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INGENIERA DE

PETRLEO Y GAS
NATURAL

UNIVERSIDAD MAYOR REAL Y PONTIFICIA DE SAN


FRANCISCO XAVIER DE CHUQUISACA

FACULTAD DE TECNOLOGA
INSTRUMENTACION Y CONTROL DE PROCESOS
PRACTICO 1:

TEORIA DE BANDAS,
CONDUCTIVIDAD, AISLANTES Y
SEMICONDUCTORES
ALUMNO:

CASTRO MOLINA JUAN PABLO


GESTIN:

2/2010
SUCRE - BOLIVIA

TEORIA DE BANDAS, CONDUCTIVIDAD, AISLANTES Y

INSTRUMENTACION Y CONTROL DE PROCESOS

INGENIERA DE PETRLEO Y

GAS NATURAL

SEMICONDUCTORES
TEORA DE BANDAS
En fsica de estado slido, teora segn la cual se describe la estructura electrnica de un material
como una estructura de bandas electrnicas, o simplemente estructura de bandas de
energa. La teora se basa en el hecho de que en una molcula los orbitales de un tomo se
solapan produciendo un nmero discreto de orbitales moleculares.
Consiste en un conjunto de cargas positivas que son los tomos metlicos desprovistos de sus
electrones de valencia, los cuales pertenecen y unen a todos los cationes. Los metales en estado
slido forman un retculo cristalino tridimensional, en cuyos nudos hay los cationes metlicos, y
entre ellos se mueven libremente los electrones de valencia. Puede decirse que los orbitales
La idea central que subyace en la descripcin de la estructura electrnica de los slidos metlicos
es la de que los electrones de valencia de cada tomo se distribuyen a travs de toda la
estructura. Este concepto se expresa, de una manera ms formal, haciendo una simple extensin
de la Teora de Orbitales Moleculares, en la que el slido se trata como molcula infinitamente
larga. Estos principios pueden tambin aplicarse a la descripcin de slidos no metlicos como los
slidos inicos o los slidos moleculares.

FORMACIN DE LA BANDA MEDIANTE EL SOLAPAMIENTO ORBITAL.


El solapamiento de un gran nmero de orbitales atmicos conduce a un conjunto de orbitales
moleculares que se encuentran muy prximos en energas y que forman virtualmente lo que se
conoce como una banda. Las bandas se encuentran separadas entre s mediante espacios
energticos a los que no les corresponde ningn orbital molecular (Figura 2).

Figura 2. La estructura electrnica de un slido se caracteriza por la existencia de bandas de


orbitales.

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Para poder visualizar la formacin de una banda considrese una distribucin lineal de tomos
(slido unidimensional), separados todos a la misma distancia (a), en los que cada tomo posee
un orbital de tipo s. Cada orbital de tipo s de un tomo solapar con el orbital s del tomo vecino.
As, si slo hubiera dos tomos en el conjunto el solapamiento conducira a la formacin de 2
orbitales moleculares, uno de enlace y otro de antienlace. Si tenemos 3 tomos, el solapamiento
de los 3 orbitales de tipo s originara la formacin de 3 orbitales moleculares, de enlace, de no
enlace y de antienlace. A medida que se van aadiendo tomos al conjunto cada uno contribuye
con su orbital molecular al solapamiento y en consecuencia se obtiene un nuevo orbital molecular.
As, cuando el conjunto est formado por N tomos se obtienen N orbitales moleculares. El orbital
molecular de menor energa no presenta ningn nodo entre los tomos vecinos, mientras que el
orbital molecular de mayor energa presenta un nodo entre cada par de tomos vecinos.

Los restantes orbitales van teniendo sucesivamente 1, 2, 3... nodos internucleares y sus energas
estn comprendidas entre la del orbital ms enlazante (de menor energa) y la del ms
antienlazante (mayor energa). La diferencia de energa entre los N orbitales moleculares es tan
pequea que se forma una banda o continuo de niveles de energa. La anchura total de la banda
depende de la fuerza de la interaccin entre los orbitales atmicos de los tomos vecinos, de
forma que, cuanto mayor sea la interaccin, mayor ser el solapamiento entre los orbitales y
mayor ser la anchura de la banda resultante (o separacin entre el orbital molecular ms
enlazante y el ms antienlazante). La anchura de una banda es, por lo general, una medida del
grado de localizacin del enlace. Una banda estrecha representa un alto grado de localizacin de
un enlace y a medida que se va haciendo ms ancha los enlaces se hacen ms deslocalizados.

Figura 3. Formacin de una banda de orbitales moleculares.


La banda que se ha descrito se ha formado a partir del solapamiento de orbitales s y se denomina,
por tanto, banda s (Figura 4). Si en los tomos existen orbitales de tipo p disponibles, stos
pueden solapar originando una banda p (Figura 5). Como los orbitales p poseen mayor energa que

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los orbitales s de la misma capa, se observa a menudo la separacin entre la banda s y la banda p.
Pero si las bandas son anchas y las energas de los orbitales s y p de la misma capa no difieren
mucho entonces ambas bandas se solapan (Figura 6). Este solapamiento es el responsable de que
los elementos del grupo 2 de la Tabla Peridica tengan un comportamiento metlico. De la misma
forma, la banda d est formada por el solapamiento de orbitales atmicos d.

Figura 4. Orbitales moleculares y banda s.

Figura 5. Orbitales moleculares y banda p.

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Figura 6. (a) y (b) Bandas s y p, que pueden solapar o no, dependiendo de la anchura. (c) Niveles
ocupados y nivel de Fermi a o K.
EL NIVEL DE FERMI
A la temperatura T = 0 K los electrones ocupan los orbitales moleculares que forman la banda
siguiendo el principio de construccin citado en la leccin 2. Si cada tomo del modelo
(distribucin lineal de tomos) contribuye a la banda s con 1 electrn entonces, a T = 0 K la mitad
de los orbitales que forman la banda (1/2 N) estarn ocupados. El orbital molecular de mayor
energa que se encuentra ocupado se conoce como el nivel de Fermi y, en este caso, estar
situado en el centro de la banda. La banda de menor energa que se encuentra ocupada o
semiocupada se conoce como banda de valencia. La banda de menor energa que se encuentra
vaca se conoce como la banda de conduccin.
A una temperatura superior a 0 K, la poblacin de los orbitales moleculares que forman la banda,
P, viene dada por la distribucin de Fermi-Dirac, que es una versin de la distribucin de
Boltzmann, y que tiene en cuenta que cada nivel de energa de la banda slo puede estar ocupado
por 2 electrones como mximo. Esta distribucin P tiene la siguiente forma:
P = 1/(e(E-)/kT + 1)
donde es el potencial qumico o energa del nivel para el cual P = 1/2. La forma de la distribucin
de Fermi-Dirac se muestra en la Figura 7. Cuando la banda no est completamente ocupada los
electrones que se encuentran prximos al nivel de Fermi pueden, fcilmente, promocionarse a
niveles vacos que se encuentran inmediatamente por encima de ste. Como resultado, los
electrones gozan de movilidad y pueden moverse libremente a travs del slido. Este fenmeno
origina que la sustancia sea un buen conductor elctrico. Como se ha visto, en un metal la
conductividad elctrica disminuye con la temperatura; este hecho se debe a las interferencias (los
electrones se pueden describir como ondas) que se producen entre los electrones que se mueven
por el slido y las vibraciones de la red cristalinas, provocadas por el movimiento de los tomos,
vibraciones que aumentan al hacerlo la temperatura.
LA DENSIDAD DE ESTADOS.
El nmero de niveles de energa con un determinado valor de energa se conoce como la densidad
de estados, N(E) o . Es posible representar la variacin de energa de una banda en funcin de la

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densidad de estados, tal como aparece en la Figura 8 para las bandas s y p. La densidad de
estados no es uniforme a lo largo de toda la banda debido a que los niveles de energa se
empaquetan ms a unos determinados valores de energa que a otros. Este hecho produce que la
banda s, por ejemplo, presente la mayor densidad de estados en el centro y la menor densidad de
estados en los extremos de la banda. La razn de este comportamiento est en la forma de las
combinaciones lineales que originan los orbitales moleculares que constituyen la banda s. Existe
una nica combinacin lineal que conduce al orbital molecular ms enlazante (el lmite inferior de
la banda)y otra que conduce al ms antienlazante (el lmite energtico superior de la banda). Sin
embargo hay varias combinaciones posibles, degeneradas en energa, que dan lugar a los
orbitales moleculares que forman la parte central de la banda s.

Figura 8. Densidad de estados tpica de un metal (izquierda) y de un semimetal (derecha).


Entre dos bandas separadas por un espaciamiento energtico, la densidad de estados en el mismo
es cero, pues no hay niveles energticos en dicha separacin. En algunos casos especiales puede
ocurrir que la separacin entre la banda de valencia y la de conduccin sea nula, aunque la
densidad de estados en el punto de conjuncin de ambas bandas sea cero. Esta es la estructura
de bandas tpica de un semimetal. Slo algunos electrones pueden pasar de la banda llena a la
banda vaca de forma que estos materiales poseen conductividades elctricas bajas. Un ejemplo
importante de semimetal es el grafito.

CONDUCTIVIDAD
De lo anteriormente expuesto se concluye que hay sustancias que tienen ms electrones en la
Banda de Conduccin que otras, o que en un mismo material, cuando las condiciones exteriores
cambian, se comporta de diferente manera. Cada capa electrnica puede tener un nmero
determinado de electrones. En el caso de la ltima capa, que es la que origina la valencia o
conduccin, este nmero es de ocho, y todos los tomos tienden a completar su ltima capa con
ocho electrones (regla del octete).
Por ejemplo, un tomo que tenga siete electrones en la ltima capa, tendr fuerte tendencia a
captar uno de algn otro tomo cercano, convirtindose en un anin. En cambio, un tomo que
tenga slo un electrn en su ltima capa, tendr tendencia a perderlo, quedndose con los ocho
de la penltima capa, y convirtindose en un catin. Estas posibilidades dependen del tipo de

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tomo, es decir del tipo de sustancia (hay 103 tomos distintos conocidos), y dan lugar a las
combinaciones qumicas o a la conduccin elctrica.
La propiedad que poseen algunas sustancias de tener electrones libres (en la Banda de
Conduccin), capaces de desplazarse, se llama conductividad.
Estos materiales sern capaces, baja la accin de fuerzas exteriores, de "conducir" la electricidad,
ya que existe una carga elctrica (los electrones) que pueden moverse en su interior.
Basndose en el criterio de mayor o menor conductividad, se pueden clasificar los materiales en
tres grupos:

CONDUCTORES: Son aquellos con gran nmero de electrones en la Banda de

AISLANTES O DIELECTRICOS: Son aquellos cuyos electrones estn fuertemente

SEMICONDUCTORES: Algunas sustancias son poco conductoras, pero sus electrones

Conduccin, es decir, con gran facilidad para conducir la electricidad (gran conductividad).
Todos los metales son conductores, unos mejores que otros. Buenos conductores son: la
plata, el cobre, el aluminio, el estao. Malos conductores son: el hierro, el plomo.

ligados al ncleo y por tanto, son incapaces de desplazarse por el interior y,


consecuentemente, conducir. Buenos aislantes son por ejemplo: la mica, la porcelana, el
polister, el aire.

pueden saltar fcilmente de la Banda de Valencia a la de Conduccin, si se les comunica


energa exterior: son los semiconductores, de gran importancia en la electrnica. Algunos
ejemplos son: el Silicio, el Germanio, el Arseniuro de Galio.

Hasta ahora se ha hablado de la conduccin elctrica por medio de electrones; no obstante, existe
otro mecanismo de conduccin, por medio de iones. Los gases y las disoluciones electrolticas
(disoluciones de sustancias inicas, tales como cidos, sales, lcalis) pueden conducir la
electricidad por medio de iones. A este tipo de conductores, para distinguirlos de los metales, se
les denomina conductores de segunda especie.

LOS AISLANTES
Un slido es aislante cuando su banda de valencia se encuentra totalmente ocupada y existe una
gran separacin energtica entre sta y la banda de conduccin. Esta separacin energtica entre
ambas bandas suele ser mayor de 3.0 eV para que la sustancia se considere un aislante. Un buen
ejemplo de material aislante es el diamante cuya diferencia entre bandas es de 5.47 eV.
Los materiales aislantes son utilizados para separar conductores elctricos y as evitar
cortocircuitos y mantener apartar a los usuarios de las partes de los sistemas elctricos, que de
tocarse accidentalmente cuando se encuentran en tensin pueden producir una descarga. Los
materiales aislantes ms frecuentemente utilizados son los plsticos y las cermicas.

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Fig 9. Estructura de un aislante.

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