Rivero, Jess. Muoz, Ricardo y Pardo, Josh.

{jrivero.jesus, riricardo96, joshpc}@hotmail.com, gmail.com, rocketmail.com

Universidad Autnoma de Occidente

Amplificador de pequea seal con transistor BJT polarizado por

divisor de tensin en emisor comn

Abstract
The development of this work had as object
apply the concepts learnt in class, by means of
creating the design, calculus, simulation and the
analysis of a small signal common emitter
amplifier. Also the concept of emitter feedback
was necessary for decreasing the distortion in
the output of the circuit.
Introduccin
En este laboratorio se realiz un montaje de un
amplificador de pequea seal con un transistor
[1] bipolar (BJT) polarizado por divisor de
tensin en emisor comn y con realimentacin
en emisor, con el fin de amplificar una seal de
entrada disminuyendo lo mejor posible la
distorsin, tambin se utilizaron resistencias,
condensadores y fuentes de voltaje alterno y
continuo.
En polarizacin por medio de divisor de tensin,
si se analiza de una forma exacta, la
sensibilidad a los cambios en beta es muy
pequea. Si los parmetros del circuito se
seleccionan apropiadamente, los niveles
resultantes de ICQ y VCEQ son casi totalmente
independientes de beta [2], proporcionando una
mayor estabilidad del punto Q, que es el punto
donde trabaja el transistor, ya que (en ingls) a
menudo se le llama quiescent point. (Quiescent
significa quieto, inmvil, en reposo.) [3],
gracias a esto, mientras el transistor este
trabajando los valores de VCEQ y de ICQ no
variaran demasiado, por ello es la opcin ms
usada a la hora de disear amplificadores.
En la configuracin de emisor comn, se llama
as porque el emisor es comn o sirve de

referencia para las terminales de entrada y salida

(en este caso es comn para las terminales base
y colector) [4], el transistor acta como un
amplificador de corriente y tensin. Tambin
invierte la seal de entrada, como se trabaj con
voltaje alterno, se desfasa la seal, es decir, si en
la base empezaba con un voltaje positivo, en el
colector pasara a ser negativo.
Se utiliz una resistencia de realimentacin en
emisor, que consiste en colocar una resistencia
en emisor, gracias a esto, cuando I c aumenta, VE
crece y lo hace tambin VB, lo que significa
mayor tensin a travs de RB, con lo que
disminuye IB, en contraposicin al aumento de
Ic.
Se llama realimentacin porque el cambio de
tensin de emisor alimenta hacia atrs el circuito
de base. Tambin se denomina negativa porque
se opone al cambio original de corriente de
colector [5]. No se estabiliza completamente,
pero la descompensacin es muy poca.
Clculos
Para la realizacin del este circuito se tenan
unas pautas sobre el punto de trabajo del
transistor, este deba de ser (6V, 1mA).
Igualmente se haba dado que la fuente de
colector deba de ser de 12V, el beta era igual a
125, que el voltaje en emisor tena que ser de
1.2V y que la resistencia de base deba 10 veces
ms grande que el valor del producto entre el
beta del transistor y la resistencia de emisor.
En la imagen 1 se puede ver el circuito inicial
para polarizar el transistor 2N3904 con un
divisor de tensin.

Imagen 1Circuito de polarizacin del transistor

Se inicia calculando las resistencias de colector
y emisor, primero se busca el alfa teniendo el
beta del transistor como se muestra en (1).

125
=
=0.992
+1 125+1

Imagen 2 Malla de entrada

(1)

V R 2=V +V BE =1.2V +0.7 V =1.9 V

Con esto se halla entonces la corriente de emisor

como se muestra en (2).

I
1 mA
I E= c =
=1.008 mA
0.992

(2)

Se procede a calcular las resistencias, (3)

muestra el procedimiento para la resistencia de
colector, y (4) el proceso para la resistencia de
emisor.

(6)
Para determinar los valores de las resistencias R 1
y R2 se formula la expresin del voltaje en R 2
mediante un divisor de tensin usando (7).

V R 2=V CC

R2
R2
=12 V
=1.9 V
R 2+ R 1
R2 + R1
(7)

Con lo que se tiene una expresin de la forma

V Rc V CCV CE V E 12V 6 V 1.2 V 4.8
V
=
=
= (8). =4.8 k
IC
IC
1 mA
1mA
R2
1.9 V
=
=0.158
(3)
(8)
R 2+ R 1 12 V
V V E
1.2 V
R E=
= =
=1.19 k
Teniendo las expresiones (5) y (8) despejando y
I E I E 1.008 mA

RC =

(4)

reemplazando en cada ecuacin se obtienen los

valores de R1=17.7k y R2=94k.

Con el requerimiento conocido de la resistencia

de base, se halla su valor con (5).

RB =R1 R2=0.1 RE =( 0.1 ) ( 125 )( 1.19 k )=14875

(5)
Se puede hallar el valor del voltaje en R2 con la
ley de voltajes de Kirchhoff para la malla de la
base y emisor del transistor (ver imagen 2)
usando (6).

Imagen 3 Circuito amplificador de pequea

seal
Ahora segn las indicaciones de la gua haba
que utilizar el circuito como un amplificador de

pequea seal (ver imagen 3). Para lo cual como

medida de correccin se puso realimentacin de
emisor para disminuir en lo posible la distorsin,
entonces la resistencia de emisor se desacopl
parcialmente, as en DC en emisor hay la misma
resistencia y en AC Re desaparece. Para calcular
re se saba que dentro de lo posible se espera que
esta resistencia sea diez veces mayor que r e (9)
as que se calcul primero esta resistencia para
luego hallar re (10).

r 'e=

Se hall entonces el voltaje en corte del

transistor que sera si la corriente fuera muy
cercana a cero, result ser 12V, y despus se
calcul la corriente de saturacin que se da
cuando entre el colector y el emisor no hay cada
de tensin y se trata como un cortocircuito, este
valor es de 2mA. En la figura 4 se muestra la
recta de carga en corriente directa.

25 mV
25 mV
=
=24.8
IE
1.008 mA
(9)

r e =10 r ' e =( 10 ) ( 24.8 )=248

(10)
Luego de esto se calcularon la impedancia de
entrada (Zin) y la impedancia de salida (Zout) para
lo cual se usaron (11) y (12) respectivamente.

Imagen 4 Recta de carga del transistor, en DC

Para calcular MP (mximo pico) se realiza el

producto ICQrc porque es en la salida donde se
'
este valor
|| 94 k hallar
Z = ( r e +r e )||R 1||R 2=125 ( 24.8 +248 )||17.7 kquiere
=10366.9
(14).

4.8 k|1.2 k )=0.96V =960 mV

M p=I CQ r c =I CQ ( RC R L )=(1 mA)

(11)

Z out =RC =4.8 k

(12)

Tambin se determin el valor de Re y la

ganancia mediante (13) y (14) respectivamente.

Re =R Er e =1.19 k248 =942

(13)

R R L
960
A v= C
=
=3.52
r ' e +r e
248+24.8

Un problema que se quera evitar era la

distorsin de la seal a la salida de la
amplificacin, para lo cual como ya se ha
mencionado antes se deja sin desacoplar parte de
la resistencia de emisor. Para hallar la mxima
excursin de salida o el mximo pico para que
no hubiera distorsin, se parti del punto de
trabajo y recta de carga en corriente directa para
hallar la curva de carga en corriente alterna.

(14)
Partiendo de punto Q en corriente directa se
encontr el voltaje de corte en corriente alterna,
que sera como lo muestra (15).

V CE(corte)=V CQ + M p=6 V + 0.96V =6.96 V

(15)
Tambin se pudo saber la pendiente (17) de la
recta de carga pues en las grficas de corriente
versus voltaje, esta es de la forma (16). Se sabe
que esta pendiente es negativa por la naturaleza
de la recta de carga en corriente directa.

m=

1
R

mac =

(16)

1
1
=
=1.04 x 103
RC R L 4.8 k1.2 k
(17)

De esta forma se hall la corriente de saturacin

en corriente alterna usando (18) y (19).

C2 =

1
1
1
1
=
=
=
2 f X C 2 f (0.1 Z C 2) 2 f (0.1 ZC 2 ) 2 (100)(0.1

3
y y 0 =m ac ( xx 0 ) y=m ac ( xx 0 ) + y 0=(1.04 x 103 ) x +7.24
(20) x 10

1
1
1
1
=
=
=
2 f X C 3
2 f (0.1 Z C 3) 2 f ( 0.1 Z C3 ) 2 (100)(0.1
3
3
3
I C (sat)=( 1.04 x 10 ) x+7.24 x 10 =(1.04 x 10 ) ( 0 V ) +7.24 x 10 =7.24 mA
(18)

C3 =

(21)

Con todos estos datos se pudo realizar la recta

de carga en corriente alterna, y se muestra en la
imagen 5.

Finalmente se calcul el voltaje de entrada

conociendo el MP y la ganancia mediante (22).

V (mx) =

V out (mx)
Av

96 mV
=273 mV
3.52

(22)
Y para calcular cunto sera el valor mximo de
la fuente se utiliz un divisor de tensin para
encontrar una expresin que permitiera hallarlo
como muestra (23).
Imagen 5 Recta de carga del transistor, en AC

Se calcul el valor mnimo de capacitancia de

los condensadores de acople y el de desacople,
para efectos prcticos. Usando entonces la
relacin de que la reactancia debe ser diez
veces mayor que la resistencia. Se realiz ese
procedimiento con el valor inferior de la
frecuencia, puesto que es donde menor dara la
capacitancia y conforme aumenta la frecuencia,
la capacitancia necesaria disminuye, entonces
se tiene cubierto el rango. Los clculos se
muestran en (19), (20) y (21) para los
condensadores numerados uno, dos y tres en la
imagen #. Cabe destacar que primero se hall
mediante el teorema de Thvenin la impedancia
en cada condensador, pero por efectos de
espacio no se colocan los clculos en este
informe.

C1 =

V g (mx) =V (mx)

R g + Z
50+ 10366.9
=273 mV
=274.3 m
Z
10366.9

El valor de la fuente en voltaje efectivo sera

entonces de 193.95mV.
El circuito final con todos los valores se muestra
en la imagen 6.

1
1
1
1
=
=
=
=1.52 F
2 f X C 2 f (0.1 Z C 1) 2 f (0.1 ZC 1 ) 2 (100)(0.1)(10411.3 )
(19)

Simulacin.
Para la simulacin se us el software NI
Multisim en su versin 14. Con el osciloscopio
virtual del software se pudieron visualizar las
seales en distintos puntos del circuito, la
imagen 7 muestra la forma de la seal de la
fuente, la forma del voltaje de entrada y el
voltaje o seal en la carga, de colores azul, verde
y rojo respectivamente.

Imagen 6 Circuito de amplificacin de pequea

seal, transistor polarizado con divisor de
tensin y emisor comn
Diagrama de bloques

Imagen 7 Formas de la seal

puntos del circuito

Inicialmente tenemos una entrada de Voltaje

AC producido por una fuente, que pasara
por un condensador de acople, debido a que
hay otra fuente de voltaje DC, este
condensador evitara que la seal DC pase y
dae la fuente AC, luego la seal entra al
transistor donde ser amplificada, pero
tambin ser desfasada 180, de aqu pasa a
una resistencia en el emisor para reducir la
distorsin producida por los diodos del
transistor y procede a la realimentacin, por
otra parte la seal ya amplificada y sin ruido
entrara a otro condensador de acople
permitiendo solo el paso de la seal AC, la
cual producir un voltaje en RL.

en distintos

Se puede notar que el voltaje de entrada est

desplazada hacia arriba y esto es porque se
suman la seal en voltaje en alterna y el voltaje
en directa. En la salida la seal est centrada en
el cero, lo que significa que el Realimentaci
condensador hizo
su trabajo y no dej pasar el voltaje en directa.

Tambin se puede notar en la grfica que, pese a

la configuracin elegida para amplificar la seal,
hay cierta diferencia entre el voltaje que alcanza
la seal por encima de cero, y el pico por debajo
de cero.
Ahora en la tabla 1 se listan los resultados en
cada nodo mostrado en la imagen #, los valores
son voltaje y corriente en alterna.
Nodo
1
2
3
4

Vrms
193.95mV
166.21mV
192.01mV
705.77mV

5
632.88mV
Tabla 1 Voltajes y corrientes en diferentes partes
del circuito.

En la tabla 2 se encuentra los valores tericos,

de la simulacin y los medidos al realizar el
montaje.
Valores
calculad
os

Valores
simulados

Valores
medidos

10
0
Hz

20
K
Hz

100
Hz

20K
Hz

100
Hz

20K
Hz

V
C
E

6
V

6
V

6.2
6V

6.2
6V

7.0
4V

7.0
4V

IC

1
m
A

1
m
A

0.9
5m
A

0.9
5m
A

0.9
4m
A

0.9
4m
A

27
3
m
V

27
3
m
V

271
.25
mV

272
.77
mV

274
.2
mV

274
.2m
V

V
in

p
k

Las diferencias se deben en principal medida a

que, aunque se quiera que el punto de trabajo del
transistor est en un lugar especfico, la
naturaleza oscilante de la seal de entrada
desestabiliza ese punto incluso con las medidas
que se tomaron, como dejar sin desacoplar una
parte de la resistencia en emisor y utilizar una
configuracin de polarizacin por divisor de
tensin y emisor comn.
Tambin se debe a que en la prctica los valores
comerciales de componentes a veces se alejan de
los valores de la teora y, por lo tanto, a la hora
de montar los componentes pueden darse
diferencias que afectan el funcionamiento del
circuito. Y, por ltimo, los transistores no tienen
un beta fijo, sino un rango de estos valores, por
lo cual, aunque tomado el valor de 125 para el
caso terico, no se puede estar seguro de que un
transistor adquirido en un local o tienda tenga
ese valor de beta.

Referencias.

[1]

Semiconductor provisto de tres o ms

electrodos que sirve para rectificar y amplificar
los impulsos elctricos. Disponible en:
http://lema.rae.es/drae/?val=transistor
[2]

Electrnica: teora de circuitos y dispositivos

electrnicos, dcima edicin, ROBERT L.
BOYLESTAD LOUIS NASHELSKY, pg. 176.
[3]

V
out

p
k

96
0
m
V

96
0
m
V

893
.5m
V

905
.59
mV

834
.4
mV

856
.44
mV

Principios de electrnica, sexta edicin, Albert

Paul Malvino, pg. 246
[4]

Electrnica: teora de circuitos y dispositivos

electrnicos, dcima edicin, ROBERT L.
BOYLESTAD LOUIS NASHELSKY, pg. 139.
[5]

Ic
p
k

1
m
A

1
m
A

0.6
6m
A

0.9
4m
A

0.9
2m
A

0.9
3m
A

Tabla 2 Valores comparativos de corriente y

voltaje, calculados, simulados y medidos.

Principios de electrnica, sexta edicin, Albert

Paul Malvino, pg. 289

Conclusiones

La polarizacin por medio de divisor de

tensin es muy buena idea a la hora de

trabajar con amplificadores, ya que nos

ayuda a mantener el punto Q estable

La diferencia entre los datos de la

simulacin y el montaje pueden ser
debido a que no se consiguieron los
componentes que se calcularon, y esto
llevo a hacer aproximaciones por medio
de conexiones en serie y en paralelo

Para amplificar una pequea seal se

puede usar configuracin de emisor
comn, pero tambin hay que utilizar
una resistencia de realimentacin para
evitar la distorsin de la seal

La imposibilidad de hacer que el beta de

un transistor comercial sea el mismo que
en los clculos, puede llegar a causar
problemas en el funcionamiento del
circuito.