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UNIVERSIDAD LA CATOLICA LOS

ANGELES DE CHIMBOTE
FACULTAD: Ingenier
a
ESCUELA
:

Ingeniera de
Sistemas

CURSO
:

ARQUITECTURA DE
COMPUTADORAS

CICLO
:

NOMBRE
:

ngel Alvarado Guildo


Elvis

La Memoria
Memoria. Definicin.
En informtica, dispositivo basado en circuitos que posibilitan el
almacenamiento limitado de informacin y su posterior
recuperacin.
Las memorias suelen ser de rpido acceso, y pueden ser voltiles o
no voltiles.
La clasificacin principal de memorias son RAM y ROM. Estas
memorias son utilizadas para almacenamiento primario.

Memoria ROM
MEMORIA ROM
ROM (acrnimo en ingls de read-only memory, o memoria de
slo lectura), es un medio de almacenamiento utilizado en
ordenadores y dispositivos electrnicos, que permite solo la
lectura de la informacin y no su escritura, independientemente
de la presencia o no de una fuente de energa.
Los datos almacenados en la ROM no se pueden modificar, o al
menos no de manera rpida o fcil. Se utiliza principalmente para
contener contenidos vitales para el funcionamiento del
dispositivo, como los programas que ponen en marcha el
ordenador y realizan los diagnsticos.

Memoria RAM
La RAM (acrnimo en ingls de
random access memory, o memoria de
acceso aleatorio) es la memoria desde
donde
el
procesador
recibe
instrucciones, y tambin donde el
procesador guarda los datos que est
utilizando en el momento actual.
Fsicamente, est formada por
conjuntos de chips o mdulos de chips
conectados a la placa base.
Es una memoria de tipo voltil, ya que
los datos que alberga desaparecen al
ser desconectada de la fuente de
energa.

Tipos de RAM
FPM RAM (Fast Page Mode RAM)

Se basa en que se supone que el siguiente acceso a un dato de memoria


va a estar en la misma fila que el anterior, con lo que se ahorra tiempo
en ese caso. El controlador de memoria enva una nica direccin, y
recibe a cambio esa y otras consecutivas.

El ahorro de tiempos era significativo al acceder a posiciones de


memoria consecutivas, dado que se poda prescindir de determinadas
operaciones repetitivas.

Fueron muy utilizadas en los 486 y los primeros Pentium

Contaba con dos velocidades de acceso: 60 nanosegundos las ms


rpidas y 70 nanosegundos las ms lentas.

Tipos de RAM
EDO-RAM
Output RAM)

(Extended

Data BEDO-RAM(Burst
Data Output RAM)

Extended

Fue lanzada en 1995. Sus tiempos Fue la evolucin de la EDO RAM


de accesos de 40 o 30 ns suponan y competidora de la SDRAM, fue
una mejora sobre su antecesora la presentada en 1997.
FPM.
Era un tipo de memoria acceda a
Con una velocidad mxima de 66
ms de una posicin de memoria
Mhz, la EDO tambin es capaz de en cada ciclo de reloj, de manera
enviar direcciones contiguas pero que lograba un desempeo un 50%
consigue adems eliminar estados mejor que la EDO.
de espera, manteniendo activo el
Nunca sali al mercado.
bffer de salida hasta que
comienza el prximo ciclo de
lectura.

Tipos de RAM
RIMM

RIMM, acrnimo de Rambus Inline Memory Module (Mdulo de


Memoria en Lnea Rambus), designa a los mdulos de memoria RAM
que utilizan una tecnologa denominada RDRAM, desarrollada por
Rambus Inc. a mediados de los aos 1990 con el fin de introducir un
mdulo de memoria con niveles de rendimiento muy superiores a los
mdulos de memoria SDRAM de 100 MHz y 133 MHz disponibles en
aquellos aos.

A pesar de que su rendimiento era muy superior a la tecnologa


SDRAM y las primeras generaciones de DDR RAM, no tuvo gran
aceptacin en el mercado de PC debido a su alto coste.

Tipos de RAM
DRAM:

Las memorias DRAM (Dynamic RAM) fueron las utilizadas en los


primeros mdulos (tanto en los SIMM como en los primeros DIMM).

Es un tipo de memoria ms barata que la SDRAM, pero tambin


bastante ms lenta, por lo que con el paso del tiempo ha dejado de
utilizarse.

Esta memoria es del tipo asncronas, es decir, que iban a diferente


velocidad que el sistema, y sus tiempos de refresco eran bastante altos
(del orden de entre 80ns y 70ns), llegando en sus ltimas versiones, las
memorias EDO-RAM a unos tiempos de refresco de entre 40ns y 30ns.

SDRAM:
Las memorias SDRAM (Synchronous Dynamic RAM) son las utilizadas
actualmente.
Son un tipo de memorias sncronas, es decir, que van a la misma
velocidad del sistema, con unos tiempos de acceso que en los tipos ms
recientes de DDR3 son inferiores a los 10ns, llegando a los 5ns en los
ms rpidos.
Las memorias SDRAM se dividen a su vez en:
SDR
DDR

DDR 2

DDR 3

En todos los casos de memorias del tipo SDRAM (SDR, DDR, DDR2 y
DDR3) se trata de mdulos de 133mm de longitud, pero no son
compatibles entre s.

SDR: los mdulos SDR (Single Data Rate) son los conocidos
normalmente como SDRAM, aunque, como ya hemos dicho, todas las
memorias actuales son SDRAM.

Son mdulos del tipo DIMM, de 168 contactos, y con una velocidad de
bus de memoria que va desde los 66MHz a los 133MHz. Estos mdulos
realizan un acceso por ciclo de reloj.

Empezaron a utilizarse con los Pentium II y su utilizacin lleg hasta la


salida de los Pentium 4 de Intel y los procesadores Athlon XP de AMD.

Este tipo de mdulos se denominan por su frecuencia, es decir, PC66,


PC100 o PC133.

DDR SDRAM: Los mdulos DDR (Double Data Rate SDRAM) son
una evolucin de los mdulos SDR. Se trata de mdulos del tipo
DIMM, de 184 contactos y 64 bits, con una velocidad de bus de
memoria de entre 100MHz y 200MHz.

Realizan dos accesos por ciclo de reloj, con lo que las velocidades
efectivas de trabajo se sitan entre los 200MHz y los 400MHz.

Comenzaron a utilizarse con la salida de los Pentium 4 y Athlon XP,


tras el fracasado intento por parte de Intel de imponer para los P4 un
tipo de memoria denominado RIMM, que pas con ms pena que gloria
y tan slo lleg a utilizarse en las primeras versiones de este tipo de
procesadores (Pentium 4 Willamette con socket 423).

Por encima de los 200MHz (400MHz efectivos) suele bajar su


efectividad. Esto, unido al coste y a la aparicin de los mdulos del tipo
DDR2, hizo que slo se comercializasen mdulos DDR de hasta
400MHz (efectivos).

Estas memorias tienen un consumo de entre 0 y 2.5 voltios.

Este tipo de mdulos se est abandonando, siendo sustituido por los


mdulos del tipo DDR2 y los modernos DDR3.

DDR 2:

Los mdulos DDR2 SDRAM son una evolucin de los mdulos DDR
SDRAM. Se trata de mdulos del tipo DIMM con 240 contactos y 64
bits. Tienen unas velocidades de bus de memoria real de entre 100MHz
y 266MHz, aunque los primeros no se comercializan.

La principal caracterstica de estos mdulos es que son capaces de


realizar cuatro accesos por ciclo de reloj (dos de ida y dos de vuelta),
lo que hace que su velocidad de bus de memoria efectiva sea el
resultado de multiplicar su velocidad de bus de memoria real por 4.

Esto duplica la velocidad en relacin a una memoria del tipo DDR,


pero tambin hace que los tiempos de latencia sean bastante ms altos
(pueden llegar a ser el doble que en una memoria DDR).

El consumo de estas memorias es aproximadamente la mitad que una


memoria DDR.

Tanto las memorias DDR como las memorias DDR2 se suelen


denominar de dos formas diferentes, o bien en base a su velocidad de
bus de memoria efectiva (DDR-266, DDR-333, DDR-400, DDR2-533,
DDR2-667, DDR2-800) o bien por su ancho de banda terico, es decir,
por su mxima capacidad de transferencia (PC-2100, PC-2700 y PC3200 en el caso de los mdulos DDR y PC-4200, PC-5300 y PC-6400
en el caso de los mdulos DDR2).

El Ancho de banda de los mdulos DDR y DDR2 se puede calcular


multiplicando su velocidad de bus de memoria efectiva por 8 (DDR-400
por 8 = PC-3200).

DDR 3:
Este tipo de memorias ya han empezado a comercializarse, y estn
llamadas a sustituir a las DDR2.
Son tambin memorias del tipo SDRAM DIMM, de 64bits y 240
contactos, aunque no son compatibles con las memorias DDR2, ya que
se trata de otra tecnologa y adems fsicamente llevan la muesca de
colocacin en otra posicin.

Se trata de memorias con una velocidad de bus de memoria real de


entre 100MHz y 250MHz, lo que da una velocidad de bus de memoria
efectiva de entre 800MHz y 2000MHz (el doble que una memoria
DDR2 a la misma velocidad de bus de memoria real), con un consumo
de entre un 16% y un 25% menor que una DDR2, y una capacidad
mxima de transferencia de datos de 15.0GB/s.

Tipos de RAM
SRAM:
Memoria Esttica de Acceso Aleatorio, o Static Random Access
Memory. Es un tipo de memoria basada en semiconductores que, a
diferencia de la memoria DRAM, es capaz de mantener los datos,
mientras est alimentada, sin necesidad de circuito de refresco.
Sin embargo, s son memorias voltiles, es decir que pierden la
informacin si se les interrumpe la alimentacin elctrica.
No debe ser confundida con la SDRAM (Syncronous DRAM).
Son memorias tremendamente rpidas, pero tambin ms caras de
fabricar. Pueden convivir con otro tipo de memorias en la misma placa
base.
Han dejado de fabricarse como tarjetas, y se han integrado en los
microprocesadores y discos duros.
Se utilizan principalmente como cach y buffer.

Capacidad de direccionamiento
Sistemas de 32 bits

Sistemas de 64 bits

En un registro de 32 bits se
pueden referenciar 232 direcciones,
lo que equivale a 4 gigabytes de
RAM.

La aparicin de las arquitecturas


de 64 bits incrementa el citado
lmite hasta las 264 direcciones,
equivalente a la enorme cantidad
de 17 179 869 184 gigabytes, 16
En
los aos en que fueron
exabytes de RAM.
concebidos estos sistemas, esa
cantidad
de
memoria
se Para ver este dato con perspectiva
consideraba ms que suficiente. es suficiente con pensar que 1
Sin embargo, en los aos 90 surge exabyte equivale a mil millones de
la necesidad de superar ese lmite, gigabytes.
con lo que se comienzan a
investigar los sistemas de 64 bits.

Modos de direccionamiento
Son procedimientos que permiten determinar un operando, o la
ubicacin de un operando o una instruccin.

Las ventajas principales que ofrecen los distintos modos de


direccionamiento son:

Ahorro

de espacio

Capacidad

de reubicar el cdigo en diversas zonas de memoria sin que


afecte a su buen funcionamiento
Facilidad

para manejar estructuras de datos

Los modos de direccionamiento ms habituales son:

Direccionamiento

inmediato

Direccionamiento

directo

Direccionamiento absoluto

Direccionamiento mediante registro

Direccionamiento

relativo al registro

Relativo al registro contador del programa

Relativo al registro base

Relativo a pila (LIFO)

Direccionamiento

indexado

Direccionamiento

indirecto

Relacin entre Mhz y Ns


Un milisegundo (10-6 segundos), es equivalente al tiempo que un
megahercio tarda en completar un ciclo de reloj.

Un nanosegundo (10-9 segundos), es equivalente al tiempo que un


gigahercio tarda en completar un ciclo de reloj.

Por lo tanto, obtenemos que un nanosegundo equivale al tiempo que un


megahercio tarda en completar 1000 ciclos e reloj.

Doble Canal
El Doble canal (Dual Channel) es una tecnologa para memorias que
permite el incremento del rendimiento gracias al acceso simultneo a
dos mdulos distintos de memoria (hacindolo a bloques de 128 bits, en
lugar de los 64 bits tradicionales desde el inicio de la era Pentium en
1993). Esto se consigue mediante un segundo controlador de memoria
en el puente norte (northbridge) del chipset o conjunto de chips.
Para que la computadora pueda funcionar en Dual Channel, se debe
tener dos mdulos de memoria de la misma capacidad, velocidad y tipo
(DDR, DDR2 o DDR3) en los zcalos correspondientes de la placa
base, y el chipset de la placa base debe soportar dicha tecnologa.
Es recomendable que los mdulos de memoria sean idnticos (mismas
frecuencia, latencias y fabricante), ya que en casos puntuales es posible
que no funcionen si son distintos.

Doble canal
Es posible utilizar esta tecnologa en memorias DDR, DDR2, y DDR3
cuyas velocidades estn comprendidas en el rango de las
denominaciones comerciales DDR-266 y DDR3-2000 nominales (entre
133 y 1000 MHz reales, o entre 7,5 y 2 ns).
En la actualidad el doble canal comienza a ser desplazado por el uso de
canales triples e incluso cudruples, con la llegada de la memoria DDR3
y la arquitectura de los procesadores i7 Intel.

FICHA BIBLIOGRAFICA 01
Oscar Gonzalez, memoria cache: Tipos y evolucin de la memoria
cache 18F2550, publicado en Memorias
08/02/2009; [Texto en Lnea] Disponible desde.
http://blog.bricogeek.com/noticias/memoria -chache/rom/ram.com
FICHA BIBLIOGRAFICA 02
Ral Alvarez Torrico, Introduccin a la Plataforma Memorias"
publicado
en Tecnobolivia.com, [Texto en Lnea] disponible desde:2010
Espaa
http:/foros/nacionales-espana/chache-memorias

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