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DISPOSITIVOS

ELECTRNICOS DE POTNCIA

ELECTRNICA DE POTNCIA

DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES DE POTNCIA:


1. diodo

2. tiristor - (SCR) silicon controlled rectifier.

4. transistor bipolar - (TJB).

3. tiristor de corte comandado (GTO) - gate turn off thyristor.


B

D
E

5. transistor de efeito de campo de potncia (MOSFET).

G
C

6. IGBT - insulated gate bipolar transistor.

E
A

7. MCT - MOS controlled thyristor.

G
K

IST-DEEC
2003

Prof Beatriz Vieira Borges

G
S

ELECTRNICA DE POTNCIA
DIODO

TIRISTOR

5000 V, 10000A

lentos: 5000V, 5000A, tq=100s


rpidos: 2000V, 200A, tq=20s

GTO

4500V, 1000A
9000V, 9000A (mdulos)

G
C

TRANSISTOR
BIPOLAR

MOSFET

DISPOSITIVOS
ELECTRNICOS DE POTNCIA

G
S

2000V, 2 a 10A
1000V, 100A

B
C

E
D

100V, 30A
1000V, 6A

IGBT
IST-DEEC
2003

G
E

3500V, 300A
Prof Beatriz Vieira Borges

ELECTRNICA DE POTNCIA

Diodo

DISPOSITIVOS
ELECTRNICOS DE POTNCIA

Conduz se a tenso vAK se tornar positiva.

Esquema equivalente
do diodo em conduo

Bloqueia se a corrente IF se tornar negativa

Caracterstica
Caracterstica
real
real

Caracterstica
Caracterstica
ideal
ideal
IF

IST-DEEC
2003

Vj

Potncia dissipada:

PF=VFIF=VjIFav + RjIFef2

IF

VAK

Rj

Resistncia trmica do
dissipador:

VAK

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Tjmax - Ta = Rth j-a PF

ELECTRNICA DE POTNCIA

DISPOSITIVOS
ELECTRNICOS DE POTNCIA

Limites de operao:
VRRM
IFRMS
IFAV
IFRM
IFSM
I2t

tenso inversa mxima de pico repetitivo


mximo valor eficaz da corrente directa
mximo valor mdio da corrente directa
mximo valor de pico rep. da corrente directa
mximo valor de pico no rep. da
t
corrente directa
2
2
I
t
=
i
D dt
caracterstica de choque trmico
0

valor mdio da corrente directa


valor eficaz da corrente directa
IST-DEEC
2003

I F ( av )

1t
= iD dt
T0

I F ( RMS )

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1t 2
= iD dt
T0

ELECTRNICA DE POTNCIA

DISPOSITIVOS
ELECTRNICOS DE POTNCIA

Caracterstica dinmica
dinmica
Caracterstica
trr tempo de recuperao inversa;

intervalo de tempo entre a inverso da


corrente e a interseco da tangente no
incio da subida com o eixo t

i mx
t rr
t

Q rr

I RM
ta

IST-DEEC
2003

Qrr carga de recuperao inversa (C);

Carga elctrica removida da juno


durante a transio ON-OFF

ta tempo de armazenamento;

Intervalo desde que se inverte at


comear a subir exponencialmente

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DISPOSITIVOS
ELECTRNICOS DE POTNCIA

ELECTRNICA DE POTNCIA
Passagemconduo
conduo
Passagem
IF
vAK

Carga de capacidade
t

Potncia dissipada

t
Passagemao
aocorte
corte
Passagem
IF
Circuito de proteco para evitar
oscilaes:
Problemas quando a frequncia
aumenta
IST-DEEC
2003

vAK

Prof Beatriz Vieira Borges

t
com RC

ELECTRNICA DE POTNCIA

DISPOSITIVOS
ELECTRNICOS DE POTNCIA

Classificao de
de dodos
dodos
Classificao

Schottky
Schottky

Von = 0.3
Vmx < 150V

IST-DEEC
2003

Recuperao
Recuperaorpida
rpida
(fast
(fastrecovery)
recovery)

trr baixo (<s)


Vmx < kV
Imx < kA
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Rectificadores
Rectificadores

trr elevado
Vmx > kV
Imx > kA

ELECTRNICA DE POTNCIA

DISPOSITIVOS
ELECTRNICOS DE POTNCIA

Schottky
Schottky

Mx. tenso de bloqueio

Mx. Corrente directa


valor mdio

Tenso de conduo
Corrente de fuga
no corte

IST-DEEC
2003

Prof Beatriz Vieira Borges

ELECTRNICA DE POTNCIA

DISPOSITIVOS
ELECTRNICOS DE POTNCIA

Recuperao
Recuperaorpida
rpida
Mx. tenso
de bloqueio
no corte
Corrente fuga
no corte

Tempo de
recuperao

IST-DEEC
2003

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ELECTRNICA DE POTNCIA

DISPOSITIVOS
ELECTRNICOS DE POTNCIA

Rectificadores
Rectificadores

IST-DEEC
2003

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ELECTRNICA DE POTNCIA

DISPOSITIVOS
ELECTRNICOS DE POTNCIA

Dodosem
emsrie
srie(repartir
(repartirtenses
tensesinversas)
inversas)
Dodos

Dodosem
emparalelo
paralelo(repartir
(repartircorrentes
correntesdirectas)
directas)
Dodos
Equalizao por
dispositivo
Seleco de dodos com
caractersticas muito
semelhantes

IST-DEEC
2003

Equalizao por
acomplamento magntico
S para correntes de kA; processo
caro e complexo; mais peso, mais
volume.

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Equalizao por
resistncias
S para correntes mais baixas

DISPOSITIVOS
ELECTRNICOS DE POTNCIA

ELECTRNICA DE POTNCIA

Tiristor
SCR

Semi-controlado
Semi-controlado

Controlo apenas na passagem a ON

Conduz se vAK for positivo e se existir um


impulso de corrente na gate, de curta
durao. Bloqueia se a corrente IF se anular.

+ VAK -

A
IAK

Caracterstica
Caracterstica
ideal
ideal

Caractersticareal
real
Caracterstica

ii G1>i >>iiG2 > iG3


G1

disparo

G2

G3

VRRM

IST-DEEC
2003

iG

Transio OFF-ON

IF

VAK

IF

bloqueio

vGK = VGKT > 0, iG = iGT > 0


durante um intervalo de tempo
mnimo

Transio ON-OFF
VAK

VDRM
V
DRM

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inverso de tenso
IAK < IH (corrente de manuteno)

ELECTRNICA DE POTNCIA
Limites de
operao:

VRRM -

tenso inversa mxima de pico repetitivo

VDRM -

tenso directa mxima de pico repetitivo com o tiristor no corte

ITRMS -

mximo valor eficaz da corrente directa

ITAV

mximo valor mdio da corrente directa

ITRM

mximo valor de pico rep. da corrente directa

ITSM

mximo valor de pico no rep. da corrente directa

I2t

IST-DEEC
2003

DISPOSITIVOS
ELECTRNICOS DE POTNCIA

caracterstica de choque trmico

(di/dt)max -

mxima taxa de crescimento da corrente directa

(dvAK/dt)max -

mxima taxa de crescimento da tenso nodo ctodo

IH -

corrente de manuteno (holding current) (1% ITAV)

IL -

corrente de lanamento (latching current) (> IH)

td -

tempo de passagem conduo 0,1s - 10s

tq -

tempo de passagem ao corte 1s - 110s


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ELECTRNICA DE POTNCIA

DISPOSITIVOS
ELECTRNICOS DE POTNCIA

Caractersticasde
deGATE
GATE
Caractersticas

IG

------ mximo
mximovalor
valorda
datenso
tensogategate-ctodo
ctodo
GM-----VVGM
------ mximo
mximovalor
valorda
dapotncia
potnciana
nagate
gate
GM-----PPGM
----- mximo
mximovalor
valorda
dapotncia
potnciamdia
mdiana
nagate
gate
PPGav-----

IGM
PGM=vGKIGK

Gav

------- mximo
mximovalor
valorda
dacorrente
correntede
degate
gate
IGM------IGM

vGM

vGK(MIN)

vGK

td - tempo de disparo (diminui com o aumento de energia fornecida gate)


o impulso de gate
Correntes de fuga:

I Tav
If 4
10

Reqoff

VRRM

If

Correntes de lanamento e manuteno:


IL

2%ITav

IH
VAK
IST-DEEC
2003

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No disparo IT>IL
Na conduo IT>IH

ELECTRNICA DE POTNCIA

DISPOSITIVOS
ELECTRNICOS DE POTNCIA

Caracterstica dinmica

+ VAK -

A
IAK

iA

G
iG

tqt tempo
de recuperao ou
q tempo de recuperao ou
tempo
tempode
depassagem
passagemao
aocorte
corte

trr
t

vAK

tq

Outras limitaes
dos tiristores
IST-DEEC
2003

necessrio assegurar uma tenso


negativa durante um tempo superior a tq
para que o tiristor corte; caso contrrio
conduz logo que polarizado directamente,
mesmo sem impulso de gate.
Taxa mxima de variao da corrente diA / dt
Taxa mxima de variao da tenso dvAK / dt

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DISPOSITIVOS
ELECTRNICOS DE POTNCIA

ELECTRNICA DE POTNCIA
entrada em conduo

td + tr tempo de passagem conduo


ATENO a:
Potncia dissipada
di/dt mximo
tr (depende do circuito
exterior)

iT

td

vAK

passagem ao corte

tr

tqtempo de passagem ao corte


iT

(depende da temperatura)
ATENO a:
Potncia dissipada
dvAK/dt mximo
1s<tq<110s
proteces

tq

t
RC snuber"

vAK
t

no deve ser aplicada tenso directa ao tiristor enquanto no decorrer tq,


caso contrrio o tiristor retoma a conduo.
IST-DEEC
2003

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DISPOSITIVOS
ELECTRNICOS DE POTNCIA

ELECTRNICA DE POTNCIA

Proteces contra di/dt e dvAK/dt excessivos

Para proteger o
tiristor contra di/dt
utiliza-se uma bobine
em srie

di/dt

concentrao de corrente numa


rea muito pequena
dissipao de potncia elevada
que pode levar destruio do tiristor

(di/dt)mx - 200A/s

(di/dt)mx -2000A/s rpidos

lentos

L
v
v

iT

2
R

di
=
dt

iT

circuito de rectificao
sem
proteco contra di/dt

iT

R
iT

iG

IST-DEEC
2003

iG
circuito de rectificao
com
proteco contra di/dt

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DISPOSITIVOS
ELECTRNICOS DE POTNCIA

ELECTRNICA DE POTNCIA
Dimensionamento da bobine de proteco:

v = Ri + L
v=L

di
dt

di
dt

i (t = 0) = 0
em t = 0

v
L>
di

dt max

di v di
= <
dt L dt max
Exemplo:

2220
L>
= 156
. H
200

di
= 200 A / s

dt max
v(max) --- = 90

(existncia da bobine)

v = 2220

L=2H

(no afecta as caractersticas do


circuito)
(L=.6m para f=50Hz e R=10)

R=10
IST-DEEC
2003

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DISPOSITIVOS
ELECTRNICOS DE POTNCIA

ELECTRNICA DE POTNCIA

as cargas elctricas armazenadas

dvAK/dt
/dt
dv
AK

surgequando
quandose
seestabelece
estabelece
surge
circuito
oocircuito
nacomutao
comutaode
decargas
cargasindutivas
indutivas
na
napassagem
passagemao
aocorte
corteou
ou
na
conduode
deoutro
outrotiristor
tiristor
conduo

na regio espacial de um tiristor bloqueado


equivalem a uma capacidade C
se dvAK/dt excessivo a corrente i = CdvAK/dt
pode ser suficiente para lanar o dispositivo
na conduo, intempestivamente

Para proteger o tiristor contra dvAK/dt utiliza-se uma malha capacitiva


RC em paralelo com o tiristor

RS

Rectificador com proteces


contra dvAK/dt e di/dt
v

IST-DEEC
2003

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CS

iT

ELECTRNICA DE POTNCIA

DISPOSITIVOS
ELECTRNICOS DE POTNCIA

Esquema equivalente com o tiristor no corte sem proteco contra dvAK/dt.


RAK
v

di
v = R AK i + L
dt

vAK

RAK>>>R

R=10

di v
=
dt L
VAK = RAKi

dv AK
di
= R AK
dt
dt

RAK=50K

dv AK
Vmax
= R AK

dt
L
Se dvAK/dt = 300V/s
e di/dt = 200A/s

IST-DEEC
2003

L=

50 x 220 x 2
x10 3 = 52mH
300

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valor muito elevado


L=16 f=50Hz R=10

ELECTRNICA DE POTNCIA

DISPOSITIVOS
ELECTRNICOS DE POTNCIA

Dimensionamento da malha capacitiva:


Esquema equivalente com o tiristor no corte com proteco contra dvAK/dt.
L

RS

CS

RAK

vAK

R=10

dv AK
V
= R AK max
L
dt
L=

A resistncia total medida aos terminais do tiristor


fica diminuida quando se pe, em paralelo, a
resistncia Rs. Assim para RS<<<RAK tem-se:

dv AK
V
= RS max
L
dt

50 x 220 x 2
x106 = 52 H
300

RS vmax
L>
dv AK

dt max

valor aceitvel

podebaixar
baixarmas
masficar
ficarlimitado
limitadopelo
pelovalor
valorda
dacorrente
correnteque
quepercorre
percorreoocircuito
circuitocom
comootransistor
transistor
RRSSpode
=0,1Fvalor
valortpico
tpicoCCS>>>
>>>Coff=1nF
Coff=1nF
bloqueado.CCS=0,1F
bloqueado.
S
S
=32K f=50Hz
f=50Hz
correnteque
queprecorre
precorreootiristor
tiristorno
nocorte
corteaproximadamente
aproximadamente10mA
10mA
AAcorrente
ZZCC=32K
=1/C
ZZC=1/C
C

IST-DEEC
2003

Prof Beatriz Vieira Borges

ELECTRNICA DE POTNCIA

DISPOSITIVOS
ELECTRNICOS DE POTNCIA

Supresso de transitrios

curva
curva
caracterstica
caracterstica
deum
umvaristor
varistor
de

I
1KA

-VS

VS

VDRM

Proteco contra sobre-intensidades


FUS

Fusveis rpidos ou ultra rpidos


i) Vmax FUS > Vmax
ii) I2t FUS > I2t tiristor

IST-DEEC
2003

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DISPOSITIVOS
ELECTRNICOS DE POTNCIA

ELECTRNICA DE POTNCIA
Circuitos de disparo de tiristores drives

1 - Isolamento galvnico com transformador de impulso:


1:1

VCC
RC

Sinal de disparo

1nF

BUFFER
RB
Oscilador autnomo
Inibio

2 - Isolamento galvnico com ligao ptica:


Alimentao
e Lgica
Foto tiristores
Foto acopulador

IST-DEEC
2003

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ELECTRNICA DE POTNCIA

DISPOSITIVOS
ELECTRNICOS DE POTNCIA

Classificao de Tiristores
Tiristores Lentos
(Controlo de fase)

Tiristores rpidos
(Inversores)

Foto-Tiristores
(HVDC)

Imx: 4 kA
Vmx: 5-7 kV
Von: 1,5V (@1kV); 3V (@5-7kV)

tq baixos, 1-100 s Freqs: 1 -2 kHz


Vmx: 2,5 kV, Imx: 1,5 kA
Von mais baixos

disparados
por impulso
luminoso
(fibra ptica)

LTT Ligth triggered T


LASCR Ligth Activated T
IST-DEEC
2003

potncia no disparo: mW
Vmx: 8 kV, Imx: 3,5 kA
Von: 2-3 V @3,5 kA

Prof Beatriz Vieira Borges

Aplicaes
Aplicaes rede
rede
1,
1, 3,
3, 50-60
50-60 Hz
Hz

Inversorescom
Inversorescom
circuitos
circuitos de
de
comutao
comutao forada
forada

HVDC
HVDC

ELECTRNICA DE POTNCIA

DISPOSITIVOS
ELECTRNICOS DE POTNCIA

Outros Tiristores

(Electrnica Geral)

TRIAC,
TRIAC, DIAC,
DIAC, QUADRAC
QUADRAC

GATT
GATT
Gate-assisted turn-off Tiristor

(1200V, 300A)

(T de corte assistido pela gate)

carga

4,7k
230V
50Hz

470k
47
68n
10

GTO
GTO
Gate-turn-off Tiristor

IST-DEEC
2003

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QUADRAC

ELECTRNICA DE POTNCIA

GTO

DISPOSITIVOS
ELECTRNICOS DE POTNCIA

IA

Gate-Turn-Off Tiristor

G
+
VGC

VRWM

VAK

Principais campos de aplicao:


aplicao
comboios

de alta velocidade

transporte HVDC*

Von

Vmx

Imx

2-3 V

9 kV

3 kA

tq

10-25 s < 10 kHz

* transporte de energia elctrica em cc a muito alta tenso


IST-DEEC
2003

fc

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ELECTRNICA DE POTNCIA

DISPOSITIVOS
ELECTRNICOS DE POTNCIA

OFF- ON semelhante ao tiristor convencional (1<VGT<2 V; IGT) mas a corrente de gate


tem que se manter durante toda a conduo

ON-OFF

iG < 0A

Aplicao de uma tenso negativa VGC

diG/dt ~ 30-100 A/s


cerca de 30% de IA

-20V < VGC < -7V

A
I
G
+
VGC

IST-DEEC
2003

exemplo

Durao de alguns s superiores a tq


iG = 200A
@ 1000 A,
10 s

Potncia de
Controlo !!!

Circuitos de drive
Complexos e caros!!!

K
Prof Beatriz Vieira Borges

ELECTRNICA DE POTNCIA

DISPOSITIVOS
ELECTRNICOS DE POTNCIA
mximo de 1-2 kV/s

Outro
Outro problema
problema
dos
dos GTOs
GTOs

Muito sensvel a dvAK/dt elevados


especialmente de OFF-ON

Circuitos
de proteco
Problemtico para
circuitos indutivos

A
I

soluo
soluo

IST-DEEC
2003

Prof Beatriz Vieira Borges

G
+
VGC

DISPOSITIVOS
ELECTRNICOS DE POTNCIA

ELECTRNICA DE POTNCIA

Transistor
de juno
bipolar

IC
IB3
IB2

TJB

IB1
VCEsat

baixos hFE 5 < hFE < 10


considervel tempo de atraso na passagem ao corte
dcimas s < tempos de comutao < alguns s
1400 V, centenas de A
coeficiente negativo de T (embalamento trmico)
IST-DEEC
2003

Prof Beatriz Vieira Borges

ELECTRNICA DE POTNCIA

DISPOSITIVOS
ELECTRNICOS DE POTNCIA

Solues para hFE maior


monolithic
Darlington

Darlington
triplo

E
E

desvantagens
IST-DEEC
2003

maior VCEsat
menos rpidos a comutar

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ELECTRNICA DE POTNCIA

Transistor de
efeito de campo de
potncia

DISPOSITIVOS
ELECTRNICOS DE POTNCIA

ID

VGS3
VGS2

MOSFET

VGS1
VDS

dissipaona
naconduo
conduodependente
dependentede
deRRON
dissipao
ON
competitivoscom
comTJB
TJBpara
para<<300/400V
300/400Vee>100kHz
>100kHz
competitivos
dezenasns
ns<<tempos
temposde
decomutao
comutao<<dcimas
dcimass
s
dezenas
1000V,
V,<<100
100AA
1000
controlomenos
menoscomplexo
complexo
controlo
coeficientepositivo
positivode
deTT(auto
(autoproteco)
proteco)
coeficiente
IST-DEEC
2003

Prof Beatriz Vieira Borges

ELECTRNICA DE POTNCIA

DISPOSITIVOS
ELECTRNICOS DE POTNCIA

limites de operao:
VDS VDG ID VGS PD -

Mxima tenso Dreno Fonte


Mxima tenso Dreno Gate
Mxima corrente de Dreno
Mxima tenso gateFonte
Potncia Mxima dissipada

Pcond=rDS(on)IDef2

rDS(on) - Resistncia em conduo (limita a escolha do FET)

Tempos de conduo da ordem dos 50 a 300ns


Circuitos de proteco:
Sendo os tempos de comutao muito baixos h necessidade de proteger o MOSFET contra
sobretenses na comutao. Durante a comutao o dispositivo requer correntes elevadas na gate
(carga descarga de capacidade)

VDS

sem proteco

ID

t
IST-DEEC
2003

Prof Beatriz Vieira Borges

ELECTRNICA DE POTNCIA

DISPOSITIVOS
ELECTRNICOS DE POTNCIA

proteco com snubber

proteco com zenner

VDS

VDS
ID

ID

t
diodo de substracto (diodo parasita) pode ser utilizado como diodo de roda livre (diodo lento)

circuitos de disparo:
Acopulador ptico
Alimentao
e Lgica

Transfomador de impulsos
G

G
S

V
V

Foto acopulador

IST-DEEC
2003

Prof Beatriz Vieira Borges

ELECTRNICA DE POTNCIA

Transistor de
gate isolada
IGBT

DISPOSITIVOS
ELECTRNICOS DE POTNCIA

IC

G
VGS2
VGS1
E

VCE

Insulated Gate Bipolar Transistor

gateisolada
isoladacomo
comono
noMOSFET
MOSFET
gate
baixosmesmo
mesmoem
emdispositivos
dispositivosde
deHV
HV(2-3V
(2-3VIGBT
IGBTde
de1000V)
1000V)
VVononbaixos
temposde
decomutao
comutao>>s
s
tempos
kV,1200
1200AA
33kV,
IST-DEEC
2003

Prof Beatriz Vieira Borges

ELECTRNICA DE POTNCIA
Comparao dos
Dispositivos
semicondutores

DISPOSITIVOS
ELECTRNICOS DE POTNCIA

(Mitsubishi)

semicondutor
TBJ / MD
MOSFET
GTO
IGBT
Tiristor

IST-DEEC
2003

Prof Beatriz Vieira Borges

Capacidade em
potncia
mdia
baixa
alta
mdia
alta

Velocidade
comutao
mdia
alta
baixa
mdia
baixa

ELECTRNICA DE POTNCIA

DISPOSITIVOS
ELECTRNICOS DE POTNCIA

Critrios de escolha de semicondutores de potncia


potnciado
dodispositivo
dispositivo(correntes
(correnteseetenses
tensesmximas
mximasno
nocircuito)
circuito)
potncia
frequnciade
decomutao
comutao(tempos
(temposde
decomutao)
comutao)
frequncia
perdasde
deconduo
conduo(tenses
(tensesde
deconduo
conduoou
ouresistncia
resistnciade
de
perdas
conduo)
conduo)
complexidadeeepotncia
potnciados
doscircuitos
circuitosde
dedrive
drive
complexidade
custodo
dosemicondutor
semicondutor
custo

IST-DEEC
2003

Prof Beatriz Vieira Borges

ELECTRNICA DE POTNCIA

DISPOSITIVOS
ELECTRNICOS DE POTNCIA

Semicondutores em comutao
IDEAL
Perdas nulas na conduo (v=0 quando fechado)
corrente nula ao corte (i=0 quando aberto)
tempos de comutao nulos (abertura e corte instantneos)
potncia de controlo nula

I0
+ vT ideal

iT

Vd

IST-DEEC
2003

Prof Beatriz Vieira Borges

REAL

ELECTRNICA DE POTNCIA

tc(on) = tri + tfv

Perdas na conduo

PPonon == V
Vonon II00 ttonon // TTCC

DISPOSITIVOS
ELECTRNICOS DE POTNCIA

tc(off) = trv + tfi

Perdas na comutao

PPcc ==
+ t c(off)))
V
Vdd II00 ffcc (t(tc(on)
c(on) + tc(off)

Perdas totais

PT = Pon + Pc
IST-DEEC
2003

Prof Beatriz Vieira Borges