Universidad Nacional de Colombia

Facultad de Ingeniera
ctrica y Electro
nica
Departamento de Ingeniera Ele

nica
Electro
loga I
Ana
2015-II

El Diodo: Caracterizaci
on de su respuesta y par
ametros
de variaci
on (tiempo y temperatura)

1.
1.1.

Objetivos
Objetivo general

Identificar las caractersticas b

asicas de los diodos semiconductores, incluyendo la curva de corriente vs. tensi
on
(i-v ), la tensi
on de polarizaci
on directa y la velocidad de recuperacion.

1.2.

Objetivos especficos
Determinar experimentalmente la relaci
on corriente - tension (curva caracterstica i-v ) del diodo.
Caracterizar la tensi
on de polarizaci
on directa del diodo y otros parametros asociados a la curva caracterstica,
en funci
on de la temperatura de operaci
on del diodo.
Visualizar y determinar los tiempos de respuesta de diferentes tipos de diodos.

2.

Materiales e Instrumentos Requeridos

1 Osciloscopio de 2 canales.
1 Generador de se
nales.
1 Multmetro digital.
1 Fuente DC dual.
3 Sondas.
Resistencias de 1/4 [W] (seg
un c
alculos).
Resistencias de m
as de 5 [W] (seg
un c
alculos).
Diodos 1N4004 o similares.
Diodos 1N4148.

3.

Pr
actica

DISENADA

DE LABORATORIO. La
ESTA PRACTICA
ESTA
PARA DESARROLLARSE EN UNA SESION
pr
actica se divide en 2 partes. Cada una de ellas implica un trabajo previo al da de la practica y durante el da de la
pr
actica.

Universidad Nacional de Colombia

Facultad de Ingeniera
ctrica y Electro
nica
Departamento de Ingeniera Ele

3.1.

nica
Electro
loga I
Ana
2015-II

Curva caracterstica del diodo

En la clase te
orica se establecieron los principios necesarios para la compresion del funcionamiento de la uni
on
(P-N ), tambien se explic
o la ecuaci
on 1, mediante la cual se describe el comportamiento estatico del diodo como
funci
on de variables fsicas y constructivas del mismo.

 V
d
VT
1
(1)
I = Is e
En donde Is es la corriente inversa de saturaci
on, es un parametro constante llamado coeficiente de emisi
on y
tiene valores entre 1 y 2, VT es el llamado voltaje termico y es igual a K T /q, en donde K es la constante de Boltzman
(1.38 1023 J/K), T es la temperatura en grados Kelvin, y q es la carga del electron (1.6 1019 C).
En la regi
on de conducci
on, el termino exponencial de la ecuacion del diodo se hace mucho mayor que 1, debido
a que Vd  VT , por lo cual la anterior ecuaci
on puede ser aproximada por:
 V 
d
I = Is e V T
(2)
3.1.1.

Previo al da de la pr
actica

Prepare dos montajes soldados en una tarjeta universal utilizando dos diodos 1N4004, de estos uno se expondr
aa
temperatura ambiente ( 20 C) y el otro a temperaturas superiores a 50 C (la cual puede ser lograda acercando
lentamente el diodo a un cautn).
El circuito debe estar compuesto por una fuente variable (0 25 VDC ) en serie con una resistencia limitadora de
corriente y el diodo a la temperatura requerida. Realice la eleccion del valor de la resistencia para que la corriente
m
axima del circuito sea 250 mA cuando este sea alimentado con 25 V .
Verifique que los valores de potencia disipada por la resistencia y por el diodo, se encuentren dentro de los m
argenes
de operaci
on segura establecidos por sus fabricantes. Para ello descargue, use y consigne en la bitacora la hoja de datos
(Datasheet) del diodo.
Los dise
nos y c
alculos deben ser consignados en la bitacora, mostrando con claridad que se cumplen las especificaciones de funcionamiento. Realice las simulaciones necesarias para corroborar el funcionamiento del circuito dise
nado.
Recuerde que debe consignar y discutir los resultados de las simulaciones en la bitacora.
Investigue y consigne en la bit
acora c
omo se ve afectada la curva caracterstica del diodo (i-v ) ante variaciones de
temperatura y a que se debe este fen
omeno.
Consulte la definici
on de resistencia din
amica del diodo y el procedimiento para obtener su valor a partir de una
gr
afica de la curva caracterstica del mismo (ver figura 2).
3.1.2.

El da de la pr
actica

Usando el montaje de la figura 1 realice las siguientes pruebas, tanto para el caso donde el diodo es expuesto a
temperatura ambiente como para el caso en el que el diodo es expuesto a la temperatura del cautn,

Figura 1: Circuito de polarizacion del diodo

Universidad Nacional de Colombia

Facultad de Ingeniera
ctrica y Electro
nica
Departamento de Ingeniera Ele

nica
Electro
loga I
Ana
2015-II

Variando lentamente la tensi

on de la fuente DC (desde 0 V), obtenga un buen n
umero de parejas de valores
(Vd ,Id ) hasta llegar a I = Imax (corriente maxima dada por el dise
no inicial, recuerde que este valor debe ser
menor a 250 mA). Por ejemplo, una forma de hacerlo es haciendo incrementos de 15 mA.
Grafique los datos adquiridos en un papel milimetrado de Id (eje y) contra Vd (eje x).
Obtenga de manera aproximada a partir de las curvas trazadas con los datos (ver figura 2): La tensi
on de
polarizaci
on umbral directa y la resistencia dinamica del diodo. Compare los resultados con los valores dados
por el fabricante en la hoja de datos.
Grafique los datos adquiridos en un papel semi-logartmico de Id (eje log) contra Vd (eje decimal) y obtenga los
par
ametros de la ecuaci
on lineal Y = Y0 + K V . Se dara cuenta que con la grafica es facil obtener los valores de
Y0 y K, y por lo tanto calcular los par
ametros Is y presentes en la ecuacion caracterstica.

Figura 2: Curva caracterstica del diodo en polarizacion directa (azul), recta de carga y punto de polarizaci
on para el
c
alculo de resistencia din
amica.

3.2.

Curva caracterstica del diodo

El tiempo de recuperaci
on inversa (trr ) es el tiempo que tarda el diodo en recuperar su funcion de corte despues de
haber estado en conducci
on, es decir, es el tiempo que tarda la se
nal en rectificarse tras el cruce por cero en el flanco
negativo de la se
nal de entrada.
Considere que por un circuito circula una corriente IF y que, mediante la aplicacion de una tension inversa, se fuerza
la anulaci
on de la corriente con cierta velocidad di/dt. Como resultado, despues del paso por cero de la corriente, existe
cierta cantidad de portadores que cambian su sentido de movimiento y permiten que el diodo conduzca en sentido
inverso durante un instante, dando lugar a una peque
na corriente inversa IR . La tension inversa entre el
anodo y
el c
atodo no se establece hasta despues del tiempo ts llamado tiempo de almacenamiento, debido a la capacidad de
difusi
on. La intensidad todava tarda un tiempo tf llamado tiempo de cada, debido a la capacidad de transici
on, para
pasar de un valor pico negativo a un valor despreciable, mientras va desapareciendo el exceso de portadores.
Tiempo de almacenamiento (ts ): Tiempo que transcurre desde que la corriente pasa por cero hasta que alcanza
el pico negativo.
Tiempo de cada (tf ): Tiempo transcurrido desde el momento en que la corriente empieza a tender a cero, hasta el
momento en que esta se anula totalmente. En la practica se suele considerar hasta el instante en que la corriente
alcanza 10 % IR .

Universidad Nacional de Colombia

Facultad de Ingeniera
ctrica y Electro
nica
Departamento de Ingeniera Ele

nica
Electro
loga I
Ana
2015-II

Tiempo de recuperaci
on inversa (trr ): Suma de ts y tf
Los tiempos anteriormente descritos son ilustrados en la figura 3

Figura 3: Visualizaci
on del tiempo de recuperacion de un diodo.

3.2.1.

Previo al da de la pr
actica

Simule el circuito de la figura 1 utilizando una se

nal cuadrada de 10 Vpp como tension de entrada, R1 = 1 k y
un diodo 1N4004. Determine el tiempo de almacenamiento (ts ), el tiempo de cada (tf ) y el tiempo de recuperaci
on
inversa (trr ) del diodo, mediante la medici
on de la tension en la resistencia R1 (ver figura 3). Realice la simulaci
on
para diferentes valores de frecuencia (mnimo dos frecuencias bajas, por ejemplo 200 Hz y 1000 Hz y dos frecuencias
altas, por ejemplo 20 KHz y 200 KHz).
Identifique en la simulaci
on la corriente de recuperacion inversa IR que circula durante el tiempo de almacenamiento
(ts ), a partir de la medici
on de la tensi
on sobre la resistencia R1.
Repita el procedimiento anterior para un diodo 1N4148.
3.2.2.

El da de la pr
actica

Implemente el circuito propuesto para la segunda parte de la practica y efect

ue las mediciones simuladas. Calcule
el tiempo de almacenamiento, el tiempo de cada (tf ), el tiempo de recuperacion inversa (trr ) y la corriente de
recuperaci
on inversa (IR ).
Finalmente, compare los resultados obtenidos experimentalmente con los obtenidos mediante simulaci
on y las
especificaciones dadas por el fabricante.

4.

Preguntas sugeridas
Que rango de frecuencias permite una mejor visualizacion del tiempo de recuperacion inversa para cada uno de
los diodos y por que?
En que rango de frecuencias es apropiado utilizar cada uno de los diodos y por que?
Que cambio obtuvo al variar la temperatura en la primera parte de la practica? Este cambio era predecible?
Justifique su respuesta.
Concuerdan los valores de la hoja de datos del fabricante con los encontrados experimentalmente? Haga un
an
alisis de la respuesta

Universidad Nacional de Colombia

Facultad de Ingeniera
ctrica y Electro
nica
Departamento de Ingeniera Ele

5.

nica
Electro
loga I
Ana
2015-II

Evaluaci
on
Los par
ametros considerados en la evaluaci
on seran los siguientes:

1. Asistencia.
2. Preparaci
on (preinforme con dise
nos y resultados de simulacion, montaje de los circuitos, apropiacion de datasheets).
3. Trabajo en el laboratorio (sustentaci
on, funcionamiento de los circuitos, registro apropiado de las mediciones).
4. Informe.
Recuerde que las formas de onda obtenidas en el osciloscopio deben ser presentadas en el informe.

Referencias
Para el desarrollo de este pr
actica se sugiere consultar:
D. Neamen, Mircoelectronics: Circuit Analysis and Design, 4th ed, New York, McGraw-Hill Higher Education,
2009.
A. S. Sedra and K. C. Smith, Microelectronic Circuits Revised Edition, 5th ed. New York, Oxford University
Press, Inc., 2007.
M. N. Horenstein, Circuitos y Dispositivos Microelectr
onicos, 2a ed, Mexico, Prentice Hall Hispanoamericana,
1997.