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PHYSIQUE DES SEMI-CONDUCTEURS II

Applications Spciales

(Phys 233)
Marc Haelterman
Service d'Optique et d'Acoustique
Facult des Sciences Appliques
Universit Libre de Bruxelles

Avant Propos
--------------Ce cours a pour but d'enseigner les lments de base de la physique des
interactions lumire-matire dans les semi-conducteurs et de prsenter
leurs applications les plus courantes dans le domaine de la gnration et
de la dtection de lumire. Puisque, d'une part, le cours s'adresse des
tudiants de formations varies et que, d'autre part, la physique des semiconducteurs fait appel des notions de mcanique quantique labores, il
m'a fallu dbuter le cours avec un rappel des notions lmentaires de la
physique des semi-conducteurs et du rayonnement lectromagntique.
L'expos de ces notions a t volontairement simplifi (parfois au dpend
de la rigueur scientifique) de faon tablir le meilleur compromis entre
le temps qui y est consacr et une bonne comprhension du cours. De
mme, le cours dans sa globalit est conu de manire dvelopper une
bonne comprhension des mcanismes physiques qui sont la base des
applications optolectroniques des semi-conducteurs.
Une importance particulire est donc donne au contenu physique des
dveloppements thoriques plutt qu' leur aspect mathmatique. Pour
cette raison, les dveloppements thoriques sont, parfois au detriment de
leur rigueur, fortement simplifs par rapport ceux rencontrs dans la
plupart des livres traitant de l'optique des semi-conducteurs.
Le cours est structur selon un fil conducteur dont la logique permet
de mettre en vidence l'norme progrs ralis par l'homme dans le
domaine de la matrise de la lumire. Le cours passe, en effet,
progressivement de la description des sources de rayonnement thermique
aux sources laser semi-conducteur. Ces dernires constituent les
sources de lumire les plus performantes aussi bien du point de vue de
leur rendement que pour la qualit de leur rayonnement. C'est, en
particulier, grce aux lasers semi-conducteur que les
tlcommunications optiques (dont on connat l'importance aujourd'hui)
ont pu tre dveloppes. L'atout majeur des tlcommunications optiques
est qu'elles sont bases sur la transmission de donnes par modulation
d'une onde porteuse dont la frquence est extrmement leve (~1015Hz)
et permet donc d'atteindre des taux de transmission inaccessibles aux
techniques classiques (ondes hertziennes ou microondes). Ainsi, en ce
qui concerne les applications, la motivation principale de ce cours est de
montrer comment la connaissance et la matrise des cristaux semiconducteurs ont permis la ralisation de gnrateurs et dtecteurs de
telles ondes porteuses pour les tlcommunications.

fvrier 1998

Marc Haelterman

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1. INTRODUCTION
Ce chapitre est divis en deux parties. La premire donne une introduction aux
tlcommunications optiques. Sont but est de montrer que le laser semi-conducteur
constitue le dispositif de base des tlcommunications optiques. Cette premire partie
permet ainsi de motiver le cours en montrant que la matrise des matriaux semiconducteurs est l'origine des tlcommunications modernes. La deuxime partie est
consacre un rappel des principes de base de la physique de semi-conducteurs. Nous
passons brivement en revue les modles de l'lectron libre et de l'lectron quasi-libre
d'un cristal. Ceci nous permet d'introduire les concepts de base de la physique des
semi-conducteurs tels que la structure de bande des diagrammes d'nergie. Des
notions, utiles pour la comprhension des interactions lumire-matire, telles que la
densit d'tats lectroniques par unit de volume et d'nergie sont galement revues.

1.1 Introduction aux tlcommunications optiques


Les tlcommunications fibre optique ont t dveloppes un rithme croissant
depuis maintenant plus de 20 ans. La maturit de cette nouvelle technologie est bien
illustre par la vitesse laquelle les liaisons optiques sont actuellement dployes au
travers des continents et des ocans. Les progrs raliss ces dernires dcades
peuvent tre mesurs en remarquant que les premires liaisons optiques transocaniques pouvaient transmettre jusqu' 80.000 conversations tlphoniques
simultanes alors que les premiers cbles coaxiaux trans-ocaniques voyaient leur
capacit de transmission saturer 36 voix simultanes. Cette progression est le rsultat
de nombreux efforts de dveloppement de la technologie des fibres optiques et des
dispositifs lectro-optiques semi-conducteurs : les diodes lectroluminescentes, les
photodiodes et surtout les lasers. Dans ce qui suit nous allons voir pourquoi le laser
semi-conducteur joue un rle si important en tlcommunications optiques.
1.1.2 La fibre optique
Les tlcommunications optiques peuvent tre vues comme tant une extension des
tlcommunications ondes hertziennes au domaine des frquences ultra-hautes de
l'optique. Le simple principe de modulation d'ondes porteuses pour la transmission
d'information tant toujours appliqu, l'utilisation de porteuses de frquence optique
(1015 Hz) permet des taux de transmission beaucoup plus lev qu'avec les ondes
hertziennes dont les frquences ne dpassent pas l'chelle des Gigahertz (microondes).
Les deux obstacles majeurs qu'il a fallu surmonter pour accder aux
tlcommunications optiques sont d'une part la ralisation d'une source d'onde
lumineuse monochromatique cohrente dont le rle est de remplacer l'antenne
mettrice des tlcommunications hertziennes et d'autre part la ralisation de guides
d'onde optiques jouant le rle du cble coaxial pour les liaisons point point.
L'antenne metrice pour les tlcommunications optiques est le laser semiconducteur tandis que le cble vhiculant les ondes est la fibre optique.

Le principe du guidage d'une onde lumineuse par une fibre optique est trs simple.
Il est illustrer la figure 1 ci-dessous. La fibre est un cylindre tir de verre pur (silice,
SiO2) dop en son centre avec un ou plusieurs autres composs tels que GeO2 ou P2O5
de manire ce que l'indice de rfraction y soit lgrement suprieur (voir Fig.1a). La
zone centrale d'indice plus lev rsultante s'appelle le coeur de la fibre (core). La
zone priphrique entourant le coeur s'appelle la gaine de la fibre (cladding). Pour
assurer une bonne tenue mcanique de la fibre, une gaine extrieure en matriau
polymre est place sa surface (jacket). Le guidage de la lumire s'effectue dans le
coeur par rflexion interne totale sur l'interface coeur-gaine (voir Fig.1b). La rflexion
totale a lieu pour autant que l'angle d'incidence sur l'interface soit suffisamment rasant
(plus prcisment, suprieur l'angle critique de rflexion totale). Puisque la
diffrence

(a)

(b)

Fig.1: Illustration schmatique de (a) la section transverse d'une fibre optique et de son profile
d'indice de rfraction; (b) la section longitudinale d'une fibre optique, d'un rayon lumineux guid et
d'un rayon lumineux non guid (voir texte).

d'indice entre le coeur et la gaine est trs faible (de l'ordre de 10-2-10-3), l'angle critique
de rflexion totale est proche de 90. Ds lors, seules les ondes lumineuses ayant une
incidence quasiment normale la surface d'entre de la fibre seront guides (i petit,
voir Fig.1b). Ceci indique que l'onde lumineuse transportant l'information devra tre
bien collimate (unidirectionnelle) pour pouvoir tre injecte et guide dans la fibre
sans trop de pertes. Comme nous le verrons dans la suite du cours, ce point une
grande importance pratique pour le choix des sources lumineuses utilises en
tlecommunications optiques. Nous verrons notament, que ce simple critre
gomtrique de qualit d'une source ne peut tre raisonablement satisfait que par les
lasers. Ayant une distribution angulaire de rayonnement relativement large, les autres
sources lumineuses, telles que les diodes lectroluminescentes, conduisent des pertes
importantes d'nergie lumineuse lors de l'injection dans les fibres optiques.

1.1.3 La dispersion chromatique des fibres optiques


Le principe de la transmission d'information par fibre optique est illustr
schmatiquement la figure 2. Idalement, l'onde porteuse optique est gnre par un
laser semi-conducteur. L'information y est inscrite l'aide d'un modulateur lectro-

optique (dans le cas de l'illustration : par modulation d'amplitude) selon un codage


binaire. L'onde module est alors injecte dans une fibre et se propage jusqu'en bout de
liaison o elle est dtecte par une photodiode (jouant le rle d'antenne rceptrice). La
quantit d'informations transmises dpend du taux de modulation applicable aux ondes
optiques. Puisque a frquence de la porteuse optique est de l'ordre de 1015 Hz, on
pourrait imaginer moduler jusqu'au Terahertz (1012 Hz) sans rencontrer de problme
(~1000 oscillations du champ par impulsion). Pour se donner une ide du potentiel de
l'optique il faut raliser qu'une ligne de transmission fibre optique base sur un taux
de modulation d'un Terahertz serait quivalente plus de 150 millions de lignes
tlphoniques classiques (64 KHz).
I(t)

I(t)

I(t) 1 0 11 0

1 0 11 0

laser
fibre

m o d ulation

detection

Fig.2: Illustration schmatique d'une ligne de transmission de donnes fibre optique.

Il existe malheureusement une limitation d'origine physique importante qui ne


permet pas d'atteindre de tels taux de transmission avec les techniques actuelles. Il
s'agit de la dispersion chromatique des fibres optiques. La dispersion chromatique est
due au fait que l'indice de rfraction n de la silice constituant la fibre optique est une
fonction fortement dpendante de la frquence de l'onde porteuse, soit, n = n( ) o
est la frquence de la lumire (dans le reste du cours nous notons
la frquence
angulaire de la lumire = 2 ). De par la dfinition de l'indice de rfraction, ceci
signifie que si la source lumineuse utilise n'est pas parfaitement monochromatique,
chaque composante de frquence diffrente se propage une vitesse diffrente. Ds
lors les impulsions lumineuses constituant l'information transmettre se dforment en
cours de propagation. Ce phnomne est illustr la figure 3 o l'on voit les
oscillations du champ lectrique de la lumire (et leur enveloppe) au sein d'une
impulsion avant et aprs propagation dans une fibre optique. Sur de grandes distances

(a)

(b)

Fig.3: Reprsentation schmatique de l'effet de la dispersion chromatique sur une impulsion


lumineuse, (a) impulsion initiale; (b) impulsion aprs propagation dans une fibre optique.

de propagation, la dformation peut devenir si grande que les impulsions ne seraient


plus distinguables entre elles et l'information serait perdue. Il est donc important

d'utiliser une source qui soit la plus monochromatique possible de facon limiter les
effets nuisibles de la dispersion chromatique sur les transmissions grandes distances.
C'est la raison pour laquelle les lasers sont utiliss en pratique. Certains lasers
performants sont capables de gnrer des ondes quasiment monochromatiques et leur
utilisation permet de minimiser les effets de la dispersion.
Il faut nanmoins garder l'esprit que, mme avec une source monochromatique
idale, la dispersion opre toujours puisque le spectre d'un signal modul (c'est dire,
contentant de l'information) a toujours une largeur non nulle. La limite thorique de la
largeur du spectre d'un signal est donne par la relation t =2 ! o t est la largeur
des impulsions constituant le signal.
Cette brve introduction aux tlcommunications optiques nous permet de
comprendre l'importance du rle du laser dans les tlcommunications optiques. Par
rapport au critres de directivit, de monochromaticit et de rendement nergtique, le
laser semi-conducteur est sans conteste le dispositif le plus performant que l'homme
ait pu raliser dans sa qute vers la matrise de la lumire. Tout au long de ce cours,
nous passerons en revue les diffrentes tapes qui ont t ncessaires la ralisation
du laser. Nous verrons les connaissances scientifiques et techniques qu'il a fallu
rassembler dans le domaine de la physique de l'tat solide et de l'inggnirie des
matriaux pour arriver cette source parfaite de lumire qui est dj en train de
rvolutionner, l'chelle plantaire, les communications entre les hommes.

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1.2 Rappel de Physique des Semi-conducteurs


1.2.1 Introduction : Formalisme
Le formalisme utilis pour la description des proprits des matriaux semi-conducteurs est celui de la
mcanique quantique. La description dtaille et rigoureuse des S-C exige des dveloppement thoriques
relativement labors faisant appel, notamment des concepts abstraits (p.ex. Groupes de symtrie de la
thorie des groupes). Nanmoins, dans le cadre du cours nous n'aborderons que les proprits optiques
lmentaires des S-C. Celles-ci peuvent tre dcrites et expliques partir de raisonnements simples faisant
appel aux notions lmentaires de la mcanique quantique.

Pour comprendre les proprits optiques des S-C abordes dans le cours il nous suffira de nous rappeler
quen mcanique quantique l'lectron est dcrit comme tant une onde. Dans le cas particulier de l'lectron
libre il s'agit d'une onde plane dont le vecteur d'onde est proportionnel la quantit de mouvement de
l'lectron. La constante de proportionnalit tant la constante de Planck divise par 2. La frquence de
l'onde est donne par l'nergie de l'lectron; celui-ci tant libre, il s'agit de son nergie cintique
proportionnelle au carr de la quantit de mouvement. La relation entre la frquence (nergie) et le vecteur
d'onde (quantit de mouvement) s'appelle la relation de dispersion. Dans le cas de l'lectron libre, nous avons
donc une relation de dispersion parabolique.

lectron libre (classique)

Postulats de la M.Q.

particule

onde

p = mev

p = !k

1
1
2
E = mev =
p2
2
2me

!2k 2
E = ! =
2me

Electron libre = onde plane :

= eikx e it

Les postulats de la mcanique quantique tablissent le principe d'quivalence. Ce principe conduit


l'quation de Schrdinger lorsque l'on traduit la relation de dispersion parabolique

Principe d'quivalence :

Equation de Schrdinger :

p i! x
E i! t

!2 2
i! t =
xx
2me

(Pour la simplicit de lexpos nous crivons lquation de Schrdinger avec une seule dimension spatiale)

Nous reprsentons ici la relation de dispersion parabolique car on verra qu'elle joue un rle central dans
la description des S-C. La courbe de dispersion permet d'obtenir la vitesse de phase de l'onde associe
l'lectron ainsi que sa vitesse de groupe ( partir de la pente de la courbe). C'est la vitesse de groupe qui
reprsente la vitesse physique relle de l'lectron (on trouve en effet la relation classique vg= p/me)

Relation de dispersion

E ou

parabolique

v = / k
v g = d / dk

1.2.2 Modle de llectron libre des S-C


Les semi-conducteurs sont des matriaux cristallins. Les lectrons des couches priphriques des atomes
du cristal sont librs et peuvent se dplacer, ce qui conduit la conductivit lectrique, proprit
physique essentielle des semi-conducteurs. La description la plus simple des proprits lectroniques
dun cristal est obtenue laide du modle de llectron libre. Ce modle consiste ngliger l'effet du
potentiel lectrostatique des atomes (ioniss) sur les lectrons libres.

Pour dcrire cette situation, il suffit donc de considrer l'quation de Schrdinger de l'lectron en
l'absence de potentiel (on retrouve alors le cas de llectron libre vu ci-dessus). Considrons un lectron
d'nergie E donne. La fonction d'onde de cet lectron sera une onde plane de frquence dtermine
par l'nergie E. La frquence tant donne, l'quation de Schrdinger devient l'quation de Schrdinger
stationnaire dont la solution, en labsence de potentiel, est = eikx (o k est li lnergie E par la
relation de dispersion parabolique)

Eq. de Schrdinger stationnaire : = e-it ,

E = !

!2 2
E =
xx + V ( x )
2me
= eikx
! 2k 2
E=
2me

a
Reprsentation schmatique dun cristal
(a: constante de rseau)

Dans le modle de llectron libre nous ne tenons pas compte du potentiel des atomes du rseau, nous prenons
seulement en compte la nature priodique du milieu dans lequel les lectrons libres se dplacent. Pour ce faire
nous imposons la fonction donde de llectron davoir une priodicit dont la priode est un multiple de la
constante de rseau. A cette fin, on dfinit une cellule lmentaire de longueur L = na (ou n est un entier). Le
choix de L (ou n) est arbitraire, tous les rsultats qui suivent tant indpendant de ce choix. La seule chose
importante est que n soit grand.
Imposer la priodicit revient dire que le vecteur donde k de toute fonction donde lectronique doit
rpondre la condition km = 2m/L. Ceci signifie simplement que les lectrons ne peuvent pas avoir
nimporte quelle vitesse (ou nergie cintique) dans un milieu cristallin : la relation de dispersion devient
discrte.

Conditions aux limites priodiques

m = exp(ikm x )
2 m
km =
L
L = n.a
Relation de dispersion
discrte

E
EF

Principe de Pauli :
spin: 2 e- par tat

2/L

kF k

Chaque valeur de km (ou Em ) est associe un tat lectronique possible pour un lectron dans le cristal.
Daprs le principe de Pauli, au maximum deux lectrons de spin oppos peuvent occuper un tel tat. Les
lectrons libres dans le cristal sorganiseront donc en formant un remplissage de la courbe de dispersion
discrte de faon remplir tous les tats dnergie infrieure par paire dlectrons. Cette organisation est
analogue celle qui a lieu autour dun noyau pour former un atome. Le remplissage des tats se termine au
niveau de Fermi EF (ou kF). Par dfinition, le niveau de Fermi est le niveau dnergie atteint par le dernier
lectron disponible lors du remplissage des tats en labsence dagitation thermique.
On peut facilement calculer le niveau de Fermi pour un cristal donn partir de la relation de dispersion.
En effet, le nombre dlectrons librs dans le cristal est gal la valence de latome multiplie par le
nombre datomes; connaissant la constante de rseau on peut calculer la densit datome et donc galement
la densit lectronique ne. Dans une cellule lmentaire cubique de ct L le nombre dlectrons est donc
Ne = ne L3. On peut ds lors calculer le vecteur donde de Fermi en sachant que : (1)- les lectrons sont
disposs rgulirement dans lespace rciproque (espace des vecteurs donde) et y forment un empilement
cubique dont la maille lmentaire a un ct de 2/L, (2)- lempilement se fait prfrentiellement sur les
tats dnergie infrieure (donc sur une sphre dont le centre est lorigine) jusquau vecteur donde de
Fermi, par dfinition.

kx = 2mx/L

3 dimensions :
z

2
L

L
x

ky = 2my/L

kz

kz = 2mz/L

kF
kx

ky

Niveau de Fermi :

N e = ne L3
N e = 2.

4
kF3
3

( 2L )3

kF = (3 2 ne)1/3

Ne = nbr de- , ne = densit de-

(2 spin/Pauli)
(kF indpendant de L)

Notez que kF est indpendant du choix de la longueur L de la cellule lmentaire et ne dpend que de
la densit dlectrons (ceci est en accord avec lide du choix arbitraire de L mentionn plus haut).
Connaissant kF on peut facilement connatre le niveau de Fermi EF partir de la relation de dispersion
parabolique:

EF

! 2k F 2
!2
=
=
(3 2ne )2/3
2me
2me

Ce type de raisonnement, bas sur le fait que lempilement des tats dans lespace rciproque est simple
(cubique, dans lexemple simplifi ci-dessus) est souvent utile pour la caractrisation des proprits des S-C.
Nous verrons que cela nous sera utile, entre autre, pour ltude du spectre dabsorption optique des S-C.

En raison de lagitation thermique, les dernires couches avant le niveau de Fermi ne se remplissent pas
compltement car les lectrons qui les occuperaient sont libres de se dplacer sur les tats non-occups
suprieurs; ce quils font suite des changes dnergie avec les phonons du rseau cristallin et les
autres lectrons (agitation thermique). Les lois statistiques de la mcanique quantique nous apprennent
que la rpartition nergtique des lectrons due lagitation thermique est donne par la loi de
distribution de Fermi-Dirac (appele ici la distribution de Fermi pour la simplicit) :

Distribution de Fermi:

f(E)=1/{exp[(E-EF)/kBT]+1}

T0

T=0

EF

EF

f(E)

f(E)

Densit dtats
Comme nous le verrons plus loin, la densit dtats par unit de volume et dnergie est un autre concept
important pour la caractrisation des proprits optiques des S-C. Nous la calculons ici pour le cas simple
dun cristal de maille cubique. Comme pour le calcul du niveau de Fermi, le calcul de la densit dtats est
bas sur le compte ais du nombre dtats dans lespace rciproque. Comme on veut connatre le nombre
dlectrons par unit dnergie on calcule dabord le nombre dlectrons dans lespace rciproque k et lon
applique ensuite la relation de dispersion parabolique. Ci-dessous, dNe est le nombre dlectrons contenus
dans la couche sphrique de rayon k et dpaisseur dk correspondant une nergie donne E et un intervalle
dnergie dE. En appliquant le calcul au cas dun volume unitaire (L=1) dNe devient laccroissement de
densit lectronique par unit de volume dne. Le calcul de la densit dtats = dne/dE est donc trs simple.

kz

dne
=
dE
k2
4 k 2 dk
dN e = 2.
= 2 dk
2

( )3
L

2
L

k
kx

ky

L = 1 dNe = dne

dk

!2 k 2
E =
2me

!2
1
dE =
2k dk dk =
2me
2

dne
1 2m
= =

dE
2 2 ! 2

2me
dE
2
! E

3/ 2

La densit dtats est donc proportionnelle la racine carre de lnergie : plus on


monte en nergie plus le nombre dtats par unit dnergie est grand. Ce qui nest pas
ncessairement intuitif puisque dans le modle uni-dimensionnel simplifi, la densit
apparente dtats diminue avec lnergie (voir schma entre parenthse et la ligne en
tirets sur la figure ci-dessous). La diffrence entre 1D et 3D vient simplement du fait
que le nombre dtats dans lintervalle dk est constant en 1D et augmente avec le carr
de k en 3D.

1D

3D

1D

2/L

La description des proprits des cristaux fournie par le modle de llectron libre est simpliste et trs
limite dans son application. Sil permet dintroduire, comme vu ci-dessus, les concepts lmentaires
lis lagencement des tats lectroniques (organisation des lectrons) dans les cristaux, le modle de
llectron libre ne permet pas dexpliquer les proprits importantes des cristaux telles que leurs
proprits de conduction lectrique.
Pour expliquer les proprits de conduction des cristaux il faut prendre en compte linteraction des
lectrons libres du cristal avec le rseau datomes (ions) le constituant. Le modle le plus simple qui
permet cela est le modle de llectron quasi-libre.

2. Modle de llectron quasi-libre


Le modle de llectron quasi-libre est obtenu en considrant que linteraction des lectrons avec le rseau
cristallin est trs faible. Dans le cadre du prsent rappel de physique des S-C, nous ne dvelopperons pas ce
modle rigoureusement; nous nous contenterons dune description simple et intuitive des mcanismes
responsables des proprits de conduction des S-C.

Approche intuitive :
Puisque les lectrons sont reprsenter par des ondes en mcanique quantique, linteraction dun lectron
avec un atome du rseau cristallin peut tre modlise comme une simple rflexion partielle de londe
sur latome. Le modle de llectron quasi-libre est bas sur lhypothse dune faible interaction ce qui
revient dire que le coefficient de rflexion correspondant r est petit, r << 1. Par conservation du
nombre dlectrons le coefficient de transmission associ t doit rpondre la relation r2 + t2 = 1. La
fonction donde reprsentant llectron en interaction avec latome sera donc compose de trois ondes:
une onde incidente damplitude unitaire et de vecteur donde +k (par convention), une onde rflchie
damplitude r et de vecteur donde -k et dune onde transmise damplitude t et de vecteur donde +k.

i = eikx

t = t eikx

r2 + t2 = 1
r 2 << 1

r = r e ikx

atome

Pour un lectron se propageant dans un cristal, la rflexion a lieu de manire priodique avec une priode
dtermine par la constante de rseau. La situation est illustre de manire schmatique ci-dessous pour un
modle de cristal une dimension de constante de rseau a. Mme si elles sont trs lgres comme
suppos ici, les rflexions multiples ont un impact extrmement important sur le comportement des
lectrons. Pour le voir, calculons lamplitude R de londe rflchie en x = 0 rsultante de toutes les
rflexions multiples ayant lieu en x > 0. Ce calcul doit bien entendu prendre en compte la phase de
chacune des composantes rflchies par les atomes successifs. Pour simplifier le calcul, nous ngligeons
les rflexions secondaires (une fois quune onde est rflchie par un atome elle nest plus rflchie par les
atomes quelle rencontrent en se propageant vers x = 0).

i = eikx
R = R e ikx
0

2a

3a

4a .

Composante
rflchie en x = 2a
(transmise 2 fois)

Composante
rflchie en x = a

R = re

2ika

R = re2ika

+ t re

4ika

t2 est infrieur mais


proche de lunit
puisque linteraction
avec latome est faible

Composante
rflchie en x = 3a
(transmise 4 fois)

+ t re

6ika

( t 2 1)

+ .....

2ika
re
1 + t 2e2ika + t 4e4ika + ..... =
1 t 2e2ika

La srie ainsi obtenue converge car t2 < 1. La fonction rsultante est priodique en k, sa priode tant
de k = /a. Puisque t2 est proche de lunit, le dnominateur de la fonction prend une valeur proche
de zro pour k.a = m (m tant un entier). Ceci indique un phnomne de rsonance : la rflexion de
llectron sur les sites atomiques prsente des pics pour des valeurs bien prcise de sa vitesse (ou
nergie cintique, ou quantit de mouvement). Entre les pics le dnominateur prend des valeurs de
lordre de lunit et la rflexion y est donc beaucoup plus faible. La valeur exacte de la rflexion R
nest pas fournie par la fonction ci-dessus car nous avons nglig les rflexions secondaires. Le calcul
exact conduit un facteur r2 au numrateur plutt que r, tel quindiqu ci-dessous. La rflexion R vaut
donc lunit aux rsonances k = m/a et est proche de zro entre celles-ci. Ce phnomne de
rsonance lectronique nest rien dautre que le phnomne de rflexion de Bragg.

Avec reflexions secondaires :

Reprsentation schmatique du dnominateur de


la fonction de rflexion R dans le plan complexe
permettant de visualiser la notion de rsonance.

Im

r 2e 2ika
R=
1 t 2e2ika
R=1

si k.a = m

t2

2ka

Re

r2
Ce rsultat est remarquable puisquil indique que malgr lhypothse dinteraction faible avec les atomes,
les lectrons peuvent tre fortement influencs par le rseau cristallin lorsque leur quantit de mouvement
est proche de la condition de rsonance. Comme nous le verrons ci-dessus cest ce phnomne de
rsonance (ou de rflexion de Bragg) qui est la base des proprits de conduction des cristaux.
Une description dtaille des proprits lectroniques des S-C exige la rsolution de lquation de
Schrdinger avec le potentiel lectrostatique priodique correspondant aux atomes ioniss du cristal. Cette
rsolution nest pas aise et fait appel des notions labores (notamment de la thorie des groupes)
dpassant de loin le cadre du prsent rappel. Nanmoins afin de bien comprendre lorigine physique des
proprits lectroniques des S-C, nous donnons ci-dessous une mthode de rsolution approche
extrmement simplifie (et non rigoureuse) permettant de rendre compte de ce qui se produit soit
exactement la rsonance soit compltement en dehors de celle-ci mais pas dans une situation
intermdiaire.

Rsolution de lquation de Schrdinger :


Considrons pour simplifier lquation de Schrdinger stationnaire une dimension spatiale. La rsolution de
cette quation fourni les fonctions donde reprsentant les tats stationnaires des lectrons dans le S-C. Elle
permet donc en principe de connatre les proprits lectroniques des S-C.
Lquation de Schrdinger stationnaire est une quation aux valeurs propres aux drives partielles dont
lnergie E constitue la valeur propre.

!2 2
xx + V ( x ) = E
2me
Dans le cas du rseau cristallin uni-dimensionnel le potentiel a la forme dune simple fonction
priodique dcomposable en srie de Fourier (si lorigine x=0 est place par convention sur un des
atomes du cristal, la symtrie conduit une srie de Fourier cosinus ).

V ( x ) = V1 cos(

2
4
x ) + V2 cos(
x ) + ....
a
a

o V1 > 0

o Vn sont les coefficients du dveloppement de Fourier ou harmoniques


du potentiel lectrostatique du cristal.
Lide de la mthode de rsolution simplifie est dimposer une forme la fonction donde stationnaire
solution de lquation de Schrdinger. En sinspirant du phnomne de rflexion de Bragg vu ci-dessus,
on peut supposer que la fonction donde est la somme dune onde progressive (de vecteur donde +k) et
dune onde rflchie (de vecteur donde -k) de coefficient R. Le problme revient alors calculer la valeur
de R associe une nergie E en substituant cette fonction dans lquation.

Avec solution de la forme : = e

ikx

+ R e ikx

2
i 2 x
i
x
! 2k 2 ikx
V
ikx

eikx + R e ikx =
1
a
a

+e
e +Re
e

2me
2

E eikx + R e ikx
Pour liminer la variable spatiale x, on intgre cette relation sur x aprs avoir multipli par exp(-ikx).
Les intgrales des termes rapidement oscillants tels que exp(2ikx) sont bien entendu nulles. On voit alors
que seul le terme oscillant en 2/a-2k est susceptible de contribuer au terme de potentiel de lquation:

Intgration :
1 L/2
ikx
e
dx
....

L / 2
L

1 L / 2 2ikx
e
dx = 0,

L / 2
L

et

1 L / 2 2i ( a + k ) x
e
dx = 0

L/ 2
L

Les intgrales se font sur la longueur L tendant vers linfini (procdure de moyennage).
Lquation de Schrdinger devient donc :

2 2

! k
2me

V1
1
R
L
2

L/2

L / 2

2i (

k)x
a
dx

= E

Pour les valeurs de k loignes de /a, le dernier terme de potentiel restant est aussi
nul, dans ce cas on voit que lnergie est donne pas la relation de dispersion classique
rencontre plus haut pour llectron libre. Ce nest que lorsque k = /a que le terme
de potentiel a une contribution non nulle.

Soit k
a

Soit k =
a

! 2k 2
= E
2me

! 2k 2
V
1R =E
2me
2

(lectron libre)

Cette dernire relation ne fournit encore ni la fonction donde (soit la valeur de R) ni la valeur propre
associe E. Celles-ci peuvent tre obtenue en effectuant la mme procdure dintgration applique cette
fois aprs multiplication de lquation de Schrdinger par exp(+ikx). On voit dans ce cas que seul le terme
oscillant en -2/a+2k est susceptible de contribuer au terme de potentiel de lquation:

Intgration :
1
.... eikx dx

L L / 2
L/2

1
2ikx
e
dx = 0,
L L / 2
L/2

et

1
L L / 2
L/2

2i ( + k ) x
a
e
dx

Lquation de Schrdinger devient donc cette fois:

2 2

! k
V1 1
R
2me
2 L

L/2

L/ 2

2i (

k)x
a
dx

= RE

= 0

La conclusion est ds lors la mme : pour les valeurs de k loignes de /a, le dernier terme de
potentiel restant est nul, dans ce cas on voit que lnergie est donne pas la relation de dispersion
classique rencontre plus haut pour llectron libre. Ce nest que lorsque k = /a que le terme de
potentiel a une contribution non nulle.

Soit k
a

Soit k =
a

! 2k 2
= E
2me

! 2k 2
V
R 1 =ER
2me
2

(lectron libre)

Notons que la condition k = /a constitue un cas particulier de la condition de rflexion de Bragg vue cidessus (il sagit de la rflexion de Bragg dordre le plus bas). On retrouve donc bien le rsultat de
lapproche intuitive qui dit que, dune part, la rsonance les lectrons subissent une forte interaction
avec le rseau cristallin et dautre part, loin de la rsonance les lectrons ne voient pas le rseau (ne sont
pas rflchis) et se comportent comme des lectrons libres.
Voyons maintenant ce que donne plus prcisment la rsolution de lquation de Schrdinger la
rsonance. Les deux procdures dintgration donnent deux quations pour les deux inconnues du
problme:

la rsonance : 2 quations 2 inconnues


2 2

! k
2me
2 2

V1
R =E
2

! k
V
R 1 =ER
2me
2

R2 = 1

!2k 2
V
1
E =
2me
2

R = -1

!2k 2
V
+ 1
E =
2me
2

R = 1

En accord avec lapproche intuitive, on voit que la rflexion est unitaire la rsonance. La rsolution de
lquation de Schrdinger nous apporte nanmoins plus de prcision: nous voyons que la rsonance est
caractrise par deux fonctions donde dnergies diffrentes correspondant une rflexion sans dphasage
(R=1) et une rflexion avec dphasage de (R=-1). Leur interprtation physique est trs simple: Lorsque
R=1, les ondes incidente et rflchie forment une onde stationnaire avec les maxima localiss sur les
atomes. Cette situation correspond donc une probabilit de prsence maximale l o il est naturel de la
trouve puisque les lectrons sont attirs par les atomes ioniss. Il est donc logique que cette situation
corresponde la valeur la plus faible de lnergie : E = h2k2/2me-V1/2.

Dans lautre cas (R=-1) londe stationnaire a ses maxima entre les atomes ioniss. Situation qui
maximise lnergie potentielle des lectrons; il est donc logique de trouver lnergie la plus leve pour
cette situation : E = h2k2/2me+V1/2. Cette discussion est rsume et illustre ci-dessous.

si k = /a

Interprtation :
R = 1

= eikx + R e ikx

R = -1

! 2k 2 V1
E =
2me
2

(x )

2a

3a

cos2 ( kx )

2 sin 2 ( kx )
E =

4a .

! 2k 2
V
+ 1
2me
2

V(x)

x
En dehors de la rsonance, on a vu dans lapproche intuitive que la rflexion est ngligeable et que
les lectrons se comportent comme des lectrons libres. Cest dire que leur fonction donde associe
est une onde progressive seule (sans rflexion). Une telle fonction donde reprsente une probabilit
de prsence uniforme. Le potentiel lectrostatique moyen vu par les lectrons est donc nul et il est
logique de retrouver lnergie de llectron libre (notons que, par souci de simplicit, on na pas pris
en compte la composante de frquence spatiale nulle dans le dveloppement de Fourier du potentiel,
lajout dun potentiel constant tant sans effets physiques. Cest pourquoi lon retrouve, hors
rsonance, lnergie de llectron libre sans la prsence dune constante arbitraire inutile).

si k /a

=1

R 0

eikx

potentiel moyen nul

!2k 2
E =
2me

De cette discussion on peut conclure que pour des petites valeurs de k (soit k < /a) les lectrons se
comportent comme des lectrons libres et la courbe de dispersion est donc parabolique. Quand on se
rapproche de la rsonance on peut sattendre ce que dabord la situation dnergie la plus faible soit
rencontre, cest dire que la rflexion des lectrons sur le rseau apparat sans dphasage et la courbe de
dispersion est modifie de manire trouver lnergie E = h2k2/2me-V1/2 la rsonance. En forant encore k
augmenter on passe abruptement la situation dnergie leve E = h2k2/2me+V1/2 et au fur et mesure que
lon sloigne de la rsonance la courbe de dispersion se rapproche de celle de llectron libre. La courbe de
dispersion rsultante est reprsente schmatiquement la figure ci-dessous pour un cristal 1D.

Conductivit des cristaux :


1 dimension

Eg

-/a

2/L

/a

Cette courbe de dispersion fait apparatre la notion de bandes dnergie permises et interdites qui est
lorigine des proprits de conduction des S-C. Pour bien comprendre pourquoi lexistence de bandes
interdites conditionne les proprits de conduction, il suffit de considrer le nombre dlectrons que peut
contenir une bande permise. A cette fin nous utilisons une fois de plus le comptage des tats dans lespace
rciproque k. Le nombre dtats possibles occups par les lectrons est donn par la largeur de la bande
permise 2/a divise la largeur de la cellule lmentaire 2/L , le tout multipli par 2 pour le nombre de spins.

Capacit dune bande


largeur de la bande
spin

nombre d' tats = 2

2
a
2
L

= 2

L
= 2 . nbre d' atomes
a

largeur dune cellule


Or, le nombre dlectrons disponibles dans le cristal est donn par la valence (le nombre dlectrons de la
dernire couche atomique) multiplie par le nombre datomes du cristal. Pour le cristal 1D ce nombre est
L/a. On voit donc quun cristal datomes monovalents tel que le sodium aura sa bande permise moiti
vide, tandis que celle-ci sera remplie pour un cristal datomes de valence 2 tel que le magnsium.

nombre dlectrons dans le cristal : valence nbre datomes


Na : 1 lectron s

nbre de- = L/a

Mg : 2 lectron s

nbre de- = 2L/a

bande moiti vide


bande remplie

En labsence de champ lectrique extrieur, les lectrons empils dans la bande permise du cristal ont des
vitesses qui peuvent tre diffrentes de zro (car k est proportionnel la quantit de mouvement mev et les
lectrons ont des valeurs de k qui stalent sur la zone de Brillouin) mais la moyenne de la vitesse sur tous les
lectrons est nulle car la bande permise est symtrique par rapport lorigine k=0.
Si un champ lectrique appliqu de lextrieur (par une diffrence de potentiel aux extrmits dun morceau
de cristal), les lectrons subiront une force qui les fera bouger dans le sens oppos au champ. Ce mouvement,
qui engendrera un courant lectrique, se fait une certaine vitesse moyenne <v> (constante, en raison des
collisions avec le rseau cristallin qui donne lieu une friction effective) correspondant une valeur moyenne
de k soit <k> non nulle. Si la bande permise nest pas remplie rien nempche davoir une valeur moyenne de
k non nulle car rien nempche les lectrons de sorganiser de manire crer une distribution asymtrique
dans lespace rciproque. Par contre si la bande permise est remplie, toutes les valeurs de k sont occupes et il
est impossible dasymtriser la distribution dans lespace rciproque. On voit donc ainsi quun courant
lectrique ne peut pas stablir dans un cristal atome de valence 2. Ce raisonnement peut bien entendu tre
gnralis des valences suprieures 2. Il y aura alors remplissage complet ou partiel des bandes permises
suprieures et les conclusions seront les mmes.

ky

"
E

"
<k > 0
kx

kF

"
<v> 0

courant lectrique

Ceci nest applicable que si lon ne tient pas compte de lagitation thermique. En effet, sil y a une certaine
agitation thermique, comme cest toujours le cas en pratique, les lectrons pourront recevoir une nergie
suffisante que pour pouvoir passer dans la bande permise suprieure (il faut pour cela que lnergie
thermique ne soit pas ngligeable devant lnergie de la bande interdite appele GAP). Dans ce cas la
distribution des tats lectroniques peut devenir asymtrique et un courant lectrique peut stablir.
Avant de considrer ce point de vue, il est intressant de calculer le vecteur donde de Fermi pour un cristal
de valence et de constante de rseau donnes. Celui-ci peut tre aisment calcul en remarquant que, par
dfinition du niveau de Fermi, les tats lectroniques occupent la bande permise de - kF +kF, comme
exprim dans la formule ci-dessous :

Agitation thermique et distribution de Fermi-Dirac


Vecteur donde de Fermi

1 dimension

nbre d' tats occups = valence

kF =

valence

a
2

L
2
a

2k F
2
L

valence paire : kF est au gap

On constate donc que le vecteur donde de Fermi se trouve la limite de la zone de Brillouin pour une
valence paire. Dans ce cas, lnergie de Fermi se trouve donc dans le gap.

En effet, par dfinition EF


est donne par :

EF

! 2k F2
=
2me

f (E) =

1
exp[( E E F ) / k BT ] + 1

La distribution de Fermi f(E) indique que les lectrons des couches suprieures peuvent effectivement
avoir une nergie suffisante que pour franchir le gap et atteindre la bande permise suprieure. Si
lnergie thermique nest pas ngligeable devant le gap on pourra avoir conduction. Or, lnergie
thermique temprature ambiante (300 K) vaut 2.6 10-2 eV.

T0

EF

Eg

2/L

/a

si Eg kBT

EF

f(E)

semi-conducteur

kB = 1.38 10-23 J/K, T = 300 K kBT = 4.14 10-21 J = 2.6 10-2 eV


Si le gap est de lordre de 1 eV, la conduction sera faible mais non ngligeable. Cest, par dfinition,
le cas des cristaux semi-conducteurs. Ci-dessous nous considrons, aprs les lments des deux
premires colonnes du tableau de Mendeleev Na et Mg, des lments des colonnes suivantes.
LAluminium a une valence 3; il y a donc une bande et demie remplie et il y a donc conduction
(possibilit davoir une distribution asymtrique des k). Le Silicium a une valence 4 correspondant
2 bandes remplies. Le gap sparant la bande occupe suprieure et la bande permise suivante est de
1.13 eV. Il sagit donc dun semi-conducteur. Le Carbone a aussi une valence 4 mais sont gap est de
5.5 eV et est considrer comme isolant (le diamant).

Exemples :

Al 3e-

conducteur

Si 4e- : Eg = 1.13 eV

semi-conducteur

C 4e- : Eg = 5.5 eV

isolant

Nous terminerons ce rappel en passant brivement en revue diffrents concepts de physique des S-C
utiles ltude de leurs proprits optiques.

Voyons tout dabord le concept de bandes de conduction et de valence. Nous lillustrons ci-dessous avec
lexemple du Silicium. Les quatre lectrons de valence de tous les atomes remplissent deux bandes permises
et occupent donc des tats donns qui ne peuvent tre quitts que grce lnergie thermique. Les lectrons
qui reoivent lnergie suffisante pour surmonter le gap passe dans la bande permise suprieure appele bande
de conduction car ce sont les lectrons libres de cette bande qui contribuent la conduction. Par opposition, la
bande permise des tats lis est appele bande de valence. Cette dnomination est trompeuse car, en ralit,
lasymtrisation de la distribution des lectrons dans lespace rciproque (responsable de la conduction)
concerne galement les lectrons de la bande de valence. En effet, si dun ct, les lectrons sont monts sur
la bande suprieure, de lautre ct les lectrons ont libr des tats lectroniques qui se trouvent donc
vacants. Ceci peut tre visualis dans lespace rel grce au schma ci-dessous o lon voit la place vacante
laisse par llectron libr. Cette place vacante pourra tre occupe par un autre lectron de valence qui luimme crera une place vacante un autre endroit. Les lectrons de valence peuvent donc galement se
dplacer grce ces places vacantes et ainsi participer la conduction. Le mouvement des lectrons de
valence cre un mouvement apparent des places vacantes. Pour des raisons de simplicit de modlisation des
proprits des S-C ils savre plus simple de dcrire le mouvement des place vacantes que lon considre
comme des particules part entire que lon appelle les trous . La justification de cette manire de
procder est illustre par lexemple de la mesure de la quantit de mouvement moyenne des lectrons de la
bande de valence dans laquelle un trou est prsent. La quantit de mouvement moyenne est donne par la
quantit de mouvement de la bande pleine (quantit nulle puisque la distribution des e- est alors symtrique)
moins la quantit de mouvement de llectron absent qui a form le trou, soit un total de -ke. Cette valeur est
la quantit de mouvement du trou (plus simple exprime que la somme des k sur les n-1 tats occups). Ce
raisonnement peut tre facilement appliqu lnergie dont le signe sera galement invers pour les trous. Un
trou aura toujours tendance monter dans la bande de conduction pour minimiser lnergie du systme. Il en
rsulte que la distribution de Fermi pour les trous est inverse par rapport celle des lectrons.

Bandes de conduction
et de valence
"

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

La figure ci-dessous indique simplement que daprs la


thorie rigoureuse de la physique des cristaux, lon peut
dcrire les bandes en les ramenant toutes dans la premire
zone de Brillouin (cf. Invariance des fonctions donde
lectroniques par rapport une translation dun vecteur de
Bloch G).

"
E

Conduction des trous


"
"
< k > = kn

"
<k > =

n 1 tats

" "
"
kn ke = ke

n tats

0
E

E
Et = - Ee

Au voisinage du centre de la zone de Brillouin les courbes de dispersion pour les lectrons de conduction
apparaissent donc paraboliques comme pour llectron libre vu plus haut. La seule diffrence avec llectron
libre est que la courbure de la courbe de dispersion nest pas ncessairement donne par la masse de llectron
et la constante de Planck. La courbure peut en fait prendre nimporte quelle valeur dpendant de la manire
dont se forme le gap. Comme les proprits (quantiques) des lectrons sont donnes partir de lapplication
du principe de transposition (postulat de la mcanique quantique) la relation de dispersion (voir plus haut
pour llectron libre), on peut conclure quun semi-conducteur se comporte comme un nuage dlectrons
libres dont la masse est fixe par la courbure de la courbe de dispersion. On introduit ainsi la masse effective
des lectrons comme indiqu ci-dessous. Le mme raisonnement est appliqu pour les trous responsables de
la conduction de la bande de valence.

Masse effective
E
Ec
Ev

1 2 2E
E = Ec + k
2 k 2

!2k2
E=
2mc

k =0

1 2 2E
k
2 k 2

k =0

!2
=
mc

p2
(avec !k = p ona E =
)
2mc

( idem pour trous :

1 2 2E
k 2
2 k

k =0

!2
)
=
mv

S-C = gaz de- et trous libres de masses


mc et mv
A partir de ce principe, les quantits caractrisant les lectrons (et les trous) dans les S-C peuvent tre calcules
aisment en appliquant simplement les calculs faits pour les lectrons libres. Ainsi, la densit dlectrons ou de
trous (ou plus simplement la densit de porteurs) se calcule partir du compte du nombre dtats lectroniques
dans lespace rciproque (compte du nombre dtats dans une couche sphrique dpaisseur dk, etc). On
arrive ainsi la forme parabolique de la densit dtat par unit de volume et dnergie. Lunique diffrence
avec llectron libre est que lorigine des nergie est maintenant le bas de la bande de conduction, soit Ec.

! 2k 2
E = Ec +
2mc
1
2mc
4k 2dk
dk =
dE , dN e = 3 3
2 ! 2 ( E Ec )
8 / L

Densit dtats
E
Ec
Ev

dne
1 2mc
= e =
2
2
dE
2 !

On applique le
mme calcul
aux trous :

Trous :

3/ 2

1 2mv
=
2 2
2 !

E Ec
3/ 2

Ev E

En guise de rsum, nous pouvons donc dire quun semi-conducteur se comporte comme un nuage de porteurs
de charges libres (ngative et positives) de masses fixes par la courbure des courbes de dispersion des bandes
de conduction et de valence. Le nombre dlectrons et de trous dans ces bandes est fix par la distribution de
Fermi (inverse pour les trous); le niveau de Fermi se situant au milieu du gap. Au zro absolu, il ny a donc
pas de porteurs libres dans un S-C. La densit dtats par unit de volume et dnergie est parabolique (comme
pour llectron libre). Les produits efe et tft sont les densits dlectrons et trous par unit de volume et
dnergie. La densit de porteurs libres par unit de volume est ds lors donne par lintgrale sur E de la densit
dtats et de la distribution de Fermi f.

Rsum :

ft = 1-fe

Ec
EF

EF

Ev

e, t

fe, ft

f e e, f t t

Si lon dope le S-C avec des atomes de valence suprieure (ou infrieure) le nombre dlectrons (ou de trous)
dans la bande de conduction (ou de valence) peut augmenter considrablement et peut ds lors fortement
augmenter la conduction. Ci-dessous est illustr le cas du dopage de type n par insertion datome de Phosphore
(valence 5) dans une matrice cristalline de Silicium. Il en rsulte un plus grand nombre dlectrons dans la bande
de conduction, cest dire, un niveau de Fermi plus lev et donc une plus grande densit dlectrons libres par
unit de volume.

!
E

Dopage :
Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

E
EF
k

Ceci termine le rappel des notions de base de physique des Semi-conducteurs


ncessaires la bonne comprhension de leurs proprits optiques. Dans le chapitre
suivant nous passons en revue brivement les notions de physique qui sont la base des
interactions lumire-matire.

2. INTERACTIONS LUMIERE-MATIERE

Avant de considrer les interactions lumire-matire proprement dites, nous faisons ci-dessous un bref rappel
des formalismes utiliss pour dcrire la lumire. Dun point de vue classique (c--d, non quantique) la lumire
est constitue dondes lectromagntiques et est donc dcrite par les quations de Maxwell combines aux
relations constitutives caractrisant le milieu dans lequel elle se propage (elle sont donnes ici pour le vide).

A. Lumire = onde lectromagntique


H
t
E
rot H = o
t

Equations de Maxwell

rot E = o

Dans le vide :

div E = 0
div H = 0

La combinaison des deux quations de Maxwell fourni lquation donde dont la solution la plus simple est une
onde priodique progressive (onde de propagation) caractrise par un vecteur donde li la frquence par la
vitesse de la lumire c. Comme lquation donde est une quation linaire, toutes ses solutions peuvent tre
dcomposes en somme de telles ondes priodiques (ou modes lectromagntiques). Les ondes sont dcrites ici
en notation complexe symbolique (il faut ajout le complexe conjugu pour dcrire un signal physique rel).

rot rot E = o o

1D

1 2E
grad div E - E = 2 2
c t

2E
t 2

2E 1 2E
2 2 = 0
2
c t
x

solution : E = A ei ( kx t ) + c.c.
( o k = / c )

Lnergie transporte par londe E est donne par le vecteur de Poynting S = ExH et est donc simplement
proportionnelle au carr de lamplitude du champ. Comme lamplitude A peut avoir nimporte quelle valeur,
lnergie de londe lectromagntique (E-M) de frquence donne , est une quantit qui peut varier de manire
continue.

Energie transporte :

E A

(A : variable continue)

Comme nous le verrons dans la suite, une variation continue de lnergie dune onde E-M est incompatible avec
la ralit exprimentale. Lexprience a en effet montr que la lumire doit tre dcrite en terme de quanta
dnergie appels photons. Ce sont les expriences de Planck sur le rayonnement des corps noirs (ou
rayonnement thermique) ainsi que la description par Einstein de leffet photo-lectrique qui ont men cette
conclusion. Ces deux types dexpriences ont men la conclusion que lnergie de la lumire une frquence
donne ne peut varier que par quanta h o h est la constante de Planck.

B. Lumire = photons

Planck : E = h = "

Cette observation a men la notion de seconde quantification qui dsigne la quantification du champ
lectromagntique. Cette notion dpasse de loin le cadre de ce cours, mais nous pouvons en faire une
description simplifie qui en donnera une vue intuitive. Lide est de rsoudre lquation donde par la
mthode de sparation des variables, soit E(x,t) = f(x) q(t). Puisque lquation donde est linaire, on peut
choisir pour f(x) un mode priodique unique damplitude unitaire soit f(x) = exp(ikx). Lamplitude du
champ E-M sera donne par la fonction q(t). Avec cette forme de f(x) lquation en q prend la forme de
lquation de loscillateur harmonique avec 2 = k2c2 comme constante de rappel. Lide est alors
dtablir pour cette quation une analogie formelle avec la mcanique et en particulier avec la mcanique
quantique. On associe q(t) la coordonne dun point massique (de masse unitaire) soumis une force
proportionnelle la coordonne elle-mme. En dautres termes, on a affaire un point massique plong
dans un potentiel harmonique (parabolique) V= 2 q2/2. La trajectoire classique du point dans ce
potentiel est une simple sinusode dont lamplitude peut prendre toute les valeurs (variable continue).
Cette sinusoide reprsente les variations priodiques temporelles de londe E-M telle quon la visualise
en lectromagntisme classique.

Quantification du champ E-M


ikx

E(x,t) = e . q(t)
d 2q
2

q
=

2
dt
( = kc )

Analogie la mcanique :
loscillateur harmonique
F = m.a =

V
q

V =

1 2 2
q
2

L nergie totale de loscillateur est donne par lHamiltonien du systme donn ci-dessous. Tout comme en
mcanique quantique, on applique loscillateur le principe de transposition en associant la quantit de
mouvement p = dq(t)/dt loprateur de drive premire par rapport la position q. Tout comme en mcanique
lapplication du principe de transposition lHamiltonien conduit lquation de Schrdinger stationnaire.
Comme les fonctions dondes et les niveaux dnergie de loscillateur harmonique sont bien connus ont peut
directement en tirer des conclusions : lnergie de loscillateur est quantifie et est donne par En = h(n+1/2).
Chacun de ces niveaux dnergie correspond une fonction donde (q) dont le module carr donne la
probabilit de prsence du point massique en q. Comme q reprsente ici lamplitude du champ E-M, on
constate que dans le cadre de la quantification du champ lamplitude dune onde E-M nest plus dtermine de
manire univoque (la sinusode voque ci-dessus) et que lon ne peut quen dfinir la valeur de manire
probabiliste. La quantification du champ consiste adopter ce point de vue comme une ralit physique. On
associe lnergie En = h(n+1/2) lnergie relle du champ E-M et lon associe chaque quanta h un photon.
Le nombre quantique n donne donc le nombre de photon du champ E-M. On voit que, en labsence de photon
soit n = 0, lnergie du champ E-M est non-nulle (en mcanique quantique loscillateur nest jamais au repos).
Cette nergie rsiduelle reprsente ce que lon appelle les fluctuations du vide. Comme on le verra par la suite,
cest une quantit qui pose problme dans certaines situations et il faut parfois la supprimer de manire
artificielle (ceci est li ce que lon appelle les problmes de renormalisation en lectrodynamique quantique).

Quantification :
H=

1 2 1 2 2
q# + q
2
2

q# = p i" q

1 2 2
"2 2
E =
qq + q
2
2
1
E n = " ( n + )
2
n = nombre de photons la frquence
Fonction donde de loscillateur donnant la
probabilit de trouver lamplitude une
valeur donne q (note ici x)

1
" : fluctuations du vide
2

Bien quil y ait maintenant une incertitude sur la valeur de lamplitude de champ E-M un instant donn, on
peut dfinir lamplitude du champ E-M comme on le fait dhabitude en mcanique quantique, cest dire, en
prenant la valeur moyenne de la position pour un tat donn (soit, un nombre n de photons donns). La
moyenne est donne par lintgrale sur q de la probabilit de prsence multiplie par q. Le calcul appliqu
avec les fonctions donde de loscillateur harmonique montre que lamplitude moyenne An est proportionnelle
la racine carre de lnergie En. On retrouve ainsi la relation classique entre lamplitude du champ E-M et
son nergie (c--d, nergie proportionnelle au carr de lamplitude, cf. vecteur de Poynting)

Incertitude sur
lamplitude du champ :

< n q n* > = An

et

En An2

Ces notions lmentaires dlectrodynamique quantique nous permettent dtudier les mcanisme de
rayonnement lumineux (c--d, dmission de lumire par la matire). Le rayonnement thermique est la
forme de rayonnement E-M qui fait intervenir le mcanisme dinteraction lumire-matire le plus simple
que lon puisse trouver. Il sagit simplement du rayonnement mis par un corps matriel lorsque celui-ci est
chauff (cest dire, une temprature suprieure au zro absolu). Nous commencerons donc par l tude
de ce rayonnement en guise dintroduction ltude de lmission de lumire par les S-C.

Le rayonnement thermique
Ltude du rayonnement thermique est base sur une loi universelle de la thermodynamique des systmes
grand nombre particules. Il sagit de la loi de Boltzmann. Cette loi donne la probabilit de trouver une particule
(molcule dun gaz, par exemple) une nergie donne. Il sagit ici de lappliquer aux photons. Pour cela on
considre (avec un grand effort dabstraction) que lespace vide est rempli doscillateurs harmoniques
reprsentant les oscillations du champ E-M et que ces oscillateurs rpondent la loi de Boltzmann. Considrons
tout dabord le champ E-M lumineux une frquence donne . Nous gnraliserons par la suite les rsultats
un continuum de frquence. Nous appliquons la loi de Boltzmann aux oscillateurs quantifis dont lnergie est
donne par En comme dcrit ci-dessus. La loi de Bolzmann dit que si les oscillateurs E-M sont en quilibre
thermique la probabilit de les trouver lnergie En est donne par lexpression suivante.

Loi de Boltzmann : probabilit p(E) davoir un oscillateur lnergie E


pn =

e En / k B T

e En / k BT

1
En = " ( n + )
2

T est la temprature du systme lquilibre thermique et kB


est la constante de Boltzmann (notons que lquilibre
thermique du champ E-M dans le vide ne peut tre considr
rigoureusement que dans un enceinte matrielle vide dont les
parois sont chauffes la temprature T).

n =0

O la somme au dnominateur est prise sur tous les tats dnergies possibles (infinit dnombrable).
Lnergie moyenne du champ E-M la frquence sera donc donne par lexpression suivante:

E = En pn

Energie moyenne contenue dans le mode :

E =

1
"

n
)
(
+

2
n

1
" ( n + ) / k B T
2
e

= "

1
" ( n + ) / k BT
2
e

n e"n / k T
n

e"n / k T
B

1
"
2

Pour simplifier les notations nous introduisons ci-dessous la quantit x (qui nest rien dautre que le facteur
de Boltzmann).

x e " / k B T

E = "

n xn
n

xn
n

Le dnominateur est une somme infinie qui


converge si x est plus petit que 1 ce qui est
bien entendu toujours le cas. Remarquons
galement que la somme au numrateur est
la drive de la somme au dnominateur,
soit 1/(1-x)2.

xn =

n =0

1
" = " x
2

n x n 1
n

xn
n

1
1 x

si

x <1

1
"
2

Nous obtenons donc lexpression suivante pour lnergie moyenne du champ E-M la temprature T et
la frquence .

1
"
1
1
1
1
(1 x )2
+ " = "
+ " = " / k T
+ "
E = " x
B
1
2
1/ x 1
2
2
1
e
(1 x )
On peut alors dfinir le nombre moyen de
photons correspondant cette nergie en y
substituant la forme de lnergie de
loscillateur harmonique :

On trouve donc pour le nombre de


photons moyens :

Nombre de photons moyen la frquence :


n =

E " ( n +

1
e " / k B T 1

1
)
2

Etudions maintenant le nombre moyen de photons en fonction de leur frquence. Nous voyons sur le graphe
ci-dessous que n diverge en = 0 et suit une diminution exponentielle dtermine par la temprature (dans
la limite abstraite du zro absolu, seul les photons de frquence nulle existent). Cest la distribution de BoseEinstein dcrivant la statistique des photons (et autres bosons). Contrairement aux lectrons (fermions) les
photons peuvent saccumuler indfiniment basse nergie. Lnergie du champ E-M lquilibre
thermique, quant elle, suit une exponentielle ngative partir de la valeur kBT jusqu la valeur
asymptotique de h/2. Cette asymptote horizontale pose problme car elle rend infinie lintgrale de
lnergie par rapport la frquence, ce qui indiquerait que le champ E-M lquilibre thermique contient
une nergie infinie. Pour viter cette absurdit physique, il faut supprimer artificiellement le terme h/2
dans lexpression de lnergie moyenne du champ E-M (nous reverrons ce problme plus loin).

k BT
1
" 0
2

k BT/"
distribution de Bose-Einstein

k BT/"
E = " n

E d <

Il est intressant de comparer ce rsultat celui fourni par lapproche classique suivie par Rayleigh et Jeans
la fin du 19me sicle pour dcrire la thermodynamique du champ E-M. Sur base des quations de Maxwell
dcrivant les ondes E-M, Rayleigh et Jeans considraient que lespace tait rempli doscillateurs classiques
(oscillations priodiques du champ E-M solutions des quations de Maxwell). A ces oscillateurs classiques
ils appliquaient les lois de la thermodynamique et en particulier la loi de Boltzmann afin de trouver la manire
dont les photons se distribuent en nergie (frquence) lquilibre thermique et de comparer le rsultat
thorique aux mesures spectrales du champ E-M mis par un corps noir (enceinte matrielle vide dont les
parois sont chauffes la temprature T). Comme les oscillateurs sont classiques, leur nergie nest pas
quantifie et le calcul de la valeur moyenne de lnergie du champ E-M seffectue par une intgrale de
lnergie avec le facteur de Boltzmann comme pondration (probabilit de trouver loscillateur la frquence
E). Lintgrale est facile calculer et donne pour rsultat que lnergie moyenne du champ E-M une
frquence donne (nergie donne) est une constante indpendante de cette frquence. On est donc confront
dans ce cas une nergie intgre infinie.

Calcul classique

(Rayleigh-Jeans)

Ensemble doscillateurs dnergie E lquilibre thermique


E
E / k BT

E =

dE
Ee
E / k T
e
dE

= k BT

k BT

k B T /"

E d =

Voyons maintenant ce problme plus en dtail en considrant le concept de mesure spectrale (ou plus
simplement le concept de spectre E-M). Lorque lon fait la mesure dun spectre lumineux, on fait passer la
lumire dans un lment dispersif qui spare spatialement les diffrentes composantes frquentielles du
champ E-M qui la constitue. Plus le nombre de photons sera grand une frquence donne, plus lintensit
mesure sera importante cette frquence. Mais ce nest pas seulement le nombre de photons qui dtermine
lintensit mesure une frquence donne. En effet, la mesure ne peut pas se faire une frquence unique
mais dans une fentre spectrale de dimension finie. Ceci signifie que la mesure seffectue doffice sur
plusieurs modes du champ E-M (mode = oscillation de frquence donne). Or, les modes du champ E-M
sont organiss dune manire analogue aux tats lectronique dans un cristal ce qui signifie que leur densit
ne sera pas ncessairement constante mais dpendra de la frquence mme des modes (cf. densit dnergie
e(E) pour les tats lectroniques). Ceci a pour effet que, selon la frquence, un plus ou moins grand nombre
de modes sera pris dans la fentre spectrale de lappareil de mesure (spectromtre). Si ce nombre de modes
est grand (grande densit), il y aura une plus grande intensit mesure nombres de photons gaux dans
chacun des modes . Pour dcrire le spectre E-M (ou toute mesure spectrale) il faut donc considrer le
produit du nombre de photons dans chaque mode par la densit spectrale de modes cette frquence. Ce
produit nous fournira la distribution spectrale du rayonnement thermique. Cette notion de distribution
spectrale sera rencontre plus loin pour la description des proprits optiques des semi-conducteurs.
Voyons donc tout dabord la manire dont les modes du champ E-M sorganisent dans lespace vide. A cette
fin considrons, comme nous lavons fait pour ltude des tats lectroniques, que les photons sont a
lquilibre thermique dans une enceinte cubique de ct L la temprature T et dont les parois sont
absorbantes (corps noir). Les parois tant absorbantes, le champ E-M y est nul. La rsolution des quation de
Maxwell nous indique que le champ E-M peut tre dcompos en ondes planes de frquence donne (soit,
en les modes du champ E-M). Dans lenceinte les ondes planes font des aller-retour et forment des ondes
stationnaires (sin(kx) une dimension) dont lamplitude doit tre nulle aux parois en raison de lhypothse
dabsorption. Les vecteurs donde k possibles ne peuvent donc que prendre les valeurs kn = n /L et puisque
les frquences sont lies aux vecteurs donde par la vitesse de la lumire nous aurons un ensemble discret de
modes du champ E-M : n = kn c.

Distribution spectrale du rayonnement thermique


Densit spectrale du champ E-M

z
Parois absorbantes (quilibre thermique)

L
y

E = 0 en x, y, z = 0, L
L

n = kn c

E = sin knx , kn = n /L

De manire analogue aux tats lectroniques dans les cristaux, les photons sorganisent donc dans lespace
des k en formant un empilement cubique de maille /L. Il est donc ais den faire le compte afin de trouver
la densit spectrale de modes du champ E-M, cest dire la densit de modes par unit de frquence (ou
dnergie h ) des photons. A cette fin nous comptons le nombre de modes compris dans une pellicule
sphrique de rayon k et dpaisseur dk. A partir de la relation linaire entre k et on peut alors facilement
calculer la densit spectrale de modes. En faisant ce calcul pour un volume unitaire nous obtenons la
densit spectrale par unit de volume et de frquence () = dn/d.

kz

ky

dN

k
kx
dk

4 k 2 dk
4k 2
4 2
=
= 2 dk = 2 3 d
3

c
( )
L
L = 1 dN = dn
Densit spectrale de modes
dn
4
( ) = = 2 3 2
d c

La densit spectrale dnergie mise dans lenceinte est donc alors donne par le produit de lnergie
moyenne contenue dans chaque mode (proportionnelle au nombre de photons du mode) multiplie par la
densit spectrale de mode.

Densit spectrale dnergie mise :

U ( ) = E

Cest la grandeur mesurable ( laide dun spectromtre) permettant de


caractriser une source dmission lumineuse quant sa distribution de
frquence (ou dnergie)

( )

En remplaant les valeurs de lnergie moyenne et de la densit de modes calcules plus haut nous
obtenons la loi de la radiation de Planck qui caractrise le contenu spectral des source de
rayonnement thermique (rigoureusement, ce calcul nest applicable quaux corps noirs, mais on peut
en gnraliser les rsultats toute forme de source thermique de lumire, cest dire, des sources
formes par des matriaux soumis un chauffage et non ncessairement lquilibre thermique, cf.
lampes filament). On constate que le spectre des sources thermiques a la forme dune courbe en
cloche dont la largeur vaut peu prs lnergie thermique kBT et dont le maximum se trouve peu
prs 3 kBT. Comme lindique le calcul ci-dessous, pour atteindre des longueurs donde visibles
(infrieure a 1 micron), il faut chauffer lenceinte jusqu des tempratures de lordre de plusieurs
milliers de degrs Kelvin. Ceci implique donc naturellement que toute source thermique mettant
dans le visible aura une trs grande largeur spectrale et ne sera ds lors pas applicable la
transmission des donnes dans les fibres optiques (pour limiter la dispersion chromatique il faut un
spectre le plus troit possible).

"3 3
4
U() = 2 3 2 " / k T
B
c" e
1

Loi de la radiation de Planck

Rayleigh-Jeans
(catastrophe U.V.)

= 2c/ = 6 1014 s-1

3kBT

Soit = 1m

" = 6 1020 = 3k BT

T 4000 K

Grande largeur spectrale Isotropie (10-8 photons/mode)


De plus, une source thermique est par essence mme isotrope, ce qui signifie que son injection dans un
guide donde (fibre optique) nest pas efficace. A ce propos il est intressant de rappeler que pour
utiliser une fibre optique de manire optimale, il faut idalement que la lumire soit mise non
seulement selon une seule frquence (mode temporel) mais galement selon un seul mode spatial (car
la fibre optique utilise en pratique est mono-mode) cest dire un seul vecteur donde (une seule
direction de propagation mettre dans laxe de la fibre). Avec une source thermique, en raison de la
grande largeur spectrale et lisotropie, on peut estimer que le nombre de photons moyen par mode
spatio-temporel (une frquence et une direction) est infrieur lunit et vaut 10-8 (ce qui ne convient
donc pas la transmission des donnes par fibre optique).

Transitions lectroniques radiatives


La premire chose qui vient lesprit pour palier aux dsavantages des source de lumire thermiques est
dutiliser les transitions lectroniques des atomes constituant la matire. Comme de telles transitions
correspondent une valeur prcise de lnergie (ou frquence) des photons mis, on peut facilement imaginer
que leur utilisation permet de rduire la largeur des spectres lumineux par rapport aux spectres thermiques. De
plus, un grand nombre datome dans la nature prsentent des transitions dont les nergies correspondent des
longueurs donde visible ce qui permet denvisager leur utilisation pour les transmissions optiques.

Introduction : transitions atomiques


Il est intressant de dvelopper une vue intuitive du phnomne dmission lumineuse par transition atomique.
Considrons les deux premiers niveaux lectronique dun atome. A lquilibre, latome se trouve dans son tat
fondamental (tat dnergie le plus bas que peut avoir llectron) dont la fonction donde a une frquence 1
fixe par lnergie E1 = h1. En vertu des lois de la mcanique quantique, cet tat reprsente un nuage
lectronique diffus stationnaire donn par le module carr de la fonction donde complexe. Cet tat quantique
correspond donc une absence de mouvement des lectrons (sil y avait mouvement de charge, il y aurait
rayonnement synchrotron et latome seffondrerait). Il en est de mme pour ltat excit dnergie E2. Par
contre, ltat excit est instable car son nergie nest pas minimale. Si latome est dans cet tat il aura donc
tendance redescendre dans ltat fondamental.

2
1

vue intuitive du problme

1 = 1 e i1t
1 =

i t
, 2 = 2 e 2

E1
!

2 =
2

- tat fondamental : 1 = 1

E2
!

(stable)

pas de variations
Lors de la transition le systme passe par une superposition des deux fonctions donde. Nous supposons cidessous le dbut de la transition pour lequel lamplitude de ltat fondamental est petite () et celle de ltat
excit est encore proche de lunit. Le module carr de la fonction donde totale prsente un battement la
frquence 1 - 2. Ce battement correspond un mouvement du nuage lectronique, ou plus prcisment un
diple oscillant et est donc accompagn dmission dune onde E-M de frquence 1 - 2.

- tat excit instable :

= f1 1 e i1t + f 2 2 e i 2 t + ...
f2 = 1 et

f1 =

Le rayonnement mis prend son nergie au systme lectronique qui se rapproche donc de plus en plus de ltat
fondamental. Une fois ltat fondamental le diple noscille plus et lnergie transmise au champ E-M
correspond exactement la diffrence dnergie des deux niveaux lectroniques. Le paquet donde ainsi
transmis par latome peut tre vu comme un photon. Dans cette reprsentation du problme de transition
lectronique radiative, latome apparat comme une antenne mettrice de photons au mme titre quune antenne
donde Hertzienne. Cette vue semi-classique non-rigoureuse du processus de transition radiative montre
pourquoi lnergie du photon est directement lie sa frquence par la constante de Planck.

= 2 1 2 + 2 2 + 2 Re(12* ) e i (1 2 )t + ...
Diple oscillant

2
mission dondes E-M monochromatiques

Exemples : lampes Na, Hg, Ne,

E2 E1
!
(10-2 photons/mode)

De telles transitions atomiques dans le visible sont exploites pour les sources lumineuses telles que les
lampes au Sodium qui ont remplac les lampes filament pour les applications lclairage grande chelle
(cf. clairage routier). Ces sources ont le dsavantage dtre isotropes comme les sources thermiques mais
leur largeur spectrale est tellement plus petite que lon gagne peu prs six ordres de grandeur pour le
nombre de photons moyen par mode spatio-temporel qui est de lordre de 10-2. Comme nous le verrons, ce
sont les transitions lectroniques qui sont exploites dans les semi-conducteurs pour lmission et la dtection
de lumire. Lavantage des semi-conducteurs est quils prsentent une grande concentration dlectrons (et
trous) libres qui ltat excit forment autant de diples metteurs de lumire. Pour bien se rendre compte de
cet avantage il faut comparer les densits de porteurs dans les S-C avec les densits datomes (isols) des gaz
utilis en pratique pour gnrer la lumire par transition atomique. De plus lingnierie des matriaux semiconducteurs permet la ralisation de dispositifs bien adapts chaque type dapplication (des sources de
rayonnement anisotrope peuvent, par exemple, tre facilement ralise avec des dispositifs S-C de gomtrie
particulire afin dobtenir un grand nombre de photons par mode spatio-temporel).

Absorption dans les semi-conducteurs


Nous abordons maintenant les proprits optiques de S-C. La premire question que lon peut se poser est de
savoir ce qui se produit lorsque lon claire un matriau S-C. Comme nous le montrent beaucoup dexemples
dans la nature, les cristaux non conducteurs (non mtalliques) sont souvent transparents ou colors. La
coloration indique quune partie du spectre visible y est absorbe en raison de mcanismes dinteraction
lumire-matire spcifiques. Ltude des spectres dabsorption donne des informations sur ces mcanismes.
Nous allons ici tudier les mcanismes de base de labsorption dans les S-C. Pour cela nous commenons par un
bref rappel de la notion dabsorption de lumire par les atomes.

Introduction : absorption dun photon par un atome


Labsorption dun photon par un atome est le processus inverse de la transition radiative. Soit un groupe de
photons de frquence correspondant la diffrence dnergie de deux niveaux lectroniques dun systme
datomes avec lesquels ils interagissent. La thorie de la mcanique quantique caractrise labsorption en terme
de probabilit dabsorption Pa dun photon par un des atomes par unit de temps. Celle-ci est proportionnelle au
coefficient dEinstein B reprsentant en quelque sorte la force de linteraction entre le photon et latome (pour
les initis: B est llment de matrice du diple lectrique form par les tats concerns par la transition). La
probabilit dabsorption est bien entendu galement proportionnelle au nombre de photons la frquence
ainsi qu la probabilit doccupation de ltat fondamental de latome. Cette probabilit est fournie par la
distribution de Fermi lquilibre thermique. De mme la probabilit dabsorption sera proportionnelle la
probabilit que ltat dnergie suprieure soit libre (soit 1 - fe o fe est la valeur de la distribution de Fermi
lnergie de ltat suprieur ; cf. ltat dnergie suprieur peut tre excit avec une certaine probabilit en
raison de lagitation thermique (ceci sera dautant plus marqu que lnergie thermique kBT se rapproche de
lnergie de la transition).

Systme deux niveaux

Ee

Probabilit dabsorption Pa
Pa = B . n() . ff . (1 - fe)

Ef
B <fWDEe >2

- B : coefficient dEinstein
- n() : nbre de photons
- f : probabilit doccupation

n() E2, [ n() = <n> ]

"
E

"
r e
+

WDE

" "
= e r .E

Absorption dans les S-C : quasi-continuum dtats


Voyons maintenant ce que devient labsorption dans les S-C. Contrairement aux atomes isols, les tats
lectroniques dans les S-C sont en grand nombre et se regroupent en bandes o ils forment un quasi-continuum
dtats. La bande de valence tant presque pleine et la bande de conduction tant presque vide les transitions
lectroniques entre tats dune mme bande seront ngligeables. Ce sont surtout les transitions entre bande de
valence (pleine) et bande de conduction (vide) qui auront une importance pour le phnomne dabsorption.
Comme dans ce cas les transitions ont lieu entre deux continuum dtats il faut caractriser labsorption partir
de la notion de taux dabsorption par unit dnergie (car on ne peut plus dfinir des niveaux nergtiques isols
comme dans le cas de latome). Nous considrons donc le nombre de transitions pouvant se produire avec une
nergie comprise entre E et E+dE et nous dfinissons le taux dabsorption par unit de temps et dnergie ra. Par
unit de temps, le nombre de transitions (ou dabsorptions de photons) ayant une nergie comprise entre E et
E+dE vaut par dfinition ra dE. Celui-ci est donn par la somme des probabilits Pa de transitions ayant lieu
entre tous les niveaux de la bande de valence Ef et les niveaux et de la bande de conduction Ee spars dune
nergie comprise entre E et E+dE. Ici Ef et Ee jouent le rle des tats fondamental et excit dans lexemple de
latome isol considr ci-dessus. Lexpression de Pa est donc identique celle de latome si ce nest que
maintenant on ne considre plus un flux de photons une frquence unique, mais un ensemble de photons
caractris par une densit spectrale () (en raison du continuum dtats, considrer une frquence unique na
plus de sens).

Taux dabsorption par unit


dnergie ra

Ec
E+dE

ra dE =

Pa

E < ( E e E f ) < E + dE

Ev

ra dE =
k

B ( ) f f (1 f e )

E < ( Ee E f )< E + dE

Le nombre de transitions dnergie comprise entre E et E+dE est trs grand vu que ces transitions peuvent partir
de nimporte quel niveau dans la bande de valence pour autant que lnergie E soit suffisante que pour atteindre
la bande de conduction. Pour simplifier le calcul nous devons donc recourir des simplifications. Nous
supposerons que le coefficient dEinstein B est le mme pour toutes les transitions de bande bande. De mme
nous considrerons que les distributions de Fermi dans les deux bandes sont uniformes (ce qui peut-tre justifi
dans un S-C intrinsque pour lequel le niveau de Fermi est au milieu du gap. La somme sur toutes les transitions
se rduit donc au nombre de transitions lui-mme. Soit dNt le nombre de transitions dnergie comprises entre E
et E+dE.

Soit : B = cste et ff = fv , fe = fc

ra dE = B ( ) f v (1 f c )

Nbre de transitions

E < ( Ee E f ) < E + dE

dNt

Calcul du nombre de transitions dNt


Un raisonnement simple nous permet de simplifier fortement le calcul du nombre de transition dNt. Comme une
transition est une interaction entre deux particules, un lectron et un photon, nous savons quelle doit rpondre
la loi de conservation de la quantit de mouvement (la loi de conservation de lnergie tant doffice satisfaite
en considrant implicitement que lnergie des photons est gale lnergie de la transition h = E). La quantit
de mouvement des photons et des lectrons est donne par hk, cest dire, proportionnelle au vecteur donde de
leur fonction d onde associe. Pour tre significatif, le changement de quantit de mouvement dun lectron
doit tre non-ngligeable devant la demi largeur de la zone de Brillouin soit /a 1010 m-1. Or, la quantit de
mouvement dun photon dans le visible est donn par 2/ 106 m-1 ce qui est de 4 ordres de grandeur infrieur
la largeur de la zone de Brillouin. On peut donc considrer dans une premire approximation que les
transitions lectronique induites par les photons ont lieu sans changement de la quantit de mouvement. On dit
que les transitions sont dans ce cas verticales . Dans le langage de la mcanique quantique on appelle cette
restriction une rgle de slection (slection parmi toutes les transitions possibles). Cette rgle de slection limite
bien entendu considrablement le nombre de transitions prendre en compte, comme le suggre le diagramme
ci-dessous ou seule une des trois transitions dnergie E reprsentes par des flches sera prendre en compte.

Quantit de mouvement

E
Ec

1010 m -1
a
2

106 m -1

ke

E , E+dE
Ev

kp

Rgle de slection

ke

ke'

/a

ke' = ke + k p k

Le calcul du nombre de transitions peut alors se faire (comme on la fait plus haut pour dautres grandeurs) en
se basant sur le fait que lorganisation des lectrons dans lespace rciproque est un simple empilement cubique.
Puisque les transitions sont verticales, lintervalle dnergie de transition [E, E+dE] correspond un intervalle
de vecteur donde dk dtermin par la courbure des bandes de valence et de conduction (voir schma ci-dessus
o lon voit que une nergie de transition E correspond une valeur unique de k). Calculons donc tout dabord
le nombre de transitions qui peuvent avoir lieu dans lintervalle [k, k+dk]. Celui-ci est simplement donn par le
rapport du volume de la pellicule sphrique dpaisseur dk et le volume de la cellule lmentaire, soit 83 pour
un volume unitaire de S-C.

! 2k 2
Ee = Ec +
2mc

Ec
E+dE

E
Ev

Ef

! 2k 2
= Ev
2mv

2/L

dk

k2
4 k 2 dk
Nombre de transitions : dN t = 2.
= 2 dk
3
8

Comme dit plus haut, la valeur de k donne correspond une nergie de transition E unique fixe par la courbure
des bandes. On a vu dans le rappel de physique des S-C que les bandes pouvaient tre dcrite par des paraboles
en introduisant la notion de masse effective comme indiqu par les expressions de Ee et Ef ci-dessus. Le lien
entre lnergie de la transition E et la valeur de k est donc immdiat. Il est donn dans le calcul ci-dessous o
lon a introduit une nouvelle masse effective m*.

Energie de la transition valeur de k donne :


E = Ee E f

!2k 2 1
1
= Ec E v +
+
(
)
mc mv
2

E = Eg +

! 2k 2
2 m*

1
1
1
=
+
(
)
*
mc mv
m

La diffrentiation de cette expression fourni le lien entre dE et dk, ce qui nous permet de calculer
aisment le nombre de transitions possibles dans dE et donc galement le taux dabsorption par unit
dnergie et de temps dont lexpression est rappele ci-dessous.

1
dk =
2

2 m*
dE
2
! ( E Eg )

k2
et dN t = 2 dk

dNt

Taux dabsorption

ra dE = B ( ) f v (1 f c )

E <( Ee E g ) < E + dE

En introduisant la notion de densit de transition par unit dnergie comme indiqu ci-dessous, nous pouvons
crire le taux dabsorption par unit dnergie et de temps. Sa forme montre le rle de la force de transition
(coefficient dEinstein reprsentant lefficacit de linteraction photon-lectron), la densit de photons, les
probabilit de prsence des lectrons dans la bande de valence (tats bas de la transition) la probabilit davoir
des tats libres dans la bande de conduction (tats excits de la transition) et finalement le rle de la forme des
bandes au travers de la densit de transition. Notons pour ce dernier point que la densit de transition est nulle
des nergies infrieures celle du gap et quelle a une dpendance parabolique en lnergie au del du gap en
raison de la forme parabolique des bandes dans lespace rciproque.

Densit de transitions

1 ( 2 m* ) 3 / 2
t ( E ) =
!3
2 2

dN t
t ( E )
dE

E Eg

Taux dabsorption

ra = B ( ) f v (1 f c ) t ( )
Par dfinition, lintgrale sur la frquence (o lnergie) du taux dabsorption est le taux de dcroissance du
nombre de photons se propageant dans le S-C. Cette interprtation physique sera mieux comprise si lon
considre un faisceau monochromatique de n photons. Pour un tel faisceau, la densit de photons par unit
dnergie (ou densit spectrale de photons) devient une distribution de Dirac. On peut alors dfinir le taux
dabsorption par unit de temps Ra comme indiqu ci-dessous. Le graphique de Ra montre que les photons ne
sont pas absorbs si leur nergie est infrieure au gap et que leur absorption augmente de manire parabolique
au del du gap. Cette forme du profil spectrale de labsorption est caractristique des semi-conducteurs.

Interprtation physique
dn ph
dt

= r a (! ) d!
'

dn ph
dt
o

= Ra ( )

faisceau monochromatique

( ' ) = n (! ' ! )

'

-1

[s ]

Ra = Bn f v (1 f c ) t ( )

Ra

Eg

Coefficient dabsorption
Voyons comment on procde en pratique pour mesurer le spectre dabsorption dun S-C. La mesure peut se faire
laide dun faisceau monochromatique unidirectionnel dont on fait varier la frquence. Considrons un paquet
de photons un endroit donn dans le faiseau. Ce paquet se propage la vitesse de la lumire dans le S-C qui
vaut v = c/n o n est lindice de rfraction du S-C. De ce fait le taux de disparition temporel des photons se
traduit par une dcroissance du nombre de photons le long de laxe de propagation, soit laxe z. Le taux de
dcroissance spatial sera li au taux de dcroissance temporel par la vitesse de la lumire v = c/n comme indiqu
ci-dessous. On appelle la quantit Ra/(vn) le coefficient dabsorption du S-C.

n ph = n

Rayonnement monochromatique unidirectionnel


S-C

z
z
dn
= Ra ( )
dt

z+dz
dn
= ?
dz

, dz = v dt o v =

dn
R
1 dn
1
=
= a = B n f v (1 f c ) t ( )
dz
v dt
v
v
dn
n
dz

Coefficient dabsorption
1
= B f v (1 f c ) t ( )
v

c
n

En pratique, la mesure du coefficient dabsorption se fait en mesurant le rapport des intensits incidente et
transmise dun faisceau laser monochromatique traversant un chantillon de S-C de longueur L (lintensit tant
proportionnelle au flux de photons). En faisant varier la longueur donde de la lumire, on peut obtenir le
spectre dabsorption ( en fonction de la frquence ). Daprs ce que nous avons vu ci-dessus, pour un S-C
idal intrinsque ce spectre aura un seuil lnergie du gap et sera de forme parabolique.

n ( z )

n ( z ) = n (0)e z

n (0)

S-C

I(0)

I(L)

n ( z ) I ( z )
0
z

1 I (0)
ln

L I ( L)

Spectre dabsorption parabolique

Eg

t ( E )

E Eg

Comparaison thorie-exprience :
Les figures ci-dessous reprsentent les spectres dabsorption thoriques et exprimentaux. Sur la figure de
gauche on voit la comparaison thorie-exprience pour lInSb (Antimoniure dindium). La courbe continue
correspond la thorie expose ci-dessus, tandis que la courbe pointille est bas sur un calcul prenant en
compte la dpendance frquencielle du coefficient dEinstein B (ou lment de matrice de la transition).
La figure de droite montre lapparition basse temprature de
pics dabsorption au niveau de lnergie du gap. Ces pics sont
dus lexistence dexcitons dans les S-C.

Pics excitoniques

Exciton: tat li hydrognode


Lexciton est un tat li entre un lectrons libre de la bande de conduction et un trou (de charge positive). Cet
tat li est identique un atome dhydrogne car il est cr par le mme potentiel lectrostatique. On pourrait
donc sattendre ce que, comme pour lhydrogne, lnergie de liaison soit de lordre de 13.6 eV (pour ltat
fondamental) . En raison de leffet dcran (la prsence dun grand nombre de porteurs de charges proximit
de la paire lectron-trou fait que la permitivit du vide doit tre remplace par un permitivit beaucoup plus
leve) et de la masse rduite des porteurs dans les S-C, les nergie de liaisons sont beaucoup plus faibles et sont
de lordre de lnergie thermique ( temprature ambiante 300K) soit plus ou moins 10-2 eV. Les lectrons de la
bande de conduction ont une nergie minimum Ec (bas de la bande de conduction) mais lorsquils forment des
excitons leur nergie sera diminue de lnergie de liaison. Ceci signifie que lon trouvera dans le gap des
niveaux dnergie lgrement infrieurs Ec. A la bande de conduction de densit dtat parabolique il faut donc
ajouter les niveaux dnergie discrets des excitons (chaque niveau correspondant un tat quantique de lexciton
: ltat fondamental, et les tats excits dnergie de liaison plus faible (comme pour latome dhydrogne, il y
en a thoriquement une srie infinie)). La thorie prsente ci-dessus devrait tre modifie pour prendre en
compte les niveaux excitoniques dans la densit de transition t(h) qui ne serait alors plus parabolique mais
prsenterait des pic aux basses nergies. Le spectre dabsorption ne sera donc plus simplement parabolique mais
prsentera des pics correspondant aux excitons. Dun point de vue physique il est facile de comprendre
lexistence de ces pics dans le spectre dabsorption en se disant quun photon peut crer une paire lectron-trou
qui soit directement lie sous forme dun exciton (la thorie ci-dessus ne prvoit que la possibilit de crer des
paires de porteurs libres). Les photons responsables de ce mcanisme auront obligatoirement une nergie
lgrement infrieur lnergie du gap. Ce qui explique la prsence de pics dans les spectres dabsorption
basse temprature. A temprature ambiante ce mcanisme nest en effet pas possible puisque les excitons sont
automatiquement dtruits par lagitation thermique.

Si

Si

Effet cran et masse rduite


-13.6 eV

Si

Si

Eexc ~ 10-2 eV
(cf. nergie thermique)

Eexc
! = E g Eexc

k
La figure de droite ci dessus, montre lexistence des tats excits (srie de Rydberg) des excitons partir du
spectre dabsorption de loxyde de cuivre trs basse temprature (hydrogne liquide).

Absorption dans les S-C gap indirect


La maille lmentaire du cristal de Silicium reprsente ci-dessous illustre la complexit de la structure des S-C
par rapport au modle une dimension (ou son extension 3 dimensions conduisant un empilement cubique
dans lespace rciproque) considr dans le rappel du dbut du cours. Comme on le voit ci dessous, la maille
lmentaire du Silicium est compose de structures ttradrales. La structure la plus lmentaire rpte de
manire priodique est constitue de deux atomes (elle est reprsente par les btonnets joignant les sommets au
centre du ttradre). Il y a donc deux atomes par cellule lmentaire et donc 8 lectrons de valence. Ces
lectrons de valence remplissent donc les 4 premires bandes permises (et non 2 comme le suggrait lapproche
intuitive expose au dbut du cours qui est base sur la prsence dun atome unique par cellule lmentaire). Les
cellules lmentaires (les btonnets) sont rpts selon une structure cubique face centre possdant des
priodicits diffrentes selon les diffrentes directions principales du cristal. Il en rsulte une structure complexe
de lempilement dans lespace rciproque dont la premire zone de Brillouin est reprsente ci-dessous
galement. De cette complexit de structure dcoule une complexit de la structure de bande dnergie des S-C.
Comme illustr ci-dessous, les bandes peuvent avoir plusieurs extrema et peuvent tre dgnres certains
endroits de la zone de Brillouin. Lexplication de ces structures de bande sort du cadre de ce cours. La seule
chose qui nous intresse ici est la possibilit davoir un minimum absolu de la bande de conduction au bord de la
zone de Brillouin et non pas en son centre comme nous le suggrait lapproche intuitive du dbut du cours. Cest
le cas pour le Silicium comme illustr dans le diagramme de bande de gauche ci-dessous (lnergie zro indique
le sommet de la 4me bande de valence). On dit dans ce cas que le S-C prsente un gap indirect. Le diagramme
de droite montre le cas de lArseniure de Gallium qui lui prsente un gap direct tel que prvu par la thorie
lmentaire. .

Si

Gomtrie 3D
Ev
kz
kx
ky
(Zone de Brillouin 3D)

Gap indirect

Gap direct

Lappellation gap indirect est justifie par le raisonnement suivant : les lectrons libres de la bande de
conduction ont toujours tendance se placer au minimum de la bande de conduction pour minimiser leur
nergie. En labsence dexcitation extrieure (pas de photons incidents) ces lectrons descendront dans la bande
de valence la o ils trouveront de la place cest dire en son sommet qui lui est toujours au centre de la zone de
Brillouin. Pour descendre dans la bande de valence les lectrons dun S-C gap indirect doivent donc changer
fortement leur quantit de mouvement. Comme nous lavons vu plus haut, ceci ne peut pas tre fait partir de
lchange de quantit de mouvement avec les photons (les photons ont une quantit de mouvement de 4 ordres
de grandeur infrieur la largeur de la zone de Brillouin). La seule manire pour les lectrons de modifier leur
quantit de mouvement est de lchanger avec les phonons. Ils descendront donc par lintermdiaire dun
mcanisme additionnel. En ce sens la transition nest pas directe ce qui justifie la terminologie. Pour les S-C
gap direct, les lectrons peuvent redescendre directement dans la bande de valence en mettant un photon (pour
la conservation de lnergie).

Un S-C gap indirect a bien entendu aussi un gap direct dnergie suprieure (comme indiqu cidessous). Mais, puisque ce sont les transitions obliques (c--d, avec modification de quantit de
mouvement) qui sont favorises nergtiquement (les lectrons se placent au minimum absolu de la bande
de conduction) et qui ont donc lieu en pratique, on apelle le gap indirect le gap fondamental pour le
diffrentier du gap direct de plus grande nergie.

Eg1

Eg2

Transitions obliques favorises


nergtiquement

Eg2 = gap fondamental = Egf


k

La figure ci-dessus illustre labsorption dans un S-C gap indirect. Lorsque les photons ont une nergie
infrieure au gap direct, ils pourront tre absorbs par transition lectronique vers le minimum absolu de la
bande de conduction pour autant que leur nergie soit suprieure au gap fondamental. Pour que de telles
transitions puissent avoir lieu les lectrons doivent, non seulement changer leur nergie avec les photons, mais
doivent aussi changer leur quantit de mouvement avec un phonon. Comme les phonons sont toujours prsents
en plus ou moins grand nombre (dpendant de lagitation thermique du rseau cristallin), de telles transitions
peuvent toujours avoir lieu. Il ny a donc plus de rgle de slection pour les transitions lectroniques dans un SC gap indirect (contrairement au S-C gap direct o lon a vu que la rgle de slection est la conservation de
la quantit de mouvement).

Conservation de la quantit de mouvement : rle des phonons


ephoton
q

k = k + q
k

on n
e
o
h
p

Plus de rgle de slection

Le calcul du taux dabsorption de photons dans les S-C gap indirect est donc priori plus complexe que dans
le cas des S-C gap direct o le calcul se ramenait au compte du nombre de transitions dans lespace
rciproque. On peut nanmoins facilement donner une ide de lallure du spectre dabsorption dun S-C gap
indirect en se disant que le nombre de transitions possibles est simplement proportionnel au produit du nombre
dtats (occups) de la bande de valence par le nombre dtats (libres) de la bande de conduction.

Calcul du nombre de transitions dans un S-C gap indirect


Pour une nergie de photon donne h le nombre de transitions (ou la probabilit de transition) entre deux
niveaux dnergie donns sera proportionnel au produit des densits dtats en ces deux niveaux (puisquil ny a
pas de rgle de slection seul ce produit peut intervenir dans le taux de transition). Pour lnergie du photon h
donne il y a un ensemble continu de transitions possibles faisant intervenir des tats libres dnergie plus ou
moins leve dans la bande de conduction. Pour dsigner le niveau darrive dans la bande de conduction nous
introduisons sa hauteur dans la bande soit . Le taux total de transitions sera alors proportionnel lintgrale du
produit des densits dtats en pour la bande conduction et en h -Egf- pour la bande de valence. Lintgrale
sur tant prise de 0 h -Egf (puisquau del de cette valeur serait trop grand car il correspondrait un tat
de dpart hors de la bande de valence).

Toutes transitions permises

probabilit de transition :
pt c v

Ec
Ev

Egf

c =
v =

3/ 2

2mc
2
!

3/ 2

2mv
2
!

1
2
1
2

k = q

Densit dtats

t ( ! )

E Ec

! - E gf

c =

1
2

2mc
2
!

3/ 2

! E gf

(! E gf

( ! E gf )2
) d =
8

On arrive donc la conclusion que la densit de transition (nombre de transitions dans un intervalle dnergie
dE divis par dE, voir plus haut) est proportionnelle au carr de lcart entre lnergie du photon et le gap
fondamental. Le spectre donc une allure parabolique inverse par rapport au cas des S-C gap direct qui eux
avaient un spectre proportionnel la racine carre de h -Eg.

Bien entendu, lorsque lnergie du photon atteint lnergie du gap direct du S-C, labsorption sera domine
par les transitions directes qui sont beaucoup plus probables que les transition indirectes (puisque ces
dernires font intervenir un processus trois particules : llectron, le photon et le phonon pour la
conservation de la quantit de mouvement). Lallure gnrale des spectres dabsorption dans les S-C est donc
celle reprsente ci-dessous o lon voit en Egf un premier pic excitonique (si la temprature est basse) suivit
dune croissance quadratique jusqu lapproche du gap direct ou lon voit un deuxime pic (ou une srie de
pics) excitonique (si la temprature est basse) suivit de la croissance parabolique inverse caractristique de la
transition entre bandes avec conservation de la quantit de mouvement.

104 cm-1
102 cm-1
1 cm-1

E gf

Eg 1

Exemples

Absorption porteurs libres et phonons


En de du gap fondamental on a bien entendu une absorption rsiduelle
due aux transitions internes la bande de valence, la diffusion sur les
porteurs libres (diffusion Rayleigh), diffusion avec les phonons etc

Si
Ge

Egf

Eg1

1.13 eV
0.76 eV

3.4 eV
0.88 eV

Notez que le Silicium et le Germanium


sont tout deux des S-C gap indirect
Notez galement les ordres de grandeur de labsorption dans un S-C. Au del du gap direct elle est
typiquement de lordre de 104 cm-1. Ce qui signifie que lintensit de la lumire sannule virtuellement sur
quelques microns dpaisseur de S-C. Une valeur typique pour un pic excitonique est 102 cm-1. Tandis que
labsorption en de du gap fondamental est typiquement infrieure 1 cm-1.

Notons pour terminer ce chapitre sur labsorption dans les S-C que la notion dabsorption vue ici se limite
aux S-C lquilibre, cest dire, les S-C qui ne sont pas soumis une excitation extrieur. Or, pour faire
la mesure du coefficient dabsorption nous avons vu quil faut faire passer un faisceau laser au travers dun
chantillon de S-C. Ce faisceau laser provoque des transitions vers la bande de conduction et le S-C nest
donc plus rigoureusement lquilibre. Les mesures dabsorption doivent donc se faire trs faible
intensit. Si ce ntait pas le cas et que lintensit lumineuse tait forte, un grand nombre dlectrons
pourraient passer dans la bande de valence un point tel que la bande de valence se dpeuplerait et plus
aucune transition ne pourrait avoir lieu faisant croire alors que le S-C nest plus absorbant. Nous verrons ce
problme en dtail plus loin avec la notion dabsorption saturable dans les S-C.

Nous verrons galement plus loin comment labsorption de photon dans les S-C peut tre mise en
application pour la dtection de lumire.

Emission stimule dans les S-C


Lorsquun S-C est excit dune quelconque manire (par passage dun courant dans une jonction p-n ou par
absorption de lumire comme nous lavons vu ci-dessus), cest dire, que des lectrons se trouvent dans la
bande de conduction, ces derniers redescendent dans la bande de valence de manire spontane car le systme
aura toujours tendance retrouver lquilibre (tat dnergie minimale). En redescendant les lectrons librent
une nergie (gale lnergie du gap) qui peut tre mise sous forme dun photon. Cest le processus inverse de
labsorption vue ci-dessus, il sappelle processus dmission spontane.
Lmission spontane peut prendre un certain temps pour seffectuer. La dsexcitation de lectrons se fait avec
un temps caractristique de chaque S-C appel temps de vie radiative (cf. temps de vie de ltat excit en
mcanique quantique). Nanmoins, un lectron peut tre dsexcit de manire active par passage dun photon
dnergie gale lnergie de la transition. Dans ce cas llectron se dsexcite en mettant un photon identique
au photon incident. Il sagit du processus dmission stimule. Vu la similitude qui existe entre les traitements
mathmatiques de lmission stimule et de labsorption nous commenons ici par dcrire lmission stimule
dans les S-C. Nous verrons ensuite lmission spontane.
Tout comme nous lavons fait pour labsorption nous commenons avec un bref rappel de la notion dmission
stimule dans les systme atomique. Latome dans son tat excit est instable et une dure de vie limite qui
peut cependant tre non ngligeable. Si un photon dnergie gale celle de la transition rencontre latome dans
son tat excit celui-ci se dsexcitera en mettant un photon jumeau. En mcanique quantique, ce processus est
caractris par une probabilit par unit de temps Pst. Cette probabilit est proportionnelle au coefficient
dEinstein (lment de matrice de la transition), la densit de photons n() et la probabilit davoir un atome
dans ltat excit fe, et que son tat fondamental soit libre (1 - ff).

Atome

e
f

Probabilit de transition Pst


Pst = B . n() . fe . (1 - ff)

[s-1]

Pour tendre cette thorie aux S-C il suffit de refaire le raisonnement adopt pour le calcul du taux dabsorption
dun S-C gap direct. On introduit donc le taux dmission stimule par unit dnergie rst en disant que rstdE
est le nombre de transitions par unit de temps ayant lieu dans lintervalle dnergie dE. On fait alors
lhypothse que B et les distributions de Fermi sont constants dans les bandes, le calcul se limite alors au
compte du nombre de transitions dans dE cest dire le calcul de la densit de transition tout comme on la fait
dans le calcul du taux dabsorption pour un S-C gap direct.

S-C Gap direct, k = 0


E
E+dE

Taux dmission stimule par


unit dnergie rst

rst dE =

Ec

Pst

E < ( Ee E f ) < E + dE

rst dE =

Ev

B ( ) f e (1 f f )

E < ( Ee E f )< E + dE

rst = B ( ) f c (1 f v ) t ( )
k

Comme on la fait pour labsorption, nous pouvons dfinir le taux dmission stimule pour un S-C clair par
un faisceau monochromatique (c--d, () = n( -) ), soit Rst.

Faisceau monochromatique : Rst = Bn f c (1 f v ) t ( )


Une diffrence essentielle entre labsorption et lmission stimule est que cette dernire nest non ngligeable
que si la population dlectrons dans la bande de conduction fc est significative et la population dans la bande de
valence fv est faible ce qui nest pas une situation rencontre naturellement, cest dire, lorsque le systme est
proche de lquilibre thermique. Lorsque le systme est proche de lquilibre thermique, seule labsorption
semble tre considrer. Mais lquilibre thermique est une limite abstraite pour un S-C soumis un
clairement puisque chaque photon absorb cre une paire lectron-trou (et donc augmente fc et diminue fv) qui
ne demande qu se recombiner. Le processus d mission stimule est donc indissociable de labsorption.
Le taux de variation du nombre total de photons dans un matriau S-C illumin est donc donn par Rst.- Ra.

Variation du nombre de photons :

dn ph
dt

= Rst ( ) Ra ( )

Comme mentionn ci dessus, prs de lquilibre thermique seule labsorption joue un rle.

- A lquilibre thermique fc 0 et fv 1

Rst 0

Par contre dans une situation plus gnrale Rst doit tre pris en compte et le taux de variation de photons
devient :

- Hors quilibre :

dn ph
dt

= Bn ( f v f c ) t ( )

On peut ds lors redfinir le coefficient dabsorption en le gnralisant aux systmes hors de


lquilibre

Coefficient dabsorption

1
B ( f v f c ) t ( )
v

Nous voyons que lorsque les populations des bandes de conduction et de valence squilibrent, fc = fv
= 1/2, labsorption devient nulle. Notons que les proprits spectrales de labsorption sont
indpendante du degr dexcitation et restent donc celles tudies au chapitre prcdent mme dans
les systmes hors de lquilibre (en particulier : spectre parabolique seuil).

Absorption saturable :
Comme mentionn plus haut, un S-C est mis hors dquilibre s il est clair par un faisceau lumineux dont la
frquence est suprieure ou gale la frquence du seuil dabsorption (photons dnergie suprieure ou gale au
gap du S-C). En effet, si la lumire est absorbe, fc augmente et fv diminue il sen suit donc une diminution de
labsorption elle-mme. Si un grand nombre de photons sont incidents sur un S-C, beaucoup de transitions de la
bande de valence vers la bande de conduction auront lieu. Il y aura donc beaucoup dlectrons dans la bande de
conduction et de trous librs dans la bande de valence cest dire que le taux dmission stimule sera trs
lev au point de pouvoir compenser le taux dabsorption. Il y a compensation exacte lorsque lintensit
lumineuse est suffisamment grande que pour avoir galit de populations dans les deux bandes.
Ceci est illustr de manire schmatique ci dessous :

Principe: si la lumire est absorbe fc et fv et donc


E
Ec

Ilum

alors fc 1/2 et fv 1/2 et donc 0


!

EF

Ee

Ev
1

Ef

Ce phnomne de diminution de labsorption par quilibrage entre labsorption et lmission stimule sappelle
labsorption saturable. Ce phnomne est gnral, il est caractristique de labsorption par transitions
lectroniques dans les systmes quantiques. Il est souvent dcrit mathmatiquement laide de la formule
phnomnologique donne ci-dessous o Is est lintensit de saturation (intensit pour laquelle le coefficient
dabsorption est rduit de moiti). Cette formule est en fait exacte (fournie par la mcanique quantique) pour les
systmes atomiques lorsque lon considre seulement la prsence des deux tats lectroniques impliqus dans la
tansition.

Formulation phnomnologique : ( I ) =
Illustration :

o
1+ I

Is

S-C

S-C
z

Nous montrons ci-dessus leffet que peut avoir labsorption saturable sur la transmission dun faisceau laser
dans un S-C : considrons deux faisceaux laser de mme intensit moyenne, mais lun est continu et lautre
puls. Comme le faisceau continu a une intensit moyenne plus basse (bien infrieure Is), il peut tre absorb
alors que le faisceau puls est transmis puisque lintensit des impulsions peut tre beaucoup plus leve que Is.

Application : gnration dimpulsions courtes dans les lasers


Nous illustrons ici brivement lintrt que peut avoir le phnomne dabsorption saturable en pratique.
Considrons un laser, cest dire, comme on le verra plus loin, une cavit optique contenant un amplificateur
optique. Lamplificateur optique est un systme quantique dans lequel on a ralis une inversion de population
des tats lectroniques (par exemple un S-C dans lequel fc > fv). Le systme met donc des photons spontans.
Ces photons spontans sont alors amplifis par mission stimule et un faisceau lumineux intense est gnr
dans la cavit. Si rien nest fait pour contrler les variations temporelles du faisceau, celui-ci apparatra
fortement bruit puisquil est n des photons spontans qui par dfinition sont mis de faon alatoire. Pour
donner une structure temporelle cohrente au faisceau laser on place parfois un absorbant saturable dans la
cavit du laser. Celui-ci possde une transmission dautant plus leve que lintensit du faisceau est leve.
Cest donc lendroit o lon trouve lintensit la plus leve dans le faisceau que lon aura le moins de perte de
photons. Autrement dit cest au point o lintensit est la plus leve que le gain global du systme
(amplificateur + pertes de la cavit) est le plus grand. En raison de cette rtroaction positive, le pic initial
dintensit (voir le schma ci-dessous pour t =0) se voit augmenter de manire importante au dtriment de toutes
les autres parties du faisceau. Il en rsulte, en rgime (c- d, en t >> L/c o c est la vitesse de la lumire et L est
la longueur de la cavit), quune seule impulsion lumineuse de forte intensit se forme dans la cavit du laser.
Cette impulsion tourne dans la cavit et cre donc au miroir de sortie un signal puls priodique (et donc
rgulier et non plus alatoire comme en labsence dabsorbant saturable). Ce type de laser est appel laser
blocage de modes passif. Cest une configuration trs utilise en pratique. Notez quen pratique pour obtenir des
impulsions lchelle de la picoseconde, on nutilise pas un semi-conducteur comme absorbant saturable (temps
de rponse trop lent de lordre de la nanoseconde). On utilise plutt des matriaux organiques de type colorant.

Laser absorbant saturable


I
Ampli

t=0

S-C
z

L
En.

t >>L/c

Gain Optique dans les Semi-conducteurs


Dans lillustration qui prcde nous avons introduit la notion damplificateur optique qui est la base du
fonctionnement du laser ( cette occasion je rappelle que le mot laser est lacronyme de : light amplification by
stimulated emission of radiation). Lamplification optique nest rien dautre quune absorption ngative, cest
dire un gain de photons plutt quune perte. Pour raliser lamplification optique il faut donc un systme pour
lequel le coefficient dabsorption soit ngatif. Un simple coup doeil sur la formule donnant dans les S-C
permet de dire que lamplification optique est possible dans les S-C. En effet, il suffit pour cela que lon inverse
lquilibre naturel des lectrons dans les bandes de conduction et de valence et que fc > fv de sorte que < 0.
Une telle inversion (appele inversion de population) peut tre facilement ralise dans les S-C grce
linjection de porteurs minoritaires ayant lieu dans une jonction p-n polarise en sens passant. En effet si la
polarisation de la jonction est leve, le courant de porteurs minoritaires sera lev et on peut esprer que du
cot p suffisamment dlectrons soient injects et suffisamment de trous retirs que pour raliser la condition fc
> fv (mme raisonnement pour le ct n).

Absorption ngative
p

Ec

Prs de la rgion de
charge despace :

Jonction p-n
e-

fc > fv
n

Ev

EF

eV

et donc < 0

Amplification

trous

dn
n
dz

I
S-C

dI
= I
dz

z
Nous donnons ci-dessus une reprsentation schmatique de lamplification optique qui correspond une
croissance exponentielle de lintensit lumineuse dans le S-C avec inversion de population (notez que
lintensit lumineuse I est proportionnelle au nombre de photons n).
Dans le chapitre consacr aux lasers S-C nous verrons en dtail comment raliser une inversion de population
dans une jonction p-n afin dobtenir un gain optique dans les S-C.

mission spontane dans les S-C


Lmission spontane de photons dans les S-C joue un rle important dans les dispositifs de gnration de
lumire (diodes lectro-luminescentes et lasers). Cest la premire cause dmission de lumire dans les S-C. En
effet, pour gnrer de la lumire par mission stimule il faut que celle-ci soit suprieure labsorption. Il faut
donc raliser une inversion de population qui, comme nous le verrons, nest pas facile obtenir en pratique car
elle correspond une situation trs loigne de lquilibre. Seule lmission spontane peut conduire
lmission de lumire dans les systmes peu excits tels que les diodes lectro-luminescentes.

Aprs ce que nous avons dj vu sur labsorption et lmission stimule, la description de lmission spontane
est trs aise. En effet, dans son interprtation quantique lmission spontane ressemble beaucoup lmission
stimule : la dsexcitation dun atome par mission spontane dun photon est vue comme une mission
stimule par les fluctuations quantiques du vide. En dautres termes, on considre que dans lespace vide il y a
toujours un certain niveau de vibration du champ lectromagntique et que ces vibrations sont la cause de
dstabilisation de ltat excit de latome. Dans le formalisme de la mcanique quantique les choses sexpriment
comme si un photon virtuel stimulait la transition vers le bas. On retrouve ce photon virtuel dans lexpression de
la probabilit de transition par mission spontane de latome, Psp o le nombre de photons n a t remplac
par lunit (la signification de B, fc et fv sont les mmes que pour lmission stimule).

- Systme atomique deux niveaux


Ee

Ef

Probabilit dmission Psp


Psp = B . fe . (1 - fv) . [ 1 ]
Photon virtuel
(fluctuations du vide)

Le passage la description de lmission spontane pour les S-C gap direct est alors le mme que pour
labsorption et lmission stimule. Pour le taux dapparition de photons spontans une frquence donne
lon retrouve la mme expression que pour Rst la seule diffrence que maintenant la densit de photons n
napparat pas (ce qui tait attendu puisquil sagit dun processus spontan indpendant du nombre de photons
environnants).

- Semi-conducteurs
Taux dmission spontane
(idem Ra et Rst)

Rsp = Bf c (1 f v ) t ( )

Taux de radiation total dans les S-C


Maintenant que nous avons pass en revue tous les mcanismes dmission de photons dans les S-C, nous
pouvons exprimer le taux de radiation total de photons la frquence , Rtot() comme tant la somme de toutes
les contributions: lmission stimule, labsorption et lmission spontane. Nous appelons Rst - Ra la
contribution cohrente car elle reprsente des mcanismes qui ne modifient pas la cohrence dun faisceau
lumineux : les photons sont soit perdus (absorption) soit multiplis en conservant leur phase (les photons
stimuls sont les photons jumeaux des photons incidents, y compris en ce qui concerne leur phase). Par
opposition Rsp est la contribution incohrente puisque les photons gnrs spontanment nont aucun lien avec
les photons environnants. En particulier, ils peuvent tre mis avec nimporte quelle phase et peuvent donc crer
des interfrences constructives ou destructives avec les photons environnants. Les photons spontans constituent
donc une source de bruit.

Rtot ( )

dn ph
dt

= Rst ( ) Ra ( ) + Rsp ( )
Ra = Bn f v (1 f c ) t ( )
Rst = Bn f c (1 f v ) t ( )

Contribution cohrente

Contribution incohrente Rsp = Bf c (1 f v ) t ( )


Taux de radiation cohrente : Rcoh Rst Ra
Calcul du gain damplification
Le rle nfaste de lmission spontane peut tre illustr par le calcul du gain du nombre de photons dans un
systme amplificateur. La variation temporelle du nombre de photons est donne par Rtot(). Comme indiqu cidessous, nous exprimons cette quantit en mettant la contribution cohrente en vidence et en introduisant le
coefficient dabsorption et le facteur m = fc(1-fv)/(fc - fv).

Rtot = Rcoh ( 1 +

Rsp
Rcoh

o Rcoh = Bn ( f c f v ) t ( ) = n v

et

Rsp
Rcoh

f c (1 f v )
m
=
n ( f c f v ) n

Rtot = v (n + m)
Le taux de croissance spatial du nombre de photons la frquence est donc donn par :

Amplification :

dn
1 dn
R
=
= tot = ( n + m)
dz
v dt
v
Cette expression comporte deux contributions : la contribution
cohrente - n et la contribution incohrente -m.

Lintgration de lquation en n permet de calculer facilement le gain du nombre photons si lon considre un
nombre de photons n(0) lentre de lamplificateur comme condition initiale. La contribution cohrente
donne le terme n(0)exp(-L) ce qui permet de dfinir le gain du systme G = exp(-L). La contribution
incohrente laccroissement du nombre de photons conduit au terme m[exp(-L) -1]. Cette quantit reprsente
le nombre de photons incohrents (de phase alatoire, source de bruit) la sortie du systme. Si le gain est grand
devant lunit, G >> 1 (ce qui est souvent le cas en pratique puisque lorsque lon amplifie on dsire toujours
amplifier le plus possible), ce nombre peut tre approch par mG. Cette expression particulirement simple
permet de dire que le niveau de bruit dun amplificateur est quivalent ce que donnerait lamplification de m
photons incohrents par un amplificateur idal sans bruit de gain G. Nous verrons plus loin quelle est la valeur
de m rencontre en pratique.

S-C
n (0)

n (L)

m
0

Lz

n ( L ) = n (0) e L + m (e L -1)

dn
= dz
n + m

n ( L) + m
= L
ln
n (0) + m
soit

G = e L

(gain)

Contribution incohrente bruit mG (si G>>1)


Contribution cohrente
m photons incohrents lentre

Inversion de population dans une jonction p-n


Voyons maintenant en detail comment raliser linversion de population dans une jonction p-n. Lorsque la
jonction est polarise en sens passant, les porteurs minoritaires sont injects avec une certaine nergie cintique.
Cette nergie est dissipe par collisions lectrons-lectrons ou lectrons-phonons (interaction avec le rseau
cristallin) jusqu thermalisation (c--d, la vitesse des lectrons atteint celle quelle serait quilibre thermique :
distribution des vitesses de moyenne nulle et dcart-type fix par la temprature). Cette thermalisation
seffectue en des temps extrmement courts de lordre du dixime de picoseconde. Ces temps sont beaucoup
plus courts que les temps de vie radiative habituellement rencontrs dans les S-C (temps de vie radiative : temps
moyen mis par les paires lectron-trou pour se recombiner par mission spontane de photon). Ceci signifie que
les lectrons du ct p et les trous du ct n sont accumuls et lon peut donc imaginer raliser de cette manire
linversion de population.

Injection de porteurs minoritaires et thermalisation


Ec

Ev

Collisions :

e-

e-- ephonons - e-

EF

eV
trous

Temps caractristique :
th 10 -13 sec
Dure de vie radiative

Quasi-niveaux de Fermi

r 10 -9 sec

Comme les porteurs minoritaires ont le temps de se thermaliser on peut les considrer comme tant lquilibre
thermique. Ce qui est une vue de lesprit puisque lquilibre thermique les lectrons du ct p sont bien
entendu pour la plupart dans la bande de valence (idem pour le trous du ct n). Nanmoins lchelle de temps
des temps de vie radiative on peut parler dun quasi-quilibre thermique. Ceci nous permet dintroduire la notion
de quasi-niveau de Fermi. Le quasi niveau de Fermi des lectrons du ct p est le niveau dnergie
correspondant aux dernires couches (tats lectroniques) occupes par les lectrons injects. Les lectrons
injects sont en effet empils selon le principe de Pauli sur les tats quantiques du cristal de la mme manire
que dans un S-C lquilibre thermique et ils remplissent donc la bande de conduction jusqu un certain
niveau, cest ce niveau que lon appelle quasi-niveau de Fermi. Le mme raisonnement peut bien entendu tre
fait pour les trous du ct n.
Dans une jonction polarise lnergie du quasi-niveau de Fermi peut tre value en se rappelant que lnergie
de Fermi reprsente le potentiel lectrochimique des lectrons (potentiel tenant compte de laffinit chimique
pour les dopants et du potentiel lectrostatique). Donc si lon nglige la perte dnergie cintique des lectrons
injects on peut conclure que le quasi-niveau de Fermi est donn par la diffrence de potentiel applique aux
bornes de la jonction, comme indiqu sur le schma ci-dessus : le niveau de Fermi se divise en deux niveaux
distincts pour les lectrons et les trous injects au niveau de la jonction, ce sont les quasi-niveaux de Fermi des
lectrons et des trous minoritaires en quasi-quilibre.

Le schma de bande ci-dessous, reprsente les lectrons thermaliss du ct p. Comme il sagit dun S-C dop
de type p, le niveau de Fermi EF est normalement proche du sommet de la bande de valence. Mais les lectrons
libres injects sempilent sur les tats de la bande de conduction jusquau quasi-niveau de Fermi EFc (c pour
bande de conduction ) dtermin par la diffrence de potentiel applique. La bande infrieure reprsente la
mme situation pour les trous du ct n: les trous thermaliss sont accumuls au sommet de la bande de valence.
La rgion de la jonction p-n o cette situation est rencontre est en ralit trs limite. En effet, si lon se place
du cot p loin de la zone de charge despace, on aura les lectrons thermaliss de la bande de conduction qui
seront face une bande de valence pleine dlectrons cest dire sans trous pour la recombinaison radiative des
paires lectron-trou ncssaire lmission stimule. Il en est de mme pour les trous du ct n : ceux-ci ne
peuvent se recombiner facilement puisquils ont face eux une bande de conduction contenant peu dlectrons.
Dans ces conditions on ne peut pas avoir beaucoup dmission stimule, cest dire quon ne peut pas avoir de
gain positif.
En fait, pour avoir une inversion de population il faut raliser la situation reprsente par le schma de bande cidessous. Une telle situation peut se rencontrer dans la zone de charge despace, l o les flux dlectrons et de
trous se croisent. Dans ce cas les lectrons et trou thermaliss se retrouvent et peuvent se recombiner en masse
pour donner lieu une mission stimule importante et donc un gain positif.
Nous avons vu plus haut que pour avoir un gain positif il faut satisfaire la condition fc > fv . En crivant la
distribution de Fermi avec les quasi-niveaux de Fermi EFc , EFv cette condition se traduit par lingalit EFc - EFv
> h (h tant lnergie de la transition soit Ee - Ef ). En se rappelant que la diffrence des niveaux de Fermi
EFc - EFv est peu prs donne par le potentiel lectrique appliqu soit eV, la condition pour avoir inversion de
population est eV > h.

E
EFc

Ee

!
Ef

EFv

Gain ( < 0) si fc > fv

Ec

fc =

Ev

fv =
k

1
e ( Ee EFc ) / k BT + 1
1

( E f E Fv ) / k BT

+1

Ee E f = ! < E Fc E Fv

Ee E Fc < E f E Fv

Sachant que les lectrons thermaliss se trouvent au creux de la bande de conduction et que les trous thermaliss
sont au sommet de la bande de valence, on peut dire que h est peu prs gal lnergie du gap Eg, la
condition dinversion de population devient donc eV > Eg.

p
Ec
Ev

Zone de gain
n

EFc
etrous

!
EFv

eV > ! = E g

eV La figure ci-contre indique la zone o la condition


dinversion de population est effectivement rencontre.
On constate bien que pour avoir une telle situation la
ddp applique doit tre suprieure au gap (do
linversion des courbures des bande de la jonction)

Calcul du bruit damplification


Les notions dinversion de population et de quasi-niveaux de Fermi nous permettent de caractriser plus en
dtail le gain optique dans les S-C. Considrons tout dabord le bruit damplification des photons spontans.
Nous avons vu que ce bruit dun amplificateur rel de gain G pouvait sinterprter comme tant le bruit caus
par m photons lentre dun amplificateur idal de mme gain. Il est donc important de connatre la valeur de
m pour un amplificateur rel.
Si lon exprime la valeur de m en fonction des distributions de Fermi dans lesquelles on remplace lnergie de la
transition par Ee - Ef par Eg et la diffrence des quasi-niveaux de Fermi EFc - EFv par eV, nous obtenons
lexpression donne ci-dessous :

f c (1 fv )
1/ fv 1
= (E
m
=
( fc fv ) 1 / fv 1 / fc e

m =

1
1 e

e
f

( E f E Fv ) / k B T

E Fv ) / k B T

e( Ee E Fc ) / k B T

gain si eV > E g

( E g eV ) / k B T

m1

k BT
E

eV

g vers lunit ds que la polarisation de la


Le facteur de bruit m dcrot trs vite au del de lnergie du gap et tend
jonction est plus grande que le gap dune quantit suprieure lnergie thermique (typiquement un centime de
lnergie du gap). On peut donc dire en pratique que m vaut lunit et lexpression du nombre de photons la
sortie dun amplificateur de gain G est donne par la formule ci-dessous :

n ( L ) = n (0) G + G - 1

Contribution incohrente bruit G (si G>>1)


Contribution cohrente
1 photon incohrent lentre
Le bruit dun amplificateur peut donc tre caractris en disant quil est quivalent ce que lon obtiendrait si
lon plaait un photon incohrent (par rapport au signal amplifier) lentre de lamplificateur idal sans bruit.
Cette caractrisation du bruit dun amplificateur est trs gnrale et ne sapplique pas seulement au
amplificateurs S-C.

Distribution spectrale du gain


Les notions de quasi-niveaux de Fermi nous permet galement dtudier facilement le spectre de gain dun
amplificateur S-C. Nous avons vu que le gain est linverse du coefficient dabsorption soit -. Or nous avons vu
plus haut que le spectre dabsorption est donn par la densit de transition t(). Ce rsultat nest bien entendu
pas applicable au gain puisque le gain sobtient en dehors de lquilibre, cest dire que les distributions de
Fermi ne peuvent plus tre considres comme constantes. Celles-ci varient significativement au sein dune
bande puisque les quasi-niveaux de Fermi se trouvent au beau milieu de ces bandes. Le calcul du spectre de gain
est donc, a priori, beaucoup plus compliqu que celui de labsorption.
Pour le simplifier nous allons considrer une jonction p-n semi-conducteur fortement dops. Lorsque le
dopage est fort (1018 cm-3 ou plus) le S-C ne se comporte plus du tout comme un semi-conducteur intrinsque en
raison dune perte significative de la priodicit du potentiel vu par les lectrons. Il en rsulte que le
raisonnement fait sur la conservation de la quantit de mouvement pour arriver la rgle de slection dans les SC gap direct ne sapplique plus. En pratique il ny a pas de rgle de slection et les transitions peuvent avoir
lieu entre tous les tats des bandes de conduction et de valence. Nous allons donc pouvoir adopter le
raisonnement fait pour labsorption dans les S-C gap indirect et dire simplement que le taux de transition est
proportionnel au produit des densits dtats des deux bandes. La diffrence avec le calcul de labsorption des SC gap indirect est que lon doit maintenant tenir compte de la variation des distribution de Fermi au sein des
bandes. Si lon considre la transition entre deux niveaux discrets donns (cf. transition atomique), le coefficient
dabsorption sera proportionnel au coefficient dEinstein B et la diffrence des valeurs de la distribution de
Fermi au deux niveaux de la transition soit fv-fc dans les notations adoptes pour les S-C. Pour deux tats au sein
du continuum dtats de densits c. et v on aura donc un coefficient dabsorption proportionnel cv(fv-fc). Il
sagit donc simplement dintgrer cette quantit sur tous les tats des bandes. Pour cela nous introduisons la
profondeur de ltat excit dans la bande de conduction comme on la fait pour le calcul de pour les S-C
gap indirect.

S-C idal
Hypothse : S-C fortement dop
pas de rgle de transition

1
B ( f v f c ) t ( )
v

c ( )

v ( )( f v f c )d

Nous simplifions alors encore le calcul en approchant les densits par des distributions carres comme indiqu
sur le schma ci-dessous o nous dfinissons galement les quantits E1 et E2 utiles pour la simplicit des
notations. Les densits carres nous permettent de les remplacer par lintroduction des bornes dintgration.

Simplification : densits c, v = distributions carres


E

mission
(gain > 0)

EFc
Ec
Eg E

Ev
EFv

E2

absorption
E1 = Ec - EFv

E2 = EFc - Ev

! E g

( f v f c ) d

Avant de faire le calcul, prcisons tout dabord la signification physique du spectre de gain. Le spectre de gain
donne le gain dun S-C population inverse en fonction de la frquence de la lumire (nergie des photons)
amplifier. Si la frquence est lgrement suprieure au gap on peut sattendre ce que les photons puissent
induire des transitions vers le bas et le systme prsentera donc de lmission stimule et un gain positif (cest la
situation schmatise la figure ci-dessus sous le nom mission (gain>0) . Par contre si la frquence est
beaucoup plus grande que le gap elle ne pourrait quinduire des transitions vers le haut et le systme apparat
alors absorbant (cest la situation schmatise la figure ci-dessus sous le nom absorption ). On voit donc
que le gain peut passer dune valeur positive une valeur ngative en augmentant la frquence de la lumire. Un
tel comportement est propre aux S-C et montre limportance de la caractrisation spectrale du gain dans les S-C.

Calcul du spectre de gain


Sur base des simplification s introduites plus haut, le calcul du spectre de gain est particulirement simple. Il
suffit de traduire les distributions de Fermi en terme de : les quasi-niveaux de Fermi se trouvent en h - E1
pour la bande de valence et en EFc - Ec pour la bande de conduction.

! E g

( f v f c ) d

(E1 = Ec - EFv, E2 = EFc - Ev)

EFc
Ec
Eg E
1

E2

fv , fc

Ev
EFv

fc

fv
! E1

E Fc Ec

Lorsque h < Eg il ny a ni absorption ni gain puisque les photons ne peuvent pas relier deux tats des bandes de
valence et de conduction. A la figure de gauche ci-dessous nous reprsentons la situation rencontre lorsque Eg
< h < E1. Lintgrale de fv - fc tant prise de 0 h - Eg nous obtenons une croissance ngative linaire du
coefficient dabsorption (le gain augmente linairement en fonction de la frquence). Une fois que h > E1
lintgrale devient constante puisque le quasi niveau de Fermi h - E1 devient positif. On a donc apparition
dune rgion dans le spectre o le gain est constant. Ceci jusqu ce que h - Eg atteigne le quasi niveau de
Fermi de la bande de conduction EFc - Ec soit h = E2 .

E g < ! < E1
fv - fc
! E1

E1 < ! < E g + E Fc E c = E 2

! E g

fv - fc

E Fc Ec

! E1

! E g
E Fc Ec

Une fois la limite E2 dpasse, la surface intgre diminue avec une augmentation de frquence. Le gain
diminue donc linairement jusqu son annulation en h = EFc-EFv= EF. En effet, une fois que h > EF seules
les transitions du bas vers le haut deviennent possibles et le systme devient absorbant. Labsorption crot alors
de manire linaire avec la frquence.

! > E F

E 2 < ! < E F
! E1

E Fc Ec

! E g
E Fc Ec

! E1

Ce calcul simplifi donne une bonne ide du spectre de gain dun S-C. Celui-ci devient non-nul au gap et
prsente un maximum entre le gap et la diffrence des quasi-niveaux de Fermi EF. Au del de EF il
devient ngatif.

Spectre de gain

Eg E1

E2
E F

Ces prdictions qualitatives sont bien vrifies en pratique. Puisque les densits dtats et les distributions de
Fermi ne prsentent en ralit pas de sauts abrupts, les spectres rels sont bien entendu plus lisses.

Courbes de gain relles

Nous donnons ci-dessous des exemples exprimentaux de


spectres de gain deux tempratures diffrentes.

Absorption/gain pour diffrents niveaux dexcitation mesurs en


densit de courant traversant une zone active de 1 m de large

Calcul des quasi-niveaux de Fermi


Nous faisons ici une petite parenthse concernant le calcul des quasi-niveaux de Fermi. En pratique ces niveaux
peuvent tre calculs rigoureusement partir de la mesure (ou du calcul) de la densit de porteurs minoritaires
injects. En effet, la densit dlectrons ne est donne par lintgrale de la densit dtats multiplie par la
distribution de Fermi (voir rappel). Connaissant ne est e et la forme analytique de la distribution de Fermi on
peut facilement remonter la valeur de EFc.

Densit de porteurs :

e =

1
2 2

2mc
2
!

ne = 2 ( E ) f ( E ) dE
e

3/ 2

E Ec , f ( E ) =

1
exp[( E E Fc ) / k BT ] + 1

EFc obtenu partir du calcul de ne selon les lois du


transport de charge dans les S-C.
(diffusion, mobilit, temps de recombinaison, etc)
Enfin pour terminer ce chapitre sur le gain optique dans les S-C, il est intressant pour la suite de voir comment
varie le maximum du spectre de gain en fonction du degr dexcitation du S-C. Le degr dexcitation dans le cas
de la jonction p-n nest rien dautre que le courant dinjection du la polarisation en sens passant de la jonction.
Le courant dinjection est directement proportionnel la densit de porteur. On voit ci-dessous gauche
diffrentes courbes de gain exprimentales en fonction de la densit de porteurs injecte. A droite est reprsent
le maximum du gain en fonction de la densit de porteurs. On constate que le gain maximum augmente presque
linairement aprs passage par un seuil. Comme nous le verrons, cette caractristique est importante pour la
modlisation des lasers S-C.

Gain optimal en fonction


du degr dexcitation

La luminescence des semi-conducteurs


Jusqu prsent nous avons vu que les mcanismes de base responsables de la gnration de photons dans les
semi-conducteurs sont lmission spontane et lmission stimule. Avec la notion de gain optique nous avons
surtout insist sur lmission stimule en considrant lmission spontane comme une simple source de bruit.
Comme nous lavons vu, lmission stimule exige des degrs dexcitation levs induits par des polarisations
de jonction p-n suprieure lnergie du gap. De tels degrs dexcitation ne sont en ralit pas faciles raliser
en pratique et ce nest que grce des progrs significatifs dans la matrise des matriaux S-C que lmission
stimule a pu tre mise profit (nous verrons cela plus en dtail plus loin). Historiquement, cest lmission
spontane qui a t exploite en premier lieu avec lavnement des diodes lectro-luminescentes. Les diodes
lectro-luminescentes (DEL ou LED en anglais). Les DEL fonctionnent sur le mme principe que les
amplificateurs : elles sont bases sur linjection de porteurs minoritaires dans une jonction p-n polarise en sens
passant. La diffrence essentielle avec les amplificateurs est que la jonction est faiblement polarise et que les
conditions de fonctionnement sont trs loignes des conditions dinversion de population. Le rayonnement
quelles mettent est donc essentiellement de nature spontane.

Semi-conducteur hors de lqulibre termique : E F > 0


Jonction p-n
Ec

p
e-

Ev

eV

EF
trous

Emission de photons non ngligeable si :


temps de vie radiative < temps de vie non-radiative
Pour que les porteurs minoritaires injects donnent lieu de la gnration de lumire il faut que leur temps de
vie radiative soit plus court que leur temps de vie non-radiative. Le temps de vie non-radiative correspond des
mcanismes de dsexcitation autres que la transition radiative. Des transitions de bande bande peuvent
survenir par exemple partir de collisions avec le rseau cristallin (interactions photons-phonons), ou partir de
cascades de transitions de faible nergie rendues possibles par la prsence de niveaux lectroniques profonds
dans la bande interdite (llectron passe alors de niveau en niveau et aucun photon nest mis du moins dans les
longueurs donde optiques). Les niveaux lectroniques profonds peuvent tre dus des impurets chimiques,
des dfauts dans le rseau cristallin (dislocations) ainsi que les surfaces libres et interfaces avec dautres
matriaux. On voit donc que la qualit du matriau S-C est un paramtre essentiel pour les applications la
gnration de lumire.

Caractrisation de la luminescence dans les S-C


Pour caractriser la luminescence dun S-C il nous suffit de considrer le taux total de gnration de photons
dans les S-C Rtot , comme nous lavons fait pour le calcul de lamplification. Gardons nanmoins lesprit que
cette fois le degr dexcitation est faible. En adoptant la mme procdure que pour lamplification nous arrivons
une expression de Rtot en fonction du facteur m.

Ra = Bn f v (1 f c ) t ( )
Rst = Bn f c (1 f v ) t ( )

Rtot = Rst Ra + Rsp

Rtot = Rcoh ( 1 +

Rsp
Rcoh

Rtot = - v (m + n )

Rsp = Bf c (1 f v ) t ( )
Rcoh = Bn ( f c f v ) t ( ) = n v
Rsp
Rcoh

o m =

f c (1 f v )
m
=
n ( f c f v ) n

1
1 e

( E g E F ) / k B T

1
Rtot = v ( E E ) / k T
n
F
B
1

e g
Cette expression permet dtudier immdiatement les caractristiques spectrales de la luminescence dans les
S-C. Il suffit en effet de faire apparatre la frquence dans les grandeurs o elle intervient telles que, en
particulier, le coefficient dabsorption .

Spectre de luminescence dans les S-C

n
Rtot ( ! ) = ( ! ) v ( ! E ) / k T
F
B
1
e

Remarquons tout dabord que si le S-C est lquilibre, c--d, EF = 0, alors, par dfinition, n est donn par la
distribution de Bose-Einstein (voir dbut du cours) et ds lors le taux de gnration de photons est nul. Ce qui
est rassurant puisquon ne sattend pas ce quun S-C mette de la lumire en labsence dexcitation.

Soit lquilibre thermique : EF = 0 et n = ! / k T


B

Rtot (! ) = 0

Considrons maintenant un S-C faiblement excit. Cest dire un S-C pour lequel EF est beaucoup plus faible
que le gap (loin de la condition dinversion de population). Dans ces conditions on peut supposer que la
distribution spectrale de photons est toujours proche de celle lquilibre et on lassimilera la distribution de
Bose-Einstein. De plus, comme lnergie du gap dans les S-C est suprieure de deux ordres de grandeur
lnergie thermique ( temprature ambiante,~300 K) on peut ngliger lunit par rapport au facteur
exp(h/kBT). Nous obtenons de la sorte une expression particulirement simple du taux de radiation par
luminescence dans les S-C.

Soit un S-C faiblement excit : E F << !

n proche de lquilibre

e( ! E F ) / k BT >> 1

et

e! / k BT >> 1

Rtot ( ! ) = ( ! ) v e ! / k B T e E F / k B T e ! / k B T

Rtot ( ! ) = ( ! ) v e ! / k B T e E F / k B T 1
Spectre dabsorption
Thermalisation

Degr dexcitation

Cette expression montre que le spectre de luminescence est donn par le spectre dabsorption multipli par le
facteur de Boltzmann exp(-h/kBT). Ce rsultat sinterprte facilement : le coefficient dabsorption se retrouve
ici parce quil reprsente en quelque sorte la quantit possible de transitions qui peuvent avoir lieu entre les
bandes pour une frquence donne (cf. densit de transitions t(h)), et le facteur de Boltzmann reprsente le
fait que les tats pouvant donner lieu ces transitions sont occups par des lectrons thermaliss en quasiquilibre.

E
Ee

Ec

!
Ef

Rtot

e ! / k BT

Ev

Eg

Les spectres de luminescence (courbe epaisse ci-dessus) prsentent donc un seuil lnergie du gap et une
dcroissance exponentielle dpendante de la temprature.

Dans lexpression du taux de radiation par luminescence on trouve un terme reprsentant le rle du degr
dexcitation du S-C. Ce terme pouvait tre attendu puisque le degr dexcitation est directement proportionnel
au courant dinjection de la jonction p-n polarise en sens passant dont la valeur en fonction de la tension
applique est donne ci-dessous. Sachant que la tension applique dtermine lcart entre quasi-niveaux de
Fermi eV = EF. , nous avons linterprtation physique du terme reprsentant le degr dexcitation dans le taux
de radiation par luminescence. Ce terme montre donc comment lintensit lumineuse dune DEL volue en
fonction de la tension applique ses bornes.

Degr dexcitation : e E F / k B T 1
Ilum
cf. rponse en intensit
dune diode polarise :

I = I s ( e eV / k B T 1)
EF = eV
Remarquons que le spectre mesurable en pratique nest pas donn par Rtot . Un spectre exprimental est en
ralit la mesure de la densit spectrale dnergie mise. Cest dire le taux dapparition des photons Rtot() la
frquence multipli par lnergie de ces photons, le tout encore multipli par la densit de modes
lectromagntiques la frquence ( ne surtout pas oublier, cf. calcul du rayonnement thermique).

Spectre observ densit spectrale dnergie mise


(mesur par spectromtre optique)

I (! ) = ! . Rtot (! ) . (! )
Densit de modes
du champ E-M

nergie des photons mis


Taux dapparition des photons
dans chaque mode

( ) =

I ( ! ) ( ! ) 3 ( ! ) e ! / k B T e E F / k B T 1

4
2

2c3

Avec ces lments nous sommes maintenant mme de faire la comparaison des prdictions thoriques et les
spectres de luminescence mesurs en pratique. Sur les deux figures ci-dessous nous constatons un trs bon
accord quantitatif si ce nest aux faibles nergies o lon voit que les spectres exprimentaux prsentent une plus
grande densit spectrale (ce qui peut tre facilement expliqu, comme nous le verrons par la suite).

Comparaison thorie-exprience
e! / kBT

( ! ) 3

I (!)

Eg

kBT

Largeur spectrale nergie thermique


Une conclusion importante tirer de cette tude est que les spectres de luminescence ont une largeur de lordre
de lnergie thermique. Ce rsultat est similaire celui trouv pour le rayonnement thermique la grande
diffrence prs que maintenant il sagit de lnergie thermique temprature ambiante. Pour gnrer de la
lumire visible partir du rayonnement thermique il faut atteindre des temprature de plusieurs milliers de
degrs ce qui correspond des largeurs spectrales normes par rapport celles obtenues avec les DEL. En ce qui
concerne les applications aux tlcommunications optiques, lavantage des source lumineuses S-C apparat
donc trs clairement. On est nanmoins encore trs loin de la situation idale pour les tlcoms optiques que
serait la gnration de photons dans un mode lectromagntique spatio-temporel unique (une frquence unique
pour rduire la dispersion son minimum et une direction unique pour linjection dans les fibres optiques
monomodes). Nous verrons plus loin que les lasers S-C permettent de se rapprocher de cette situation idale.

Il est intressant dtudier les spectres de luminescence basse temprature car ils donnent des renseignements
sur les tats lectroniques qui existent ventuellement sous le gap. En effet, trs basse temprature la
thermalisation rsulte en des spectres trs fins situs sur les niveaux lectroniques les plus bas (cf. rle du
facteur de Boltzmann). Comme le montrent les figures suivantes on peut ainsi tudier les excitons dun S-C o
les impurets chimiques responsables de niveaux supplmentaires en dessous du gap dans la bande interdite.
Pour chacun des cas, les figures donnent les spectres dabsorption et de luminescence. On constate que les
spectres de luminescence mettent en vidence les structures fines de faible nergie. La figure de gauche est
schmatique alors que celle de droite donne des rsultats exprimentaux pour un chantillon dArseniure de
Gallium prsentant des impurets de faible nergie de liaison (niveaux proches du gap).

Spectres de luminescence basse temprature


rle des excitons

rle des impurets

Rendement des diodes lectroluminescentes


Nous allons ici discuter brivement les mcanismes affectant le rendement des DEL. Comme nous lavons dj
mentionn plus haut, le rendement est conditionn par les transitions non radiatives. Un exemple important de
transition non radiative est la transition par transfert dnergie avec les phonons du rseau cristallin. Puisque
lnergie des phonons est gnralement plus faible que celle du gap, il faut des change dnergie avec plusieurs
phonons pour une seule transition. On peut estimer que pour descendre tout le gap soit une nergie de lordre de
1eV, llectron doit cder son nergie 30-40 phonons. Ceci ne peut bien entendu pas se faire en une seule fois
car la probabilit dinteraction entre un tel nombre de particules est infime. En pratique lchange a lieu par
tape grce lexistence de niveaux lectroniques intermdiaires comme indiqu sur le schma suivant. Si de
tels niveaux intermdiaires nexistaient pas, une telle mission de phonons en cascade ne pourrait pas se
produire et les transitions radiatives seraient alors privilgies. On comprend ainsi limportance des dfauts et
des impurets dans les S-C destins aux applications optiques. En pratique, on cherchera viter les
dislocations, les lacunes, les impurets chimiques et les interactions avec les surfaces du matriau S-C.

Rendement conditionn par les transitions non radiatives


Exemple 1 : transfert dnergie avec les phonons
(collisions rseau cristallin)
Eg 1 eV 30 40 phonons
niveaux intermdiaires ncessaires
rle essentiel des impurets et dfauts

nr

- lacunes
mission de
phonons en
cascade

- surfaces
- dislocations
- ...

Exemple 2 : recombinaison Auger


Un autre mcanisme trs important de recombinaisons non radiatives responsables de limitation de rendement
des DEL est la recombinaison Auger. Lors dune recombinaison Auger, llectron cde son nergie un autre
lectron de la bande de conduction. Ce dernier monte donc dans la bande mais il est trs vite thermalis (10-13
sec) par interaction avec le rseau cristallin (cascade de phonons). Lnergie est donc perdue sous forme de
phonons (chauffement) et aucun photon nest mis. Ce mcanisme de recombinaison non radiative est
reprsent schmatiquement la figure de gauche ci-dessous. On notera que linteraction entre llectron qui
descend et llectron Auger doit respecter la conservation de la quantit de mouvement.
La figure de droite illustre le mme phnomne avec un lectron Auger dans la bande de valence : llectron qui
descend donne son nergie et sa quantit de mouvement un lectron profond de la bande de valence, celui-ci
est thermalis par cascade de phonons. Il est habituel dinterprter ce mcanisme en terme de transition de
trous. Llectron qui descend est vu comme un trou qui monte grce un change dnergie avec un trou de la
bande de valence. Ce trou Auger est alors thermalis et remonte dans la bande par cascade de phonons. Pour
diffrentier les deux mcanismes, on appelle le premier effet Auger eet et le second effet Auger ett. Ces lettres
signifient recombinaison lectron-trou par lintermdiaire dun lectron (ou dun trou) Auger (la particule Auger
tant reprsente par les lettres du milieu e et t dans eet et ett, respectivement.

ett

eet
E

E
Thermalisation
par mission de
phonons en
cascade

k
k
k

A la figure ci-dessous nous illustrons les deux mcanismes de recombinaison Auger dans une jonction p-n
polarise. Puisque le mcanisme eet fait intervenir deux lectrons simultanment sa probabilit est
proportionnelle au carr de la densit lectronique, soit n2. Ce mcanisme affectera donc plus particulirement
les recombinaisons qui se font en rgion de type n. De mme le mcanisme Auger ett , faisant intervenir deux
trous simultanment, est proportionnel au carr de la densit de trous, soit p2. Il affecte donc les recombinaisons
du ct p et est ngligeable du ct n. Puisque le mcanisme eet, exige la prsence dun tat lectronique libre,
cest dire un trou, dans la bande de valence sa probabilit est galement proportionnelle p, soit une
probabilit globale proportionnelle n2p. Il en est de mme pour le mcanisme ett qui met en jeu un lectron de
la bande de conduction (il faut un lectron dans la bande de conduction pour que le trou puisse y monter). La
probabilit associe leffet Auger ett est donc proportionnelle p2n.

Ec

Diode lectroluminescente
(Jonction p-n)
p
eet
e-

Taux de
recombinaison
n

RAeet

n
Ev
ett

eV

EF

= Cn n2 p =

Aeet

RAett = C p p2 n =

trous

Aeet

1
Cn n

et

Aett

Aett
1

C p p2

Les formules ci-dessus dfinissent les taux de recombinaison Auger RA pour les deux mcanismes eet et ett. Les
constantes de proportionnalit Cn et Cp sont appeles les coefficients Auger. Comme le taux RAeet reprsente le
nombre de trous qui disparaissent par unit de temps du ct n, soit RAeet = -dp/dt, on peut dfinir la dure de vie
Auger eet comme tant Aeet = 1/ Cn n2. De mme pour leffet Auger ett on a Aett = 1/ Cp p2. Ce sont ces dures
de vie qui conditionnerons le rendement des DEL. Notons que pour les applications optiques on utilise des semiconducteurs fortement dops afin datteindre aisment des degrs dexcitation levs (le degr dexcitation est
proportionnel la densit de porteurs injects qui est dautant plus leve que le dopage de la jonction p-n est
lev). Comme les dures de vie Auger sont inversement proportionnelles aux concentrations de porteurs, on
voit quil faudra tre attentif leffet Auger en ce qui concerne le rendement de la gnration de lumire et un
compromis devra tre tabli entre rendement et excitabilit.

Exemple : GaAs

Cn = 10-31 cm6 s -1 ,

Nous illustrons ici cette brve discussion avec


lexemple du GaAs fortement dop.

soit n = 1018 cm3 Aeet = 105 s

Si dopage lev : comptition entre les


recombinaisons Auger et radiative

Les deux formules ci-dessous font la synthse des grandeurs introduites dans la discussion.

dp
dt
Aeet
n
dn
= C p p 2 n = ett =
dt
A

Taux de recombinaison Auger : RAeet = Cn n 2 p =

RAett

Dans les S-C fortement dops tels que ceux utiliss dans les applications optiques, ce sont les recombinaisons
Auger qui conditionnent le rendement (les autres mcanismes de recombinaison non radiative sont en gnral
ngligeables). Pour estimer le rendement il faut donc comparer les temps de vie radiative r et Auger A. Les
formules ci-dessous expriment la comptition entre les deux effets. Les deuximes termes des membres de
droite reprsentent les contribution la gnration de photons.

Taux de recombinaison total :

n
p

dp
p
p
= eet
dt
A
r
dn
n
n
= ett
dt
A
r

Les tableaux ci-dessous donnent les dures de vie Auger (inversement proportionnel au coefficient Auger C)
et les dures de vie radiative pour diffrents S-C. Le Phosfure de Gallium, le Silicium et le Germanium ont
tout trois un gap indirect, les temps de vie radiative sont donc relativement grands. Ils sont en tout cas
suprieurs (ou comparable pour le GaP) aux dures de vie Auger. Il apparat donc vident que ces S-C ne
prsenteront pas des bons rendements. Le cas de lAntimoniure de Gallium est particulier car bien qutant
gap direct sa dure de vie Auger est plus courte que sa dure de vie radiative. Ce nest donc pas un bon
candidat pour la fabrication des DEL non plus. Le cas du GaAs apparat par contre idal.

Temps de vie radiative

Cette discussion sur le choix des matriaux est rsume ci-dessous.

Exemples :
Gap indirect : Si, Ge, GaP a priori pas utilis pour les DEL
Gap direct : GaSb trop deffet Auger, GaAs tres bon matriau
Rendement quantique interne de luminescence dun S-C
Nous allons ici prciser la notion de rendement de luminescence des S-C. La formule ci-dessous gauche donne
la variation du nombre de porteurs injects (lectrons ou trous) en la dcomposant en ses contributions radiatives
Rr et non radiative Rnr. Le rendement quantique interne est dfini de manire naturelle comme tant le rapport
du nombre de recombinaisons radiatives sur le nombre total de recombinaisons Rr /(Rr + Rnr). Cette expression
peut facilement tre exprime en fonction des dures de vie. On arrive alors la formule encadre ci-dessous.

Soit n lexcs de porteur (n = p pour type n, n = n pour type p)

n
n
dn
=

dt
nr r

Rnr

Rr

Exemple :
GaAs : int 1
Si : int 0

int

int =

Rr
Rr + Rnr

1/ r
1 / r + 1 / nr

int =

1
1 + r / nr

Daprs les tableaux de la page prcdente ont peut facilement valuer les rendements quantiques internes du
GaAs et du Si donns ci-dessus.
Le rendement quantique interne nest proche de lunit que si les conditions rappeles ci-dessous sont
rencontres.

int 1 si : gap direct, dopage limit (Auger), peu dimpurets


et dfauts (cascades de phonons)

Les diodes lectroluminescentes


Les notions de base vues plus haut sur llectroluminescence des S-C, nous permettent de prciser le
fonctionnement des LED. La figure ci-dessous illustre ce fonctionnement. En raison de la polarisation de la
jonction, des lectrons sont injects du ct p et des trous sont injects du ct n. Ces porteurs excdentaires
diffusent et se recombinent par transitions radiatives. Leur densit dcrot donc de manire exponentielle en
sloignant de la rgion de charge despace. Les longueurs de diffusions Ln et Lp sont donnes ci-dessous en
fonction des coefficients de diffusion Dn et Dp eux-mmes fonction de la mobilit des porteurs n et p . Puisque
la mobilit de trous est significativement plus faible que celle des lectrons, la longueur de diffusion des
lectrons Ln est plus grande que la longueur de diffusion des trous du ct n, Lp. Ln est typiquement de lordre de
quelques microns. Cest donc du ct p que la zone sur laquelle les photons seront mis est la plus large. Cest la
raison pour laquelle les DEL sont fabriques avec la zone p proche de la surface mettrice comme indiqu sur le
schma de structure dune DEL ci-dessous.

Jonction p-n

Ln = Dn n

Ln
z
Ec

Lp = Dp p
e-

Ev

EF
trous

kBT
D=
e

n 20 p , Ln = qlqs m
eV
!

Structure dune DEL (LED)

Lp
z
Limitation de la rabsorption :
surface metrice en zone p
La zone de gnration de photons la plus large (soit la zone p) est place prs de la surface mettrice afin de
limiter de problme de la rabsorption. En effet, les photons mis pourraient toujours tre rabsorbs par
transition dun lectron vers la bande de conduction. Cet lectron pourra alors se dsexciter de manire soit
radiative soit non radiative. Sil est dsexcit de manire radiative, on retrouve le photon initial et rien nest
perdu quant au rendement de la DEL. Mais il faut garder lesprit que llectron peut se dsexciter de manire
non radiative avec une probabilit non ngligeable surtout si llectron excit se trouve prs dune surface ou
tout autre dfaut de la structure cristalline car il sera alors principalement dsexcit de manire non radiative par
cascade de phonons. Du point de vue du rendement, il y a donc un intrt vident faire en sorte que les photons
soient gnrs dans une rgion la plus proche possible de la surface dmission de la DEL. De cette faon les
photons ont beaucoup moins de chance dtre rabsorbs. Si la rgion n tait mise prs de la surface mettrice,
cette condition ne serait pas satisfaite car tous les photons seraient gnrs trs prs de la zone de charge
despace et devraient encore traverser toute la rgion n o ils auraient de bonne chance dtre rabsorbs.

Rendement des diodes lectroluminescentes


Nous nous intressons maintenant au rendement global des DEL. Nous devons pour cela considrer la puissance
lectrique que requiert la polarisation de la jonction, Plec = I.V o I est fourni par la rponse en courant de la
jonction p-n donne ci-dessous. On a vu plus haut que la puissance lumineuse mise est proportionnelle au
courant I (voir taux de gnration de photons total, Rtot). Mais comme nous venons de le voir, tous les photons
crs ne sont pas mis en raison du phnomne de rabsorption. Ces considrations sont rsumes ci-dessous.

Puissance lectrique : Plec = I . V

o I = I s ( e eV / k B T 1)

Puissance lumineuse mise : Plum ( e eV / k B T 1)


Jonction p-n : zone dmission rduite par Ln = qlqs m
Perte de photons par rabsorption :
Cration de paire e--trou et recombinaison non radiative
(impurets, surfaces, )
Rendement de la diode
Le rendement global dune DEL est par dfinition le rapport de la puissance lumineuse mise sur la puissance
lectrique consomme. Cest donc le produit de la tension applique Va par le courant traversant la jonction; le
courant tant le nombre dlectrons passant la jonction par seconde multipli par la charge de llectron.

! . Nbre de ph otons mis /sec


Puiss. lumineuse
=
Puiss. lectrique
eVa . Nbre d ' e passant la jonction/s ec

En introduisant le nombre de photons crs en le multipliant au numrateur et au dnominateur, nous faisons


apparatre le rendement interne qui nest autre que le rapport du nombre de photons crs sur le nombre
dlectrons passant dans la jonction (ce dernier tant le nombre de paires lectron-trou cres). Le quotient du
nombre de photons mis sur le nombre de photons crs dfinit le rendement optique.

! Nbre de ph otons mis /sec Nbre de ph otons cr s/sec


eVa Nbre de ph otons cr s/sec
Nbre d ' e passant/se c

optique

interne

Nous rappelons ci-dessous la dfinition du rendement interne de luminescence pour expliquer son expression en
terme du rapport du nombre dlectrons passant sur le nombre de photons crs.

int =

1
1 + r / nr

n
n
dn
=

dt
nr r

Nbre de- passant/sec

Nbre de ph. crs/sec

Lexpression du rendement dune DEL est donc la suivante :

!
opt int
eVa

int dtermin par le choix du matriau (GaAs : int 1)


Cest le rendement optique qui limite lefficacit dune LED
Rendement optique des LED
Nous discutons ici le rendement des DEL en fonction de leur structure (en particulier, leur gomtrie). La
structure des DEL est en effet dterminante pour leur rendement. Ceci provient du fait que lindice de rfraction
des S-C est lev et occasionne, ds lors de nombreuses rflexions (voir plus bas). Ces rflexions ont pour effet
daugmenter le trajet des photons dans le S-C et donc daugmenter le risque de rabsorption et diminuer le
rendement. Cet effet est dautant plus marqu que les rflexions renvoient les photons loin de la surface
mettrice et en particulier vers le substrat. Le substrat contient plusieurs interfaces invitablement associes
des dfauts et donc une augmentation de la rabsorption (voir schma ci-dessous).

Rabsorption renforce par les rflexions linterface S-C/air


De plus, il est noter que lmission spontane tant isotrope (pas de direction privilgie), les photons sont
mis dans toutes les directions. Beaucoup seront donc perdus par rabsorption directe sur les parois et interface
de la DEL. En ce qui concerne les rflexions, il y en a de deux types : les rflexions de Fresnel dues au passage
dun changement abrupt dindice et les rflexions internes totales (voir schma de droite ci-dessous).

Rayonnement de nature spontane donc isotrope : 0 < sc < 2


air

nair

nsc

sc

Les rflexions de Fresnel sont partielles et le coefficient de rflexion associ R est donn ci-dessous en fonction
des indices de rfraction du S-C (nsc = 3 4, typiquement) et de lair (nair = 1). A incidence normale ce
coefficient de rflexion vaut peu prs 30% et il augmente quand langle dincidence sc augmente. Si langle
dincidence dpasse la valeur critique de langle de rflexion totale c dont lexpression est donne ci-dessous,
la rflexion est de 100%. Langle de rflexion totale est typiquement de lordre de 15, ce qui signifie que tous
les photons mis dans une direction faisant un angle suprieur 15 par rapport la normale la surface
mettrice restent lintrieur du S-C et finissent par tre rabsorbs. On voit ainsi immdiatement que le rapport
entre le nombre de photons mis et le nombre de photons gnrs dans la jonction (autrement dit, le rendement
optique) sera trs faible si aucune prcaution nest prise. Il est en gnral de lordre de 1%.

Rflexions partielles ( sc 0 )

nsc = 3.5
nair = 1

n n
R = sc air 30 %
nsc + nair

Rflexion totale ( sc > c )


nsc sin sc = nair sin air

c = arcsin(nair / nsc ) 16

Conclusion : opt 1%
Augmentation du rendement optique :
Afin daugmenter le rendement optique des DEL on a recours plusieurs astuces. Lune dentre elles consiste
donner la zone mettrice (rgion de type p) une forme de dme sphrique. Comme indiqu sur le schma cidessous gauche, laugmentation de rendement est simplement due au fait quun plus grand nombre de
directions correspondent maintenant un angle dincidence infrieur langle de rflexion totale. Une autre
technique analogue consiste encapsuler la DEL dans un dme de matire transparente dindice lev (le plus
prs possible de lindice du S-C) de faon liminer le plus possible les rflexions la surface mettrice de la
jonction. La forme de dme de la capsule assure alors un minimum de rflexions totales (voir schma de droite).
Le rendement peut tre ainsi augment dun facteur 4 5 (soit 4 5 % de rendement optique).

Rgion p en dme
hmisphrique

opt 4 5 %

Encapsulation

Choix des matriaux pour les diodes lectroluminescentes


Le choix dun matriau S-C pour une DEL dpend bien entendu de la longueur donde dmission dsire
puisque celle-ci est dtermine par le gap du matriau. En second lieu intervient le rendement quantique
interne du matriau. Pour avoir un rendement lev il faut bien entendu un matriau gap direct, de grande
puret chimique et de bonne qualit cristalline (on utilisera donc prfrentiellement des matriaux fabriqus
par des techniques avances dpitaxie).

Critres

1. Rendement quantique interne : gap direct, grande


puret chimique, pas de dfauts (pitaxie)
2. Longueur donde dmission : nergie du gap

Pour faire le choix du matriau par rapport sa longueur dmission il est commode dutiliser la formule ci
dessous liant lnergie du gap la longueur donde. On peut tout de suite en dduire que les matriaux de gap
proche de 1 eV mettent dans linfrarouge proche et que pour avoir une mission dans le domaine visible il faut
des gaps au moins deux fois plus levs ; ce qui pose un problme pour les applications des DEL laffichage
car les matriaux de gap lev et direct ne sont en gnral pas ceux utiliss couramment dans les applications de
llectroniques (matriaux moins connus, techniques de fabrication moins efficaces, difficults technologiques
pour le dopage, incompatibilit avec la technologie lectronique usuelle, etc)

! = Eg

! = h / 2 , = 2c /

h = 6.626 1034 J.sec , c = 3 10 8 m/sec , 1 eV = 1.6021019 J

[m]. Eg [eV ] = 1.24

Eg = 1 eV

= 1.24 m IR

Eg = 2 eV

= 0.62 m Vis.

Le tableau suivant donne les diffrentes caractristiques intressantes pour les application optiques des S-C. On
y voit quaucun matriau gap direct ne permet la fabrication de DEL dans le visible, en particulier, en raison
de difficults lies au dopage (pour les matriaux tels que ZnS, Zn Se, ZnTe).

Application laffichage (LED visibles)


La figure ci-contre montre un classement des
composs S-C selon leur groupe (III-V et IIVI pour les deux premires colonnes et leur
nergie de gap. Sur la gauche est indique la
courbe de sensibilit de loeil humain. Les
matriaux gap direct sont souligns en
hachur.
En pratique ce sont les composs III-V qui
sont choisis en raison de leur facilit de
fabrication. Le problme est que les seuls
composs III-V avoir un gap dans le visible
sont le GaP et le AlAs qui ont tout deux un
gap indirect. Le GaAs et lInP ont un gap
direct mais il mettent dans le proche infrarouge. Lide est alors de fabriquer des
alliages ternaires. Les alliages GaAsP,
AlGaAs et GaInP sont indiqus par les bandes
verticales (celles-ci sont hachures quand
lalliage a un gap direct.

GaP : Eg = 2.26 eV
GaAs : Eg = 1.44 eV

= 0.549 m visible mais gap indirect


= 0.861 m IR proche mais gap direct

Solution : alliage ternaire GaAs1-xPx


Lide de lalliage ternaire est de raliser un compos dans lequel deux lments de mme valence se trouvent
ensembles, en une proportion donne x, lis llment de la valence complmentaire. Dans lexemple ci-dessus
les lments As et P de valence V sont mlangs et combins au Gallium de valence III pour donner un nouveau
matriau S-C. Le pas du rseau du S-C rsultant de cet alliage se voit modifi linairement en fonction de la
proportion de lalliage, comme indiqu par la formule ci-dessous droite. Il importe nanmoins que les
constantes de rseau des deux composs purs correspondants (de proportions 0 et 1) soient suffisamment
proches pour viter des problmes de dislocations (cf. puret cristalline). De mme lnergie du gap de lalliage
et une fonction linaire de la proportion x des lments.

Pas du rseau
GaP : a , GaAs : A
a = x a + (1-x) A
Energie du gap
Eg = x EgGaP + (1-x) EgGaAs

La figure ci-dessus montre les courbes de variation de lnergie des gaps direct et indirect de lalliage ternaire
GaAs1-xPx en fonction de la proportion de Phosphore x. On notera que la variation du gap avec x nest pas
strictement linaire contrairement la formule approche ci-dessus. Les deux gaps augmentent nanmoins de
manire monotone et quasi-linaire avec x; la structure de bande correspondante aux diffrentes valeurs de x est
reprsente sur le schma de droite. Pour les applications laffichage dans le visible on utilisera donc des
valeurs de x leves. Nanmoins, comme on le voit sur la figure, au-del de x = 0.45 le gap indirect (direction
cristalline X) devient infrieure au gap direct (direction cristalline ). Il faudra donc, en principe, se limiter
des valeurs de x infrieures 0.45 pour des raisons de limitation du rendement quantique interne de la DEL. Le
gap limite correspondant est lgrement infrieur 2 eV ce qui correspond lmission de lumire rouge-orang
(proche de la limite infrieure de la courbe de sensibilit de loeil).

Alliages ternaires et quaternaires


Le tableau ci-dessous montre les courbes de constante de rseau en fonction du gap des alliages ternaires. Les
courbes de pente proche de zro (AlGaSb, AlGaAs) reprsentent les alliages ternaires les plus facilement
ralisables puisquils ne prsentent pas de problme de contrainte induite par les diffrences de maille de rseau.
Les cassures dans les courbes des alliages ternaires GaAsP et InGaP sexpliquent par le passage du gap direct au
gap indirect (ce dernier tant indiqu par les lignes en zig-zag).
Pour certaines applications ncessitant des cristaux de bonne qualit (ceux-ci sont obtenus avec les alliages de
composs de mme constante de rseau tels que AlGaSb, AlGaAs) on a recours des alliages quaternaires.
Ceux-ci consistent en des alliages dans lesquels les deux lments de valences complmentaires sont doubls.
Parmi les alliages S-C quaternaires lInGaAsP est particulirement important car il est utilis pour les
applications aux tlcommunications (sources lumineuses aux longueurs donde de 1.3 et 1.5 microns
innaccessibles avec lalliage AlGaAs.

Exemple de
Diode au GaAsP

Le schma de droite montre une structure classique de DEL au GaAsP. Les zones hachures reprsentent les
lectrodes mtalliques. La premire couche de S-C est du GaP pur qui sert de substrat de dpart pour la
croissance cristalline de lalliage. La deuxime couche est une couche tampon dans laquelle la proportion
dArsenic est augmente progressivement de manire viter la prsence dun trop grand nombre de dfauts du
la grande diffrence de constante de rseau du GaP et du GaAs (voir schma ci-dessous). Une deuxime
couche tampon x constant (sur le schma ci-dessous x = 0.35 correspond x = 0.65 du schma de la page
prcdente, ce qui correspond un gap grand mais indirect) est galement introduite de manire liminer au
maximum les dfauts dans la zone utile de la DEL. La zone x = 0.35 est alors dope n et ensuite dope p de
manire obtenir la jonction p-n avec le gap lev voulu pour laffichage dans le visible jaune-orang.
Pour remdier au problme du gap indirect obtenu avec x = 0.35 on a recours un dopage lazote de la zone
utile de la DEL (jonction p-n). Lazote a la mme valence que le phosphore mais il est plus petit (les couches
priphriques correspondent au nombre quantique principal de n=2 au lieu de n=3 pour le phosphore). De ce fait
lazote forme un pige lectron dans le cristal et il se charge ngativement. Les trous se combinent ces
charges ngatives localises et forment donc des excitons. Ces excitons tant lis, ne doivent pas tre vus
comme des tats lectroniques du S-C, en particulier, la transition lectronique de recombinaison lectron-trou
nobit pas la loi de conservation de la quantit de mouvement. En effet, si il sagit dun tat confin, les
fonctions donde ont une extension x faible correspondant une grande valeur de lincertitude sur la quantit
de mouvement, soit k. Ds lors, malgr le gap indirect, la prsence de tels centres de recombinaison permet
dobtenir des rendements quantiques internes raisonnablement levs. Ceci est rsum la page suivante.

Pour des valeurs plus faible de (gap indirect) : dopage lazote


N : 2s2 2p3
P:

3s2

3p3

N capte un e- qui attire un trou : exciton li


systme confin : kx = 2
o x < a

k > 2/a

plus de rgle de slection

Rendement interne

La figure de gauche montre la variation du rendement quantique interne de la DEL de GaAsP en fonction de la
proportion de phosphore. On voit que ce dernier chute fortement au-del de x = 0.45 (notez que lchelle
verticale est logarithmique). La figure montre aussi le rendement quantique interne en prsence dazote ; on
constate que la suppression de la rgle de transition k = 0, permet daugmenter significativement lefficacit
dune DEL gap indirect. Le graphe de droite donne la longueur donde dmission en fonction de la proportion
dazote. On notera la cassure dans la courbe correspondant au S-C non-dop ; celle-ci est bien entendu cause
par le changement du gap direct au gap indirect. On remarque galement que la longueur donde augmente en
prsence dazote, ce qui sexplique par le fait que les recombinaisons se font maintenant entre lectrons et trous
lis auxquels correspond une nergie de liaison infrieure celle du gap naturel du matriau.

Cette brve discussion concernant le choix des matriaux pour les DEL ne fait que nous donner une petite
indication du type de techniques auxquelles on peut recourir pour surmonter des obstacles a priori
infranchissables avec les S-C. On voit que le secret du progrs dans la matrise de la lumire par les S-C vient
principalement de lingnierie des matriaux (p.ex. la possibilit de fabriquer des alliages ternaires ou
quaternaires, la possibilit de doper les S-C, etc...). Avec les progrs raliss rcemment les DEL permettent de
couvrir un large spectre de longueur dmission comprenant la quasi totalit du visible et linfrarouge proche
(pour les applications tlcoms entre autre). Pour donner une ide de lavancement des recherches dans ce
domaine, la page suivante est consacre la prsentation dune DEL en matriau polymre. Ces matriaux ne
forment pas de cristaux mais ont nanmoins une structure priodique (uni-dimensionnelle) leur confrant des
proprits semi-conductrices (prsence de bandes interdites de largeur de lordre de leV). Ces matriaux sont
donc photo-luminescents. Le simple passage dun courant y cre une excitation (ils ne ncessitent pas de
jonction p-n), cest pourquoi leur structure est si simple (cf page suivante). De plus, la flexibilit (lastique) de
ces matriaux rend leur utilisation trs souple (pas de substrat rigide encombrant, etc..).

50
Applications futures : les polymres semi-conducteurs
Exemples de matriaux

Application laffichage

Structure des DEL en polymre

Rendement quantique
et luminence

La figure ci-dessus a droite montre le dsavantage principal des matriaux polymres : leur rendement quantique
est relativement faible par rapport celui des jonctions p-n des cristaux S-C classiques.

Les LED htrojonction double


Lhtrojonction
Le terme htrojonction dsigne la jonction entre deux semi-conducteurs de gaps diffrents. Il sagit dune
jonction pitaxie, cest dire, obtenue par croissance directe dun cristal semi-conducteur sur un plan
rticulaire de surface dun autre cristal. Une telle croissance ne peut se faire que si les constantes de rseau
des deux S-C sont suffisamment proches, de manire viter la prsence de dfauts (p. ex. dislocations)
la jonction. Une hterojonction peut, par exemple, tre ralise en faisant crotre un cristal de AlAs sur du
GaAs car leur constantes de rseau sont toutes les deux de lordre de 5.65 . Le diagramme de bande de
lhtrojonction rsultante est reprsent schmatiquement ci- dessous. Par dfinition, les niveaux de
Fermi des deux composs salignent lquilibre (mise niveau du potentiel lectrochimique). Ds lors,
puisque le gap de lAlAs est plus grand que celui du GaAs, les bandes de conduction et de valence se
raccordent en formant deux marches de potentiel. Puisque les constantes de rseau des deux cristaux ne
sont pas exactement les mmes, la densit de porteurs nest pas la mme de part et dautre de
lhtrojonction (il y a plus de porteurs du cot de la constante de rseau la plus faible, le rapport des
densit tant donn par le rapport de constantes de rseau au cube). La diffusion naturelle des porteurs tend
alors homogniser la concentration de porteur (le porteurs vont l o ils sont le moins nombreux au
dpart; vers lAlAs dans lexemple ci-dessous) et cre ainsi une charge despace qui courbe les bandes de
conduction et de valence au voisinage de la jonction. Les marches de potentiel ainsi cres ont une hauteur
donne approximativement par la moiti de la diffrence des gaps des deux S-C (le calcul rigoureux des
diffrences de potentiel dpasse de loin le cadre de ce cours).

!
E

Ec1

Eg1

EF1

Ec2

Ec

EF2

EF

Eg2

Ev1
Ev2
Ex: GaAs

Ev

AlAs

Ec Ev (Eg2 -Eg1)/2

Rgion de charge despace due la


diffrence de constante de rseau
(cf. diffrence de densit)

Lorsque, lhtrojonction est ralise entre deux semi-conducteurs dops n et p, les marches de potentiel se
rajoutent la courbure des bandes due la charge despace de la jonction p-n classique. Par convention, la
rgion de grand gap sera note par une lettre majuscule (N ou P) tandis que pour la rgion de petit gap la
notation usuelle est conserve (n ou p).
Lhtrojonction est habituellement utilise en paire appele double htrojonction. Dans lexemple cidessous, nous donnons un exemple de double htrojonction N-p-P en AlAs-GaAs-AlAs. Le diagramme de
bande est donn pour la double htrojonction non polarise et polarise. On constate dans le cas de la
jonction polarise que les bandes de conduction et de valence forment toutes deux un puits de potentiel
pour leurs porteurs respectifs. Ces puits de potentiel crent un confinement des porteurs minoritaires
injects par polarisation de la jonction. La concentration de porteurs libres (e- et trous) est donc leve cet
endroit et le taux de recombinaison radiative en sera dautant plus grand.

Notons que dans une jonction p-n classique, les porteurs minoritaires, par exemple les lectrons,
sont injects du ct p o peu de trous libres sont prsents pour la recombinaison. Dans
lhtrojonction double, on met en prsence les lectrons et les trous en grand nombre. En plus de
cet avantage, qui comme on le verra est surtout intressant pour le laser semi-conducteur, les
photons mis par recombinaison ne sont pas rabsorbs en dehors de leur zone de gnration
puisque le gap est plus grand que leur nergie dans ces rgions (bien entendu, les photons ont
lnergie du petit gap). Il en rsulte un trs bon rendement optique pour les DEL double
htrojonction.

Semiconducteurs dops
Double htrojonction

Htrojonction P-n
P
n

(jonction polarise)

P
"

eV
" E gp < E gN , E gP

Barrires de potentiel :
grand confinement de porteurs

pas de rabsorption

opt

Nous prsentons ci-dessous une brve discussion relative au choix des matriaux S-C pour les DEL double
htrojonction en fonction de leurs applications. Nous nous concentrerons plus particulirement sur les
applications des DEL aux tlcommunications optiques.

52

LED pour les tlcommunications fibre

Nous donnons ci-dessous le spectre dabsorption des fibres optiques de silice utilises en tlcommunication.
Comme nous pouvons le voir le minimum dabsorption se situe aux environs de 1.55 microns juste aprs le
pic dabsorption correspondant labsorption par les ions OH- (dus la prsence invitable de rsidu aqueux
lors de la fabrication des fibres). Pour des raisons technologiques que nous aborderons plus bas, les sources
1.55 microns nexistaient pas au dbut de lavnement des communications par fibre optique. Les semiconducteurs permettaient tout au plus datteindre linfra-rouge trs proche ( infrieur au micron). Les
premires applications des fibres optiques utilisaient donc le minimum relatif du spectre dabsorption se
situant 850 nm (ce minimum nest pas bien visible sur le spectre ci-dessous car il sagit du spectre
dabsorption dune fibre moderne). La rgion autour de ce minimum sappelle la premire fentre des
tlcommunications optiques (1re fentre tlcom). Les LED en GaAs permettaient datteindre cette
fentre.

Spectre dabsorption des fibres optiques


Fentres tlcom
1 = 0.85 m
2 = 1.3 m
3 = 1.55 m

Nous donnons ci-dessous, la dispersion chromatique des fibres optiques de silice en fonction de la longueur
donde. Nous voyons que les fibres standard prsentent un zro de dispersion aux alentours de 1.3 microns. A
cette longueur donde le spectre dabsorption prsente un minimum relatif (avant le pic OH-), cette zone
sappelle la seconde fentre tlcom. Comme nous lavons vu dans lintroduction du cours, il y a intrt
minimiser la dispersion pour transmettre des donnes. Dans ce but il a fallu raliser des sources lumineuses
mettant 1.3 microns. Ceci a pu tre ralis grce aux progrs de lingnierie des matriaux semi-conducteurs
et en particulier grce la matrise des composs ternaires. Nous voyons dans le diagramme donnant la
constante de rseau en fonction du gap des S-C que lutilisation de composs ternaires tels que le In GaAs ou le
InAsP permet datteindre la seconde fentre tlcom. La troisime fentre tlcom vu le jour lorsque la
technologie des fibres a permis de dplacer le zro de dispersion des fibres 1.55 microns o labsorption est
son minimum absolu. Les sources semi-conductrices pour cette longueur donde sont actuellement ralises
partir dalliages quaternaires (voir la zone InGaAsP du diagramme ci-dessous) permettant dobtenir une large
gamme de dispositifs bass sur les htrojonctions et autres micro-structures telles que les puits quantiques
multiples (voir fin du cours).

Dispersion des fibres optiques

Choix des matriaux

1re fentre : Al1-xGaxAs


2me et 3me fentres : In1-xGaxAsyP1-y (x = 0.45 y, substrat dInP)
Pour la premire fentre tlcom, soit 850 nm, le matriau de choix tait lalliage ternaire AlGaAs.
Pour les 2me et 3me fentres (1.32 et 1.55 microns), un matriau de choix est lalliage quaternaire
In1-xGaxAsyP1-y dans lequel la relation x = 0.45 y est vrifie de manire conserver une constante de rseau
identique dans toute les couches de la structure double htrojonction en partant dun substrat dInP pur pour
la croissance cristalline (pitaxie).

Nous montrons ci-dessous la structure dune DEL en AlGaAs pour la premire fentre tlcom. Lpitaxie est
ralise de manire ce que la couche mettrice de GaAs dop p dpaisseur de 1 micron soit place entre les
deux couches de gap suprieur en AlGaAs (double htrojonction) le tout est pitaxi sur un substrat de silice
sur lequel un contact mtallique (cathode) est appliqu lendroit o la fibre optique est dpose de manire
avoir un maximum dmission lumineuse dans la fibre(la fibre est une fibre multimode capable de recevoir les
rayons de forte inclinaison (cf. DEL = rayonnement isotrope). Afin de rcuprer le plus de lumire possible, la
fibre est approche de la zone mettrice grce une dpression cre par gravure dans la couche de
consolidation suprieure (couche sur laquelle est applique lanode). Le tout est scell dans de la rsine poxy
pour assurer la stabilit mcanique de lensemble.

exemple

Le schma ci dessous droite montre un autre type de structure. Il


sagit d une structure qui favorise lmission de photons dans le
plan de la couche mettrice (mission longitudinale). Nous
reviendrons plus bas sur ce type de structure avec les DEL
superradiance.

(LED mission longitudinale)

Problmes lis louverture angulaire dmission :


Ci-dessous gauche nous voyons la structure dune DEL base sur lutilisation dune lentille sphrique de silice
pour amliorer le rendement optique du systme (il sagit dune DEL pour la 2me fentre tlcom). Comme
mentionn plus haut, un gros dsavantage des DEL est lisotropie de leur mission qui ncessite lutilisation de
fibres multimodales en raison de leur grande capacit angulaire de rception des rayons (une fibre monomode ne
recevrait quune infime partie du rayonnement mis).

Utilisation de fibres multimodes


Lentille
sphrique

n(x)

Dispersion
intermodale

Le problme des fibres multimodales est que chaque angle de rayon guid correspond une vitesse de
propagation diffrente de la lumire. Linformation code par la lumire sera donc facilement distordue car une
impulsion lumineuse verra son nergie distribue selon des rayons de vitesses diffrentes et sera donc largie
indpendamment de la dispersion chromatique de la silice, il sagit de la dispersion intermodale (celle-ci est en
gnral beaucoup plus leve que la dispersion chromatique).

Amlioration : LED superradiance


La situation peut tre fortement amliore en utilisant une DEL superradiance. Le principe en est le suivant : si
lon polarise la jonction avec une ddp suprieure au gap, on aura amplification optique dans la zone mettrice de
petit gap. Les photons ont donc tendance se multiplier dans laxe de la couche mettrice. Si lon dispose alors
les lectrodes en bande, les photons seront multiplis sur une grande distance et le rayonnement deviendra
intense tout en ayant une bonne directivit car seuls les photons se propageant dans laxe des lectrodes sont
multiplis. On peut alors utiliser une fibre faiblement multimode (voire monomode). Ce principe de
fonctionnement est trs proche de celui du laser.

Polarisation leve : EF > Eg

Gain
x

P
p
N

n(x)

Les quelques lignes ci-dessous rsument les dsavantages des DEL : en raison du rayonnement isotrope li au
principe mme de la photoluminescence, le rendement optique des DEL sont faibles et les puissances injectes
dans les fibres ne dpassent pas quelques W. De plus la photoluminescence a le dsavantage davoir une
grande largeur spectrale fixe par lnergie thermique (25 nm temprature ambiante). Tout cela fait que les
DEL ne sont utilises que pour les communications courtes distances (rseaux locaux) pour lesquels les
problmes de puissance lumineuse des sources et de dispersion ne se posent pas.

Problme : Puissance lumineuse injecte limite quelques W


Grande largeur spectrale (cf. nergie thermique 25 nm)
LED pas utilises pour communication longues distances
Seulement pour rseaux locaux Lmax qlqs km
Nous verrons dans le chapitre suivant que le laser S-C permet dviter ces problmes.

Les Lasers semiconducteur


Avant dtudier le laser S-C proprement dit, voyons tout dabord le principe de fonctionnement du laser. Un
laser est une cavit optique dans lequel se trouve un milieu gain optique. La cavit peut tre, par exemple,
forme dun semi-miroir et dun miroir parallles se faisant face de manire ce que les photons puissent faire
des aller-retour en traversant le milieu gain. Comme nous lavons vu plus haut, le gain optique peut tre ralis
par mission stimule sur base dune inversion de population.
Le principe de fonctionnement du laser est le suivant : imaginons un premier photon spontan mis dans le
milieu gain (comme on la vu plus haut, lmission spontane y est invitable). Si ce photon est mis dans
laxe de la cavit (perpendiculairement au miroirs) il sera rflchi par un des miroirs et reviendra dans le milieu
gain o il sera multipli, disons N fois. Le groupe de N photons rsultants sera nouveau amplifi lors de son
passage suivant dans le milieu gain aprs rflexion sur un des miroirs. Il en rsultera N2 photons dans la cavit.
En se rptant ce processus conduit une croissance exponentielle du nombre de photons. Bien entendu la
croissance est limite par le phnomne de saturation de gain vu plus haut. Si lintensit optique devient trop
forte, un quilibre stabli entre mission stimule et absorption (annulation de linversion de population).
Aussi, dans ce raisonnement nous navons pas tenu compte du fait que des photons quittaient la cavit chaque
aller-retour au travers du semi-miroir. Ce sont ces photons qui constituent le faisceau laser. Puisque, tous les
photons sont identiques au premier photon spontan (cf. Proprits de lmission stimule) ils sont bien entendu
tous en phase et le rayonnement laser est parfaitement cohrent (du moins en principe). Naturellement, ce
raisonnement est idalis. En pratique il ny a pas quun seul photon spontan mis. Cependant, mme si
lmission de photons spontans a lieu de manire continue, ce sont toujours les premiers photons apparaissant
dans la cavit qui seront amplifis prfrentiellement (ces premiers photons prendront toute lnergie contenue
dans linversion de population en raison du principe de croissance exponentielle des photons). Le faisceau sera
donc bien cohrent et lmission spontane ne constitue jamais quune source de bruit comme pour
lamplificateur optique (lmission spontane est source de bruit puisquelle gnre des photons qui nont pas de
relation de phase avec les autres). Un faisceau laser nest donc jamais parfaitement cohrent.

Principe de base du laser


Cavit optique

Cavit = miroirs parallles


Gain = mission stimule

miroir

semi-miroir

Milieu gain optique

Principe : cration
dune onde cohrente
par multiplication
des photons dans la
cavit partir dun
photon spontan

Historique :
Nous reprenons ci-dessous les diffrentes tapes qui ont t ncessaire dans le progrs de la physique pour
aboutir lavnement du laser S-C. Le premier ingrdient ncessaire a bien entendu t la dcouverte du
photon par Planck et Einstein. Est venu ensuite le concept dmission stimule dcrit pour la premire fois par
Einstein. La notion de gain optique nest apparue que en 1950 avec les travaux de Kastler sur le pompage
optique (technique dinversion de population dun systme datomes). En 1954 Townes ralisa le premier
MASER (Microwave Amplification by Stimulated Emission of Radiation) sur base de lexcitation des niveaux
de vibration de molcules dammoniac se trouvant dans une cavit. En 1958 Townes suggre la possibilit de
raliser un Maser optique (le Laser) bas sur le mme principe mais utilisant des transitions atomiques. En 1960
le premier laser fut construit utilisant des transitions atomiques de lion de Chrome dans une matrice dalumine
(rubis). En 1961 Bernard et Duraffourg (France) propose, sur base du concept de quasi-niveau de Fermi,
lutilisation dune jonction p-n semi-conductrice pour la ralisation de linversion de population. Il na fallu
attendre quun an aprs cette proposition pour voir fonctionner le premier laser S-C en 1962 dans plusieurs
laboratoires de recherche industriels. Il sagissait dune diode (jonction p-n) en GaAs fonctionnant trs basse
temprature (77K, nous verrons plus loin pourquoi une telle temprature). Il a fallu attendre 5 ans pour voir
fonctionner la premire diode laser temprature ambiante. Celle-ci tait base sur le concept essentiel de
double htrojonction.

- 1900 : Rayonnement du corps noir, photon (Planck)


- 1917 : Emission stimule (Einstein)
- 1950 : Pompage optique, gain optique (Kastler)
- 1954 : Maser ammoniac, microonde = 1.25 cm (Townes)
- 1958 : Ide du Maser optique, cavit + gain optique (Townes)
- 1960 : 1er Laser, rubis (Al2O3 + Chrome) = 0.69 m
- 1961 : Ide du gain optique dans les S-C, quasi-niveau de Fermi EF > Eg
(Bernard et Duraffourg)
- 1962 : 1er Laser S-C, GaAs = 0.85 m, 77 K (IBM, MIT, GE)
- 1967 : Le laser htrojonction, variable, 300 K (Kroemer)
Le grand avantage des S-C par rapport au autres matriaux gain optique est quils prsentent une densit de
diples lectriques (ou porteurs excits) extrmement leve (les autres matriaux gain sont essentiellement
des gaz ou des verres ou des cristaux dops dans lesquels la densit de diples lectriques est trs faible devant
les 1018 cm-3 des S-C). Cela conduit naturellement des gains optiques levs sur des longueurs rduites. De
plus le pompage optique dans les S-C peut se faire par simple polarisation dune jonction p-n ce qui est
particulirement facile et efficace par rapport aux techniques de pompage optique classiques.

Avantages des S-C : Densit de diples leve (1018 cm-3)


gain lev

dimensions rduites

Pompage par courant ( lev, modulable)

Le laser homojonction
Comme nous lavons vu plus haut, pour obtenir du gain optique dans une homojonction, il faut polariser la
jonction avec une ddp suprieure au gap du S-C. Linversion de population nest alors ralise que dans la zone
de charge despace, l o la fois les quasi-niveaux de Fermi EFc et EFv sont respectivement suprieur et
infrieur au bas de la bande de conduction et au sommet de la bande de valence (entre les lignes pointilles du
schma ci-dessous). Cette zone est troite et sa largeur dpend fortement de la ddp applique. En fait elle
nexiste que si la ddp applique est suffisamment leve. En pratique lobtention de cette zone dinversion de
population requiert une telle ddp que le courant associ est trs grand ce qui a pour effet de chauffer fortement la
jonction. Lchauffement est si fort que pour conserver les proprits de la jonction intacte, il faut refroidir le
systme lazote liquide (77 K). Une telle solution nest videmment pas acceptable pour les applications du
laser S-C.

p
Ec

EFc

n
e-

"

Ev

Problmes :
eV

EFv

trous

I 1000 A/mm2

- Zone active limite


(de taille variable)
- Courant lev (chauffement)
Refroidi lN liquide (77K)

Le laser htrojonctions
Le laser S-C est devenu accessible pour les applications grce linvention de la double htrojonction.
Comme nous lavons dj vu pour les DEL, la structure en double htrojonction cre une double barrire de
potentiel pour les porteurs minoritaires injects. Le confinement de porteurs qui en rsulte conduit une grande
facilit dinversion de population. La ddp applique ne doit pas tre trs importante (elle doit juste excder le
petit gap de la structure) et la diode laser peut fonctionner temprature ambiante. De plus la largeur de la zone
dinversion de population est maintenant fixe lors de la fabrication du dispositif et ne dpend donc plus de la
ddp, le contrle du fonctionnement de la diode laser en est donc fortement simplifi.

P
"

eV
0.1 1 m
I 10 A/mm2

Avantages :
- Zone active dtermine par
construction, confinement des
porteurs minoritaires
courant faible (300K)

Structure de base des lasers S-C


Les schma ci-dessous illustrent la structure de base de lasers S-C homojonction et double htrojonction. La
structure est particulirement simple dans la mesure o la zone gain est forme par la jonction p-n et que la
cavit est simplement forme par les faces parallles clives du cristal se trouvant dans les plans
perpendiculaires au plan de la jonction (les deux autres faces parallles ne sont pas clives ; au contraire elles
sont rendues rugueuses de manire minimiser leur rflectivit afin dviter davoir une deuxime direction de
lasage (on dsire en gnral un rayonnement uni-directionnel)). La rflectivit des miroirs ainsi obtenus est
donne par la loi de la rflexion de Fresnel et est de lordre de 30%. Un des grands avantages supplmentaires
de la structure en double htrojonction, est leffet de guidage quelle offre naturellement. En effet, les indices
de rfraction des couches grand gap sont plus faibles que celui de la couche petit gap. La zone gain est
donc galement une couche guidante. Il sen suit que mme les photons mis en dehors de laxe de la cavit
peuvent tre guids et donc tre galement amplifis pour participer au rayonnement laser (ce qui nest pas le
cas en labsence de guidage puisque tout photon mis hors axe est vacu de la zone de gain).

homojonction

htrojonctions
miroirs = surfaces clives
2

n 1
R =
30 %
n + 1

P
p
N

Avantage supplmentaire :
n(x)

I(x)

effet de guidage, n 5%

Modle phnomnologique simplifi du laser


Dans le but dtablir un modle simplifi dune diode laser S-C, nous commenons par analyser la manire de
modliser le gain optique en fonction du degr dexcitation de la jonction. A cette fin, nous avons reprsent la
figure de gauche ci-dessous les courbes de spectre de gain en fonction de la densit de porteurs injects. La
densit de porteurs injects est bien entendu fonction du courant traversant la jonction. Pour tablir le lien entre
ces deux quantits nous avons crit ci-dessous droite lquation de bilan des porteurs. Celle-ci exprime
simplement que le nombre dlectrons de la bande de conduction diminue avec une constante de temps c (temps
de vie des lectrons dans la bande de conduction) et augmente avec le courant inject (I tant le courant cest
dire le nombre dlectrons passant la jonction par unit de temps, on divise ce nombre par la charge de llectron
e et par le volume de la zone de gain pour avoir la contribution du courant la variation de densit de porteurs
dans celle-ci). On arrive donc tablir la relation de proportionnalit existant entre le courant inject et la
densit de porteurs. La figure de droite montre comment le gain maximal (maximum des courbes spectrales de
gain) varie en fonction de la densit de porteurs. Nous voyons que la variation comporte un seuil et que peu
aprs ce seuil le gain est une fonction linaire de la densit. Dans notre modle simplifi du laser nous
ngligerons la courbure de la fonction autour du seuil et nous supposerons que le lien entre gain g et densit de
porteurs ne est linaire selon la loi crite ci-dessous, o est appele la section efficace de gain optique et no la
densit de seuil. Des valeurs typiques de ces deux quantits sont donnes ci-dessous.

Gain dans les S-C


Bilan des porteurs

dne
n
I
= e +
=0
dt
c eVol

I c
ne =
eVol

g = ( ne no )

10-16cm2 , section efficace de gain


no 1018 cm-3 , densit de seuil

Cavit : rsonances du champ E-M


Nous devons ensuite modliser le rle de la cavit. Pour cela nous passons une description classique du champ
lectromagntique de la lumire et nous dcrivons la variation temporelle de ce champ en terme de son
volution passage aprs passage dans la cavit. Le champ sur un passage dans la cavit peut sexprimer comme
Enexp(ikz) o E est lamplitude et k le vecteur donde. Pour le trajet dans lautre sens nous avons donc la forme r
Enexp(-ikz) o r est la rflectivit du miroir (face clive r = 30%). En prenant en compte les rflexions sur les
deux faces clives, les pertes par absorption dans le matriau S-C (soit int le coefficient de perte par unit de
longueur en terme dintensit lumineuse) et le dphasage total de londe sur un aller-retour, nous pouvons
exprimer le champ en un point de la cavit (ici ltoile indique sur la figure ci-dessous) en fonction du champ
au mme point un aller-retour plus tt, soit la formule donnant En+1 en fonction de En ci-dessous (n reprsentant
le nombre daller-retours effectus par londe lectromagntique). Le facteur rr reprsente leffet des rflexions,
exp(- int2L) reprsente les pertes internes exprimes en intensit sur un aller-retour dans la cavit ; exprimes
en amplitude les pertes sont donc bien exp(- (int/2)2L), de mme pour leffet du gain nous trouvons exp((gt/2)2L) o g est le gain en intensit (ou, de manire quivalente, en nombre de photons).

En e

ikz

r En e ikz
L

n 1
2
R =
= r
n + 1

volution du champ E-M sur un tour

E n +1 = E n r r e ik 2 L e

int
g
(2 L)
( 2 L)
2
2
e

Nous imposons ensuite que le rgime du laser soit stationnaire (rgime dquilibre).

Rgime stationnaire : En +1 = E n
Pour que le laser fonctionne en rgime stationnaire il faut donc satisfaire deux conditions. Lune provient du
terme de phase de la relation ci-dessus. Elle exprime simplement le fait que londe lumineuse dans la cavit est
la rsonance. Cest dire quaprs un aller-retour dans la cavit les photons se retrouvent avec la mme phase
de faon ne pas se dtruire par interfrences destructives tour aprs tour dans la cavit. Le vecteur donde tant
fonction de la frquence de la lumire, cette condition de phase est en fait une condition sur la frquence de la
lumire mise par le laser. On voit que le laser ne peut laser que sur des frquences bien dtermines
fonction de la longueur de la cavit L et de son indice de rfraction n. Ces frquences sont appeles les modes du
lasers. Les expressions et donnent la distance entre les modes du laser en termes de frquence angulaire
et frquence, respectivement.

1. Condition de phase :

e 2ikL = 1 2kL = 2m

n
m c
L = m m =
c
nL

c
c
, =
nL
2nL

La deuxime condition de stationnarit ou dquilibre du laser est fournie par lgalisation des amplitudes (ou la
conservation du nombre de photons dun tour lautre dans la cavit). Cette condition exprime donc un
quilibre entre les pertes internes de la cavit, les pertes par les miroirs et le gain optique. Les deux premires
tant fixes par le dispositif, cette condition est une condition sur le gain : pour quil y ait quilibre il faut que le
gain soit gal aux pertes totales de la cavit. Les pertes totale de la cavit sont exprimes ci-dessous au travers
du coefficient cav qui globalise les pertes sous forme de pertes distribues par unit de longueur (mir reprsente
les pertes dues au miroirs comme si celles-ci taient distribues sur toute la longueur de la cavit comme les
pertes internes dabsorption).

2. Condition damplitude :

ln( R ) int L + gL = 0

R e int L e gL = 1
g = int + ln(1 / R ) / L = cav

mir
Cette condition sur le gain fait immdiatement entrevoir le fait que le laser prsentera un seuil dexcitation avant
de se mettre laser . Il faudra en effet que ne (cest dire le courant I) soit suffisamment lev que pour que
g puisse atteindre cav. Pour cette raison la condition g = cav porte le nom de condition doscillation du laser
(oscillation signifie ici oscillation du champ lectromagntique de la lumire, cest dire lasage ).

g = ( ne no )

Effet de seuil :

g = cav

I c
eVol
(condition doscillation)
o

ne =

A laide des relations tablies prcdemment il est facile dexprimer la condition doscillation en terme du
courant dexcitation de la jonction. Soit Is le courant de seuil du laser.

I s c
no ) = cav
eVol

eVol cav
Is =
(
+ no )
c

La figure ci-dessous donne le spectre de gain ainsi que les pertes internes dabsorption int et les pertes globales
de la cavit cav. Les modes du lasers sont galement reprsents par des tirets sur laxe des absisses. On voit
que plusieurs modes peuvent a priori remplir la condition doscillation, cest dire peuvent laser .
Pour comprendre comment les choses se passent en pratique il faut faire le raisonnement suivant. Imaginons que
le courant augmente progressivement partir de zro. Tant que le gain reste infrieur aux pertes internes, les
photons ne sont pas amplifis dans la cavit et la diode laser fonctionne en rgime de rayonnement spontan
essentiellement. Une fois que le gain devient suprieur au pertes internes, les photons des modes de gain le plus
levs commencent tre amplifis dans la cavit, mais pas suffisamment que pour compenser les pertes de
photons par les miroirs. La diode laser fonctionne alors comme une DEL superradiance ; on commence avoir
une meilleure directivit et le nombre de modes mettants est plus rduit quen rgime spontan. Lorsque le
courant est tel que le mode le plus amplifi remplit la condition doscillation, le systme fonctionne en mode
laser. Dans ce rgime le gain est suprieur aux pertes et a priori le nombre de photons pourraient crotre
linfini. Bien entendu il nen est rien puisque plus lintensit lumineuse dans la cavit augmente, plus le gain
devient faible (cf. Saturation de gain). Il y a donc un quilibre naturel qui stablit de telle sorte que le gain
compense tout juste les pertes totales (la courbe spectrales ci-dessous nest donc quune vue de lesprit). Donc, a
priori, un seul mode peut laser dans le systme : celui qui correspond au gain le plus lev.

Spectre dmission des lasers

g
cav
int
Eg

c
nL

EF

"
AlGaAs/GaAs , L = 250 m

Les spectres ci-dessus droite, illustrent le raisonnement que nous venons dtalir. Pour une faible excitation
(75 et 80 mA) le systme fonctionne en rgime spontan et ne slectionne donc pas les modes. Pour une
excitation plus leve (85 mW) on entre en rgime de superradiance o les modes commencent tre
slectionns selon leur gain relatif. Au courant de 100mW le mode de gain maximal est en rgime de lasage et
est donc clairement slectionn par rapport aux autres. Toute fois pour des raisons dont lexplication dpasse le
cadre de ce cours, les autres modes sont toujours prsents et sont mme renforcs si le courant augmente encore,
ce qui peut poser un problme en pratique puisque lon cherche en gnral avoir un rayonnement
monochromatique (cest dire de largeur spectrale aussi faible que possible). Nous verrons par la suite comment
remdier ce problme en pratique.

Calcul de la puissance lumineuse mise :


On peut facilement calculer la puissance mise par un laser S-C partir des quations de bilan du nombre de
photons dans la cavit optique et du nombre dlectrons dans la jonction.
La variation du nombre de photons est donne par le taux de radiation cohrente et spontane ainsi que par le
nombre de photons perdus dans la cavit par unit de temps. Pour exprimer cette dernire quantit, on introduit
le concept de dure de vie moyenne des photons dans la cavit. Il sagit du temps p = v cav calcul ci-dessous
droite sur base de la dcroissance temporelle exponentielle du nombre de photons dans la cavit en labsence
dexcitation (les 4 lignes de calculs indiquent clairement le lien entre p , les pertes internes et les pertes aux
miroirs : on assimile simplement la dcroissance du nombre de photons tour aprs tour une dcroissance
exponentielle de constante p ).
Lquation de bilan des photons dans la cavit est donc donne par la formule ci-dessous encadre en ligne
pointille. Pour la simplicit nous supposerons que lmission spontane est ngligeable, soit Rsp = 0. On
exprime alors le taux de radiation cohrente laide de la dfinition du coefficient dabsorption ou du gain g
associ la jonction. On obtient alors lquation encadre en ligne continue dans laquelle il ne faut pas perdre
de vue que g est une fonction de la densit dlectrons par lintermdiaire de la section efficace de gain et de
la densit de seuil no.

- Bilan du nombre de photons

Perte chaque tour

dn
n
= Rc + Rsp
dt
p

R 2 e 2 int L = e

Rc = vn = gvn , Rsp 0
dn
n
= gvn
dt
p

g = ( ne no )

t =

t / p

2L
2L
=
c/n
v

ln(1 / R ) + int L = L /( v p )
1
1 1
= v ( ln + int ) = v cav
p
L R

Le bilan du nombre dlectrons est galement trs simple tablir : la variation du nombre dlectrons dans la
bande de conduction (porteurs minoritaires) est donne par le nombre dlectrons qui se recombinent de manire
non radiative et spontane par unit de temps. Cette variation est donne par la dcroissance exponentielle
naturelle de constante c dfinissant le temps de vie des lectrons dans la bande de conduction en labsence de
photons (ou ce qui revient au mme en labsence dexcitation). En prsence dexcitation il faut tenir compte du
fait que le nombre dlectrons crot de manire proportionnelle au courant dexcitation et du fait que chaque
mission stimule de photon correspond la disparition dun lectron de la bande de conduction. Cette dernire
contribution explique la prsence du terme - g v n dans lquation de bilan.

- Bilan du nombre dlectrons


perte de porteurs due aux
recombinaisons non-radiatives
(+ spontan)

dne
ne
I
=
+
gvn
dt
c eVol
nbre deentrants

Recombinaisons
stimules

Modle simplifi de la dynamique du laser


Les quations de bilan tablies ci-dessus fournissent un modle simplifi de la dynamique des lasers S-C.
Elles sont rptes ci-dessous en explicitant le rle de la densit de porteurs dans le gain g de la jonction. Sous
cette forme on voit que les quations forment un systme dquations diffrentielles non linaires couples. La
non-linarit provient des produits nen (non-linarit du 2me ordre). Il sagit donc dun systme complexe pour
lequel il ny a, par exemple, pas unicit de la solution stationnaire. En effet on peut facilement vrifier que le
systme admet une solution pour laquelle n = 0. Cette solution (appele solution triviale) correspond
labsence dmission de photons. Dans ce cas la densit lectronique ne est donne par sa valeur lquilibre
(dj calcule plus haut pour tablir le lien entre celle-ci et le courant I pour trouver la formule approche du
gain, g = v (ne - no)). On trouve bien entendu galement une solution pour laquelle n nest pas nul, cest dire
une solution dcrivant lmission de photons par le laser.

dn
n
= v (ne no )n
dt
p
dne
ne
I
=
+
v (ne no )n
dt
c eVol

Solutions stationnaires

dn
dne
= 0,
=0
dt
dt

Solution triviale

n = 0

I c
ne =
eVol

Cette deuxime solution stationnaire appele non-triviale peut tre


facilement calcule en annulant tout dabord le terme de droite de
la premire quation de bilan (en supposant que n nest pas nul).
Comme indiqu ci-dessous on en retire immdiatement la
condition doscillation g = cav ce qui tait bien sr attendu
puisque, lquilibre stationnaire le gain ne peut faire que
compenser exactement les pertes.

Solution non-triviale
1 v ( ne no ) = gv =
o
La condition doscillation impose donc une
valeur prcise du gain cest dire une
valeur prcise de la densit de porteurs soit
ne* cette densit lquilibre.

1
v ( n e no ) =
p

1
= v cav
p

1
p

g = cav

on retrouve la cond. doscillation

1
n e = no +
ne*
v p

Cette solution non-triviale correspond ltat oscillant (ou lasant ) du systme. Il y correspond donc un
flux de photons non-nul dont la densit n peut tre facilement calcule partir de la deuxime quation de
bilan. Ce calcul est immdiat, il suffit de remplacer dans lquation ne par sa valeur lquilibre ne*.

*
*
I
p
n
e
Vol
n
e
e
(I I s ) o I s =
n = p
n =
eVol
eVol
c
c

On constate que la densit de photons mis n est une simple fonction linaire du courant dexcitation I. On voit
galement que n nest non nul quau del du courant de seuil Is dont la valeur avait dj t trouve plus haut
lors de la formulation de la condition doscillation (condition damplitude g = cav).
Pour rsumer la situation en ce qui concerne les deux tats stationnaires possibles du laser nous illustrons
graphiquement les solutions trouves ci-dessus pour n et ne. Les solutions triviale et oscillante se croisent
au point I = Is. Comme n ne peut tre ngatif, la solution oscillante commence en cette valeur du courant
dexcitation. Un tel diagramme de reprsentation des solutions porte le nom de diagramme de bifurcation ; le
terme bifurcation correspondant au fait que la solution triviale bifurque en I = Is, comme si au del de ce point le
systme avait le choix entre les deux solutions.

Reprsentation graphique (diagramme de bifurcation)

ne

oscillation

oscillation

ne*

Sol. triviale

Is

Sol. triviale

Is

Calcul de stabilit de la solution triviale


Pour montrer quelle solution le systme choisi en I = Is., nous faisons ci-dessous le calcul de la stabilit de la
solution triviale. A cette fin nous considrons les quations de bilan dynamiques (cest dire avec les drive
temporelles) et nous supposons que n et ne voluent mais restent trs proches de leur valeur stationnaire de
manire pouvoir considrer leurs variations comme des quantits du premier ordre et ngliger toutes les
quantits dordre suprieur. Cette procdure est rsume dans les lignes qui suivent : (t) reprsente
physiquement lmission spontane qui fait quen ralit n nest jamais tout fait nul. Lmission spontane est
une perturbation de la solution triviale. (t) reprsente lcart de ne par rapport sa valeur stationnaire en raison
de cette perturbation.

nst = 0

I c
n =
eVol
st
e

mission spontane = perturbation, soit :

n = (t )

ne = nest + (t )

et sont dordre 1 : << 1 , << nest 2, 2, 0

En substituant ces expressions de n et ne en fonction de (t) et (t) et en ngligeant tous les termes de puissance
suprieure 1 en et , nous trouvons un systme dquation diffrentielle ordinaire linaire. Cette procdure
de linarisation est standard pour les calculs de stabilit des systmes non-linaires.

Linarisation des quations


La solution gnrale de lquation en est une simple exponentielle dont le coefficient est proportionnel
(I-Is). Connaissant la solution (t) on peut facilement calculer la solution gnrale de lquation en (t). On
constate que (t) volue selon deux exponentielles, lune tant toujours dcroissante et lautre tant croissante
pour I > Is comme pour lvolution de (t).
st
e
st
e
o
c
c
p

n
I
d

=
+
gv
dt

eVol

,
= v (n + n )

dt

(t ) = (0) e t

t /c

(t) = (0) e

1
st
o = v (ne n o )
p
I c
1

= v
n
eVol o v
p

e Vol ne*
Is =
c

ne*

(0) g v t t /c
(
e e )

+1/c

c
I Is )
= v
(
eVol

On dduit de ce petit calcul que la perturbation (t) dcrot de manire exponentielle en dessous du courant de
seuil du laser et quelle crot exponentiellement au del de ce seuil. Physiquement ceci signifie simplement que
la solution triviale est stable en dessous du seuil (lmission spontane est prsente mais le nombre de photons
reste limit) et est instable au dessus du seuil : lmission spontane est responsable dune croissance
exponentielle du nombre de photons et le systme choisi spontanment (cest le cas de le dire) dosciller (ou
laser ) cest dire de se brancher sur la solution oscillante correspondant lmission de photons cohrents.

Conclusion :

si I < Is

< 0 systme stable

si I > Is

> 0 systme instable

Le fonctionnement du laser tel que dcrit partir de ce raisonnement est reprsent schmatiquement ci-dessous.

ne

instable

ne*

stable

instable

Is

stable

Is

Puissance mise et rendement


La puissance mise par le laser est donne par lnergie de lensemble des photons de la cavit (cest dire h
n Vol) divis par le temps de vie des photons dans la cavit en labsence de milieu gain, soit mir. En effet,
linverse de ce temps de vie reprsente bien le taux auquel les photons quittent la cavit par transmission au
travers des miroirs. Ce taux multipli par lnergie des photons reprsente donc bien la puissance mise par le
laser. Tout comme nous lavons tabli pour p et cav , mir est li mir par la relation mir = 1/(v mir).

Puissance lumineuse mise

R = exp( mir L )

Plum = ! n Vol mir v


Plum

! n Vol
=
mir

mir = ln( 1 / R ) / L

mir =

mir v

En adoptant pour n sa valeur correspondant la solution oscillante et en exprimant p en fonction de cav =


mir + int , nous pouvons crire Plum comme indiqu ci-dessous :

n =
p =

eVol
1

cav v

(I
=

Is )
( mir

Plum =

mir
!
e mir + int

(I

Is )

1
+ int ) v

Le graphe ci-dessous, illustre la variation de la puissance mise en fonction du courant dexcitation de la


jonction. Bien entendu, la puissance lumineuse ne devient non nulle quau del du courant de seuil. La pente de
la droite donnant la croissance linaire de la puissance en fonction du courant dfinit le rendement diffrentiel
du laser. Cest une quantit essentielle dans la mesure o lon a toujours intrt avoir un rendement diffrentiel
le plus lev possible pour atteindre une puissance lumineuse donne avec un minimum de courant.

Plum
Is

Rendement diffrentiel

mir
mir + int

On constate, daprs la formule ci dessus, que le rendement diffrentiel est conditionn par le rapport entre les
pertes internes du milieu gain et les pertes par les miroirs. Pour avoir un bon rendement il faut que les pertes
internes soient toujours bien infrieures aux pertes par les miroirs. En pratique cela signifie que les cristaux
utiliss pour la fabrication des lasers S-C doivent tre de bonne qualit optique (les pertes internes principales
se faisant par diffusion sur les dfauts du cristal S-C). De mme on aura intrt avoir une structure guidante
telle que la double htrojonction pour viter au maximum la perte de photons par rabsorption et rmission
hors axe.

d 1 si int << mir :


matriau S-C de qualit (absorption, diffusion)
guidage optique

Rendement externe
On dfinit le rendement externe comme tant le rapport du nombre de photons mis sur le nombre dlectrons
utiliss. Au del du seuil, le rendement externe tend de manire asymptotique vers le rendement diffrentiel.

ext
ext =

Plum
!

I
e
= d (1 s )
I
I

nbre de photons mis

1/nbre de- utiliss

Is

Rendement total
On introduit finalement le rendement total comme tant le rapport entre la puissance lumineuse mise et la
puissance lectrique consomme. On voit quau del du seuil le rendement total est essentiellement conditionn
par le rendement diffrentiel.

tot

Plum
=
Pelec

Plum
=
I Va

tot =

!
eV a

d 1 s
I

On retrouve dans cette formule lexpression du


rendement externe.

tot =

Eg
eV a

ext

eV a E F > E g

Une chose importante mentionner pour clore cette discussion sur le rendement des lasers S-C est que ces
lasers ont des rendements trs levs par rapport aux lasers classiques tels que les lasers gaz (argon, hliumnon, etc) ou les lasers cristaux ou verres dops (cristaux YAG dops au Nodyme, laser fibre dope
lerbium, etc) . Les rendements des lasers S-C sont de lordre de plusieurs dizaines de pour-cents alors que
les lasers classiques ont des rendement typiquement de lordre du pour-cent. La raison de cette diffrence est,
dune part, la grande densit de diples lectriques et dautre part, la mthode dinversion de la population par
simple polarisation de la jonction. Dans les lasers classiques linversion de population se fait de manire optique
(le pompage optique) par des lampes dont le spectre est trs large et pour lequel beaucoup de photons restent ds
lors inutiliss car ils sont en dehors de la condition dexcitation des transitions atomiques utiles au pompage
optique. Il y a de plus une grande perte de photons due au fait que les lampes mettent un rayonnement
incohrent isotrope qui est difficile matriser du point de vue de la gomtrie de lclairement du matriau
gain (par exemple, il faut utiliser des rflecteurs pour rcuprer les photons mis dans la direction oppose au
cristal amplificateur etc).

Exemple : diode laser au GaAs d = 80 % , tot = 50 %


Laser gaz (Ar, He-Ne) : 1%
La figure suivante montre des courbes exprimentales de puissance mise en fonction du courant dexcitation.
On constate que les prdictions qualitatives du modle simplifi que nous avons discut se vrifient bien. On
voit en particulier lexistence dun courant de seuil. On constate aussi que le rendement diffrentiel diminue
avec une augmentation de la temprature. Ceci est d une augmentation des pertes internes lie la
temprature (diffusion des photons par les phonons du cristal). De mme le seuil augmente avec la temprature.
Ceci est d au fait que laugmentation de la temprature diminue le temps de vie non-radiative des porteurs
minoritaires (intraction des lectrons avec les phonons du cristal) de laquelle dcoule une augmentation de la
densit de seuil no et de la densit de porteurs lquilibre no* (comme suggr par le schma en bas droite).

car int

si T

e Vol ne*
Is =
c

si T

car c

et ne *

no
T

Eg

Structures des Lasers semi-conducteurs


Rayonnement non confin
(broad area lasers)

Le schma ci-dessus illustre la structure la plus simple que lon puisse imaginer pour le laser S-C. En pratique,
pour viter que le rayonnement ne stale trop dans la dimension transverse (ce qui est recherch, en particulier
pour linjection dans les fibres), on limite la zone mettrice transversalement. La manire la plus simple de
limiter la zone mettrice est de limiter spatialement le gain en fabricant des lectrodes en forme de bande. De
cette manire lamplification optique a lieu seulement en dessous de la bande et les photons sont gnrs
seulement cet endroit comme sils taient guids ; cest pourquoi les lasers bass sur ce principe sappellenet
des lasers guidage par gain . Cette solution est illustre ci-dessous laide de deux exemples bass sur des
techniques diffrentes de guidage par gain. Lune consiste simplement bloquer le courant par une couche
disolant dispose de part et dautre dune bande conductrice (dans lexemple de gauche ci-dessous, il sagit
dune couche de S-C de type p sur laquelle on vient dpos la cathode). Dans lautre exemple on bloque le
passage du courant par dposition dune couche de S-C de type n et on ne laisse passer le courant que sur une
bande troite en dopant cette couche localement avec des atomes de Zinc qui sont des accepteurs (valence 2,
dopage de type p) et rendent la couche conductrice.

Guidage par gain


(gain-guided lasers)

Blocage
par
isolant
(SiO2)

Blocage
par
jonction
inverse

Pour amliorer lefficacit du guidage par gain on peut avoir recours au guidage optique. Dans les exemples cidessous un guidage optique est obtenu en insrant des couches de silice dindice de rfraction faible par rapport
celui des S-C. Ces zones dindices faibles tant proches de la couche mettrice, les photons gnrs on
tendance fuir ces zones et se concentrer au centre de la zone de guidage par gain. Le schma de droite
illustre la solution la plus efficace pour le confinement transverse du rayonnement laser: la zone mettrice est
compltement entoure par des couches de matriaux S-C dindice de rfraction plus faible (cf. ce que lon a vu
pour le principe de guidage dans la double htrojonction). Par cette technique le saut dindice rellement vu par
les photons gnrs peut tre trs lev et le guidage est extrmement efficace (dans la configuration de gauche,
les photons ne voient pas directement lindice plus faible, il ne font quen subir linfluence, do le guidage
moins efficace: le saut dindice effectif vu par les photons est dun ordre de grandeur infrieur).

Guidage par saut dindice


(index-guided lasers)

dilectrique
dindice
faible
(n=0.01)

Semi-cond.
dindice
faible
(n=0.2)

Lasers monomodes
Comme on la dj discut plusieurs reprises, pour les applications aux tlcommunications optiques on a
intrt avoir une source laser monochromatique. En pratique cela signifie un laser qui noscille que sur un
mode. On a vu plus haut que, mme si il y a un mode dominant correspondant au maximum de la courbe de
gain, le laser met toujours sur plusieurs modes. Pour liminer compltement les modes non-dominants on cre
artificiellement des pertes additionnelles pour ces modes. Cest ce qui est reprsent la figure suivante o lon
voit la courbe de gain, les modes du laser et une courbe de perte slective en frquence. Cest le mode
correspondant au minimum de cette courbe de perte qui lasera , les autres seront ngligeables (pour autant
que le contrast de perte soit suffisant bien entendu).

Principe : introduction de pertes localises spectralement

Exemples
Le schma suivant est celui du laser cavit externe . Dans cette configuration un des miroirs du cristal S-C
a t supprim en appliquant sur la surface clive une couche anti-reflet (multi-couche dilectrique). La cavit
est alors forme lextrieur laide dun rseau de diffraction utilis en monture de Littrow. Dans cette
configuration, les diffrentes frquences (modes du laser) sont diffracte par le rseau (cest dire que chaque
frquence est rflchie avec un angle diffrent) et une seule frquence est rflchie dans laxe de la cavit. En
dautre terme, un seul mode est slectionn et le laser sera idalement monochromatique (les autres modes tant
supprims compltement par diffraction en dehors de laxe de la cavit). Cette configuration a le dsavantage
dtre encombrante et instable mcaniquement (elle requiert un systme dasservissement mcanique complexe)
et ne peut tre exploite dans les applications industrielles (cest un laser de laboratoire).

Laser cavit externe (et rseau)

Une solution beaucoup plus pratique pour les applications est celle qui consiste supprimer les deux miroirs de
la cavit (par traitement anti-reflet des faces clives) et les remplacer par un rflecteur de Bragg distribu. Le
rflecteur de Bragg est cr en gravant un rseau la surface de la dernire couche de la double htrojonction.
Ce rseau tant proche des photons gnrs, ces derniers subissent la rflexion de Bragg pour la longueur donde
de Bragg (soit la longueur donde optique valant le double de la priode du rseau). De la sorte, les photons
gnrs la longueur donde de Bragg sont rflchis en tout point du systme et effectue des aller-retours sous
le rseau. Ces aller-retour sont analogues ceux que lon avait dans la cavit, part que maintenant ils ne
concernent quune et une seule frquence. On a donc bien un laser monochromatique qui a en plus lavantage
dtre compact.

Laser rflecteurs de Bragg

Rflecteur distribu
(distributed feedback)

Mirroirs
rflecteurs de Bragg
Dans cette dernire configuration, les miroirs
de la cavit sont simplement remplacs par
des rflecteurs de Bragg (rseaux optiques)
gravs prs de la zone mettrice. Les
rflexions se font donc de manire slective
en longueur donde puisque seule la longueur
donde de Bragg de rflecteurs fait des allerretours dans la cavit. On obtient donc
galement ainsi un laser monomode.

Applications aux tlcommunications


Les deux figures suivantes illustrent la manire dont les lasers sont monts pour injecter la lumire dans une
fibre optique pour les applications la transmission dinformation. Dans le premier cas la fibre est approche de
la face de sortie du laser de manire y injecter directement le faisceau laser. Lensemble fibre-laser est
stabilis mcaniquement laide dun montage de pices mtalliques de grande prcision.

Couplage laser-fibre direct

Couplage par micro-lentille


Dans cette deuxime configuration le faisceau laser est inject dans la fibre par lintermdiaire dune lentille
sphrique.

Exemple
Les figures ci-dessous montrent un exemple de spectre dmission de laser rseau de Bragg distribu (DFB
laser) ainsi que la caractristique puissance lumineuse-courant de ce laser. On voit que la largeur spectrale est de
lordre du nanomtre. Ceci ne fait quillustrer les potentialits des lasers par rapport aux DEL, en pratique des
largeurs spectrales aussi basses quune fraction dAngstrm peuvent tre obtenues avec des lasers du mme
type.

Spectre dmission

Caractristique Puissance-courant

Les photodiodes
Les semi-conducteurs peuvent galement tre utiliss pour dtecter la lumire. Le principe en est trs simple.
Imaginons que lon place un S-C entre deux plaques dun condensateur aux bornes duquel est appliqu une ddp.
Si le S-C est clair avec une lumire dont la frquence est suprieure celle du gap, il y aura cration de paires
lectron-trou. Les lectrons et les trous vont driver en sens inverse dans le champ lectrostatique et vont donc
crer un courant. La mesure de ce courant sera une mesure de la puissance lumineuse incidente sur le S-C.

Principe de la photodtection dans les semi-conducteurs :


Cration dune paire e--trou par
absorption dun photon et drive des
porteurs libres dans un champ lectrique
statique
"
E

E
Ee

Ec

!
Ef

Ev

! =

hc
> Eg

k
Ip = R Plum

La constante de proportionnalit entre le courant mesur et la puissance lumineuse incidente sappelle la


sensibilit photolectrique du S-C, elle est note R (pour responsivity en anglais). R est donc donne par le
facteur e/h multipli par le rapport du nombre de paire lectron-trou gnres sur le nombre de photons
incidents. Ce rapport reprsente le rendement photolectrique du S-C. Si chaque photon incident conduit la
gnration dun lectron contribuant au courant alors le rendement vaut lunit. Ceci nest toute fois vrai que
si lpaisseur du S-C est suffisante que pour absorber tous les photons incidents, ce qui nest pas ncessairement
le cas puisque la profondeur de pntration des photons dpend du coefficient dabsorption qui lui dpend de la
longueur donde et du gap du S-C (voir schma ci-dessous gauche). A priori donc le rendement maximum est
donn par le rapport de la puissance absorbe sur la puissance incidente et vaut 1-exp(- W) o est le
coefficient dabsorption et W lpaisseur du S-C.

Sensibilit :

R =

Ip
Plum

e nbre d ' e gnrs / sec


R =
! nbre de photons / sec
R =

[ m]
e
=
!
1 . 24

max = Pabs / Plum = (Plum Ptrans ) / Plum = 1 exp( W )

Cette relation indique limportance de la valeur du coefficient dabsorption (et donc de la relation entre gap et
longueur donde) pour la photodtection, en particulier, il faut adapter le choix du S-C la longueur donde de
la lumire dtecter. Mais bien entendu, mme si est trs grand et que Pabs = Plum, le rendement natteint
jamais lunit car des paires lectron-trou peuvent se recombiner sur le temps de la drive au sein du S-C. Toute
paire recombine, ne contribuant plus au courant, diminue le rendement. Il y a donc intrt appliquer un
champ lectrostatique aussi lev que possible de sorte que le temps de drive soit court par rapport au temps de
vie des porteurs libres. A cette fin on utilise la jonction p-n (elle, une fois de plus) polarise en inverse de
manire ce que, dans la rgion de charge despace, un champ lectrostatique important soit cr. Il est en effet
plus facile de crer partir dune ddp donne, un champ lev dans un jonction p-n car la rgion de charge
despace est dextension limite (typiquement de lordre du micron). La vitesse de drive y est donc facilement
trs leve ; elle atteint en pratique la vitesse de drive maximale (limite due aux collisions avec les autres
porteurs et le rseau cristallin) de lordre de 107 cm/s. Les temps de drive typiques sont donc aussi faibles
quune dizaine de picosecondes. Ce temps permet dobtenir non seulement de bons rendements mais aussi des
temps de rponse trs courts (ce qui est important pour certaines applications comme les tlcommunication o
les impulsions codant linformation doivent tre dtectes trs grands dbits).

Jonction p-n : champ de drive lev, et rponse rapide


Temps de rponse
tr = W / v s

Plum
Zone de diffusion

Zone de drive

W 1 m
vs 107 cm/s

tr 10 ps

Le schma ci-dessus gauche montre la structure de base dune photodiode. Les photons sont absorbs dans
tout le S-C. Ceux absorbs avant la rgion de charge despace crent des paires lectron-trou auxquelles nest
pas appliqu de champ. Ces paires diffusent donc simplement et seulement quelques-unes dentre elles
contribueront au courant. Les photons absorbs dans la rgion de charge despace crent des porteurs libres qui
drivent instantanment vers les rgions neutres o ils diffusent et peuvent galement se recombiner. Cette
brve discussion fait immdiatement apparatre la ncessit de rendre la rgion de charge despace aussi grande
que possible par rapport aux rgions neutres. En effet, dune part, la rgion neutre sur laquelle les photons sont
incidents (rgion p sur le schma ci-dessus) absorbe une grande partie des photons (voir schma infrieur droit
ci-dessus) avec un trs mauvais rendement puisque les porteurs crs ny drivent pas. Dautre part, le courant
provenant de la rgion de charge despace y est diminu en raison dun ralentissement de la vitesse des porteurs
(diffusion). En pratique on sarrange donc pour que les zones neutres soient aussi peu paisses que possible et en
particulier la zone proche de la surface claire.
Cette discussion sur la physique de base et la gomtrie de la photodiode est rsume la figure suivante. Notez
que cest la zone p qui forme la surface claire car les trous ayant une mobilit moins bonne que les lectrons il
est important de faire cette zone aussi peu paisse que possible.

Mesure du flux lumineux : le photocourant


La puissance lumineuse incidente se mesure laide d une simple mesure du courant passant dans la
photodiode. Comme celle-ci est polarise en inverse le courant aura deux composantes : lune est le courant de
saturation naturel de la jonction Is, lautre est le courant gnr par absorption de photons, soit le photocourant
Ip.

I = I s e eV

/ k BT

1 Ip

V = V o o V o >> k B T / e
I Is I p

Problmes lis la gnration en zone neutre


Le problme de la lenteur des vitesses caractristiques de diffusion dans les zones neutres nest pas seulement
quil conduit une diminution du rendement, il est en effet responsable galement dun temps de rponse lent.
En prenant 105 cm/s comme vitesse de diffusion (cest une valeur typique, mais comme la diffusion est due au
gradient de concentration des porteurs majoritaires, elle dpend en ralit des conditions de fonctionnement de
la photodiode) et en prenant une zone neutre de 1 micron dpaisseur nous obtenons un temps de rponse
typique de lordre de la nanoseconde. Ce temps est beaucoup plus long que la dizaine de picosecondes
correspondant au temps de rponse li au courant de drive (notez que le fait que le courant de drive passe par
la zone neutre ne change en rien sa dynamique car, mme si la vitesse des porteurs y est rduite, le flanc
montant de la concentration de porteurs correspondant une augmentation du courant de drive est conserv au
cours de la traverse de la zone neutre). Il y aura donc deux contributions de dynamiques diffrentes au
photocourant. Il en rsultera une distorsion de mesure des signaux optiques. Ceci est illustr la figure cidessous o lon voit une impulsion lumineuse carre et sa mesure sous forme de photocourant. Le courant de
drive conduit une rponse fidle alors que le courant de diffusion en raison de sa dynamique lente conduit
une forte distorsion (ceci nest bien entendu valable que pour des impulsions subnanoseconde)

- Courant par diffusion des porteurs


1 nsec pour 1 m
vd 105 cm/s

d 1ns
Distortion des signaux
Limitation de bande passante
fmax 1 GHz

- Limitation du rendement faible longueur donde


Le rendement des photodiodes diminue avec une diminution de la longueur donde de la lumire dtecte
contrairement ce que pourraient laisser croire les courbes de coefficient dabsorption qui elle ne font
quaugmenter quand la longueur donde diminue. Le rendement diminue simplement parce que lorsque
labsorption devient trop forte, celle-ci a lieu principalement dans la zone neutre o le rendement est faible (en
grande partie en raison de la proximit de la surface o les nombreux dfauts du cristal forment des centres de
recombinaison rapide). Ceci explique la diffrence entre les courbes dabsorption et les courbes de rendement
des photodiodes. Ce phnomne limite donc fortement le domaine spectral utile dune photodiode et rend le
choix du matriau S-C crucial pour une application bien dfinie.

Si

alors et absorption en dehors de la zone utile


n

1/

W 1 m
Prs de la surface

z temps de vie court :


Les photodiodes p-i-n
Afin daugmenter la composante de drive du courant par rapport la composante de diffusion, on peut
augmenter simplement la longueur de la zone de drive W. Ceci peut tre fait par lintroduction dune couche
de S-C intrinsque entre les rgions de type p et n. Avec une plus grande rgion de courant de drive, la
photodiode aura un meilleur rendement et la distorsion des signaux due au courant de diffusion se trouvera
diminue. De plus, si W est plus grande la capacit de la jonction est diminue ce qui a pour avantage de donner
au dispositif de mesure une dynamique plus rapide puisque celle-ci est conditionne par la constante de temps
RC du circuit quivalent. Cette configuration sappelle la photodiode p-i-n (ou PIN).

Pourquoi ? - Augmenter W (drive >> diffusion, )


- Diminuer la capacit ( = RC)
Le schma de gauche ci-dessous montre la structure de la photodiode p-i-n. On voit que lintroduction de la
couche de S-C intrinsque conduit une valeur leve du champ lectrostatique sur une grande longueur. En
adaptant cette longueur au coefficient dabsorption, on peut sarranger pour que la quasi-totalit de
labsorption se fasse dans la rgion de courant de drive. La solution idale pour la diode p-i-n est de fabriquer
la zone intrinsque dans un matriau S-C de gap infrieur celui des zone p et n. De la sorte, il ny a plus de
photons absorbs dans les zone de diffusion et le rendement de la photodiode peut approcher lunit ; de mme
sa dynamique ne sera plus affecte par la lenteur du courant de diffusion. La figure de droite ci-dessous
reprsente la structure dune telle photodiode ; elle est appele photodiode PIN double htrojonction (P-iN)..

Double htrojonction
P-i-N

E
z

W 3 - 5 m

Plum
1/

Plus de diffusion, 100%


(Tlcoms : 1.3 et 1.55 m)

En considrant une longueur typique de 3 5 microns pour la zone de drive, on arrive des temps de rponse
de lordre de 30 50 picosecondes ce qui correspond des bandes passantes limites de lordre de 20 GHz.

W 3-5 m
vs 107 cm/s

tr 30 - 50 ps

f 3-5 GHz (voire 20 GHz)

Pour certaines applications la dtection dans le visible et infra-rouge trs proche le silicium est choisi comme
matriau. Son coefficient dabsorption tant faible (gap indirect) la longueur de la rgion intrinsque doit tre
plus grande, la photodiode sera donc plus lente mais de capacit moindre.

Remarque : si faible (ex. Si, gap indirect) W 50 m


Pour augmenter la sensibilit R de la photodiode (ce qui en tlcom optique a un intrt immdiat puisque cela
conduit un plus grand espacement des rpteurs) on ajoute entre les zone i et n une couche p lgrement moins
dope de faon crer une zone de champ de drive plus lev. Les lectrons qui arrivent dans cette zone sont
acclrs au point de pouvoir envoyer, par collision, un lectron de valence dans la bande de conduction. Cest
le processus dionisation dimpact. Ce processus conduit une multiplication du nombre de porteurs et donc
une augmentation de la sensibilit. Des facteurs damplification de lordre de 10 100 peuvent tre obtenus.

Les photodiodes avalanche


Limite thorique
e
=

R
de la sensibilit :
!
rpteur

Ip = R Plum

R max =

[ m]
1 . 24

= 1)

1-50 km

Augmentation de R par effet davalanche (ionisation dimpact)


E

p+
E

n+

Zone de multiplication

Ip = M R Plum
M = 10 - 100

Techniques de fabrication des lments semi-conducteurs


La technique utilise pour fabriquer des cristaux S-C bruts sans structure particulire est la technique de
Czochralski. Elle consiste simplement tremper un germe de cristal dans un bain de S-C en fusion. Le germe est
immdiatement lev au dessus de la surface de sorte que le S-C emport par tension de surface se cristallise. En
plus du mouvement montant le germe est galement mis en mouvement de rotation. Cela confre au cristal une
forme de cylindre. En pratique des tailles de monocristaux de lordre de 20 cm de diamtre sur 1 2 mtres de
long peuvent tre obtenues. Les dfauts de la mthode sont les contaminations possibles par la surface libre et
le contact avec le creuset. Pour les alliages S-C composante volatile (tels que le GaAs o lAs est volatile) on
ajoute un bain de B2O3 liquide en surface (ce bain limite galement les contaminations par la surface).
Le monocristal obtenu avec cette mthode est sci en tranche de quelques millimtre dpaisseur. Ces tranches
sont polies pour tre ensuite traites pour y inscrire les structures voulues par gravure, diffusion datome
(dopage), lithographie, etc...

1. Croissance des cristaux S-C


Mthode de Czochralski

Croissance de cristaux bruts


(non structurs) : Si et Ge
- diamtre ~ 20 cm
- structure cristalline de bonne
qualit, monocristal
- impurets chimiques (creuset, air)
- pour S-C III-V (GaAs, InP), version
amliore avec B2O3 liquide en
surface (As volatile)

Epitaxie en phase vapeur (Chemical vapor deposition)


Pour fabriquer des S-C structurs de petites tailles on peut utiliser la technique de dposition appele pitaxie en
phase vapeur. Une vapeur du compos S-C est cre dans un vide pouss et les atomes viennent se dposer sur
un substrat servant de germe la croissance cristalline. Suivant que le S-C dpos est le mme que celui du
substrat ou non on parle dhomo-pitaxie ou htro-pitaxie.

Croissance de structures de
Vapeur (1 Torr)
petite taille
- paisseur ~ 1 m
substrat

- homo-pitaxie, ex. : Si sur Si


- htro-pitaxie, ex. : GaAs sur Si
(structure tetradrale)

Exemples :
Un exemple typique de fabrication par pitaxie en phase vapeur est la fabrication de couches minces de silicium.
Le silicium est mis en vapeur sous forme de silane. Au contact du substrat le Si se dpose et lhydrogne reste
dans la vapeur. On peut facilement faire crotre des S-C dops par cette technique en ajoutant les vapeurs
adquates.

vapeur

SiH4

Si + 2 H2

+ dopants, ex. : PH3 ou AsH3

substrat
Pour les composs S-C III-V on utilise des vapeurs organiques (ou, plus prcisment mtallo-organiques). On
parle alors de Metal-organic chemical vapor deposition ou MOCVD (cest une technique trs rpandue).

Ga(CH3)3 + AsH3

GaAs + 3 CH4

Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD)

Schma dune installation de MOCVD


Problme :
contamination par
rsidus gazeux

Epitaxie par faisceaux molculaires (molecular beam epitaxy)


Pour les structures complexes de petites tailles la technique dpitaxie par faisceaux molculaires (molecular
beam epitaxy) est utilise. Elle consiste simplement bombarder un substrat avec les atomes du compos S-C
voulu. A laide dun contrle de la croissance en temps rel on peut faire crotre des cristaux S-C avec une
prcision dune couche atomique. Pour de telles prcisions, le contrle de la croissance ce fait par
lintermdiaire des variations de rflexion dun faisceau dlectrons rapides (voir schma ci-dessous). La cellule
de Knudsen galement montre ci-dessous constitue un canon atomes. Il sagit dun four dans lequel est
chauff llment jusqu vaporation. Les atomes sont alors jects grande vitesse par un orifice de petit
diamtre, ceci en raison du vide pouss se trouvant dans lenceinte de croissance.

Croissance de structures complexes de haute qualit (en laboratoire)


ex. : puits quantiques multiples GaAs/AlAs (e ~ 10 nm)
Cellule de Knudsen

Contrle du processus en
temps rel

Rflexion dlectrons rapides

Epitaxie en phase liquide (Liquid Phase Epitaxy, LPE)


Lpitaxie en phase liquide est galement utilise pour les dispositifs ne demandant pas trop de prcision. Il
sagit de faire cristalliser successivement des composs S-C fondus dans des creusets spars. Les diffrentes
couches sont dposes par simple dplacement des creusets sur la surface du cristal. Cette technique
lavantage dtre trs simple et donc dtre peu coteuse. La fabrication grnade chelle de diodes laser en
GaAs est un exemple typique dapplication de cette technique.

- cot rduit
- grande production possible

Ex. : GaAs laser diodes


2. Gravure des semiconducteurs
Pour raliser des structures complexes faisant intervenir une gomtrie tri-dimensionnelle , on doit souvent avoir
recours des techniques de gravure. Pour rappeler le type de structures complexes rencontr dans les
applications optiques nous avons repris ci-dessous les schmas des structures de certaines diodes lasers. Dans les
applications lectroniques usuelles la gravure est beaucoup utilise pour la ralisation de circuits intgrs.

Cration des structures tri-dimensionnelles


ex. : double htrojonction confine, rflecteurs rseau

(application usuelle de la gravure : circuits intgrs)

La lithographie
La lithographie consiste raliser une gravure par attaque chimique. Son principe est dcrit ci-dessous. Un film
photosensible est dpos sur le S-C graver. Un masque dterminant la forme de la gravure est dpos sur le
film avant exposition. Aprs exposition du film la lumire (ou un faisceau dlectrons) le matriau
photosensible est enlev chimiquement. On attaque ensuite chimiquement le S-C dcouvert.

Principe: gravure chimique par technique de masquage


illumination (ou faisceau de-)

masque
matriau photo-sensible
couche de S-C graver
substrat
attaque chimique

matriau photo-sensible
couche de S-C graver
substrat

Wet Chemical Etching : peu prcis (0.5 m)


Le wet chemical etching dsigne la technique base sur lattaque chimique en phase liquide. Cette
technique est peu prcise car lattaque chimique est isotrope et des effets de bord invitables (reprsents
schmatiquement ci-dessus) rendent la prcision limite 0.5 micron. Une grande amlioration de la technique
de lithographie a t ralise avec le remplacement de lattaque chimique par le bombardement dions (appel
par contraste avec la premire technique dry etching . Le bombardement est fortement anisotrope
(directionnel) et les gravures sont donc beaucoup plus prcises.

Amliorations: bombardement dions (Dry Etching)


attaque directionnelle

FIN

prcision