Practica 4: Brecha de energa

Universidad Nacional Autnoma de

Mxico
De la cruz Hernndez Manuel Eduardo
Serrano Sols David

Objetivo: Determinar la brecha de energa

Eg

de un diodo de silicio y uno de

germanio, i, e. dos semiconductores, con voltajes tpicos de 0.5 v y 1 v.

Introduccin
1.1 teora de bandas
Una forma til de visualizar la diferencia entre conductores, aislantes y
semiconductores, es dibujar las energas disponibles de los electrones en el material. En
lugar de tener energas discretas como en el caso de tomos libres, los estados de
energa disponibles forman bandas. La existencia de electrones en la banda de
conduccin, es crucial para el proceso de conduccin.
En los aislantes, los electrones de la banda de valencia estn separados de la banda de
conduccin, por una banda prohibida grande. En los conductores como los metales la
banda de valencia se superpone con la banda de conduccin, y en los semiconductores
existe una banda prohibida suficientemente pequea entre las bandas de valencia y
conduccin, que los electrones pueden saltarla por calor u otra clase de excitacin. Con
tales bandas prohibidas pequeas, la presencia de un pequeo porcentaje de material
dopante, aumenta la conductividad de forma espectacular.

Ilustracin 1: bandas prohibidas en los materiales

Un parmetro importante en la teora de banda es el nivel de Fermi el cual es el trmino

utilizado para describir la parte superior del conjunto de niveles de energa de electrones

a la temperatura de cero absoluto. Este concepto proviene de las estadsticas de FermiDirac. Los electrones son fermiones y por el principio de exclusin de Pauli no pueden
existir en estados de energas idnticas. En el cero absoluto, estos se encuentran en los
niveles ms bajos de energa disponibles de los estados de energa de electrones,
constituyendo el llamado "mar de Fermi" o "lquido de Fermi".
La funcin de Fermi f(E) da la probabilidad de que sean ocupados determinados estados
de energa de electrones disponibles, a una temperatura dada. La funcin de Fermi viene
de las estadsticas de Fermi-Dirac y tiene la forma

f ( E )=
e

E Ef
kT

+1

La naturaleza bsica de esta funcin dice que a temperaturas ordinarias, estn llenos la
Ef
mayora de niveles de hasta el nivel de Fermi
, y hay relativamente pocos
electrones con energas por encima del nivel de Fermi.

1.2 Brecha de energa

Una caracterstica notable de algunos materiales es que tienen una alta resistividad
elctrica y, en contraste con los que se observa en los metales, esta resistividad decrece
con la temperatura. Aunque el comportamiento de estos materiales, llamados
semiconductores, era conocido desde haca mucho tiempo, no se lo comprendi
totalmente hasta el desarrollo de la teora de bandas de un slido, alrededor de 1930
como se describi en la seccin 1.1. En el marco de esta teora, un semiconductor es un
slido cuyos electrones se distribuyen en dos bandas de energa separadas por una
brecha (gap) de energa prohibida.

La banda inferior corresponde a los estados de los electrones que participan de la unin
de los tomos generalmente covalente- y se le llama banda de valencia. En la banda
superior se encuentran los electrones que participan de las corrientes elctricas y es
llamada banda de conduccin.

A temperaturas distintas de cero la conductividad de un semiconductor no es nula

debido a la presencia de electrones en la banda de conduccin y de agujeros en la banda
de valencia. Esto puede lograrse mediante dos mecanismos. Uno de ellos es por la

excitacin de electrones de la banda de valencia hacia la banda de conduccin. Esta

excitacin existe siempre a T0 por el movimiento trmico de los portadores de carga, o
puede lograrse externamente, por ejemplo, mediante la irradiacin con fotones que
entreguen la energa suficiente para superar la banda de energa prohibida. En
cualquiera de estos procesos se crean pares de portadores de carga: electrones
(negativos, n) y huecos (positivos, p).
Otra manera de lograr conductividad no nula es por la agregado de impurezas en el
material. Si por un proceso de dopaje se introduce en un material semiconductor algn
tipo de tomo trivalente (usualmente indio o aluminio), los tres electrones da valencia se
unen covalentemente con el material y dejan un agujero o hueco en el cuarto enlace. En
esta situacin hablamos de un superconductor tipo p. Si la impureza es tal que aporta
cinco electrones (usualmente se usa arsnico), cuatro de los cuales se unen mientras que
el restante electrn queda libre para moverse en la banda de conduccin, lo que tenemos
es un semiconductor tipo n, esto es lo que sucede con los diodos, los cuales en nuestro
caso son de Si y Ge. En estos componentes se encuentran en contacto dos
semiconductores de tipo p y n generando una zona de polaridad positiva y otra de
polaridad negativa
La ecuacin de corriente en funcin del voltaje para una unin p-n viene dado por:

eV

I =I 0 e kT 1 (1)
Donde

es la carga del electrn, V es el voltaje en volts, es un factor de

idealidad cuyo valor depende de que unin se est utilizando, k es la constante de

I
Boltzmann y T es la temperatura en grados Kelvin. El factor 0 se llama corriente
inversa de saturacin y viene dado por:
I 0=B T 3 e
Donde

Eg ( T )
kT

(2)

E g ( T ) es el valor de la brecha de energa y B es una constante que depende de

las densidades de los portadores n y p, y de sus caminos libres medios.

En el caso en que

eV kT

la ecuacin (1) puede aproximarse por:

[ ]
eV

I =I 0 e kT (3)

Desarrollo experimental
Ocuparemos tres pares de cables banana caimn, una fuente de voltaje, diodo de silicio
y de germanio, resistencias a elegir dependiendo del diodo, dos multmetros,
protoboard.
Armaremos el circuito en el protoboard en serie entre un diodo y una resistencia de
forma que el diodo este polarizado de forma directa como en la figura:

Ilustracin 2: circuito experimental en polarizacin directa

Utilizamos los diodos EM120 e IN4004 formando cada uno su propio circuito, adems
esto estar a temperatura ambiente, de esto medimos voltaje y corriente con los
multmetros.
Circuito en polarizacin directa variando la temperatura
Para esta parte variamos la temperatura del circuito construido para cada diodo
aumentndola a partir de la temperatura ambiente, colocamos el diodo dentro de un
cascaron de plstico junto a un termopar, agregamos aceite vegetal y sellamos con
silicn, metemos el cascaron dentro de una probeta con agua y esta probeta la
colocamos dentro de una vaso de precipitados tambin con agua, el sistema formado
estar en una parrilla el cual est conectado a un variac para poder controlar la
temperatura como en la figura:

Una vez hecho esto medimos voltaje y corriente a diferentes temperaturas para poder
encontrar la brecha de energa de cada diodo.

Datos. Y Anlisis
IN403:
primero obteniendo las constantes relevantes tenemos:
pendiente
0.000444069
constantes.
e
nk
jouls

ordenada
B
0.0026757752

-1.602E-019
-8.8184E-021
ev
1 6.2415E+018

2.31E+024

0.057308083
0.0571278689
0.0565939636
0.0558974225
0.0555555423
0.0552178186
0.0548841762
0.0569487847
0.0545545415
0.0562435366
0.0545545415
0.0539070099
0.0535889744

Se pudo determinar el valor de utilizando que en la ecuacin

n( I 0 ) = ln( B ) + 3 ln( T ) E g ( T )/ . k . T
B = e/ KT, el cual fue obtenido
experimentalmente para cada temperatura, y realizando una estadstica
concluimos en los resultados presentados en la tabla:

kelvins

brecha de energa para el silicio:

ev
+%
317 15.268996271
0.0136618128 4.793814016
318 14.617524211
0.0072233932 9.4707619833
321 15.458626769
0.0089351843 7.2397833799
325 15.526456471
0.0079366442 8.1150413783
327 15.733703651
0.0069237401 9.1796955325
329 15.556904229
0.009224153 6.968676817
331 15.928077855
0.0098937821 6.3456233255
319 15.20603106
0.0082738221 7.9483676686
333 15.636272465
0.0098323857 6.5044093285
323 15.484400171
0.0059540232 10.846636624

307 6.859430379
309 8.3105085667
311 8.6801688646
313 8.5593497927
315 8.3444709957
317 8.7957113047
319 9.2950392534
321 9.3708878717
323 9.5082672277

0.0072233932 20.182301581
0.0089351843 13.466938667
0.0079366442 14.515597413
0.0069237401 16.87401644
0.009224153 12.991960533
0.0098937821 11.491234633
0.0082738221 13.002970977
0.0098323857 10.853263626
0.0059540232 17.663961053

En cuanto a los valores aceptados tenemos:

Diodo
Germanio
Silicio

Eg(0)
0.75
1.17

en cuanto a alfa tenemos:

de
dt
-0.65147206
0.8411025579
0.0678297019
0.2072471804
-0.176799422
0.3711736255
-0.722046795
0.4302414058
-0.151872295
dEg/dt

de/dt
+%
1 0.6514720599 -0.33217445 -50.98828791
3 0.2803675193 0.0472985169 16.870184194
4 0.0169574255 0.0018700432 11.027871858
2 0.1036235902 0.0253994455 24.511257959
2 0.0883997109 -0.020949721 -23.69885723
2 0.1855868127 0.0467315177 25.180408589
-12 0.0601705663 -0.00237211 -3.942310017
14 0.030731529 0.0012088806 3.9336818504
-10 0.0151872295 -0.000371525 -2.446300188
0.1591662715 -0.025928822 0.0497387901

Conclusiones
Vemos que si bien los datos obtenidos experimentalmente arrojan
valores de la banda gap dentro del orden correcto, no concuerdan
exactamente con el valor, de hecho a pesar de estar en el misomo
orden de magnitud, nos encontramos aun muy lejos.
Esto debemos atriburselo a diferentes factores que colaboran en esta
diferencia. En primer lugar debemos comentar que las curvas de
ln(I0) vs. V

no presentaban unalinealidad perfecta, por lo que

debimos depurar lospuntos correspondientes para cada temperatura

y quedarnos slo con la parte ms lineal. Este defecto se debi a que
la seal triangular proveniente del generador de funciones que
utilizamos para realizar el barrido de tensiones no mantena la forma
deseada al observarla con la computadora, sino que se desformaba
para los valores pequeos de potencial debido seguramente a
problemas de conexiones, adems que deja de valer la aproximacin
realizada en la ecuacin . Esto se mejor considerablemente
realizando soldaduras en las conexiones principales, con lo que el
problema permaneci pero en menor medida.

Bibliografa
(I) N. W. Ashcroft y N.D. Mermin, Solid State Physics
(Saunders College Publishinh, 1976)
(II) C. Kittel, Introduction to solid State Physics (John Wiley &
Sons, Inc.)
(III) A. Sconza, G. Torzo and G. Viola, Experiment on a pn
junction, Am. J. Phys. 62, 66 (1994).
(IV) P. Collings, Simple measurement of the band gap
in silicon and germanium, Am. J. Phys. 48, 197 (1980)