Estructura atmica

Partculas subatmicas
A pesar de que tomo significa indivisible, en realidad est formado por varias partculas
subatmicas. El tomo contiene protones, neutrones y electrones, con la excepcin
delhidrgeno-1, que no contiene neutrones, y del catin hidrgeno o hidrn, que no contiene
electrones. Los protones y neutrones del tomo se denominan nucleones, por formar parte del
ncleo atmico.
El electrn es la partcula ms ligera de cuantas componen el tomo, con una masa de 9,11
1031 kg. Tiene una carga elctrica negativa, cuya magnitud se define como lacarga elctrica
elemental, y se ignora si posee subestructura, por lo que se lo considera una partcula
elemental. Los protones tienen una masa de 1,67 1027 kg, 1836 veces la del electrn, y una
carga positiva opuesta a la de este. Los neutrones tienen un masa de 1,69 10 27 kg, 1839
veces la del electrn, y no poseen carga elctrica. Las masas de ambos nucleones son
ligeramente inferiores dentro del ncleo, debido a la energa potencial del mismo; y sus
tamaos son similares, con un radio del orden de 8 1016 m o 0,8 femtmetros (fm).
El protn y el neutrn no son partculas elementales, sino que constituyen un estado
ligado de quarks u y d, partculas fundamentales recogidas en el modelo estndar de la fsica
de partculas, con cargas elctricas iguales a +2/3 y 1/3 respectivamente, respecto de la
carga elemental. Un protn contiene dos quarks u y un quark d, mientras que el neutrn
contiene dos d y un u, en consonancia con la carga de ambos. Los quarks se mantienen
unidos mediante la fuerza nuclear fuerte, mediada por gluones del mismo modo que la
fuerza electromagntica est mediada por fotones. Adems de estas, existen otras
partculas subatmicas en el modelo estndar: ms tipos de quarks, leptones cargados
(similares al electrn), etc.

El ncleo atmico
Los protones y neutrones de un tomo se encuentran ligados en el ncleo atmico, la parte
central del mismo. El volumen del ncleo es aproximadamente proporcional al nmero total de
nucleones, el nmero msico A,8 lo cual es mucho menor que el tamao del tomo,
cuyo radio es del orden de 105 fm o 1 ngstrm (). Los nucleones se mantienen unidos
mediante la fuerza nuclear, que es mucho ms intensa que la fuerza electromagntica a
distancias cortas, lo cual permite vencer la repulsin elctrica entre los protones.
Los tomos de un mismo elemento tienen el mismo nmero de protones, que se
denomina nmero atmico y se representa por Z. Los tomos de un elemento dado pueden

tener distinto nmero de neutrones: se dice entonces que son istopos. Ambos nmeros
conjuntamente determinan el nclido.
El ncleo atmico puede verse alterado por procesos muy energticos en comparacin con
las reacciones qumicas. Los ncleos inestables sufren desintegraciones que pueden cambiar
su nmero de protones y neutrones emitiendo radiacin. Un ncleo pesado
puede fisionarse en otros ms ligeros en una reaccin nuclear o espontneamente. Mediante
una cantidad suficiente de energa, dos o ms ncleos pueden fusionarse en otro ms
pesado.
En tomos con nmero atmico bajo, los ncleos con una cantidad distinta de protones y
neutrones tienden a desintegrarse en ncleos con proporciones ms parejas, ms estables.
Sin embargo, para valores mayores del nmero atmico, la repulsin mutua de los protones
requiere una proporcin mayor de neutrones para estabilizar el ncleo.

Nube de electrones
Los electrones en el tomo son atrados por los protones a travs de la fuerza
electromagntica. Esta fuerza los atrapa en unpozo de potencial electrosttico alrededor del
ncleo, lo que hace necesaria una fuente de energa externa para liberarlos. Cuanto ms
cerca est un electrn del ncleo, mayor es la fuerza atractiva, y mayor por tanto la energa
necesaria para que escape.
Los electrones, como otras partculas, presentan simultneamente propiedades de partcula
puntual y de onda, y tienden a formar un cierto tipo de onda estacionaria alrededor del ncleo,
en reposo respecto de este. Cada una de estas ondas est caracterizada por un orbital
atmico, una funcin matemtica que describe la probabilidad de encontrar al electrn en
cada punto del espacio. El conjunto de estos orbitales es discreto, es decir, puede
enumerarse, como es propio en todo sistema cuntico. La nube de electrones es la regin
ocupada por estas ondas, visualizada como una densidad de carga negativa alrededor del
ncleo.
Cada orbital corresponde a un posible valor de energa para los electrones, que se reparten
entre ellos. El principio de exclusin de Pauli prohbe que ms de dos electrones se
encuentren en el mismo orbital. Pueden ocurrir transiciones entre los distintos niveles de
energa: si un electrn absorbe un fotn con energa suficiente, puede saltar a un nivel
superior; tambin desde un nivel ms alto puede acabar en un nivel inferior, radiando el resto
de la energa en un fotn. Las energas dadas por las diferencias entre los valores de estos
niveles son las que se observan en las lneas espectrales del tomo.

Principio de exclusin de Pauli

26 de septiembre de 2013 Publicado por ngeles Mndez
El principio de exclusin de Pauli, fue desarrollado por el fsico austriaco Ernst Pauli en el
ao 1925. Este principio de la cuntica dice que dos partculas ( concretamente fermiones)
que tiene los nmeros cunticos con los que constan idnticos, no pueden existir.

Esto significa que dos electrones ( fermiones) que se encuentren en un tomo no podrn
poseer a la vez iguales nmeros cunticos. Este hecho explicara que los electrones se
dispersen en capas o niveles en torno al ncleo del tomo y por lo cual, los tomos que
posean mayor nmero de electrones ocupen mayor espacio, debido a que aumenta el nmero
de capas de las que consta el tomo. El nmero mximo de electrones que puede tener una
capa o nivel es de 2n^2.
Para poder describir de forma completa al electrn dentro del tomo de hidrgeno,
necesitamos introducir obligatoriamente un cuarto nmero cuntico a los ya conocidos. Dicho
cuarto nmero cuntico se representa por las letras ms, y es conocido como el nmero
cuntico de spin, el cual se encuentra relacionado estrechamente con las propiedades
magnticas que presentan los electrones. El nmero cuntico ms, tan slo puede tener dos
valores diferentes, +1/2 o -1/2. A los electrones cuyos valores de ms son iguales, se dice que
cuentan con lo que se conoce como spines paralelos, sin embargo, si los valores que presenta
ms son distintos se dice que poseen spines opuestos o tambin llamados antiparalelos.
Para poder describir a un orbital, se necesitan tres nmeros cunticos ( los nmeros n, l y ml),
a la vez que un electrn que se encuentra en un tomo viene dado por una combinacin de
cuatro nmeros cunticos, los tres principales ms el nmero ms. El principio de exclusin
de Pauli nos dice que en un tomo es imposible que coexistan dos electrones con los cuatro
nmeros cunticos idnticos. Segn establece este principio, en un orbital de tipo atmico,
que se encuentra determinado por los nmeros cunticos n, l, y ml, solamente pueden haber
dos electrones: uno de ellos con un spin positivo +1/2 y otro con su contrario spin negativo
-1/2.
Entonces decimos que cada uno de los tipos de orbitales solamente puede contener 2
electrones como mximos, los cuales debern obligatoriamente tener spines contrarios. Estos
electrones tendrn todos sus nmeros cunticos iguales , y tan slo se diferenciarn en el
nmero cuntico ms ( spin).
Para entenderlo mejor, cuando distribuimos los electrones por capas, representamos un orbital
con una flecha hacia arriba y otra hacia abajo, lo cual nos indicar que hay dos electrones en
dicho orbital, pero que poseen spines diferentes. Este tipo de representacin se conoce
como configuracin electrnica. Para realizar dicha representacin de llenado de orbitales
electrnicos, se comienza llenado el orbital S,, para seguidamente continuar con el siguiente
orbital. Vamos insiriendo los electrones de uno en uno hasta completar enteramente el
espacio del que cuenta el orbital
El principio de exclusin de Pauli tambin explica la estabilidad de la que constan los orbitales
atmicos, as como la presin que realiza la materia degenerada.

Conductores
Los elementos conductores tienen facilidad para permitir el movimiento de cargas y sus
tomos se caracterizan por tener muchos electrones libres y aceptarlos o cederlos con

facilidad, por lo tanto son materiales que conducen la electricidad.

Aisladores
Los aisladores son materiales que presentan cierta dificultad al paso de la electricidad y al
movimiento de cargas. Tienen mayor dificultad para ceder o aceptar electrones. En una u otra
medida todo material conduce la electricidad, pero los aisladores lo hacen con mucha mayor
dificultad que los elementos conductores.
SEMICONDUCTOR
Un semiconductor es un material aislante que, cuando se le aaden ciertas sustancias o en un
determinado contexto, se vuelve conductor. Esto quiere decir que, de acuerdo a determinados
factores, el semiconductor acta a modo de aislante o como conductor.
Los semiconductores pueden ser intrnsecos o extrnsecos. Los semiconductores
intrnsecos (que tambin se conocen como semiconductores extremadamente puros) son
cristales que, a travs de enlaces covalentes entre los tomos, desarrollan una estructura de
tipo tetradrico A temperatura de ambiente, estos cristales tienen electrones que absorben
la energa que necesitan para pasar a la banda de conduccin, quedando un hueco de
electrn en la banda de valencia.
Los semiconductores extrnsecos, por su parte, son semiconductores intrnsecos a los que les
agregan impurezas para lograr su dopaje (as se conoce el resultado del proceso que se lleva
a cabo para modificar las propiedades elctricas de un semiconductor).
Todos los elementos qumicos se califican como conductores, aislantes o semiconductores.
Mientras que las conductores tienen baja resistencia a la circulacin de la corriente elctrica y
los aislantes, alta, los semiconductores se ubican entre ambos ya que permiten el paso de la
corriente slo en ciertos casos. La temperatura, la presin, la radiacin y los campos
magnticos pueden hacer que un semiconductor acte como conductor o como aislante segn
el contexto.
Entre los semiconductores ms empleados en el mbito de la industria, se encuentran
el silicio, el azufre y el germanio. Estos elementos se utilizan para la produccin de chips y
transistores, entre otros productos.

Lee todo en: Definicin de semiconductor - Qu es, Significado y

Concepto http://definicion.de/semiconductor/#ixzz3mFO1E2AJ

Portador de carga
denota en fsica una partcula libre (mvil y no enlazada) portadora de una carga elctrica.
Como ejemplo los electrones y los iones. En la fsica desemiconductores,
los huecos producidos por falta de electrones son tratados como portadores de carga.

En soluciones inicas, los portadores de carga son los cationes y aniones disueltos.
Similarmente, los cationes y aniones de los lquidos disociados sirven como portadores de
carga en lquidos y en slidos inicos derretidos.
En el plasma, as como en el arco elctrico, los electrones y cationes del gas ionizado y del
material vaporitado de los electrodos actan como portadores de carga.
En vaco, en un arco elctrico o en un tubo de vaco, los electrones libres actan como
portadores de carga.

Semiconductores intrnsecos[editar]
Es un cristal de silicio o germanio que forma una estructura tetradrica similar a la
del carbono mediante enlaces covalentes entre sus tomos, en la figura representados en el
plano por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente algunos
electrones pueden absorber la energa necesaria para saltar a la banda de
conduccin dejando el correspondiente hueco en la banda de valencia (1). Las energas
requeridas, a temperatura ambiente, son de 1,12 eV y 0,67 eV para el silicio y el germanio
respectivamente.
Obviamente el proceso inverso tambin se produce, de modo que los electrones pueden caer,
desde el estado energtico correspondiente a la banda de conduccin, a un hueco en la
banda de valencia liberando energa. A este fenmeno se le denomina recombinacin. Sucede
que, a una determinada temperatura, las velocidades de creacin de pares e-h, y de
recombinacin se igualan, de modo que la concentracin global de electrones y huecos
permanece constante. Siendo "n" la concentracin de electrones (cargas negativas) y "p" la
concentracin de huecos (cargas positivas), se cumple que:
ni = n = p
siendo ni la concentracin intrnseca del semiconductor, funcin exclusiva de la
temperatura y del tipo de elemento.
Ejemplos de valores de ni a temperatura ambiente (27 C):
ni(Si) = 1.5 1010cm-3
ni(Ge) = 2.4 1013cm-3

Los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. En los

semiconductores, ambos tipos de portadores contribuyen al paso de la corriente
elctrica. Si se somete el cristal a una diferencia de potencial se producen dos
corrientes elctricas. Por un lado la debida al movimiento de los electrones libres
de la banda de conduccin, y por otro, la debida al desplazamiento de los
electrones en la banda de valencia, que tendern a saltar a los huecos prximos
(2), originando una corriente de huecos con 4 capas ideales y en la direccin
contraria al campo elctrico cuya velocidad y magnitud es muy inferior a la de la
banda de conduccin.

Semiconductores extrnsecos[editar]
Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se le aade un pequeo
porcentaje de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el
semiconductor se denomina extrnseco, y se dice que est dopado.
Evidentemente, las impurezas debern formar parte de la estructura cristalina
sustituyendo al correspondiente tomo de silicio. Hoy en da se han logrado
aadir impurezas de una parte por cada 10 millones, logrando con ello una
modificacin del material.
Semiconductor tipo N[editar]
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso
de dopado aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder
aumentar el nmero deportadores de carga libres (en este caso negativos
o electrones).
Cuando se aade el material dopante, aporta sus electrones ms dbilmente
vinculados a los tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es
tambin conocido como material donante, ya que da algunos de sus electrones.
El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones
portadores en el material. Para ayudar a entender cmo se produce el dopaje tipo
n considrese el caso del silicio (Si). Los tomos del silicio tienen una valencia
atmica de cuatro, por lo que se forma un enlace covalente con cada uno de los
tomos de silicio adyacentes. Si un tomo con cinco electrones de valencia, tales
como los del grupo 15 de la tabla peridica (ej. fsforo (P), arsnico (As)
o antimonio (Sb)), se incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de
silicio, entonces ese tomo tendr cuatro enlaces covalentes y un electrn no

enlazado. Este electrn extra da como resultado la formacin de "electrones

libres", el nmero de electrones en el material supera ampliamente el nmero de
huecos, en ese caso los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos
son losportadores minoritarios. A causa de que los tomos con cinco electrones
de valencia tienen un electrn extra que "dar", son llamados tomos donadores.
Ntese que cada electrn libre en el semiconductor nunca est lejos de un ion
dopante positivo inmvil, y el material dopado tipo N generalmente tiene
una carga elctrica neta final de cero.
Semiconductor tipo P[editar]
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado,
aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el
nmero de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos).
Cuando se aade el material dopante libera los electrones ms dbilmente
vinculados de los tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin
conocido comomaterial aceptor y los tomos del semiconductor que han perdido
un electrn son conocidos como huecos.
El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del
silicio, un tomo tetravalente (tpicamente del grupo 14 de la tabla peridica) se le
une un tomo con tres electrones de valencia, tales como los del grupo 13 de la
tabla peridica (ej. Al, Ga, B, In), y se incorpora a la red cristalina en el lugar de un
tomo de silicio, entonces ese tomo tendr tres enlaces covalentes y un hueco
producido que se encontrar en condicin de aceptar un electrn libre.
As los dopantes crean los "huecos". No obstante, cuando cada hueco se ha
desplazado por la red, un protn del tomo situado en la posicin del hueco se ve
"expuesto" y en breve se ve equilibrado como una cierta carga positiva. Cuando
un nmero suficiente de aceptores son aadidos, los huecos superan
ampliamente la excitacin trmica de los electrones. As, los huecos son
los portadores mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores
minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb), que
contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que
se produce de manera natural.

Banda de valencia
En la teora de slidos, se denomina banda de valencia al ms alto de los intervalos
de energas electrnicas (o bandas) que se encuentra ocupado por electrones en el cero
absoluto. En semiconductores y aislantes aparece una banda prohibida o gap por encima de
la banda de valencia, seguida de una banda de conduccin a energas an mayores. En
los metales, por el contrario, no hay ningn intervalo de energas prohibidas entre las bandas
de valencia y de conduccin.

Estructura de bandas en un semiconductor

Vase conduccin elctrica y semiconductor para una descripcin ms detallada de la estructura de bandas.

La baja conductividad elctrica de semiconductores y aislantes se debe a las propiedades de

la banda de valencia. Se da la circunstancia de que el nmero de electrones es exactamente
el mismo que el nmero de estados disponibles en la banda de valencia. En la banda
prohibida, evidentemente, no hay estados electrnicos disponibles. Esto significa que cuando
se aplica un campo elctrico los electrones no pueden incrementar su energa (es decir, no
pueden ser acelerados) al no haber estados disponibles donde puedan moverse ms
rpidamente de lo que ya lo hacen.
Pese a esto, los aislantes presentan cierta conductividad. Esto se debe a la excitacin trmica,
que provoca que algunos electrones adquieran suficiente energa como para saltar la banda
prohibida y acceder a un estado de la banda de conduccin. Una vez que se encuentran en la
banda de conduccin pueden conducir la electricidad. Adems, los estados disponibles
o huecos que dejan los electrones en la banda de valencia contribuyen tambin a la
conductividad del material, al permitir cierta movilidad al resto de electrones de la banda de
valencia.

Un error "frecuente" consiste en decir que los electrones de los aislantes se encuentran
"ligados" a los ncleos atmicos, dando a entender que no pueden moverse. De hecho, estos
electrones s pueden moverse libremente por el aislante, alcanzando velocidades del orden de
100 km por segundo. Tanto en metales como en aislantes, los electrones se encuentran
"deslocalizados", sin que sea posible asignarles una posicin definida dentro del material.

Banda de conduccin
En semiconductores y aislantes, la banda de conduccin es el intervalo
de energas electrnicas que, estando por encima de la banda de valencia, permite a los
electrones sufrir aceleraciones por la presencia de un campo elctrico externo y, por tanto,
permite la presencia de corrientes elctricas. Los electrones de un semiconductor pueden
alcanzar esta banda cuando reciben suficiente energa, generalmente debido a la excitacin
trmica.

Estructura de bandas en un semiconductor

Banda prohibida

Estructura de banda semiconductora.

Estructura de bandas en un semiconductor.

Vase conduccin elctrica y semiconductorpara una descripcin ms detallada de la estructura de
bandas.

La banda prohibida, brecha de bandas1 2 o brecha energtica (en ingls bandgap), en

la fsica del estado slido y otros campos relacionados, es la diferencia de energa entre la
parte superior de la banda de valencia y la parte inferior de la banda de conduccin. Est
presente en aislantes y semiconductores.
La conductividad elctrica de un semiconductor intrnseco (puro) depende en gran medida de
la anchura del gap. Los nicos portadores tiles para conducir son los electrones que tienen
suficiente energa trmica para poder saltar la banda prohibida, la cual se define como la
diferencia de energa entre la banda de conduccin y la banda de valencia. La probabilidad de
que un estado de energa
est ocupado por un electrn se calcula mediante las
estadsticas de Fermi-Dirac. Una aproximacin, la de Maxwell-Boltzmann, es vlida tambin si
se cumple
, donde
Boltzmann viene dada por:

es el nivel de Fermi. La aproximacin de Maxwell-

donde:
e es la funcin exponencial
Eg es la energa de banda prohibida
k es la constante de Boltzmann
T es la temperatura
La conductividad es un efecto no deseado, y los materiales con un ancho
de banda prohibida mayor ofrecen un mejor comportamiento. En
los fotodiodos de infrarrojos se usa un gap pequeo para permitir la
deteccin de fotones de baja energa.