Resumo do livro Eletrnica de Potncia de Muhammad Rashid

Capitulo 2 Diodos semicondutores de potncia

Introduo
O diodo atua como uma chave, podendo realizar diversas funes, como: chaves
em retificadores, comutao em reguladores chaveados, inverso de carga em
capacitores e transferncia de energia entre componentes, isolao de tenso,
realimentao de energia da carga para a fonte de alimentao e recuperao de energia
armazenada.
Os diodos de potncia so similares aos diodos de sinal de juno pn, porem
possuem maior capacidade de potncia, tenso e corrente que os diodos de sinal, mas
sua resposta em frequncia baixa se comparada a este.

Curvas caractersticas dos diodos

Os diodos de potncia um dispositivo de juno pn. Esta juno realizada por
fuso, difuso e crescimento epitaxial.

Quando o potencial no anodo positivo em relao ao ctodo, diz-se que o

diodo est diretamente polarizado e conduz. Quando neste estado, a queda de tenso
relativamente pequena e depende do processo de fabricao do mesmo. Quando o
potencial do ctodo maior que no anodo, o diodo est reversamente polarizado. Nesta
condio, surge uma pequena corrente reversa, ou corrente de fuga, da ordem de micro
a miliampres, aumentando lentamente em amplitude com a tenso at a tenso de
avalanche, ou tenso Zener.

A curva mostrada acima pode ser expressada pela equao do diodo Schockley,
dada por:
I D =I S ( eV

/ nV T

1 )

em que ID = corrente atravs do diodo, em A;

VD = tenso do diodo, com anodo positivo em relao ao anodo, em V;
IS = corrente de fuga, tipicamente na faixa de 10-6 a 10-15 A;
n = constante emprica conhecida como coeficiente de emisso ou fator de
idealidade, varia de 1 a 2 e depende do material do diodo.
VT uma constante chamada tenso trmica e dada por:
VT=

kT
q

em que q = carga do eletron: 1,602210-19 C;

T = temperatura absoluta em kelvin;
k = constante de Boltzmann: 1,380610-23 J/K.

A uma temperatura de 25C, temos que VT = 25,8 mV.

A corrente de fuga IS constante e varia para cada diodo. Assim a curva da
figura 2 pode ser dividida em trs regies: regio de polarizao direta, onde V D > 0;
regio de polarizao reversa, onde VD < 0; regio de ruptura reversa, onde VD < -VZK.
Regio de polarizao direta. Quando VD > 0, a corrente ID ser muito pequena se VD
for menor que um valor especifico VTD (tipicamente 0,7 V). Se VT > VTD, referida como
tenso de limiar, tenso de corte ou tenso de ligamento, ento o diodo conduzir
plenamente.
Regio de polarizao reversa. Quando VD < 0, ento a corrente ID ser dada por:
|V D|/n V T

I D =I S ( e

1 ) I S

j que o termo exponencial se torna muito pequeno. Indicando que a corrente do diodo
ID no sentido reverso igual a constante IS.
Regio de ruptura reversa. Na regio de ruptura reversa, a tenso maior que 1000 V.
A amplitude da tenso reversa excede a tenso de ruptura reversa (V BR). A corrente
reversa aumenta rapidamente com uma pequena variao da tenso alm de VBR. A
operao na regio de ruptura no ser destrutiva se a dissipao de potncia estiver
dentro de um nvel seguro, dado pelo fabricante. Mas deve-se limitar a corrente
reversa na regio de ruptura para limitar a dissipao de potncia a um valor
permissvel.

Curvas caractersticas da recuperao reversa

A corrente na juno diretamente polarizada se deve aos portadores majoritrios
e minoritrios. Um diodo conduzindo que tem sua corrente reduzida a zero por qualquer
motivo, continuar conduzindo devido aos portadores minoritrios que permanecem
armazenados na juno pn e no semicondutor propriamente dito. Pois estes requerem
um certo tempo para se recombinarem com cargas opostas e serem neutralizados. Este
tempo chamado de tempo de recuperao reversa do diodo. O tempo de recuperao t rr
medido a partir do cruzamento inicial com o zero da corrente do diodo at 25% da
corrente reversa mxima, IRR. O trr consiste de duas componentes, ta e tb, onde ta
representa do cruzamento com o zero at a corrente mxima de pico I RR e acontece
devido ao armazenamento de cargas na regio de depleo da juno, e tb representa da

corrente mxima at 25% de IRR e ocorre devido ao armazenamento de carga no material

semicondutor. A relao tb/ta conhecida como fator de suavidade.
t rr =t a+ t b
O pico da corrente reversa pode ser expresso por:
I RR=t a

di
dt

O trr depende da temperatura da juno, da taxa de decaimento da corrente direta

e da corrente direta antes da comutao.
A carga de recuperao reversa QRR a quantidade de portadores de carga que
fluem no sentido reverso devido a mudana da condio de direta para bloqueio reverso.
A carga armazenada, que a rea abrangida pelo caminho da corrente de
recuperao, aproximadamente:
1
1
1
QRR = I RR t a + I RR t b = I RR t rr
2
2
2
ou
I RR=

2 QRR
t rr
Se tb for desprezvel, quando comparado a ta, o que normalmente o caso, ento

trr ta, logo:

t rr

2 Q RR
di/dt

I RR= 2 Q RR

di
dt

Nota-se ento que o tempo de recuperao reversa t rr e a corrente de recuperao

IRR dependem de QRR e do di/dt reverso. A carga armazenada dependente da corrente
direta do diodo IF.
Se um diodo estiver na condio de polarizao reversa e chaveia para a
condio de polarizao direta, necessrio um certo tempo para que isso ocorra e este
intervalo conhecido como tempo de recuperao direta ou tempo de religamento. Se a
taxa de crescimento da corrente direta for grande e estiver concentrada em uma pequena
rea, o diodo pode falhar. Assim o tempo de recuperao direta limita a taxa de
crescimento da corrente direta e a velocidade do chaveamento.

Tipos de diodo de potencia

Dependendo das caractersticas de recuperao e de fabricao, os diodos so
classificados em trs categorias: diodos padro ou genricos, diodos de recuperao
rpida e diodos Schottky.
Diodos genricos. Possuem tempo de recuperao reversa alto, cerca de 25s, e so
utilizados em aplicaes de baixa velocidade onde o tempo de recuperao reversa no
crtico. Cobrem uma rea de menos de 1 A at milhares de amperes, com faixa de
tenso de 50 V at aproximadamente 5 kV.
Diodos de recuperao rpida. Possuem tempo de recuperao baixo, cerca de 5 s, e
so comumente utilizados em conversores CC-CC e CC-CA, onde a velocidade de
recuperao de suma importncia. Cobrem uma rea de menos de 1 A at centenas de
amperes, com faixa de tenso de 50 V at aproximadamente 3 kV.
Diodos Schottky. O problema do armazenamento de carga na juno reduzido com
diodo Schottky. Isso obtido fazendo uma barreira de potencial com um contato entre
metal e semicondutor. Uma camada de metal depositada sobre uma fina camada
epitaxial de silcio tipo n. A barreira de potencial atua como uma juno pn, assim a

ao retificadora depende apenas dos portadores majoritrios, no havendo portadores

minoritrios para se recombinarem. A recuperao deve-se apenas capacitncia
prpria da juno semicondutora.
Sua carga recuperada muito menor que a de um diodo de juno pn
equivalente, pois acontece devido a capacitncia da juno e independente do di/dt
reverso. Sua queda de tenso no sentido direto relativamente baixa.
Sua corrente de fuga maior que a de diodos de juno pn. Um diodo Schottky
com tenso de conduo relativamente baixa possui corrente de fuga relativamente alta
e vice-versa. Assim a mxima tenso disponvel limitada a 100 V. Suas especificaes
de corrente variam de 1 a 300 A. So utilizados em fontes de alimentao CC de altas
correntes e baixas tenses.
Efeitos do tempo de recuperao direto e reverso
Observando a figura 4, se a chave CH for ligada em t = 0, e permanecer ligada
por tempo suficiente, uma corrente I0 = VS/R fluir pela carga e o diodo de comutao
Dm ser polarizado reversamente. Desligando a chave em t = t1, Dm conduzir e uma
corrente circular por ele. Fechando novamente CH em t = t2, Dm se comportar como
um curto-circuito e a taxa de crescimento da corrente direta da chave e do diodo D 1 e a
taxa de decaimento da corrente direta em D m seriam muito elevadas, o pico da corrente
reversa IRR do diodo Dm poderia ser muito elevado e vir a danificar ambos diodos. Tal
problema resolvido colocando um indutor de limitao de di/dt, L S, mostrado na figura
5. Os diodos requerem um certo tempo antes que toda a rea se torne condutiva, e di/dt
deve ser mantido baixo para se alcanar o tempo limite de ligamento, ou tempo de
recuperao direta trf.