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RECOCIDO DE METALES DEFORMADOS PLSTICAMENTE

Por recocido entendemos aqu como el calentamiento de un metal deformado


plsticamente por un tiempo y a una temperatura dada a fin de producir
modificaciones en las propiedades y en la estructura. La velocidad de
calentamiento y especialmente la velocidad de enfriamiento es lenta. Entre los
cambios mas notorios tenemos:
Modificacin de la microestructura del sistema
Modificacin de la energa de deformacin elstica almacenada.
Modificacin de las propiedades del sistema.
Efectos del recocido sobre la microestructura de los metales deformados
Conforme se aumenta progresivamente la temperatura y/o el tiempo de
calentamiento se producen tambin modificaciones progresivas en la
microestructura y en las propiedades. Por orden de aparicin se distinguen las
siguientes etapas:
Etapa de recuperacin
Etapa de recristalizacin primaria de la estructura
Etapa de recristalizacin secundaria o crecimiento de grano
Etapa de recuperacin
El efecto inmediato de calentar un metal deformado es el reordenamiento de
los defectos(principalmente puntuales y dislocaciones), dentro de una
configuracin de menor energa a travs de una serie de mecanismos que
dependen del rango de temperatura a la que se calienta el metal; tales
mecanismos se presentan en la tabla No 1.

Tabla No 1 Mecanismos de la recuperacin


Rango de temperatura de
calentamiento
Baja

Intermedia

Alta

Mecanismos
1.1 Migracin de los defectos puntuales a
los sumideros(dislocaciones, bordes de
grano, etc.)
1.2 Combinacin de defectos
puntuales(divacancias, trivacamcias, diintersticiales, etc,)
2.1 Re-arreglos de las
dislocaciones dentro las celdas
2.2 Aniquilacin de dislocaciones
2.3 Crecimiento de subgranos

3.1 Trepado de dislocaciones


3.2 Coalescencia de subgranos
3.3 Poligonizacin

En la recuperacin no se eliminan estructuras deformadas por migracin de


lmites de granos de gran ngulo. La estructura policristalina retiene su
identidad, mientras la densidad de defectos cristalinos y su distribucin
cambian.
Los cambios microestructurales son visibles mediante microscopa electrnica
pero difcilmente visibles mediante microscopa ptica.
Un cristal deformado se caracteriza por tener un exceso de dislocaciones que
no se distribuyen uniformemente, formndose regiones de baja densidad de
dislocaciones con regiones de alta densidad de dislocaciones. Las regiones de
alta densidad de dislocaciones se ven como un arreglo plano de un
enmaraamiento de lneas de dislocaciones (tangles)conformando cercos o
paredes de dislocaciones en torno a regiones de baja densidad de
dislocaciones. Las regiones de baja densidad de dislocaciones se denominan
celdas o subgranos y a las paredes de dislocaciones, lmites o bordes de
celdas o lmites o bordes de subgranos (figura No 1).

Figura No 1

Durante el recocido de recuperacin las dislocaciones se mueven hacia los


lmites de celdas, formndose lmites bien definidos entre regiones o celdas
que difieren ligeramente en orientacin cristalina del vecino(1 ). Todo lo
mencionado se ilustra en la (figura 2 ) con un acero 0.002%C donde la
deformacin ha producido una multiplicacin de dislocaciones dispuestos en
celdas. En la figura 3 se observa que el recocido permite una mejor definicin

de las celdas, en cuyo interior es ostensible la baja densidad de dislocaciones


en tanto en los lmites la alta densidad no permite resolverlas. En metales como
el Al y el Ni donde las dislocaciones trepan con facilidad las celdas se definen
con relativa nitidez

Figura No 2

Figura No 3

El proceso de recocido contina con el crecimiento de los subgranos. Uno de


tales mecanismos es la coalescencia de subgranos (fig 7)en donde dos
subgranos pueden aglutinarse por rotacin. Este mecanismo no est del todo
comprendido.
Otra modificacin importante de la microestructura es la poligonizacin,
denominada as porque las regiones o subgranos contiguos se encuentran en
los bordes de un polgono. La poligonizacin se explica de la siguiente manera:
En la condicin deformada, dentro de un grano, las dislocaciones
presentes(figura 4)se mueven por activacin trmica a lo largo de sus planos
de deslizamiento y por trepado todo lo cual conduce a una configuracin
poligonal, termodinmicamente mas estable. Recurdese que esto constituye
un borde de pequeo ngulo o subgrano.

Figura No 4

Figura No 5

La energa de distorsin asociada a una dislocacin de borde es


b2
d

4(1 ) log 5b y como existen b dislocaciones por rea unitaria de borde, la

energa E por rea unitaria de borde es

E (A B log )
donde
B=

b
y A = Ec B log 5
b
4(1 )

De acuerdo con el modelo descrito, la poligonizacin requiere de exceso de


dislocaciones de borde de un mismo signo (en la fig 4 son dislocaciones de
borde positivas). Sin embargo es posible que en los lmites de poligonizacin
existan tambin dislocaciones de tornillo.
Metales con baja energa de falla de apilamiento(Cu, Au,Pb,Fe) poligonizan en
menor grado que el Al y Ni debido a que las dislocaciones estn muy
disociadas dificultando su trepado.
La presencia de impurezas y soluto retardan el trepado de dislocaciones
dificultando la poligonizacin y el crecimiento de los subgranos.
En la fig. 2, las dislocaciones dentro de los granos deformados migran durante
el recocido hacia los lmites de celdas u luego stos comienzan a crecer
adquiriendo formas equiaxiales(fig 3). Este proceso de drenaje de
dislocaciones y crecimiento de celdas es tambin una forma compleja de
poligonizacin.
Defectos puntuales
Los intersticiales y las vacancias son los defectos puntuale primarios en los
materiales. La energa de activacin para la migracin de un intersticial es
menor que el de una vacancia (por ejemplo en el Cu es de 0.1 eV comparado
contra 0.9 eV). Por lo tanto los intersticiales migran mas rpidamente que las
vacancias y de all que el recocido de intersticiales ocurre a temperaturas tan
bajas como -250oC. Los intersticiales migrantes se eliminan cuando se
combinan con vacancias o son absorbidas en los bordes de granos y en las
superficies libres. En presencia de impurezas y solutos capaces de formar
complejos soluto-intersticiales, la etapa de recocido se desplaza a
temperaturas mayores.
El exceso de vacancias se eliminan por migracin a las interfases internas y
externas que actan como sumideros. El decaimiento isotrmico de vacancias
puede expresarse por:
d (ct ce )
= (ct ce ) k
dt

(1)

c t es la concentracin de vacancias despus de un tiempo t de recocido


isotrmico, c e la concentracin de equilibrio y k la constante de velocidad.
La ecuacin (7.30) puede expresarse en trminos dela resistividad
t
ln
= kt
o

(2)

donde t = ( t - t= ) y o = ( t=0 - t= ), t=0 , t , t= representan la


resistividad del metal templado despus de envejecerse por un tiempo t= 0, t y
respectivamente.
La ecuacin (2) se ha verificado experimentalmente para el Al entre otros
metales, encontrndose
K = k o exp(

Q*
RT

) (3), Q* es la energa de activacin 64.6kJ/mol.

Algunos solutos e impurezas reaccionan fuertemente con las vacancias. El


descenso de energia debido a la transferencia a un soluto i de una vacancia
prxima se conoce como energa de enlace B i . Cuando B i i es apreciable, se
requiere de una energa extra para liberar a la vacancia del soluto. Por
consiguiente el decaimiento de vacancia se reduce y la etapa de recocido se
desplaza a temperaturas mas altas. Para el Al, Q formacin = 0.75 eV, Q migracin =
0.67 eV y , B Mg = 0.29 eV, B Zn = 0.06 eV.
La energa de enlace entre vacancias es tambien apreciable. En el Cu B 2v =
0.3 eV. Por tanto parte del exceso de vacancias se encuentran como
divacancias. La energa de activacin para la migracin de divacancias es
menor que de una vacancia debido a la considerable relajacin que ocurre ne
torno a una divacancia.
Para disminuir la energa del sistema las vacancias pueden condensarse en
hojas de vacancias denominadas lazos las que pueden contraerse cuando las
vacancias migran hacia los sumideros en un proceso de aniquilacin de
vacancias.
Dislocaciones
La densidad de dislocaciones puede disminuir durante la recuperacin. La
activacin trmica para el deslizamiento de las dislocaciones es pequea. El
deslizamiento de dislocaciones de bordes de signos opuestos en un mismo
plano se aniquilan y en planos paralelos planos paralelos, pueden producir tiras
de vacancias o de intersticiales. Las tiras de defectos puntuales pueden
descomponerse en agrupamientos mas pequeos para reducir la energa de
las tiras.
Dislocaciones del mismo signo en un mismo plano se repelen pero pueden
disminuir sus energas si se alinean uno encima del otro formando los bordes
de pequeo ngulo que encierran regiones cristalina relativamente perfectas
llamadas subgranos o celdas. Este mecanismo de formacin de subgranos se
denomina poligonizacin.

Recristalizacin primaria
En esta etapa del recocido se produce el reemplazo de los granos deformados
por granos nuevos, libres de deformacin. Estos cambios son perceptibles en
el microscopio ptico.
El procedo se lleva a cabo por migracin de los bordes de grano de gran
ngulo de modo que en su avance van aniquilando dislocaciones dejando tras
ellos granos liberados de deformacin. Para metales con poca deformacin la
migracin corresponde a los bordes de granos originales. Un borde de grano
de gran ngulo que separa dos granos deformados se hincha y empieza a
crecer hacia el grano con mayor contenido de dislocaciones, dejando tras ella
una regin libre de dislocaciones, formando as el ncleo de recristalizacin
(fig.6 y 7). El lmite de grano hinchado es de gran movilidad lo que da lugar al
crecimiento o formacin de un grano libre de deformacin.

Figura No 6

Figura No 7

La formacin de los nuevos granos se inician en la unin de bordes de granos


originales deformados. Para metales fuertemente deformados(50% o mas)se
obtienen estructuras finas de celdas fomentndose as un gran nmero de
centros de nucleacin.

Ya se explic que previamente se forman celdas. Dos celdas vecinas pueden


coalescer por la rotacin de una de ellas . Si este proceso se repitiese en las
otras celdas vecinas la coalescencia o aglutinamiento puede extenderse hasta
formar un grano recristalizado R de gran ngulo. Como este grano tiene un
tamao mayor que el crtico puede crecer a expensa de las celdas
poligonizadas de la matriz. En la fig 8 se muestra el fenmeno de
recristalizacin por coalescencia.

Figura No 8

En la fig 9 se presenta la secuencia de una recristalizacin donde los nuevos


granos se han formado a lo largo de la estructura bandeada elongada.

Figura No 9

Nucleacin y Crecimiento
La formacin de ncleos de granos libres de defectos ocurre tanto
homogneamente como heterogneamente.

Estado trabajado en frio

Estado recocido

G = H - TS

El incremento H debido al trabajado en frio es igual a E s (energa


almacenada). H >> TS de manera que G H .
E s se ha determinado experimentalmente en funcin del % de trabajado en frio,

proceso de deformacin, y la temperatura de deformacin. Por ejemplo para


una aleacin de Ag-70% peso Au, deformada por perforacin se tiene E s = 0.33
kJ/at.gr.
La velocidad de nucleacin homognea(para ncleos esfricos)

N = N exp

16 3 V 2

+ G*t
3Es2

kT

(4)

*
Gt es la energia de activacin para la difusin en borde de grano

La caracterstica para la recristalizacin es que N no presenta un mximo a un


valor intermedio de T .

Si E s es independiente de t, N tambin lo es

Si E s decrece con t, N homogneo como heterogneo, decrece


exponencialmente con t. Experimentalmente se ha observado en muchos

materiales que N incrementa exponencialmente con t.


La velocidad de crecimiento de un ncleo puede expresarse por

Es S* t
H* t
V

G = n 1 e RT e k e kT

(5)

El desarrollo de la exponencial cuando E s <<RT

V
S * Es
H *

exp

G = n exp
kT
RT
N

kT

De (6) si E s es independiente de t, G resulta independiente de t.

(6)

Si la recuperacin ocurre durante la recristalizacin en la parte no

transformada, E s y G tienden a disminuir con t. Se ha observado en muchos

materiales que G disminuye con t. La energa de activacin para G es cercana


a la de la energa de activacin para la difusin en borde de grano

Cintica de la recristalizacin
Viene dada por la ecuacin de Johnson-Mehl-Avrami.
= 1 exp(-Ktn)

(7)

En la teora de transformacin K est relacionada con la constante de reaccin


k
K1/n = k = k o exp(-

Q*
RT

(8)

Q* es la energa de activacin para la transformacin


El tiempo de recocido a T constante para la recristalizacin de una fraccin
viene dado por t

t = ko

-1

1
ln( 1 )

1
n

Q*
exp

RT

(9)

Los valores fiduciales de t son 0.05 y 0.95


Cintica de la recristalizacin primaria
El estudio de la cintica bajo condiciones isotrmicas revela que si X = fraccin
en volmen recristalizada, entonces:

( B t )

X = 1

(10)

t = Tiempo
B y k = cte
k se encuentra en el rango de 1 2
El valor de X es el resultado del efecto conjunto de la velocidad de nucleacin
N y la velocidad de crecimiento G.
En la teora formal de la nucleacin:
B = cte

NG

(11)

Donde

G = cte

En
kT

(13)

Siendo
E n = Energ. de activacin para la nucleacin
E G = Energ. de activacin para el crecimiento
La representacin de la ecuacin ( 10 ) es de la forma mostrada en la figura 10

Figura 10

La curva de recristalizacin vara con la temperatura de recocido . En vista de


ello se define como temperatura de recristalizacin aqulla en el que el material
en un lapso de una hora a recristalizado el 95% de volmen de la matriz.
La temperatura de recristalizacin T c no es constante ya que sta al igual que
la fig( 2 ) varan con los valores de N y G.

En efecto

t 0.95

1
k

cte

N G 3

(14)

Los factores que modifican N y G son la cantidad deformacin plstica dada


previamente al material, el tamao de grano inicial, la temperatura de recocido
y la pureza del material. Estos factores se analizarn como variables de
recocido.
Deformacin previa del material
En general cuanto mayor es el grado de deformacin, el metal recristaliza mas
rpidamente (menor temperatura de recristalizacin y/o menor tiempo de
recristalizacin). Por otro lado a menor pre-deformacin puede llegarse a un
valor que es el de la deformacin crtica y que representa la mnima
deformacin necesaria para que se produzca la recristalizacin.
Temperatura y velocidad de calentamiento
Al aumentar T aumenta N y G respectivamente por lo que la recristalizacin se
hace mas rpida.
De otro lado se ha propuesto que el tamao de grano recristalizado d vara
segn:

cte

(15)

por lo que aparentemente no se incrementar mayormente con la temperatura


o variara muy dbilmente con ella.
En los aceros un rpido calentamiento hasta la temperatura de recristalizacin,
previene la recuperacin y coalescencia de los subgranos, favoreciendo la
nucleacin de nuevos granos y dando por consiguiente granos recristalizados
finos.
Tamao de grano
La recristalizacin ocurre mas rpidamente en metales de grano fino que en los
de grano grueso, debido a que hay mas energa almacenada en un metal de
grano fino y los bordes de grano son los sitios preferenciales para la nucleacin
de nuevos granos. As mismo cuanto menor es el tamao de grano original,
menor es el tamao de grano recristalizado d.

Impurezas
Si bien las impurezas pueden actuar como agentes nucleantes y por

consiguiente aumentar N , sin embargo son mas efectivas en retardar el


crecimiento de los granos recristalizados por lo que suele observarse que un
metal puro recristaliza mas fcilmente que un metal impuro.
Material
Cu 99.99%
Cu OFHC
Cu 5%Zn
Al Refinado por zona
Al 99.999%
Ni 99.9%
Ni 99.4%

Temp Recrist oC
120
210
320
100
85
370
630

Recristalizacin secundaria (Crecimiento de grano)


Una estructura recristalizada comprende un arreglo inestable de granos de
diferentes formas y tamao. Si el recocido continuase, ello conduce a un
arreglo mas estable de poliedros regulares y de igual tamao. Esto se produce
por el crecimiento de los granos mas grandes a expensas de los mas chico.
Recocidos a altas temperaturas pueden causar que solamente algunos granos
crezcan(figura 11), fenmeno conocido como crecimiento anormal o
recristalizacin secundaria.

Figura No 11

Los agregados de finos cristales tienden a reducir la energa total interfacial por
un proceso de crecimiento de granos.
Los bordes de granos tienden hacia ngulos de 120 y el radio de curvatura de
los lados depende del nmero de lados del borde de grano. Para granos de 6
lado los bordes de granos son rectos, para menos de 6 lados los granos son
cncavos y para mas de 6 lados los granos son convexos (ver apuntes
interfases).
El cambio de energa libre asociada a la transferencia de masa a travs de un
borde de grano de volumen V, radio de curvatura R y energa interfacial viene
dada por
G G =

2 V
R

(16)
Como G es negativo, el borde de grano migra hacia el centro de curvatura. En
el caso de un grano con menos de seis lados el crecimiento es hacia adentro y
el grano tiende a desaparecer. Para granos con mas de seis lados el
desplazamiento de los bordes de granos conduce a un crecimiento de los
granos

La velocidad de crecimiento de borde de grano puede expresarse a partir de


(7.34) (5)

GG S* t
H* t
V

G = n 1 e RT e k e kT

Desarrollando el exponencial y reemplazando el valor de (7.47)(16)

(17)


V S* t H* t 2 V

G = n e k e kT
N
RT

(18)

La velocidad de crecimiento vara inversamente con el radio de curvatura.


Asumiendo que el radio de curvatura sea proporcional al tamao de grano

promedio D ; y haciendo G proporcional a la variacin de D con el tiempo:

dD k
=
dt D

en donde k = k o exp (

Q*
RT

(19)

Q* es la energa de activacin para el crecimiento. De (7.50)(19)

() ( )
2

Dt = 0

= kt

(20)

()

Experimentalmente se verifica la relacin lineal D t cuyas pendientes


permite evaluar la energa de activacin para el crecimiento de grano.
El crecimiento de grano se retarda cuando el grano se aproxima a una
superficie libre.
Las inclusiones tambin reducen el crecimiento de grano. Si d es dimetro de
la inclusin y f la fraccin en volumen de inclusin el crecimiento de grano
queda limitado a un valor Dl que es proporcional segn:

Dl = cte.

d
f

Deformacin crtica
En la figura 14 se indica la variacin del nmero de granos por pulg2(La inversa
del tamao de granos en pulg)con la recristalizacin a distintos % de
deformacin para muestras de aceros 0.06%C. Los tramos iniciales de las
curvas muestran que la recristalizacin dentro de dichos rangos de
deformacin no produce mayor variacin en el nmero de granos/pulg2. Esto
es, la recristalizacin ocurre a partir de una deformacin. Esta deformacin se
conoce como deformacin crtica y vara en el ejemplo mostrado entre 2%13%. A deformaciones menores que la deformacin crtica no hay
recristalizacin, slo recuperacin.
Utilizando el concepto de deformacin crtica es posible promover o inducir
granos recristalizados de gran tamao. Esta tcnica conocida como
recristalizacin y crecimiento inducido por deformacin (strain annealing)se
emplea para obtener granos de gran tamao(fig.40)muy utilizados para la
produccin de monocristales y chapas elctricamente no orientadas.

Figura No 14