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CARRERA:
ASIGNATURA:
MATERIALES Y NANOTECNOLOGIA
ACTIVIDIDAD:
CATEDRATICO:
ALUMNO:
JHONI MANUEL ROSADO CUELLAR
ACTIVIDAD 2
1. Instrucciones.
o Revisa el material de la unidad 1. Elabora un mapa conceptual del tema 1.1 Clasificacin y
generalidades de los materiales que muestre: tipos de materiales,
sus caractersticas y propiedades. Para tal propsito usa la herramienta CMAPTOOLS.
Comparte el vnculo a tu mapa en este espacio.
o
o
o
MALEABLE
PROPIEDADES DE LOS
MATERIALES
POR SUS
CARACTERISTICAS
TECNICAS
DUCTIBILIDAD
PARA REALIZAR
UNA OPERACIN
EN LA INDUSTRIA
FORJABLE
MAQUINABLE
TRANSPARENTES
TRASLUCIDOS
OPACOS
POR SU ORIGEN
ELECION DEL
MATERIAL
POR USO EN EL
TRABAJO
IMPACTO
AMBIENTAL
ELASTICOS
PLASTICOS
OBTENIDOS DE LA
NATURALEZA
LINO
VEGETAL
PIELES
ANIMAL
ORO
MINERAL
AGUA
LIQUIDO O
GASEOSO
COMPORTAMIENTO
FRENTE A LA LUZ
POR SU
DEFORMACION
SI EXPLOTAR
PROCESOS DE
TRANSFORMACION
PARA SER
UTILIZADA EN
OTRAS FUNCIONES
PARA EL SER
HUMANO
POR SU
DISPONIBILDAD
MATERIALES
LUZ SOLAR
CONDUCTIVIDAD
TERMICA
COMPORTAMIENTO EN
FENOMENOS FISICOS Y
QUIMICOS
CONDUCTIVIDAD
ELECTRICA
DUREZA
RESISTENCIA
PROPIEDADES
OPTICAS
PROPIEDADES
RENOVABLE
TIPOS
PETROLEO
NO
RENOVABLE
SINTETICOS
METALICOS
PTREOS Y CERAMICOS
OTROS
AGLOMERANTES
NO AGLOMERANTES
COMPUESTOS
ORGANICOS
VARIOS
MATERIALES
SIDERURGIA
OTROS
PROCESOS
TEXTILES
ACERO
ALUMINIO
NYLON
CERAMICOS
VEGETALES
ANIMALES
FIBRA DE
VIDRIO
VIDRIOS
CEMENTO
ROCAS
PORCELANA
ESPARTO
CUERO
RIGIDOS
COMPONENTE RENOVABLE
PROCESO BSICO DE FABRICACIN:
1- En una lmina de material semiconductor puro se introducen elementos qumicos
llamados dopantes que hacen que esta tenga un exceso de electrones y aunque no
exista en realidad desequilibrio elctrico (existir el mismo nmero de electrones
que de neutrones en el total de la plancha del semiconductor) convencionalmente se
entiende que esta plancha tiene una carga negativa y se la denomina N.
2- Por otro lado en otra lmina de material semiconductor se hace el mismo proceso
pero en esta ocasin con otra sustancia dopante que provoca que haya una falta de
electrones. Por esta razn se entiende convencionalmente que la plancha tiene una
carga positiva y se le denomina P.
3- Es en este punto donde se procede a realizar la unin P-N en la cual el exceso de
electrones de N pasa al otro cristal y ocupa los espacios libres en P. Con este
proceso la zona inmediata a la unin queda cargada positivamente en N y
negativamente en P crendose un campo elctrico cuya barrera de potencial impide
que contine el proceso de trasvase de electrones de una plancha a la otra.
Silicio puro policristalino Los materiales son semejantes a los del tipo anterior aunque
en este caso el proceso de cristalizacin del silicio es diferente. Los paneles policristalinos
se basan en secciones de una barra de silicio que se ha estructurado desordenadamente en
forma de pequeos cristales. Son visualmente muy reconocibles por presentar su superficie
un aspecto granulado. Se obtiene con ellos un rendimiento inferior que con los
monocristalinos (en laboratorio del 19.8% y en los mdulos comerciales del 14%) siendo
su precio tambin ms bajo.
Por las caractersticas fsicas del silicio cristalizado, los paneles fabricados siguiendo esta
tecnologa presentan un grosor considerable. Mediante el empleo del silicio con otra
estructura o de otros materiales semiconductores es posible conseguir paneles ms finos y
verstiles que permiten incluso en algn caso su adaptacin a superficies irregulares. Son
los denominados paneles de lmina delgada
As pues, los tipos de paneles de lmina delgada son:
Silicio amorfo- (TFS) Basados tambin en el silicio, pero a diferencia de los dos
anteriores, este material no sigue aqu estructura cristalina alguna. Paneles de este tipo son
habitualmente empleados para pequeos dispositivos electrnicos ( Calculadoras, relojes) y
en pequeos paneles porttiles. Su rendimiento mximo alcanzado en laboratorio ha sido
del 13% siendo el de los mdulos comerciales del 8%.
BIBLIOGRAFIA
"Introduccin a la Ciencia e Ingeniera de los Materiales" (I, II) W.D. CALLISTER, Jr.,
Editorial Revert, S.A., (2003). 620 CAL int.
Ciencia e Ingeniera de los Materiales D. R. ASKELAND, Editorial ParaninfoThomson Learning, (2001). 620 ASK cie.
Steels: heat treatment and processing principles, G. Krauss, ASM International, 1990.