Captulo 1

Fundamentos de electrnica de potencia

- Estructura de los convertidores estticos usados como FACTS

1.2 - CONVERTIDORES CC-CA

1.2.1 - Introduccin
Los convertidores CC-CA (o tambin llamados inversores) son destinados a controlar el flujo de energa
elctrica entre dos fuentes una continua (origen) a una fuente alterna (destino) que puede ser monofsica o
polifsica.
Dependiendo de su aplicacin el inversor puede ser alimentado en tensin o en corriente.

El inversor alimentado en tensin es

constituido por interruptores unidireccionales en
tensin y bidireccionales en corriente (Fig. 1.15),
para este caso la carga (Z en la Fig. 1.15) tiene
que ser de naturaleza inductiva, aunque su
comportamiento puede ser resistivo, capacitivo
y/o inductivo.

Fig. 1.15

Prof. Domingo Ruiz Caballero Dr.Ing.

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- Estructura de los convertidores estticos usados como FACTS

Ie

El inversor alimentado en corriente es

constituido por interruptores unidireccionales en
corriente y bidireccionales en tensin (Fig.1.16),
para este caso la carga (Z) tiene que ser de
naturaleza
capacitiva,
aunque
su
comportamiento puede ser resistivo, capacitivo
y/o inductivo.

Fig. 1.16
Los inversores anteriormente mostrados no necesitan de los diodos cuando su carga es resistiva.
No obstante, cuando sus cargas son impedancias se hace necesario los mismos, es decir, para el inversor
alimentado en tensin es necesario el diodo en antiparalelo cuando su carga es inductiva y no funciona con
cargas de naturaleza capacitivas. En el caso del inversor alimentado en corriente es necesario el diodo en
serie con el interruptor cuando su carga es capacitiva y no funciona con cargas de naturaleza inductivas.

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0o

- 180o

S1

1.2.2 - Inversor monofsico puente completo

alimentado en tensin

S2

E/2
n

+
S3

E/2

a) - Carga resistiva
S4

Fig. 1.17
S1

Este inversor es mostrado en la Fig. 1.17 los

interruptores son comandados con el cierre y la
abertura sincronizada de los interruptores.
El principio de funcionamiento es el siguiente:
cuando S1 y S4 conducen, el tensin de carga es
igual a E, cuando S2 y S3 conducen el tensin se
torna igual a -E.

S2
t

VR
E

La forma de onda para carga resistiva es mostrada

en la Fig. 1.18. En esta estructura se cumple la
denominada ley de brazo, es decir, S1 es siempre
complementario a S3 y S2 a S4.

-E
S1 - S4

S2 - S3

S1 - S4

HABILITADO

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Fig. 1.18

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S1

D1

D2

S2

+
D3 S 4

S3

S1
E

S2

D1
-

S3

+
S4

D3 S 4

S1

D2
+

S3

(b)
D4

D1 S 2
-

D2

Para que el circuito funcione correctamente, para los

casos en que la carga es inductiva, es necesario que la
fuente E sea reversible en corriente, esto se debe a la
regeneracin de energa que se da en dos de las etapas.

+
D3

S1

D4

Si la carga fuese inductiva, deben ser adicionados los

diodos de circulacin libre D1, D2, D3 y D4 como estn
representados en la Fig. 1.19, donde tambin aparecen
las cuatro etapas de funcionamiento de la estructura.

b) - Carga inductiva

(a)

(c)

+
D4

S2

D1

(d)

S3

D2

D3

S4

D4

Fig. 1.19
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S1S4

Las formas de onda tpicas del circuito son

mostradas en la Fig. 1.20.
S2S3
t

VS2
E

IL
0
t0

D1-4

t1

S1 - S4
S1 - S4

D2-3

t3

t2

S2 - S3
S2 - S3

t4

D1-4

S1 - S4
S1 - S4

D2-3

CONDUCIENDO
HABILITADO

Fig. 1.20
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1.2.3 - Inversor trifsico alimentado en tensin

La estructura del inversor trifsico es mostrado por
la Fig. 1.21. El cual esta compuesto por:

0
S1
E
2

o
E
2

-120
S2

D1

-240
D2 S 3

D3
T

S6

S5
D4

R
S4

S1, S2, S3, S4, S5 y S6 D1, D2, D3, D4, D5 y D6 E

Ry L
-

D6

D5

L
N

Fig. 1.21

Interruptores comandados
Diodos de regeneracin
Fuente de alimentacin
Carga

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Los interruptores son comandados segn el

diagrama representado en la Fig. 1.23, el cual
representa todos los posibles estados de
conmutacin.
Cada interruptor se mantiene habilitado durante
180o. En cada instante existen 3 interruptores
en conduccin 2 en el grupo positivo (+) y 1 en el
grupo negativo (-) o viceversa.
La Fig. 1.23 muestra los circuitos equivalentes
obtenidos para carga resistiva.

N
R

T
II

I
S

180o

N
R

240

S1

S4
S2

S2

S6

120o

S6 _

IV III

IV

III
S

S4 S2

S3 V
+

II S6
VI

S3 +

N
R

T
V

300o

E
T

VI

S5
S4

I
+

S5
+

S1

0o

Fig. 1.22

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S3

S5 S1

Fig. 1.23

60o

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V

E
2

RO

S1
0

S1

S4

-E
2

V SO

S2

S2

S2

120

Las tensiones de carga se obtienen de las

tensiones de fase representado por la
relaciones siguientes:

S1
S4

S5

S5

VRN

V TO

S3
S6

2
VRO
3

VSO

VTO
3

S3

240

S6

S6

V RS

VSN

2
VSO
3

VTO

VTN

2
VTO
3

VRO

VRO
3

(1.31)

-E
V ST

V TR

120

V RN

La construccin grfica de los voltajes esta

representado en la Fig. 1.24. En la figura solo
es mostrada VRN, pero se sabe que las
tensiones VSN y VTN son iguales a VRN
desfasado de ella en 120o y 240o
respectivamente.

2E
E

VSO

Fig. 1.24

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1.2.4 - Control de tensin en los inversores: Modulacin PWM sinusoidal

+Vcc
R1
+
Vsen

S2,S1

R2

(moduladora)

Vtri
(portadora)

S3,S4
0

Seal de
comando

(a)
VP

Vm

S 3 ,S4

Esta modulacin consiste en la comparacin de una

referencia sinusoidal (o moduladora) con una seal
triangular (o portadora) donde la referencia
determina la frecuencia y la tensin que se desea
para las formas de onda de salida del inversor (Fig.
1.25a).
Con este tipo de modulacin es posible reducir
significativamente el contenido armnico (distorsin)
de la tensin alterna generada por el inversor.
Existen dos tipos de modulaciones sinusoidales
para este inversor; la modulacin a dos niveles y la
modulacin a tres niveles.
La Fig. 1.25b nos muestra las diferentes formas de
onda para la modulacin sinusoidal de dos niveles.

a) Operacin a dos niveles de tensin

S2 ,S 1
t
Vab
E
0

En la operacin a dos niveles la tensin Vab puede

ser igual a +E o E.
Los comandos para los interruptores son generadas
a travs de la comparacin de una seal
moduladora Vm con una seal portadora triangular
VP, como muestra la Fig. 1.25.

-E

(b)

Fig. 1.25
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S1

S3

D1

D3

2
O

VL
carga

E
S4

S2

D4

D2

Primera etapa

S1

S3

D1

D3

carga

VL

S4

D4

S2

Los interruptores S1 y S3 son comandados de

manera complementar a los interruptores S2 y S4. Es
necesario que exista un tiempo muerto entre el
bloqueo de un par de interruptores y la entrada en
conduccin del otro par, caso contrario se producir
un corto-circuito de brazo, destruyendo el inversor.
En la Fig. 1.26 son presentadas las etapas de
operacin cuando el inversor trabaja a dos niveles.
Cuando los interruptores S1 y S2 conducen, la tensin
Vab es igual a E y cuando los interruptores S3 y S4
conducen, el tensin Vab es igual a E.
Al igual que en el caso no modulado, dependiendo de
la carga del inversor los interruptores o los diodos en
anti-paralelo conducen. Por ejemplo si la carga es
inductiva habr intervalos donde conducen los
diodos.

D2

Segunda etapa

Fig. 1.26
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+Vcc
R1
+
R2

S1

- Operacin a tres niveles de tensin

U1
-

S4

VT1
-Vcc
+Vcc
R3
S3

Vm

R4

U2
+

(a)

S2

VT2
-Vcc

VT1 VT2
Vm

S2
t

S3
S4

S1
Vab
E
0
2

-E

Fig. 1.27

(b)
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En la operacin a tres niveles la tensin Vab

puede ser igual a +E, -E o cero.
Las seales de comando para los
interruptores son generadas a travs de la
comparacin de una seal moduladora Vm
con dos seales portadoras triangulares VT1 y
VT2, desfasadas en 180o, como muestra la
Fig. 1.27a.
El
interruptor
S1
es
comandado
complementariamente a S4 y el interruptor S3
es comandado complementariamente a S2.
Se hace necesario un tiempo muerto entre el
bloqueo de un interruptor y la entrada en
conduccin del otro para evitar un cortocircuito de brazo.
Una ventaja de la modulacin a tres niveles
es que la tensin de salida Vab posee una
frecuencia que es el doble de la frecuencia
de conmutacin, por lo tanto dobla la de dos
niveles (Fig. 1.27b).

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S1

S3

D1

D3

S1

S3

S1

carga

E
S4

D4

S2

VL

carga

S4

D2

D3

VL

S3

D1

D3

D1

S2

D4

Primera etapa

S2

D4

D2

carga

S4

D2

VL

Tercera etapa

Segunda etapa

Primer caso: Corriente en la carga positiva

+

S1

D1

S
3

D3

S1

D1

S3

D3

+
carga

VL

E
2

S4

D4

S2

E
D2

S4

VL
carga

D4

S2

Primera etapa

VL
carga

S4

E
D2

D4

S2

+
B

D2

D3

S3

D1

S1

Segunda etapa

Tercera etapa

Segundo caso: Corriente en la carga negativa

Fig. 1.28
En la Fig. 1.28 son presentadas las etapas de operacin para el semiciclo positivo de VAB. Cuando S1 y S2 conducen, la
tensin Vab es igual a E, cuando S1 y S3 conducen (o sus diodos asociados), o S2 y S4 conducen (o sus diodos
asociados), Vab es igual a cero.
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c) - ndices de modulacin y de razn de

frecuencia

V Tmax
Vmmax

Como las dos seales, moduladora y portadora, son

sincronizadas se hace necesario definir dos
parmetros que se incluyen en esta sincronizacin.
Como son el ndice de modulacin (mI) y la razn de
frecuencia (mF).
El ndice de modulacin (mI) es definido como la
relacin de la amplitud de la seal de referencia
sinusoidal (o moduladora) con la amplitud de la
triangular (portadora), es decir:

fp

mi

f
m

Fig. 1.29

Vm max
VT max

< que 1.

(1.32)

con Vmmax = Amplitud de la moduladora

y VTmax = Amplitud de la portadora.
La razn de frecuencia es definida como la relacin
de la frecuencia de la triangular a la seal de
referencia, es decir, (Ver Fig. 1.29 donde mf = 8)

mf

fp
fm

> que 1. (1.33)

donde: fP = frecuencia de la triangular

fm = frecuencia de la referencia
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d) Contenidos armnicos para 2 niveles de

tensin

VTmax

Vm

Con la modulacin a dos niveles se tiene el formato

de onda (VAB) mostrado por la Fig. 1.25b, la cual es
determinada por la comparacin de Vm y VT,
tenindose que VAB vara entre E y E.

VT

VABmed

-E
ton/4

T/4

0
Fig. 1.30

Analizando esta forma de onda se tiene que:

1- La amplitud mxima de la fundamental (VAB1(t))
de salida es mi veces E. Esto puede ser
entendido considerando para el instante de
conmutacin que Vm es constante.
Entonces el valor medio de la tensin de salida,
VABmed, para un ciclo de conmutacin depende de la
razn Vm a VTmax, para un dado E.

VABmed

Vm

VT max

Vm

VT max

(1.34)

Por lo tanto, asumiendo que Vm es constante para

un ciclo de conmutacin la ecuacin anterior indica
como la tensin media instantnea de VAB vara
desde un ciclo de conmutacin a otro.

Prof. Domingo Ruiz Caballero Dr.Ing.

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Donde la tensin media instantnea es idntica a la componente fundamental de VAB (VAB1), es

decir de igual forma que Vm, sabiendo que:

VABmed

Vm

1t

VT max

Con:

VmMAX

Vm

(1.35)

VT max

VT max

(1.36)

Sustituyendo Vm en la ecuacin de VABmed , se tiene:

VmMAX

VABmed

VT max

E sen

(1.37)

Es decir:

VAB1

VABmed

E mi sen

(1.38)

Por lo tanto:

VAB1MAX

VABmedMAX

E mi

Para mi 1,0

Y,

(1.39)

VABmedMAX

Para mi

1,0

Mostrando que en una modulacin PWM sinusoidal, la amplitud de la componente fundamental de

la tensin de salida vara linealmente con mi. Por tanto el rango de mi desde 0 a 1 es referido
como rango lineal, a un rango mayor que 1 se le denomina de sobremodulacin.
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2- Las armnicas en la tensin de salida del inversor (VAB) aparecen por grupos centrados
alrededor de la frecuencia de conmutacin y sus mltiplos, esto es, armnicas alrededor de mf,
2mf, 3mf y as por delante.
Siendo estos validos donde mi esta entre 0 y 1.
Tericamente, las frecuencias en el cual las tensiones armnicas ocurren, pueden ser indicadas
como:

fn

jm f

f1

(1.40)

Esto es, la armnica de orden n corresponde a:

jm f

(1.41)

Donde la correspondiente frecuencia fundamental es n=1.

Para valores impares de j las armnicas existen solo para valores pares de k (incluyendo el
cero).
Para valores pares de j, las armnicas existen solo para valores impares de k.
Observacin: Para mf par no se cumple simetra de media onda, luego n toma valores pares e
impares y para mf impar cumple simetra de media, por tanto aparecen solamente n impares.
Luego para modulacin de dos niveles de tensin, mf siempre es forzado a ser impar.

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V
( AB MAX) n
E
1,0
0,8

0,6
0,4

x
x

0,2

mf
(mf-2)

x
x

(2mf-1)

x
3mf

2mf
(mf+2)

(2mf+1)

Fig. 1.31

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(3mf+2)

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e) Contenidos armnicos para 3 niveles de tensin

Para 3 niveles de tensin los brazos inversores A y B del inversor son controlados
independientemente comparando la tensin moduladora (Vm) con dos portadoras (VT1 y VT2) tal
como muestra la Fig. 1.27b.
Este esquema de modulacin tiene la ventaja de efectivamente doblar la frecuencia de
conmutacin en la carga, por tanto, los armnicos ms bajos reflejados en la salida aparecen en el
doble de la frecuencia de conmutacin, comparado con el de dos niveles de tensin.
Para este caso tambin se cumple que:

VAB1MAX

E mi

Para mi 1,0

(1.42)

Para mi

(1.43)

Y,

VABmedMAX

1,0

Debido a que la frecuencia de salida dobla a la de conmutacin, las armnicas existen en grupos
alrededor de 2mf y los mltiplos de 2mf, los armnicos de orden n pueden ser obtenidos como:

j 2m f

(1.44)

Puesto que n siempre es impar (debido a la simetra de media onda en VAB ), k puede solo ser
de valor impar como muestra la figura 1.32, nuevamente para un espectro con ndices mi = 0,8 y
mf genrico y que 2.mf siempre es par.
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Captulo 1
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V
( AB MAX) n
E
1,0
0,8

0,6
0,4
x

x
(4mf+3)

(4mf-3)

0,2
x

x
(2mf-1)

4mf

3mf

2mf

mf

x x

(2mf+1)

Fig. 1.32

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(4mf-1)

(4mf+1)