RESUMEN PERSONAL DEL CAPITULO 7:

MODELADO DEL TRANSISTOR BJT DEL

LIBRO: ELECTRONICA TEORIA DE CIRCUITOS,

DE ROBERT BOYLESTAD Y LOUIS NASHELSKY

1.1

INTRODUCCION

En este captulo se analizar y estudiar la respuesta CA a pequea seal del

amplificador BJT viendo que modelos se utilizan con mayor frecuencia para as
representar el transistor en el dominio de CA senoidal.
Hay dos modelos que se utilizan por lo comn en el anlisis de CA de pequea seal de
redes de transistor: el modelo equivalente hbrido y el modelo

re

, de ambos en este

captulo se les estudiara la funcin que cumplen y su relacin entre ellos.

1.2

AMPLIFICACION EN EL DOMINIO DE CA

Como ya aprendimos en el captulo 3 el transistor BJT funciona como amplificador, y

en el caso de actuar con CA de pequeas seales no es la excepcin ya que la seal de
salida es mayor que la seal de entrada a travs de un BJT, es decir la potencia de
salida de CA es mayor que la de entrada.
La conservacin de energa dicta que la potencia de entrada no puede ser mayor que la
potencia de salida y verdicamente esto es verdad, pero hay un aspecto que la
conservacin de energa no toma en cuenta, la potencia aplicada de CD ya que
representa una contribucin a la potencia de salida total aun cuando parte de ella se
disipa a travs del dispositivo y los elementos resistivos.
En resumen se puede decir que existe un "intercambio" de potencia de cd al dominio
de CA, el cual permite establecer una muy alta potencia de salida de CA.
En conclusin se puede llegar a decir que los amplificadores de pequea seal de
transistor puedan considerarse lineales para la mayora de las aplicaciones,

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permitiendo usarse el teorema de superposicin para separar el anlisis de CD del

anlisis de CA.

1.3

MODELADO DEL TRANSISTOR BJT

La parte ms importante del anlisis de pequea seal de transistor es el empleo de

los circuitos equivalentes (modelos) que nos servirn para predecir el real
comportamiento de un dispositivo semiconductor en situaciones reales de
funcionalidad.
Hay dos teoras actuales acerca de cul ser el circuito equivalente que ha de
sustituir al transistor. El primer circuito es el que al modelo del transistor

re

, y el

segundo a los parmetros hbridos.

El equivalente de CA para una red se obtiene por medio de:
El establecimiento de todas las fuentes de cd a cero y su reemplazo por un

corto circuito equivalente.

El reemplazo de todos los capacitores por un corto circuito equivalente.
La eliminacin de todos los elementos sustituidos por los cortos circuitos

equivalentes introducidos en los anteriores dos pasos.

Dibujar de nuevo la red de una manera ms lgica y conveniente.

1.4

PARAMETROS IMPORTANTES
Impedancia de entrada

Zi

Zi

Z0

AV

Ai

Para el extremo de entrada la impedancia se la calcula a travs de la ley de Ohm,

voltaje divido corriente, y una vez conociendo esta impedancia de entrada, este valor
numrico puede utilizarse para modificar los niveles de seal aplicada.
La impedancia de entrada de un amplificador de transistor BJT es de naturaleza
puramente resistiva y, dependiendo de la manera en que se emplee el transistor, puede
variar de unos cuantos ohms hasta los megaohms.

Impedancia de salida

Z0

La impedancia de salida se determina en las terminales de salida viendo hacia atrs

dentro del sistema con la seal aplicada fijada en cero.

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Para las frecuencias de rango bajo, menor a 100Hz, la impedancia de salida del

transistor amplificador BJT es puramente resistiva y depende de las configuraciones

de impedancia de entrada, no es posible medir la impedancia con un hmetro ya que
este instrumento funciona para CD y lo que quisiramos medir se encuentra en CA.
Si se quiere tener una ganancia significativa de corriente a la salida de este
amplificador, el nivel de impedancia de entrada debera ser lo ms grande posible.

Ganancia de voltaje

AV

Una de las caractersticas que ms nos importan es la ganancia de voltaje de pequea

seal de CA del amplificador.
Dependiendo de la configuracin, la magnitud de la ganancia de voltaje para un
amplificador de transistor de una etapa con carga normalmente se sita en el intervalo
entre los valores menores que 1 y unos cuantos cientos. Sin embargo un sistema
multietapas puede tener una ganancia de voltaje del orden de los millares .

Ganancia de corriente

Ai

Para amplificadores BJT, la ganancia de corriente oscila entre los valores apenas
menores que 1 y un nivel que puede exceder los IOO.
Nos dice tambin que para el amplificador de transistor tpico, a frecuencias que
permiten ignorar el efecto de elementos reactivos, las seales de entrada y salida
estn ya sea en fase o desfasadas por 180.

1.5

EL MODELO DEL TRANSISTOR

El modelo

re

re

emplea un diodo y una fuente controlada de corriente para duplicar el

comportamiento de un transistor en la regin de inters .

Los amplificadores de transistor BJT se conocen como dispositivos controlados por
corriente.

Configuracin de base comn:

Zi

Para la configuracin de base comn, los valores tpicos de

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varan entre unos

cuantos ohms y un valor hasta de alrededor de 50 ohmios

Menciona que para la configuracin de base comn, los valores tpicos de

Z0

se

hallan en el orden de los megaohms.

Mientras que la resistencia de salida de la configuracin de base comn se determina
por medio de la pendiente de las lneas caractersticas de las caractersticas de
salida.

Configuracin de emisor comn:

Dentro de este tipo de configuracin, las terminales de entrada son las terminales de
base y emisor, pero el conjunto de salida lo componen las terminales de colector y
emisor.
Para la configuracin de emisor comn, los valores tpicos de
mediante

r e , que

Zi

que se definen

oscilan desde unos cuantos cientos de ohms hasta el orden los

kilohms, con valores mximos de entre 6 y 7 kilohms.

Para la configuracin de emisor comn, valores tpicos de

Z0

se encuentran en el

intervalo que va de los 40 a los 50 kilohmios.

Configuracin de colector comn:

Para la configuracin de colector comn se utiliza la configuracin de emisor comn

vista dos puntos atrs en este resumen.

1.6

EL MODELO EQUIVALENTE HIBRIDO

Este captulo menciona que los parmetros que relacionan las cuatros variables se
llaman parmetros h, por la palabra "hbrido". El trmino "hbrido" se eligi debido a la
mezcla de variables V e I que en cada ecuacin produce un conjunto "hbrido" de
unidades de medida para los parmetros h.

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Para saber mejor que representan los diversos parmetros h y de cmo determinar su
magnitud puede obtenerse aislando cada uno de ellos y examinando la relacin
resultante.
Las semejanzas entre los modelos

re

e hbrido son bastante evidentes. En realidad,

una vez que los componentes de un modelo se definan para un punto de operacin
particular, los parmetros del otro estarn disponibles de inmediato para el siguiente.

1.7

DETERMINACION GRAFICA DE LOS PARAMENTROS h:

Empleando derivadas parciales (clculo), se puede demostrar que la magnitud de los

parmetros h en el circuito equivalente de transistor de seal pequea en la regin de
operacin para la configuracin de emisor comn puede encontrarse a travs de una
serie de ecuaciones.
Los parmetros h se determinan en la regin de operacin para la seal aplicada, de
manera que el circuito equivalente ser el ms preciso de los disponibles. Los
parmetros

hie

se determinan a partir de la entrada o caractersticas de

base, en tanto que los parmetros

h fe

hoe

se obtienen de la salida o

caractersticas del colector.

Para determinar los parmetros

hie

debe encontrarse primero el punto Q

en la entrada o caracterstica de la base.

Los parmetros hbridos para las configuraciones de base comn y de colector comn
pueden encontrarse empleando las mismas ecuaciones bsicas con las variables y
caractersticas apropiadas.
En las configuraciones de emisor comn y de colector comn la resistencia de entrada
es mucho ms alta que la de la configuracin de base comn y que la relacin entre la
resistencia de salida y la de entrada es aproximadamente de 40: 1.
En cualquier transistor la regin de operacin y las condiciones en las cuales se est
usando tendrn un efecto sobre los diferentes parmetros h.

1.8

VARIACION DE LOS PARAMETROS DEL TRANSISTOR

Las variaciones de los parmetros h con la temperatura, la frecuencia, el voltaje y la

corriente.

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Las ms importantes variaciones de los parmetros h con la temperatura de la unin y

el voltaje y la corriente de colector.
El valor de

hie

r e

debido a la sensibilidad de

vara en forma considerable con la corriente de colector,

re

re con respecto a la corriente de emisor.

En el libro existen grficos que representan la variacin de los parmetros h con

respecto a los cambios en la temperatura de la unin. Se considera el valor de
normalizacin igual al de la temperatura ambiente: T = 25C.
Se puede concluir que todos los parmetros aumentan su magnitud segn la
temperatura vaya aumentando. El parmetro menos afectado es
la impedancia de entrada

1.9

hie

hoe

mientras que

cambia a mayor velocidad.

ANALISIS POR COMPUTADORA

En esta parte el libro nos detalla que el anlisis de este tema de modelos del
transistor BJT para pequeas seales de CA por computadora que puede
desarrollarse por distintos tipos de enfoques: el primero a travs de un lenguaje como
Basic.
Y el segundo a travs del uso de un paquete de software como el PSpice, es el que en
s el libro utiliza para representar los modelos del transistor BJT.

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