Micro Cintas

INSTITUTO POLITCNICO NACIONAL
ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERA MECNICA Y ELCTRICA

UNIDAD PROFESIONAL ADOLFO LPEZ MATEOS
Seccin de Estudios de Posgrado e Investigacin
Maestra en Ciencias en Ingeniera Electrnica
Control de resonancias que se presentan en una tarjeta de circuito impreso tipo

microcinta
TESIS
QUE PARA OBTENER EL GRADO DE:
MAESTRO EN CIENCIAS EN INGENIERA ELECTRNICA
PRESENTA:
ING. DIAN CRDENAS GUILLN
ASESOR:
DR. RAL PEA RIVERO
MXICO, D.F., JUNIO DE 2012
INSTITUTO POLITCNICO NACIONAL

SECRETARA DE INVESTIGACIN Y POSGRADO
CARTA CESIN DE DERECHOS
En la Ciudad de _________Mxico_______ el da _15_del mes__
__Junio_____ del ao
__2012___, la que suscribe __DIAN CRDENAS GUILLN__________ alumna del Programa

de_ MAESTRA EN INGENIERA ELECTRNICA _con nmero de registro _A100627_, adscrita a
_____SEPI ESIME ZACATENCO_____, manifiesta que es autora intelectual del presente trabajo
de Tesis bajo la direccin de ___DR. RAUL PEA RIVERO_ y cede los derechos del trabajo
titulado _CONTROL DE RESONANCIAS QUE SE PRESENTAN EN UNA TARJETA DE CIRCUITO
IMPRESO TIPO MICROCINTA_, al Instituto Politcnico Nacional para su difusin, con fines
acadmicos y de investigacin.
Los usuarios de la informacin no deben reproducir el contenido textual, grficas o datos del
trabajo sin el permiso expreso del autor y/o director del trabajo. Este puede ser obtenido
escribiendo a la siguiente direccin ___cardenas_diane@hotmail.com___. Si el permiso se
otorga, el usuario deber dar el agradecimiento correspondiente y citar la fuente del mismo.
Dian Crdenas Guilln
AGRADECIMIENTOS
A mi compaero de vida por su invaluable ayuda en este trabajo y su apoyo constante, ahora y
siempre. Te amo Christopher Garca Parra
A mis pequeos bebes Oliver y Dian que a diario iluminan mi vida con sus sonrisas. Son mi
orgullo y mi motivo.
A mi madre por su apoyo en mi desarrollo profesional y en especial para concluir este trabajo de
tesis
A mam Guille por su paciencia y esmerada atencin que ha tenido en el cuidado de mis
pequeos traviesos, siendo pieza clave en la realizacin de este trabajo de tesis
Al Instituto Politcnico Nacional y al Consejo Nacional de Ciencia y Tecnologa por los apoyos
recibidos para la realizacin de este trabajo de tesis.
Al Dr. Ral Pea Rivero, Dr. Roberto Linares y Miranda y al M en C. Jos Hctor Caltenco
Franca, por brindarme un nuevo panorama de conocimientos y por su disposicin y apoyo
durante la elaboracin de este trabajo de tesis.
Al Dr. Luis Manuel Rodrguez Mndez, por su apoyo en la etapa experimental de este trabajo de
tesis.
CONTROL DE RESONANCIAS QUE SE PRESENTAN EN UNA TCI TIPO MICROCINTA

INDICE
INDICE
RESUMEN .................................................................................................................................................. 1
ABSTRACT.................................................................................................................................................. 2
INTRODUCCIN......................................................................................................................................... 3
OBJETIVO................................................................................................................................................... 3
JUSTIFICACIN .......................................................................................................................................... 4
ORGANIZACIN DEL TRABAJO DE TESIS ................................................................................................... 5
ABREVIATURAS ......................................................................................................................................... 7
CAPITULO 1. ESTUDIO DE LAS RESONANCIAS DEBIDAS A LAS PISTAS EN UNA TARJETA DE CIRCUITO
IMPRESO ......................................................................................................................................... 10
1.1 LNEAS DE TRANSMISIN .................................................................................................................. 10
1.1.1. Lneas Planas ............................................................................................................................. 10
1.2. LNEA DE MICROCINTA .................................................................................................................... 11
1.2.2. Frecuencia de resonancia en una microcinta ........................................................................... 13
1.4.1. Parmetros primarios de la lnea de transmisin ..................................................................... 20
1.4.2. Parmetros secundarios de una lnea de transmisin .............................................................. 21
1.5. LONGITUD ELCTRICA DE UNA LNEA DE TRANSMISIN ................................................................ 23
1.6. REDES DE 2 PUERTOS ....................................................................................................................... 25
1.6.1. Parmetros S ............................................................................................................................. 25
1.6.2. Parmetros de Impedancia ....................................................................................................... 27
1.6.3. Parmetros de transmisin ABCD ............................................................................................. 29
1.6.3.1. Parmetros ABCD de una lnea de transmisin ................................................................. 32
1.6.4. Conversin entre parmetros. .................................................................................................. 34
CAPITULO 2. ESTUDIOS RELACIONADOS CON LA REDUCCIN DE RESONANCIAS EN LAS TCI ............... 36

2.1. INTRODUCCIN................................................................................................................................ 36
2.1.1. Contenido espectral de una seal digital de alta velocidad ..................................................... 37
2.1.2. Ruido de conmutacin simultnea (SSN) .................................................................................. 38
i

INDICE
2.2. CAPACITORES DE DESACOPLAMIENTO ............................................................................................ 40

2.3. CAPACITORES EMBEBIDOS PROPIOS DE LA TCI ............................................................................... 45
2.4.TECNICA DE REDUCCIN DE LA INTERFERENCIA ELECTROMAGNETICA (EMI) DE LAS TARJETAS DE
CIRCUITO IMPRESO (TCI) USANDO ESTRUCTURAS DE BANDA PROHIBIDA (EBG) .................................. 47
2.5. TCNICA DE AISLAMIENTO POR ISLAS Y COMPONENTES DE MONTAJE SUPERFICIAL .................... 49
2.6. TECNICA DE CONTROL DE RESONANCIAS ENTRE EL CHASIS Y LA TCI .............................................. 50
2.7. TCNICA DE INTERCALADO DE MATERIALES CON DIFERENTE PERMITIVIDAD DIELCTRICA .......... 52
2.8. TECNICA DE REDUCCIN DE CROSSTALK UTILIZANDO UNA BARRERA DE VIAS .............................. 53
2.9. INVESTIGACIN DE LAS RESONANCIAS DEL PLANO DE DISTRIBUCIN DE ENERGA USANDO EL
MODELO DE LNEA DE TRANSMISIN .................................................................................................... 55
2.9.1. Resonancia caracterstica con circuitos de desacoplamiento. ................................................. 57
2.9.2. Modelo para analizar el plano de distribucin de energa. ...................................................... 58
CAPITULO 3.DISEO Y CONSTRUCCIN DE LA ESTRUCTURA PROPUESTA ........................................... 62

3.1. REQUISITOS DE DISEO ................................................................................................................... 62
3.2. DISEO DE LAS TARJETAS DE CIRCUITO IMPRESO PROPUESTAS .................................................... 62
3.3. SIMULACIN ELECTROMAGNTICA DE LA ESTRUCTURA PROPUESTA ............................................ 67
3.3.1. Simulacin electromagntica variando el dimetro del via...................................................... 67
3.3.2. Simulacin variando la distancia entre el via y la microcinta. .................................................. 70
3.3.3. Simulacin electromagntica variando el nmero de vias colocados en la TCI. ...................... 75
3.3.4. Simulacin variando la ubicacin de 3 vias a lo largo de la trayectoria de la microcinta. ........ 78
3.4. CONSTRUCCIN DE LA ESTRUCTURA PROPUESTA .......................................................................... 82
3.4.1. Medicin de la microcinta sin vias. ........................................................................................... 82
3.4.2. Medicin variando el nmero de vias colocados en la microcinta. .......................................... 84
3.4.3. Medicin variando la posicin de 3 vias a lo largo de la trayectoria de la microcinta. ............ 87
3.5. COMPARACIN DE RESULTADOS MEDIDOS Y SIMULADOS ............................................................ 90
CAPITULO 4. MODELO DE LA ESTRUCTURA PROPUESTA .................................................................... 92

4.1. EXTRACCIN DE PARMETROS RLGC DE UNA TARJETA DE CIRCUITO IMPRESO TIPO MICROCINTA
................................................................................................................................................................ 92
4.2 MODELO ELCTRICO DE UNA LNEA DE TRANSMISIN TIPO MICROCINTA ..................................... 96
ii

INDICE
4.3 MODELO ELCTRICO DE LA ESTRUCTURA EBG PROPUESTA (CIRCUITO DE INTERCONEXIN) ........ 97

4.4 RESPUESTA DEL MODELO DE LA ESTRUCTURA EBG PROPUESTA ................................................... 100
4.4.1. Modelo de la microcinta sin vias............................................................................................. 100
4.4.2. Modelo de la microcinta con 1 via .......................................................................................... 101
4.4.2. Modelo de la microcinta con 3 vias variando la ubicacin ..................................................... 102
CAPITULO 5.ANLISIS DE INTEGRIDAD DE SEAL DE LA ESTRUCTURA PROPUESTA .......................... 106

5.1. INTEGRIDAD DE SEAL DIGITAL. .................................................................................................... 107
5.1.1 Causas comunes de distorsin de pulsos................................................................................. 107
5.1.1.1Dispersin .......................................................................................................................... 107
5.1.1.2. Atenuacin/Prdidas (Reduccin del nivel de seal). ..................................................... 108
5.1.1.3. Relacin de Onda Estacionaria (SWR) .............................................................................. 109
5.1.1.4. Insuficiente ancho de banda. ........................................................................................... 110
5.1.1.5. Sobreimpulso positivo y negativo. ................................................................................... 110
5.1.1.6. Jitter. ................................................................................................................................ 110
5.1.1.7. Crosstalk ........................................................................................................................... 111
5.2. DIAGRAMA DE OJO ........................................................................................................................ 112
5.2.1. Anlisis de los Parmetros del Diagrama de Ojo. ................................................................... 112
5.3. DIAGRAMA DE OJO DE LA ESTRUCTURA PROPUESTA. .................................................................. 114
5.3.1. Fuente de pulsos digitales....................................................................................................... 115
5.3.2. Diagrama de ojo de las TCIs construidas. ............................................................................... 117
5.4. CORRELACIN DE SEALES DIGITALES DE LAS TCIs CONSTRUIDAS. ............................................. 118
CAPITULO 6. CONCLUSIONES Y TRABAJO A FUTURO ....................................................................... 122

6.1. CONCLUSIONES .............................................................................................................................. 122
6.2. TRABAJO A FUTURO ....................................................................................................................... 124
REFERENCIAS BIBLIOGRFICAS ....................................................................................................... 125
APENDICE A. FIGURAS DE PARMETROS
CON EJE Y EN ESCALA LOGARTMICA ............................. 127
iii

INDICE
INDICE DE FIGURAS
Figura 1. 1. Diferentes lneas de transmisin planas. a) Stripline, b) Coplanar, C) Microcinta [1.1] .......... 11
Figura 1. 2 Lnea de microcinta [1.2]- ......................................................................................................... 12
Figura 1.3 Distribucin del campo elctrico y magntico dentro de una microcinta [1.3] ........................ 12
Figura 1. 4 Evolucin de un resonador de cavidad a un circuito LC [1.4] ................................................... 14
Figura 1. 5 Resonador que consiste de a) una lnea de transmisin abierta de 2 conductores y b) lnea
coaxial contenida [1.4] ................................................................................................................................ 14
Figura 1. 6 Vista en perspectiva de una gua de onda [1.4] ........................................................................ 15
Figura 1. 7 Comportamiento de la frecuencia de resonancia en una microcinta de dimensiones
cuadradas al incrementar o disminuir las mismas...................................................................................... 18
Figura 1. 8 Circuito elctrico equivalente para una lnea de transmisin [1.7] ........................................... 19
Figura 1. 9 Elemento infinitesimal de una lnea de transmisin [1.7] ........................................................ 21
Figura 1. 10 a) Red de un puerto, b) Red de dos puertos [1.15]................................................................. 25
Figura 1. 11 Esquema de una red de dos puertos ...................................................................................... 26
Figura 1. 12. Red lineal de dos puertos. a) Alimentadas por fuentes de tensin, b)Alimentadas por
fuentes de corriente [1.15] ......................................................................................................................... 28
Figura 1. 13 Variables utilizadas en las terminales, para definir los parmetros ABCD ............................. 30
Figura 1. 14 Red de dos puertos conectados en cascada [1.15] ................................................................. 31
Figura 1. 15. Lnea de transmisin. ............................................................................................................. 32
Figura 2. 1 Tendencias del crecimiento de la frecuencia de operacin del transistor, del
microprocesadores y de los datos .............................................................................................................. 36
Figura 2. 2 Contenidos espectrales de dos seales digitales de 1V a 10 MHz, con tiempos de subida y
bajada iguales a: (a) 20ns y (b) 5ns [2.13]................................................................................................... 38
Figura 2. 3 Rebotes de tierra debidas a seales digitales ........................................................................... 39
Figura 2. 4 Empleo de capacitores de desacoplamiento [2.1] .................................................................... 41
Figura 2. 5 Representacin real de un capacitor de desacoplamiento de 22nF [2.2] ................................ 41
Figura 2. 6 Representacin real del sistema de capacitores de desacoplamiento 22nF100Pf [2.2] ..... 42
Figura 2. 7 Curva del comportamiento real de la impedancia de los capacitores de desacoplamiento,
22nF, 100pF y 22nF100nF [2.2].............................................................................................................. 42
Figura 2. 8 A) Impedancia del diseo sin utilizar capacitores de desacoplamiento, B) Impedancia al
adicionar un capacitor de 240 pF entre las terminales de alimentacin de un dispositivo, C) Impedancia
al adicionar un capacitor de 240 pF mas uno de 2 nF entre las terminales de alimentacin de un
dispositivo [2.4]........................................................................................................................................... 44
Figura 2. 9 Proceso de elaboracin de los capacitores embebidos usando el mtodo de sand blasing
[2.12] ........................................................................................................................................................... 46
Figura 2. 10 Visin lateral de la TCI adicionando las estructuras HIS conectadas al plano de energa [2.8]
.................................................................................................................................................................... 48
iv

INDICE
Figura 2. 11 Intervalos efectivos de frecuencia para diferentes mtodos de reduccin de ruido digital [8]
.................................................................................................................................................................... 48
Figura 2. 12 Onda de voltaje propagndose por la TCI [2.9] ...................................................................... 49
Figura 2. 13 Barrera de capacitores alrededor de un circuito integrado que puede excitar el GNB [2.9] . 50
Figura 2. 14 Circuito elctrico equivalente de una lnea de transmisin [2.14] ......................................... 51
Figura 2. 15 Modelos de segmentacin e intercalado de materiales con diferentes permitividades [2.15].
a) modelo 3x3, b) modelo 5x5, c)modelo 7x7 ............................................................................................ 52
Figura 2. 16 Barreras de vias empleadas para reducir el crosstalk [2.16]. ................................................. 53
Figura 2. 17 Simulacin de los parmetros
y
de la tcnica de barreras de vias [2.16]. ................. 54
Figura 2. 18 Simulacin electromagntica de la tcnica de barreras de vias en parmetros Z, utilizando
los resultados presentados en [16]............................................................................................................. 54
Figura 2. 19 Modelo de lnea de transmisin [2.17]. .................................................................................. 55
Figura 2. 20 Tarjetas de circuito impreso. (a) Vista superior, (b) Seccin transversal [2.17] ..................... 55
Figura 2. 21 Graficas de la magnitud y fase del parmetro
para las TCIs sin capacitores [2.17] ......... 56
para las TCIs con 2 capacitores [2.17] ..... 58
Figura 2. 23 Modelo para calcular el parmetro
[17] ........................................................................... 58
para las tarjetas A,B y C [2.17]................. 60
Figura 3. 1. Tarjeta de Circuito Impreso tipo microcinta utilizada como referencia. ................................. 64
Figura 3. 2. Respuesta natural de la microcinta en parmetros S. (a) Prdidas por retorno del puerto de
entrada
, (b) Prdidas por insercin
................................................................................................ 65
Figura 3. 3. Simulacin de la fase del parmetro
de la microcinta sin vias. ......................................... 65
Figura 3. 4. Respuesta natural de la microcinta en parmetro
. ........................................................... 66
Figura 3. 5. Estructura EBG propuesta para modificar la resonancia de la TCI. ......................................... 66
Figura 3. 6. Variacin del dimetro del via. ................................................................................................ 67
Figura 3. 7. Resultados de la simulacin de la TCI variando el dimetro del via. (a) Prdidas por retorno
del puerto de entrada
......................................................................... 68
Figura 3. 8. Parmetro
de la simulacion cuando se vara el diametro del via. ..................................... 69
Figura 3. 9. Variacin de la distancia entre el via y la microcinta ............................................................... 71
Figura 3. 10. Distribucin de corriente en el plano de tierra [3.2] ............................................................. 71
Figura 3. 11. Resultados de la simulacin de la TCI variando la separacin entre via y microcinta. (a)
Prdidas por retorno del puerto de entrada
...................................... 72
de la simulacin cuando se vara la separacin entre via y microcinta. ....... 73
Figura 3. 13. Ubicacin del nmero de vias a lo largo de la microcinta ..................................................... 75
Figura 3. 14. Resultados de la simulacin de la TCI variando en nmero de vias. (a) Prdidas por retorno
del puerto de entrada
. ........................................................................ 76
Figura 3. 15.Parmetro
de la simulacin cuando se vara el nmero de vias en la microcinta. .......... 76
Figura 3. 16. Ubicacin de tres vias al cambiar su ubicacin a lo largo de la microcinta. .......................... 79
Figura 3. 17. Resultado de la simulacin de la TCI variando la ubicacin de tres vias en la TCI. (a) Prdidas
por retorno del puerto de entrada
. .................................................... 80
v

INDICE

de la simulacin cuando se vara la ubicacin de tres vias en la TCI. ............ 80
Figura 3. 19. Resultado de la medicin de la TCI sin vias. (a) Prdidas por retorno del puerto de entrada
. ............................................................................................................ 83
de la medicin de la TCI sin vias. .................................................................... 84
Figura 3. 21.Comparacin de los parmetros S obtenidos durante las mediciones, al modificar el nmero
de vias en la TCI. (a) Prdidas por retorno del puerto de entrada
. .... 85
de la medicin cuando se vara el nmero de vias en la TCI. ........................ 86
Figura 3. 23. Comparacin de los parmetros S obtenidos durante las mediciones, al modificar la
ubicacin de los tres vias utilizados.. (a) Prdidas por retorno del puerto de entrada
, (b) Prdidas
por insercin
. ........................................................................................................................................ 88
de la medicin cuando se vara la ubicacin de tres vias en la TCI. ............... 89
Figura 4. 1. Representacin geomtrica de la TCI tipo microcinta [4.1]..................................................... 92
Figura 4. 2. Comportamiento de los parmetros RLCG de una Lnea de Transmisin tipo microcinta al
incrementar la frecuencia.. ......................................................................................................................... 95
Figura 4. 3. Circuito elctrico equivalente de la microcinta en parmetros distribuidos. .......................... 96
Figura 4. 4. Modelo elctrico del via. .......................................................................................................... 98
Figura 4. 5. Circuito equivalente del via...................................................................................................... 99
del modelo de la TCI sin vias. ........................................................................ 101
Figura 4. 7. Circuito elctrico equivalente de la TCI con 1 via. ................................................................. 101
Figura 4. 8. Magnitud de la impedancia
del modelo de la TCI con 1 via al centro. ............................ 102
Figura 4. 9. Circuito elctrico equivalente de la TCI con tres vias en diferentes ubicaciones .................. 103
Figura 4. 10. Magnitud del parmetro
, cuando se cambia la ubicacin de los tres vias empleados. 104
Figura 5. 1. Pulso digital real [5.1]............................................................................................................. 106
Figura 5. 2. Composicin de una seal digital [5.1]. ................................................................................. 107
Figura 5. 3. Prdidas en una pista de una PC [5.1].................................................................................... 108
Figura 5. 4. Seal Digital con prenfasis [5.1]. .......................................................................................... 109
Figura 5. 5. Rizo en una seal digital [5.5]. ............................................................................................... 109
Figura 5. 6. Sobreimpulso de una seal digital. [5.5] ................................................................................ 110
Figura 5. 7. Diagrama de ojo con Jitter [5.6]. ............................................................................................ 111
Figura 5. 8. Crosstalk debido a inductancias y capacitancias mutuas [5.5]. ............................................. 111
Figura 5. 9. Parmetros de un pulso digital [5.3]. ..................................................................................... 113
Figura 5. 10. Parmetros fundamentales de un diagrama de ojo [5.3]. ................................................... 113
Figura 5. 11. Mscara en un diagrama de ojo [5.3]. ................................................................................. 114
Figura 5. 12. Diagrama de ojo del tren de pulsos de la fuente. ................................................................ 116
Figura 5. 13. Diagramas de ojo obtenidos por simulacin de las TCIs. ..................................................... 117
Figura 5. 14. Graficas de las seales digitales de salida de las TCIs de modelo elctrico.119
Figura 5. 15. Grafica de la correlacin cruzada de la seal digital de salida sin vias con las seales
digitales de salida de las TCIs....119
vi

INDICE
Figura A. 1. Parmetro
obtenido de la simulacin cuando se vari el dimetro del via.................... 127
obtenido de la simulacin cuando se vari la distancia del via a la microcinta.
.................................................................................................................................................................. 127
obtenido de la simulacin cuando se vari el nmero de vias en la TCI. ..... 128
simulado cuando se vari la ubicacin de tres vias en la TCI........................ 128
de la medicin cuando se vari el nmero de vias en la TCI. ....................... 129
de la medicin cuando se varin la posiscin de 3 vias a lo largo de la TCI. 129
del modelo elctrico para una TCI sin vias. ................................................... 130
del modelo elctrico para una TCI con 1 via. ................................................ 130
del modelo para la TCI CASO 1. ..................................................................... 131
del modelo para la TCI CASO 2. ................................................................... 131
del modelo para la TCI CASO 3. ................................................................... 132
vii

INDICE
INDICE DE FOTOGRAFIAS
Fotografa 3. 1. Vista superior de la TCI tipo microcinta sin vias ................................................................ 82
Fotografa 3. 2. Vista superior de las TCIs empleadas en experimentacin cuando se modific el nmero
de vias. a) 1 via, b) 3vias, c) 11 vias............................................................................................................. 84
Fotografa 3. 3. Vista superior de las TCIs que se utilizaron en la experimentacin, al modificar la posicin
de 3 vias. ..................................................................................................................................................... 88
viii

INDICE
INDICE DE TABLAS
Tabla 1. 1. Formulas para conversin entre parmetros S, Z y ABCD [1.13]. ............................................. 35

Tabla 2. 1.Propiedades elctricas de los materiales para capacitores embebidos [12]. ............................ 45
Tabla 2. 2.Frecuencias de resonancia en las TCI, en funcin de los modos de propagacin [2.17]. .......... 57
Tabla 3. 1. Caractersticas del laminado empleado en la fabricacin de la TCI. ......................................... 63
Tabla 3. 2. Comparacin de magnitudes del parmetro
al variar el dimetro del via. ........................ 69
Tabla 3. 3. Comparacin de frecuencias del parmetro
al variar el dimetro del via. ........................ 70
al variar la separacin entre el via y la
microcinta. .................................................................................................................................................. 73
al variar la separacin entre el via y la
microcinta. .................................................................................................................................................. 74
Tabla 3. 6.Comparacin de magnitudes del parmetro
al variar el nmero de vias colocados en la
TCI. .............................................................................................................................................................. 77
Tabla 3. 7.Comparacin de frecuencias del parmetro
al variar el nmero de vias colocados en la TCI.
.................................................................................................................................................................... 78
al variar la ubicacin de tres vias colocados en
la TCI............................................................................................................................................................ 81
al variar la ubicacin de tres vias colocados en
la TCI............................................................................................................................................................ 81
medido al variar el nmero de vias
colocados en la TCI...................................................................................................................................... 86
Tabla 3. 12Comparacin de magnitudes del parmetro
medido al variar la ubicacin de los tres vias
medido al variar la ubicacin de tres vias
Tabla 5. 1. Parmetros de diagrama de ojo obtenidos por simulacin. ................................................... 118
ix
RESUMEN
En este trabajo de tesis se presenta una solucin para reducir la magnitud de impedancia que se
presenta a las frecuencias de resonancia de una tarjeta de circuito impreso tipo microcinta, la
cual, consiste en utilizar tres vias a un costado de la pista que conduce la seal de informacin;
con esto se reduce la posibilidad de radiar el ruido por la conmutacin simultnea que se presenta
al utilizarse dispositivos digitales de tecnologa reciente. La reduccin de la magnitud de la
impedancia fue del 12.47 % tomando como referencia una microcinta sin vias. Se presentan
resultados obtenidos mediante la utilizacin de programas de simulacin electromagntica as
como tambin los que se obtuvieron en forma experimental. Para comprobar que la solucin
propuesta no afecta a la seal que se conduce por la microcinta, se presenta un estudio de la
integridad de la seal mediante la tcnica de diagrama de ojo.
ABSTRACT
This thesis presents a solution to reduce the magnitude of impedance presented to the resonance
frequencies of a printed circuit board type microstrip, which is to use three vias to one side of the
track leading signal of information, with this reduces the possibility of radiating the simultaneous
switching noise that occurs when used recent technology digital device. Reducing the magnitude
of the impedance was 12.47% with reference to a microstrip without vias. We present results
obtained using electromagnetic simulation software as well as those obtained experimentally. To
verify that the solution does not affect the signal that leads to the microstrip, we present a study
of signal integrity through the eye diagram technique.
INTRODUCCIN
La demanda de acceso a la informacin ha ido creciendo a pasos agigantados, con lo cual se

requiere del diseo de sistemas digitales acordes con las demandas actuales. Esto ha implicado el
aumento de la velocidad de procesamiento, para manipular mayor informacin en el menor
tiempo posible; la reduccin del voltaje de operacin para hacer ms eficiente el consumo de
energa de los mismos, aunado a la concentracin de mltiples elementos en pequeos espacios
con la tendencia a la miniaturizacin. Para cumplir con las expectativas en el diseo se utilizan
seales de alta velocidad, lo cual quiere decir que se emplean seales digitales con tiempos de
subida y bajada rpidos del orden de unos cuantos nanosegundos incluso picosegundos. Este tipo
de seales de altas velocidades de conmutacin produce aumento de la amplitud de armnicos en
altas frecuencias lo que provoca errores en el procesamiento de las seales.
Cuando la frecuencia de operacin de un dispositivo en particular coincide con la frecuencia de
resonancia propia de la Tarjeta de Circuito Impreso (TCI) o de sus armnicos, existir una
radiacin que afectar a los dispositivos propios de la TCI lo que ocasionar fallos en el sistema.
Por este motivo se estudia el comportamiento de las resonancias en una TCI y se propone una
solucin para reducir su magnitud y de este modo reducir la posibilidad de tener radiacin y
mitigar sus efectos negativos como prdida de la seal o fallos en los sistemas digitales.
OBJETIVO
Reducir la magnitud de las impedancias que se presentan en las frecuencias de resonancia de una
lnea de transmisin tipo microcinta para aplicaciones en sistemas digitales.
JUSTIFICACIN
Hoy en da es comn la utilizacin de dispositivos electrnicos que realizan una serie de

complicados procesos, un ejemplo de ello son los celulares, que llevan a cabo funciones casi en
tiempo real. En este caso, para lograr el manejo de la informacin a gran velocidad se utilizan
diseos digitales que involucran seales de alta frecuencia y alta velocidad con un voltaje de
alimentacin reducido. En estos dispositivos se generan problemas como el ruido de rebote a
tierra (GBN), el ruido de conmutacin simultanea (SSN) y los debidos a las resonancias, las
cuales pueden ser originadas por desacoplamientos de impedancias entre el generador y la carga
o se generan por la estructura propia de la TCI ya que se forma una cavidad entre dos
conductores. Este trabajo de tesis se enfoca en el estudio de las resonancias propias de una lnea
de transmisin tipo microcinta, dado que cuando esta frecuencia de resonancia coincide con la
frecuencia de operacin de alguno de los dispositivos, se genera un efecto antena y existe
radiacin que afecta a los dispositivos de la TCI provocando mal funcionamiento de los mismos.
En estudios relacionados con el tema se ha encontrado que al variar los efectos capacitivos e
inductivos de la TCI es posible modificar las resonancias presentes en la misma. Para lograr este
efecto en este trabajo de tesis se propone modificar una estructura EBG adicionando vias a un
costado de la microcinta, logrando reducir la magnitud de las resonancias empleando una tcnica
de fcil elaboracin y bajo costo.
ORGANIZACIN DEL TRABAJO DE TESIS
Para lograr el objetivo planteado, la tesis se encuentra organizada de la siguiente manera:
CAPITULO 1. En este captulo se presentan los conceptos bsicos relacionados con las lneas
de transmisin tipo microcinta, considerando sus principales parmetros.
CAPITULO 2. Con el fin de ubicar lo que hasta la fecha se ha desarrollado en torno al control
de las resonancias propias de la TCI, en este captulo se hace una revisin a los estudios
relacionados, citando sus principales aportaciones y alcances. Basndose en lo anterior se
desarrolla la propuesta del control de las resonancias existentes en una TCI.
CAPITULO 3 En este captulo se presenta el diseo de la estructura propuesta basndose en la

simulacin electromagntica para la obtencin de la misma, para validar este comportamiento se
construy la estructura para poder realizar mediciones y comparar los resultados obtenidos
mediante simulacin electromagntica y experimentalmente
CAPITULO 4 En este captulo se presenta el desarrollo de un circuito equivalente que describe

el funcionamiento de la estructura propuesta basndose en parmetros distribuidos y redes de dos
puertos
CAPITULO 5. Para validar la estructura propuesta, en este captulo se hace un anlisis de la

integridad de una seal digital por medio del diagrama de ojo, comparando la respuesta natural
con la obtenida con la propuesta en esta tesis.
5
CAPITULO 6. En este captulo se describen las conclusiones derivadas del trabajo de tesis. As
mismo se da una serie de recomendaciones para trabajo a futuro.
ABREVIATURAS
BER
CMOS
CST
EBG
EMC
FR4
GBN
HIS
IE
ISI
RLCG
SI
SMA
SSN
SWR
TCI, PCB
Via
Vnoise
F
c
Nmero de bits errneos divididos entre total de bits transferidos (Bit Error Rate)
Semiconductor complementario de xido metlico (Complementary Metal Oxide
Semiconductor)
Siglas en ingles de Computer Simulation Technology
Banda electromagntica prohibida (Electromagnetic Bandgap)
Compatibilidad electromagntica (Electromagnetic Compatibility)
Dielctrico de las TCI con nivel de flamabilidad 4 (Flamabilily Rate 4)
Ruido de rebote a tierra (Ground Bounce Noise)
Superficie de alta impedancia (High Impedance Surface)
Interferencia electromagntica (Interferencia Electromagntica)
Interferencia intersimbolica
Resistencia, Inductancia, Capacitancia y Conductancia por unidad de longitud
Integridad de seal
Conector para alta frecuencia (Subminiature versin A )
Ruido de conmutacin simultanea (Simultaneous Switching Noise)
Relacin de onda estacionaria
Tarjeta de circuito impreso (Printed Circuit Board)
Cilindro de cobre solido colocado entre los planos de energa de la TCI
Voltaje de ruido de conmutacin simultanea
Impedancia caracterstica
Inductancia mutua
Inductancia equivalente
Inductancia de interconexin
Resistencia de Interconexin
Resistencia a C.D.
Capacitancia de interconexin
Capacitancia mutua
Frecuencia de resonancia
Velocidad de la luz
Permitividad dielctrica del espacio libre
Permitividad dielctrica efectiva
Permitividad dielctrica relativa
Permeabilidad magntica del espacio libre
Permeabilidad magntica efectiva
7
L
W
H
T
l, m, n
x, z
N
RF
E
H
TE
TEM
D
D
S
V
I
S11
S21
Z11
Z12
A
B
C
D
dB
Permeabilidad magntica relativa

Tiempo de subida
Tiempo de bajada
Ancho del impulso
Atenuacin
Conductividad del cobre
Perdidas tangenciales
Constante de propagacin
Longitud de onda
Longitud de onda mnimo
Frecuencia mxima
Longitud de lnea de transmisin
Longitud fsica de la microcinta
Longitud elctrica
Longitud de la microcinta
Ancho de la microcinta
Espesor de la microcinta
Espesor del cobre
Modos de propagacin en direccin x,y,z
Direccin de propagacin del campo
Nmero de segmentos de lnea de transmisin
Radio frecuencia
Intensidad de campo elctrico
Intensidad de campo magntico
Modo de propagacin transverso elctrico
Modo de propagacin transverso electromagntico
distancia entre los conductores y d el dimetro del conductor
Dimetro del conductor
Separacin entre microcintas
Voltaje
Voltaje de alimentacin de una TCI
Corriente
Prdidas por insercin del puerto1 al puerto2
Impedancia de entrada en circuito abierto
Impedancia de transferencia en circuito abierto del puerto 1 al puerto 2
Relacin de tensin en circuito abierto
Impedancia negativa de transferencia en corto circuito
Admitancia de transferencia en circuito abierto
Relacin negativa de corrientes en corto circuito
Relacin de tensin en circuito abierto de interconexin
Impedancia negativa de transferencia en corto circuito de interconexin
Admitancia de transferencia en circuito abierto de interconexin
Relacin negativa de corrientes en corto circuito de interconexin
Decibeles
8
Gbps
GHz
MHz
kHz
ps
ns
pF
Gigabits por segundo

Giga Hertz
Mega Hertz
Kilo Hertz
Pico Segundos
Nano Segundos
Pico Farad

CAPITULO 1: Estudio de las resonancias debidas a las pistas en una TCI
CAPITULO 1. ESTUDIO DE LAS RESONANCIAS DEBIDAS A LAS PISTAS

EN UNA TARJETA DE CIRCUITO IMPRESO
En este captulo se realiza una descripcin de las lneas de transmisin planas ms comunes, as
como las ecuaciones para determinar algunas de sus caractersticas, y se presentan algunos
conceptos bsicos relacionados con las mismas.
1.1 LNEAS DE TRANSMISIN
Una lnea de transmisin se define como un sistema conductor que es usado para transferir
energa elctrica de un punto a otro. Siendo ms especficos podemos decir que una lnea de
transmisin consiste de dos o ms conductores separados por un dielctrico. Algunos tipos de
lneas de transmisin son el par trenzado, cable coaxial, las microcintas etc.
1.1.1. Lneas Planas

Las lneas de transmisin planas se componen de un dielctrico con metalizacin en uno o ambos
lados. Esta metalizacin es la que se vara al momento de construir circuitos pasivos, lneas de
transmisin y circuitos de acoplamiento. As mismo, es posible intercalar dispositivos activos.
Dentro de este tipo de lneas de transmisin las ms comunes son: la microstrip o microcinta, la
lnea triplaca (stripline) y la coplanar, Figura 1.1.
Esta tipo de lnea de transmisin tiene como principales ventajas el bajo costo, el amplio ancho
de banda que se puede manejar, las sencillas tcnicas de fabricacin, lo ligero y compacto de los
circuitos que se fabrican con ellas.
10

Figura 1. 1. Diferentes lneas de transmisin planas. a) Stripline, b) Coplanar, C) Microcinta [1.1]
1.2. LNEA DE MICROCINTA
La lnea de microcinta est formada por un plano conectado a tierra y una cinta conductora
descubierta separada por un sustrato dielctrico, como se muestra en la Figura 1.2. La lnea de
microcinta tiene la ventaja de estar abierta (til para realizar circuitos activos) y su simplicidad
de fabricacin. Es la lnea de transmisin plana ms utilizada para la realizacin de circuitos de
filtros, acopladores, resonadores, antenas, etc. y, su uso, a frecuencias de microondas, ha
revolucionado la tecnologa [1.2].
Tal como se observa en la Figura 1.2, las pistas en configuracin microcinta estn expuestas a
ambos dielctricos, aire y el material dielctrico de la tarjeta de circuito impreso (TCI), el cual
comnmente est hecho de fibra de vidrio o FR4 para aplicaciones de frecuencias bajas a medias,
mientras que para altas frecuencias se pueden usar dielctricos de bajas prdidas como lo son la
Alumina y el Duroid. En este tipo de lnea de transmisin se puede fabricar con tcnicas
fotolitogrficas e inclusive mediante tcnicas mecnicas
11

Figura 1. 2 Lnea de microcinta [1.2]
Donde:
W = Ancho de la cinta conductora.
h = Grosor del sustrato dielctrico.
l= Longitud de la microcinta.
t = Espesor de la microcinta.
= Constante dielctrica del sustrato.
1.2.1. Impedancia caracterstica de la microcinta
En virtud de la estructura descubierta de la lnea de microcinta, el campo electromagntico no

est confinado al dielctrico, sino que se sita parcialmente en el aire circundante, como se
observa en la Figura 1.3. En tanto la frecuencia no sea demasiado alta, la onda propagada por la
lnea de microcinta es, para efectos prcticos, una onda transverso elctrica (TE).
Figura 1.3 Distribucin del campo elctrico y magntico dentro de una microcinta [1.3]
12

A causa del efecto de borde, la permitividad efectiva

del sustrato. Si
es la anchura de la lnea y
es menor que la permitividad relativa
el grosor del sustrato, un valor aproximado de
est dado por
La impedancia caracterstica est dada a su vez por las siguientes frmulas:
Analizando la expresin anterior podemos ver que la impedancia caracterstica de una cinta
ancha suele ser baja, mientras que la de una cinta angosta es alta [1.2].
1.2.2. Frecuencia de resonancia en una microcinta
En este trabajo de tesis es necesario conocer la frecuencia de resonancia de una lnea de

transmisin tipo microcinta, por lo que, para el clculo de la frecuencia de resonancia de una
microcinta, se parte del anlisis de una cavidad resonante dado que una microcinta tambin
cumple con las caractersticas para ser considerada como una cavidad resonante rectangular
[1.4], [1.5].
El propsito de las lneas de transmisin y guas de onda es transmitir la energa

electromagntica eficientemente de un punto a otro. Por otro lado, un resonador es un dispositivo
13

de almacenamiento de energa. Como tal, es equivalente a un elemento de un circuito de

resonancia. A bajas frecuencias, un capacitor conectado en paralelo con un inductor como se
muestra en la Figura 1.4a forman un circuito resonante. Para hacer que esta combinacin resuene
a longitudes de onda ms cortas, la inductancia y capacitancia se pueden reducir como se
muestra en la Figura 1.5b. Las placas paralelas reducen la inductancia an ms, Figura 1.4c, y el
caso lmite es la caja rectangular completamente contenida o resonador de cavidad, Figura 1.4d,
en la que el voltaje mximo se desarrolla entre los puntos 1 y 2 al centro de las placas inferior y
superior.
Figura 1. 4 Evolucin de un resonador de cavidad a un circuito LC [1.4]
Los resonadores tambin se pueden construir usando secciones de lneas de transmisin en

circuito abierto o en corto circuito como se muestra en la Figura 1.5. La Figura 1.6a muestra una
lnea de transmisin de dos conductores (que puede ser una microcinta), mientras que la Figura
1.6b muestra una lnea coaxial.
Figura 1. 5 Resonador que consiste de a) una lnea de transmisin abierta de 2 conductores y b) lnea coaxial contenida [1.4]
14

Como se mencion anteriormente la lnea de transmisin tipo microcinta puede ser considerada
como una gua de onda y en el caso de esta ltima, para encontrar su frecuencia de resonancia
podemos considerar que una onda en modo
conductora en
viajando en la direccin incide en una placa
, como muestra en la Figura 1.6, produciendo una onda estacionaria pura en
la gua. Esta onda estacionaria es la resultante de dos ondas viajeras de igual amplitud viajando
en la direccin
(onda incidente) y la direccin
(onda reflejada). Los campos de estas
ondas viajeras estn dados por la Ecuacin 1.3
Figura 1. 6 Vista en perspectiva de una gua de onda [1.4]
Los signos
y en los exponentes indican la direccin en la que viajan las ondas. Sumando los
campos de las ondas viajeras para obtener la onda estacionaria, se tiene
15

Al insertar otra placa conductora a travs de la gua en
requiere que
, donde
es un numero entero. Ahora, puesto que la impedancia de una onda transversal es

, se tiene
Si procedemos de igual forma con las componentes del campo magntico, tenemos
Con placas conductoras a travs de la gua de ondas en
la onda es atrapada en el
recinto rectangular formando un resonador de cavidad. Observamos que los campos elctrico y
magntico estn en cuadratura de fase del tiempo ( en el exponente para
pero no para
) como es caracterstico de una onda estacionaria.
El modo de una onda TE en una cavidad rectangular es designado como un modo

se refiere a variaciones (de medio ciclo) del campo en la direccin ,
la direccin . Como se ha supuesto
Ahora
, pero
en la direccin
en el anlisis anterior, el modo ser
, donde
y
en
. Por consiguiente,
16

De modo que la longitud de onda de resonancia es
La frecuencia de resonancia es
definidos por
, donde
es la velocidad de fase de una onda plana
Por lo que la Ecuacin de la frecuencia de resonancia queda:
donde
4 x10-7 [H/m]
(8.85x10-12) [F/m]
Puesto que
Donde:
= velocidad de la luz =
= permitividad relativa o constante dielctrica del material
= modos de propagacin
=largo y ancho de la microcinta[m]
En el desarrollo del trabajo de tesis se emplea la ecuacin 1.11 de la frecuencia de resonancia y

tambin se cita en publicaciones como [1.4] [1.5] [1.6].
17

De lo anterior se deduce que una microcinta es una cavidad resonante rectangular donde el
comportamiento de la frecuencia de resonancia se puede observar de la siguiente manera
El modo de una onda TE en una cavidad rectangular es, en general, designado como un modo
TElmn donde
introduce los mltiplos de
direccin ,
en la direccin . Para el modo de transmisin de la microcinta se considera TE10
que caben en la longitud de la microcinta en la
), donde slo hay transmisin en la direccin
De la Ecuacin 1.11 se observa que al disminuir las dimensiones de la TCI (
) la frecuencia
de resonancia se desplaza a altas frecuencias, Figura 1.7, lo mismo ocurre al disminuir la

permitividad del material.
Figura 1. 7 Comportamiento de la frecuencia de resonancia en una microcinta de dimensiones cuadradas

al incrementar o disminuir las mismas
18

1.4. CIRCUITO EQUIVALENTE DE LA LNEA DE TRANSMISIN
Se considera que, en un circuito, los parmetros son concentrados cuando las dimensiones fsicas
de sus componentes, incluyendo los hilos de conexin, son mucho menores que la longitud de
onda de la energa manejada por el circuito. Si las dimensiones del circuito y sus componentes
son comparables a la longitud de onda o mayores que sta, el circuito debe considerarse como de
parmetros distribuidos y su tratamiento requiere de la teora de lneas de transmisin, derivada
de la teora del campo electromagntico. As en una lnea de transmisin, la resistencia,
inductancia, capacitancia o conductancia no pueden considerarse concentradas en un punto
determinado de la lnea, sino distribuidos uniformemente a lo largo de ella, por lo tanto, se les
llama comnmente parmetros distribuidos [1.7]. Para simplificar el anlisis, los parmetros
distribuidos comnmente se agrupan, por una longitud unitaria dada, para formar un modelo
elctrico de la lnea. (Figura 1.8).
Figura 1. 8 Circuito elctrico equivalente para una lnea de transmisin [1.7]
En este trabajo de tesis se emplea este modelo de lnea de transmisin para implementar un
modelo que nos permita conocer el efecto de la estructura EBG que se propone en esta tesis, por
lo que es necesario explicar los parmetros primarios y secundarios de la lnea de transmisin.
19

1.4.1. Parmetros primarios de la lnea de transmisin
Se designan como parmetros primarios de la lnea de transmisin los siguientes:
Resistencia en serie por unidad de longitud, , expresada en [/m].
Inductancia en serie por unidad de longitud, , en [H/m].
Capacitancia en paralelo por unidad de longitud, , en [F/m].
Conductancia en paralelo por unidad de longitud, , en [S/m].
La resistencia depende de la resistividad de los conductores y de la frecuencia. En altas

frecuencias, la resistencia aumenta con la frecuencia debido al efecto pelicular (skin), ya que la
corriente penetra slo una pequea capa cercana a la superficie del conductor. La inductancia es
consecuencia del hecho de que todo conductor por el que circula una corriente variable tiene
asociada una inductancia [1.8]. En la lnea se representa el efecto capacitivo entre conductores
cuya capacitancia depende del rea de estos, su separacin y la constante dielctrica del material
que los separa. Finalmente, la conductancia es consecuencia de que el dielctrico no es perfecto
y tiene resistividad finita, por lo que se establece una corriente se fuga entre los conductores y,
junto con la resistencia en serie contribuye a las prdidas o atenuacin en la lnea.
Los parmetros RLGC son empleados en diversas publicaciones, para describir el

comportamiento de las lneas de transmisin [1.9] [1.10] [1.11].
Para completar el anlisis de lnea de transmisin es importante la obtencin de los parmetros

secundarios (constante de propagacin e impedancia caracterstica), Estos se obtienen analizando
un elemento infinitesimal de lnea de transmisin con los parmetros del circuito concentrados y
empleando las leyes de voltaje y corriente de Kirchoff. El mtodo que se utiliza para la obtencin
de estas ecuaciones se describe a continuacin
20

1.4.2. Parmetros secundarios de una lnea de transmisin
Supngase un elemento infinitesimal de una lnea abierta de dos conductores paralelos, con
parmetros primarios , ,
y , que puede suponerse tan pequeo como se quiera de modo que
los parmetros del circuito puedan considerarse concentrados en la forma que se muestra en la
Figura 1.9
Figura 1. 9 Elemento infinitesimal de una lnea de transmisin [1.7]
El valor total de la resistencia en este elemento infinitesimal es

unidad de longitud
ya que la resistencia por
est distribuida uniformemente a lo largo de las dos ramas del elemento
infinitesimal de longitud total
. El hecho de considerarla dividida en dos ramas o concentrarla
en una sola es arbitrario y lo mismo ocurre con la inductancia. La capacitancia y la conductancia

en paralelo estn, respectivamente, concentradas en un slo elemento. El voltaje y la corriente a
la entrada del elemento infinitesimal son
La cada de voltaje a lo largo de
es
e
y la corriente
, respectivamente y a la salida,
e .
circula a travs de la conductancia y
la capacitancia.
21

Suponiendo variaciones senoidales para el voltaje y la corriente y empleando notacin fasorial,

pueden aplicarse las leyes de Kirchoff al circuito anterior [1.7], con lo que se tiene:
Donde
, es la impedancia en serie por unidad de longitud e
, la
admitancia en paralelo, por unidad de longitud.
Tomando la segunda derivada de las ecuaciones (1.14) y (1.15) se tiene:
La solucin de las ecuaciones (1.16) y (1.17) es:
donde,
Que se define como la constante de propagacin y se representa como un nmero complejo que
puede escribirse como [1.11]
Donde
es la constante de atenuacin y se expresa en [nepers/m] y
es la constante de fase
expresada en rad/m
22

En las ecuaciones (1.18) y (1.19),
son las constantes de integracin cuyos
valores resultan de aplicar las condiciones de frontera a la solucin de las ecuaciones de la lnea.
Tales condiciones de frontera estn representadas aqu por la impedancia de carga y el voltaje
aplicado a la lnea. De estas cuatro constantes, solamente dos son independientes, ya que:
donde,
Que se define como la impedancia caracterstica de la lnea que, junto con la constante de
propagacin, se designan como parmetros secundarios de la lnea y son independientes de la
longitud de sta. La impedancia caracterstica de una lnea depende de la permitividad,
permeabilidad, frecuencia y geometra de la lnea. Como se ve en la Ecuacin (1.24), la
impedancia caracterstica es, en general, compleja, es decir:
1.5. LONGITUD ELCTRICA DE UNA LNEA DE TRANSMISIN
La longitud elctrica
de una lnea de transmisin a una frecuencia determinada se define
como la relacin entre su longitud fsica
y la longitud de onda
de las seales que se
propagan.
23

Este parmetro indica si el retardo que sufren las seales propagndose por la lnea implica
desfases importantes y por tanto, si este retardo se tiene que tener en cuenta en el anlisis de
circuitos.
Si
las seales no cambian cuando se propagan por la lnea lo que implica
que se pueda considerar como una conexin puntual.

Si
el desfase de las seales es importante, lo que implica que se tiene que
tener en cuenta el retardo de la seal.
Para trminos prcticos una lnea de transmisin de longitud , puede dividirse en un nmero de
bloques de lnea de transmisin mnimos
, para poder considerarla como de parmetros
concentrados de acuerdo con la bibliografa consultada. Esto es,
donde:
min Longitud de onda mnima de la microcinta [m]

c Velocidad de propagaci n de la onda electromag ntica en el vaco [m/s]
f max Frecuencia mxima de operacin [Hz]
llt Longitud mxima de linea de transmisin [m]
N Nmero de bloques de lnea de transmisin
l Longitud de la microcinta [m]
24

1.6. REDES DE 2 PUERTOS
Se conoce como puerto a una pareja de terminales a travs de las cuales es posible que entre o
salga corriente de una red, en general una red puede tener n puertos. En consecuencia una red
de dos puertos cuenta con dos pares de terminales que actan como puntos de acceso. Como se
muestra en la Figura 1.10, la corriente que entra en una terminal por un par sale por la otra
terminal.
Figura 1. 10 a) Red de un puerto, b) Red de dos puertos [1.15]
El estudio de las redes de dos puertos se usa para conocer los parmetros que la conforman, lo
cual permite tratarla como una caja negra cuando est incrustada dentro de una red mayor. La
caracterizacin de una red de dos puertos requiere que se relacionen voltajes y corrientes
e
en los puertos de la red, Figura 1.10. Los diversos trminos que relacionan estas tensiones
y corrientes reciben el nombre de parmetros. Ms adelante se mostrar la relacin de voltajes y

corrientes de 3 tipos de parmetros (parmetros S, parmetros Z y parmetros ABCD) que se
utilizan en el desarrollo de este trabajo de tesis.
1.6.1. Parmetros S
En altas frecuencias, se utiliza el modelo de redes de dos puertos los cuales son descritos por su
matriz de parmetros de dispersin (scattering matrix), de ah su nombre, parmetros de
25

dispersin o parmetros S. Con estos parmetros es posible manipular cantidades de onda y nos
sirven para caracterizar el comportamiento en frecuencia de circuitos de RF y microondas.
Para entender este concepto es importante mencionar que a frecuencias muy bajas, la longitud de
onda de la seal es mucho mayor que la de los elementos del circuito, pero conforme se
incrementa la frecuencia, dicha longitud de onda se va haciendo cada vez ms pequea, por lo
que las leyes de Kirchhoff dejan de tener validez. Adems, trabajar con tensiones y corrientes se
hace ms difcil cada vez, ya que dependiendo de la frecuencia en la que estemos, se hace
imposible hacer cortocircuitos y circuitos abiertos estables, as que aunque el concepto de tensin
y corriente persiste en lneas de transmisin a estas, se suman otros efectos como la reflexin y la
onda estacionaria, y se le da ms importancia a nuevas magnitudes como la potencia que son
elementos vitales para el tratamiento terico y prctico de los circuitos de alta frecuencia. Entre
las herramientas imprescindibles que surgen para el anlisis, el diseo y la interpretacin de lo
que le ocurre a las seales elctricas en una lnea de transmisin estn los parmetros S, como se
ilustran en la Figura 1.11.
Figura 1. 11 Esquema de una red de dos puertos
En la matriz de parmetros-S para la definicin de una red de dos puertos, se considera que los
puertos salvo el que se encuentra bajo consideracin tienen una carga conectada a ellos idntica a
la impedancia del sistema. Para un puerto
( representa el nmero del puerto), la definicin de
parmetros S asociados se realiza en funcin de ondas de potencia incidente y reflejada,
respectivamente.
26

La matriz de parmetros-S para una red de dos puertos est dada por:
Por lo tanto
De las ecuaciones 1.32 se obtiene cada parmetro S de una red de dos puertos, los cuales tiene
las siguientes descripciones genricas:

Prdidas por retorno del puerto de salida
1.6.2. Parmetros de Impedancia
Los parmetros de impedancia se emplean comnmente en la sntesis de filtros. Son tiles en el

diseo y en el anlisis de redes de acoplamiento y de impedancia, as como para las redes de
distribucin de potencia. Para el caso de este trabajo de tesis sern empleados para identificar las
frecuencias de resonancia as como sus magnitudes.
27

Figura 1. 12. Red lineal de dos puertos. a) Alimentadas por fuentes de tensin, b)Alimentadas por fuentes de corriente [1.15]
Una red de dos puertos puede alimentarse por medio de una tensin como se muestra en la
Figura 1.12 a) o por una corriente como se muestra en la Figura 1.12 b). A partir de cualquiera de
estas dos figuras es posible relacionar las tensiones con las corrientes en las terminales, como en
las expresiones.
O en forma matricial como
Donde los trminos Z se denominan parmetros de impedancia, o simplemente parmetros Z,

cuyas unidades son los ohms.
El valor de los parmetros pueden evaluarse fijando

o
(puerto de entrada en circuito abierto)
(puerto de salida en circuito abierto). Por lo tanto.
28

Puesto que los parmetros Z se obtienen poniendo en circuito abierto el puerto de entrada o de
salida, como se observa en la Ecuacin 1.36, entonces se les denomina parmetros de
impedancia en circuito abierto. Especficamente
Impedancia de entrada en circuito abierto

Impedancia de salida en circuito abierto
1.6.3. Parmetros de transmisin ABCD
Se tiene otro conjunto de parmetros que relacionan las variables en el puerto de entrada con
aquellas en el puerto de salida como se indica en la ecuacin
o sea
Las ecuaciones 1.37 y 1.38, relacionan las variables de entrada (

). Al calcular los parmetros de transmisin se utiliza
), con las variables (
en lugar de
, ya que se considera
que la corriente sale de la red, como en la Figura 1.13. Esto se hace solamente por convencin,
puesto que cuando se conectan en cascada dos puertos (salida con entrada), resulta ms lgico
pensar que
sale del puerto.
29

Figura 1. 13 Variables utilizadas en las terminales, para definir los parmetros ABCD
Los parmetros de dos puertos de la Ecuacin 1.37 y 1.38 proporcionan una medida de la forma
en que un circuito transmite la tensin y la corriente de una fuente a una carga. Resultan tiles en
el anlisis de lneas de transmisin que expresan variables del extremo emisor (
trminos de las variables del extremo receptor (
) en
). Por esta razn, se conocen como
parmetros de transmisin. Tambin se les asigna el nombre de parmetros ABCD.
Los parmetros de transmisin se determinan como:
Por lo tanto, los parmetros de transmisin determinan especficamente.

Relacin de tensin en circuito abierto
Impedancia negativa de transferencia en corto circuito
Admitancia de transferencia en circuito abierto
Relacin negativa de corrientes en corto circuito
Donde
son adimencionales,
est en ohms, y
est en siemens.
30

Puesto que los parmetros de transmisin ofrecen una relacin directa entre las variables de
entrada y salida, son muy tiles en el anlisis de redes en cascada de circuitos de dos o ms
puertos, ya que
ser la entrada del circuito bipuerto siguiente.
Algunas conexiones de bipuertos para las cuales los parmetros ABCD de cada una de las redes
que lo integran pueden usarse para encontrar la matriz de transmisin total, como en el caso de la
Figura 1.14.
Figura 1. 14 Red de dos puertos conectados en cascada [1.15]
Para el bipuerto A, se tiene
Para el bipuerto B, se tiene
De la Figura 1.14,
y
. Considerando lo anterior y las ecuaciones 1.40 y 1.41, la matriz de
transmisin del bipuerto formado por los bipuertos A y B est dada por
31

1.6.3.1. Parmetros ABCD de una lnea de transmisin
Para una lnea de transmisin como se muestra en la Figura 1.15
Figura 1. 15. Lnea de transmisin.
De las ecuaciones de voltaje e impedancia 1.43 y 1.44 es posible obtener la corriente
Donde
representa las amplitudes propagacin de voltaje y corriente en sentido directo
(forward) y en sentido inverso (backward)
En la entrada se considera
32

En la salida se considera
considerando
De la Ecuacin 1.39, el parmetro A
Puesto que
la Ecuacin 1.49 da como resultado
y de la Ecuacin 1.46 y
1.48 obtenemos
De la Ecuacin 1.39, el parmetro
Puesto que
La Ecuacin 1.48 da como resultado
1.49 tenemos
33

Puesto que
1.48 tenemos
Puesto que
1.48 tenemos
La matriz completa de parmetros ABCD es:
1.6.4. Conversin entre parmetros.
No todos los analizadores de redes proporcionan los parmetros Z de una red; slo proporcionan
los parmetros S; por tal motivo, y puesto que las resonancias se muestran en trminos de los
parmetros Z, fue necesario realizar la conversin de los parmetros S a parmetros Z. As
34

mismo puesto que una lnea de transmisin es posible representarla por medio de parmetros
ABCD empleando la constante de propagacin e impedancia caracterstica, en este trabajo de
tesis tambin fueron necesarias las conversiones entre parmetros ABCD y S. La Tabla 1.1
muestra las formulas empleadas para estas conversiones.
Tabla 1. 1. Formulas para conversin entre parmetros S, Z y ABCD [1.13].
Conversin de Parmetros S a Z
Conversin de Parmetros Z a S
Conversin de Parmetros S a ABCD
Conversin de Parmetros ABCD a S
35

CAPITULO 2: Estudios relacionados con la reduccin resonancias en las TCI
CAPITULO 2. ESTUDIOS RELACIONADOS CON LA REDUCCIN DE

RESONANCIAS EN LAS TCI
2.1. INTRODUCCIN
La tendencia hacia el aumento de los niveles de integracin es particularmente derivado de que

las interconexiones dentro de un circuito integrado son ms rpidas, densas y ms confiables que
las interconexiones externas al circuito integrado.
En dcadas pasadas el nivel de integracin mostro un gran desarrollo en la densidad y velocidad
de los sistemas electrnicos, reduciendo el tamao de los televisores, computadoras y telfonos
celulares. El desarrollo de la tecnologa CMOS ha permitido reducir el tiempo de respuesta de
los sistemas, otorgando mayor velocidad de reloj al microprocesador logrando un incremento en
la frecuencia de reloj de aproximadamente 10x por dcada, Figura 2. 1.
Figura 2. 1 Tendencias del crecimiento de la frecuencia de operacin del transistor, de microprocesador y de los datos.
36

La mayora de los dispositivos digitales hechos con tecnologa CMOS, tienen la caracterstica de
trabajar a altas frecuencias y a su vez conmutar de un estado a otro en unas cuantas unidades de
nanosegundos, lo que tiene consecuencias en el diseo de sistemas electrnicos.
2.1.1. Contenido espectral de una seal digital de alta velocidad
El espectro en frecuencia de una seal digital, nos indica la capacidad que tiene la seal a ser
radiada, causando problemas de interferencia electromagntica (EMI) que es uno de los
principales retos en el diseo de circuitos integrados. Para hacer un anlisis del contenido
espectral de la seal digital, se toma como referencia una seal trapezoidal con tiempos finitos en
la transicin de 0 a 1 (tiempo de subida) y de 1 a 0 (tiempo de bajada). Como se ha mencionado
existe la tendencia hacia el aumento de la frecuencia de reloj de los sistemas con el fin de
aumentar la velocidad del procesamiento, esto ha implicado la utilizacin de seales digitales
con tiempos de conmutacin cada vez ms reducidos, lo que se conoce como seales de alta
velocidad. Al analizar un tren de pulsos trapezoidal en el dominio de la frecuencia se puede ver
que los pulsos que tienen menores tiempos en la transicin de los estados lgicos presentan
mayor amplitud en su contenido espectral que las seales que tienen tiempos de subida y bajada
largos, por lo que al reducir los tiempos de conmutacin en la frecuencia de reloj y transmisin
de datos se tendr mayor contenido espectral en estas seales, lo cual har al sistema ms
vulnerable a problemas de interferencia.
En la Figura 2.2 se muestra el espectro en frecuencia de dos seales digitales, una con un tiempo
de conmutacin de 20 ns, Figura 2.2a, y otra con el tiempo de conmutacin de 5 ns, Figura 2.2b.
En esta figura observamos que la seal con un tiempo de conmutacin menor, Figura 2.2b, tiene
mayor amplitud en las componentes espectrales de alta frecuencia. Alguna de estas componentes
de alta frecuencia puede coincidir con la frecuencia de resonancia propia de la TCI y generar
radiacin causando problemas de interferencia electromagntica.
37

Figura 2. 2 Contenidos espectrales de dos seales digitales de 1V a 10 MHz, con tiempos de subida y bajada iguales a: (a)
20ns y (b) 5ns [2.13]
2.1.2. Ruido de conmutacin simultnea (SSN)
Para entender la problemtica que existe en los circuitos digitales es importante definir el ruido
de conmutacin simultnea el cual es causado por las seales de alta velocidad y la variacin de
corriente en el tiempo, lo que provoca falsos disparos en los dispositivos electrnicos [2.9].
El ruido de conmutacin simultnea SSN (Simultaneous Switching Noise) llamado tambin
Delta I Noise o ruido de rebote a tierra (Ground Bounce Noise) es un ruido inductivo que se
38

origina cuando muchas de las salidas de un circuito digital conmutan al mismo tiempo. Este tipo
de ruido, es considerado un problema crtico en el diseo de TCI de alta velocidad [2.11], por el
continuo incremento en la frecuencia del reloj.
Figura 2. 3 Rebotes de tierra debidas a seales digitales
En la parte superior de la Figura 2.3 se ilustra una tpica seal digital con sobre
amortiguamientos en las transiciones de estados lgicos y en la parte inferior de la figura se
muestran los rebotes de tierra que genera la seal digital debida a las conmutaciones, como se
observa la conmutacin simultanea eleva el nivel de tensin de tierra alejndolo de la referencia
de 0 volts, este incremento de voltaje puede ser lo suficientemente elevado para ser interpretado
como un pulso propio del dispositivo, por lo que se generan falsos disparos que provocan errores
en la interpretacin de la informacin.
El SSN no puede ser cuantificado en una medida exacta ya que este depende de la geometra de
la tarjeta y las trayectorias de corriente [2.10]. Una manera simple para describir el SSN es por
medio de la Ecuacin 2.1
39

Donde
es la magnitud del voltaje del ruido,
simultneamente,
es el nmero de salidas conmutando
es la inductancia equivalente a travs de la cual pasa la corriente e es la
corriente que pasa a travs de cada dispositivo mientras conmuta.

Cuando diversas seales conmutan en el mismo tiempo, los planos de energa conectados a la
fuente de alimentacin demandan corriente la cual tiene que pasar a travs de la
. La
existencia de la inductancia en la trayectoria de la corriente introduce fluctuaciones en el voltaje

de los planos de distribucin de energa los cuales cambian la salida de los dispositivos como si
fuera una seal interna, creando mal funcionamiento y falsos disparos.
Debido a que este efecto se debe principalmente a la conmutacin de algn dispositivo, cuando
las seales de rebote son peridicas es posible asociarles una frecuencia, la cual al coincidir con
la frecuencia de resonancia se producir un efecto de radiacin.
El trabajo de tesis est enfocado a la reduccin de la magnitud de las resonancias en las TCI, con
la finalidad de mitigar las emisiones radiadas causadas al coincidir las frecuencia de resonancia
propia de la TCI con alguna de las frecuencias del espectro en frecuencia de las seales de alta
velocidad, o con la frecuencia de los rebotes a tierra del SSN.
A continuacin se citaran las tcnicas ms comunes de reduccin de SSN, al igual que se citaran
algunas publicaciones donde se realiza la reduccin de las frecuencias de resonancia de la TCI e
investigacin de stas.
2.2. CAPACITORES DE DESACOPLAMIENTO
El empleo de capacitores de desacoplamiento es una de las tcnicas ms utilizadas en el diseo

digital para reducir los efectos del ruido relacionados con el ruido de conmutacin simultanea
40

(SSN) presente al utilizar seales de alta velocidad. Debido a que la principal fuente de ruido de
conmutacin se encuentra en la alimentacin, se recomienda el empleo de capacitores de
desacoplamiento lo ms cercanos a las terminales de alimentacin de los dispositivos, Figura 2.4,
para reducir las corrientes transitorias que se originan cuando el dispositivo cambia de estado
Figura 2. 4 Empleo de capacitores de desacoplamiento [2.1]
A frecuencias intermedias y altas los capacitores de desacoplamiento presentan problemas

debido a sus efectos parsitos asociados, los cuales se representan como una inductancia y una
resistencia en serie con el capacitor. El comportamiento real de un capacitor de desacoplamiento
de 22nF a frecuencias intermedias y altas se muestra a la derecha de la Figura 2.5 el cual incluye
el efecto inductivo y capacitivo, mientras que a la izquierda se observa la representacin tpica
del mismo capacitor de desacoplamiento.
Figura 2. 5 Representacin real de un capacitor de desacoplamiento de 22nF [2.2]
41

Dado que al utilizar un capacitor de desacoplamiento de 22nF se presenta una baja impedancia
en un intervalo limitado de frecuencias es comn el adicionar un segundo capacitor de 100pF en
paralelo, con lo que se pretende extender el intervalo de frecuencia. En el circuito de la derecha
de la Figura 2.6 se tiene una representacin clara del sistema, incluyendo la inductancia y
resistencia parsitas.
Figura 2. 6 Representacin real del sistema de capacitores de desacoplamiento 22nF100Pf [2.2]
Como se puede apreciar, el circuito contiene las componentes de un circuito resonante, por lo
que a frecuencias medias y altas el sistema presenta un comportamiento indeseado debido a sus
efectos parsitos asociados. La grfica de la Figura 2.7 muestra el intervalo de frecuencias donde
el sistema con dos capacitores presenta una alta impedancia superior a la que se presenta con un
slo capacitor, el intervalo de frecuencias va de 15 MHz a 175MHz y se observa un pico en la
reactancia a 150MHz debido a la resonancia en paralelo del sistema con dos capacitores, la
amplitud del pico varia inversamente con la resistencia en serie de 30miliohms asociada al
capacitor. La forma y localizacin del pico puede variar en cada sistema dependiendo del diseo
de la tarjeta de circuito impreso y el valor de los capacitores.
Figura 2. 7 Curva del comportamiento real de la impedancia de los capacitores de desacoplamiento, 22nF, 100pF y
22nF100nF [2.2]
42

De la grfica se observa que el valor de los capacitores de desacoplamiento determina el

desplazamiento de la resonancia del sistema. Cuando se propone utilizar un arreglo en paralelo
combinando el capacitor de 22nF que se emplea para bajas frecuencias con un capacitor de
100pF para altas frecuencias. El resultado de dicho circuito es desfavorable debido a los efectos
parsitos asociados a los capacitores, a frecuencias intermedias y altas se generan picos
resonantes que provocan problemas de integridad de seal.
El empleo de capacitores de desacoplamiento es una tcnica tpica para la reduccin del ruido de
conmutacin simultnea (SSN) ya que al adicionar capacitores se crea una baja impedancia entre
el plano de energa y el plano de retorno de energa (tierra) [2.3].
En la Figura 2.8 se muestra un cambio significativo en la impedancia a altas frecuencias. La
impedancia que se obtiene sin el empleo de capacitores es de 100 ohms a 700 MHz. Si hay una
seal operando alrededor de 700 MHz que es la referencia de la resonancia propia de la cavidad,
la seal puede ser severamente degradada debido a la energa perdida por la radiacin de los
campos. Adicionando capacitores de desacoplamiento entre el voltaje de entrada y el plano de
retorno de energa se puede reducir significativamente la magnitud de la resonancia de la cavidad
lo que mejorara la calidad de la seal al minimizar la radiacin [2.4]. En la Figura 2.8B se
muestra que al colocar un capacitor de desacoplamiento de 240 pF la magnitud de la impedancia
es reducida significativamente, y tambin existe un ligero desplazamiento hacia frecuencias
menores, Para minimizar an ms esta magnitud se emplea un segundo capacitor de 2nF, Figura
2.8C, con lo que se obtiene una mayor reduccin de la resonancia, por un factor aproximado de
cinco con respecto a la referencia, y crea una pequea resonancia a 80 MHz, tambin hay un
desplazamiento de la frecuencia de resonancia hacia frecuencias ligeramente mayores.
43

Figura 2. 8 A) Impedancia del diseo sin utilizar capacitores de desacoplamiento, B) Impedancia al adicionar un capacitor de
240 pF entre las terminales de alimentacin de un dispositivo, C) Impedancia al adicionar un capacitor de 240 pF mas uno de
2 nF entre las terminales de alimentacin de un dispositivo [2.4].
De lo anterior, se puede concluir que si se realiza un diseo apropiado del plano de distribucin
de energa, en el sistema para adicionar los capacitores de desacoplamiento adecuados, los
problemas debidos a la Interferencia electromagntica (EMI) y la integridad de la seal se
reducen considerablemente.
La principal desventaja de los capacitores de desacoplamiento es que no son efectivos en un
intervalo superior a los 600MHz debido a sus efectos parsitos asociados.
44

2.3. CAPACITORES EMBEBIDOS PROPIOS DE LA TCI
Como se he mencionado uno de los principales problemas que se tienen en el diseo de circuitos
de alta velocidad es el SSN, fenmeno que provoca falsos disparos. El mtodo tradicional para la
reduccin del SSN es el empleo de capacitores de desacoplamiento, mtodo que como ya se ha
mencionado, no resulta adecuado por la cantidad de componentes discretos que se requieren en
un diseo y debido a la inductancia intrnseca de estos, slo operan en un reducido intervalo de
frecuencia, como una mejora a esta tcnica se utilizan los capacitores embebidos que proveen
una baja impedancia y reducen los efectos del SSN, y al ser elaborados aprovechando la
capacitancia que existe entre el plano de alimentacin y retorno de energa (tierra), se logra
reducir la inductancia, lo que contribuye a ampliar el intervalo de frecuencia de operacin[2.12].
Para el clculo del valor de los capacitores embebidos se consideran los siguientes parmetros:
espesor del dielctrico entre los planos de energa, la constante dielctrica
y el grosor del
cobre (t).
Los materiales para la fabricacin de los capacitores embebidos tienen diferentes espesores en el
dielctrico, que van de 8 a 24m y una constante dielctrica
de 4.4 a 30, en la Tabla 2.2 se
muestran las caractersticas elctricas de los materiales fabricados por la marca Faradflex.
Tabla 2. 1.Propiedades elctricas de los materiales para capacitores embebidos [12].
Propiedades
Unidades
Faradflex
BC24 BC16 BC12
Espesor del dielctrico
C @ 1 kHz
@ 1 kHz
@ 1 kHz
-----
BC8
BC12TM BC16T
24
16
12
12
16
190
260
310
500
660
1700
4.4
4.4
4.4
4.4
10
30
10.019
0.019
0.015 0.015 0.015 0.015
45

En la Figura 2.9 se ilustra el mtodo de sand blasing para la elaboracin de los capacitores
embedidos
Figura 2. 9 Proceso de elaboracin de los capacitores embebidos usando el mtodo de sand blasing [2.12]
Uno de los principales problemas en la elaboracin de capacitores embebidos es la uniformidad

de la capacitancia y como se puede observar el mtodo de elaboracin consiste de varias etapas
que deben ser cuidadosamente realizadas, por lo que este proceso es de alto costo.
46

2.4.TECNICA DE REDUCCIN DE LA INTERFERENCIA ELECTROMAGNETICA

(EMI) DE LAS TARJETAS DE CIRCUITO IMPRESO (TCI) USANDO ESTRUCTURAS
DE BANDA PROHIBIDA (EBG)
Los continuos decrementos en el voltaje de la fuente de alimentacin reducen los niveles del
voltaje de umbral en los dispositivos CMOS que son la base de los circuitos digitales, de esta
manera se incrementa su vulnerabilidad a la interferencia electromagntica. Al mismo tiempo, la
frecuencia de reloj y la velocidad en que se transmite la informacin se incrementan potenciando
la aparicin de efectos indeseables en los circuitos. Por lo anterior el ruido de conmutacin
simultanea es uno de los principales problemas para los diseos modernos en compatibilidad
electromagntica (EMC) [5] [6] [7].
Para reducir este tipo de radiacin se emplean un tipo de estructuras de banda prohibida, por sus
siglas en ingles EBG (electromagnetic bandgap) conocida como superficies de alta impedancia
HIS (high- impedance surfaces)
Las estructuras HIS son estructuras peridicas capaces de prevenir la propagacin de las ondas
electromagnticas en un mayor intervalo de frecuencia, estas estructuras han sido empleadas
inicialmente en aplicaciones de antenas, y diseo de filtros de microondas, pero tambin se han
utilizado en la reduccin de la EMI existentes en los planos de distribucin de energa de las
tarjetas de circuito impreso (TCI).
Shahparnia y Ramahi en [2.8] emplean una estructura EBG con el propsito de reducir la EMI en
TCI. Aplicando una franja de estructuras HIS conectadas a uno de los planos de distribucin de
energa se previene la generacin de ondas entre los planos paralelos, de este modo se brinda una
proteccin efectiva a los bordes de las tarjeta de circuito impreso con lo cual se reduce el nivel de
radiacin. La Figura 2.10 muestra como se emplea este concepto en una vista lateral de la TCI
47

Figura 2. 10 Visin lateral de la TCI adicionando las estructuras HIS conectadas al plano de energa [2.8]
Este mtodo es efectivo para la supresin de la radiacin de la TCI en un intervalo de frecuencias

de 500 MHz a 10 GHz. En la Figura 2.11 se ilustra el intervalo de frecuencias efectivo para este
mtodo comparado con otros mtodos de supresin de radiacin.
Figura 2. 11 Intervalos efectivos de frecuencia para diferentes mtodos de reduccin de ruido digital [8]
48

2.5. TCNICA DE AISLAMIENTO POR ISLAS Y COMPONENTES DE MONTAJE

SUPERFICIAL
Los planos de energa y tierra en una TCI tipo microcinta constituyen una gua de onda de planos
paralelos. Un cambio brusco de corriente en algn punto de la gua, debida a la conmutacin de
algn dispositivo, excita uno o ms modos de propagacin de ondas ocasionando una onda de
voltaje que se propaga alrededor del punto de excitacin como lo muestra la Figura 2.12.
Figura 2. 12 Onda de voltaje propagndose por la TCI [2.9]
Esta forma de onda causa variaciones en el voltaje de alimentacin
de la tarjeta y causa
principalmente dos efectos, uno, puede hacer caer el voltaje de alimentacin del propio
dispositivo y hacerlo conmutar por s mismo, o dos, la forma de onda de voltaje puede afectar a
otros dispositivos cercanos, especialmente circuitos que empleen seales de reloj para funcionar.
Este fenmeno es asociado al ruido de rebote a tierra (GNB).
Para reducir el ruido de rebote a tierra se pueden emplear capacitores de montaje superficial
entre los planos de energa y tierra alrededor de los dispositivos cuya conmutacin pueda excitar
el GNB. Estas capacitancias, tratarn de nulificar las fluctuaciones de la forma de onda de voltaje
resonante. La Figura 2.13 muestra la barrera de capacitores alrededor de un circuito integrado
que puede excitar el GNB. La ubicacin de esta barrera deber estar en funcin de la longitud de
onda.
49

Figura 2. 13 Barrera de capacitores alrededor de un circuito integrado que puede excitar el GNB [2.9]
Otra forma de reducir el GNB alrededor de un circuito integrado con tiempos de conmutacin
que puedan generar GNB es realizar una ranura alrededor del CI a la misma distancia que se
deberan poner la barrera de capacitores con lo que el circuito queda aislado de los dems
componentes[2.9].
La principal desventaja de esta tcnica es que an cuando se combinan las ranuras con los
capacitores de montaje superficial el intervalo de frecuencias en el que operan es del orden de los
kHz hasta los 600 MHz.
2.6. TECNICA DE CONTROL DE RESONANCIAS ENTRE EL CHASIS Y LA TCI
Muchos productos electrnicos estn fabricados en tarjetas de circuito impreso dentro de un

chasis metlico. Las TCI estn fabricadas con el plano de tierra tpicamente conectado al chasis
por medio de postes, como se observa en la Figura 2.14. Este tipo de estructura forma una
cavidad resonante, la cual puede comportarse como una antena que radia campos
50

electromagnticos eficientemente, causando severos problemas de acoplamiento alrededor de la

frecuencia de resonancia principal.
Figura 2. 14 Circuito elctrico equivalente de una lnea de transmisin [2.14]
En [2.14] se presenta un estudio donde sugieren el incremento del nmero de columnas en las
esquinas de la TCI y la reduccin de la separacin entre las mismas, logrando un incremento en
la inductancia equivalente que forma dicha cavidad, para reducir la frecuencia de resonancia.
La tcnica presentada en esta publicacin hace un estudio de las resonancias que se forman entre
la cavidad que existe entre la TCI y el chasis en el que se fija la tarjeta, haciendo un anlisis del
circuito equivalente de lnea de transmisin, se encuentra que dependiendo de la geometra de la
TCI, existe una reduccin de las resonancias al incrementar los postes de los soportes, esta
tcnica muestra un mtodo eficiente para la reduccin de resonancias.
Esta tcnica no est enfocada a la cavidad que se forma entre los conductores del las TCI que es
el propsito de ste trabajo de tesis.
51

2.7. TCNICA DE INTERCALADO DE MATERIALES CON DIFERENTE

PERMITIVIDAD DIELCTRICA
Las placas paralelas que forman los planos de energa y tierra de una TCI a bajas frecuencias se
comportan como un capacitor de desacoplamiento de valor alto, sin embargo, a altas frecuencias
estos planos se comportan como una antena de tipo parche para la frecuencia de resonancia.
Para reducir estas resonancias, en [2.15] los autores propone emplear el mtodo de
segmentacin, el cual consiste en practicar ranuras a lo largo del plano de energa con la
finalidad de crear islas con diferentes frecuencias de resonancia, como se muestra en la Figura
2.15 y al mismo tiempo intercalar materiales con diferentes permitividades dielectricas para
anular las resonancias de la TCI.
a)
b)
c)
Figura 2. 15 Modelos de segmentacin e intercalado de materiales con diferentes permitividades [2.15]. a) modelo 3x3, b)
modelo 5x5, c)modelo 7x7
Los tres modelos publicados [2.15], figura 2.15, mostraron una reduccin en la magnitud de la
frecuencia de resonancia de la TCI, siendo el modelo de 7x7 el que present mejor resultado,
haciendo considerar que al aumentar el nmero de islas, la magnitud de la frecuencia de
resonancia disminuir an ms.
El alto costo de esta tcnica la hace poco prctica de implementar.
52

2.8. TECNICA DE REDUCCIN DE CROSSTALK UTILIZANDO UNA BARRERA DE

VIAS
Resultado de la miniaturizacin de las TCIs, se tienen lneas de intercomunicacin muy cercanas

entre s, generando problemas de crosstalk (cruce de informacin de una lnea a otra). Este
intercambio de informacin entre lneas conductoras de la TCI se genera principalmente a la
frecuencia de resonancia y sus armnicos.
Una tcnica empleada para reducir el efecto crosstalk es emplear una barra de vias para evitar
que la seal se propague alrededor de la TCI generando interferencia con otras pistas. La Figura
2.16 muestra como se emplea esta tcnica.
Figura 2. 16 Barreras de vias empleadas para reducir el crosstalk [2.16].
En [2.16] se presenta el estudio de este arreglo y se reporta que al aumentar el nmero de vias en
la barrera, las frecuencias de resonancia se presentan a mas altas frecuencias como se ve en a
travs del parmetro
mostrado en la Figura 2.17, as mismo, se observa que la separacin
entre la microcinta y la barrera de vias no afecta considerablemente la magnitud de las

resonancias.
La Figura 2.17 muestra los resultados obtenidos en [2.16] mediante simulacin de esta tcnica
utilizando una tarjeta de 5 cm x 2.5 cm que contiene dos microcintas de 3 mm y 5cm de largo,
separadas por una barrera con 3 vias de 0.762 mm de dimetro, en un caso y otro con 12 vias.
53

Figura 2. 17 Simulacin de los parmetros
de la tcnica de barreras de vias [2.16].
En la Figura 2.17 se muestra el comportamiento de los parmetro S1,1 y S2,1 con 3 y 12 vias,
donde se aprecia una respuesta ms lineal en el parmetro de transmisin S2,1 con 12 vias.
La tcnica reportada en este artculo utiliza una barrera de vias para evitar el efecto indeseable
del crosstalk, se tom como referencia este trabajo para el desarrollo de la presente tesis por que
se observa que es posible desplazar las frecuencias de resonancia que se presentan en una TCI a
frecuencias ms altas. Para verificar el efecto de las resonancias en su amplitud se realizaron las
simulaciones de los parmetros S presentes en la publicacin y se paso a parmetros Z,
obtenindose la grfica de la Figura 2.18 la cual muestra la magnitud de la impedancia conforme
se incrementa la frecuencia. En esta se observa que existe una reduccin en la primera y segunda
resonancia al aumentar el nmero de vias presentes en la barrera.
Figura 2. 18 Simulacin electromagntica de la tcnica de barreras de vias en parmetros Z, utilizando los resultados
presentados en [16]
54

2.9. INVESTIGACIN DE LAS RESONANCIAS DEL PLANO DE DISTRIBUCIN DE

ENERGA USANDO EL MODELO DE LNEA DE TRANSMISIN
En [2.17] se presenta el estudio de las resonancias en una tarjeta de circuito impreso (TCI)
utilizando el modelo de lnea de transmisin, que se muestra en la Figura 2.19, el cual consiste en
capacitancias conectadas en serie con inductancias distribuidas a lo largo de la TCI.
Figura 2. 19 Modelo de lnea de transmisin [2.17].
Se estudian tres TCIs las cuales se muestran en la Figura 2.20, las tarjetas tienen un espesor de
1.6mm, estas tarjetas tienen pares de pads para capacitores de montaje superficial usados para
interconectar los planos de energa y tierra por medio de vias. Los pads estn colocados a
intervalos de 40 mm en las direcciones de
de cada tarjeta. La Figura 2.20(a) muestra la
vista superior de las tarjetas y la Figura 2.20 (b) la seccin transversal de las mismas. Se usan dos
conectores SMA para conectar las tarjeas al equipo de medicin, los cuales estn a 10 mm del
extremo de las tarjetas.
Figura 2. 20 Tarjetas de circuito impreso. (a) Vista superior, (b) Seccin transversal [2.17]
55

En la Figura 2.21 se muestra las mediciones de la magnitud y fase del parmetro S21 realizadas
en las tres tarjetas, sin que exista ningn capacitor entre el plano de tierra y energa. Se observan
picos en cada tarjeta aproximadamente a 270 y 540 MHz. La fase pasa de
en esas
frecuencias respectivamente. Se observa que en estas frecuencias la longitud de la tarjeta

coincide con media longitud de onda y una longitud de onda respectivamente.
para las TCIs sin capacitores [2.17]
Las resonancias para estas tarjetas pueden calcularse con la ecuacin (2.2).
Donde
son las dimensiones de las tarjetas en metros en la direccin de
respectivamente y
representa el
modo en la direccin de
el
modo en la direccin de . Los resultados de los clculos de las tres tarjetas tomando en cuenta
un
se muestran en la Tabla 2.2.
56

Tabla 2. 2.Frecuencias de resonancia en las TCI, en funcin de los modos de propagacin [2.17].
La primera y segunda resonancia ocurre a los 270 y 540MHz encontradas en la medicin de cada
una de las tarjetas, coinciden con las calculada cuando
. Con
que no existe propagacin de la seal en la direccin transversal (
se indica
), por lo que las
resonancias slo dependen de la longitud fsica de las tarjetas.
2.9.1. Resonancia caracterstica con circuitos de desacoplamiento.
En la Figura 2.22 se muestran los resultados obtenidos de la respuesta en frecuencia de las

tarjetas cuando se colocaron dos capacitores de montaje superficial en los pads
con un crculo en la Figura 2.20(a) con valor de
marcados
. Empleando un analizador de
impedancias se encontr que la frecuencia de resonancia est aproximadamente a 40 MHz,

debida al capacitor y a la inductancia de interconexin que se compone del capacitor, los vias y
los pads. Como se observa en la Figura 2.22, a frecuencias menores a la frecuencia de resonancia
serie, las tres tarjetas se comportan de manera similar lo que indica que en este intervalo de
frecuencia los capacitores de montaje superficial son los que determinan el comportamiento de
las TCIs. Sin embargo, a frecuencias superiores a la frecuencia de resonancia serie, el parmetro
vara de acuerdo con las caractersticas de la tarjeta que se utilice. La magnitud de la tarjeta
A muestra picos con fase en
tarjeta C en 210 y 400 MHz. El
a 90 y 280 MHz, para la tarjeta B en 140 y 300 MHz y para la

y el
en la fase, indican una resonancia. Se observa que la
interconexin del circuito de desacoplamiento se hizo en el mismo punto para las tres tarjetas, sin
57

embargo, las resonancias de lnea ocurrieron en lugares diferentes dependiendo del ancho de la
tarjeta.
para las TCIs con 2 capacitores [2.17]
2.9.2. Modelo para analizar el plano de distribucin de energa.
En la Figura 2.23 se muestra el modelo empleado para calcular la resonancia de las tarjetas A, B
y C del artculo reportado en [2.17].
Figura 2. 23 Modelo para calcular el parmetro
[17]
En este caso no se toman en cuenta los conectores por lo que se descont la longitud de los
mismos (20 mm) de la longitud de la tarjeta. De esta manera la longitud de la tarjeta se divide en
3 lneas.
La impedancia caracterstica de la lnea est dada por
58

Donde
es el ancho de la tarjeta,
es la distancia entre los dos planos y
es la permitividad
relativa del dielctrico. Entonces empleando la ecuacin 2.3 se encuentra que la impedancia
caracterstica para las tarjetas A, B y C son 0.7, 1.7 y 7.0 ohms respectivamente. En la Figura
2.23 los dos circuitos formados por la inductancia
los puntos
en serie con la resistencia
, actan como circuitos de desacoplamiento en las tarjetas de circuito impreso.
La inductancia de interconexin
para estas tarjetas es de 1.6
capacitancia de desacoplamiento
y la frecuencia de resonancia serie
La resistencia
conectados en
y se calcula empleando la
.
serie que reporta el fabricante es de 0.1 Ohm. Puesto que el intervalo de
frecuencia de inters para el anlisis de las resonancias est por arriba de la frecuencia de
resonancia serie, la capacitancia de desacoplamiento
El parmetro
Donde
puede despreciarse.
puede entonces calcularse empleando la siguiente expresin [2.17]
es la impedancia del sistema de medicin y A, B, C, D son los elementos de la matriz
F.
Donde
punto
y el puerto 2, ver Figura 2.20.
Las matrices
son las distancias entre el puerto 1 y el punto
, el punto
y el punto
y el
en la ecuacin 2.6 pueden expresarse como [2.17]
59

Donde
es la longitud de onda en el espacio libre,
es la distancia entre el
conector y el final de la tarjeta. Se observa, en el esquema de la Figura 2.23 que los conectores
estn colocados a 10 mm del borde de la tarjeta. Por simplicidad se considera que las lneas
tienen prdidas, por lo que [2.17]
Donde
es la matriz del circuito de interconexin.
En la Figura 2.24 se muestra la grfica del parmetro
en funcin de la frecuencia en magnitud
y fase. En el intervalo de frecuencia de 40 a 350 MHz, estos resultados se aproximan a los

medidos de la Figura 2.22. Las resonancias aparecen en 100 y 280 MHz para la tarjeta A, en 140
y 300 MHz para la tarjeta B y en 210 y 400 MHz para la tarjeta C. La desviacin en magnitud es
debida a que se consideraron lneas con prdidas. Algo que es importante mencionar es que la
frecuencia de resonancia no depende de la impedancia caracterstica
para las tarjetas A,B y C [2.17]
De acuerdo con la teora de las lneas de transmisin las resonancias dependen slo de la
longitud de la TCI. Las resonancias ocurren cuando la longitud de la lnea es mltiplo de la mitad
de longitud de onda. La primera resonancia ocurre cuando la longitud de la lnea coincide con
media longitud de onda, la fase en la parte derecha de esta lnea es . Agregando interconexiones
60

a esta lnea, es posible cambiar la frecuencia de resonancia. Los cambios de la frecuencia de

resonancia dependen no slo de los parmetros del circuito de desacoplamiento, tambin lo
afecta la longitud y ancho de la lnea. Ms an, la fase en la primera frecuencia de resonancia es
cero. Ahora bien, cuando se agregan circuitos de interconexin las frecuencias de resonancia se
pueden desplazar. Estos desplazamientos dependen no slo de los parmetros del circuito de
desacoplamiento, sino tambin del ancho de la tarjeta.
En base a los estudios descritos en este captulo se ve que, bsicamente, al modificar la

capacitancia e inductancias propias de la TCI es posible reducir y desplazar las frecuencias de
resonancia de las TCIs. En este trabajo de tesis se emplea una estructura EBG, que consiste en un
via colocado al lado de la microcinta, para modificar la inductancia y capacitancia de la TCI y
lograr reducir la magnitud de las frecuencias de resonancia.
61

CAPITULO 3: Diseo y construccin de la estructura propuesta
CAPITULO 3.DISEO Y CONSTRUCCIN DE LA ESTRUCTURA

PROPUESTA
En este captulo se aborda el diseo y construccin de las tarjetas de circuito impreso en las que
se estudia el efecto de la estructura EBG modificada. Se analizan los efectos de los diferentes
parmetros que afectan a la estructura como son el dimetro del via, la distancia con respecto a la
microcinta as como el nmero de vias y la posicin de estos a lo largo de la microcinta.
3.1. REQUISITOS DE DISEO
La estructura EBG modificada debe cumplir con los siguientes requisitos:
Que la fabricacin de la TCI con la estructura sea posible en sustratos comerciales (FR-4)
de dos caras y con procedimientos de bajo costo.
Que la estructura EBG propuesta no afecte la respuesta natural de la microcinta en cuanto

a atenuacin y acoplamiento.
Que la estructura EBG propuesta no modifique las dimensiones fsicas de la tarjeta de

circuito impreso.
3.2. DISEO DE LAS TARJETAS DE CIRCUITO IMPRESO PROPUESTAS
Para cumplir con los requisitos establecidos en la seccin anterior, se hizo el diseo de varias
tarjetas basadas en un EBG pero sin parches, es decir, se propuso solamente utilizar el "via",
62

debido a que durante el desarrollo de otra tesis [3.1] se observ que el utilizar solamente el via
no afecta la forma de onda que viaja por la microcinta.
Con el objeto de reducir los tiempos dedicados a la experimentacin y eficientar el diseo de las
tarjetas, se utiliz un simulador electromagntico, denominado Microwave Studio de la empresa
CST.
Para verificar que los resultados que se obtuvieron de los diseos de la simulacin son correctos,
se procedi a llevar a cabo la construccin de las tarjetas de circuito impreso utilizadas en la
experimentacin, para ello se utilizaron placas de circuito impreso de la marca Kingboard, las
cuales cumplen con el estndar IPC-4101B, el cual establece los requisitos que deben cumplir las
TCI utilizadas en la elaboracin de circuitos impresos. Las especificaciones dadas por el
fabricante se encuentran descritas en la Tabla 3.1.
Tabla 3. 1. Caractersticas del laminado empleado en la fabricacin de la TCI.
CARACTERISTICA
VALOR TPICO
Ancho del dielctrico
1.6 mm
Grosor del cobre
0.034mm
Constante dielctrica
4.2 @ 1 MHz
Prdidas tangenciales 0.018 @1 MHz
Con estas caractersticas y empleando las Ecuacin 1.2, obtenemos que para lograr una
impedancia caracterstica de 50 ohms, el ancho de la microcinta debe ser de 2.8 mm.
El intervalo de frecuencias del analizador de redes que se emplea para la medicin de las tarjetas
es de 10 MHz a 9 GHz, por lo que si se desea ver el efecto de la estructura en las resonancias de
la tarjeta, la frecuencia de resonancia natural de la microcinta debe ser tal que se puedan observar
varios picos resonantes. Por este motivo, las dimensiones fsicas de la tarjeta de circuito impreso
fueron de 50 mm x 50 mm, pues empleando la Ecuacin 1.11 para estas dimensiones y con las
caractersticas del sustrato de la Tabla 3.1, la frecuencia de resonancia natural de la microcinta
fue de 1.414 GHz.
63

En la figura 3.1 se muestra la tarjeta que se emplear para el anlisis de las resonancias.
Figura 3. 1. Tarjeta de Circuito Impreso tipo microcinta utilizada como referencia.
En las Figuras 3.2, 3.3 y 3.4 se muestran las grficas de los parmetros S y Z respectivamente
obtenidos al simular la tarjeta de la Figura 3.1. Estas corresponden a la respuesta natural de la
microcinta.
En la Figura 3.2a se muestran las prdidas por retorno del puerto de entrada,
, se observa que
a lo largo de todo el intervalo de frecuencias se mantiene por debajo de -10 dB, lo cual indica un
buen acoplamiento de la microcinta. En la Figura 3.2b se muestran las prdidas por
insercin,
, y en este caso se observa que la atenuacin en el intervalo de frecuencias de 0.5
GHz a 9 GHz no disminuye de los
. En estas curvas no es posible observar claramente la
posicin que ocupan las resonancias propias de la TCI en el intervalo de frecuencia, pues es en
los cambios de fase del parmetro
donde se muestran las frecuencias a las que se dan las
resonancias, Figura 3.3. Sin embargo, la grfica de la fase del parmetro

amplitudes de las resonancias, por lo que es necesario presentar los parmetros
no muestra las
en los que se
observa la posicin de las resonancias y su amplitud.
64

Figura 3. 2. Respuesta natural de la microcinta en parmetros S. (a) Prdidas por retorno del puerto de entrada
, (b)
Prdidas por insercin
Figura 3. 3. Simulacin de la fase del parmetro
de la microcinta sin vias.
65

En la Figura 3.4 se muestra la curva de impedancia de la microcinta cuando se alimenta por el

puerto 1 hacia el puerto 2. En esta curva se observan la posicin de las resonancias y su amplitud
de la TCI sin vias, y es, en esta curva, donde se observarn con mayor claridad los efectos de la
estructura EBG modificada propuesta.
Figura 3. 4. Respuesta natural de la microcinta en parmetro
La estructura EBG modificada con la que se pretende afectar las resonancias de la microcinta,
consiste en un via, o varios vias, que se colocarn a lo largo de la microcinta. Estos vias, de
cobre, estarn conectados al plano de tierra y atravesarn todo el dielctrico del laminado y
variarn en cuanto a su dimetro, distancia a la microcinta y ubicacin a lo largo de ella. En la
Figura 3.5 se muestra una configuracin general de la Tarjeta de Circuito Impreso con la
estructura EBG propuesta.
Figura 3. 5. Estructura EBG propuesta para modificar la resonancia de la TCI.
66

3.3. SIMULACIN ELECTROMAGNTICA DE LA ESTRUCTURA PROPUESTA

Para conocer el efecto de la estructura EBG propuesta se realizaron simulaciones
electromagnticas para determinar el dimetro del via, la distancia que debe tener con respecto a
la microcinta; tambin se realizaron simulaciones para conocer el efecto del nmero de vias en la
TCI as como la ubicacin de los mismos.
3.3.1. Simulacin electromagntica variando el dimetro del via

Para iniciar el anlisis de la estructura EBG en el comportamiento de la microcinta se simul
utilizando el programa comercial CST 2008, la tarjeta de la Figura 3.1 colocando un via a 0.5
mm de la microcinta, el cual se encuentra en el centro de la trayectoria de la microcinta. En esta
simulacin se observ el efecto del dimetro del via en el comportamiento de las resonancias de
la microcinta. Los dimetros empleados en esta simulacin fueron de 0.52, 0.82, 1 y 1.02 mm.
En la Figura 3.6 se muestra la posicin y dimetros utilizados en las simulaciones.
Figura 3. 6. Variacin del dimetro del via.
En las Figuras 3.7 y 3.8 se muestran las respuestas obtenidas mediante simulacin al variar el
dimetro del via.
En la Figura 3.7 se muestran las grficas de los parmetros S de las simulaciones obtenidas
cuando se varo el dimetro del via, en esta observamos que al igual que en la microcinta sin vias
el acoplamiento es bueno pues en todas las curvas del parmetro
prdidas por retorno del puerto uno son inferiores a
(Figura 3.7a) los niveles de
. As mismo, la atenuacin que

67

presentan estas simulaciones, Figura 3.7b, no disminuye de

prdidas por insercin del parmetro
como lo demuestran las
cuando se varo el dimetro del via. En
la Tabla 3.2 se indican la magnitud de cada resonancia y el porcentaje que varia con respecto a la
tarjeta sin vias. Aqu observamos que la reduccin de la magnitud del primer pico resonante se
consigue con cualquier dimetro del via y se observa que esta magnitud se desplaza hacia los
picos de ms alta frecuencia; tambin se observa, que en el caso del via con dimetro de 0.82
mm la reduccin que se consigue en los dos primeros picos resonantes es mayor que con los
dems dimetros.
Figura 3. 7. Resultados de la simulacin de la TCI variando el dimetro del via. (a) Prdidas por retorno del puerto de entrada
68

de la simulacion cuando se vara el diametro del via.
En la Tabla 3.3 se indica a que frecuencia se da cada pico resonante de la grfica de la Figura
3.8, tambin se muestra el desplazamiento en Megahertz de estos picos cuando se coloca un via a
la microcinta y se vara el dimetro del mismo. En general, los desplazamientos son similares
cuando se vara el dimetro del via y se ve que en el caso del primer, tercer y quinto pico
resonante, estos se desplazan hacia ms altas frecuencias, mientras que el segundo y cuarto picos
se desplazan hacia una frecuencia menor que la de la referencia sin vias.
al variar el dimetro del via.
RESONANCIA
TARJETA
PRIMERA
SEGUNDA
TERCERA
CUARTA
QUINTA
MAGNITUD
%de
MAGNITUD
%de
MAGNITUD
%de
MAGNITUD
%de
MAGNITUD
%de
[Ohms]
variacin
[Ohms]
variacin
[Ohms]
variacin
[Ohms]
variacin
[Ohms]
variacin
Sin vias
1117
Via de 0.52 mm
1088
-2.20
918.4
0.38
600.9
0.25
462.8
1.60
367.1
2.14
Via de 0.82 mm
1089
-2.51
921.1
-0.09
601.3
0.32
462.4
1.51
366.4
1.95
Via de 1 mm
1090
-2.42
924.7
0.30
601.7
0.38
461.5
1.32
365.5
1.70
Via de 1.02 mm
1089
-2.51
923.5
0.17
601.7
0.38
461.8
1.38
365.7
1.75
599.4
921.9
455.5
359.4
69

al variar el dimetro del via.
RESONANCIA
PRIMERA
TARJETA
SEGUNDA
Frecuencia Variacin
[GHz]
[MHz]
TERCERA
CUARTA
QUINTA
Frecuencia
Variacin
Frecuencia
Variacin
Frecuencia
Variacin
Frecuencia
Variacin
[GHz]
[MHz]
[GHz]
[MHz]
[GHz]
[MHz]
[GHz]
[MHz]
Sin vias
1.673
3.3305
4.954
6.552
8.116
Via de 0.52 mm
1.673
3.3135
-17
4.9625
8.5
6.5265
-25.5
8.15
34
Via de 0.82 mm
1.6815
8.5
3.3135
-17
4.971
17
6.5265
-25.5
8.15
34
Via de 1 mm
1.6815
8.5
3.3135
-17
4.971
17
6.5265
-25.5
8.15
34
Via de 1.02 mm
1.6815
8.5
3.3135
-17
4.971
17
6.5265
-25.5
8.15
34
Por los resultados de las tablas 3.2 y 3.3 vemos que el continuar las simulaciones con vias de
0.82 mm de dimetro nos proporcionara mayores efectos en la curva de impedancia de la
microcinta.
3.3.2. Simulacin variando la distancia entre el via y la microcinta.
Una vez que se estudi el efecto del dimetro del via a las resonancias de la microcinta, se
continu el estudio variando la distancia que existe entre la microcinta y el via (variable
centro1). En la figura 3.9 se muestra la configuracin que se emple para realizar la simulacin.
Para determinar la distancia mxima a la que se colocar el via se consider la distribucin de
corriente en una microcinta, la cual se puede calcular utilizando la Ecuacin 3.1 [3.2]. En la
Figura 3.10 podemos observar, en un corte de seccin transversal, cmo se va distribuyendo la
corriente a todo lo largo de la microcinta.
70

Figura 3. 9. Variacin de la distancia entre el via y la microcinta
Figura 3. 10. Distribucin de corriente en el plano de tierra [3.2]
De la Ecuacin 3.1 el factor
es el que determina la distancia a la que an es significativa
la distribucin de corriente, y es as que sabemos que a una distancia mayor a 2H, tomando como
referencia el centro del ancho de la microcinta, la distribucin de corriente ya no es significativa.
Tomando en cuenta la consideracin anterior, se determin que la distancia mnima a la que debe
colocarse el via depender de las limitaciones tecnolgicas que se tengan para poder lograr tener
la menor separacin y la mxima de 3.2 mm puesto que es espesor del dielctrico empleado es de
1.6 mm.
71

En la Figura 3.11 se muestran las grficas de los parmetros S de las simulaciones obtenidos
cuando se vari la distancia del via a la microcinta, en estas observamos que al igual que en la
microcinta sin vias el acoplamiento es bueno dado que en todas las curvas del parmetro
(Figura 3.11a) los niveles de prdidas por retorno del puerto uno son inferiores a
. As
mismo, la atenuacin que presentan esta simulaciones, Figura 3.11b, no disminuye de

como lo demuestra las prdidas por insercin del parmetro
Figura 3. 11. Resultados de la simulacin de la TCI variando la separacin entre via y microcinta. (a) Prdidas por retorno del
puerto de entrada
cuando se varo la distancia entre el via
y la microcinta. En la Tabla 3.4 se indica la magnitud de cada resonancia y el porcentaje que

varia con respecto a la tarjeta sin vias. Aqu observamos que, como se esperaba por la
distribucin de corriente del plano de tierra, mientras ms cercano est el via a la microcinta se
produce un mayor efecto en la curva del parmetro
.
72

de la simulacin cuando se vara la separacin entre via y microcinta.
al variar la separacin entre el via y la microcinta.
RESONANCIA
CENTRO1
PRIMERA
SEGUNDA
TERCERA
CUARTA
QUINTA
[mm]
MAGNITUD
%de
MAGNITUD
%de
MAGNITUD
%de
MAGNITUD
%de
MAGNITUD
%de
[Ohms]
variacin
[Ohms]
variacin
[Ohms]
variacin
[Ohms]
variacin
[Ohms]
variacin
sin vias
1117
921.9
599.4
455.5
359.4
3.2
1094
-2.06
916.90
-0.54
600.00
0.10
457.40
0.42
365.10
1.59
2.9
1094
-2.06
914.20
-0.84
601.70
0.38
459.00
0.77
365.40
1.67
2.6
1093
-2.15
914.00
-0.86
602.40
0.50
459.90
0.97
366.10
1.86
2.3
1094
-2.06
917.60
-0.47
601.10
0.28
458.10
0.57
364.70
1.47
1093
-2.15
915.20
-0.73
602.40
0.50
459.80
0.94
365.90
1.81
1.7
1093
-2.15
921.50
-0.04
599.30
-0.02
459.10
0.79
364.50
1.42
1.4
1092
-2.24
921.80
-0.01
602.20
0.47
460.60
1.12
365.60
1.73
1.1
1095
-1.97
923.60
0.18
602.40
0.50
460.20
1.03
364.80
1.50
0.8
1090
-2.42
916.40
-0.60
601.70
0.38
459.90
0.97
365.00
1.56
0.5
1089
-2.51
921.1
-0.09
601.3
0.32
462.4
1.51
366.4
1.95
73

En la Tabla 3.5 se indica a que frecuencia se da cada pico resonante de la Figura 3.12, tambin se
muestra el desplazamiento en Megahertz de estos picos cuando se vara la distancia entre el via y
la microcinta. Al igual que en la Tabla 3.4 observamos que mientras menor sea la distancia entre
el via y la microcinta, los desplazamientos de las frecuencias de resonancia son ms
significativos.
al variar la separacin entre el via y la microcinta.
RESONANCIA
CENTRO1
PRIMERA
SEGUNDA
TERCERA
CUARTA
QUINTA
[mm]
Frecuencia
Variacin
Frecuencia
Variacin
Frecuencia
Variacin
Frecuencia
Variacin
Frecuencia
Variacin
[GHz]
[MHz]
[GHz]
[MHz]
[GHz]
[MHz]
[GHz]
[MHz]
[GHz]
[MHz]
sin vias
1.673
3.3305
4.954
6.552
8.116
3.2
1.673
3.322
-8.5
4.9625
8.5
6.552
8.133
17
2.9
1.673
3.322
-8.5
4.9625
8.5
6.552
8.1415
25.5
2.6
1.673
3.3305
4.9625
8.5
6.552
8.1415
25.5
2.3
1.673
3.322
-8.5
4.9625
8.5
6.5435
-8.5
8.1415
25.5
1.673
3.322
-8.5
4.9625
8.5
6.552
8.1415
25.5
1.7
1.673
3.322
-8.5
4.9625
8.5
6.5435
-8.5
8.133
17
1.4
1.673
3.322
-8.5
4.9625
8.5
6.5435
-8.5
8.1415
25.5
1.1
1.673
3.3135
-17
4.954
6.5265
-25.5
8.1245
8.5
0.8
1.673
3.3135
-17
4.9625
8.5
6.5265
-25.5
8.1415
25.5
0.5
1.6815
8.5
3.3135
-17
4.971
17
6.5265
-25.5
8.15
34
74

3.3.3. Simulacin electromagntica variando el nmero de vias colocados en la TCI.
Para conocer el efecto que tiene el nmero de vias, se simularon las tarjetas que se muestran en
la Figura 3.13. Como se observa en esta figura, se simul una TCI con un slo via colocado al
centro de la trayectoria de la microcinta, otra con 3 vias distribuidos a lo largo de la trayectoria
de la microcinta y otra con 11 vias igualmente distribuidos a lo largo de la trayectoria.
Figura 3. 13. Ubicacin del nmero de vias a lo largo de la microcinta
En la Figura 3.14 se muestran las grficas de los parmetros S de las simulaciones, obtenidas
cuando se varo el nmero de vias en la TCI, en estas observamos que, al igual que en la
microcinta sin vias, el acoplamiento es bueno pues en todas las curvas del parmetro
3.14a) los niveles de prdidas por retorno del puerto uno son inferiores a
atenuacin que presentan estas simulaciones, Figura 3.14b, no disminuye de
demuestra las prdidas por insercin del parmetro
(Figura
. As mismo, la
como lo
75

Figura 3. 14. Resultados de la simulacin de la TCI variando en nmero de vias. (a) Prdidas por retorno del puerto de
entrada
.
de la simulacin cuando se vara el nmero de vias en la microcinta.
76

cuando se varo el nmero de vias
colocados a lo largo del la microcinta. En la Tabla 3.6 se indica la magnitud de cada resonancia y
el porcentaje que varia con respecto a la tarjeta sin vias. Aqu observamos que al incrementar el
nmero de vias colocados a lo largo de la trayectoria de la microcinta el efecto de estos es mayor
obteniendo una mayor reduccin de las magnitudes.
En la Tabla 3.7 se indica a que frecuencia se da cada pico resonante de la grfica de la Figura
3.15, tambin se muestra el desplazamiento en Megahertz de estos picos cuando se vara el
nmero de vias colocados a lo largo de la microcinta. Al igual que en la Tabla 3.6 observamos
que al aumentar el nmero de vias colocados a lo largo de la trayectoria de la microcinta los
desplazamientos que se logran de las frecuencias de resonancia son mayores.
RESONANCIA
TARJETA
PRIMERA
SEGUNDA
TERCERA
CUARTA
QUINTA
MAGNITUD
%de
MAGNITUD
%de
MAGNITUD
%de
MAGNITUD
%de
MAGNITUD
%de
[Ohms]
variacin
[Ohms]
variacin
[Ohms]
variacin
[Ohms]
variacin
[Ohms]
variacin
sin vias
1117
921.9
599.4
455.5
359.4
1 VIA
1089
-2.51
921.1
-0.09
601.3
0.32
462.4
1.51
366.4
1.95
3 VIAS
677.5
-39.35
700.40
-24.03
523.50
-12.66
410.80
-9.81
349.70
-2.70
11 VIAS
744.7
-33.33
699.40
-24.13
511.10
-14.73
407.40
-10.56
344.20
-4.23
77

Tabla 3. 7.Comparacin de frecuencias del parmetro
RESONANCIA
PRIMERA
TARJETA
SEGUNDA
TERCERA
CUARTA
QUINTA
Frecuencia
Variacin
Frecuencia
Variacin
Frecuencia
Variacin
Frecuencia
Variacin
Frecuencia
Variacin
[GHz]
[MHz]
[GHz]
[MHz]
[GHz]
[MHz]
[GHz]
[MHz]
[GHz]
[MHz]
sin vias
1.673
3.3305
4.954
6.552
8.116
1 VIA
1.6815
8.5
3.3135
-17
4.971
17
6.5265
-25.5
8.15
34
3 VIAS
1.673
3.288
-42.5
4.9285
-25.5
6.4755
-76.5
8.099
-17
11 VIAS
1.6305
-42.5
3.2285
-102
4.8095
-144.5
6.365
-187
7.9035
-212.5
Estas ltimas simulaciones mostraron como al incrementar el nmero de vias en la trayectoria de

la microcinta se logra que la magnitud de las resonancias, y por lo tanto los efectos nocivos que
se presentan debido a ellas, se disminuyan. As mismo, se logra tambin desplazar estas
frecuencias.
3.3.4. Simulacin variando la ubicacin de 3 vias a lo largo de la trayectoria de la

microcinta.
Las simulaciones que posteriormente se llevaron a cabo fueron cambiando la ubicacin de los
tres vias colocados a lo largo de la microcinta, como lo muestra la Figura 3.16, para conocer los
efectos que tiene la estructura propuesta.
78

Figura 3. 16. Ubicacin de tres vias al cambiar su ubicacin a lo largo de la microcinta.
En la Figura 3.17 se muestran las grficas de los parmetros S de las simulaciones obtenidas
cuando se varo la ubicacin de tres vias en la TCI, en esta grfica vemos que al igual que en la
microcinta sin vias el acoplamiento es bueno pues en todas las curvas del parmetro
3.17a) los niveles de prdidas por retorno del puerto uno son inferiores a
atenuacin que presentan estas simulaciones, Figura 3.17b, no disminuye de
demuestra las prdidas por insercin del parmetro
(Figura
. As mismo, la
como lo
cuando se varo la ubicacin de tres
vias colocados a lo largo de la trayectoria de la microcinta. En la Tabla 3.8 se indican la

magnitud de cada resonancia y el porcentaje que varia con respecto a la tarjeta sin vias. Aqu
observamos que cuando los dos vias colocados en los extremos se acercan al centro de la
microcinta las magnitudes de las resonancias se incrementan con respecto a la referencia de la
microcinta sin vias.
79

Figura 3. 17. Resultado de la simulacin de la TCI variando la ubicacin de tres vias en la TCI. (a) Prdidas por retorno del
puerto de entrada
.
de la simulacin cuando se vara la ubicacin de tres vias en la TCI.
80

al varia la ubicacin de tres vias colocados en la TCI.
RESONANCIA
PRIMERA
TARJETA
SEGUNDA
TERCERA
CUARTA
QUINTA
MAGNITUD
%de
MAGNITUD
%de
MAGNITUD
%de
MAGNITUD
%de
MAGNITUD
%de
[Ohms]
variacin
[Ohms]
variacin
[Ohms]
variacin
[Ohms]
variacin
[Ohms]
variacin
sin vias
1117
921.9
599.4
455.5
359.4
CASO 1
677.5
-39.35
700.40
-24.03
523.50
-12.66
410.80
-9.81
349.70
-2.70
CASO 2
1071
-4.12
954.00
3.48
609.70
1.72
479.30
5.23
401.30
11.66
CASO 3
1694
51.66
1095.00
18.78
677.00
12.95
496.60
9.02
359.60
0.06
En la Tabla 3.9 se indican las frecuencias a las que ocurren las resonancias en estas simulaciones
as como el desplazamiento que sufren con respecto a la referencia de la microcinta sin vias.
Conforme los vias de los extremos de la tarjeta se acercan al centro el desplazamiento de las
frecuencias es menor, pues slo cuando los vias se colocan a un cuarto del centro de la
microcinta (CASO 3) y en el quinto pico resonante, el desplazamiento es mayor que cuando los
vias estn a los extremos (CASO 1).
al variar loa ubicacin de tres vias colocados en la TCI.
RESONANCIA
TARJETA
PRIMERA
SEGUNDA
TERCERA
CUARTA
QUINTA
Frecuencia
Variacin
Frecuencia
Variacin
Frecuencia
Variacin
Frecuencia
Variacin
Frecuencia
Variacin
[GHz]
[MHz]
[GHz]
[MHz]
[GHz]
[MHz]
[GHz]
[MHz]
[GHz]
[MHz]
sin vias
1.673
3.3305
4.954
6.552
8.116
CASO 1
1.673
3.288
-42.5
4.9285
-25.5
6.4755
-76.5
8.099
-17
CASO 2
1.6815
8.5
3.305
-25.5
4.9285
-25.5
6.5605
8.5
8.082
-34
CASO 3
1.6815
8.5
3.322
-8.5
4.954
6.4585
-93.5
8.1415
25.5
Observando los datos anteriores la microcinta con tres vias a los extremos (CASO 1) es la mejor
opcin para disminuir la magnitud y desplazar las frecuencias de resonancia de una TCI .
81

3.4. CONSTRUCCIN DE LA ESTRUCTURA PROPUESTA
Las tarjetas se construyeron en placas comerciales de doble cara de la marca Kingboard que
cumplen con la norma IPC-4101B. El mtodo empleado para la construccin de estas tarjetas fue
el fotolitogrfico.
Las mediciones se llevaron a cabo utilizando un analizador de redes vectorial marca ANRITSU,
modelo MS4624B, en un intervalo de frecuencias de 500 MHz a 9 GHz.
Las tarjetas que se construyeron, cumplieron con las dimensiones fsicas de la tarjeta que se
muestra en la Figura 3.1. Los vias que se colocaron en las tarjetas son de cobre calibre 20 (0.82
mm de dimetro). Para acoplar las tarjetas al analizador de redes se emplean conectores SMA
con una impedancia de 50 ohms y que trabajan hasta 18 GHz.
Las tarjetas que se construyeron fueron la de la microcinta sin vias, cuando se vara el nmero de
vias colocados a lo largo de la trayectoria de la microcinta y cuando se vara la posicin de tres
vias.
3.4.1. Medicin de la microcinta sin vias.

Para obtener un punto de referencia para comparar los resultados de las mediciones de este
captulo, se muestra en la Fotografa 3.1 la tarjeta de circuito impreso tipo microcinta sin vias.
Las dimensiones de esta tarjeta son las mismas que las de la simulacin, Figura 3.1.
Fotografa 3. 1. Vista superior de la TCI tipo microcinta sin vias
82

En la Figura 3.19 se muestran las grficas obtenidas por medicin de los parmetros S medidos.
En esta se observa el comportamiento natural de la microcinta, los cuales, como se mencion con
anterioridad en el Captulo 3 son un buen acoplamiento, que se observa en la Figura 3.19a con el
parmetro
, y poca atenuacin que en la Figura 3.19b se demuestra a travs del parmetro
resultado de la medicin. Esta curva
muestra los picos de las resonancias natural y sus armnicos de la microcinta. Para el caso de las
mediciones esta curva servir de referencia para comparar el efecto que tiene la estructura EBG
propuesta en la respuesta de la microcinta.
Figura 3. 19. Resultado de la medicin de la TCI sin vias. (a) Prdidas por retorno del puerto de entrada
insercin
.
, (b) Prdidas por
83

de la medicin de la TCI sin vias.
3.4.2. Medicin variando el nmero de vias colocados en la microcinta.
En la Fotografa 3.2 se muestra la vista superior de las tarjetas construidas para realizar
mediciones cuando se vara el nmero de vias colocados en la tarjeta de circuito impreso, las
dimensiones de las TCIs son la mismas que las de la Figura 3.6. Al igual que para la simulacin,
las tarjetas que se construyeron fueron, con un via colocado al centro de la trayectoria, con tres
vias, uno al centro y dos en los extremos, y con 11 vias distribuidos uniformemente a lo largo de
la pista de la microcinta.
Fotografa 3. 2. Vista superior de las TCIs empleadas en experimentacin cuando se modific el nmero de vias. a) 1 via, b)
3vias, c) 11 vias.
84

En la Figura 3.21 se muestran las grficas de los parmetros S de las mediciones obtenidos
cuando se modific el nmero de vias en la TCI, en estas observamos que al igual que en la
microcinta sin vias el acoplamiento es bueno dado que en todas las curvas del parmetro
. As
mismo, la atenuacin que presentan estas mediciones, Figura 3.21b, no disminuye de

Figura 3. 21.Comparacin de los parmetros S obtenidos durante las mediciones, al modificar el nmero de vias en la TCI. (a)
.
85

de la medicin cuando se vara el nmero de vias en la TCI.
medido cuando se varo el nmero de
vias colocados a lo largo del la microcinta. En la Tabla 3.10 se indica la magnitud de cada
resonancia y el porcentaje que varia con respecto a la tarjeta sin vias. Observamos que en el caso
de la tarjeta con un slo via, se logran reducir las magnitudes de las cuatro primeras resonancias
en un porcentaje mayor que con 3 y 11 vias, siendo este un comportamiento diferente al que se
esperaba despus de la simulacin. Con respecto a las tarjetas de 3 y 11 vias el resultado de las
mediciones arroja que, mientras se incrementa el nmero de vias, la reduccin de las magnitudes
se incrementa en la primera resonancia.
medido al variar el nmero de vias colocados en la TCI.
RESONANCIA
TARJETA
PRIMERA
SEGUNDA
TERCERA
CUARTA
QUINTA
MAGNITUD
%de
MAGNITUD
%de
MAGNITUD
%de
MAGNITUD
%de
MAGNITUD
%de
[Ohms]
variacin
[Ohms]
variacin
[Ohms]
variacin
[Ohms]
variacin
[Ohms]
variacin
sin vias
1235
479.2
358.7
341.3
296.8
1 VIA
738.9
-40.17
230.8
-51.84
173.5
-51.63
315.9
-7.44
952.8
221.02
3 VIAS
1081
-12.47
309.60
-35.39
290.30
-19.07
353.40
3.55
325.30
9.60
11 VIAS
913.8
-26.01
384.60
-19.74
288.70
-19.51
324.60
-4.89
319.30
7.58
86

Tabla 3. 11.Comparacin de frecuencias de resonancia del parmetro

TCI.
medido al variar el nmero de vias colocados en la
RESONANCIA
TARJETA
PRIMERA
Frecuencia Variacin
[GHz]
[MHz]
SEGUNDA
TERCERA
CUARTA
QUINTA
Frecuencia
Variacin
Frecuencia
Variacin
Frecuencia
Variacin
Frecuencia
Variacin
[GHz]
[MHz]
[GHz]
[MHz]
[GHz]
[MHz]
[GHz]
[MHz]
sin vias
1.658
3.305
4.963
6.577
8.15
1 VIA
1.605
-53
3.225
-80
4.928
-35
6.567
-10
8.033
-117
3 VIAS
1.6263
-31.7
3.2466
-58.4
4.9041
-58.9
6.5403
-36.7
8.0491
-100.9
11 VIAS
1.6316
-26.4
3.2997
-5.3
4.9572
-5.8
6.5403
-36.7
8.0756
-74.4
En la tabla 3.11 se muestra una comparacin de las frecuencias de resonancia que se obtienen al
variar el nmero de vias que se utilizan en la tarjeta de experimentacin., as como el
desplazamiento que sufren. La tarjeta con un slo via logro mayores desplazamientos en las
primeras tres resonancias y la quinta. En cuanto a la de tres vias, los desplazamientos obtenidos
fueron mayores que los conseguidos con 11 vias.
3.4.3. Medicin variando la posicin de 3 vias a lo largo de la trayectoria de la microcinta.
Se realizaron mediciones variando la posicin de tres vias colocados a lo largo de la microcinta,

como lo muestra la Fotografa 3.3, para conocer los efectos que tiene la estructura propuesta. Las
posiciones a las que se colocarn los vias fueron iguales a los de los casos 1, 2 y 3 que se
muestran en la Figura 3.16 de la seccin 3.3.4 de este captulo.
87

Fotografa 3. 3. Vista superior de las TCIs que se utilizaron en la experimentacin, al modificar la ubicacin de 3 vias.
En la Figura 3.23 se muestran las grficas de los parmetros S de las mediciones obtenidas
cuando se modific la posicin de tres vias en la TCI, en estas grficas observamos que al igual
que en la microcinta sin vias el acoplamiento es bueno ya que en todas las curvas del parmetro
As mismo, la atenuacin que presentan estas simulaciones, Figura 3.23b, no disminuye de

Figura 3. 223. Comparacin de los parmetros S obtenidos durante las mediciones, al modificar la ubicacin de los tres vias
utilizados.. (a) Prdidas por retorno del puerto de entrada
.
88

medido cuando se varo la ubicacin de
tres vias colocados a lo largo de la trayectoria de la microcinta. En la Tabla 3.12 se indica la

magnitud de cada resonancia y el porcentaje que varia con respecto a la tarjeta sin vias. Aqu
observamos que cuando los dos vias colocados en los extremos se acercan al centro de la
trayectoria de la microcinta las magnitudes de las resonancias tienen menor reduccin que
cuando los vias se colocan a los extremos de la tarjeta.
de la medicin cuando se vara la ubicacin de tres vias en la TCI.
Tabla 3. 12Comparacin de magnitudes del parmetro
medido al variar la ubicacin de los tres vias colocados en la TCI.
RESONANCIA
TARJETA
PRIMERA
SEGUNDA
TERCERA
CUARTA
QUINTA
MAGNITUD
%de
MAGNITUD
%de
MAGNITUD
%de
MAGNITUD
%de
MAGNITUD
%de
[Ohms]
variacin
[Ohms]
variacin
[Ohms]
variacin
[Ohms]
variacin
[Ohms]
variacin
sin vias
1235
479.2
358.7
341.3
296.8
CASO 1
1081
-12.47
309.60
-35.39
290.30
-19.07
353.40
3.55
325.30
9.60
CASO 2
1141
-7.61
492.40
2.75
321.00
-10.51
323.30
-5.27
299.40
0.88
CASO 3
1145
-7.29
289.50
-39.59
242.30
-32.45
357.70
4.81
604.50
103.67
89

En la Tabla 3.13 se indican las frecuencias a las que ocurren las resonancias en estas mediciones,
as como el desplazamiento con respecto a la referencia de la microcinta sin vias. Los
desplazamientos son similares en las tres tarjetas sin observarse una tendencia que indique que
sucede cuando se acercan los vias al centro de la trayectoria de la microcinta.
medido al variar la ubicacin de tres vias colocados en la TCI.
RESONANCIA
TARJETA
PRIMERA
Frecuencia Variacin
[GHz]
[MHz]
SEGUNDA
TERCERA
CUARTA
QUINTA
Frecuencia
Variacin
Frecuencia
Variacin
Frecuencia
Variacin
Frecuencia
Variacin
[GHz]
[MHz]
[GHz]
[MHz]
[GHz]
[MHz]
[GHz]
[MHz]
sin vias
1.658
3.305
4.963
6.577
CASO 1
1.6263
-31.7
3.2466
-58.4
4.9041
-58.9
6.5403
-36.7
8.0491
-100.9
CASO 2
1.6209
-37.1
3.2466
-58.4
4.8509
-112.1
6.4819
-95.1
7.9375
-212.5
CASO 3
1.6209
-37.1
3.2413
-63.7
4.8563
-106.7
6.4766
-100.4
7.9959
-154.1
En el Apndice A se muestran las graficas de los parmetros
8.15
de este captulo con el eje
en
escala logartmica.
3.5. COMPARACIN DE RESULTADOS MEDIDOS Y SIMULADOS
Como se observa en las secciones 3.3 y 3.4 del captulo, las simulaciones y mediciones tienen
diferencias entre s, que aunque no son significativas, si es necesario mencionar, que en el caso
de las simulaciones, el programa no considera diferentes parmetros propios de la construccin
como son conectores, soldaduras, etc. Por otro lado, aunque el sustrato empleado cumple con
normas internacionales de fabricacin de PCBs, este no es homogneo en todas sus
caractersticas como en la permitividad relativa, ancho del sustrato, espesor de cobre, etc.
90

91

CAPITULO 4: Modelo de la estructura propuesta
CAPITULO 4. MODELO DE LA ESTRUCTURA PROPUESTA
Para entender el comportamiento de la estructura EBG propuesta, se propuso construir un

modelo de circuito elctrico equivalente de la microcinta. Este modelo se desarrollo a partir de
los parmetros distribuidos de una lnea de transmisin en el cual se inserto el circuito elctrico
equivalente de la estructura EBG propuesta. La ventaja de este modelo en comparacin con las
herramientas empleadas para la simulacin electromagntica de tarjetas de circuito impreso
(utilizando programas como CST, Microwave Studio, HFSS, AWR, ADS, etc.) es que se puede
implementar en un algoritmo en MATLAB, PSpice, etc., los cuales son ms sencillos de utilizar
y por lo tanto el estudio de la influencia de esta u otra estructura podra ser analizada por
cualquier ingeniero con facilidad
En el Captulo 1 se dio una introduccin a los parmetros distribuidos de una lnea de
transmisin. En este captulo se aplica ese criterio para obtener los parmetros distribuidos de
una lnea de transmisin tipo microcinta.
4.1. EXTRACCIN DE PARMETROS RLGC DE UNA TARJETA DE CIRCUITO

IMPRESO TIPO MICROCINTA
Se considerara una TCI tipo microcinta con una longitud , un ancho
, un espesor del cobre
y una resistividad del cobre ; el dielctrico tendr una altura , una permitividad relativa
como unas prdidas tangenciales
as
como se muestra en la Figura 4.1.
Figura 4. 1. Representacin geomtrica de la TCI tipo microcinta [4.1].
92

Es posible deducir de las dimensiones geomtricas de esta tarjeta, la impedancia caracterstica

as como la constante de propagacin
empleando las ecuaciones [4.1],
[4.2] y [4.3].
donde
donde
es la impedancia del aire (
)y
es la permitividad efectiva. La constante de
propagacin se puede escribir como en la Ecuacin 4.3 tomando en cuenta la velocidad de la luz
en el vacio .
Las prdidas del conductor y del dielctrico estn dadas por:
93

con
Conociendo
se pueden extraer los parmetros RLCG de la lnea de transmisin por
unidad de longitud
,
,
. Si consideramos la longitud de la microcinta , entonces

y
y pueden ser calculados empleando las
siguientes ecuaciones:
donde
son la parte real e imaginaria de
respectivamente y
es la
frecuencia angular.
Por lo que las ecuaciones 4.8 a 4.11 pueden escribirse como
donde
es la permeabilidad en el vaco.
94

Empleando estas ecuaciones es posible encontrar la respuesta de una lnea de transmisin tipo
microcinta y estudiar el efecto de la estructura propuesta.
La Figura 4.2 muestra las grficas del comportamiento de estas ecuaciones a lo largo del
intervalo de 0.5 a 9 GHz, tomando en cuenta las caractersticas del sustrato descritas en la Tabla
3.1. En esta se observa como la resistencia y la conductancia distribuidas de la TCI se
incrementan al aumentar la frecuencia, con respecto a la capacitancia e inductancia distribuidas
permanecen constantes a lo largo del intervalo.
Figura 4. 2. Comportamiento de los parmetros RLCG de una Lnea de Transmisin tipo microcinta al incrementar la
frecuencia..
95

4.2 MODELO ELCTRICO DE UNA LNEA DE TRANSMISIN TIPO MICROCINTA
En la Figura 1.15 se muestra el modelo elctrico en parmetros distribuidos de una lnea de

transmisin cuando la longitud elctrica es mucho menor a 1, esto implica, segn la Ecuacin
1.27 y 1.28, que si la frecuencia mxima a la que se trabajara en la microcinta es de 9GHz,
tenemos
Y por lo tanto, segn la Ecuacin 1.29, el nmero mnimo de elementos que se requieren para
representar la microcinta, como una lnea de parmetros distribuidos es:
Del modelo elctrico en parmetros distribuidos de una lnea de transmisin sabemos que
mientras ms elementos se tengan en el modelo, mejor ser la aproximacin. Para el caso de la
microcinta sin vias se tomara este valor como 32.
En la Figura 4.3 muestra como quedara el circuito equivalente de la lnea de transmisin tipo
microcinta con las consideraciones anteriores.
Figura 4. 3. Circuito elctrico equivalente de la microcinta en parmetros distribuidos.
Para el caso de una lnea de transmisin como la mostrada en la Figura 4.1 sabemos que la
matriz de parmetros ABCD es (Seccin 1.6.3.1 del Captulo 1)
96

Las ecuaciones correspondientes a cada uno de los segmentos utilizados se resolvieron con la
ayuda del programa MatLab utilizando la propiedad del producto de matrices en cascada en una
red de dos puertos. La matriz en parmetros ABCD de cada elemento queda
4.3 MODELO ELCTRICO DE LA ESTRUCTURA EBG PROPUESTA (CIRCUITO DE

INTERCONEXIN)
La estructura EBG que se propone en este trabajo consiste como, ya se mencion en captulos
anteriores, en vias colocados a lo largo de la trayectoria de la microcinta que estn unidos al
plano de tierra como se muestra en la Figura 4.4. Este via puede ser modelado como un inductor
en serie con una resistencia que est en serie con la capacitancia que se forma entre el via y la
microcinta.
97

Figura 4. 4. Modelo elctrico del via.
Considerando la altura del via
, su radio
separacin entre el via y la microcinta
), la conductividad del cobre
y la
las ecuaciones de estos componentes del circuito de
interconexin son [4.4].
Para la inductancia de interconexin,
La resistencia de interconexin ser
donde
Donde
es el rea de la seccin transversal del via.

98

Por ltimo la capacitancia de interconexin es
Empleando las ecuaciones 4.21 a 4.25 y con los valores de la estructura EBG propuesta que son
1.532 mm para la altura del via , 0.41 mm para el radio
), y 0.5 mm para
la separacin entre el via y la microcinta , los valores de los componentes del circuito de
interconexin son:
Para obtener la matriz en parmetros ABCD del circuito equivalente del via se proceder a
obtener las componentes A, B, C y D del circuito de la Figura 4.5 empleando las Ecuaciones
1.52.
Figura 4. 5. Circuito equivalente del via.
La matriz resultante empleando la Ecuacin 1.52 queda
99

Con el par de matrices 4.20 y 4.26 y la propiedad de matrices en cascada es posible encontrar la
respuesta de la microcinta y cmo se ven afectadas las resonancias cuando se agregan vias a lo
largo de la trayectoria de la microcinta
4.4 RESPUESTA DEL MODELO DE LA ESTRUCTURA EBG PROPUESTA
Por ltimo en este captulo se muestra la respuesta que se obtiene empleando el modelo y los
parmetros calculados en el apartado 4.2 y 4.3. Se empleo Matlab para realizar los productos de
las matrices 4.20 y 4.26. El nmero de elementos del modelo se incremento a 208 para obtener
las respuestas de 3 y 11 vias, pues de esta manera es posible colocar la matriz del circuito de
interconexin en la posicin que le corresponde fsicamente en la tarjeta.
4.4.1. Modelo de la microcinta sin vias.
En la Figura 4.3 se muestra el circuito equivalente en parmetros distribuidos de la TCI tipo

microcinta sin vias. Al obtener la respuesta en parmetros Z de este modelo se obtienen las
curvas mostradas en la Figura 4.4. En estas curvas se observa una buena aproximacin entre la
respuesta medida y del modelo elctrico.
100

PARMETRO Z12
1400
Z12 Simulado sin Vias
Z12 Medido sin vias
Z12 Modelo sin vias
1200
[Ohms]
1000
800
600
400
200
0
FRECUENCIA[GHz]
del modelo de la TCI sin vias.
4.4.2. Modelo de la microcinta con 1 via
Cuando se agrega 1 via a la tarjeta, en el modelo se debe agregar un circuito de interconexin

entre los elementos 16 y 17 como se ilustra en la Figura 4.7. De esta manera, cuando se realice el
producto de las matrices de los elementos de la lnea de transmisin al llegar al producto nmero
16, se realiza el producto con la matriz de interconexin para posteriormente realizar los 16
productos restantes. De esta forma se obtiene la respuesta de la TCI cuando se agrega 1 via.
Figura 4. 7. Circuito elctrico equivalente de la TCI con 1 via.
101

En la Figura 4.8 se muestra la respuesta en parmetro
de este modelo comparado con la
simulacin y la medicin realizadas en el captulo 3. Como se observa en la figura, el modelo se

ajusta ms a la respuesta del la simulacin tanto en la reduccin de las magnitudes como en el
desplazamiento de las frecuencias.
Figura 4. 8. Magnitud de la impedancia
del modelo de la TCI con 1 via al centro.
4.4.2. Modelo de la microcinta con 3 vias variando la ubicacin
Cuando se agregan 3 vias a la microcinta se debe dividir en 4 bloques el nmero de elementos de

la lnea de trasmisin; adems, para que la posicin en la que se agregara el circuito de
interconexin coincida con la longitud a la que se coloco en la simulacin y medicin, se
incrementaron el nmero de elementos a 208. La Figura 4.9 muestra los circuitos equivalentes de
estos modelos con la posicin en la que se coloco cada circuito de interconexin.
102

Figura 4. 9. Circuito elctrico equivalente de la TCI con tres vias en diferentes ubicaciones
En la Figura 4.10 se muestra la magnitud del parmetro
de estos modelos. En estas grficas
se observa la misma tendencia encontrada en el Captulo 3, pues mientras ms se acerquen los

vias de los extremos hacia el centro, la reduccin de las resonancias ser menor.
103

Figura 4. 10. Magnitud del parmetro
, cuando se cambia la ubicacin de los tres vias empleados.
104

Como se observa, el modelo se ajusta ms con los resultados de la simulacin aunque en los tres
procedimientos (simulacin, medicin y modelo) se observan tendencias similares cuando se
agrega el via.
105

CAPITULO 5: Anlisis de integridad de seal de la estructura propuesta
CAPITULO 5.ANLISIS DE INTEGRIDAD DE SEAL DE LA

ESTRUCTURA PROPUESTA
En este captulo se aborda el estudio de la integridad de una seal digital al hacerla pasar por la
estructura propuesta para observar si sta sufre de alguna alteracin. El estudio se basa en la
utilizacin de la tcnica del diagrama de ojo para lo cual en las siguientes secciones se da una
breve explicacin del mismo, as como al final, se presentan los resultados que se obtuvieron al
analizar dicha seal cuando pasa por una microcinta y cuando pasa por la estructura propuesta.
En la figura 5.1 se muestra un pulso digital real. Tiempo de subida ( ) es el tiempo requerido
para que la seal pase de nivel bajo a nivel alto. Tiempo de bajada ( ) es el tiempo requerido
para la transicin de nivel alto a nivel bajo. En la prctica, el tiempo de subida se mide como el
tiempo que tarda en pasar del 10% al 90% de la amplitud del pulso, y el tiempo de bajada como
el tiempo que tarda en pasar del 90% al 10% de la amplitud del mismo. La razn de que el 10%
superior y el 10% inferior no se incluyan en los tiempos de subida y bajada se debe a la no
linealidad de la seal en estas reas.
La anchura del impulso (
) es una medida de la duracin del impulso y se define como el
intervalo de tiempo que transcurre entre los puntos en los que el valor de la seal es el 50% de la
amplitud en el flanco de subida y el de bajada.
Figura 5. 1. Pulso digital real [5.1].
106

5.1. INTEGRIDAD DE SEAL DIGITAL.
La integridad de seal digital se puede definir en forma general como el estudio de la distorsin
del pulso. Comnmente las seales digitales son medidas empleando osciloscopios; sin embargo,
estas seales digitales actualmente tienen tasas de transferencia de Gigabits por segundo (Gbps)
lo que hace que el osciloscopio sea insuficiente para analizarlas. Este incremento en la velocidad
de comunicacin hace que los diseadores de sistemas digitales deban resolver los problemas de
seales analgicas para obtener mediciones de SWR (relacin de onda estacionaria), prdidas
por insercin, relaciones entre el ancho de las pistas de los PCBs y los tiempos de retraso en la
seales que transportan, es decir, parmetros que permitan evaluar la fidelidad de un pulso.[5.1],
[5.2], [5.3], [5.4], [5.5], [5.6]
5.1.1 Causas comunes de distorsin de pulsos.

5.1.1.1Dispersin
Del anlisis de Fourier de una seal digital sabemos que est formada por la suma de varias
seales senoidales. Mientras ms componentes senoidales se sumen la seal pasara de tener una
forma senoidal a cuadrada como se observa en la Figura 5.2. Las frecuencias altas de la seal
determinan el tiempo del voltaje de riso de la seal y el tiempo en que la seal pasa de 0 a 1 y de
1 a 0, mientras que las de baja frecuencia determinan el ancho del pulso.
Figura 5. 2. Composicin de una seal digital [5.1].
107

Sin embargo no todas las componentes de frecuencia se propagan a la misma velocidad en el

PCB, debido a sus diferentes velocidades de propagacin, por lo que esta diferencia de
velocidades provoca distorsin del pulso digital.
5.1.1.2. Atenuacin/Prdidas (Reduccin del nivel de seal).

Los PCBs que se emplean actualmente tienen prdidas debidas a la resistencia del cobre, el
efecto pelicular, as como las prdidas debidas al dielctrico. Estas prdidas pueden disminuir el
nivel en la que una seal debe ser considerada como 1 a 0. Se sabe que pistas muy largas al
utilizarse para transmitir seales digitales de
altas frecuencias provocaran atenuacin
considerable de la seal. En la Figura 5.3 se muestra la atenuacin que se presenta en una tarjeta
de computadora cuando se incrementa la frecuencia [5.1].
Figura 5. 3. Prdidas en una pista de una PC [5.1].
Debido al empleo de sustratos a base FR4 en la construccin de PCBs, se emplea una tecnologa
de prenfasis en los pulsos digitales para evitar la distorsin de seal causada por atenuacin
como se muestra en la Figura 5.4. Esta tecnologa de prenfasis sirve para evitar distorsiones
predecibles, como la atenuacin, sin embargo no es aplicable para distorsiones no predecibles
como el ruido, crosstalk.
108

Figura 5. 4. Seal Digital con prenfasis [5.1].
5.1.1.3. Relacin de Onda Estacionaria (SWR)

Este concepto estaba orientado principalmente a diseadores de antenas; sin embargo toda fuente
de alta frecuencia (Salida de Circuito Integrado), medio de conexin (Pista de un PCB), o una
carga (Entrada de Circuito Integrado) tiene una impedancia asociada para la mxima
transferencia de energa. Los circuitos lgicos no dependen de la mxima trasferencia de
potencia, sin embargo, si la transferencia de potencia no es transmitida, la porcin que no se
transmite se refleja a la fuente causando ondas estacionarias. El resultado de estas ondas
estacionarias es un rizo en la parte superior del pulso que puede causar falsos disparos como se
muestra en la Figura 5.5. Para evitar ondas estacionarias cuando se disean PCBs es conveniente
que las salidas de los circuitos lgicos estn lo ms cercano a las entradas que se dirigen.
Figura 5. 5. Rizo en una seal digital [5.5].
109

5.1.1.4. Insuficiente ancho de banda.

Cuando una seal digital se hace pasar por un medio con un ancho de banda limitado, los
componentes de frecuencia de la seal se reducen ocasionando rizo en la seal. Si este rizo tiene
suficiente amplitud es posible que ocasione falsos disparos. Figura 5.5.
5.1.1.5. Sobreimpulso positivo y negativo.

Los sobreimpulsos positivos y negativos se producen por un efecto capacitivo del circuito o de
los instrumentos de medicin y dan lugar a una tensin que sobrepasa los niveles alto y bajo
normales, durante un tiempo muy corto, en los flancos de subida o bajada como se muestra en la
Figura 5.6.
Figura 5. 6. Sobreimpulso de una seal digital. [5.5]
5.1.1.6. Jitter.
El Jitter corresponde bsicamente a una desviacin de fase respecto de la posicin ideal en el
tiempo de una seal digital que se propaga en un canal de transmisin. El Jitter es un efecto
completamente indeseable en cualquier sistema de comunicaciones y por ende introduce una
serie de problemas al canal, que de no ser tratado adecuadamente puede degradar completamente
la calidad y desempeo del enlace. El Jitter puede causar errores en la recepcin de bits (BER),
ya que si no es controlado confundir al receptor y ste no podr recobrar el reloj de sincronismo
en el extremo receptor, adems puede producir interferencia intersimblica (ISI), entre los pulsos
110

que se propagan por el canal, ya que el jitter producir un desplazamiento de las seales que
componen el pulso y por ende se mezclarn, imposibilitando de esta manera el reconocimiento
de los niveles respectivos de la seal en el receptor. Dicho efecto puede ser observado en la
Figura 5.7 que muestra un diagrama de ojo cerrado completamente por el efecto del Jitter. El
receptor se ver imposibilitado para recobrar el reloj de sincronismo y por ende para recibir
adecuadamente la seal transmitida.
Figura 5. 7. Diagrama de ojo con Jitter [5.6].
5.1.1.7. Crosstalk
El crosstalk es un acoplamiento electromagntico que se da entre dos lneas de transmisin
adyacentes debido a las capacitancias e inductancias mutuas, Figura 5.8, lo que puede originar
falsos disparos en pistas vctimas.
Figura 5. 8. Crosstalk debido a inductancias y capacitancias mutuas [5.5].
111

5.2. DIAGRAMA DE OJO
El diagrama de ojo, utilizado en el anlisis de formas de ondas digitales, corresponde

esencialmente, a un diagrama que muestra la superposicin de las distintas combinaciones
posibles de unos y ceros en un intervalo de tiempo o cantidad de bits determinados. Dichas
seales transmitidas por el enlace, permiten obtener las caractersticas de los pulsos que se
propagan por el medio de comunicacin, sean estos por medio de fibra ptica, coaxial, par
trenzado, enlaces satelitales, pistas de PCBs, etc.
Debido a la capacidad de los diagramas de ojo de representar la superposicin de varias seales
simultneamente es que son conocidos como patrones multi-valores, ya que a diferencia de las
seales medidas normalmente en un osciloscopio, cada punto en el eje del tiempo tiene asociado
mltiples niveles de voltaje.
5.2.1. Anlisis de los Parmetros del Diagrama de Ojo.
Existen dos tipos de anlisis de los diagramas de ojo. El primero se refiere fundamentalmente al
anlisis de las distintas caractersticas de la forma de onda del pulso como son el tiempo de
subida, el tiempo de bajada, los sobreimpulsos positivos y negativos y el jitter, Figura 5.9, que
estn referidas a cuatro propiedades fundamentales del ojo, el nivel cero, nivel uno, cruce de
amplitud y cruce en el tiempo. Mientras que el segundo mtodo consiste en la comparacin de la
mscara medida directamente en el patrn de ojo con una mscara preestablecida
112

Figura 5.9. Parmetros de un pulso digital [5.3].
Nivel uno; Corresponde a la medicin del valor promedio del nivel de un uno lgico. Esto se
debe a que el diagrama de ojo utiliza mtodos estadsticos en la construccin del patrn, es decir,
se genera un histograma con los distintos valores del pulso y luego se considera una angosta zona
del ancho del pulso, con lo que se logra obtener el promedio del nivel uno de dicho pulso.
Nivel cero; Corresponde a la medida del valor promedio del nivel cero lgico
Cruce de ojo: Consiste de dos partes, tiempo del cruce y amplitud del cruce. El tiempo del cruce
se refiere al tiempo en el que se produce la apertura del ojo y su posterior cierre, mientras que la
amplitud del cruce, est referido al nivel de voltaje en el cual se produce la apertura del ojo y su
posterior cierre. Considerando estos dos parmetros se define el Perodo del bit, que corresponde
al perodo entre la apertura y cierre del ojo.
La Figura 5.10 muestra un diagrama de ojo con los parmetros descritos.
Figura 5. 10. Parmetros fundamentales de un diagrama de ojo [5.3].
113

Las mscaras preestablecidas definen regiones especficas en el diagrama de ojo, dentro de las
cuales los pulsos no deben introducirse. Estas mscaras son muy tiles, ya que se utilizan en el
diseo de canales de transmisin, especificando por medio de ellas zonas no permitidas para las
seales. De esta forma se logra preestablecer un diseo ptimo de enlaces que cumplan ciertas
caractersticas, ya que si la seal digital que se propaga por el canal se introduce en dichas
regiones, se observan errores en la transmisin. La Figura 5.11 muestra un diagrama de ojo con
la mscara preestablecida.
Figura 5. 11. Mscara en un diagrama de ojo [5.3].
5.3. DIAGRAMA DE OJO DE LA ESTRUCTURA PROPUESTA.
Para analizar la integridad de la seal de las Tarjetas de Circuito Impreso propuestas en esta
tesis, se empleo el programa de simulacin Advanced Design System 2008, el cual proporciona
las herramientas suficientes para obtener este diagrama y sus diferentes parmetros.
114

Como se mostr en el Captulo 4 podemos construir un circuito equivalente de la microcinta

empleando el modelo de lnea de transmisin con parmetros distribuidos. Es posible
implementar este circuito en ADS 2008 y obtener el diagrama de ojo.
Si observamos la Figura 4.6, referente al parmetro
del modelo y la medicin de una tarjeta
de circuito impreso tipo microcinta sin vias, existen intervalos de frecuencia en los que la
resonancia no est presente. Es en estos intervalos donde se puede estudiar la integridad de seal
de la tarjeta puesto que si se analiza en intervalos de frecuencia cercanos a o en las frecuencias
de resonancia la respuesta de la simulacin tendr mucha distorsin, pues an cuando con la
estructura propuesta se ha logrado disminuir la magnitud y desplazar la frecuencia de las
resonancias, estas siguen presentes. De esta forma si revisamos la respuesta del parmetro
de
todas las tarjetas simuladas, medidas, o del circuito equivalente, vemos que a una frecuencia de 4
GHz es posible obtener el diagrama de ojo para todas las tarjetas.
Es importante resaltar que el estudio de Integridad de Seal que se realiza a la estructura
propuesta no tiene la finalidad de mostrar que la integridad de seal mejora con la estructura, si
no la de mostrar que la estructura no afecta la seal que se hace pasar por la microcinta sin vias.
5.3.1. Fuente de pulsos digitales
La fuente que se empleo para generar los diagramas de ojo de las TCIs de esta tesis es la
VtBitSeq (Voltage Source, Pseudo Random Pulse Train Defined at Continuous Time by Bit
Sequence) que es una fuente de voltaje que genera un tren de pulsos definidos por una secuencia.
115

Esta fuente tiene los siguientes parmetros.

Vlow = Nivel de voltaje mnimo.
Vhigh = Nivel de voltaje mximo.
Rate = Tasa de transferencia.
Rise = Tiempo de subida.
Fall = Tiempo de bajada.
BitSeq = Secuencia de bits.
Para el caso de las simulaciones estos parmetros quedaron como:

Vlow =0 V.
Vhigh = 1 V.
Rate = 4 GHz.
Rise = 70 ps.
Fall = 70 ps.
BitSeq = 0011010100111.
El diagrama de ojo de la seal que entrega esta fuente se muestra en la Figura 5.12.
Figura 5. 12. Diagrama de ojo del tren de pulsos de la fuente.
116

5.3.2. Diagrama de ojo de las TCIs construidas.
Los circuitos equivalentes obtenidos en el Captulo 4, figuras 4.3, 4.7 y 4.9, fueron
implementados en ADS 2008.
En la Figura 5.13 se muestran los diagramas de ojo de la salida de las TCIs presentadas en el
Captulo 4. En esta figura se puede apreciar que la integridad de seal es similar para todas las
tarjetas lo que podra demostrar que la estructura EBG propuesta en este trabajo no distorsiona la
integridad de seal de la microcinta en modo normal. Sin embargo en la Tabla 5.1 se muestra
una comparacin de los diferentes parmetros de los diagramas de ojo obtenidos mediante
simulacin.
Figura 5. 13. Diagramas de ojo obtenidos por simulacin de las TCIs.
117

Tabla 5. 1. Parmetros de diagrama de ojo obtenidos por simulacin.
RESULTADO DE LA
SIMULACIN
FUENTE
SIN VIAS
1 VIA
CASO 1
CASO 2
CASO 3
Nivel Cero
0.012715367
0.11156936
0.11130038
0.11139138
0.11104211
0.07370546
Nivel Uno
0.9970730204
1.01809699
1.01832303
1.01830773
1.01814361
0.89282822
Nivel promedio
0.499722785
0.56483318
0.56481171
0.56484955
0.56459286
0.48326684
Amplitud del ojo
0.995801488
0.90652763
0.90702265
0.90691636
0.9071015
0.81912275
Altura del ojo
0.98504673
0.64886981
0.65159382
0.65542171
0.65498088
0.63800904
Seal a ruido del ojo
13.70342033
8.01186376
8.13826487
8.17580901
8.22229172
10.2187719
Tiempo de subida
4.16E-11
4.51E-11
4.39E-11
4.26E-11
4.24E-11
4.22E-11
Tiempo de bajada
4.16E-11
4.49E-11
4.37E-11
4.31E-11
4.29E-11
4.20E-11
Eye Jitter (PP)
1.76E-11
1.58E-11
1.58E-11
1.46E-11
1.13E-11
Eye Jitter (RMS)
3.51E-12
3.41E-12
3.44E-12
3.26E-12
2.60E-12
En la Tabla 5.1 se muestran los parmetros del diagrama de ojo obtenidos por simulacin de las
tarjetas de circuito impreso construidas. Aqu se observa la similitud de los diferentes parmetros
de las TCIs que tienen el via y la referencia sin vias, por lo que de esta forma se demuestra que la
integridad de seal de la microcinta no se afecta al agregar vias a lo largo de su trayectoria.
5.4. CORRELACIN DE SEALES DIGITALES DE LAS TCIs CONSTRUIDAS.
La funcin de correlacin de dos seales, nos permite identificar que tanto se parece una seal a
la otra y si existe algn defasamiento entre ellas. Mientras mayor sea la magnitud de esta
funcin, mayor ser el parecido entre las dos seales. Esta funcin, por lo tanto, nos permiti
conocer si las seales digitales, de las tarjetas construidas en este trabajo de tesis, se parecan
entre si y as identificar que efectos tienen los vias al ser colocados en la TCI.
En la Figura 5.14 se muestran las graficas de las seales en el puerto 2 de las TCIs, que se
obtuvieron empleando el modelo elctrico que se desarrollo en el Captulo 4. La Figura 5.15
118

contiene las graficas obtenidas de la funcin de correlacin entre la seal digital de salida de la
referencia sin vias y las seal digital de salida de cada tarjeta.
TARJETA CON UN VIA
TARJETA CASO1
1.4
1.4
TCI CON UN VIA
TCI CASO1
1.2
1.2
[V]
1
0.8
[V]
1
0.8
0.6
0.6
0.4
0.4
0.2
0.2
0.2
0.4
0.6
0.8
1.2
TIEMPO[s]
1.4
0.2
0.4
0.6
0.8
1.2
1.4
TIEMPO[s]
-7
x 10
TARJETA CASO2
-7
x 10
TARJETA CASO3
1.4
1.4
TCI CASO2
TCI CASO3
1.2
1.2
[V]
1
0.8
[V]
1
0.8
0.6
0.6
0.4
0.4
0.2
0.2
0.2
0.4
0.6
0.8
1.2
TIEMPO[s]
1.4
0.2
0.4
0.6
0.8
1.2
1.4
TIEMPO[s]
-7
x 10
-7
x 10
Figura 5. 14. Graficas de las seales digitales de salida de las TCIs de modelo elctrico.
CORRELACIN CRUZADA
CORRELACIN CRUZADA
15000
15000
Correlacin cruzada con 1 via
X: 0
Y: 1.354e+004
5000
-5000
-1
5000
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0.2
0.4
0.6
0.8
Tiem po[s]
-5000
-1
-0.8
-0.6
-0.2
0.2
0.4
0.6
0.8
Tiem po[s]
CORRELACIN CRUZADA
1
-7
x 10
CORRELACIN CRUZADA
15000
Correlacin cruzada CASO2
X: 0
Y: 1.354e+004
5000
X: 0
Y: 1.354e+004
10000
Correlacin
10000
Correlacin
-0.4
-7
x 10
15000
-5000
-1
X: 0
Y: 1.354e+004
10000
Correlacin
Correlacin
10000
5000
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0
Tiem po[s]
0.2
0.4
0.6
0.8
1
-7
x 10
-5000
-1
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0
Tiem po[s]
0.2
0.4
0.6
0.8
1
-7
x 10
Figura 5. 15. Grafica de la correlacin cruzada de la seal digital de salida sin vias con las seales digitales de salida de las TCIs
del modelo
119

Se observa en la Figura 5.15, que en los cuatro casos la correlacin mxima se da en el punto 0
de las abscisas, lo que indica que en ese punto las seales se encuentran en fase, en este mismo
punto, la amplitud de la funcin correlacin es mxima en las cuatro graficas lo que indica que
las seales no sufren distorsin al agregarse vias a la TCI.
De acuerdo con el parmetro
de las TCIs construidas a lo largo de este trabajo, se identifico
que la seal que se transmite no sufre atenuacin (prdida de potencia), pues en todos los casos
el valor de este parmetro no disminuyo de
; los parmetros obtenidos del diagrama de
ojo permitieron verificar que la seal no sufre distorsin cuando se agregan vias a las TCIs; por
ltimo, la funcin correlacin de la seal digital de salida sin vias con las seales digitales de
salida de las TCIs con vias, demostraron el parecido de las seales cuando se agregan vias a las
TCI. Por lo tanto, la seal digital que se transmite por una TCI, a la que se le han agregado vias
para afectar las resonancias propias de una TCI, no se ve afectada por los vias.
120

121

CAPITULO 6: Conclusiones y trabajo futuro
CAPITULO 6. CONCLUSIONES Y TRABAJO A FUTURO
6.1. CONCLUSIONES
En este trabajo de tesis se propuso una estructura que consiste en el empleo de vias a un costado
de una microcinta con la finalidad de reducir el nivel de la magnitud de la resonancias propias de
la tarjeta de circuito impreso, con lo cual se logra reducir las emisiones radiadas que se propagan
entre los planos de distribucin de energa y provoca fallas en el funcionamiento de los
dispositivos, circuitos o sistemas electrnicos cuando se trabaja con seales de alta velocidad.
Los resultados obtenidos muestran un porcentaje de reduccin de un 12.47% en la magnitud de
la amplitud de la impedancia de la frecuencia de resonancia, alcanzando una reduccin de hasta
35.39% en la segunda resonancia, adems de que esta tcnica es de bajo costo y fcil
implementacin ya que es elaborado en una tarjeta de FR4 de doble cara, su grabado emplea el
mtodo fotogrfico y los vias son cilindros de cobre solido de calibre 20.
Fue posible comprobar la influencia que tiene la permitividad dielctrica del sustrato empleado y
las dimensiones de la estructura para determinar la frecuencia de resonancia, encontrndose que
para una tarjeta de circuito impreso de estructura rectangular sin circuitos de interconexin, la
frecuencia de resonancia slo depende de la longitud de la pista en la tarjeta y no de la geometra
de la misma, debido a que slo se considera la direccin donde hay propagacin del campo
elctrico.
As como tambin se realizaron diversas simulaciones y mediciones con diferentes estructuras
variando el dimetro del via, la separacin entre el via y la microcinta, el nmero de vias, la
distancia entre los vias, entre otros. De todos estos casos estudiados se lleg a la conclusin de
que el ms efectivo es el uso de de tres vias conectados al plano de referencia (tierra) en la
122

estructura, uno de ellos colocado a la mitad de la longitud de la pista y los otros dos en sus
extremos, separados de la microcinta y de los bordes exteriores 0.5mm, en el cual fue posible
reducir la magnitud de la impedancia en las frecuencias de resonancia sin afectar la respuesta
natural de la microcinta. Del mismo modo se encontr que al variar la posicin de los vias a lo
largo de la microcinta se producen efectos diferentes en las magnitudes, as como
desplazamientos en la frecuencia de resonancia y sus armnicos, dichos efectos pueden
modificar las caractersticas de la seal que se conduzca por la misma.
Se comprob que es posible el desarrollo de un modelo equivalente de la microcinta,

modelndola como una lnea de transmisin con elementos distribuidos, y con la ayuda de las
redes en cascada de los circuitos de dos o ms puertos estudiar su comportamiento, brindando un
mtodo ms rpido, prctico y sencillo comparado con la simulacin electromagntica.
Uno de los factores importantes dentro del diseo electrnico es el garantizar la integridad de la
seal que se conduce, es decir que al emplear la tcnica propuesta, la seal no sufra deterioro,
para lo cual se realiz un anlisis del diagrama de ojo de la seal empleando la estructura
propuesta y comparando la respuesta con una estructura libre de vias, el resultado fue positivo y
se logr comprobar que al emplear vias distribuidos de la manera antes sealada la seal no sufre
degradacin, por lo cual se comprueba que el mtodo empleado para la reduccin de la
resonancia es satisfactorio.
123

6.2. TRABAJO A FUTURO
Con la propuesta de este trabajo de tesis se ha logrado la reduccin de un 12.47% en la magnitud

de la impedancia que se presentan a la frecuencia de resonancia de una tarjeta de circuito
impreso tipo microcinta, empleando una tcnica sencilla y fcil de llevar a cabo, al trabajar con
seales de alta velocidad y a su vez minimizar la posibilidad de que la seal radie. Para
completar el estudio de este tipo de estructuras y tratar de obtener un porcentaje mayor en la
reduccin de la magnitud de la impedancia que se presenta a la frecuencia de resonancia se
sugiere lo siguiente:
Estudiar el efecto que se presenta en la tarjeta de circuito impreso al colocar vias a

ambos lados de la microcinta.
Simular, medir y modelar los efectos de los vias con diferentes sustratos
dielctricos comerciales a diferentes espesores.
Encontrar una relacin matemtica que defina el comportamiento de los vias en la
microcinta
Proponer diferentes tipos de geometras que puedan tener efectos similares
124

CAPITULO 6: Referencias bibliogrficas
REFERENCIAS BIBLIOGRFICAS
CAPITULO 1
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[2.5] R. Senthinatan and J. Price, Simultaneous Switching Noise of CMOS Devices and
Systems. Norwell, MA: Kluwer, 1994
[2.6] S. Radu and D. Hockanson, An investigation of PCB radiated emissions from
simultaneous switching noise, IEEE Int. Symp. Electromagnetic Compatibility, vol. 2, Seattle,
WA, Aug. 1999
[2.7] T.H. Hubing, Printed circuit board EMI source mechanisms, IEEE Int. Symp.
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[2.8] Shahrooz Shahparnia, Omar M. Ramahi, Electromagnetic Interference (EMI) Reduction
From Printed Circuit Boards (PCB) Using Electromagnetic Bandgap Structures, IEEE
Transactions on electromagnetic compatibility, Vol 46, No.4, November 2004
[2.9] S. Van den Berghe, F. Olyslager, D. De Zutter, J. De Moerloose and W. Temmerman
Study of the Ground Bounce Caused by Plane Resonance, IEEE Transaction on
Electromagnetic compatibility, Vol. 40, No.2, May 1998
[2.10] S. Chun, M. Swuminathan, L.D. Smith, J. Srinivasan, Z. Jin, and M. K. lyer, Modeling of
simultaneous switching noise in high speed systems, IEEE Trans, Adv. Packag., Vol. 24,pp.
132-142, May 2001
[2.11] Howard W. Johnson, Martin Granham, High Speed-Digital-Design A Handbook of black
Magic, Prentice Hall PTR, Englewood Cliffs, New Jersey
126

[2.12] J. Andresakis, T.Yamamoto, K.Yamazaki and F.Kuwako, Resonance Reduction In PCBs

Utilizing Embedded Capacitance, Oak-Mitsui Technologies, February 2006
[2.13] C. R. Paul, Introduction to Electromagnetic Compatibility, 2nd ed., John Wiley & Sons,
New Jersey, 2006.
[2.14] Tim Williams, Controlling resonances in pcb-chassis structures, Elmac Services
[2.15] Jie Li and Zhi Liang Wang, Resonance Suppression for Power Bus in Printed Circuit
Boards Using EBG Structures, IEEE, 2008
[2.16] Asanee Suntives, Arash Khajooeizadeh, Ramesh Abhari, Using Via Fences for Crosstalk
Reduction in PCB Circuits, IEEE, 2006
[2.17] Harada, T. Sasaki H, Kami, Y. Controlling power distribution plane resonance in
multilayer printed circuit boards, IEICE Trans. Commun, Vol.E83-B, No.3, March 2000.
CAPITULO 3
[3.1] Hazael Alejandro Mendoza Tllez, Desarrollo de un filtro EBG hbrido de tamao
pequeo para reducir ruido de conmutacin simultnea, Tesis de maestra, SEPI ESIME
Zacatenco, Junio 2011.
[3.2] Li Zhi, Wang Qiang, Shi Changsheng, Application of Guard Traces with Vias in the RF
PCB Layout, 0-7803-7277, 8/02/2002
CAPITULO 4
[4.1] Hammerstad, E. and O. Jensen, Accurate models for microstrip computer aided design,
IEEE Trans. MTT, 407-409, 1980.
[4.2] Hammerstad, E. O., Equations for microstrip circuit design, Proc. of 5th EMC, 268-272,
Sep. 1975.
[4.3] Pucel, R. A., D. J. Masse, and C. Hartwing, Losses in microstip, IEEE Trans. MTT, Vol.
16, No. 6, 342-350, 1968.
127

[4.4] Marc E. Goldfarb and Robert A. Pucel, Modeling Via Hole Grounds in Microstrip, IEEE
microwave and guided wave letters, Vol. 1, No. 6, June 1991
CAPITULO 5
[5.1] Anritsu, Anritsu Field Application Engineers, Signal Integrity Basics, Signal Integrity
Basics White Paper_2009-04134.
[5.2] Davis M. Pozar, Microwave Engineering, Third Edition, John Willey & Sons, New
Yory, 2005.
[5.3] Sthephen H. Hall and all, HighSpeed Digital Systems Design, a Handbook of
Interconnect Theory and Design Practices, John Willey & Sons, Ney York, 2000.
[5.4] Dallas Semiconductor, Maxim-ic, Introduction to Common Printed Circuit Transmission
Lines, Application Note 2093, June 02, 2003.
[5.5] Howard Johnson and Martin Graham, High-Speed Signal Propagation, Advanced Black
Magic, Prentice Hall, NJ, 2003
[5.6] Agilent Technologies, Eric Bogatin, GigaTest Labs, Understanding Signal Integrity,
April 18, 2002.
128

Apndice A
APENDICE A. FIGURAS DE PARMETROS
CON EJE Y EN ESCALA
LOGARTMICA
Con el objeto de mostrar con mayor detalle las frecuencias de resonancia y sus magnitudes, en
este apndice, se tienen las curvas del parmetro
mostrados en las diferentes secciones de
este trabajo de tesis con el eje de las ordenadas , en escala logartmica.
obtenido de la simulacin cuando se vari el dimetro del via.
obtenido de la simulacin cuando se vari la distancia del via a la microcinta.
127

Apndice A
obtenido de la simulacin cuando se vari el nmero de vias en la TCI.
simulado cuando se vari la ubicacin de tres vias en la TCI.
128

Apndice A
COMPARACIN DE PARMETRO Z12
10
Z12 Sin vias

Z12 1 via
Z12 3 vias
Z12 11 vias
[Ohms]
10
10
10
FRECUENCIA[GHz]
de la medicin cuando se vari el nmero de vias en la TCI.
COMPARACIN DE PARMETRO Z11
10
Z12 Sin vias

Z12 CASO3
Z12 CASO2
Z12 CASO1
[Ohms]
10
10
10
4
5
FRECUENCIA[GHz]
de la medicin cuando se varin la posiscin de 3 vias a lo largo de la TCI.
129

Apndice A
PARMETRO Z12
10
Z12 Simulado sin Vias

Z12 Medido sin vias
Z12 Modelo sin vias
3
[Ohms]
10
10
10
FRECUENCIA[GHz]
del modelo elctrico para una TCI sin vias.
PARMETRO Z12
10
Z12 Simulado con 1 via

Z12 Medido con 1 Via
Z12 Modelo 1 via
3
[Ohms]
10
10
10
FRECUENCIA[GHz]
del modelo elctrico para una TCI con 1 via.
130

Apndice A
PARMETRO Z12
10
Z12 Medicin CASO 1

Z12 Simulacin CASO 1
Z12 Modelo CASO 1
3
[Ohms]
10
10
10
FRECUENCIA[GHz]
del modelo para la TCI CASO 1.
PARMETRO Z12
10
Z12 Medicin CASO 2

Z12 Modelo CASO 2
3
[Ohms]
10
10
10
FRECUENCIA[GHz]
131

Apndice A
PARMETRO Z12
10
Z12 Medicin CASO 3

Z12 Modelo CASO 3
3
[Ohms]
10
10
10
FRECUENCIA[GHz]
132

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INSTITUTO POLITCNICO NACIONAL

ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERA MECNICA Y ELCTRICA

Control de resonancias que se presentan en una tarjeta de circuito impreso tipo

MXICO, D.F., JUNIO DE 2012

INSTITUTO POLITCNICO NACIONAL

CARTA CESIN DE DERECHOS

En la Ciudad de _________Mxico_______ el da _15_del mes__

__2012___, la que suscribe __DIAN CRDENAS GUILLN__________ alumna del Programa

Dian Crdenas Guilln

CONTROL DE RESONANCIAS QUE SE PRESENTAN EN UNA TCI TIPO MICROCINTA

CAPITULO 2. ESTUDIOS RELACIONADOS CON LA REDUCCIN DE RESONANCIAS EN LAS TCI ............... 36

CONTROL DE RESONANCIAS QUE SE PRESENTAN EN UNA TCI TIPO MICROCINTA

2.2. CAPACITORES DE DESACOPLAMIENTO ............................................................................................ 40

CAPITULO 3.DISEO Y CONSTRUCCIN DE LA ESTRUCTURA PROPUESTA ........................................... 62

CAPITULO 4. MODELO DE LA ESTRUCTURA PROPUESTA .................................................................... 92

CONTROL DE RESONANCIAS QUE SE PRESENTAN EN UNA TCI TIPO MICROCINTA

4.3 MODELO ELCTRICO DE LA ESTRUCTURA EBG PROPUESTA (CIRCUITO DE INTERCONEXIN) ........ 97

CAPITULO 5.ANLISIS DE INTEGRIDAD DE SEAL DE LA ESTRUCTURA PROPUESTA .......................... 106

CAPITULO 6. CONCLUSIONES Y TRABAJO A FUTURO ....................................................................... 122

REFERENCIAS BIBLIOGRFICAS ....................................................................................................... 125

APENDICE A. FIGURAS DE PARMETROS

CON EJE Y EN ESCALA LOGARTMICA ............................. 127

CONTROL DE RESONANCIAS QUE SE PRESENTAN EN UNA TCI TIPO MICROCINTA

CONTROL DE RESONANCIAS QUE SE PRESENTAN EN UNA TCI TIPO MICROCINTA

CONTROL DE RESONANCIAS QUE SE PRESENTAN EN UNA TCI TIPO MICROCINTA

Figura 3. 18. Parmetro

CONTROL DE RESONANCIAS QUE SE PRESENTAN EN UNA TCI TIPO MICROCINTA

CONTROL DE RESONANCIAS QUE SE PRESENTAN EN UNA TCI TIPO MICROCINTA

CONTROL DE RESONANCIAS QUE SE PRESENTAN EN UNA TCI TIPO MICROCINTA

Tabla 1. 1. Formulas para conversin entre parmetros S, Z y ABCD [1.13]. ............................................. 35

CONTROL DE RESONANCIAS QUE SE PRESENTAN EN UNA TCI TIPO MICROCINTA

CONTROL DE RESONANCIAS QUE SE PRESENTAN EN UNA TCI TIPO MICROCINTA

CONTROL DE RESONANCIAS QUE SE PRESENTAN EN UNA TCI TIPO MICROCINTA

La demanda de acceso a la informacin ha ido creciendo a pasos agigantados, con lo cual se

CONTROL DE RESONANCIAS QUE SE PRESENTAN EN UNA TCI TIPO MICROCINTA

Hoy en da es comn la utilizacin de dispositivos electrnicos que realizan una serie de

CONTROL DE RESONANCIAS QUE SE PRESENTAN EN UNA TCI TIPO MICROCINTA

ORGANIZACIN DEL TRABAJO DE TESIS

Para lograr el objetivo planteado, la tesis se encuentra organizada de la siguiente manera:

CAPITULO 3 En este captulo se presenta el diseo de la estructura propuesta basndose en la

CAPITULO 4 En este captulo se presenta el desarrollo de un circuito equivalente que describe

CAPITULO 5. Para validar la estructura propuesta, en este captulo se hace un anlisis de la

CONTROL DE RESONANCIAS QUE SE PRESENTAN EN UNA TCI TIPO MICROCINTA

CONTROL DE RESONANCIAS QUE SE PRESENTAN EN UNA TCI TIPO MICROCINTA

CONTROL DE RESONANCIAS QUE SE PRESENTAN EN UNA TCI TIPO MICROCINTA

Permeabilidad magntica relativa

CONTROL DE RESONANCIAS QUE SE PRESENTAN EN UNA TCI TIPO MICROCINTA

Gigabits por segundo

CONTROL DE RESONANCIAS QUE SE PRESENTAN EN UNA TCI TIPO MICROCINTA

CAPITULO 1. ESTUDIO DE LAS RESONANCIAS DEBIDAS A LAS PISTAS

1.1 LNEAS DE TRANSMISIN

1.1.1. Lneas Planas

CONTROL DE RESONANCIAS QUE SE PRESENTAN EN UNA TCI TIPO MICROCINTA

Figura 1. 1. Diferentes lneas de transmisin planas. a) Stripline, b) Coplanar, C) Microcinta [1.1]

1.2. LNEA DE MICROCINTA

CONTROL DE RESONANCIAS QUE SE PRESENTAN EN UNA TCI TIPO MICROCINTA

Figura 1. 2 Lnea de microcinta [1.2]

1.2.1. Impedancia caracterstica de la microcinta

En virtud de la estructura descubierta de la lnea de microcinta, el campo electromagntico no

CONTROL DE RESONANCIAS QUE SE PRESENTAN EN UNA TCI TIPO MICROCINTA

A causa del efecto de borde, la permitividad efectiva

es menor que la permitividad relativa

el grosor del sustrato, un valor aproximado de

En la Ciudad de ___Mxico_ el da _15_del mes__

2012_, la que suscribe DIAN CRDENAS GUILLN________ alumna del Programa