DispositivosSemicondutorescompletoRedSize

[]'SpDS,UUDS
Sern,r:Dndu1DreS
[]'spDs.1'UDS
Sem'~Dndu1DreS
diodos
transistores
tiristores
optoetetrrcs
circuitos integrados
4~ edio revista
HILTON ANDRADE DE MELLO

Eng.o Eletrnico e Nuclear
Master Of Science. Engineer - Stanford
Chefe. da Divislo de Eletrnica do
Instituto de Engenharia Nuclear
Univefsity.
EDMONDINTRATOR
Eng.O EletrOnico e Nuclear
Master of Science - University of Wisconsin
Departamento de Reatores da
Comissio Nacional de Energia Nuclear
RIO DE JANEIRO
SO PAULO
Dt
liVROS IrCNICOS E CIENllflCOS EDIIORA
Califrnia
Copyright
1972,1974,
1978e 1980, Hilton Andrade de Mello e Edmond tntrator
Proibida a reproduio, mesmo

parcial, por qualquer processo,
tem autorizalo expressa do
autor e do editor.
CAPA I Nelson Aires de Oliveira
'Z!
1~ ediio
ediio
ReimpreSS8s
~ edio
1972
1974
1976 (duas) e 1977 (duas)
4~ edio
1980
1978
(Prepareda pelo Centro de Catalogao-na-fonte do

SINDICATO NACIONAL DOS EDITORES DE LIVROS,
M485d
RJ)
Melto, Hilton Andrade de, 1939Dispositivos semicondutores: diodos, transistores,

fotossens(veis, circuitos integrados lporl Hilton de
Malto e Edmond Intrator. 3. ed. rev. e ampl. Rio de
Janeiro, Livros Tcnicos e Cient(ficos, 1980,
xiv,225p.
ilust.
23cm.
Primeira edilo por Ao Livro Tcnico.
Apndice: "Dissipadores de calor para dispositivos
18micondutores' ,.
1. Semicondutores.
tulo.
I. Intrator,
Edmond.
11.
no
CDD - 621.38152
CDU ~ 621.315.5
74-03S6
Direitos reservados por:

LIVROS n!CNICOS E CIENTFICOS EDITORA
Av. Venezuela, 163 - CEP 20 220
Rio de Janeiro, RJ
1980
Impresao no Brasil
S.A.
A
Marll de Pau/a, Adrllne e M6nica
A
E/eanor e Miriam
HAM
EI
"A cincia sem a f conduz dvida; a f sem a cincia conduz

superstio. As duas reunidas do a certeza, e para uni-Ias no se
deve jamais confundi-tas."
Eliphas Lvi "
* LA CABBALE;Papus, 2.e ed. Librairie Gnrale des Sciences Occultes, Paris, 1903.
PREFAcIO DA 3~ EDIAO
Com satisfao verificamos a excepcional aceitao do nosso livro Dispositivos Semlconautores o qual j est sendo utilizado como livro-texto em vrias escolas tcnicas de Eletrnica
do Pa Is e como livro de referncia, por conter detalhes prticos, pelos estudantes de Engenharia.
A segunda edio j tendo sofrido cuidadosa reviso e correo de alguns erros da primeira, alm de uma ampliao, poderia parecer primeira vista que, aps somente trs anos
dessa segunda edio, no se justificaria uma terceira. Isso poderia ser vlido em muitos campos da Cincia e da Tecnologia, mas no no da Eletrnica, onde inovaes e novos componentes surgem quase diariamente. Os laboratrios de pesquisas oferecem continuamente novos dispositivos ou refinamentos de componentes j existentes, os fabricantes de dispositivos sernieondutores no perdem tempo em comercializar o novo produto, nem os engenheiros de projetos
em lanar mo das novas opes que Ihes so oferecidas.
Torna-se, ento, obrigao do autor de uma obra didtica tentar acompanhar esse rpido progresso, reformulando ou modernizando sua obra original. Foi o que procuramos fazer
nessa terceira edio, e o leitor que comparar o contedo e o Indice da primeira edio com a
presente notar as seguintes diferenas:
- um captulo novo, Estudo dos Tirlstores, que rene os retificadores controlados de
sillcio, mencionados rapidamente como "outros diodos", no Cap. 2 da primeira edio, e os
triaes e diacs, componentes no abordados na primeira edio;
- no Capo 2, Estudo dos Diodos, aparecimento de seis novos tipos de diodos: Step
Becovery, Back, Schottky, Pln, Gunn, Impatt;
- no Capo 3, Estudo dos Transistores, vasta ampliao dos estudos dos transistores de
efeito de campo, que eram superficialmente mencionados na primeira edio, e tambm dos
transistores de unijuno;
- no Cap. 5, Estudo da Optoetetrnlce, acrscimo ao estudo das clulas fotossenslveis
(Cap. 4 da primeira edio), dos diodos emissores de luz, fotoacopladores e displays digitais.
Acompanhando essa ampliao do livro, foi feita nova reviso geral, que resultou em vrias modificaes, tais como simplificaes de desenhos, melhor apresentao de alguns itens,
simplificao da parte explicativa dos circuitos equivalentes do transistor bipolar, atualizao
e ampliao dos exerclcios no fim de cada cap(tulo.
Se a rpida evoluo do campo dos dispositivos semicondutores pode ser acompanhada r:
at certo ponto, pela feitura de adies sucessiw$, de um livro sobre o assunto, ela tambm
causa dificuldades aos autores, principalmente com relao aos componentes que so utilizados como exemplos no texto; de fato, tais componentes tornam-se obsoletos e na realidade
seria um trabalho impraticvel mudar todos os exemplos do livro para utilizar os ltimos dispositivos existentes no mercado. Tivemos o cuidado de utilizar exemplos que continuem vlidos com a substituio das especificaes e caracterlsticas dos componentes utilizados ria
poca da redao pelas de componentes de que o leitor realmente poder dispor na poca de sua
utilizao.
Esperamos ento ter atingido, nessa terceira ediio, os objetivos que acabamos de mencionar, e agradecemos uma vez mais a acolhida de nossa obra no meio tcnico brasileiro.
HAM
EI
INTRODUAO
A experincia por ns adquirida, nas Escolas Tcnicas de Eletrnica e nas Escolas de Engenharia, tem-nos mostrado uma lacuna que um dos maiores obstculos aos que pretendem
iniciar o estudo de circuitos utilizando dispositivos semicondutores.
Trata-se da falta de livros que possam ser usados pelas Escolas Tcnicas como textos para os seus cursos de EOletrnica.De um lado, existe um grande nmero de livros "de bolso" que
tratam, em poucas pginas, do estudo dos dispositivos semicondutores, limitando-se quase exclusivamente a apresentar esquemas de circuitos. De outro lado, os livros de Engenharia, onde
a formulao matemtica constitui uma barreira quase intransponvel para quem se inicia no
assunto.
A nossa idia foi fazer o presente livro de tal forma que contenha exatamente o que os
outros livros no contm, que o estudo amplo e detalhado dos dispositivos semicondutores
numa linguagem scesstvet, mas rigorosa. Deste modo, este livro poder ser usado como livrotexto nas Escolas Tcnicas, antecedendo o estudo de outros que se dedicam exclusivamente a
circuitos. Temos certeza que o livro tambm ser extremamente til aos estudantes de Engenharia Eletrnica, para um primeiro contato com os dispositivos semicondutores.
t talvez logo no Cap. 1 que melhor se aplica o que foi dito acima: a dificuldade de expor
as caractersticas gerais dos semicondutores sem entrar em detalhes matemticos e sem cair em
explicaes demasiadamente triviais, que acabam por incutir idias erradas na mente do estudante. Esperamos ter conseguido uma explanao acessvel e correta.
No Cap. 2, dada nfase aos trs tipos principais de diodos - o diodo retificador, o dodo Zener e o diodo tnel - e ainda so descritos vrios tipos de diodos que encontram aplicaes nos circuitos prticos. O Capo 3 focaliza principalmente o transistor bipolar e o transistor
de efeito de campo, descrevendo ainda o transistor de unijuno. Procuramos apresentar aplicaes tpicas de cada componente, sem transformar essa obra numa coletnea de circuitos, j
que o nmero de livros que tratam de circuitos transistorizados elevado e que, aps o estudo
desses dois captulos, o leitor dever estar bem preparado para assimil-Ios.
Os captulos seguintes e o apndice apresentam novidades em relao a outros livros. O
estudo dos tiristores (Cap. 41 descreve em detalhes o funcionamento, as caractersticas e as aplicaes dos retificadores controlados de silfcio, dos triacs e dos diacs. O Capo 5. Estudo da
Optoetetrntce , dividido entre o estudo das diversas clulas fotossensveis, dos diodos emissores de luz e dos displays, largamente utilizados em painis de controle, computadores, relgios digitais etc.
A descrio dos processos de fabricao de dispositivos semicondutores (Cap. 6) detmse nos processos modernos, realmente utilizados pelos fabricantes atuais. Quanto ao Capo 7,
MicroeletrtSnica, apresenta uma descrio dos princpios dos famosos circuitos integrados.* Finalmente, no apndice, so descritos, pela primeira vez, num livro, a utilizao e o clculo de
dissipadores de calor para dispositivos semicondutores.
Queremos aqui registrar nosso agradecimento s firmas, nacionais e estrangeiras, que nos
forneceram, graciosamente, ou nos autorizaram a reproduzir curvas caractersticas e especificaes de componentes de sua fabricao, bem como desenhos e esquemas de circuitos extremos
de algumas de suas publicaes: IBRAPE, Indstria Brasileira de Produtos Eletrnicos e Eltri*Para estudo mais aprofundado dos Circuitos Integrados, ver Circuitos Integrados, por
Hilton A. Mello, Ed. Edgard Blcher, 1975.
cos S. A., PHILCO Rdio e Televiso Ltda., MOTOROLA Semiconductor Products Ine., FAIRCHILD Semiconductor, RCA Corporation, DIALlGHT e HEWLETT PACKARD Optoelectronics Division. Sem a colaboraO desses fabricantes, no poderrarnos ter apresentado muitos
dos exemplos prticos, com valores reais, que procuramos incluir para ilustrar o texto. I indispensvel tambm agradecer Direo do Instituto de Engenharia Nuclear, autorizando-nos
a utilizar a publicaO IEN-65-2, Dissipadores de Calor para Componentes de Semicondutores, de autoria de Hilton A. de Mello, que, devidameme atualizada e adaptada, constitui o apndice do livro.
Apresentamos, portanto, o presente trabalho com a esperana de ser til aos estudantes
de Escolas Tcnicas e de Escolas de Engenharia, bem como aos professores, na organizao de
seus cursos. Receberemos, com prazer, crrtlcas e sugestes de todos aqueles que quiserem opinar
sobre o livro e gostar(amos de terminar agradecendo a colaborao de todas as pessoas que ajudaram em sua feitura, seja na parte de datilografia, de desenho ou de reviso, seja com sugestes construt ivas.
HAM
EI
SUMARIO
Captulo 1. ESTUDO DOS SEMICONDUTORES,

1
1 .1. Constituio Atmica da Matria, 1
1.1.1. tomos e Molculas, 1
1 .1.2. Constituio dos tomos, 4
1 .1.3. Reaes Ourmlcas. 8
1.1.4. Estados Estveis de um tomo, 9
1.2. Condutores, Isolantes e Semicondutores,
10
1 .3. Estudo dos Semicondutores,
12
1.3.1. Estudo dos Cristais, 12
1.3.2. Ligaes Covalentes, 15
1.3.3. Quebra de Ligaes Cova lentes, 16
1.3.4. Impurezas, 18
1.3.4.1. Impurezas Doadoras, 18
1.3.4.2. Impurezas Aceitadoras, 19
1.3.4.3. Constncia do Produto pn , 21
1.3.4.4. Clculo de n e p em um cristal, 21
1.3.5. Transporte de Eltrons e Buracos em um Semicondutor, 22
1.3.5.1. Estudo Sucinto da Difuso, 23
1.3.5.2. Estudo Sucinto do Drift, 24
1.3.6. Resistividade de um Material Semicondutor, 25
1.3.7. Estudo das Junes PN, 27
1.3.7.1. Estudo Geral, 27
1.3.7.2. Polarizaes Direta e Inversa, 31
1.3.7.3. Capacitncias Apresentadas por uma Juno, 33
Cap!'tulo 2. ESTUDO DOS DIODOS, 38
2.1. Generalidades sobre Diodo de Juno, 38
2.2. Diodo Retificador, 43
2.2.1. Funcionamento
com Tenso Contfnua, 44
2.2.2. Funcionamento
com Tenso Alternada, 47
2.2.3. Limitaes, 49
2.2.4. Aplicaes, 53
2.2.5. Diodos Retificadores Comerciais, 56
2.3. Diodo Zener,56
2.3.1. Funcionamento,
56
2.3.2. Especificaes da Tenso Zener, 57
2.3.3. Impedncia Dinmica, 58
2.3.4. Efeito da Temperatura, 59
2.3.5. Limitaes, 60
2.3.6. Aplicaes, 63
2.3.6.1. Proteo de Circuitos, 63
2.3.6.2. Proteo de Medidores, 63
2.3.6.3. Supresso de Fascas, 64
2.3.6.4. Regulao da Tenso Alternada, 64
2.3.7. Diodos Zener Comerciais, 65
2.4. Diodo Tnel, 67

2.4.1. Funcionamento, 67
2.4.2. Aplicaes, 69
2.5. Diodo com Capacitncia Dependente da Tenso, 71
2.6. Outros Diodos, 75
2.6.1. Diodo Step Recovery, 75
2.6.2. Diodo Back, 75
2.6.3. Diodo Schottky, 77
2.6.4. Diodo Pin, 77
2.6.5. Diodo Gunn, 80
2.6.6. Diodo Impatt, 80
2.6.7. Diodo de Contato de Ponta, 80
2.6.8. Retificador Metlico, 81
CapCtulo 3. ESTUDO DOS TRANSISTORES, 84
3.1. Transistor Bipolar, 84
3.1 .1. Funcionamento , 84
3.1.2. Ganho, B8
3.1.3. Convenes Relacionadas ao Transistor Bipolar, 91
3.1.3.1. Nomenclatura dos Terminais, 91
3.1.3.2. Convenes para Correntes e Tenses, 93
3.1.4. ligaes, 95
3.1 .4.1. Configuraes, 95
3.1.4.2. Estudo da Ligao Base Comum, 96
3.1.4.3. Estudo da Ligao Emissor Comum, 103
3.1.4.4. Estudo da Ligao Coletor Comum, 111
3.1.5. Parmetros e Circuitos Equivalentes, 112
3.1.5.1. Funcionamento do Transistor em Regime Alternado, 113
3.1.5.2. Circuito Equivalente Intuitivo, 115
3.1.5.3. Circuito Equivalente em T, 118
3.1.5.4. Circuito Equivalente H Cbrido,121
3.1.5.5. Medio dos Parmetros H, 125
3.1.6. Caraeterfsticas de AmplificaO, 129
3.1 .6.1. CaracterCsticasde Amplificao em Funo dos
Parmetros H, 129
3.1.6.2. Comparao Entre as Trs ligaes do Transistor
como Amplificador, 134
3.1.7. limitaes, 139
3.1.7.1. Limitaes de Corrente, 140
3.1.7.2. Limitaes de Tenso,l40
3.1.7.3.
Limitades
de
Potncia,
143
3.1.7.4. Limitaes de Temperatura, 145

3.1. 7.5. Limitaes de Freqncia, 145
3.1.8. Tipos de Transistores Bipolares, 147
3.2. Transistor de Efeito de Campo, 153
3.2.1. Transistor de Efeito de Campo de Juno, 154
3.2.2. Transistor de Efeito de Campo com o Gatilho Isolado (MOS), 159
3.2.3. Especificaes e Limitaes, 164
3.2.4. Circuito Equivalente, 166
3.2.5. Aplicaes, 168
3.3. Transistor de Unijuno, 172
3.3.1. Funcionamento, 172
3.4. Outros Tipos de Transistores, 177
Capitulo 4. ESTUDO DOS TIRISTORES, 182

4.1. Retificador Controlado de Silfcio, 182
182
4.1.2. Controle pelo Gatilho, 186
4.1.3.1. Controle de Fase em um Circuito Retificador
de Meia Onda, 187
4.1.3.2. Circuito de Retardo, 187
4.2. Triacs e Diacs, 188
4.2.1. Estudo dos Triacs, 188
4.2.2. Estudo dos Diacs, 190
Capitulo 5. ESTUDO DA OPTOELETRONICA,
195
5.1. Clulas Fctossenstveis, 196
5.1.1. Funcionamento,196
5.1 .1.1. Fotorresistores, 197
5.1.1.2. Fotodiodos, 197
5.1.1.3. Fototransistores,
198
5.1.1.4. Clulas Fotovoltaicas, 199
5.1.2. Caracterfstlcas, 200
5.1.2.1. Resposta Espectral, 200
5.1.2.2. Sensibilidade, 201
5.1.2.3. Resposta de Freqncia, 202
5.1.3.1. Aplicaes dos Fotorresistores, 203
5.1.3.2. Aplicaes dos Fotodiodos e Fototransistores,
5.1.3.3. Aplicaes das Clulas Fotovoltaicas, 207
5.2. Diodo Emissor de Luz, 207
207
5.3. Foto-acoplador, 211
5.4. Displays Usando Diodos Emissores de Luz, 212
5.5. Displays de Cristais Uquidos, 217
Capitulo 6. TECNOLOGIA DOS SEMICONDUTORES, 221
6.1. Tecnologia Bsica, 221
6.2. Fabricao de Dispositivos Semicondutores, 223
6.2.1. Processo de Difuso Selecionada, 223
6.2.2. Fabricao de Transistores Tipo Mesa, 224
6.2.3. Fabricao de Transistores Tipo Mesa-Epitaxial,
6.2.4. Fabricao de Transistores Tipo Planar, 225
Capitulo
7. MICROELETRONICA,228
7.1. Divises da Microeletrnica, 228

7.2. Fabricao de Circuitos Integrados Monol(ticos, 230
7.2.1. Detalhes Fundamentais sobre a Tcnica, 230
7.2.2. Fabricao de Resistores, 232
7.2.2.1. Resistores Difundidos, 232
7.2.2.2. Resistores Depositados, 233
7.2.3. Fabricao de Capacitores, 234
7.2.3.1. Capacitores de Juno, 234
7.2.3.2. Capacitores Depositados, 234
225
Monofsico
205
7.2.4.
7.2.5.
7.2.6.
Fabricao de Indutncias, 235

Fabricao de Diodos, 235
Fabricao Simultnea de Todos os Componentes de um
Circuito, 236
7.3. Aplicaes dos Circuitos Integrados, 239
7.3.1. Circuitos Digitais, 239
7.3.2. Circuitos Lineares, 243
7.3.2.1. Amplificadores Operacionais, 243
7.3.2.1.1. Amplificador para uma Ponte de
Termistores,246
7.3.2.1.2. Amplificador de Alta Impedncia de
Entrada para um Transdutor Piezo-eltrico, 248
7.3.2.1.3. Fonte de Tenso de Elevada Preciso, 248
7.3.2.1.4. Oscilador Senoidal, 249
7.3.2.1 .5. Controlador de Temperatura, 250
7.3.2.2. Outros Exemplos de Circuitos Lineares Integrados, 250
7.3.2.2.1. Circuito Integrado TAA320 (lBRAPE), 250
7.3.2.2.2. Circuito Integrado TAA310 (JBRAPEI, 251
7.3.2.2.3. Circuito Integrado CA3.000 (RCA), 252
AP~NDICE. DISSIPADORES DE CALOR PARA DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES, 256
1. Introduo, 256
2. Princfpios da Transmisso de Calor, 257
3. Estudo Geral dos Dissipadores de Calor, 258
3.1. Ao de um Dissipador de Calor, 258
3.2. Constituio dos Dissipadores de Calor, 259
3.3. Geometria dos Dissipadores de Calor, 259
3.4. Problemas do Superdimensionamento,
260
'3.5. Problemas do Isolamento Eltrico, 260
3.6. Conveco Forada e Outros Meios de Refrigerao, 261
3.7. Disparo Trmico, 262
3.S. Proteo dos Circuitos, 263
4. Clculo dos Dissipadores de Calor, 264
4.1. Equao Bsica para o Clculo dos Dissipadores de Calor, 264
4.2. Dissipadores de Calor para Transistores, 265
4.2.1. Transistores de Baixa Potncia, 265
4.2.2. Transistores de Potncia, 267
4.3. Dissipadores de Calor para Diodos Zener, 269
4.4. Dissipadores de Calor para Diodos Retificadores, 271
4.5. Tratamento dos Dissipadoresde Calor por Analogias Eltricas, 274
fNDICE ALFASE:TICO,
279
===================Captulo
Estudo dos Semicondutores
A nossa experincia tem-nos mostrado que o estudo terico dos semicondutores a maior barreira encontrada pelos estudantes quando se iniciam neste campo.
Muitas vezes, com o intuito de simplificar ao mximo a apresentao, so utilizadas
analogias e explicaes que incutem idias muitas vezes absurdas na mente ainda
inexperiente do estudante.
Tivemos um grande cuidado com estas explicaes simplificadas e sempre que
possvel fizemos comentrios a respeito das analogias utilizadas. Assim, quando o
estudante l que "o tomo um pequeno sistema solar em miniatura" e que "os
eltrons giram em torno do ncleo do mesmo modo que os planetas giram em torno do Sol", esta analogia entre os dois sistemas apenas parcial, no devendo o
leitor preocupar-se em demasia com a mesma.
ainda interessante observar que o estudo resumido que fazemos a seguir
o fruto do trabalho incessante de um grande nmero de pesquisadores em todo o
mundo, que at hoje perscrutam a matria, procurando descobrir os seus detalhes
mais ntimos.
1.1. CONSTITUIAO ATMICA DA MATRIA

1.1.1. TOMOS E MOLCULAS
Suponhamos que estamos observando uma gota de gua. Conhecemos perfeitamente todas as propriedades da gua, como ponto de solidificao, massa especfica etc. Imaginemos que esta gota dividida em duas outras menores; se procurarmos determinar as caractersticas destas duas gotas, verificaremos que elas
so as mesmas da gota original, ou seja, as mesmas da substncia gua.
Uma pergunta evidente deve ter-se formulado na mente dos nossos leitores:
ser possvel continuar a subdividir cada vez mais a gota de gua, obtendo pores
cada vez menores que ainda apresentam as mesmas caractersticas da gua? A resposta no.
ESTUDO DOS SEM/CONDUTORES
/ CAPo 1
Todas as substncias apresentam uma poro mnima que ainda retm as suas
propriedades. Esta menor poro de qualquer substncia que ainda mantm as suas
propriedades chamada de molcula da substncia.
Sem dvida alguma, o prprio leitor no se conformaria em parar neste ponto: ser que a prpria molcula no pode ser subdividida, embora com a perda das
propriedades da substncia original ?
Caso consegussemos "observar diretamente" (isto apenas imaginrio) o que
exste dentro de uma molcula de gua, veramos que a mesma constituda por
trs estruturas, sendo duas destas iguais entre si e uma terceira diferente. Chamemos
as duas estruturas iguais de H e a estrutura diferente de O, apenas para facilitar a
nossa referncia. Estas estruturas, evidentemente,
no esto livres dentro da molcula: certas foras
H
ligam-nas entre si, de uma certa forma que no nos
interessa no momento.
Se representarmos estas foras por setas, poderemos, para efeito do nosso comentriovrepreO.-- ...
-H
sentar a molcula da gua como na Fig. 1.1. Este
desenho no propriamente a molcula da gua,
mas sim uma representao adotada para caracterizar as trs estruturas que interagem de uma certa
forma.
Fig. 1.1. Representao esquem-
/\
tica da molcula da gua.
Deixemos por algum tempo a molcula da gua e faamos a mesma anlise para outra substncia, por exemplo, o cido sulfrico.
Ao observarmos a molcula do cido sulfrico, veremos que a mesma constituda por duas
estruturas iguais a que chamamos anteriormente de
H, quatro estruturas iguais a que chamamos de O e
uma nova estrutura que chamaremos de S.
De acordo com nossa conveno, poderamos representar esta molcula como na Fig. 1.2
(lembramos que as setas so apenas para indicar Fig. 1.2. Representao esquemtica da molcula do cido sulfriuma interao entre as estruturas representadas
co.
e que, para no congestionar o desenho, no representamos todas as setas possveis).
Caso analisssemos a molcula do conhecido gs carbnico, esta se apresentaria formada
por duas estruturas iguais a que chamamos de O
e uma nova estrutura que chamaremos de C. Portanto, poderamos represent-Ia como na Fig. 1.3.
Da mesma forma, o gs conhecido como metano teria na sua molcula uma estrutura C e quatro estruturas H, como na Fig. 1.4.
Fig. 1.3. Representao esquemPodemos parar por aqui, pois achamos que tica da molcula do gs carbo leitor j percebeu o fato de as mesmas estruturas nico.
1.1ICONSTlTUIAOATMICA
DA MAT~RIA
se agruparem diferentemente, formando as molculas das diferentes substncias.

Mas no existem apenas as estruturas apresentadas
nos nossos exemplos. Foram descobertas na natureza 92 (noventa e duas) estruturas, e o homem
conseguiu criar artificialmente outras, como o
caso do plutnio, material estratgico para a fabricao de bombas atmicas.
Estas estruturas, que constituem as molculas de todas as substncias, so chamadas tomos, palavra de origem grega que significa indivi- Fig. 1.4. Representao esquemdsivel. De fato, este nome foi dado porque se jul- tica da molcula de metano.
gava que estes tomos constituam um todo absolutamente indivisvel. Preferimos
cham-los de estruturas, porque mais adiante veremos que estes tomos so estruturas formadas por diversas partculas fundamentais.
Estes tomos correspondem aos chamados elementos. Assim, a estrutura que
chamamos de H corresponde ao tomo do elemento hidrognio, O ao tomo do
elemento oxignio, C ao tomo do elemento carbono e assim sucessivamente.
interessante observar que as letras por ns utilizadas correspondem aos
smbolos qumicos convencionais, sendo dados outros exemplos, a seguir:
o -
Oxignio
H - Hidrognio
S - Enxofre
C - Carbono
Si - Silcio
Ge - Germnio
Cd - Cdrnio
Pb-Chumbo
In - Indo
Ag - Prata
P -- Fsforo
eu -Cobre
Pt - Platina
AI - Alumnio
Sn - Estanho
Na - Sdio
Cl- Cloro
Au -Ouro
Portanto, podemos definir a molcula da gua dizendo que a mesma constituda por dois tomos de hidrognio e um tomo de oxignio. Quimicamente,
a molcula da gua representada por H2 O. O leitor deve pensar um pouco a respeito de tudo o que dissemos e verificar que, quando representamos a molcula da
gua por H2 O, estamos, na realidade, nos referindo a algo muito mais profundo,
que dizer que dois tomos de hidrognio e um tomo de oxignio interagem de
uma certa forma no espao formando a molcula da gua.
A beleza de toda esta explicao consiste no fato de que com apenas os seus
92 (noventa e dois) elementos a natureza construiu todos os seus materiais.
Algumas substncias so constitudas por um nico elemento (substncias
simples), como o oxignio, que constitudo apenas pelo elemento oxignio. A
molcula da substncia oxignio composta por dois tomos do elemento oxignio, sendo por isto chamada de diatmica, acontecendo o mesmo com a molcula do hidrognio.
ESTUDO
DOS SEM/CONDUTORES
/ CAP. 1
J os gases raros como o argnio, o xennio etc. apresentam a sua molcula

constituda apenas por um nico tomo, sendo por isto chamadas de molculas
monoatmicas.
evidente que a molcula de qualquer substncia composta apresenta-se
constituda por mais de um tomo. O cloreto de sdio (sal de cozinha), por exemplo, apresenta sua molcula constituda por um tomo de cloro e um tomo de sdio (NaCI).
1.1.2. CONSTITUIO DOS TOMOS
Aps muitos anos de pesquisas, foi possvel aos cientistas descobrir a estrutura ntima dos tomos, verificando-se um fato verdadeiramente surpreendente. As
pesquisas mostraram que os tomos de todos os elementos so constitudos pelos
mesmos tipos de partculas fundamentais, variando as propriedades entre os mesmos pelo diferente nmero de partculas.
O tomo de qualquer elemento consta essencialmente de uma parte chamada
ncleo, onde est concentrada praticamente toda a massa do tomo, e de partculas
chamadas eltrons, que giram em tomo deste ncleo. A Fig. 15 ilustra esquematicamente o tomo de um elemento.
...--u--__
ELE TRONS
I
t0::1--+-T--
NUCLEO
Fig. 1.5. Representao esquemtica do tomo de um elemento.
Os eltrons so partculas diminutas que possuem a massa de 9 ;11 X 10 -2 8 g

e uma carga eltrica negativa igual a 1,6 X 10 -1 9 coulornbs e que giram em tomo do
ncleo com grande velocidade.
Quanto ao ncleo, as experincias mostraram ser o mesmo constitudo por
dois tipos de partculas: os protons e os nutrons. Os prtons so partculas que apresentam uma carga eltrica positiva e de mesmo valor absoluto que a do eltron
e uma massa de 1.836,12 vezes a massa do eltron. Os nutrons, conforme o nome
indica, so partculas sem carga eltrica e que apresentam uma massa de 1.838,65
vezes a massa do eltron. Uma concluso imediata que os prtons e os nutrons
tm aproximadamente a mesma massa e que esta cerca de 2.000 vezes a massa do
eltron. Portanto, vlida a afirmao de que praticamente toda a massa do tomo
est concentrada no seu ncleo. A Fig. 1.6 ilustra mais detalhadamente o tomo de
um elemento.
Um fato importante que o nmero de prtons no interior do ncleo de um
tomo igual ao nmero de eltrons circulando em tomo do mesmo. Ora, como os
nutrons no possuem carga eltrica, isto significa que o campo eltrico criado pelos
1.1 /CONSTlTUICOAT()MICA
DA MATRIA
pr tons anulado pelo campo eltrico criado pelos eltrons, resultando deste fato
que o campo eltrico criado externamente por um tomo nulo.
CONVENO
/
PROTON
NEUTRON
/
ELETRON
Fig. 1.6. Representao esquemdtica do tomo de um elemento.
o nmero de prtons de um tomo (que igual ao nmero de eltrons) representado pela letra Z e denominado nmero atmico. A soma do nmero de prtons e do nmero de nutrons representada pela letra A e denominada nmero
de massa:
nmero de prtons = nmero de eltrons = Z = n." atmico;
nmero de prtons + nmero de nutrons = A = n:" de massa.
Portanto, o nmero de nutrons de um tomo igual diferena entre o
nmero de massa e o nmero atmico:
nmero de nutrons = A - Z.
Para exemplificar, observe a constituiao do tomo do elemento hlio, na
Fig. 1.7:
nmero de prtons = 2;
nmero de massa
= 4;
nmero de nutrons = 4 2 = 2;
nmero de eltrons = 2.
O leitor deve observar um fato interessante. Verificamos no estudo da molcula que as
p
molculas de todas as substncias eram forma2n
das pelas mesmas estruturas e que estas estruturas so os chamados tomos. Agora, constatamos que todos os tomos so constitudos basicamente pelos mesmos tipos de partculas,
que so chamadas de eltron, prton e nutron.
Os tomos dos diversos elementos diferenciamse, ento, pelo nmero destas partculas que
Fig. 1.7. Representao esquemdtica do tomo do elemento hlio.
possuem. Eis outros exemplos que ilustram este
fato:
tomo de hidrognio: n.? de prtons = n.? de eltrons = 1;
n.o de massa
= 1;
n." de nutrons = 1 - 1 = O.
ESTUDO
DOS SEM/CONDUTORES
/ CAP.. 1
Observe que o hidrognio tem o seu tomo constitudo apenas por um prton
e um eltron, no possuindo nutrons.
tomo de siltcio:
tomo de germnio:
n?
n?
n?
n?
n?
n?
de eltrons
de massa
de nu trons
de eltrons
de massa
de nutrons
n? de pr tons
14;
28;
14.
n? de prtons
32;
70;
38.
interessante chamar a ateno do leitor para o fato de que os ncleos de

certos elementos recebem denominaes especiais, como, por exemplo, o ncleo do
elemento hlio, constitudo por dois protons e dois nutrons, chamado particula
alfa , sendo muito utilizado para bombardear outros ncleos, produzindo reaes
nucleares.
Retomemos as nossas explanaes, considerando, por exemplo, o tomo do
elemento ouro, que tem um nmero atmico igual a 79, um nmero de massa
igual a 197 e, conseqentemente, possui 118 nutrons.
Ser que todos os 79 eltrons do tomo de ouro so caracterizados pelas
mesmas grandezas. caractersticas, isto , ser que todos eles possuem a mesma
velocidade, a mesma energia, giram em rbitas dispostas identicamente no espao
etc. ?
Esta talvez a parte mais delicada destas sucintas explanaes sobre Fsica
Atmica, e a resposta a tal pergunta no nada intuitiva para ser apresentada.
Na realidade muitos pesquisadores trabalharam com afinco para resolver este problema.
Foi verificado que os eltrons esto distribudos em camadas em tomo do
ncleo, e estas camadas so chamadas, a partir da mais interna, K, L, M etc.
Num tpico especial da Fsica, chamado Mecnica Quntica, que so estudadas e demonstradas as diversas noes que sero resumidas a seguir. Entretanto, este estudo demasiado complicado tendo-se em vista o elevado nvel
da matemtica utilizada.
Verifica-se no estudo da Mecnica Quntica que as camadas so caracterizadas por uma grandeza chamada nmero quntico principal, que representado pela
letra n. Assim, a camada K corresponde ao nmero quntico n = 1; a L corresponde a n = 2, e assim sucessivamente.
.
A Mecnica Quntica prova tambm que em cada camada h um nmero mximo permissvel de eltrons que no pode ser ultrapassado, e este nmero indicado na tabela a seguir:
Camada
Nmero mximo de eltrons
1
2
4
2
8
18
32
50
6
7
72
98
L
M
1.1/CONSTITUIAO A TOMICA DA MA TtRIA
importante observar que, embora este nmero no possa ser ultrapassado,

podem existir menos eltrons que este mximo, dizendo-se, ento, que a camada
no est saturada.
Portanto, simbolicamente, o tomo pode ser representado como na Fig. 1.8.
Entretanto, atente bem que esta apenas uma representao simblica de um sistema que, na realidade, um sistema tridimensional; alm disto, nesta representao
no estamos representando-a-zzzz descrita por cada eltron, mas sim representan-
'"
ELETRONS
EM
CAMADAS
,
NUCLEO
Fig. 1.8. Representao simblica do tomo de um elemento.
do toda uma camada por uma circunferncia. Vejamos como exemplos as estruturas de alguns tomos (apenas as estruturas das camadas):
Cobre
Prata
Carbono
Gerrnnio
Silcio
ndio
Fsforo
Alumnio
K
2
2
2
2
2
2
2
2
18
8
4
8
8
8
8
18
18
18
4
4
18 18
5
Poderamos agora fazer uma importante pergunta: ser~que todes os eltrons

de uma mesma camada apresentam as mesmas caractersticas? De incio, verifica-se
ESTUDO
DOS SEM/CONDUTORES
/ CAPo
a possibilidade de dois eltrons, embora pertencendo mesma camada, terem rbitas diferentemente dispostas no espao. Existe um outro nmero quntico, chamado nmero quntico mogntico e que se relaciona com esta orientao no espao.
Este nmero quntco representado por mr, e eltrons de uma mesma camada com
diferentes ml' tm rbitas com diferentes orientaes no espao.
Alm disso, h um fenmeno interessante que ocorre com o eltron: o fenmeno da rotao do eltron em tomo de si mesmo, num movimento anlogo ao que
a Terra tem em relao ao seu eixo de rotao. Este movimento de rotao do eltron em tomo de si mesmo chamado spin do eltron,e existe, conseqentemente,
um outro nmero quntico que leva em conta este movimento (ms)'
Finalmente, consideremos um eltron descrevendo uma rbita elptica em
tomo do ncleo. Um outro nmero quntico leva em conta a excentricidade desta
rbita, sendo este nmero chamado de nmero quntico orbital (m).
Portanto, verificamos que a situao de um eltron perfeitamente definida,
quando so indicados todos os seus quatro nmeros qunticos, a saber, nmero
quntico principal, nmero quntico magntico, nmero quntico orbital e o
spin:
n
m[
= n9 quntco principal;
= n9
quntco magntico;
n9 quntico orbital;
mIO = spin.
importante que o leitor compreenda que estes nmeros quntcos no surgiram de uma hora para outra, criados arbitrariamente pelo homem. Estes nmeros,
na realidade, so grandezas que surgem no desenvolvimento matemtico da Mecnica Quntica,
Para finalizar estas explicaes sobre teoria atmica, cumpre salientar que
existe na Fsica Atmica um famoso princpio, chamado princpio de excluso de
Pauli, que diz que dois eltrons de um tomo -no podem apresentar igualdade dos
seus quatro nmeros qunticos. Isto significa que dois eltrons de um tomo diferiro entre si nem que seja apenas com relao ao seu spin, Para o estudo que pretendemos empreender, analisaremos a camada como um todo, sem atentarmos para
as diferenas ntimas dentro de cada camada devido aos outros nmeros qunticos.
Isto significa que consideraremos apenas o nmero quntico principal que defme a
camada.
1.1.3. REAES QUMICAS
Verificamos anteriormente a estrutura dos tomos, sendo que a partir de
agora no mencionaremos mais os diversos nmeros quntcos, mas somente o nmero quntico principal que defme a camada.
Os eltrons da camada K (mais interna) esto rigidamente ligados ao ncleo,
e precisaramos dar uma elevadssma energia a estes eltrons para que eles pudes-
1.1/CONSTlTUIOATaMICA
DA MATtRIA
sem escapar do tomo, medida que as camadas vo-se afastando do ncleo, os

eltrons vo ficando mais fracamente ligados ao mesmo. So exatamente os eltrons da camada mais externa que normalmente tornam parte nas reaes qumicas, por serem estes os que mais facilmente se deslocam. Esta ltima camada
chamada de camada de valncia, e os eltrons da mesma so chamados de eltrons
de valncia, Para exemplificar a ao destes eltrons de valncia, vejamos corno se
processa a reao entre o cloro e o sdio, resultando o cloreto de sdio. Inicialmente, vejamos a constituio dos tomos do cloro e do sdio:
Cloro
I~;
M7
Sodo
r KL 82
M 1
o eltron isolado da camada de valncia do sdio est .fracamente ligado ao

ncleo. J a camada de valncia do cloro pode receber eltrons, pois tem apenas sete eltrons e o nmero mximo de eltrons permissvel para a camada M 18.
O que se passa, ento, que o eltron de valncia do sdio abandona o tomo e
recebido pela camada de valncia do cloro. Quando isto se verifica, o tomo de cloro, que era neutro, fica com uma carga negativa igual do eltron que recebeu, enquanto que o tomo de sdio fica com urna carga eltrica positiva igual do eltron
que perdeu. Dizemos, ento, que o tomo de sdio tornou-se um on positivo (tambm chamado cation) e o tomo de cloro um ron negativo (tambm chamado
anion). A seguir, estes dois ons, possuindo cargas eltricas de sinais opostos, se
atraem, formando a molcula do cloreto de sdio. Portanto, torna-se claro como os
eltrons da valnca tornam parte nas reaes quimcas.
Devemos chamar a ateno dos leitores para o fato de existirem outros fenmenos nos quais tornam parte os eltrons de outras camadas e mesmo o ncleo dos
tomos, mas tal estudo no significativo para o objetivo deste livro.
1.1.4. ESTADOS ESTVEIS DE UM TOMO
Verificamos haver equilbrio de cargas em um tomo, no apresentando o
mesmo, nas suas condies normais, nenhum campo eltrico externo. No pargrafo
anterior, salientamos como os eltrons de valncia participam das reaes qumicas.
Uma pergunta poder-se-ia fazer agora: se os tomos j tm um equilbrio de
cargas, por que razo os mesmos interagem uns com os outros nas reaes qumicas? A resposta a esta pergunta no simples de justificar, em virtude da matemtica necessria. Conseqentemente, apresentaremos apenas as concluses mais importantes.
Sabemos que, de um modo geral, todos os sistemas fsicos procuram ficar
com um mnimo de energia interna possvel. Isto significa que, se um sistema no
est com esta energia mnima, sempre que possvel ele procurar atingir este nvel.
No caso da .estrutura atmica, deve, portanto, existir um determinado nmero de
eltrons nas camadas que faz com que o sistema fique com uma energia mnima.
ESTUDO
10
DOS SEM/CONDUTORES
I CAPo 1
Prova-se que a estrutura mais estvel aquela em que h 8 eltrons na camada de

valncia do tomo em questo (no caso de s existir a camada K, este nmero
igual a 2).
Por exemplo, o tomo de hidrognio apresenta apenas a camada K e nesta
apenas um eltron. Isto significa que relativamente fcil para o hidrognio tomar
parte em reaes quncas, procurando obter uma configurao mais estvel.
J o elemento hlio tem apenas a camada K, existindo nesta 2 eltrons. Conseqentemente, este elemento possui uma alta estabilidade sendo um elemento quimicamente inerte, no formando compostos com outros elementos. Outros elementos inertes so o nenio, o argOnio, o criptOnio e o xennio. Abaixo apresentamos
a constituio dos tomos de cada um destes elementos, e o leitor pode verificar
que todos eles possuem 8 eltrons na ltima camada, apresentando, portanto, uma
grande estabilidade.
Nenio
Argno
K 82
{
L
K2
L 8
Crptno
XenOnio
M8
K2
L 8
M 18
N 8
K
L
M
N
O
2
8
18
18
8
O leitor pode agora observar um fato interessante, analisando novamente a

reao do cloro com o sodo do pargrafo anterior. O cloro, ao receber o eltron do
sdio, ficou com a seguinte constituio: K 2, L 8 eM 8, que a constituio bsica do argono; o sodo ao perder o seu eltron, ficou com a constituio K 2 e
L 8, que a estrutura bsica do neono.
Ora, acabamos de ver que elementos como o nenio, argnio etc. apresentam
uma alta estabilidade qumica. Portanto, quando dois elementos se combinam, na
realidade, eles esto procurando ficar com uma formao tal de eltrons que lhes d
maior estabilidade.
1.2. CONDUTORES, ISOLANTES E SEMICONDUTORES

Definimos como um semicondutor o material que apresenta uma condutividade entre a alta condutividade dos condutores e a baixa condutividade dos isolantes. , portanto, conveniente caracterizar os condutores e os isolantes antes de caracterizar os semicondutores.
Inicialmente, estudemos os condutores, tomando O cobre para exemplo. Sua
constituio eletrnica vimos ser a seguinte: K 2, L 8, M 18, N 1. O que caracteriza
o material bom condutor o fato de os eltrons de valncia (no caso do cobre, o
1.2/ CONDUTORES, /SOLANTES E SEM/CONDUTORES
11
eltron da camada N) estarem fracamente ligados ao tomo, podendo ser facihnente

deslocados do mesmo. Ora, consideremos, por exemplo, uma barra de- cobre que
possui um nmero extremamente elevado de tomos de cobre e apliquemos uma diferena de potencial entre os extremos desta barra. Os eltrons da camada de valncia de todos os tomos facihnente se deslocaro sob a ao do campo eltrico produzido pela diferena de potencial aplicada (Fig 1.9), originando-se uma corrente
eltrica no material.
fJ?~~~
'"
+:
11-
Fig. 1.9. Representao esquemtica do deslocamento de cargas de um condutor.
Outros materiais que apresentam uma constituio anloga do cobre, com

um nico eltron na camada de valncia, so o ouro e a prata, dois outros excelentes condutores de eletricidade.
Obviamente, os materiais isolantes devem corresponder aos materiais que
apresentam os eltrons de valncia rigidamente ligados aos seus tomos. Entre os
prprios elementos simples, existem vrios que apresentam os eltrons de valncia
rigidamente ligados aos tomos. Entretanto, verifica-se que se consegue uma resistividade muito maior com substncias compostas, como o caso da borracha, mica,
teflon, baquelita etc. ( mais ou menos intuitivo que quando os tomos se combinam, formando estruturas complexas, os eltrons ficam mais fortemente ligados
a estas estruturas).
Logicamente, entre estes dois grandes grupos de materiais - condutores e isolantes - acha-se um grupo de materiais conhecidos como semicondutores, que apresentam uma resstvdade maior que a dos condutores e menor que a dos isolantes.
Na Tab. 1.1, apresentamos um quadro com os valores das resistividades de diversos materiais. Embora no haja uma separao bem defrnida entre os semicondu-
12
tores e os dois outros grupos, os semicondutores

varia de 10-2 a 106 ohm- em.
/ CAPo 1
apresentam uma resistividade que
Tab. 1.1. Rellistividade de Divenos Materiais
Substncia
Resiatvidee
(ohm-cm}
1.6 X 10-6
1,7 X 10-6
23 X 10-6
X 10-6
47
21,4 X 104
1012 a 1013
5 X 1016
9 X 1016
75 X 1018
Prata
Cobre
Ouro
Alumnio
Germnio ("puro")
Silcio ("puro'')
Vidro
mbar
Mica
Quartzo fundido
1.3. ESTUDO DOS SEMICONDUfORES

1.3.1. ESTUDO DOS CRISTAIS
Quando os tomos se agrupam formando as molculas das diversas substncias. o arranjo destes tomos no espao pode ou no obedecer a uma disposio sistemtica e ordenada. Todas as substncias cujos tomos se posicionam no espao,
formando uma estrutura ordenada. 810 chamadas de substncias cristalinas. Consideremos, por exemplo, o caso do cobre, cujos tomos se dispem no espao formando a estrutura da Fig. 1.10.
~~----y
x
Fig.1.10.
Cubo de faces centradas.
1.3/ ESTUDO DOS SEM/CONDUTORES
13
Nesta figura, representamos uma clula (chamada clula unitria) que, transladada nas trs direes, reproduz o cristal no espao. A rede gerada pelo deslocamento dos pontos da clula unitria chamamos de rede do cristal.
No caso do cobre, tomos da clula unitria estio localizados nos vrtices e
nos centros das faces do cubo representado na Fig. 1.10.
A esta rede, em que os tomos ocupam os vrtices e os centros das faces dos
cubos, chamamos de rede do cubo de faces centradas (alm do cobre, outros exemplos 810 O alumnio, O ehumbo ete.).
Existe um outro tipo de rede cubica, na qual os tomos ocupam os vrtices
e os centros dos cubos. ~ chamada rede do cubo de corpo centrado (por exemplo,
csio, ferro, ltio, nobo etc.). Esta rede ilustrada na Fig. 1.11.
z
~----y
x
Fig. 1.11. Cubo de corpo centrado.
Um fato extremamente interessante que tomos de um mesmo elemento podem gerar diferentes substncias, dependendo de estes tomos formarem uma estrutura cristalina ou no. Por exemplo, se tomos de carbono se agruparem sem urna
estrutura defnda (forma amorfa), obtm-se-o material conhecido como grafita que
usado, por exemplo, para fabricar escovas de mquinas eltricas. Por outro lado,
se tomos de carbono formarem uma rede cristalina obtm-se o famoso diamante,
cuja estrutura ilustrada na Fig. 1.12.
"TOMOS
Fia. 1.12. Clula unitrja do diamante. Observe que h tomos de carbono nos vrtices, nos
centros das faces e no interior da clula.
(veja Item 1.3.2).
As setas bidire?>nais
indicam ligaes covalentes
14
/ CAPo 1
Um fato importante que tanto o germnio como o silcio apresentam exatamente o mesmo tipo de estrutura que o diamante (portanto, basta, na Fig. 1.12,
substituir os tomos de carbono por Ge ou Si),variando apenas a dimenso a (constante da rede). Temos, para os 3 casos:
Material
Diamante
Germnio
Silcio
Valordea
3,56 X 10-8 em
5;65 X 10-8 em
5,43 X 10-8 em.
Antes de prosseguirmos, vejamos mais uma vez a constituio dos tomos do

carbono, germnio e silcio.
Germnio
K 2
Carbono
K2
L 4
Siltcio
K 2
L 8
L 8
M18
M4
N 4
Uma vez que nos interessa apenas a camada de valncia, a maneira mais prtica de representar os tomos destes elementos a indicada na Fig. 1.13, na qual estamos apenas representando a camada de valncia (4 eltrons) e, no ncleo, representamos a carga +4, necessria para anular o campo eltrico produzido por estes
quatro eltrons.
./ElETRON
CAMADA DE
---
Fig. 1.13.
Representao
VALENCIA
simplifica da dos tomos de C, Ge e Si.
15
1.3.2. LIGAES COVALENTES

Na Fig. 1.12, verificamos que, quando a clula unitria vai-se repetindo no
espao, cada tomo tem ligaes com quatro tomos vizinhos (ver o cubo representado na parte esquerda inferior dessa figura, repetida na Fig. 1.14).
J verificamos que, de um modo geral, os elementos procuram ficar com oito
eltrons na ltima camada, por ser este nmero de eltrons o que lhes d maior estabilidade.
A natureza parece ter juntado os dois fatos anteriores e achado a soluo ideal
para o problema. De fato, verificou-se que cada eltron compartilhado simultaneamente por dois tomos vizinhos, como indica esquematicamente a Fig. 1.14.
,/
",
""
,/
""
r'-I
I
I
I
I
I
B
Fig.1.14. Esta figura a repetio do canto inferior esquerdo da Fig. 1.12. O tomo A est
a igual distncia dos tomos B, C, D e E. As setas indicam ligaes covalentes: o tomo A,
por exemplo, tem 4 eltrons da sua prpria camada de valncia e possui mais 4 que simultaneamente pertencem aos tomos B, C, D e E.
Queremos significar nesta representao que um eltron do tomo A, alm de

pertencer ao prprio tomo, tambm pertence ao tomo B; da mesma forma, o eltron que pertence propriamente ao tomo B compartilhado pelo tomo A e assim
sucessivamente. Deste modo, torna-se evidente que cada tomo "possuir dinamicamente" 8 eltrons.
Isto significa que cada tomo, com este tipo de ligao, consegue obter uma
estrutura de elevada estabilidade. Este tipo de ligao, em que cada eltron compartilhado simultaneamente por dois tomos, chamado ligao cova/ente, e nela
residem as caractersticas inerentes aos materiais semicondutores.
Atente para a diferena enorme que existe entre o carbono na forma de grafita e na forma de diamante. Na grafita, os eltrons tm a sua individualidade e,
conseqentemente, possuem uma relativa facilidade de se locomover sob a ao de
um campo eltrico. J no diamante, as ligaes covalentes prendem os eltrons
rigidamente estrutura, resultando da uma elevada resistvidade para o material.
16
/ CAPo 1
1.3.3. QUEBRA DE LIGAOES COYALENTES

At aqui, portanto, verificamos a estrutura dos materiais como o C, o Ge e o
Si, com as suas ligaes covalentes. Torna-se bvio que, se no houvesse nenhum
modo de romper estas ligaes covalentes, estes materiais comportar-se-iam sempre
como materiais isolantes, pois no existiriam eltrons passveis de se deslocar, constituindo uma corrente eltrica.
Agora, consideremos o efeito da temperatura sobre estes materiais. Consideremos, inicialmente, que temos um cristal, por exemplo, de silcio a -273 C (ou
seja, 0 Kelvin ou absolutos). Nesta temperatura, as ligaes covalentes ficam intatas e, conseqentemente, o cristal se comporta como um material isolante, uma
vez que no existem eltrons passveis de se deslocar no cristal.
Consideremos agora a temperatura ambiente normal, digamos 25C. A esta
temperatura, algumas ligaes covalentes so rompidas e, quando este fato se verifica, um eltron abandona a ligao, tornando-se livre. Entretanto, quando o eltron abandona a ligao, para todos os efeitos fica um saldo de carga positiva no
local anteriormente ocupado pelo eltron, uma vez que o tomo era neutro e um
eltron o abandonou. Representamos a ausncia do eltron na ligao covalente, na
Fig. 1.15, por urna circunferncia, tendo dentro um sinal +, e a esta ligao covalente incompleta chamamos de buraco (em ingls, hole)1.
Existe uma energia determinada que produz a quebra de uma ligao covalente. Assim, para o germnio, a energia necessria (Eg) para provocar a quebra de
uma ligao covalente igual a 0,7 ey2; para o silcio, tal energia de 1,11 eY.
Assim o leitor entende que o acrscimo da temperatura, fornecendo esta energia,
produz a ruptura de ligaes covalentes.
/'
,,/
LIGAO COVALENTE
LIGAO COVALENTE
=::(J====::(~_; (/
~ __
"'O""'''
ELTRON
"""RACO
aUE
ABANDONOU A
LlI3AO COVALENTE
Fig.1.15.
~.
Formao de um buraco.
I Nas Figs. 1.12 e 1.14. representamos

uma ligao covalente por uma seta bidirecional
A partir de agora. representamos por
porque tal notao facilita as explicaes
futuras.
2 O eltron-volt
(eV) uma unidade de energia muito usada na Fsica Atmica e equivale a 1.6 X 10 -19 joules.
17
o fato que faz com que os semicondutores tenham propriedades to diferentes das dos metais que, alm do eltron que ficou livre para se locomover, existe
um fenmeno novo que a existncia do buraco.
Mostraremos a seguir que este buraco se comporta como se fosse uma partcula de carga eltrica positiva de mesmo valor absoluto da do eltron. Isto significa
que este buraco pode mover-se sob a ao de um campo eltrico do mesmo modo
que o eltron, porm em sentido contrrio, em virtude da sua carga oposta. Vejamos esquematicamente como representar este deslocamento do buraco. Consideremos vrios tomos, como indica a Fg. 1.16, e suponhamos que uma ligao covalente quebrada no tomo 4, ficando, portanto, um eltron livre de se deslocar.
Toma-se, ento, bastante fcil para um eltron de uma ligao covalente do tomo
3 preencher o buraco deixado pelo primeiro eltron. Quando o eltron abandona a
ligao covalente do tomo 3, a deixa um buraco que pode ser preenchido por um
eltron de uma ligao covalente do tomo 2 e assim sucessivamente. O leitor pode
facilmente verificar que, ao mesmo tempo em que os eltrons vo-se deslocando
para a direita, o buraco vai-se deslocando para a esquerda! . Quando o eltron preenche um buraco e completa novamente a ligao covalente, dizemos que houve
uma recombinao .
ELTRON
uv"'
Fig. 1.16. O eltron e o buraco se deslocamem sentidosopostos.
Na realidade, o leitor deve verificar que no existe propriamente uma part-
cula que corresponda ao buraco. O movimento dos eltrons presos s ligaes covalentes, como sugere a Fig. 1.16, que caracteriza, para todos os efeitos, o deslocamento de uma carga positiva em sentido contrrio ao do eltron, associando-se esta
carga positiva a uma partcula apenas para facilidade de raciocnio.
Atente o leitor para a diferena enorme que existe entre um condutor como o
cobre (em que apenas existem os eltrons) e um sernicondutor como o germnio ou
silcio (em que existem os eltrons e os buracos).
1 O leitor deve lembrar que o sentido do campo eltrico o sentido de deslocamento
de.cargaseltricas positivas colocadas neste campo; da, os eltrons se deslocaremem sentido
oposto ao campo eltrico. O mecanismodo deslocamentode portadores sob ao de um campo
eltrico chamadode drift e estudado no Item 1.3.5.2.
18
/ CAPo 1
Consideremos, agora, um semicondutor puro. Antes de tudo, precisamos esclarecer o que isto significa, uma vez que, na prtica, no conseguimos uma pureza
absoluta. Quando nos referimos a um semicondutor puro, estamos supondo, na
prtica, que apenas uma parte em 109 partes do material constituda por impurezas, no tendo, portanto, estas impurezas efeito aprecivel no comportamento do
semicondutor. A tal tipo de semicondutor, no qual as impurezas existentes so apenas as que no puderam ser eliminadas no processo de purificao do cristal, chamamos de semicondutor intrnseco (o termo intrnseco quer dizer exatamente que as
caractersticas so prprias do semicondutor e no das impurezas).
Uma concluso importante que podemos obter que, em um semicondutor
intrnseco, o nmero de buracos sempre igual ao nmero de eltrons, uma vez
que, ao ser uma ligao covalente quebrada, surgem simultaneamente um buraco e
um eltron, e, quando os buracos e os eltrons se recombinam, ambos so eliminados no processo! .
1.3.4. IMPUREZAS
Consideremos novamente a rede cristalina esquematizada na Fig. 1.12. Com
o avano tecnolgico, o homem conseguiu substituir nesta rede um determinado nmero de tomos de germano ou silcio por tomos de uma determinada impureza.
Estas impurezas, propositalmente colocadas no semicondutor e que proporcionam
propriedades caractersticas ao mesmo, sero estudadas a seguir.
1.3.4.1. Impurezas Doadoras
Consideremos a constituio bsica, por exemplo, do elemento fsforo:
K = 2, L = 8 e M = 5. Este elemento apresenta, como vemos, 5 eltrons na sua camada de valncia (elemento pentavalente).
Suponhamos que, por meio de um processo tecnolgico qualquer, conseguimos substituir um tomo de germnio da rede cristalina por um tomo de fsforo.
Ora, o fsforo tem 5 eltrons na sua camada de valncia, enquanto que o germnio
tem apenas 4. Isto significa que apenas 4 eltrons do fsforo tomaro parte nas ligaes covalentes, enquanto o quinto eltron no participar das mesmas, ficando,
portanto, fracamente ligado ao ncleo. Para dar uma idia de como este eltron
est fracamente ligado, podemos indicar que a energia necessria para arrancar este
eltron e deix-lo livre de apenas 0,01 eV, valor este que deve ser comparado com
a energia de 0,7 eV necessria para quebrar uma ligao covalente no germno ,
1 Logicarnente, quando h uma recombinao, a energia dos buracos e eltrons eliminados lbcrada de alguma forma: algumas vezes, ftons so emitidos e, outras, a energia
liberada adicionada energia de vibrao da rede (emisso de fnons).
2 As impurezas indesejveis, anteriormente mencionadas, atingem a concentrao de
1 tomo de impureza para 109 tomos do material semicondutor; as impurezas propositalmente adicionadas tm, por exemplo, uma concentrao de 1 tomo para 106 tomos do
material sernicondutor,
19
Como vemos, a substituio de tomos de germno por tomos de uma impureza pentavalente faz com que surjam eltrons fracamente ligados ao ncleo.
Uma vez que estas impurezas fornecem (ou doam) eltrons, elas so chamadas de
impurezas doadoras ou impurezas do tipo N (N de negativo, relacionando-se carga do eltron). Outros materiais pentavalentes usados como impurezas do tipo N
so o antimnio e o arsnico.
Ao semicondutor intrnseco, ao qual so adicionadas impurezas do tipo N,
chamamos de semicondutor- tipo N.
1.3.4.2. Impurezas Aceitadoras
Imaginemos agora que, em vez de urna impureza pentavalente, substitumos
tomos de germnio por impurezas trivalentes, como o ndio, o alumnio, o glio
ou o boro, Consideremos, por exemplo, o ndio, que tem a seguinte constituio:
K = 2, L = 8, M = 18, N = 18 e O = 3. Como vemos, este elemento possui trs
eltrons na sua camada de valncia.
Facilmente verificamos que, se um tomo de ndio tomar o lugar de um tomo de germnio na rede cristalina, uma ligao covalente ficar incompleta, uma
vez que o germnio tem 4 eltrons e o ndio, apenas 3 eltrons. Isto significa que,
quando foi feita tal substituio, foi criado um buraco. Estas impurezas trivalentes, que do origem a buracos na rede cristalina, so chamadas de impurezas aceitadoras ou do tipo P. O nome aceitadoras origina-se do fato de estas impurezas criarem buracos que podem aceitar eltrons, e o nome tipo P relaciona-se carga positiva do buraco.
Ao material intrnseco, ao qual so adicionadas impurezas aceitadoras, d-se
o nome de material semicondutor tipo P. A adio de impurezas, criando buracos e
eltrons, ilustrada na Fig. 1,17.
/
ELETRON EXTRA
DO FSFORO
BURACO: AUS.NCIA DE UM
ELTRON NA LIGAO COVALENTE
G. /
e
p
G,
(a)
(b)
Fig. 1.17. Efeito das impurezas tipo N e tipo P.
20
/ CAP. 1
Convm, agora, focalizar alguns detalhes de nomenclatura. Verificamos, no

estudo dos condutores, que a partcula fundamental Que se desloca, por exemplo,
no cobre o eltron com wnacarga eltrica de 1,6 X 10-19 coulombs. Toma-se,
portanto, bastante coerente usar-se a denominao de portador de carga eltrica
para o eltron, uma vez que, quando do seu deslocamento produzindo a corrente
eltrica, ele transporta consigo uma determinada carga eltrica. Analogamente, podemos dizer que o buraco um portador de carga eltrica, pois verificamos que ele
se comporta como uma partcula de carga eltrica positiva.
Podemos, portanto, afrrnar que, nos semicondutores, h dois tipos de portadores de carga, os eltrons e os buracos. Quando tratamos do semicondutor intrnseco, chegamos concluso de que o nmero de eltrons sempre igual ao nmero
de buracos.
Agora, suponhamos que so adicionadas impurezas tipo N a um semicondutor
intrnseco. Ora, vimos que tais impurezas fazem com que suIjam eltrons fracamente ligados estrutura. Dois fatos ocorrero, ento, no semicondutor:
a) o nmero de eltrons presentes no semicondutor aumentar, tendo-se em
vista os eltrons introduzidos pelas impurezas;
b) o nmero de buracos presentes no semicondutor diminuir, porque,existindo mais eltrons, maior ser a recombinao dos buracos com os eltrons.
Portanto, num semicondutor tipo N, temos, predominando como portadores
de carga, os eltrons, existindo um nmero menor de buracos.
Da, falarmos tecnicamente que, num semicondutor tipo N, os eltrons so
portadores em maioria e os buracos portadores em minoria.
Para completar o raciocnio, suponhamos que impurezas tipoP(boro, alumnio, ndio etc.) so adicionadas ao silcio. Neste caso, obviamente, o nmero de buracos aumentar, por causa dos buracos criados pelas impurezas aceitadoras, e o nmero de eltrons decrescer, porque, havendo mais buracos, aumenta a probabilidade de recombnao dos eltrons com os mesmos.
Conseqentemente, temos que, num semicondutor tipo P, os buracos so portadores em maioria e os eltrons portadores em minoria. Na Tab. 1.2, resumimos o
que acabamos de dizer.
Tab. 1.2. "Portadores" em um Semioondutor
Eltrons
Material tipo N
(Impurezas doadoras - P, As ... )
Material tipo P
(Impurezas aceitadoras -
Portadores em maioria
Buracos -
Portadores em minoria
Eltrons
B, AI ... ).
Portadores em minoria
Buracos -
Portadores em maioria
Finalizando, vale a pena observar que, em um semicondutor, o nmero de

portadores sempre expresso em termos de sua "concentrao", isto , do nmero
de portadores por unidade de volume do material semicondutor, resultando da que
n (nmero de eltrons) e p (nmero de buracos) so expressos em unidades de
em
_3
c=
de eltrons
:3
em
ou
nmero de buraco9
3
em
1.3/ ESTUDO DOS SEM(cONDUTORES
21
1.3.4.3. Constncia do Produto pn

Como complemento a este estudo, vale a pena mencionar que possvel provar matematicamente que, dado um cristal a uma certa temperatura, o produto do
nmero de eltrons e do nmero de buracos presentes no mesmo constante, isto ,
pn = constante para uma dada temperatura:
20
no silcio, pn = 2,2 X 10 cm- j

no germnio,pn = 5,7 X 1026 cm-6.
(para T = 3000K)
Uma vez que oproduto pn constante para uma dada temperatura, se aumentamos o nmero de eltrons, adicionando, por exemplo, impurezas tipo N, o nmero de buracos diminuir para manter constante o produto. Analogamente, se adicionamos impurezas tipo P, o nmero de buracos aumentar e o nmero de eltrons
decrescer. Estes fenmenos foram fisicamente explicados quando falamos em portadores em maioria e portadores em minoria.
1.3.4.4. Clculo de n e p em um Cristal

Inicialmente, consideremos o caso de um nico tipo de impurezas, por exemplo, um cristal de silcio dopado como ND tomos de fsforo por em" (impureza
doadora). Calculemos n e p.
Ora, podemos considerar que, na temperatura ambiente, todos os tomos de
fsforo perderam seus eltrons extras ficando onzados, De conseqncia, teremos,
aproximadamente:
n = n.o de eltrons por em3 ~ ND (cada tomo de fsforo fornece um eltron).
.
Conseqentemente, teremos para o silcio:
pn = 2,2 X 10'0 cm"
22 X 1020
p::><_'~-ND
Exemplo.
SeND
= 1,1 X 10
16
tomos/cm",
n ~ 1,1 X 1016 eltrons/em";

P
=~
2,2 X 1020
1,1 X 1016
- 2 X 10 buracos em .
Observemos que, neste caso, o nmero de eltrons cerca de 1012 vezes o nmero de buracos.
Um clculo inteiramente aniogo pode ser feito para o caso de um cristal dopado exclusivamente com NA tomos por em" de uma impureza aceitadora.
22
/ CAP. 1
Consideremos, agora, o caso em que esto presentes os dois tipos de impurezas, isto , suponhamos um cristal dopado com N D tomos de uma impureza doadora e NA tomos de uma impureza aceitadora (por unidade de volume).
Geralmente, na temperatura ambiente, podemos considerar
nmero de eltrons como a diferena entre N D e NA, isto ,
e, conseqentemente,
para o silcio,
para o germnio,
Quando N D > NA, o cristal dito do tipo N e, quando NA> N n , o cristal
dito do tipo P, e procede-se inversamente, isto ,
Conseqentemente,
para o silcio,
para o germnio,
_ 2,2 X 1020
= NA-Nn'
_ 5,7 X 1026
= NA =No '
necessrio, neste ponto, fazer um comentrio de extrema importncia para

os nossos leitores. Devemos ressaltar que os clculos feitos nesta seo so aproximados, considerando-se que h ionizao completa das impurezas adicionadas na
temperatura em questo (no caso, temperatura ambiente). Nos casos em que isto
no ocorre, um clculo bem mais complexo necessrio, envolvendo estudos de
Mecnica Quntica, assunto que foge ao escopo deste livro.
1.3.5. TRANSPORTE DE ELTRONS E BURACOS EM UM SEMICONDUTOR

Antes de entrarmos no estudo das junes, vamos estudar sucintamente os
processos que governam o deslocamento de portadores em um material sernicondutor, isto , os processos conhecidos como difuso e drift: .
1 Este termo, drift, que literalmente significa "arrastamento",
mantido por n6s no original americano, praticamente usado por todos os especialistas brasileiros. Alguns autores utilizam a palavra "deriva" para este fenmeno.
23
1.3.5.1. Estudo Sucinto da Difuso

Para exemplificar este fenomeno de difuso, imaginemos um recipiente A,
contendo um gs, colocado em um outro recipiente B como indica a Fig. 1.18.
Ora, dentro do recipiente A, temos um elevado nmero de molculas do gs,
enquanto que, no restante espao do recipiente B, no existem molculas do gs.
Suponhamos, agora, que, por um processo qualquer, a tampa do recipiente A retirada. O gs do recipiente A comear a se deslocar penetrando no espao restante
do recipiente B, e este deslocamento se dar at que haja um equilbrio. No caso,
este equilbrio significa que tantas molculas saem do recipiente A e entram no restante espao de B, quantas entram no recipiente A. A Fig. 1.19 ilustra o fenmeno.
Vemos, portanto, que quando temos duas regies contguas, onde existem
nmeros diferentes de molculas, as molculas tendem a se mover para a regio de
menor nmero de molculas. Este fenmeno chama-se difuso do gs.
,
..... :.
.--
GAS
':'.~'.~~
'.. .
.. ". " .. ,
Fig. 1.18. Gs contido no reservatrio A.
..
J
.; ltlt ;:~
.
.. ....
. .tA. '..,".,
I.
t.
Fig. 1.19.
li'
'
Difuso do gs.
Este fenmeno, que exemplificamos para o caso do gs, um fenmeno estatstico de aplicao muito mais geral explicando, por exemplo, o deslocamento
de portadores em um material semicondutor de um ponto onde a concentrao dos

mesmos maior para pontos de menor concentrao.
24
/ CAPo 1
1.3.5.2. Estudo Sucinto do Drift

Consideremos um cristal, por exemplo, tipo N de silcio que possua uma concentrao uniforme de eltrons, na ausncia de um campo eltrico. Ora, se para
existir o fenmeno de difuso necessrio
uma diferena na concentrao de portadores, como consideramos uma concentrao constante de eltrons, no haver o fenmeno da difuso.
Sabemos ainda que, devido ao fenmeno de agitao trmica, os eltrons no cristal possuem um movimento randmico,
como apresenta a Fig. 1.20, que indica que
o eltron que abandona uma certa regio
(A) retoma mesma aps diversos percursos randmicos (percursos sem direo determinada) .
Sabemos tambm que o eltron, posFig. 1.20. Movimento de um eltron
suindo uma carga eltrica negativa, deslocaem um cristal, quando no h campo
se no sentido contrrio ao campo eltrico
eltrico.
que lhe aplicado.
Fazemos, ento, a pergunta: que acontece quando aplicamos um campo eltrico ao cristal mencionado?
fcil concluir que, devido influncia do campo
eltrico, um eltron que abandonou o ponto A acabar num ponto B, havendo um
deslocamento lquido do portador no cristal. A Fig. 1.21 ilustra o comportamento
do eltron nestas circunstncias.
Sem entrar nos detalhes fsicos envolvidos, verifica-se que a velocidade do eltron no cristal proporcional ao campo eltrico aplicado, isto ,
Ve
vel. do eltron
Mn . E.
Analogamente, para os buracos,

Vp
vel. do buraco
= Mp'
E.
As grandezas MneM p so chamadas mobilidades do eltron e do buraco, respectivamente, e aproximadamente os seguintes valores podem ser utilizados:
Ge
Si
}J.n
3.900
1.350
J.l.p
1.900
480
cm2
unidade: --
V . s
25
Fig.1.21.
Deslocamento de um eltron em um cristal sob efeito de um campo eltrico.
Estes fenmenos de difuso e drift so enormemente importantes no estudo

dos semicondutores e recomendamos ao leitor uma ateno especial para os mesmos.
1.3.6. RESISTNIDADE
DE UM MATERIAL SEMICONDUTOR
Verificamos, nos Itens 1.3.3 e 1.3.5.2, que eltrons e buracos se deslocam

sob a ao de um campo eltrico (drift), e deve ser evidente para o leitor que as correntes de buracos e eltrons se somam em um material semicondutor, uma vez que
os buracos tm carga positiva deslocando-se no sentido do campo eltrico, enquanto
os eltrons tm carga eltrica negativa deslocando-se no sentido contrrio ao campo eltrico. Ora, os eltrons que se deslocam no sentido contrrio ao do campo eltrico na realidade fornecem uma corrente (sentido convencional) no mesmo sentido
da dos buracos, a esta se adicionando.
Forosamente, ento, a resistividade de um cristal depende do nmero de eltrons e buracos presentes no mesmo, e pode-se provar que:
1
onde,
p = resistividade do material semicondutor;
q = 1,6 X 10-19 coulombs = valor absoluto da carga do eltron;
Iln e /-Ip= mobilidades dos eltrons e buracos;
n e p = nmeros de eltrons e buracos por unidade de volume do
material.
Para obter-se p em ohm . m, utiliza-se q em coulombs, n e p em portadores por

3
m ,Pne/-lpem
m2
26
/ CAP. 1
A formula acima bsica para o estudo dos semicondutores, permitindo a determinao da resistividade ou da condutividade ( a
== ~ )
Exemplo de aplicao
Em um cristal de silcioND == 1,1 X 1016 atomos/cm".
Verificou-se, no Item 1.3.4.4, que, para este cristal,
n ~ 1,1 X 1016 eltrons/em"

4
p ~ 2 X 10
Calcule p.
buracos/em";
teremos, ento, para a resistividade deste cristal de silcio:

p ==
1
Q{J.1nn
+ IJ.pp)
==
1,6 X 10-19 coulombs;
==
1,1 X 1016 eItrons Iem 3
==
1,6 X 1022 eletrons/m";
==
2 X 104 buracos/em?
==
==
I, 6 X 1016 X 106
eltrons
m3
2 X 104 X 106 buracos/nr'
==
==
= 2 X 1010 buracos/m";
em2
IJ.n == 1.350y-
!J.p == 480
p==
1.350 X 10-4
.s
em2
Y .s
==
1,6 X 10-19
1,6 X 10-19
480 X 10-4
v ,s
1
(1. 350 X 10-4 X 1,6 X 1022
==
X 10-4 X 2 X 101O') ==
1
(2.160 X 10111+ 960 X 106);
desprezando a 2.a parcela, correspondente

_
I
p = 1,6 X 10
+ 480
19
X 2.160 X 10111
2,89 X 10-3 ohm . m
==
aos buracos,
==
1
3.456 X 10-1
0,289 ohm . em.
==
10
3.456
==
1.3/ ESTUDO DOS SEM/CONOUTORES
27
1.3.7. ESTUDO DAS JUNOES P-N

1.3.7.1. Estudo Geral
Suponhamos um cristal de silcio ou germnio, no qual imaginamos que, por
meio de urn processo qualquer, foi feita uma dopagem! diferente em duas regies
do mesmo (P esquerda e N direita).
Ora, sabemos que as partculas (eltrons e buracos) esto em constante movimento randOmico (sem direo detenninada) , movimento este causado pela energia
trmica fornecida pela temperatura ambiente. Observando a superfcie imaginria
de separao entre as duas regies, temos esquerda da mesma, urna regio de elevada concentrao de buracos e, direita, uma baixa concentrao (inversamente
para os eltrons).
Torna-se, .portanto, razoavelmente lgico que, estando os buracos submetidos
a urn movimento randmco e havendo um nmero maior de buracos no lado esquerdo, mais buracos devero atravessar a superfcie do lado esquerdo para o direito
(e inversamente para os eltrons).
Como o leitor verifica, este fenmeno anlogo ao que explanamos para o
caso do gs. Trata-se, portanto, de urn processo de difuso de buracos, do lado de
maior concentrao para o de menor concentrao. Do mesmo modo, existe o fenmeno de difuso de eltrons de uma regio de alta concentrao para urna regio
de baixa concentrao.
Este fenmeno de difuso de grande importncia no estudo dos semicondutores, como ser verificado nos captulos subseqentes.
Como mencionamos, este fenmeno de difuso completamente geral e ser
particularmente usado por ns, governando o deslocamento de portadores entre
duas regies que apresentam diferentes nmeros de portadores.
Agora, podemos, propriamente, entrar no estudo das junes.
Consideremos um cristal de silcio, ao qual, por meio de um processo tecnolgico que no nos interessa no momento, so adicionadas, de um lado do mesmo,
impurezas do tipo N e, do outro lado, impurezas tipo P. Estas duas regies confinam na chamada juno (referindo-se juno das duas regies), como indica a Fig.
1.22.
TIPO
TIPO
f _
JUNAO
Fig. 1.22. Juno PN.
1 Dopagem,
Propositalmente usamos este termo, derivado do ingls doping (que significa o adicionarnento de impurezas ao cristal), porque o mesmo j comum entre os estudantes
brasileiros.
.
28
/ CAPo 1
Conforme verificamos, no semcondutor tipo N, os tomos das impurezas perdem os seus eltrons ficando carregados positivamente (ons positivos), enquanto
que os eltrons doados ficam livres para se deslocar no cristal. Podemos, ento, representar o semicondutor tipo N como na Fig. 1.23.
CONVENES
(f.'- (!f
ATOMO
(tf <t>- <t>(t)-
e-
DA IMPUREZA
DOADORA
(!)-
ELETRON
PRATICAMENTE
LIVRE
Fig. 1.23. Semicondutor tipo N.
Analogamente, para o semicondutor tipo P, podemos usar a representao da

Fig.1.24.
CONVENOES
e+ e+ e+
e+ e+ e+
e+e+e+
ATOMO
DA IMPUREZA
ACEITADORA
BURACO
Fig. 1.24. Semicondutor tipo P.
Conseqentemente, podemos representar o cristal com as regies N e P como

indica a Fig. 1.25, onde estamos supondo que no existe nenhuma interao entre
. as duas regies.
JUNAO
@-
ctf -
(!)- @-
e-
G)- -
(!)-
Fig. 1.25. Juno PN ao ser formada (nenhuma interao entre as regies considerada).
Devemos lembrar que, quando os tomos da impureza substituem os tomos

do germnio ou silcio, eles ficam presos na rede, ou seja, apenas os eltrons pratica.
29
mente livres, fornecidos pelas impurezas pentavalentes, e os buracos, fornecidos pelas impurezas trivalentes, podem se deslocar sob efeito de um campo eltrico.
Analisemos, agora, a situao representada na Fig. 1.25 com mais detalhes.
No lado tipo N h muito mais eltrons que no lado tipo P e, inversamente, no lado
tipo P h muito mais buracos que no lado tipo N. Conseqentemente, ter incio
um processo de difuso de eltrons do lado N para o lado P e de buracos do lado P
para o lado N, como indica a Fig. 1.26.
JUNAO
+
e++ e++ 6+
e+ e+ e+
ee
6-
- <t> <t> @
@)- (f)- ee (f)- @-
-- -
Fig. 1.26. Deslocamento (difuso) de buracos da regio P para aN e de eltrons daN para aP.
Ora, sabemos que um eltron pode se recombinar com um buraco, formando

novamente uma ligao covalente completa. Observando a juno das duas regies,
percebemos que, devido difuso, os eltrons e os buracos forosamente se encontraro na mesma.
Imaginemos que os eltrons mais prximos juno j se encontraram e se
recombinaram. Neste momento, teramos, ento, a situao representada na
Fig.l.27.
REGIAO DE TRANSICAO
N
e+e+ e
e+8+ e
8+8+ 8
(f)
-e -(f)
(f)
-(t) -@
(f)
- -
CARGAS DESCOBERTAS
Fig. 1.27. Formao da regio de transio.
30
ESTUDO
DOS SEM/CONDUTORES
I CAPo 1
claro que os eltrons e os buracos que se recombinaram deixaram prximos

juno ons positivos e negativos, respectivamente, resultantes do arrancamento
dos eltrons e dos buracos.
Estes ons so chamados de cargas descobertas, e a regio em torno dajuno
onde se formaram estas cargas descobertas chamada de regio de transio.
Agora o leitor deve observar a Fig. 1.27 e verificar como estas cargas descobertas comeam a repelir a aproximao de novos portadores de carga.
Torna-se fcil entender, agora, por que o processo de difuso no prossegue
continuamente: as cargas descobertas comeam a repelir a injeo de novos portadores na juno.
Deve ser observado e bem entendido o que se passa quando da formao da
. juno P N. Logo que esta formada, tem incio o processo de difuso estudado
com o deslocamento de eltrons do lado N para o lado P e de buracos do lado P
para o lado N. medida que estes buracos e eltrons vo se recornbinando na juno, vo surgindo as cargas descobertas que tendem a impedir a injeo de novos
portadores; este processo continua at que haja um equilbrio. O leitor deve tambm lembrar que, tanto na regio P como na N, pares eltron-buraco esto sempre sendo gerados por quebras de ligaes covalentes e sempre se recombinando,
completando ligaes covalentes.
De tudo que foi visto at aqui, conclui-se que uma juno P-N um sistema
fsico, no qual esto se processando uma srie de fenmenos dinmicos, e, nestas
explicaes, procuramos dar uma idia geral sobre os mesmos.
Reconsideremos agora a Fig. 1.27, onde observamos a formao das cargas
descobertas. Como vemos, estas cargas do origem a uma diferena de potencial
Vo , e esta diferena de potencial pode ser esquematicamente representada por uma
bateria com a polaridade indicada (Fig. 1.28).
e+8+ 8
e+e+
0+e+
e
e
e --@ -@
e e -<t>
e -@ -<t>
Fig. 1.28. Barreira de potenciaL
1.3/ ESTUDO
31
DOS SEM/CONDUTORES
Vimos que as cargas descobertas tendem a se opor injeo de novos portadores. Em outras palavras, a diferena de potencial Va criada pelas cargas descobertas o obstculo ao deslocamento de novos portadores para a juno.
Da, esta diferena de potencial surgida na juno, em virtude de as cargas
descobertas, ser chamada de barreira de potencial (por tender a "barrar" o deslocamento dos eltrons e buracos). Em virtude da existncia desta barreira de potencial, a regio de cargas descobertas tambm chamada de regio de barreira de potencial! .
1.3.7.2. Polarizaes Direta e Inversa
Suponhamos uma juno com sua barreira de potencial Va, qual vamos ligar
uma bateria. Ora, tendo a bateria dois terminais, duas possibilidades surgem:
a) ligao do terminal positivo da bateria ao lado N;
b) ligao do terminal positivo da bateria ao lado P.
Consideremos o caso no qual o terminal positivo da bateria ligado ao lado
N e o terminal negativo ao lado P, como indica a Fig. 1.29.
+e+e e
- "e +e e
+e+e e
<)
e
(l)
e -<><)
-@-
-G)-
- II'I!)I! +
Fig. 1.29. Polarizao inversa.
Ora, sabemos que a barreira de potencial tende a impedir o deslocamento dos

eltrons e dos buracos para a juno. Uma vez que no tipo N os eltrons esto fracamente ligados estrutura, estes eltrons sero atrados para o terminal positivo da
bateria, afastando-se, portanto, da juno. Fato anlogo ocorrer com os buracos
do tipo P, que sero atrados pelo terminal negativo da bateria. Isto significa que a
bateria est tendo um efeito semelhante ao da barreira de potencial, tendendo a
afastar mais os portadores da juno. Podemos dizer que a bateria awnenta a barreira de potencial, tornando praticamente impossvel o deslocamento dos portadores.
!
Vrios nomes so usados, como regiiio de transio, regiiiode barreira de potencial,

em ingls, bastante usada a expresso depletion region .
giiio de cargas descobertas;
Te-
32
ESTUDO
DOS SEM/CONDUTORES
/ CAP.
Um medidor de corrente conectado em srie com a juno deveria, portanto,

ler urna corrente nula. Na realidade, urna corrente muito pequena (da ordem de
grandeza de- alguns microamperes) pode ser observada, fato este que deve ser um
tanto estranho para o leitor.
Entretanto, j verificamos que no prprio semicondutor tipo N existem buracos presentes, embora estes sejam em minoria. Ora, claro que estes buracos existentes no lado N sero repelidos pelo terminal positivo da bateria. Da mesma forma, os eltrons em minoria que existem no lado P sero repelidos pelo terminal negativo da bateria. Portanto, os portadores em minoria sero injetados na juno,
constituindo a corrente da ordem de alguns microamperes,j mencionada, e que se
chama corrente inversa, urna vez que a este tipo de polarizao d-se o nome de
polarizao inversa. , tambm, muito comum chamar esta corrente de corrente
de fuga da juno P-N.
Com base nesta explicao, podemos justificar o fato de a corrente de fuga
ser menor para os dodos de silcio do que para os de germnio. De fato, vimos, no
Item 1.3.4.3, que o produto pn tem o valor 2,2 X 1020 cm-6 e 5,7 X 1026 cm-6,
respectivamente para o silcio e o germnio. Portanto, para uma dada temperatura
e dopagem, o nmero de portadores em minoria ser bem menor para o silcio do
que para o germnio e, conseqentemente, a corrente de fuga, que devida a estes
portadores, ser menor para os transistores de silcio.
Imaginemos, agora, que conectamos o terminal positivo da bateria no lado P
e o terminal negativo ao ladoN, como indica a Fig. 1.30.
e +e+
e 8++e+
e 8++e+
---
-(f)--
---() (f)
+ :111111~Fig. 1.30. Polarizao direta.
Conforme facilmente se verifica, urn fenmeno inverso ao estudado anteriormente ocorre, uma vez que os eltrons do lado N sero repelidos pelo terminal negativo da bateria e tendero a penetrar na juno. Fato semelhante se dar com os buracos do lado P, que sero repelidos pelo terminal positivo conectado ao lado P.
Conseqentemente, surgir uma corrente bem maior que a do caso anterior, e esta
corrente ser fundamentalmente devida a portadores em maioria. Lembramos ao
leitor que, na realidade, para que haja realmente a injeo dos portadores, necessrio que a ao da bateria sobrepuje o efeito da barreira de potencial. Este tipo de
33
polarizao recebe o nome de polarizao direta, enquanto que a corrente que circula (da ordem de miliamperes) chamada corrente direta.
Nos captulos subseqentes, o leitor tomar conhecimento das aplicaes desta particularidade da juno P-N. de praticamente no deixar circular nenhuma corrente, quando est polarizada inversamente, e deixar passar uma corrente aprecivel,
quando est polarizada diretamente.
1.3.7.3. Capacitncias Apresentadas por uma Juno
Suponhamos uma juno P-N polarizada inversamente,
Fig. 1.31, na qual esto tambm indicadas as cargas descobertas.
W
como indica a
+e+e e
- +e+e e
+e+e e
@ -(t) -~
-<t) -<t)
e -<t> -~
-*1
1:
W=LARGURA DA REGIO
DE TRANSiO
-+
Fig. 1.31. Regio de transio.
Relembramos, agora, que, em um capacitor, as trs grandezas -tenso,

eltrica e capacitncia -esto relacionadas, como indica a Fig. 1.32.
carga
Q=CV
Q
Fig. 1.32. Capacitar convencional.
A capacitncia C uma grandeza caracterstica
mula que, medida que a tenso aumenta, a carga
exemplo:
para uma tenso VI, a carga Ql ser:
para a tenso V2, a carga Q2 ser: Q2
do capacitor. Vemos pela freltrica tambm aumenta. Por

Ql = C VI;
= C V2
Retomemos, agora, juno que estvamos estudando. Ora, verificamos que,

medida que a tenso inversa vai aumentando, mais cargas descobertas vo-se formando; portanto, este efeito apresentado pela juno anlogo ao descrito para o
capacitor. Isto significa que, para todos os fins, a juno apresenta uma capacitncia, e esta capacitncia chamada capacitncia de transio.
ESTUDO
34
DOS SEM/CONDUTORES
/ CAPo 1
Est fora do escopo deste livro deduzir a frmula matemtica que permite
calcular esta capactncia, mas vamos apresentar as principais concluses a que se
chega. Chamando de W a espessura da regio de transio, de A a rea da juno e
de a permissividade do material semicondutor! , temos que a capactncia de transio CT dada por:
o leitor pode verificar que esta frmula a mesma que d o valor da capacitncia de um capacitor de placas planas de rea A, distncia Wentre as placas e dieltrico de permissividade .
importante observar que a espessura da regio de transio W varia de acordo com a tenso inversa aplicada (maior a tenso, maior o nmero de cargas descobertas, maior W) e, conseqentemente, a capacitncia dada pela frmula no uma
capacitncia fixa, mas sim uma capacitncia varivel, de acordo com a tenso inversa.
A capacitncia de transio varia para os diodos existentes comercialmente de
5 a 100 picofarads.
Em muitos circuitos, no h necessidade de considerarmos esta capacitncia;
entretanto, em algumas aplicaes de alta freqncia, a mesma pode apresentar efeitos bastante sensveis que no podem ser ignorados pelo projetista.
Este fenmeno de variao da capacitncia de transio com a tenso inversa
utilizado na fabricao de um componente que ser estudado adiante e que tem
como propriedade fundamental apresentar uma capacitncia dependente da tenso.
Agora, trataremos de outra capacitncia que surge numa juno P-N e que
tem um efeito muito mais importante que a capacitncia de transio, quando a
juno est polarizada diretamente.
Imaginemos uma juno diretamente polarizada. J verificamos que a polarizao direta, diminuindo o efeito da: barreira de potencial da juno, provoca a injeo, por exemplo, de buracos do lado P para o lado N. Considerando apenas a injeo dos buracos do lado P para o lado N, teramos a situao esquematizada na
Fig. 1.33.
p
-+
+ +
e e e
8 8+8+
e e+e+
-+
+
-+
BURACOS
SENDO
INJETADOS
+:'1,1Fig. l.33.
I
Buracos sendo injetados na regio N.
e = K . o' onde K a constante dieltrica do material e
Para o silcio, K
11 ,7 e, para o germnio, K
EO
16,3. Para o vcuo
a pennissividade
EO
= 8,86
X 10-14
do vcuo.
farad
em .
35
. Obviamente, isto apenas parte do que ocorre,pois ao mesmo tempo em que

os buracos so injetados do lado P para o lado N, eltrons so injetados do lado N
para o lado P.
Ora, sendo os buracos injetados no lado N, onde h abundncia de eltrons,
eles iro forosamente se recombinar com estes eltrons.
Se traarmos uma curva representando o nmero de buracos injetados no lado
N, teramos algo como na Fig. 1.34.
v
+ :~II~
,.
11
I--
JUIIAO
Fig,' 1.34. Injeo de buracos.
Nesta figura, Pt o nmero de buracos por unidade de volume injetado no lado N, Pn o valor do nmero de buracos longe da juno, isto , Pn o nmero de
buracos que existe no material N em equhbrio (observe que a polarizao no
mexe com a concentrao dos portadores longe da juno).
.
Vemos que o nmero de buracos vai decrescendo pelo processo de recombinao at atingir o valor Pn. Caso a tenso aplicada aumente, o nmero de buracos
injetados Pt aumentar, obtendo-se, ento, diversas curvas, dependendo da tenso
direta aplicada, como indica a Fig. 1.35.
p
REGto EM
P4------====-----=:::......:.:.::~:.;...::..-..
n
EQUILIBRIO
Fig. 1.35. Portadores injetadospara diferentestenses.
36
ESTUDO
DOS SEM/CQNDUTORES
/ CAPo 1
Toma-se. ento. evidente que a variao da tenso direta provoca uma variao no nmero de portadores injetados. o que. em essncia. representa uma variao da carga total que existe no materialN (pois cada portador transporta uma carga determinada).
Isto significa que uma variao da tenso direta provoca uma variao da carga. fenOmeno este que pode ser atribudo existncia de uma capacitnca, que no
caso chamada de capacitncia de difuso. sendo sua ordem de grandeza de algumas centenas de microfarads.
Uma observao importante deve agora ser feita. Quando tratamos da capactnca de transio. consideramos uma juno polarizada inversamente e. quando tratamos da capactnca de difuso. consideramos uma polarizao direta.
O leitor. pensando um pouco. pode chegar concluso de que a capacitnca de
transio tambm existe para a polarizao direta e a capacitnca de difuso tambm existe para a polarizao inversa. O que ocorre apenas que, quando ajuno
est polarizada inversamente, O valor da capacitncia de difuso muito menor
que o da capactnca de transio e. conseqentemente. para esta polarizao, consdera-se apenas a capacitncia de transio. Analogamente, para a polarizao direta, consideramos apenas a capacitncia de difuso, por ser a capacitncia de transio desprezvel face. a esta.
Finalizamos o Capo I, deixando claro para o leitor que neste apresentamos
explicaes simplificadas para os fenmenos fsicos que ocorrem realmente em um
semicondutor, pois um maior detalhamento exigiria conhecimentos matemticos
fora do escopo deste livro. Os leitores que possurem tal base e quiserem aprofundar-se no assunto devero consultar um livro especfico de Fsica dos Sernicondu-
teres".
Exerccios
1. Caracterizar com preciso as diferenas entre:
a)
tomo e molcula;
b) prton, nutron e eltron.
2. Como constitudo o tomo de antimnio?

3. Quantos parmetros so necessrios para caracterizar o estado de um eltron de um
tomo?
4. Pensar um pouco na origem dos nmeros qunticos e responder: estes nmeros so
totalmente independentes entre si?
S. Por que os gases raros so inertes?
6. Caracterizar as diferenas entre condutores, isolantes e semicondutores.
7. Que entendemos por rede cristalina?
8. Qual a diferena bsica entre a grafita e o diamante?
9. Que entendemos por ligao covalente e quais as energias (em eltron-voft) necessrias para romper ligaes covalentes no silcio e no gerrnnio?
Iyer
por exemplo, Introduo F(sico dos Semiconutores.
Ronaldo S. De Biasi. Editora Edgard Blucher Ltda.
Hilton A. Mello e
37
10. Considerar um cristal e ilustrar o deslocamento de eltrons e buracos.

11. Que entendemos por semicondutor puro ou intrnseco?
semicondutor sem nenhuma impureza?
Ser que isto significa um
12. Que so impurezas doadoras e aceitadoras? Dar exemplos.

13. Que acontece quando uma impureza, por exemplo, tipo N, adicionada a um cristal?
14. Observar o cubo de faces centradas da Fig. 1.10.
A clula unitria representada na figura gera a rede do cristal, quando transladada nas 3
direes (x, y e z), Isto significa que um tomo que est no meio de uma face na realidade pertence a dois cubos adjacentes. Analogamente, um tomo que est em um vrtice pertence a 8
cubos simultaneamente.
Supondo que um material cristalino possua a rede da Fig. 1.10, tendo o cubo uma aresta
igual a a, pede-se calcular o nmero de tomos por unidade de volume que o cristal possui.
Calcular o nmero de tomos por em3 para o caso do silcio, cuja clula unitria est representada naFig. 1.13, com a aresta do cubo a = 5,43 X 10-8 em.
15. Que so portadores em maioria e em minoria? Caracterizar para cristais tipo P e N
quais so os portadores em maioria e em minoria.
16. ExpliCif o fenmeno de difuso e dar 3 exemplos em que se verifica este fenmeno.
17. Explicar o transporte de portadores por drift .
18. Que mobilidade de um portador?
Qual a importncia desta grandeza?
19. Um cristal de silcio dopado com 1,1 X 1016 tomos de boro/cm3 e 9 X 1015 tomos de fsforo/cm3 . Calcular n, p ea resistividade do cristal.
20. Considerar um cubo do cristal anterior com aresta igual a 1 em, Calcular a resistncia que este cubo possui entre duas faces opostas.
21. Que uma juno PN?
trutura cristalina?
Numa juno deste tipo, h alguma desoontinuidade na es-
Ateno: no estamos perguntando

mudana na estrutura cristalina.
se h mudana do tipo de dopante, mas sim se h
22. Explicar o aparecimento de uma barreira de potencial quando da formao de uma

juno.
23. Que entende o leitor por regio de transio?
24. Explicar as polarizaes direta e inversa de uma juno.
25. Explicar a existncia das capacitncias de uma juno e discutir a influncia da polarizao (direta e inversa) sobre estas capacitncias.
===================Capftulo
Estudo dos Diodos
Vimos, no Capo 1, o que vem a ser um material semicondutor e de que maneira formada uma juno de dois tipos de materiais semicondutores, um do tipo P
e outro do tipo N, bem como as principais propriedades desta juno. O dispositivo
obtido dessa maneira chamado diodo semicondutor de juno: "dodo", por ser
um elemento com dois terminais ou eletrodos; "semicondutor", para dferenc-lo
do diodo a vcuo ou do diodo a gs; e, finalmente, "de juno", porque existem
outros diodos semicondutores que no so baseados no processo normal de juno,
descrito no captulo precedente, como o caso do diodo Schottky, do diodo de
contato de ponta e do retificador metlico.
O diodo de juno, por sua vez, pode ser de vrios tipos: diodo retificador,
diodo Zener, diodo com capacitnca dependente da tenso, diodo tnel, diodo
controlado de silcio, fotodiodo etc. Aps um estudo geral do diodo de juno, estudaremos com detalhes os dois tipos de diodos de juno mais importantes: o
diodo retificador e o diodo Zener; falaremos a seguir, do diodo tnel, do diodo
com capacitncia dependente da tenso e de uma srie de outros diodos. Deixamos
o estudo do diodo controlado de silcio para o Capo 4 (Estudo dos Tiristores) e o
estudo do fotodiodo para o Capo 5 (Estudo da Optoeletrnica).
2.1. GENERALIDADES SOBRE mODO DE JUNO
O diodo de juno formado pela juno de dois tipos de materiais semcondutores, um do tipo P, outro do tipoN. A aplicao de uma tenso contnua externa, por exemplo, por meio de uma bateria, pode ser feita de duas maneiras: o plo
positivo da bateria ligado ao material tipo P, que corresponde polarizao direta
do diodo (Fig. 2.1), e o plo positivo, ligado ao terminal tipoN, que corresponde
polarizao inversa da juno (Fig. 2.2).
J explicamos, no Capo I, que a polarizao direta permite que o diodo conduza facilmente, oferecendo uma resistncia baixa e que, ao contrrio, no caso da
polarizao inversa, o diodo oferece uma alta resistncia passagem da corrente.
2.1/ GENERALIDADES
r--
SOBRE 01000
+ III
39
DE JUNO
1111'
Fig, 2.1. Diodo de juno: polarizaodi-
Fg, 2.2. Diodo de juno: polarizaoin-
reta.
versa.
No caso de polarizao direta, variando-se a tenso aplicada ao diodo e medindo-se, ao mesmo tempo, em um voltmetro colocado em paralelo com o diodo, a
tenso nele aplicada e, em um ampermetro colocado em srie, a corrente que circula (Fig. 2.3), possvel levantar experimentalmente a curva que traduz a corrente
i em funo da tenso v, como mostra a Fig. 2.4.
/
VOLTlMETRO
ti....,
I
/
/
o
'/
AMPERIMETRO
Fig. 2.3. Circuito para levantar a curvaca-
racterstica de um diodo (polarizaodireta).
.'
./
Fig. 2.4. Curvacaractersticatpica de um

diodo de silcio(polarizaodireta).
A curva da Fig. 2.4 peculiar ao diodo de juno, variando de um tipo para

outro nos seus valores de tenso e corrente, embora sua forma bsica se mantenha
sempre a mesma. O fabricante fornece a curva ou dados que permitem fixar pontos
dessa curva. Note-se que o diodo tnel e o diodo controlado de Si, embora de juno, no apresentam exatamente a curva acima, por razes que sero explicadas nos
pargrafos respectivos.
Verificamos nessa curva que a corrente cresce, de incio, muito lentamente
com o aumento da tenso e, a seguir, muito rapidamente, atingindo correntes elevadas para valores ainda pequenos de tenso: surge, ento, a necessidade de limitar esta corrente (por exemplo, por meio de uma resistncia externa conforme mostra a
Fig. 2.3), a fim de se evitar que uma excessiva corrente venha a danificar o diodo.
Continuando a aumentar a tenso, aps aproximadamente 0,3 V, para um diodo feito com o germnio, e 0,7 V, para um diodo feito com silcio, conforme mostra a
Fig. 2.5, a resistncia do diodo se torna desprezvel, comparada com a resistncia
externa colocada no circuito, e a relao tenso-corrente se torna linear, obedecendo Lei de Ohm. Nota-se que essa "resistncia do diodo" , na realidade, uma re-
ESTUDO DOS DIODOS / CAPo 2
40
sstncia ou impedncia AC 1 OU dinmica, sendo fomecida pela inclinao da curva

caracterstica: quanto mais prxima da vertical for essa curva, menor ser a impednsa dinmica,j que, a uma mesma variao de tenso, correspondera uma maior
variao de corrente.
I (",A)
400
2
z
-C
2
11:
'"
(l)
200
150
I
100
(~
50
"
J ~~
I
o
0,25
~
..- o,~
Q,5O
1,5
vIvI
2,5
Fig. 2.5. Curvas caractersticas tpicas de um diodo de silcio e de um diodo de gennnio (polarizao direta).
Se fizermos a mesma experincia com polarizao inversa (Fig. 2.6), obteremos curvas do tipo indicado na Fig. 2.7, onde os valores negativos da corrente e da
tenso indicam a polarizao inversa, isto , uma tenso maior no terminal N que
De propsito, introduzimos estas abreviaturas, abusivamente utilizadas pelos engenhei-
ros:
AC (Alternating Current)
DC (Direct Current)
=
=
Corrente Alternada;
Corrente Contnua.
2.1 / GENERALIDADES
SOBRE 01000
41
DE JUNO
no terminal P, e uma corrente circulando no sentido inverso do primeiro caso: a

curva estar traada, portanto, no terceiro quadrante.
Novamente, o "aspecto da curva" apresentada mais ou menos o mesmo para
todos os diodos de juno - exceto, para o diodo tnel e o diodo controlado de
Si - desde que os diodos sejam do mesmo material, variando os valores para cada
tipo de diodo.
VOLTMETRO
,..----i
11-----..
-=-
,
MICROAMPERIMETRO
Fig. 2.6. Circuito para levantar a curva caracterstica de um diodo (polarizao invena).
A respeito do aspecto da curva, comentaremos a seguir sobre algumas caractersticas muito importantes. Primeiro, enquanto a tenso no atinge o valor marcado
- Vz - chamado tenso Zener ou tenso de ruptura, cuja razo de ser ser explicada com detalhes no pargrafo sobre diodo Zener - a corrente muito menor
que a corrente direta e ser da ordem de microamperes ou mesmo nanoamperes.
Identificamos aqui esta corrente: a corrente de fuga da juno, estudada no
Capo 1.
v..
-,
y
!5O
120
-y(YI 14
.o
"
Z
22
to
50
o,oe
0.1
-%
20
40
,
I
10
.0
Pis.2.7. Curvas cuacterstk:as

(b) (polarizaio inversa).
tpicas de um diododegennnio
(o) e de
um diodo de silcio
Em segundo lugar, verificamos na curva que esta baixa corrente varia muito
pouco com o aumento da tenslO inversa, at que seja atingida a tenso - Vz -.
Notamos que o valor dessa tenso Zener varia de um tipo de diodo para outro, numa faixa que cobre desde alguns volts at milhares de volts.
42
ESTUDO DOS 010005
/ CAP. 2
Em terceiro lugar, atingido este ponto, a corrente aumenta bruscamente,

sendo limitada somente pelo circuito externo, podendo danificar o diodo, a menos
que ele tenha uma construo especial que permita sua utilizao nesta regio, chamada regio Zener, Nesta regio Zener, embora a corrente esteja crescendo muito,
a tenso quase no se altera. Veremos a importncia desse fato no pargrafo sobre
diodos Zener.
Com respeito s diferenas entre as caractersticas inversas de diodos de Ge e
de Si, notamos o seguinte: a corrente inversa do diodo de Ge maior que a do diodo de Si, conforme foi discutido no Capo 1. Para diodos de baixa potncia, nos
quais a corrente direta limitada a dezenas de mA, a corrente inversa da ordem
de dezenas de p.A, para diodos de Ge, e alguns /-tA ou menos, para diodos de Si.
Para diodos de alta potncia, que suportam correntes diretas da ordem de centenas
de mA at centenas de ampres, a corrente inversa chega a ser da ordem de centenas
de ilA at alguns mA, para diodos de Si, ou alguns mA, para diodos de Ge. O joelho da curva, isto , a regio de transio nas imediaes do ponto de tenso Zener,
forma um ngulo muito mais fechado no caso do Si, o que significa que a transio
entre as regies de baixa e alta corrente mais abrupta para o Si do que para o Ge.
Reunindo as curvas da Fig. 2.5 e da Fig. 2.7, temos as curvas caractersticas
i em funo de v para diodos de Ge e Si, observando-se que as escalas de corrente e
tenso so diferentes para o primeiro quadrante dos eixos (i e v positivos - polarizao direta) e para o terceiro quadrante (i e v negativos - polarizao inversa),
para que possam aparecer, numa mesma figura, todas as caractersticas dos dodos
(Figs. 2.8 e 2.9).
I(A)
15
I'
10
:I
1/
./
-vt
150
100
"
50
10
0,2
0,4
O,!
-llmA
Fig. 2.8. Curva caracterstica tpica de um diodo de Ge.
0,6
v(V)
01'
2.2/01000
43
RETIFICADOR
Nesse ponto, podemos ressaltar a diferena entre diodo retificador e dodo

Zener. O primeiro, no seu funcionamento normal, no deve atingir a regio Zener:
o fabricante especifica, ento, um valor mximo de tenso inversa que no deve ser
ultrapassado, tpico de cada diodo, chamado tenso inversa de pico, e que menor
que a tenso Zener. O diodo Zener, pelo contrrio,j especialmente fabricado para trabalhar nesta regio inversa. Vamos, agora, estudar com mais detalhes o diodo
retificador, deixando o dodo Zener para o pargrafo subseqente.
I(mA)
120
100
80
&O
40
./
20
-V(V)
12
14
10
o
2
200
400
600
V(mV)
!IOJ
20
40
I
,
60
80
-J(mA)
Fig.2.9.
CUlVa
caracterstica tpica de um diodo de Si.
2.2. mODO RETIFICADOR

No esquema de um circuito eletrnico, os componentes so representados por
meio de smbolos. O leitor j conhece e j utiliza os smbolos de um resistor e de
urna bateria. O smbolo grfico de um diodo semicondutor retificador indicado
na Fig. 2.l0, com as posies do terminal P, chamado anodo e do tenninalN, chamado catodo.
CATODO
(REGIO
N)
-~~----"'/ANODO
(REGIO
p) /
Fig. 2.10. Smbolo grfico de um diodo retificador.
Corno trabalha o diodo retificador? Sabemos que a tenso medida entre dois
terminais pode ser contnua (por exemplo, a tenso fomecida por baterias, pilhas,
ESTUDO
DOS DIODOS
/ CAP. 2
dnamos) ou alternada, invertendo o seu sentido em intervalos de tempo determinados. Durante a metade de um ciclo, um terminal positivo em relao ao outro, o
qual serve de referncia, e, durante o semicilo seguinte, esse mesmo terminal negativo em relao ao segundo. Essa tendo alternada a fornecida por um alternador,
pela Lght, nas nossas casas e fbricas. Oue acontece com o diodo semicondutor
quando aplicamos nele uma tendo contnua e quando aplicamos uma tenso alternada?
2.2.1. FUNCIONAMENTO COM TENSO CON'IDroA

Estudemos a montagem esquematzada na Fig. 2.11, onde uma carga - o resistor R - alimentada por uma bateria de V volts atravs de um diodo semcondutor. Vamos considerar primeiro o caso da polarizao direta.
Fig. 2.11. O diodo semicondutor com tenso contnua aplicada.
Seja; a corrente que circula no circuito e v a tenso entre os termnais do diodo. Aplicando-se a Lei de Ohm a malha indicada, temos:
V=v+iR
v = V - iR.
ou
Verificamos, ento que a relao entre v e i linear e pode ser representada

por uma reta, num grfico que tenha v no eixo das abscissas e i no eixo das ordenadas (Fig. 2.12): a chamada reta de carga do circuito, que pode ser traada de
modo simples. Procuram-se os pontos de interseo da reta com os eixos, isto , fazse i = 0, obtendo-se v = V, que o ponto no qual a reta de carga corta o eixo das
abscissas, e, a seguir, v 0, obtendo-se
; = ~, que o ponto de interseo com o eixo das ordenadas.

necessrio notar ainda que, na equao acima, v e i so variveis, enquanto
que VeR so dados constantes do circuito. Com essa nica equao, impossvel
determinar a tenso nas extremidades do diodo (v) e a corrente circulante (i), j
que qualquer par de valores correspondendo a um ponto da reta de carga satisfaz
equao. Entretanto, um nico par de valores a soluo do problema. Como determin-lo? Necessitamos de mais uma relao entre ve i, alm da equao dada.
Esta relao fornecida, no sob forma de uma equao, mas sob forma grfica,
exatamente pela curva caracterstica do diodo.
2.2/01000
RETIFICADOR
45
Superpondo, ento, a caracterstica do diodo utilizado no circuito com a reta

de carga, podemos dizer que o par de valores (v, i) que satisfaz ao problema deve estar .stuado, ao mesmo tempo, sobre a reta de carga e sobre a caracterstica do diodo: s existe uma soluo, a interseo da reta com a curva. Esse ponto particular
chamado ponto de operao, ponto quiescente ou ponto Q do diodo e permite obter graficamente a soluo, pela leitura da tenso V' e da corrente r, que so a tenso e a corrente de operao do diodo (Fig. 2.12).
lImA)
vIR
r-,
100
s!
,('tf
'1'.
~V
"<fi
<, ~
/
$
"-
mO
-,
r-,
~V
o
0,5
<,
<,
V(V)
l.V
1,5
z,!!
Fig. 2.12. Curva caracterstica do diodo e reta de carga do circuito da Fig. 2.11.
Os valores V, V', [I, bem como a tenso aplicada na resistncia, V - V',

podem ser medidos experimentalmente, conforme mostra a Fig. 2.13.
v'
Fig.2.13.
v-v'
Medida experimental das tenses e corrente do circuito da Fig. 2.11.
E quando a polarizao for inversa? Nesse caso, s circula a fraca corrente de

fuga do diodo (desde que o valor mximo de tenso inversa no seja ultrapassado),
corrente essa que, por ser muito menor que a corrente direta, ser geralmente desprezada. No h necessidade de traar reta de carga nesse caso.
Exerccio 2.1
O diodo de gennnio, cuja caracterstica dada na Fig. 2.8, colocado em srie num circoito com os seguintes valores:
46
ESTUDO DOS DIODOS / CAPo2
1.0 caso: V== 20V;R == 4 n.

2.0 coso: V == 5 V; R = 10 n.
Determinar, para cada caso, a corrente no circuito, as tenses aplicadas no diodo e na resistncia, para as duas condies de polarizao direta e inversa.
SolUiiol:
a)
1.0 caso.
Polarizao
direta.
A equao da reta de carga :

V =v+iR
20 == V+4i.
Para traar a reta, necessitamos de 2 pontos.
Quando v == O, ternos i
20
="4
=
5 A, que
fornece o primeiro ponto, no eixo vertical. O segundo ponto seria v 20 V, quando i O, mas
no pode ser marcado diretamente no eixo horizontal positivo, que s fornecido com graduao at 0,8 V.
Calculamos, ento, um outro ponto qualquer da reta, por exemplo, quando v = 0,8 V:
20 =0,8
4i;
20 -0,8 = 48 A
4
,.
Marcando o ponto (V == 0,8 V, i = 4,8 A) no grfico, traamos a reta e verificamos que a

interseo da mesma oom a caracterstica do diodo se d aproximadamente no ponto V = 0,55
V, i = 4,9 A. A tenso na resistncia , ento, 20 - 0,55 = 19,45 V. Outra maneira de calcular
essa tenso multiplicar o valor enoontrado para i pela resistncia: 4,9 X 4 19,6 V, valor que
concorda oom o anterior, dentro da preciso do processo grfico utilizado.
b) Polarizao inversa. A equao da reta :
= -
- V=v+iR;
- 20 = v+4i.
Quando i == O, V == - 20 V, podemos marcar esse ponto no grfico. Mas, quando V = O,
20
,
4" = - 5 A, que esta fora de escala. Calculamos, ento, o ponto 1= - 0,1 mA, V ==
== - 20 + 4 X 0,0001 "'" - 20 V. Podemos traar a reta de carga no terceiro quadrante oomo

sendo uma vertical, com boa aproximao, e a interseo com a caracterstica se d no ponto
V == - 20 V, i = - O ,035 mA. A queda na resistncia no pode ser determinada pela construo
grfica. Com efeito, usando o valor encontrado para a oorrente, teremos como queda na carga
0,035 X 4 == 0,14 m V, desprezvel frente tenso da bateria de 20 V e tambm desprezvel
frente tenso na carga de 19,6 V, quando da polarizao direta.
2.0 caso.
a) Polarizao direta. Nesse caso, a reta de carga passa pelos pontos (v= O, i == 0,5 A) e
(v= 0,8 V,; == 0,42 A), e o ponto de operao do diodo (v = 0,36 V,i = 0,45 A). A queda
na resistncia : 5 - 0,36 4,64 V ou ainda 0,45 X 10 == 4,5 V.
b) Polarizao inversa. A reta passa pejos pontos (V= - 5 V, i = O) e (v"'" 5 V, i = - 0,1

mA). O ponto de interseo com a caracterstica (v"", - 5 V, i o.: -0,03 mA). A queda na resistncia desprezvel.
Nesse exemplo, reparamos, ento, que, na polarizao direta, a oorrente determinada
principalmente pela resistncia externa (4,9 A em vez de 5 A, no 1.0 caso, 0,45 A em vez de
0,5 A, no 2.0 caso) e que a queda de tenso no diodo pequena comparada com a queda na resistncia (0,55 V contra 10,45 V, no 1.0 caso, e 0,36 V contra 4,64 V, no 2.0 caso).
1 Deixamos a cargo do leitor as construes grficas mencionadas neste exemplo, devendo ser usada a curva caracterstica da Fig. 2.8.
2.2/01000
RETIFICADOR
47
Na polarizao inversa, a corrente circulante a corrente de fuga do diodo, aproximadamente 30 JJA, desprezvel face COrrente direta (4,9 A, no 1.0 caso, 0,45 A, no 2.0 caso), e praticamente toda tenso aplicada aparece nos terminais do diodo, sobrando na resistncia de carga
uma tenso desprezvel, frente tenso que aparece quando da polarizao direta (O,14 mV
contra 19,45 V, no 1.0 caso, 0,3 mV contra 4,64 V, no 2.0 caso).
o exemplo foi feito com um diodo de germno. No caso do diodo de silcio,

as concluses so anlogas, com a diferena que a queda de tenso no diodo, na
conduo direta, maior, e que a corrente inversa menor.
O diodo retificador no , normalmente, utilizado num circuito de alimentao contnua, mas num de alimentao alternada. Serviu o presente estudo para dar
uma idia de como se comporta o dodo retificador nas duas situaes de polarizao direta e inversa e chegar s concluses que seguem.
No caso da conduo direta, o diodo deixa passar uma corrente que depende
principalmente da resistncia externa do circuito, quando maior que a resistncia
prpria do diodo, o que verdadeiro na maioria dos casos. Em conseqncia, a
queda de tenso no diodo pequena em comparao com a tenso total: cerca de
0,3 a 0,5 V para os diodos de Ge e cerca de 0,5 a 0,8 V para diodos de Si.
Para fns prticos, considera-se, em primeira aproximao, que um diodo de
Ge oferece uma queda de 0,3 ou 0,4 V e um diodo de Si, de 0,6 ou 0,7 V, sem necessidade de traar as retas de carga sobre as curvas caractersticas. Deve ser frisado
ainda que esses valores so vlidos para diodos de potncia baixa e mdia, sendo
mais elevados para diodos de alta potncia.
No caso da polarizao inversa, a corrente circulante desprezvel e toda tenso aplicada aparece nas extremidades do diodo, no sobrando praticamente nada
na resistncia de carga. Vamos utilizar essas concluses no estudo do funcionamento do diodo com tenso alternada.
2.2.2. FUNCIONAMENTO COM TENSO ALTERNADA
Vamos agora aplicar ao circuito da Fig. 2.11, em vez de uma tenso contnua
fornecida pela bateria, uma tenso alternada senoidal fomecida, por exemplo, pelo
secundrio de um transformador
cujo primrio ligado rede de alimentao, con-
forme mostra a Fig. 2.14. A forma de onda da tenso aplicada ao circuito mostrada na Fig. 2.151
Fig.2.14. O diodo semicondutor com tenso alternada aplicada.

1
O leitor deve atentar para o fato de termos colocado no eixo das abscissasdiretamente
wt em lugar de t. Como wt um ngulo, so atribudos valores tais como
anos.
'Ir
/2,
'Ir,
3'Ir/2 etc. rad-
48
ESTUDO
DOS 010005
/ CAPo 2
Vm
----
H~-'--t--+-r-------------t~
Fig.2.15.
wt
Forma de onda alternada senoidal.
Lembramos as noes bsicas sobre ondas alternadas senoidais. O valor instantneo da onda, no caso a tenso, em qualquer instante, v, o valor mximo positivo Vm e o mximo negativo - Vm. O valor eficaz da onda 'Vej, o valor mdio ou contnuo zero, e existem entre essas diversas grandezas as seguintes relaes:
v= V m sen wt,
_ Vm
Vef -
y"l"'
w = 2rr[,
sendo w a pulsao e [ a freqncia da onda. A alimentao da Light tem atualmente freqncia de 60 ciclos por segundo.
Lembramos que o valor eficaz aquele que deve ser utilizado para clculo da
dissipao de calor. provocada pela corrente numa resistncia R , segundo as frmulas:
V2
Potncia
ou P = l~fR,
= 1f
sendo lef a corrente eficaz que circula na resistncia.

Consideremos
o primeiro serniciclo da tenso alternada, de O a n . Nesse inter-
valo, a tenso positiva e a polarizao do diodo direta: ele deixa passar uma corrente que tem a mesma forma de onda senoidal da tenso aplicada, com exceo das
partes inicial e final do semciclo, que apresentam uma certa distoro devida ao fato de o incio da caracterstica do diodo no ser linear (Fig. 2.16).
v
a.:
-~
Fig. 2.16. Circuito com diodo e resistor: semiciclopositivo de tenso.
2.2/01000
RETIFICADOR
49
No semiciclo seguinte, de 1T a 21T, a tenso se toma negativa e o diodo polarizado inversamente: agora oferece uma resistncia muito alta passagem da corrente, circulando somente a corrente de fuga que pode ser desprezada em comparao
com a corrente direta, principalmente se esta for elevada (Fig. 2.17).
+
I
I
I
"
-+O...
I_..".~+\__
,,-
,
,
I
\
\
2-r1t_.
wf
\
\
\
\
\
n;.
10
21t
wf
Fig. 2.17. Circuito com diodo e resstor: semiciclo negativo de tenso.
A forma de onda de corrente resultante na resistncia indicada na Fg. 2.18,

onde se desprezou a corrente inversa e onde foram considerados vrios ciclos de tenso alternada: v-se que a corrente obtida no mais alternada, pois nunca inverte
seu sentido. No significa isto que seja uma corrente constante, pois ela varia, saindo do zero para crescer at um mximo e voltar ao zero, mas sem tomar-se negativa:
uma corrente contnua pulsativa. O diodo, transformando uma onda alternada
numa onda contnua, efetuou uma retificao, donde seu nome de diodo retificador.
i
Wf
Fig. 2.18. Forma de onda retificada.
2.2.3. LIMITAOES
As lmtaes do dodo retificador so as tenses e correntes mximas que

pode suportar sem danificar-se e sem reduzir apreciavelmente a sua vida: a tenso
mxima inversa ou tenso de pico inversa, menor que a tenso Zener, e a corrente
ESTUDO
50
DOS 010005
/ CAPo 2
mxima direta. Para dodos de baixa potncia, utilizados em circuitos de baixa corrente, o dado de corrente mxima geralmente o nico fornecido pelo fabricante.
Para dodos de potncia mais elevada, alm da corrente mxima, o fabricante especifica ainda uma dissipao mxima numa temperatura fixada, geralmente 2SoC, em
mW ou W. Esse ltimo dado significa que, fixada a corrente que circula pelo diodo,
a tenso nele aplicada no deve ultrapassar um valor tal que o produto IV seja maior
que a mxima dissipao permitida, na temperatura de referncia.
Para diodos retificadores de potncia, a dissipao mxima depende tambm
dos meios utilizados para dissipar o calor produzido no diodo, e o dado de dissipao mxima muitas vezes fornecido sob a forma da elevao de temperatura do invlucro do diodo at a juno, pela potncia dissipada, isto , por um coeficiente
CjW ou CjmW. (A explicao e a utilizao de tal dado so esclarecidas no Apndice.) Devido s capactncias apresentadas pelododo de juno (Cap. 1), o seu desempenho se modifica nas altas freqncias, existindo, ento, um limite de freqncia, acima do qual o diodo deixa de funcionar satisfatoriamente.
Exerccio 2.2
o diodo BY 127 da IBRAPE colocado no circuito da Fig. 2.19, onde a tenso de alimentao alternada, com 117 V eficazes. Mostrar as formas de onda de tenso e corrente entre os pontos A e B e entre B e C, para os casos em que R
IDO .n e R
50 n. Os valores-limite do diodo foram ultrapassados em algum caso?
Soluo
As limitaes do diodo BY 127 so:
Corrente na conduo mdia mxima:
1 A;
Corrente recorrente ou de pico mxima:
tOA;
Fig.2.19.
O circuito retificador.
Tenso inversa de pico mxima: 8DO V;

Tenso inversa transitria de pico:
1.250 V.
As suas caractersticas so:

Corrente inversa a 1.250
V: menor que
10}J.A;
Queda de tenso direta para 5 A: menor

que 1,5 V.
Entenderemos melhor o significado das
grandezas acima durante o desenvolvimento do
exemplo ..
A forma de onda da tenso de entrada senoidal, com um valor mximo para o pico da
sende de 117 X
= 166 V.
Consideremos, primeiro, o semiciclo positivo. O diodo polarizado diretamente. Atingindo a tenso aplicada, aproximadamente 0,6 V (trata-se de um diodo de Si), este passa a conduzir e, de acordo com a caracterstica mencionada acima, a queda no mesmo no ultrapassa
1,5 V, enquanto. a corrente no ultrapassa 5 A. Podemos, ento, representar as trs formas de
onda (tenso de entrada, tenso no diodo e tenso na resistncia), como na Fig. 2.20.
Y2
2.2/ DIODO RETIFICADOR
51
TENSO NA ENTRADA
(V)
/66t-----~
-+---+---~------1~
TENSO NO DIODD (V)
rvl
-4----~~==~------~wt
TENSO NA CARGA (V)
fi)
/651----+-.,.....,..
-I-------JL------L-----t.
wt
Fig. 2.20. Tenses correspondentes ao circuito da Fig. 2.19 para polarizao direta.
Notamos que a queda no diodo desprezvel, frente queda na resistncia, a no ser
para os valores muito pequenos da tenso de entrada, quando o diodo ainda no atingiu a plena
conduo. Notamos ainda que a forma de onda na carga senoidal, a no ser no incio e no fim
do ciclo, quando urna ligeira distoro acontece. A forma de onda da corrente reproduz a for166 V
ma da tenso na carga, tendo um valor rnaxirno de
= 1,66 A, no primeiro caso, e de
o
166 V
--
50 fi
""i"fi
- 3,32 A no segundo, como na Fig. 2.21.

CORRENTE
(A)
CORRENT (A)
3,321---- ...
(b)
-+--=----~----+(A) ,
Fig. 2.21. Formas de onda da corrente.
ESTUDO
52
DOS D/ODOS
/ CAP. 2
No semiciclo negativo, o diodo polarizado inversamente, circula a corrente de fuga, menor que 10 J.lA. Fazendo o clculo com esse valor, obtemos 1 mV de queda na resistncia, no
primeiro caso, e 0,5 mV, no segundo. Esses valores so inteiramente desprezveis, frente aos nveis de tenso do circuito: podemos dizer que toda tenso inversa aparece no diodo. As formas
de onda so ento as da Fig. 2.22.
TENSO NA ENTRADA (V)
----~--r-------r-----------.GVf
-/6 6 I-----I-_~
TENSO NO 0/000 (V)
---+--~------+---------~GVt
-/66 I----+ __ ~
TENSO NA CRGA ( V)
'1J ZERO
--~--~------~----------~GVt
Fig. 2.22. Tenses correspondentes ao circuito da Fig. 2.19 para polarizao inversa.
o leitor pode verificar que, para o traado das formas de onda acima, utilizamos exclusivamente dados caractersticos fornecidos pelo fabricante, sem lanar mo das curvas caractersticas! .
Podemos agora responder segunda parte da pergunta. Os valores-lirnite do diodo foram
ultrapassados em algum caso?
Vemos imediatamente que os valores-lirnite de tenso inversa no foram ultrapassados: a
tenso inversa de pico mxima de 166 V, menor que 800 V, e, tendo-se em vista que no consideramos nesse circuito possveis' cargas indutivas, no existe tenso transitria 2
Quanto aos dados de corrente, vemos que a oorrente recorrente, ou seja, a oorrente de
peo em cada ciclo, no atinge 10 A, sendo de 1,66 A, no primeiro caso, e de 3,32 A, no segundo. Para o outro valor-limite de corrente, precisamos calcular a oorrente mdia no circuito: sen1
do um circuito retificador de meia onda, sabemos que a corrente mdia vale da corrente
'Ir
1 Apresentamos apenas as formas de onda correspondentes a um ciclo; deixamos a cargo

_do leitor considerar vrios ciclos da tenso de entrada e verificar todas as formas de onda.
2
Lembramos que uma tenso transitria (ou corrente), como o nome indica, a tenso
, antes de a tenso de regime ter sido
que existe, por exemplo, logo aps ligar-se o circuito, isto

atingida.
2.2/01000
RETIFICADOR
.
. 1~6
maxnna, ou seja, --
= 0,53
53
..
3J2
A, no primeiro caso, e --
1,06-A, no segundo, ultrapassan-
do, ento, nesse ltimo caso, o valor-limite.
2.2.4. APLICAOES
Inmeras so as aplicaes do diodo retificador. Substitui com vantagens os
seus correspondentes a vcuo e a gs em quase todas as aplicaes, alm de poder
preencher funes que lhe so prprias. A aplicao mais importante a retificao
em fontes de alimentao contnua, em dobradores de tenso, em instrumentos de
medida etc. Entre outras aplicaes, podemos citar: como chave, em circuitos lgicos usados em computadores digitais; em circuitos limitadores e grampeadores' ;
em circuitos de polarizao de transistores; em receptores de A. M. e F. M., como,
conforme o caso, detectores, misturadores, discrirninadores; em circuitos de amortecimento, conforme ser explicado a seguir.
b:,
y
SEM 01000
(o)
15:.
(b)
rc )
Fig. 2.23. O diodo num circuito de amortecimento.
Nos circuitos de pulsos, em que existem cargas indutivas, aparecem tenses

transitrias indesejveis, que podem prejudicar o funcionamento do circuito ou
mesmo danificar componentes como transistores. No circuito da Fig. 2.23, no qual
um pulso positivo aplicado ao primrio do transformador, pode aparecer no secundrio uma onda, conforme a indicada, devido indutncia do transformador.
O diodo em srie com a resistncia polarizado inversamente no instante do pulso
positivo, no interferindo no circuito; quando aparece a tenso negativa, o diodo
passa a conduzir e o pulso negativo, em vez de ser lanado no estgio seguinte, dissipado na resistncia, servindo, ento, o diodo para "amortecer" tenses ou oscilaes indesejveis.
1 Usamos
a seguinte nomenclatura, em correspondncia aos termos americanos:

clamping circuirs = circuitos grampeadores;
clipping circuit = circuito s limitadores.
ESTUDO
54
2.25.
DOS OIOOOS / CAPo 2
moDOS RETIFICADORES COMERCIAIS
Existem diodos retificadores comerciais para todas as finalidades, com grandes diferenas nas suas caractersticas e nos valores-limite. O valor mximo da corrente direta na conduo varia de centenas de mA, para diodos de baixa potncia,
at centenas de A, para diodos de alta potncia. Da mesma maneira, a faixa de valores da mxima tenso inversa de pico situa-se entre dezenas de V e centenas de V
ou, mesmo, at milhares de V.
Na Fig. 2.24, vemos trs diodos retificadores comerciais' , um de baixa potncia, outro de potncia mdia, um terceiro de alta potncia.
Fig.2.24.
Trs diodos retificadores comerciais da IBRAPE: BY127, OA31, BYY15.
Na rabo 2.1, a seguir, so dados os principais valores-limite para uma srie de

diodos comerciais da IBRAPE: corrente na conduo, tenso inversa de pico e dados referentes dissipao mxima. Damos tambm valores da corrente de fuga, a
uma certa temperatura, para uma certa tenso inversa, e valores de tenso direta para uma certa corrente direta, o que equivale a fixar dois pontos da curva caracterstica do dodo, pontos esses que so tpicos para a faixa de funcionamento normal
do diodo.
O leitor deve atentar para a possibilidade de alguns dos componentes comerciais citados a seguir terem-se tornado obsoletos; este fato no invalida os exemplos prticos oferecidos
aqui e no decorrer do livro, j que componentes com caractersticas semelhantes devero existir no mercado. A esse respeito, recomendamos ao leitor ler a observao contida no Prefcio.
Notamos ainda que existem no comrcio pontes retificadoras num nico invlucro, o
, que evita a necessidadede montar um circuitoretificador completo. Um exemplo a ponte retificadora de onda completa BY179 da IBRAPE, composta de quatro diodos de Si e utilizada
para as aplicaes comuns de retificao: aceita tenso eficaz de entrada de at 280 V, fornece
corrente mdia at 1 A, e funciona em freqncias at 400 Hz.
N
11.I
<,
tl
tl
O
Tab. 2.1. Quadro Comparativo de Alguns Diodos Reticadores Comerciais da mRAPE
Queda de tenso na
conduo
Corrente inversa
Diodo
Corrente
mdia na
conduo
Tenso
inversa
pico (V)
Kjuno Tfmdx.
invlucro (OC)
(OC/W)
para - VD(V)
150
<0,01
1.250
25
Ge
(oC)
+ VD(V)
800
BYZ13
200
6,0
ISO
<0,6
200
125
1,4
BYX13/1.200
20
600
1,1
150
<1,4
600
125
100
BYY15
40
400
1,0
150
<2
400
125
1,8
200
150
600
0,28
190
600
175
1,8
750
12
85
85
75
OA31
75
tl
O
paraID(A)
BY127
BYX14/1.200
::!!
~
:!J
TI
-ID(mA)
(A)
Si
~lT1
:::!
CARACTEIw.)TICAS
ESPECIFICAES MXIMAS
15
<4
<1,5
<0,7
12
81
56
ESTUDO
DOS D/DO OS / CAPo 2
2.3. mODO ZENER

2.3.1. FUNCIONAMENTO
Conforme vimos, no pargrafo 2.1, a diferena essencial entre o diodo retificador e o Zener deve-se ao fato de que o primeiro no deve atingir a zona Zener,
sob pena de possvel destruio, enquanto o segundo projetado e fabricado para
trabalhar nesta regio. Tentemos agora explicar o motivo do aparecimento desta
regio Zener.
Quando o diodo polarizado inversamente, circula no mesmo uma corrente
muito pequena, a corrente de fuga. medida que a tenso inversa cresce, cresce
tambm o campo eltrico existente na regio de transio.
Esse campo pode
acelerar suficientemente os eltrons livres, fazendo com que estes adquiram bastante energia para provocar, por choque, o rompimento de ligaes covalentes. Consideremos, no incio, a situao de um eltron livre. Este, sofrendo acelerao do
campo eltrico, rompe uma ligao covalente e passam a existir agora, em vez de
um, trs portadores de carga - I buraco e 2 eltrons. Esses 2 eltrons podem ser
acelerados e provocar, por sua vez, a quebra de 2 outras ligaes, fornecendo agora
7 portadores - 4 eltrons e 3 buracos. Em pouqussimo tempo, h, ento, uma
multiplicao de portadores de carga, uma avalanche, e a corrente aumenta, sendo
limitada somente pela resistncia externa do circuito: a tenso nos bornes do diodo
se mantm aprox.iJnadamente constante, o que indica que o diodo tem nessa regio
uma resistncia muito pequena. Esse tipo de fenmeno chamado ruptura do
juno por avalanche ou, mais simplesmente, ruptura por avalanche.
Dependendo da construo da juno, da tenso aplicada e da corrente, pode
produzir-se uma ruptura, mesmo que os eltrons livres no tenham sido acelerados o
suficiente para romper ligaes covalentes. o caso em que o campo eltrico produzido pela aplicao da tenso inversa suficiente para provocar, por ele mesmo, a
quebra de ligaes covalentes e, portanto, a multiplicao rpida dos portadores de
carga: esse tipo de ruptura chamado ruptura Zener, e o ponto no qual se inicia a
tenso Zener. Nesse caso, tambm a corrente aumenta bruscamente e a tenso no
diodo se mantm quase constante.
Praticamente, a ruptura por avalanche distingue-se da ruptura Zener pelo seu
coeficiente de temperatura, explicado adiante. Costuma-se chamar de regio Zener
e tenso Zener regio e tenso, nas quais a corrente inversa do diodo cresce
rapidamente e a tenso se mantm praticamente fixa, qualquer que seja o motivo
fsico real da ruptura. Em qualquer caso, o diodo sempre chamado diodo Zener.
Fig. 2.25. Smbolos grficos de um diodo Zener.
2.3/01000
57
ZENER
Apresentamos, na Fig. 2.25, os smbolos usados para representar

Zener num diagrama esquemtico, observando-se que no existe um nico
como no caso do diodo retificador. Como no h acordo entre os diversos
fabricantes, recomendamos e utilizaremos neste livro o primeiro smbolo
tado na figura.
o diodo
smbolo,
autores e
represen-
2.3.2. ESPECIFICAOES DA TENSO ZENER

Existem diodos Zener comerciais com tenses Zener variando de alguns volts
at centenas de volts. Como se deseja, para a utilizao prtica desse dispositivo,
que a regio da ruptura seja bem definida e que a tenso se mantenha a mais constante possvel durante a ruptura, prefere-se fabricar os diodos Zener com Si em vez
de Ge, j que a regio da ruptura dos. diodos de Si mais definida, conforme foi verificado na Fig. 2.7.
Cada diodo Zener comercial tem a sua tenso Zener caracterstica. Entretanto, essa tenso varia ligeiramente com a corrente, pois a caracterstica no exatamente vertical. Por exemplo, para o diodo OAZ203 (Fig. 2.26), o fabricante fornece os seguintes dados, sendo lz a corrente Zener e Vz a tenso Zener mdia:
para -lz
para - lz
para - lz
-V(VI 8
I
I
I
I
I
I
6,2V
6,3 V
6,4 V .
:3
5
10
I
I
11
=
=
=
I
I
I
I
I
I
- Vz
- Vz
- Vz
1 mA
5 mA
20 mA
.1
I
I.
I
=
=
=
20
I
I
I
I
30
I
I
I
I
40
-rImA)
Fig.2.26.
Curva caracterstica inversa do diodo Zener OAZ203.
Falamos acima em tenso Zener mdia, porque os valores da tenso Zener variam para o mesmo tipo de diodo de uma unidade para outra, dentro das tolerncias
de fabricao que podem ser 10%, 5%, 1% ou ainda menores, dependendo do tipo.
Isso obriga o fabricante a fornecer valores mnimos, mdios e mximos para a tenso Zener, conforme mostram a Fig. 2.26 e o quadro da pgina seguinte.
ESTUDO
58
DOS DIODOS
/ CAPo 2
Diodo OAZ203
Caractersticas a 250C
Valores tpicos
Tenso Zener para
mino
-lz = 1 mA
-lz = 5 mA
-lz = 10mA
mx.
6,6V
6,8V
6,9V
md.
6,2
6,3
- Vz =5,8
- Vz = 6,1
- Vz =6,1
6,4
Vemos, na Fig. 2.27, as curvas caractersticas de trs diodos Zener comercasi.:

OAZ201 (Vz mdia a 5 mA = 5,6 V), OAZ203 (Vz mdia a 5 mA = 6,3 V) e
OAZ213 (Vz mdia a 5 mA = 12,2 V)1 .
~v(V) 14
12
10
"'/
.gj
2
O
20
0/
r<>
22
1
N N
<
~ o
40
I
I
I
I
I
60
80
-I
(mA)
Fig, 2.27. Curvas caractersticas de trs diodos Zener.
2.3.3. IMPEDNCIA DINMICA
o fato de a tenso Zener no se manter exatamente constante com a variao

da corrente inversa indica que o diodo Zener no tem, na regio inversa, uma resistncia nula, mas apresenta uma certa resistncia, embora baixa, a mpedncia dinmica, a qual corresponde inclinao da caracterstica.
1 Apenas para facilitar a notao,
leitor deve entender - lz e - Vz.
no estarnos aqui colocando os sinais negativos mas o
2.3/01000
59
ZENER
A impedncia dinmica varia de um diodo Zener para outro, dependendo da

sua tenso Zener, e, para o mesmo diodo, varia com a corrente. Para tenso Zener
baixa (por exemplo, do diodo OAZ201 da Fig. 2.27), a mpednca R, alta para as
baixas correntes, no sendo reto o joelho da curva: o diodo OAZ201 tem Rz =
= 340 n para lz = 1 mA. Quando a corrente cresce, a caracterstica se aproxima de
uma linha vertical e a mpednca dinmica diminui; para o mesmo diodo, temos
Rz = 40
para lz = 5 mA, e Rz = 4,7
para lz = 20 mA. Os valores acima de
Rz so valores mdios correspondendo s tenses Zener mdias.
Para diodos de Vz mais elevados, nas baixas correntes, Rz mais baixo, porque o joelho da curva quase reto: Rz = 21 n para 1 mA, para o diodo OAZ213.
Mas, quando a corrente se eleva, a caracterstica no to vertical quanto aquela
dos diodos de baixa tenso e a impednca maior para diodos de alta tenso: 7 n
para 20 mA, para o diodo OAZ213.
Como, do ponto de vista dos circuitos que utilizam diodos Zener, geralmente mais interessante ter diodos cuja mpednca dinmica seja a menor possvel, a
fun de obter a mnima variao de tenso, quando a corrente se modifica, deve o
projetista ter cuidado na escolha do diodo e da corrente de operao.
2.3.4. EFEITO DA TEMPERATURA

Conforme vimos no Capo I, muitas das caractersticas dos dispositivos semcondutores dependem da temperatura. E a tenso Zener tambm sofre variaes?
Em que sentido?
A resposta primeira pergunta afirmativa: a tenso Zener varia com a temperatura. O sentido da variao depende do efeito causador da ruptura: se a ruptura
for por avalanche, a tenso Zener cresce com a temperatura, isto , o coeficiente de
temperatura da tenso positivo. Se a ruptura for do tipo Zener, a tenso Zener
decresce com a temperatura: o coeficiente de temperatura negativo.
Nas aplicaes prticas, se a temperatura do equipamento, na qual vai ser utilizado o diodo Zener, variar, importante saber em que sentido vai variar a tenso
Zener e, s vezes, procura-se um ponto tal que esta tenso no varie ou, pelo menos,
varie o mnimo possvel, isto , um ponto no qual o coeficiente de temperatura seja
nulo. Esse coeficiente de temperatura varia para cada diodo, pois depende da tenso Zener, e, para um mesmo diodo, varia com a corrente no qual ele operado.
Os diodos com tenses Zener maior que aproximadamente 6 volts, tm coeficiente de temperatura positivo, conforme vemos na Fig. 2.28; os diodos com tenses menores que aproximadamente 4,5 volts tm coeficiente de temperatura negativo (Fig. 2.29). Por exemplo, o dodo OAZ203, com tenso Zener mdia de 6,3 V,
tem os seguintes coeficientes de temperatura: para lz = 1 mA, + 0,5 mV/oC, o que
significa que a tenso Zener cresce de 0,5 mV para cada grau centgrado de aumento da temperatura. medida que a corrente cresce, o coeficiente de temperatura
tambm aumenta:
para-lz
para-lz
=5 mA
= 20 mA
coeficiente de temperatura = + 1,7 mV 1C;

coeficiente de temperatura = + 2,6 mV/oC.
ESTUDO
60
DOS DIODOS
/ CAPo 2
Para diodos de tenso mais elevada, o coeficiente tambm mais elevado. Por
exemplo, o dodo OAZ213 com tenso Zener mdia = 12,2 V tem os coeficientes:
coeficiente de temperatura
+ 9,2 mV/oC;
coeficiente de temperatura = + 9,3 mV 1C;
coeficiente de temperatura = + 9,4 mV 1C.
para - lz = 1 mA
para - lz = 5 mA
para+J, = 20 mA
-V(V)
:3
10
-V(V)
f.#'
J.
OO
10
10
12
1.2
14
-550,
14
55
16
16
25"1
'-'--
18
i 100" C
100' c
18
20
-I
20
-I
(mA)
(mAl
Fig. 2.28. Variao da curva caracterstica

de um diodo Zener com a temperatura
(coeficiente positivo).
25
Fig. 2.29. Variao da curva caracterstica

de um diodo Zener com a temperatura
(coeficiente negativo).
Para diodos cuja tenso Zener compreendida entre 4,5 e 6 volts, o coeficiente de temperatura passa de negativo a positivo, medida que a corrente cresce (Fig.
2.30). Por exemplo, o diodo OAZ20l - tenso mdia 5,6 V - tem os seguintes
coeficientes:
para Iz = 1 mA
para lz = 5 mA
para Iz = 20 mA
-18 , mV/oC,
-0,6mV/oC;
+ 1,0 mV/oC.
Torna-se possvel, ento, segundo as indicaes do fabricante, saber qual ser

a variao da tenso Zener na faixa de temperatura prevista para o funcionamento
do aparelho, de acordo com a corrente fixada que atravessa o diodo e, em casos especiais, escolher a corrente de operao de tal modo que o coeficiente de temperatura seja o mais prximo possvel de zero. Por exemplo, no caso do OAZ201 citado
acima, escolher-se-ia uma corrente compreendida entre 5 a 20 mA, intervalo no qual
O coeficiente de temperatura,
passando de negativo a positivo, anula-se em algum
ponto.
61
2.3/ DIODO ZENER
-vM
;#.~
<,
--- -5'
-,
"-
i'- 25
O
O
e
e
2
4
100 De
6
8
10
12
14
-550
16
250
18
J.OO F
20
-I
(mA)
Fig. 2.30. Variao da curva caracterstica de um Zener com a temperatura (coeficientes positivo" nulo e negativo).
Exerccio 2.3
A partir de uma tenso de 12 volts, deseja-se obter urna tenso constante de 6 volts numa
resistncia de 300 n. Escolher o diodo Zener a utilizar e a resistncia em srie, procurando otimizar o projeto do ponto de vista do coeficiente de temperatura e da impedncia dinmica.
Soluo. O circuito utilizado representado na Fig. 2.31.
R
J.2V
Fig.2.31.
O circuito do Exerc. 2.3.
Fazendo o projeto com o valor desejado da tenso Zener, 6 V, a corrente ti ser:

.
/1
6V
= 3'n = 20 mA.
A corrente iz depende do ponto de funcionamento escolhido para o diodo e, portanto, a

corrente ie a resistncia R tambm vo depender dessa escolha.
62
ESTUDO
DOS OIOOOS / CAP. 2
Entre os diodos Zener fabricados pela IBRAPE, encontramos trs que oferecem uma tenso prxima de 6 volts, para algum valor da corrente. As caractersticas desses trs diodos so
listadas a seguir:
Diodo
(V)
(V)
(V)
Na
corrente
de
5,3
5,6
5,6
6,0
6,6
6,2
6,3
lmA
20 mA
5mA
Mnima
BZZI0
OAZ201
OAZ202
Tenso Zener
Mxima
Mdia
5:J
6,0
.Coeficiente
de
temperatura
Impedncia
dinmica
mdia
'-1,0 mVfC
+I,OmVf'C
+0,8mVfC
2800
4,7 O
30 O
Cada um dos diodos oferece uma vantagem definida: o BZZIO pede menor corrente
(1 mA), o OAZ201 tem menor impedncia (4,7 n), o OAZ202 tem menor coeficiente de temperatura (0,8 mVfC). Qual ser ento a nossa escolha?
Se a capacidade da fonte de 12 V for limitada (pouco superior aos 20 mA necessrios para a carga), seremos obrigados a usar o BZZlO que tem, entretanto, alta impedncia dnmica
(justamente por trabalhar numa regio de baixa corrente, junto ao joelho da caracterstica) e alta tolerncia de fabricafo (tenso Zener variando de S.3 a 6,6 V). Se no houver esse tipo de
limitao para a fonte, ser prefervel escolher o OAZ202, em 5 mA, ou mesmo o OAZ201 em
20 mA, embora, nesse ltimo caso, seja necessrio observar que o diodo estabilizador est solicitando tanta corrente da fonte quanto a carga.
Sendo os coeficientes de temperatura desses dois diodos muito prximos, a escolha
poder ento recair sobre o OAZ201, que oferece menor impedncia dinmica (justamente por
trabalhar numa regio de corrente mais alta). Supondo que a temperatura ambiente possa variar de 25C a 75C (~T=50C), a variao de tenso ser de 50 X 1 mV =50 mV e as tenses
extremas, em 75C, sero 5,65 Ve 6,25 V.
Nesse ltimo caso,iz =20mA,i=il
+iz =40mA
12-6
eR =--;w-
= 150
n.
Verificamos, ento, que, nesse tipo de projeto, necessrio adotar um compromisso entre diversos fatores: consumo de corrente, estabilidade desejada, faixa de temperatura na qual o
circuito vai funcionar.
2.3.5. LIMITAOES
As limitaes do diodo Zener so: a corrente mxima direta - caso venha a
trabalhar naquela regio - ,a corrente mxima inversa e a mxima dissipao. Esse
ltimo dado muito importante e depende da temperatura na qual o diodo vai operar; para os diodos de potncia, depende tambm dos meios utilizados para dissipar
O calor produzido, conforme j assinalamos no caso dos diodos retificadores e conforme ser visto com detalhes no apndice.
.
Quando se necessita de tenso Zener elevada, prefere-se, s vezes, colocar vrios diodos de baixa tenso em srie, em vez de usar um diodo de alta tenso, pois
esses ltimos tm coeficiente de temperatura maior, hnpedncia dinmica maior e
necessitariam ser de dissipao maior. Os diodos de baixa tenso em srie podem
ter dissipaes mais baixas, por dividirem entre si a dissipao total.
Notamos que existem diodos Zener de tolerncia muito pequena, em relao
tenso, e de grande estabilidade, em relao temperatura, que servem como elementos de referncia de grande preciso. So constitudos geralmente de dois ou
trs diodos em srie colocados no mesmo invlucro, sendo um ou dois no sentido
direto, a fm de conseguir uma compensao dos efeitos de temperatura.
2.3/
DIODO ZENER
63
2.3.6. APLICAES
Inmeras so as aplicaes do dodo Zener, substituindo, nos circuitos transistorizados, a sua correspondente em equipamentos a vlvula, a reguladora de tenso
VR. O aproveitamento da caracterstica da regio Zener (tenso constante com corrente varivel) leva, com efeito, aplicao mais importante do diodo Zener: regulao de tenso em fontes reguladas. Entre outras aplicaes, citamos: como chave,
em circuitos limitadores, em circuitos de estabilizao da polarizao de transistores, na proteo de circuitos, na proteo de medidores, na supresso de fascas e na
regulao de tenso alternada.
2.3.6.1. Proteo de Circuitos
Os circuitos eltricos e eletrnicos costumam ser protegidos contra sobrecargas de tenso ou corrente por fusveis que interrompem a corrente quando esta ultrapassa um valor prefixado. Em certos casos, torna-se difcil escolher um fusvel
que interrompa o circuito no momento de uma sobrecarga e, ainda assim, no chegue a fundir quando operado continuamente no valor mximo de corrente, perto da
sobrecarga.
Uma soluo para esse problema consiste em escolher um fusvel que esteja a
fastado do ponto de fuso, quando o circuito operar no valor mximo de corrente,
e colocar em paralelo com a carga um diodo Zener com tenso um pouco superior
tenso mxima permissvel para a carga (Fig, 2.32). Havendo um surto! de voltagem, essa tenso ultrapassada, atingida a tenso Zener, o diodo oferece uma resistncia muito menor que a carga, a corrente aumenta muito e funde o fusvel que
abre o circuito.
RESISTNCIA
DE
FusVEL
PROTEO
Fig. 2.32. Diodo Zener em proteo de circuitos.
2.3.6.2 .. Proteo de Medidores

Uma aplicao baseada no mesmo princpio exposto acima a proteo de
medidores com diodo Zener: para evitar que uma tenso alta demais possa ser aplicada inadvertidamente a um medidor colocado numa escala baixa, podendo danificar O sensvel sistema de medio, coloca-se um diodo Zener em paralelo com o meI
A palavra "surto",
no sentido de "impulso",
"arrancada",
traduz a palavra inglesa
surge, sendo, s vezes, utilizada nas folhas de especificaes de componentes.
ESTUDO DOS D IODOS I CAPo 2
64
didor, cuja tenso pouco maior que a tenso mxima aceitvel; ultrapassada esta
tenso, o diodo Zener conduz e, praticamente, toda corrente passa por ele, deixando o medidor fora do circuito (Fig. 2.33).
Fig. 2.33. Diodo Zener em proteo de medidores.

2.3.6.3. Supresso de Fascas
Quando so interrompidos circuitos em que existem cargas indutivas (transformadores, rels, solenides), aparecem oscilaes transitrias com amplitudes que
podem ultrapassar o valor normal de funcionamento e provocar fascas nos contatos
do interruptor.
Para evitar a aplicao dessas altas tenses ao circuito e o faiscamento dos contatos, pode-se colocar um diodo Zener em paralelo com a carga indutiva, com uma resistncia de proteo em srie, para absorver a oscilao, tanto com
alimentao DC (Fig. 2.34) ou AC (Fig. 2.35)
+~
Fig. 2.34. Diodo Zener em circuito de supressode fascas (alimentao OC).
Fg. 2.35. Diodo Zener em circuito de supressode fascas (alimentao AC).
2.3.6.4. Regulao da Tenso Alternada

Quando a rede de alimentao AC varia a sua tenso, o efeito pode ser prejudicial em muitos casos, citando-se como exemplo a alimentao de filamentos de
vlvulas osciladoras - uma vez que a freqncia de oscilao se desloca com a variao da tenso da rede - e a alimentao de lmpadas fornecedoras de luz para clulas fotoeltricas - porque uma ligeira variao da tenso da rede modifica a intensidade luminosa da lmpada e a resposta da clula fotoeltrica.
Para diminuir essas variaes, usam-se dois diodos Zener em oposio (Fig.
2.36). No semiciclo positivo, o diodo de cima entra na regio Zener quando a ten-
65
2.3/ DIODO ZENER
so alternada iguala a tenso de ruptura, estando o outro sempre polarizado diretamente e funcionando praticamente como um curto circuito. No semcclo negativo,
o diodo de cima funciona como um curto e o de baixo limita a tenso no valor Zener. Quando a tenso AC altera seu valor, seja para mais ou menos, os diodos Zener
limitam a onda de tenso sempre nos mesmos valores. fixados pelas suas tenses Zener.
v
,, ,
(o)
Fis- 2.36.
I
\
(b )
,Diodos Zener em circuito de regulao de tenso alternada e formas de onda na
carga.
2.3.7. mODOS ZENER COMERCIAIS

Existem diodos comerciais com tenses Zener variando de alguns volts at
centenas de volts, dissipaes permissveis variando de algumas centenas de mW at
alguns W e correntes mximas de algumas centenas de mA at dezenas de A.
Fis.2.37.
Trs diodos Zener comerciais
da Ibrape: OAZ201, BZZIO, BZZ14.
Vemos, na Fig. 2.37, o aspecto de tres diodos Zener e apresentamos a seguir

um quadro comparativo de alguns diodos Zener da Ibrape com seus principais valores caractersticos.
81
Tab. 2.2. Quadro Comparativo de Alguns Diodos Zener Comerciais da IBRAPE
CARACTERSTICAS A 25C
Tenso Zener
Diodo
Para corrente Zener

-lz(mA)
Impedncia
dinmica R
Para corrente Zener

-lz (mA)
Coeficiente de
temperatura
(mVfC)
Para corrente Zener

-lz (mA)
Dissipao
(mW)
Mnima
Mdia
Mxima
(V)
(V)
(V)
BZZI0
5,3
6P
6,6
27
+1,0
280
OAZ201
5,2
5,6
6P
45
-0,6
320
OAZ202
5,6
6,0
6,3
24
+0,8
320
OAZ203
6,1
6,3
6,8
+ 1,7
320
OAZ213
9,4
12,2
15,3
+9,3
320
20
8W
(n)
9,5
BZZ14
5,3
5,6
6,0
20
12
<13
20
Mfn. Mx.
-0,4 +2,5
~
O
O
O
ti)
....
~
:'b
I\l
2.4/ DIODO TONEL
67
2.4. mODO TNEL

Estudamos em detalhe o comportamento de uma juno PN, salientando as
baixas concentraes de impurezas utilizadas, conduzindo a larguras das regies de
transio da ordem de, por exemplo, 5 mcra' (5j.l). Se:por outro lado, utilizarmos
dopagens muito mais elevadas do que as normalmente utilizadas para os diodos de
juno, a largura da regio de transio se reduzir drasticamente, alcanando larguras de apenas centsimo de micron (0,0 If..l). Na realidade, o comportamento de um
diodo assim constitudo totalmente diferente do diodo de juno estudado, pois
existe elevada probabilidade de um eltron "passar" atravs da barreira de potencial, sendo este fenmeno conhecido pelo nome de Efeito Tnel. Em conseqncia,
os diodos assim projetados so chamados de diodos tnel.
A perfeita compreenso do mecanismo interno de funcionamento de um diodo tnel difcil, pois exige conhecimento de Mecnica Quntica, estando fora do
alcance deste livro. Vamos, portanto, focalizar nossa ateno no no mecanismo interno que se processa, mas no comportamento externo apresentado pelo dispositivo.
Na Fig. 2.38, apresentamos a curva caracterstica de um diodo tnel.
POLARIZAAO
INVERSA 4-
POLARIZAAo
--'DIRETA
Fig. 2.38. Curva caracterstica de um diodo tnel.
medida que a tenso direta vai aumentando, a partir da origem, a corrente

vai aumentando, comportando-se o dispositivo quase como se fosse um resistor de
baixo valor de resistncia. Quando atingida a tenso Vp, chamada de tenso de
pico, a corrente cai bruscamente, apresentando o dispositivo uma regio de "resistncia negativa", isto , uma regio em que medida que a tenso aumenta a corrente diminui. Na realidade, esta regio estende-se desde o ponto A (caracterizado
I
Micra
= plural
de rncron (1 mCIOn = 10 -4 em).
ESTUDO
68
DOS D/ODOS
/ CAPo 2
por Vp e Ip) at o ponto B (chamado de ponto de vale! , caracterizado por Vv e Iv);

os parmetros Vv e I v so, respectivamente, chamados de tenso e corrente de vale.
A partir do ponto de vale, a corrente passa novamente a subir e pode ser verificado, na Fig. 2.38, que, para a tenso Vd (chamada de tenso direta de pico), o
dispositivo atinge novamente a corrente Ip.
Observamos de imediato que, para urna dada corrente, entre Iv e Ip, trs valores de tenso so possveis para o diodo tnel, enquanto que para uma dada tenso,
um nico valor de corrente possvel, sendo este fato ilustrado na Fig. 2.39. O fato
de trs nveis diferentes de tenso serem possveis para urna mesma corrente que
possibilita o uso do diodo tnel em circuitos digitais.
1
--------+ I
I
I
v.'.2
Fig. 2.39. Ilustrao do fato de a uma mesma corrente corresponderem 3 valores de tenso, em
um diodo tnel.
Na Fig. 2.40, apresentamos o smbolo grfico utilizado para representar um

diodo tnel.
Fig. 2.40. Smbolo grfico utilizado para representar um diodo tnel.
Entre as caractersticas mais importantes de um diodo tnel, podemos citar a

corrente de pico (Ip), a tenso de pico (Vp), a razo entre as correntes de pico e de
vale e a capacitncia total dajuno.
A Tab. 2.3 apresenta os valores tpicos desses parmetros, para 3 diodos tnel
fabricados com materiais diferentes.

1
o nome
vale provm da analogia com o "vale de uma regio montanhosa".
24/
DIODO TNEL
69
Tab. 2.3. Parmetros tpicos de 3 diodos tnel fabricados com materiais diferentes.
Ip (mA)
Ip/lv
Germnio
1,0
4,4
65
Silcio
0,10
2,5
75
80
160
20
Material
Arsenieto de
glio
10
10
Vp(mV)
Cj (pF)
7,0
Normalmente, na maioria das aplicaes dos diodos tneis, procura-se uma alta razo I p/I v e conseqentemente, conforme se pode verificar na tabela, a grande
maioria feita de germnio e de arsenieto de glio, uma vez que difcil obter altas
razes Ip/lv utilizando o silcio.
2.4.2. APLICAES
A seguir, vamos analisar o comportamento de um circuito que utiliza um diodo tnel e verificar o deslocamento do ponto de operao do dispositivo, caracterizando os circuitos biestvel, monoestvel e astvel.
Na Fig. 2.41, apresentamos um circuito bsico, sendo possvel variar tanto
Vcc como Rj .
Fig. 2.41. Circuito bsico utilizando um diodo tnel. O sinal v T o sinal de disparo (trigger)
e o indutor L adicionado para tornar menor o tempo de comutao do circuito.
Na Fig. 2.42, apresentamos o caso em que Vcc e R L foram escolhidos de tal

forma que a reta de carga correspondente intercepta as regies de resistncia positiva nos pontos P, e P1.
Verificamos de imediato que existem dois pontos de operao estveis, PI e
P2; quanto ao ponto M, sobre a regio de resistncia negativa, obviamente trata-se

de um ponto instvel.
70
ESTUDO DOS D/ODOS / CAP. 2
-.,.----..-
Vcc
Fig. 2.42. Ilustrao do comportamento biestvel de um circuito com diodo tnel. A reta de
carga intercepta as 2 regies de resistncia positiva ..
Suponhamos que o diodo est no ponto de operao PI e que um pulso de

disparo (trigger) aplicado ao mesmo, aumentando a tenso V, de tal forma, que a
tenso de pico Vp seja atingida; o diodo tnel disparar, deslocando-se e seu ponto
de operao ao longo da curva tracejada PtARP2;
o diodo ficar no ponto Ps at
que um novo comando seja dado. Se agora um sinal de disparo negativo for aplicado, tal que a tenso V seja reduzida abaixo da tenso de vale Vv, o diodo comutar
novamente, deslocando-se o seu ponto de operao ao longo da curva P 2 CDP 1 , voltando o dispositivo para o ponto inicial P t
A razo de o ponto de operao se deslocar horizontalmente para a direita, a
partir do ponto A (trecho AR), e para a esquerda, a partir do ponto C (trecho CD),
I
Vcc
Fig, 2.43. Ilustrao do comportamento monoestvel de um circuito com diodo tnel. A reta
de carga intercepta apenas uma regio de resistncia positiva.
2.5/01000
71
COM A CAPACITNCIA DEPENDENTE DA TENSO
deve-se ao fato de a corrente no indutor no poder variar instantaneamente; ora, as

transies de A para B e de C para D so muito rpidas e, conseqentemente, o ndutor impedir que a corrente varie durante essas transies. Portanto, com tal reta
de carga, o circuito apresentar um comportamento biestvel.
Deixamos a cargo do leitor, ao analisar as Figs. 2.43 e 2.44, estudar o deslocamento do ponto de operao para os circuitos monoestvel e astvel.
1
Fig. 2.44. Ilustrao do comportamento astvel de um circuito com diodo tnel. A reta de carga intercepta apenas a regio de resistncia negativa.
Um comentrio adicional deve ser feito sobre o indutor L. possvel mostrar

que podemos obter um menor tempo de comutao, se o aludido indutor (de ordem de 100 nH) for adicionado ao circuito. Caso no haja preocupao com o
tempo de comutao, podemos suprimir tal componente.
Finalizando este estudo, podemos afirmar que entre as vantagens do diodo tnel salientam-se a alta velocidade, a boa estabilidade e o baixo consumo, Entre as
suas desvantagens, temos a baixa tenso de sada e o fato de, por ter apenas 2 terminais, no apresentar nenhum isolamento entre a sada e a entrada, o que muitas
vezes cria srios problemas para o seu uso.
2.5. mODO COM A CAPACITNCIA DEPENDENTE DA TENSO
Conforme vimos no Capo I, o diodo de juno apresenta duas capacitncias,
uma de difuso, quando polarizada diretamente, e uma de transio, quando polarizada inversamente. Essa ltima se origina por causa do espaamento existente entre
os portadores de carga, repelidos pelo campo eltrico criado pela polarizao. Podese, ento, fazer a analogia do diodo com um capacitor, sendo as placas do mesmo,
as extremidades da regio de transio, e o dieltrico , o material semicondutor em
tomo dajuno.
.
Sabemos que a capacitnca de um capacitor inversamente proporcional
espessura do dieltrico, ou seja, largura da regio de transio. Essa largura depeno
72
ESTUDO
DOS OIOOOS / CAPo 2
de da tenso aplicada: quanto maior a tenso, maior o campo eltrico, maior o afastamento dos portadores, maior a "espessura do dieltrico" e, portanto, menor a capactncia do diodo, conforme o estudado na Seo 1.3.7.3.
O diodo construido para trabalhar dessa maneira, o chamado diodo com capacitncia dependente da tenso, e, dependendo do fabricante recebe nomes particulares, como Varactor, Varicap, Varactron e, tendo em vista a sua aplicao em
sintonizadores, chamado tambm de Tuner. Na Fig. 2.45, apresentamos o smbolo
grfico utilizado para representao dos diodos com capacitncia dependente de
tenso.
Fig.2.45.
Smbolo grfico do diodo com capacitncia dependente da tenso.
Como exemplo de um varactor, apresentamos a seguir os dados do BBI06, da

IBRAPE, que um diodo encapsulado em um invlucro plstico, cujas dimenses so
apresentadas na Fig. 2.46.
CATaDO
2~[TI
LI-2,JI
~2,9~
dimenses em mm
Fig.2.46.
Detalhes do invlucro do Varactor BB106, da Ibrape (dimenses em mm).
Na Fig. 2.47, apresentamos a curva tpica de variao da capacitncia com a

tenso inversa aplicada, verificando-se que, para variaes da tenso inversa de 1 a
10 volts, a capacitncia varia de aproximadamente 35 pF aIO pF.
COM A CAPAC/TNC/A
2.5/0/000
DEPENDENTE DA TENSO
73
30
20
.tt.
/0
0,/
/0
VR(V)
100
Fig. 2.47. Curva de variao da capacitncia, em funo da tenso inversa para o Varactor
BBI06, da Ibrape.
A seguir, resumimos as caractersticas mais importantes a considerar no uso

dos varactores, exemplificando-as para o BB 106 ..
Tenso inversa contnua
Capacitncia para!=
0,5 MHz
VR mx =28V
iVR = 3 V, CD > 20 pF
lV = 25 entre 4
R
V,CD
Corrente inversa para VR = 28 V
IR <50mA
Razo de capacitncias
CD (VR = 3 V)
CD (VR - 25 V)
5,6 pF
4,5 a 6,0.
Entre as aplicaes dos diodos com capactncia dependente da tenso, .

podemos citar o controle automtico de freqncia em receptores de televiso, modulao de freqncia, multiplicao de freqncia nas faixas de VHF -UHF , gerao
de harmnicos, amplificadores paramtricos, sintonia de osciladores etc.
Como exemplo de uma aplicao dos varactores, apresentamos na Fig. 2.48,
o uso do varactor BBI06, em seletor de canais a varactor, sendo esta unidade conhecida comercialmente como Selectronic.
r ----------------------------~---------------------------------~
\/
I
\/
\/
I V VI
r------------...J
I
r-I------------------I--I--I-J
11--
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
li
L----------------J.----11'ENTbA-I~G----{t----I~L~~------~1t--i~E;So------SA(A;ItUHF
12V
ALlMENTAAO
12V
DESINTONlA
COMUTA~
BANDA
Fig. 2.48. Uso do varactor BB106 em um seletor de canais a varactor (Selectronic).
Ibrape,
Cortesia da
FI
2.6 /OUTROS
DIODOS
'75
2.6. OUTROS DlODOS

2.6.1. DIODO STEP RECOVERY
Suponhamos que temos um diodo diretamente polarizado e queremos leva-lo
para o estado de corte. J verificamos que os portadores em minoria esto acumulados nas proximidades da juno, conforme mostramos na Fig. 1.34. Para levar o
diodo ao corte, temos que, inicialmente, remover este excesso de portadores e, a seguir, ,carregar a capacitnca da juno (capactnca de transio) para o valor da
tenso inversa presente. Evidentemente, estes dois processos levam um certo tempo
para serem completados, conduzindo ao chamado "tempo de recuperao" do diodOI.
Por outro lado, possvel, projetando adequadamente o diodo, fazer com que
os portadores fiquem acumulados em uma regio muito pequena, bem nas proximidades da juno; alm disto, tomando cuidados especiais no sentido de alcanar
uma baixa capacitnca de transio, conseguimos obter um diodo que possui um
tempo de recuperao diminuto; tais diodos so chamados de Step Recovery ou
Snap-off', e so muito utilizados para gerar formas de ondas rpidas e pulsos de
curta durao.
2.6.2. DIODO BACK
Ao estudarmos o diodo tnel, analisamos a sua curva caracterstica, verificando a existncia da corrente de pico (Ip) e de uma corrente de vale (Iv). fcii, pois,
imaginar um diodo tnel, em que, por escolha adequada do material semicondutor e
das dopagens utilizadas, a corrente de pico Ip seja da mesma ordem de grandeza da
l,mA
5
1.
0,1
0,1
Fig. 2.49. Curva caracterstica de um diodo inverso.

I
Em ingls, diode recovery time.
76
ESTUDO DOS D/ODOS / CAPo 2
corrente de vale Iv. Evidentemente, a curva caracterstica de tal diodo ter ento o
aspecto apresentado na Fig. 2.49, conforme o leitor pode verificar observando a
Fig. 2.38 e supondo que a corrente I p comea a se reduzir, e aproximar-se de Iv.
A primeira concluso que tiramos que um diodo assim fabricado conduz
melhor a corrente com polarizao inversa do que com polarizao direta; da este
diodo ser chamado de diodo inverso, ou diodo Backward ou simplesmente diodo
Back. Como normalmente estes diodos so utilizados na regio do 30 quadrante
(regio inversa), os catlogos geralmente apresentam sua curva caracterstica como a
da Fig. 2.50.
s l,mA
Fig. 2.50. Curva caracterstica de um diodo inverso, como normalmente apresentada pelos
fabricantes.
o leitor no deve esquecer que este um dispositivo de efeito tnel e que as

altas correntes que circulam com a polarizao inversa so resultantes do efeito tnel, um fato que no acontece com os diodos comuns de juno.
Entre as vantagens do diodo Back sobre o diodo comum podemos citar:
a) o diodo Back muito menos sensvel temperatura(os diodos de juno (- 2 mV/C);
0,1 mV/oC) do que
b) os diodos de juno s comeam efetivamente a conduzir para uma tenso

direta entre 0,6 e 0,7 V (silcio); conseqentemente, para sinais de pequena amplitude, por exemplo, 300 mV, a eficincia de retificao ser muito pequena, pois os
diodos comuns praticamente apenas iniciaro a conduo; por outro lado, o diodo
Back apresentar uma enorme eficincia para esta aplicao, pois conduz para nveis baixssimos de tenso.
Como exemplo de um diodo inverso, mencionamos o AEY31 da Philips, que
um diodo de germnio, previsto para trabalhar como detector, em aplicaes de
baixo nvel, na faixa X de freqncias (8,2 - 12,5 GHz).
2.6 /OUTROS
DIODOS
17
2.6.3. DlODO SCHOTTKY

Tivemos oportunidade de estudar detalhadamente os diodos de juno, analisando todo o comportamento de uma juno P-N. Um outro tipo de diodo, bastante diferente do diodo de juno, o diodo Schottky, que constitudo por uma
camada tipo N sobre a qual depositada uma camada metlica, originando-se, na
interface entre as duas camadas, uma barreira de potencial; esta barreira bloqueia o
escoamento de eltrons at que seja aplicada uma tenso direta adequada, geralmente bem menor que a necessria para levar conduo os diodos de juno.
Entre as vantagens do diodo Schottky sobre o diodo de juno salientamos:
a) o tempo de recuperao nos diodos Schottky bem menor, resultando um
dispositivo duas ou trs vezes mais rpido;
b) a queda de tenso direta bem menor que nos diodos de juno, sendo da
ordem de 0,2 a 0,3 V para diodos de baixa potncia. Por outro lado, os diodos
Schottky de potncia, quando bem construidos, podem apresentar uma queda direta de apenas 0,6 V para uma corrente da ordem de 100 A, o que obviamente diminui as perdas no diodo.
Na realidade, h aplicaes em que os diodos Schottky apresentam um comportamento extremamente superior ao dos diodos de juno comum, em funo de
sua baixa queda na conduo e reduzido tempo de comutao, salientando-se as
aplicaes em circuitos digitais (gates DTL), circuitos de modelao de pulsos etc.
Por outro lado, a excepcional eficincia de retificao, da ordem de 95% para VHF
e UHF, toma este tipo de diodo ideal para projetos de misturadores e moduladores
que requerem uma ampla faixa dinmica.
Como exemplo de um diodo Schottky, citamos o BAW95E da Philips, bastante utilizado como misturador na faixa X de freqncias.
2.6.4. DlODO PIN

Um diodo PIN, conforme esta sigla sugere, um diodo de silcio que consiste
em uma camada de material intrnseco (alta resistividade), contido entre duas camadas fortemente dopadas (baixa resistividade), dos tipos P e N.
Quando esse diodo diretamente polarizado, so injetados portadores de carga (eltrons e buracos) na regio intrnseca I; essas cargas tm um tempo de vida determinado nessa regio, antes de se recombinarem. A existncia dessas cargas, na
regio intrnseca, que determina o valor da condutncia do diodo. Quanto s suas
aplicaes, elas resultam da caracterstica do mesmo com relao freqncia de
operao: a condutncia do diodo permanece praticamente constante, quando se
varia a freqncia, at que se atinja uma freqncia to, funo das caractersticas
dodiodo, quando ento a condutncia comea a cair aproximadamente na razo de
6 dB/oitava.
Portanto, podemos visualzar o funcionamento de um diodo tipo
PIN, dizendo que abaixo de to, o diodo se comporta como se fosse um diodo de jun-
ao comum;
para freqncias acima de to , o diodo se comporta essencialmente com
uma resistncia pura, cujo valor pode ser controlado por um sinal De. Na Fig. 2.51,
apresentamos a curva que relaciona a "resistncia para radofreqncia" e a corrente
de polarizao para o diodo PIN HP-5082-3OO3, da Hew/ett Packard.
78
ESTUDO DOS 010005
/ CAPo2
~b-+-------~~~------------~--~
MrNIMA
CORRENTE
DE POLARIZAO
Fig. 2.51. Resistncia para radofreqncia em funo da corrente de polarizao, para o diodo
PIN HP-5082-3003. Cortesia da Hewlett-Packard.
Tendo em vista a caracterstica ilustrada na Fig. 2.51, fica evidente a possibilidade de aplicao dos diodos PIN no projeto de atenuadores e de comutadores na
faixa de radofreqncas,
Nas Figs. 2.52 e 2.53, apresentamos os esquemas de atenuadores, tipo srie e
paralelo, respectivamente, usando diodosPIN.
_
RF,"
----11
C
t---
POLARIZAO
DE CONTROLE
~'N
....
---
....
It----
-------4
....
RFOUT
Fig. 2.52. Atenuador de RF tipo srie, usando um diodo PIN. Cortesia da Hewlett-Packard.
79
2.6 /OUTROS DIODOS
RF,N
RFOUT
,.IN
LZ
L,
POLARIZAO
DE
CONTROLE
Fig. 2.53. Atenuador de RF tipo paralelo, usando um diodo PIN. Cortesia da Hewlett-Packard.
Como exemplo fmal, apresentamos, na Fig. 2.54, um circuito atenuado r para

controle automtico do ganho (AGC), usando diodosPIN, e, na Fig. 2.55, a correspondente curva relacionando a atenuao com a tenso de AGe, no caso para a freqncia de 45 MHZ.
~~~
U~
~~-----r~~~--~~~
.01
.01
o,
43
11'0
r(OI
+ 111 V
+AGC
Fig. 2.54. Atenuador com diodos PIN da srie 5082-3080, para controle automtico de ganho.
Cortesia da Hewlett -Packard.
-r--......
10
....
~
20
30
40
~O
O
Z
TENSO
4
DE
10
A GC (volt.)
Fig. 2.55. Atenuao em funo da tenso de AGe, para o atenuador da Fig. 2.54, para
45 MHZ. Cortesia da Hewlett-Packard.
80
ESTUDO
DOS DIODDS
/ CAPo 2
2.6.5. mODO GUNN

Em 1963, J. B. Gunn verificou o fato de que surgiam oscilaes de microondas em cristais de arsenieto de Glio e de fosfeto de Indio, quando so aplicados
campos eltricos mais intensos que um certo valor crtico. Este efeito, posteriormente chamado de Efeito Gunn, tornou-se amplamente conhecido, pois possibilitou
a gerao de oscilaes de microondas, utilizando dispositivos de estado slido, no
caso os chamados diodos Gunn.
Evidentemente, o projeto e o uso desses diodosGunn exigem um conhecimento
do campo das microondas, o que no o objetivo deste livro. De qualquer maneira,
necessrio o leitor tomar conhecimento de sua existncia e saber que os mesmos
podem ser utilizados no projeto de osciladores de microondas; geralmente so dispositivos feitos para trabalhar em uma dada faixa de freqncia (por exemplo, banda X), sendo a freqncia final de trabalho determinada pela caracterstica da "cavidade" que acoplada ao dispositivo.
Como exemplo de diodo Gunn, mencionamos o CXYIIA/B, um diodo de arsenieto de Glio, geralmente utilizado para o projeto de osciladores na faixa X de
freqncias.
2.6.6. mODO IMPATT
Os diodos Impatt so diodos especiais, feitos para aplicaes com ondas milimtricas, provindo o nome Impatt da abreviao do nome em ingls IMPact
A valanche Transit Time, nome este que d uma idia do seu funcionamento; de
fato, estes dispositivos so diodos de juno, que operam com suficiente tenso inversa para causar avalanche; a associao desse processo de avalanche com o drift
(deriva) dos portadores produz uma regio de resistncia negativa, na faixa de freqncias de microondas. Estes dispositivos so conseqentemente utilizados para
o projeto de osciladores e amplificadores, abrangendo desde as faixas C at a banda KU, de microondas, incluindo 'aplicaes em sistemas de telemetria, sistemas
de aterrissagem e de navegao tipo Doppler, sistemas de alarmas etc.
2.6.7. mODO DE CONTATO DE PONTA
Existe um outro tipo de diodo semicondutor cujo princpio no se baseia na
formao da juno P-N, mas utiliza o contato de um material condutor, que pode
ser ouro ou platina, sobre uma fatia de material semicondutor (Ge ou Si): o chamado diodo de contato de ponta, cuja construo vista na Fig. 2.56. O contato
acima descrito tem propriedades de um retificador, acreditando-se que h formao
de uma pequenssima juno P-N na regio do contato, embora o mecanismo real
do fenmeno no esteja bem esclarecido at agora.
Fig. 2.56. Diodo de contato de ponta.
81
2.6/ OUTROS DIODOS
o diodo de ponta de contato , cronologicamente, mais antigo que o diodo de

juno, mas foi por ele suplantado, devido s qualidades superiores do ltimo:
maior capacidade de corrente, maior tenso inversa, maior reprodutibilidade, maior
robustez.
Entretanto, o diodo de contato de ponta ainda encontra aplicaes
devido ao seu desempenho satisfatrio nas altas freqncias, pois no apresenta os
mesmos problemas de capacitncia do diodo de juno, discutidos na Se. 1.3.7.3.
A curva caracterstica, tpica de um diodo de ponta de contato dada na
Fig. 2.57. O smbolo desse diodo o mesmo do diodo retificador. Notamos que a
curva caracterstica bastante parecida com as curvas do diodo de juno, pelo menos na parte direta, pois a regio inversa no apresenta com a mesma intensidade a
regio Zener de ruptura.
I(mA)
i.0
-vN )
08
Op
04
02
/
0.5
I
~.O
v(V)
10
.I(MoA)
Fig.2.57. Curva caracterstica, tpica de um diodo de contato de ponta.

As limitaes
do diodo de ponta
so as mesmas dos outros diodos: tenso in-
versa de pico, corrente mxima na conduo. As principais aplicaes so em circuitos de comutao e como detector, em AM e FM.
2.6.8. RETIFICADOR METLICO
Muito antes do desenvolvimento dos dispositivos semicondutores modernos,
j eram utilizados dois dispositivos apresentando caractersticas de retificao, baseados no contato por presso entre um metal e um material sernicondutor, sem haver propriamente a formao de uma juno PN: eram os chamados retificadores
metlicos de xido de cobre, ou de selnio. Devido s suas caractersticas inferiores
comparadas com as dos diodos de Ge ou Si - ocupam mais espao, tm menor capacidade de corrente, menor tenso inversa de pico e sofrem envelhecimento, ou
seja, alterao das caractersticas com o uso - foram suplantados por estes na maioria das aplicaes. Ainda utilizado hoje o retificador de Se, cuja constituio
apresentada na Fig. 2.58.
82
ESTUDO
DOS OIOOOS
/ CAPo 2
DISCOS RETIFICADORES
Fig. 2.58. Retificador de selnio.
Para obter as correntes de tenses desejadas, costumamos colocar vrios desses retificadores em associao srie, paralelo ou mista. As limitaes do retificador
de selnio so as mesmas do diodo retificador, sendo tambm o mesmo o seu smbolo.
Exerccios
..
1. De que maneira formado um diodo semicondutor de j~no ?

2. Indicar, em esquema, as polarizaes direta e inversa de um diodo de juno.
3. Esboar a curva caracterstica tenso-corrente de um diodo de juno, indicando as
regies de polarizao direta e inversa.
4. Num diodo polarizado inversamente circula alguma corrente?
Por qu?
5. A corrente de fuga de um diodo cresce, decresce ou mantm-se estvel com a temperatura?

6. Um circuito retificador de meia-onda alimentado com uma tenso de 300 Veficazes e tem urna carga de 10 n. De acordo com as especificaes mximas fornecidas
no quadro comparativo de alguns diodos retificadores comerciais da Ibrape, escolher
o diodo adequado.
7. Verificamos que a corrente de fuga de um diodo dobra a aproximadamente cada
10C de aumento de temperatura, se o diodo for de germnio; e a aproximadamente
6C de aumento, se for de silcio. As especificaes das correntes de fuga de um
diodo de Ge e de um diodo de Si, a 25C, so respectivamente de 25 e 0,1 mcroampres, Comparar as correntes de fuga desses diodos na temperatura de 55C.
8. NaFig. 2.5, determinar graficamente as impedncias dinmicas do diodo de Ge para
uma variao de tenso de 0,3 a 0,4 Vedo diodo de Si para uma variao de tenso
de 1,3 a 1,4 V.
9. Descrever e justificar as limitaes do diodo semicondutor.
10. Os diodos Zener comerciais so de silcio ou de germno?
Por qu?
11. Descrever o efeito da temperatura sobre a tenso Zener.

12. Podemos fazer funcionar um diodo retificador na regio Zener?
13. Podemos fazer funcionar um diodo Zener na regio direta?
Por qu?
Por qu?
14. Qual a diferena prtica entre a ruptura por avalanche e a ruptura Zener?
15. No seu funcionamento, o diodo tnel polarizado direta ou inversamente?
83
2.6 I OUTROS DIODOS
16. Na maioria das aplicaes dos diodos tneis, procura-se uma razo Ip/Iv alta ou baixa? Por qu?
17. Explicar de que maneira o indutor L, colocado no circuito da Fig. 2.41, permite que
seja menor o tempo de comutao do circuito.
18. Explicar detalhadamente o comportamento
tnel (Fig. 2.43).
monoestvel de um circuito com diodo
19. Explicar detalhadamente o comportamento

(Fig.2.44).
astvel de um circuito com diodo tnel
20. Quais os problemas que podem surgir pelo fato de o diodo tnel no apresentar isolamento entre a sada e a entrada?
21. O diodo utilizado como capacitor dependente de tenso polarizado direta ou inversamente? Por qu?
22. Explicar de que maneira o fato da capacitncia de um diodo variar com a tenso permite que o mesmo seja utiliz'ado para controlar automaticamente a freqncia em vrios circuitos.
23. Tanto o diodo Zener quanto o diodo Back so utilizados normalmente nas suas regies inversas. Explicar por que suas aplicaes so inteiramente diferentes.
24. Explicar o funcionamento dos atenuadores usando um diodo PIN (Figs. 2.52 e 2.53).
25. Em que aplicaes ainda utilizado o diodo de ponta de contato?
26. Podemos utilizar diodos de ponta de contato em circuitos retificadores de alta potncia?
27. Entre os diodos estudados, quais deles no so diodos de juno ?
28. Indicar, entre os diodos estudados, aquele (ou aqueles) mais apropriado(s) para cada
urna das aplicaes seguintes: retificao, deteco em alta freqncia, regulao de
tenso, retificao de potncia, oscladores, proteo de circuitos, controle automtico de freqncia, circuitos de comutao, sintonizadores, gerao de harmnicos, gerao de pulsos de curta durao, retificao para baixos nveis de tenso, circuitos
digitais, moduladores, controle automtico de ganho, circuitos de microondas, gerao de harmnicos.
=============================Captu
10 3
Estudo dos Transistores
No presente captulo, vamos estudar os importantes dispositivos conhecidos

como transistores, dispositivos semicondutores tendo em geral duas junes e trs
terminais externos. Da mesma forma que o diodo semicondutor anlogo ao diodo
a vcuo, o transistor anlogo' ao triodo, sendo capaz de realizar a maioria das funes deste e ainda possuindo caractersticas prprias que possibilitam seu uso em
novas aplicaes.
Mostraremos, em primeiro lugar, de que maneira o transistor mais usual. o
bipolar' , construdo; explicaremos, a seguir, as bases de seu funcionamento. indicando suas modalidades de utilizao e respectivas curvas caractersticas, bem como
os seus parmetros e circuitos equivalentes, e exporemos as limitaes e os diversos
tipos usuais de transistores bipolares. Estudaremos, a seguir, outro tipo import antssimo de transistor, o transistor de efeito de campo, vendo sucessivamente () t runsistor de efeito de campo de juno, o transistor de efeito de campo tipo MOS e
suas aplicaes. Finalmente, veremos o funcionamento e aplicaes do transistor de
unijuno, e mencionaremos outros tipos de transistores.
3.1. TRANSISTOR BIPOLAR
O transistor mais comum, chamado transistor bipolar, formado por regies
alternadas de materiais semicondutores tipo P e tipo N, de modo a obter duas JUIIes, Vemos esquematizados, na Fg. 3.1, os dois tipos existentes de transistores
bipolares, o PNP e o NPN, dependendo da regio que a intermediria.
I Este nome, bipolar, resulta do fato de o funcionamento deste tipo de transistor cnvolver portadores com cargas opostas (eltrons c buracos).
3.1 / TRANSISTOR
85
BIPOLAR
JUNES
JUNES
;1
/'
p
(b)
(a)
Fig. 3.1. Os dois tipos de transistores bipolarcs:
(a) PNP; (b) NPN.
Veremos, a seguir, como funciona um transistor e, caso o leitor esteja esquecido do funcionamento de uma juno P-N, dever reler o assunte. antes de prosseguir. Com efeito, o transistor pode ser considerado, para facilitar a explicao do
seu funcionamento, como sendo resultante da unio de dois diodos com a regio
central reduzida, conforme ilustra a Fig. 3.2.
[TI
I
I
[TI
Fig. 3.2. Um transistor considerado como unio de dois diodos.
Se no aplicado nenhum campo eltrico externo ao conjunto, isto , se as

junes no so polarizadas, os portadores se deslocam em qualquer direo e a corrente nula. Vejamos de que maneira a situao se modifica quando um campo eltrico aplicado por meio de baterias externas, utilizando para exemplo um transis-
torNPN.
Inicialmente, polarizemos a primeira juno diretamente, como est indicado
na Fig. 3.3.
Fig. 3.3. Um transistor com uma juno polarizada diretamente.
86
ESTUDO DOS TRANSISTORES
/ CAPo 3
Colocando o miliampermetro no circuito e uma resistncia de proteo para

limitar a intensidade da corrente, mediremos o valor da corrente direta de um diodo
de.juno. Com efeito, temos simplesmente uma juno P-N polarizada d iretamente.
Vamos agora polarizar a segunda juno. A primeira idia que surge a polarizao desta juno tambm diretamente, como indica a Fig. 3.4, a fim de obter
uma elevada corrente.
Fig.3.4.
Um transistor com as duas junes polarizadas diretamente.
Um pouco de raciocnio mostra que este modo de polarizao no traz vantagens, pois sempre circulam altas correntes nas junes e a variao da corrente de
uma das junes tem pouca influncia na corrente da outra.
Poderamos pensar agora em inverter os sentidos das duas baterias, mas neste
caso as duas junes ficariam polarizadas inversamente e somente circulariam as
correntes de fuga das junes. Resta, portanto, a alternativa de polarizar umajuno diretamente e a outra inversamente. Inicialmente, para facilitar a explicao,
suponhamos que polarizamos a juno da direita inversamente, como indicado na
Fig. 3.5, deixando o terminal da esquerda aberto.
M3 (Opf.mA)
N
tI FUGA
+
V2
Fig.3.5.
Um transistor
com uma juno aberta c a outra polarizada
inversamente.
Neste caso, circula na juno a corrente de fuga j estudada no Capo 1, da ordem, por exemplo, de 10 /J.A(0,01 mA).
87
.11 / TRANSISTOR SIPOLAR
Polarizemos agora a juno da esquerda diretamente,

mantendo a juno da direita polarizada inversamente.
M (0,98mA)
M4 (lmA)
r----(
como indica a Fig. 3.6,
t--.....-..t
~--{/~-...,
f
M2 (O,02mA)
+
Fig.3.6.
Um transistor com uma juno polarizada diretamente c a outra inversamente.
Com surpresa, verificamos o fato de a corrente no terminal da direita aumentar bruscamente (no exemplo, de 0,01 mA para 0,98 mA), apesar de a juno da direita estar polarizada inversamente; alm disto, no terminal ligado regio P, circula
uma baixa corrente (0,02 mA), e, no terminal da esquerda, a soma das duas correntes anteriores (1 mA = 0,02 mA + 0,98 mA).
Para entendermos o fato de a corrente no terminal da direita ser praticamente
igual corrente no terminal da esquerda, a despeito da polarizao inversa da juno da direita, observemos a Fig. 3.7, onde os eltrons abundantes na regio N da
esquerda so "injetados" na direo da juno pelo campo eltrico presente (o modo trivial de dizer isto que os eltrons, praticamente livres na regio N da esquerda, so repelidos pelo terminal negativo da bateria e se deslocam na direo da juno).
,
ELETRON
SENDO
~NJETAOO
- =- ~
- --:..::.
- = ---~""'Q.
Ia
- --=
_-_-~= ~ : -= -=, ::-rR ::-_

- - -- - - - - -I@ + -W"!- -_
l'i""'I
1'i""'I'
'J:l I;!] ,
A -
:: .:=. ~ ~ -=: =':.l.O

-l'\I==--=..--=.-- - 10 EB '\I71
Fig. 3.7. Injeo de eltrons num transistor NPN (a largura da regio central esta muito exagerada).
88
ESTUDO DOS TRANSISTORES / CAPo3
Os eltrons injetados na regio N atingem a juno da esquerda, atravessam-na

e penetram na regio P, onde h um elevado nmero de buracos presentes, havendo
um processo de recombinao; entretanto, se a largura da regio P for bastante reduzida, muitos eltrons injetados conseguem atingir a juno da direita. Suponhamos, por exemplo, que um eltron atinja o pontoA, representado na Fig. 3.7; ora,
este eltron ser atrado pelas cargas descobertas positivas (ons positivos), localizados na regio N, da direita, percorrer esta regio e ser finalmente captado no terminal positivo da bateria V2.
Evidentemente, medida que os eltrons vo sendo injetados na regio N da
esquerda para a regio P central, eltrons vo sendo injetados pelo terminal negativo
da bateria VI nesta regioN.
At aqui falamos em termos de eltrons se deslocando. mas sabemos que o
deslocamento destes eltrons traduzido em termos de correntes convencionais, em
sentido oposto ao do deslocamento dos mesmos. Na Fig. 3.7. so ilustradas as correntes li lz e h do circuito (convencionais). O leitor deve observar que I, = lz +
+h.
3.1.2. GANHO
Quando se trabalha com vlvulas ou transistores, deseja-se obter um ganho,
isto , obter uma corrente, ou uma tenso de sada maior que a corrente ou tenso
de entrada. No caso do triodo, chama-se ganho de tenso razo entre a variao
da tenso de placa (varivel de sada) e a variao de tenso de grade (varivel de entrada), na ligao catodo em terra. No caso apresentado para um transistor, considerando o terminal da esquerda como o de entrada e o da direita como o de sada.
obtemos como expresso do ganho de corrente:
Ganho de corrente
Corrente de sada _ 0,98

C
t d
d - 1 00
orren e e entra a
,
0,98.
Notamos que o ganho de corrente definido acima um ganho contnuo (ou

OC), pois envolve variveis contnuas. Geralmente, o projetista est interessado no
ganho alternado (ou AC) do sistema, isto , na razo entre a variao da varivel de
sada, em torno do ponto de operao, e a variao da varivel de entrada que originou a variao na sada. Na Fig. 3.7, o ganho AC seria a razo entre a variao da
corrente no medidor M3 e a variao da corrente no medidor MI . Por exemplo, suponhamos que a corrente de entrada (h) varie senoidalmente em torno do valor de
I mA, variando h tambm senoidalmente em torno do valor de 0,98. A Fig. 3.8
ilustra um exemplo das variaes de h e h em torno dos valores contnuos. Neste
exemplo, temos para os ganhos:
Ganho OC
GanhoAC
h
11
0,98
1,00
_ ~h _ 0,96_
098'
"
- ~/I - 1,00 - 0,96.
3. T / TRANSISTOR
-+
89
SIPOLAR
~~--------~~------------~----~I
(o)
1,94
~~
-..f
0,02
~~~ ~r13'O'96mA
ts )
Fig. 3.8. Variao das correntes 11 e
l3
nho OC =-=0
I,
98'ganhoAC=
"
f)./3
--
l3
em torno de 1 mA e 0,98 mA, respectivamente.
(Ga-
=0 96.)
f).1I'
Verificamos que, neste exemplo, os ganhos DC e AC pouco diferem, o que

uma conseqnca de as variaes consideradas para as correntes terem sido grandes,
quase iguais aos prprios valores DC.

Geralmente, considera-se o ganho AC do transistor para pequenas variaes
em torno do ponto de operao. Esse ganho depende de vrios fatores que sero
examinados futuramente.
Tanto o ganho DC quanto o ganho AC, no exemplo, foram menores que a
unidade. Surge, ento, a pergunta: de que maneira o transistor amplifica, se a corrente de sada menor que a corrente de entrada? Existem duas respostas: a primeira que o transistor nem sempre utilizado de acordo com a configurao estudada acima, existindo outras maneiras de ligar o mesmo, que sero vistas na Se.
3.1.4, e que so capazes de fornecer ganho de corrente maior que 1; a segunda resposta que, mesmo nessa configurao em que o ganho de corrente menor que a
unidade, obtemos ganhos de tenso e de potncia maiores que I, ou seja, obtemos
90
/ CAPo 3
amplificao de tenso e de potncia. Examinemos essa afirmativa. Considerando

somente o transistor, sem levar em conta as resistncias externas colocadas no circuito - carga, resistncias de polarizao, resistncias de proteo, cujo efeito estudaremos mais tarde - as tenses de entrada e sada do transistor so dadas pelos
produtos das correntes de entrada e sada, respectivamente, pelas resistncias das
junes 1 e 2. Mas a juno polarizada diretamente tem uma resistncia baixa,
25 n, por exemplo, e a juno polarizada inversamente tem uma resistncia elevada,
50 kn por exemplo. Conseqentemente, as tenses sero:
Tenso de entrada
= Corrente
Tenso' de sada
= Corrente de sada X Resistncia de sada

X 50kn=4,9V.
de entrada X Resistncia de entrada = 1 mA X

X 25 n=0,025V.
= 0,98
mA X
Temos, ento, para o ganho de tenso:

Tenso de sada
4,9
Ganho de tenso =T ensao
- d e en t ra d a = 0025
,
1.960.
Outra forma de calcular este ganho multiplicar o ganho de corrente pela razo entre as resistncias de sada e entrada:
Ganho de tenso = h X R2 =.h. X R2 = 0,98 X 50 .0 00= 1.960.
2 5
li XRI
li
RI
Por sua vez, o ganho de potncia dado por qualquer uma das expresses seguintes:
Potncia de sada
Ganho de potncia = Potncia de entiada
(Corrente de sarda)? X Resistncia de sada
(Corrente de entrada)" X Resistncia de entrada
=
0,98
12
X 50.000 = 1 920
25
..
Ganho de potncia = (Ganho de corrente)?
Ganho de potncia
1.920.
(Ganho de tenso)?
Resistncia de sada
Resistncia de entrada
X ---=R=-e-s:-is-t=-n-c-=-ia-d-;-e-sa-c:-o-d-a-
= 1.920.
Ganho de potncia = Ganho de corrente
X Ganho de tenso = 1.920.
Notemos que os ganhos foram calculados de maneira muito simplificada, sem

levar em conta o circuito externo do transistor , e servem apenas para dar uma idia
do funcionamento do mesmo. Verificamos, portanto, que, embora o ganho de cor-
3. l/TRANSISTOR
81POLAR
91
rente seja menor que a unidade, obtemos ganhos de tenso e potncia elevados, devido passagem da corrente de uma regio de baixa resistncia, a primeira juno,
para uma regio de alta resistncia, a segunda juno. Desse fato originou-se o nome do dispositivo, Transistor, que provm da contrao das duas palavras inglesas
Transfer Resistor, ou seja, Resistor de Transferncia.
Apresentamos at agora o funcionamento do transistor NPN, mas o transistor
PNP funciona de maneira inteiramente anloga. Entretanto, para que a primeira
juno seja polarizada diretamente e a segunda inversamente, necessrio inverter o
sentido das duas baterias com relao s Figs. 3.6 e 3.7.
Notamos que, no caso do transistor PNP, os portadores em maioria do lado P
so os buracos, principais responsveis agora pelo fluxo de corrente. O funcionamento do transistor PNP, com o movimento das cargas, est esquematizado na Fig.
3.9 e convidamos o leitor a fazer, com a ajuda da figura, o mesmo estudo que foi
feito para o transistor NPN.
N
\.,
,,.
Fig. 3.9. Injeo de buracos no transistor PNP (a largura da regio central est muito exagerada).
Uma vez entendido o funcionamento bsico do transistor, vamos estudar as

diversas maneiras de lg-lo num circuito e vamos traar as suas curvas caractersticas, da mesma maneira que foram levantadas as curvas caractersticas do diodo. Antes, porm, torna-se necessrio estudar certas convenes relacionadas ao transistor,
a fim de podermos utilizar uma simbologia mais rigorosa e simplificada.
3.1.3. CONVENES RELACIONADAS AO TRANSISTOR BIPOLAR
3.1.3.1. Nomenclatura dos Terminais
Os trs terminais de um transistor recebem os nomes de emissor, base e coletor, da mesma maneira que os terminais de um triodo so chamados de catodo, grade e placa. A Fig. 3.10 mostra um transistor PNP e um NPN com a denominao
dos terminais e a representao simblica que usaremos daqui por diante em todos
os circuitos.
92
/ CAPo 3
(a)
(b)
Fig. 3.10. Representao simblica de transistores:
(a)
PNP; (b) NPN (E
= emissor, B = base e
C = coletor).
Os nomes escolhidos para os terminais do transistor justificam-se da seguinte

maneira: o terminal da esquerda chamado emissor, pois aquele que emite os portadores de carga em direo parte central- chamada base - portadores esses que
so recolhidos ou "coletados" pelo terminal direito, conseqentemente charr.ado
coletar. Na representao simblica, o transistor PNP diferencia-se do NPN unicamente pelo sentido da seta representativa do terminal emissor. Podemos reparar
que esse sentido est de acordo com a direo convencional da corrente eltrica: no
caso do transistor PNP, o emissor, sendo do tipo P, "emite" buracos cujo sentido de
deslocamento coincide com a corrente convencional; 110 caso do transistor NPN, o
emissor, tambm emite portadores para a base, mas, como nesse caso se trata de eltrons a corrente por eles produzida ter o sentido inverso do deslocamento desses
portadores e, portanto, para fora do transistor. O sentido de deslocamento real, fsico, dos buracos e dos eltrons, bem como o sentido das correntes convencionais
nos transistores PNP e NPN, so indicados na Fig, 3.11. Nesta figura, estamos agora
118
~IB
+
V.i.
IE
(a)
3.11.
V2
.:s
IE E
IC
+
Vi.
mente.
Vi
V2
Fig.
Sentidos
Vz
das correntes
nos transistores:
(o)
PNP;
(b) NPN,
polarizados
normal-
93
3.1 / TRANSISTOR SIPOLAR
usando as correntes IE, IB e IC, respectivamente, correntes de emissor, base e coletor, em lugar de I I , h e h , tendo em vista os nomes dos terminais.
3.1.3.2. Convenes para Correntes e Tenses
Consideremos a Fig. 3.12, na qual apresentamos uma caixa com quatro terminais externos, no nos interessando que tipo de circuito existe dentro da caixa. Este conjunto de componentes eltricos, representado simplesmente por uma caixa
com quatro terminais externos, chamado de quadripolo.
o
EN TRAOA
(\.
CIRCUITO
QUALQUER
, ....
SAlDA
~
..,
Fig. 3.12. Quadripolo: qualquer circuito que possa ser considerado como uma caixa com quatro terminais externos.
Ora, o transistor pode perfeitamente ser considerado como um quadripolo,

pois um terminal comum entrada e sada, sendo tal procedimento ilustrado na
Fig.3.13.
Fig.3.13. Um transistor considerado como quadripoo.
No estudo dos quadripoIos, a conveno geral utilizada para as correntes

consider-Ias positivas, quando entrando no quadripolo, e a conveno para a tenso
entre um ponto e o ponto comum consider-Ia positiva, quando o potencial deste
ponto maior que o potencial do ponto comum, isto , VI positiva quando o potencial do ponto 1 maior que o do ponto comum, e analogamente para V2 A
Fig. 3.14 ilustra como correntes e tenses so definidas em um quadripolo.
Fig.3.14. Definio dos sentidos das correntes e tenses em um quadripolo genrico.
94
/ CAPo 3
A importncia destes conceitos que os fabricantes de componentes, quando

apresentam as folhas de especificaes e curvas caractersticas de transistores, utilizam esta conveno, e, devemos ter sempre em mente que, na Fig. 3.11, definimos
as correntes de acordo com as baterias presentes no circuito.
Para exemplificar, consideremos a Fig. 3.1I(a). Nesta figura, a corrente IE
est penetrando o emissor, sendo, portanto, positiva; j as correntes IB e Ic esto
saindo dos terminais B e C e, conseqentemente, IB e Ic so negativas. Anlogamente, para o transistor NPN da Fig. 3.l1(b),teramosIE
negativa e IB elc positivas. Estas explicaes so resumidas na Fig. 3.15.
IE
lIB
(o)
I.e: < O
IE >0
18<0
IC<
Ia >0
(b)
IC
>
Fig. 3.15. Sentidos das correntes nos transistores: (a) PNP; (b) sr, polarizados normalmente. (Para o transistor PNP,IE >O,IB <O e IC <O; para o NPN,IE <O,lB >0 e IC >0.)
Para a conveno das tenses, comparamos as Figs. 3.13 e 3.14 e verificamos

que as tenses entre emissor e base (VEB) e coletor e base (VCB} sero consideradas
positivas quando seus potenciais forem maiores que potencial da base. Considerando, ento,
transistor polarizado normalmente, a juno emissor-base est polarizada diretamente e, portanto, VEB positiva para o transistor PNPe negativa para
o NPN; a juno coletor-base est polarizada inversamente e, portanto, negativa
para o transistor PNP e positiva para o NPN. Estas concluses so resumidas na
Fig. 3.161 e, em conjunto com as convenes de corrente, encontraro importante
aplicao, quando tratarmos das curvas caractersticas dos transistores.
~-+--o+
+u--+-""'\
+o--+-----J~--+--o
~
VEB> O
VCB < O
(VBC>
(o)
O)
<
(VeE> O)
VCB>O
(b)
Fig. 3.16. Sentidos das tenses nos transistores: (a) PNP; (b) NPN, polarizados normalmente,
com o terminal base comum entrada c sada. (Para o transistor PNP, VEB >0 e VCB <O;
para o NPN, VEB <O e VCB >0.)
I
Representamos, nessa figura, as tenses com os sentidosreais, quando o transistor est
polarizado normalmente, usando as tenses VBC e VBE; mas devemos ter em mente que VCB =
=-VBOc
VEB=-VBE
.11 / TRANSISTOR
81POLAR
95
3.1.4. LIGAOES
3.1.4.1. Configuraes
Existem trs maneiras de ligar um transistor bipolar num circuito, dependendo de qual terminal comum entrada e sada, sendo tais configuraes indicadas
nas Figs. 3.17(a),(b) e (c).
(a)
PNP
NPN
:S: :S:
:S: :s:
(b)
PNP
NPN
(e)
P NP
Fig. 3.17. As trs ligaes do transistor:

mum.
NPN
(a)
base comum;
(b)
emissor comum;
(c)
coletor co-
Na Fig. 3.17(a), vemos que a base comum entrada e sada do circuito;

essa ligao chamar-se-a, portanto, ligao ou configurao base comum (abreviada
por ligao BC), s vezes ainda chamada base em term, porque, geralmente, colocamos o terminal comum na terra do circuito. Vemos ainda que essa ligao exatamente aquela que utilizamos para descrever anteriormente o funcionamento de um
transistor, quando procuramos verificar a relao existente entre a corrente de
coletor (corrente do terminal de sada) e a corrente do emissor (corrente do terminal de entrada).
As Figs. 3.17(b) e 3.17(c) ilustram as duas outras possibilidades para ligao
de um transistor: a ligao emissor comum (ou emissor em terra) e coletor comum
(ou coletor em terra), abreviadas, respectivamente, por EC e CC.
O leitor pode facilmente verificar a correspondncia entre as ligaes de um
transistor e as ligaes de um triodo: grade comum, catodo comum e placa comum,
respectivamente.
96
CAPo 3
3.1.4.2. Estudo da Ligao Base Comum

Consideremos, por exemplo, um transistor PNP, ligado com a base comum,
como est indicado na Fig, 3.18.
~
Fig.3.18.
Transistor PNP ligado com a base comum.
Inicialmente, observamos que o transistor est polarizado normalmente, isto

, a juno base-emissor polarizada diretamente e a juno coletor-base, inversamente (na prtica, podemos utilizar apenas uma bateria para a polarizao das duas junes, com a ajuda de um circuito de polarizao resistivo).
Se abrirmos o circuito no terminal do emissor, a corrente neste terminal ser
nula, isto '!E
O, conforme ilustra a Fig. 3.19 .
.!c:..!c8o
Fig. 3.19. Transistor PNP em um circuito base comum, com o emissor aberto.
Neste caso, estaremos em presena de um diodo (coleto r-base) polarizado inversamente, circulando no mesmo a corrente de fuga que chamaremos de ICBO.
conveniente explicarmos esta nomenclatura para as correntes de fuga. De um modo
geral, nesta nomenclatura, os dois primeiros ndices representam os terminais entre
os quais parmetro medido, e ltimo, o estado em que se encontra o terceiro
terminal:
O = Open-circuited terminal
S = Short-circuited terminal
=
=
terminal aberto;
terminal em curto.
Por exemplo, lCBO representa a corrente de fuga entre o coletor e a base,

quando o emissor est aberto; do mesmo modo'!CEO representa a corrente de fuga
entre o coletor e o emissor, quando a base est aberta.
97
.11 / TRANSISTOR BIPOLAR
Retomemos agora ao estudo

grfico a corrente IC em funo de
que iE = O, a corrente de saturao
3.20). O leitor deve observar que,
convenes da Se. 3.1.3.2.
da ligao base comum. Representando num

VCB (tenso coletor-base), teremos, no caso em
ICBa igual, por exemplo, a 0,01 mA (ver Fig.
no grfico,/C < O e VCB < O, de acordo com as
IC
leso
---===~======*===========~r-----~8
1=0
Fig. 3.20. Transistor PNP em um circuito base comum com o emissor aberto. le em funo de
VeB, quando IE =0. Note que1e<0 e VCB <O, de acordo com a conveno.
Se, agora, fecharmos o circuito de entrada, de acordo com a Fig. 3.18, ser injetada uma corrente pelo emissor. Sabemos que aparecer no coletor essa mesma
corrente de emissor multiplicada pelo ganho de corrente do transistor, mais a corrente ICBa que j existia na ausncia de IE. A expresso da corrente do coleror le
ser, ento:
le = teso
+ a.IE,
onde a. = ganho de corrente.

Se, por exemplo, h for igual a 1 mA e o ganho do transistor igual a 0,98, teremos:
Ie = 0,01
+ 0,98 X 1= 0,99 mA.
Variando a resistncia em srie com o einissor, poderemos variar a corrente

do emissor. Quando IE for igual a 2 mA, por exemplo, teremos:
IC
= 0,01 + 0,98
X 2 = 1,97 mA,
e assim por diante. Crescendo o valor de IE, obtemos os valores correspondentes de

le, usando a frmula acima; colocando esses valores no grfico da Fig. 3.20, obteremos as curvas representadas na Fig, 3.21. Observamos que IE positivo, de acordo com a conveno.
Vemos, ento, na Fig. 3.21, as curvas caractersticas de um transistor PNP,
quando ligado em base comum, curvas estas s vezes fornecidas pelos fabricantes.
Entretanto, em vez de utilizar o terceiro quadrante, como nesta figura, os fabricantes normalmente utilizam o primeiro quadrante. bastando para isto marcar nos eixos do grfico -Ie e - VeB em lugar de IC e VCB. Procedendo-se desta forma,
so obtidas as curvas da Fg. 3.22.
98
/ CAPo 3
Ieeo
lE:: o
IE
vcs
-1
i mIA
-2
!E 2mA
......
- 3
IE 3mA
Fig. 3.21. Transistor PNP ligado com a base comum: curvas caractersticas IC em funo de
VCB, tendoIE como parmetro.
- Ie(mA)
...IE 8rr IA
4
2
12
-vcs(v)
16 f
20
leso
Fig. 3.22. As mesmas curvas da Fig. 3.21 traadas no primeiro quadrante; neste caso, os eixos
representam -IC e - VCB.
VCB
No caso de um transistor NPN, tendo-se em vista que IE

as curvas da Fig. 3.23.
> O, teremos
< O, Ic > O e
3.1 /TRANS/STOR
S/POLAR
IC(mA)
99
IE
-4, ~A
-3
3
-2
-1
Vca( V)
O
2
10
Fig. 3.23. Transistor NPN ligado com a base comum: curvas caractersticas IC em funo de
VCB, tendolE como parmetro.
A seguir, conveniente fazer alguns comentrios sobre as curvas caractersticas dos transistoresNPN ouPNP com base comum.
Iniciabnente, devemos notar, na Fig. 3.22, que, na escala em que esta foi desenhada, no observamos o que acontece esquerda do eixo das ordenadas. Na Fg .
.3.24, desenhamos de novo a Fig. 3.22, desta feita usando escalas diferentes para as
regies direita e esquerda do eixo das ordenadas. Vamos explicar com mais detalhes essa figura.
/IF'
8m~
6
I-
4h
2.
.i
-VCB (V)
0,5 O
12
.16
20
Fig. 3.24. Curvas caractersticas de um transistor PNP com base comum, mostrando a regio
esquerda do eixo das ordenadas.
ESTUDO
100
DOS TRANSISTORES
/ CAP. 3
Para tal, desenhamos novamente a Fig. 3.18 na Fig. 3.25, desta feita representando a tenso VBC'
~
Fig. 3.25. Transistor PNP ligado com a base comum.
Considerando-se a malha da direita, podemos observar:

Vee == VBe
+ IeRL'
Ora, sendo VBe e Ic variveis, esta equao representa uma reta, dois pontos
da qual so facilmente determinados. De fato, temos:
para VBC == O,Ic == :~e
paraIe == 0, VBC == Vce

Podemos, ento, traar a reta de carga DC, do mesmo modo que procedemos
no caso dos diodos, sobrepondo-a s curvas caractersticas da Fig. 3.24, sendo este
procedimento ilustrado na Fig. 3.26.
- IC
(mA)
IE' 6m
Vcc
RL ~
2
0--""""
C' i'-..B
O
A'VCC
1Z
V CB
16
20
Fig. 3.26. Traado da reta de carga sobre as curvas caractersticas e regies de funcionamento.
3.1 /TRANS/STOR
101
B/POLAR
Os pontos A e E so os dois pontos cujas coordenadas foram obtidas anteriormente. Entre os pontos B e E temos a chamada regio normal (tambm chamada
ativa ou linear) de funcionamento do transistor, porque nesta regio a juno baseemissor est polarizada diretamente e a juno coletor-base inversamente. Por
exemplo, se, a partir do ponto A, vamos aumentando a corrente de emissor, o ponto de operao vai-se deslocando ao longo da reta de carga, passando pelos pontos
C, De, finalmente, atingindo o ponto E. Para este ponto, evidentemente VCB =
= O, e, se aumentarmos a corrente de emissor, a tenso VCB mudar de polaridade
e a juno base-coletor ficar diretamente polarizada a partir do ponto E. Portanto, as duas junes esto diretamente polarizadas, e dizemos que o transistor est
saturado, pois, por mais que aumente a corrente de emissor, a corrente de coletor
pouco varia. Por este motivo, a regiso esquerda do eixo das ordenadas e acima
da curva correspondente alE = O chamada regio de saturao.
Finalmente, analisemos o que ocorre abaixo do ponto B, que corresponde a
IE = O. Abaixo deste ponto, a corrente de emissor inverte o seu sentido, significando isto que a juno base-emissor comea a ficar inversamente polarizada. Conseqentemente, na regio abaixo do ponto B, ambas as junes esto inversamente
polarizadas, e dizemos que o transistor est cortado. A regio correspondente
chamada regio de corte.
Apenas para destacar melhor as regies, apresentamos, na Fig. 3.27, um esquema sem escalas determinadas, a ttulo de ilustrao.
-IC
REGIAO ATIVA
REGIAO DE
SATURAo
REGIO DE
CORTE
Fig. 3.27. Regies de funcionamento de um transistor, definidas nas curvas caractersticas com
base comum.
O leitor deve agora retomar Se. 3.1.1, onde comentamos que para o funcionamento do transistor as baterias devem ser ligadas, como na Fig. 3.6, de tal
forma que a juno base-emissor fique polarizada diretamente e a juno base-coletor polarizada
inversamente.
Fica, ento,
gio normal ou ativa de funcionamento
claro que nos estvamos
do transistor.
referindo
re-
Neste mesmo circuito, se a
102
ESTUDO
DOS TRANSISTORES
/ CAPo 3
corrente IE vai aumentando (aumentando Fi ), o transistor vai-se aproximando da

saturao. Se, por outro lado, IE vai diminuindo (diminuindo Fi ), o transistor se
aproxima do corte.
Nas aplicaes normais em amplificadores, procuramos manter o transistor
trabalhando na regio ativa. Quando o transistor utilizado como chave, so aproveitadas as propriedades especiais das regies de saturao e corte.
Outro comentrio digno de nota o fato de as curvas se manterem praticamente horizontais at valores nulos de tenso VCB, o que permite a utilizao do
transistor na ligao base comum com tenses de coletor muito baixas.
Finalmente, notamos que as curvas para diversas correntes IE no so exatamente horizontais: isto mostra que o ganho de corrente (o) no exatamente constante para todos os valores de V CB, mas que cresce ligeiramente quando - VCB (ou
VCB, para o transistor NPN) aumenta.
Por exemplo, podemos verificar, na Fig.
3.28, que para uma corrente IE de I mA para uma VCB de - 2 V, Ic igual a
- 0,91 mA, dando para relao entre Ic e IE o valor Q = 0,9; para o mesmo IE e
uma tenso VCB igual a - 10 V, Q toma-se igual a 0,92, porque temos agora uma
Ic de 0,93 mAl.
-IC
(m
A)
-V
CB
(V)
--+---~~--------------------~------~-2
10
Fig.3.28.
Variao de
com a tenso coletor-base.
O fenmeno do crescimento do ganho com o aumento da tenso inversa coletor-base, demonstrado acima para o ganho contnuo ou OC, tambm vlido para
o ganho alternado ou AC, sendo a explicao para este fenmeno apresentada a seguir.
Quando cresce a tenso inversa de um diodo, a largura da zona de transio
cresce (Cap. 1) e, portanto, a largura real da base do transistor,W, diminui (Fig.
3.29), diminuindo, portanto, a probabilidade de recombinao dos portadores injetados pelo emissor - pois a distncia que eles tm de percorrer para atingir o coletor menor - e, conseqentemente, um nmero maior deles alcanao coletor,
provocando um ligeiro aumento de ganho.
1
O leitor deve lembrar que/=
=te +IBO;
no exemplo,lCBO
= 0,01 mA.
3.1 I TRANSISTOR BIPOLAR
103
Aproveitamos a ligao base comum para introduzir noes importantes acerca do funcionamento do transistor (convenes de sinal, regies de operao, variao do ganho com a tenso inversa aplicada). Essas noes sero utilizadas e complementadas no estudo da segunda ligao do transistor, a ligao emissor comum.
ZONA OE TRANSiO
(muito aumentado)
+ Fig. 3.29. Diminuio da largura real da base do transistor, quando a tenso inversa coletorbase aumenta.
3.1.4.3. Estudo da Ligao Emissor Comum

Na ligao emissor comum, o terminal comum entrada e sada o emissor.
Essa ligao tambm chamada emissor em terra, porque o terminal comum geralmente colocado na terra do circuito. A entrada o terminal da base e a sada continua sendo o coleto r (Fg. 3.30) .
.2fL
Fig. 3.30. Transistor PNP ligado com o emissor comum.
No funcionamento normal do transistor, as regras de polarizao j explicadas

devem ser respeitadas, em qualquer ligao: juno emissor-base polarizada diretamente e juno coletor-base polarizada inversamente. No caso do transistor PNP da
Fig. 3.30, a juno base-emissor polarizada diretamente por meio da bateria VBB
e a juno coletor -base inversamente, pela bateria VCC , com o terminal negativo no
coletor. Novamente, salientamos que, em geral, no so usadas duas baterias para
polarizao do transistor, mas uma s, com auxlio de um divisor resistivo.
104
ESTUDO DOS TRANSISTORES / CAPo 3
Nesta nova ligao, estamos interessados na relao entre as correntes do coletor e da base, respectivamente, grandezas de sada e de entrada. Ora,j conhecemos
a relao entre a corrente do coletor e a do emissor, apresentada no estudo da ligao base comum:
+ leso-
Ie = alE
(3.1)
E conhecemos tambm a relao que existe entre as trs correntes do transistor,

pois j vimos que a corrente de base a diferena entre as correntes do emissor e do
coletor:
(3.2)
Trabalhando com essas duas equaes, vamos eliminar IE, que no nos interessa nesse caso, e obter a relao procurada entrele e IB:
IE =IB +Ie
Substituindo IE na Eq. 3.1, temos:
Ie = a(IB
Ie = aIB
Ie - ale
+ Ic) + IeBO;
+ ale + IeBO;
= aIB + IeBO;
Ie(l-a)=aIB
I
Considerando {3= -I-
-a
=~l
l-a
+IeBO;
B
+IeBO
l-a
(3.3)
, a Eq. 3.3 torna-se:
lc = {31B + ({3 + I)IeBO
(3.4)
Deixamos como exerccio para o leitor verificar que

;e!~
= ({3 + I) . IeBO.
Pela Eq. 3.4, verificamos que, quando lB = O, le = ({3+ 1) Iceo- Isto significa que, sem corrente na entrada, isto , com a entrada aberta (Fig. 3.3 I ), circula
uma corrente no coletar igual a (~ + I) vezes a corrente de fuga Ic BO , corrente de
fuga em base comum. Em outras palavras, ({3+ I) IeBO a corrente de fuga em
emissor comum, que muitas vezes representada por IeEO.
I~+1)ICBO
Fig.3.31. Transistor PNP em um circuito emissor comum com a base aberta.
105
Podemos, agora, reescrever a Eq. 3.4 introduzindo ICEO, obtendo a Eq. 3.5 e,
comparando com a equao em base comum, temos:
+ ICEO
= ale + Iceo-
Emissor comum:
Ic = {3ls
(3.5)
Base comum:
Ic
(3.1)
Por analogia, conclumos, ento, que o parmetro {3 o ganho de corrente em

emissor comum, isto , a relao entre as correntes de sada e entrada, da mes.na
maneira que a foi definido como o ganho de corrente em base comum. necessrio frisar que esses ganhos so internos, intrnsecos do transistor; os ganhos reais
dos circuitos iro depender das resistncias colocadas nos mesmos. Alm disto,
salientamos que devemos considerar a e i3 como sendo os ganhos DC ou AC do transistor, dependendo de que anlise esteja sendo feita.
possvel, agora, traar as curvas caractersticas da ligao emissor comum,
colocando nos eixos cartesianos a corrente do coletor IC (corrente negativa, porque
est saindo, no transistor PNP), e a tenso VCE (tenso negativa, porque a tenso
do emissor mais positiva que a tenso do coletor, de acordo com a conveno do
pargrafo 3.3.2, sendo agora o emissor o terminal comum). Na ausncia de corrente de base (IB = O), a corrente que circula IC = ICE O (Fig. 3.32).
IC(A)
J.5
ICEO
5
10
16=1
V,
mA
1
zu
r-
4Jl- ~
-> ~
----
y,......,.,
-s-
Fig.3.32. Transistor PNP, ligado com emissor comum: curvas caractersticas IC em funo de
VCE, tendo IB como parrnetro (IC <O, IB <O e VCE <O).
Atribuindo valores absolutos crescentes aIB (notando que IB negativo), obtemos uma famia de curvas representadas na Fig. 3.32, de acordo com a Eq. 3.5,
que mostra que a corrente de entrada Zg multiplicada pelo fator (3 para fornecer a
corrente de sada Ic. Vemos na Fig. 3.33a mesma famrlia de curvas, agora no primeiro quadrante, como geralmente fornecida pelo fabricante:
ESTUDO
106
OOS TRANSISTORES
/ CAPo 3
-IC ()
_IAOml
-~
L.-
:.----
l.J9.-.
1>.(
~
~
~
~
"n
?>c ~
.-::;..
. i.--"
zO
10
O
O
10
-V
C
15
Fig. 3.33. As mesmas curvas da Fig. 3.32, traadas no primeiro quadrante.
No caso de utilizar um transistor NPN (Figs. 3.34 e 3.35), basta inverter o

sentido das duas baterias, e as curvas caractersticas tm O mesmo aspecto, porm os
sinais das correntes de base e coleto r e da tenso coletor-emissor so contrrios aos
do transistor PNP, de acordo com as convenes j mencionadas.
Ie
+
Ves
Vcc
Fig.3.34.
Transistor NPN, ligado com o emissor comum.
Das curvas caractersticas em emissor comum, tiramos as seguintes concluses

importantes:
I. O ganho de corrente da ligao emissor comum bem maior que o ganho
da ligao base comum; assim, se O' for, por exemplo, 0,98, leremos:
8=-
O'
l-o:
=49.
107
Obtemos, ento, em emissor comum, um ganho de corrente maior que a unidade e, conseqentemente, ganhos de tenso e potncia geralmente mais elevados
que no caso da ligao base comum.
ciais variam entre 20 e 900.
--
t-
I--~
I--~
~
0,4
t.,...- I-- I-I..-
""'-
..-
...-
I..~
I-t-- f.--
Valores tpicos de ~ para transistores comer-
. O
~
I-- ~
I--~
~
I-I-- I--
I--
f....-- ~
j~
I--
I--
I-- ~
---
z.(
~~
1P
1--
I
O
678
~
O
VCE(V
1.0
Fig. 3.35. Transistor NPN, ligado com o emissor comum: curvas caractersticas IC em funo
de VCE, tendo IB como parmetro (lC> O, IB > O e VCE > O).
2. Devido ao valor elevado do {3,a corrente de fuga em emissor comum, ICE O ,

bem maior que a corrente de fuga em.base comum. Por exemplo, se um transistor
tiver (3= 100, leso = 0,01 mA, ICEO ser: IeEO = ((3 + 1) IeBO = 1,01 mA.
Muitas vezes, nas curvas caracter~ticas dadas pelo fabricante, no possvel
ler a corrente ICBO devido ao seu valor "muito baixo, enquanto que ICEO pode, geralmente, ser lida no grfico. De qualquer maneira, o fabricante sempre fornece valores numricos tpicos do transistor, incluindo valores das correntes de fuga, os
quais dispensam, em muitos casos, o uso das curvas caractersticas.
3. Observamos que as curvas em EC so mais inclinadas que as curvas em Se.
Vimos que a inclinao das curvas em BC devida ao aumento de a com o aumento
da tenso inversa coletor-base; correspondendo ao aumento de a, por exemplo, de
0,97 para 0,98, temos um aumento de (3de
0,97
1 - 0,97
0,98
para 1 _ 0,98' ou seja, de 32 para 49.
Vemos, portanto, que embora a varie ligeiramente, causando uma inclinao

muito reduzida nas curvas em BC, {3varia muito mais, causando a forte inclinao
das curvas em EC. Com efeito, para o mesmo lB, por exemplo, 10 mA, teremos,
ESTUDO DOS TRANSISTORES I CAPo 3
708
para dois valores de VCE, 1,5 V e 7 V, dois valores de [3,18 e 22 e, conseqentemente, dois valores de IC, 0,18 e 0,22 A (Fig. 3.35). Estamos considerando aqui a
relao entre as correntes contnuas do transistor e no a variao dessas correntes,
e, portanto, o ganho ao qual nos referimos o ganho OC; entretanto, as concluses
so perfeitamente vlidas para o ganho AC.
4. Na Fig. 3.36, desenhamos novamente a Fig. 3.34, desta feita definindo as
correntes e tenses do circuito.
Fig.3.36. Fig. 3.34 com indicao das correntes e tenses.
Observando a malha da direita, podemos escrever:

VCC = VCE
+ IRL
e, analogamente ao que fizemos no caso da ligao base comum, podemos traar

esta "reta de carga" sobre as curvas caractersticas do transistor. Este procedimento
ilustrado na Fig. 3.37.
IC< A)
~
0,6
ICS
0,6
1\.- ~
~~
Ir"
I
0,4
0,2
I-- ~
4~
r---- I--
I--'"
iI'"
n-
1?5
J...--
j.....- ~
~
...
I-- I--
-, -,
10-
~
I--
C"- "-~
1.0
s
~
VCES 2
I-I-- I---
r;.. l.--t-K
v:
['.D
J.:-- ~
Vc
A8
10
Fig. 3.37. Traado da reta de carga sobre as curvas caractersticas e regies de funcionamento.
3.1 / TRANSISTOR
BIPOLAR
109
Para esta reta de carga, quando a corrente injetada na base de 20 mA, o

ponto de funcionamento do transistor o ponto que chamamos de C na figura.
medida que a corrente de base aumenta, o ponto de operao se aproxima do
ponto D, atingindo este, para I B , igual a aproximadamente 45 mA.
Se a corrente de base ultrapassa este valor de 45 mA (no exemplo), o ponto
de funcionamento continua sendo o ponto D. Dizemos, ento, que o transistor est saturado. Note que, a partir deste ponto, a corrente Ic permanece igual a IcS e
VCE permanece igual a VCES.
Podemos facilmente mostrar que, medida que IB cresce (aproximao do
ponto D), a tenso coletor-base vai-se aproximando de zero e que, para uma certa corrente 1B, a tenso VCB se anula. Se a corrente TB aumenta ainda, VCB mudar de sentido e a juno coletor-base tambm ficar diretamente polarizada. Por
exemplo, na Fig. 3.36, suponhamos dois casos:
lI:! Caso:
RL
lOD
IC =0,6A
VCC =8 V
VBE
= 0,6 V.
Conseqentemente:
VCE = VCC - ICRL
= 8 - 0,6 X 10 = 2 volts,
e
VCB = VCE - VBE = 2 - 0,6 = 1,4 volts.
;z<! Caso:
RL = lOD
1c =0,75 A
Vcc =8 V
VBE
0,7V.
Conseqentemente:
VCE = Vec =IcR:
=8-
0,75 X 10 = 0,5 volts,
e
VCB = VCE - VBE =0,5 -0,7
= -0,2 volts.
Vemos, nestes exemplos, que quando VBE passou de 0,6 V para 0,7 V (aumentando IB), VCB passou de 1,4 V para -0,2 V, o que significa que o transistor
foi da regio linear para a regio de saturao (para VCC = 8 V e RL = lOD).
Entre os pontos B e D, temos a chamada regio ativa (tambm chamada linear
ou normal) e, abaixo do ponto B, a chamada regio do corte. Deixamos a cargo do
leitor verificar por que chamamos a regio abaixo do ponto B de regio de corte.
5. Finalmente, quando observamos as curvas para uma faixa ampla de correntes de coletor, verificamos que o espaamento entre as curvas IB menor para baixas correntes IC, torna-se maior para valores mdios de 1c e volta a ser menor para
altas correntes de coletor. Isto significa que o ganho de corrente pequeno para
baixas correntes de coletar, aumenta quando Ic cresce, at atingir um mximo, e
torna a decrescer quando Ic continua aumentando.
Podemos justificar esta concluso acerca do ganho, lembrando que espaamento entre as curvas IB corresponde a uma certa variao de Ic; diminuindo o espaamento, temos, para uma mesma variao de IB, uma variao correspondente
de Ic menor e, portanto, um ganho menor, conforme ilustra a Fig. 3.38.
ESTUDO
110
DOS TRANSISTORES
/ CAP. 3
-IC(mA)
IY-... ,
~'l-~ ~
10
,1
8 .....
r-
6v
2' t
iOO
....
,<I sr 1321=5 D}\A
t:.
50f.\.
16
~~ ~
4
}I. r>
~~C
i~'
O~A
Fig.3.38.
!O
15
20
25
30
35
40
Variao do ganho nas curvas caractersticas em EC.
o fabricante, s vezes, fornece uma curva de variao do ganho com a corrente do coletor, que tem o aspecto da Fig. 3.39. preciso lembrar que essa curva varia bastante de um transistor para outro. Se no assinalamos 'esse fenmeno no caso
da ligao EC, porque o a: varia pouco com a corrente do coletor, e o efeito , s
vezes, difcil de ser notado nas curvas. Entretanto, esta pequena variao do a corresponde a uma variao grande do (3, que provoca o efeito indicado nas curvas em
EC.
400
300
200
100
1..-
e=
--.I-
~
~
--
\.1<)&
c\'T"~
!""!
r----,.....
,.C~'T9A
ecl!.!." ...
~
~~~
.......r......
r-
-I c(mA)
o
2
10
10
Fig. 3.39. O ganho em funo da corrente do coletor para os transistores BCl77, BC178 (A e
B) e BC179 (A e B) da Ibrape.
3.1 ! TRANSISTOR SIPOLAR
111
Exerccio 3.1
Um transistor NPN, tendo < = 0,98 c ICBO = 6 }1 A, ligado em emissor comum. Utiliza
uma nica bateria de polarizao de 15 V, da seguinte maneira: emissor em terra, coletor ligado
ao terminal positivo da bateria atravs de um resistor RC; base ligada ao mesmo terminal positivo atravs de um resistor R I , e terminal negativo da bateria em terra. Pede-se:
a) Fazer o esquema do circuito.
b) Calcular /3 e ICEO.
e) Sabendo que IE = 2,5 mA, calcular IC e IB.
d) Sabendo ainda que VCE= 5 V e VBE= 300 mV, calcular RCe R"
Soluo.
a)
Deixamos a cargo do leitor.
b)/3=_a_=
l-a
ICEO =
0,98
1-0,98
(/3
e) IC = te
I)
=49.
ICBO = (49 +
I)
6 = 300 I.,A.
+ ICBO.
le = te + teso = 0,98 X 2,5 + 0,006 = 2,456 mA.

ts=!c + IB
IB =IE -Ie = 2,5 - 2,456 = 0,044 mA.
d) Na malha que inclui a bateria, o resistor Re e a juno coletor-emissor, podemos es-
crever:
Vee = VeE + IC Re (que a prpria equao da reta de carga do transistor).
Ento:
VCC-VCE
RC=
= --15-5 = 4,07 kn.
le
2,456
Na malha que inclui a bateria, o resstor R 1 e a juno base-emissor, podemos escrever:
rcc=
VBE + IBR,
VCC- VBE 15 - 0,3

3
:--=3 4kn.
IB
0,044
Notamos que a maneira acima apresentada de polarizar um transistor por meio de uma
nica bateria, utilizando um resistor da base para essa bateria, a mais simples; veremos um outro meio mais utilizado num prximo exerccio.
R, =
3.1.4.4. Estudo da L!gao Coletor Comum

A terceira maneira de ligar o transistor colocar o coleto r como terminal comum, obtendo-se a configurao coletor comum, tambm chamada coletor em terra, ou ainda, seguidor de emissor (Fig. 3.40). O terminal de entrada a base e o de
sada agora o emissor, em vez do coletor, como na ligao emissor comum.
Vcc
Fig. 3.40. Transistor NPN, ligado com o coletor comum.
112
No so fornecidas, geralmente, curvas caractersticas especficas para o caso

da ligao CC. Com efeito, essas curvas dariam a relao entre ft: (grandeza de sada) e 18 (grandeza de entrada). Podem ser utilizadas, ento, as curvas em EC, que
do a relao entre I C e 18, devido ao fato de as correntes IC e IE serem muito prximas em valor.
O ganho em corrente de ligao CC ligeiramente superior ao da ligao EC
(porque, para o mesmo valor de 18, IE ligeiramente maior que Ic), mas, em primeira aproximao, pode-se considerar o ganho de corrente da ligao CC como
sendo igual a (3. Quanto ao ganho em tenso, prova-se que sempre menor que a
unidade, da mesma maneira que o ganho em corrente da ligao BC menor que 1.
Conseqentemente, o ganho em potncia da ligao CC , geralmente, menor que o
da ligao EC.
Do estudo acima para as trs ligaes, conclui-se que, do ponto de vista da
amplificao, a ligao EC a que apresenta as melhores caractersticas, pois fornece amplificao de corrente e tenso e, portanto, ganho de potncia elevado. ,
conseqentemente, a ligao mais utilizada.
A ligao BC capaz de fornecer amplificao de tenso, mas no de corrente, e a ligao CC fornece amplificao de corrente, mas no de tenso. Ambas as
ligaes tm, portanto, ganhos de potncia reduzidos ~ so utilizadas em casos especiais, principalmente quando se deseja obter circuitos com impedncias de entrada ou sada elevadas ou reduzidas.
Aps o estudo do prximo item, estaremos em condies de concluir com
mais preciso acerca das propriedades das trs ligaes do transistor.
3.l.5. PARMETROS E CIRCUITOS EQUIVALENTES
>
Os catlogos fornecidos pelos fabricantes de transistores, quando completos,

apresentam trs sries de dados que so: as limitaes do transistor (descritas na
Se. 3.1.7), as caractersticas,j vistas no item anterior - fornecidas sob a forma de
curvas caractersticas, dados numricos ou, geralmente, de ambos - e, finalmente,
os parmetros, que vamos estudar a seguir.
Os parmetros do transistor so utilizados conjuntamente com os circuitos
equivalentes do mesmo. Que vem a ser parmetro? Que vem a ser circuito equivalente? Qual a finalidade dos mesmos? A resposta torna-se aparente, quando consideramos o funcionamento do transistor em regime alternado, isto , seu funcionamento em torno de um ponto de operao De. Vamos esclarecer esses conceitos,
estudando sucessivamente: o funcionamento do transistor em regime alternado e a
necessidade de um circuito equivalente para os clculos relacionados a esse funcionamento; a apresentao de um circuito equivalente intuitivo para o transistor; e,
finalmente, a derivao de dois circuitos equivalentes mais apropriados para clculos
prticos, o circuito equivalente em T e o circuito equivalente hbrido, juntamente
com os parmetros a eles associados. Como conseqncia desse estudo, veremos, na
Se. 3.1.6, a obteno das frmulas que permitem calcular as principais caractersticas do transistor utilizado como amplificador (ganhos de tenso e de corrente, imv~dncias de entrada e de sada), em funo dos parmetros j vistos e das resistncias externas colocadas no circuito do transistor.
113
3.1 / TRANSISTOR HIPOLAR
3.1.5.1. Funcionamento
do Transistor em Regime Alternado
No seu funcionamento normal como amplificador, o transistor colocado

num ponto de operao escolhido pelo projetista, isto , trabalha com um rerto valor da corrente do coletor e um certo valor da tenso de coletor, determinados
pela tenso que alimenta o transistor (Vcd, pela resistncia de carga (RiJ, e pela
polarizao da juno emissor-base, a qual determina a corrente de base. Vemos representados, nas Figs. 3.41 e 3.42, o esquema simplificado de um estgio amplificador EC e as curvas caractersticas do transistor, sobre as quais foi superposta a reta
de carga.
IC
;j~~
10
pV
r-.b..-- ~
+
l----"
[)... ~
<,
f--- I-!>o
r-,
o
Fig. 3.41. Esquema simplificado de um es

tgio amplificador EC.
ia
1~
20
25
o
Vee
VeE
35
40
Fig. 3.42. Curvas caractersticas c reta de.

carga do circuito da Fig. 3.41.
Seja agora o circuito da Fig. 3.43, no qual, para simplificar a anlise, no foi
representado o circuito de polarizao da base: supomos simplesmente que existe
uma corrente IB (contnua) na base do transistor.
Fig.3.43. Estgio amplificador EC com uma corrente de base eontnua Jg.
Vejamos O que acontece, quando o sinal a ser amplificado injetado na base

do transistor. Tratando-se de um sinal alternado, ser designado por ts, servindo as
letras minsculas para dferenci-lo da corrente contnua Io. Sem perda de generalidade, para novamente simplificar a anlise, podemos supor que esse sinal senoidal (com valor mximo ib mx.) e que este sinal est superposto ao sinal contnuo
IB, conforme mostra a Fig. 3.44.
ESTUDO
114
1.-~_..-,
--j_
DOS TRANSISTORES
/ CAPo 3
...........
----'
-----
-i-------~r---------------~,.~p.
Fig.3.44.
Sinal a ser amplificado
pelo circuito da Fig. 3.41.
A corrente de base do transistor vai agora variar entre lB + ibmx. e IB da corrente do coletor ser lida nas curvas caractersticas, nas intersees das correntes de base mencionadas e da reta de carga, o
que ilustrado na Fig. 3.45. Conhecendo-se, ento, a variao do sinal de entrada,
podemos determinar' a variao do sinal de sada graficamente e, portanto, calcular
o ganho do estgio.
- ibmx. , e a variao correspondente
IC(rriA)
I\,.
,'l
~.
10 ~~
62
6
4
2,3
r-,
....-
'-!B
-l-'
<,
......
to
..
Q
"\.~ ~
.......
"
.~\
.15
20
.~10'
50
'li
.....
<, o
25
30
VCE( V)
35
40
Fig, 3.45. Determinao grfica da variao da correntede sada em funo da corrente de entrada, no circuito da Fig. 3.41. No caoo,lB = 100 J.lA, ibmx. = 50 j.:A e a corrente de coletor
varia de 2,3 mA a 6,2 mA.
Entretanto, essa soluo grfica no sempre possvel, tendo-se em vista que

nem sempre o projetista dispe das curvas caractersticas do transistor que deseja
utilizar, seja porque tais curvas no constam das folhas de especificaes do fabri-
3.1 / TRANSISTOR BIPOLAR
115
cante, seja porque ele dispe somente de catlogos gerais que fornecem caractersticas, limitaes e parmetros, mas no as curvas. Mesmo no caso que seja possvel o
processo grfico, este no prtico, uma vez que exige o traado da reta de carga,
sendo portanto demorado e fastidioso; e, principalmente, este processo no preciso, j que as curvas caractersticas fornecidas pelo fabricante so curvas mdias,
que no podem levar em conta as tolerncias de fabricao dos transistores, e que,
quando o nvel do sinal a ser amplificado reduzido, torna-se praticamente impossvel a marcao sobre as curvas.
Uma soluo mais racional para este problema consiste, ento, em evitar a soluo grfica, substituindo o transistor por um circuito eltrico composto pelos
componentes que forem necessrios para representar o funcionamento do mesmo ligados de maneira conveniente: fontes de tenso ou corrente, resistores, capacitores.
Conhecido esse circuito (que chamamos circuito equivalente) e os valores dos tais
componentes (que chamamos parmetros), toma-se possvel substituir o transistor
pelo seu circuito equivalente e resolver o problema pelo clculo, aplicando os mtodos conhecidos de anlise de circuitos.
De acordo com a funo do transistor e a freqncia de utilizao, vrios circuitos equivalentes podem ser utilizados, escolhendo-se o mais adequado para a anlise em questo.
3.1.5.2. Circuito Equivalente Intuitivo
Vamos traar o circuito equivalente de um transistor da maneira mais intuitiva, considerando o funcionamento do mesmo, obtendo o chamado circuito equivalente intuitivo. J que usamos para estudo do funcionamento a ligao BC, a
mais simples e evidente, traaremos, em primeiro lugar, o circuito equivalente para
esta ligao.
Consideremos o transistor em BC da Fig. 3.46: temos trs terminais, sendo o
terminal de base comum entrada e sada. necessrio colocar entre esses trs
terminais os componentes que traduzem o desempenho do transistor.
:C
~
B
r---'
CIRCUITO
I
o--; EQUIVALENTE r--o
L-1-J
O
Fig. 3_46. Substituio de um transistor ligado com a base comum pelo seu circuito equivalente.
o que vemos entre os terminais do emissor e da base? Um diodo polarizado

diretamente, que representaremos por uma resistncia 'eb, de baixo valor, e que
exatamente a resistncia dinmica da juno emissor-base (ver Se, 2.1). Lembramos que, para o traado dos circuitos equivalentes e a determinao das par-
116
ESTUDO DOS TRANSISTORES / CAPo3
metros, estamos interessados no funcionamento AC do transistor, de modo que,

para obtermos a resistncia "eb consideramos a inclinao da curva do diodo no
ponto de operao considerado, como est ilustrado na Fig. 3.47 .
.Ia
~
Fi. 3.47.
~~
VBE
Curva caracterstica do diodo base-emissor.
tncia
OC e a resistncia
.1VBE
P='eb = AlB .
r eb:
resistncia
Vo
Atente para a distino entre a resis-
OC = 10;
resistncia
em torno
do ponto
Vejamos agora os terminais do coletor e da base. Que existe entre os mesmos? Um -diodo polarizado inversamente, que representamos pela resistncia dinmica da juno eoletor-base, res . a qual tem um valor elevado.
Portanto, baseado exclusivamente nos dois argumentos anteriores teramos
um circuito como sugerido na Fg. 3.48, onde as tenses ve e Vc indicam as variaes das tenses de entrada e de sada em tomo de VE B e VC B.
--ie
v.
r.b
rcb
Iv'
B
Fi&- 3.48. Uma primeira idia para o circuito equivalente de um transistor com a base comum.
717
Entretanto, verificamos facilmente que o circuito equivalente no est completo, pois sabemos que a corrente do emissor aparece no coletor multiplicado por
a, o que no pode ser traduzido simplesmente pela presena das duas resistncias
acima citadas. necessrio acrescentar uma fonte de corrente, entre os terminais
coletor e base, de valor o:ie, que representa exatamente o efeito desejado. Temos,
ento, o circuito da Fig. 3.49.
i.
ie
E0------..,
~---------~---~-----__~C
I~
'cb
B
Fig. 3.49. Circuito equivalente intuitivo de um transistor na ligao BC.
Para mostrar que este circuito ainda no est completo, basta observar a Fig.
3.28, onde ilustramos o fato de as caractersticas no serem horizontais: quando
aumentamos - VCB (em valor absoluto), a corrente Ic aumenta ligeiramente para
manter a mesma corrente de emissor. No exeinplo da Fig. 3.28, Ic varia de 0,91
mA a 0,93 mA para manter IE = 1 mA, quando - VCB varia de 2 a 10 volts.
Podemos esquematizar do seguinte modo:
VCB aumenta,
Ic
aumenta para manter IE constante,
mas IB =IE -IC e,portanto,

IB (e, conseqentemente,
VEB) dever diminuir para manter IE constante.
Conseqentemente, o aumento de VCB causa uma diminuio em VEB (e em

18), e este fenmeno pode ser traduzido no nosso circuito equivalente incluindo um
gerador de tenso em srie com Teb, tendo o valor /J.Vc onde /J. um fator de proporcionalidade a ser determinado. O circuito equivalente intuitivo completo apresentado na Fig. 3.50.
--
--
i.
ic
-lie
rcb
+
Vc
Fig. 3.50. Circuito equivalente intuitivo completo de um transistor ligado com a base comum.
118
ESTUDO
DOS TRANSISTORES
/ CAPo 3
Observe que quando Vc variar, ;;,vc variar e, conseqentemente, ve = ie'eb +

variar.
Na realidade, o gerador introduzido traduz um efeito importante em um transistor, que uma dependncia das grandezas de entrada em relao s grandezas de
sada.
Em resumo, a Fig. 3.50 apresenta o circuito equivalente completo intuitivo
de um transistor com a base comum, onde, eb , "cb , a e J..L so os parmetros do
mesmo. Notamos que o circuito intuitivo de fcil obteno para a ligao BC,
mas tornar-se-ia mais complicado se fosse tentada uma representao em EC ou CC.
Por outro lado, os parmetros no so de fcil determinao, no podendo ser medidos diretamente. Devido a esses motivos, procurou-se obter circuitos equivalentes
mais prticos, e foram desenvolvidos o circuito equivalente em T e o circuito equivalente hbrido, descritos a seguir.
+ J.i.V c tambm
3.1.5.3. "Circuito Equivalente em "T"

At alguns anos atrs, era bastante utilizado o circuito equivalente em T, o
qual, embora tambm fizesse uso de parmetros de determinao indireta, tinha a
vantagem sobre o circuito intuitivo de apresentar um s gerador em vez de dois, e
de ter os pontos do emissor e do coletor ligados entre si, o que simplificava o clculo dos circuitos complexos. O circuito equivalente em T, mostrado na Fig. 3.51,
apresentado aqui pelo seu valor histrico e para ilustrar o tipo de anlise que pode
ser feita para relacionar dois circuitos equivalentes diferentes; hoje em dia, seu uso
foi substitudo pelo do circuito equivalente hrbrido, cujos parmetros podem ser
medidos diretamente.
re
ic
--
L~
ia
v.J
r'
b
V,
8
Fg, 3.51. Circuito eq uivalente em T de um transistor na ligao Be.
Para manter a validade do modelo, necessrio relacionar os parametros do

circuito em T, tambm chamados parmetros r com os parmetros j conhecidos
do circuito intuitivo. De que maneira isso realizado? Simplesmente escrevendo as
equaes dos dois circuitos e comparando os parmetros. Vamos primeiro escrever
Ve em funo de ie e ic.
Os dois circuitos
foram desenhados
novamente
na Fig.
3.52, com as correntes indicadas em detalhes, para poder escrever com mais facilidade as equaes.
119
.1 1 / TRANSISTOR SIPOLAR
No circuito equivalente intuitivo,

ve=iereb
Como
+ exie)rcb.
(3.7)
+/1(ic+Qie)rcb
(3.8)
v, =(ic
temos
ve=iereb
ou
= ieC'eb + 1100rcb) + Wcb
ve
(3.6)
+p.vc
(3.9)
io
No circuito em T;
ve
ou
+ (ie + ic)rb"
= i,'e
ve = ie(re
(3.10)
+ 'b') + ic'b'
E0--=.,
(3.l1)
..
+
'Cb
v1
1~
Ia)
o-------~--------------oB
Ib)
Fig. 3.52. Comparao dos circuitos equivalentes intuitivo e em T para um transistor na ligao
Be: (a) circuito intuitivo; (b) circuito em T.
Comparando as Eqs. 3.9 e 3.11, temos:
(3.12)
'b = I1rcb
e
'e
+ 'b'
'e = 'eb
= 'eb
+ Jl.Q'cb
+ /lQTcb -
/l'cb
'e =reb -Wcb(1-Q)
(3.13)
(3.14)
(3.15)
Vamos agora escrever vc em funo de ie e ic.

No circuito intuitivo;
(3.16)
ou
(3.17)
ESTUDO
120
DOS TRANSISTORES
/ CAP. 3
No circuito em T:
vc
ou
= (ie + a ie}Te + (ie + ie}Tb'
(3.18)
+ aTe) + ie(re + rb').
(3.19)
ve = ie(rb'
Comparando as Eqs. 3.17 e 3.19, temos:

reb=re+rb'
ou, tendo-se em vista a Eq. 3.12, podemos escrever:

reb
e, portanto,
= Te + jJrcb
(3.20)
(3.21)
re = (1- jJ)reb'
E ainda:
(3.22)
ou
(3.23)
= Teb(a-J..l)
a=
Teb
e, finalmente,
a=--
(I
jJ)'
a-jJ
l-Ji'
(3.24)
(3.25)
Conhecidos, ento, os parmetros reb, reb, a e ,u,torna-se possvel calcular os

parmetros (re, Tb', Te e a), do circuito equivalente em T, mais simples de manejar.
O quadro a seguir resume as frmulas de transformao dos parametros.
Dados
Parmetros do circuito em T
Te = Teb - JiTeb (1 -a)
ri>
j.J.reb
Te =
(I -
,u)Teb
a-Ji
= I-J..l
~ interessante notar que, no circuito equivalente intuitivo, a nterao entre a

sada e a entrada representada pelo gerador ,uVe em srie com reb, enquanto que,
no circuito equivalente em T, esta nterao representada por n'. Alm disto,
como IJ. um nmero muito pequeno (10-4, por exemplo), temos que a ~ a , Te~
~Teb,
mas rj,'
*Teb
eTe *Teb'
O processo descrito acima pode, muitas vezes, ser seguido: se for desejado
um certo circuito, a partir de um outro j conhecido, desenha-se o novo circuito,
escrevem-se as equaes dos dois e, comparando os valores dos componentes, tm-se

dois circuitos absolutamente idnticos, quando vistos da entrada e da sada, um dos
quais pode ser prefervel para uma certa aplicao.
.11 / TRANSISTOR S/POLAR
121
3.1.5.4. Circuito Equivalente Hbrido
o circuito equivalente que acaba de ser visto foi deduzido a partir das caractersticas fsicas do transistor. Outros circuitos, mais apropriados em muitos casos,
podem ser construdos a partir de consideraes mais ligadas s funes do transistor dentro de um circuito eltrico, sendo calculadas a seguir as relaes entre os parmetros dos diversos circuitos equivalentes.
Um destes circuitos, o chamado circuito equivalente hbrido (ou H), encontra
grande aplicao, e seus parmetros so geralmente fornecidos pelos fabricantes,
para os transistores de baixa e mdia freqncia. interessante notar tambm que
esses parmetros podem ser medidos diretamente no transistor. Esse circuito origina-se quando se considera o transistor como sendo um quadripolo, ou seja, um
conjunto de componentes eltricos representados simplesmente por uma caixa,
com quatro terminais externos (Fig. 3.53). Sabemos que o transistor s possui trs
terminais, mas como um dos trs sempre comum entrada e sada, podemos represent-lo por meio de um quadripolo, lembrando que dois terminais - um de entrada e outro de sada - , so na realidade um nico terminal (ver Se. 3.1.3.2).
Estamos interessados somente nas grandezas que podem ser medidas no exterior da
caixa - tenses e correntes alternadas em torno de um certo ponto de operao
DC.
Fig. 3.53. Quadripolo.
Se a excurso do sinal em torno do ponto de operao pequena, podem ser

escritas relaes lineares entre as quatro grandezas. Para deduzir o circuito equivalente que aqui nos interessa, vamos exprimir a tenso de entrada VI e a corrente de
sada;2 em funo da corrente de entrada il e da tenso de sada V:z:
VI
2
= hs
= hz I
+ hi z V2;
+ h2 2 V2
Os fatores h u , hs , h:l1 e h22 so justamente

equivalente e so chamados parmetros H ou hbridos.
cada um destes parmetros, entenderemos por que o
equaes acima chamado circuito equivalente hbrido.
Faamos primeiro V2 = O: isso equivale a colocar
polo. Nesse caso temos:
(3.26)
(3.27)
os parmetros do circuito
Analisando o significado de
circuito obtido a partir das
em curto a sada do quadr-
(3.28)
Verificamos que h11 a relao entre a tenso e a corrente de entrada. Tem,
portanto, a dimenso de uma resistncia, sendo a prpria resistncia de entrada do
122
ESTUDO OOS TRANSISTORES / CAPo 3
quadripolo (ou seja, do transistor), isto , a resistncia vista entre os terrninais de

entrada do mesmo, quando a sada est em curto-circuito.
Que vem a ser h21 ? a relao entre a corrente de sada e de entrada do quadripolo. , portanto, um nmero adirnensional que representa o ganho de corrente
do transistor, ainda com a sada em curto.
Da mesma maneira, fazendo agora i1 = O, o que equivale a deixar a entrada
em aberto, temos:
ic= O.
(3.29)
Vemos que h12 um nmero adirnensional, relao entre as tenses de entrada e sada: um ganho de tenso inverso (com a entrada aberta). Finalmente, h22,
relao entre a corrente e a tenso de sada, tem a dimenso do inverso de uma resistncia, ou seja, de uma condutncia, sendo a condutncia de Sada do transistor.
, ento, o inverso da resistncia vista entre os terminais de sada, quando a entrada
est aberta.
Resumindo, h12 e h21 so nmeros adimensionais, hi: uma resistncia e
h22 uma condutncia. Por isso, esses parrnetros e, conseqentemente, o circuito
equivalente correspondente, so chamados hrbrdos.
Nota-se que, escolhendo
outras equaes para representar o quadripolo, poderamos ter chegado a parmetros com dimenso de resistncia ou de condutncia, unicamente.
Notamos, ainda, que todas as consideraes acima foram feitas para um quadripolo genrico, sem levar em conta qual o terminal comum do transistor.
Portanto, os resultados aplicam-se, qualquer que seja a configurao na qual o transistor utilizado: para cada uma delas, teremos parmetros com valores diferentes.
Para distngui-los, sero acrescentados a cada um dos parmetros os ndices e, b, c,
de acordo com a ligao -EC,BC e CC,respectivamente. Desse modo, podemos
traar agora o circuito equivalente hbrido genrico para o transistor, lembrando
que h12 e h21 so admensionas, que h u uma resistncia e h22, uma condutncia,
obtendo a Fig. 3.54.
i1
+0------.,.
,..----r-----Q+
Fig. 3.54. Circuito equivalente hbrido genrico.
123
Com efeito, comparando o circuito com as equaes, vemos que, quando a

sada curto-crcuitada (V2 = O), temos, realmente, VI = hll,il
ei2 = h21,ii ,e,
quando a entrada aberta (i1 = O), temos VI = h12 V2 e i" = h22 v".
Para particularizar o circuito para uma das trs ligaes, basta colocar o ndice
correspondente nos parametros (e, b ou c) e identificar VI e i, e Vl e ;2 como as
tenses e correntes de entrada e sada, respectivamente, da ligao em estudo.
Na Fig. 3.55, ilustramos o circuito equivalente hbrido de um transistor ligado com o emissor comum.
B ..!L.+0-----,
E
Fig. 3.55. Circuito equivalente hbrido de um transistor ligado com o emissor comum.
Notamos ainda que, em vez dos ndices 11, 12,21 e 22, so utilizados comumente os seguintes ndices:
=
=
o
f
II (do
22 (do
21 (do
12 (do
ingls input , entrada);

ingls output, sada);
inglsforward, para frente);
ingls reverse , reverso).
Por exemplo:
hie
= hs: e = resistncia
de entrada do transistor em EC com sada em
curto;
h/b
=h
21
= ganho
de corrente direto do transistor em BC, com sada

em curto etc.
Podemos reparar que os parmetros hfb e hfe correspondem aos valores que
definimos anteriormente como o: e {3,respectivamente.
O leitor deve ter notado que o circuito da Fig. 3.54 exatamente aquele do
circuito equivalente intuitivo da Fig. 3.501 Surge, ento, a pergunta: qual a utilidade de todas essas consideraes a respeito de quadripolos? A resposta que o circuito da Fig. 3.50 era intuitivo somente para a ligao BC, enquanto que os circuitos equivalentes hrbrdos so mais gerais, pois so vlidos para qualquer ligao, mo1 Notar que, na Fig. 3.55, o gerador est representado
com sentido oposto ao da Fig.
3.50; entretanto, conforme pode ser verificado no exemplo a seguir, o parmetro h21 b negati-
VO.
124
/ CAP. 3
dificando somente os parmetros. Comparando agora o circuito hbrido com o circuito em T, verificamos que o segundo varia de uma ligao para outra, utilizando,
entretanto, os mesmos parmetros,
Apresentamos a seguir os valores dos parmetros H para o transistor OC711
da IBRAPE, na ligao BC, no ponto de operao - VCR = 2 V, -IE = 3 mA e para
t= 1.000 Hz e T= 25oC:
h nb = 17n;
h12b =8.10-4;
h21 b = -0,979;
hnb = 1,6 pn-1 ;.
Para a ligao EC, no ponto de operao - VCE
25oC, temos:
= 2 V;
-Ic
= 3 mA
e para
t= 1.000 Hz e T=
hll e = 0,8 kn;

h12e
= 5,4 ,10-4;
h21e
= 47;
h22e = 80j.ln-1
Para maior ilustrao, apresentamos tambm os valores dos parrnetros H para
dois modernos transistores de silcio, para Ic = 2 mA, VCE = 5 V;f= I kHz e T=
= 25C;
para o transistor BC546A:
llle
h12e
=
=
1,5 X 10-4;
220;
h21 e
h22e
2,,7k!1;
18 j.tn-1
E para o transistor BCS47C, nas mesmas condies:

h11e
8,7 kS1;
hn; = 3 X 10-4;
h21e
600;
h22e = 60
,un-1
Comparando os dados acima, o fato que mais chama a ateno o grande

aumento do ganho em EC (dado pelo parmetro h21e), de 47 para 220 (BC546A),
e para 600 (BCS47C), atribuvel ao uso do silcio em vez de germnio, como era o
OC71, e ao grande avano das tcnicas de fabricao nos transistores modernos.
Devemos notar que todos os parmetros mantm-se dentro de uma faixa de
tolerncia de fabricao, tendo sido apresentados acima os valores tpicos .. ObserI
Transistor j obsoleto. Ver comentrio no Prefcio.
3..1 /TRANS/STOR
8/POLAR
125
vamos tambm que os parmetros H (como todos os outros parmetros) dependem

do ponto de operao do transistor; com efeito, sabemos que o parmetro
a (= - h21 b) e a inclinao das curvas caractersticas, que so relacionadas com esses
parmetros, modificam-se com a tenso e a corrente do coletor. E como os parmetros variam tambm com a freqncia de operao e a temperatura, justifica-se
mencionar todas essas condies quando so oferecidos dados numricos para os
parmetros.
Notamos tambm que, tendo em vista que hi: e h22 so sempre muito pequenos, eles podem ser desprezados, numa primeira aproximao, para efeito de anteprojeto e conhecimento da ordem de grandeza dos resultados, ficando o circuito
equivalente do transistor simplificado, conforme mostra a Fig. 3.56. Esse circuito
simplificado cotresponde a desprezar a condutncia de sada do transistor (h22) e o
ganho inverso (hl2), ou seja, a influncia da sada do transistor sobre a entrada - a
chamada realimentao interna do transistor.
A validade dessas aproximaes
depende obviamente do circuito onde o transistor est sendo utilizado e da preciso desejada para os clculos.
Fig, 3.56. Circuito equivalente hfbrido simplificado de um transistor.
3.1 .5. S. Medio dos Parmetros "H"

Vamos apresentar agora circuitos para medio dos parmetros H; para essa
finalidade, vamos lanar mo das definies dos parmetros, dadas em (3.28) e
(3.29) e procurar reproduzir num circuito as condies exigidas para a determinao dos mesmos.
Considerando os parmetros em BC, vemos, na Fig. 3.57, um circuito que
permite a medio de hl1 b- Para fixar o ponto de operao desejado, a tenso
quiescente do coletor obtida atravs da bateria varivel Vcc . e a corrente quiescente do emissor atravs da bateria varivel VE E' O gerador vs excita o circuito na
freqncia de interesse; para evitar que esse sinal seja desviado atravs de R2 (um
resistor de proteo) e da bateria VEE, em vez de entrar no transistor, a indutncia
126
L colocada em srie, funcionando - naquela freqncia - como uma impedncia

muito elevada, aproximando-se de um circuito aberto para o sinal.
Fig. 3.57. Circuito de medio para o parmetro h 11 b-
Fig.3.58. Equivalente AC do circuito da Fig.3.S7.
Do ponto de vista AC, o circuito simplifica-se para aquele da Fig. 3.58, e

podemos identificar as tenses VI e V2 da Fig. 3.54 com-v, e vc, respectivamente,
as correntes iI e ix com ie e ic, respectivamente. Particularizando agora a definio
de h u dada em (3.28) para a ligao BC, temos:
h11
VI I
= -:-11
V2
3.1 / TRANSISTOR
SIPOLAR
127
Temos ento ie ==
~1
ve ,desprezando
a capacitncia de C na freqncia
de operao. Utilizando uma tenso do gerador vs muito maior que a tenso emissor-base Ve, podemos escrever ie == ~~
,e
Ve
h11b ==-.Rl.
Vs
Medindo ento ve e v. obtemos hn b.

Com o mesmo circuito, porm acrescentando o resistor R3 , Fig. 3.59, medimos agora h21 b dado por:
h21b == ~21
'I
V2 ==
'e IVc
== ~c
==
Entretanto, como o valor de h21b (igual a- a) muito prximo da unidade, tomase mais fcil medir I + h21 b : Conseqentemente:
I
h21 b == 1
~c
'e
I
Vc
== ie :- c
j que a corrente atravs R, ie
'e
vc
O -
R3
X RI
VS '
_ V3
ic - R3 .
Notamos que para o sinal AC, ainda podemos considerar v c aproximadamente

igual a zero, pois a fraca corrente de base produz no resistor R3 (de baixo valor)
uma queda muito baixa. Medindo ento V3 e vs, calculamos hZ1 b-
Fig.3.59.
Circuito de medio para o parmetro h21 b.
o circuito da Fig. 3.60 permite a medio de hiz. A polarizao do transistor obtida da mesma maneira explicada anteriormente, e o gerador "s agora
colocado no coletor. Devido presena da ndutnca L, o lao do emissor considerado aberto na freqncia de operao, e ie = O.
128
Temos ento, usando (3.29):

h1Zb = :~
I.
li
Ve
V
I
ie
e medindo ve e vc, obtemos h1Zb.
ic
Vc
Fig. 3.60. Circuito de medio para o parmetro h 12 b-
Acrescentando ao circuito precedente o resistor R3 (Fig. 3.61), temos:

hzzb=-
iz
V2
I
il
= O
j que a corrente em R3 ic (pois ie

h22 b.
ic
=-
Vc
= O) e
ie
ic = ~
R3
V3
=-x--
R3
1
VC
Medindo
V3
e vc, obtemos
Vcc
Fig. 3.61. Circuito de medio para o parmetro h21b.
3. 1 / TRANSISTOR
129
SIPOLAR
Da mesma maneira, podem ser projetados circuitos para medio dos parmetros li nas outras ligaes, ou ainda, podem ser calculados a partir dos parmetros medidos na ligao base comum.
Uma vez escolhido o tipo de circuito equivalente a ser utilizado numa determinada aplicao e conhecidos os parmetros correspondentes, podemos calcular as
caractersticas do transistor como amplificador.
3.1.6.
CARACTERSTICAS DE AMPLIFICAO
Agora que j estudamos alguns circuitos equivalentes do transistor com seus

respectivos parmetros, podemos determinar as caractersticas de amplificao do
mesmo, sem ter que recorrer s curvas caractersticas. Quais as grandezas que necessitamos conhecer, quando o transistor utilizado como amplificador? Os ganhos
de tenso e de corrente e as resistncias de entrada e de sada. Notamos que os parmetros li correspondem exatamente a essas grandezas, nos casos particulares da
sada em curto ou da entrada aberta. Ora, quando o transistor est funcionando
normalmente num circuito complexo, nenhuma dessas condies preenchida:
existem resistncias externas na entrada e na sada. Procuraremos, ento, calcular
essas grandezas em funo dos parmetros do transistor e das resistncias externas
do circuito. E, aps aplicar esses conceitos ao caso do circuito equivalente hbrido,
estaremos em condies de fazer uma comparao entre as caractersticas de amplificao do transistor em cada uma de suas ligaes, confirmando os resultados aproximados mencionados no final da Se. 3.1.4.4.
3.1.6.1.
Caractersticas de Amplificao em Funo dos Parmetros "H"
Seja o transistor da Fig, 3.62 ligado em Be, destinado a amplificar o sinal do

gerador eg - o qual tem uma resistncia interna Rg - e fornecer o sinal amplificado
resistncia de carga RL. Notamos que, nesta figura, no foi representado o circuito de polarizao do transistor, j que estamos interessados somente no funcionamento alternado. Salientamos tambm que a anlise a seguir vlida para
transistores PNP e NPN.
Fig. 3.62.
Amplificador
constitudo
rizao no est representado).
por um transistor
com a base comum (o circuito de pola-
130
ESTUDO
DOS TRANSISTORES
/ CAPo 3
Vamos substituir o transistor pelo seu circuito equivalente, obtendo a Fig.

3.63. Sejam vj e vo as tenses de entrada e de sada e ij e io, as correntes de entrada
e de sada, respectivamente. O transistor tratado como quadrpolo e so dados os
parmetros hj (= hu),ho (=h'l'l),hf(::h'ld
e hr(=h12). Colocamos na entrada do
circuito o gerador eg em srie com o resistor Rg (que pode ser considerado como a
resistncia interna do gerador).
I;
- - - -
r-N!
I
I
I
I
I
I
I
Vi
-- - -,
N/J
h,ii
I
I
I
L __
- -
ho
I
I
I
I
I
I
- - - -
..J
Fig.3.63. Circuito equivalente de um amplificador utllizan~o p~metros hfbridos,
Verificamos que o estudo que vamos fazer inteiramente geral, aplicando-se

a qualquer uma das configuraes, desde que os parmetros sejam os correspondentes configurao em estudo. Por exemplo, se for o caso de um amplificador com
transistor ligado em base comum, teremos hjb ' hrb, hfb e hOb.
Considerando os ns I e 11, podemos escrever:
N]:
.
v/-h,vo
'1=
h,
ou vj=hjij+hrvo;
N lI:
= hfij + ho "o ;
mas como "o = - io RL' temos
io
- ~; = hJi; + ho voou
O = hfil
+ (ho +
R~)vO
'
ou seja, temos o seguinte sistema:

Vi
= hjij + hrvo'
0= hfij +(ho
+ R~ ho'
Para resolver esse sistema, calculando Ij e io, podemos utilizar a regra de

Cramer. Chamando 6 o determinante do sistema, temos;
RL
3./ / TRANS/STR
S/POLAR
131
hi
I::.
+ -1
RI
h,
Vi
+ RL
--------=--~
ij =
ho
'I::.
hj
vi
hf
Vo =-------
o ganho
de corrente, que denominaremos Ai, ser:
- Ri1 (- hfVj)
yo
io
Aj=-.- =
'i
RL
ii
vj(ho
+R
ho
+ RI
o ganho de tenso Av ser:

1
t:(-
Vo
h/Vi)
Ay=- =---vi
Vj
- hf
- hfRI
- hf
-:::::
I::.
hj
lJ;,RL
I::.h
+ hj
RI
A resistncia de entrada
rj
ser:
hj
Vi
ri :::::
-:- ==
li
Vi X I::.
RL
----1-
:::::----=
vi (ho
+ -)
RL
ho
IJ.h
hi
1
+-
RL
+ I::.h RL
ho RI
132
Verificamos, corno era de esperar, que essas trs caractersticas (Ai, Av, ri)
dependem da resistncia de carga RL, mas no d resistncia do gerador Rg,j que
consideramos a tenso de entrada como sendo Vi e no eg, e que a corrente que entra no transistor a mesma que sai do gerador.
Para determinar a resstenca de sada, ve , colocamos em curto o gerador eg
(mantendo no circuito o resistor Rg) e aplicamos urna tenso Vo na sada no circuito, como indica a Fig. 3.64.
ij
R,
MALHA
io
no II
Vi
hf ij
ho
h, Vo
Vo
Fig. 3.64. Circuito utilizado para clculo da resistncia de sada,
o'
Vamos agora escolher corno equaes do circuito a equao da malha I e a

equao do n 11.
- h,vl()
Malha!:
i = ---I
hi + Rg
N lI:
io = hfii
A resistncia de sada
Vo
ro - -
io
70
hev .
ser:
- ---------
Vo
h (h,vo
)
f hi + Rg
=
- hJh,
hi + Rg
+ ho ve
_-::--:-h.:..i _+--::-R-7g,---:--:--:::- hfh, + hiho + hoRg
hi
~
ho
Rg
hoRg .
A resistncia de sada, por sua vez, no depende de RL (que no foi conside

rada no circuito da Fig. 3.64), mas depende de Rg.
3. 1 I TRANSISTOR BIPOLAR
133
Resumindo os resultados, temos as expresses (3.30) a (3.33) nas quais, frisamos novamente, devemos substituir os valores dos parmetrosH da ligao consideradas para obter as caractersticas daquela ligao.
io
hf
Ai =-;- = -~-li
1 + hoRL
(3.30)
Vo
Av
Ti
TO
(3.31)
Vi
Vi
=_=
ii
vo
ii
~RL
1
I:::.h
+ hI
hoRL
hi
Rg
hoRg
(3:32)
(3.33)
onde
~
= hiho - h,hf .
Somente para confirmar, o leitor pode verificar que, substituindo RL = O

(isto significa colocar a sada em curto) nas equaes de Ai e ri, obtemos Ai = hf
e ri = hi, confirmando as definies dadas para estes dois parmetros: ganho de
corrente e resistncia de entrada, ambos com a sada em curto-circuito.
Vale a pena introduzir neste ponto algumas noes complementares acerca
dos circuitos equivalentes apresentados. Referindo-nos Fig. 3.,0, o leitor observa
que neste circuito foram apenas consideradas resistncias e fontes, no tendo sido
levadas em conta as capactncias existentes entre os diversos terminais do transistor. Analogamente vlvula a vcuo, em que consideramos as capactancas ntereletrdicas Cgp (grade-placa), Cpk (placa-catodo) e Cgk (grade-catodo), poderamos
ter considerado as capactncias entre a base e o emissor e a base e o coletor, as
quais correspondem, no caso de um transistor funcionando na regio linear, s capacitncias de junes polarizadas direta e inversamente, respectivamente. :e bvio
que, se ntroduzrmos as capactncias mencionadas, no teremos mais "resistncias" de entrada e sada, mas sim, no caso geral, "mpedncias" de entrada e sada.
De modo correspondente, os ganhos Ai e Av dependeriam destas capactncas, o
que na realidsde explica a variao destes valores com a freqncia.
Na Fir,. 3.65, repetimos a Fig. 3.50, correspondente ao circuito equivalente
intuitivo de um transistor ligado com a base comum, desta feita incluindo as capacitncias Ceb e Ccb entre o emissor e a base e o coletor e a base, respectivamente.
134
ESTUDO
DOS TRANSISTORES
/ CAP. 3
Por exemplo, se quisermos realizar qualquer clculo relacionado a este transistor, devemos agora considerar as reatncias ---
e ---
21rf Ceb
,onde
f a freqn-
21rf Ccb
cia considerada. Quando fazemos uma anlise em baixa e mdia freqncias, retiramos as capactncias do circuito, recaindo, ento, no estudo feito anteriormente.
Para altas freqncias, entretanto, imperiosa a considerao dos elementos reatvos do transistor.
ie
ic
Ceb
ve
.olie
rcb
Ccb
Vc
Fig. 3.65. Considerao das capacitncias intereletrdicas.
3.1.6.2.
ComparaioEntre
ficador
as Trs Ligaes do Transistor como Ampli-
Estamos, agora, em condes de comparar o desempenho do transistor como

amplificador, de acordo com o tipo de ligao, complementando as noes apresentadas. Basta estudarmos a variao das caractersticas Ai,Av, e ri em funo da
resistncia de carga e a variao de ro em funo da resistncia do gerador, para
cada configurao. Este estudo ser feito utilizando os parmetros H. Inicialmente, vejamos a variao da resistncia de entrada.
Utilizando a expresso (3.32),
i::lhRL
ri = 1
+ hi
hoRL '
verificamos os casos extremos:

- quando RL tende a zero,
ri
tende para hi;
- quando RL tende para o infmito,

/':,.h
ho
ou
ri
tende para
hiho - h,hf
ho
h. _ hrhf
I
To'
3.1 / TRANSISTOR
135
BIPOLAR
Colocando na expresso de Ti, valores tpicos dos parmetros H para um dado

transistor na ligao BC, por exemplo, obtemos, variando o valor de RL de zero a
infinito, a CQ1Vaem BC da Fig. 3.66. Repetindo o clculo com parmetros para as
ligaesEC e CC.obtemos as outras curvas da mesma flgura.
Fig. 3.66. Resistncia de entrada em funo da resistncia de carga para as trs ligaes do transistor.
Observando as curvas traadas na Fg, 3.66, podemos tirar as seguintes concluses: para uma resistncia de carga pequena, a resistncia de entrada da ligao
BC pequena e praticamente independente da carga; para a ligao EC, Ti maior e
ainda independente da carga; crescendo RL , ambas as resistncias tendem para aproximadamente o mesmo valor; para o estgio CC, a resistncia de entrada igual
quela da ligao EC para RL = O e cresce rapidamente com o aumento da carga.
Passemos agora a analisar como a resistncia de sada To varia em funo da
resistncia do gerador Rg. Utilizamos a expresso (3.33):
To =
hi
6.h
Rg
hoRg ,
h
h
I
; quando Rg tende
quando Rg tende para O, To tende para 6. ~ = h
h
;ho - hrh
I
para 00 ,To tende para - .
ho
Variando agora o valor de Rg de zero a nfinto e introduzindo em (3.33)
valores para os parmetros nas trs ligaes, obtemos as trs curvas da Fig. 3.67.
Vemos ento que, para baixos valores de Rg, To baixa em CC, e para valores
altos de Rg, to elevada em BC. A resistncia de sada mantm um valor intermedirio no caso da ligao EC.
ESTUDO
136
DOS TRANSISTORES
/ CAPo 3
'0
'~
l::.he __
""",-
.i:
hOe
111COLETOR
hic
l::.hc--
__
I--__
CO~
_,_
hoc
Rg
Fig. 3.67.
transistor.
Resistncia de sada em funo da resistncia do gerador para as trs ligaes do
Vejamos agora a variao do ganho de corrente Ai, dado por (3.30):

_
Ai - 1
hr
hoRL '
quando RL tende para , Ai tende para hr ; quando RL tende para 00, Ai tende
para O.
Repetindo o processo descrito acima, obtemos as trs curvas da Fig. 3.68.
Ai
COLETOR COMUMIII
/
h
,/
t~
htb _
EMISSOR COMUM
II
~----------~
BASE COMUM 1
O~
~~
R
L
Fig. 3.68. Ganho de corrente em funo da resistncia de carga para as trs ligaes do transistor.
137
3.1 / TRANSISTOR BIPOLAR
Da Fig. 3.68, chegamos s seguintes concluses: para RL pequeno, os ganhos

de corrente em EC e CC so bem maiores que em BC e praticamente iguais entre
si, com uma pequena vantagem para a ligao CC; crescendo RL, Ai diminui no
caso das ligaes EC e CC, enquanto Ai em BC mantm-se aproximadamente
constante; para valores altos de RL, os trs ganhos decrescem, sendo praticamente iguais.
Devemos agora, como ultimo passo, considerar a variao do ganho de tenso Av, utilizando a expresso (3.31):
quando RL tende para O, Av tende para O; quando RL tende para oo,Av tende para
_ hf
Lh .
Repetindo novamente os clculos, temos as trs curvas da Fig. 3.69, nas quais
podemos ver que o ganho de tenso cresce com RL , exceto para a ligao CC,
onde praticamente constante.
Av
G~
~~RL
_ ht e
b.. he
Fig. 3.69. Ganho de tenso em funo da resistncia de carga para as trs ligaes do transistor.
Podemos agora, comparando as Figs. 3.66,3.67,3.68

e 3.69, resumir os pontos importantes. Em primeiro lugar, diremos que a ligao EC a mais utilizada,
por apresentar os maiores ganhos de corrente e de tenso, na faixa normal das resistncias de carga, e por oferecer resistncias de entrada e de sada mdias. As ligaes BC e CC encontram utilidades nos casos em que as resistncias externas tm
valores baixos ou altos, em que desejada ainda uma amplificao razovel, ou nos
casos em que so procuradas altas ou baixas resistncias de entrada ou de sada.
ESTUDO
138
DOS TRANSISTORES
/ CAPo 3
Esse ltimo caso chamado um casamento de resistncias ou mais geralmente um

casamento de impedncias.
Para rpida consulta, apresentamos, a seguir, um quadro, no qual so resumidas as caractersticas de cada ligao, dando ainda, entre parnteses, um valor tpico para cada grandeza. Devemos ressaltar que se trata apenas de fornecer uma
ordem de grandeza desses valores, os quais variam muito de acordo com o tipo de
transistor e as resistncias externas.
LIGAO
BC
CC
EC
pequena
mdia
grande
ri
(50 n)
(1,2 kn)
(2 Mn)
grande
mdia
pequena
ro
(200 kn)
(30 kn)
(50 n)
baixo
alto
alto
Ai
(." 1)
(100)
(\00)
alto
alto
baixo
Av
(1.000)
(1.000)
(1)
mdio
alto
pequeno
(1.000)
(100.000)
(100)
Ganho de potncia = A r4 v
Exerccio 3.2
O transistor T2 do circuito da Fig. 3.70 tem os seguintes parmetros:
hie
hfe
= 50,
1 kn.
hre
= 6 X 10-
hoe
= 25 umhos,
Calcular:
A carga De do transistor T, .
b) A carga A C do transistor T, .
a)
Fig.3.70.
'0 circuito do Excrc. 3.2 (valores dos rcsistorcs em ohms).
3.1 / TRANSISTOR
BIPOLAR
139
Nota: Vimos, no Exerc. 3.1, a maneira mais simples de polarizar um transistor. Vemos,
na Fig, 3.70, a maneira mais usual, aquela que fornece mais estabilidade para o ponto de operao, quando a temperatura varia. No caso do transistor T" os resistores de polarizao so:
resistor do coletor Rs, resistores de base R 3 e R . Esses resistorcs tm que ser levados em conta,
quando do clculo das cargas DC e AC dos transistores.
Soluo. a) Tendo em vista que o capacitor C, isola a tenso contnua do coletor de TI
do resto do circuito, a carga De de TI constituda pela soma dos rcsistorcs do coletor e do
emissor:
RDC = R I + R, = 4,7 + 3,3 = 8 k.\1.
este valor que ser utilizado para o traado da reta de carga
De
do transistor TI .
b) A carga AC, vista do coletor de TI' ser dada pelo valor do paralelo dos resistores
R I , R 3' R4 e da resistncia de entrada de T2, ou seja, de ri de T2 (o resistor R2, sendo curtocircuitado pelo capacitor C, para sinais alternados, no entra no clculo).
Ento:
RAe=RIIIR3I1R.llri
Precisamos, ento, calcular ri; j obtivemos a expresso (3.32):

f},hRL + hi
ri
1 + ho RL
que, no caso da ligao do emissor comum, deve ser considerada como

6heRL + hie
ri =
1+ hoeRL
onde RL representa a carga AC de T2, isto , a associao em paralelo dos resistores R; eR.:
RL =Rs
Para
f},he'
R.
= 680111.000 =
680
. 1.000
680 + 1.000
405.\1
temos:
6he = hiehoe - hrehfe =
103 25
= 250.10-
.10-6
-
50 =
6 .10-4
=-
300.10-
50 '10-4
Portanto,
ri=
- 50 . 10-4 405 + 103

1 + 25 .10-
.103
_--=2:.:..:,0'--2-::5....,+:-::1-::-.0:....:0_0
....
= 973,6 n.
1 + 0,025
Finalmente:
RAe '- 4.7001110.000114.70011973,6
= 644.\1.
3.1.7 LlMITAOES
Como qualquer outro componente eletrnico, o transistor, no seu funcionamento normal, no deve ultrapassar os valores-limite de corrente, tenso, potncia,
temp~ratura e freqncia, fornecidos pelo fabricante, sob pena de desempenho no
satisfatrio, diminuio do tempo de vida ou mesmo destruio do componente.
s especificaes correspondentes potncia dissipada e temperatura esto
exaustivamente tratadas no apndice, quando discutimos o uso de dissipadores de
calor. Portanto, nesta seo discutiremos, com mais detalhes, as limitaes de corrente, tenso e freq ncia,
140
ESTUDO
3.1.7.1.
DOS TRANSISTORES
/ CAPo 3
Limitaes de Corrente
o fabricante especfica a corrente de coletor mxima absoluta que pode

circular no transistor, embora esta definio no seja muito clara, uma vez que na
realidade, desde que a potncia dissipada no ultrapasse o valor especificado pelo fabricante, a corrente de coletor pode ser aumentada quase sem destruir o material do
transistor. Entretanto, mesmo sem exceder a potncia especificada, a corrente pode
ser to alta que destrua os fios internos de conexo dos dispositivos, embora a corrente necessria para tal seja bem maior que a especificada como corrente mxima
absoluta.
O que acontece que verificamos que o ganho {3 dependente da corrente de
coletar (ver Fig. 3.39) e, portanto, para valores muito elevados de corrente o ganho
praticamente nulo. O que o fabricante faz, ento, estabelecer um ganho mnimo
para {3 e fixar a mxima corrente absoluta para que ele possa garantir este mnimo
de {3.
Na Fig. 3.71 so apresentadas as curvas caractersticas de um transistor e delimitada a faixa possvel de operao, quando pensamos apenas em termos da corrente de coletor.
LlMI
./
./
l.---0,8
0,6
0,4
~AO DE
CORR
---.- .--------
NTE
:::-;-
~
~
/"
:.--
0,2
Vc
o
10
15
20
25
X>
35
40
Fig. 3.71. Delimitao da regio de funcionamento de um transistor, apenas considerando a

limitao de TC.
Ainda com relao especificao de correntes, o fabricante, s vezes, fornece

os valores-limite da corrente de base e da corrente de emissor.
3.1.7.2. Limitaes de Tenso
Como limitao de tenso, o fabricante fornece geralmente os valores mxi-
mos das tenses entre os trs terminais, ou seja, os valores mximos de VEB' VCB e
VCE' quando as junes so polarizadas inversamente. Sabemos que, no funciona-
3.1 / TRANSISTOR
SIPOLAR
141
mento normal do transistor, a juno emissor-base polarizada diretamente, mas o

fabricante costuma dar a tenso mxima inversa, caso a juno venha a ser polarizada inversamente, fato que acontece quando o transistor utilizado como chave.
Quanto juno coletor-base, ela normalmente polarizada inversamente, havendo,
portanto, necessidade de fornecer os valores mximos inversos de VCB e VCE' S6
para lembrana do leitor, devemos mencionar que VCB + VBE
VCE e,portanto,
dados valores a VBE e VCE' VCB' -est automaticamente
defmido: VCB =
= VCE
VBE
Por exemplo, se, num circuito, um transistor de silcio est funcionando

com VBE = 0,6 V e VCE = 10 V (transistor NPN), forosamente a tenso inversa
presente na juno coletor-base ser: VCB = 10 - 0,6 = 9,4 V.
Os limites dessas tenses so fixados devido ao efeito de ruptura que acontece
quando se aumenta a tenso inversa de uma juno, efeito que estudamos em detalhes no Capo 2. Por exemplo, se a tenso inversa entre a base e o coletor for
aumentando para IE = O, ser atingida a tenso de ruptura (tenso Zener) e haver
um brusco acrscimo da corrente de coletor.
Este fato se d tambm para corrente de emissor diferente de zero e em conjunto temos o representado na Fig. 3.72.
Ie
Fig. 3.72. Curvas caractersticas da ligao base comum, mostrando a regio de ruptura.
Com referncia a estafigura, devemos notar que o fabricante fornece a tenso

B V CBO 1 , que a tenso de ruptura entre o coletor e a base com o emissor aberto
(IE
= O).
Geralmente, tambm especificada pelo fabricante a tenso mxima permissvel entre o coletor e o emissor com a base aberta. Esta especificao dada em
termos de B V CEO' a tenso de ruptura entre o coletor e o emissor com a base
aberta. Evidentemente, tambm atingida a ruptura para correntes de base diferentes de zero e conjunto de curvas representativas deste fenmeno ilustrado na Fig.
3.73.
BVCBO: a letraB significa ruptura (em ingls, breakdown).
142
BVCEO
BVCBO
/ CAPo 3
VCE
Fig. 3.73 Curvas caractersticas da ligao emissor comum, mostrando a regio de ruptura.
Outras vezes, o fabricante menciona apenas os valores mximos absolutos

VCEO e VCES entre o coletor e o emissor, quando o terminal base est aberto e em
terra, respectivamente. Por exemplo, a Ibrape apresenta para o transistor Bel07:
Tenso mxima entre o coletor e o emissor com a base
em curto (VBE = O)
VCES
Tenso mxima entre o coletor e o emissor com a base

aberta
VCRO
= 45 V.
50
v.
Outras vezes, o fabricante fornece o valor da fnxima tenso permissvel entre

o coletor e o emissor em funo da resistncia em srie com a base do transistor,
para uma dada corrente de coletor. Por exemplo, a Ibrape apresenta o grfico da
Fig. 3.74 para o transistor BD 115 (transistor de silcio para alta tenso).
vCER (v)
300
---
200
~mA
100
I
~~RRS
o 0,1
RS (kIlJ
10
100
Fig. 3.74. Tenso mxima permissvel entre coletor c emissor em funo de RB para uma dada
corrente de colctor,
143
Finalmente, devemos mencionar que, com relao tenso base-emissor, os

fabricantes fornecem o valor BVEBO correspondente
tenso de ruptura entre a
base e o emissor, quando o coletor est aberto. Outros fabricantes, em vez de indicarem o BVEBO' fornecem a mxima tenso absoluta entre a base e o emissor para
o caso do coletor aberto. Por exemplo, para o transistor Be107, a Ibrape fornece:
VEBO
Mxima tenso absoluta entre o emissor e a base com o coletor aberto

= 6 volts.
Para finalizar este rpido estudo sobre as especificaes de tenso, apresentamos, na Fig. 3.75, as curvas caractersticas de um transistor com o emissor
comum, representando os limites mximos de Ic e VCE'
L1MI ACO
.;
./
--
os
---.----
t...--
0,6
If"'"
0,4
,,-
DE
I-'""
--
OF RE NTE
I~
(J)
~
I-
~ :..9
~
...,
0,2
10
15
20
25
VCE (V)
30
35
45
VCE mdx.
Fig. 3.75. Delimitao da regio de funcionamento

limitaes de I C e V CE'
de um transistor, apenas considerando as
3.1.7.3 Limitaes de Potncia

Alm das limitaes de corrente e tenso, a limitao de potncia das mais
importantes para transistores, como tambm para todos os dispositivos semicondutores e, mesmo, para todos os componentes eltricos. No funcionamento do transistor, o calor gerado na juno coletor-base, onde quase toda a tenso externa ('
aplicada. Por exemplo, num circuito com o emissor comum, a potncia gC1'>)(13no
transistor dada aproximadamente por I C X V CJ:' .
ESTUDO
144
DOS TRANSISTORES
/ CAPo 3
Essa limitao de potncia, ou seja, a mxima potncia que o transistor pode

dissipar com segurana, depende da temperatura mxima permissvel para a juno
(especificada pelo fabricante), da mxima temperatura ambiente de operao do
circuito (avaliada pelo projetista) e dos meios utilizados para dissipar o calor produzido na juno (aletas de resfriamento ou dissipadores de calor). Esse assunto ser
discutido em detalhes no Apndice.
Entretanto, devemos aqui mostrar um aspecto interessante do problema. Consideremos o transistor dissipando a potncia.
P=Ic VCE
Ora, se considerarmos Ic e VCE as variveis e se fixarmos a mxima potncia
que o transistor pode dissipar, Pmx.. devemos ter:
Ic VCE ~Pmx.
Portanto,
dado Pmx. podemos atribuir valores a VCE' verificar o valor de
Ic correspondente e traar a curva representada na Fig. 3.76.

Para os leitores interessados em Matemtica, podemos mencionar que a curva
traada na Fig. 3.76 um ramo de uma hiprbole, pois, chamando x e y as variveis,
xy = constante a equao de uma hiprbole.
I
I
I
I
I
I
I
I
-T--I
---
-----
VCEt
Fig. 3.76. Traado da curva IC X VCE = Consto = P mx: Devemoster ICI

VCE2 =Pmx.
. VCEl = IC2 .
Podemos agora, considerando em conjunto as limitaes de corrente, tenso e

potncia,
apresentar
a Fig. 3.77, onde delimitada
a regio de funcionamento.
.1 7 / TRANSISTOR BIPOLAR
745
o ~~~~~~=t::::j=:r...-JL..JVCE(V)
5
J,5 20 25 30 35 40
VCEmx.
Fig. 3.77. Delimitao da regio de .funcionamento de um transistor, considerando as limitaes de corrente, tenso e potncia.
3.1_7.4.
Limitaes de Temperatura
No Apndice, iremos verificar que a dissipao mxima permissvel para o

transistor depende da temperatura mxima permissvel para a juno, a qual constitui, portanto, uma limitao no uso do mesmo. Outro efeito importante do
aumento de temperatura de causar o crescimento da corrente de fuga leso ' devido, lembramos, ao aumento do nmero de portadores em minoria, liberados pela
quebra de um nmero maior de ligaes covlentes (ver Capo 1). Crescendo lceocresce tambm a corrente leso e, conseqentemente, deslocam-se as curvas caractersticas do transistor, trazendo problemas para a polarizao do mesmo.
3.1.7.5.
Limitaes de Freqncia
. O transistor tambm limitado em freqncia, ou seja, existe um valor mximo de freqncia acima do qual no se pode garantir o seu funcionamento com as
caractersticas de ganho especificadas. Esse fato devido a vrios fatores internos
do transistor, como seja, tempo de trnsito (ou de deslocamento) dos portadores de
carga de um terminal para outro, capacitncias parasitas nas junes, capacitncias
de difuso e transio, fatores que dependem da construo e do processo de fabricao do transistor. Quando a freqncia cresce, o tempo de trnsito dos portadores
de carga pode tornar-se comparvel com a durao de um ciclo do sinal, e as capacitncias tornam-se importantes.
O fabricante costuma especificar a freqncia de corte do transistor, na qual

o ganho - o cx.(hfb) ou (3(hfe) que consideramos at agora - cai a 0,707 do seu valor
146
para baixas freqncias, ou seja, o: ou ~ na freqncia de corte = 0,707 de o: ou ~

em baixas freqncias. Essa freqncia de corte geralmente simbolizada por IC/.,
para a ligao BC, e por I(J' para a ligao EC, a relao entre as duas, tirada da
relao j conhecida entre o: e ~, I(J = IC/.(l - 0:0), onde 0:0 o valor vlido em
baixas freqncias, o que mostra que o transistor pode trabalhar em freqncias
mais altas em BC do que emEC, para a mesma reduo de ganho.
Outra maneira de especificar uma freqncia mxima de operao fornecer
a freqncia na qual o ganho de corrente ~ se torna igual unidade. Esta freqncia
denominada IT e aproximadamente igual a o:JC/. (no esquea que ao o valor
de o:para baixas freqncias).
Podemos, portanto, resumir as seguintes especificaes de freqncia:
IC/.
freqncia de corte para a ligao base comum;
I(J
freqncia de corte para a ligao emissor comum
h=
freqncia na qual ~ = l;[T
= IC/.(1
0:0);
aolC/.
Portanto, se traarmos em um grfico as variaes de ~ e o: com 'a freqncia,

teremos as curvas representadas na Fig. 3.78. Notar que estamos usando, nesta figura, os ganhos em decibel; por exemplo, se, em determinada freqncia, o ganho
o: e, em baixas freqncias ao' o ganho em db relativo a baixas freqncias ser:
ganho em db
o:
2010g -
ao
Geralmente, as freqncias de corte dos transistores comuns so menores que

as freqncias de corte das vlvulas a vcuo e, quando se quer utilizar o transistor
em circuitos de altas freqncias, a anlise torna-se mais complicada e, em geral, lana-se mo de transistores especialmente construidos para trabalhar em altas freqncias.
Acabamos de passar em revista as principais caractersticas e limitaes dos
transistores. De acordo com esses parmetros, existem numerosos tipos de transistores. Vamos citar os mais importantes e, como ilustrao, mostraras caractersticas
e limitaes de um caso tpico.
GANHO DE CORRENTE ( db)
20
10
O~-L __~
-10 '--
f,5
Fig.3.78.
Variao de
C/.
(J
~~L-
__
--:-'--':-_
fT
f (MHl)
ta:
em funo da freqncia de operao de um transistor.
3.1 /TRANS/STOR
3.1.8.
B/POLAR
147
TIPOS DE TRANSISTORES BIPOLARES
Grande o nmero de tipos de transistores oferecidos no mercado por diversos fabricantes. O projetista deve escolher o tipo mais adequado para a aplicao em
vista, levando em conta fatores tcnicos, econmicos e muitas vezes o simples fato
de ter disponvel um certo tipo de transistor.
possvel classificar o transistor que j estudamos, o transistor de juno
bipolar, em vrias subdivises, de acordo com as diversas caractersticas e limitaes, que esto intimamente ligadas s diversas tcnicas de fabricao.
Os transistores podem ser classificados de vrias maneiras. Em primeiro lugar,
podemos divid-los em transistores de germnio e de silcio, sabendo-se que esses
ltimos tm correntes de fuga menores que os correspondentes de Ge, suportando,
portanto, temperaturas de juno mais elevadas.
A seguir, um transistor bipolar pode ser do tipo PNP ou NPN. Tambm podemos classificar quanto freqncia, distinguindo-se os transistores de baixa freqncia, de mdia freqncia, de alta freqncia e de freqncia muito alta, dependendo
do valor da freqncia de corte; um tipo especial de transistor de alta ou muito alta
freqncia o transistor de comutao.
Outra classificao diz respeito potncia: existem transistores de baixa,
mdia e alta potncia, o que depende das resistncias trmicas do transistor e da
temperatura mxima permissvel para a juno, assunto estudado com detalhes no
Apndice.
Para cada tipo de transistor, o fabricante fornece as limitaes do mesmo e as
especificaes que mais interessam em cada caso, como, por exemplo, as caractersticas de dissipao para os transistores de potncia, as caractersticas de comutao para os transistores de mesmo nome e os parmetros do tipo r ou H para os
transistores utilizados de preferncia como amplificadores em baixa e alta freqncia.
Como exemplo de uma folha de especificaes completa, reproduzimos, com
permisso da Philco Rdio e Televiso Ltda., a folha referente aos transistores
PA6003 e PB6003 (Fig. 3.79). Os diversos quadros e as diversas figuras foram numerados dentro da folha, a fim de possibilitar os comentrios sobre os mesmos,
quando estes se fizerem necessrios.
No Quadro 1, o fabricante identifica os transistores (PA6003 e PB6003),
indica o material (silcio) e o processo de fabricao (planar epitaxial, descrito no
Capo 6). Informa-nos ainda tratar-se de um par complementar NPN-PNP, ou seja,
de dois transistores de caractersticas semelhantes, sendo um do tipo PNP e outro
do tipo NPN, o que permite aplicaes especiais em vrios circuitos.
No Quadro 2, so indicadas as aplicaes principais desses transistores e as
especificaes mximas, ou seja, as limitaes absolutas mximas que no devem ser
ultrapassadas. As especificaes de potncia so as mais detalhadas e a explicao
das mesmas ser entendida com o estudo do Apndice, utilizando-se ainda os dados
trmicos fornecidos no Quadro 4.
A Fig. 3.79 (a) mostra um esquema do encapsulamento do transistor eperrnite identificar os trs terminais para montagem no circuito.
148
ESTUDO
DOS TRANSISTORES
/ CAPo 3
PA 6003
PB 6003
."ea,.
O
CAItACTllltISTIC:.uElnItc.u
!,C)
PA 6003 NPN
PB 6003 . PNP
-V
,.
a
..
Resistlncia
."ea
,.
trmica
junao-embalaprn
Resistncia. trmica junlct-am.hiente

F.tor de degradalo trmica j~mbalagem.
Fator de d~
tbmica ;~ambiente
Para o Mnefttcr
*'
**
c.-
P8 to03 (PNP).
D ,....,.
COrl"eflta
125OC/W
278'C/W
8.OmWI'C
3.6mW,.c
Incf~
..
,12S'C/W
2OO'C/W
8,OmW{"C
5.OmW{"C
lIm llna1 r\efItfvo.
"1'MIco
DIuIptt4 . " .
Fig. 3.79.
Folha de especificaes
dos transistores
PA6003
c PB6003
da Philco (continua).
3. 1 / TRANSISTOR
S/POLAR
149
PH I LCO
TRANSISTORES
cARACTUtmcAS
CUICltISTICAS
~...
."
nmlCAS
TiPlCAS
CWCTlIS11CAS H COLET"
IE COlfTOI
1 .~~~~~~~
I~J..."iI!'I~:..ulJ-++H
I..
I.
I.'
'.
e
Va - mISIO _
- WIllS
Va lIII5Io
(C)
1
I:
. WIllS
( e1
WaCITAllcIA
POl.IIUW
. ....Io~ I
,.
'"
Va . llIISAoaJUlOI_
DE eOItE.TE EI FUtIIa DA
COItE.TE DE COLUGI
IUIIO
CAUCTEISTICAS DE COLETOI
j'd)_ .WIllS
.~I--l.l+-I--l......j.....j
DE SADA EI fUIIGAG DA
,.nau COlETOR1AS(
"Y
I
.I f-IH-IH-1-++l+---ff++H
,
Q4
QII
\2
.,
tO
- vllm
Va - mISIO (lfrSOl
PARAMETROS"IBRIDO'
(f
Rt!naa de "'
oue
CondutAnci.a
O
'"
RW.imeota&o interna de
di:
de
20
50
m200
~ )'01
lIA
NPN
PNP
PA 6003
PB 6003
UNIDAJ)E
h;.
Q)
Q)
oIun
h~
115
115
~mho
1.8
1.8
,,10'"
130
130
aaIda
teNIo
h,.
ClW'I'Uttc
vAlllla OOS , mos CIII a

TElPOlTUIA AllllEITE
===1!-,:~
'.10.
10
st,'IBOLO
G.nho
1 K"z) tlpIcos
PARAlIIETRO
lI'l
k {
'lIIIGM Ds , ETlOS COI
CONDIOES
IC
IC
'e
IC
10 mA. V
CE -
10 V
10 mA.
VCE -
10 V
10 mA,
VCE
10 V
10 mA. VCE -
10 V
'lIIlCiO DOS NIlIIaIOS
C8II
TWO COUTllR.EIISSOI
CIlllEllTE DE COlET
k.~
..::.-1
.. ,.I
PHIlCO
RADIO
"
E TELEVISO
'"
UOA
Fig. 3.79. (Continuao.)
Va.lIII5Io_.1OI.15
kClIIIII1tDlaJUlOl._
Rua Sta VHgmra 299
Tatuape
Sao Paulo
c.
Postal 4153
Folha de especificaes dos transistores PA6003 e PB6003 da Philco.
150
ESTUDO
DOS TRANSISTORES
I CAPo 3
o Quadro 3 fornece as caractersticas principais dos dois transistores. Reparar

na indicao da temperatura, 25C, necessria j que todas essas caractersticas
variam muito com a temperatura. Os dados BVCBO' BVCES' BVEBO e ICBO j
foram explicados anteriormente. O dado LV CEO s encontra utilidade em algumas
aplicaes especiais, e sua explicao foge ao escopo desse livro.
O "ganho de corrente esttico em emissor comum", hFE' corresponde ao
ganho contnuo ou DC que j definimos. Reparar na grande variao do valor de
30 a 300, correspondendo s tolerncias de fabricao. O ganho AC indicado,
hfe = 1,5, corresponde praticamente a fixar a freqncia de corte f T do transistor
para a qual, conforme j vimos, hfe = 1. Justifica-se esse dado devido ao valor
prtico da freqncia indicada, 100 MHz.
As tenses de saturao base-emissor e coletor-ernissor so dados importantes,
quando o transistor for utilizado em comutao: estando na saturao, so os valores mnimos que podem ser obtidos (para as condies de Ic e IB indicadas).
Finalmente, o dado Cob corresponde praticamente capacitncia Ccb j mencionada.
Na ltima coluna desse quadro, "Condies", todos os valores de tenso e
corrente so positivos. Reparar, ento, na frase contida no quadro seguinte, o de
nmero 4, que diz que "para o transistor PB6003 (PNP) tenses e correntes indicadas tm sinal negativo": isto est de acordo com as convenes j estudadas.
Essa observao vlida tambm para o Quadro 5 e as curvas, nas Figs. 3.79 (c) a
3.79 (k).
A Fig. 3.79(b) mostra o esquema do dissipa dor de calor que pode ser adquirido para esses transistores e com o uso do qual tornam-se vlidas as especificaes
mximas com dois asteriscos.
As Figs. 3.79(c) a 3.79(f) representam as CUrvascaractersticas em emissor
comum dos transistores. Reparar que nas Figs. 3.79(c) e (e) so mostradas altas
tenses do coletor, permitindo visualizar a regio de ruptura, nas temperaturas de
25C [Fig. 3. 79 (c) ] e de 75C [Fig. 3.79(e)].
A Fig. 3.79(d) mostra as curvas para altas correntes Ic e a Fig. 3.79(f) para
baixissimas tenses do coletar, ressaltando a regio de saturao. Notamos que o
valor ICEO (para IB = O) pequeno demais para ser lido em qualquer curva.
A Fg. 3.79(g), ganho de corrente em funo da corrente do coletor, do
tipo apresentado na Fig. 3.39, e a Fig. 3.79(h) mostra a variao da capacitncia
de sada em funo da polarizao coletor-base: o fenmeno assinalado no Capo 1
e que encontra uma aplicao prtica nos diodos com capactnca dependente da
tenso (verCap. 2).
O Quadro 5 fornece os parmetros H, em emissor comum, na freqncia de
I kHz, na temperatura de 2SoC e no ponto de operao IC = 10 mA, VCE = 10 V.
J assinalamos que esses parmetros variam com a temperatura e com o ponto de
operao. As Figs. 3.79(1), (j) e (k) permitem determinar esses parmetros em
outra temperatura e num outro ponto de operao, conforme vamos exemplficar
no exerccio a seguir.
3.1 / TRANSISTOR
151
SIPOLAR
Exerccio 3.3
No circuito da Fig. 3.80, determinar:
a) O ponto de operao do transistor.
b) A resistncia de entrada do circuito.
e) O ganho de corrente do circuito.
d) O ganho de tenso do circuito.
r-----------~----------+~5V
PA6003
Fig. 3.80
Nota. Para facilidade de clculos, utilizamos, para polarizar o transistor, o circuito

mais simples, aquele apresentado no Exerc. 3.1, em vez daquele do Exerc. 3.2. R, , ento, o
resstor de polarizao da base, R. o do coletor e R. representa a carga do circuito, que poderia
ser, por exemplo, a resistncia de entrada de um outro estgio amplificador.
VCC
15
Soluo. a) Com os valores VCC = 15 V e -R
= -3-
00
= 50 mA, traamos a reta de
carga sobre as caractersticas do coletar para o transistor PA6003 (ver Fig. 3.79{d) ).
Para detenninar o ponto de operao, precisamos conhecer a corrente de base. Supondo
VBE = 0,7 V (o transistor de Si), ternos:
.
- VccI B-
R!
VBE _ 15 -0,7
-
68
_14,3
-
68
-O 21
-,
mA.
Podemos, com boa aproximao, considerar a interseo da reta de carga com a curva
I B = 0,2 mA, corno sendo o ponto de operao. Ternos, ento:
IC=30mAe
VCE=6V.
O leitor deve confirmar esses resultados fazendo a construo grfica. Por outro lado, podemos fazer urna verificao no circuito do coletor: a sorna da queda de tenso em Ra mais o
VCE de operao deve ser igual ao valor da tenso de alimentaio:
1c;R.
VCE= VCC'
No caso, 30 X 0,3 + 6 = 15 V, confirmando os resultados grficos.

b) A resistncia de entrada do transistor dada pela expresso (3.32):
"1=
l::.heRL + hie
1 + hoeRL
sendo RL = R.1R3 = 3001300 = 150 .n (estamos supondo que a reatnca do capacitor C,

desprezvel na faixa de freqncia em questo).
152
ESTUDO
DOS TRAN$/STORES
/ CAP. 3
Os parmetros H so dados no Quadro 5 da Fig. 3.79. Entretanto, so vlidos para a temperatura de 25C, a freqncia de 1 kHz e o ponto de operao IC = 10 mA, VCE = 10 V. Supondo que a temperatura ambiente e a freqncia do sinal sejam iguais aos valores acima, precisamos corrigir os parmetros para o ponto de operao I C = 30 mA, VCE = 6 V, utilizando
para esse fim as Figs. 3.79 (i) e (k).
Utilizamos, primeiro, a Fig. 3.79 (j).Para IC = 30 mA, os parmetros do Quadro 5 sero
multiplicados pelos seguintes valores, dados pelas intersees da curva de cada parmetro
COma linha vertical IC = 30 mA (observar que as escalas do grfico so logartmicas):
420 X 0,6 = 252 n;
hie
hoe = 115 X 2,8 = 322 p.mhos;
hre
1,8.10-4
X 2,1 = 3,78 . 10-4;
hfe
130 X 1,4 ee 182.
Os valores acima calculados sofrem nova modificao para VCE = 6 V. Utilizamos a
Fig. 3.79 (k) (reparando agora que a escala vertical do grfico linear):
252 X 0,95 = 239,4 n;
hie
hoe
322 X 1,14
hre
3,78 10-4 X 0,9 = 3,402 .10-4;
hfe
182
= 367,08
~.rnhos;
0,86 = 156,52.
Ento:
hiehoe - hrehfe
239,4 X 367,1 . 10-6
3,4 . 10-4 X 156,52 =
0,087 9 - 0,0532 =
0,0347;
0,0347 X 150
1 + 367,1.10-6
+ 239,4
X 150
5,205 + 239,4 = 244,6 = 231 84 '" 232

1 + 0,055 1
1,055 1
'
c)
n.
A expresso do ganho de corrente dada por (3.30):

hfe
Aie=
1 + hoeRL
I! necessrio frisar que, na expresso acima, consideramos como corrente de entrada a

corrente na base do transistor. No circuito da Fig. 3.80, a corrente de entrada, aquela que deve
ser amplificada, na realidade a corrente ig do gerador, a qual se divide entre o resistor RI e a
resistncia de entrada do transistor que acabamos de calcular. Normalmente, seria, ento, necessrio calcular qual a parcela ib que realmente representa o sinal no transistor, sendo a outra
parcela perdida em R I Mas, nesse caso, verificamos que R I (68 kn) muitas vezes maior que
ri (232 n) e podemos, portanto, considerar que toda corrente ig atinge a base do transistor.
Logo:
156,52
Aie = 1,055 1 = 148,3.
Entretanto, o ganho de corrente do circuito no este; seria se tivesse simplesmente um
resistor de 150 fi do coletor do transistor para a terra. Havendo, na realidade, dois resistores de
300 n em paralelo (R a e R 3) e considerando-se somente R 3 como carga til, metade da corrente amplificada do coletor passa para R 3' sendo a outra metade perdida em R 2 (neste caso, em
3.2/
153
TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO
que R.
R,). Conseqentemente,
ser calculado:
o ganho de corrente igual metade do valor que acaba de
148,3
-= 74,15 e.74.
2
(3.31)
d)
- 156,5 x 150
0,0347 X 150 + 239,4 = - 95~7.
Provavelmente, o leitor perguntar se este ganho de tenso correto. A resposta afrmativa, uma vez que, considerando a tenso no coletor, esta a mesma para os resistores em paralelo R, e R,. Do lado da entrada, toda tenso do gerador aparece na base do "transistor, no
sofrendo influncia de R I' Tal no seria o caso, se tivesse sido considerada a resistncia interna
do gerador.
Como ilustrao, apresentamos, finalmente, na Fig. 3.81, a fotografia de seis

transistores comerciais da Ibrape. Os trsprmeros da esquerda para a direita
(OC71, ADY26 e OC24) so transistores mais antigos, de gerrnnio. Os trs ltimos
(BC 177, BCY3l e BLY 14) so transistores mais recentes, de silcio. Notamos a
diversidade dos invlucros utilizados, sendo que os trs maiores (ADY26, OC24 e
BLY14), correspondem evidentemente'a transistores de potncia.
Fig.3.81.
Seis transistores da Ibrapc: OC71, ADY26, OC24, BC177, BCY31 e BLYI4.
3.2. TRANSISTOR
DE EFEITO DE CAMPO
Estudamos detalhadamente
comportamento dos transistores bipolares
observando, na oportunidade, que este nome provm do fato de atuarem nesses

transistores, dois tipos de portadores, os eltrons e os buracos. Existe um outro "
154
ESTUDO
DOS TRANSISTORES
/ CAP. 3
tipo de transistores, chamados transistores de efeito de campo, cujo funcionamento

se baseia apenas em um dos dois tipos de portadores, sendo portanto conhecidos
como transistores unipolares. Estes transistores encontram uma aplicao muito
grande no campo da Eletrnica, tanto linear como digital, justificando um cuidadoso estudo do seu funcionamento e aplicaes. Os transistores de efeito de campo,
por sua vez, podem ser de dois tipos: de juno e com o gatilho isolado.
3.2.1.
TRANSISTR DE EFEITO DE CAMPO DE JUNO
O transistor de efeito de campo de juno consiste em um estreit canal de

material semicondutor (silcio tipo P ou tipo N), em cuja extremidade so feitos
contatos hmicos, e uma juno na sua regio intermediria. Os dois terminais
ligados aos contatos hmicos so chamados dreno (drain-D) e fonte (source-S), e o
terminal ligado regio semicondutora, de tipo oposto ao do canal, chamado
gatilho (gate-C). A Fig. 3.82 ilustra a constituio fsica dos transistores de efeito
de campo com canais tipo N e tipo P, e os smbolos utilizados para represent-Ias
em circuitos.
CANAL TIPO N
JUNES
$
D
O--
0-
S
(a)
S
(b)
Fig. 3.82. Constituio fsica e smbolo dos transistores FET (Field Effect Transistor) de
juno: (a) canal tipo N; (b) canal tipo P. A nomenclatura dos terminais a seguinte: D =
dreno (drain), S fonte (source) e G = gatilho (gate).
155
3.2/ TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO
Dependendo de o material do canal ser do tipo N ou do tipo P, a seta, no

smbolo grfico, aponta para dentro ou para fora do transistor; no FET com canal
tipo P, por exemplo, a seta dirigida para fora do transistor. Com efeito, se o material do canal tipoP, o gatilho corresponder ao material tipo N e, portanto, a seta
dever apontar para fora, de modo idntico ao descrito para o transistor bipolar.
Os dois tipos de transistores de 'efeito de campo de juno, apresentados nas
Figs. 3.82(a) e (b) so chamados de transistores de efeito de campo com canal tipo
N e com canal tipo P, respectivamente.
Para entendermos o funcionamento deste tipo de transistor, devemos lembrar
que a largura da regio de transio de uma juno varia com a tenso inversa aplicada a essa juno, conforme foi amplamente verificado no estudo das junes P-N;
quanto maior a tenso inversa aplicada, maior a largura da regio de transio, isto
, maior a regio onde no h portadores livres. No transistor de efeito de campo de
juno, ao polarizarmos inversamente a juno P-N existente, ser criada uma
regio de transio que se estender para dentro do canal N, estreitando a regio do
canal onde existem portadores de carga disponveis, conseqentemente aumentando
a resistncia eltrica" existente entre o dreno e a fonte.
Na Fig. 3.83, ilustramos, para um transistor com canal tipo N, como a variao da tenso inversa aplicada conduz a um estreitamento do canal, com o conseqente aumento da sua resistncia, uma vez que a rea da seo transversal diminui.
.,\\~l
_.~
, \tl~__
r-
LI
I-I
I
_I
L.
I L
2 I
I_I
I
I
_ J
L.
Vos
s
(o)
( b )
Fig. 3.83. Influncia da tenso inversa V GS (tenso negativa no caso) sobre a set%o til do
canal. No exemplo, I V GS2 I > \ VGSI\ e, conseqentemente, I D2 < I DI. Observar que, no
caso, a rea til do canal diminui, aumentando a sua resistncia. Conseqentemente, pan uma
mesma tenso VDS, a corrente de dreno no segundo caso ser menor.
156
ESTUDO
DOS TRANSISTORES
/ CAPo 3
Em resumo, as variaes da tenso aplicada entre o gatilho e a fonte, refletemse em variaes da resistncia efetiva entre o dreno e a fonte, o que implica em
variaes na corrente de dreno.
Vamos agora estudar detalhadamente um transistor de efeito de campo, no
caso o FET BFWIO da Ibrape, que um transistor de silcio com canal tipo N, fabricado pela tcnica planar-epitaxial, estudada no Capo 6.
Na Fig. 3.84, apresentamos os detalhes do invlucro do BFWlO, observando
a existncia do terminal 1, conectado ao invlucro, servindo, portanto, como uma
ligao para "blindagem".
DIMENS6ES.m mm
""
~
~
"t
($
5,3max
5,8max
/2,7min
Fig. 3.84.
Invlucro do FET BFWlO da Ibrape.
Na Fig. 3.85, so apresentadas as vrias caractersticas do BFWI O, onde se verifica que s foram fornecidas as curvas para uma polarizao inversa da juno
(lembrar que sendo o canal tipo N, VGS < O significa uma polarizao inversa da
juno).
Procuremos agora explicar o 'aspecto geral de uma curva para uma dada tenso
VGS, isto , fixada uma tenso VGS, por que as curvas tm o aspecto apresentado
na Fg. 3.85. Na Fig. 3.86, apresentamos apenas uma das curvas da Fg. 3.85, para
facilitar a explicao.
3.2/TRANSISTOR
DE EFEITO DE CAMPO
157
BFWIO
1111111
OS=
T:
O
(mA)
,-
15V
= 25C
Valores
rotco:
rrr rn
15
VGS=O
-:
10
,
, -o+~
"
I~
,~
,
\'
l
'/'
T
Fig. 3.85.
++
10 Vos (V) 20
Curvas caractersticas do FET BFWIO da Ibrape.
o
Fig. 3.86.
Anlisede uma das curvas da Fig. 3.85.
Para baixas tenses VDS' portanto, no trecho A da curva, podemos assimilar

este trecho a uma linha reta, indicando que a relao entre I D e V DS linear; isto ,
o dispositivo comporta-se como uma resistncia de valor aproximado VolIo para
baixas tenses VDS (no caso para VGS = - IV). Na regio B, a corrente permanece
aproximadamente igual a Ia, isto , o dispositivo comporta-se nesta regio como

uma fonte de corrente de valor igual alo. A razo de a corrente de dreno no aumen-
ESTUDO
158
DOS TRANSISTORES
/ CAPo 3
tar continuamente, quando VDS aumenta, dada pelo fato de a corrente de dreno
produzir uma queda de tenso no prprio canal, aumentando, desta forma, a tenso
inversa entre o gatilho e a fonte, o que produz a conseqente reduo na corrente
de dreno.
Ainda digno de nota o fato de, medida que a tenso VGS se toma mais
negativa, a corrente de dreno se aproximar de zero. Para elevadas tenses inversas
entre o gatilho e a fonte, dizemos que o dispositivo est cortado e a regio correspondente na Fig. 3.85 (junto ao eixo das abscissas) chamada regio de corte. Por
outro lado, no existe propriamente uma regio de saturao, conforme identificamos no caso do transistor bipolar.
A seguir, resumimos as principais caractersticas do transistor BFWI0, conforme apresentadas pelo fabricante.
Algumas caractertsticas do FET BFW 10 da lbrape
Mxima tenso entre dreno e fonte
30 V
Mxima tenso entre gatilho e fonte (dreno aberto)
30 V
Dissipao mxima de potncia
300 mW
Corrente de dreno para V DS = 15V, V GS = O

Admitncia de transferncia (fonte comum) para
VDS = 15V, VGS = O V e f = 200 MHz
entre 8 e 20 mA
> 3,2 mA/V.
Provavelmente o nico parmetro novo para muitos leitores a adrnitncia de

transferncia do FET, isto , a razo entre a variao que surge na corrente de dreno
(IJ.ID) e a variao da tenso entre o gatilho e a fonte (IJ.VGs), que deu origem
variao de corrente de dreno, isto ,
o leitor pode calcular aproximadamente esse parmetro , utilizando a curva da

Fig. 3.85, e verificando, para VDS = 15V, que, em tomo de VGS = O V, uma variao de 1 volt em VGS causa uma variao de aproximadamente 4,5 mA na corrente
de dreno, conduzindo ao valor acima de 3,2 mA/V.
Obviamente, ao leitor familiarizado com as vlvulas pentodo, fica patente a
similaridade de comportamento entre esse tipo de vlvula e um FET.
Um outro fato importante que, se a tenso VDS for continuamente aumentada, haver um ponto em que haver a ruptura da juno; entretanto, como pode
ser verificado, essa tenso superior a 30V, e portanto o aumento brusco da corrente de dreno quando atingida a tenso de ruptura, no aparece na curva caracterstica da Fig. 3.85.
Um outro aspecto a considerar nos transistores de efeito de campo a sua
elevadrssima impedncia de entrada, quando comparada com as dos transistores
bipolares; essa elevada impedncia resulta do fato de termos na entrada uma "juno inversamente polarizada", conseguindo com facilidade mpedancas que chegam
a 1010 ohms, o que possibilita aplicaes virtualmente impossveis com transistores
bipolares.
3.2 /TRANSISTOR
159
DE EFEITO DE CAMPO
Com relao aplicao dos transistores de efeito de campo em circuitos de

comutao, uma extraordinria vantagem dos mesmos a de no apresentarem
nenhuma tenso de off set, isto , no apresentarem nenhuma tenso residual
quando esto fortemente conduzindo, o que significa que, quando esto conduzindo, comportam-se como se fossem uma resistncia. Nos transistores bipolares, h
sempre uma tenso residual, o que ocasiona inmeros problemas na sua utilizao
como chave.
3.2.2.
TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO COM GATILHO ISOLADO (MOS)
Um outro tipo de transistor de efeito de campo com enormes aplicaes na

atual era da Eletrnica, mormente tendo em vista a facilidade de integrao , o
transistor de efeito de campo de gatilho isolado, tambm chamado de transistor de
efeito de campo tipo MOS ou, abreviadamente, MOSFET, sigla essa resultante do
nome em ingls, Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. 1
Na Fig. 3.87, ilustramos a estrutura de um MOSFET com canal tipo N. 2
O
5;02
5 (b J
Fig. 3.87. Constituio fsica de um MOSFET com canal tipo N.
Nesse transistor utilizado um substrato tipo P de alta resistividade e so difundidas inicialmente duas regies tipo N de alta condutividade, que serviro para
os contatos do dreno e da fonte. A seguir, uma fina camada de xido de silcio
(Si02) crescida abrangendo as reas das regies N do dreno e da fonte. Finalmente,
uma camada de alumnio vaporizada sobre essa camada de xido, constituindo o
contato para o gatilho do transistor.
I Este transistor
tambm chamado de IGFET, sigla do nome em ingls: Insulate Gate
Field Effect Transistor.
2 Somente aps ler a explicao dada a seguir, o leitor compreender

por que se trata de
um MOSFET com canal tipo N.
760
I CAPo 3
Vamos agora analisar o comportamento de uma estrutura como a da Fig.

3.87. Se aplicarmos uma tenso entre o dreno e a fonte (gatilho aberto), a juno
superior, ou a inferior, estar cortada, dependendo da polaridade da tenso aplicada entre o dreno e a fonte. Por exemplo, se o dreno for positivo em relao
fonte, a juno superior ficar inversamente polarizada. Conseqentemente, a
corrente que circular entre o dreno e a fonte ser bastante baixa, na realidade
a corrente de fuga da aludida juno.
Suponhamos agora que uma tenso positiva aplicada entre o gatilho e a
fonte. Ora, devido ao xido de silcio ser um material isolante, cargas de sinal
oposto polaridade do gatilho sero induzidas na superfcie do xido metlico,
contgua regioP do substrato, ou seja, a aplicao da tenso indicada entre o gaD
CARGAS INDUZIDAS
(CANAL TIPO N)
G
S
Fig.3.88.
Ilustrao da formao do "canal" em um MOSFET.
tilho e a fonte produz um "canal" constitudo de portadores idnticos aos das regies tipo N, permitndo deste modo o estabelecimento de uma corrente entre o
dreno e a fonte. A Fig. 3.88 ilustra este fenmeno.
Observemos que o substrato na Fig. 3.88 do tipo P e o "canal" formado,
ligando as duas regies N, tambm do tipo N, dizendo-se, portanto, que o FET
representado nesta figura tem canal tipo N.
Nas Figs. 3.89 e 3.90, so apresentadas, respectivamente, a estrutura e a
formao do canal em um MOSFET com canal tipo P (observar que o substrato
tipo N e que VGSdeve ser negativa).
3.2/
TRANSISTOR
DE EFEITO
DE CAMPO
161
5
Fig. 3.89. Estrutura de um MOSFET com canal tipo P.
CANAL P LIGANDO
O DRENO E A
FONTE
G
5;02
5
Fig. 3.90.' Formao do canal tipo P quando aplicada a tenso entre o gatilho e a fonte; no
caso, V GS deve ser negativa para induzir cargas positivas, isto , gerar um canal tipo P.
Nos exemplos dados at agora para o MOSFET,caracterizamos um dispositivo

para o qual a sua corrente de dreno aumenta medida que aumenta a condutividade
do canal, ou seja, a tenso aplicada cria um canal que aumenta a condutividade da
162
/ CAP. 3
regio existente entre o dreno e a fonte. Um transistor de efeito de campo assim

constitudo chamado de FET sem canal pr-formado ou, em ingls, de tipo
enhancement.
Existe uma outra possibilidade, que pr-fabricar o canal e "diminuir" a
condutividade deste canal com a tenso aplicada entre o gatilho e a fonte. Esse
tipo chamado de FET com canal pr-formado ou, em ingls, de tipo depletion.
Nesse caso, o transistor fabricado de modo a j apresentar um canal tipo N;
uma tenso de polarizao negativa gera cargas positivas no canal tipo N, que se
recombinam com os eltrons a existentes, diminuindo a condutividade do canal.
Como ilustrao, apresentamos, na Fig. 3.91, as curvas caractersticas de um
MOSFET com canal tipo N, correspondente respectivamente a um tipo enhancement
(a) e a um tipo depletion (b).
+8 V
10
-zv
-4
- 6V
Vos
(o)
Vos
(b)
Fig. 3.91. Curvas caractersticas de um MOSFET tpico, com canal tipo N: (a) tipo enhancement
e (b)
tipo depletion.
Notamos ainda mais um fato interessante. O MOSFET tipo enhancement s

trabalha na regio ativa se a tenso V GS tiver uma polaridade defrnida, por exemplo, se o transistor for de canal tipo N, VGS dever ser positiva, de acordo com a
Fig. 3.91 (a); se VGS diminuir e se tornar negativa, o transistor estar cortado. Entretanto, no caso do MOSFET tipo depletion, vemos que ele est na regio ativa
quando VG~ for negativa - no caso do canal tipo N, Fig. 3.91(b) - e tambm se
manter na regio ativa se VGS se tornar positiva. Temos ento duas maneiras de
operar o MOSFET tipo depletion: no modo chamado exatamente depletion, quando V GS for negativa, e no modo chamado enhancement, quando VGS for positiva.
Essas possibilidades encontram aplicaes em alguns circuitos, embora a nomenclatura possa prestar-se a confuso. (Ver a Fig. 3.92 para esclarecimentos.)
Vamos agora verificar como representar graficamente um MOSFET. No caso
do FET de juno, no havia problema, pois h apenas as duas possibilidades relacionadas com o tipo do canal (P ou N); entretanto, no caso dos MOSFET, alm do
tipo de canal, devemos caracterizar tambm se o dispositivo do tipo depletion ou
do tipo enhancement.
3.2/
TRANSISTOR
163
DE EFEITO DE CAMPO
MODO
"ENHANCEMENT"
MODO
"DEPLE
TlON
"
__---------------4
Fig, 3.92. Transistor MOSFET tipo depletion com canal tipo N, funcionando no modo depletion
e no modo enhancement.
,
Na Fig. 3.93, apresentamos os quatro smbolos utilizados, para a representao dos MOSFET.
(Q)
(c )
(b)
(d)
Fig. 3.93. Smbolos utilizados para representar os MOSFET. Tipo depletion:

(c) com canal N; (d) com canal P.
N; (b) com canal P. Tipo enhancement;
(a) com canal
164
o leitor observa nesses smbolos que, para o tipo depletion, o trao contnuo entre o dreno e a fonte; por outro lado, para o tipo enhancement, h uma descontinuidade no smbolo grfico, entre o dreno e a fonte. Alm disso, deve ser
observado que o terminal indicado com a letra B refere-se ao substrato; algumas
vezes esse terminal est ligado internamente fonte e outras vezes fica a critrio do
projetista a sua coneco.
Vamos agora analisar brevemente as vantagens de um MOSFET. A principal
sem sombra de dvida a sua elevadissma impedncia de entrada, oriunda da camada de isolante (Si02) existente na entrada, conseguindo atingir valores da ordem
de 1016 ohms, Uma outra vantagem que este tipo de transistor possibilita a fcil
fabricao de complexos arranjos integrados, com aplicaes extraordinrias no
campo digital.
Como exemplo de um MOSFET, apresentamos o BFS28 da Ibrape, que um
FET com dois gatilhos, como canal tipo N pr-forrnado (depletion), que pode ser
usado em vrias aplicaes de comunicao, instrumentao e controle.
Uma informao de ordem prtica deve ser dada a respeito dos transistores
MOSFET. Verificamos que a camada de xido de silcio que fornece o isolamento
na entrada uma camada finssima e, portanto, h o perigo de cargas eletrostticas,
formadas durante o transporte ou a manipulao, furarem esta camada de isolante,
destruindo o transistor. Por esse motivo, os MOSFET so fornecidos com um anel
de borracha condutiva, curto-circuitando todos os terminais do dispositivo; s devemos retirar esse anel quando o transistor estiver soldado no circuito correspondente.
3.2.3.
ESPECIFICAES E LIMITAES
No estudo que fizemos at agora dos transistores de efeito de campo, definimos apenas o parmetro que chamamos de admitncia de transferncia. Do mesmo
modo como ocorre com os transistores bipolares, numerosas especificaes so
importantes para definir perfeitamente o comportamento e as limitaes dos transistores de efeito de campo.
Como exemplo concreto das limitaes de um transistor de efeito de campo,
apresentamos a seguir os dados referentes ao transistor BFS28 da Ibrape.
Limitaes de tenso
Tenso mxima entre o dreno e a fonte
20V
Tenso mxima entre o gatilho e a fonte
20V"
Tenso mxima de pico, no repetitivas,

entre o gatilho e a fonte (t";; 10 m/s)
50V*
Limitaes de corrente
Corrente mxima de dreno
"Especificaes vlidas para os dois gatilhos do dispositivo.
20 mA
3.2/
165
TRANSISTOR OE EFEITO DE CAMPO
Limitaes trmicas
Potncia total mxima dissipvel at
tarnb == 25C
200mW
- 65 a + 125C
135C.
Temperatura de armazenamento
Temperatura mxima da juno
Normalmente so dadas caractersticas dos transistores de efeito de campo,

que fornecem informaes sobre as regies de corte e conduo normal, e tambm
dados sobre o comportamento do dispositivo para sinais de pequena amplitude.
Para o transistor BFS28, por exemplo, as seguintes especificaes so obtidas diretamente do catlogo do fabricante.
Corrente inversa do gatilho 1
<
InA
<
1nA
( VCS == 8 V; VC2-S == O V; VDS == O V;

1j == 135C).
Corrente inversa do gatilho 2
(VCS==8V;
Tj
VC1_S==OV;
VDS==OV;
== 135C).
Tenso entre o gatilho 1 e a fonte
0,6 a 2,8 V
(ID == 10 mA; VDS == 13 V; + VC2-S == 4 V).
Admitncia de transferncia (YfsJ

(ID == 10 mA; VDS == 13 V; VC2-S
Tamb = 2S0C).
3.2.4.
== 4 V;
I= 1 kHz
IYfs
I > 8mA/V
t= 200
mHz
IYfs
i= 500
mHz
IYfs
I 11,2 mA/V (Tpico).
12,1 mA/V (Tpico)
CIRCUITO EQUIVALENTE
Antes propriamente de analisarmos um possvel circuito equivalente para um

transistor de efeito de campo, conveniente retomarmos ao estudo dos quadripolos
da Se. 3.1.5.4 e apresentarmos algumas informaes complementares.
Da mesma forma como escrevemos as Eqs. 3.26 e 3.27, que conduziram definio dos parmetros hbridos, nada nos impede de escrever as correntes de entrada e sada, como funes das tenses de entrada e sada, isto , podemos escrever:
166
=
=
t,
i2
VI + YI2 V2
(3.34)
Y21 VI + Y22 VZ
(3.35)
Yl1
claro que cada um dos 4 parmetros

da seguinte maneira:
YII
iI
para
VI
YI2
il
para VI
Vz
=O
i2
para
VI
=O
Y21
v2
V2
iz
para Vt
V2
Y22=
j-j , ,Y12
,Y21 e Y22 poderia ser obtido
=O
= O.
Torna-se, portanto, bastante claro que todos os parmetrosy assim deftnidos

so expressos em unidades de amperes/volts, ou seja, em rnhos sendo, conseqentemente, chamados de parmetros-admitncia,
Obviamente, do mesmo modo que fizemos com os parmetros hbridos (h),
podemos desenhar um circuito equivalente para o quadripolo, utilizando os parmetrosy. A Fig. 3.94 ilustra tal circuito equivalente.
i,
+
v,
;2
A
Y"
Fig. 3.94.
Y,2 ~
>2, ~
Y22
Circuito equivalente de um quadripolo, usando os parmetrosy.
Observemos que este circuito nada mais que uma visualizao direta das
Eqs. 3.34 e 3.35. De fato, lembrando que Y11 uma admitncia e queYlz V2 um
gerador de corrente dependente da tenso V2 , podemos escrever observando o n A:
e para o n B:
iz
= YZI
VI
+ Y22
Vz
A utilizao do circuito da Fig. 3.94 para o caso de um transistor de efeito de

campo imediata, definindo o n A, por exemplo, como o gatilho (G), o n B como
3.2/
TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO
167
o dreno (D) e o terminal comum entrada e sada como a fonte (S). Alm disso,
tendo em vista a nomenclatura j abordada no estudo dos parmetros hbridos,
chamaremos:
Yis
admitncia de entrada (I) com a fonte (s) comum;
Yos
admitncia de sada (o) com a fonte (s) comum;
= admitncia de transferncia direta (f), com a fonte (s) comum;

Y rs = admitncia de transferncia inversa (r), com a fonte (s) comum.
Yfs
Normalmente, a adrnitncia de transferncia inversa (Yrs) desprezvel resultando um circuito equivalente extremamente simples para o FET, como indicado na
Fig.3.95.
------,
Yrs VI
Fig. 3.95. Circuito equivalente de um transistor de efeito de campo, com a fonte comum.
evidente que o parmetro Y [s: de vital importncia para a caracterizao dos

FET, o parmetro por ns definido, quando iniciamos o estudo desses transistores.
De um modo geral, Yis, Yos e Yfs so parmetros representados por nmeros

complexos, que apresentam conseqentemente um componente real e um componente imaginrio:
Yis
[comp. real de Yis]
[comp. imag. de Yis];
Yos
[comp. real de Yos] +
[comp. imag. de Yos];
Yfs
[comp. real de Yfs]
[comp. imag. de Yfs]'
Alguns desses componentes, dada a sua importncia prtica, recebem nomes e

simbologia especiais; por exemplo, o componente real de Yfs obviamente chamado
de condutncia direta de transferncia e normalmente designado por gfs; por
outro lado, o componente real da admitncia de sada Yo s chamado de condutncia de sada e normalmente representado por go' enquanto que o componente
real de Yis a condutncia de entrada e designado por gi' Portanto, para freqncias at, digamos, 100 kHz possvel utilizar no circuito equivalente apenas os
componentes reais, obtendo o circuito da Fig. 3.96.
168
!CAP. 3
g;
go
s
Fig. 3.96. Circuito equivalente para baixas freqncias, de um transistor de efeito de campo
com a fonte comum.
3.2.5.
APLICAES
Do mesmo modo como explanado para os transistores bipolares, os transistores de efeito de campo podem operar com qualquer dos seus terminais como terminal comum entrada e sada. Na Fig. 3.97, so apresentados os trs circuitos bsicos, chamados de fonte comum (common source), gatilho comum (commongate)
e dreno comum (common drain).
~AiOA
ENTRA~
(o)
~AOA
ts )
~AiOA
ENTRAO~
(e)
Fig. 3.97. Configuraes bsicas de um amplificador usando FET: (a) fonte comum; (b) gatilho comum; (c) dreno comum.
Na Fig. 3.98, apresentamos um amplificador com a fonte comum, estando

presentes tambm as baterias de polarizao.
3.2/
TRANSISTOR
DE EFEITO DE CAMPO
169
Vo
Fig, 3.98. Amplificadorutilizando um FET com a fonte comum.

Evidentemente um srio inconveniente de tal circuito a necessidade de duas
fontes para polarizao; na Fig. 3.99, apresentamos o circuito de um amplificador
com fonte comum, autopolarizado.
-:-VDD
Fig. 3.99. Amplificadorutilizando um FET com a fonte comum, autopolarizado.

Como exemplo mais prtico de aplicao; apresentamos na Fig. 3.100, o esquema bsico de um pr-amplificador para ser utilizado com um microfone de
condensador, verificando-se que o sinal de entrada est sendo, neste exemplo,

aplicado entre o gatilho e o dreno, o que faz com que o capacito r de acoplamento
esteja dentro do lao de realimentao, aumentando o seu valor efetivo. O estgio
com fonte comum de sada possibilita utilizar longos cabos de ligao sem afetar
a resposta de freqncia.
Com relao s aplicaes dos MOSFET, a sua elevadssima impedncia de
entrada possibilita aplicaes excepcionais no campo linear; entretanto, sem sombra
de dvidas a maior aplicao dos MOSFET na integrao de complexos circuitos
integrados, hoje to difundidos no campo digital; na realidade, so fabricados, utilizando tais dispositivos, desde circuitos lgicos simples at circuitos complexos
como, por exemplo, uma memria completa de acesso randrnico (RAM) com 1025
bits, ou O circuito lgico completo de uma mquina de calcular porttil}
1
Ver Circuitos Integrados, Hilton A. Mello.Ed. Edgard BlucherLtda.
170
ESTUDO DOS TRANSISTORES /CAP. 3
r---~p---~p---------.-12
Vdc
CABO DO MICROFONE
SAlDA
Fig. 3.100.
Pr-amplificador para microfone de condensador.
Para finalizar essa Seo, vamos apresentar um exerccio de aplicao, utilizando um FET de juno.
Exerccio 3.4
O circuito mostrado na Fig. 3.101 do tipo dreno comum, tambm chamado de seguidor de fonte, por analogia com o circuito a transistor do tipo coletor comum, tambm chamado
de seguidor de emissor. A carga do FET composta de um capacitor de 100 pF em paralelo
com um resistor de 200 n. Supondo que o FET utilizado apresenta as curvas caractersticas da
Fig. 3.102, determinar o ponto de funcionamento do circuito, quando (o) VI = - 6 V
e(b) VI =OV.
Yoo =20V
It10
+
~~~
VGS
...
.->--------:~:'---.t,..~ET
j~
VoS
5/
-~------~-------~ R
V,
:~200ft
--
c
-r- lOOPF
+
+
---~---------~t-~----~.-------~~
Fig.3.101.
3.2/
TRANSISTOR
171
DE EFEITO DE CAMPO
=+3V
\
\
25
IOS
=+2V \
mo
MPS/05~~
FET
,
20
=+
10 =
20
VOS
mA,
16 V.
IV
\
\:
I
--------~----~t~
\
~S=OV
-IV
110
1\
...3V
15
-4V
Fig.3.102.
PONTO OE
FUNCIONAMENTO.
\ I
-2V
10
=0,
VOS=20V
20
VOS-VOLTS
Curvas caractersticas do FET utilizado no crcuitoda Fig. 3.101.
Soluio. (a) VI = - 6 V.
Quando V I = - 6 V, o transistor de efeito de campo estar cortado e, conseqentemente, teremos
Ves=V,
e ID=O.
=-6V
(b)V,=OV.
Observando a Fig. 3.101, podemos escrever as seguintes equaes:
VDS= VDD-ID
VDS= VDD-
(3.36)
V, +
Vcs-
(3.37)
A Eq, 3.36 corresponde reta de carga do circuito e traada nas curvas da Fig. 3.102
utilizando por exemplo os dois pontos:
ID=O,
VDS=20V
ID=20mA;
VDS=20-0,02x200=16V.
A Eq. 3.37 corresponde chamada curva de pola'izaO e tambm est traada na Fig.
3.102, conectando os seguintes pontos:
172
/ CAPo 3
= O, VDS = 20 - O+ O = 20 V
- 1 V, VDS = 20 - 1 + O = 19 V
VGS = - 2 V, VDS = 20 - 2 + O = 18 V
para V GS
para VGS =
para
para VGS = - 3 V,
VDS
= 20 -
3 + O = 17 V.
Notar que temos que determinar vrios pontos, pois no temos uma reta, como no caso
da reta de carga; da termos chamado de "curva de polarizao".
A interseo da "reta de carga" e da "curva de polarizao" , ambas traadas utilizando as
curvas caractersticas do transistor, fornece o ponto de operao do circuito, para o valor espe.cificado de VI (no caso VI = O V):
ID= 5,5 mA; VDS=18,9V;
VGS=-l,1
V.
3.3. TRANSISTOR DE UNUUNO

3.3.1.
FUNCIONAMENTO
O transistor de unjuno constitudo por uma fatia de material semicondutor tipo N, sobre a qual so feitos dois contatos hmicos B 1 e 82 (bases), e uma
juno P-N, por meio de um contato de alumnio (tipo P), que faz o papel de emissor.. O transistor possui, portanto, um emissor, duas bases e uma nica juno com
propriedade de retificao, resultando desse fato o seu nome.
Nas Figs. 3.103(a) e (b), 840 ilustrados, respectivamente, os detalhes construtivos e o smbolo utilizado para transistores de unijuno. Notar que foi utilizada a
abreviao inglesa UJT para o transistor de unijuno.
B2
E-- .......
UJT
(b)
B,
Fig.3.103. Transistor de unijunio: (a) construo; (b) smbolo.
Inicialmente, devemos fazer referncias Fig. 3.103(a), onde do apresentados aspectos construtivos de um transistor de unijuno, e mencionar que entre as
bases B1 e B2 h um percurso direto sem nenhuma juno ntermedra. Portanto,
entre as bases B1 e B2, o dispositivo apresenta a caracterstica de um resistncia
hmica.
3.3/
TRANSISTOR
173
DE UNIJUNCO
Na Fig. 3.104, apresentamos um transistor de unijuno

onde esto presentes duas fontes de polarizao, VEE e VBB .
em wn circuito
...------.+
ss
Fig. 3.104. Transistor de unijuno poJarizado por duas baterias. Observe que estamos utilizando o smbolo da Fig, 3.103(b) para representar o transistor.
Quando a base Bl est aberta, isto , quando fB2 = 0, teremos apenas, no

circuito, a juno E - Bl, polarizada diretamente pela bateria VEE. Isto significa
que, quando 1B2 = 0, a curva caracterstica relacionando 1E e VE ser a de um
diodo comum. Este fato ilustrado na curva Ida Fig. 3.105.
REGIO DE CORTE
MGIO DE RESISTNCIA
NEGATIVA
REGIO DE SATURAO
(SA-T.)
VI'
'V
50MA
CARACTERlsTICA DO DIODO EIIISSOlt - ~
Fij.3.105.
UM
Curvas caractersticas relacionando I E e V E de um transistor de unijuno.
Quando, entretanto, o circuito de sada fechado atravs da bateria VBB, a

curva relaconando.Jj,
e VE transforma-se na curva 11 da Fig. 3.105. O leitor deve
174
/CAP. 3
atentar que, nesta figura, representamos a corrente IE no eixo das abscissas e a

tenso VE no eixo das ordenadas, o que explica a aparncia diferente da curva I,
da de um diodo comum. Alm disso, devemos salientar que a curva 11 foi traada
para uma dada tenso VBB' obtendo-se curvas com aspecto semelhante para diferentes tenses VDO .
Partindo do ponto A, medida que a tenso VE aumenta, a corrente vai
aumentando lentamente at que seja atingido o ponto B (chamado ponto de pico),
a partir do qual a tenso diminui e a corrente aumenta. Portanto, o trecho BC
caracterizado pelo fato, aparentemente contraditrio, de uma diminuio da tenso
provocar um aumento da corrente. Isto explicado se considerarmos que no trecho
BC, o dispositivo apresenta uma "resistncia negativa", caracterstica que permite
a aplicao do transistor de unijuno em osciladores (geradores dentes de serra,
multivibradores etc). O ponto C chamado ponto de vale.
Como a corrente correspondente ao ponto de pico(Ip) bastante reduzida
(por exemplo, 20 flA), a regio esquerda desse ponto chamada regio de corte;
por razes opostas, a regio da curva correspondente a correntes maiores que a
corrente de vale chama-se regio de saturao; a regio intermediria entre os pontos de pico e de vale corresponde regio de resistncia negativa. Essas trs regies
so tambm ilustradas na Fig. 3.105.
Vamos agora estudar alguns parmetros importantes dos transistores de unijuno. Inicialmente vamos novamente observar que entre as bases B, e B2 temos
apenas um resistor (bloco de material tipo N), cuja resistncia vamos chamar de
R BB. Chamando R B 1 e R B 2 respectivamente as resistncias entre as bases B 1 e B 2 e
a superfcie N da juno PN, podemos escrever:
Se VOB a tenso aplicada entre as bases, a tenso entre a base B 1 e a supero

fcie N da juno ser:
onde
O parmetro 11 chamado de razo intrnseca de corte (Intrinsic stand-off

ratio) e somente se VE for maior que 11 VOB a juno ficar diretamente polarizada.
Este fato explica por que quando VE == O, temos o ponto A , correspondendo corrente que chamamos delEO' na Fig. 3.105.
A Fig. 3.106, ilustra todos esses parmetros.
3.3 /TRANSISTOR
At
f15
DE UNIJUNAO
(tipo P)
V88
,
V =1JV88
Fig. 3.106.
. a junao
Ilustrao do significado de R Bl' R B2 c
r'ica diiretamente
po lar'iza d a.
1)
= R
R B~
BI +
. Apenas se VE
> n VBB
B2
Mesmo aps a juno estar diretamente polarizada, a corrente permanecer

com um baixo valor, at que seja ultrapassado um certo nvel mnimo VD' conhecido como "queda de tenso na juno";' conseqentemente a tenso de pico Vp
ser dada por
Esta uma frmula muito importante relacionando os pararnetros de um

transistor de unijuno. A seguir, apresentamos a ordem de grandeza desses parmetros, para um transistor de unijuno tpico:
RBB
4,5 aIO KS1;
77
O,5aO,75;
VD
0,5 a 0,6 V.
Na Fig. 3.107, apresentamos as curvas caractersticas de sada de um transistor de unijuno, mostrando a relao entre a corrente 1B 2 e a tenso de sada entre
as bases, para diferentes valores da corrente no emissor (JE)'
Alguns autores chamam este parmetro
de "tenso de corte" (cutin voltage),
176
/CAP. 3
Vaa(V)
lE=O
40
I
I
30
E:.101ftA
ftE=20f'IIA
~=3OfnA
/ 1/ /
/ J~ 0
/!E'40mA
E:l5OmA
ZO
I
I
10
V/
1// ~
.:
I
I1
~ ~
Fig.3.107.
3.3.2.
100"""
182 (mA)
V~ ~
12
16
Curvas caractersticas relacionando I B2' VBB e IE de um transistor de unijuno.-
APLICAES
Corno exemplo. de aplicao. de um transistor de unjuno.apresentamos,

na
Fig. 3.108, o. esquema de um oscilador de relaxao, onde apenas uma bateria
utilizada (VB).
+ V8
R,
R3
82
8,
VE
Vo
C
R4
Fig.3.108.
Exemplo de aplicao do transistor de unijuno: um oscilador de relaxao.
3.4 /OUTROS
171
TIPOS DE TRANSISTORES
Suponhamos que Vp seja a tenso de pico para o valor de VB e as resistncias

R3 e R4 utilizadas. Ao ligarmos o circuito, o capacitor C comea a se carregar por
meio de RI; portanto, a tenso VE aumenta at que seja atingido o ponto de pico
Vp. quando ento o transistor conduz e o capacitor se descarrega, surgindo um
pulso na base B r- As Figs. 3.109(a) e (b) ilustram as formas de onda que seriam
obtidas em tal' circuito.
.t
(11 )
Fig. 3.109.
Oscador de relaxao: (a) forma de onda de VE; (b) fonna de onda no termi-
nalB, (Vo)'
Este tipo de circuito utilizando um transistor de unijuno muito empregado no comando de tiristores, conforme ser verificado no Capo 4.
3.4. OUTROS TIPOS DE TRANSISI'ORES

Os pesquisadores, nos laboratrios das grandes fbricas de dispositivos sem-
condutores, procuram continuamente melhorar as caractersticas e as limitaes dos

transistores utilizados e tambm descobrir novos tipos com caractersticas diferentes, que permitam aplicaes at ento fora do campo dos tr-ansistores e; de maneira
geral, dos sernicondutores. Foram, ento, criados numerosos tipos de transistores,
muitos dos quais baseados no mesmo princpio de operao do transistor bipolar,
mas fabricados por meio de tcnicas novas ou modificaes das tcnicas j conhecidas (transistor de barreira de superfcie, transistor drift ; transistor de avalanche
etc.). No Cap. 6, sero dadas explicaes a respeito das tcnicas de fabricao dos
dispositivos semicondutores. Outros tipos de transistores baseiam-se em princpios
diferentes do transistor bipolar: por exemplo, o transistor de efeito de campo, estudado na Se. 3.2, e o transistor de contato de ponta. Esse transistor citado aqui
devido a seu valor histrico, pois no mais fabricado. Derivado do diodo de conta-
to de ponta, estudado no Capo 2, consiste em duas pontas metlicas apoiadas numa

fatia de material semicondutor (Fig. 3.110).
178
/ CAPo 3
r-----------~----------+~5V
RZ=300
PA6003
Fig. 3.110.
Transistor de contato de ponta.
No processo de fabricao, so criadas, na regio de contato das pontas, duas

junes retificadoras, funcionando um terminal como coletor e outro como emissor.
A caracterstica principal do transistor de contato de ponta o fato de ter um Ct
maior que a unidade, o que representa uma vantagem na utilizao em osciladores,
mas pode provocar instabilidade em amplificadores. Outra vantagem deste tipo de
transistor so as freqncias de corte maiores que para os transistores de juno. Por
outro lado, esse tipo de transistor apresenta desvantagens, como fragilidade, devido
a sua construo, alta corrente de fuga e alto rudo, tendo sido abandonado em
favor do transistor de juno ou do diodo tnel, dependendo das aplicaes. Notamos ainda que o smbolo do transistor bipolar O prprio adotado para o transistor
de contato de ponta, relembrando a sua constituio fsica com as pontas apoiadas
na base, embora a construo do transistor de juno seja totalmente diferente.
Exerccios
1. Como formado um transistor'?
2. Qual a maneira normal de polarizar um transistor? Por qu?

3. Repetir todo o estudo feito na Se. 3.1.1, utilizando um transistor PNP.
4. Explicar a diferena entre ganho alternado (ou AC) e contnuo (ou De).
5. Completar. Por conveno, corrente que
num transistor
.............
; corrente que
, Tambm por
conveno, a tenso entre um terminal e o terminal oomum entrada e sada
.........................
quando o potencial desse terminal
.
que o potencial do terminal comum.
6. Fazer a correspondncia entre as ligaes de um transistor e as ligaes de um triodo
a vcuo.
7. Desenhar o esquema de um transistor NPN ligado com a base comum.
8. Nas curvas caractersticas em base comum de um transistor, identificar e explicar as
regiesde funcionamento.
9. Explicar o motivo da variao de a com a tenso coletor-base.
3.4 / OUTROS TIPOS DE TRANSISTORES
179
10. Verificar a relao:

1
--.={3+1.
l-a
11. Nas curvas da Fig. 3.35, supondo VCC = 6 V, o ponto de operao lC = 0,46 A e
VCE = 3 V, determinar IB e RL.
12. Na primeira concluso da Se, 3.1.4.3, est dito que ''valores tpicos de {3para
transistores comerciais variam entre 20 a 900". Calcular os valores correspondentes de a.
13. Nas curvas caractersticas em emissor comum de um transistor, identificar e explicar as regies de funcionamento.
14. Desenhar o esquema de um transistor PNP ligado com o coletor comum.
15. Explicar o que vem a ser o circuito equivalente e os parmetros de um transistor e
qual sua finalidade.
16. Partindo das caractersticas fsicas de um transistor, deduzir o circuito equivalente
intuitivo, no caso da ligao base comum.
17. Dados os parmetros do circuito equivalente em T,Te' 1j" Te e a. calcular os parmetros do circuito equivalente intuitivo, "eb- "cb- a e i'.
18. A partir dos seguintes valores dos parmetros do circuito equivalente em T para um
transistor, calcular a e {3,supondo i' = O; Te = 5,5 n, Tb = 500 n, Te = 625 n;
a = 0,98.
19. Escrever o conjunto de equaes do quadripolo que permite definir parmetros com
dimenso de resistncia.
20. Repetir o Exerc. 19 para parmetros com dimenso de condutncia.
21. Vimos na Se. 3.1.5.3 o mtodo utilizado para obter os parmetros do circuito
equivalente em T, li partir dos parmetros do circuito equivalente intuitivo. Baseado
nesse mtodo. obter os parmetros do circuito equivalente hbrido a partir dos parmetros do circuito equivalente intuitivo, para uma dada ligao (por exemplo, base
comum).
22. Repetir o Exerc, 21, obtendo os parmetros H em funo dos parmetros T, para
uma dada ligao.
23. Utilizando ainda o mesmo mtodo de anlise de circuito dos Exercs. 21 e 22, obter
os parmetros H na ligao BC, em funo dos parmetrosH na ligao EC. (Atentar para o fato de que, nesse caso, o circuito o mesmo para as duas ligaes, mas a
nomenclatura dos terminais diferente.)
24. Observando as variaes dos ganhos de corrente e de tenso em funo da resistncia de carga (Figs. 3.68 e 3.69), estudar a variao do ganho de potncia em funo
dessa mesma resistncia, para as trs l~aes do transistor.
25. Resumir as caractersticas e as aplicaes principais das trs ligaes do transistor
26. Identificar, na folha de especificaes dos transistores PA60003 e PB6003 da Phiico
(Fig. 3.79), a "corrente de coletor mxima absoluta", definida na Se, 3.1.7.L Esse
valor pode ser marcado nas curvas caractersticas? possvel determinar o ganho da
corrente para este valor Iver Fig. 3.79 (g)?
27. Identificar, na folha de especificaes dos transistores PA6003 e PB6003 da Phileo
(Fg. 3.79), as limitaes de tenso definidas na Se. 3.1.7.2. possvel marcar esses
valores nas curvas caracterfstcas?
180
/CAP. 3
28. Verificar a possiotldade de traar, nas curvas caractersticas dos transistores

PA6003 e PB6003 da Philco (Fig. 3.79), as curvas de dissipao mximas (hiprboles) correspondentes aos valores dados na mesma folha de especificaes (360, 480,
500 e 800 mW).
29. Identificar, na folha de especificaes dos transistores PA6003 e PB6003 da Philco
(Fig. 3.79), a limitao de temperatura definida na Se. 3.1.7.4.
30. Existe, na folha de especificaes dos transistores PA6003 e PB6003 da Philco
(Fig. 3.79), alguma limitao de freqncia? No caso afumativo, de que forma
apresentada?
31. Os transistores PA6003 e PB6003 da
Philco so classificados, na folha de especificaes como sendo de "mdia potncia" e "alta freqncia". Comparando as limitaes de potncia e de freqncia desses transistores com os dados correspondentes dos seguintes transistores da Ibrape, classificar esses transistores com respeito
potncia e freqncia.
Transistor
Potlneill Mdximll
fr(MHz)
(W)
BCl77
BDl38
BF180
BU105
BCY31
0,30
6,5
0,15
10
0,25
150
75
675
7.,5
1,7
32. Para o transistor BCl77 da Ibrape, calcular fOt e f13, utilizando o valor de tr dado no
Exerc, 31 e tomando como valor do ganho fi = 100.
33. No Exerc, 3.3 do texto, supe-se que um segundo estgio amplificador igual quele
apresentado est conectado no lugar do resistor R, . Refazer os clculos do exerccio para esse caso.
34. Descrever o princpio de funcionamento do transistor de efeito de campo.

35. Refazer o estudo do funcionamento de um FET, utilizando um transistor com canal
P.
36. Qual a grande vantagem dos transistores de efeito de campo?

37. Utilizando a Fig. 3.102, estimar o valor da admitncia de sada do FET em torno
dos seguintes pontos de operaio: VDS
15 V e Ycs
2 V; VDS = 10 V e
Ves=-IV;VDS=
5VeVeS=-3V.
=-
38. Qual a diferena entre o transistor de efeito de campo (FET) e o transistor de efeito
de campo com gatilho isolado (MOSFET)?
39. Descrever o princpio de funcionamento
gatilho isolado.
de um transistor de efeito de campo de
40. Esboar as curvas caractersticas, do tipo daFig. 3.91, para um MOSFET tipico,
com canal tipo P, do tipo enJuzncement e do tipo depletion.
41. Citar uma vantagem e uma desvantagem dos transistores de efeito de campo de
gatilho isolado.
42. Esboar um circuito amplifICador utilizando um FET com o gatilho comum, com a
pol.arizaio adequada.
3.4 /OUTROS
TIPOS DE TRANSISTORES
181
43.
Repetir o Exerc. 42 para a ligao dreno comum,
44.
Refazer o Exerc. 3.4, no texto, colocando no circuito o transistor BFWI0 daIbrape,

cujas curvas caractersticas so dadas na Fig. 3.85, e utilizando uma fonte VDD de
15 V.
45. Resumir o funcionamento de um transistor de unijuno.

46. Explicar o que se chama de resistncia negativa do transistor de unijuno; algum
outro dispositivo semicondutor j estudado apresenta tambm tal caracterstica'?
47.
A curva caracterstica do transistor de unijuno lembra a curva caracterstica do

diodo tnel. Qual a principal diferena entre elas'?
==================Capftulo
Estudo dos Tiristores
Tiristores so dispositivos semicondutores que apresentam caractersticas

similares s vlvulas tiratron; na realidade, so "chaves semicondutoras", constitudas por quatro ou mais camadas semicondutoras (por exemplo P-N-P-N), apresentando dois estados estveis; a situao da chave em cada um desses estados
depende da realimentao regenerativa associada com a sua estrutura, conforme
veremos posteriormente.
Entre os tiristores, vamos apenas nos limitar aos dois tipos mais importantes,
que so os retificadores controlados de silcio e os triacs. Os diacs, embora no se
enquadrem como tiristores, sero tambm estudados neste captulo, apenas por
motivos didticos.
4.1.
4.1.1.
RETIFICADOR CONTROLADO DE SILCIO

FUNCIONAMENTO
O retificador controlado (ou controlvel) de silcio, abreviado SCR (segundo

a denominao em ingls Silicon ControIled Rectifier), um dispositivo semicondutor, composto de quatro camadas de silcio, duas do tipo P e duas do tipo N,
alternadamente, formando portanto trs junes, A Fig. 4.1 (a) apresenta a estrutura de um SeR e a Fig;.4.1(b) apresenta o smbolo grfico utilizado para a sua
representao.
4.1 I RETIFICADOR
CONTROLADO
DE SILI'CIO
183
ANODO
1
p
ANODO
N
GAT ILHO
GATILHO
P
N
CATODO
(b)
CATO DO
(a)
Fig.4.1.
(a) Estrutura e (b) smbolo grfico de um retificador controlado de silcio.
Um pouco de raciocnio mostrar ao leitor que o SeR pode ser encarado

como dois transistores, umPNP e um NPN, como sugerido na Fig. 4.2(a)
A
TRANSISTOR
(PNP)
p
TRANSISTOR
(NPN)
80--_-1
8 ....
_ .....
_~
(o)
(b)
Fig. 4.2. (a) Estrutura e (b) modelo de um SeR constitudo por dois transistores.
184
ESTUDO DOS TIRISTORES
/CAP.
Para entender a ao regenerativa que acontece com o SeR, podemos utilizar o modelo da Fg. 4.2(b) conectando uma tenso de alimentao Vcc, uma
resistncia limitadora RL e aplicar um pulso positivo ao gatilho do SCR, isto ,
base do transistor 2 do modelo; este procedimento ilustrado na Fig. 4.3.
Fig. 4.3. Modelo de um SCR polarizado e com comando no gatilho.
Suponhamos que o seR est no estado de corte, isto , I = O; quando um

pulso positivo aplicado base do transistor 2, este conduz, fazendo com que
IC2 aumente; ora, como IBI = IC2' o transistor 1 ser forado para a conduo,
fazendo com que ICI aumente; fmalmente como IB2 = ICI' o transistor 2 conduzir mais fortemente, o ciclo se repetir e rapidamente o SCR ir para o estado de
conduo, sendo a corrente IA limitada pela resistncia RL; mesmo que o pulso
original aplicado base do transistor Tz seja retirado, o seR continuar no estado
de conduo, enquanto for mantida a corrente IA (no exemplo, manter IA fixa
significa manter VCC e RL fixos).
Esta explicao do funcionamento do SCR bastante simplificada, servindo
apenas para dar uma idia do mesmo, ficando caracterizados trs pontos vitais do
funcionamento:
a) uma corrente aplicada ao gatilho do SCR possibilita o seu disparo;
b) a corrente IA deve ser mantida com um valor mnimo para manter o SCR
conduzindo;
c) se IA for diminuindo, um valor IA mnimo ser atingido (chamado de corrente de manuteno) que provocar o corte de seR.
Como no podemos neste livro analisar detalhadamente todos os fenmenos
fsicos que ocorrem nos seR, vamos estudar as caractersticas externas apresentadas
pelos mesmos, que so realmente as mais importantes para a sua aplicao.
4.1 / RETIFICADOR
CONTROLADO DE SIL/C/O
185
Na Fig. 4.4, apresentamos a curva caracterstica simplificada de um SCR para

o caso de no haver nenhum sinal aplicado ao gatilho.
--
IC
(80)
Fig.4.4.
Curva caracterstica de um SCR (gatilho aberto).
Inicialmente, devemos observar a conveno de que a tenso considerada

positiva (direta) quando o ano do est a um potencial positivo em relao ao catodo.
Inversamente, tenses negativas correspondem polarizao inversa.
Suponhamos que partimos da origem e que vamos aumentando a tenso V
(positiva); no incio, a corrente permanece praticamente
nula (regio de corte), at
que atingida a tenso V(BO)' chamada de tenso de disparo (breakover); neste

momento, o SeR entra bruscamente em conduo, deslocando-se o ponto de funcionamento do ponto A para o ponto B, no qual o valor da corrente uma funo
de elementos externos ao SCR (tenso e resistncia limitadora).
Imaginemos agora que, a partir do ponto B, vamos diminuindo a tenso V,
aproximando-nos do ponto C; como podemos verificar, IH a mnima corrente que
poder ser mantida, pois caso a tenso, seja ainda mais diminuda, o dispositivo ser
bruscamente cortado; da a corrente IH ser chamada de corrente de manuteno.'
Na regio do terceiro quadrante, medida que a tenso vai ficando mais negativa, a corrente permanece praticamente nula (fIO) at atingir a tenso de ruptura
V(BR)R' quando ento a corrente inversa aumenta bruscamente, sendo novamente
controlada externamente.
IH
== holding
current
== corrente de manuteno.
186
4.1.2.
/ CAPo 4
CONfROLE PELO GATILHO
O processo descrito anteriormente para conseguir a comutao do SCR (aumentar a tenso externa) provoca a conduo do SCR sempre para o mesmo valor
de tenso e no se presta para urna aplicao muito ampla; tendo em vista maior
flexibilidade no uso e no controle mais preciso do dispositivo, um outro terminal
- o gatilho - est disponvel em um SCR.
De fato, a tenso de disparo de um SCR pode ser controlada, quando injetamos um sinal no gatilho; a influncia da corrente de gatilho sobre a tenso de disparo do seR pode ser apreciada na Fig. 4.5.
Fig.4.5.
Influncia da corrente de gatilho sobre a tenso de disparo.
Quando a corrente de gatilho zero, a tenso aplicada deve atingir a tenso

de disparo V(BO)' conforme verificamos na Fig. 4.4, correspondente ao gatilho
aberto. medida que injetamos uma corrente no gatilho o ponto de disparo vai caminhando para a esquerda, o que significa que, com esta corrente aplicada ao gatilho, necessitamos uma tenso menor para lev-lo conduo.
Na aplicao do seR, o que fazemos normalmente operar com tenses menores do que a tenso de disparo V(BO)' controlando o disparo pela corrente aplicada ao gatilho. Com este procedimento protegemos tambm o seR contra uma
dissipao instantnea de potncia muito elevada, o que ocorreria se o mesmo realmente atingisse a tenso de disparo V(BO).
Uma vez que o SCR esteja no estado de conduo, o sinal do gatilho pode ser
retirado sem afetar o seu estado; para Iev-lo novamente para o corte necessrio
reduzir a corrente do mesmo, abaixo do valor IH anteriormente mencionado.
4.1.3.
APLlCA6ES
As aplicaes do seR incluem controle de motores eltricos, circuitos de comutao, detectores, geradores de pulsos e, principalmente, retificao controlada,
quando ele faz um papel correspondente ao do tiratron nos circuitos de vlvulas.
Vejamos dois exemplos tpicos de aplicao.
4.1 / RETIFICADOR
CONTROLADO DE SILlCIO
187
4.1.3.1. Controle de Fase em um Circuito Retificador Monofsico de Meia

Onda
Como um primeiro exemplo de aplicao, ilustramos na Fig. 4.6 o uso de um
SCR comandado por um transistor de unijuno, no controle de potncia aplicada
a uma carga RL. O circuito de disparo, com o transistor de unijuno, foi estudado
na Se. 3.3.2. Nesta aplicao, o ngulo de disparo controlado, quando variamos
a resistncia R, o que sigrtifica variar a constante de tempo de carga do capacitor C;
quando a tenso sobre o capacitor atinge o valor de disparo do transistor de unijuno, este entra em conduo e o capacitor C se descarrega, gerando um pulso na base B 1. Esse pulso leva o SCR ao estado de conduo, quando ento a tenso da rede
aplicada sobre a carga RL.
Fig.4.6.
Controle de fase em um circuito monofsico de meia onda.
Fazendo a resistncia R variar, tambm variamos o instante do ciclo da onda

alternada, no qual se d a conduo do transistor de uniuno e portanto do SCR;
o diodo Zener fornece a tenso de polarizao para o funcionamento do transistor
de unijuno.
Durante o semcclo negativo da onda alternada de entrada, o SCR levado ao
estado de corte, entrando novamente em conduo no mesmo ponto do prximo
semiciclo positivo.
4.1.3.2. Circuito de Retardo

Como outro exemplo de aplicao de um SCR, apresentamos na Fig. 4.7 um
circuito de retardo de tempo, utilizando novamente um transistor de unijuno para
o disparo do SCR.
O funcionamento similar ao anteriormente exemplificado, no sentido de
que variando a resistncia Rz, conseguimos variar o ponto de disparo do SCR. Suponhamos que o capacitor C1 est descarregado e que fechamos a chave S, no instante t = O; inicialmente, tanto o transistor de unijuno com o SCR esto cortados, e portanto o capacitor C1 comea a se carregar atravs de R 1 e Rz. Quando a
tenso sobre o capacitor C1 atinge o ponto de pico do transistor de unjuno, este
conduz, e o resultante pulso na base Bz aplicado no gatilho do SCR, levando-o a
conduo e, conseqentemente, aplicando tenso sobre a carga RL. A partir do
188
/CAP. 4
momento em que o circuito ligado, o tempo de retardo, at que a tenso seja aplicada carga, ser uma funo da constante de tempo Cl (Rl + R2), a qual pode ser
ajustada dentro de certos limites.
ALU."TAplo
Fig.4.7.
Circuito de retardo de tempo usando um SCR.
4.2. TRIACS E DIACS

4.2.1.
ESTUDO DOS TRIACS
No estudo dos SCR,. verificamos que os mesmos conduzem apenas para tendo
e correntes correspondentes ao primeiro quadrante, apresentando o comportamento
de uma chave aberta (at a tendo de disparo) para tenses e correntes correspondentes ao terceiro quadrante.
Os triacs, por outro lado, do tiristores bidirecionais, apresentando um comportamento similar para o primeiro e o terceiro quadrantes.
Na Fig. 4.8, apresentamos a curva caracterstica de um triac, observando o
comportamento similar com tendo e correntes, positivas e negativas.
Com relao conveno de sinais, necessrio observar que nos triacs os terminais do chamados de MTl (Main Terminal L = terminal principall),MT2
(Main
Terminal 2 = terminal principal 2) e G (gate). Para os triacs, as tenses do consideradas positivas quando o terminal MT2 est a um potencial positivo em relao ao
terminal MT1, conforme ilustrado na Fig. 4.9, onde apresentado o smbolo grfico para representao de um triac.
Uma diferena fundamental entre os triacs e os SCR que, sendo os triacs
bklreconas, eles possibilitam um controle ao longo' de um ciclo inteiro da tenso
alternada (360) a partir de um sinal de comando do gatilho positivo ou negativo.
4.2/ TRIACS E DIACS
189
19 aUAORANTE
(80)
----~------~========~r_----_r--~----_vv~~-----v
(80)
32
IH-
()UAORANTE
Fig.4.8.
Curva caracterstica de um triac.
MT2
v
G
MT1
Fig.4.9.
Smbolo grfico de um triac.
ESTUDO DOS TlRISTORES
190
4.2.2.
ICAP. 4
ESTUDO DOS DIACS
Os diacs, tambm chamados de dispositivos de disparo bidirecionais, so dispositivos semicondutores de silcio que, embora possuindo uma estrutura de trs
camadas como os transistores, possuem apenas dois terminais externos; alm disso,
por causa do seu projeto interno, apresentam em ambos os sentidos (tenso positiva
e negativa) uma alta impedncia, at que seja atingida uma tenso de disparo V(BO)'
quando entram em uma regio de resistncia negativa, sendo a corrente nesta regio
funo de elementos externos ao dac,
Sob o ponto de vista didtico, fica sempre uma dvida, onde situar os diacs,
pois na realidade no so diodos, no so transistores e tambm no so tiristores de
acordo com a nossa definio inicial; preferimos introduzir este breve estudo nesta
seo sobre tiristores porque os diacs so fundamentalmente utilizados no comando
dos tiristores. Alguns fabricantes enquadram os diacs junto com os tiristores em
seus catlogos, enquanto outros abrem uma seo especial abrangendo os mesmos.
A Fg, 4.1O(a) apresenta a curva caracterstica do diac BRlOO, da Ibrape, e a
Fig. 4.1O(b), o smbolo grfico de um diac.
I
1
10mA
V(BO}JI[ Vw
<,
AV
1(80 II
I(80) m
VwI V(BOlI
DIAC
10m A
(b)
(o)
Pis.4.10.
(o)
Curva caracterstica
do diac BRlOO da Ibrape.
(b) Smbolo
grfico
de um diac.
Por causa de suas propriedades bidirecionais, os diacs so muito utilizados no

controle de triacs, quando queremos variar a potncia aplicada a uma carga; as aplicaes dos diacs sero vistas simultaneamente com a aplicao dos triacs na Se.
4.2.3; entretanto, registramos aqui os seguintes comentrios:
a) I(BO)I e I(BO)III so as correntes, no primeiro e no terceiro quadrantes,
respectivamente, correspondentes aos pontos de disparo do diac;
b) V WI e V W 11I so as tenses correspondentes a uma corrente determinada,

no primeiro e no terceiro quadrantes, tendo se usado na definio uma corrente
igual a 10 mA;
c) somente quando So atingidas as tenses de disparo V(BO)I e V(BO)III'
referentes ao primeiro e ao terceiro quadrantes que o dispositivo entra na regio
de resistncia negativa;
4.2 /TRIACS E DIACS
191
d) na Fig. 4.11, apresentamos um circuito que ilustra a utilizao de um diac;

medida que a tenso V cresce, o capacitor se carrega, at que seja atingido o ponto de disparo do diac; neste momento, o capacitor se descarrega atravs do diac, no
eletrodo de comando do dispositivo a ser comandado, originando a sua comutao.
DIAC
R
DISPOSITIVO
A
SER
COMANDADO
(TRIAC)
Fig. 4.11.
4.2.3.
Ilustrao do uso de um diac.
APLICAOES
Na Fig. 4.12, apresentamos o circuito bsico de um regulador eletrnico de

luz! utilizando um triac e um diac, servindo este ltimo para gerar o sinal de disparo para o triac.
Como possivelmente este o primeiro circuito com triacs que o leitor estuda,
vamos procurar analisar cuidadosamente o seu funcionamento.
C.A.
s
CARGA
Fig.4.12.
Circuito bsico de um regulador eletrnico de luz.
De incio, verificamos que o triac est em srie com a carga (lmpada), de forma que, quando o triac est cortado, nenhuma potncia aplicada mesma. Suponhamos que a chave S fechada no momento em que V = O; medida que a tendo
V e, conseqentemente, Vc (no capacitor) comea a subir (senoidalmente), inicia-se
I
Em ingls, Light Dimmer.
192
/CAP. 4
a carga do capacitor C. Quando a tenso de alimentao V for tal que Vc Seja igual
tenso de disparo do diac, este' conduzir; neste momento o capacitor se descarrega
atravs do diac, injetando um pulso de corrente no gatilho do triac, levando-o bruscamente conduo; durante o restante do ciclo, a partir deste momento, a tenso
de alimentao V estar toda aplicada sobre a carga (a menos, claro, da queda de
tenso no triac, que baixa).
Efetuamos o controle da intensidade de luz variando a resistncia R; de fato,
quando R aumenta, aumenta o tempo para que o capacitor se carregue at a tenso
de disparo do diac, e, portanto, numa menor frao do tempo a tenso de alimentao ser aplicada lmpada, o que acarretar uma dmnuo em seu brilho. Inversamente, medida que R diminui, mais rapidamente a tenso no capacitor atingir
a tenso de disparo do diac, e, conseqentemente, durante maior parte do ciclo, a
tenso de alimentao ser aplicada lmpada, o que aumentar o seu brilho.
Evidentemente, sendo tanto o diac quanto o triac dispositivos bidirecionais,
toda a seqncia acima se repetir a cada meio ciclo.
O circuito da Fig. 4.12, embora apresente o comportamento bsico previsto,
sofre desvantagens, salientando-se entre elas uma grande hsterese', e uma faixa relativamente pequena de atuao do controle.
Alm disso, no apresenta nenhum meio de suprimir a radofreqnca
gerada
na sua operao, o que pode causar srias interferncias eltricas para receptores de
ondas curtas e AM.
Sem entrar em maiores consideraes, apresentamos, nas Figs. 4.13 e 4.14,
dois circuitos, o primeiro com uma nica constante de tempo (do tipo estudado
anteriormente) e o segundo com duas constantes de tempo, sendo este ltimo mais
elaborado e possuindo, portanto, uma lsterese menor e maior faixa de atuao do
controle.
Fig. 4.13.
Regulador de luz com uma nica constante de tempo.
I
Chamamos de histerese , neste caso, a diferena de posicionamento do potencimetro
de controle, para iniciar o acendimento da lmpada e para apagd./Q, aps estar acesa.
4.2/
TRIACS E DIACS
Fig.4.14.
193
Regulador de luz com duas constantes de tempo.
Em ambos os casos, podemos observar uma estrutura de eliminao de interferncia, constituda por C1 e L; o indutor L limita a taxa de crescimento da corrente do circuito e o capacitor C1, em paralelo com li alimentao, impede que os
sinais de alta freqncia sejam transmitidos para o circuito exterior atravs de
linhas de alimentao (o capacitor funciona como um curto para as altas freqncias geradas no regulador de luz).
Exerccios
1. Baseado na Fig. 4.3, mas sem consultar o texto, explicar o funcionamento
SeR comandado pelo gatilho.
de um
2. A que fator (ou fatores) deve ser atribuda a existncia da tenso de ruptura
V(BR)R?
3. Quando a corrente de gatilho de um SCR aumenta, a tenso de disparo aumenta ou
diminui?
4. Numa fonte de alimentao CC para um amplificador de som, seria utilizado um
diodo retificador comum ou um tiristor? Por qu?
5. As tenses inversas de pico mximas dos diodos controlados de Si da Ibrape
BTW47/600RM e BTW47/l000RM so, respectivamente, 600 V e 1000 V. Qual a
tenso inversa de pico mxima do diodo BTW47/1600RM?
6. Explicar as semelhanas e as diferenas entre um tiristor e um triac.
7. Explicar as semelhanas e as diferenas entre um diac e um triac.
S. Um diac pode ser utilizado para controlar um tiristor?
9. As tenses de disparo VrBO)I-e VrBO)IIl de um diac no so necessariamente
iguais em valor absoluto. Por exemplo, para o diac BRIOO da Ibrape, o fabricante
define uma "assmetra da tenso de disparo" I V(BO)I - V(BO)III 1< 3 V. Quais as
desvantagens de ter um dac com assimetria elevada?
194
ESTUDO DOS T1RISTORES /CAP. 4
10. Num circuito retificador controlado, monofsico, de onda completa, seria utilizado
um diodo retificador comum, um tiristor, um diac ou um triac?
11. Nos circuitos das Figs. 4.13 e 4.14, identificar as diversas constantes de tempo em
funo dos componentes resistivos e capacitivos.
==================Capftulo
Estudo da Optoeletrnica
.o moderno campo da Optoeletrnica' extremamente vasto, abrangendo o

estudo dos dispositivos cujo funcionamento envolve. fenmenos pticos e eltricos,
como os diversos tipos de clulas fotossensveis, geradores de luz, moduladores,
displays etc. Neste livro, vamos nos restringir ao estudo dos diversos tipos de clulas
fotossensveis, (foteltricas, fotocondutivas e fotovoltaicas), dos diodos emissores
de luz (LED), dos fotacopladores e dos displays usando diodos emissores de luz.
Como complemento, sero tambm estudados os chamados "displays de cristais
lquidos" ,j hoje to utilizados em relgios digitais de pulso, embora esses displays
no sejam na realidade constitudos de materiais semicondutores. Resumindo, este
captulo ser dividido da seguinte forma:
r
Clulas fotossensveis
Clulas foteltricas
a gs
{ a vcuo
Clulas fotocondutivas
Fotorresistores
Fotodiodos
{ F ototransistores
Clulas fotovoltaicas
I Este captulo
substitui o Capo 4 (Estudo dos Dispositivos Fotossensveis) das 1~ e 2~
edies, sendo englobados sob o nome geral de Optoeletrnica vrios outros dispositivos, cujo
funcionamento envolve fenmenos pticos e eltricos.
196
ESTUDO DA OPTOELETRNICA
/ CAPo 5
Diodos emissores de luz

Fotacopladores
usando
Displays
diodos emissores de luz
de cristais lquidos
5.1. CLULAS FOTOSSENSNEIS

5.1.1.
FUNCIONAMENTO
As clulas foteltricas (a gs ou a vcuo) no sero abordadas neste livro,

sendo somente analisadas as clulas constitudas de materiais semicondutores.Entretanto, sobre as clulas foteltricas, conveniente lembrar que o seu funcionamento baseia-se no fenmeno de emisso foteltrica, isto , na emisso de eltrons
de uma superfcie quando sobre a mesma incide um feixe luminoso.
A teoria corpuscular explica que a luz composta de pequenos corpsculos,
chamados f6tons, que possuem uma energia determinada. Esta energia dos fotons
pode ser calculada teoricamente por meio de uma expresso bastante simples. Chamando E a energia de um fton e [ a freqncia da luz utilizada, temos a seguinte
frmula:
E=h[,
onde h uma constante conhecida pelo nome de constante de Planck.!
O famoso cientista Albert Einstein foi quem explicou o fenmeno da emisso
foteltrica, baseado na teoria corpuscular da matria proposta por M. Planck. A
explicao de Einstein para o fenmeno foteltrico foi a seguinte:
Suponhamos que um feixe luminoso incida sobre uma superfcie metlica.
Isto equivale a dizer que um certo nmero de ftons est incidindo sobre a superfcie. Na sua trajetria, um fton pode chocar-se com os eltrons dos tomos do
material metlico. Ao se processar este encontro, o f6ton cede parte ou toda a sua
energia ao eltron. Se esta energia recebida for suficiente, o eltron pode abandonar o tomo do qual fazia parte, caminhar at a superfcie do material e a se projetar no espao com uma certa velocidade inicial.
Este o princpio bsico de funcionamento de todas as clulas foteltricas.
Elas constam de um material que deve emitir os eltrons quando expostos a um
fluxo luminoso.
As clulas fotocondutivas baseiam-se num fenmeno inteiramente diferente.
No Capo 1, foi estudada a constituio dos sernicondutores com suas ligaes covalentes. Quando um fluxo luminoso incide sobre o material sernicondutor, os ftons
podem fornecer aos eltrons energia suficiente para produzir a ruptura de ligaes
I
= constante
de Planck
= 6,625610-
34
joule . segundo.
5.1 /CLULAS
FOTOSSENSIVEIS
197
covalentes- um eltron abandona a ligao covalente deixando um buraco no seu

lugar. Portanto, a ao dos ftons ocasiona a produo de pares eltron-buraco, o
que provoca o aumento da condutividade do semicondutor. Este fenmeno conhecido como fotocondutividade (observar que neste caso no h "emisso" de
eltrons, como no caso anterior).
Entre os dispositivos que funcionam baseados no fenmeno da fotocondutividade, temos os fotorresistores, os fotodiodos e os fototransistores.
Quanto s clulas fotovoltaicas, elas na realidade so fotodiodos especialmente projetados para fornecerem uma fora eletromotriz quando expostas a um
feixe de luz.
5.1.1.1.
Fotorresistores
Os fotorresistores so constitudos simplesmente pelo material semicondutor:

quando o fluxo luminoso incide sobre os mesmos, a sua condutividade aumenta ou,
falando em termos de resistncia, a sua resistividade diminui. Os materiais mais
utilizados para a construo dos fotorresistores so o sulfeto de cdmio e o sulfeto
de chumbo. Cabe aqui uma observao importante com relao ao nome destes
componentes. Est sendo muito utilizada a caracterizao dos fotorresistores pelas
iniciais do seu nome em ingls: Light Dependent Resistor. Da, serem os mesmos
chamados de LDR. Posteriormente, sero estudados os tipos de fotorresistores
existentes no Brasil e as especificaes de tais componentes.
5.1.1.2.
Fotodiodos
Com relao aos fotodiodos, estes so constitudos de maneira anloga aos

diodos de juno j estudados. A juno do diodo polarizada inversamente e,
portanto, circula no diodo a corrente de saturao que j foi devidamente estudada
( uma corrente de portadores em minoria, isto , eltrons no tipo P e buracos no
tipo N). Quando incide na regio de transio um feixe luminoso, so quebradas
ligaes covalentes, aumentando a concentrao dos portadores em minoria e, conseqentemente, provocando a variao da corrente de saturao. Esta variao da
corrente de saturao atua no circuito associado ao fotodiodo.
Normalmente, os fabricantes fornecem grficos que indicam a variao da
corrente de saturao em funo da tenso inversa aplicada ao diodo, tendo como
parmetro o fluxo luminoso que incide sobre a juno ou o iluminamento da mesma. Os leitores que j estudaram algo sobre iluminao sabem que o fluxo luminoso
expresso em lmens. Para a aplicao em fotodiodos e fototransistores, esta unidade muito grande; da, utilizar-se o seu submltiplo, o mililmen, que igual a um
milsimo de lmen. Tambm muito comum utilizar-se como parmetro no o
fluxo luminoso, mas diretamente o iluminamento da juno. A grandeza iluminamento medida em termos da sua unidade que se chama luxo Daremos um exemplo
para esclarecer a diferena entre o fluxo luminoso e o iluminamento. Suponhamos
que uma superfcie tem uma rea de 1 m2 e que sobre ela incide o fluxo luminoso
de 10 lmens. O iluminamento produzido nesta superfcie pelo fluxo luminoso em
questo, ser
198
ESTUDO DA OPTOELETRaNICA
10 lmens
m2
10 lux [1 lux
1 lmen
m2
/ CAPo 5
.]
Na Fig. 5.1, apresentamos o grfico que relaciona a corrente inversa com a

tenso inversa, tendo o iluminamento como parmetro, para um fotodiodo tpico.
Oeta
_ Vrf.V)50
40
o lux100 lux - - __
ZOOlux--400 lux-
100 lux_
.:. _
_
_
30
20
rVnoFit-U
10
__
_
----------------4
-.---------------f
100
MaO lux - -
----------------1
Fig. 5.1. Curva caracterstica de um fotodiodo tpico.
Conforme mencionamos, a corrente de saturao aumenta ao aumentar o iluminamento. Alm disto, verifica-se o fato da necessidade de especfcao da temperatura em que foi obtido o grfico em questo.
S.1.1.3.
Fototransistores
Os fototransistores so constitudos basicamente de duas junes, havendo

uma janela que permite a incidncia da luz sobre a juno base-emissor, aumentan- Ie
mA
807 lux
2
6451ux
1,5
430 lux
!
y_---------------215
0,5
lux
~==================~o
lux
Fig, 5.2. Curva caracterstica de um fototransistor NPN.
-Vc
5.1 /CtLULAS
199
FOTOSSENSIVEIS
do a condutividade deste diodo base-emissor, com o conseqente aumento da

corrente de coletor.
So tambm fornecidos, pelos fabricantes, grficos que relacionam a variao
da corrente de coletor com a tenso de coletor, tendo como parmetro o iluminamento (Fig. 5.2). Este grfico anlogo ao apresentado para os transistores comuns
para os quais fornecida a variao da corrente de coleto r com a tenso de coletor
tendo como parmetro a corrente de base.
5.1.1.4.
Clulas Fotovoltaicas
Quanto s clulas fotovoltaicas, conforme o nome indica, tais clulas produzem uma tenso eltrica quando submetidas ao de um fluxo luminoso. Vejamos
uma explicao bastante simplificada da operao destas clulas. Consideremos,
novamente, a Fig. 5.1, onde apresentada a variao da corrente de fuga da tenso
inversa, tendo como parmetro o iluminamento. Se ampliarmos esta figura em
torno da origem, observaremos vrios detalhes que no foram observados anteriormente. A Fig. 5.3 ilustra o que se obteria na realidade ao observar-se o que acontece
em torno da origem.
I
Tenso
Inversa
V
Xc
11IJ.
1112
Fig.5.3.
Fig. 5.1 ampliada em torno da origem.
Quando a tenso se torna positiva, o diodo fica polarizado diretamente, ou

seja, a partir do ponto M (para o fluxo luminoso 1>1), Lemos duas correntes superpostas no diodo: uma corrente de fuga e uma corrente direta, em sentido contrrio
anterior. Por isso, a curva vai-se aproximando do eixo das abscissas, at que no
ponto N atinge o aludido eixo. Neste ponto, o diodo est com a tenso E nos seus
terminais, mas a corrente que circula no mesmo nula. Isto significa que o diodo,
pela ao do fluxo luminoso 1{>1, est dando origem a uma fora eletromotriz de
valor E.
Lembre-se, por exemplo, de uma pilha que possui uma fora eletromotriz E
e uma resistncia interna r. Quando circula uma corrente I na pilha, a diferena de
potencial existente nos seus terminais dada por:
v=
E-Ir.
200
ESTUDO DA OPTOELETRONICA
/ CAPo 5
Portanto, quando no circula corrente na pilha (I = O), a tenso V igual a

E. Verificar a analogia com a explicao que estvamos apresentando: o diodo
est com uma certa tenso nos seus termnas, mas no est sendo percorrido por
nenhuma corrente; logo, a tenso observada nos seus terminais corresponde a
uma fora eletromotriz.
Uma outra caracterstica que deve ser observada nas clulas fotovoltaicas a
corrente Ic, que existe quando a tenso no diodo nula. Esta corrente , conseqentemente, uma corrente de curto-circuito, uma vez que a tenso nula.
5.1.2.
CARACTERSTICAS
Os dispositivos fotossensveis apresentam trs importantes caractersticas, que

so a resposta espectral, a sensibilidade e a resposta em freqncia.
5.1.2.1.
Resposta Espectral
Suponhamos que sobre um dispositivo fotossensvel, incida um fluxo luminoso. Surge a pergunta, se o comportamento do dispositivo o mesmo quando incide
sobre ele um feixe de luz infravermelha ou um feixe de luz ultravioleta. Para responder a esta pergunta ternos que considerar a chamada resposta espectral do dispositivo em questo, isto , o seu comportamento com energia radiante de diferentes freqncias. Esta indicao fornecida pelo fabricante que, na maioria dos
casos, fornece uma curva relacionando a sensibilidade relativa com o comprimento
de onda da luz utilizada.
too
%
80
>
60
:
CI>
o::
40
~c
"g
:
'iii
c::
20
cn
Fig.5.4.
4.000
6.000
8.000
)..Ao
Resposta espectral dos fotorresistores de sulfeto de cdrnio.
5.1 / Ct:LULAS
201
FOTOSSENS/'IIE/S
interessante lembrar que sendo c a velocidade da luz (300.000 krn/s), o

comprimento de onda e f a freqncia, temos a seguinte relao entre estas grandezas:
= c/i
Nas Figs. 5.4 e 5.5 so mostradas as curvas de resposta espectral de fotorresistores de sulfeto de cdmio, de fotodiodos e fototransistores de germnio .
.100
Observa-se que a curva espectral
%
para o sulfeto de cdmio passa por um
o
>
80
mximo em torno de 7.000 angstrrn".
:;:
I
S!
Portanto, estes dispositivos so excelentes
60
Q::
J
para aplicaes na regio visvel (lembrese que a regio visvel do espectro vai de
~o 40
1.000 a 8.000 ).
~
Quanto aos fotodiodos e fototran:Q
sistores de germnio, apresentam o mxi.~ 20
mo em torno de 1,55 mcron", sendo,
tn
portanto, especialmente indicados para a
regio infravermelha, embora possam ser
tambm usados na rego visvel, onde
Fig. 5.5. Resposta espectral dos
fotossemicondutores de gennnio.
apresentam uma razovel sensibilidade.
1/
5.1.2.2.
Sensibilidade
Imaginemos, agora, que um fluxo luminoso (com uma dada freqncia) est
incidindo no dispositivo e faamos variar o iluminamento. Podemos verificar a variao da corrente no dispositivo oriunda da variao de 1 lux no iluminamento. Por
exemplo, ao dizermos que a sensibilidade de um certo fotodiodo de 10 rnicroampres/lux, estarnos dizendo que a variao de 1 lux no iluminarnento produz
uma variao de 10 mcroampres na corrente de saturao do diodo.
bastante oportuno fazer no momento uma recordao a respeito de uma
grandeza fsica chamada temperatura de cor. Entende-se por temperatura de cor de
um corpo a temperatura na qual a sua curva de variao da radincia espectral em
funo da freqncia aproximadamente a mesma do corpo negro mesma temperatura. Em outras palavras, isto significa que, na temperatura de cor, o corpo emite
aproximadamente as mesmas radiaes e com as mesmas intensidades que o corpo
negro a esta temperatura.
Esta caracterstica muito importante quando queremos determinar a sensibilidade de um dispositivo fotossensvel, pois, como j verificamos, estes apresentam uma curva de resposta espectral. Ora, todo corpo que est emitindo radiaes o
faz numa gama de comprimentos de onda e, portanto, na hora de medir a sensibilidade do dispositivo importante saber que comprimentos de onda a lmpada que
utilizada est' emitindo, pois as radiaes emitidas vo sensibilizar o dispositivo fotossensrvel, com maior ou menor intensidade. O nico meio de caracterizar a fonte
1
1 angstrm
= 1 A = 10-
em; 1 mcron
= 1 /J = 10-'
em; portanto 1 /J = 10' A.
202
ESTUDO DA OPTOELETR()NICA
/ CAPo 5
utilizada indicar a sua temperatura de cor, pois, sendo esta dada, basta verificar a
curva de distribuio do corpo negro nesta temperatura e teremos a curva de distribuio da fonte em questo. Portanto, se algum tenta medir a sensibilidade de um
dispositivo fotossensvel, pode encontrar resultados diferentes apenas por estar
usando uma fonte de diferente temperatura de cor que a utilizada pelo fabricante
quando realizou o teste.
Como exemplo, extramos do catlogo da Ibrape os dados referentes ao fotodiodo OAP12 e ao foto transistor OCP70.
Diodo OAP12 - Sensibilidade medida por meio de uma lmpada ncandesceno
te de tungstnio de temperatura de cor 2.500 K: maior que 5 microampres para
100 lux (5 iJ.A/100 lux).
Transistor OCP70 - Sensibilidade medida por meio de uma fonte de luz de
o
temperatura de cor igual a 2.700 K: maior que 130 mA/lmen para uma rea sensvel de 7 mm" .
No primeiro exemplo, a sensibilidade foi indicada em termos do iluminamento, isto , foi dada a variao da corrente para uma variao determinada do iluminamento (no caso 5 pA para cada 100Iux).
No segundo caso, a sensibilidade, em vez do iluminamento (lux) foi dada em
termos do fluxo luminoso (lmen); entretanto, sempre que utilizado o fluxo luminoso, indicada a rea sensvel (no caso 7 mm").
5.1.2.3.
Resposta de Freqncia
Suponhamos um dispositivo fotossensvel no qual pode incidir o fluxo luminoso 4>A ou o fluxo luminoso 4>B' indicados na Fig. 5.6 .
....,.oor_-----:=_--
- - - - - - -
1---........;;----- - - - - - - -
-r
" '\
~m
- t V
t
Fig. 5.6. Fluxos luminosos com freqncias diferentes.
5.1 / CELULAS FOTOSSENSIVEIS
203
A diferena entre os fluxos tPA e tPB est na freqncia da componente alternada que maior para o fluxo tPB'
Ser que a sensibilidade do dispositivo a mesma nos dois casos?
Verificamos que, medida que a freqncia aumenta, a sensibilidade do dispositivo vai diminuindo, existindo uma freqncia em que a sensibilidade cai de
3 db comparada com a sensibilidade para baixas freqncias.
Esta freqncia chama-se freqncia de corte do dispositivo fotossensvel. Por
exemplo, o fotorresistor B873103 tem uma freqncia de corte de alguns ciclos por
segundo, enquanto os fotodiodos tm uma freqncia de corte da ordem de 50 kc/s
e os fototransistores, uma freqncia de corte da ordem de 3 kc/s.
5.1.3. APLlCAOES
A seguir, apresentamos aplicaes dos dispositivos fotossensveis, visando a
tomar o leitor apto a entender os diferentes processos da utilizao de tais componentes.
5.1.3.1.
Aplicaes dos Fotorresistores
Do catlogo da Ibrape, obtemos os dados correspondentes aos seguintes fotorresstores:

Tipo
Resposta espectral
Tenso de alimentao mxima
Dissipao mxima (T amb. = 25C)
Resistncia inicial com 250 lux
ORPll
ORP30
RPY43
Visvel
300 V
O,4W
1,7Kn
Visvel
350 V
1,2W
0,331W
Visvel
400 V
0,75W
1,5Kn
A seguir, veremos uma aplicao tpica de um fotorresistor em um circuito fotocontrolado para a operao de um rel. Na Fig. 5.7, uma fonte de tenso Valimenta um circuito em srie constitudo pelo fotorresistor e pela bobina do rel.
FONTE
DE
TENSAO
Fig.5.7.
Circuito fotocontrolado
para operao de um rel,
204
/ CAPo 5
Quando no h fluxo luminoso, a resistncia do LDR alta e a corrente que

circula na bobina do rel no suficiente para o seu acionamento. Quando o fluxo
luminoso incide sobre o fotorresistor, a sua resistncia diminui e a corrente atinge
um valor suficiente para operar o rel. Conseqentemente, com este simples circuito
possvel efetuar o controle automtico de portas, alarma contra ladres, controle
de iluminao em um recinto, contagem industrial etc.
Analisemos, agora, neste circuito, o problema da potncia dissipada pelo
fotorresistor. Seja r a resistncia do fotorresistor (que uma funo do fluxo luminoso) e R a resistncia da bobina do rel (Fig. 5.8).
v
R
Fig.5.8.
Circuito equivalente da Fig. 5.7.
A corrente I do circuito igual a:

V
1=--
r+R
A potncia dissipada em r ser dada por;
P-Pr- (_V_)2 r- ~_y2_,r

- r+R
- r2 +2Rr+R2
Portanto, a potncia uma funo de r e, conseqentemente, vai variar com o fluxo
luminoso.
Matematicamente prova-se que a expresso acima passa por um mximo, no
momento em que a resistncia do fotorresistor igual resistncia da bobina do
rel, isto , quando r = R. Portanto, substituindo, na expresso, r por R, obteremos
a potncia mxima dissipada no fotorresistor.
5.1 /CtLULAS
FOTOSSENSIVEIS
205
Um outro fator importante a considerar a mxima tenso que pode ser aplicada ao fotorresistor. fcil verificar que esta se dar quando o fluxo luminoso for
o menor possvel, pois neste caso a resistncia do fotorresistor ser a mxima possvel e quase toda tenso de alimentao ser aplicada no mesmo.
Quanto corrente mxima que circular no fotorresistor,esta se dar quando
o fluxo luminoso for mximo, pois, neste caso, a resistncia total do circuito ser
mnima.
5.1.3.2.
Aplicaes dos Fotodiodos e Fototransistores
Como exemplo de aplicao, suponhamos que uma fbrica produza um produto que levado em uma correia transportadora para a etapa final de empacotamento. Na Fig. 5.9, ilustrado um processo para realizar a contagem deste produto.
O fluxo luminoso proveniente de uma lmpada interrompido quando o produto
acabado se interpe entre a lmpada e o fotodiodo.
Circuito
Associado
Produto acabado
/
$ I
,/
~
Fig. 5.9. Contagemde um produto acabado.
Quando isto ocorre, a corrente no diodo diminui e, conseqentemente, o

sinal aplicado -na base do transistor amplificador TI diminui (Fig. 5.10). A corrente
de coletor deste transistor decresce e, conseqentemente, temos um pulso de tenso
que aplicado ao sistema contador de pulsos obtendo-se, portanto, a indicao do
nmero de interrupes, ou seja, do nmero de objetos que passaram frente lmpada. Na realidade, podemos completar a idia, dizendo que possvel idealizar um
sistema de Controle pelo qual, automaticamente, quando o sistema contador de

pulsos acusa um certo valor, interrompido o enchimento da caixa, uma nova caixa
toma a posio da anterior e todo o ciclo se repete.
ESTUDO DA OPTOELETR6NICA
206
/ CAPo 5
+ve e
R2
LUI
SISTEMA
CONTADOR
RI
'OTODIODO
RS
C2
DE
PULSOS
Fig. 5.10.
Circuito tpico de aplicao de um fotodiodo.
Quanto ao fototransistor, este serve basicamente para

havendo neste caso uma amplificao no prprio transistor.
um circuito tpico de aplicao de um foto transistor. De modo
temos um pulso no coletor do transistor cada vez que o fluxo
pido e deixa de atingir o fototransistor.
a mesma aplicao,
Na Fig. 5.11, temos
anlogo ao anterior,
luminoso interron-
~----------~-------------vcc
Fig. 5.11.
Circuito tpico de aplicao de um fototransistoI.
5.2/01000
EMISSOROE LUZ
5.1.3.3.
207
Aplicaes das Clulas Fotovoltaicas
Quanto s clulas fotovoltaicas, uma das aplicaes mais comuns nos chamados fotmetros, que so instrumentos utilizados pelos fotgrafos para obterem uma
indicao do iluminamento em um dado 10caJ. Quando a luz incide sobre a fotoclula, que normalmente de selnio, produzida uma tenso que aplicada a um
milivoltmetro graduado em unidades de intensidade de luz.
Uma outra aplicao bastante importante para as clulas fotovoltaicas
como detetor de som numa projeo cinematogrfica (Fig. 5.12). A luz proveniente
da fonte excitadora passa atravs da trilha sonora, sendo audiomodulada de acordo
com a exposio em cada trecho da trilha sonora. A clula fotovoltaica recebe a luz
aps passar pela trilha sonora e converte a mesma em um sinal eltrico que amplificado a flm de alimentar o alto-falante.
Finalmente, uma aplicao moderna de grande importncia das clulas fotovoltaicas nas chamadas "baterias solares". Um grande nmero de clulas so colocadas lado a lado e ligadas de maneira conveniente, em srie, paralelo, ou em combinao srie-paralelo. Sendo exposto luz solar, o conjunto pode fornecer energia
suficiente para o funcionamento dos instrumentos de um farol ou de urna estao
meteorolgica isolados, e, principalmente, de um satlite artificial.
Trilha ~nora
Fig. 5.12.
5.2.
5.2.1.
Aplicao de wna clula fotovoltaica no cinema sonoro.
mODO EMISSOR DE LUZ

FUNCIONAMENTO
Verificamos no Capo I a gerao de pares eltron-buraco, por exemplo, por

influncia da temperatura, campo eltrico etc.
Inversamente, a recombnao de um par eltron-buraco envolve a liberao
de uma certa quantidade de energia. Na maioria dos casos, essa energia liberada na
recombinao transferida para a rede cristalina, na forma de vibraes mecnicas;
entretanto, em condies especiais: essa energia pode ser irradiada na forma de
ondas luminosas. Um cristal de fosfeto de glio, por exemplo, emite uma luz vermelho-alaranjada ao ser iluminado por uma radiao ultravioleta; nesse caso, a radiao
ultravioleta gera um grande nmero de portadores (eltrons e buracos) e estes, ao se
recombinarem, emitem a luz vermelho-alaranjada indicada.
208
/ CAPo 5
Por outro lado, sabemos que, em uma juno polarizada diretamente, h um

grande nmero de portadores e, conseqentemente, h um grande nmero de recombinaes; o que se faz ento utilizar uma juno polarizada diretamente, mas
projetada de tal forma (materiais e nveis de dopagem adequados) que as recombinaes resultam na emisso de luz visvel. Os dispositivos assim resultantes so chamados de diodos emissores de luz ou LED, nome este resultante das iniciais no
nome em ingls, Light Emitting Diodes. Apresentamos, na Fig. 5.13, as dimenses
tpicas de um diodo emissor de luz, no caso o LED n~ 521.9189, da Dialight.
J:,
12'7MIN
'-- 0.33
C"
'is
4,i3 -I
0,151
CATfDO
\.
'
ANODO
~:
0,156
DIMENSES
I.DENTlFICAO
CATODO
1:.0,46
'T
,-
L
1,14
T;4
EM mm
DO
--O
--o
4,06
3,156
DIA
Fig.5.13. Dimenses fsicas de um LED tpico, no caso o 521.9189. Cortesia da Dialighr.
Nas Figs. 5.14, 5.15 e 5.16, apresentamos respectivamente a curva caracterstica dret de tenso x corrente, o brilho do LED, em funo da corrente direta, e a
curva de emisso espectral do mesmo, isto , a percentagem de luz emitida em
funo do compriinento de onda.
40~~~--~~~--~~~~~~
20+-~--~4--4--+--+--~~~~
~
~
lU
IX:
I~~~~~~~~~~~~~
4+--+--+--+--+-~--+-~~~~~
lU
Z
lU
o:
a:
o
o.i~t~~t~~~!3~~~
OA+--+--+-~~r-4--+--~-+--~
0.2i--I---f--+--+--+---+--++-+---+----l
O.I~~~~~~~~~~A-~~~
O 0.2 0.40.6 0.8 I
TENSO
Fig.5.14.
1.2 1.4 1.6 1.8 2
DI RETA
Curva caracterstica direta para o LED 521.9189, da Dialight .
5.2/01000
EMISSOR DE LUZ
209
10
7
~TA =25OC
o
>
~
2
/~
<l
...J
I
O. 7
ILI
O. A
a::
O. 2
:J:
O .1
...J
0.0 7
0.04
a::
11)
r7
0.0 2
0.0 I
0.1 0.20.40:71
CORRENTE
4 7 10 20 40 100
DIRETA
Fig. 5.15. Brilho relativo em funo da corrente direta, para o LED 521.9189, da Dialight,
tomando-se como referncia o brilho para a corrente de 20 mA.
1.0
IF
e
>
o.
~
e
..J
0.8
11I
0.1
IK
..J
C
0.6
0.5
= 20
11I
TA a250C
"
ac
u
11I
IL
0.4
li)
11I
0.3
li)
0.2
te
tO
::E
0.1
100
~V
620
640
COMPRIMENTO
Fig.5.16.
110
r-,
680
700
DE ONDA (nM)
Curva de emisso espectral para o LED 521.9189 da Dialight+,
A seguir, resumimos as principais caractersticas do aludido LED.
, Comparar a Fig. 5.16 com as Figs. 5.4 e 5.5 e ver que agora estamos usando o comprimento de onda expresso em nanrnetros, (nM), isto : 1 n M = 10- m = 10 . = 10- u . O
nanmetro a unidade oficial a ser utilizada, mas usamos nos grficos anteriores A
". e J.I. para
familiarizar o leitor com estas unidades.
3
210 '
/CAP. 5
LED - 521.9189 - Dialight

Mxima corrente CC direta: 40 mA.
Mxima tenso inversa: 3 V.
Queda de tenso tpica na conduo: 1,6 V.
Corrente inversa para VI
= 3 V: 0,1 J1 A ~
Como ilustrao, apresentamos,

diodos emissores de luz da Dialight.
nas Figs. 5.17 e 5 .l8, fotografias de alguns
Fig. 5.17. Acima, um diodo da srie 559 e abaixo um diodo da srie 558 .. Cortesia da Dialight,
Fig.5.18.
Exemplos de diodos emissores de luz da srie 521. Cortesia da 'Dialight.
211
5.3/ FOTA COPLADOR
5.2.2.
APLICAOES
Para a aplicao de um LED, procedemos da seguinte forma:
a) escolhemos o brilho desejado para o mesmo e, utilizando a Fig. 5.13, verificamos qual a corrente direta necessria; muitas vezes no escolhemos um brilho
muito intenso para no ser necessria uma corrente muito alta, o que poderia carregar a sada do circuito ao qual o LED vai ser ligado;
b) escolhido 1
D ' verificamos a queda de tenso VD sobre o LED;
c) calculamos a resistncia a ser colocada em srie com o LED para produzir a
corrente desejada.
A Fig. 5.19 ilustra este procedimento; no caso O LED ser usado para indicar
estado do ponto A, isto , quando VA for alta, o LED acender com uma intensidade que depender da corrente, ou seja, da resistncia R selecionada.
LED
+vO
Fig.5.19.
Ilustrao do clculode R para manter um dado brilho no LED.
5.3. FOTACOPLADOR
Em muitas aplicaes, necessrio um perfeito isolamento eltrico entre a
entrada e a sada de um dado circuito eltrico, para evitar comandos esprios nos
rels de linha, em sistemas telefnicos ou, por exemplo, no acoplamento de computadores s suas unidades perifricas. Com estas aplicaes em vista, foram criados
os chamados fotacopladores, que, conforme o nome indica, fazem opticamente o
acoplamento entre dois circuitos, sem na realidade ser feita uma ligao eltrica,
atingindo portanto o isolamento almejado.

Como exemplo de um fotacoplador, citamos o CNY43 da Ibrape (Philips),
que consiste de um dodo emissor de luz (LED) de arsenieto de glio, acoplado a
um fototransistor NPN de silcio, ambos obviamente conjugados em um mesmo
invlucro. O funcionamento do conjunto simples, uma vez que as variaes do
sinal eltrico provocam variaes na corrente do LED e conseqentemente no seu
brilho; esta variao de intensidade da luz detectada pelo foto transistor que ento
transmite o sinal novamente na forma eltrica aos circuitos de sada. Na Fig. 5.20,
apresentamos, em forma esquemtica, a constituio de um fotacoplador (a) e as
curvas caractersticas (b) externas de um sistema assim constitudo, verificando-se a
semelhana com as curvas de um transistor, onde a corrente de entrada 11faz o
papel de corrente de base.
212
/ CAPo5
20
16
1,'
'2M.
II
<
E
"--
a"
e .
5 "
4
4 "
(o)
2",,..
(b)
Fig. 5.20. Associao de um LED e um transistor, constituindo um fotacoplador.
5.4.
"DlSPLAYS" USANDO DlODOS EMISSORES DE LUZ
Um passo bvio, estando disponveis os diodos emissores de luz, arranj-los

de modo conveniente, formando ento um disp/ay. Na Fig. 5.21, apresentamos um
grupo de LED arranjados de modo a formar sete segmentos (A a G).
o
Fig.5.21.
Grupamentos de diodos emissores de luz, formando um dispiay digital.
Por exemplo, se neste display quisermos que o n~ 4 acenda, os segmentos B,

C, G e F devem ser acesos. Convm observar que cada segmento composto por um
grupo de diodos emissores de luz, e todos estes diodos acendem simultaneamente,
iluminando todo o segmento. Para a utilizao, o fabricante fornece a numerao
dos pinos e indica que pinos devem ser acionados (sinal alto) para iluminar cada
segmento. Na Fig. 5.22, apresentamos os detalhes do display 745.0012 da Dialight.
5.4 / "DISPLA YS" USANDO D/ODOS EMISSORES DE LUZ
213
7450012
PONTO DE
REFERENCIA
~,6~
3'18F===~O=.~
n .JL~'I
6s.Jl.!l.!
4
'11 2 54
'13~~I'_/C ~
',I
.JL..Ii---
Fig. 5.22.
Detalhes do display 745.0012
da Dialight,
Para este display, o seguinte acionamento necessrio, para iluminar cada um

dos segmentos.
Pino 1
Segmento B.
Pino 2
Segmento A.
Pino 3
Segmento G.
Pino 4
Segmento F.
Pino 5
Ponto decimal.
Pino 6
Segmento C.
Segrnento D.
Pino 8
Segmento E.
Pino 9
Catodo comum.
Pi.l10
Obviamente, tratando-se de circuitos digitais, necessrio haver uma decodificao, a partir do sinal nas linhas de entrada (por exemplo, com pesos 8-4-2-1) para
possibilitar acender os nmeros certos do display. Estes decodificadores so tambm fornecidos pelos fabricantes dos displays, Apresentamos, na Fig. 5.23, o decodificador 704.l554 da Dialight que eum decodificador que recebe um sinal digital
em BCD (8-4-2-1) e faz a decodificao
para acender os segmentos adequados de
um display com sete segmentos.

Como exemplo final, apresentamos, na Fig. 5.24, um diagrama esquemtico
da utilizao de um tal decodificador para acionar um display ,
214
ESTUDO
Vcc
CJ
0,26
DA OPTOELETR6NICA
/ CAPo 5
O,O~\
~'~X6 L6,69-f
.
NOM.
16 IS 14 13 12 11 10 9
([I ALei)
704-155
22, I
MAX.
,254
4=
LT
R
6
R
S
6
N
0,58
.1
MAX.
- "_0,36
MIN.
Fig.5.23.
I-
7,1
MAX.
Exemplo de um decodificador, no caso o 704.1554 da Dialight.
Vcc
+5V
R7 R6 R5
'"
Rz RI
~ ~
2
2
LT_
16 I15
14
I~
I
RBO_
13
RBI -
12
11
10
GND- 8
DEC ~--------------~RM8--------~~~~_
R71 680.0. 1/4W locrd

I 510.n. !/4W 5%
Fig. 5.24. Diagrama esquemtico da utilizao do decodificador da Fig. 5.23.
Por exemplo, se nas entradas 8-4-2-1 estiver presente o n<?5 (5 = 80 + 41 +

+ 2 + 1'), ou seja, se apenas as linhas 4 e 1 estiverem no estado alto, os segmentos
A, F, G, C e D sero acesos, surgindo o n'? 5 no display. Evidentemente possvel
5.4/
"DISPLA YS" USANDO DIODOS EMISSORES DE LUZ
215
combinar vrios displays simples, como o da Fig. 5.22, formando-se ento unidades
completas de leitura.
Nas figuras seguintes apresentamos o aspecto de alguns displays digitais, no
caso, unidades completas j com os respectivos decodificadores. Trata-se de dois
displays da Dialight; nas Figs. 5.25 e 5.26, e de uma srie de displays da Hewlett
Packard, nas Figs. 5.27 e 5.28.
Fig. 5.25. Displays com diodos emissores de luz de fosfeto de glio, modelo 730.6007. Cortesia
da Dialight.
Fig. 5.26. Dtsplay da srie 739, pronto para montagem em um painel. Cortesia da Dialight,
216
Fig. 5.27. Dispiays LED numricojhexadecimais

Cortesia da Hewlett Packard.
fig.5.28.
/ CAPo5
da srie 5082-7300, hermeticamente selados.
Display alfanumrico HDSP-2000. Cortesia da Hewlett Packard.
5.5/ "DISPLA YS" DE CRISTAIS LlQUIDOS
217
5.5. "DISPLAYS" DE CRISTAIS LIQUIDOS

Os cristais lquidos so substncias que possuem muitas propriedades que
fazem seu uso extremamente atrativo para a construo de displays planos. Estes
j so to utilizados atualmente (por exemplo em relgios de pulso), que resolvemos
introduzir esta seo na presente edio, apesar do fato de os materiais utilizados
no serem na realidade materiais semicondutores.
A primeira dvida que se deve ter formado no leitor, baseado nas informaes
dadas anteriormente-sobre as substncias cristalinas, como podemos chamar de
"lquido" a uma substncia normalmente tida como um "slido rgido", como
sempre o leitor deve ter considerado os cristais.
Estas substncias chamadas de cristais lquidos, partilham vrias propriedades,
inerentes simultaneamente aos cristais e aos lquidos, isto , mecanicamente essas
substncias assemelham-se mais aos lquidos (quanto viscosidade), mas ao mesmo
tempo apresentam algumas propriedades pticas tpicas dos cristais, como o espalhamento de luz em arranjos simtricos e o fato de refletirem cores diferentes dependendo do ngulo sob o qual so vistas. Basicamente, h trs grupos diferentes de
cristais lquidos, os chamados esmticos (smectic), nemticos (nematic) e colestricos (cholesteric), cada grupo desses sendo caracterizado pela arrumao das
molculas da substncia. Na realidade, a grande maioria das aplicaes dos cristais
lquidos na forma de disp/ays feita utilizando os cristais nemticos, nos quais as
molculas so arranjadas com seus eixos maiores paralelos, no estando entretanto
separados em camadas. Na Fig. 5.29, apresentamos esquematicamente o arranjo das
molculas em um cristal nemtico.
Fig. 5.29.
Arrumao das molculas em um cristal nemtico.
218
/ CAPo 5
Um detalhe fundamental e muitas vezes mal entendido pelos alunos que um

cristal lquido no gera nenhuma luz; o que ele faz apenas modificar as caractersticas da luz que sobre ele incide, de acordo com figuras geomtricas preestabelecidas, permitindo visualizar no display essas figuras.
Na Fig. 5.30, apresentamos a constituio bsica de um display de cristallquido e os mtodos de seu iluminamento, verificando-se que a substncia cristalina
prensada entre dois eletrodos, que podem, ou no, ser transparentes. Nas Figs. 5.30
(a) e (b), temos o caso de um eletrodo transparente e o outro refletor e, nas Figs.
5.30 (c) e (d), temos o caso de ambos os eletrodos serem transparentes. No primeiro
caso, temos uma clula de cristal lquido chamada de refletora e no segundo caso
uma clula dita transmissora.
FONTE
DE LUZ
..
:::....
FONTE DE LUZ
ELECTRODO
__ REFLETOR
).....
<,
~~
~)-"
,....-
e"
<l--i--~i~1
OBSERVADOR
ELECTRODO
TRANSPARENTE
(o)
<J
OBSERVADOR
FONTE
DE
LUZ
\\
ELECTRODOS
TRANSPARENTES
(c)
Fig. 5.30.
IX
--.Je-=-~I/'
ELECTRODO
REFLETOR
/' -'\
ELECTRODO
TRANSPARENTE
'-
OBSERVADOR
-----:~--i=
I
_.t
(b )
OBSERVADOR
<1------1
L_
'O':,__..
6
I
<, -,
II
ELECTRODqs
TRANSPARENTES
re~
FONTE
DE LUZ
(d)
Mtodos de iluminamento de um display lquido.
Um mtodo de operao do display fazer com que o campo eltrico varie

dentro do cristal lquido, formando o contorno a ser visualizado. Por causa destas
alteraes no campo, a luz presente no ambiente ser refletida de modo diferente ao
longo deste percurso, de forma que o olho do observador, do lado de fora, observa
no display exatamente a figura desejada. Evidentemente, adotando um processo
conveniente para gerar um campo eltrico de acordo com o contorno que queremos
(codifcao}, possvel vsualzar nmeros, letras etc. O leitor deve atentar para a
grande diferena existente entre estes displays e os que utilizam diodos emissores de
luz, que realmente geram uma luz visvel.
5.5/ "DISPLA YS" DE CRISTAIS
uautoos
219
Finalmente, neste breve resumo sobre displays de cristais lquidos, devemos salientar a forte influncia da temperatura sobre o comportamento dos mesmos, pois
um aumento excessivo de temperatura pode eliminar os efeitos pticos, devido a
transformaes mesomrficas no cristal.
Na realidade j so fabricados displays que suportam temperaturas variveis,
adequadas para vrias aplicaes industriais. Por exemplo, para o projeto de relgios
de pulso so utilizados cristais lquidos que suportam uma temperatura de armazenamento de OC a 55C e uma temperatura de operao de gOC a 4g0C (consideramos a temperatura do pulso da ordem de 2gC).
Exerccios
1. Inicialmente, sem recorrer ao livro, veja se consegue caracterizar o funcionamento de
cada uma das clulas fotossensveis. Caso no consiga, sugerimos ler novamente o
captulo, antes de se aventurar nas demais perguntas.
2. Considerar um metal, sobre o qual incide um fluxo luminoso de comprimento de
onda . Seja WT a energia necessria para deslocar um eltron at a superfcie do
metal (esta energia chamada funo de trabalho).
a) Se Vo a velocidade inicial de emisso do eltron, escrever a equao que traduz
o raciocnio de Einstein.
[Resposta.
hf
WT
"2
mv~;
onde f
=~
(c
velocidade da luz
= 300.000 km/s). 1
= 4.000 e W
T = 2 eV, calcular a velocidade inicial com que o eltron
abandona o metal.
b) Se
(Resposta.
= 6,2
107 cm/s.)
3. Explicar sucintamente o que so resposta espectral, sensibilidade e resposta de freqncia de um elemento fotossensvel.
4. Verificamos no Item 5.1.3.1 (Fig. 5.8) que P
= ------.
V' r
Mostrar que a
r? + 2Rr +R2
potncia dissipada R passa por um mximo quando r = R.

(Sugesto.
dP
dI' = derivada deP em relao a r = O.)
5. Na Fig. 5.10, ilustramos um fotodiodo associado a um amplificador, utilizando um

transistor PNP. Fazer um esquema, utilizando um transistor NPN.
6. Se o brilho do LED 521.9189 igual a 1 (numa unidade conveniente) para uma
corrente direta de 20 mA, qual o brilho para 1 mA? Para 5 mA? Para 40 mA? (Ver
Fig.5.15.)
7. Comparar a curva de emisso espectral do LED 521.9189 (Fig. 5.16) com a faixa do
espectro na regio visvel, para determinar se esse LED funciona principalmente nas
regies infravermelha, visvel, ou ultravioleta.
8. Baseado na Fig, 5.21 e na descrio dos pinos no texto, determinar quais os pinos
que devem estar alimentados para o display apresentar os nmeros seguintes: 0,1,
2,4,7,9.
220
/ CAPo5
9. Baseado na Fig. 5.24, determinar quais as linhas de entrada que devem estar no estado alto, para surgirem cada algarismo, de O a 9, no display.
10. Alm dos displays de algarismos, existem os de letras do alfabeto e de outros smbolos, sendo alguns exemplos mostrados na Fig. 5.28. Obviamente esses displays so
mais complexos que os numricos. Entretanto, utilizando um display numrico em
forma de 8, ~uais as letras do alfabeto que poderiam ser por ele representadas?
11. No caso da pergunta do Exerc. 10 - display numrico representando letra do alfabeto - poderia ser utilizado um decodificador do tipo mostrado na Fig. 5.24?
Por qu?
12. Observar as Figs. 5.4, 5.5 e 5.16 e verificar, conforme salientado na nota ao p da
pg. 209. que os comprimentos de onda esto expressos em unidades diferentes nos
trs grficos. Transformar os valores do comprimento de onda existente nas Figs.
5.4 e 5.5 para nanrnetros, que a unidade oficial a ser utilizada.
==================
Captulo
Tecnologia dos Semlcondutores
Neste captulo, procuramos apresentar os principais mtodos para a fabricao de dispositivos de semicondutores, no s para dar ao leitor uma viso mais
completa sobre o assunto, mas tambm porque as noes aqui apresentadas so
bsicas para o Capo 7 (Microeletrnica).
6.1. TECNOLOGIA BSICA
Evidentemente, o passo inicial para a fabricao de dispositivos de semicondutores utilizando o silcio a obteno do mesmo, o que feito pela reduo do
xido de silcio, obtendo-se neste processo silcio com 98% de pureza. Uma vez que
necessitamos reduzir o nvel de impurezas para a faixa de um tomo de impureza
para cada 109 tomos de silcio, um processo adicional de purificao deve ser
utilizado.
Usa-se, ento, o chamado processo de fuso por zona, que se baseia no fato de
as impurezas serem mais solveis na fase lquida do silcio do que na fase slida. A
idia, ento, fundir o silcio em um ponto da barra inicialmente impura; se o
ponto de aquecimento , a seguir, deslocado ao longo da barra (o que implica em
deslocar a fase lquida no mesmo sentido), as impurezas, como so mais solveis
na fase lquda, tambm se deslocaro no sentido do movimento do aquecimento.
Esta operao repetida um grande nmero de vezes, at que as impurezas estejam
concentradas numa das extremidades da barra, possuindo o restante da barra um
nvel aceitvel de impurezas. A extremidade impura ento desprezada, ficando-se
apenas com a parte purificada.
Poderia parecer, neste ponto, que temos o silcio apto para a fabricao de
dispositivos semicondutores; entretanto, a estrutura cristalina do cristal obtido est
cheia de anomalias. A fim de obter um cristal em que a rede cristalina tenha a per-
feio exigida, fundimos o cristal anteriormente obtido e fazemos o chamado crescimento. Um mtodo para fazer tal crescimento o chamado mtodo de
222
TECNOLOG/A
DOS SEM/CONDUTORES
/ CAPo 6
Czochralsky , que consiste em colocar em contato com o material fundido uma semente perfeita do cristal em questo com a orientao desejada; a seguir, esta semente lentamente retirada permitindo a solidificao do material em torno da
mesma, crescendo, portanto, o cristal com a mesma estrutura cristalina da semente
usada. Por meio deste processo, consegue-se, por exemplo, uma barra cilndrica de
2,5 em de dimetro e digamos 10 em de comprimento.
extremamente importante notar, neste ponto, que possvel adicionar ao
material fundido, antes da colocao da semente, a impureza tipo P (boro, ndio ...)
ou N (fsforo, antimnio ...) desejada, crescendo o cristal, respectivamente, tipo P
ou tipoN.
Ainda nesta fase de preparao do material, o cilindro obtido cortado em
pastilhas (wafers) de aproximadamente
2,5 em de dimetro e 200 mcrons
(1 mcron = 10-4 em) de espessura, sendo o corte destas pastilhas feito por meio
de serras anulares de diamante.
Finalmente, as pastilhas so polidas (processos mecnicos ou qumicos), a
fim de apresentar uma superfcie livre de imperfeies.
Ento, as pastilhas esto prontas para sofrer o
chamado processo epitaxial. Suponhamos, por exemplo, que impurezas tipo P tenham sido adicionadas
ao silcio fundido, sendo, portanto, obtidas pastilhas
Fig.6.1. Pastilha de silcio
tipo P. Esquematicamente, representaremos tal pastipoP.
tilha como na Fig. 6.1.
A idia fazer crescer em cima da camada tipo P da Fig. 6.1 uma camada
tipo N, mantendo a mesma estrutura cristalina da camada tipo P. Em outras palavras, no deve haver nenhuma descontinuidade na estrutura global resultante,
obtendo-se, portanto, uma estrutura que um nico cristal. Apenas o que acontece
que, numa regio, as impurezas so do tipo P e, na outra regio, as impurezas so
do tipo N. O crescimento da camada epitaxial feito em fornos especiais e o nome
epitaxial, na realidade, significa "arranjado em cima", dando idia do processo.
Na Fig. 6.2, esquematicamente, est representada a estrutura resultante aps a
L....---p_l
formao da camada epitaxial, sendo a mesma bsica para a fabricao dos circuitos
integrados pelo processo chamado epttaxial-ifundido
TIPO N
TIPO N
~ada
(ver Capo 7).

epitaxial(fz)
~istividade
(P~.)
Fig.6.2. EstruturaepitaxialP-N.
Outra possibilidade , por exemplo, obter as pastilhas iniciais do tipo N e

fazer crescer uma camada epitaxial tambm tipo N, com resistividade diferente da
inicial (Fig. 6.3). A estrutura obtida usada na fabricao, por exemplo, dos transisto~es tipo mesa-epitaxial.
6.2/ FABRICAO
DE DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES
r----T-I-P-O-N--
....
~
223
epitoxial
TIPO P
Fig.6.3.
6.2.
Estrutura epitaxialN.N.
FABRICAO DE DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES
At agora, descrevemos propriamente as etapas preliminares para a obteno

das pastilhas de silcio e para a obteno das estruturas epitaxiais. A seguir, estudaremos os mtodos principais para a fabricao de transistores, sendo que nos limitaremos aos tipos mais modernos como os transistores mesa, mesa-epitaxial, planarepitaxial, mormente, porque a tcnica pianar-epitaxial a tcnica bsica para a
fabricao de circuitos integrados pelo mtodo epitaxial-difundido que ser discutido noCap. 7.
6.2.1.
PROCESSO DE DIFUSO SELECIONADA
Antes, porm, de estudarmos cada um destes grupos, discutamos alguns

pontos fundamentais. Na Se. 1.3.5.1, estudamos o fenmeno da difuso e verificamos que h sempre o deslocamento de partculas de um ponto onde a sua concentrao elevada para pontos de concentrao redu.'Gos:.con1-edo':-bta.:
zida. Suponhamos, ento, uma pastilha de silcio
.'_0 ... o; '. ,
'.".
tipo N, colocada em contato com um gs contendo
uma impureza tipo P (boro, por exemplo); devido
Sillcio tipo
N
ao fenmeno da difuso, o boro comear a penetrar no silcio, como indica a Fig. 6.4.
Fig. 6.4. Difuso do boro no
Imaginemos, agora, que queremos que o
silcio.
boro penetre apenas em regies selecionadas da pastilha de silcio. Para conseguir
este objetivo, devemos proteger a superfcie do silcio com um material que impea
a penetrao da impureza nas regies indesejveis. Isto feito deixando a superfcie
do silcio se oxidar e abrindo janelas no xido exatamente onde o boro deve penetrar.! A Fig. 6.5 ilustra o processo da difuso selecionada, onde o boro consegue
penetrar no silcio exatamente onde o xido no protege a superfcie do cristal.
oportuno salientar neste ponto que, se a pastilha fosse mantida temperatura ambiente durante a difuso, um tempo praticamente infinito seria necessrio
para a penetrao da impureza. A fim de acelerar o processo, a pastilha colocada
em um fomo (fomo de difuso), onde temperaturas da ordem de 1.100 a 1.300C
so mantidas.
1 A abertura
das janelas no xido feita por um processo fotolitogrfico, inteiramente
anlogo ao usado para a fabricao de circuitos impressos.
224
TECNOLOG/A
,:
.:,
:.,: 'Gs" .'' m' '. 'a':. impurza ,'. ' .... " :,
.. .' J2VZaZi';a: '. .'. '. vaz,?l?ZZ2a
I
UlZ, ?lU'
'.
,'.
'
. ,.
'.'
'
ti ':tU l'Iu).'r
Silcio
DOS SEM/CONDUTORES
"
'
'.
'.;
'.
I"
-:
Oxido de sil(cic:!
'l:i:I:i*I,li1:.:tt4
IcA.p,
Fig. 6.5. Difuso selecionada.
6.2,2.
FABRICAO DE TRANSISTORES TIPO MESA
Para a fabricao de um transistor NPN tipo mesa, partimos de uma pastilha

de silcio tipo N, a qual constituir o coletor do transistor [Fig. 6.6 (a)]; em seguida, difundimos uma impureza tipo P (boro) para a formao da base do transistor
[Fig. 6.6 (b)]; depois fazemos a oxidao da superfcie tipo P e retiramos o xido
na regio em que o emissor deve ser difundido [Fig. 6.6(c)]; o prximo passo a
difuso de uma impureza tipo N (por exemplo, fsforo), formando o emissor do
transistor [Fig. 6.6(d)].
Agora, temos o passo final que exatamente o que caracterizar a estrutura
tipo mesa. Na Fig. 6.6(e), repetimos a Fig. 6.6(d), apenas hachurando as regies da
estrutura que so inertes, isto , que servem apenas para aumentar a rea da juno
base-coletor, A idia , ento, a retirada destas regies, obtendo a estrutura final
tipo mesa, ilustrada na Fig. 6.6(1) (a prpria figura ilustra a razo deste nome),j
com os contatos feitos para o emissor, a base e o coletor.
Observao. As figuras abaixo so puramente ilustrativas, no se referindo
propriamente ao aspecto de um transistor antes de ser encapsulado.
P
(d,
LlLJ_N__
Fsforo
HHH
(o,
__
xido
~2U'" paN/r
L~
(f)
Fig. 6.6. Fabricao de transistores tipo mesa.
'J--oc
225
6.2/ FABRICAO DE DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES
6.2.3. FABRICAO DE TRANSISTORES TIPOMESA-EPITAXIAL

Como o nome indica, a fabricao destes transistores comea com uma estrutura epitaxial consistindo em duas regies tipo N, uma com uma baixa resistividade,
e outra epttaxial, com alta resistividade, como indica a Fig. 6.7.
r---: :":",'
(e-tD""'ii7"ta-x"":'"ia-:t:T)
---,~
~a
resistividade
resistividade
Fig. 6.7. Estrutura epitaxial para a fabricao dos transistores tipo mesa-epitaxial.
As outras etapas so idnticas ao processo anteriormente descrito, resultando

a Fig. 6.8.
I--===-~N-Epitaxial(rna faixa de 1 a2.n.
em}
N(P na faixa de 0.010 0.001 .fi em)
~f--4'"
-4C
Fig.6.8.
Transistor tipo mesa-epitaxial.
A vantagem desta estrutura comparada com o tipo mesa simples que podemos, independentemente, ajustar as resistividades das duas camadas tipoN e, deste
modo, ter um transistor que apresente uma baixa tenso de saturao e uma alta
tenso de ruptura da juno base-coletor.
No caso anterior s uma camada N existe e, se esta camada muito dopada
(baixa resistividade) para reduzir a tenso de saturao, a tenso de ruptura tambm reduzida. Por outro lado, se doparmos fracamente esta regio (alta resistividade), a tenso de ruptura ser elevada, mas a tenso de saturao ser tambm elevada, o que um fator desfavorvel em circuitos de comutao.
No caso do transistor tipo mesa-epitaxial, a camada de baixa resistividade permite uma reduo da tenso de saturao, ao mesmo tempo que a camada de alta
resistividade proporciona uma elevada tenso de ruptura.
6.2.4. FABRICAO DE TRANSISTORES TIPO PLANAR

Conforme o leitor pode facilmente verificar nas figuras anteriores, a juno
base-coletor sempre fica exposta ao meio ambiente durante a fabricao, o que
requer um cuidadoso tratamento superficial, uma vez que a existncia das impurezas na superfcie altera de modo significativo as caractersticas do transistor.
TECNOLOG/A
226
DOS SEM/CONDUTORES
/ CAPo 6
o transistor planar simplesmente obtido usando-se o mesmo processo de

mscaras com xido de silcio, usado para formar o emissor do transistor mesa-epitaxial, sendo que no transistor planar tanto a base como o emissor so formados
pela difuso de impurezas adequadas atravs destas mscaras. Na Fig. 6.9, o processo completamente ilustrado e observamos que, por meio das mscaras, as dimenses do transistor so todas precisamente controladas e que em nenhum ponto as
junes so expostas ao meio ambiente, reduzindo consideravelmente os riscos de
contaminao superficial.'
Obviamente, podemos fabricar transistores usando exclusivamente as tcnicas
planar e epitaxial, combinando as vantagens dos dois processos. Neste caso, partimos de uma estrutura epitaxial, como a discutida no Item 6.2.3, e por meio da tcnica planar difundem-se a base e o emissor. Este o processo utilizado para a fabricao de circuitos integrados e preferimos tratar no Capo 7 os detalhes deste proces-
so.
Novacamoda
(d)~"S;O'
Fsforo(N)
Emissor
Ip
(c)
,I
"'------~
B05e
(f)
Fig. 6.9. Fabricao do transistor tipo planar.
1 O leitor observa que, sempre que fazemos a difuso atravs de uma mscara, as impurezas, alm de penetrarem verticahnente, tambm o fazem horizontalmente sob o xido, como
ilustrado abaixo, protegendo as junes. Apenas por facilidade de desenho no representamos
a penetrao horizontal das impurezas, mas o leitor deve sempre ter este fato em mente.
6.2 I FABRICAO
DE DISPOSITIVOS
SEMICONDUTORES
227
Exerccios
1. Explique com suas prprias palavras o processo de purificao, conhecido como purificao por zona, e indique at que ponto se consegue eliminar as impurezas indesejveis.
2. Explicar o processo de Czochralsky para o crescimento de cristais.
3. Explicar o que se entende por crescimento epitaxial e caracterizar a importncia deste
processo.
4. Explicar as diferenas entre os transistores mesa, mesa-epitaxial e planar-epitaxial.
5. Como se consegue fazer a difuso de uma impureza em regies selecionadas de um
cristal de silcio?
6. Por que so utilizadas temperaturas elevadas durante o processo de difuso?
7. No Item 6.2.4, falamos da vantagem de a juno ficar formada embaixo do xido
durante o processo de difuso. Pensar um pouco e explicar quais os efeitos da contaminao superficial mencionada.
==================Capftulo
"7
Microeletrnica
7.1.
DIVISOES DA MICROELETRNICA 1
o advento da Microeletrnica foi um dos mais notveis avanos tecnolgicos

no campo da Eletrnica, se-ido fundamentalmente oriundo das especificaes rgidas exigidas pela pesquisa espacial, com relao a peso, dimenses, potncia consu- .
mida e confiabilidade. Era impossvel satisfazer as restries impostas nestes casos
com os circuitos convencionais, usando componentes discretos.
O campo da Microeletrnica pode ser divido em trs grupos. No primeiro,
temos o uso de minsculos componentes (ainda convencionais), montados em unidades extremamente compactas, como o caso dos rnicromdulos. No segundo
grupo, temos os chamados circuuos integrados, e este grupo pode ser dividido em
dois subgrupos, a saber. circuitos de semicondutores e circuitos de deposio.l
A concepo bsica inerente aos circuitos integrados a construo de todos
os componentes de um circuito (componentes passivos e ativos) numa mesma estrutura. Em outras palavras, os transistores, diodos, resistores etc. so todos fabricados,
interligados e includos em um mesmo invlucro. Por exemplo, um amplificador DC
completo, com todos os seus componentes, fabricado e encapsulado em um inv- .
lucro semelhante ao de um transistor comum (evidentemente o nmero de terminais pode ser diferente).
Na Fig. 7.1, apresentamos alguns tipos de circuitos integrados, sendo de notar
alguns invlucros tpicos da tecnologia integrada.
I Um estudo
completo sobre Microeletrnica pode ser encontrado no livro Circuitos
Integrados. de Hilton A. Mello, Ed. Edgard Blucher Ltda.
2 Em ingls, chamados Thin-film circuits. O nome que adotamos, circuitos de deposio,

no uma traduo literal, mas ilustra como o circuito fabricado.
7.1 / D/I//SOES
229
DA M/CROELETR6N/CA
Fig. 7.1. Alguns tipos de invlucros utilizados na tecnologia de circuitos integrados.
Para ilustrar melhor a classificao anterior, consideremos o caso dos circuitos

integrados de semicondutores. Estes podem ser subdivididos em dois grupos: os
circuitos monoliticos': e os circuitos hibridos.
Nos circuitos monolticos todos os componentes so fabricados por meio de
uma tecnologia especial dentro da pastilha de silcio, enquanto que, nos circuitos
hbridos, vrias destas pastilhas so colocadas em um mesmo invlucro e so conecta das entre si. Na fabricao destes circuitos integrados de semicondutores, o que
fazemos ,uma srie de difuses sucessivas, usando mscaras adequadas at completar a estrutura desejada (exatamente o que fazemos para obter o transistor planar).
Os circuitos de deposio, como O nome indica, so circuitos obtidos pela
"deposio" de camadas de materiais adequados, formando os diversos componentes. Por exemplo, a deposio sucessiva de camadas de materiais metlico, isolante e metlico d origem a um capacitar.
Tambm interessante observar que existem os chamados circuitos integrados
de deposio compatveis, significando-se com isto circuitos fabricados por tcnicas
de deposio que so compattveis com o processo de fabricao dos circuitos monoliticos. Por exemplo, em um circuito monolitico , quando necessitamos de elevados
valores de capacitnca ou resistncia, possvel obt-Ias usando tcnicas de deposio.
Finalmente, somente para ser mais completo, podemos mencionar que o terceiro grupo em que a Microeletrnica se divide, o dos chamados dispositivos funcionais, diz respeito a dispositivos nos quais um pedao de material tratado de modo
a adquirir as funes completas de um circuito, embora no possamos precisar qual
a regio do aludido material que possui esta ou aquela propriedade. Por exemplo,
um filtro de quartzo pode funcionar perfeitamente como um circuito sintonizado,
1
Do grego
mono (simples)
ou um "nico cristal".
e Itthos (pedra),
Portanto,
o nome
indica uma "nica
pedra"
MICROELETR6NICA
230
/CAP. 7
embora no possamos precisar qual a parte do material que est fazendo o papel
da indutncia do circuito sintonizado. Isto , nos dispositivos funcionais, as caractersticas globais dos materiais so utilizadas.
Na Fig. 7.2, apresentamos um quadro com a classificao feita anteriormente,
devendo ser mencionado que este serve apenas para dar uma orientao geral, sendo
os detalhes omitidos.
..
M I CROELETRONICA
Fig. 7.2.
7.2.
7.2.1.
O campo da Microeletrnica.
FABRICAO DE CIRCUITOS INTEGRADOS MONoLtncoS
DETALHES FUNDAMENTAIS SOBRE A TCNICA
Conforme j mencionamos, os circuitos integrados monolticos so aqueles

em que todos os componentes do circuito so fabricados em um nico cristal de
silcio e interligados formando o circuito. Finalmente, a pastilha de silcio encapsulada em invlucros, como ilustra a Fig. 7.1.
Neste livro, focalizaremos apenas os circuitos integrados monolticos, mas o
leitor deve lembrar que existem outros tipos, como os circuitos de deposio, os
hbridos etc.
Ora, um circuito completo consta de transistores, diodos, capacitores, resistores etc., interligados de modo que o conjunto apresente uma determinada caracterstica. Vamos, portanto. estudar separadamente, como todos estes componentes
podem ser fabricados, usando exclusivamente um material sernicondutor como o
silcio.
Inicialmente, estudemos o ponto fundamental de partida dos circuitos monolticos, que uma estrutura epitaxial constituda por uma regio P e uma regio N
(crescida eptaxalmente) e cujas resstvidades so individualmente controladas,
como indica a Fig. 7.3. A regio P chamada substrato e, na realidade, ter por
funo dar resistncia mecnica ao conjunto.
7.2/ FABRICAO
DE CIRCUITOS INTEGRADOS MONOL/tICOS
231
CAMADA EPlTAXIAl
~---------------- I
p
Fig.7.3.
: SUBSTRATO
Estrutura epitaxial.
O primeiro passo para a fabricao monoltica a abertura de ilhas tipo N,

o que feito protegendo a superfcie da estrutura epitaxial da Fig. 7.3 com xido
de shco! e retirando o mesmo apenas nas regies onde ser feita a difuso de uma
substncia tipo P (boro), at que a impureza difundida encontre o substrato, formando assim as aludidas ilhas tipo N. Este processo ilustrado na Fig. 7.4.
Ca)
N
P
SI02
Cb) [
BORO
'li wzza
ce)
BOR0.JANELA
BORO
':\.vnmUl/]
,
ABERTA NO OXIDO
ILHAS TIPO N
Cd~.N
)
Fig. 7.4. Abertura das ilhas tipo N.
O motivo para a abertura das ilhas tipo N pode ser facilmente compreendido:
em uma das ilhas ser colocado um resistor em outra um transistor, e assim sucessivamente? Posteriormente, estes elementos sero interconectados, completando o
circuito, mas no deve haver nenhuma interao entre os mesmos atravs do cristal,
I
A abertura
de janelas no xido de silcio feita por um processo inteiramente
anlogo
ao usado para a fabricao de circuitos impressos (processo fotolitogrfico).

2
ilha.
Na realidade,
em muitos circuitos, possvel fabricar mais de um elemento na mesma
232
MICROELETRONICA /CAP. 7
devendo toda a interao ser feita pelas interconexes. A idia bvia , ento, a ligao do substrato tenso mais negativa do circuito. Assim procedendo, as junes
P-N, formadas entre as ilhasN e o substrato, ficaro todas inversamente polarizadas,
como indica a Fig. 7.5. Isto significa que os componentes estaro isolados por meio
de junes inversamente polarizadas. 1
JUNES INVERSAMENTE
POLARIZADAS
-v
(TENSAO
MAIS NEGATIVA
DO CIRCUITO)
Fig. 7.5. Isolamento das ilhas tipo N.
Podemos agora analisar como cada componente fabricado em um cristal de

silcio.
7.2.2.
FABRICAO DE RESISTORES
7.2.2.1.
Resistores Difundidos
A fabricao de resistores na forma integrada baseia-se no fato de o material

sernicondutor apresentar uma resistividade que funo das impurezas adicionadas
ao silcio. Por exemplo, se num cristal puro,NA tomos de boro (impureza tipo P)
so adicionados por em" , a resistividade do material ser dada aproximadamente
por (verCap. 1):
1
p= r~p NA q '
onde
mobilidade para buracos
= nmero
= 480
vem ;
. s
de tomos por em" de impurezas adicionadas;
= valor absoluto da carga do eltron = 1,6 X 10-19 coulombs.

J
Existe um outro tipo de circuito integrado, chamado de fases mltiplas, em que o isolamento das ilhas feito por meio de uma camada de xido, como indicado abaixo:
CAMADA DE OXIDO DE SILICIO
'-----0
_P
Eif]
7.2/ FABRICAO
233
DE CIRCUITOS INTEGRADOS MONOL/'rICOS
Em funo da resistividade, a resistncia de um bloco de material dada pela

clssica frmula indicada na Fig. 7.6.
R
J...
P A
= resistncia em ohrns;
P = resistividade em n . m;
{ I = comprimento em m;
A =r rea em m .
R
Conseqentemente, variando a resistividade

(funo de nmero de impurezas adicionadas) ou
Fig. 7.6. Resistncia de um
as dimenses do bloco de cristal, podemos ajustar
bloco de material.
a resistncia do bloco para o valor desejado.
A Fig. 7.7 ilustra como, usando a estrutura epitaxial estudada, podemos fabricar um resistor, sendo tambm indicado o percurso da corrente no corpo do material tipo P.
,
,
ALUMINIO
ALUMINIO
_
2
Si0
CAMADA EPITAXIAL
SUBSTRATO P
Fig.7.7.
7.2.2.2.
Constituio de um rsistor difundido.
Resistores Depositados
Quando valores elevados de resistncia so necessrios, o que exigiria uma

rea grande do cristal usando-se o processo de difuso, uma soluo para o problema fabricar o resistor depositando uma camada de material metlico conforme
ilustrado na Fig. 7.8.
Variando o material empregado e as dimenses do resistor, podemos obter o
valor desejado de resistncia.
MATERIAL METALICO (NICROME TANTALO..)
~
//
~,
///
"//
Fig.7.8.
//
////
Resistor de deposio.
OXIDO,--
234
7.2.3
MICROELETR()NICA
/ CAPo 7
FABRICAO DE CAPACITORES
Fundamentalmente, dois tipos de capacitores so usados na forma integrada:

capacitores de juno e capacitores de deposio.
7.2.3.1.
Capacitores de Juno
Estes capacitores se baseiam no fato de uma juno P-N apresentar uma capacitncia cujo valor depende da tenso inversa aplicada juno, tendo sido este fenmeno cuidadosamente estudado no Capo 1. Portanto, o simples uso de umajuno P-N inversamente polarizada pode proporcionar o valor de capacitncia desejado.
.
Por exemplo, na Fig. 7.9 apresentamos as capacitncias tpicas de um transistor integrado, no qual o coletor (camada epitaxial) tem uma resistividade de
0,1 n . em. Para este transistor, a juno base-coletor tem uma capacitnca de
aproximadamente 350 picofarads por milmetro quadrado (pF/mm2); portanto, se
quisermos saber o valor da capacitncia em picofarads basta multiplicar este nmero
pela rea da juno expressa em mm? .
JUNO COlETOR-SUBSTRATO:
IV 350 pF/mm2
SUBSTRATO
Fig. 7.9.
Capacitncias de um transistor.
Advertimos ao leitor que 'estes valores foram mencionados como exemplo,

apenas para ilustrar as diferentes possibilidades existentes. Estas capactncas dependem da geometria (dimenses), dopagem etc.
O grande inconveniente do seu uso o fato de elas dependerem fortemente da
tenso e da temperatura. Alm disto, apenas valores limitados de capactncia
podem ser obtidos.
7.2.3.2.
Capacitores Depositados
Um processo de fabricao de capacitores que compatvel com o processo

de fabricao de circuitos integrados a deposio, como indica a Fig. 7.10.
7.2/ FABRICAO
DE CIRCUITOS
INTEGRADOS
MONOL/t/COS
235
ALUMINIO
~'\\.~;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;~=D~ELTRICO OXIDO
Fig.7.10.
Capacitor de deposio.
Inicialmente, no topo do xido de silcio que cobre o substrato, depositamos

o alummo que servir como uma das placas do capacitor; a seguir, depositamos
um m,aterial dieltrico (por exemplo, xido de t nt alo) e, finalmente, uma nova deposio de alumnio produz a outra placa do capacitor. Por este processo, variando
o dieltrico utilizado, conseguimos obter valores de capacitncias muito mais elevados que as capacitncias de juno. Um valor tpico obtido, usando xido de tanta10, de 3.000 pF /mm2, salientando a dependncia bem menor com a temperatura.
7.2.4.
FABRICAO DE INDUTNCIAS
Embora um grande esforo tenha sido empregado ao tentarmos obter indutncias na forma integrada, ainda no chegamos a uma soluo que permita obt-Ias
com valores prticos para serem usados. Algumas vezes, empregamos o artifcio de
usar um circuito para "simular" uma indutncia, mas esta criticamente dependente da temperatura.
Portanto, o que fazemos atualmente adicionar as indutncias externamente
ao circuito integrado, aguardando um progresso da tecnologia que permita a integrao eficiente de ndutncas.
7.2.5.
FABRICAO DE mODOS
Ora, sendo um diodo constitudo apenas por uma juno P-N, possvel,
conectando terminais de um transistor, obter um diodo ou, ento, simplesmente,
usando a juno base-emissor ou base-coletor. O que fazemos, ento, usar o alumnio (durante a fase de interligao dos componentes) para ligar os terminais
convenientes do transistor. Na Fig. 7.11, so ilustradas as configuraes utilizadas.
Fig. 7.11.
Configuraes de um transistor usadas como diodos.
Com relao fabricao de trnsistores, por uma questo de espao, tratamos deste assunto na seo seguinte.
I CAPo
MICROELETR6NICA
236
7.2.6.
FABRICAO SIMULTNEA DE TODOS OS COMPONENTES DE UM

CIRCUITO
O leitor verifica, com facilidade, que todos os processos usados para fabrcao dos componentes de um circuito integrado partem da estrutura epitaxial j
estudada. A idia, no caso, fabricar todos os componentes simultaneamente numa
pastilha de silcio e, finalmente, interligar todos os componentes pela deposio de
alumnio, completando o circuito.
Para exemplificar a fabricao simultnea de diferentes componentes, mostramos, na Fig. 7.12, como um transistor e um resistor so fabricados e interligados
numa mesma pastilha usando a tcnica planar-epitaxial.
--r
(a)
Estrutura epitaxial inicial.
TRANSISTOR
NI
RE5aSTOR
NI
(b)
(d)
Pastilha pronta para sofrer a difuso

para formao das ilhas.
rr
p
Pastilha pronta para sofrer a difuso da

base do transistor e do corpo do resistor.
D1J
~
(f)
(c)
Pastilha pronta para sofrer a difuso do

emissor e preparao do contato do coletor.
(h)
Fig.7.12.
(e)
Pastilha j com as ilhas formadas e com

a superfcie novamente oxidada.
Cil.r,rc:::a .~
Pastilha j com a base e o resistor difundidos e a superfcie novamente oxidada.
~
(g)
Pastilha j com emissor difundido e o

contato do coletor preparado.
Pastilha j com o alumnio depositado

fazendo os contatos (emissor do transistor ligado ao resistor).
Fabricao simultnea de um transistor e um resstor.
Com relao Fig. 7.12, conveniente fazer alguns comentrios.
7.2/ FABRICAO
DE CIRCUITOS INTEGRADOS MONOL/'r/COS
237
1. No so ilustradas as etapas para abrir as janelas necessrias no xido de

silcio. Conforme j mencionamos, trata-se de um processo fotolitogrfico bastante
semelhante ao usado para a fabricao de circuitos impressos;
2. Na Fig. 7.12(f), o leitor verifica que, ao mesmo tempo em que se abriu a
janela para difuso do emissor, tambm se abriu uma janela em cima da regio do
coletor (regio epitaxial). Sabemos que, aps todos os componentes terem sido
fabricados, os mesmos so interligados por meio de alumnio depositado na superfcie da estrutura. Ora, o alumnio um elemento aceitador e, caso ele esteja em
contato com um material tipo N, existe a possibilidade de formao de uma juno
P-N. Por exemplo, consideremos a Fig. 7.13, na qual queremos fazer contato com a
base, o emissor e o coletor nos pontos C, B e E.
ALUMINIO ( TIPO p)
P
N
SUBSTRATO
Fig.7.13.
Contato entre o alumnio e o semicondutor.
Caso simplesmente depositemos o AI, como est indicado na Fig. 7.13, h a

possibilidade de formao de junes P-N entre o AI (tipo P) e o cristal constituinte
do emissor e do coletor do transistor (tipo N). Entretanto, verificou-se que o AI no
forma tal juno com o material tipo N, caso a dopagem deste ltimo seja bastante
elevada.
Uma vez que, ao fazermos a difuso do emissor do transistor, usamos uma

elevada concentrao de portadores, no h formao de juno entre o AI e o emissor. Por outro lado, sendo o coletor fracamente dopado, originar-se-ia uma juno
entre o AI e o coletar do transistor. A soluo para este problema simples e bastante engenhosa: antes de fazermos a deposio do alumnio, utilizamos a prpria
difuso do emissor para produzir na regio do coletor, onde o alumnio vai ser
depositado, uma elevada concentrao tipo N; a seguir, podemos fazer a deposio
do alumnio sem o perigo de formao de junes! (Fig. 7.14).
3. Com relao Fig. 7.12 (h), devemos notar que, aps as janelas terem sido
abertas no xido, o alumnio depositado em toda a superfcie da pastilha. A
I Tais contatos, em que no so formadas junes, so chamados contatos
hmicos, e,
no caso oposto, contatos retificadores.
238
MICROELETR6NICA
/CAP. 7
seguir, ento, retiramos o alumnio indesejado, deixando apenas as conexes neeessrias,
77"7'"
XIOO
.,...,."
BASE
COLETOR
J
N
P
(o,
(bl
Fig.7.14. Preparao para deposio do alumnio: (a) janelas abertas no xidona regio do
coletor e na regio da base; (b) pastilha aps a difuso do emissor e j com as janelas abertas no
xido para deposio do alumnio.
4. Conforme verificamos, o corpo do resstor integrado constitudo por um

material tipo P e, obviamente, o que fazemos aproveitar a prpria difuso das
bases dos transistores (tipo P) para formar tambm o corpo dos resistores do circuito. Assim sendo, formam-se, numa s etapa, as bases dos transistores e corpos dos
resistores do circuito. O inconveniente deste procedimento o fato de os valores de
resistncias ficarem limitados pela concentrao de impurezas usadas para fabricar
as bases dos transistores. Quando valores, elevados de resistncias so necessrios,
usamos o resistor depositado discutido na Se. 7.2.2.2.
Neste exemplo, fizemos apenas um transistor e um resistor, mas o leitor pode
facibnente imaginar que, usando a tcnica descrita, transistores, diodos, capacitores
etc. podem ser fabricados e interligados, constituindo um circuito completo.
Deve ser notado que as pastilhas de silcio tm em torno de 2,5 em de dimetro e, normalmente, um circuito completo apenas utiliza uma pequena frao da
CONTATO PARA
O CIRCUITO
CIRCUITO
(o)
Pastilha de Silcio
Fig. 7.15. Numa pastilha completa so fabricados diversos circuitos.
7.3/ APLICAES DOS CIRCUITOS INTEGRADOS
239
rea disponvel da pastilha. Isto permite a fabricao simultnea, numa mesma pastilha, de centenas e at milhares de circuitos idnticos simultaneamente. Na Fig.
7.15 mostramos como numa pastilha podem ser fabricados centenas e mesmo
milhares de circuitos idnticos. 1
A seguir, a pastilha cortada por meio de uma ponta de diamante (processo
semelhante ao usado para cortar vidro) e os circuitos individuais [Fig. 7.1 5 (b) ]
esto prontos para serem encapsulados.
Dependendo do tamanho, finalidade, nmero de terminais etc., usamos o
invlucro adequado, sendo alguns destes invlucros ilustrados na Fig. 7.1.
7.3.
APLICAES DOS CIRCUITOS INTEGRADOS
Nas explanaes anteriores, o leitor verificou a possibilidade de fabricao simultnea de um circuito completo, partindo de uma estrutura epitaxial e utilizando
a chamada tecnologia planar. O termo circuito completo sugere que o utilizado r de
um circuito integrado escolhe um circuito que apresente o desempenho por ele
desejado. J de incio, torna-se evidente que os fabricantes de circuitos integrados
no podem fabricar todos os tipos de circuitos que so usados pelos projetistas,
sendo o primeiro problema encontrado por estas fbricas a seleo dos circuitos a
fabricar. A seguir, analisamos alguns tipos de circuitos existentes nos campos digital
e lnear.'
7.3.1.
CIRCUITOS DIGITAIS
exatamente o campo digital que permite um fantstico xito dos circuitos

integrados, porque, com um grupo relativamente pequeno de alguns circuitos especiais, conseguimos a realizao de um sistema lgico completo. Alm disto, os
circuitos digitais so mais flexveis com relao variao dos componentes do
circuito, quando comparados com os circuitos lineares.
Na Fig. 7.16, apresentamos alguns tipos de circuitos digitais, circuitos estes j
fabricados por um grande nmero de companhias do ramo de semicondutores.
Observaes: 1. Nos circuitos da Fig. 7. 16, representamos apenas duas entradas
para cada circuito, existindo circuitos com um nmero mais elevado de entradas. 2.
Vrios circuitos podem ser fabricados em uma mesma pastilha e encapsulados no mesmo invlucro. Por exemplo, podemos ter quatro circuitos E com duas entradas cada
um em um mesmo invlucro, como sugere a Fig. 7.17. Como as etapas de solda e
encapsulamento so as mais caras do processo, conseguimos uma substancial reduo no preo procedendo deste modo.
I Para a fabricao de vrios circuitos idnticos, o que se faz uma repetio das mscaras utilizadas para abrir as janelas no xido de silcio. Existem mquinas automticas para a repetio de uma mscara original, possibilitando a gerao de uma mscara total para a pastilha.
Da, todos os circuitos poderem ser fabricados ao mesmo tempo.
2 Um estudo detalhado das aplicaes dos circuitos integrados encontrado ro livro

Circuitos Integrados, de Hilton A. Mello, Ed. Edgard Blucher Ltda.
240
MICROELETR()NICA
Tipo de Circuito
Representao Simblica
O
O
1
1
O
1
O
1
O
1
1
1
O
O
1
1
O
1
O
1
O
1
1
O
O
O
1
O
1
O
1
O
O
O
1
O
O
1
1
O
1
O
1
1
O
O
O
O
O
1
1
O
1
O
1
1
1
1
O
X
Y
X
Circuito OU-EXCLUSIVO'
~XY
b1
X
y
.,(X+VI
Circuito NO OU
X
y
Circuito NO E
Tabela de Funcionamento'
x
Circuito OU
Circuito E
/ CAPo 7
Fig.7.16. Circuitos digitais.

etapas de solda e encapsulamento
so as mais caras do processo,
uma substancial reduo no preo procedendo deste modo.
INVLUCRO
conseguimos
COMUM
Fig. 7.17. Quatro circuitos E com duas entradas cada.

I
x=l,x=O.
Os americanos chamam a esta tabela de trutn table.

Utilizaremos a seguinte notao: x = complemento de x, isto , se x = O, x = 1; se
241
Alm dos circuitos anteriormente mencionados, vrios circuitos digitais j so

encontrados no mercado, como matrizes de diodos, bancos de flip-flops, de codificadores, memrias para leitura (read only memory), adicionadores binrios, registradores de deslocamento (shift registers) etc. Portanto, praticamente certo que o
projetista de equipamentos digitais possa escolher os circuitos digitais a serem
utilizados no seu projeto.
No devemos deixar de dizer que um estudo cuidadoso por parte do projetista
deve ser feito, por exemplo, para selecionar os circuitos para o seu caso especfico,
para satisfazer s condies de velocidade, tenses de alimentao, potncia dissipada, fan-in, fan-out' etc. Por exemplo, para a linha mais rpida de circuitos integrados digitais, estamos falando de tempos de propagao da ordem de 3 nanossegundos, enquanto outra linha pode apresentar uma velocidade bem mais reduzida, por
exemplo, 15 nanossegundos. Por outro lado, a potncia dissipada no primeiro caso
maior que no segundo, havendo, portanto, um compromisso entre tempo de propa
gao e potncia dissipada.
Todos estes fatos devem ser de conhecimento do projetista, e queremos
deixar claro que a tcnica de utilizao de circuitos integrados no consiste simplesmente em "gruparem-se bloquinhos" de circuitos at obter o circuito completo.
A seguir, para completar estas explanaes, apresentamos alguns circuitos digitais comerciais, fornecendo os circuitos eltricos e as representaes lgicas correspondentes, tendo estes exemplos carter puramente ilustrativo, pois possivelmente
estes circuitos especficos no sero mais fabricados quando da publicao da
presente edio.
Me 310 (MOTOROLA) - ~ircuito duplo NO OU ("NOR,,)2.
Especificaes bsicas:
27 mWjcircuito.
Potncia dissipada:
Tempo de propagao:
6,5 nanossegundos.
r-,
I....
9
10
r-,
I....
(b) Esquema
(o) Circuito
6= 7 +8
5 = 9+10
lgico
eltrico
Fig. 7.18. Circuito integrado MC 310 da Motorola.

I Fan-in
e fan-out : termos em ingls que significam. respectivamente, o nmero de entradas e o nmero mximo de circuitos idnticos que podem ser ligados sada do circuito
digital.
Z
Os circuitos e especificaes dos circuitos da Motorota foram extrados do Livro: The
Microelectronics Data Book - Motorola Semiconductor Products Inc. Segunda edio.
242
MICROELETRNICA
/ CAPo 7
MC 302 (MOTOROLA) - flip-flop RS.

Potncia dissipada:
42mW.
Tempo de propagao:
10,5 nanossegundos.
n+i
2,4k
2,4k
2k
NO
Determinado
875
2k
2
VEE
(a) Circuito
(c) Tabela
eltrico
funcionamento
de
4 _
10
(b) Esquema
lgico
Fig.7.19. Circuito integrado MC 302 da Motorola.
MC 502 (MOTOROLA) - NO E ("NAND") com 8 entradas.

15 mW/invlucro.
Potncia dissipada:
12 nanossegundos.
Tempo de propagao:
4VcC
4,Ok
100
1,3k
2
3
12
l'
6
7
9
1.3
10
(a)
Circuito
eltrico
TERRA
(b)
Esquema
l~ico
Fig.7.20. Circuito integrado MC 502 da Motorola.
12.3.5.6.7.9.13
7.3/ APLlCA()ES DOS CIRCUITOS INTEGRADOS
243
MC 912 (MOTOROLA) - Semi-adconador (Half adder).

Potncia dissipada:
5,5 ou 11,5 mW (depende
Tempo de propagao:
66 nanossegundos.
da entrada).
g=(a+b)(c
(b)
(o) Circuito
Esquema
.o)
lgica
eltrica
Fig. 7.21. Circuito integrado MC 912 da Motorola - Valores tpicos: R, = 1,5 krz ; Rz
= 3,6 kU.
7.3.2.
CIRCUITOS LINEARES
No campo dos circuitos lineares, o xito no foi to grande como no caso dos
circuitos digitais, uma vez que na realidade poucos so os circuitos lineares "de uso
geral", em contraste com os blocos digitais. Mas alguns tipos de circuitos foram lanados com sucesso no campo linear como amplificadores operacionais, amplificadores de radiofreqncia, amplificadores de freqncia intermediria etc.
7.3.2.1.
Amplificadores Operacionais
Incontestavelmente, o tipo de circuito integrado linear de maior uso o amplificador operacional, fabricado por diversas indstrias. Nas Figs. 7.22 e 7.23 so
apresentados os circuitos de dois amplificadores da Fairchil Semiconductor, respectivamente, o J1A 702A e o J1A 709.1
Nas Tabs. 7.1 e 7.2 so dadas as principais caractersticas destes dois amplificadores, sendo tambm apresentadas as definies correspondentes a cada especifcao.
, As informaes bsicas relativas aos circuitos integrados da Fairchild foram obtidas

do livro: Fairchild Semiconductor Integrated Circuits - Data Catalog - 1970.
MICROELETRNICA
244
/ CAPo 7
8 +
~--------~--.---~--~V
R3
8k
compenaao
de
.....
-+--06 } ire'lUncia
Terra
Entrada
inversora
Entrada no 03'-- __
inversora
+__......
12
2,6k
'--2,4k
__
480
.....
__
1j.
240
.....
~ 4 V-
Fig. 7.22. Amplificador operacional pA702A da Fairchild Semiconductor.
Entradal paro
cO/IIplnaao di freqncia
r----9-_~-+
-+_~
_,--_,--~~7_oV+
R7
Q!5
Entrada
inversora
Enl,ada no
inversora
R{5
30k
R9
IO~
Sao'da
S Sa"da po,!.
c:ompensaao
I\to
3
li
18k
Ot,3
QtO!
RJ2
SoOk
!tU
Fig.7.23.
V-
Amplificador operacional pA709 da Fairchild Semiconductor.
7.3/ APL/CAOES DOS CIRCUITOS INTEGRADOS
Tab. 7.1.
Caractersticas
245
Eltricas Principais do Amplificador ILA709 da Fairchild Semi-
conductor
TA =
+ 25 C (Temperatura ambiente)
.,;; 15 V (Alimentao)
9 VS";; Vs
Condio
Parmetro
Offset da tenso de
entrada
M(n.
Ttpico
RS';;; 10 krz
150
Resistncia de sada
Potncia consumida
. Ganho de tenso para
sinais grandes
5,0
mV
50
200
nA
200
500
nA
Tab.7.2.
Caractersticas
400
kn
150
80
165
45.000
70.000
VS=15V
RL;;. 2 kn
-55C.;;; TA " 125C
VS=15V
25.000
Unidade
1,0
Offset da corrente de
entrada
Corrente de polarizao
de entrada
Mdx.
mW
Eltricas Principais do Amplificador JlA702A da Fairchild
Semi-
conductor
TA
= 12 V
V-
= -6V
Parmetro
Offset
= 25C (Temperatura ambiente)
v+
da tenso de entrada
(Alimentao)
Condio
M(n.
RS" 2 kn
Offset da corrente de entrada
Corrente de polarizao de
entrada
16
T(pco
Mdx.
Unidade
0,5
2,0
rnV
180
500
nA
2,0
5,0
JlA
kn
40
Resistncia de sada
200
500
Potncia consumida
90
120
mW
3.600
6.000
Ganho de tenso para sinais

grandes
RL;;. 100 kn
V=12V
V-=-6V
2.500
246
MICRDELETR(}NICA
/ CAPo 7
DEFINIES DE ALGUNS TERMOS REFERENTES AOS AMPLIFICADORES

OPERACIONAIS DA FAIRCHILD SEMICONDUcrOR
Offset da tenso de entrada (input offset voltage). A tenso que deve ser aplicada
aos terminais da entrada para obter tenso de sada nula. O offset da tenso
de entrada pode ser tambm definido para o caso em que duas resistncias
iguais so inseridas em srie com os terminais de entrada.
Offse: da corrente de entrada (input offset current], A diferena entre as correntes
nos dois terminais de entrada para produzir uma tenso de sada nula.
Corrente de polarizao de entrada {input bias currenr),
correntes de entrada.
O valor mdio das duas
Resistncia de entrada (input resistance). A resstnca observada em qualquer dos

terminais de entrada com o outro curto-circuitado.
Resistncia de salda (output resistance}. A resistncia observada no terminal de
sada com tenso de sada nula. Este parmetro defndo somente para sinais
de pequena amplitude e para freqncias acima de algumas centenas de hertz,
para eliminar a influncia do drift e da realimentao trmica.
Potncia consumida (power consumption},
A potncia de corrente contnua necessria para operar o amplificador com a tenso de sada nula e nenhuma corrente de carga.
Ganho de tenso para sinais grandes (large signal voltage gain}. A relao entre a
mxima excurso da tenso de sada com carga e a variao na tenso de entrada necessria para variar a tenso de sada de zero at a excurso mxima.
Como no podia deixar de ser, os fabricantes tiveram que fazer um circuito
cujas caractersticas pudessem ser "modeladas" de acordo com as necessidades do
projetista. Por exemplo, a Fig. 7.24 ilustra como, adicionando os capacitores C1 e
C2 e o resistor RI, podem ser alteradas as caractersticas do amplificador p.A709
da Fairchild Semiconductor.
A seguir, para facilitar o estudo do leitor neste campo, so apresentadas algumas aplicaes de amplificadores operacionais integrados.
7.3.2.1.1.
Amplificador para uma Ponte de Termistores'
Na Fig. 7.25, a sada diferencial de uma ponte a terrnistores amplificada por
10, sendo nula a tenso de sada quando a ponte est balanceada. Neste circuito, a
variao da tenso de equilfbrio da ponte devida ao amplificador menor que 1 mV
na faixa de temperatura de -55C a + 125C.
I
Fairchil
As aplicaes dos circuitos integrados da Falrchild foram obtidas do seguinte livro:

Semiconductor Linear Integrated Circuiss Applications Handbook ; de James N. Giles.
CURVAS
:-a
t.l
TPICAS
"RESPOSTA
VRIOS
100,
...
''''
iiiri ,.;;;_.,
..,-,'"
,
.o
-e
.<:I
BO
o
...:o
o
l60
a:
....
ID
...:
40
40 I Ili,
:I:
u.
1111
"li;
,
,,,j
111
"'i
II11
;.
>
o
u
ii:
I 1'1011I
Li ,,.:;..
100
1k
(a)
10k
, I'"
o I I,i, ,
~ _20
ioos
FREQNCIA
1M
10M
I I III
100
'i' ;
"I
li''''
li!
III!
1k
(b)
HZ
...:
u
ii:
i
I "No:
"II N I
, . ,...., .,11\1 I
10k
I1I11 I I t\l
lOOk
FREQNCIA
1M
:t-
DE SADA
il!
32~
_11111111
"11
DA TENSO
EM FUNO DA FREQNCIA
~
z
~O~
t:1l1t:Il1IIJJ.
I Ilil
20
!t
..J
...:
20
_20
i 111
EXCURSO
PARA
FECHADO
U
....
...
...:..J
...:
60111;,
80
DE FREQNCIA
GANHOS A LAO
10M
.~
~
o
-...:
!2
....
t-
2B~T~=2'oc
~
~
24
t)
20
5l
16
Q
:o
12
B,O
ti)
4,0
OI
I 11I
lk
-1\
10k
(c)
HZ
I J! I
I 111
lOOk
FREQNCIA
I I11
1M
-
HZ
I
10M
~
i1l
C)
t)
5l
CIRCUITO
PARA
COMPENSAO
R2
DE
FREQNCIA
(d)
Fig. 7.24. Curvas caractersticas do amplificador p.A709 da Fairchild Semiconductor, ilustrando a influncia de componentes externos. R2 = 50 n, quando o amplificador for operado com
carga capacitiva.
"
MICROELETRONICA
248
/ CAPo 7
IOk
A">_7~_ .. e
R1.
1k
Fig. 7.25. Amplificador para uma ponte a terrnistores utilizando o p.A702A da Fairchild
Semiconductor.
7.3.2.1.2. Amplificador de Alta

Piezeltrico
Impedncia
de Entrada para um Transdutor
No amplificador ilustrado na Fig. 7.26, o ganho de tenso do circuito 3, a

impedncia de entrada maior que 5 Mil, e a freqncia de corte inferior 1 Hz.
J.O _
:>7_..._.0
R:s
50l
C2
4,7JJ.
Fig.7.26. Amplificador de alta impedncia de entrada para um transdutor piezeltrioo utilizando o IJ.A702A da Fairchild Semiconductor.
7.3.2.1.3.
Fonte de Tenso de Elevada Preciso
Na Fig. 7.27, ilustrado o uso do amplificador j.LA 702A numa fonte de tenso precisa, fornecendo a tenso de + 10 V e a corrente de 100 mA.
7.3/ APLICAOES
DOS CIRCUITOS
INTEGRADOS
249
.,eV
+jJV
!H4111
SU055
3,111
+lOV,lOOIllA
Fig. 7.27. Fonte de tenso precisa (+ 10 V, 100 mA) utilizando o jA.A70ZA da Fairchild
Semiconductor.
7.3.2.1.4. OsciladorSenoidal
Na Fig. 7.28, apresentado o circuito de um oscilador senoidal utilizando o
JJ.A702A. Com os componentes indicados, a freqncia de oscilao de 1 kHz, o
Ds
FD-'OO
Re
470k
200k
i%
Fig. 7.28.0sciJador
senoidal de 1 kHz utilizando o jlA702A
da Fairchild
Semiconductor,
250
MICROELETR()NICA
/ CAPo 7
valor pico a pico da tenso de sada de cerca de 8 V e o tempo de estabilizao

de aproximadamente 50 ms.
7.3.2.1.5. Controladorde Temperatura

Na Fg. 7.29, apresentado um controlador eletrnico para estabilizao de
temperatura em fomos, no qual mais que 100 W podem ser dissipados no aquecedor, mantendo-se a temperatura dentro da faixa de O,SoCem tomo do valor desejado.
,....,.,;....
ZlSA
e.II
4TO
R4
5,1'
Fig. 7.29.
sr
"-
d.
,..., tur.
Controlador de temperatura utilizando o
I-LA 709
da Fairchild Semiconductor.
Nos exemplos das Ses. 6.3.2.1.1 a 6.3.2.1.5, foram utilizados os amplificadores operacionais IJ-A702A e p.A709 da Fairchild Semiconductor. A seguir, so
apresentados circuitos integrados lineares de outros fabricantes e uma aplicao
tpica dos mesmos.
7.3.2.2.
7.3.2.2.1.
Outros Exemplos de Circuitos Lineares Integrados

Circuito Integrado TA A 320 (IBRAPEl
Descrio. Circuito integrado monoltico, consistindo em um transistor de

efeito de campo e um transistor NPN em um invlucro TO-I8. O amplificador foi
idealizado para amplificadores de udio com uma elevada mpednca de entrada
(por exemplo, pick-up de cristal).
Especificaes
Impednca de entrada: > 1011 ohms,
Tenso de alimentao: - 20 V.
Dissipao total:
200 mW (mx.) a 25C.
Tenso de rudo equivalente: 25 IJ-Vpara
-Ib=
lOmA:-VDS=10V;
50 Hz a 15 kHz.
1 Os dados referentes aos circuitos integrados da Ibrape (Philips) foram obtidos do livro:
Philips Data Handbook - Semiconductors and Integrated Circuits. Parte 5, janeiro, 1969.
251
Esquema (Fig. 7.30)
r-----
,
I
GHI-----...
I
I
I
I
---1
L_
S
Fig.7.30.
Amplificador
Aplicao.
Esquema do TAA320 da/brape.
de udio de 2 W usando o TAA320 e o transistor
BD115 (Fig. 7.31).
~~--C=J---------~---------o+
V8"100v
Fig.7.31.
7.3.2.2.2.
Amplificador de udio de 2 W usando o TAA320 sIbrape.
Circuito Integrado TAA3JO [Ibrape]
Descrio. Circuito integrado monoltico destinado a aplicaes onde h necessidade de um pr-amplificador de alto ganho.
Especificaes
Ganho de tenso: 100 dB (tpico).

Figura de rudo:
< 4 dB.
Impedncia de entrada: 20 kn (a 1.000 Hz).
Tenso de alimentao:
7 V.
252
MICROELETR()NICA
/CAP.
Esquema (Fig. 7.32)
Fig.7.32.
Esquema do TAA310 dalbrape ..
Aplicao. Pr-amplificador para gravadores (Fig. 7.33).
47);
10k
0,64J.1.
v,o-jlH--+---(
'6n
L
CHAVE
Fig. 7.33.
_
NA
POSio
REPRODUO
Pr-amplificador para gravadores usando o TAA310 da Ibrape.
7.3.2.2.3. CircuitoIntegrado CA3.000 (RCAl

Descrio. Amplificador DC apresentando sadas push-pull, alta mpednca
de entrada (0,1 MO), e um ganho de aproximadamente 30 dB para freqncias at
lMHz.
Especificaes
Ganho de tenso: 37 dB tpico a 1 kHz.
Faixa larga de AGC: 90 dB tpico.
Temperatura de operao: - 55 a + 125C.
Operao com uma faixa larga de tenses de alimentao.
------, Dados extrados
do manual: RCA Linear Integrated Ctrcuiu.
7.3/ APLICAOES DOS CIRCUITOS INTEGRADOS
253
Esquema (Fig. 7.34)
Rs.o
(_)
VEE
Fig. 7.34.
Esquema do CA3.000 da RCA.
Aplicao. Osclador a cristal at 1 MHz pela conexo de um cristal entre os

terminais 8 e 1 e uso de dois resistores externos (Fig. 7.35).
T----I
Ol~-----.
~~~-----------usv
80 00-+--0(1
-SV
1.000
Fig. 7.35 . Oscilador a cristal usando o CA3.000 da RCA.
MICROELETRONICA
254
/ CAPo i
Exerccios
1. Procurar caracterizar com suas prprias palavras o que entender por um circuito
integrado.
2. Caracterizar a diferena entre circuitos integrados de semieondutores e circuitos de
deposio. Que entende o leitor por circuitos integrados de deposio compatveis?
3. A palavra monolttico
grados?
o que realmente representa
no campo dos circuitos inte-
4. Que entende o leitor por um circuito integrado hbrido?

S. Em termos da FJ8. 7.3, procurar visualizar todas as vantagens de se partir de uma
"estrutura epitaxial" (vale a pena rever os conceitos do Capo 6).
6. Para que serve fundamentahnente
7. Para que se formam
unas tipo
o substrato em um circuito integrado?
N na fabricao de um circuito integrado monoltico?
8. Na Fig. 7.4 (c) ilustrada a difuso de impurezas tipo P na regio N epitaxial, por
meio de janelas abertas na camada de SiO. superficial: pensar um pouco e dizer
como podem ser abertas estas janelas no xido de silcio.
9. Que caracteriza um circuito integrado de fases mltiplas? Quais as vantagens e
desvantagens que antevemos para este tipo de circuito integrado, quando comparado com os circuitos integrados monolticos? .
10. Descrever como podem ser fabricados resistores, capacitores e transistores utilizando a tecnologia planar-epitaxial.
11. Caso necessitemos de valores de resistores e capacitores mais elevados que os fornecidos pelo cristal, como podemos obter tais valores usando mtodos de deposio?
12. Os indutores so amplamente usados na tecnologia dos circuitos integrados?
13. Observar que na Fig. 7.9 so apresentadas as capacitncias por unidade de rea das
diversas junes de um transistor (apenas um exemplo tpico); pensar um pouco e
descrever como estas capacitncias podem influenciar no comportamento deste
transistor integrado.
14. Descrever com suas palavras como podem ser fabricados simultaneamente transistores, dodos, resistores e capacitores de um circuito integrado.
15. Por que antes da deposio do alumnio para fazer as interlgaes dos diversos componentes de um circuito integrado utilizamos a difuso do emissor para fazer uma
deposio tipo N de alta dopagem na regio do coletor? Por que no precisamos
fazer isto na base?
16. Atentar para a Fig. 7.15 e descrever como podem ser feitos simultaneamente em
uma pastilha de aproximadamente 2,5 em de dimetro, milhares (dependendo de
cada circuito individual) de circuitos integrados idnticos.
17. Por que no campo digital foi obtido mais sucesso com os circuitos integrados?
18. Quais as vantagens de fabricar diversos circuitos idnticos em um mesmo invlucro?
19. O que so fan-in efan-out de um circuito digital?
20. No campo linear, qual o tipo de circuito integrado mais amplamente utilizado? Justificar.
21. Estudar detalhadamente as definies dos termos referentes a amplificadores opera-
cionais e ver a faixa de valores para os casos dos amplificadores operacionais

ep.A702A.
IlA 709
7.3/ APLICA()ES
DOS CIRCUITOS
INTEGRADOS
255
22. Observar a Fig. 7.24 relacionada ao amplificador operacional ILA709. Se usarmos

CI = 500 pF, RI = 1,5 kn e C2 = 20 pF, qual ser o ganho a lao fechado em
100 kHz para Vs= 15 VeTA = 25C. Neste mesmo caso, qual ser o valor pico a
pico mximo da tenso de sada do amplificador?
======================================
Apndlce
DIssipadores de Calor para

Dispositivos Semlcondutores
1. INTRODUO
presente apndce, aps justificar o uso dos dissipadores de calor, apresenta

o clculo dos mesmos para os vrios tipos de dispositivos semicondutores.
A fim de facilitar a utilizao futura, foram includos os grficos de uso mais
corrente e apresentados vrios exemplos de clculo.
Um importante aspecto da utilizao de dispositivos sernicondutores a influncia da temperatura sobre os mesmos, devendo-se verificar cuidadosamente as
especifies dos fabricantes com relao aos dados trmicos. Alm disto, estudos
experimentais mostram que a simples reduo metade da temperatura de operao
conduz, em m dia, a uma duplicao da vida do dispositivo semicondutor. Assim
sendo, se utilizarmos um dispositivo que permita reduzir a temperatura de operao

dajuno de um transistor, poderemos fazer com que o mesmo dissipe maior potncia e tenha uma temperatura de juno mais baixa que a temperatura mxima permissvel, o que aumentar a sua vida.
A Fig. A.l ilustra como o uso de um dissipador de calor pode afetar a temperatura da juno de um transistor. Por exemplo, se a temperatura mxima permissvel para a juno de um transistor fosse de 90C, este no poderia dissipar a potncia de 1 watt sem o uso de um dissipador de calor, pois a temperatura de juno
ultrapassaria o valor mximo. Por outro lado, o uso de um dissipador de calor poderia, por exemplo, permitir que o mesmo dissipasse 2 watts com uma temperatura de
juno de apenas 75C.
.
Portanto,
nenhum projetista de equipamentos que utiliza dispositivos semi-
condutores pode desconhecer a tcnica do uso dos dissipadores de calor, pois,

muitas vezes, a utilizao dos mesmos, conduzindo a uma vida maior, compensa os
2 /PRINCf1:>IOS DA TRANSMISSO
257
OE CALOR
gastos adicionais, devendo ainda levarmos em conta o fator de confabilidade do

equipamento.
Sem dissipador
-oo
Com dissipador de
elevada capacidade
-'--I
75
50
0,5
Fig. A.l.
Influncia de um dissipador de calor.
Devemos observar que a tcnica adotada durante o projeto do circuito deve

prever a necessidade do uso de dissipadores de calor, projetando a parte estrutural
com as dimenses adequadas.
2. PRINCJl>IOS DA TRANSMISSO DE CALOR

Entendemos por transmisso de calor o transporte de uma quantidade de calor de um ponto para outro do espao, podendo esta transmisso ser realizada por
trs diferentes processos: conduo, radiao e conveco.
Na radiao, uma parte da energia contida em um corpo transformada em
energia radiante e transportada atravs do espao, at encontrar outro corpo, onde,
ento, uma parte ou toda a energia transformada novamente em calor.
A conveco o processo que ocorre quando s partculas de matria mudam
a sua posio no espao. Verifica-se nos gases e nos lquidos, sendo acompanhada da
conduo de calor de partcula para partcula, a menos que a temperatura seja constante em cada ponto do fluido.
Na conveco, h a distinguir a conveco natural e a conveco forada. Na
conveco riatural, a diferena de temperatura existente entre os pontos do fluido
d origem a diferentes densidades nestes pontos, originando-se uma corrente de
conveco, em funo do deslocamento das partculas mais densas para baixo e das
menos densas para cima. Outras vezes, estabelece-se uma diferena de presso externa e, quando o efeito de conveco natural desprezvel face ao oriundo da diferena de presso, chamamos a este processo especialmente de conveco forada.
DISSIPADORES DE CALOR / APtNDICE
258
3. ESTUDO GERAL DOSDISSIPADORES DE CALOR

3.1. AO DE UM DISSIPADOR DE CALOR
Como o nome indica, tais dispositivos tm como finalidade eliminar o calor
que gerado nos componentes: melhor ser a qualidade de um dissipador quanto
maior for sua capacidade de reduzir a temperatura de operao.
A Fig. A.2 d uma idia da ao de um dissipador de calor em um dispositivo
semicondutor.
Juno onde
gerodo
o calor
eo< do l-pon-en-te---'
:
1
/1
Contato ertre o bOle

de montalJem e o
1
I
dissipadot de calor
Meio
g- ~
Q.
,:J
i' ;.
j'~
~ ~
ambiente
Fig. A.2. Ao de um dissipador de calor.
o calor gerado na juno atravessa o corpo do componente, atinge a sua base

de montagem (ou quando no h base de montagem, o seu invlucro), atravessa o
contato realizado entre o componente e o dissipador de calor, percorre o corpo do
mesmo, atinge a sua superfcie externa e dai irradiado para o meio ambiente.
oportuno um comentrio a respeito da nomenclatura utilizada para os dissipadores de calor.
Os transistores de baixa potncia e alguns de mdia potncia, normalmente,
no possuem uma base para montagem, e, conseqentemente, o modo de colocar o
dissipador de calor adapt-lo ao seu invlucro.
3/ ESTUDO GERAL DOS DISSIPADORES
DE CALOR
259
Como as potncias em jogo so pequenas, um tipo de dissipador muito utilizado uma pequena asa de alumnio, a qual adaptada diretamente ao corpo do
transistor. Estes dissipadores recebem o nome especial de aletas de resfriamento .
Mas isto no impede que, por exemplo, sejam usados dissipadores de maior capacidade, mormente nos transistores de mdia potncia. J os transistores de alta potncia apresentam uma base de montagem, que adaptada ao dissipador de calor.
3.2.
CONSTITUIO DOS DISSIPADORES DE CALOR
O primeiro assunto a abordar no estudo dos dissipadores de calor diz respeito

ao material de que os mesmos so constitudos. Os materiais mais utilizados so o
alumnio e o cobre. O alumnio o mais utilizado e pode ser usado em duas verses:
o anodizado brilhante e o anodizado enegrecido. claro que o alumnio enegrecido
necessita de uma menor rea para manter a mesma descarga trmica, tendo em vista
as leis do corpo negro. Dependendo das aplicaes, ainda pode ser usado o magnsio,
que tem excelente condutibilidade trmica, mas muito caro e no resiste bem sob
condies salinas, enquanto que tanto o lato como o a<1no se prestam para essa
aplicao em funo da baixa condutibilidade trmica que apresentam.
Uma tcnica utilizada, quando o chassi de alumnio ou outro material de elevada condutibilidade trmica, us-lo como dissipado r de calor, devendo-se estudar
cuidadosamente se as condies no so severas e se a superfcie escolhida para dissipar o calor no aquecida por outros componentes. oportuno acrescentar que
se pode prever, em certos casos, dissipadores que sirvam de parte estrutural, conseguindo-se com isto montagens extremamente compactas.
3.3.
GEOMETRIA DOS DISSIPADORES DE CALOR
A capacidade de um dissipado r de calor uma funo de diversos parmetros,

tais como o material empregado, a rea exposta, o acabamento das suas superfcies,
os nveis de temperatura do dissipador e do ar ambiente. Entretanto, os fatores predominantes so a forma geomtrica e a rea efetiva da superfcie. Alm disso, h um
fator muito importante a considerar, que o de penetrao do ar nas irregularidades
microscpicas da superfcie do dissipador, originando uma pelcula de ar aderida
superfcie do dissipador. Esta camada (filme ou camada-limite) forma uma cobertura que dificulta a transmisso de calor, uma vez que o ar tem baixa condutibilidade
trmica. O que se tem ento em mira, no projeto de um dissipador de calor, destruir esta camada-limite e, conseqentemente, aumentar a capacidade de dissipao
para o meio ambiente. O efeito desta camada-limite traduzido pelo coeficiente de
filme (h), e este coeficiente de filme funo da viscosidade, da condutibilidade
temperatura e da velocidade do fluido, fatores estes que so normalmenaplicao em questo. A soluo para tal problema destruir mecanicarnente a camada-limite pela escolha de um formato adequado para a superfcie
do dissipador, o que far com que a energia cintica das molculas do fluido des-
truam a camada com uma perda mnima da energia do fluido. Por exemplo, um dissipador realizado na forma de uma placa plana de alumnio exige uma elevada velo-
260
DISSIPADORES DE CALOR / AP~NDICE
cidade do fluido para destruir a camada-limite, o que implica em uma elevada perda
de energia.
Estas explicaes justificam o nmero imenso de formas de dissipadores de
calor, algumas extremamente exticas, mas criadas com a finalidade de melhorar a
troca de calor.
3.4.
PROBLEMAS DO SUPERDIMENSIONAMENTO
Uma pergunta geralmente feita a respeito dos dissipadores de calor se no

seria mais prtico utilizar o melhor dissipador de calor fornecido por uma indstria,
em lugar de perder tempo com o seu dimensionamento correto. claro que, do
ponto de vista trmico, o problema poderia ser resolvido deste modo. Quando,
porm, se trata de uma organizao que utiliza grande nmero de dissipadores de
calor nos seus projetos, importante o dimensionamento correto do dissipador
adequado, pois, medida que os dissipadores de calor vo tendo melhores caractersticas, maiores vo sendo os seus preos e dimenses. Portanto, o dimensionamento correto representa normalmente uma economia de preo e de espao.
No Brasil, ainda no se sente tanto este problema, em virtude do reduzido nmero de dissipadores de calor disponveis, mas, em muitos pases, existem muitas
indstrias que produzem dissipadores de calor, e, portanto, h muita probabilidade
de se encontrar o dissipador adequado para cada caso em questo.
3.5.
PROBLEMAS DO ISOLAMENTO ELTRICO
Nos transistores de baixa potncia, normalmente, nenhum dos terminais (base,

emissor e coletor) ligado ao seu invlucro, enquanto que nos transistores de alta
potncia isto acontece regularmente.
Ento, nos transistores de baixa potncia o dissipador de calor adaptado ao
seu invlucro, no havendo normalmente nenhum problema relacionado ao isolamento entre o transistor e o dissipador de calor.
Nos transistores de potncia, como o coletor ligado ao seu corpo, temos a
distinguir dois tipos de circuitos. O primeiro tipo aquele em que o coletor ligado
massa, o que facilitar bastante a montagem, em virtude de no se necessitar de
nenhum isolamento entre a base de montagem do transistor e o dissipador de calor
(que pode estar fazendo contato com o chassi). O outro caso aquele em que o coletor no ligado massa, quando, ento, podemos adotar duas solues. A primeira isolar a base de montagem do transistor do dissipado r de calor, no havendo
nenhum problema, caso o dissipador faa contato com o chassi. A segunda no
isolar a base de montagem do transistor do dissipador, mas sim isolar o dissipador
de calor do chassi. Esta ltima tcnica no muito utilizada, pois deixa um pouco
a desejar com relao confiabilidade do equipamento.
Com referncia aos dodos Zener, o problema semelhante aos transistores de
baixa potncia.
Para os dodos retificadores de elevada potncia, foi adotada uma soluo
interessante, que foi a construo de dodos com as mesmas caractersticas eltricas,
DE CALOR
261
mas uma ligao inversa dos eletrodos (por exemplo, BYX38-300 e BYX38-300R).
Portanto, o projetista tem a liberdade de escolher qual dos eletrodos quer ligado ao
dissipado r de calor (que poder estar em contato com o chassi).
Analisemos, agora, alguns problemas inerentes ao uso do isolamento anteriormente mencionado. Conforme indica a Fig. A.2, o calor gerado najuno do coletor de um transistor percorre o corpo do transistor, atinge a base de montagem do
mesmo, atravessa o corpo do dissipado r de calor, atinge a superfcie do dissipador
e da irradiado para o meio ambiente.
Portanto, o material isolante usado entre a base de montagem e o dissipador
de calor deve, ao mesmo tempo, apresentar uma elevada condutibilidade trmica e
uma reduzida condutibilidade eltrica. O material mais utilizado para tal fim a
mica, que preenche estes dois requisitos. Ainda se costuma intercalar uma arruela
de chumbo, pois esta se adapta s irregularidades da superfcie do dissipador, fazendo um bom contato trmico. Transistores de potncia isolados deste modo apresentam uma resistncia de contato entre a base de montagem e o dissipador de calor da
ordem de O~oC/W.
Outro artifcio usado para diminuir esta resistncia trmica de contato colocar uma graxa de silicone entre as superfcies, pois este material penetra nas bolsas
de ar que ficam formadas nas irregularidades das superfcies, melhorando bastante o
contato, uma vez que apresenta uma condutibilidade trmica cerca de 20 vezes
maior que a do ar.
Com relao ao isolamento eltrico, a tcnica mais moderna a fabricao de
dissipadores de calor cobertos por uma camada de material isolante na regio onde
ficam montados os transistores, devendo este material apresentar uma baixa resistncia trmica. Alguns fabricantes tm disponveis pastilhas de xido de berlio,
para serem usadas do mesmo modo que a mica. Mas, em qualquer caso, sempre
aconselhvel a utilizao de uma graxa de silicone, com a fmalidade mencionada.
3.6.
CONVECO FORADA E OUTROS MEIOS DE REFRIGERAO

Um grande nmero de aplicaes dos dissipadores de calor feita utilizando a
conveco livre, isto , o deslocamento do fluido que se d em funo da diferena

de densidades entre os seus diversos pontos. Entretanto, com a evoluo dos equipamentos transistorizados, surgiram casos em que se exigia uma alta dissipao em estruturas compactas, tomando-se, ento, necessrio o uso de ventiladores deslocando
o fluido ambiente e aumentando, deste modo, a capacidade de dissipao de calor.
Somente com a conveco natural seriam necessrias enormes reas de dissipadores
de calor, o que impediria um projeto compacto. Na Fig. A.3, observada a influncia do uso da refrigerao forada.
Um outro tipo de refrigerao mais eficiente por meio de um lquido, uma
vez que, para a mesma velocidade de escoamento, a relao entre os coeficientes de
transmisso de calor para a gua e para o ar de cerca de 133.
Entretanto, estes sistemas de refrigerao por lquido so muito caros, sendo
apenas usados em dispositivos que requerem uma excepcional confiabilidade, como

os equipamentos espaciais.
262
DISSIPADORES
DE CALOR / APtNDICE
3.7. DISPAROT~RMICO
Suponhamos que, por um motivo qualquer, a temperatura da juno de um
transistor varia: a corrente de fugalco varia no mesmo sentido, e,conseqentemente, a corrente de coletor e a dissipao do transistor. Esta variao na dissipao
provocar uma nova variao na temperatura da juno, completando-se um lao.
c
110
100
90
80
70
60
50
4
30
Temp. ambiente
2
25C
1~-'-+~~~~~~~+-~~~~-'-+
04
12 16 20.2428
Watts
32 3640 4448 52 56 60
Fig. A.3. Comparao entre a conveco natural e a conveco forada.
Dependendo das caractersticas dos circuitos, dos transistores, do sistema de

resfriamento etc., este lao pode apresentar um ganho maior que a unidade, significando isto uma realimentao positiva, que pode conduzir destruio do transistor
pela ultrapassagem das especificaes mximas.
Este fenmeno, conhecido como disparo trmico (thermal runaway) , pode ser
interpretado da seguinte forma:
a) uma variao na corrente de coletor provoca uma variao na potncia liberada;
b) uma variao na potncia liberada provoca uma variao na temperatura da
juno;
c) uma variao na temperatura
de coletor.
da juno provoca uma variao na corrente
Ento, a condio para que no haja um disparo trmico que o ganho deste
lao seja menor que a unidade para qualquer freqncia.

Os meios disponveis para impedir o disparo trmico so a realimentao de
corrente contnua (estabilizao), a compensao de temperatura e os sistemas efetivos para a refrigerao da juno de coleto r , salientando-se que em alguns casos
so usados todos os processos, concomitantemente.
263
DE CALOR
bastante complicado o estudo terico do disparo trmico, a fm de que

sejam tomadas medidas de segurana que no possibilitem o seu aparecimento, em
virtude da necessidade do conhecimento de todos os parmetros que influenciam na
estabilidade trmica. O que fazemos, geralniente, a verificao experimental da
mxima dissipao e mxima temperatura ambiente permissveis e do efeito das
tcnicas de estabilizao e compensao para o circuito em questo.
Ento, no projeto de um circuito, duas condies trmicas devem ser satisfeitas. A primeira que a temperatura da juno no ultrapasse a mxima temperatura
permissvel, o que obtido pela seleo do sistema adequado de refrigerao. A segunda a estabilizao do circuito contra o disparo trmico, utilizando os diversos
circuitos de estabilizao.
No estudo que fazemos a seguir, apenas abordamos o clculo dos dissipadores
de calor, mas, alm disto, dever ser verficada cuidadosamente a estabilizao do
circuito contra o disparo trmico, mormente nos estgios de elevada potncia, em
que os transistores so utilizados perto de suas caractersticas mximas.
3.8.
PROTEO DOS CIRCUITOS
Alguns equipamentos utilizam transistores de elevada potncia muito caros

e, portanto, torna-se aconselhvel a proteo dos transistores, inclusive tendo-se em
vista a responsabilidade do equipamento. Pode ser previsto de modo relativamente
fcil um circuito para proteger o transistor, por exemplo, contra um disparo trmico.
Um modo de aplicao desta tcnica de proteo colocar um termostato no
dissipador de 'calor, que, em conjunto com um disjuntor, pode desligar o circuito
ou, ento, dar alarma quando a temperatura atinge um valor perigoso para o transistor em questo. Um arranjo muito usado colocar o termostato de tal forma que
quando a temperatura atinge um certo valor, ele fecha o contato, provocando uma
sobrecarga no circuito, o que faz com que o disjuntor interrompa a alimentao.
A Fig. AA ilustra esta aplicao.
Disjuntor
normalmente
fechado
<)R
>
Fonte
Circuito
da
cujos
transistores
alimentao
Termos tato (colocado
no dlssi podor de
calor) fecha quando
aquece
~I
)
~
~
,I
I
t
~j
Fig. A.4. Proteo dos transistores de um circuito.
devem
ser
protegidos
!
"..,...--~'-
OlSSIPAOORES OE CALOR I APtNOICE
4. CLCULO DOS DISSIPADORES DE CALOR

4.1.
EQUAO BSICA PARA O CLCULO DOS DISSIPADORES DE CALOR

De acordo com a Fig. A.S, ser utilizada a seguinte nomenclatura:
Temperatura da juno.
Temperatura da base de montagem
TJ
TBM
TC
TDC
TA
Km
(transistores
de potncia).
Temperatura do invlucro (transistores de baixa potncia e diodos

Zener).
Temperatura do dissipador de calor.
= Temperatura ambiente.
=
=
Kdc
Resistncia trmica do corpo do transistor ou do diodo.

Resistncia trmica do contato entre o componente e o dissipado r de
calor.
Resistncia trmica do dissipador de calor, levando. em conta o coeficiente de filme.
TJ
TeM
Toe
411
~
o
..
'1:1
411
o
.c
o
CIo.
:;
'1:1
..
"'O
..
c:
CIo.
..
Q)
o
Q.
to-
Km
411
01
..
8
0
o-
8'1:1
., .
Kd
:.
'e
'1:1.2
TA
o
'1:1
ti
E
ti
u
E
o
.0
2E
c---tI
-I
I<
lFig.A.S.
:s
2 o
ti
c
o
o
e
u
41
c
c
:!
.0.
Q)
41
..
'1:1
Nomenclatura utilizada no estudo dos dissipadores de calor.
Sendo P a potncia em watts que transformada em calor, obtm-se:
TJ
TA =P(Km +Kc
+ Kdc)'
(A.l)
que a equao bsica para o clculo dos dissipadores de calor.

Estudaremos, a seguir, os disspadores de calor para os dispositivos semcondutores mais comuns, isto , transistores, diodos retificadores e diodos Zener.
4 lCLCULO
4.2.
265
DOS DISSIPADORES DE CALOR
DISSIPADORES DE CALOR PARA TRANSISTORES
Os transistores tm, normalmente, uma temperaturmxima permissvel para

a juno na faixa de 85 a 100C, para os transistores de germno, e 150 a 200C,
para os transistores de silcio. primeira vista, pode parecer que os transistores de
germnio devem suportar uma temperatura maior de juno, em virtude de serem
menos sujeitos influncia da temperatura. Entretanto, o valor de Ico para os transistores de silcio bem menor que para os de germnio, o que faz com que os transistores de silcio possam ser usados em temperaturas mais elevadas.
4.2.1.
Transistores de Baixa Potncia
A seguir, vrios exemplos ilustram o clculo dos dissipadores de calor para os

transistores de baixa potncia.
1. Qual a mxima potncia que o transistor ocrz' pode dissipar continuamente, se for utilizado em um circuito onde a temperatura ambiente pode variar de
20 a 45 C, sem o uso de qualquer processo adicional de resfriamento (transistor nu)?
Das folhas de especificaes so obtidos os seguintes dados trmicos para o
transistor OC72:
Temperatura mxima da juno para operao contnua
Temperatura mxima da juno para operao intermitente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
75C.
90C.
Aumento da temperatura da juno no ar livre:

- Sem aleta de refrigerao e sem nenhum dissipador
de calor adicional (transistor nu) .. .. . . . . .. . . . . .
- Com aleta de resfriamento tipo 56.200 (Fig. A.6) e

dissipado r de calor de no mnimo 12.5 em? . . . . . ..
K =O,3C/mW.
-i~
= 0,4C/mW.
75
I
I
10
,..:
~.
7' l'\
T'"V
10
m
...
cotas
em
mm
Fig. A.6.
I
Aleta de resfriamento tipo 56.200.
Este transistor j obsoleto, mas ilustra os parmetrospara um transistor de germnio.
266
DISSIPADORES DE CALOR IAP~NDICE
Tem-se, de acordo com a Eq. A.1:

T, - TA
p. K,
onde K a resistncia trmica total entre a juno e o meio ambiente.

Conhecendo os valores de TJrnx. = 75C e TArnx. = 45C, podemos calcular
a mxima potncia que pode ser dissipada pelo transistor sem exceder a temperatura permissvel para a juno.
Para o transistor nu, temos:
O ,4CjmW ,
P rnx.
TJ rnax.
' - TA rnax.
'
~CjmW
c =
75 - 45 = lQ. = 75 W
04,
04,
m .
Portanto, no caso do transistor nu, a mxima potncia que pode ser dissipada
no ambiente considerado de 75 mW.
Se, para este mesmo caso, o transistor fosse utilizado com uma aleta do tipo
56.200 e um dissipador adicional de no mnimo 12,5 em? de rea, a nova potncia
que poderia ser dissipada seria:
Prnx.
75 - 45
03,
30
= 03
,
100mW.
2. Verificar qual a mxima potncia que pode ser dissipada pelo transistor
for utilizado com a aleta 56.200 e um dissipador de no mnimo
12,5 cm2 de rea, em um ambiente de temperatura mxima de 25C.
Este um importante clculo, porque corresponde a um dado apresentado
pela IBRAPE em suas folhas de especificaes:
ocn, se o mesmo
TJrnx. - TArnx.
rnx.=
75 - 25
03,
=2Q =
166
03,
W
m.
Portanto, necessrio observar que as potncias indicadas pelo fabricante do

transistor se referem a valores definidos de TA rnx. e de K.
3. Qual a mxima potncia que o transistor BCI07 pode dissipar, se for utilizado em um circuito onde a temperatura ambiente pode variar entre 20 a 45C, sem
o uso de qualquer processo adicional de resfriamento (transistor nu)?
Das folhas de especificaes do BC107, obtemos:
Temperatura mxima de juno
Resistncia trmica entre a juno e o ar livre
Temos, de acordo com a Eq. A.1:
TJ - TA =p.
.
.
K.
Conhecendo-se os valores TJmx. = 17SoC e TA rnx. = 45C, podemos calcular

a mxima potncia que o transistor pode dissipar, sem exceder a temperatura permissvel para a juno:
Prnx.
TJrnx. - TA mx.
175 - 45
0,5
260mW.
4 /CALCULO
DOS DISSIPADORES
.267
DE CALOR
Para fmalizar os comentrios a respeito dos transistores de baixa potncia,

lembramos que estes transistores tambm podem ser usados com outros tipos de
dissipadores, embora tal procedimento no seja usual. Na Fig. A.7, mostramos a influncia de dissipadores de baixa, mdia e alta capacidades em um transistor de
mdia potncia.
4.2.2.
Transistores de Potncia
J foram abordados os processos para a fixao dos transistores de potncia

T
=c
.tOO
25~
~ __+-~
__ +-__~ __~ __~ __-+__~
0,5
J.
2,5
3,5
Wattl
Fig. A.7. Influncia da capacidade de um dissipador na temperatura da juno de um transistor.
aos dissipadores de calor. A montagem tpica de um transistor de potncia ilustrada na Fig. A.8.
A seguir, so resolvidos alguns problemas de aplicaes.
1. Em um circuito dever ser utilizado um transistor BDY38 , sendo a mxima
temperatura ambiente de
Qual a mxima potncia-que este transistor poder
dissipar?
Das folhas de especificaes, so obtidos os dados trmicos para o transistor
BDY38:
so'c.
Temperatura de juno mxima...

.....
....
Resistncia trmica entre a juno e a base de
montagem. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ... . . . .
20(tC.
K
1,SOC{W.
Suponhamos que seja feito um contato como o indicado na Fig. A.8, de fortrmica do contato de Kc = o~oc/w.
Tendo em vista a Eq. A.1 e que os valores de TJmBx. e de TAmx. 810 respectivamente 90C e 60C, podemos escrever:
ma que a resistncia
268
DISSIPADORES
DE CALOR / APiNDICE
PARAFUSOS
L mina
4/2214
WZlMIllll14
valll
---
Tubo poro isolar

os terminais
002224
piO Ia 111111
de mico com
graxa de sillcon.
1/2111lS
Disaipador de calor
Terminol poro o
coletor
PORCAS
Fig. A.S. Montagem tpica de um transistor de potncia em um dissipador de calor.
90C - 60C = P(W) . (1 ,SoC/W + O,SoC/W + Kdc C/W),

30/P = 2 + Kdc'
(A.2)
Esta frmula d a relao entre a mxima potncia que pode ser dssipada pelo BDY38 no ambiente considerado (sem ultrapassar 1Jrnx)e o valor de Kdc (resistncia trmica do dissipador de calor}.
claro que, quanto menor o valor de Kdc' isto , quanto maior for a capacidade de o dissipador transmitir o calor para o meio ambiente, maior poder ser a
potncia dissipada sem ultrapassar 1Jrnx., ou vice-versa, sabendo-se potncia que
deve ser dissipada, podemos calcular o valor de Kdc e assim selecionar o dissipador
adequado.
Para completar o exemplo, suponhamos que a potncia dissipada seja de 5 W.
Entrando na Eq. A.2 com este valor, obtemos Kdc = 4C/W.
De posse deste dado, podemos, em um catlogo, selecionar o dissipador que
possui tal resistncia trmica. Entretanto, o caso mais simples aquele em que
usada uma placa de alumnio como dissipador de calor. Para este caso, podemos
obter as dimenses de tal placa por meio das curvas da Fg, A.9. Por exemplo, no
caso presente, entrando com o valor de 4C/W, obtemos:
Chapa de alumnio brilhante:
160 cm2
Chapa de alumnio enegrecida:
100 em' (10 X 10 em').
(-
13 X 13 em").
Notar que j tnhamos chamado a ateno para a menor rea requerida pela
chapa enegrecida.
., /CALCULO
DOS OISSIPAOORES
269
OE CALOR
Muitas vezes, impossvel, por razes de espao, calcular um dissipador na

forma de uma placa plana. Nestes casos, temos mesmo de ou reformular o projeto,
de modo a no deixar o transistor dissipar a potncia indicada, ou, ento, utilizar, se
for mais econmico do que substituir o transistor, um dissipador de calor especial,
apresentando melhores qualidades que a placa plana.
4.3.
DISSlPADORES DE CALOR PARA DIODOS ZENER
A linha atual dos diodos Zener fornecidos pela IBRAPE consta de vrios tipos
de diodos distribudos em sries distintas, de acordo com a potncia dissipada.
I
ALUMINIO
DE
3mm
c/w
\
\ I\.
-,r-,-,"-
"N!.. r--...... r--
<,
to-
-... r-I
-400
200
400
Area do dissipador
( cm2)
a) alumnio brilhante
b) alumnio eneorecido
Fig. A.9. Grfico que relaciona a resistncia trmica comas dimenses de uma placa plana de
alumnio de 3 nun de espessura.
Vamos utilizar em nossos exemplos, diodos da srie BZZ (BZZ14-BZZ29),

cujas caractersticas trmicas so apresentadas a seguir.
Resistncia trmica entre a juno e o ar ambiente livre
Resistncia trmica entre a juno e o invlucro. . . . .
70C/W.
lOoC/W.
1. Qual seria a mxima temperatura da juno de um diodo Zener BZZ14,

(V z = 5,6 V) se o mesmo fosse utilizado em um circuito dissipando uma potncia
de 1 W, em um ambiente cuja temperatura varie de 25 a 50C?
DISSIPADORES
270
DE CALOR / AP~NDICE
Utilizando o dispositivo sem nenhum dissipador, teremos:

TJmx. - TAmx.
TJmx.
= KP + TAmx. = 70 X 1 + 50 = 120C.
2. O diodo BZZ15 (VZ = 6,2 V) deve dissipar a potncia de 6 W no mesmo

ambiente do Ex. 1. Calcular o dissipador de calor que deve ser usado.
Vimos que, de um modo geral:
TJ - TA
= P(Km + Kc + Kdc)'
No caso,
TJmx.
= 150C.
TAmx.
=
=
Km
Kc
Kdc
50C.
lOC/W (veja especificaes).
= ser desprezado.
TJmx. - TA mx. _ K
150 - 50
Nas folhas de especificaes dos diodos da srie BZZ, temos o grfico da Fig.
AJO.
K. Re.i"~ncla
trmica
entre a
invlUCroe o ambiente
~oo
50
......
20
...... .........
'-",
~o
.......
......
i"o..
r-,
.1
1.0
20
se
~OO
200
'00
em2 (UMA FACE)
UlOO
REA -
Fig. A.IO. Dissipadores para diodos Zener da srie BZZ14-20. O grfico vlido para um dssipador de alumnio brilhante de 1,6 mm de espessura, montado verticalmente.
Entrando no mesmo com Kdc 6,67C/W, obtemos S =100 em"; podemos,

portanto, usar uma chapa de (10 X 10) cm2 de alumnio (espessura = 1,6 mm)
montada verticalmente.
4/cALCULO
4.4.
271
DISSIPADORES DE CALOR PARA DIODOS RETIFICADORES

ilustra o deslocamento do fluxo trmico gerado na juno destes
A Fig. A.ll
componentes.
TJ
Tc
TDC
TA
=
=
=
Temperatura do invlucro.
Temperatura ambiente.
Km
Resistncia trmica do corpo do diodo.
K;
Resistncia trmica do contato.
Kdc
Resistncia trmica do dissipado r de calor (inclui o coeficiente de

filme).
Corpo
f')
"
,..
dodiodo
Contato entre o
diodo e .0 dissipador
Corpo
do dissi pador
Camada
limite
>'
Meio
Fig. A.II.
ambiente
Fluxo trmico em um diodo retificador.
Podemos, ento, escrever:

TJ - TA =P(Km
+Kc +Kdc)'
onde P a potncia que convertida em calor na juno.
Nos casos de elevada potncia, o fabricante dos diodos normalmente fornece

curvas que permitem a determinao imediata da rea do dissipador necessria.
DISSIPADORES DE CALOR I APtNDICE
272
Exemplo de clculo. Um diodo BYZlQl utilizado em um circuito monofsico com carga capacitiva, e durante a sua conduo tem uma corrente mdia de 2 A,
em local onde a temperatura ambiente varia entre 15 e 45C. Calcular a rea do
dissipador de calor necessria.
Nas folhas de especificaes deste diodo so obtidos os grficos das Figs. A.12
e A.l3.
BYZI0A
BYZ13
11:
<t:
~
x
-"'"~
o CURVA FASES
50 ::>
.J
15
'o>
::
..
.J
75 o
o
t-
o
t-
"'"11:
"'"
ooi=...
z
,,.,
CARGA
C
quolquer
:3
R ou L
R ou L
IX
W
t-
o
o,
a..
25 ~
....
50
Fig. A.12.
Grfico para o clculo de dissipadores de calor para os diodos BYZI0 a BYZ13.

BVZIO A BVZI!
rt/w
.,
.;
..
.~
ESPESSURA
!:-~ -oo
--
o
'" !o<:
j""'"
O.!U.4 (ZO S . G)
-S.OZ4mmU
. 5.W.~
:~
1\..""
,
4
....
~O
.2.s
..,.-
_ .
....~..;
eu
'0
-~
',I"':
-'"
le
0::'" A-O
O
,50
Arta
400
da alt~a
4000
Larg.x Alt.
( em
2j~O.ooo
~OO .000
Fig. A.13. Grfico para o clculo de dissipadores de calor para os diodos BYZIO a BYZ13.
I
Os diodos BYZIO a BYZ13 foram substitudos pelos diodos da srie BYX38. O mtodo de clculo exatamente o mesmo.
4 /CALCULO
273
A mxima temperatura permissvel para a juno de 150C.

Na curva esquerda da Fig. A.l2, entramos com o valor de 10 (mdia) = 2 A,
levantamos uma vertical at encontrar a curva correspondente a circuito monofsico
com carga capacitiva. A partir do ponto de encontro, traamos uma horizontal para
a direita e uma perpendicular na curva da direita, a partir do ponto do eixo das
abscissas que indica a temperatura mxima ambiente (45C). O encontro desta perpendicular com a horizontal anteriormente traada permite verificar sobre qual das
retas inclinadas da curva da direita estamos, ou seja, verificar o valor da soma de
K; + Kdc. No caso presente, procedendo do modo indicado, obtemos:
Kc
+ Kdc
7C/W.
Outro dado obtido das folhas de especificaes a resistncia trmica de contato

Temos, ento:
De posse deste dado, entramos na curva da Fig. A .13, que relaciona a resistncia trmica do dissipador de calor com as suas dimenses (estes dissipadores so placas planas, sendo por isso mais chamados, para estes diodos, de aletas).
Neste grfico, so observados os seguintes detalhes:
a) existem curvas traadas para o caso em que se use uma nica aleta e para o
caso em que se usem aletas empilhadas;
b) as curvas foram traadas para o cobre. Para o caso de outro material empregado na constituio de aleta, a espessura indicada para o cobre deve ser multiplicada pela frao:
Condutibilidade trmica do cobre

)
( Condutibilidade trmica do material em questo
c) para o caso em que preferido o empilhamento, por exemplo, por problemas de espao, temos o seguinte dado prtco:
Espaamento das aletas
Altura da aleta
~ 0,15;
fi) foram traadas as curvas para duas espessuras de cobre:
0,914 mm(20SWG)
e 1,625 mm(16SWG).
Suponhamos que temos disponvel o cobre 16 SWG e que vamos usar uma
c
nica aleta. Entrando com o valor anteriormente achado de 6,4 C/W, obtemos, no
ponto de encontro da curva adequada, uma rea de 50 em" para a aleta de refrigerao. Podemos, pois, usar uma aleta quadrada de 7 em de lado.
DISSIPADORES
274'
4.5.
TRATAMENTO
ELTRICAS
DOS DISSIPADORES
DE CALOR / AP~NDICE
DE CALOR POR ANALOGIAS
Um mtodo interessante de estudar os dissipadores de calor a utilizao de

analogias eltricas, baseando-se tal tratamento no fato de os dois fenmenos serem
re'gidos pelas mesmas equaes.
Portanto, possvel utilizar esta analogia com a seguinte nomenclatura:
TA
TJ
TBM
TDC
=
=
=
=
Km
Kc
=
=
Kdc
Grandeza trmica
Grandeza eltrica antiloga
Stmbolo
Potncia trmica
Temperatura
Gerador de corrente
Tenso
Temperatura ambiente.
Temperatura da base de montagem ou do invlucro.
Grandeza trmica
Grandeza eltrica anloga
Stmbolo
Resistncia trmica
Resistncia eltrica
Resistncia trmica do corpo componente.

Resistncia trmica do contato entre o corpo do componente e o dissipador de
calor.
Resistncia trmica do dissipador de calor, incluindo o coeficiente de filme.
Tendo em vista percurso que o fluxo trmico faz at o ar ambiente, obtemos o circuito srie da Fig. A.l4.
~------------------.~
Fig. A.14. Circuito eltrico anlogo do circuito trmico.
4 /CLCULO
DDS DISSIPADORES DE CALOR
275
Aplicando a Lei de Ohrn a este circuito, obtemos a mesma equao anteriormente obtida (A.l):
TJ
TA
= P(Km + Kc + Kdc)
Um aprimoramento pode ser feito neste tratamento, acrescentando as capacidades trmicas da juno, da base de montagem (ou invlucro) e do dissipador de
calor. Estas capacidades dizem respeito possibilidade de o calor ser transferido diretamente destas trs regies para o ar ambiente, o que quer dizer que estas capacidades devem ser colocadas no circuito eltrico, como indica a Fig. A.15. Normalmente, estas capacidades podem ser desprezadas, mas fizemos questo de apresentIas, pois, tendo em vista a existncia das mesmas, j podemos prever a existncia de
constantes de tempo associadas com a eliminao do calor de um componente.
c-J
Fig. A.l5. Circuito completo levando em conta as capacidades trmicas da juno, da base de
montagem (ou invlucro) e do dissipador de calor.
Foram verificados cuidadosamente os diversos problemas inerentes escolha

do dissipador de calor para um dispositivo de semicondutor, mas, em princpio, foi
intuitivamente feita uma hiptese que muitas vezes no real. Tal hiptese foi
admitir que apenas um transistor usado em um dissipado r de calor.
Ser analisado, agora, o caso mais complexo, em que desejamos usar mais de
um transistor em um mesmo dissipador.
Suponhamos que queremos montar n transistores, dissipando as potncias
P 1 P n em um mesmo dissipador. Para abordar o problema, imaginemos que inicialmente estes transistores so montados em dissipadores individuais. claro,
ento, que o circuito da Fig. A.l4 ser repetido para todos os transistores, obtendose o conjunto de circuitos da Fig. A.16.
O que fazemos agora imaginar que as reas destes dissipadores individuais
so variadas, at obtermos uma situao em que todos os dissipadores apresentem a
mesma temperatura, isto , at que seja satisfeita a condio:
TDC1 = TDC2 =
= TDCn.
Nesta situao, podemos conectar os dissipadores, desde que a condutibilidade trmica seja idntica para os mesmos, e considerar TDC a temperatura comum.
276
DISSIPADORES
DE CALOR
/ APtNDICE
TDei
K den
Fig. A.16.
viduais.
Hiptese inicial de os vrios transistores estarem montados em dissipadores indi-
Conectando todos os pontos dos circuitos equivalentes, correspondentes temperatura do dissipador, obtemos o circuito da Fig. A .17.
Podemos, ento, escrever:
TDC-TA
=(P1 +P2
+Pn)Kdctotal
Conhecendo os valores das resistncias trmicas dos transistores e dos contatos e selecionando os valores seguros das temperaturas das junes, podemos determinar as temperaturas dos dissipadores de calor.
Fig. A.I7.
Vrios transistores num dissipador comum.
de totol
4 /CALCULO
OOS DISSIPADORES
Para qualquer
transistor,
277
DE CALOR
o valor da temperatura
do dissipador
de calor dado
por:
TDei
Assim,
temperatura
= TJi-
Pi(Kmi + Kcj)
se TDCM o menor
do dissipador
de
calor
(i
1, 2, ...
n).
valor encontrado,
este ser considerado
comum.
ento:
TDCM - TA
Obtemos,
= Kdc
total
como a
~ Pio
i=1
E, finalmente:
dc
Observamos que quanto menor TDCM menor ser K total e, conseqentemente, maior ser a rea necessria do dissipador.
claro que, procedendo deste modo, alguns transistores trabalharo folgados.
Surge, ento, a idia de, quando ldarmos com vrios transistores, grup-los, isto ,
colocar em dissipadores separados os de maior e os de menor dissipao. Mas no h
inconveniente
srio em deixar os transistores trabalharem
folgados.
Exerccios
1. Quais os processos conhecidos de transmisso de calor? Explicar resumidamente

estes processos.
2. Qual a diferena entre conveco natural e conveco forada?
3. Estudar a Fig. A.2 e identificar com cuidado todas as regies e superfcies indicadas.
4. Descrever os materiais e os tipos de dissipadores de calor mais utilizados.
5. Que entende o leitor por camada limite e que conexo tem esta camada com as formas dos dissipadores de calor?
6. Explicar os problemas relacionados ao isolamento eltrico dos dissipadores de calor.
7. Corno fazer o isolamento do corpo de um transistor de potncia de um dissipador
de calor? Explicar a razo do uso da graxa de silicone.
8. Observar a Fig. A.3 e procurar entender detalhadamente a ao da velocidade de
escoamento do fluido na conveco forada.
9. A refrigerao por lfquido amplamente utilizada?
10. Explicar o que se entende por disparo trmico e os mtodos usados para combat-Io.
11. Em alguns equipamentos, so utilizados transistores bastante caros que devem ser
protegidos quanto eventual destruio devido a um disparo trmico. Corno pode
ser isto conseguido?
12. Qual a equao bsica para o clculo dos dissipadores de calor? Explicar cuidadosamente o que significam todos os smbolos nesta equao.
13. Por que os transistores de silcio podem ser usados em temperaturas mais elevadas
que os de germnio?
278
DISSIPADORES
DE CALOR!
AP!NDICE
14. No Cap. 3 anexamos a folha de especificao completa dos transistores PA6003 e

PB6003 (Fig. 3.79). No Quadro 4 desta figura so apresentadas as caractersticas
destes transistores:
Resistncia trmica entre a juno e o meio ambiente:
Sem dissipador: K = 27P,oC!W.
Com dissipador: K = 200CjW.
a) Estudar atentamente o dissipador de calor sugerido pela PHILCO para estes transistores.
b) Estudar os dados trmicos fornecidos.
c) Observar que a PHILCO usa o nome "embalagem" em lugar de "invlucro",
como usamos no texto.
cl) Provar que, para a temperatura ambiente igual a 25C, os dados 360 mWe 500
mW especificados no Quadro 2 da Fig. 3.79 para os transistores usados com e
sem dissipador so corretos.
e) Calcular a mxima potncia que pode ser dissipada por estes transistores em um
ambiente cuja temperatura ambiente mxima de 45C.
Resposta.
Sem dissipador = 280 mW.

Com dissipador = 400 mW.
15. Estudar atentamente, referindo-se Fig. A.8, a montagem de um transistor de potncia em um dissipador de calor.
16. Na Fig. A.9, so dadas as curvas da variao da resistncia trmica em funo da
rea para placas de alumnio brilhante e enegrecido de 3 mm de espessura. Quais as
vantagens e desvantagens da utiIizao de placas de alumnio?
17. Referindo-se aos diodos Zener e retificadores, pensar e dizer se h alguma diferena
essencial no clculo dos dissipadores de calor para estes componentes, quando comparado com o clculo para transistores.
18. Como so utilizadas as analogias eltricas para o estudo dos dissipadores de calor?
19. Que representam as capacidades trmicas introduzidas na Fig. A.15 e qual a influncia das mesmas?
20. Reler o ltimo pargrafo do apndice e mencionar as vantagens e desvantagens de
transistores trabalharem folgados em um circuito.
Indice Alfabtico
Abertura de Ilhas, 231

Abertura de janelas no xido, 223
Admitncia de transferncia deum FET, 158
Alfa de um transistor bipolar, 97
Amplificao de um transistor bipolar,
caractersticas, 129
Amplificador operacional,
aplicaes, 246
exemplos, 243
resposta de freqncia, 247
Analogias entre processos trmico e eltrico,274
Angstrrn, 201
Anion, 9
tomos,
camadas, 6
constituio, 4
definio, 3
exemplos, 3
smbolos qu micos, 3
silcio e gcrmanio, 6
Back,75
Base de um transistor bipolar, 92
Beta de um transistor bipolar, 104
Breakdown, 141
Buracos,
clculo da concentrao, 21
formao, 16
Clculo de n e p em um cristal, 21
Camada epitaxial, 222
Capact ncas,
difuso, 36
intereletrdica, 133
transio, 33
Capacitores integrados,
de deposio, 235
difundidos, 234
Cargas descobertas, 30
Cation,9
C lulas fotcltricas, 196
C lulas fotossens veis,
aplicaes, 203
classificao, 195
respo sta espectral, 200
resposta de freqncia, 202
sensibilidade, 201
temperatura de cor, 201
Clulas fotovoltaicas, 199
Circuitos digitais,
generalidades, 240
Fan-in,241
Fan-out, 241
Circuito equivalente de um FET, 167
Circuito equivalente de um transistor
polar,
em T, 118
hbrido ou H, 121
bi-
intuitivo, 115
Circuitos grampeadores (clamping), 53

Circuitos integrados,
-~--~----
280
aplicaes,
digitais, 239
lineares, 243
deposio, 229
fabricao, 230
hbridos, 229
monolticos, 229
Circuito s limitadores (clipping) , 53
Coletor de um transistor bipolar, 92
Concentrao de portadores, 20
Conduo de calor, 257
Condutores, 10
Constante de Planck, 196
Constante de uma rede cristalina, 14
Contatos,
ohmicos,237
retificadores, 237
Conveco, 257,261
Convenes em um transistor bipolar,
correntes, 93
tenses, 93
Corrente de fuga, 32-88
Corrente de polarizao, 246
Corte,
freqncia, 146
regio, 101
Cristais, 12
Cristais lquidos,
defini o, 217
nemticos,217
Cristal de Silcio
crescimento, 221
purificao, 221
Cubo do corpo centrado, 13
Cubo de faces centradas, 13
Czochralsky,222
Decodificadores,214
Depletion, 162
Diacs,
definio, 190
curva caracterstica, 190
smbolo grfico, 190
aplicaes, 191
Diamante, 13
Difuso, 22
Difuso selecionada, 223
Diodo back, 75
Diodo contato de ponta, 80
Diodo controlado de silcio, 182
Diodo emissor de luz (LED),
(NDICE ALFA8!:TlCO
aplicaes, 211
brilho, 209
dsplays, 212
funcionamento, 207
par metros tpicos, 210
resposta espectral, 209
Diodo Impatt , 80
Diodo integrado, 235
Diodo Gunn, 80
Diodo de juno,
curvas caracter sticas, 39
generalidades, 38
retificador, 43
Zener,41
Diodo Inverso, 76
Diodo PIN, 77
Diodo Retificador,
aplicaes, 53
comerciais, 54, 54
com tenso alternada, 47
com tenso contnua, 44
limitaes, 49
Diodo Schottky, 77
Diodo Step Recovery, 75
Diodo Tunel,
aplicaes, 69
funcionamento, 67
ponto de pico, 68
ponto de vale, 68
resst ncia negativa, 67
smbolo grfico, 68
Diodo Zener
aplicaes, 63
comerciais, 65
efeito de temperatura, 59
funcionamento, 56
mpednca dinmica, 58
limitaes, 62
proteo de circuitos, 63
regulao de tenso alternada, 64
smbolo grfico, 57
Disparo trmico, 262
Dispositivos fotossensveis (vidc optoclctrnica)
Display,
com cristais lquidos, 217
com LED 212
exemplos, 215-216
Dissipadores de calor,
ao, 258
clculo, 264
constituio, 259
equao bsica, 264
281
flVDICE ALFABt:TlCO
geometria, 259
isolamento eltrico, 260
para diodos retificadores, 271
para diodos Zener, 269
para transistores, 265-267
supcrdimensionamento, 260
Dopagem, 27
Dreno de um FET, 154
Drift, 17-22-24
Einstein, 196
Eltron,4
Eltron livre, 11
Eltron-volt, 16
Emisso foteltrica, 196
Enhancement, 162
Emissor de um transistor bipolar, 92
Epitaxial,
estrutura, 222-231
crescimento, 222
processo, 222
Estados estveis, 9
Estrutura das camadas de diversos tomos, 7
Fabricao de capacitores integrados, 234

Fabricao de resistores integrados, 232
Field Effect transistor-FET, 153
Fluxo luminoso, 197
Fluxo trmico em um diodo retificador, 271
Fonte de um FET, 154
Fotacoplador,211
Fotodiodos, 197-205
Fotons, 196
Fotorresistores, 197-203
Fotossensveis,
clulas, 19S
resposta espectral dos dispositivos, 200
resposta freqncia dos dispositivos, 202
sensibilidade dos dispositivos, 201
Fototransistores, 198-205
Fuga,
correntes, 32-86
Fuso por zona, 221
Ganhos de corrente de um transistor bipolar,
alfa (0<),97
beta (J3), 104
Gatilho,
de em FET, 154
de um Tiristor, 184
Germanio, 12
Grafita,13
Hbridos,
circuitos integrados, 229
parmetros, 121
Hole, 16
Insulated Gate FET, 159

Ilhas num cristal,
abertura, 231
finalidade, 231
Irnpedncia de entrada,
de um FET, 158
de um MOSFET, 164
Impurezas,
aceitadoras, 19
caracterizao, 18
doadoras, 18
Indutncias integradas, 235
Intrnseco,
semicondutor,18
Inversa,
polarizao, 31
Ion,9
Isolantes, 10
Juno P-N,
barreira de potencial, 30
capacitncias,33
correntes de fuga, 32
estudo geral, 27
formao, 28
polarizao direta e inversa, 31
regio de transio, 29
Ligao,
base comum, 96
{NDICE ALFASETlCO
282
coletor comum, 111

emissor comum, 103
Ligaes,
do transistor bipolar, 95
comparao das, 134
Ligaes <4valentes,
conceituao,
15
quebra de, 16
Light DeJ1&1ldent Resistor (LDR) , 197
Light Dimmer, 191
Limitaes do transistor bipolar,
corrente, 140
freqncia, 145
potncia, 143
temperatura,
145
tenso, 140
Lumen,
197
Lux,l97
Medio dos parmetros H, 125

Mesa, 224
Mesa-epitaxal,
225
Mtodo de Czochralsky,
222
Microeletrnica,
228-229
Micron, 201
Mobilidade, 24
Molculas,
definio, 2
exemplos, 2
mono e diatnicos, 3-4
Monolticos,
229
MOSFET,l59
Nanmetro,
Parmetrosr,
118
Parmetros H ou hfbridos, 121
medio dos, 125
Parmetrosde
um FET,166
Parmetros de um transistor bpolar,
Partcula alfa, 6
Partculas fundamentais,
3
Pastilha de um cristal, 222
Planar, 225
Planar-epitaxal,
226
Planck,196
Polarizao,
direta e inversa, 31
Ponte de terrnistores, 246
Ponto de operao, 45
Ponto Q 45
Ponto quiescente, 4S
Ponto de vale,
do diodo tunel, 68
do transistor de unijuno, 173
Portadores de carga eltrica,
concentrao,20
definio, 20
em maioria, 20
em minoria, 20
Princpio da Excluso de Pauli, 8
Princpios da transmisso de calor, 257
Processo,
da difuso selecionada, 223
epitaxial-difundido,
222
Czochralsky,
222
fotolitogrfico,
231
Produto p n, 21
Proteo de um circuito, 263
Proton,4
Purificao de um cristal, 221
201
Nutron, 4
Ncleo, 4
Nmero atmico, 5
Nmero de massa, 5
Nmeros qunticos, 6
Off-set,
da corrente de entrada, 246
da tenso de entrada, 246
xido de Silcio, 159
112
Quadripolo,
93
Radiao do calor, 257

Reaes qumicas, 8
Reeombinao,7
Rede cristalina, 12
283
(NDICE ALFASETlCO
Regio de barreira de potencial, 31

Regio de transio, 30
Regies de um transistor bipolar,
corte, 101
funcionamento, 100-108
normal, ativa ou linear, 101
saturao,101
Resistncia negativa,
do diodo tunel, 67
do transistor de unijuno, 173
Resistncia do transistor bipolar,
de entrada, 129-131
de sada, 129-132
Resistividade,
clculo da, 25
tabela de, 12
Resistores integrados,
depositados, 233
difundidos, 232
Reta de carga,
para diodos, 44
para transistores, 100
Retificador - Veja diodo Retificador
Retificador controlado de Silcio,
aplicaes, 186
controle pelo gatilho, 186
corrente de manuteno (IH)' 185
definio, 182
estrutura, 182
funcionamento, 183
modelo, 183
smbolo grfico, 183
tenso de disparo (VBO), 185
Retificador metlico, 81
Rutura,
avaanche, 56
Zener,56
Saturao,
regio, 101
Semente de um cristal, 222
Semioondutores,
concentrao,10
intrnsecos, 18
puros e impuros, 18
Silicio, 12-14
Spn, 8
Substncias ~imples, 4
Substrato, 230
Surto de tenso, 63
Tenso de offset, 159

Tenso inversa,
de pico mximo, 50
transitria de pico, 50
Tenso Zener,
efeito da temperatura, 58
especificaes, 57
generalidades, 56
Tiristor, 182
Transistor bipolar,
alfa (0<), 97
beta (ti), 104
capacitncias intereletrdicas, 122
caractersticas de amplificao, 129
circuito equivalente,
em T, 118
hlbrido ou H, 121
intuitivo,115
como amplificador, 134
corrente de fuga, 86
folha de especificaes, 148-149
freqncias de corte, 146
funcionamento, 84
funcionamento com tenso alternada, 113
ganho,88
injeo de portadores, 88
lipio,
base comum, 96
coletor comum, 111
emissor comum, 103
limitaes,
de corrente, 140
de freqncia, 145
de potncia, 143
de temperatura, 145
de tenslo, 140
parmetros e circuitos equivalentes, 112
PNPeNPN,84
regio,
de corte, 101
normal, ativa ou linear, 101
de funcionamento, 100-108
de saturaio, 101
resistncia de entrada, 129-131
resistncia de sada, 129-132
tipos, 147
traado da reta de carga, 100
Transistor de contato de ponta, 177
Transistor de efeito de campo d juno
(FET),
adnrltnciade transferncia, 158
INDICE ALFAB!TlCO
284
aplicaes, 168
circuito equivalente, 167
constituio fsica, 154
curvas caractersticas, 157
especificaes, 164
funcionamento, 156
impedncia de entrada, 158
limitaes, 164
parrnetros admitncia, 166
regio de corte, 158
regio de saturao, 158
smbolo, 154
tenso de offset, 159
Transistor de efeito de campo com gatilho
isolado (MOSFET),
aplicaes, 168
constituio fsica, 159
dcpletion, 162
enhancement, 162
especificaes, 164
funcionamento, 160
impcdncia de entrada, 164
limitaes, 164
smbolos, 163
Transistor de unijuno,
aplicaes, 176
construo, 172
curvas caractersticas, 173, 176
ponto de pico, 173
ponto de vale, 173
razo intrnseca de corte, 174
regies de funcionamento, 173
resistncia negativa, 173
smbolo, 172
Transmisso de calor, 257

Triacs,
definio, 188
nomenclatura dos terminais, 188
convero de sinais, 188
smbolo grfico, 189
aplicaes, 191
Tunel,
diodo,67
Unijuno,
transistor, 172
Valncia,9
Varactor, 72
Varactron,72
Varicap,72
"Wafers",222
Zener,56

Bien plus que des documents.

DispositivosSemicondutorescompletoRedSize

Transféré par

Informations du document

Description :

Description :

Droits d'auteur :

Formats disponibles

DispositivosSemicondutorescompletoRedSize

Transféré par

Description :

Droits d'auteur :

Formats disponibles

Titres liés

[]'SpDS,UUDS

HILTON ANDRADE DE MELLO

liVROS IrCNICOS E CIENllflCOS EDIIORA

1978e 1980, Hilton Andrade de Mello e Edmond tntrator

Proibida a reproduio, mesmo

CAPA I Nelson Aires de Oliveira

(Prepareda pelo Centro de Catalogao-na-fonte do

Melto, Hilton Andrade de, 1939Dispositivos semicondutores: diodos, transistores,

Direitos reservados por:

"A cincia sem a f conduz dvida; a f sem a cincia conduz

Captulo 1. ESTUDO DOS SEMICONDUTORES,

2.4. Diodo Tnel, 67

3.1.7.4. Limitaes de Temperatura, 145

Capitulo 4. ESTUDO DOS TIRISTORES, 182

7.1. Divises da Microeletrnica, 228

Fabricao de Indutncias, 235

Estudo dos Semicondutores

1.1. CONSTITUIAO ATMICA DA MATRIA

ESTUDO DOS SEM/CONDUTORES

tica da molcula da gua.

se agruparem diferentemente, formando as molculas das diferentes substncias.

J os gases raros como o argnio, o xennio etc. apresentam a sua molcula

Fig. 1.5. Representao esquemtica do tomo de um elemento.

Os eltrons so partculas diminutas que possuem a massa de 9 ;11 X 10 -2 8 g

Fig. 1.6. Representao esquemdtica do tomo de um elemento.

interessante chamar a ateno do leitor para o fato de que os ncleos de

Nmero mximo de eltrons

1.1/CONSTITUIAO A TOMICA DA MA TtRIA

importante observar que, embora este nmero no possa ser ultrapassado,

Fig. 1.8. Representao simblica do tomo de um elemento.

Poderamos agora fazer uma importante pergunta: ser~que todes os eltrons

sem escapar do tomo, medida que as camadas vo-se afastando do ncleo, os

o eltron isolado da camada de valncia do sdio est .fracamente ligado ao

Prova-se que a estrutura mais estvel aquela em que h 8 eltrons na camada de

O leitor pode agora observar um fato interessante, analisando novamente a

1.2. CONDUTORES, ISOLANTES E SEMICONDUTORES

1.2/ CONDUTORES, /SOLANTES E SEM/CONDUTORES

eltron da camada N) estarem fracamente ligados ao tomo, podendo ser facihnente

Fig. 1.9. Representao esquemtica do deslocamento de cargas de um condutor.

Outros materiais que apresentam uma constituio anloga do cobre, com

ESTUDO DOS SEM/CONDUTORES

tores e os dois outros grupos, os semicondutores

apresentam uma resistividade que

Tab. 1.1. Rellistividade de Divenos Materiais

1.3. ESTUDO DOS SEMICONDUfORES

Cubo de faces centradas.

1.3/ ESTUDO DOS SEM/CONDUTORES

(veja Item 1.3.2).

indicam ligaes covalentes

ESTUDO DOS SEM/CONDUTORES

Antes de prosseguirmos, vejamos mais uma vez a constituio dos tomos do

simplifica da dos tomos de C, Ge e Si.

1.3/ ESTUDO DOS SEM/CONDUTORES

1.3.2. LIGAES COVALENTES

Queremos significar nesta representao que um eltron do tomo A, alm de

ESTUDO DOS SEM/CONDUTORES

1.3.3. QUEBRA DE LIGAOES COYALENTES

I Nas Figs. 1.12 e 1.14. representamos

1.3/ ESTUDO DOS SEM/CONDUTORES

Fig. 1.16. O eltron e o buraco se deslocamem sentidosopostos.

Na realidade, o leitor deve verificar que no existe propriamente uma part-

ESTUDO DOS SEM/CONDUTORES

1.3/ ESTUDO DOS SEM/CONDUTORES

Fig. 1.17. Efeito das impurezas tipo N e tipo P.

ESTUDO DOS SEM/CONDUTORES

Convm, agora, focalizar alguns detalhes de nomenclatura. Verificamos, no