TRANSISTORES

14-1

DE EFECTO

DE' CAMPO

437

Transistor de efecto de campo de unin

En la figura 14-1 se muestra la estructura de uri transistor de efecto de

campo de canal n. Se forman dos contactos. hmicos en los extremos de una
barra semiconductora tipo n (si se utiliza silicio tipo p, el dispositivo se denomina FET de canal p). Si se conecta una fuente de tensin entre los extremos,
circula una corriente a 10 largo de la barra. Esta corriente est constituida por
los portadores mayoritarios, electrones en este caso. Se ha hecho comn la
siguiente notacin.

TRANSISTORES

DE EFECTO DE CAMPO

Fuente,
La fuente S es el terminal por el cual los portadores mayoritarios entran a la barra. La corriente convencional que entra por S a la barra
se designa Is.

El transistor de efecto de campo I es un dispositivo serniconductor cuyo

funcionamiento est basado en el control de la corriente mediante un campo
elctrico. Hay dos tipos de transistores de efecto de campo: el transistor de
efecto de campo de unin (en abreviatura JFET, o sencillamente FET, del
anagrama anglosajn junction field-effect transistor) y el transistor de efecto
de campo de puerta aislada (IGFET, del anagrama anglosajn insulated-gatefield-effect transistor), habitualmente denominado transistor metal-oxido-semiconductor (MOST o MOSFET, del anagrama anglosajn correspondiente).
En este captulo examinamos los principios fsicos en que se basan estos
dispositivos. as como las diferencias entre sus caractersticas. Tambin damos
algunos circuitos representativos con transistores FET.
Los FET tienen varias ventajas frente a los transistores convencionales:

Drenadnr, El drenador D es el terminal por el cual los portadores mayoritarios salen de la barra. La corriente convencional que entra por D a la
barra se designa ID' La tensin drenador-fuente se denomina VDS' Y es positiva si D es positivo respecto a S.
Puerta.
A ambos lados de la barra tipo n, de la figura 14-1, se forman
por aleacin, difusin o cualquier otro procedimiento de fabricacin de unioRegin
de deplexin
D

Drenador

1. Su funcionamiento depende nicamente del flujo de portadores mayoritarios, Es, por tanto, un dispositivo unipolar (un solo tipo de portadores). El
tubo de vaco es otro ejemplo de dispositivo unipolar. El transistor convencional es un dispositivo bipolar.
2. Es relativamente inmune a la radiacin,
3. Tiene una resistencia de entrada alta, tpicamente muchos megohmios.
4. Tiene menos ruido que un tubo o un transistor bipolar.
5. No presenta tensin umbral para corriente de drenador
.tanto, constituye un excelente muestreador de seales 2.
6. Es estable tnnicamente

cero y. por

(Sec, 14-4).

.La principal' desventaja del FET es que su producto ganancia-anchura de

banda es relativamente pequeo respecto al que puede obtenerse con el transistor convencional.

Fig. 14-1. Estructura bsica de: U!1 transistor de efef:to de campo de

canal n. S. muestran las polaridades normales de las tensiones de alimentacin .dren.dor.fuente
y puerta.fuente. Para un FET de canll p
debedan cambiarse las tensiones.

-._.

~~.........

\.IK'-IJIIO::'

fL.fCTRONICOS

, TRANSISTORES' DE EfECTO DE CAMPO

nes pon, regiones fuertemente

impurificadas
Con impurezas aceptadorps
(p+).
Estas. regiones de, !mpurezas se denominan puertas G. Entre puerta y fuente
se aplica una tensin Ves, que polarice inversamente
la unin pon. La corriente
convencIOnal que entra por G a la barra se designa le.
Canal. La regin tipo n de la figura 14-1 entre las dos regiones de puerta
es el canal a travs del cual circulan los portadores mayoritarios desde la fuente ,al drenador.
'

+0.5
I

10

~
"C

1,

.i ,

Caractersticall' estlica8
del FET.
En la figura 14-2 se indican el circuito, los smbolos y las convenciones de polaridad, de un FET. El sentido de
la flecha en la puerta del FET de unin de la figura 14-2 indica el sentido en
el que circulada la corriente de puerta si se polarizase directamente
dicha
unin. Las caracter~ticas
de drenador en la conexin de fuente comn, que
s~ muestran en la figura 14-3 para un FET tpico de canal n, dan ID en funcin de V,os, co~ Ves como parmetro. Para ver cualitativamente
por qu las
caractersticas tienen la forma mostrada, consideremos.
por ejemplo, el caso
D r e nad or D
In

Fuenre s

<r----.r.---,

tI.

Fig. 14-2. 51mbolo de circuill) de un

FET de canll n. (Pan un FET de CInll p la. flecha en l. unin d. puerta
,Ipuntl en sentido opuesto.)
Par. un
FET d. clnll n, lo y VDS' son poslti"ts y Ves negatIva.' P.rl un FET
d. ,clnll p, ID Y VDS son n~ltivu
y
Ves es positiva.
'

c'":

..
(1)

"C

(1)

"C

sc:
C1)

...o

';:

f.V

'?

.....-

~
~

'----

-1,0
1---

1,5

-i,o
- 2,d
-3,0
-3.5
40

;;"

=Ov

0,5

......-

(:;

Funcionamiento
del FET.
Es preciso recordar que a ambos lados de la
regin de transicin de una unin pon con polarizacin
inversa existen regiones de carga de espacio (Sec, 6-9). Los portadores de corriente se han difundido a travs de la unin. dejando iones positivos no neutralizados
en el lado n
e iones negativos en el lado p. Las lneas del campo elctrico que aparece, que
parten de los ion es positivos y terminan en los negativos, son precisamente
la
. causa de la cada de tensin en la unin. Conforme aumenta la polarizacin
inversa de la unin, aumenta el espesor de la regin de cargas no neutralizadas i~mviles. La conductividad
de esta regin es tericamente
cero; ya que
'no existen portadores de corriente.
Por tanto, la anchura efectiva del 'canal
(Fig. 14-1) disminuir progresivamente
conforme aumenta la polarizacin
in've,rsa. En consecuencia, para una tensin drenador-fuente
fija, la corriente de
' drenador depender de la tensin inversa aplicada a la puerta. Para describir
este dispositivo se utiliza el trmino efecto de campo, porque el control de la
Corriente es debido al efecto del aumento de campo asociado con la regin
de cargas no neutralizadas,
conforme aumenta la polarizacin
inversa.

f- V

-<

Ves

4S9

I~

12

10

Tensin

drenador-fuenre

Fig. 14-3. Caractersticas

nal n en fuente comn.
Ine.)

15

20

25

30

Vns,:V

de drenador de un FET de ea(Gentileza de Texas Instr'uments,

para el cual Ves = O. Si ID = O, el canal entre las uniones de puerta est completamente
abierto. Si se aplica una tensin VDS pequea, la barra tipo n se
comporta como una resistencia semiconductora
normal, y la corriente ID crece !inealmente con VDS' Conforme la corriente aumenta, 'la cada hmica de
tensin entre la fuente y el canal polariza inversamente
la unin, y ia parte
conductora
del canal comienza a estrecharse.
Como la cada hmica es a lo
largo del mismo canal, el estrechamiento
no es uniforme, sino que es ms
grande conforme la distancia a la fuente es mayor, como se indica en la figura 14-1. Por fin, se llega a una tensin VDS para la cual el canal se contrae
totalmente.
Esta es la tensin (definida con poca nitidez en la figura 14-3)
a partir de la cual la corriente ID empieza a aproximarse a un valor constante.
En principio, naturalmente,
no es posible que el canal se cierre completamente,
reducindose
la corriente ID a cero. Porque si esto ocurriese, la cada hmica
necesaria para polarizar en inverso desaparecera >. Obsrvese que cada curva
caracterstica
presenta una regin hrnica para valores pequeos de Vos, en
la cual loes proporcional
a Vos. Tambin aparece en cada una de ellas una
regin de corriente constante (saturacin) para valores grandes de VDS, en la
cual lo apenas depende de VOS,

N. del T. Existen otras teoras que explican de modo diferente los fenmenos que
ocurren en este dispositivo. Hoy en da (1970), el FET sigue .siendo objeto de investtgacin.

440

DISPOSITIVOS

Y CIRCUITOS

ELECTRONICOS

. Si se aplica, una te~sin de puerta Ves de tal sentido que polarice ms

lnvers~mente aun la unin, la contraccin ocurrir para valores de IVI
ms
pequen?s, y la corriente de drenador mxima ser inferior. Esto se ~bserva
en la :Igu.ra 14~J. Tambin se ve en dicha figura la caracterstica
Ves= +0,5 V
(polarizacin directa) del FET de silicio. Segn la tabla 9-2, la corriente de
puerta ser real~ente
muy pequea, porque eSJa tensin de puerta es del
orden de la tensin umbral V,. para la unin de silicio. Es evidente la similitud entre l~ caractersticas
del FET y las de un pentodo de vaco.
La tensin mxi.ma que puede aplicarse entre dos terminales cualesquiera
del FET es la tensin ms pequea para la cual aparece la ruptura por avalancha (Sec. 6-12) de la unin de puerta. Se ve en la figura 14-Jque la avalancha ocurre a un valor ms bajo de IVDsl cuando se polariza inversa mente la
puerta que cuando Ves =0. Esto es lgico, ya que la tensin inversa de puerta
se suma .a la tensin de drenador, aumentando,
por tanto, la tensin efectiva
en la unin de puerta.
Segn la figura 14-2, el FE::- de canal n requiere una polarizacin de puert~ ~ula o negativa y una tensin de drenador positiva, y es en consecuencia
similar a la de un tubo de vaco. El FET de canal p, que requiere polaridades
op~e.stas .de las tensiones, se comporta como un tubo de vaco cuyo ctodo
emitiese ~~nes positivos en lugar de electrones. Cualquier extremo del canal
puede ~hhzarse como fuente. Se pueden recordar las polaridades
de las alimen~aclOnes utilizando el tipo de canal, pon,
para designar la polaridad del
terminal de fuente de la alimentacin
de drenador. El transistor de efecto de
campo fue un ~ispositi~~ de laboratorio
desde 1952 a 1962. La razn por la
cual no se fabric y utiliz a gran escala este dispositivo, fue que slo recientement~ ha alcanzado ~a tecnologa de semiconductores
el grado de desarrollo
necesano para construir una capa delgada ligeramente impurificada
entre dos
capas de tipo opuesto impurificadas ms fuertemente.
. E8ln1ctura ~rctiea d~~ FET.
La estructura
mostrada en la figura 14-1
no es real, debido a la dificultad que tiene el difundir impurezas en ambos
lados de una oblea de semiconductor.
La figura 14-4 muestra un FET de unin
en el que la difusin se ha hecho por un solo lado. El substrato es de un

Flg.

1......

FET de unl6n prjctlco.

material tpo-p, sobre el cual se ha crecido epitaxialmente el canal tipo-a (seccin 15-2). Despus se difunde en el canal tipo-n la puerta tipo-p. El substrato,
que puede funcionar como una segunda puerta es de un material de resistvidad relativamente baja. Tambin la puerta difundida es de un material de
resistividad muy baja, por lo que la regin de transicin penetra ms eficazmente en el canal tipo-n.

14-2 Tensi6n de contracci6n V,.

Utilizando el modelo fsico descrito en la, seccin anterior, vamos a calcular una expresin de la tensin inversa de puerta V,. que elimina toda la carga
libre del canal. Este anlisis fue realizado por primera vez por Shockley 1, utilizando la estructura de la figura 14-1. En este dispositivo, UJ1a capa de semiconductor tipo-a est entre medias de otras dos tpo-p, formando dos uniones p-n.
Supongamos que la regin tipo-p se impurifica con N A tomos aceptadores
por metro cbico, la regin tipo-n se impurifica con ND tomos oonadcres
por metro cbico, y que la unin formada es abrupta. La suposicin de unin
abrupta es la misma que hicimos en la seccin 6-9 (Fig. 6-12), Y se elige por
sencillez. Ms an, si NANDr vemos de la' ecuacin (6-44) que W,W", y
utilizando la ecuacin (6-47), resulta que la anchura de la zona de carga de
espacio, W,,(x)= W(x) a una distancia' x de la fuente (Fig. 14-1), es igual a:

. .

W(x)=a-b(x)=

{ - :u

eND

[Vo- V(x)]

}l.

(14-1)

siendo
E

= constante dielctrica del material del canal;

e=magnitud de la carga del electrn;

Vo=potencial de contacto de la unin en x (Fig. 6-1 d);
V(x)=potencial aplicado a la regin de carga de espacio en x; es un nmero negativo para polarizacin inversa;
a-b(x)=penetracin
W(x) de la regin de transicin en el canal, a una distancia x de la fuente (Fig. 1,4-1).
Si la corriente de drenador es cero, b(x) y Vez) son indepeadientes de %
y b{x)=o. Si en la ecuacin (14-1) hacemos b(z)=b=O y despejamos V, suponiendo que Vol VI, obtenemos la tensin de contracciD V" es decir,
_ la tensin i~versa que elimina toda la carga libre del canal,

Canal
p
CSUbstrato)

V,I = ~ND fi-

:u

" 1'''

(14-2)

DISPOSITIVOS

Y CIRCUITOS

ELECTRONICOS

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO /

Si sustituimos Ves por V, y a - b por x en la ecuacin

. do la ecuacin (14-2),

(6-46), resulta,

utilizan-

Sustituyendo

l/)~

(14-3 )

un

de silicio de canal n, con Q= 3 x 10-4 cm

tensin
de contraccin
y b) la semianchura

FET
a) la

a)

Vp=
bJ

Despejando

a[

Por tanto,
la anchura
valor para. V es -= O.

14-3

2aU'eN viL"

_ ... __ ._--

y ND= l()ls elecdel canal para

de

la

1,60 X 10-19 x 1021 X (3

Ea

dielctrica
relativa
del silicio es
de los apndices
A y B, resulta,

10-6)2

.
2 x 12 x (36rr x lCP)-1

ecuacin

(14-3),

1- (~: rJ=(3XIO ..41[1- (~ rJ

del

Caractersticas

canal

se

ha

reducido

tensin-corriente

Ves -= Vp/2,
=0.87xl0-~

a aproximadamente

se

12,

de

su

del canal.

--_.

__ ..-

(\4-6)

e;

Supongamos, primeramente,
que se aplica una tensin pequea VDS entre
drenador y fuente. La corriente
de drenador
resultante
ID ser pequea y
apenas afectar al perfil del canal. En este supuesto, podemos considerar que
la seccin transversal efectiva del canal A es constante a lo largo de todo l.
Por tanto. A ,-' 2bU'. donde 2b es la anchura del canal correspondiente
a corriente de drenador nula, y est dada por la ecuacin (14-3) para una cierta
tensin VC\, Y U' es la dimensin del canal perpendicular
a la direccin b, como
Se indica en la figura 14-1.
Puesto que no circula corriente por la regin de transicin, utilizando la
ley de Ohm [Ec. (5-1)], obtenemos la corriente de drenador

donde L es la longitud

( 14-5)

Regin dI' contraccin.

Consideremos
ahora la situacin en la que aparece un campo elctrico
a lo largo del eje x, Si circula una corriente de
drenador ID apreciable. el extremo de la puerta prximo al drenador estar po-:
larizado ms inversamente
que el extremo prximo a la fuente y. por' tanto. 10s
contornos
de las regiones de transicin no son paralelos l la regin central
del canal,' sino que convergen como se muestra en la figura 14-1. Si la convergencia de la regin de transicin es gradual. es vlido I el anlisis unidirnensional anterior en una' regin estrecha del canal de espesor 6x y a una
distancia x de la fuente. Supuesto el canal "gradual",
por inspeccin de la
figura 14-1 puede escribirse que la corriente 'es igual a

del FET

.
VD~
ID =:.AeNDiL"S
'"
2bweNDiLu
_.~.
L

Vp

Para los valores dados en el ejemplo y con L/w= 1," resulta rJON) = 3,3 K.
Para las dimensiones
y concentraciones
utilizadas
en los FET y MOSFET
(Sec. 14-5) comerciales, los valores medidos de rJON) oscilan entre unos 100 n
y 100 K. Este parrnetro es importante cuando el FET s utiliza en conmutacin, ya que se excita fuertemente
por la seal. El transistor
bipolar tiene la
ventaja sobre el FET de que Res es habitualmente
de slo unos pocos ohmios.
que es mucho ms pequea que rJON). Sin embargo, para aplicaciones
de
muestreo 2. el transistor bipolar tiene la desventaja de que presenta una tensin umbral (Sec, 9-14). mientras que las caractersticas
del FET pasan por el
origen, Iv'~-O Y VDS=O.

obtiene

tercio

(VI;.~ )' i] VDS

de

cm
un

1-

2aU'eNlJiLu

6,8 V

y sustituyendo

en la (14-4), resulta

Resistencia
rJON). La ecuacin (14-5) describe las caractersticas
tensincorrien te de la figura 14-3 para V D.S muy pequeas, y manifiesta cmo en este
caso el FET SI! comporta como una resistencia
hmica, cuyo valor depende
de Vcs. La relacin Vvs/ lo en el origen se denomina resistencia de drenador
rJON). Segn la ecuacin (14-5), para un FET, con Vc;s=O,
rJoN),

Segn la tabla 5-1, la constante

y, por tanto, E = 12Eo' Utilizando
el valor de e y
la ecuacin
(14-2), expresada
en unidades
mks,
SoLUCIN.

(\4-3)

La tensin Ves en la ecuacion (14-3) representa la polarizacin

inversa de
la unin de puerta, y es independiente
de la distancia a lo largo del canal
si ID=O.
Ejemplo,
Para
trones/cm ', calcular:
Vcs=Vp/2
e ID=O.

b de la ecuacin

443

lD= 2b(x)weN"JLr,S

(14-4)

f.
,

.r

(14-7)

Conforme
V D.~ aumenta, S. e ID aumentan, mientras que b(x) disminuye,
ya que se estrecha el canal, y, por tanto, la densidad de corriente / = 1D/2b(x)w
aumenta. Ahora vemos que no puede tener lugar una contraccin
completa
(b = O), porque en este supuesto J sena infinita, lo cual es fsicamente
impo:
sible. S~ J pudiese aumentar sin lmite, segn la ecuacin (14-7), tambin lo
hara Sz' suponiendo que iLn permanece constante. Sin embargo, se ha demos-~~.

444

DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS

ELECTRONICOS

TRANSISTORES DE EfECTO DE CAMPO /

445

ij
:
'"

gin de corriente constante o de saturacin). La corriente de saturacin: de '

drenador se designa por IDs, Y su valor con la puerta en cortocircuito
con l~'
fuente

(Ves =0) por loss- Se puede demostrar 6 que la caracterstica

de transferenia, que relaciona IDs con V cs, puede aproximarse por la parbola

Des.,.,..

Flg. 14-5.
de la contraccin, conforme VDS aumenti, L' aumenta, pero o e ID permanecen prcticamente constantes. (GI y G2 est'" coM<1ados
entre 11.)

f .
trado experimentalmente l .., que la movilidad depende del campo elctrico y
que permanece constante solamente si S . <}(}l V/cm para el silicio tipo-u.
Para campos moderados, de 1<P a 1()4 V/cm, la movilidad es, de forma aproximada, inversamente proporcional
a la raz cuadrada
del campo aplicado.
Para campos an mayores, tales como los que aparecen en la contraccin,
fL"
_ es inversa mente proporcional a S x- En esta regin, la velocidad de arrastre de
'. los electrones (V.=fL"S .) permanece constante,
dejndose de cumplir la ley
,:: de Ohm. Se ve en la ecuacin (14-7) que tanto ID como b permanecen cons'. :" tantes, lo que explica la regin de corriente constante de la caracterstica
Vol
,de la figura 14-3.
Qu sucede 4 si se aumenta ms an VDS' manteniendo
constante
Ves?
, Como hemos dicho, la anchura mnima del canal bm1n = li tiene un valor pequeo constante, pero distinto de cero. Este ancho mnimo se presenta en el
extremo de la barra prximo al drenador. Si VDS aumenta, el incremento de
potencial causa un aumento de S . en una seccin adyacente del canal hacia la
fuente. Segn la figura 14-5, la regin limitada por velocidad, L', aumenta
con VDS" permaneciendo' /) constante.

Esta aproximacin
parablica
terminadas
experimentalmente

Ves
( 1--VI'

)2

sencilla concuerda
bastante
bien con
para los FET fabricados por difusin.

04-8)
las de-

Modelo de pequea seal del FET

El circuito equivalente
lineal de pequea seal del FET, puede obtenerse
de forma anloga a la que utilizamos para calcular el correspondiente
modelo
de un tubo de vado o de un transistor.
Empleamos la misma notacin que
en las secciones 7-9 y 9-13 para denominar las corrientes y tensiones variables
y continuas para los tubos y transistores,
respectivamente.
Podemos expresar
implcitamente
la corriente de drenador iD como una funcin f de la tensin
de puerta Ves Y de la de drenador VDS,
(14-9)

'

l
...
"

,
'i

11"
Ii
lO

Corte. Consideremos
un FET trabajando
con un valor fijo de VDS en la
regin de saturacin,
Conforme aumenta
Ves, la unin de puerta se polariza
ms inversamente,
y el canal conductor
se estrecha.
Cuando
Ves = V p. la,
anchura del canal se reduce a cero, y segn la ecuacin (14-8), IDs= O. En un
dispositivo real circular una pequea corriente de fugas ID(OFF)
incluso en la
regin de corte IV esl > IV pl. Los fabricantes
especifican habitualmente
un valor mximo de IO<OFF) para un valor dado de Ves y VDS' Para un FET de silicio, los valores tpicos de ID(OFF) son de unos pocos nanoamperios.
La corriente inversa de puerta, tambin denominada
corriente de corte de
puerta, se designa por lcss, y es la corriente que circula de puerta a fuente,
con el drenador en cortocircuito
con la fuente, para IV esl > IV ,.1. Tpicamente, lcss es del orden de unos pocos nanoamperios
para un dispositivo
de
silicio.

14-4

Regin antes de la eeutraeein,

Hemos demostrado que el FET se comporta como una resistencia hmica para VDS pequeas y como un dispositivo
de corriente constante para VDS grandes. El anlisis de la forma de las caractersticas tensin-corriente
entre estos dos casos extremos es muy complicado. Ya hemos dicho que en esta regin la movilidad es al principio independiente del campo elctrico, y que fL vara con S s: -1/2 para valores superiores
de S. (antes de la contraccin). Teniendo en cuenta esta relacin. se puede 3-, obtener una expresin de ID en funcin de VDS Y Ves que concuerda ,
bastante bien con las curvas determinadas experimentalmente.
,
.
Caracterstica de transferencia.
Como amplificador, casi siempre se utiliza el FET en la regin ms all de la contraccin (tambin denominada re-

IDs=IDss

1..

'I'ranseenduetanee
g", y resistencia de drenador
r d. Procedamos
como
en la seccin 8-4. Si varfan las tensiones de puerta' y drenador, la variacin de
la corriente de drenador est dada aproximadamente
por los dos primeros trminos del desarrollo en serie de Taylor de la ecuacin (14-9), es decir,
(14-10)

"

!\

~ I

DIS1'OSmVmY-aRC1.IITOS.~RQNICOS

egn

la notacin

IVfl.~=V4s'

de.ipequea

.seal idevla

I
.Secci6n.,.sl, ..li~/,

Av~vp

TRANSIST9RES'DE -EfeCTO DE. CAMPO.. /

Procediendo
come en la. seccin
estn relacionadas
por

8-4, puede

comprobarse

que

jL,

gm

Td

convirtiodCl'Se .la- ecu&(:in~1+10) en

447

(14-15)
(1+ll)

londe

En la figura 146 a se da un circuito para m -dir g",. Segn la ecuacin

(si,IV21VDD,
y, por tanto, \/vs=const.),
. .

(14-12)
.

IJ
Vv'Rd
g",='-=---=---VI
VI'

(14-16)

(14-12)

s la conductancia mutua, o transconductancia.

A ;veces' tambin se designa
or Y" O. g'l> Y se denomina transadmitancia directa (fuente comn). El segun:0 parrnetro, Td, de la ecuacin (14-11) es la resistencia de drenador te de
alida), y se deine como

De forma anloga,
cin (l4-13),

Vz
VIR4

el circuito .de la figura 14-6 b permite

V2

Vz.

V2Rd

Td=-=--=-Id
VI/Rd

gm=gmo(
1siendo

(14-14)

rd. De la ecua-

la definicin
es

dada

en la ecua-

~:s)

gmo el valor de [:.m para Ves=O,'dado

g1tU)=

(14-17)

'VI

Se obtiene una eXp~5JOn de gm aplicando

cin (14-12) a la ecuacin (14-8). El resultado
.a inversa de r es la .conductancia
de drenador, &l. Tambin se designa por
'01 Y &n, Y se denomina
conductanciade
salida (fuente comn);
Los parmetros gm y T4 son totalmente
anlogos a los parrnetros
gm y r,
lel' tubo de vaco. -Igual que para" lositubos, puede definrse para el FETun'
actor de' amplificacin p; como

medir

(14-18)

por

-2IDSS
VI"

(14-19)

~.u~sto qu~ IDss Y V r son designo

opuestO;,g;"6 es siempre positiva. Esta relain, que l~ga .gmo,
IDss.y ~P' se ha~omprobado
experimentalmente
7. Como
gm,.
puede medirse con el Circuito de la flgura;14JG'llpara V cc=O, e I
puede leerse

~DO

Dss

J.::

2l

..

(~ig.)~7.,;
"T:r:a!lscond!Jctancia s .en .fun~I.n: de la tensin de puert~
FETs tipo' 2N327i y 2N3278. (Gentileza
de Falrchlld Semleenduetcr
Company.)

pa~a.lo~-

........

200

~
=:
~

150

';,':',.':
...

.. ,.

Circuitos de prueba para medlr.:(aJ

gm y' (b)
se mIden con un yo!timlltro de e, . d. alt. impedancia.

:ig. 14-6.

V,

Td, Las

'O . 50

tensiones

eficaces

VI

..

......

"

<;\1:

,.!,'

e. .c o

f-<'

'<;

."(

..,

'.

~8

~'

~.,:.

o ..

(b ).

..........

0,100
','

(a)

t= 1 kHz

"

';'.

;;-IOV

Vos

~;;.'

r-,

.
'

1\:
1.0

Tensin

2,0

"'-

..

.~

3,0

".

4.0

de puerta Ves, V

5,0

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO /

448

1.6

1.6

U
10
C't

\,4

CU

..O

:;

1\

1.2

:>-

:;
cu

1.0

Ecu
'E

0.8

449

DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS ElECTRONICOS

10
C't

cu

..O

-, r-,

:;
;:;
cu

1'.r-,

..

Temperatura

ambiente

TA' 'C

./

0.6

0.6

100

0.8

150

-w

50

Drenador

FET

....
--4--o S

~--~--

e,s

100

150

ambiente T., 'C

(b)

(a)

14-9. Modelo del

seales pequeas.

Fuente So-

Temperatura

Fig.
para

r-.....

l/

1.0

,~

['..r-,

1.2

:>-

IOQ

-w

1.4

t-.-,--..---+-o

triodo de la figura 8-19). El condensador

representa la capacidad de barrera entre puerta y fuente. y e~d entre puerta y drenador. El elemento C, representa la capacidad drenador-fuente
del canal.
s
En la tabla 14-1 damos los rdenes de magnitud de los parrnetros del
mod~lo ~ara un FET de unin difundida. Puesto que la unin de puerta se
polariza mversam~nte, las resistencias r,St puerta-fuente,
y rgd, puerta-drenador,
son muy grandes, y, por tanto, no las hemos incluido en el modelo de la figura 14-9.

Flg. 14-8. (a) Transconductancla

normalizada
g", en funcin de la temperatura
ambiente TA y (b ) rftlltencia
de drenador normalizada
r d en funcin de TA (para los
FETI 2N12n y 2N3278 con VDS -10 V, VGs=O V y f= 1 kHz). (Cortesra de Fair-

TABLA

14-1

de valores

Margen

de 1011parmelroll

del FET

chlld Semlconductor.)

en un miliampermetro
de corriente continua colocado en el terminal de drenadar del mismo circuito (con excitacin de puerta nula), la ecuacin (14-19)

Modelo del FET.

Obsrvese que la ecuacin (14-11) es idntica a la (8-13)
del triodo, supuesto que k (ctodo) se sustituye por s (fuente), p (placa) por
d (drenador), y g se identifica con puerta (en lugar de rejilla). Por tanto, el
circuito equivalente del tubo para: seales pequeas de la figura 8-8 es vlido
para el FET. Este modelo se repite en la figura 14-9, con el cambio de notacin adecuado. Tambin hemos incluido en esta figura las capacidades
existentes entre. cada par de nudos (se asemeja al modelo en alta frecuencia del

JFET

MOSFET

gm

0,1-10 mA/V
O.I-} M
0,1-1 pF
1-10 pF
> lOS n
> lOS n

0,1-20 mA/V O ms
-50 K
0,1-1 pF
1-10 pF
> 1010 n
> 1014 n

rd

e;

da un mtodo para calcular V,..

En la figura 14-7 se indica la variacin de g", con Ves para el FET 2N3277
(con V,.~ 4,5 V) Y el 2N3278 (con V,.~ 7 V). Se ve que la relacin lineal
predicha por la ecuacin (14-18) es vlida slo aproximadamente.
Dependencia
con la temperatura.
En las figuras 14-8 a y b se dan curvas de g", y r" en funcin de. la temperatura.
La corriente de drenador IDs
tiene la misma variacin con la temperatura
que g".. La razn principal por la
cual el coeficiente de temperatura
de IDs es negativo, es que la movilidad disminuye con la temperatura " Puesto que esta corriente de portadores
mayoritarios disminuye con la temperatura
(para el transistor bipolar la corriente
de portadores minoritarios
aumenta con ella), el fenmeno del escape trmico
(Sec. 10-10) no se presentar en los transistores de efecto de campo.

Parmetro

CgS' C~d
rgs

r,d
Discurido

14-5

en la seccin

FET de puerta aislada

145.

(MOST o MOSFET)

~n las secciones anteriores

hemos calculado las caractersticas
tensincomente
y l.~s pr?piedades
para pequea seal del transistor
de efecto de
campo de urnon. FIJemos ahora nuestra atencin sobre el FET de puerta aisla~a, o FE! metal-xido-semiconductor
9, que
promete ser incluso de mayor
Importancia comercial que el FET de jmin,
. El MOST de canal n consiste en un substrato tipo-p Iigerament~ impurificado en el cual se ~ifunden dos regiones n+, fuertemente
impurificadas,
como se muestra en la figura 14-10. Estas regiones n+, que actan como fuente
y .drenador,
est.n distanciadas
aproximadamente
unas 25,4 micras. Se crece
~bre la s.uperflcie de la estructura
una capa delgada de di6xido de silicio
aislante (SI02). y forman ventanas ,en la capa del xido para realizar los contactos co,:, la fuente y el drenador: A continuacin
se deposita sobre el xido
\

'--..

..

':'1,.t.:

450

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS ELECTRONICOS

un? capa metlica para formar la puerta, que cubre la regin entera del canal.
Simultneamente,
como se muestra en la figura 14-10, se hacen los contactos
metlicos de drenador y fuente. El contacto con el metal depositado sobre el
canal es el terminal de puerta.
La superficie metlica de la puerta, junto con la capa de xido aislante
como dielctrico y el canal semiconductor,
forman un condensador
de placas
paralelas. La capa aislante de dixido de silicio es la razn por la que este
dispositivo se denomina transistor de efecto de campo de puerta aislada. Esta
capa proporciona
una resistencia de entrada extraordinariamente
alta (1010 a

l\10ST de acumulacin.
Si se pone a tierra el substrato de la estructura
de la figura 14-10, y se aplica una tensin positiva a la puerta, aparecer un
campo elctrico perpendicular
al canal a travs del xido. Como se muestra
en la figura 14-\0, este campo terminar sobre las cargas negativas "inducidas"
en la superficie del semiconductor.
La carga negativa de los electrones, que
son portadores
minoritarios
en el substrato
tipo-p. forma una "capa invertida". Conforme aumenta la tensin positiva de la puerta, aumenta la carga
negativa inducida en el semiconductor.
La regin por debajo del xido tiene
ahora portadores
tipo-a, la conductividad
aumenta. y circula una corriente
desde la fuente al drenador a travs del canal inducido. Entonces. la corriente
de drenador aumenta con la tensin positiva de puerta. y a este dispositivo
se le denomina MOST de acumulacin.
En la figura 14-11 a se dan las caractersticas
de drenador tensin-corriente
de un MOST de acumulacin de canal n, y en la figura 14-11 b, su curva de
transferencia.
La corriente 1oss para Ves ~ O es muy pequea. del orden de
unos pocos nanoamperios.
Para Ves positiva, la corriente /v aumenta lentamente al principio, y mucho ms rpidamente
para valores mayores de Ves.
Los fabricantes especifican algunas veces la tensin umbral puerta-fuente
VesT,
a la que l alcanza un valor pequeo determinado,
por ejemplo, 10 p.A. Tambin suelen aparecer en las hojas tcnicas de datos la corriente Iv(ON). que
corresponde
aproximadamente
al valor mximo dado en las caractersticas
de
drenador, y el valor de Ves necesario para obtener esta corriente.
Fuente

Ves= +4V

ID (on) =

__----3

loss

10

15

Puerta(

+)

-2

Vos. V

p(substrato)

-1

Ves. V

de transferencia

(para

(b)

FIg. 14-11.
(a) Caracterlsticas
de drenador y (b) curva
Vvs= 10 V) de un MOST de acumulacin de canal n.

MOST de deplexin.
Se puede fabricar un segundo tipo de MOST, difundiendo un canal n entre la fuente y el drenador, como se muestra en la
figura 14-12 a. En este dispositivo circula una corriente de drenador loss apreciable. para una tensin puerta-fuente
nula, Ves = O. Si la tensin de puerta
es negativa. se inducen en el canal cargas positivas a travs del Si02 del condensador de puerta. Puesto que la corriente en un FET se debe a los portadores mayoritarios
(electrones para un material tipo-u), las cargas positivas inducidas hacen menos conductivo
el canal, y la corriente de drenador disminuye cuanto ms negativa es Vc;s. La redistribucin
de carga en el canal produce una deplexin efectiva de portadores
mayoritarios,
de donde procede el
nombre de MOST de deplexin. Obsrvese en la figura 14-12 b que, debido
a la cada de tensin producida por la corriente de drenador,
la regin del
canal ms prxima al drenador est ms despoblada que en las proximidades
de la fuente. Este fenmeno es anlogo al de contraccin
que ocurre en un
Canal
difundido
Aluminio

Fuente

Puertat -}

SIO,

O Drenador

Drenador

p (substrato)

Canal
inducido

---~----i
/

6
4
3

(a)

1015 !1).

451

10,mA

ID. mA

Fig. 14-10. MOST de acumulacl6n.

(Gentileza de Motorola Semiconductor
Products, Inc.)

(a) .

p (substrato)

(b)

Fig. 14-12.
(a) MOST de deplexin.
tensin de' puerta negativa. (Gentileza

(b) Deplexi6n del canal cuando se aplica

de Motorola S smleendvcter
Products, Inc.)

una

452

DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS ELECTRONICOS

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

FET de unin en el extremo de drenador del canal (Fig. 14-1). De hecho, las
caractersticas
tensin-corriente
del MOST de deplexin son similares a las
del FET de unin.
Un MOST de deplexin puede trabajar tambin en el modo de acumulacin. Basta aplicar una tensin de puerta positiva para que se induzcan cargas
negativas en el canal tipo-no En este caso, la conductividad
del canal aumenta
y la corriente es superior a loss- En la figura 14-13 a se indican las caractersticas tensin-corriente
de este dispositivo, y en la figura 14-13 b, la curva de
transferencia.
Obsrvense las regiones de deplexn y acumulacin,
correspondientes a V GS negativa y positiva, respectivamente.
Algunas veces los fabricantes especifican la tensin de corte puerta-fuente
V Gs(OFF), para la cual ID
se reduce a un valor despreciable especificado, para la tensin VDS recomendada. Esta tensin de puerta corresponde
a la de contraccin
V p del FET
de unin.
En principio, la discusin anterior tambin es aplicable al MOST de canal p. Para este dispositivo deben cambiarse los signos de todas las corrientes
y tensiones en las caractersticas V -l de las figuras 14-11 y 14-13.

Smbolos, Es posible sacar al exterior la conexin del substrato, teniendo as un dispositivo con cuatro terminales. Sin embargo, la mayora de los
MOST son triados, conectndose
internamente
el substrato
a la fuente. En
la figura 14-14 se dan los diferentes smbolos empleados por los fabricantes.
Algunas veces se utiliza tambin el smbolo de la figura 14-2 del FET de
unin para representar
el MOST, sobreentendindose
que G2 va conectado
interiormente
a S.
Modelo de pequea seal del MOST 10. Si las pequeas
material

de fuente

y drenador

son despreciables,

el circuito

Deplexin VS-..-S'"

~
..- Z
___
---+1

Acumulacin
"\.

ti

lO

G,

(a)

(b)

Fig. 14-14.

Tres slmbolos

(e)

de un MOST de canal p.

de circuito

seales pequeas del MOST entre los terminales G (=G.), S y D es idntico al

del FET de unin. representado
en la figura 14-9. La transconductancia
gm y
las capacidades
interelectrdicas
son de valores comparables
para los dos tipos
de dispositivos.
Sin embargo, como se muestra en la tabla 14-1, la resistencia
de drenador rd del MOST es mucho ms pequea que la del FET de unin. La
magnitud de rJ para un MOST es comparable con la resistencia de placa de un
triodo, mientras que la de un FET tiene un valor parecido al de rp del pentodo,
Tambin se observa en la misma tabla que la resistencia
de entrada r~., y la
de realimentacin
rgd son mucho
mayores en el MOST que en el FET.
Si no se conecta el terminal Gi del substrato a la fuente, debe generalizarse
el modelo de la figura 14-9 como se indica a continuacin:
Entre los nudos Gz
y S se coloca un diodo DI, para representar la unin pon entre el substrato y
la fuente, De forma similar. se introduce un segundo diodo D2 entre G2 y D,
para tener en cuenta la unin pon formada por el substrato y el drenador.

14-6

Amplificador con fuente comn

Las tres configuraciones

bsicas del FET o del MOST son: fuente comn (Se), drenador comn (De) y puerta comn (GC). En la figura 14-15 se
muestran las configuraciones
para un FET de canal p. Si no se dice lo contrario, los circuitos discutidos en este captulo se aplican a los FET y a los MOST.

Acumulacin

_>-,-2\

16

(a)

Deplexin

-3

Substrato
G.

Vaa:V

~ __ ~~~~-L

-3

Ves (OFF)

-2

__ ~ __ ~~
-1

453

lQ(oo)- 6

resistencias del
equivalente para

_
3

Entrada

Salida

VCJ.V

Entrada
(b)

F!g. 14-13. (a) Caraderr.tlc de drenador y (b) curva de transferencia

(para
V DS= 10 V) de un MOST de canal n que puede utlllurse en el modo de acumulacin o de deplexln.
.

.. S
(a)

Flg.14-15.

Las trel conflguraclonel del FET: (a)

(e)

(b)

se,

(b)

DC

.(c) GC.