Electrnica

Grupo TE-1003-02

Profesor: Manuel Carrillo Ricalde

Tarea: TC1
Nombre: Erick Axel Martinez Ros
Campus Ciudad de Mxico
Escuela de Diseo, Ingeniera y
Arquitectura
Departamento de Ingeniera en
Mecatrnica y Desarrollo Sustentable

Matrcula: A01331212
CALIFICACIN:

Instrucciones: Despus de ver el video presentado en la liga www.youtube.com/watch?

v=hsJGw_c-Nn4 definir los siguientes trminos: semiconductor, semiconductor intrnseco,
semiconductor extrnseco, semiconductor tipo P, semiconductor tipo N, unin PN, barrera de
potencial y hacer un resumen del funcionamiento del diodo PN de unin.
Conceptos
Semiconductor: Es una clase de material cuya conduccin elctrica varia dependiendo de la
temperatura en la cual este presente dicho material y es un punto medio entre lo que se conoce
como un conductor y un aislante. Actualmente uno de los semiconductores ms utilizados es el
silicio.
Semiconductor extrnseco: son aquella clase de semiconductores que poseen impurezas en su
composicin.
Semiconductores intrnsecos: son aquellos semiconductores que se encuentran formados por
una sola clase de tomo, en otras palabras se encuentran en estado puro.
Semiconductor tipo P: Es aquel semiconductor que poseen impurezas aceptadoras en su
composicin. Las impurezas aceptadoras poseen tres electrones de valencia, debido a lo anterior
se genera una unin incompleta la cual puede ser ocupada por un electrn libre. Lo huecos que se
generan debido a la unin incompleta se les considera de polaridad positiva.
Semiconductor tipo N: A esta clase de semiconductores se les agregan impurezas del tipo
donadoras ya que seden un electrn de conduccin. Esta clase de impurezas por lo general poseen
cinco electrones de valencia, lo que ocasiona que un electrn no forme un enlace con los cuatro
electrones del silicio quedando este electrn libre.
Unin PN: Es una clase de unin que se genera al unir a un semiconductor de tipo P con otro de
tipo N. Este tipo de unin se utiliza en diversos dispositivos siendo uno de ellos el diodo. Al
aplicar una tensin mayor en la zona P y una menor en la N se produce un flujo de corriente alto.
Por otra parte si se coloca una tensin mayor en la zona N y otra menor en la zona P, la corriente
que se produce es muy pequea hasta llegar a ser despreciable. Este tipo de unin posee un
comportamiento asimtrico, ya que puede conducir hacia cierto sentido, pero en sentido opuesto
la conduccin no se puede llevar acabo. La manera en la cual se genera la corriente elctrica en la
unin se debe a dos mecanismos el de Difusin y el de Arrastre.

Barrera de Potencial: Se trata de una especie de obstculo que dificulta o impide el flujo de
corriente elctrica en la Unin PN. Al aplicar una tensin externa a este tipo de unin se puede
aumentar o disminuir el tamao de la barrera. Si se aplica una mayor tensin en la zona P y una
menor en la zona N, la barrera disminuye su tamao. Por otro lado colocando una tensin mayor
en la zona N y una menor en la P, la barrera de potencial aumentara su tamao, lo cual impidiera
el flujo de corriente en la unin.
Funcionamiento del Diodo de Unin PN.
El diodo basa su funcionamiento en las caractersticas de los semiconductores que se emplean
para su construccin, los semiconductores tipo P y N. La unin de ambos elementos provoca que
al colocarse una tensin externa mayor en la zona P y una menor en la zona N se genere un flujo
de corriente elctrica en el diodo. Sin embargo, al aplicarse de manera inversa el procedimiento
anterior colocando una tensin mayor en la zona N y una menor en la zona P, la conduccin no se
puede llevar acabo. Los mecanismos que permiten este comportamiento se conocen como de
difusin y arrastre. Por un lado la difusin ocasiona que las partculas que se encuentra en la
unin se desplacen de tal forma que abarquen el mayor espacio posible de tal manera que en el
caso de la unin PN, los huecos de la zona P tendrn una difusin en la zona N y los electrones de
la zona N tendrn una difusin a la zona P. Por otra parte el mecanismo de arrastre se debe a la
generacin de un campo elctrico que empuja las cargas positivas hacia la direccin del mismo
campo y las negativas en la direccin opuesta, debido a la existencia del campo elctrico se
genera un potencial elctrico el cual decrece en la direccin en la cual apunta el campo elctrico.
Este potencial elctrico acta como una barrera que permitir o no el paso de las cargas elctrica
a travs del campo elctrico. Al realizarse una unin PN de forma correcta, la difusin ocasionada
por los huecos y cargas libres tanto en la zona P y N ocasionara una carga neta en el dispositivo
que provocara un campo elctrico y este a su vez dar lugar a un potencial elctrico que actuara
como una barrera para el movimiento de las cargas. El equilibrio en el diodo se llevara acabo
cuando los mecanismos de difusin y arrastre sean de igual magnitud. Para generar la conduccin
elctrica en el diodo solamente bastara con colocar una tensin mayor en la zona P y otra menor
en la N.
Bibliografa:
Universidad de Valencia: Semiconductores intrnsecos y extrnsecos. Recuperado el Agosto 16 de
2015 de: http://www.uv.es/candid/docencia/ed_tema-02.pdf
Universidad de Granada. [fmgomezcampos]. ( 2 de mayo de 2013). La Unin PN. Cmo
funcionan los diodos? (Versin en castellano). Recuperado de:
https://www.youtube.com/watch?v=hsJGw_c-Nn4.