa de contagens por unidade de tempo ou as contagens
integradas
num
tempo
pr-determinado.
Acoplado
ao
contador
um
graficador onde so registrados em papel os diagramas de intensidade

difratada versus ngulo do detector (difratogramas).
O difratmetro pode ainda conter mdulos de controle eletrnico do gonimetro e do gerador assim como de coleta e armazenamento de dados. Os aparelhos mais modernos vem acoplados a um mini
-21-
I
Ni
FONTE DO
GANIMETRO
FIGURA
1.16
AMPLIFICADOR
LINEAR
FONTE Dr. ALTA

TE^;SAC
CONTROLE
DE
IMPRESSORA
de
um
DISPLAY
difratmetro
IMPRESSORA
de
CONTROLE
DA
IMPRESSORA
ANALIZADOR DF.
ALTURA Df: PUL30
REGISTRADOR
RATEMETER
1
1
1
1
esquemtico
DETECTOR^
- Diagrama
GERADOR
DE
ALTA VOLTAGEM
TUBO D E
RAIO X
raios-X.
TIMER
H E Z
SCALER
ou microcomputador
dos dados
como
que, alm
por meio de
identificao
anlise qumica
fases
funes, permite
softwares especficos para
de
fases
cristalinas
tratamento
cada
(tambm
finalidade,
conhecida
como
por difrao de raios X ) , anlise quantitativa
cristalinas,
preferencial),
microtenses,
dessas
determinao
determinao
determinao
de
de
de
textura
tamanho
tenses
de
de
(orientao
cristalitos
rediduais,
determinao
de
cristalinidade, determinao de estrutura etc.

A
figura
1.17
mostra
um
difratograma
tpico
obtido
por
meio de um equipamento do tipo descrito.

Para
comparado
com
identificao de fases cristalinas

o
"padro
de
difrao" do
o difratograma
respectivo
material,
que
consiste de uma ficha onde constam os espaamentos interplanares das

reflexes
do espectro
intensidades
"Powder
de difrao desse material, assim
relativas.
Diffraction
Estes padres
File"
so
de
difrao
catalogados
como
suas
conhecidos
como
pelo
JCPDS
Committee on Powder Diffraction Standards). A figura 1.18
(Joint
mostra
padro PDF do LiF

Para medidas que requerem maior preciso, tanto na posio
quanto na forma do perfil de difrao, comum o uso da tcnica de
contagem
^passo-a-passo'
ou
^step-scanning'.
Por
essa
tcnica,
ao
invs do detector girar continuamente em torno da amostra, medindo a

taxa de contagens
(ou intensidade difratada), o detector posicio-
nado em uma dada posio angular 2 8 , durante um tempo t selecionado,

durante o qual o sistema de deteco acumula as contagens. Aps completado
esse tempo, o detector
deslocado
automaticamente
para
posio 8 + de, onde o passo de, assim como o tempo t, podem
ser
convenientemente selecionados. Desta forma obtem-se, ao invs de um

difratograma como o da figura 1.17, um histograma ou um conjunto de
pares de valores de ngulo versus intensidade. Desta
forma
pode-se
obter, alm de grande preciso e fidelidade na determinao do perfil de difrao, o registro do perfil
na
forma de um
conjunto
nmeros, o que conveniente para o tratamento matemtico e/ou

putacional.
-23-
de
com-
75
70
FIGURA
60
1.1?
50
- Difratograma
55
de
ZnO.
40
35
-1?
30
25
-o
3D
to
4-0857
4-0851
4-0857
95
1.18
2.23
FIGUEA
100
2.01
do
95
100
48
10
11
3
4
14
13
2.325
2.013
1.424
1.214
1.1625
1.0068
0,9239
.9005
.8220
LiF.
I/I1
FLUORIDE
d A
LITHIUM
"PDF"
95
2.325
- Padrao
48
1.42
111
200
220
311
322
400
321
420
422
hkl
d A
hkl
Il -
II.1
ENERGIA DE FALHA DE EMPILHAMENTO
F A L H A
D E
EMPILHAMENTO
maioria
dos
cbica de faces centradas

hexagonal compacta
metais
apresentam
estruturas
dos
(cfc), cbica de corpo centrado
(hc), apresentadas na figura 1.5. As
tipos
(ccc) ou
estruturas
cfc e hc so chamadas de estruturas compactas pois, num modelo
de
esferas rgidas dessas estruturas, 74% do volume da cdula unitria

ocupado por tomos, enquanto que a clula unitria ccc tem apenas
64% do seu volume ocupado.
As estruturas compactas podem ser construdas a partir do
empilhamento de planos compactos de esferas. Num plano compacto cada
esfera circundada por seis outras esferas que a tangenciam,
como
pode
pode
ser visto na figura I I . 1 . Uma segunda camada de esferas
ser sobreposta a esta, de maneira que os centros de seus tomos cubram metade do nmero de vales existentes na primeira
(posies B ou
C) . Para sobrepor uma terceira camada segunda existem duas possibilidades. Embora as esferas de terceira camada devam ajustar-se aos
vales da segunda camada, elas podem ocupar as posies
equivalentes
quelas ocupadas pela primeira camada (posies A) ou posies equivalentes aos vales no ocupados pela primeira camada (posies C ) .
Figura II. 1 - Representao
de um plano
26
compacto.
No
primeiro
caso temos uma
seqncia
de
empilhamento
do
tipo ABABAB... que tpica do plano basal (0001) da estrutura hc. O

segundo caso resulta numa seqncia de empilhamento ABCABC... que se
verifica para os planos (111) da estrutura cfc.
Uma falha ou defeito de empilhamento um defeito superficial q u e , como o nome indica, consiste de uma regio localizada
do
cristal onde a seqncia regular de empilhamento est alterada.

Numa rede cfc so possveis dois tipos de falha de empilhamento conhecidas como intrnseca e extrnseca*"', que podem
ser
descritas considerando a mudana na seqncia de empilhamento resultante da remoo ou da introduo de uma camada extra de tomos. Na
figura
II.2a
parte de uma
camada
foi removida,
resultando
numa
quebra da seqncia de empilhamento. Esta uma falha de empilhamento intrnseca. Na figura II.2b uma camada extra foi introduzida entre
uma
camada
uma
camada
C,
provocando
duas
quebras
na
seqncia de empilhamento. Este tipo chamado de falha de empilhamento extrnseca ou de macia.
C
A
B
A
A B
A
_ A ^ , ^
A
A
C
B
A
A C
(a)
Figura II.2 - Falhas
(b)
de empilhamento: (a)intrnseca
(b)extrnseca.
Outra maneira de descrever uma falha de empilhamento numa

estrutura cfc pelo deslizamento de planos compactos
(111) durante
a deformao plstica. Na figura II.3a temos a seqncia normal de

empilhamento dos planos
(111) da estrutura cfc. O deslizamento des-
ses planos pode produzir a falha de empilhamento representada na figura II.3b, onde o deslizamento ocorreu entre uma camada A e uma camada B, resultando no movimento, de uma mesma distncia para a e s querda, de cada camada atmica acima do plano de deslizamento. Assim
27
a seqncia de empilhamento passou a ser ABCAtCAB. Esta seqncia de

empilhamento apresenta quatro camadas com empilhamento semelhante ao
da estrutura hc da figura II.3d. Portanto esta falha de empilhamento
num metal cfc equivale a uma pequena regio hc no seu interior.
Ao
oX
Co
AO
=oA
Bo
-O
-jîT
Ao
o^
Ao-=
Co
Ao
ABCABCA
ABCA-CAB
(a)
(b)
oC
Bo^^
oB
oB
'jr^
Ao
B
r
B o^cZ
Aor:^
ABC ACB CA
ABA BAB
(c)
Figura II.3 - Sequncia
oB
(d)
de
empilhamento.
A outra maneira de ocorrer a falha de empilhamento na e s trutura cfc mostrada ha figura II.3c. A seqncia de empilhamento
ABC:ACB:CA
caracteriza
uma
falha de empilhamento
extrnseca
ou
de
macia na qual as trs camada ABC constituem a macia. Desta forma, as

falhas de empilhamento em metais cfc podem tambm ser
como
macias
submicroscpicas
de
espessura
consideradas
aproximadamente
atmica"'.
As falhas de empilhamento ocorrem mais facilmente nos m e tais
cfc
nestas
e,
em razo
estruturas.
disto, tm
partir
sido mais
desses
estudos
extensamente
pode-se
estudadas
afirmar,
exemplo, que as diferenas de comportamento na deformao
por
plstica
dos metais cfc podem ser relacionadas com as diferenas de comportamento da falha de empilhamento""'.
Do ponto de vista da teoria das discordncias, uma
de empilhamento
num metal cfc pode ser considerada
falha
como sendo
uma
discordncia dissociada, consistindo em uma pequena regio hc limi-
28
tada
por discordncias
parciais.
As discordncias
aproximadamente
paralelas tendem a repelir-se mutuamente enquanto que a tenso superficial da falha de empilhamento tende a aproxim-las. Quanto mais
baixa a energia de falha de empilhamento, maior a separao entre
as discordncias parciais e mais larga a falha de empilhamento.
II.2
D I S C O R D N C I A S
NA
R E D E
C F C
A deformao plstica de um cristal ocorre atravs do m o vimento relativo de seus planos de escorregamento que, em geral, so
aqueles
de maior
densidade
atmica. A direo de escorregamento
aquela de menor espaamento interatmico. Na rede cfc o deslizamento

ocorre
no plano
(111) segundo
a direo
[110],
conforme
pode ser
visto na figura I I . 4 .
11001
Figura I I . 4 - Direes
menor
de deslizamento
vetor
na estrutura
cfc.
de rede 1^[110], que liga
um tomo no
vrtice do cubo com um tomo vizinho no centro de uma face do cubo.

Assim o menor vetor de Burgers
1^[110].
Entretanto, considerando o arranjo atmico sobre o plano

(111),
mento
mostrado na
desses
planos
vetor b^ = ^ [ 1 0 1 ]
figura I I . 5 ,
no ocorre
podemos concluir que o deslizadiretamente
na direo
[110].
define uma das direes de deslizamento
29
obser-
vadas. Porm, se considerarmos os tomos como esferas rgidas, ser,

mais fcil para os tomos pertecentes a um plano do tipo B mover-s
/
ao longo dos
W a l e s ' , num movimento de 'ziguezague'
+ b^, do que
o fazer sobre o 'monte' (esfera do plano A) que se encontra no caminho do vetor b^.
Figura II.5 - Deslizamento
dos planos
(111) da rede
cfc.
A reao de discordncia
b^
-f^ [101]
11.1
b3
[211] +
[112]
11.2
A reao possvel pois as somas dos respectivos componentes de bê bîgualam-se aos componentes de b^:
(1/2,0,-1/2) = (1/3,-1/6,-1/6) +
(1/6,1/6,-1/3)
II.3
Como a energia de uma discordncia proporcional ao quadrado de seu vetor de Burgers,
a reao energeticamente
favorvel
pois ocorre um decrscimo de energia:

2
.2
ao
2
.
logo:
30
K2
w2
ao
II.4
>
II.5
. b^
O deslizamento atravs deste processo de dois estgio cria

uma falha ABCAC:ABC na seqncia de empilhamento. Na figura II.6 p o demos ver a discordncia com vetor de Burgers
duas
com
discordncias
vetores
ciais por
parciais
de Burgers
conhecidas
^^que se dissocia
como parciais
ê ^ . Essas discordncias
no produzirem
AB,
Burgers
que
se dissocia
Shockley,
so ditas
translaes completas na rede. Na
II.6 a discordncias perfeita com vetor de Burgers

por
de
em
discordncias
em
par-
figura
representada
parciais
com
vetores
e b^ conforme a reao descrita. A combinao
das
de
duas
parciais AC e AD conhecida como discordncia extendida e a regio

que as separa uma falha de empilhamento, pois a parte do cristal
que sofreu um deslizamento incompleto.
11211
REGIO
FALHADA
(1011
"2"
12111
V
1
11011
Figura II.6 - Discordncias
parciais
de
Shockley.
Como as direes dos vetores de Burgers
das parciais
no
so perperndiculares, existe entre eles \ima fora de repulso qual

se contrape uma fora de atrao devida energia da falha de empilhamento. o equilbrio entre estas duas foras determina
largura
da faixa defeituosa. Portanto no equilbrio a fora de repulso

(13)
iguala energia de falha de empilhamento
31
;n,.a.ssn NAClCNfL LE t N L R G l A
N U C L E A R / S P - IPEN
se
G
F = y =
( )
- -
2 nu 7)
[J/m^] ou [N/m]
II. 6
onde F a fora de repulso entre as parciais, y a energia da falha de empilhamento e G^^^ o mdulo de cisalhamento no plano
que contm a falha,
Cjj so
cujo valor
1/3
(c^^ + c^^-
c^^)'^*'
os coeficiente de rigidez elstica; (^ lo^) o
escalar
dos
vetores
de Burgers
das discordncias
(111)
onde
produto
parciais, w
largura da falha de empilhamento (ou seja, a distncia entre as dise TJ = l
cordncias parciais)
q = 1 -
para
uma
discordncia
em espiral e
V para uma discordncia em cunha {v a razo de Po is son) .

A energia de falha de empilhamento uma grandeza caracte-
rstica do material que permite o entendimento e a previso de suas

propriedades mecnicas, subestrutura de deformao, estabilidade m i croestrutural
etc. A energia de falha de empilhamento
de um
metal
pode ser relacionada, por exemplo, com a taxa de encruamento, resistencia
fadiga
discordncias,
fluncia,
armazenamento
distribuio
de
energia
densidade
na
de
deformao,
recristalizao, freqncia de macias de recozimento, susceptibilidade
corroso
(swelling),
sob
tenso,
estabilidade
textura,
de
fases
inchamento
sob
irradiao
intermetlicas,
relao
eltron/tomo e densidade de lacunas eletrnicas"^'.
II.3
M T O D O S
D E
MEDIDA
D A
ENERGIA
D E
FALHA
D E
E M P I L H A M E N T O
Desde o surgimento do conceito de energia de falha, ou defeito, de empilhamento, vrios mtodos experimentais tm
sido
pro-
postos e utilizados para a sua determinao.

Os mtodos ditos diretos envolvem a observao por microscopia
anis,
eletrnica
tetraedros
de
transmisso
(MET),
de
ns
de
etc""^'*^'. Outros mtodos, ditos
discordncias,
indiretos,
pro-
curam relacionar a energia de falha de empilhamento com outras grandezas que possam ser mais facilmente medidas. Dentre estes
mtodos
pode se destacar o mtodo por textura de raios X, o mtodo da taxa

de
encruamento
no
terceiro
(tambm conhecido como
T^^^^)^
estgio
O
de
deformao
de
monocristais
mtodo por difrao de raios X,
que
envolve a medida da probabilidade de falhas de empilhamento e densidade
de
discordncias,
combinado
com
determinao
microdeformao quadrtica mdia, por difratometria de raios X.
32
da
Os mtodos diretos so considerados, em geral, mais precisos, embora com a desvantagem de que cada um deles se aplica
apenas
a uma estreita faixa de valores da energia de falha de empilhamento.

Reed
e Schrann^^^^ apresentam uma extensa
lista de trabalhos envol-
vendo os diversos mtodos de determinao da energia de falha de empilhamento, alguns dos quais so tambm discutidos por
Dentre
considerado
os mtodos
Borges^^^\
indiretos, o de difrao de raios X
o mais preciso, com a vantagem
adicional
de poder
ser
aplicado potencialmente a uma ampla faixa de valores de energia de

falha de empilhamento, alm de sua boa reprodutibilidade e da possibilidade
de
automatizao
do
mtodo
por
meio
de
computadores
ou
mesmo microcomputadores.
II. 4
M T O D O
P O R
D E
DETERMINAO
D I F R A O
D E
RAIOS
DA
ENERGIA
D E
FALHA
D E
E M P I L H A M E N T O
X.
O mtodo de determinao da energia de falha de empilhamento

por difrao
falhas
de
de raios X consiste em relacionar
empilhamento
microdeformao
a probabilidade
quadrtica
mdia,
de
em
metais severamente deformados, com a energia de falha de empilhamento. Tanto a probabilidade de falhas de empilhamento, quanto a microdeformao quadrtica mdia so grandezas que podem ser determinadas
por tcnicas de anlise de perfis e posies de reflexes de raios
X.
A
anlise dos perfis e posies de linhas em padres
de
difrao de raios X uma tcnia valiosa para o estudo da estrutura

e das propriedades
de materiais cristalinos"^', particularmente
na
investigao dos efeitos da deformao em metais e ligas.

A
deformao
plstica
em
metais
policristalino
produz
alargamento nos perfis das linhas de difrao e deslocamento das p o sies de seus picos. O alargamento dos perfis devido reduo do
tamanho dos domnios coerentes de difrao
(cristalitos), falhas de
empilhamento e microdeformaes dentro desses domnios coerentes de

difrao. Os deslocamentos dos picos de difrao so resultantes das
tenses
residuais
(em amostras macias),
falhas de
empilhamento
variaes dos parmetros de rede produzidos por discordncias e segregao de tomos em soluo. Outra fonte de alargamento dos perfis
de difrao
a geometria
do difratmetro
incorrees no seu alinhamento.
33
de raios
X,
assim
como
possvel, utilizando-se tcnicas experimentais e tratamentos
matemticos
adequados,
separar
os
fatores
que
provocam
alargamento e o deslocamento das linhas de difrao: o
alargamento
produzido pelo tamanho de cristalitos e falhas de empilhamento independente da ordem da reflexo, enquanto que o alargamento devido
deformao depende da ordem da reflexo"*'. O deslocamento de picos
produzido
por
falhas
tenses
residuais
varia
com
orientao
cristalogrfica dos planos de difrao. O alargamento resultante dos

efeitos instrumentais pode ser avaliada
com o auxlio de uma amos-
tra padro registrada num difratograma, nas mesmas condies experimentais que a amostra em estudo, e esse alargamento pode ser eliminado no perfil da amostra, por meio de tcnicas convenientes.
II.5
R E L A O
ENTRE
M I C R O D E F O R M A O
A
E
P R O B A B I L I D A D E
E N E R G I A
D E
D E
FALHA
FALHAS
D E
D E
E M P I L H A M E N T O ,
EMPILHAMENTO.
Quando uma discordncia unitria se dissocia em duas discordncia parciais de Shockley,
criada uma falha de
empilhamento
entre elas. A probabilidade de falhas de empilhamento " a " expressa a

frao defeituosa dos planos de escorregamento
(lll)"^':
onde Aj a rea de falha de empilhamento entre as parciais e A^ a

rea dos planos de escorregamento. A rea total defeituosa
dada
por:
n
5: Aj = n 1 (j
onde n o nmero de discordncias dissociadas, 1 o
II.8
comprimento
das parciais e u a distncia de separao entre elas.

A densidade de discordncias "p" a razo entre o comprimento total das linhas de discordncia dentro do cristal "n 1" e o
volume do cristal "A d
o
":
111
P =
n 1
d
^0
portanto de II.7, II.8 e II.9 temos:
34
^^-^
a = p
^)
No sistema cbico d
/ / T .
= a
11.10
111
onde a^ o paramento de rede.
T I . 10^*
Substituindo d... em II.lo"''':
111
a
"
0,=
11.11
(13)
A densidade de discordncias pode ser dada tambm por
onde <c^ >
<c? >
o valor mdio, numa coluna de comprimento L=50, das
microdeformaes quadrticas mdias na direo [111]; b o vetor de

Burgers
total
(2 b^ = a^) e K^^^ uma constante relacionada
com
geometria do cristal. Substituindo-se as equaes 11.11 e 11.12
na
equao II.6, obtemos:
G
^
K
111
) a
111
<c^ >
3'
^2
50 111
a
A equao 11.13 contm possveis incertezas devidas anisotropia elstica, interao de discordncias em planos
se interseccionam, ao tipo de discordncia
ao
valor
de
. Reunindo
essas
(111) que
(ou seja o valor de T)) e
incertezas
no
termo
'k
111
w ',
111
podemos expressar a energia de falha de empilhamento como"^':

K
y =
u) G
"*
<c^ >
*"
50_m
a
Entretanto
para
um
existe
K^^ê w^*
Reed
desenvolvimento
Burgers
b^ = a^/ / 7
grande
e
divergncia
quanto
Schrann^^'^^ discutem
da
equao
11.14,
aos
esses
usando
valores
valores
vetor
adotados
e
prope
parcial
de
K
G
111
b
p
111
ir
35
<e
>
50 111
ic
1 1 . Ib
valor
de
'y/G
b '
111
pode
ser
determinado
vrios metais e comparado
da
literatura
para
coiri a razo
'<c >
/a', grandezas
que podem ser determinadas por difrao de raios X.

possvel determinar-se o valor do
Desta
KJJJU^/TI'
termo
estas
forma
independen-
temente de consideraes sobre o tipo de discordncias e suas interaes. Por meio deste procedimento, J?eed e Schrann
demostraram ha-
ver uma relao razoavelmente constante entre as razes 'y/G

2
e '<c > / ' ; ou seja , ' K
ui ' possue um valor bem definido
50
111
'
materiais
111
'
severamente
*^
deformados,
numa
ampla
faixa
de
b '
para
*^
valores
de
energia de falha de empilhamento. Por outro lado, ^K^^^ t J ^ ' fortemente dependente de parmetros que so muito difceis ou mesmo
im-
possveis de medir-se. Portanto esta metodologia, conjuntamente
com
a equao 11.15, constitui uma base razovel para a medida da energia de falha de empilhamento.
Os valores de microdeformao e probabilidade de falha de
empilhamento dependem fortemente do grau de deformao do material,
porm com a tcnica de difrao de raios X podem ser medidas simultaneamente na mesma amostra e, conforme tem sido confirmado por d i versos
trabalhos"^'*^',
razo
'<c^ >
/a'
pode
ser
considerada
111'
50
constante.
II.6
- CALIBRAO DO MTODO
O mtodo de determinao da energia de falha de empilhamento por difrao de raios X compreende ento, como foi visto, duas
fases. A primeira, que podemos denojninar de calibrao
do mtodo,
consiste
em
entre
as
razes
'y/G^^^bp'
'K^^^ w^'.
segunda
determinar
^^Cgo'îii^"''
a
"
proporcionalidade
seja,
valor
de
etapa consiste em medir, para> os materiais cujas energias de falha

de empilhamento desejamos determinar, a razo ^"^^^q^^^^/^'
Para efetuarmos a calibrao do mtodo necessrio um levantamento, na literatura, dos valores da energia de falha de empilhamento medidas por mtodos considerados precisos, para alguns m e tais cfc, e a comparao desses valores, juntamente com os valores
de
'G
b ', com valores da razo

111
'<c^ >
50
/a' medidos por

111'
difrao
^
de raios X para os mesmos metais. Para tanto foram escolhidos os m e tais: prata, ouro, cobre, alumnio e nquel, para os quais existe um
grande nmero de trabalhos, utilizando diversos mtodos de determinao de energia de falha de empilhamento"'^'*^'.
36
Existe grande disperso nos valores de 'y' reportados para

esses metais, e em razo disto necessrio que se faa uma reviso
desses valores reportados, com uma ponderao do grau de confidncia
dos mtodos utilizados em cada um.
Reed
'y'
e Schrann^^'^^
apresentam
uma
reviso
dos
valores
de
para esses metais, com valores compilados at 1974, sugerindo os
seguintes valores como mdia dos valores obtidos pelos mtodos mais
confiveis:
METAL
FAIXA DE VALORES
(mJ/m^) ou (erg/cm^)
(mJ/m ) ou (erg/cm^)
22
Ag
16 - 31
Au
50
42 - 61
Cu
62
48 - 85
Al
163
111 - 210
Ni
220
160 - 300
Tabela
II. 1 - Reviso
dos
valores
de
realizou
os
metais
Ag,
Au,
Shrann^-^^K
Cu, Al e Ni - Reed e
Coulomb^^^^
'y' para
tambm
uma
reviso,
mais
recente
(1978), recomendando os valores mostrados na tabela II.2.

FAIXA DE VALORES
(mJ/m^) ou (erg/cm )
METAL
(mJ/m^) ou (erg/cm^)
Ag
20
16 - 65
Au
35
28 - 42
Cu
45
31 - 160
Al
135
86 - 400
Ni
125
150 - 240
Tabela II.2 - Reviso
dos valores
de
'y' para os metais
Ag, Au, Cu,
Ni e Al - Coulomb^^^\
Das tabelas
recomendados
por
JReed e Scbrann.
II. 1 e II.2 pode-se observar
Coulomb
so menores que aqueles
que
os
valores
recomendados
por
Os valores de 'y' para nquel so discrepantes entre
as duas revises e alm disso os resultados utilizados em ambas para

chegar
esses
valores
so
ainda
37
discutidos
quanto
sua
consistncia"^'.
Em razo disto utilizaremos os resultados recomendados p e la duas revises para a calibrao do mtodo, chegando a dois valores independentes para 'K^^^w^'.
Para a determinao de ^<c^^>^jj' e 'a', tanto para os m e tais puros utilizados para a calibrao do mtodo, como para os m e tais cujas energias de falha de empilhamento queira-se
foram
como
empregadas
"Anlise
tcnicas
hoje
de perfis de
bastante
determinar,
disseminadas,
linhas de difrao
conhecidas
de raios
X"
(X-Ray
diffraction Line Profile Analysis - X R D L P A ) .

A probabilidade
medida
do deslocamento
de
falhas de empilhamento
obtida
relativo dos picos de difrao do
pela
material
deformado em relao ao material recristalizado'^'.

A microdeformao obtida a partir da anlise de Fourier
do alargamento dos perfis dos picos de difrao, com a aplicao da
tcnica de Warren-Averbach*^*' para a separao dos efeitos de tamanho de cristalito e deformao.
II.7 - DETERMINAO DA PROBABILIDADE DE FALHAS DE EMPILHAMENTO
Falhas de empilhamento nos planos (111) de metais cfc produzem deslocamentos nos picos de difrao assim como o
alargamento
de seus perfis'^^'. difcil obter informao sobre falhas de
empi-
lhamento apenas da anlise do alargamento dos perfis pois estes so

afetados pelo tamanho dos domnios coerentes de difrao e pela d e formao"^'.
Entretanto
o deslocamento
dos
picos
afetado
apenas
pelas falhas de empilhamento e, portanto, a sua medida permite a d e terminao da probabilidade de falhas de empilhamento 'a'.
O
deslocamento
de
picos de
qualquer
linha de difrao
(23)
(A 2 8 ) , em graus dado por
A 28 = tan 8 cos^^ 270 / l ^ a / 7T^ h^
11.16
onde ^<p' o ngulo entre a direo normal ao plano de difrao e os

planos que contm
falhas de deformao,
lhas de empilhamento
'a' a probabilidade de fa-
(suposta pequena) e h^ =
|h + k + 1|. O deslo-
camento positivo ou negativo dependendo se 'h^' igual a 3n + l

ou 3n - 1 respectivamente
camento. Para as reflexes
(n inteiro) ; quando h
= 3ri no h deslo-
(111) e (200) o efeito das falhas de em-
38
pilhamento deslocar o pico

pico
(200)
difrao
na
direo
(TIL),
(111):
(111) na direo crescente
contrria.
Trs
componentes
de 26 e o
do
pico
de
(111) e ( L L T ) so deslocados, enquanto que o
quarto no afetado.
Portanto para as reflexes
(111) e
(200) a equao
11.16
fica:
^^^zoo
^^^J=
Segundo
Warren
4^/^
(2 tan
6^^^
Warekois
+ tan
este
6^^^)
2n^
desenvolvimento
supe
que as falhas ocorrem independentemente e apenas em um conjunto de

planos
(111).
Em metais severamente deformados a frio as falhas de
empilhamento provavelmente ocorrem em mais de um conjunto de planos

(111)*"'.
Conseqentemente
significncia
de
'a' obtida
partir
da equao 11.17 no claramente definida, porm considerada como

representando a soma das probabilidades para os diferentes conjuntos
de planos
(111).
O
deslocamento
de picos de difrao devido
falhas
de
empilhamento so, geralmente, muito pequenos e como pode haver outras
fontes
amostra
no
unitria,
de
deslocamento,
difratmetro
no
ou
aconselhvel
como
posicionamento
alteraes
medir
nas
incorreto
dimenses
deslocamento
da
para
da
clula
um
nico
pico. conveniente medir-se o deslocamento relativo de picos adjacentes cujos deslocamentos ocorram em direes contrrias, como o
caso dos picos
(111) e
(200), em uma nica corrida do
difratmetro
para a amostra deformada, e repetir o procedimento para uma amostra

idntica
que
tenha
sofrido
um
tratamento
de
recristalizao
(padro). Com este procedimento a separao dos picos praticamente

independente dos efeitos de erros de posicionamento e da variao da
clula unitria*^'.
importante, ainda, que a medida seja feita em termos da
posio
dos
picos,
uma
vez
que
medida
tomada
em
funo
dos
centroides dos picos pode incluir o efeito adicional das assimetrias

dos picos, resultantes das falhas de macla*^'.
II.8 - DETERMINAO DA MICRODEFORMAO
Um perfil de difrao corrigido do alargamento
instrumen-
tal pode ser representado em termos de uma srie de Fourier*^':
39
- > N /C D
IPFM
eo
P(s) =
exp [-2 n i n a^{s - s^)]
11.18
n=-oo
onde K
uma
funo que varia
suavemente
com
s = 2 sen e / A,
s^ = 2 sen 8^ / A, 8^ a posio angular do pico de difrao, n o

nmero harmnico e a
= d
3
Podemos
hkl
definir
intensidade
espalhada
I(s)
P(s)/K
como:
00
^^^
" I
[-2
rr i n a^s
11.19
s^)]
n = -00
onde os coeficientes de Fourier
=
n
so dados por:
I(s) exp ^-2 n i n a^ (s - s^)] ds
"F
21
-As
2 1 '
11.20
/2
onde As^j intervalo de integrao definido por:
As
3
Com
uso
da
= A h
21
= 1
11.21
integral
de
Fourier
podemos
escrever
as
equaes 11.19 e 11.20 na forma*^*':
I(s) =
C(L) exp [-2 n i L (s - s^)] dL
11.22
C(L) =
I(s)
[-2 TT i L (s - s^)] d s
11.23
exp
onde L a distncia normal aos planos de difrao
(hkl) dentro do
cristal. Das equaes 11.19 e 11.22 pode-se observar que:
L = n a
= n d
Os
coeficientes
de
Fourier
11.24
hkl
C(L)
ou
so,
n
grandezas complexas:
40
geralmente,
= A
n
+ i B
n
OU
C(L) = A(L) + i B(L)
11.25
assim as equaes 11.19 e 11.22 podem ser expressas na forma:
I(s)
= Y
2 TT n a^s - s^) + B^ sen 2 rr n
a^(s - s^)]
11.26
ou
[A(L)
I(s) =
2 n L (s - s^) + B(L) sen 2 n L (s - s^)] dL
COS
11.27
Cada
coeficiente
de
Fourier
(7)
termos
C(L)
produto
de
dois
PF
; um
deles
representado
por
(L)
funo do tamanho
de
partcula e o outro representado por C^(L) funo da deformao.

PF
O
s
termo
2 sen /A =
(L)
independente
1 / d** , onde d''
hkl
da
ordem
a distncia
da reflexo,
interplanar
da
hkl
amostra deformada. Os coeficientes de Fourier
podem, ento ser dados
por:
C{L) = C''^(L) C^(L,s )
11.28
O termo C^(L) representa as deformaes do material. Podemos definir o componente de deformao normal aos planos de difrao
como*"':
C^(L,sJ
(AL
11.29
/ L)^
= <exp (-2 7T i L c
Para
pequenos
s )>
valores
de L , e
e s
L
11.30
podemos
aproximar
funo exponencial por:

C^ (L,s^) = 1 - 2
TT^
L'<C^>
S^ - i 2
TT
L <e^> s^ =
A^(L)
+ i B^ ( L )
11.31
que pode ser escrito como:
41
C^(L,S ) = |C^(L)| exp (-2 TI i L < C , > S ^ )

b
11.32
onde:
|C^(L)| = 1 - 2 TT^ Lê^> -
<cl sl
11.33
Na equao 11.33 o termo <c^> - <^>^ o desvio padro da

distribuio de deformaes. Das equaes 11.22 e 11.32 obtemos:
C''^(L) |C^(L)| exp [-2 TT i L (S - Sp)] dL
I(s) =
onde
anlise
s^-
de
<c >s^. Se
Fourier,
usarmos
posio
supondo
uma
de
s^ como
distribuio
11.34
origem
da
simtrica
de
deformaes teremos:
IC'^L)! = A^(L) = 1 - 2
Tr^Lê^>
- <cy)
s^
11.35
ou seja:
A^(L) = {[A^ (L)]' + [B^ (L)]'
termo
c''''ou c''''(L) est
relacionado
}''^
com
11.36
tamanho
dos
domnios coerentes de difrao D(hkl) e falhas de empilhamento. Segundo Warren^^^:

c'''' = (N
n
/ N )
n
3'
11.37
n
onde N^ o nmero mdio de clulas de comprimento a^ com um n-simo

vizinho na mesma coluna normal aos planos de difrao, N
o nmero
mdio de clulas por coluna em toda a rea irradiada da amostra e

o coeficiente devido s falhas. Pode-se demonstrar que"*':
00
= Y
"
onde P
(j - Inl) P.
J=lnl
11.38
a frao de colunas de comprimento

J
j . Como N
depende
do
valor absoluto de n, o termo N
/N
n
na equao 11.37 funo par de

3
n e consequentemente os coeficientes de Fourier
em seno so iguais a
zero. Usando a funo de distribuio contnua p(J)dJ, definida como

a frao de colunas com comprimentos entre J e J + dJ, e usando:
42
C''''(L) =
(L) C''(L)
11.39
podemos representar os coeficientes de Fourier
A''(L) =
em cosseno
(J - ILI) p(J) dJ
(l/D)
por:
A''(L)
11.40
J= I L I
onde D o tamanho mdio dos domnios na direo normal aos planos

de reflexo. Para pequenos valores de L ,
pode ser
A''(L)
aproximado
por:
A''(L)
partir
das equaes
L/D
11.34,
11.41
11.35 e 11.39, podemos
ex-
pressar a intensidade difratada por:

I(s) =
onde
A''(L)
A^(L)
C^(L)
exp
[-2n
i L
(s
s^) ] dL
11.42
- <e^> s^.
Na ausncia de falhas c''(L) = 1 e a equao 11.42 se reduz
relao de
Warren-Averbach^^^^:
I(s) = P(s)/K = y A''A^cos[2Tr n a (s - s )] + A''B^sen[2Tr n a s - s^)]

t-
n = oo
x\
Ti
11.43
II.9
SEPARAO
D O
TAMANHO
D E
PARTCULA
DEFORMAO
PF
Os
dependem
da
coeficientes
ordem
de
de Fourier
reflexo"*'.
Se
PF
(L) ou A
PF
(L)
substituirmos
os
(L)
ndices
Miller
(hkl) do pico de difrao por (l^h^,l^k^,1^1^), onde
so os
ndices
de
Miller
da primeira
ordem
da
reflexo
no
de
h^k^l^
1
o
PF
ordem
da
reflexo,
os coeficientes
de Fourier
PF
(L) e
(L)
no
sero alterados. Os coeficientes de deformao A (L) e B ( L ) , porm,

dependem da ordem da reflexo. Como s^ = 1 / d^
b
= h^ / a^, pode se
hkl
concluir da equao 11.33, que para a estrutura cbica com parmetro

de rede a:
A^(L)
[2
Tr^L^<cJ>
43
(ic^)
a^3
h^
11.44
onde
1^.
Usando o mtodo de Warren-Averbach^^^^
A(L)
= A''^(L)
podemos escrever:
A^(L)
11.45
In A ( L ) = In A ' ' ^ ( L ) + In A ^ ( L )
11.46
Para pequenos valores de L e <c^>, podemos escrever:

In A ( L ) = In A ' ' ^ L )
2 Tr^<c^> - ic^)
L V
^^''^'^
Portanto se fizermos um grfico de In A ( L ) versus s^, (s^

=
2 sen e /A), extrapolarmos a curva para s

b
cientes de tamanho de partcula A ^ ' ' ( L )

L.
= O, teremos os coefi-
para os diferentes valores de
A inclinao da curva a medida da deformao quadrtica
mdia
<c^> - <c^>ôu seja:

1/2
cf> - <c^>')
1/2
= {In [ A ' ' ( L ) / A ( L ) ] >
/.
( / 2
.
7rLsJ
^^-^'^
2
Para amostras pulverizadas podemos considerar <c^^> = O
44
(37)
ANLISE DOS PERFIS DE DIFRAAO
DE RAIOS X
III.l - INTRODUO
Para a anlise dos perfis de difrao necessrio que estes

sejam registrados com grande preciso e que suas caudas sejam r e gistradas, em ambos os lados do pico, at distncias que permitam
estimar
com
segurana
(background)"*'.
Para
tanto
o
os
nvel
da
perfis
de
radiao
difrao
de
dos
estudados foram registrados pela tcnica de contagem
fundo
materiais
passo-a-passo
com tempo fixo (step-scanning).

O aparelho utilizado foi um difratmetro Rigaku, composto
de um gerador modelo Geigerflex, um gonimetro modelo SG-8 com d e tector de cintilao e eletrnica associada. O sistema eletrnico de
contagem
foi acoplado, por meio de uma interface projetada
e cons-
truida no IPEN-CNEN/SP, a um microcomputador APPLE II+, para o qual

desenvolvemos o software que realizou o armazenamento e o tratamento
dos dados.
Dentro dos objetivos deste trabalho, foram
desenvolvidos
programas em liguagem BASIC, para a aquisio, armazenamento e tratamento dos dados, para a determinao da probabilidade de
falhas
de empilhamento e da microdeformao quadrtica mdia, descritos a

seguir.
III.2 - AQUISIO E ARMAZENAMENTO DE DADOS
sistema
funcionamento
do
de
step-scanning
gonimetro
e do
do
(PROG.AQ/DADOS)
difratmetro
contador
(scaler)
controla
de
modo
que,
selecionada a faixa angular na qual se far o registro do perfil, o

gonimetro permanece estacionario numa posio durante o tempo selecionado, durante o qual o scaler acumula as contagens registradas
pelo detector. Completado esse tempo, o scaler interrompe a contagem
imprime
numa
fita
de
papel,
enquanto
que
gonimetro
avana de um passo angular selecionado, e em seguida reiniciada a

contagem.
Este
sistema
foi modificado
imprimir cada contagem atravs da

esta
de
forma
que,
ao
impressora do prprio
invs
de
aparelho,
informao enviada, atravs de uma interface, ao microcom-
putador que, por meio de um programa registra a contagem.
-45-
o programa armazena, ento, um arquivo em disquete, contendo
as
seguintes
informaes
sobre
perfil
de
difrao
registrado:
a) Identificao da amostra;
b) Identificao do arquivo;
c) Radiao utilizada;
d) Passo angular empregado;
e) Tempo de contagem;
f) Faixa angular registrada;
g) Fendas utilizadas;
h) Pares de valores "ngulo x contagem".
Estas informaes so impressas em papel, via
do
microcomputador,
simultaneamente
sua
gravao
em
impressora
disquete.
Assim, para cada perfil registrado gerado um arquivo em disquete

que ser acessado pelos demais programas.
III. 3
CORREO
DO
BACKGROUND
FATOR
DE
LORENTZ-POLARIZAO
(PROG.BGLP).
Todos os trabalhos que descrevem ou utilizam a anlise de

perfis de difrao recomendam especial cuidado com a determinao do
background*^'^'^'**'''^^'^^'"'^'',
espalhamento
incoerente
do
que
feixe
radiao
de
de
raios
fundo
pela
devida
amostra
ao
e/ou
radiao fluorescente ali excitada. A maioria desses trabalhos recomenda que determine-se o nvel do background ajustando uma curva
(em
geral uma reta) s caudas do perfil de difrao, usando apenas o bom

senso para evitar a subestimao ou a superestimao de sua intensidade.
Para
evitar
subjetividade
desse
procedimento,
desenvol-
vemos um mtodo de estimar o nvel do background que mostrou-se satisfatrio*^^', que baseia-se no seguinte raciocnio:
Num difratograma, a intensidade da radiao registrada para posies
distantes dos ngulos de Bragg
no dependem do ngulo 6
devida a fatores que, em princpio,
(ou 20) e, portanto, deve manter-se
cons-
tante, a menos da flutuao estatstica da produo, deteco e contagem dos ftons de raios X. Deste modo, numa regio de background a
flutuao
da
intensidade
(ou
das
contagens
acumuladas
num
dado
tempo) de um ponto para outro adjacente, deve estar relacionada
de
alguma forma com o desvio padro da contagem. Portanto, se para uma

posio 26 a contagem acumulada for N, para um dado tempo de conta-
-46-
gem,
para
posio
28
(onde
passo
angular
do
difratmetro) a contagem acumulada no mesmo tempo dever ser N Ka,

onde <r = y / N
o desvio padro da contagem e K uma constante.
uma dada contagem N^^^ supera o valor Nî K v^N^

das
contagens, ou seja, N
(onde
E N / j) ento a
J=i ^
=
'
Se
a mdia
contagem
(e consequentemente o ponto i + 1) no faz parte do background e sim

do perfil de difrao.
Eventualmente uma dada contagem pode estar fora do intervalo de N a N + v/^ , e no pertencer ao perfil. Para evitar estes
casos, um segundo teste faz com que um ponto seja considerado como
sendo do perfil apenas se Y pontos consecutivos estiverem
fora do
intervalo definido pela mdia dos valores anteriores mais ou menos

o respectivo desvio padro. Os valores de K e Y podem ser escolhidos convenientemente, de acordo com a razo entre as
do
pico
do
background.
Nossa
experincia
sugere
intensidades
como
valores
tipicos K=l e Y=3.

O programa para correo do background desenvolvido recupera os dados do arquivo gerado pelo programa de aquisio e armazenamento de dados, lista-os e permite que se selecione a regio do
perfil que se deseja estudar. Selecionada esta regio, o programa
determina
automaticamente, de ambos os lados do pico de difrao,
os pontos que correspondem ao background. A esses pontos ajustada

uma reta, pelo mtodo dos mnimos quadrados. O programa faz tambm
uma anlise estatstica do ajuste dos pontos reta, fornecendo
coeficiente de correlao da reta. Caso o ajuste dos pontos reta

seja insatisfatrio, pode-se recomear o processo selecionando uma
outra regio do perfil e/ou definindo novos valores para K e Y.
Quando chega-se a um resultado satisfatrio para a
reta
que define o background, esta subtrada, ponto-a-ponto, do perfil

experimental, resultando da o perfil corrigido do background.
O programa permite ento que iguale-se a zero os pontos
da regio do background que eventualmente sejam discrepantes e, em
seguida,
faz-se
para
cada
ponto,
correo
pelo
fator
de
Lorentz-Polarizao, segundo a equao 1.12. Os dados corrigidos do

background e do fator de Lorentz-polarizao so ento gravados em
disquete,
num
novo
arquivo
que
ser
utilizado
pelo
programa
seguinte.
Opcionalmente este programa permite que faa-se uma sua-
-47-
vizao
(smothing) dos valores de intensidade. Este procedimento
conveniente
quando
mados
(6)
quando
o perfil
intensidade
do pico
de difrao
baixa
muito alargado, como no caso de metais
ou
defor-
, como ilustrado na figura III.l.

100 -1
(a)
c
O -
I
100
133
143
2 e
(b)
.o
c
D
I
143
2
133
100
-1
(c)
c
3
O -J
I
133
143
2 8'
Figura III.l - Perfis
do pico
(a) Perfil
(c)
de difrao
experimental;
suavizado.
-48-
(222) de amostra
(b) Corrigido
do
de
ao;
Background;
Esta suavizao feita tomando-se como valor de intensidade para cada ponto, a mdia das intensidades dos pontos adjacentes. Assim cada intensidade 1^ fica:
1^=1
/ (2k
-H
1)
j = i-k
onde k pode
assumir
o valor
1 ou 2, dependendo
do passo
angular
usado na tomada de dados por step-scanning.
III. 4
OBTENO
K
DA
SRIE
DE
FOURIER
CORREES
DO
DUBLETO
k .,E ALARGAMENTO INSTRUMENTAL.
(PROG.FOURIER/RACHINGER/STOKES)
A teoria de difrao de raios X prev que um perfil de um

pico de difrao de uma amostra policristalina
com
cristalitos
estreito'*'.
Na
suficientemente
prtica
os
grandes
perfis
sempre
isenta de tenses e
deve
ser
apresentam
bastante
algum
alarga-
mento alm daquele devido s tenses e tamanho de cristalitos. Este

alargamento adicional devido combinao de diversos fatores r e lacionados com o equipamento, tais como largura finita das fendas de
colimao
do
feixe de raios X, tamanho da amostra, penetrao
dos
raios X na amostra, focalizao imperfeita, no resoluo do dubleto

K^j-
ou mesmo a largura das raias K^^-
resolvido.
Todos
esses
fatores
de alargamento
guando
podem
o dubleto
ser
agrupados
sob o nome de 'alargamento instrumental'.

Para
obter-se
perfil
'puro', que
apresenta
apenas
alargamento devido estrutura do material, necessrio corrigir o

perfil experimental, eliminando o alargamento instrumental.
O
alargamento
instrumental pode ser determinado
do perfil de difrao de uma amostra
atravs
(padro), isenta de tenses e
com cristalitos suficientemente grandes registrada nas mesmas condies
experimentais
gamento do perfil
que
a amostra
em
estudo*^'*'^'. Assim
de difrao do padro representa
alar-
alargamento
instrumental a ser corrigido do perfil experimental.

O princpio desta correo pode ser discutido em
das trs curvas mostradas na figura III.2.
-49-
termos
Figura III.2 - As tres curvas

instrumental:
estrutural,
perfil
utilizadas
f(y)
g(z)
na correo do
e o perfil
e o perfil
alargamento
'puro' do
do
padro
alargamento
e h(x)
e o
experimental.
A distribuio de intensidades h(x) do perfil experimental
consiste
na
superposio
da
funo
instrumental
g(z)
uma
funo f(y) relacionada com os parmetos fsicos da amostra, tais

como tamanho de cristalito e deformaes.
A relao entre as trs curvas obtida considerando-se,
na
figura
II1.2,
a rea hachurada
g(z)dz
sobre
a curva
g ( z ) . Se
existir adicionalmente um alargamento devido estrutura da
amos-
tra, a rea g(z)dz ser expandida pela funo f ( y ) , e na posio y

a ordenada a contribuio dh(x) na posio x = z + y sobre a curva
h(x) . Como
as ordenadas
reas dos picos
nas duas
dh(x)
onde
curvas
so
proporcionais
(7)
rea
da
curva
III.l
g(z)dz
f (y) . Substituindo-se
ordenada da curva h(x) ser dada por:
h(x) =
g(z)
f(X
III.2
- z) dz
A equao III.2 indica que o perfil de difrao da amostra uma convoluo de duas funes: uma que representa o alargamento devido aos fatores estruturais e outra que representa o alargamento
devido
aos
fatores
instrumentais. A determinao
de
f(y)
atravs da equao III.2, quando h(x) e g(z) so conhecidos, no

trivial uma vez que f(y) ser dentro da integral de convoluo.
Uma
forma rigorosa
de resolver
a equao
III.2
obter
f(y) a partir das curvas h(x) e g(z) obtidas experimentalmente
-50-
conhecida como mtodo de StoKes'^*'.

Pelo mtodo
de Stokes
forma de sries de Fourier

a mais
larga
as trs
funes
so expressas na
no intervalo de -a/2 a + a / 2 . Como h(x)
das trs curvas, o intervalo
escolhido
de modo a
incluir toda a curva h ( x ) . Usando a notao complexa temos:
f (y)
111.3
F ( n ) exp (-271 i n / a )
= E
n
g(z)
= ZG(N^)
h(x) = imn^)
n^z/a)
111.4
exp (-271 i n^x/a)
111.5
exp
(-271
Substituindo estas expresses na equao III.2 temos:
E G(nj) exp (-2n i n^ z/a) J] F(n) exp[-27r i n (x - z) ]dz
h(x) =
III.6
A integral pode ser confinada aos limites -a/2 a +a/2 pois

g(z) no nula apenas neste intervalo.
Combinando
os termos
que envolvem
z, podemos
expressar
h(x) como:
,.0/2
( x ) = - ^ 1 1 G ( n j ) F ( n ) exp(-27r i n x / a )
exp[-27r i (n^- n) z/a]dz
n n
-a/2
III.7
Como:
+ a/2
a se n^ = n
III.8
exp [-271 i (n^- n) z/a] dz =

O se n^
-a/2
a expresso se reduz a:
h(x) =
Comparando
com
G(n) F(n) exp (-271 i n x/a)
equao
III. 5
III.9
igualando
os
coeficientes, obtemos:
-|- G(n) F(n) = H(n)
-51.-...c=.i.n
aruON^L t k N t R G l A N U C L E A R / S P - IPEN
III.10
Normalmente
estamos
formato
da
curva e, portanto, a constante a/A pode ser desprezada. Assim,
os
coeficientes de Fourier
Por
meio
da
interessados
apenas
no
da curva f(y) so dados por:
equao
III.11
temos
uma
soluo
exata
completamente geral da equao III.2. Entretanto a equao
III.11
no to simples pois os trs coeficientes podem ser complexos'^':
H (n) + i H (n)
(n) + i F (n) =
'
G^(n) + i G J n )
III.12
ou ainda:
H (n) G (n) + H (n) G (n)
F
(n) =
III.13
G^n) + G^n)
(n) =
'
H (n) G (n) + H (n) G (n)

G^(n) + G^(n)
III.14
Partindo das duas curvas obtidas experimentalmente, h(x) e

g(z) , necessrio determinar-se os coeficientes em seno e em
cos-
seno, que combinados de acordo com as equaes III.13 e 14, fornecem

os coeficientes
F^ (n) e F^ (n), a partir dos quais a funo f(y)
sintetizada:
f(y) =
>
F (n) eos 2
TT
/ . L
III.15
+ F (n) sen 2 ir n
a
n
A s origens escolhidas para as duas curvas h(x) e g(z) so
arbitrrias,
F^(n)
f(x)
e
com
ou
seja,
Fj (n) sero
origens
se
as
origens
diferentes, mas
diferentes,
que
forem
deslocadas
correspondero
no
tem
as
funes
mesma
efeito
na
funo
forma
do
perfil.
O mtodo de Stokes s pode ser utilizado se a funo G(n)
possuir um valor aprecivel no intervalo no qual H(n) diferente de
zero, ou seja, G(n) deve ser muito larga em relao a H(n) , o que
-52-
equivale
dizer
que
g(z)
deve
ser
estreita
em
comparao
O trabalho envolvido na correo de Stokes

zido
se as trs
funes
forem
com
pode ser redu-
simtricas. Na maioria
dos
casos
assimetria dos picos devida principalmente ao dubleto K^j~K^2

resolvido,
deaz
para
de
modo
obter-se
que
os
corrigindo-se
perfis
h(x)
h(x)
e g(z)
da
contribuio
g(z)
resultantes
da
raia
ai
apenas, se obtm picos essencialmente simtricos*^'.

Dos mtodos existentes para a separao do dubleto K^,~K^2
o
mtodo
Rachinger)
de
Rachinger
(tambm
considerado
Rachinger^^'^'^'^^^ considera-se
conhecido
como
(16)
melhor
a
intensidade
da
mtodo
de
DuMond-
correo
Na
raia
K^^
como
de
sen-
do a metade da intensidade da raia K^^, e que a forma dos perfis resultantes das reflexes das duas raias a mesma, sendo que o pico
K^^ est
deslocado de um ngulo
A(2) = 2 tan [AX/A(ai)], onde AA = X (az) - (ai)
III. 16
O principio da correo de Pachinger ilustrado na figura

III.3.
01 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Figura III.3 - Correo de
Rachinger.
Na figura III.3 o perfil da esquerda representa a contribuio de K^^ e K^^ separadamente, enquanto que o perfil da direita
mostra a superposio das duas raias, tal como se obtm
experimen-
talmente.
Para proceder correo, estabelecemos intervalos de largura A2/m, a partir da extremidade esquerda do perfil experimental,
onde a intensidade nula e dividimos toda a extenso do perfil em
intervalos com essa largura, numerando-os como O, 1, 2,...,i,...., n
at
extremidade
direita. O valor de m
no nosso
caso
inteira da razo entre A2 e o passo angular utilizado no
-53-
parte
registro
dos perfis por
'step-scanning'. Vamos denominar 1^ a intensidade
do
perfil experimental no i-simo dos n intervalos e Ij(ai) a parte de

devida apenas a ai. Assim:
Aplicando-se este procedimento para cada ponto experimental,
no
sentido
crescente
de
2 0 , obtem-se
o perfil
corrigido
dos
efeitos da raia K^^ ôm uma preciso satisfatria desde a extremidade
esquerda
at
aproximadamente
a metade
da
parte
descendente
perfil, a partir de onde as diferenas entre I. e I.
do
(ai) envolvem
quantidades muito prximas e assim a preciso baixa. Nesta regio

pode-se utilizar um procedimento de suavizao semelhante ao descrito n o item anterior para eliminar as flutuaes.
Gangulee^^^^
Rachinger,
entes da
faz
um
desenvolvimento
do
mtodo
de
efetuando a correo dos efeitos da raia K^^ nos coeficisrie de Fourier
que representa
o perfil
experimental. A
vantagem deste procedimento que o erro da correo de Rachinger
uniformemente distribuido por todo o perfil'^^'.

Podemos
perfis
denominar
relativos
as
distribuies
raias
K^^,
K^^ e o
de
intensidades
perfil
dos
experimental
(K^^+ K^^) como I^ ( X ) , Ig^) e I(x) respectivamente, onde x a p o sio angular.

Ento:
I(x) = Ij(x) + I^x)
Considerando
que
l^^W
tem
mesma
III.18
forma
que
I^(x),
podemos escrever:
l^(x) = R I^(x - A)
III.19
onde R a razo entre as intensidades das raias ^^j^^^âi ^ ^ separao angular entre as reflexes de
Expandindo-se
-a/2
K^^ e K^^.
Ij(x) em srie de Fourier
no
intervalo
de
a + a / 2 , temos:
00
( X ) = y
1 '
'
00
A
n
COS
"
n=-oo
+ y
n = -oo
-54-
B ' sen
n
" ^
III.20
Combinado as equaes III.19 e III.20, temos:
00
a'
A eos
n A
2TT
'
271 n A
sen
eos
n = -00
00
sen
2TT
a
n A
n
, o' ^ r .
+ B eos
271 n A
271 n X
sen
III.21
n = -00
A intensidade do perfil experimental ser:
00
00
I(x)
sen
n = - 00
277 n X
III.22
n = -00
Podemos definir as grandezas p
e q
n
como:
n
= 1 + R eos ^JULA.
= R sen
111.23
27r n A
111.24
Comparando os coeficientes nas equaes III.20, III.21 e

III.22 temos:
A
= A
- B
= A
n
q
n
+ B
n
111.25
n
p
n
Resolvendo estas equaes para A
e B
n
A
A
p
n
+ B
n
III.27
III.28
P' + q^
-A
n
, teremos:
n
q
n
111.26
q
n
+ B
n
p
n
P^ + q^
n
O valor de A pode ser calculado facilmente para

reflexo de Bragg
qualquer
e, portanto, se R conhecido pode-se calcular os
coeficientes de Fourier
do perfil devido apenas raia K^^ por meio
-55-
das equaes III.23, III.24, III.27 e III.28, a partir dos coeficientes de Fourier
d o perfil experimental.
Esta tcnica de correo dos efeitos da raia K^^ em perfis

de difrao de raios X considerada moderna e elegante por traba(28)
Ihar diretamente no espao de Fourier

O programa desenvolvido l os arquivos de dados dos perfis
da amostra e do respectivo padro, j corrigidos do background e do
fator de Lorentz-polarizao pelo programa anterior e centraliza os
perfis pela posio do mximo de cada pico, o que necessrio para
realizar-se a deconvoluo. Em seguida aplicada, em ambos os perfis, a transformada de Fourier
srie de Fourier
para determinao dos coeficientes da
que representa cada perfil. Para realizar este pro-
cedimento foi necessria a otimizao do programa de modo a possibilitar a realizao dos clculos em tempos factveis e o armazenamento
das variveis
na memria
de um microcomputador
APPLE
11+ com
64Kbytes de memria RAM. Para tanto foi utilizado um algoritmo de

Transformada
f.p,j,j ( 2 8 , 2 9 . 3 0 ) ^
Rpida
de
Determinados
Fourier
(Fast
os coeficientes
Fourier
de Fourier
Transform
dos dois
experimentais, feita a correo de RachingeiGangulee

deles,
que so tambm
normalizados
de modo
que suas
perfis
em cada um
intensidades
sejam iguais.
possvel, ento, por meio da aplicao
inversa de Fourier
da tranformada
(Inverse Fast Fourier Transform - I F F T ) , obter-se
cada um dos perfis no espao real. A obteno dos perfis no espaCo

real depois de realizada a correo de Rachinger-Gangulee
inte-
ressante para se visualizr os perfis sem influncia da raia K^^. Os

valores de intensidade dos perfis assim obtidos so gravados em um
arquivo
em
disquete
para
serem
depois
graficados
por
outro
programa.
feita ento a deconvoluo dos dois perfis pelo mtodo
de Stokes,
para obter-se os coeficientes de Fourier
do perfil de d i -
frao da amostra, livre do alargamento instrumental.
possvel
reconstituir
este
partir dos coeficientes de Fourier

inversa
IDFT).
discreta
de Fourier
A transformada
perfil,
real,
com a aplicao da transformada
(Inverse Discrete
inversa
no espao
rpida
Fourier
de Fourier
no
Transform
conveniente
neste caso pois a sua preciso no satisfatria. Entretanto com a

utilizao
da transformada
inversa
demasiadamente lento.
-56-
discreta
programa
se
torna
Os valores de intensidade do perfil assim obtido so gravados
em
um
arquivo
em
disquete
para
posteriormente
serem
graficados.
O programa
perfil
que
fornece, ento, os coeficientes de Fourier
do
'puro', atravs de listagem impressa, e em arquivo em disco,
sero
utilizados
para
determinao
da
quadrtica mdia, pelo mtodo de Warren-Averbach.
microdeformao
Uma verso do pro-
grama permite a determinao da microdeformao e d o tamanho
mdio
(28 31 32 33)
de cristalitos diretamente, por meio de outros mtodos
>>
Este programa apresenta algumas limitaes devido ao tipo

de microcomputador
utilizado. Em um microcomputador
APPLE
11+ com
64Kbytes de memria RAM, o nmero mximo de pontos para a srie de

Fourier
para
2 * , ou seja 512 pontos e o tempo total de processamento
se obter os coeficientes de Fourier
do perfil corrigido
pode
chegar a cerca de uma hora.

A grande vantagem deste sistema por ns adaptado ao difratmetro
utilizado, consiste
em se poder realizar
todo
o processo,
desde a coleta de dados experimentais at os resultados finais sem a

necessidade de manipulao ou digitao dos dados.
III.5 - IMPRESSO DOS PERFIS
(PROG.PLOT)
Por meio deste programa pode-se traar no monitor do m i crocomputador
e imprimir
os perfis de difrao
cujos dados
tenham
sido armazenados em disquete por um dos programas anteriores.

Esses arquivos podem ser de quatro tipos diferentes:
- Arquivo AQ/DADOS: arquivo dos dados do perfil experimental;
- Arquivo BGLP: arquivo com
dados do perfil experimental cor-
rigido do background e pelo fator de Lorentz-polarizao;

- Arquivo IFFT: perfil corrigido do dubleto Ka^ - Ka^
dos coeficientes de Fourier
-
Arquivo
IDFT: perfil
obtido
pela aplicao da IFFT;
corrigido
do alargamento
obtido dos coeficientes de Fourier
do perfil
instrumental
deconvoludo,
pela aplicao da IDFT.

Estes arquivos de dados diferem entre si na formatao e,
portanto, necessrio um procedimento especfico para graficar os
dados de cada um deles.
A traagem dos perfis til para ilustrar, visualizar e
comparar os perfis de difrao antes e depois das correes, permi-
-57;IViSS;VQ WACtCNL
DE E N E R G I A
N I J C L F A R / S P . IW^M
tindo acompanhar visualmente o efeito dessas correes nos perfis, e

a deteco de erros ou enganos.
A figura III.4 ilustra os perfis graficados por meio deste
programa.
figura
II1.4.a
mostra
o perfil
do
pico
(222)
de
uma
amostra de Cu, deformada por limagem, tal como registrada experimentalmente pelo programa AQ/DADOS
do pico
. A figura III.4.b mostra o perfil
(222) de uma amostra de Cu idntica anterior, que
sofreu
um tratamento trmico de recristalizao a 800**C por 1 hora em vcuo

(amostra
padro para
condies.
As
figura
a correo de S t o k e s ) ,
III.4.C
III.4.d
registrada
mostram
os
anteriores, respectivamente, corrigidos do background
nas
mesmas
mesmos
perfis
e pelo
fator
de Lorentz-polarizao. As figuras IV.4.e e IV.4.f mostram os mesmos

perfis depois de corrigidos dos efeitos do dubleto K^, obtidos
coeficientes
rpida
de
Fourier
pela
aplicao
da
transformada
dos
inversa
(IFFT), e finalmente a figura III.4.g mostra o perfil corri-
gido do alargamento instrumental pela deconvoluo dos perfis anteriores
(mtodo de Stokes),
obtido dos coeficientes de Fourier
pela
aplicao da transformada inversa discreta, ou seja, o perfil 'puro'

do pico (222) da amostra de cobre deformada, cujo alargamento representa apenas os efeitos estruturais da amostra.
100 n
(a)
O
-J
133
136
experimentais
deformada
(a).
-58-
139
2 0
do pico
(222) de amostras
de Cu
100 n
.J3
(b)
-J
139
136
2 9"
100
f
133
J
n
100
CD;
3
->
r
600
2 G"
experimentais
recristalizada
background
(b);
e fator de
-59-
do pico
(c)
(222) de amostras
(d)
perfis
de Cu
corrigidos
Lorentz-polarizao.
do
-C
3
(e)
O
-J
512
100
(f)
-I
512
100 n
(g)
Z o
512
Figura III.4 - (e) e (f) perfis

'puro' do pico
corrigidos
do dubleto
(222) da amostra
-60-
K^.
deformada.
(g)
perfil
III.6 - DETERMINAO DA POSIO DE PICOS E PROBABILIDADE DE FALHAS

DE EMPILHAMENTO (PROG.POS/PICO/ALPHA) .
A probabilidade de falhas de empilhamento, conforme discutido anteriormente, obtida a partir do deslocamento relativo
dos
picos de difrao. Para determinar-se esse deslocamento necessrio

que se determine com preciso a posio dos picos de difrao.
Existem diversos mtodos, grficos e analticos, para d e terminar-se
a posio angular
de um pico de difrao ^* . O
mtodo
considerado padro consiste em ajustar os pontos experimentais, r e gistrados pela tcnica de contagem passo-a-passo, cujas intensidades
sejam maiores que 85% da intensidade mxima, a uma parbola, e tomar
o eixo dessa parbola como sendo a posio de mximo do pico*^'^*'.
A equao de uma parbola cujo eixo paralelo ao eixo y e
as coordenadas do vrtice so (h,k) '^':
(X - h ) ^ = p (y - k)
III.29
Fazendo-se x = 20 e y = I, esta equao representa a forma do perfil

de difrao na regio de seu pico'^'. Substituindo-se pares de valores "20 X I" na equao e resolvendo para h pelo mtodo dos mnimos
quadrados, teremos ento o valor de h igual posio 20^ do pico.
Apenas dois ou trs pontos em cada lado do pico so suficientes para
o ajuste da parbola com excelente preciso'^'. O procedimento
mais
comum, ilustrado na figura II1.5, requer que se mea apenas trs intensidades em posies angulares igualmente espaadas pelo mesmo intervalo
c'^'"'*'. Sendo
respondentes
aos
pelo
de
fator
I^,
ngulos
^3
intensidades
20^, 20^ +
Lorentz-polarizao,
e
e
20^ +
observadas
2c,
a = I^- 1^
cor-
corrigidos
e b = I^ - I3/
a posio angular do pico ser dada por'^'^*':
3a + b
a + b
20 = 20 +
o
1
III.30
O programa desenvolvido determina as intensidades, em torno
do
pico,
cujas
intensidades
mximo, para os picos
(111) e
seja
maiores
ou
iguais
(200) da amostra padro e da
85%
do
amostra
deformada e corrige-as pelo fator de Lorentz-polarizao. Em seguida

calcula a posio de cada pico ajustando a parbola a trs pontos: o
ponto
de
intensidade
mxima
os
-61-
pontos
adjacentes
de
ambos
os
26 20,13)
Figura III.5 - Ajuste
lados.
da parbola
So determinadas
a trs
pontos.
as parbolas para
o ponto
de mximo
os
pontos imediatamente adjacentes, os segundo adjacentes, os terceiros

adjacentes, e assim adiante, at que as intensidades sejam
menores
que 85% do mximo. Toma-se, ento, como posio do pico, a mdia dos
valores obtidos para todas as parbolas. Assim, so determinadas as
posies
dos picos
(111) ,
(200) ,
(111)
(200)
e,
por
meio
da
equao 11.17, determinada a probabilidade de falhas de empilhamento. Os subscritos p indicam a amostra padro e os subscridos d a
amostra deformada.
II1.7 - CORREO D E ROTHMAN-COHEN
ajuste
de
background
, para
a anlise
de
Fourier,
maior fonte de erros experimentais pois os coeficiente para valores

pequenos de L so determinados pelas caudas do pico de difrao
A^,
coeficiente
de
Fourier
em
cosseno
para
L=0,
, e
representa
intensidade integrada do pico'*^'.

Os
embora
mais
sensveis ao ajuste de background, so importantes na anlise
pois
determinam
coeficientes
de
Fourier
para
pequeno,
o tamanho efetivo de partcula D^^
(hkl)'*"''. Um
erro de
truncamento do perfil de 2% de sua altura pode resultar num erro de

15% no valor de A^. Esse erro se propaga pelos demais
coeficientes
quando da normalizao para A^ = 1 ' . Isto faz com que a curva de

A^ versus L (ou A^ versus n) tenha a forma de um sigma invertido, ou
seja,
tende a zero assintticamente quando L tende a zero. Este
comportamento
normalmente
conhecido
-62-
como
"efeito
gancho"
(hook
effect).
Rothman
dos
efeitos
do
Cohem
(43)
sugerem
truncamento
nos
um procedimento
valores
de
para
para
L
correo
pequeno.
Um
pequeno truncamento no afeta significativamente os coeficientes A^

para n intermedirio, pois esses coeficientes representam
posies
mais intensas do pico e no as caudas. Portanto, para valores intermedirios de n, a curva In A
versus n deve apresentar um comportan
mento linear. Alm disso esta regio linear deve ter a mesma inclinao para o pico truncado e para o pico correto, sendo que a nica
diferena
ser
um
pequeno
normalizao'consequentemente
lando
poro
linear
da
renormal izando todos os A
deslocamento
vertical
podemos. fazer
curva
(valores
devido
correo
intermedirios
de modo que A =0. Isto
figuras III.6 e III.7. Na figura III.6 temos A
extrapode
n)
ilustrado
nas
versus n, onde poden
mos notar o efeito gancho. Na figura III.7 temos os mesmos pontos da

figura anterior, com a extrapolao linear dos pontos para n intermedirio e a renormalizao para A^=0.
O
programa
desenvolvido
l os coeficiente
de
Fourier
do
perfil deconvoluido, plota-os e pede que se escolha os pontos para a

regresso.
Em
seguida
ajusta
a reta
e renormaliza
os
coeficientes
para A^=0. O programa fornece tambm o coeficiente A(L=50) e determina o valor de <c^ >
-1
pelo mtodo de
Warren-Averhach.
I
<
-2
"
-r
5
-I
10
15
20
n
Figura III.6 - Coeficiente
de Fourier
In A
versus
n.
-63r^.,cDr.iA
M L I R . L F A R / S P - IPEN
<
c
Figura III.7 - Coeficiente

de
de Fourier
Rothman-Cohen.
-64-
In
versus
n com a correo
II1.8 - DIAGRAMAS DE BLOCOS
A seqncia dos procedimentos para a anlise dos perfis e

do deslocamento de picos de difrao ilustrada pelos diagramas de
blocos abaixo:
PADRO
ARQUIVO DE DADOS
ARQUIVO DE DADOS
POSIO DE PICOS
POSIO DE PICOS
<-
AMOSTRA
SEPARAO DOS PICOS

(111) - (200)
SEPARAO DOS PICOS

(111) - (200)
DESLOCAMENI rO RELATIVO
DOS PICOS (lll)-(200)
>
PROBABILIDADE DE FALHAS DE EMPILHAMENTO
Figura
III.8 - Diagrama de blocos - Determinao da
probabilidade
de falhas de empilhamento.
A figura III.6 mostra o diagrama de blocos que ilustra
procedimento para a determinao da probabilidade de falhas de empilhamento a partir do deslocamento relativo de picos de difrao de
raios X.
A figura III.7 mostra o diagrama de blocos que ilustra
procedimento para a determinao da microdeformao quadrtica mdia

para anlise do alargamento de perfis de difrao.
-65-
PADRO
>
ARQUIVO DE DADOS
PERFIS
(111)
E
(222)
ARQUIVO DE DADOS
PERFIS
(111) E
(222)
AMOSTRA
CORREO DO BG E
LORENTZ-POLARIZ.
CORREO DO BG E
LORENTZ-POLARIZ.
T
CENTRALIZAO
CENTRALIZAO
DECOMPOSIO
EM
SERIE DE FOURIER
DECOMPOSIO
EM
SERIE DE FOURIER
T
CORREO DE RACHINGER
CORREO DE RACHINGER
NORMALIZAO
NORMALIZAO
STO]<ES
> r
CORREO DE
ROTHMAN-COHEN
WARREN-AVARBACH
MICRODEFORMAO
Figura III.9 - Diagrama

quadrtica
de blocos
- Determinao
mdia.
-66-
da
microdeformao
IV
ESTABELECIMENTO
DAS
CONDIES
MATERIAIS
EXPERIMENTAIS
UTILIZADOS
IV. 1
E S T A B E L E C I M E N T O
DOS
PARMETROS
E X P E R I M E N T A I S
Para se aplicar a anlise de perfis e deslocamento de picos

de difrao de raios X necessrio medir as intensidades de raios X
espalhadas pela amostra com a maior preciso possvel"*'. Para
necessrio grande
tanto
cuidado na escolha da radiao, geometria e ali-
nhamento do difratmetro.
A maioria dos trabalhos mai recente sobre alargamento
de
picos de difrao de raios X tem sido realizados com filtragem da r a diao K/3, em contraste com os trabalhos mais antigos com filme, que
usavam quase exclusivamente radiao monocromtica"*'.
O uso de radiao filtrada juntamente com a utilizao
de
um analisador de altura de pulso no sistema de deteco, produz r e sultados satisfatrios quando no excitada radiao fluorescente na
amostra"*'.
Na escolha da radiao a ser utilizada, deve-se
considerar
dois fatores principais'^':

- O comprimento de onda da radiao deve ser menor que os degraus de
absoro dos tomos da amostra.
- O comprimento de onda da radiao deve ser tal que permita o registro dos picos a serem estudados.
Neste
trabalho
necessrio que se obtenha
picos correspondentes aos planos
(111),
os perfis
(200) e (222) dos metais Cu,
A l , N i , Ag e Au, e dos aos inoxidveis austenticos, cujos

pais componentes so Fe, Cr e Ni, cujos
princi-
degraus de absoro K
dados na tabela IV.1.
ELEMENTO
Tabela IV. 1 - Degraus
DEGRAUS DE
ABSORO K ()
Fe
1,743
Cr
2,070
Ni
1,488
de absoro K dos elementos
67
dos
Fe, Cr e Ni
(2)
so
As radiaes normalmente utilizadas em difrao de raios X

so
as raias
caractersticas
Ka dos elementos Mo, Cu, Co, Fe e Cr
cujos comprimentos de onda so dados na tabela IV. 2.
COMPRIMENTO DE ONDA DAS RAIAS CARACTER STICAS
K-a2
K-al
ANDO
()
K-/3
K-a
Mo
0,70930
0,71359
0,71073
0,63229
Cu
1,54056
1,54439
1,54184
1,39222
Co
1,78897
1,79285
1,79026
1,62079
Fe
1,93604
1,93998
1,93735
1,75661
Cr
2,28970
2,29361
2,29100
2,08487
mdia
Tabela
ponderada
IV. 2
de
Ka^
Ka^
Comprimentos
utilizadas
de
onda
das
radiaes
normalmente
em difrao de raios X
Podemos concluir, a partir dessas tabelas, que as radiaes

caractersticas do cobre e do molibdnio provocam a excitao de radiao fluorescente nos principais componentes desses aos. Por outro
lado, usando-se a radiao Ka do cromo no seria possvel
perfis das reflexes
Portanto
obter
os
(222) do nquel e dos aos austenticos.
dessas radiaes apenas as raias
caractersticas
Ka de Cobalto e Ferro prestam-se para este estudo. Assim, os perfis

de
difrao
registrados
das
amostras
pelo
menos
de
uma
aos
vez
inoxidveis
com
cada
austenticos
uma
dessas
foram
radiaes,
enquanto que os perfis dos metais puros foram registrados tambm com
radiao Cu-Ka.
A
tenso
a corrente
de excitao
aplicadas
ao
tubo
de
raios X so limitadas pela potncia do gerador e pela potncia mxima

que pode ser aplicada ao tubo. Assim, para os tubos com nodos de Fe
e Cu foi usada a tenso de 40KV e corrente de 20mA e para o tubo com
ando de Co a tenso de 35KV e a corrente lOmA.
O
passo,
ou
intervalo
de contagem
pela
tcnica
de
step-
scanning, deve ser o menor possvel para obtermos o perfil com maior
preciso e melhores resultados nas correes de Rachinger
Stokes.
No equipamento utilizado, o menor valor de passo possvel

0,01
(em
2 0 ) . Devido
transformada
de
Fourier,
limitao
a
largura
de
512
mxima
pontos
do
no
perfil
programa
que
pode
de
ser
estuda usando-se este passo 5,12. Entretanto os perfis dos picos

(222)
de
metais
deformados
registrados
68
com
radiao
de
Fe
Co,
especialmente
os
aos
austenticos,
podem
ter
larguras
totais
da
ordem de 6 a 8, e alm disso necessrio registrar as caudas dos

perfis
at
grandes
background
com
distncias
segurana.
dos
Assim,
picos,
foi
para
empregado
determinar-se
o
registro dos perfis dos metais puros e dos perfis
passo
0,01
o
no
(111) dos aos e
passo 0,02 para os perfis (222) dos aos.

Para
foram
usados
alargamento
pico,
a determinao das posies dos picos

passos
de
0,01,
0,02
0,05,
do perfil, de modo que fosse possvel
entre
15
pontos
com
intensidades
(111) e
(200)
dependendo
obter, para
maiores
que
do
cada
85%
da
intensidade mxima do respectivo pico.

Os
tempos de contagem
em cada posio variaram
entre
80s
para os picos mais intensos das amostras padro e 200s para os menos
intensos das amostras deformadas. Estes tempos foram determinados de
forma
obtermos
intensidades
suficientes
para
garantir
boas
estatsticas de c o n t a g e n s .
Para
a determinao
das posies dos picos, os tempos de
contagem foram de 1000 a 2000s, dependendo da intensidade do pico.

Cada
perfil
variou de 4 (em 20)

alargados, sempre
o
perfil
para os
Isto
suas
numa
extenso
mais estreitos,
garantindo
at que
intensidade.
foi registrado
que
caudas
importante
at 10
os nveis
o clculo
que
para os mais
intervalo registrado
atingissem
para
angular
cobrisse
mnimos
de
dos coeficientes
de
Fourier'^'^'*-'''^^'^''"'.
A geometria de difrao determinada pela necessidade de
obter-se
intensidades
espalhadas
focalizao de Bragg-Brentano,
razoavelmente
altas. A
tcnica
de
com a amostra plana , usualmente, a
mais conveniente**'"'.
O
de
um
aparelho utilizado
gerador
modelo
foi um difratmetro
Geigerflex,
um
gonimetro
geometria de focalizao de Bragg-Brentano,
Rigaku,
modelo
composto
SG-8
com
um detetor de cintilio
com cristal de Nal:TI e eletrnica associada. O analisador de altura

de
pulso
foi
ajustado
para
registrar
aproximadamente
90%
da
intensidade da raia caracterstica da radiao empregada.

As
estvel
medidas
dentro
da
foram
realizadas
com
faixa de 1C, e na faixa
temperatura
ambiente
de 18C a 22C de uma
srie de medidas para outra.

Ao
sistema
eletrnico
de
contagem
adaptado, por meio de uma interface

APPLE
11+ de marca
MicroEngenho,
69
com
por
step-scanning
apropriada, um
64Kbytes
foi
microcomputador
de memria
RAM, com
dois
acionadores
de
disco
flexivel
impressora
grfica,
conforme
descrito anteriormente. O microcomputador fez registro dos valores de

ngulo versus intensidade e o armazenamento desses dados em arquivos
seqenciais em disquetes flexveis de S 1/4".
As
determinam
portanto
larguras
das
fendas de
colimao
do
feixe
a divergncia do feixe e a rea iluminada
interferem
no
alargamento
instrumental
de
da
dos
raios
amostra, e
perfis.
Fendas
mais largas resultam em aumento da intensidade difratada e diminuio

da
resoluo,
enquanto
que
fendas
mais
estreitas
tem
efeito
contrrio. Para perfis de difrao muito largos, como os obtidos para

metais deformados, deve-se usar fendas de recepo e de
(receiving
slits'
para
slit
de
mdia
divergence
resoluo.
limalhas
bem
slit)
Para
relativamente
perfis
recozidas,
largas
estreitos,
geometria
divergncia
como
'seller
os
obtidos
consideravelmente
melhorada com o uso de fendas de recepo e divergncia estreitas e

'seller slits' de alta resoluo.
A
partir
de
um
estudo
comparativo
entre
os
diversos
arranjos de fendas, concluimos que um bom compromisso entre resoluo

e
intensidade,
utilizao
fenda
de
registro
0,l5mm
de
no
'seller
recepo
das
sem
registro
de
uso
perfis,
slits' de
0,3mm
posies
o
dos
3, fenda
fenda
do picos
pode
de
utilizada
filtro
de
radiao
precisas
obtido
divergncia
espalhamento
foi
de
ser
de
fenda
K^,
com
de
1/2.
1/2,
Para
de
recepo
de
para
aumentar
intensidade medida.
Para
deve
ser
medidas
determinado
muito
'zero'
cuidadosamente
absoluto
e
deve
do
difratmetro
coincidir
com
'zero' da escala do aparelho"*'. A posio da amostra em relao ao

eixo
do
difratmetro
critica,
uma
vez
que
um
desvio
entre
amostra e o centro do difratmetro leva a um deslocamento do pico 26

dado por"*':
A2e = (h/R)
onde R o raio do difratmetro e

deslocamento
do
pico
equivale
COS
6^
IV.1
a posio angular do pico. Este

uma
mudana
no
espaamento
interplanar dada por:
Aa/a
= (h/R) cos
cotag
0
70
IV.2
0
Para
minimizar
alargamento
instrumental
dos
perfis,
superficie iluminada da amostra, o foco do nodo do tubo de raios X e

a fenda de recepo devem
possvel
amostra
paralelas
deve
estar
sobre
ngulo de
incidncia
amostra
feixe
ao
6
ser to pequenas quanto

eixo
do
difratmetro"*'.
a bissetriz do
seja
ngulo
igual ao ngulo
primrio"*'.
experimentalmente
Qualquer
26,
entre
superfcie
de
modo
da
que
a superfcie
alterao
na
relao
o
da
6:26
leva a um alargamento adicional dos perfis de difrao.

O
srie
de
difratmetro
medidas,
foi
cuidadosamente
seguindo
os
alinhado
procedimentos
antes
de
recomendados
cada
pelos
manuais do aparelho e pela literatura'*'. A cada vez que foi feito o

alinhamento
para
uma
srie
registrar um difratograma
de
medidas,
tomou-se
cuidado
de
completo de uma amostra de Si padro para
comparao do alinhamento, garantindo-se
sempre as mesmas
condies
de medida.
IV.2 - MATERIAIS UTILIZADOS
Os materiais
estudados
foram
divididos
em dois
grupos.
primeiro, composto dos metais puros Ag, Au, Cu, Al e N i , foi utilizado para calibrao do mtodo de determinao de energia de falha de
empilhamento,
ou
seja,
para
determinao
do
valor
da
constante
^m'ô* ^ 9âu de pureza desses metais dado na tabela V . 3 .
METAL
PUREZA
(%)
Ag
99,995
Au
99.9997
Cu
99,8 (OFHC)
Al
1100 COMERCIAL
Ni
99,5
Tabela IV. 3 - Grau de pureza
dos metais
utilizados
para
calibrao
do mtodo.
O segundo grupo de materiais composto de seis
amostras
de aos inoxidveis austenticos, aos quais demos a denominao
de
ao I, ao II, ao III, ao IV, ao V e ao V I , para os quais foram

determinadas
as energias
de falha de empilhamento.
destes aos so dadas na tabela IV. 4.
71
As
composies
AH0
s T R A->
AO
I
ELEMENTO
AO
III
AO
II
Cr
14,4
14,7
15,1
14,6
Ni
15,0
15,1
14,1
14,8
AO
VI
AO
V
AO
IV
17,50
19,7
9,86
16,40
0,02
0,02
0,02
0,02
0,06
0,06
Mo
0,01
0,01
<0,01
0,01
0,28
2,0
Mn
0,53
0,43
0,52
0,47
0,78
1,20
Si
0,59
0,48
0,53
0,57
0,55
0,38
0,006
0,006
0,006
0,006
0,025
0,014
0,013
0,012
0,012
0,012
0,024
0,014
eu
0,02
0,04
0,01
0,01
0,17
0,23
Al
<0,005
<0,005
<0,005
<0,005
Sn
0,002
0,002
0,001
0,001
As
0,002
0,001
0,002
0,002
0,005
0,0084
0,0081
0,0075
0,0081
0,028
0,44
0,89
1,74
Nb
<0,002
Co
V
Ti
Tabela IV. 4 - Composio
dos aos inoxidveis
0,010
0,78
0,14
0,06
0,038
0,028
austenticos
estudados.
IV.3 - PREPARAO DAS AMOSTRAS
As amostras foram obtidas a partir do material macio, na

forma de fios
(para N i , Ag e A l ) , lmina
o Cu e a o s ) ,
(para o Au) ou blocos
(para
por limagem ou seja, pulverizao manual por meio
de
limas.
O
deformao
processo
na
de
estrutura
limagem
do
tem
material,
por
obter
objetivo
partculas
introduzir
pequenas
de
forma que a rea iluminada da amostra tenha orientao aleatria das

partculas
para
obedecer
os
requisitos
do
mtodo
do
ainda
garantir a inexistncia de tenses residuais na amostrai^^'"^^'

A
com
limagem
cuidado
de
foi feita manualmente temperatura

evitar
aquecimento
poderia facilitar a sua recuperao.
72
sensvel
do
ambiente, e
material,
que
As limalhas de cada material foram selecionadas em tela de

150
Mesh,
0,105mm.
partes.
de
O
material
Uma
encruado,
modo
delas
obter-se
depois
foi
enquanto
partculas
de
selecionado
analisada
que
com
logo aps
outra
parte
dimetro
foi
menor
dividido
a deformao,
sofreu
tratamento
em
no
que
duas
estado
trmico
de
tendem
recristalizao.
Aps
mover-se,
severa
deformao
realinhar-se
ambiente""".
temperaturas
de
ou
processo
plstica
aniquilar-se,
de
recuperao
deformao,
os
maior
defeitos
mesmo
temperatura
favorecido
pureza,
menor
por
ponto
maiores
de
fuso
maior energia de falha de empilhamento""''^*'.

A
crtica
ponto
recuperao
temperatura
ambiente
no caso do alumnio de alta pureza

de
fuso
recuperao
registro
perfis
alta
acentuada
dos
de
energia
mesmo
de
perfis
de
difrao.
difrao
da
amostra
correspondentes
similares,
da
respectiva
que
impede
Esta
no
de
tempo
possuir
baixo
empilhamento,
sofre
decorrido
recuperao
estado
amostra
faz
deformado
padro
deconvoluo
especialmente
que, por
falha
durante
dos
durante
com
tenham
que
os
o
os
perfis
alargamento
perfis,
conforme
discutido no captulo seguinte. Por esta razo foi utilizado alumnio

comercial 1100 ao invs de alumnio de alta pureza, na calibrao do
mtodo, conforme pode ser visto na tabela IV.3.
Mesmo
para
ma recuperao
rar
que
ocorrendo
os
demais materiais esperado que haja algu-
temperatura
razo
alguma
ambiente. Entretanto
mantenha-se
^^50^111^'^
pode-se consideconstante,
mesmo
recuperao!^^'"'
Para minimizar a recuperao, as amostras deformadas

analisadas
imediatamente
aps
o processo
de
limagem,
as
foram
medidas
foram realizadas, em mdia, num perodo de 12 horas.

As
amostras
de
aos
inoxidveis
austenticos
contendo
niobio foram submetidas, antes da limagem, a um tratamento trmico de

solubilizao
a 1200C por
1 hora, com resfriamento rpido em gua,
para dissoluo de carbonetos e fase de Laves
que se precipitam
em
aos com alto teor de niobio ou titnio"^'"'*'.

As pores das amostras que no foram analisadas no estado
encruado
servirem
sofreram
de
ultrapuro
trmico
de
recristalizao,
como padres para a eliminao do alargamento
pelo mtodo
vcuo
tratamento
de Stokes.
10"^ Torr
para
os
Os tratamentos
para
aos,
os
metais
para
trmicos
puros
evitar-se
73
foram
instrumental
realizados
atmosfera
possveis
para
de
em
argnio
evaporaes
de
elementos
das
ligas.
As
temperaturas
tempos
de
tratamento
AMBIENTE
PRESSO
(Torr)
so
mostrados na tabela IV.5.
MATERIAL
TEMPERATURA
TEMPO
(H)
Al
450
vcuo
10-^
Ag
600
vcuo
10-^
CU
800
vcuo
10-^
Au
800
vcuo
10-^
Ni
1000
vcuo
10-^
AOS
1100
argnio
Tabela
IV.5 - Condies
dos
das amostras
Os
materiais
tratamentos
trmicos
de
recristalizao
padro.
foram
acondicionados,
para
as
anlises
difratmetro, em lminas de vidro apropriadas, aglutinadas com

mineral
(NUJOL),
e prensadas
manualmente
planas.
74
para
obter-se
no
leo
superfcies
RESULTADOS
E DISCUSSO
V.L
R E S U L T A D O S
PARA
O S
M E T A I S
PUROS
Foram determinados, para os metais puros Ag, A u , Cu, Al e

Ni,
os valores de <c^^>^^^ e a conforme os procedimentos
descritos.
Para
cada
material
as medidas
foram
previamente
repetidas
ao
menos
trs vezes. Os resultados individuais foram, em geral, consistentes,

dentro de uma faixa de 10%.
Apenas
encontrados
com
para
Al
houve
uma
disperso
nas diversas medidas, ao tentarmos
material
de
alta
pureza.
Para
amostra
maior
dos
valores
as
medidas
realizar
de
Al
puro
no
foi
possvel determinar os valores de microdeformao e probabilidade de

falha de empilhamento, pois este material possue baixo ponto de fuso
e
alta
energia
de
falha
de
empilhamento,
que
faz
com
que
recuperao, mesmo a temperatura ambiente, seja acentuada""". Como a

recristalizao
do
material
era
rpida,
obtnhamos
os
perfis
de
difrao da amostra no estado deformado e no estado recristalizado,

com
alargamento
instrumental
semelhantes.
pelo
mtodo
de
Como
eliminao
StoJkes'^*' implica
na
do
alargamento
deconvoluo
dos
perfis, ou seja na diviso dos respectivos coeficientes da srie de

Fourier
desses
encontrvamos
perfis,
grande
sendo
flutuaes
estes
nos
valores
valores
dos
perfis deconvoluidos. Para que o mtodos de Stohes

necessrio
que
perfil
ser
corrigido
muito
prximos
coeficientes
dos
seja aplicvel
apresente
um
alargamento
(38)
razoavelmente maior que o do padro
. Em razo disto foi utilizado
alumnio comercial 1100 para a calibrao do mtodo.

Os valores mdios de <c^^>^^^ de a, para os metais Ag, A u ,
Cu,
Al e Ni so apresentados na tabela V.l, juntamente com as demais
grandezas necessrias para o clculo de K
lo .
75
COMISSO
NAHiflM/l
TF F M P D C i A
miin c
material
Au
Cu
Al
Ni
4,7
13,8
10, 3
14,3
38,0
2,1
3,0
2,0
1,1
4,0
2,56
2,42
4,08
2,47
7,03
4,0862
4,0786
3,6150
4,0494
3,5238
Ag
I
II
10^
. a
III
10'?G^^N/m')
IV
a, ()
TF (mJ/m^)
22
50
62
163
220
VI
20
35
45
135
125
VII
2,3
4,6
5,1
13,4
9,5
VIII 1 0 ! y / G ^ ^ ^ b /
5,15
12,41
10,30
39,92
21,75
IX
4,68
8,69
7,47
33,06
12,36
grandezas
para
(mJ/m^)
io?r/G^^^b;*
Tabela
V.l
Resultados
metais
experimentais
demais
os
puros.
Na linha I so apresentados os valores mdios obtidos para

<c^ >
SO
a;
; na linha II so apresentados os valores mdios obtidos para

111
na linha III so apresentados os valores do mdulo de cisalhamen-
to"""; na linha IV so apresentados os valores dos parmetros de re(39)
de
na linha V so apresentados os valores de energia de falha de
empilhamento da tabela
II.l"^'; na linha VI so apresentados os v a -
lores de na
energia
de empilhamento
apresentados
na tabela
11.2"';
linha de
VII falha
so apresentados
os valores
de ^^so"^!!!^"'
na
linha VIII so apresentados os valores das razes y/G., b
(13)
segundo a
"
tabela II.1
, e finalmente na linha IX so apresentados os valores
das razes y/G
b segundo a tabela 11.2"^'.
111
Graficando-se
os valores de <c
>
/a versus
50 111
y/G
a-
lllp
justando-se uma reta pelo mtodo dos mnimos quadrados, tomamos a inclinao
para
'm' dessa reta como sendo a relao
os metais
cfc
severamente
entre essas grandezas
deformados, suposta
linear.
Ou
seja:
m =
îi'^'o ^ 2
V.l
TT
figura V.l mostra esse grfico para os valores de y da
tabela II.1.
76
60
10^ ( 6^50 1,11
Figura V.l
- Grfico
de y/G
versus
<c'>. /a para
l l l p
da tabela
Para
u)
valor K
111
este
50
valores
de
V.l,
111
II. 1.
grfico
obtemos,
atravs
da
equao
=6,37.
'
A figura V.2 mostra o mesmo procedimento para os valores

de y da tabela II.2.
60
45
30
15
00
5"
o
o
10^ ( e^50
(X
Figura
V.2
Grfico
de
y/G
versus
l l l p
de y da tabela
<c^>
50
/a
para
os
valores
111
II. 2.
Para este grfico obtemos, seguindo o mesmo procedimento, o

0) =4,91.
valor K
111
Ambos
'
os resultados determinados para K.,.)

111
com valores
obtidos em estudos
so
coerentes
similares realizados para
os
mesmos
materiais. Borges^^^^, utilizando os materiais Ag, A u , Cu e Al encon-
77
trou o valor K^^jW^ = 5,6, usando os valores de y da tabela

valor
cj^ =
Schrann^^^
o presente
valores
de
e
da
os
valores
os valores
trabalho
tabela
resulta
no
correlacionando
valor
1/6
de
4,6
difrao
usando
outra
valor
4,67.
me-
o A l , com
os
metodologia'**",
28.
Adler
anisotrpicos,
Adler,
raios
Peed
os mesmos
de
materiais
de
II. 2.
excluindo
para
tabela
de
K^^^
28/6
da
5,4
Partindo
para
K^^jW^^ =
medidas
K^^^w^ =
II. 1.
valor
de
e K^^^w^ =
Ruff'*'' determinaram
outros'"'^'sugerem
que
usando
encontraram
tais que
Newton
4,7
II. 1 e o
Otte
e
Wagner^^^^
resultados
de
observaes de ns de discordancias por microscopa eletrnica, para

ligas
Ag-Sn,
determinaram
constante
0,91.10* mJ/m^, que resulta no valor K
(G^^â^/7i >/ 3 )
w = 5,o"^ .
Portanto nossos valores 6,37
e 4,91
esto dentro da
faixa
de valores esperados para K^j^wÂ
incerteza
quanto
ao
valor
exato
DE
K
111
U
o
decorre
de
diversas fontes. Uma delas a enorme disperso nos valores de y m e didos pelos diversos mtodos. Outras fontes so os erros na determinao
de
a,
<e^ >
'
relao
50
,
111
a ,
111
entre y e "^^so'îii^'^
Levando
em
alm
da
possibilidade
de
que
seja perfeitamente linear.
considerao
todas
estas
possveis
fontes
de
erro, podemos considerar que a mdia dos dois valores por ns medidos
seja uma boa estimativa do valor de K^^^w^. Portanto, utilizaremos
valor K
w
111
= 5,64 + 1 5 % .
O
V.2 - RESULTADOS PARA AOS INOXIDVEIS AUSTENTICOS
Para
a aplicao do mtodo de determinao
da
energia
de
falha de empilhamento por difrao de raios X, necessrio, alm da

determinao
do valor de K
111
res
do
mdulo
de
cj e <c^ > /a, que se conhea

o
50 111'
^
cisalhamento
G^^^
do
parmetro
de
os valorede
dos
materiais.
Os parmetros de rede dos aos estudados foram determinados
para as amostra recristalizadas, e o valor mdio encontrado para
seis amostras foi a^ =
Com relao
as
3,585.
ao mdulo de cisalhamento ou os
coeficientes
de rigidez elstica, poucos dados so disponveis na literatura para

as
ligas
por Reed
aqui
estudadas. Entretanto, a partir
dos dados
compilados
e Schrann^^^^ apresentados na tabela V . 2 , para trs aos de
78
diferentes
composies, podemos observar que embora
os
coeficientes
de rigidez elstica c^^ e c^^ variem com a composio da
liga, G^^^
praticamente constante. Assim, utilizaremos aqui o valor mdio desse

parmetro para todas as amostra de aos, ou seja:
10* N/m'
(10** N/m^)
composio
2,332
1,626
1,235
0,647
Fe-18.lCr-14.lNi
1,98
1,25
1,22
0,650
Fe-18.2Cr-19.lNi
1,91
1,19
1,24
0,653
Fe-12Cr-12Ni
Tabela V.2 - Parmetro
elstico dos aos.
Determinados
esses
valores,
(13)
podemos
introduzi-los
na
equao 11.15, que fica:
10^ <e^ >
y = 24,2
Usando-se a equao
e
a,
determinamos
empilhamento
para
ento
os
i i r
V.2
/a
V.2 e os valores medidos de <c^^>^^j
os
aos,
50
valores
que
podem
de
energia
ser
vistos
de
na
falha
coluna
de
da
tabela V . 3 .
A
10?
ao
l-<S%>I/?
F 2
(mJ/m )
[V.2]
53
y 2
(mJ/m )
[V.3]
38
7
(mdia)
46
18,3
8,3
2,2
II
10,1
7,7
1,3
32
23
26
III
12,6
11,3
1,1
27
19
23
IV
10,5
10,3
1,0
25
18
22
9,6
11,4
0,8
20
15
18
VI
12,7
11,0
1,2
28
20
24
Tabela V.3 - Energias
Reed
Schrann
(13)
sugerem
uma
para os aos.
correo
para
ta
111
do
ponto de vista da anisotropia elstica, que resulta na introduo de

um termo na equao 11.15, que fica:
79
y _
G
0
a
111
<c^ >
0
SO
y 2
111
onde A = 2 c
/(c
44
entes
de
- c
11
rigidez
) a anisotropia elstica e c
1
os coefici1 j
elstica.
valor
mdio
de
para
os
aos
(13)
3,43
. O
expoente
-0,37
resulta
da
correlao
entre
para os metais puros""". Na coluna E da tabela V.3

valores
equao
so mostrados
os
de
falhadedeK^^^w^
empilhamento
por meio
V . 3energia
, para odevalor
obtido a calculados
partir da tabela
II. da
1,
equao
V.3, p
que resulta em:

y = 17,1 . 10^ <C5o>i/
A preciso do mtodo de determinao
de empilhamento por difrao
de
empilhamento
calibrao
e
dos
puros
utilizados
para
essa
, as constantes elsticas, os valores medidos de <c^^>^^^
O, assim
como pela
demais
preciso
falha
do mtodo, como as energias de
metais
prpria
fundamentao
confiabilidade com que a equao

as
da energia de
de raios X est limitada pela preciso
dos valores utilizados na calibrao

falha
V.4
grandezas.
absoluta
11.15 descreve a relao
Entretanto,
do mtodo
do mtodo, ou
carea
embora
uma
de uma
de y com
discusso
anlise mais
seja, a
sobre
aprofundada
acerca de cada um destes parmetros, o que est fora do escopo deste

trabalho,
possvel afirmar que os valores de energia de
falha
de
empilhamento determinados por meio desta tcnica so coerentes. Alm

disso, como a medida da energia de falha de empilhamento pelo mtodo
direto de microscopia eletrnica limitado a materiais com energias
relativamente baixas, a possibilidade de sua determinao
numa ampla
faixa
raios
de
valores, pelo mtodo
importante
indireto
por permitir uma avaliao
significante
que controla
de
difrao
de
do valor de y,
inmeras propriedades
fsicas
um
parmetro
mecnicas
dos materiais slidos"^'.

Assim, podemos considerar que os valores
colunas
medidos para
E da
tabela
V . 3 , representa
apresentados
disperso
dos
nas
valores
y, para cada ao, cujo o valor mdio apresentado
na
coluna F.
A
implantao
do mtodo, por
ns
procedida,
justifica-se
plenamente pela grande vantagem na automatizao da coleta e anlise
80
rr^nccn
mapioM/I
PF F M F R f i U
N l J C L F R / S P - IPEN
de dados em um aparelho que originalmente no dispunha dessa facilidade. A eliminao da necessidade de digitao de dados permite maior
agilidade e menor risco de erros na manipulao desses dados.
V.3 - INFLUNCIA DO Nb NA MATRIZ AUSTENlTICA
As
composio
amostra
denominadas
aos
bsica da matriz do tipo
I,
II,
III
IV,
cuja
Fe-15%Cr-15%Ni-0,5%Si-0,5%Mn-
0,02%C, foram objeto de um estudo adicional.

O
estudo
propriedades
do
dos
efeito
aos
do
niobio
inoxidveis
na
microestrutura
austenticos
nas
tem
sido
tradicionalmente realizado em aos com teores de Cr consideravelmente

maiores que o teor de N i , que no so completamente austenticos'*^'.
A s amostra de aos de I a IV so isentas de fases chi, sigma, deltaferrite
0%,
e martensita
0,44%,
0,89%
induzida por deformao, possuem

1,74%,
respectivamente,
foram
teores de
Nb
produzidas
em
forno de induo a vcuo e os lingotes resultantes foram forjados a

quente
com
reduo
de
Assim,
praticamente
95%, seguida
todo
Nb,
que
de
no
solubilizao
estado
bruto
encontrava precipitado na forma de fases de Laves

Si) ,
entrou
em
solubilizao**^'.
soluo
Portanto
empilhamento medidos para
slida
os
na
matriz
resultados
energia
esses aos refletem
de
1200C.
fuso
se
(Fe, Cr, N i ) ^ (Nb,
aps
de
forjamento
de
falha
influncia
do
real de Nb na matriz'*^'. Podemos observar essa influncia na
e
de
teor
figura
V . 3 , onde esto graficados os valores de y versus o teor de Nb.

60
FNI
E
VoNb
Figura v.3 - Energia
os aos I, II, III e IV.
81
versus
teor de Nb
para
Fica claro, da figura V.3, que o Nb provoca uma

da energia
variao
de
das
falha
de empilhamento
propriedades
fisicas
comprovado por Padilha**^'.
82
desses
e
aos,
o que
mecnicas,
diminuio
implica
conforme
na
foi
VI -
CONCLUSES
Em consonncia com os objetivos propostos para este trabalho, podemos apresentar as seguintes concluses:
a)
Quando
metodologia
para
determinao
da
energia
de
falha
de
empilhamento:
1. Embora existam
incertezas quando ao valor da constante K^^û^,
existe concordncia entre os valores reportados na literatura e

os valores determinados neste trabalho, que apontam um valor no
intervalo de 5,5 + 0,8;
2. Esta concordncia entre os valores de
K^jjW^
permite supor que
a relao entre y e <c^p>^^j / a seja linear;

3. Um
mtodo para determinao
mento por difrao

para
da energia de falha de empilha-
de raios X confivel e, portanto,
determinao
dos
valores
de
em
metais
til
ligas
de
estrutura cfc,especialmente na faixa de valores onde os mtodos

diretos no so aplicveis.
b) Quanto a tcnica de anlise de perfis de difrao:
4. Foi desenvolvida e implantada a tcnica de anlise de perfis de
difrao
tamanho
de raios X para
de cristalitos
a determinao
e probabilidades
de
de
microdeformaes,
falha
de
empilha-
mento. A utilizao de um microcomputador Apple com 64 Kbytes

de memria RAM mostrou-se um fator limitante quanto ao tempo e
capacidade de processamento de dados;
5. O ajuste do background uma etapa crtica desta tcnica e portanto
a correo
dos
coeficientes
da
srie
de
Fourier
para
eliminao do efeito gancho uma etapa necessria.

c) Quanto energias de falha de empilhamento:
6. Os valores determinados para as energias de falha de empilhamento dos aos inoxidveis austenticos estudados foram:
Ao I
y = 46 mJ/m^
Ao II
y = 26 mJ/m^
Ao III
y = 23 mJ/m^
Ao IV
y = 22 mJ/m^
Ao V
y = 18 mJ/m^
Ao VI
y = 24 mJ/m^
7. O teor de Nb, na faixa de O a 1,74%, tem

nante na reduo
da
liga
influncia determi-
do valor da energia de falha de empilhamento
austentica
do tipo Fe-15Cr-15Ni, conforme mostra
figura V . 3 .
83
na
REFERNCIAS
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13
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da
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por
(Dissertao
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26
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method
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R. Proc.
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R.
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correction
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of widths
and
Fourier
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of
analysis
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X-Ray Powder Photgraphs. V61:382, 1948.

27
Gangulee,
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30 - Papoulis, A. Sistemas Digitales y Analgicos, Transformadas de
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31 - Riella, H. G.; Martinez, L. G.; Imakuma, K.
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V153:71, 1988.
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Brasileira
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Cristalografia".
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33 - Martinez L. G.; Riella, H. G.; Imakuma, K.; Monteiro, W. A.;
Morimoto,
N.
I.;
Guilherme,
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"XI
Encontro
Nacional
de
Fsica da Materia Condensada". SBF, Caxamb, 1988.

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85
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erros
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propriedades
da
austenita
microestrutura
inoxidvel
Fe-Cr-Ni.
(Tese
nas
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Livredocncia - Poli - USP, 1989).

43
Rothman,
R.
L.;
Cohen,
J.
(Plenum, NY, 1969), V12:208.
86
B.
Advances
in
X-Ray
Analysis.

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INSTITUTO DE PESQUISAS ENERGTICAS E NUCLEARES

SECRETARIA DA INDSTRIA. COMRCIO. CINCIA E TECNOLOGIA

DESENVOLVIMENTO E IMPLANTAO DE UMA TCNICA DE ANLISE DE

LUIS GALLEGO MARTINEZ

Dissertao apresentada como parta dos

Orientador: Or. Kengo Imakuma

INSTITUTO DE PESQUISAS ENERGTICAS E NUCLEARES

DIFRACAO D E R A I O S X. PARA A D E T E R M I N A O D A ENERGIA D E F A L H A D E

DE METAIS E LIGAS DE ESTRUTURA CFC

Dissertao apresentada como

Orientador: Dr. Kengo Imakuma

- Direo do Feixe Difratado (Lei de Bragg)

- Intensidade do Feixe Difratado

- Mtodos Utilizados para Difrao de Raios X

- Instrumentao para Difratometria de Raios X

- Energia de Falha de Empilhamento

- Discordncias na rede efe

- Mtodos de Medida da Energia de Falha de Empilhamento

Empilhamento por Difrao de Raios X

- Relao entre a Probabilidade de Falha de Empilhamento,

- Determinao da Probabilidade Falha de Empilhamento

- Separao do Tamanho de Partcula e Deformao

- Anlise do Perfis de Difrao de Raios X

111.2 - Aquisio e Armazenamento de Dados (Prog.Aq/Dados)

111.3 - Correo do Background e fator de Lorentz-Polarizao (Prog.BGLP)

111.4 - Obteno da Srie de Fourier e Correes do Dubleto K^j~K^2 Alargamento Instrumental

111.5 - Impresso dos Perfis (Prog.Plot)

III. 6 - Determinao da Posio de Picos e Probabilidade de

111.7 - Correo de Roth ^'man-Cohen

111.8 - Diagramas de Blocos

- Estabelecimento das Condies Experimentais e Materiais Utilizados

- Estabelecimento dos Parmetros Experimentais

- Preparao das Amostras

- Resultados para os Metais Puros

- Resultados para Aos Inoxidveis Austenticos

- Influncia do Nb na Matriz Austentica

INDICE DAS FIGURAS

- Difrao de raios X por um

da radiao por um tomo.

- Mtodo de Laue por transmisso

- Padro "PDF" do LiF

Figura III.1 - Perfis

do pico de difrao (222) de amostra

Figura III.L - Ajuste

da >ar.'tbola lr:s poniou.

Figura III. 6 - Coc icicnle

Figura III. 7 - Coeficiente

Figura III.8 - Diagrama de blocos - Determinao da probabili-

dade de falhas de empilhamento.

formao quadr/itica mdia.

valores de -f da tabela II. 1.

- Energia de falha de empilhamento versus teor

INDICE DAS TABELAS

para cada rede de

Tabela II.1 Reviso

Au, Cu, Al e Ni - Reed e

Au, Cu, Ni e Al - Coulomb^^^\

Tabela IV.2 - Comprimentos

de onda das radiaes

Quero registrar meus sinceros agradecimentos s pessoas que, direta

Imakuma pela orientao, pelo

Humberto Gracher Riella pelas proveitosas discusses e suges-

tes sobre a anlise de perfis de difrao.

inoxidveis e pelas sugestes e incentivo.