UNIVERSIDAD POLITECNICA SALESIANA

FACULTAD DE INGENIERIA
INGENIERIA ELECTRONICA

MAPA CONCEPTUAL DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA

LUIS CAZAR
JULIO LAYEDRA
JUAN ROBALINO

Quito,12 de Marzo del 2010

14.5
En un aplicador clase B se
emplean dos transistores
complementarios que son de
clase npn y pnp para poder
llevar a cabo la operación de
contrafase.
Para v1< 0, el transistor Qn se
mantiene desactivado y el transistor
Qp funciona como seguidor emisor y
con un valor lo bastante grande para
V1 y Qp el voltaje de salida es
negativo.
-VCE(max) = -(VCC – VCE2(sat)=
-VCC + VCE1(sat)
Para calcular la potencia de
salida y eficiencia tenemos las
siguientes formulas.
En la siguiente figura podemos
observar al amplificador
complementario en contrafase.
Para v1>0 el transistor Qp se
mantiene desactivado y el transistor
Qn opera como seguidor de emisor.
Con un valor lo suficientemente
grande v1, Q1 el voltaje de salida
máximo es positivo.
VCE(max)= VCC-VCE1(sat)
Para calcular la eficiencia del
mismo tenemos:
En consecuencia la eficiencia
máxima del amplificador clase b
complementario en contratase es
mucho mas elevada que la de uno
de clase A
Minimización de la zona muerta:
La eficiencia de potencia de un
La zona muerta pude reducirse a cero
amplificador clase b se puede mejorar
mediante la retroalimentación con un
realizando una configuración de clase B
amplificador operacional serie - paralelo
en contrafacer acoplada por un
transformador.

Tiene tres fases:

• El transformador de entrada
TX1.
• La entrada de ganancia de los
transistores Q1 y Q2,
• trasformador de salida TX2.

Para proporcionar a los mismos el

Formas de Onda de señal:
voltaje de polarización se emplea una
La corriente de entrada es senoidal lo vamos a ver en la
resistencia o una batería.
siguiente figura:

la corriente de carga esta compuesta por las corrientes del

Potencia de salida y Eficiencia:
colector ic1, ic2.
La corriente de carga esta distorsionada
cerca del cruce cero, por que los
transistores son dispositivos no lineales y
por que la corriente de base ib=0
 Resumen:

Un amplificador clase B, un transistor npn, y pnp forman un par, y cada

uno de ellos actúa como conductor durante solo 180 gardos. Como
podemos observar en las graficas respectivas, además la corriente de
polarización de cd es cero, como también la eficiencia y la potencia
máxima de los transistores es de 78.5% y la cifra máxima es solo el 20%.

Por medio de la retroalimentación se puede disminuir hasta la distorsión

que se ocasiona debido a las caídas de voltaje base-emisor en contrafacer al
mostrar esa zona muerta que ya habíamos mencionado anteriormente.

La distorsión de un
14.6 AMPLIFICADORES amplificador clase B
CLASE AB complementario es eliminada
COMPLEMENTARIOS con un amplificador clase AB.
EN CONTRAFASE: En este los transistores
funcionan en la región de
entrada cuando el voltaje de
entrada es pequeño, cada uno de
ellos se polariza y conduce par
una pequeña corriente de
polarización. Como se ilustra en
las siguientes figuras:

Para un vo positivo, fluye una

Características de transferencia: corriente io por Rl:
El voltaje de salida Vo esta dado iN= ip+io
por: Vo= V1+Vbb/2-VBen (=Vebp) Cualquier incremento en in es
causa del incremento en Vben.
Potencia de salida y Eficiencia:
Las relaciones de potencia en los
amplificadores de clase AB son
iguales a los de clase B. excepto
que en el circuito AB disipa una
potencia polarización IqVCC por
cada transistor por tanto se puede
determinar la potencia promedio
suministrada por la fuente.
 Ps= 2IpVcc= Vcc(Iq+2Ip/PI)

Polarización de diodos: el incremento en la

corriente del colector aumenta conforme a la
temperatura y esto hace que aumente la Para evitar el
disipación de potencia y esto a su vez aumenta empalamiento térmico se
la corriente del colector y hace que sigse siga deben reducir los voltajes
elevando la temperatura. de polarización a medida
Esto sucede gracias a que utilizamos el que aumenta la
fenómeno de retroalimentación positiva a este temperatura.
fenómeno se lo conoce como empalamiento
térmico. Los transistores deben estar
protegidos o si no serán destruidos por este La mejor manera de es
caso. utilizar diodos de
compensación a los lados de
los transistores ya que con
de acuerdo a que estos con
sus residencias y a medida
que siga aumentando la
temperatura en la misma
cantidad que Qn y Qp por
Polarización con diodos y con una
tanto los diodos se montan
fuente activa de corriente:
sobre la parte metálica y se
La técnica de polarización se utiliza en
asegura la conducción de
los circuitos integrados; sin embargo en
corriente de polarización de
vez de una resistencia discreta, es normal
base para Qn.
utilizar una fuente activa de corriente.
En los circuitos integrados en vez de
diodos se utilizan transistores con el
colector en corto circuito.
Características de transferencia:
El voltaje entre las bases Qp y Qn
es igual a la caída de voltaje entre
los diodos. En la figura de arriba
Vbb =Vd1 + Vd2 podemos ver las
0.7+0.7=1.4V características de la
transferencia mas
El voltaje base – emisor de Qn detalladamente como la
esta dado por: eliminación de la zona
muerta, así como
Vben = Vbb – Vebp = 1.4 - Vebp también un desvío de
voltaje Vebp, que se
puede reducir
prácticamente hasta cero
con la retroalimentación.

Polarización con un multiplicador

Vbe: Si Is1 es la corriente de
En la siguiente figura veremos un saturación de Q1, así como:
multiplicador de Vbe que ajusta el
voltaje de polarización Vbb .
El circuito tiene un transistor Q1,
con un resistor R1 conectado entre
su base y emisor, y un resistor de
retroalimentación Rf conectado
Bajo las condiciones de
entre el colector y la base, la fuente
polarización iO= 0, y la
de corriente Ir alimenta al circuito
corriente de base Qn es lo
multiplicador y proporciona la
suficientemente pequeña para
corriente de base para Qn.
que se pueda despreciar
tenemos:
14.7 AMPLIFICADORES CLASE
AB CUASICOMPLEMENTARIOS
EN CONTRAFASE:

Un transistor pnp tiene una

capacidad limitada para
entregarnos una potencia en
mili watts, así que debemos
utilizar transistores npn que El transistor pnp compuesto
nos entrega una potencia de puede ser remplazado por
salida en watts. una combinación MOS-
Para esto se debe partir de un bipolar que se conoce como
pnp Qp y de un npn de alta PMOS compuesto como
potencia Qn1, así se fabrica vamos a observar a
un transistor pnp compuesto. continuación:
Esta configuración se la puede
observar en la siguiente
figura:
14.8 AMPLIFICADORES CLASE
AB EN CONTRAFASE
ACOLPLADOS POR
TRANSFORMADOR

Los amplificadores acoplados por

transformador ofrecen una mayor
eficiencia en potencia, sufren de no
linealidades de distorsión por las
características no lineales del
transformador.

Los efectos de no linealidad y de

distorsión se pueden eliminar aplicando
retroalimentación negativa en serie
paralelo. Como se muestra en la siguiente
figura:
El amplificador tiene tres etapas:
Emisor común para ganancia de
voltaje.
Un seguidor de emisor para
acoplamiento de impedancia.
Etapa de salida para la salida de
alta potencia.

La retroalimentación le da al
amplificador las características
necesarias para obtener una baja
impedancia de salida y una elevada
impedancia de entrada.
 PROTECCIÓN CONTRA
CORTOCIRCUITO Y
PROTECCIÓN TÉRMICA

la

La etapa de salida normalmente esta

protegida contra cortocircuito y contra una
elevación excesiva de la temperatura.

Protección contra Protección Térmica

cortocircuito
está está
formada por dos transistores (Q1 y Q3 ), tres
formado por el transistor Q1 y el
transistores ( R1 , R2 , R3 ) y un diodo zener.
resistor RE1

las la
Elevación máxima permisible de temperatura ∆T se
caídas de voltaje a través de los
puede calcular a partir de:
resistores de emisor disminuirán
el voltaje de salida en la misma
cantidad, por tanto , los valores
de RE1 y RE2 deben ser bajos
como sea posible y están
determinados a partir de :
[∆ T ( K D Z + K Q 3 ) + V B E3 ] R R+ R
1 I
= VT ln ( R )
Is
1 2

KDZ = coeficiente de temperatura del diodo

V BE 1
R E1 = R E 2 = zener, en V/C
KQ3= coeficiente de temperatura del transistor
iO ( med ) Q3 , en V/C
VBE3 = voltaje base-emisor de polarizacion de
Q3

-Los transistores de una etapa de salida

normalmente estan protegidos contra las corrientes
excesivas que resultan de corto circuitos.
-La protección se puede proveer agregando un
transistor adicional y un pequeño resistor de
colector para cada uno de los transistores de salida
- La proteccion termica se obtiene aprovechando el
coeficiente negativo de temperatura
de un transistor y el coeficiente positivo de
temperatura de un diodo zener
Bibliografía
1. M. H. Rashid, Power electronics- circuits , Devices , and Aplications. Englewood
Cliffs, NJ: Prentice Hall, Inc., 1993, capitulo 16