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Capitulo 3
Disipacin de Potencia
3.1

Introduccin

Siempre que por un elemento conductor circula corriente elctrica, se generan unas
prdidas de potencia que elevan la temperatura del mismo. Estas perdidas son
debidas al efecto Joule, y cobran especial protagonismo en los elementos
semiconductores de potencia, puesto que por ellos circulan elevadas intensidades, y
por tanto el incremento de temperatura que se produce pone en peligro la vida del
dispositivo.
El calor que se produce en el interior del semiconductor debe ser evacuado
rpidamente, con el fin de evitar que la temperatura interna llegue al lmite mximo
permitido, limite por encima del cual se destruir el dispositivo.
En los ltimos anos, se ha experimentado un gran avance en los dispositivos
electrnicos de potencia; la tendencia es integrar en pequesimas pastillas de silicio
la mayor cantidad posible de funciones, tanto de control como de potencia (tecnologa
Smart Power, o circuitos integrados inteligentes). El principal freno para el desarrollo
de las nuevas tecnologas es precisamente la disipacin del calor que se genera en el
interior de los chips.

3.2

Propagacin del calor en el dispositivo semiconductor

En todo semiconductor el flujo de corriente elctrica produce una perdida de energa

que se transforma en calor. El calor generado en la unin del semiconductor, se
propaga por conduccin a la capsula o contenedor y por conveccion al aire o medio
ambiente y se produce un aumento de temperatura en el dispositivo; si este aumento
es excesivo e incontrolado provocara una disminucin de la fiabilidad del
componente, llegndose incluso a la destruccin de las uniones,
La capacidad de evacuacin del calor al ambiente varia segn el tipo de capsula o
contenedor del dispositivo; en los semiconductores de potencia esta evacuacin es
demasiado pequea, por lo que es necesario facilitar la transferencia de calor
generado, esto se consigue mediante un dispositivo de mayor volumen y superficie
llamado radiador o disipador de calor; el cual hace de puente para evacuar el calor de
la capsula al medio ambiente.

3.3

Equivalente elctrico

Por el principio de analoga se puede realizar un smil elctrico de todo el proceso

trmico. La diferencia de temperatura es anloga a una diferencia de potencial
(tensin) el flujo calorfico es anlogo al flujo de corriente elctrica (intensidad) y la
resistencia trmica similar a la resistencia elctrica.

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El objetivo principal es determinar el tipo y longitud del disipador que se ha de colocar
en el dispositivo semiconductor, para garantizar que no se supere la temperatura de
la unin mxima permitida por el fabricante. Presentamos un listado con todos los
parmetros que se utilizaran as como su nomenclatura:
Rjc = Resistencia trmica unin-contenedor.
Rja = Resistencia trmica unin-ambiente.
Rcd = Resistencia trmica contenedor-disipador.
Rd = Resistencia trmica disipador-ambiente.
Rca = Resistencia trmica contenedor-ambiente.
Rdv = Resistencia trmica del disipador, con ventilador.
Tjmax = Temperatura mxima que puede soportar la unin del dispositivo.
Tj = Temperatura alcanzada por la unin del transistor durante su funcionamiento.
Tc = Temperatura del contenedor.
Td = Temperatura del disipador.
Ta = Temperatura ambiente.
Pd = Potencia que disipa el transistor.
Wat = Potencia mxima que el transistor puede disipar con una T c=250C.
F = Factor de correccin cuando se utiliza ventilador.
K = Coeficiente de seguridad para evitar que se alcance la T max.
C = Capacidad trmica.
El origen de estos datos es muy diverso. Algunos vendrn en tablas y manuales;
otros, deber de establecerlos el diseador y otros, representan las incgnitas del
problema y debern calcularse.

Fig. 3.1 Resistencias trmicas y temperaturas, localizadas en un montaje real.

Aplicando el principio de analoga a las magnitudes elctricas y trmicas, se cumple:

T j Ta Pd .( R jc Rca )

(3.1)

25
Cuando aadimos un disipador aparecen nuevas resistencias, R cd + Rd que se
aaden en paralelo con Rca y debe de cumplirse que R ca>>Rcd+Rd. como se ve la
misin del radiador ha sido reducir la resistencia trmica c-a del conjunto.

Fig. 3.2 Equivalente elctrico para el estudio de disipacin de calor.

A continuacin se definen estos parmetros.

3.3.1 Resistencias Trmicas
La resistencia trmica global desde la unin del semiconductor hasta el medio
ambiente se puede desglosar en varias resistencias trmicas.

Resistencia Unin Contenedor, Rjc

El foco calorfico se genera en la unin del propio cristal semiconductor, de tal forma
que el calor debe pasar desde este punto al exterior del encapsulado. La dificultad
que presenta el dispositivo para evacuar este calor se mide como resistencia trmica
unin contenedor. Esta resistencia depende del tipo de encapsulado y la suministra el
fabricante, bien directamente o indirectamente en forma de curva de reduccin de
potencia.
R jc

T j max Tc
Pd

(3.2)

26

Fig. 3.3 Curva de reduccin de potencia.

Resistencia Contenedor - Disipador, Rcd

Es la resistencia trmica entre el contenedor y el disipador. La facilita el fabricante o
se puede encontrar en tablas, siempre esta condicionada por el tipo de contenedor o
capsula y por el tipo de contacto entre la capsula y la aleta refrigeradora. El valor de
la misma depende del sistema de fijacin del disipador, del grado de contacto entre
las superficies e incluso de la fuerza con que se aprieten los tornillos fijadores. Para
mejorar este contacto, i/o aislar elctricamente las dos superficies, se suelen
interponer materiales, que pueden ser de dos tipos: pastas y laminas aislantes.
Las pastas que pueden ser conductoras del calor, o no conductoras de la electricidad
producen una disminucin de la Rcd mejorando el contacto entre las superficies,
suelen ser de silicona.
Laminas aislantes elctricas como mica, kelafilm, etc. Que se pueden emplear solas o
conjuntamente con pastas de silicona conductoras del calor. En la mayora de los
transistores el contenedor hace las veces de colector, por lo que generalmente es
necesario aislarlo elctricamente del disipador.
Por tanto esta resistencia trmica depende del tipo de contacto entre contenedor y
disipador y se pueden dar las siguientes combinaciones:

Contacto directo, RD
Contacto directo mas pasta de silicona. RD-S
Contacto directo mas mica aislante, RD-M
Contacto directo mas mica aislante mas pasta de silicona, R D-M-S

El valor de la resistencia R cd depende bastante del tipo de contacto, a continuacin se

ordenan de menor a mayor.
RD S RD RD M S RD M

El valor de esta resistencia trmica influye en el clculo de la Rd y por tanto en la

superficie y longitud necesarias en la aleta que aplicaremos al dispositivo a refrigerar.

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Cuanto mas baja es Rcd menor tendr que ser Rd y por tanto mas pequea la aleta
necesaria.

Fig. 3.4 Tabla de resistencias trmicas.

Resistencia de Disipador, Rd
En realidad es la resistencia disipador ambiente y representa la oposicin al flujo de
calor desde el elemento disipador al aire o medio ambiente. Depende de factores
como: condiciones de la superficie y posicin de montaje.
Para el clculo de esta resistencia, se puede utilizar la siguiente formula:
Rd

T j Ta
Pd

( R jc Rcd )

(3.3)

Una vez calculada la Rd se elige la aleta refrigeradora.

En primer lugar se tendr en cuenta que el tipo de encapsulado del dispositivo a
refrigerar sea el adecuado para el montaje de la aleta.
En segundo lugar, para el caso de grandes radiadores, hay que calcular la longitud
necesaria de disipador y cortar la adecuada. Para ello es necesario disponer de
graficas que ofrecen los fabricantes de la resistencia en funcin de la longitud del
disipador.

Fig. 3.4 Resistencia trmica Rd en funcin de la

longitud del disipador.

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De todos los parmetros que intervienen en el clculo de R d, el clculo de la potencia
disipada, Pd, suele ser el ms complejo. La potencia que disipa un semiconductor
variara segn el tipo de dispositivo que se este utilizando y de la seal aplicada.
3.3.2 Temperatura mxima de la unin, Tjmax
Esta temperatura representa el limite superior al que no debe llegar la unin y menos
sobrepasarlo si queremos evitar la destruccin del dispositivo. Este dato esta
disponible, normalmente, en los manuales de los fabricantes de semiconductores. En
su defecto se puede adoptar uno de los valores tpicos mostrados en la tabla que se
expone a continuacin en funcin del dispositivo a refrigerar:
DISPOSITIVO

RANGO DE Tjmx

De unin de Germanio
De unin de Silicio
JFET
MOSFET
Tiristores
Transistores Uniunin
Diodos Zener

Entre 100 y 125C

Entre 150 y 200C
Entre 150 y 175C
Entre 175 y 200C
Entre 100 y 125C
Entre 100 y 125C
Entre 150 y 175C

El objetivo principal es mantener la temperatura de la unin por debajo de la mxima

permitida. Utilizaremos un coeficiente de seguridad, K cuyo valor dar una
temperatura de la unin comprendida entre el 50% y el 70% de la mxima.
T j K .T j max

(3.4)

Para valores de K=0.5: dispositivo poco caliente. Mximo margen de seguridad, pero
el tamao de la aleta refrigeradora ser mayor.
Para valores de K=0.6: menor tamao de la aleta refrigeradora sin que el dispositivo
se caliente demasiado.
Para valores de K=0.7: mximo riesgo para el dispositivo. El tamao de la aleta
refrigeradora ser menor. Este coeficiente de seguridad exige que la aleta se situe en
el exterior.
3.3.3 Potencias
Potencia mxima disipable, Wat
Dato proporcionado por el fabricante para una temperatura de 25 OC.
Wat

3.4

T j Tc
R jc

T j max 25 C
R jc

(3.5)

Calculo de Rd de diodo rectificador

En el caso de diodo rectificador, para calcular la resistencia trmica del disipador hay
que conocer la intensidad media directa por el diodo, I FAV, el factor de forma, a que

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es la relacin entre la intensidad eficaz y la intensidad media, y tambin la
temperatura ambiente del entorno en que va a trabajar el dispositivo. Estos datos son
propios del circuito en el cual el diodo esta funcionando.
a

I RMS
I FAV

(3.6)

Para formas de onda cuadradas en lugar del factor de forma ser necesario conocer
el ciclo de trabajo, D que es la relacin entre el tiempo de conduccin en cada
periodo, ton y el periodo, T.
D

t on
T

(3.7)

La intensidad media para la operacin con ondas cuadradas se calcula segn la

expresin:
I TAV

D .I RMS

(3.8)

El clculo de la resistencia de disipador se apoya en las curvas que proporciona el

fabricante, que son propias de cada diodo.

Fig.3.5 Graficas para el diodo rectificador. Potencia en funcin de la intensidad media para distintos factores de
forma y temperaturas de contenedor en funcin de la temperatura ambiente para distintos valores de resistencia
contenedor ambiente.

Suponiendo conocidas la intensidad media y el factor de forma, la potencia que disipa

el diodo se puede obtener directamente en la curva de la izquierda. Con este valor de
potencia y el de la temperatura ambiente en la curva de la derecha se pueden ver
tanto la temperatura de contenedor como la resistencia contenedor ambiente
necesario.

30

Rca Rcd Rd

(3.9)

De esta expresin se puede obtener la resistencia de disipador buscada sabiendo

que Rcd depender del tipo de contacto capsula-disipador.
Para un diodo de potencia, las perdidas totales sern la suma de las perdidas en
conmutacin y las perdidas en conduccin. Las perdidas en conmutacin son
significativas a latas frecuencias y aparecen como consecuencia de la recuperacin
inversa. Se pueden calcular aplicando la expresin:
Pconmutacion V R .Q RR . f s

(3.10)

En la que VR es la tensin en bornes del diodo en estado de bloqueo, f s es la

frecuencia de conmutacin y QRR es la carga de recuperacin inversa.
PROBLEMAS PROPUESTOS

Calcular la potencia mxima que puede disipar el transistor 2N3904 si la

temperatura de la capsula no debe superar los 10 OC.

Calcular la potencia mxima que puede disipar el transistor 2N3904 si la

temperatura ambiente es de 50OC.

Un transistor de potencia, de silicio, tiene las siguientes especificaciones

trmicas:
PD (max) 20W ,

ja 7 C / W ,

jc 0.7 C / W

a) Obtener la temperatura mxima de la unin.

b) El transistor esta montado directamente sobre un radiador de calor de aluminio
que tiene ra = 4OC/W y la resistencia trmica capsula-radiador es de cr =
0.2OC/W. hallar la mxima disipacin permisible.

Un transistor tiene un encapsulado TO.126 y una temperatura T j mxima de

150OC. determinar la potencia mxima que puede disipar sin aleta, en el caso
que la temperatura ambiente nunca sea inferior a 45 OC. en estas condiciones,
indicar la resistencia trmica mxima de la aleta que permita duplicar la
anterior potencia mxima.

Un diodo tener de 2W debe disipar 5W y la temperatura mxima de la unin es

de 175OC. calcular la ja. Si la temperatura ambiente es de 50 OC y jc = 15OC,
determinar la mxima resistencia trmica entre la capsula-ambiente que evite
daar al diodo. Si el encapsulado del diodo es del tipo TO-202, proponer un
tipo de aleta que verifique todos los requerimientos.

3.5

Ventilacin forzada

31
Cuando la resistencia trmica obtenida en el calculo es muy baja, se puede elegir
entre pocos radiadores, puesto que son pocos los que hay en el mercado que ofrecen
una resistencia trmica inferior a 0.5 0.6 OC/W. en estos casos, se utiliza un
ventilador, el cual es capaz de reducir la resistencia trmica equivalente.
Para valorar en trminos numricos la reduccin de la resistencia trmica es
absolutamente necesario conocer un dato que nos proporciona el fabricante del
ventilador. Este es el aire que es capaz de mover el ventilador por unidad de tiempo.

3.6

Impedancia trmica

El mtodo de diseo empleado anteriormente solo es valido en aquellos casos en los

que la temperatura de pico que alcanza la unin es muy parecida a su temperatura
media. En aquellos componentes que soportan pulsos nicos de potencia, pulsos de
forma irregular o trenes de pulsos de baja frecuencia con ciclos de trabajo pequeos
(<0.5), el factor que limita las perdidas de potencia es la temperatura de pico de la
unin y no la temperatura de media.
La razn de esto es que el calentamiento no llega a la capsula ni al radiador debido a
la inercia trmica, y la capsula permanece prcticamente a la temperatura ambiente.
El modelo anterior (Tj=Pd.Rjc+Tc) no es valido.
El modelo trmico debe ser modificado para contar con la capacidad trmica, se
deben incluir estas capacidades que simulan a las inercias trmicas de los elementos.

Fig. 3.6 Modelo trmico.

En este caso habra que definir una impedancia trmica Z jc<Rjc, que sirve para
calcular la evolucin de la temperatura instantnea.
Las perdidas de potencia prcticamente se producen en la oblea de silicio, que al
tener poca masa, su inercia trmica es muy pequea y pueda cambiar de
temperatura rpidamente.
El radiador tiene mucha masa con lo que su inercia es mucho mayor y los cambios de
temperatura son mucho ms lentos.
En la prctica se utiliza un mtodo simplificado, a partir de las curvas que el fabricante
proporciona de impedancia trmica transitoria (ver fig. 3..). se tratara de calcular
las dos incgnitas de Tc y Rd.
Que potencia debo tomar para el clculo de Tc, la potencia mxima y para el clculo
de Rd, la potencia media. Tenemos dos ecuaciones con dos incgnitas, Tc y Rd.

32
En el circuito elctrico que representa la analoga con el comportamiento trmico se
pueden ver una serie de grupos RtCt cada uno con una constante de tiempo
caracterstica Rt C t .
El valor de la constante de tiempo determina si cada uno de los grupos R tCt alcanzan
el equilibrio rpida o lentamente. Cada grupo produce un incremento de temperatura
que viene dado por la expresin:
t

T t 2 t1 Rt .Pd . 1 e Rt Ct

(3.11)

Rt Resistencia trmica del grupo RtCt

Ct Capacidad trmica del grupo RtCt
Cuando se aplica el pulso de potencia, la temperatura va aumentando de valor con la
consiguiente carga de las capacidades trmicas. Cuando estas se cargan totalmente,
se alcanza el rgimen permanente para la temperatura y su aumento ya solo
depende de la resistencia trmica.

Fig. 3.7 Temperatura de la unin en funcin del pulso aplicado. La temperatura aumenta con la duracin del pulso,
hasta que se alcanza el rgimen permanente.

Si a esta red se aplica un pulso de potencia, el valor de pico para T j depende de la

amplitud del pulso potencia y de la anchura del pulso t on.
La figura 3.7 muestra la respuesta de Tj ante dos pulsos de diferentes anchuras pero
con el mismo valor de pico. El pulso de menor anchura hace que la unin alcance un
valor inferior de temperatura. Como se puede observar, si se aplica un pulso lo
suficientemente ancho, la temperatura de la unin alcanzara el rgimen estable. Si la
duracin del pulso aplicado no permite a Tj llegar al rgimen estable, es cuando la
impedancia trmica cobra importancia.
La variacin de la impedancia trmica Z jc(t) con la anchura de pulso la puede dar el
fabricante directamente, pero lo normal es que suministre una curva como la
mostrada en la figura 3.8, en la que se utiliza r(t) que es el resultado de normalizar la
impedancia trmica transitoria Zjc(t) con la resistencia trmica Rjc, en rgimen estable.

33
r (t )

Z jc (t )
R jc

(3.12)

Zjc(t) = Impedancia trmica transitoria

Rjc = Resistencia trmica en rgimen estable.
R(t) = Impedancia trmica normalizada (inferior a la unidad)
Para pulsos de corta duracin r(t) es bastante pequea pero al incrementarse t on, r(t)
se aproxima a 1. Esto quiere decir que para pulsos de larga duracin la impedancia
transitoria Zjc(t) se aproxima a la resistencia R jc en rgimen estable. Conociendo t on se
puede obtener r(t) a partir de la grafica de la figura 3.8. La impedancia trmica se
obtiene despejando en (3.12).
Z jc (t ) r (t ).R jc

(3.13)

Fig. 3.8 Impedancia trmica normalizada, r(t) para un solo pulso, en funcin de la duracin de este, t on

En algunas ocasiones el fabricante suministra las curvas de la resistencia trmica

transitoria para trenes de pulsos en funcin del ciclo de trabajo, D tal y como se
puede observar en la grafica de la figura 3.9.

Fig. 3.9 Impedancia trmica normalizada para trenes de pulsos de larga duracin, en funcin del ciclo de trabajo.

A continuacin se vera como se utilizan las curvas de la impedancia trmica que

suministra el fabricante y se aplicara al calculo de la temperatura que alcanzara la
unin segn sea aplicado un nico pulso de potencia o un tren de pulsos.
Respuesta ante un nico pulso de potencia

34

Algunas veces el fabricante suministra en una sola grafica la curva para un nico
pulso de potencia y para trenes de impulsos con diferentes ciclos de trabajo (D). En
este caso la curva con D=0 es la correspondiente a un pulso nico de potencia.

Fig. 3.10 Respuesta de la temperatura de la unin ante un nico pulso de potencia.

Ante la aplicacin de un nico pulso de potencia como el que se puede observar en la

figura, se puede calcular Tj mediante la curva r(t) frente a t on si se conoce, Pd, Rjc y Tc
utilizando la expresin 3.14.
T j1 Tc Z jc (t1 ).Pd Tc r (t1 ).R jc .Pd

(3.14)

Respuesta ante una serie de impulsos al azar

En una serie de impulsos de potencia al azar, cada impulso tiene valores diferentes
para la anchura y la altura. Para hallar el valor de los incrementos de temperatura
ocasionados se debe aplicar el principio de superposicin.
En la utilizacin de este principio cada intervalo de potencia que produce calor, es
considerado positivo en valor y cada intervalo de refrigeracin es considerado
negativo. Un intervalo de calentamiento comienza al mismo tiempo de la aplicacin
del impulso y se extiende al infinito. Un intervalo de refrigeracin comienza al finalizar
el impulso de potencia y tambin se extiende al infinito.

Fig. 3.11 Serie de impulsos al azar,

principio de superposicin para calcular la
variacin de la Tj de la unin. Este mtodo
tambin puede ser aplicado cuando el
tiempo total de calentamiento es ms
pequeo que el tiempo necesario para
alcanzar el rgimen permanente.
Llamando T j a la diferencia de

temperatura entre la unin y la capsula

T j T j Tc

Se cumplir que el T j considerando el primer impulso es:

35

T j P1 .r (t1 ).R jc

Mientras que considerando hasta el tercer impulso, la expresin se complica:

T j 3 P1 .r (t 3 ) P1 .r (t 3 t1 ) P2 .r (t 3 t 2 ).R jc

Y para el quinto impulso:

T j 5 P1 .r (t 5 ) P1 .r (t 5 t1 ) P2 .r (t 5 t 2 ) P2 .r (t 5 t 3 ) P3 .r (t 5 t 4 ).R jc

Como se puede observar, se hace una sumatoria, con el signo adecuado, segn se
trate de calentamiento o de refrigeracin, de los efectos que tiene cada impulso sobre
el instante en el que se desea saber la temperatura que alcanzara la unin T j.
Considerando un tren de impulsos de larga duracin, este permitir alcanzar el
equilibrio a la temperatura de la unin.
Al final del primer impulso los clculos son iguales que para un nico pulso. Al final de
un impulso en un estado estable se cumple la expresin:
T j Pd .R jc .r (t on , D )

r (t on , D ) se obtiene de la grafica de la impedancia trmica normalizada suministrada

por el fabricante.
Para poder utilizar la curva de r(t) en funcin de varios ciclos de trabajo, r (t on , D ) es
necesario que el producto del numero de pulsos, n por el periodo sea al menos
equivalente al tiempo necesitado por el semiconductor para alcanzar el equilibrio
trmico.
Las curvas de resistencia trmica transitoria que facilita el fabricante son tiles para
pulsos rectangulares de potencia. Los pulsos de potencia no rectangulares pueden
ser analizados mediante sus equivalentes rectangulares.
Para formas de ondas simples como la senoidal y triangular pueden utilizarse
expresiones matemticas para convertirlas en sus equivalentes rectangulares pero en
cualquier caso un anlisis grafico haciendo que las energas almacenadas en ambas
formas de onda sean las mismas (en la original y en la equivalente rectangular), ser
una buena aproximacin.

36

Fig. 3.12 Aproximacin de un pulso de potencia mediante pulsos rectangulares.

Fig. 3.13

37

Fig. 3.14 Equivalente trmico

Fig. 3.15 Impedancia trmica.

3.7

Resumen

38

Funcionamiento en continua (valores medios de potencia)

R ja

T j Ta
PT ( AV )

Combinando estas ecuaciones:

Rda

T j Ta
PT ( AV )

R jc

T j Tc
PT ( AV )

R jc Rcd

Cuando queremos obtener valores medios de temperatura que alcanzara la unin hay
que tomar Potencia media y Resistencia trmica.

Funcionamiento discontinuo

1. Tren de pulsos de corta duracin

Fig. 3.16 Variacin de la temperatura de la unin y temperatura contenedor cuando la duracin del pulso es
pequea comparada con la constante de tiempo trmica del disipador.

PT max

T j Tc
Z jc

Tc T j PT max .Z jc

T j max Ta PT ( AV ) .( Rcd Rda ) PMAX .Z jc

2. Un solo pulso de larga duracin

Cuando la duracin del pulso es mayor que la constante de tiempo del radiador

Fig. 3.17 Pulso de larga duracin