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TUDE FORMELLE POUR LA SYNTHSE

DE CONVERTISSEURS MULTINIVEAUX ASYMTRIQUES:


TOPOLOGIES, MODULATION ET COMMANDE

THSE NO 3188 (2005)


PRSENTE LA FACULT SCIENCES ET TECHNIQUES DE L'INGNIEUR
Institut des sciences de l'nergie
SECTION DE GNIE LECTRIQUE ET LECTRONIQUE

COLE POLYTECHNIQUE FDRALE DE LAUSANNE


POUR L'OBTENTION DU GRADE DE DOCTEUR S SCIENCES TECHNIQUES

PAR

Jean-Sbastien MARITHOZ
ingnieur en lectricit diplm EPF
de nationalits suisse et franaise originaire de Nendaz (VS)

accepte sur proposition du jury:


Prof. A.-Ch. Rufer, directeur de thse
Dr F. Bordry, rapporteur
Dr T. Meynard, rapporteur
Prof. Y.-O. Perriard, rapporteur

Lausanne, EPFL
2005

Table des matires

Rsum

vii

Abstract

ix

Remerciements

xi

Introduction gnrale

Introduction aux onduleurs multiniveaux asymtriques


1.1 Principales topologies donduleurs multiniveaux . . . . . .
1.1.1 Onduleurs NPC . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.1.2 Onduleurs cellules imbriques . . . . . . . . . .
1.1.3 Onduleurs multiniveaux symtriques . . . . . . . .
1.1.4 Onduleurs multiniveaux asymtriques . . . . . . .
1.1.5 Proprits des principales structures . . . . . . . .
1.2 Intrt des onduleurs multiniveaux asymtriques . . . . . .
1.2.1 Caractrisation des pertes des interrupteurs usuels .
1.2.2 Expressions des pertes en fonction de la structure .
1.2.3 Comparaison des pertes . . . . . . . . . . . . . .
1.3 Synthse des rsultats . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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5
5
10
13
16
18
21
23
27
30
36

Combinaisons de cellules
2.1 Rgles dassociation des onduleurs monophass
2.1.1 Modle de londuleur tudi . . . . . .
2.1.2 Reprsentation des tats et niveaux . .
2.1.3 Condition duniformit du pas . . . . .
2.1.4 Condition de modulation optimise . .
2.2 Rgles dassociation des onduleurs triphass . .

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40
40
41
43
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ii

TABLE DES MATIRES

2.3

2.4

2.5
3

2.2.1 Redondance des phaseurs spatiaux . . . . . . . . . . . . . 59


2.2.2 Dtermination des voisins dun vecteur de tension . . . . 62
2.2.3 Condition duniformit vectorielle . . . . . . . . . . . . . 65
2.2.4 Condition de modulation vectorielle optimise . . . . . . 74
2.2.5 Proprits de quelques configurations triphases . . . . . 78
2.2.6 Evaluation de quelques configurations . . . . . . . . . . . 82
Combinaisons de cellules rapports de pas rationnels . . . . . . . 83
2.3.1 Objectif : dpasser le cadre impos par la condition duniformit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83
2.3.2 Dimensionnement scalaire . . . . . . . . . . . . . . . . . 84
2.3.3 Dimensionnement vectoriel . . . . . . . . . . . . . . . . 86
2.3.4 Proprits des configurations pas rationnel . . . . . . . . 87
Combinaisons de cellules phases asymtriques . . . . . . . . . . 90
2.4.1 Etude du cas habituel, pas identiques . . . . . . . . . . . 90
2.4.2 Vecteurs obtenus avec deux pas diffrents . . . . . . . . . 91
2.4.3 Vecteurs obtenus avec trois pas diffrents . . . . . . . . . 93
2.4.4 Proprits des configurations phases asymtriques . . . . 93
2.4.5 Evaluation de configurations phases asymtriques . . . . 94
Conclusions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 102

Modulation
3.1 Etat de lart . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.1.1 Rle de la modulation . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.1.2 Principes de la MLI . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.1.3 Principes des modulateurs multiniveaux classiques . . . .
3.1.4 Proprits des modulateurs multiniveaux classiques . . . .
3.2 Modulateur trames orientes . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.2.1 Points amliorer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.2.2 Trames et squences de trames . . . . . . . . . . . . . . .
3.2.3 Principe doptimisation des squences de trames . . . . .
3.3 Mthodes dvaluation des modulateurs . . . . . . . . . . . . . .
3.3.1 Mesures . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.3.2 Analyse par transforme de Fourier rapide . . . . . . . . .
3.3.3 Analyse par double srie de Fourier . . . . . . . . . . . .
3.3.4 Analyse par dcomposition du signal en lments simples
3.4 Evaluation des performances des modulateurs . . . . . . . . . . .
3.4.1 Evaluation pour les applications monophases . . . . . . .
3.4.2 Evaluation pour les applications triphases . . . . . . . .
3.5 Rpartition des niveaux . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.5.1 Rpartitions types de la rfrence . . . . . . . . . . . . .
3.5.2 Reprsentation la plus proche de la rfrence . . . . . . .

105
105
105
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112
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121
121
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124
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127
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130
137
141
141
141
144
144
145

iii

TABLE DES MATIRES

3.6
4

3.5.3 Proprits du signal quantifi . . . . . . . . . . . . . .


3.5.4 Mthodes doptimisation de la distribution des niveaux
3.5.5 Optimisation des distributions de niveaux . . . . . . .
3.5.6 Bilan des optimisations . . . . . . . . . . . . . . . . .
Conclusions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Stratgies de commande
4.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.1.1 Structure de la commande . . . . . . . . . . . . .
4.1.2 Gnration des signaux de commande . . . . . . .
4.2 Stratgies de minimisation des commutations . . . . . . .
4.2.1 Etat de lart : dcomposition de la rfrence . . . .
4.2.2 Premire amlioration :
introduction dune mesure de distance . . . . . . .
4.2.3 Deuxime amlioration : reformulation . . . . . .
4.2.4 Commutation dans lespace des tats . . . . . . .
4.3 Commande vectorielle des onduleurs triphass . . . . . . .
4.3.1 Quantification de la rfrence . . . . . . . . . . .
4.3.2 Calcul des rapports cycliques de modulation . . . .
4.4 Stratgie vectorielle de minimisation des commutations . .
4.4.1 Principe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.4.2 Stratgie de commutation de la grande cellule . . .
4.4.3 Choix du vecteur de base actif aprs commutation
4.5 Conclusions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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160
165
165
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168
168
169
170
170

Alimentation des cellules


5.1 Contraintes imposes lalimentation . . . . . . . . . . . . . . .
5.1.1 Circulation de puissance entre cellules . . . . . . . . . . .
5.1.2 Pertes lies aux changes de puissance . . . . . . . . . . .
5.2 Topologies du convertisseur complet . . . . . . . . . . . . . . . .
5.2.1 Convertisseurs dalimentation . . . . . . . . . . . . . . .
5.2.2 Convertisseurs DC-AC . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.2.3 Convertisseurs AC-AC . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.3 Rglage des flux dnergie des onduleurs monophass . . . . . . .
5.3.1 Prambule : alimentation constitue de redresseurs uniquement . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.3.2 Gnralits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.3.3 Principe dquilibrage applicable toute configuration . .
5.3.4 Configurations satisfaisant quilibrage et pas uniforme . .
5.3.5 Configurations satisfaisant quilibrage et modulation optimise . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

173
173
173
175
175
177
180
184
188
188
194
195
195
201

iv

TABLE DES MATIRES

5.3.6 Retour lquilibre en cas de sollicitation importante . . .


Rglage des flux dnergie des cellules des onduleurs triphass . .
5.4.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.4.2 Prambule : mthodes dquilibrage . . . . . . . . . . . .
5.4.3 Configurations satisfaisant quilibrage et modulation optimise . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.4.4 Configurations satisfaisant quilibrage et pas uniforme . .
5.4.5 Principe dquilibrage applicable toute configuration . .
5.4.6 Perte damplitude atteignable . . . . . . . . . . . . . . .
5.4.7 Equilibrage entre phases . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Comparaison des performances de deux convertisseurs complets .
5.5.1 Dimensionnement des convertisseurs comparer . . . . .
5.5.2 Comparaison du nombre de niveaux . . . . . . . . . . . .
5.5.3 Comparaison des pertes . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.5.4 Comparaison de la complexit . . . . . . . . . . . . . . .
Conclusions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

203
205
205
206

Validation exprimentale
6.1 Description du prototype . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
6.1.1 Partie puissance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
6.1.2 Partie commande . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
6.2 Mesures et vrifications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
6.2.1 Onduleur monophas, 3 cellules alimentes par convertisseur DC-DC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
6.2.2 Onduleur triphas, 2 cellules alimentes par redresseurs .
6.2.3 Onduleur triphas, 2 cellules alimentes par convertisseur
DC-DC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
6.3 Comparaison de structures . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
6.3.1 Convertisseur avec alimentation complte . . . . . . . . .
6.3.2 Convertisseur avec alimentation partielle . . . . . . . . .
6.3.3 Comparaison des performances . . . . . . . . . . . . . .

229
229
229
230
239

5.4

5.5

5.6
6

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212
216
217
219
221
221
222
224
226
226

239
244
254
263
263
267
268

Conclusions

273

A Tableau de slection des configurations

279

B Mthode de recherche des vecteurs voisins


283
B.1 Voisin le plus proche : . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 283
B.2 Deuxime voisin : . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 283
B.3 Dfinition gnrale de voisin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 284

TABLE DES MATIRES

C Modlisation du convertisseur dalimentation


C.1 Modlisation dun convertisseur rversible .
C.1.1 Hypothses simplificatrices . . . .
C.1.2 Etude de lchange de puissance . .
C.2 Modlisation dun convertisseur multisource
C.2.1 Hypothses simplificatrices . . . .
C.2.2 Etude de lchange de puissance . .
C.2.3 Modle de commande . . . . . . .

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287
287
288
288
290
290
291
292

D Transformation de coordonnes

295

E Dveloppements
E.1 Dveloppement des coefficients de la double-srie de Fourier pour
un modulateur avec porteuses alternes . . . . . . . . . . . . . . .
E.2 Calcul dune configuration sans circulation de puissance . . . . .
E.3 Echange de puissance entre n sources de tension alternative . . . .

297
297
299
301

Bibliographie

307

Glossaire

309

Index des termes et acronymes

311

Liste des publications

313

Curriculum vit

315

vi

TABLE DES MATIRES

Rsum

Les convertisseurs multiniveaux permettent de dlivrer une tension plus leve


et de meilleure qualit que les convertisseurs conventionnels. Leur champ dapplication est le domaine des moyennes et hautes tensions frquences de pulsation
leves. Parmi les convertisseurs cellules en srie, les onduleurs multiniveaux
symtriques sont composs de cellules identiques dont la topologie est gnralement le pont en H. Au contraire, les convertisseurs multiniveaux asymtriques,
traits dans cette thse, combinent des cellules haute tension composes dinterrupteurs prsentant peu de pertes par conduction avec des cellules basse tension
composes dinterrupteurs prsentant peu de pertes par commutation. Le rle des
cellules est distinct, lobjectif tant dune part dobtenir un convertisseur prsentant globalement de meilleures performances, en termes de rendement, et dautre
part dobtenir une rsolution plus leve avec le mme nombre de cellules.
Cette thse dveloppe lensemble des outils permettant daboutir la synthse
dun convertisseur multiniveau asymtrique.
Elle dveloppe les rgles de combinaison des cellules partir desquelles plusieurs classes dassociation donduleurs sont dfinies. La condition duniformit
du pas de londuleur dtermine la finesse quil est possible dobtenir. La condition
de modulation optimise dtermine comment rduire la frquence de commutation
de la cellule haute tension sans changer celle de la cellule basse tension. Cette proprit est essentielle pour tirer profit de lhybridation dinterrupteurs de caractristiques diffrentes. La condition dquilibrage des puissances dtermine comment
contrler la rpartition des puissances entre les cellules.
Les classes dassociation obtenues sont diffrentes pour les convertisseurs monophass et triphass sans neutre, elles permettent de slectionner une configuration de convertisseur adapte une application donne.

viii

R SUM

Des voies permettant damliorer la rsolution du convertisseur sont galement


explores.
La modulation est essentielle pour associer un signal de qualit (qui sera effectivemment dlivr la charge laide des niveaux disponibles) au signal de
rfrence (qui devrait idalement tre appliqu la charge). Le point est fait sur
les mthodes dvaluation des performances des modulateurs. Une approche base sur la dcomposition du signal modul en lments simples est propose. Les
lacunes des principaux modulateurs multiniveaux sont mises en vidence. Un modulateur, bas sur lorientation des trames, permet dobtenir une distorsion et un
nombre de transitions du signal modul plus faibles.
Les mthodes de commande spcifiques qui permettent de minimiser le nombre de commutations du convertisseur sont dveloppes.
Lalimentation des cellules en puissance active passe par des tages de conversion supplmentaires qui dtriorent le rendement du convertisseur. Des solutions
permettant de minimiser ces pertes sont proposes.
Cette thse tente finalement de dterminer quelles sont les solutions les plus
intressantes en fonction du type dapplication.

Abstract

The multilevel converters allow generating a voltage waveform whose magnitude and quality are higher than those of conventional converters. They are devoted
to medium and high-voltage, high-switching-frequency applications. Among the
series connected cell inverters, the symmetrical multilevel inverters are made of
identical cells, which topology is generally the H-bridge inverter. This dissertation
deals with asymmetrical multilevel converters, which combine high-voltage cells
made of low conduction loss switches with low-voltage cells made of
low switching loss switches. The different cells play different roles. The goal is to
design a converter that has both better energetic efficiency and higher resolution
with the same number of cells.
This dissertation develops a set of tools that allows synthesizing an asymmetrical multilevel converter.
It develops the cell combination rules, which allow defining several cell association classes. The inverter step uniformity condition determines the finesse that
can be reached. The optimized modulation condition allows to reduce the highvoltage cell switching frequency without changing the low-voltage cell switching
frequency. This property is essential to derive benefit from combining switches of
different characteristics. The power balance condition determine how to control
the power sharing between the cells.
These association classes are different for the single-phase converters and the
three-phase converters without neutral wire. They allow to select a configuration suitable for a given application.
Furthermore, several ways that allow improving the inverter resolution are investigated.

A BSTRACT

The modulation is essential to associate a high-quality signal (which will really


be delivered to the load by means of the inverter levels) to the reference signal
(which should ideally be applied to the load). The modulator evaluation methods
are assessed. An approach based on the modulated signal decomposition in elementary frames is proposed. The main modulator drawbacks are highlighted. A
modulator which arrange the frames in order allows to reduce the modulated
signal distortion and number of transitions.
The specific control methods that allow to minimize the inverter number of
switchings are developed.
The active power cell supply implies several conversion stages, which decrease
the converter energetic efficiency. Some solutions that allow to reduce these losses
are proposed.
Finally, this dissertation attempts to determine, which are the more interesting
solutions, depending on the application.

Remerciements

Arrivant au terme de ce travail de thse, je tiens adresser mes remerciements


aux personnes qui mont apport leur aide.
En premier lieu, ma reconnaissance va au Prof. Rufer, mon directeur de thse,
qui ma accept au sein de son quipe. Mes remerciements vont galement au Dr.
Bordry, au Prof. Meynard, au Dr. Steimer, au Prof. Perriard et au Prof. Simond qui
ont accept de faire partie de mon Jury de thse.
Je remercie mes collgues du LEI qui ont anim la vie du laboratoire et en ont
fait un lieu de travail agrable. Je remercie plus particulirement Martin Veenstra, avec qui jai partag un bureau et de nombreuses discussions enrichissantes,
techniques et extra-techniques au fil des annes. Nous avons conu ensemble des
parties communes nos deux prototypes, ce qui nous a permis de gagner du temps
et de faire mieux. Philippe Barrade et Alexandre Haehlen ont relu attentivement
cette thse et ont contribu amliorer sa qualit par leurs remarques : un grand
merci pour ce travail laborieux. Je tiens galement remercier Mirko Montemari
et Marc Nicollerat qui mont initi lenvironnement Sharc et la programmation
des circuits FPGA. Je remercie Yves Birbaum qui ma mont le boitier du prototype et ma souvent donn des coups de main pour tout ce qui concerne le matriel
dexprimentation. Merci tous les autres pour ces annes partages.
Je tiens galement remercier les tudiants que jai eu loccasion dencadrer
pendant ces quelques annes passes au LEI. Leur contact a souvent t enrichissant.
Ma reconnaissance va galement Peter Brhlmeier et Georges Vaucher de
lACORT pour la conception de deux cartes (PCB) ayant servi la ralisation du
prototype. Les conseils quils mont prodigus en matire de placement de composants, et leurs explications sur la soudure SMD mont facilit la tche de montage
et de test des cartes.

xii

R EMERCIEMENTS

Finalement, je remercie ma famille, et plus particulirement mes parents qui


mont soutenu tout au long de mes tudes, mon amie, Yelena, mes amis, pour leur
soutien indfectible.

Ce travail de recherche a t financ par le Fonds National Suisse.

Introduction gnrale

Intrt des onduleurs multiniveaux


La valeur limite de la tension de blocage des interrupteurs ralisables jusqu prsent est la base du dveloppement des onduleurs multiniveaux. Cette
valeur limite est repousse au fil de lamlioration des techniques de ralisation,
mais elle est toujours infrieure une dizaine de kV, et ne devrait franchir cette
limite quavec lavnement de nouvelles technologies. Cette tension est infrieure
la tension de service des quipements haute tension. Pour aller au-del de ces
limitations, nous disposons de deux possibilits :
la ralisation de macro-interrupteurs [1, 2]. Ces macro-interrupteurs sont obtenus en associant en srie des interrupteurs de tension de blocage infrieure
la tension de service souhaite. Cette technique prsente linconvnient
de ncessiter la mise en place de rsistances dquilibrage, afin que la tension ltat bloqu se rpartisse uniformment entre les diffrents lments
constituant le macro-interrupteur.
la ralisation dun convertisseur multiniveau. Cette mthode consiste employer un convertisseur de topologie plus complexe. Le nombre dinterrupteurs utiliss est du mme ordre que pour le convertisseur constitu de
macro-interrupteurs, mais les lments sont associs de manire diffrente.
La commande ncessite davantage de signaux, mais le convertisseur rsultant prsente de meilleures performances.
En plus de permettre dobtenir une tension de service plus leve sans recourir des macro-interrupteurs, ladoption dun convertisseur multiniveau prsente
dautres avantages :
La rsolution obtenue est plus leve, le convertisseur est capable de gnrer
plus que deux ou trois niveaux. Le rglage de la tension est plus fin, ce qui
permet de rduire les contraintes imposes la charge qui subit sans cela une
tension qui commute entre ses deux valeurs maximales. La taille des filtres

I NTRODUCTION GNRALE

passifs parfois ncessaires pour limiter ces sollicitations peut tre rduite.
Dans le mme temps, le systme gagne une plus grande dynamique et cela
permet un rglage plus rapide.
La tension commute est rduite la valeur du pas du convertisseur, cest-dire la valeur de tension bloque par ses interrupteurs. Cela rduit dautant
les pertes par commutation. Dautre part, la frquence de pulsation de chacun de ses lments est plus basse que la frquence de pulsation apparente
de la tension applique la charge. Cela autorise une augmentation de cette
frquence de pulsation qui permet une rduction de la dimension des filtres
ou une amlioration de la qualit des signaux filtrs.
En terme de production, selon la topologie choisie, il est possible de raliser
un convertisseur modulaire compos de modules identiques. Le nombre de
modules peut ventuellement tre adapt la tension de service du convertisseur.
Moyennant un accroissement de complexit et de cot, il est imaginable
davoir des modules redondants permettant la poursuite du fonctionnement
du convertisseur en cas de dfaillance de modules [3]. Il ne faut toutefois
pas trop senthousiasmer sur le gain possible en terme de fiabilit, car laugmentation de complexit va gnralement de pair avec la diminution de la
fiabilit. En effet, le nombre de dfaillances possibles augmente considrablement, il est donc difficile de prvoir ce qui va se passer suite la dfaillance dun ou de plusieurs modules. Prvoir les moyens de matriser la
situation dans tous les cas de figure possibles est thoriquement possible,
mais cela reprsente un srieux dfi qui ne figure pas parmi les objectifs de
ce travail.
Du point de vue des performances, il est donc intressant dutiliser des convertisseurs multiniveaux, mme lorsquune structure simple est ralisable sans laide
de macro-interrupteurs.
Lattrait des convertisseurs multiniveaux est toutefois limit par quelques inconvnients. La commande est beaucoup plus complexe et les techniques sont encore peu rpandues dans lindustrie. Sauf lorsquon prvoit des modules redondants, laccroissement de la complexit du systme entrane une diminution de sa
fiabilit. Mme nombre de composants gal, ces convertisseurs sont plus coteux. En effet, en utilisant des macro-interrupteurs, la commande ne diffre pas de
celle dun convertisseur simple, en revanche en utilisant une structure plus complexe, le nombre de signaux diffrents grer augmente.
Dans ce travail, nous nous pencherons surtout sur les applications basse et
moyenne tension o la performance est privilgie. Les performances nous intressant plus particulirement sont le rendement du convertisseur et la qualit de
sa tension de sortie, celle-ci tant essentiellement exprime en terme de rsolution

I NTRODUCTION GNRALE

obtenue. Pour cela, nous nous intresserons aux convertisseurs multiniveaux asymtriques qui semblent adapts ce cahier des charges. Ces convertisseurs sont
constitus de cellules onduleurs connectes en srie. Lasymtrie est due aux rles
diffrents quoccupent les cellules dans le convertisseur. Les diffrentes tches sont
rparties entre diffrentes cellules, alors que les cellules des convertisseurs multiniveaux symtriques partagent les mmes fonctions. Les cellules haute tension des
convertisseurs multiniveaux asymtriques sont charges de convertir le gros de la
puissance, tandis que leurs cellules basse tension ont pour mission damliorer la
rsolution et deffectuer la modulation. La combinaison dinterrupteurs de proprits diffrentes permet damliorer la rsolution et (idalement) le rendement
du convertisseur.

Organisation des chapitres


Les diffrents thmes traits dans cette thse seront dvelopps de la manire
suivante :
Au chapitre 1, les principaux types donduleurs multiniveaux seront passs en revue. Leurs proprits seront analyses de manire dlimiter leurs
champs dapplications respectifs, pour aboutir lintrt des structures asymtriques.
Au chapitre 2, diffrentes classes dassociations donduleurs seront proposes et examines en dtails. Chaque classe prsentera des proprits spcifiques qui permettront de dterminer pour quelle utilisation elle est approprie. Laccent sera mis sur laptitude de certaines classes de configuration
prsenter une rsolution leve et/ou des pertes par commutation rduites.
Le chapitre 3 aura pour cadre plus gnral les modulations multiniveaux. Un
tat de lart des techniques de modulation et de leurs mthodes dvaluation
sera dress. Une technique de modulation adapte aux onduleurs prsentant
un grand nombre de niveaux ainsi quune mthode efficace dvaluation des
harmoniques seront dveloppes.
Au chapitre 4, les mthodes de commandes ddies aux configurations proposes dans le chapitre 2 seront exposes.
Le chapitre 5 aura pour thme lalimentation du convertisseur. Les topologies dalimentations et de convertisseurs permettant dobtenir un rendement
plus lev seront slectionnes. Les classes dassociations de cellules autorisant le rglage des flux dnergie et les mthodes de rglage associes seront
tablies. Diffrents types de structures seront compars.
Le chapitre 6 aura trait la vrification exprimentale. Le prototype et les
lments le composant seront dcrits. Plusieurs mesures valideront les rsultats les plus importants.

I NTRODUCTION GNRALE

Remarque sur les notations


Pour faciliter la comprhension des quations et dveloppements,
un glossaire et un index, placs la fin de ce mmoire en p. 309 et
p. 311, numrent les notations employes, avec pour chacune une
brve dfinition et un renvoi leur introduction.

C HAPITRE 1

Introduction aux onduleurs


multiniveaux asymtriques

Dans ce chapitre, nous dcrirons les principales topologies donduleurs multiniveaux. Nous dduirons leurs champs dapplications par une comparaison structurelle. Par une tude lie aux paramtres technologiques des interrupteurs, nous
caractriserons les pertes des principales structures en fonction de leur tension de
service et de leur frquence dopration et nous aboutirons sur lintrt des onduleurs multiniveaux asymtriques.

1.1
1.1.1

Principales topologies donduleurs multiniveaux


Onduleurs NPC

Cette structure donduleur multiniveau a t introduite par A. Nabae et H.


Akagi en 1981 dans [4]. Lobjectif tait de rduire lamplitude des harmoniques
injects par londuleur dans la charge pour des applications de type alimentation
de moteur.
1.1.1.1

Principes de base de la branche 3 niveaux

Dans sa version la plus simple, chaque branche de cet onduleur comporte 4


interrupteurs contrlables et 6 diodes, comme reprsent la Fig. 1.1. Ce montage
est aliment par une tension continue Ue entre les bornes V0 et V2 . Les 3 tats de
commutation possibles permettent de dlivrer 3 niveaux distincts et positifs entre
les bornes VS et V0 . Chaque branche comporte 2 tages constitus chacun de 2
interrupteurs de type transistor TjH et TjB avec des diodes antiparallles. Deux

1. I NTRODUCTION AUX ONDULEURS MULTINIVEAUX ASYMTRIQUES


V
2

U
e

2 H

1 H

1 H

H ,1

V
1

2 B

1 B

1 B

B ,1

R
s

e q

(a)

(b)

F IG . 1.1 : Schma dune branche donduleur NPC 3 niveaux : (a) sans rsistance
dquilibrage (b) avec rsistance dquilibrage

diodes supplmentaires D1H et D1B permettent de relier les tages intermdiaires


VH,1 et VB,1 au point milieu V1 .
Gnration des niveaux maximum et minimum
Lorsque les 2 tages sont commands simultanment de la mme manire, les
diodes D1H et D1B ne conduisent pas et ce montage fonctionne alors comme une
branche de pont 2 transistors gnrant les niveaux 0 et Ue entre VS et V0 .
Gnration du niveau intermdiaire
Lorsque T1H et T2B conduisent, et quen consquence T1B et T2H sont bloqus, la diode D1H lie le point milieu V1 aux noeuds VH,1 et VS pour les courants
sortants. La diode D1B lie le point milieu V1 aux noeuds VB,1 et VS pour les
courants rentrants. Cela revient lier le point milieu V1 avec la sortie VS , indpendamment du signe du courant et cela permet de gnrer un niveau intermdiaire
V1 = U2e entre V2 et V0 .
Existence dun niveau indfini
La commande complmentaire de ltat intermdiaire conduit lier la sortie
Vs au niveau V2 pour un courant rentrant et au niveau V0 pour un courant sortant.

1.1. Principales topologies donduleurs multiniveaux

Cet tat est donc indfini et par consquent interdit dans le fonctionnement normal
de londuleur. Les 3 tats de commutation possibles sont rsums au Tab. 1.1.
T2H
1
0

T1H
1
0

T2B
0
1

T1B
0
1

Us
Ue
0
Ue
2
indfini

TAB . 1.1 : Etats possibles de londuleur NPC 3 niveaux

Contraintes imposes aux interrupteurs


Lorsque T2H et T1H sont bloqus, le potentiel du point VH,1 est maintenu
une valeur plus haute ou gale celui du point milieu V1 . Rien nempche au
potentiel de VH,1 de monter plus haut que le potentiel du point milieu, ce qui
conduit au claquage du transistor T1H qui est dimensionn pour bloquer la demitension intermdiaire Ue . Il en va de mme pour T2B . Une rsistance place entre
VH,1 et VB,1 permet dassurer que la tension bloque se rpartisse entre les deux
interrupteurs. Le montage peut alors tre ralis laide de composants bloquant
la demi-tension dalimentation Ue .
1.1.1.2

Gnralisation de la structure

La structure de londuleur NPC a par la suite t tendue pour augmenter la


tension et le nombre de niveaux [5]. La Fig. 1.2 montre un schma possible de
branche donduleur NPC constitu de m tages. Les condensateurs C1 Cm permettent de diviser la tension dentre. Les interrupteurs T1,P Tm,P font circuler
les courants sortant conjointement avec les diodes D0,P Dm1,P , alors que les
interrupteurs T1,N Tm,N font circuler les courants entrant avec les diodes D1,N
Dm,N . Lensemble forme une cellule de commutation.
Rgles de commande
Pour gnrer le niveau Vk , les interrupteurs T1,P Tk,P et Tk+1,N Tm,N
doivent tre ferms. Partant du niveau Vk de lalimentation, les courant sortants circulent de la diode Dk,P aux transistors T1,P Tk,P vers la sortie VS . Au contraire,
les courants rentrants circulent de la sortie VS travers les transistors Tm,N
Tk,N , pour tre ensuite ramens vers le niveau de lalimentation Vk travers la
diode Dk,N . Lapplication de ces rgles conduit m + 1 tats possibles pour la

1. I NTRODUCTION AUX ONDULEURS MULTINIVEAUX ASYMTRIQUES


V

V
n

T
D

H ,m - 1

V
e

m -1 B

2 H

H ,2

H ,1

B ,2

B ,1

u
s

2 B

1 B

1 H

B ,m - 1

2 B

1 H

3 B

2 H

m B

3 H

m -1 H

n -1

m H

1 B

(a)

(b)

F IG . 1.2 : Schma dune branche donduleur NPC m tages : (a) schma fonctionnel
(b) schma avec les rsistances dquilibrage statique des transistors et avec des diodes
bloquant la mme tension.

commande. Ils permettent de gnrer m + 1 niveaux distincts comme rsum dans


le Tab. 1.2. Tous les autres tats sont indfinis et interdits.
Contraintes appliques aux interrupteurs
De par la prsence de la diode Dm1,P la tension aux bornes du transistor
Tm,P ne peut pas dpasser le pas de londuleur U = Vk+1 Vk . Elle peut
en revanche tre plus petite. Ainsi, la tension aux bornes du transistor Tmk,P
peut valoir de 0 (k + 1)U . La structure nassure pas que la tension bloque
se rpartisse galement aux bornes des interrupteurs bloqus. Il faut placer des
rsistances de manire assurer lquilibre statique des interrupteurs bloqus.
De plus, pour assurer le bon fonctionnement de londuleur, il faut assurer la stabilisation des tensions des condensateurs formant le pont diviseur dalimentation.
En fonctionnement normal, lorsque lquilibre est maintenu, chaque interrupteur
bloque la tension correspondant au pas U .
De ltude des contraintes appliques aux interrupteurs, il dcoule que les
diodes nont pas la mme tension de blocage. Lorsque le niveau Vm est gnr,
la diode Dj,P doit bloquer la tension (m j)U . Lorsque le niveau V0 est gnr, la diode Dj,N doit bloquer la tension jU . Londuleur NPC 3 niveaux na
quun niveau intermdiaire, de sorte que la tension de blocage est la mme pour

1.1. Principales topologies donduleurs multiniveaux

TmH
0
0
0
..
.
0
1

Tm1H
0
0
0
..
.
1
1

..
.

T3H
0
0
0
..
.
1
1

T2H
0
0
1
..
.
1
1

T1H
0
1
1
..
.
1
1

Us
0
U
2U
..
.
mU
(m + 1)U

TAB . 1.2 : Etats possibles de londuleur NPC m tages avec U =

Ue
m

toutes ses diodes. Dans les autres cas, il faut prvoir une mise en srie des diodes
et des dispositifs dquilibrage des tensions ltat bloqu. F.Z. Peng propose de
rgler ce problme par des liaisons supplmentaires entre les diodes, ce qui permet
dviter lajout de dispositifs dquilibrage pour les diodes [6].
Nombre de composants ncessaires
De ltude des contraintes, nous dduisons que le nombre de diodes crot avec
le carr du nombre dtages. Pour gnrer m + 1 niveaux, m tages sont ncessaires, il faut m sources de tension en srie, 2 m transistors et m2 + m diodes.
2 m diodes sont gnralement intgres aux transistors, ce qui rduit m2 m
le nombre de diodes additionnelles.
Charge des interrupteurs
Les rgles de commande et les contraintes permettent de dduire que, dans
tous les cas, le courant traverse m interrupteurs, diodes et transistors compris. Le
nombre de diodes crot beaucoup plus vite que le nombre dtages et de niveaux.
La charge en termes de courant de crte est la mme pour tous les composants ;
en revanche la charge en termes de courant nominal nest pas la mme pour tous
les interrupteurs. Elle est plus faible pour les diodes de liaison aux niveaux intermdiaires (clamping diodes). Chacun des groupes de diodes nest travers par le
courant que lorsque le niveau intermdiaire correspondant est gnr. Au contraire,
la charge des interrupteurs de type transistors ainsi que celle des diodes antiparallles est dautant plus leve que linterrupteur considr est plac proche de la
sortie.
Onduleur complet
Pour faire un convertisseur monophas bipolaire, il faut 2 branches partageant
les mmes sources de tension. Il en faut 3 pour un convertisseur triphas.

10

1. I NTRODUCTION AUX ONDULEURS MULTINIVEAUX ASYMTRIQUES

1.1.1.3

Proprits

Cette topologie permet la conversion multiniveau sans faire transiter la puissance par des convertisseurs DC-DC. Elle peut tre gnralise pour les applications polyphases en utilisant les mmes tensions dentre pour les diffrentes
phases. Cela permet une meilleure rpartition de la puissance. Pratiquement, cela
facilite lquilibrage des tensions intermdiaires, car seule la tension totale est
connecte une source active, tandis que les autres sources de tension sont rduites de simples condensateurs, qui ne peuvent pas fournir dnergie.
Le nombre de diodes crot avec le carr du nombre dtages et les interrupteurs
ne sont pas chargs de la mme manire. Comme il ny a pas de niveaux redondants, les dsquilibres des tensions intermdiaires ne peuvent tre compenss que
par une action sur le mode commun, ou par une distorsion des modes diffrentiels. Ce type de compensation est dautant plus dlicat pratiquer que le nombre
de tensions rgler est grand. Cette structure ne parait pas trs adapte pour la
gnration dun grand nombre de niveaux.

1.1.2

Onduleurs cellules imbriques

Cette structure a t introduite en 1992 par T. Meynard et H. Foch dans [7].


Elle est galement connue sous lappellation flying capacitors multilevel inverter
dans la littrature anglo-saxonne.
T

n H

C
e

n -1 H

m -1

2 H

m -2

1 H

U
T

n B

n -1 B

2 B

1 B

F IG . 1.3 : Schma dune branche donduleur multiniveau cellules imbriques

1.1.2.1

Principes de base

La Fig. 1.3 illustre le schma de principe en chelle dune branche donduleur


m cellules imbriques. Chaque paire dinterrupteurs situs sur la mme verticale
forme une cellule de commutation dont les interrupteurs sont commands de manire complmentaire. Toutes les combinaisons de signaux de commande respectant cette complmentarit sont autorises. Cet onduleur a donc 2m tats possibles

1.1. Principales topologies donduleurs multiniveaux

11

pour la commande. Dans son fonctionnement habituel, lorsque les tensions aux
bornes des condensateurs sont quilibres, la tension aux bornes du condensateur
Ck vaut :
k
Ue
(1.1)
UC,k =
m
Cela implique que chaque interrupteur doive bloquer une fraction de la tension
gale au pas de londuleur :
Ublocage = UC,k UC,k1 =

Ue
= U
m

(1.2)

Contraintes
La tension supporte par les condensateurs crot avec lindice de la cellule.
Cela entrane un accroissement de la diffrence de potentiel entre les interrupteurs
complmentaires de la cellule de commutation et de la distance entre ses interrupteurs. La dimension de la maille de commutation et la valeur de linductance de
fuite associe augmentent, entranant un accroissement des pertes par commutation. En consquence, les cellules de bas indice sont plus adaptes la commutation.
En prenant des composants identiques, le nombre de condensateurs supportant
une tension nominale gale au pas, crot avec le carr du nombre de cellules :
NC =

m2 m
2

(1.3)

Contrairement londuleur NPC, cette structure assure naturellement la rpartition statique de la tension bloque aux bornes des interrupteurs. En revanche, si
les condensateurs (haute tension) sont raliss par mise en srie de condensateurs
identiques, ils auront besoin dtre quilibrs.
Onduleur complet
Comme pour londuleur NPC, il faut 2 branches pour faire un onduleur monophas bipolaire et 3 pour raliser un onduleur triphas. Les bornes dentres
continues sont les mmes pour les diffrentes branches, mais la diffrence de
londuleur NPC, les condensateurs des cellules ne sont pas partags entre les diffrentes phases.
Niveaux gnrs
Cet onduleur est capable de gnrer m + 1 niveaux distincts. Il possde par
consquent 2m m1 tats de commutation conduisant des niveaux redondants.
Pour simplifier les explications, nous dirons quune cellule de commutation est
dans ltat bas lorsque linterrupteur du bas est passant, et quelle est dans ltat

12

1. I NTRODUCTION AUX ONDULEURS MULTINIVEAUX ASYMTRIQUES

haut dans le cas contraire. Une seule combinaison conduit au niveau 0 : toutes les
cellules dans ltat bas. Les m combinaisons possibles pour lesquelles une seule
cellule de commutation est dans ltat haut conduisent au niveau Ume . Les C2m
combinaisons pour lesquelles deux cellules de commutation sont dans ltat haut
e
conduisent au niveau 2U
m . Ainsi de suite, jusquau niveau Ue qui ne peut tre
obtenu que lorsque toutes les cellules sont dans ltat haut. Quelques exemples
dtats et des niveaux associs sont reprsents au Tab. 1.3
TmH
0
0
0
..
.
1
..
.
1
1

Tm1H
0
0
0
..
.
0
..
.
1
1

..
.

..
.

T3H
0
0
0
..
.
0
..
.
1
1

T2H
0
0
1
..
.
1
..
.
1
1

T1H
0
1
0
..
.
1
..
.
0
1

Us
0
U
U
..
.
3U
..
.
(m 1)U
mU

TAB . 1.3 : Etats possibles de londuleur cellules imbriques m cellules avec U =

1.1.2.2

Ue
m

Dimensionnement avec des interrupteurs de tensions de blocage diffrentes

Le dimensionnement dune structure cellules imbriques avec des interrupteurs bloquant des tensions diffrentes devrait permettre de diminuer le nombre
dtats gnrant des niveaux redondants et en mme temps daugmenter le nombre
de niveaux gnrables. Toutefois, le choix parmi lensemble des tats permettant
de gnrer un niveau donn est principalement dict par des soucis dquilibrage
des tensions dalimentation des cellules. Dans ce contexte, un tel dimensionnement
est difficilement envisageable parce quil diminue les possibilits dquilibrage.
Lquilibrage des puissances est par ailleurs un des soucis majeurs des onduleurs
multiniveaux asymtriques tudis dans cette thse.
1.1.2.3

Proprits

Comme londuleur NPC, cette topologie permet la conversion multiniveau sans


faire transiter la puissance par des convertisseurs DC-DC. En revanche la ralisation dun convertisseur polyphas passe par lemploi de convertisseurs indpen-

13

1.1. Principales topologies donduleurs multiniveaux

dants avec des sources de tension indpendantes, except pour la tension dentre
qui peut tre commune. Du point de vue du transit de puissance, ce convertisseur
polyphas se comporte donc comme plusieurs convertisseurs monophass indpendants. Il y a toutefois la possibilit dquilibrer un peu la puissance entre les
phases par la gestion de la composante homopolaire.
1.1.2.4

Extension - gnralisation : londuleur SMC

Le fait que le nombre de condensateurs croisse avec le carr du nombre de


cellules semble constituer un des principaux inconvnients des onduleurs cellules
imbriques.
Les onduleurs SMC (Stacked Multicell Converter) ont t introduits par Delmas et al. [8]. Ils sont issus dun mariage entre le NPC et les onduleurs cellules
imbriques. Lobjectif est de proposer une alternative ces derniers onduleurs avec
moins dnergie stocke dans les condensateurs en vue dune rduction de cot et
dencombrement. Cette structure est illustre la Fig. 1.4. Les onduleurs SMC
sont caractriss par leurs nombres de cellules et dtages (ou piles pour respecter
la terminologie anglo-saxonne). Un convertisseur avec un seul tage nest autre
quun convertisseur cellules imbriques tel que dcrit prcdemment.

U
e

u
s

F IG . 1.4 : Schma dune branche donduleur SMC 5 niveaux 2 cellules 2 tages

1.1.3

Onduleurs multiniveaux symtriques

La dnomination complte de cette topologie, introduite par Marchesoni et al.


en 1988 [9], devrait tre onduleur multiniveaux symtriques cellules en srie1 .
1 Le fait de spcifier que la structure est symtrique, cest--dire que lon utilise les cellules de la
mme manire implique quil sagit dune structure cellules en srie.

14

1. I NTRODUCTION AUX ONDULEURS MULTINIVEAUX ASYMTRIQUES

Ces onduleurs sont galement connus sous lappellation onduleurs multiniveaux


cascads (cascade multilevel inverter dans la littrature anglosaxonne). Cette
dnomination est imprcise, elle provient du fait que la structure na tout dabord
t employe quavec des cellules symtriques, de sorte que la prcision tait superflue. Cependant pour tre prcis, il faudrait maintenant parler donduleur multiniveaux cascads symtriques, lomission de ladjectif symtrique sous-entendant
quil peut sagir aussi bien dune configuration symtrique que dune configuration
asymtrique qui fait lobjet de cette thse.
1.1.3.1

Principes de base

Le principe assez naturel consiste connecter en srie des ponts en H, comme


illustr la Fig. 1.5.
En ne prenant en considration que les 3 niveaux distincts gnrs par chacune de ses cellules, un convertisseur compos de m ponts en H connects en
srie dispose de 3m tats de commutation distincts. Dans la plupart des cas, les
cellules sont quivalentes et il y a autant de manires de gnrer un niveau, quil
y a de permutations possibles des cellules, et de combinaisons distinctes de niveaux donduleur conduisant cette valeur2 . A titre dexemple, un convertisseur
compos de 4 cellules possde deux combinaisons de niveaux conduisant 2 :
us,1
+1
+1

us,2
+1
+1

us,3
0
+1

us,4
0
1

Us
+2
+2

Pour la premire combinaison, 6 permutations des cellules sont possibles, 4 pour


la deuxime, ce qui fait un total de 10 possibilits pour gnrer le niveau 2 sur un
total de 34 = 81 tats possibles. A priori, la commande doit permettre de rpartir
la puissance et les commutations de manire quivalente sur les cellules [10].
1.1.3.2

Alimentation des cellules

La principale difficult de cette topologie rside dans lalimentation des ponts


en H. Il faut autant dalimentations isoles les unes des autres quil y a de cellules.
Pour des applications ne ncessitant pas dapport de puissance active, on peut
se passer dalimentation et se contenter dlments stockeurs, comme des condensateurs. Cest par exemple le cas avec la compensation statique de ractif ou dharmoniques. Cette structure est trs avantageuse pour ce type dapplications, le seul
2 Pour comparaison, les cellules de commutation des onduleurs multiniveaux cellules imbriques
sont distingues les unes des autres par leur tension.

15

1.1. Principales topologies donduleurs multiniveaux

1 G H

U
T

1 G B

1 D H

2 G H

e ,1

1 D B

2 G B

2 D H

e ,2

2 D B

m D H

m D B

m G H

m G B

e ,m

u
s

F IG . 1.5 : Schma dune branche donduleur multiniveau cascad. Il faut m tensions


dentre isoles les unes des autres

inconvnient tant que les changes de puissance entre phases ne sont pas possibles, ce qui a pour effet daugmenter les fluctuations de tension (par rapport
une structure permettant ces changes).
Pour dautres applications, lorsque la rversibilit en puissance nest pas requise, on peut se contenter de raliser les sources de tension avec des redresseurs
diode. P.W. Hammond [11] (solution Rubicon) propose dalimenter les cellules
partir de redresseurs isols les uns des autres par des transformateurs triphass
frquence industrielle. De plus par le biais de groupes horaires, les harmoniques
injects par les redresseurs du ct du rseau sont limits. Cette structure peut simplement tre gnralise pour un grand nombre de niveaux. La tension disolation
entre les diffrentes cellules, leurs alimentations et leurs commandes doit tre celle
de la tension complte de londuleur, ce qui ne va pas sans poser des problmes de
ralisation.
Pour certaines applications, la rversibilit en puissance est ncessaire. Cela
peut tre le cas en traction, lorsquon veut faire de la rcupration au freinage. Dans
sa thse [10], N. Schibli propose dalimenter les cellules partir de convertisseurs
DC-DC isols les uns des autres par des transformateurs haute frquence.
1.1.3.3

Variante des onduleurs multiniveaux symtriques

Le problme de lisolation galvanique peut tre contourn en effectuant la mise


en srie travers un transformateur basse frquence. Pour cela, des onduleurs sont
mis en parallle du ct continu, leurs cts alternatifs allant sur des enroulements
primaires distincts dun transformateur basse frquence ( la frquence de fonctionnement de la charge). Les contributions des diffrentes cellules sont ajoutes
au niveau magntique du noyau du transformateur, le secondaire tant constitu

16

1. I NTRODUCTION AUX ONDULEURS MULTINIVEAUX ASYMTRIQUES

dun seul enroulement haute-tension par phase. Ce type de convertisseur a t ralis industriellement pour une puissance de 100 MVA [12, 13].
Dautres variantes utilisant des transformateurs basse frquence ou des enroulement de moteur pour additionner les tensions ont t tudies, parmi lesquelles
on trouve [14].

1.1.4

Onduleurs multiniveaux asymtriques

Ce type de structure est aussi appel juste titre onduleur hybride . Dans
cette topologie drive de la prcdente, le principe de mise en srie de cellules
de conversion est gnralis. Par degr dhybridation croissant, on distingue trois
types dassociations :
la mise en srie de pont en H aliments avec des tensions de diffrentes
valeurs [15, 16],
la mise en srie donduleurs de topologies diffrentes (par exemple un onduleur NPC triphas combin avec des ponts en H monophass,[17, 18]),
la mise en srie de cellules de conversion de topologie et de nature diffrentes (par exemple pont en H et amplificateur linaire [19])
Comme pour la mise en srie de ponts en H, la seule contrainte porte sur les alimentations des cellules qui doivent tre isoles les unes des autres.
Le concept peut tre attribu O.M. Mueller et J.N. Park qui ont publi le principe dans un article paru en 1994 [19]. Cet article portant sur une application assez
pointue rsume bien ce que lon peut attendre de ce type de structure. Le cahier des
charges tait dobtenir un convertisseur avec une tension de service, une rapidit,
un rendement et une rsolution levs dans une application de rsonance magntique. Le concepteur de cette solution assez astucieuse la dnomme amplificateur
quasi-linaire. Les convertisseurs associs sont :
une cellule onduleur de tension leve,
une cellule onduleur de tension trois fois plus faible,
une cellule amplificateur linaire avec une tension six fois plus faible.
Cette structure est illustre la Fig. 1.6. Les deux premires cellules de ce convertisseur permettent de gnrer 9 niveaux distincts. La dernire cellule permet de
corriger lerreur et dobtenir une tension quasi-continue, cest dire une rponse
quasi-linaire entre la tension la plus basse et la plus haute. Par rapport une solution avec amplificateur seul, les pertes sont fortement rduites, puisque lamplificateur linaire ne fait que corriger lerreur qui nest de lordre que dune fraction
de la tension dalimentation. Cette structure possde toutes les caractristiques
dun onduleur multiniveau asymtrique et en rsume bien lessence : des convertisseurs spcialiss sont combins de sorte que chacun remplit le rle pour lequel
il est le mieux adapt. Le concept est simple, sa mise en oeuvre est nettement plus

1.1. Principales topologies donduleurs multiniveaux

17

complexe, notamment pour que chacun des convertisseurs travaille de manire optimale.

e ,1

a m p lific a te u r
lin a ir e

e ,2

= 2 U

e ,1

o n d u le u r
3 n iv e a u x

e ,3

= 6 U

u s
te n s io n
q u a s i-c o n tin u e

e ,1

o n d u le u r
3 n iv e a u x
F IG . 1.6 : Schma de lamplificateur quasi-linaire propos par Mller.

1.1.4.1

Alimentation des onduleurs multiniveaux asymtriques

Tout comme pour les onduleurs multiniveaux symtriques, la principale difficult des onduleurs multiniveaux asymtriques rside dans la ralisation dune alimentation performante, les alimentations des cellules devant tre isoles les unes
des autres. Le problme est mme plus dlicat, car il peut y avoir une circulation
de puissance entre les cellules. Ce problme sera tudi en dtail au chapitre 5.
1.1.4.2

Variantes donduleurs multiniveaux asymtriques

Pour rduire le nombre dalimentations ncessaires, dans le cadre dapplications de type alimentation de moteur, K.A. Corzine propose dutiliser un moteur
dont les bornes des phases sont accessibles [20, 21]. De cette manire, si les bobinages des phases ne sont pas relis entre eux, par exemple par un couplage toile, il
est possible dalimenter le moteur avec deux onduleurs triphass connects chacun
dun ct des enroulements, comme illustr la Fig. 1.7. Les deux convertisseurs
fournissent chacun une part de la tension du moteur. Ce type de connexion permet
de limiter le nombre dalimentations isoles deux, alors que la mise en srie de

18

1. I NTRODUCTION AUX ONDULEURS MULTINIVEAUX ASYMTRIQUES

cellules en sortie dun convertisseur triphas en ncessite 4. Cela ne change pas


la puissance moyenne fournie la charge, mais cela permet de limiter un peu la
circulation de puissance entre les alimentations des diffrentes phases. De manire
tout fait similaire ce qui est fait dans cette tude, X. Kou constate quil est possible dutiliser un rapport 4 entre les tensions dalimentation de ces deux onduleurs
triphass [22].

e ,1

o n d u le u r

m o te u r

e ,2

o n d u le u r

F IG . 1.7 : Schma de la structure asymtrique propose par K.A. Corzine. X. Kou propose
dutiliser Ue,2 = 4 Ue,1 .

1.1.5

Proprits des principales structures

1.1.5.1

Classification des topologies selon leur alimentation

Les topologies telles que les onduleurs NPC et les onduleurs cellules imbriques divisent leur tension dalimentation : la tension de sortie est plus petite ou
gale la tension continue dentre. Elles sont capables de fonctionner partir
dune alimentation continue unique.
Au contraire, les structures telles que les onduleurs cellules en srie lvent
leur tension dalimentation : la tension de sortie maximale est plus grande que chacune des tension dalimentation ; elle est plus petite ou gale la somme des tensions dalimentation. Contrairement aux autres topologies, les alimentations des
cellules ne peuvent pas tre obtenues partir dune alimentation continue unique
sans mettre en place des convertisseurs additionnels. Dans la plupart des cas, il
faut recourir des transformateurs pour obtenir les alimentations ncessaires. Le
couplage parallle des transformateurs du ct alimentation et laddition des
tensions ct charge conduit une lvation de la tension.
1.1.5.2

Nombres de composants ncessaires

A laide des tableaux suivants, nous comparons le nombre de composants ncessaires pour raliser une branche donduleur, de tension de service et de nombre
de niveaux donn, avec les 3 principales topologies donduleurs multiniveaux. Les
composants sont supposs de taille identique. Tous les onduleurs sont supposs

19

1.1. Principales topologies donduleurs multiniveaux

aliments par une source de tension continue, les condensateurs intermdiaires ne


sont donc pas comptabiliss pour les onduleurs en pont et pour les onduleurs
cellules imbriques. Les condensateurs se trouvant ltage intermdiaire des onduleurs NPC sont partags par les diffrentes phases, leur nombre est donc divis
par le nombre de branches. Londuleur en pont est ajout la liste comme base de
comparaison : m transistors sont mis en srie pour former les macro-interrupteurs
utiliss. Pour le cas le plus simple permettant dobtenir 3 niveaux par branche,
nous obtenons :
topologie
NPC
cellules imbriques
cascade
pont simple

m
2
2
2
2

T
4
4
4
4

D
6
4
4
4

m
4
4
4
4

T
8
8
8
8

D
20
8
8
8

m
6
6
6
6

T
12
12
12
12

D
56
12
12
12

2
b

1
1
0

n
3
3
3
2

NE
3
4
3
2

n
5
5
5
2

NE
5
16
9
2

n
7
7
7
2

NE
7
64
27
2

5 niveaux :
topologie
NPC
cellules imbriques
cascade
pont simple

4
b

3
2
0

7 niveaux :
topologie
NPC
cellules imbriques
cascade
pont simple

6
b

6
3
0

m + 1 niveaux :
topologie
NPC
cellules imbriques
cascade
pont simple

m
m
m
m
m

T
2m
2m
2m
2m

D
m +m
2m
2m
2m
2

C
2m
b
m2 m
2

m
0

n
m+1
m+1
m+1
2

avec :
m : le nombre dtages ou de cellules,
b : le nombre de branches, 2 en monophass, 3 en triphas,
T : le nombre de transistors,
D : le nombre de diodes,

NE
m+1
2m
m
32
2

20

1. I NTRODUCTION AUX ONDULEURS MULTINIVEAUX ASYMTRIQUES

C : le nombre de condensateurs,
n : nombre de niveaux obtenus,
NE : nombre dtats de commutation,
Du point de vue du nombre de composants, les onduleurs cellules cascades
paraissent tre la solution multiniveau la plus avantageuse, surtout lorsque le nombre de niveaux devient important. Cest effectivement le cas pour les applications
monophases telles que le filtrage actif ou la compensation statique, lorsque le
convertisseur na pas besoin de fournir dnergie au systme. Pour les applications
triphases et pour un petit nombre de niveaux, les onduleurs NPC sont intressants,
car les condensateurs sont partags par les diffrentes branches, ce qui permet un
quilibrage de la puissance circulant entre les phases. Cet quilibrage permet une
rduction notable de la taille des condensateurs intermdiaires.
Lorsque le convertisseur doit changer de lnergie entre une source continue et une source alternative, il faut munir le convertisseur cellules en cascade
dautant dalimentations isoles les unes des autres quil y a de cellules. Pour une
solution non-rversible en puissance, cela signifie lajout de m/2 transformateurs
triphass frquence du rseau et autant de redresseurs, soit approximativement
4m diodes3 . Le tableau comparatif est alors modifi comme suit :
topologie
NPC
cell. imbr.
cascade
pont simple

m
m
m
m
m

T
2m
2m
2m
2m

D
m +m
2m
4m
2m
2

C
2m
b
m2 m
2

m
0

n
m+1
m+1
m+1
2

NE
m+1
2m
m
32
2

autres comp.

m
2 transfo b.f.

Le convertisseur rversible en puissance ncessaire lalimentation des cellules


de londuleur cascad requiert m/2 transformateurs moyenne ou haute frquence4
et m/2 convertisseurs AC-DC soit 4m transistors et 4m diodes. Le nombre de
composants actifs est tripl. Le tableau comparatif est modifi comme suit :
topologie
NPC
cell. imbr.
cascade
pont simple
3 La
4 Ou

5.

m
m
m
m
m

T
2m
2m
6m
2m

D
m +m
2m
6m
2m
2

C
2m
m2 m
2

m
0

n
m+1
m+1
m+1
2

NE
m+1
2m
m
32
2

autres comp.

m
2 transfo h.f.

charge des 6 diodes est quivalente celle des 4 transistors.


ventuellement un seul avec de multiples enroulements, comme il sera trait dans le chapitre

1.2. Intrt des onduleurs multiniveaux asymtriques

21

Cette premire comparaison base sur le nombre de composants permet de tirer


quelques conclusions et de sparer les champs dapplications de ces diffrents
convertisseurs.
Les onduleurs NPC sont intressants pour les applications triphases ncessitant peu de niveaux. Lnergie stocke ltage intermdiaire peut tre rduite.
Les structures permettant une conversion directe, telles que NPC et cellules imbriques, sont avantageuses pour les applications avec change de puissance active,
lorsquune isolation galvanique nest pas ncessaire entre les sources changeant
de la puissance.
Les onduleurs cellules en cascade sont trs avantageux pour les applications
monophases sans apport de puissance active. Ils conviennent mme pour les trs
grandes tensions. Ce sont galement des structures privilgier pour les applications o il faut mettre en place une isolation galvanique laide de transformateur
moyenne ou haute frquence.

1.2

Des caractristiques des semi-conducteurs lintrt des onduleurs multiniveaux asymtriques

Au 1.1.4, nous avons montr lintrt des onduleurs multiniveaux asymtriques pour des applications spcifiques. Pour atteindre la tension la plus leve possible avec un nombre minimum de cellules, il faut construire un onduleur
constitu de cellules identiques utilisant des interrupteurs de tension de blocage la
plus leve possible. Comme nous le verrons au chapitre 2, les onduleurs multiniveaux asymtriques permettent dobtenir le plus grand nombre de niveaux avec
le plus petit nombre de cellules. Cependant, le mme nombre de niveaux peut tre
obtenu en employant des cellules identiques la plus petite des cellules. Prenant
en considration le fait que la tension des interrupteurs des cellules de tension plus
leve est plus grande dans le cas de la structure asymtrique, cette dernire utilise finalement la mme quantit de semi-conducteurs. Il parat difficile de justifier
lemploi dun onduleur multiniveau asymtrique par simple examen des proprits de sa structure. Il nous faut nous pencher sur les paramtres technologiques
des interrupteurs afin de comprendre le possible intrt dun tel convertisseur en
lectronique de puissance.
Dfinition de la tension de service
Dans cette partie, les pertes seront exprimes en fonction de la tension de service dun onduleur, note Uservice , du courant redress
moyen et de la frquence de pulsation. La tension de service est
une grandeur qui permet de dterminer la puissance quun ondu-

22

1. I NTRODUCTION AUX ONDULEURS MULTINIVEAUX ASYMTRIQUES

leur est capable de dlivrer une charge alternative. La tension


de service dune branche donduleur vaut la demi-tension intermdiaire, comme illustr la Fig. 1.8(a). Celle dun pont en H est gale
la tension intermdiaire, comme illustr la Fig. 1.8(b). Dune
manire gnrale, la tension de service dun onduleur est dfinie
comme la plus grande tension efficace (alternative sans composante
continue) que londuleur est capable de gnrer, cest--dire la valeur efficace de la tension rectangulaire quil est capable de gnrer. Lutilisation de cette dfinition est commode pour comparer des
structures diffrentes. Elle permet de calculer le rendement dune
structure en connaissant le facteur de forme de la tension (rapport
la tension de service) et le facteur de puissance.

Dfinition de la frquence de pulsation


Cest la frquence apparente de pulsation vue de la charge. Pour
un signal deux niveaux, cest la frquence dapparition des impulsions qui le composent, comme illustr la Fig. 1.8(a). Dune
manire plus gnrale, cest la frquence de deux transitions successives entre deux niveaux adjacentsa , Fig. 1.8(b). Cette frquence
est note fp .
a Nous pourrions plus simplement utiliser la frquence de transition entre deux niveaux adjacents. Cette dernire frquence qui correspond la frquence dapparition
des trames lmentaires telle que nous la dfinirons plus loin au chapitre 3 est deux
fois plus leve que la frquence de pulsation. Nous avons choisi cette dfinition de la
frquence de pulsation parce quelle correspond la dfinition usuelle de frquence
de pulsation pour un onduleur 2 niveaux.

1 /fp
U

s e r v ic e

U
e

1 /fp

(a) branche donduleur

(b) pont monophas

F IG . 1.8 : Grandeurs dfinissant les pertes

s e r v ic e

1.2. Intrt des onduleurs multiniveaux asymtriques

1.2.1

23

Caractrisation des pertes des interrupteurs usuels

Les deux types de pertes des semi-conducteurs de puissance sont :


les pertes par conduction,
les pertes par commutation.
Laissons de ct les interrupteurs de type MOSFET5 , et penchons-nous sur les
interrupteurs IGBT, GTO et IGCT. Leurs pertes par conduction sont similaires
celles des diodes. La caractristique de la chute de tension ltat passant en
fonction du courant prsente un seuil puis une faible pente dnomme rsistance
dynamique : en premire approximation nous considrons cette chute de tension
constante pour un interrupteur donn. Avec les techniques actuelles, la tension de
seuil augmente avec la capacit de linterrupteur bloquer des tensions plus leves. Elle augmente cependant moins vite que la tension de blocage, comme nous
pourrons le vrifier plus loin. Le phnomne de commutation peut tre considr
comme tant dune dure ne dpendant que faiblement de la valeur du courant6 .
Le temps de commutation a galement tendance augmenter avec la capacit de
blocage de linterrupteur. En faisant lhypothse que la chute de tension ltat
passant et le temps de commutation ne dpendent pas du courant, nous pouvons
caractriser les pertes pour une cellule de commutation constitue dun IGBT et
dune diode.

c r

F IG . 1.9 : Schma de la cellule de commutation tudie

La caractristique en conduction tant de type seuil, seule la composante continue contribue aux pertes. En supposant que les caractristique statiques soient les
mmes pour lIGBT et la diode, les pertes par conduction de la cellule de commutation slvent en moyenne :
Pcond = Vce,sat I cr

(1.4)

avec I cr , la valeur moyenne du courant de la charge redress, Vce,sat , la chute de


tension ltat passant.
5 Ces interrupteurs se comportent diffremment et sont plus difficiles caractriser partir des
donnes fournies.
6 Daprs les donnes constructeur.

24

1. I NTRODUCTION AUX ONDULEURS MULTINIVEAUX ASYMTRIQUES

De la mme manire, les pertes par commutation moyennes dpendent de la


valeur moyenne du courant de la charge redress. Pour un enclenchement et un
dclenchement de lIGBT, cest--dire pour une priode de pulsation, les pertes
par commutation de la cellule valent en moyenne :
Pcommut = 2 Ue I cr fp Tcommut

(1.5)

avec Tcommut , le temps pendant lequel il faut appliquer la tension de service et


le courant commut pour obtenir la perte moyenne entre un enclenchement et un
dclenchement de lIGBT, et fp , la frquence de pulsation. Tcommut peut tre calcul de la manire suivante partir des nergies de commutation fournies par les
constructeurs :


Eon,IGBT + Eoff,IGBT + Eoff,diode J
Tcommut [s] =
(1.6)
2 Unom Inom
VA
avec Unom et Inom la tension et le courant que linterrupteur est capable de commuter.
Additionnant (1.4) et (1.5), nous obtenons les pertes totales :
Ppertes = Pcond + Pcommut = Vce,sat I cr + 2 Ue I cr fp Tcommut

(1.7)

Les pertes sexpriment en fonction de la moyenne du courant redress de la charge


alors que la puissance sexprime en fonction du courant efficace de la charge. La
relation entre ces deux courants peut tre caractrise par le facteur de forme :
cr,eff =

I cr
Ieff

cr,eff 1

(1.8)

Ce facteur est petit pour les courants contenant beaucoup dharmoniques ; il est au
contraire proche de lunit pour les courants qui ne sont pas daspect impulsionnel.
Exprimes en fonction de la tension de service au lieu de la tension dalimentation, les pertes par commutation valent :
Pcommut = 4 Uservice I cr fp Tcommut

(1.9)

En valeurs relatives, il vient :


pcond = vce,sat icr
pcommut = 4 icr fp Tcommut
ppertes = vce,sat icr + 4 icr fp Tcommut

(1.10)
(1.11)
(1.12)

1.2. Intrt des onduleurs multiniveaux asymtriques

25

avec les grandeurs caractristiques, la chute de tension rapporte la tension de


service :
vce,sat =

Vce,sat
Uservice

(1.13)

Les pertes dpendent galement du courant moyen redress rapport au courant


nominal :
Ieff
Inom
I cr
icr =
= cr,eff ieff
Inom

ieff =

(1.14)
(1.15)

En grandeur relative, elles sont rapportes la puissance que linterrupteur est


capable de commuter :
Pservice
Pcond
Pcommut
Ppertes

= Uservice Inom
= pcond Pservice
= pcommut Pservice
= ppertes Pservice

(1.16)
(1.17)
(1.18)
(1.19)

La puissance dlivre la charge sexprime en fonction des valeurs efficaces et du


facteur de puissance :
pcharge = ueff ieff

(1.20)

Le rendement du montage est obtenu par le quotient des puissances de sortie et


dentre du convertisseur :
=

ueff ieff
ueff ieff + cr,eff ppertes

(1.21)

avec ueff et ieff la tension et le courant dlivrs par le convertisseur la charge et


le facteur de puissance. Le courant apparaissant comme facteur au numrateur
et au dnominateur de lexpression du rendement, cette dernire se simplifie7 :
=

ueff + cr,eff

ueff
vce,sat + 2 cr,eff fp Tcommut

(1.22)

7 Cest lapproximation de la chute de tension dans les semi-conducteurs par un seuil qui supprime
la dpendance du courant. Le courant influence faiblement les pertes par conduction par lintermdiaire de la rsistance dynamique du semi-conducteur ltat passant. Les pertes par commutation sont
galement influences. Toutefois, lerreur nest sensible quen dehors du domaine de fonctionnement
concern par cette tude.

26

1. I NTRODUCTION AUX ONDULEURS MULTINIVEAUX ASYMTRIQUES

Ublocage
[V ]
Semikron module
600
IGBT
1200
1700
ABB
module
1700
IGBT
2500
3300
Dynex branche
1200
IGBT
1200
1700
1700
3300
fabricant

type

Inom Vce,sat
[A]
[V ]
30
1.8
22
2.5
200
3.3
1800 2.45
1200
2.8
1200 3.45
100
2.4
100
1.85
100
3.05
100
2.15
100
3.9

Vce,sat
Uservice

[%]
0.6
0.42
0.37
0.27
0.22
0.19
0.40
0.31
0.34
0.24
0.22

Eon+off Tcommut
[mJ]
[ns]
2.65
167
6.10
270
194
539
1730
534
2885
962
4485
1038
36
300
29
242
84
467
76
421
353
979

TAB . 1.4 : Pertes de diffrents composants extraites des donnes constructeurs

Le rendement est dautant plus faible que la tension efficace applique la charge
et le facteur de puissance diminuent. Sachant cela, plutt que de calculer le rendement qui ncessite la connaissance de ces paramtres, nous caractriserons et
comparerons nos structures travers leurs pertes :
ppertes = vce,sat + 2 fp Tcommut

(1.23)

En calculant ces deux grandeurs caractristiques extraites partir des paramtres


donns par des fabricants, dont un chantillon est reprsent dans le Tab. 1.4,
nous pouvons vrifier quelles ne dpendent que peu du courant nominal du semiconducteur, mais plutt de la tension de service. La Fig. 1.10 reprsente ces paramtres en fonction de la tension de service pour un ensemble de semi-conducteurs
slectionns. Ces paramtres sont disperss mais des tendances sont bien marques
par les fonctions obtenues par mthode des moindres carrs. Le temps de commutation augmente presque linairement avec la capacit de blocage. Les pertes par
conduction augmentent en valeur absolue, mais moins vite que la capacit de blocage, ce qui montre une tendance la diminution en valeur relative. Nous avons
donc deux tendances opposes du point de vue des pertes. Un interrupteur haute
tension prsente une caractristique intressante pour avoir de faibles pertes par
conduction, en revanche, il aura de plus fortes pertes par commutation.
Au del dune certaine frquence de commutation, les pertes par commutation deviennent prpondrantes, il est alors plus avantageux dutiliser des interrupteurs de plus faible tension de blocage pour obtenir des pertes plus faibles. Cette

27

1.2. Intrt des onduleurs multiniveaux asymtriques

[s]
commut

vce,sat [%]

1.5

0.5
0
0

1000

2000
3000
Uservice [V]

4000

F IG . 1.10 : Caractristiques des principaux semi-conducteurs en fonction de leur tension


de service : temps quivalent aux pertes par commutation et chute de tension rapporte la
tension de service. Temps de commutation en [s] : IGBT (), IGCT (+), GTO (). Chutes
de tension ltat passant en [%] : IGBT (4), IGCT (), GTO ().

frquence peut cependant tre leve. Une des ides cls motivant lutilisation
donduleurs hybrides consiste combiner un interrupteur performant en commutation avec un autre performant en conduction, lobjectif tant dessayer dobtenir
une structure avec un rendement globalement plus lev pour une frquence de
pulsation intermdiaire. Lobtention dune structure plus performante est possible
comme nous allons le montrer dans la suite en comparant les pertes de plusieurs
structures, mais cela implique de nombreuses techniques qui seront dveloppes
dans cette thse.

1.2.2

Expressions des pertes en fonction de la structure

A lchelle de la commutation, et pour le calcul des pertes, nous pouvons considrer les onduleurs multiniveaux tudis comme une combinaison de cellules lmentaires dont les pertes ont t calcules prcdemment.
Pour pouvoir effectuer les calculs sans avoir prendre en considration toutes
les associations possibles de semi-conducteurs, nous supposons que tous les semiconducteurs suivent les caractristiques reprsentes la Fig. 1.108 . A partir des
pertes en valeurs relatives pour une cellule de commutation lmentaire, nous pouvons tablir lexpression des pertes pour diffrentes structures.
8 Nous garderons lesprit que les rsultats sont dautant moins fiables que les interrupteurs choisis
sont loigns de ces caractristiques.

28
1.2.2.1

1. I NTRODUCTION AUX ONDULEURS MULTINIVEAUX ASYMTRIQUES

Pertes dun pont monophas

Pour un pont complet monophas, le courant traverse toujours 2 interrupteurs


et les pertes sont donnes par les expressions :
pcond = 2 vce,sat icr
pcommut = 2 fp Tcommut icr
1.2.2.2

(1.24)
(1.25)

Pertes dun pont triphas

Pour un pont triphas, chacun des courants ne traverse quun seul interrupteur,
cependant la tension de service est galement deux fois moindre pour une mme
tension intermdiaire. Ainsi, les pertes par conduction ne changent pas en grandeurs relatives. A linverse, la tension commute est deux fois plus leve pour
une mme tension de service, les pertes par commutation sont donc 2 fois plus
importantes en grandeurs relatives :
pcond = 2 vce,sat icr
pcommut = 4 fp Tcommut icr
1.2.2.3

(1.26)
(1.27)

Pertes dun onduleur multiniveau monophas

Dans un convertisseur multiniveau monophas9 constitu de m/2 cellules par


branche, cest--dire m cellules au total, 2 m semi-conducteurs sont traverss
par le courant. Les pertes par conduction sont gales la valeur des pertes de linterrupteur considr multiplie par le nombre dinterrupteurs traverss. La tension
de service augmentant du mme facteur, les pertes ne changent pas en valeurs relatives. En principe, une seule cellule est commute la fois, de sorte que les pertes
par commutation correspondent celles dun seul interrupteur qui ne doit bloquer
quune fraction de la tension de service :
pcond = 2 vce,sat icr
2
pcommut =
fp Tcommut icr
m
1.2.2.4

(1.28)
(1.29)

Pertes dun onduleur multiniveau triphas

Pour un convertisseur multiniveau triphas m/2 cellules par branche, la tension de service est deux fois plus faible. Le nombre dinterrupteurs traverss est
9 il peut sagir aussi bien donduleurs cellules en srie que dun onduleur NPC ou dun onduleur
cellules imbriques.

1.2. Intrt des onduleurs multiniveaux asymtriques

29

galement 2 fois plus faible, les pertes par conduction ne changent donc pas. La
tension intermdiaire est la mme, de sorte que les pertes par commutation sont
deux fois plus leves10 :
pcond = 2 vce,sat icr
4
pcommut =
fp Tcommut icr
m
1.2.2.5

(1.30)
(1.31)

Pertes dun onduleur en fonction de son nombre de niveaux

Le nombre de niveaux vaut :


n = 2m + 1 pour un onduleur monophas,
n = m + 1 pour un onduleur triphas11 .
Observons qu nombre de niveaux gaux, la tension de service et les pertes sont
les mmes pour les onduleurs monophass et triphass. Il nest pas ncessaire de
faire la distinction entre les deux. Ainsi, les pertes peuvent sexprimer plus simplement en fonction du nombre de niveaux :
pcond = 2 vce,sat icr
2
pcommut =
fp Tcommut icr
n1
1.2.2.6

(1.32)
(1.33)

Pertes dun onduleur multiniveau asymtrique

Pour un convertisseur multiniveau asymtrique, m cellules onduleurs de caractristiques pouvant tre diffrentes sont connectes en srie. En valeurs relatives,
les pertes par conduction sont gales la somme des pertes pondres par la part
de la tension de service bloque par chacun des interrupteurs :
X
(1.34)
pcond = 2
(nk 1) uk vce,sat,k icr
k

avec uk le pas de la cellule k rapport lamplitude de londuleur, nk son nombre de niveaux, gnralement 2 ou 3. Le pas uk sobtient partir des niveaux de
la cellule {Vk,1 , Vk,2 , . . . , Vk,n } et des niveaux de londuleur {V1 , V2 , . . . , Vn } :
uk =
10 La

Vk,i Vk,i1
Vn V1

(1.35)

diffrence est la mme entre le pont monophas simple est le pont triphas simple.
londuleur monophas, le nombre de niveaux est pris entre les bornes du convertisseur ; pour
londuleur triphas, il sagit du nombre de niveaux de la tension de branche.
11 Pour

30

1. I NTRODUCTION AUX ONDULEURS MULTINIVEAUX ASYMTRIQUES

Les commutations sont idalement rparties entre les cellules les plus adaptes, de
sorte que seule une fraction de la tension de service est commute :
pcommut = 2 u1 fp Tcommut,k icr

(1.36)

avec u1 le pas de la cellule de plus petite tension.


En ralit, les autres cellules de tensions plus leves commutent galement.
Pour tre prcis, il faut prendre en considration les pertes lies ces commutations. Pour cela, nous ajoutons une contribution des autres cellules aux pertes par
commutation donnes par lexpression (1.36) :
X
(1.37)
pcommut = 2
uk fp,k Tcommut,k icr
k

avec fp,k , la frquence de pulsation de la cellule k.


Lexpression (1.37) convient bien lorsque la frquence de commutation des
cellules haute tension est lie la frquence du signal de rfrence. Dans les autres
cas, lorsquelle est lie la frquence de pulsation apparente du convertisseur, nous
prfrons introduire un taux de commutation pour chaque cellule :
X
pcommut = 2
uk commut,k fp Tcommut,k icr
(1.38)
k

avec commut,k le taux de commutation de la cellule k qui est calcul partir de la


frquence de pulsation apparente : fp,k = commut,k fp . La somme des taux de
commutation des cellules les plus adaptes la commutation vaut idalement 1 ;
les taux de commutation des autres cellules valent entre 0 et 1 et sont idalement
proches de 0.

1.2.3

Comparaison des pertes

1.2.3.1

Caractrisation des tendances des pertes

Des proprits des interrupteurs reprsentes la Fig. 1.10, il ressort que les
pertes par conduction sont plus leves en connectant en srie des interrupteurs
de plus petit calibre. Au contraire, les pertes par commutation sont plus faibles,
dune part par la structure, parce que seule une fraction de la tension de service est
bloque, et dautre part par la caractristique des interrupteurs, parce que leur plus
petit calibre conduit un temps de commutation plus faible.
Les structures les plus simples prsentent les plus faibles pertes par conduction,
comme illustr la Fig. 1.11(a), tandis que les structures multiniveaux ont de plus
faibles pertes par commutation, comme illustr la Fig. 1.11(b).

31

0.8

0.6

6
ecommut [ s]

vce,sat [%]

1.2. Intrt des onduleurs multiniveaux asymtriques

0.4
0.2
0
0

4
2

2000

4000
Uservice [V]

6000

(a) pertes par conduction

8000

0
0

2000

4000
Uservice [V]

6000

8000

(b) temps de commutation

F IG . 1.11 : Comparaison de la chute de tension en valeur relative et des temps de commutation pour diffrentes topologies : pont monophas (), pont triphas (), onduleur
multiniveau symtrique 2 cellules (), onduleur multiniveau asymtrique ().

A basse frquence de commutation, il est donc plus avantageux du point de


vue du rendement nergtique dutiliser un convertisseur conventionnel avec des
interrupteurs utiliss au plus prs de leur capacit de blocage. Pass une certaine
frquence de pulsation, les pertes par commutation sont prdominantes, et il est
plus avantageux dutiliser plusieurs interrupteurs de plus petit calibre au sein dun
onduleur multiniveau.
1.2.3.2

Choix de la structure en fonction de la la tension de service et de la


frquence de pulsation

Le choix de la structure dpend aussi bien de la tension de service que de


la frquence de pulsation. Nous calculons ici les pertes de diffrentes structures,
lorsquelles sont commandes en modulation (MLI), ce qui signifie que les pertes
sont proportionnelles au courant moyen redress12 . Nous reprsentons les pertes
totales en fonction de la tension de service pour diffrentes topologies sur un mme
graphe la Fig. 1.12 : nous choisissons la tension de service du convertisseur
sur laxe horizontal, ce qui nous permet de choisir la structure la plus adapte en
fonction de la frquence de pulsation (qui varie entre les diffrents graphes).
A basse frquence et basse tension, les structures les plus intressantes sont
les plus simples, cest dire les ponts en H monophas et triphas. Ds que la
tension ou la frquence monte, les structures multiniveaux sont plus performantes.
12 Bien

quils soient similaires en mode de commande rectangulaire, les rsultats peuvent fortement
varier par rapport la commande en modulation (MLI), car la valeur des pertes par commutation dpend
de la valeur du courant lors des commutations. La dtermination des pertes impose une connaissance
de la charge et de la commande que nous ne souhaitons pas aborder ici par souci de simplicit.

32

0.01

0.01

0.008

0.008
ppertes [p.u.]

ppertes [p.u.]

1. I NTRODUCTION AUX ONDULEURS MULTINIVEAUX ASYMTRIQUES

0.006
0.004
0.002
0
0

0.006
0.004
0.002

2000

4000
Uservice [V]

0
0

6000

0.1

0.04

0.08

0.03
0.02
0.01
0
0

4000
Uservice [V]

6000

(b) 1.5 kHz

0.05

ppertes [p.u.]

ppertes [p.u.]

(a) 500 Hz

2000

0.06
0.04
0.02

2000

4000
Uservice [V]

(c) 5 kHz

6000

0
0

2000

4000
Uservice [V]

6000

(d) 15 kHz

F IG . 1.12 : Comparaison des pertes pour diffrentes topologies et frquences de commutation : pont triphas (), pont monophas et onduleurs 3 niveaux triphas (), onduleurs 5
niveaux (), onduleurs multiniveaux asymtriques 9 niveaux avec un rapport de 3 entre les
tensions dalimentation ().

La structure asymtrique prsente clairement un intrt ds que la frquence de


pulsation augmente. En revanche, la contrainte demployer des interrupteurs de
tension de service diffrentes restreint son domaine dapplication en tension.
1.2.3.3

Choix du nombre de cellules dun onduleur multiniveau symtrique

Ayant tabli que les onduleurs multiniveaux sont plus avantageux que les structures conventionnelles ds que la frquence de commutation ou la tension de service augmente, nous analysons plus en dtail le cas des onduleurs multiniveaux symtriques. A la Fig. 1.13, nous tudions linfluence du nombre de cellules. De nouveau, lorsque la frquence de commutation ou la tension de service augmentent,
il est plus avantageux dutiliser davantage de cellules. A basse tension le choix

1.2. Intrt des onduleurs multiniveaux asymtriques

33

dun plus petit nombre de cellules simpose13 sous peine de mal utiliser les semiconducteurs en conduction et de voir ces pertes augmenter en valeur relative. A
haute tension, labsence de semi-conducteurs adquats impose le passage une
structure multiniveau14 .
0.01

0.02
0.015
ppertes [p.u.]

ppertes [p.u.]

0.008
0.006
0.004

0.005

0.002
0
0

0.01

5000
10000
Uservice [V]

500 Hz

0
0

5000
10000
Uservice [V]

5 kHz

F IG . 1.13 : Comparaison des pertes pour un onduleur multiniveau symtrique en fonction


du nombre de cellules et de la frquence de commutation : 1 cellule (), 2 cellules (), 3
cellules (), 4 cellules ().

1.2.3.4

Onduleur multiniveau asymtrique : choix du rapport entre les tensions

De la Fig. 1.12, il est clairement ressorti que les onduleurs multiniveaux asymtriques prsentent un intrt ds que la frquence de commutation augmente.
Nous tudions maintenant linfluence du rapport entre les tensions des cellules
combines sur les pertes la Fig. 1.14. Les plus grand rapports sont favorables
lobtention dun meilleur rendement, car ils permettent de combiner les composants les plus adapts la commutation avec les plus adapts la conduction.
1.2.3.5

Onduleur multiniveau asymtrique : influence des taux de commutation

Pour autant que lon parvienne saffranchir dun certain nombre de problmes qui ont t ngligs la Fig. 1.12, londuleur multiniveau asymtrique
prsentera un rendement lev. Parmi ces problmes, figure celui des commutations simultanes qui sera tudi en dtail au 2.1.4. Nous vrifions la Fig. 1.15
13 On peut galement envisager lemploi de technologies adaptes aux basses tensions comme les
MOSFETs.
14 Il est galement possible de faire des macro-interrupteurs par connexion srie, mais la structure
obtenue est moins performante.

34

0.01

0.01

0.008

0.008
ppertes [p.u.]

[p.u.]

1. I NTRODUCTION AUX ONDULEURS MULTINIVEAUX ASYMTRIQUES

0.004

pertes

0.006

0.002
0
0

0.006
0.004
0.002

1000

2000 3000 4000


Uservice [V]

0
0

5000

(a) 1.5 kHz

1000

2000 3000 4000


Uservice [V]

5000

(b) 15 kHz

F IG . 1.14 : Comparaison des pertes pour un onduleur multiniveau asymtrique en fonction


du rapport des tensions et de la frquence de commutation : rapport 2 (), rapport 3 (),
rapport 4 ().

0.01

0.025

0.008

0.02
ppertes [p.u.]

[p.u.]

que la structure asymtrique est moins intressante lorsque la frquence de pulsation de sa cellule haute tension augmente.

0.004

pertes

0.006

0.002
0
0

0.015
0.01
0.005

5000
10000
Uservice [V]

(a) 1.5 kHz

0
0

5000
10000
Uservice [V]

(b) 15 kHz

F IG . 1.15 : Comparaison des pertes entre onduleurs multiniveaux symtriques et asymtriques en fonction du taux de commutation simultanes, de la tension de service et de la
frquence de commutation ; structures asymtrique avec taux de commutation de 0 % (),
10 % (+), 50 % () ; structures symtriques avec 2 cellules (), 3 cellules (), 4 cellules
().

1.2.3.6

Onduleur multiniveau asymtrique : choix des structures

A la Fig. 1.16, nous comparons trois types de combinaisons :


la combinaison dun pont triphas deux niveaux avec des ponts en H 3 niveaux,

1.2. Intrt des onduleurs multiniveaux asymtriques

x 10

0.01
0.008
ppertes [p.u.]

ppertes [p.u.]

4
3
2
1
0
0

35

0.006
0.004
0.002

2000

4000
6000
Uservice [V]

(a) 1500 Hz

8000

0
0

2000

4000
6000
Uservice [V]

8000

(b) 15000 Hz

F IG . 1.16 : Comparaison des pertes entre une combinaison asymtrique de cellules comprenant un onduleur 2 niveaux et : 1 (+) ou 2 () cellules 3 niveaux ; une combinaison
de cellules comprenant un onduleur trois niveaux et 1 () ou 2 () cellules 3 niveaux ; une
combinaison de cellules comprenant un onduleur cinq niveaux et 1 () ou 2 () cellules 3
niveaux.

la combinaison dun onduleur trois niveaux avec des ponts en H 3 niveaux,


la combinaison dun onduleur cinq niveaux avec des ponts en H 3 niveaux.
De nouveau, lorsque la frquence de pulsation et la tension de service augmentent, la structure la plus complexe permet dobtenir le rendement le plus lev.
Pour obtenir une structure rendement lev, il faut disposer dune alimentation performante des cellules. Toutes les pertes figurant dans ces comparaisons
sont calcules en aval de lalimentation. Ces comparaisons sont valables pour autant que les conditions dalimentation des diffrentes solutions soient dgales performances. Pourtant, en plus de conduire une augmentation du nombre de composants, la ncessit davoir des alimentations isoles peut conduire une forte
dgradation du rendement de lalimentation et donc du convertisseur complet.
1.2.3.7

Onduleurs multiniveaux constitus de cellules base de MOSFETs

Il est tout fait imaginable de raliser un onduleur multiniveau avec des cellules base de MOSFETs, soit dans un onduleur entirement bas sur cette technologie, soit combins avec des cellules base dIGBT. En effet, il existe un domaine de compatibilit en terme de courant nominal pour ces deux technologies
et les rapports de tension sont compatibles. Cest dailleurs cette dernire combinaison qui a t retenue pour lexprimentation. Par ailleurs, rien ne soppose
raliser des MOSFETs avec de plus fortes capacits en courant, si ce nest labsence de besoins actuels. Cependant, les MOSFETs nont pas t pris en compte
dans ltablissement des courbes prcdentes pour plusieurs raisons :

36

1. I NTRODUCTION AUX ONDULEURS MULTINIVEAUX ASYMTRIQUES

Le fonctionnement de ces composants diffre de celui des autres composants


pris en compte, ce qui complique lanalyse pour un faible gain de gnralit.
Les pertes par conduction sont de type rsistif et dpendent donc plus fortement du point de fonctionnement.
La rsistance ltat passant varie beaucoup dun lment lautre pour un
mme courant nominal. Ainsi, en terme de conduction, on trouve aussi bien
des MOSFETs moins performants que des IGBTs que dautres plus performants. La prise en considration de ces derniers composants surdimensionns contredit le principe selon lequel il est prfrable demployer des semiconducteurs avec des capacits de blocage plus leves pour la conduction.
Il faudrait donc prendre en considration deux types de composants.
Le temps de commutation dpend de la valeur du courant commut, ce qui
est galement plus difficile prendre en compte dans une tude gnrale.

1.3

Synthse des rsultats

Dans ce chapitre, nous avons pass en revue les principales structures multiniveaux que nous avons compares du point de vue de leur structure. En prenant
en considration les paramtres technologiques des composants, nous avons dcrit
formellement les pertes de ces structures. Nous avons trac des abaques de slection de la structure en fonction de la charge alimenter, les paramtres caractrisant la charge tant sa tension de service et la frquence de pulsation apparente.
Avec cet outil, nous sommes en mesure de choisir le convertisseur adapt une
application donne.
Cette premire tude met en vidence lintrt demployer des onduleurs multiniveaux asymtriques. Pour autant que lon soit capable de surmonter le problme
de lalimentation des cellules, la structure permet thoriquement davoir des pertes
plus faibles en combinant des interrupteurs de caractristiques diffrentes.
Il apparat que cet intrt est fortement li aux caractristiques des composants utiliss. Il est sujet au temps, de part lvolution des techniques, et il doit
rgulirement tre rvalu. Il dpend des semi-conducteurs choisis. Les courbes
qui ont permis cette comparaison sont fortement dpendantes des caractristiques
donnes par les constructeurs et sont entaches derreurs. Elles dpendent de la
manire dont les paramtres ont t mesurs. Dun constructeur lautre, il est
difficile de savoir si une mme valeur reprsente bien un mme phnomne.
Lintrt de la structure apparat vident, tant que les pertes par conduction
en valeurs relatives diminuent avec la tension de service et que conjointement les
temps de commutation augmentent. Le champ dapplication en termes de tension
de service et de frquence de pulsation dpend des caractristiques. Les structures asymtriques ont un rendement intressant pour les applications moyennes

1.3. Synthse des rsultats

37

tensions. Cet intrt est dautant plus grand que la frquence de pulsation est importante.
Pour tirer des rsultats gnraux, il a fallu simplifier ltude et faire des approximations. Face un cahier des charges prcis, un affinement de la comparaison sera ncessaire pour effectuer un choix dfinitif de la structure et de ces
composants.

38

1. I NTRODUCTION AUX ONDULEURS MULTINIVEAUX ASYMTRIQUES

C HAPITRE 2

Combinaisons de cellules

Dans ce chapitre, nous tudierons les combinaisons possibles donduleurs qui


permettent de raliser un onduleur multiniveau asymtrique. La structure tudie
est constitue dun ensemble donduleurs de tension1 connects en srie, comme
reprsent la Fig. 2.1(a). Nous ne traiterons pas le cas particulier des onduleurs
multiniveaux symtriques o toutes les cellules sont identiques et alimentes avec
la mme tension. Nous nous concentrerons sur le cas complmentaire des onduleurs multiniveaux asymtriques, o au moins une des cellules diffre des autres.
Les diffrences peuvent porter sur la tension dalimentation des cellules, sur leur
structure, ou sur les deux. Il y a au moins deux groupes de cellules diffrents et
videmment au maximum autant quil y a de cellules, les diffrentes hybridations
possibles ayant t dcrites en 1.1.4. Une partie du chapitre sera consacre la
dfinition des termes facilitant lnonc des concepts prsents. Nous dfinirons
plusieurs classes dassociations de cellules ou types de configurations et nous mettrons leurs proprits en vidence.
Nous traiterons sparment les cas monophas et triphas sans neutre. Dans la
premire partie, nous dcrirons les rgles dassociation et les proprits des onduleurs monophass. Dans la seconde partie, nous complterons ces rgles pour les
onduleurs triphass sans neutre reli. Nous obtiendrons des proprits trs intressantes.
Parmi les publications dcrivant des configurations donduleurs multiniveaux
asymtriques, la plus ancienne semble tre celle de O.M. Mueller [19]. Par la suite,
dautres travaux ont permis dapprofondir le sujet, relevons ceux de M. Manjrekar
[23]. Dans ce chapitre, nous complterons et gnraliserons ces travaux antrieurs.
1 Afin dallger lcriture, il ne sera plus prcis par la suite quil sagit donduleurs de type source
de tension.

40

2.1
2.1.1

2. C OMBINAISONS DE CELLULES

Rgles dassociation des onduleurs monophass


Modle de londuleur tudi

Chacun des onduleurs composant londuleur multiniveau asymtrique est un


dispositif permettant dchanger de lnergie entre une source de tension continue
et une charge (alternative). Par la suite, on parlera aussi des cellules de londuleur
multiniveau plutt que de parler des onduleurs composant londuleur multiniveau . Prcisons quil ne sagit pas de cellules de commutation, mais de cellules
de conversion. Les sources de tensions continues doivent tre isoles les unes des
autres, sans quoi la plupart des combinaisons de signaux de commande conduisent
un court-circuit. Londuleur tant de type source de tension, sa charge doit prsenter un caractre de type source de courant, ou du moins, elle ne doit pas avoir
un caractre de source de tension idale.
Dans un premier temps, faisons abstraction des imperfections de lalimentation. Nous supposons cette alimentation comme idale : elle peut tre assimile
une source bidirectionnelle en courant, dont la tension ne fluctue pas. Chaque
onduleur est ainsi considr comme une source de tension contrlable qui constitue une des cellules de londuleur multiniveau, comme reprsent la Fig. 2.1(b).
La manire de raliser lalimentation et les problmes lis au fait quelle nest pas
constitue de sources de tension idales seront tudis au chapitre 5.
Notations
Les niveaux de la cellule k sont nots :
Vk,1 < Vk,2 < < Vk,nk

(2.1)

avec nk son nombre de niveaux.


Lorsque ces niveaux sont uniformes, ils vrifient :
Uk = Vk,j+1 Vk,j = cte

j {1, 2, .., nk 1}

(2.2)

Ils peuvent alors tre exprims en fonction du pas de la cellule,


Uk :
Vk,j = Vk,1 + (j 1)Uk

j {1, 2, .., nk }

(2.3)

Les cellules pas uniforme sont entirement caractrises par leur


pas et leur nombre de niveaux. Nous noterons une cellule de pas
Uk et de nombre de niveaux nk par le couple (Uk , nk ). Un onduleur constitu de m cellules uniformes sera dsign par lensemble
des couples caractrisant ses cellules :
(Ui , ni ) = {(U1 , n1 ), (U2 , n2 ), . . . , (Um , nm )}

(2.4)

41

2.1. Rgles dassociation des onduleurs monophass

e ,m

c e ll.
o n d m

e ,2

c e ll.
o n d 2

s ,2

e ,1

c e ll.
o n d 1

s ,1

u
s

s ,m

s ,1

s ,2

s ,m

u
0

(a)

(b)

F IG . 2.1 : Schmas quivalents dun onduleur multiniveau asymtrique : chacune des


sources de tension peut avoir un nombre quelconque de niveaux (a) lalimentation de chacune des cellules est prise en considration (b) les cellules sont considres comme des
sources de tension idales.

2.1.2

Reprsentation des tats et niveaux

Considrons lespace dtat engendr par les tensions de sortie des cellules.
Chacun des axes de cet espace est associ une des cellules. Chaque cellule est
capable de gnrer un nombre fini de tensions discrtes. Ltat de londuleur un
instant donn est dfini par lensemble des valeurs des tensions de ses cellules. Il
y a autant dtats possibles quil y a de combinaisons de tensions. Les positions
correspondant ces tats sont discrtes et en nombre fini. Les autres positions sont
inaccessibles2 . La tension totale de sortie est obtenue par la somme des tensions
de toutes les cellules :
us (us,1 , us,2 , . . . us,m ) =

m
X

us,k

(2.5)

k=1

o us,i est la tension de sortie de la cellule i, m est le nombre de cellules composant


le convertisseur.
Les tensions de sortie possibles de londuleur sont gnralement appeles ses
niveaux. Plusieurs tats peuvent conduire au mme niveau. Pour deux ou trois
cellules en srie, les tats possibles peuvent tre reprsents graphiquement, respectivement dans le plan ou dans lespace. Tous les tats possibles et les niveaux
2 Elles sont accessibles en rgime transitoire lorsquon passe dun tat lautre, mais la trajectoire
est difficilement prvisible et encore moins influenable.

42

1
1

1
0
us,2

us,1

us,1

2. C OMBINAISONS DE CELLULES

(a) (Ui , ni ) = {(1, 3), (1, 3)}

us,1

0
us,2

1 0
0 1 2
1 2 3 4
2
4 5
0
6
2 3

4
3
2

2
1
0

1
0
1
3

13
12
11

8
9 11
10 12
0
13
3

s ,1

0.5
1.53.5
2.54.5
5.56.5
7.5
0
8.5

8.5
7.5 5.5
6.5 4.5
3.5 2.5
1.5
0.5
4.5

3 4.5

(e) (Ui , ni ) = {(1, 3), (2, 3), (6, 2)}

1 5
0 6
1 7
3

(d) top. (a), (b), (c)

4
3
2

s ,2

(c) (Ui , ni ) = {(1, 3), (3, 3)}

6
5
4

(b) (Ui , ni ) = {(1, 3), (2, 3)}

0
us,2

(f) (Ui , ni ) = {(1, 3), (3, 3), (9, 2)}

10
9
8

1
0
2
1 3
4

s ,3

s ,2

s ,1

7
6
5

u
s

(g) (Ui , ni ) = {(1, 3), (3, 3), (9, 3)}

(h) top. (e), (f), (g)

F IG . 2.2 : Reprsentation des tats, niveaux et transitions possibles pour des onduleurs
multiniveaux asymtriques constitus de : (a) 2 cellules 3 niveaux en srie Ue,2 = 1 Ue,1 ;
(b) Ue,2 = 2 Ue,1 ; (c) Ue,2 = 3 Ue,1 ; (e) et (f) une cellule 2 niveaux en srie avec 2
cellules 3 niveaux ; (g) 3 cellules 3 niveaux en srie

2.1. Rgles dassociation des onduleurs monophass

43

associs sont alors reprsents comme la Fig. 2.2. Au del de 3 cellules, la reprsentation devient abstraite. Nous illustrerons la plupart des raisonnements par
des reprsentations deux ou trois dimensions, ils seront cependant valables dans
le cas gnral.
Notation des axes
On notera us,1 laxe de la cellule de plus petite tension indice 1,
laxe associ la cellule k sera not us,k .

2.1.3

Condition duniformit du pas

Londuleur est capable dengendrer une sortie avec une finesse identique sur
lensemble de lintervalle couvert par ses niveaux, lorsque la rpartition de ces derniers est uniforme. Dans cette section, nous tudierons les conditions dassociation
de cellules permettant dobtenir une telle rpartition.
2.1.3.1

Condition duniformit pour une combinaison de 2 cellules

Considrons un onduleur multiniveau dsign C. Il est constitu de 2 cellules


connectes en srie dsignes A et B, comme reprsent la Fig. 2.3(a). A et B
sont 2 cellules quelconques pour autant quelles soient capables de fonctionner
indpendamment en connexion srie. La cellule A peut gnrer nA niveaux, la
cellule B, nB :
VA,1 < VA,2 < < VA,nA

(2.6)

VB,1 < VB,2 < < VB,nB

(2.7)

Les pas des cellules A et B sont uniformes, ils vrifient :


UA = VA,i+1 VA,i = cte

i {1, 2, .., nA 1}

(2.8)

UB = VB,j+1 VB,j = cte

j {1, 2, .., nB 1}

(2.9)

Ainsi, les niveaux de A et de B peuvent sexprimer simplement en fonction de


leurs pas :
VA,i = VA,1 + (i 1)UA

i {1, 2, .., nA }

(2.10)

VB,j = VB,1 + (j 1)UB

j {1, 2, .., nB }

(2.11)

La combinaison du niveau VA,i avec le niveau VB,j donne naissance un des


niveaux de londuleur C :
VC,i,j = VA,i + VB,j

(i, j) {1, 2, ..., nA } {1, 2, ..., nB }

(2.12)

44

2. C OMBINAISONS DE CELLULES

De cette manire, nA nB niveaux qui ne sont pas forcment tous distincts sont
gnrs. Supposons que le pas UB soit plus grand ou gal au pas UA , UB
UA . Une combinaison dun niveau quelconque de B avec successivement tous
les niveaux de A gnre nA niveaux distincts de C. Ces niveaux sont ceux de A,
augments du niveau considr de B. Par consquent, le pas entre ces niveaux est
uniforme et vaut UA . De tous les niveaux gnrs par VB,j , le plus haut est :
VC,nA ,j = VA,nA + VB,j

(2.13)

Rptons ce processus avec VB,j+1 , le plus bas est :


VC,1,j+1 = VA,1 + VB,j+1

(2.14)

La diffrence entre ces 2 niveaux est la distance entre les 2 groupes de niveaux
uniformes gnrs par VB,j et VB,j+1 . Selon cette diffrence, il y a quatre cas
distinguer :

45

2.1. Rgles dassociation des onduleurs monophass

15
14
13
12

A ,i

V
V

1
1
1

C ,i,j

9
8
7
6

1
1
1

B ,j

3
2
1
0

UB
UA

1
1
1

11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0

VA VB VC U
(a)

UB
UA

VA VB VC U

(b1 )

7
6
5
4
3
2
1
0

UA

UB

(b2 )

1
1
1
1
1
1
1

VA VB VC U
(b3 )

1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1

7.8
6.8
5.8
5.4
4.8
4.4
3.43
2.42
1
0

1
1
0.4
0.6
0.4
1
0.4
0.6
0.4
1
1

VA VB VC U
(b4 )

F IG . 2.3 : (a) connexion srie de 2 cellules, il y a 4 cas possibles : (b1 ) le pas de B, UB


est trop grand, (b2 ) UB est la limite suprieure de la condition duniformit, (b3 ) UB
respecte la condition duniformit, (b4 ) UB nest pas un multiple de UA et le pas rsultant ne peut pas tre uniforme. (niveaux de la cellule A (+), niveaux de la cellule B (),
niveaux rsultants ())

1. Si la diffrence est plus grande quun pas UA , lintervalle entre les niveaux
gnrs par VB,j et entre ceux gnrs par VB,j+1 est gal cette diffrence
et est en consquence plus grand quun pas UA . Le pas est plus grand
cet endroit et nest pas uniforme comme reprsent la Fig. 2.3(b1 ).
2. Si la diffrence est gale un pas UA , il y aura nA niveaux diffrents gnrs par la combinaison de chacun des niveaux de B avec tous les niveaux
de A. Cela formera nB groupes de nA niveaux spars chacun de un pas. Le
pas sera uniforme comme reprsent la Fig. 2.3(b2 ).
3. Si la diffrence est de moins quun pas UA et quelle est un multiple de
ce mme pas, elle pourrait donc valoir 0, UA , 2UA ..., les groupes de

46

2. C OMBINAISONS DE CELLULES

niveaux se recouvrent. Certains niveaux de C sont confondus et sont gnrs


plusieurs fois par diffrents niveaux de B. Dans ce cas, le pas sera uniforme,
comme illustr la Fig. 2.3(b3 ).
4. Si la diffrence est de moins dun pas UA , mais nest pas un multiple du
pas, les groupes de niveaux se chevauchent mais ne se recouvrent pas. Ils
sont dcals dune fraction du pas qui nest par consquent pas uniforme
comme illustr la Fig. 2.3(b4 ). Chaque niveau de B gnrera nA niveaux
diffrents. Nous pouvons dmontrer que luniformit ne peut jamais tre
obtenue si le rapport entre le pas des cellules A et B nest pas entier3 .
La condition duniformit du pas dun onduleur form de deux cellules connectes en srie se dduit de lanalyse de ces quatre cas. Elle peut sexprimer comme
suit :
1. La distance entre lensemble des niveaux gnrs par un des niveaux de la
cellule de pas le plus grand et lensemble des niveaux gnrs par le niveau
suivant ne doit pas excder un pas. Cela peut tre exprim par lingalit
suivante :
(VB,j+1 + VA,1 ) (VB,j + VA,nA ) UA

(2.15)

Cette ingalit peut tre rcrite en fonction des pas laide de (2.10) et
(2.11) :
VB,j + UB + VA,1 VB,j VA,1 (nA 1) UA UA

(2.16)

Rcrivant (2.16) nous obtenons :


UA UB nA UA

(2.17)

2. Les niveaux de londuleur, gnrs par 2 niveaux successifs de la cellule de


pas le plus grand, doivent tre spars dun multiple du pas. Autrement dit,
le rapport entre les pas des cellules doit tre entier :
UB
N
UA

(2.18)

La condition duniformit est exprime par les conditions (2.17) et (2.18) :


UB
N
UA

UA UB nA UA

(2.19)

3 Le rapport UB peut naturellement aussi tre exprim par une fraction 1 avec n entier. Notre
UA
n
hypothse UB > UA impose cependant un rapport entier sans perte de gnralit.

47

2.1. Rgles dassociation des onduleurs monophass

2.1.3.2

Premire condition duniformit (cas scalaire)

De la Fig. 2.3, nous pouvons dduire que lamplitude de la tension U1..k dun
onduleur constitu de k cellules est :
U1..k =

k
X

(nj 1) Uj

(2.20)

j=1

Si le pas de cet onduleur est uniforme et vaut U1 , nous pouvons galement en


dduire le nombre de niveaux n1..k :
Pk
U1..k
j=1 (nj 1) Uj
n1..k =
+1=1+
(2.21)
U1
U1
Appliquant (2.19) et (2.21) cet onduleur et une cellule supplmentaire, nous obtenons la condition gnrale duniformit pour un nombre quelconque de cellules :

Uk Uk+1 U1 +

k
X

(nj 1) Uj

j=1

Uk
N
U1

(2.22)
avec Uk et nk le pas et le nombre de niveaux de la cellule k et avec U1 le pas
de londuleur rsultant.
2.1.3.3

Condition duniformit restreinte aux onduleurs 3 niveaux

La plupart des onduleurs multiniveaux dcrits ce jour dans la littrature sont


constitues dune cascade de ponts en H. Dans le cas dune telle combinaison,
lingalit (2.22) peut tre exprime uniquement en fonction des tensions dentre
des cellules, au lieu dtre exprime en fonction des pas et nombres de niveaux :
Ue,k Ue,k+1 Ue,1 + 2

k
X
j=1

Ue,j

Ue,k
N
Ue,1

nj = 3 j

(2.23)
avec Ue,1 la tension dentre de londuleur indic 1 et Ue,k la tension dentre de
la cellule k. Ue,1 est aussi le pas de londuleur rsultant.
Onduleur multiniveau symtrique
La limite infrieure de lingalit (2.23) conduit au cas de lalimentation dite
symtrique o toutes les tensions dentres sont gales :
Ue,k+1 = Ue,k

(2.24)

48

2. C OMBINAISONS DE CELLULES

Cette combinaison permet datteindre la tension la plus leve avec un nombre


minimum de cellules. Dautre part, toutes les cellules sont quivalentes et il y a de
nombreux niveaux redondants.
Asymtrie maximale selon luniformit
La limite suprieure de lingalit (2.23) conduit la plus grande asymtrie
des tensions dentre :
Ue,k+1 = 3 Ue,k

(2.25)

Ue,i = {1, 3, 9, 27 . . .}

(2.26)

Cette combinaison de tensions dentre conduit la rsolution la plus leve pour


un nombre minimum de cellules. Dautre part, chaque tat gnre un niveau distinct des autres et il ny a pas de niveaux redondants.
Exemple de combinaisons
Le Tab. 2.1 donne des exemples de combinaisons de tensions dalimentation
conduisant luniformit.

ni

m U1 U2 U3
3
3
3
2
1
1
2
1
2
2
1
3
3
1
1
1
3
1
1
2
3
1
1
3
3
1
2
2
3
1
1
4
3
1
2
3
3
1
1
5
3
1
2
4
3
1
3
3
3
1
2
5
..
..
..
..
.
.
.
.
3
1
3
8
3
1
3
9
..
..
..
..
..
.
.
.
.
.
(a)

n
ni

2
3
4
3
4
5
5
6
6
7
7
7
8
..
.
12
13
..
.

5
7
9
7
9
11
11
13
13
15
15
15
17
..
.
25
27
..
.

m U1 U2 Um
3
3
2
2
1
1
2
1
2
2
1
3
3
1
1
1
3
1
1
2
3
1
1
3
3
1
1
4
..
..
..
..
..
.
.
.
.
.
3
1
2
6
3
1
3
4
3
1
2
7
3
1
3
5
3
1
3
6
3
1
3
7
3
1
3
8
3
1
3
9
..
..
..
..
..
.
.
.
.
.
(b)

1.5
2
2.5
2.5
3
3.5
4
..
.
6
6
6.5
6.5
7
7.5
8
8.5
..
.

4
5
6
6
7
8
9
..
.
13
13
14
14
15
16
17
18
..
.

TAB . 2.1 : Exemple de combinaisons de cellules conduisant un pas uniforme (a) onduleurs
3 niveaux uniquement (b) un onduleur 2 niveaux et des onduleurs 3 niveaux

2.1. Rgles dassociation des onduleurs monophass

2.1.4

49

Condition de modulation optimise

En 1.2, nous avons montr que du point de vue du rendement, il tait intressant de combiner des cellules constitues dinterrupteurs de tension de blocage
leve avec des cellules constitues dinterrupteurs de tension de blocage basse.
La cellule haute tension permet dabaisser les pertes par conduction du convertisseur, mais tant lente, elle provoque de fortes pertes en commutation et doit tre
commute frquence aussi basse que possible. Au contraire, la cellule basse tension est trs rapide et prsente de faibles pertes par commutation. Si lon arrive
assurer que seule la cellule basse-tension commute haute-frquence, on peut
raliser un onduleur avec des performances en conduction comparables celles
des interrupteurs haute-tension et des pertes en commutation comparables celles
des interrupteurs basse-tension.
Hypothse de signal lent
Pour analyser le fonctionnement dynamique de londuleur, il faut
connatre ses signaux de commande. Ils sont obtenus partir du signal de rfrence. Nous ne nous intressons pas ici la manire dont
se droulent les commutations. Nous tudions leurs consquences et
les moyens de les minimiser. Pour lanalyse, il est raisonnable de
supposer que le signal de commande varie lentement et que de cette
manire, la plupart du temps les commutations ne sont effectues
quentre des niveaux adjacents. Pour un onduleur capable de gnrer n niveaux possibles ordonns que nous notons {V1 , V2 , . . . Vn },
cela signifie que lorsque la tension vaut Vk , elle ne peut effectuer
une transition que vers un de ses niveaux adjacents Vk1 ou Vk+1 .
2.1.4.1

Reprsentation des transitions possibles

Reprsentons les transitions entre 2 niveaux adjacents par des segments de


droite, comme la Fig. 2.4. Lorsque lhypothse de signal lent est respecte, une
transition ne peut tre effectue quentre deux tats lis par un segment. Cette
reprsentation est commode pour visualiser les transitions possibles et tudier le
comportement dynamique de londuleur.
2.1.4.2

Transitions entre deux niveaux adjacents, commutations simultanes

Pour effectuer une transition entre 2 niveaux adjacents, il faut commuter une
ou plusieurs cellules simultanment selon la transition. Pour illustrer notre propos,
prenons pour exemple londuleur 2 cellules 9 niveaux, dont la configuration est

50

1
1

1
0
us,2

us,1

us,1

2. C OMBINAISONS DE CELLULES

(a) (Ui , ni ) = {(1, 3), (1, 3)}

us,1

0
us,2

1 0
0 1 2
1 2 3 4
2
4 5
0
6
2 3

4
3
2

2
1
0

1
0
1
3

13
12
11

8
9 11
10 12
0
13
3

s ,1

0.5
1.53.5
2.54.5
5.56.5
7.5
0
8.5

8.5
7.5 5.5
6.5 4.5
3.5 2.5
1.5
0.5
4.5

3 4.5

(e) (Ui , ni ) = {(1, 3), (2, 3), (6, 2)}

1 5
0 6
1 7
3

(d) top. (a), (b), (c)

4
3
2

s ,2

(c) (Ui , ni ) = {(1, 3), (3, 3)}

6
5
4

(b) (Ui , ni ) = {(1, 3), (2, 3)}

0
us,2

(f) (Ui , ni ) = {(1, 3), (3, 3), (9, 2)}

10
9
8

1
0
2
1 3
4

s ,3

s ,2

s ,1

7
6
5

u
s

(g) (Ui , ni ) = {(1, 3), (3, 3), (9, 3)}

(h) top. (e), (f), (g)

F IG . 2.4 : Reprsentation des tats, niveaux et transitions possibles pour des onduleurs
multiniveaux asymtriques constitus de : (a) 2 cellules 3 niveaux en srie Ue,2 = 1 Ue,1 ;
(b) Ue,2 = 2 Ue,1 ; (c) Ue,2 = 3 Ue,1 ; (e) et (f) une cellule 2 niveaux en srie avec 2
cellules 3 niveaux ; (g) 3 cellules 3 niveaux en srie

2.1. Rgles dassociation des onduleurs monophass

51

(Ui , ni ) = {(1, 3), (3, 3)}. Ses tats et ses niveaux sont reprsents la Fig.
2.4(c). Nous distinguons deux types de transitions :
Transitions favorables : commutation dune seule cellule
Lorsquune transition est effectue paralllement un axe, seule la cellule associe cet axe doit commuter. Cela ne peut-tre le cas que pour les cellules dont
la tension dentre est la plus basse, puisque ce sont les seules pouvoir faire
varier la tension de sortie par pas. Dans notre exemple, 6 des 8 transitions appartiennent cette catgorie. Puisquelles conviennent bien pour la modulation, les
transitions parallles aux axes des cellules de plus petite tension seront appeles
les transitions de modulation.
Transitions dfavorables : commutation de plusieurs cellules simultanment
Lorsquun segment de transition nest pas parallle un axe, plusieurs cellules doivent commuter simultanment. Pour effectuer une variation dun pas sur
la sortie en commutant plusieurs cellules4 , le seul moyen est que les directions des
variations sopposent. Autrement dit, pour effectuer la transition, deux groupes de
cellules travaillent de manire antagonistes : un groupe de cellules viendra augmenter la tension de sortie pendant que lautre groupe viendra la diminuer. Dans
notre exemple, 2 des 8 transitions appartiennent cette catgorie, il sagit de la
transition entre les niveaux 1 et 2 et celle entre les niveaux -2 et -1. Les transitions qui ne sont pas parallles aux axes des cellules de plus petite tension seront
appeles les transitions transversales.
Les transitions transversales provoquent des pertes beaucoup plus importantes.
La distance parcourue le long des axes est plus longue. Si lespace des tensions est
remplac par un espace o la dimension des axes est pondre par la capacit
de la cellule commuter, ce qui pourrait tre utile pour une valution des pertes,
cette distance est encore plus grande. Ces pertes sont particulirement pnalisantes
dans le cas de la modulation, car il faut y effectuer des transitions aller-retour pour
moduler 2 niveaux.
Les commutations simultanes ont galement un effet nfaste sur la qualit du
signal engendr par le convertisseur. A cause des caractristiques des diffrents
semi-conducteurs employs et des diffrents temps de propagation des signaux de
commande, les commutations des diffrentes cellules impliques dans une transition ne se produisent pas simultanment (Fig. 2.5(a)), de sorte que le signal de
sortie peut prsenter dimportantes variations pendant la transition (Fig. 2.5(b)). Il
commence soit par varier dans le mauvais sens, soit par dpasser le niveau vis.
Ces parasites peuvent tre vus comme des impulsions troites superposes au si4 la

tension de sortie de chaque cellule prise individuellement varie dau moins le pas.

52

2. C OMBINAISONS DE CELLULES

gnal idal, comme illustr la Fig. 2.5(c). Il faut ventuellement filtrer le signal de
sortie pour liminer ces impulsions lorsquelles sont inacceptables pour la charge.
u

s ,1

+ 3

s ,2

2 = -1 + 3
s

+ 1 = + 1 + 0

+ 1
0

-1

s ,p e r t

s ,id a l

+ 1 = + 1 + 0

2 = -1 + 3

-1 = -1 + 0

(a) signaux des cellules

(b) signal apparent

(c) perturbation dcompose

F IG . 2.5 : Impulsion troite cause par la non-simultanit des commutations (idalement


simultanes) des cellules

Modulation de la cellule haute tension


Un onduleur multiniveau asymtrique est ralis en combinant des interrupteurs de tensions de blocage diffrentes, voire de technologies diffrentes. De par
la faible tension de blocage de ses composants et sa faible tension dalimentation, la cellule de tension la plus faible sera probablement la plus performante en
commutation. De manire naturelle, cest elle qui va commuter le plus souvent,
puisque cest elle qui permet le plus facilement deffectuer des petites modifications du niveau de sortie. Reprenons notre exemple dont les niveaux et transitions
possibles sont reprsents dans lespace dtat la Fig. 2.4(c). Sur 8 transitions,
6 sont effectues en ne commutant que la cellule de plus basse tension, les 2 restantes ncessitant la commutation des 2 cellules simultanment. Dans tous les cas,
la cellule basse tension sera la plus sollicite.
Cependant, dans certains cas, la modulation prolonge de certains niveaux ncessitant des transitions dfavorables peut provoquer des pertes excessives. Cest
le cas par exemple pour gnrer un signal de sortie damplitude moyenne, comme
illustr la Fig. 2.6 pour un signal sinusodal damplitude 0.5. Dans ce cas, des
commutations simultanes seront effectues de manire rptes avec les 2 cellules. En dimensionnant la frquence de commutation en tenant compte de ce
problme, la grande cellule va limiter la frquence maximale de commutation de
londuleur. Il ne sera pas possible dutiliser les performances en commutation de
la petite cellule.
Par la suite, notre objectif sera dliminer la modulation des grandes cellules.
Nous dcrirons les mthodes de dimensionnement et de commande permettant dy
parvenir.

53

0.75

0.75

0.75

0.5

0.5

0.25

0.25

0.25

uo,1

0.5
0.25
uo,2

uo,1

2.1. Rgles dassociation des onduleurs monophass

0.25

0.25

0.5

0.5

0.5

0.75

0.75

0.75

1
0

1
0

(a)

1
0

(b)

(c)

0.67

0.67

0.33

0.33

0.33

uo,1

1
0.67

uo,2

uo,1

F IG . 2.6 : Gnration dune sinusode damplitude 0.49 avec un onduleur 9 niveaux de


configuration (Ui , ni ) = {(1, 3), (3, 3)} : (a) tension de sortie (b) tension de sortie de la
grande cellule (c) tension de sortie de la petite cellule. Pour gnrer la sortie (a), la grande
cellule module entre 0 et 0.75 en mme temps que la petite cellule module entre -0.25 et
0.25. Cela cause des pertes importantes et des impulsions trs troites sont superposes la
tension dsire.

0.33

0.33

0.33

0.67

0.67

0.67

1
0

(a)

1
0

(b)

1
0

(c)

F IG . 2.7 : Gnration dune sinusode damplitude 0.49 avec un onduleur 7 niveaux de


configuration (Ui , ni ) = {(1, 3), (2, 3)} : (a) tension de sortie (b) tension de sortie de la
grande cellule (c) tension de sortie de la petite cellule.

54
2.1.4.3

2. C OMBINAISONS DE CELLULES

Etat de lart

Mueller a dj rsolu un problme similaire dans [19]. Lorsquon parvient


atteindre tout le domaine de tension de londuleur en ne modulant que la petite
cellule, on est galement capable de latteindre avec la petite cellule fonctionnant
en mode linaire. Pour cela, il propose dutiliser la configuration Ue,i = {1, 2, 6}
pour ses tensions dalimentation, ce qui permet dobtenir la plus haute rsolution
satisfaisant le cahier des charges.
M. Manjrekar donne dans sa thse [23] un dbut de solution au problme de
la modulation des onduleurs multiniveaux asymtrique. Il pose que seule la petite cellule doit commuter la frquence de modulation et cherche rsoudre le
problme pour nimporte quelle combinaison de ponts en H. La condition quil
donne, pour atteindre cet objectif, est que londuleur form par les cellules de tension plus leves doit tre capable de gnrer tous les niveaux pairs, la cellule de
tension la plus basse ajoutant les niveaux impairs. Cette condition est correcte,
bien que limite aux combinaisons donduleurs 3 niveaux, cependant une erreur
est introduite lors de sa traduction en termes de tensions dalimentation. Il dduit
correctement la condition limite, cest--dire la configuration la plus asymtrique
convenant pour la modulation comme tant Ue,i = {1, 2, 6, 18 . . . 3 Ue,i1 . . .},
cest--dire un ordre 2 entre les deux plus petites cellules et un ordre 3 pour les
autres. Il dduit tort que toute configuration pas uniforme satisfaisant Ue,1 = 1,
Ue,2 2, Ue,3 6, Ue,4 18 convient pour la modulation. Cela lui fait indiquer
Ue,i = {1, 1, 5} comme une configuration utilisable en modulation alors quelle
ne lest pas, puisque Ue,i = {1, 1, 6} nest pas une configuration uniforme5 .
Nous driverons la condition correcte de modulation [24, 25], nous la gnraliserons nimporte quelle configuration monophase (pas seulement des combinaisons de pont en H) et nous apporterons une rponse plus complte pour les
onduleurs triphass [26, 27]. A partir de la publication des prsents travaux sur
luniformit [28], Rech donne une condition de modulation correcte pour les combinaisons monophases de ponts en H [29].
2.1.4.4

Dimensionnement optimis

Le problme des transitions dfavorables soulev en 2.1.4.2 se pose avec tous


les onduleurs asymtrie maximale comme ceux dcrits au 2.1.3.3. Pour ces onduleurs, des transitions dfavorables existent et ne peuvent pas tre vites. En
effet, pour toute configuration, il y a toujours des transitions transversales, puisque
5 Si la configuration U
e,i = {1, 1, 6} nest pas uniforme, Ue,i = {1, 1, 5} est une des configurations les plus asymtriques dbutant par Ue,i = {1, 1, . . .}. Cela implique que cette configuration est
inadquate pour la modulation car elle manque de niveaux redondants et certaines paires de niveaux adjacents ne peuvent tre modules que le long de transitions transversales. La justification de ce dernier
point viendra avec la loi de modulation optimise.

2.1. Rgles dassociation des onduleurs monophass

55

les niveaux ne sont pas tous situs sur la mme droite. Dautre part, labsence
de redondance pour les onduleurs asymtrie maximale implique que ces transitions sont uniques et ne peuvent donc pas tre vites. En revanche, pour certaines
configurations, il est possible de neffectuer la modulation quavec les cellules de
petite tension. Dans ce dernier cas, les transitions dfavorables sont redondantes
et peuvent tre remplaces par dautres transitions favorables. Il devient alors trs
intressant de raliser ces cellules pour quelles soient trs performantes en commutation. Les performances en commutation des autres cellules deviennent secondaires et la performance en commutation de londuleur est la mme que celle de
lensemble de ses cellules de petite tension. Dans ce paragraphe, nous cherchons
dimensionner un tel onduleur.
Objectif
Lobjectif est de pouvoir moduler nimporte quelle paire de niveaux adjacents
en ne commutant quune cellule. Cette cellule a videmment la tension la plus
basse puisque cest une de celle qui permet deffectuer des variations de la tension
par pas.
Condition correspondante
Sur la reprsentation dtat, il faut que chaque paire de niveaux adjacents
puisse tre associe une transition de modulation. Cela ne peut tre le cas que si la
configuration dispose de niveaux redondants. Pour chaque transition transversale,
il existera une autre transition de modulation engendrant les mmes niveaux.
Modification des pas des cellules
Prenons une des solutions conduisant lasymtrie maximale. Partons du niveau le plus bas et effectuons toutes les transitions entre niveaux adjacents le long
de laxe us,1 . Le long du parcours, les niveaux vont croissant. Nous atteignons
la premire transition transversale. Cette transition seffectue en commutant les 2
cellules ayant les plus petits pas. Elle permet de passer du niveaux not Vx Vx +1
en diagonale des axes us,1 et us,2 . Notons les cellules impliques dans la transition
C1 et C2 , leurs pas U1 et U2 , Ex et Ey les tats conduisant aux niveaux Vx et
Vx + 1. La transition suivante conduit Ez qui gnre le niveau Vx + 2. Ez est
situ une distance U1 de Ey le long de laxe u1 . Pour pouvoir effectuer une
transition entre les niveaux Vx et Vx + 1 en ne commutant que C1 , nous pouvons
diminuer le pas U2 du pas U1 . Notons ce nouveau pas U20 . Lensemble des
tats est dcal paralllement laxe us,2 . Les niveaux situs sur la mme droite
le mme plan, le mme hyperplan perpendiculaire us,2 sont alors dcal
du mme multiple de U1 . Notons Ex0 la translation de Ex , Ey0 et Ez0 celles de
Ey et Ez . Ex0 conduit au niveau Vx0 , Ey0 conduit galement au niveau Vx0 , Ez0 au

56

2. C OMBINAISONS DE CELLULES

niveau Vx0 + 1. La transition transversale entre Ex0 et Ez0 et ainsi quivalente la


transition de modulation entre Ey0 et Ez0 qui seffectue paralllement laxe us,1 .
Cest ce que nous voulions obtenir : une transition quivalente, mais parallle
laxe us,1 . La transformation est illustre la Fig. 2.8. Lamplitude crte crte
de la deuxime cellule est rduite de (n2 1)U1 . Pour conserver luniformit
du pas, nous devons galement rduire le pas des cellules partir de la troisime
de cette grandeur. Nous devons ensuite rduire le pas des cellules au del de la
quatrime de la diminution damplitude de la troisime cellule, et ainsi de suite.
Partant de la configuration6 :
Ui = {1, 3, 9, 27, 81, . . . } , ni = {3, 3, 3, 3, 3 . . . }

(2.27)

nous aboutissons la configuration :


Ui,trans,1 = {1, 3 1, 9 2, 27 2 4, 81 2 4 12 . . . }
= {1, 2, 7, 21, 63 . . . }

(2.28)

Poursuivons notre parcours le long des transitions de modulation jusqu la prochaine transition transversale. Cette transition qui implique galement un dplacement de laxe us,3 na pas de transition de modulation quivalente. Pour ajouter
une transition de modulation quivalente, il faut diminuer la valeur du pas U30 du
pas U1 et rpter le processus prcdant. Pour notre exemple de configuration,
nous obtenons :
Ui,trans,2 = {1, 2, 6, 21 2, 63 2 4 . . . } = {1, 2, 6, 19, 57 . . . }

(2.29)

Rptons ce processus rcursivement pour les cellules suivantes, nous aboutissons


la configuration la plus asymtrique qui permet de moduler nimporte quelle
paire de niveaux en commutant le long dune transition de modulation :
Ui,trans = {1, 2, 6, 18, 54 . . . }

(2.30)

La transformation que nous avons effectue scrit sous la forme :


Ui,trans = Ui 1

i
X

Uj1 (nj 1)

(2.31)

j=1

Avec Uk dfini par la limite suprieure de la condition duniformit (2.22).


6 On note ici sparment les pas et nombres de niveaux. Ces derniers restant inchangs, nous ne les
noterons pas pour allger lcriture dans la suite de ce dveloppement.

57

2.1. Rgles dassociation des onduleurs monophass

, U
E x,V

, U

k + 1

u
x

E x,V

s ,k

E z,V
E y,V

k + 1 ,tr a n s

u
x

s ,k + 1

s ,k

x + 2

E z,V

x + 1

x + 1

E y,V
x

(a) configuration avec asymtrie maximale

s ,k + 1

(b) configuration modifie

F IG . 2.8 : Modification du pas pour ajouter une transition de modulation pour les niveaux
VX et VX+1

2.1.4.5

Condition de modulation optimise pour deux cellules

Ladaptation des pas propose en 2.1.4.4 nest pas trs maniable. Elle permet dobtenir la configuration la plus asymtrique vrifiant la modulation optimise mais ne permet pas de dterminer facilement si une configuration donne
est satisfaisante. La condition permettant dobtenir des transitions de modulation
pour chaque paire de niveaux peut tre exprime diffremment : en parcourant par
ordre croissant des niveaux les segments de modulation, le dernier niveau du premier segment de modulation doit tre gnr par un des tats de lautre segment
de modulation. La condition duniformit sexprimait de la manire suivante : en
parcourant par ordre croissant des niveaux les segments de modulation, le dernier
niveau du premier segment de modulation doit tre gnr augment dun pas par
un des tats de lautre segment de modulation. Ces 2 conditions sont similaires
un pas prs. En rexaminant la Fig. 2.3 (p. 45) nous voyons que pour 2 cellules, les
2 ensembles de niveaux de C gnr par 2 niveaux successifs de A doivent avoir
au moins un niveau commun (le dernier). Cela sexprime par lingalit suivante :
UA UB (nA 1) UA
2.1.4.6

(2.32)

Premire condition de modulation optimise (cas scalaire)

Appliquant (2.32) et (2.21) un onduleur auquel on ajoute une par une des cellules de tensions plus leves, nous obtenons la condition gnrale de modulation
optimise pour un nombre quelconque de cellules :

Uk Uk+1

k
X
j=1

(nj 1) Uj

Uk
N
U1

(2.33)

58

2. C OMBINAISONS DE CELLULES

avec Uk le pas et nk le nombre de niveaux de la cellule k et U1 le pas de


londuleur rsultant.
2.1.4.7

Condition de modulation optimise restreinte aux onduleurs 3 niveaux

Pour une combinaison de ponts en H 3 niveaux, (2.33) peut tre exprime


uniquement en fonction des tensions dentre, au lieu dtre exprime en fonction
des pas et nombres de niveaux :
Ue,k Ue,k+1 2

k
X
j=1

Ue,j

Ue,k
N
Ue,1

nj = 3 j
(2.34)

avec Ue,1 le pas de londuleur et Ue,k le pas de la cellule k.


Asymtrie maximale selon la loi de modulation optimise
La limite suprieure de lingalit (2.34) donne :
(
2 Ue,1
k=2
Ue,k =
3 Ue,k
k > 2
Ue,i = {1, 2, 6, 18, . . .}
2.1.4.8

(2.35)

(2.36)

Application de la condition de modulation optimise

En comparant les Fig. 2.6 et 2.7 (p. 53), nous pouvons vrifier que le problme
des commutations simultanes, soulev en 2.1.4.2, est bien rsolu. La configuration de la Fig. 2.7 vrifie (2.33) et une stratgie de commande adapte lui est
applique. Les diffrentes stratgies de commande de ces onduleurs seront discutes en dtail la section 4.2.

2.2

Rgles dassociation des onduleurs triphass


(sans neutre reli)

Les onduleurs triphass possdent les mmes proprits que les onduleurs monophass. Si une configuration monophase produit un pas uniforme, la mme
configuration triphase constitue de trois de ces convertisseurs monophass (par
exemple connects en toile) produit galement un pas uniforme. Il en va de mme
pour la loi de modulation optimise. La rciproque nest cependant pas toujours

59

2.2. Rgles dassociation des onduleurs triphass

vraie. Si une configuration monophase ne produit pas un pas uniforme, il est possible que la mme configuration triphase en produise un, si le point neutre nest
pas reli. En prenant en considration le fait que les systmes triphass neutre non
reli possde une variable de sortie dpendante des deux autres, il est possible de
dimensionner de nouvelles configurations donduleurs prsentant dintressantes
proprits quils ne possdent pas en monophas.

2.2.1

Redondance des phaseurs spatiaux

2.2.1.1

Projection des vecteurs dans le plan (ub, , ub, )


u
C

1 ,1

2 ,1

1 ,2

2 ,2

3 ,2

1 ,3

2 ,3

3 ,3

3 ,1

(a) schma de connexion

b ,3

n iv e a u x
p o s s ib le s

b ,1

b ,1

b ,2

b ,3

b ,2

(b) niveaux selon les axes des tensions

F IG . 2.9 : Combinaison donduleurs monophass en toile pour former un onduleur


triphas

Considrons un onduleur triphas multiniveau constitu de 3 sources de tension indpendantes connectes en toile comme illustr la Fig. 2.9(a). Chacune
de ces sources de tension dispose de n niveaux rpartis uniformment. Dans lespace gnr par les tensions de branche ub,1 , ub,2 et ub,3 , londuleur gnre n niveaux selon chacun des axes, comme illustr la Fig. 2.9(b). Chaque combinaison
des 3 tensions ub,1 , ub,2 et ub,3 donne un vecteur de tension de londuleur triphas.
Ce vecteur est aussi dsign par la terminologie phaseur spatial. Les vecteurs de
londuleur triphas sont situs lintrieur dun cube (Fig. 2.10(a)) et sont rpartis
uniformment lorsque les niveaux sont uniformes. Dnommons les sommets de
ce cube Si,j,k avec i, j, k {1, 1}. Au total il y a n3 tats possibles. Ces tats
dterminent autant de positions possibles du vecteur de tension qui sont rparties
sur les faces de cubes concentriques et parallles.
Le point neutre de ltoile nest pas reli, de telle manire quil ny a que
les deux composantes parallle au plan (ub, , ub, ) qui contrlent les courants, la
composante homopolaire ninfluenant pas leur volution. Pour obtenir les posi-

60

2. C OMBINAISONS DE CELLULES

tions du phaseur spatial de londuleur, il faut projeter les vecteurs de tension de


sortie dans le plan (ub, , ub, ) de contrle des courants. Ce plan est perpendiculaire la composante homopolaire. Les vecteurs projets sont tous compris lintrieur dun hexagone centr en zro. Les 2 sommets du cubes nomms S+1,+1,+1
et S1,1,1 ainsi que tous les points situs sur la droite passant par ces 2 sommets sont projets en zro. Les 6 autres sommets du cube forment les sommets de
lhexagone. Les artes reliant ces sommets forment les cts de lhexagone comme
illustr la Fig. 2.10(b). Une grande partie des tats de londuleur conduisent des
phaseurs spatiaux confondus dans le plan (ub, , ub, ).
S1,1,+1

S1,+1,1

S+1,1,+1

S1,+1,+1
S+1,+1,+1

S1,1,1

S1,+1,+1

S1,1,1
S

S+1,+1,1

S+1,+1,+1

S+1,1,1

+1,1,1

S1,+1,1
S1,1,+1

+1,+1,1

(a)

S+1,1,+1

(b)

F IG . 2.10 : (a) Cube contenant tous les tats possibles dans lespace (ub,1 , ub,2 , ub,3 ) (b)
Projection de ce cube dans le plan (ub, , ub, ) : la projection du cube forme un hexagone.

2.2.1.2

Rpartition des tats

De par luniformit du pas, les positions possibles du vecteur de tension sont


situes sur des cubes lmentaires rgulirement disposs, ce qui permet de dterminer simplement le nombre de vecteurs redondants par mesure de distance entre
les faces du grand cube. Au centre, il y a n tats conduisant au mme vecteur. Sur
les cts, les tats conduisent des vecteurs distincts les uns des autres. Dans le
plan (ub, , ub, ), les vecteurs sont situs sur n hexagones concentriques numrots de 1 n en allant de lextrieur vers lintrieur. Lhexagone indic i possde
i images superposes et confondues. Dans lespace (ub,1 , ub,2 , ub,3 ), ces images
sont situes des positions diffrentes selon laxe homopolaire. Pour n niveaux
par phase, il y a n3 tats possibles. En sommant le nombre dtats distincts de
chaque hexagone, nous pouvons dduire le nombre dtats distincts :
ND = 1 +

n
X
i=2

6 (i 1) = 3 (n2 n) + 1

(2.37)

61

2.2. Rgles dassociation des onduleurs triphass

En sommant le nombre dtats redondants selon la rpartition dcrite, on peut vrifier que lon retrouve bien le nombre dtats total :
NE = n +

n
X

6 (i 1) (n + 1 i) = n3

(2.38)

i=2

Cette rpartition est illustre la Fig. 2.11.


1
1
1
1
1
1
1
1
2

1
1

2
2

2
1

4
3

2
1

5
4

3
2

3
2

3
2

5
4

1
1

2
1

2
1

2
1

2
1

2
1

2
1

2
1

2
1

2
3

2
1

2
1

2
3

2
3

7
8

2
1

2
3

2
1

4
3

3
4

6
6

3
3

3
3

2
2

F IG . 2.11 : Nombre et rpartition des tats


redondants dun onduleur 9 niveaux triphas.
P
Au total il y a 93 = 729 tats dont 1 + 9i=2 6 (i 1) = 217 sont distincts. Il y a 9
manires de gnrer le phaseur spatial au centre, 8 sur lhexagone immdiatement autour
du centre, et ainsi de suite en dcroissant jusqu lhexagone extrieur o il ny a quune
possibilit de gnrer le phaseur spatial. Chacun des hexagones lmentaires est associ
un phaseur spatial. Les nombres placs aux centres des hexagones sont les nombres dtats
conduisant au phaseur spatial correspondant.

Ainsi, il y a de nombreuses manires de parvenir imposer un vecteur de sortie


donn. La suppression dune partie de cette redondance, conduit la sparation
dtats confondus, ce qui peut permettre une augmentation de la rsolution. Nous
allons tudier les moyens permettant daboutir une augmentation de la rsolution.

62

2. C OMBINAISONS DE CELLULES

2.2.2

Dtermination des voisins dun vecteur de tension

Les mthodes qui vont permettre daugmenter la rsolution par la sparation


des tats redondants conduiront des rpartitions de phaseurs spatiaux qui ne sont
pas toujours rgulires dans le plan. Pour tudier ces rpartitions ou pour choisir
une trajectoire dans un tel ensemble de phaseurs spatiaux, la dfinition des voisins
dun phaseur spatial savre utile.
2.2.2.1

Hypothse de signal lent et vecteurs voisins

Comme pour le cas scalaire de 2.1.4.1, le signal de commande est suppos


varier suffisamment lentement pour que la sortie de londuleur change lentement
et seulement entre des phaseurs spatiaux voisins.
Pour un onduleur monophas lhypothse de signal lent se traduit sans ambigut possible : les transitions ne peuvent tre effectues que vers les niveaux
adjacents de Vk , vers Vk1 ou Vk+1 . Pour un onduleur triphas possdant une distribution uniforme des tats de sortie, les tats voisins sont galement trouvs sans
difficult. En revanche, pour un onduleur triphas avec une distribution non uniforme des niveaux de sortie, il est plus difficile de dterminer si deux tats sont
voisins ou non. Lanalyse du processus de quantification permet dapporter une
rponse gnrale cette question.
2.2.2.2

Vecteurs voisins et quantification

Le processus de quantification est la base de la dfinition de la notion de


voisin. Il consiste tronquer la partie dun signal qui nest pas multiple du pas de
quantification. Il y a plusieurs manires de quantifier : par dfaut, par excs, par
arrondi, etc. Pour reprsenter au mieux un signal de rfrence, il faut choisir parmi
un ensemble limit de niveaux ou de vecteurs de sortie celui qui est le plus proche,
ce qui correspond un arrondi. La quantification par arrondi est une reprsentation intressante, car elle permet dobtenir lerreur quadratique la plus faible : la
distorsion harmonique est par consquent gnralement aussi la plus faible7 . Cest
la manire la plus naturelle de reprsenter un signal.
Lorsque la sortie est obtenue par un processus de quantification dun signal
continu, le signal de sortie neffectue des transitions quentre des tats voisins les
uns des autres (pour autant que le signal de rfrence soit continu ou vrifie lhypothse de signal lent). Pour un signal scalaire, cela signifie simplement quune
transition nest effectue que vers le plus grand niveau infrieur au niveau actuel
ou vers le plus petit niveau suprieur au niveau actuel. Pour un signal vectoriel,
7 Ce

point sera discut plus en dtail au chapitre 3.

2.2. Rgles dassociation des onduleurs triphass

63

lorsque la rfrence sloigne de sa valeur quantifie, une transition sera effectue lorsquune nouvelle valeur de quantification possible plus proche sera trouve. Avec cette description, la dtermination des positions des transitions et des
vecteurs, vers lesquels il est possible de commuter, ncessite la connaissance du
signal vectoriel de rfrence. Une bonne dfinition des voisins dun tat devrait
permettre de savoir vers quels tats une transition est possible, indpendamment
de la connaissance du signal de rfrence.
2.2.2.3

Droites de commutation entre deux phaseurs spatiaux

Considrons un ensemble dtats de sortie avec seulement deux lments et un


signal de rfrence continu. La commutation entre les deux phaseurs spatiaux V A
et V B seffectuera chaque fois que la rfrence traversera la droite situe gale
distance des deux tats de sortie. Cette droite est la mdiatrice du segment V A V B ,
nous lappelons droite de commutation entre les phaseurs spatiaux V A et V B . Le
concept est illustr la Fig. 2.12.

d ro ite d e c o m m u ta tio n
e n tre V A e t V B
A

V
B

r f r e n c e
F IG . 2.12 : Droite de commutation entre V A et V B . Lorsque la rfrence traverse cette
droite, on commute dun vecteur lautre.

2.2.2.4

Polygones de slection des phaseurs spatiaux et dfinition des voisins

Pour un ensemble de phaseurs spatiaux avec un nombre quelconque dlments, il y aura autant de droites de commutation quil y a de combinaisons de
deux phaseurs. Il est assez ais de dduire que le plus petit polygone form par les
droites de commutation autour dun phaseur donn dlimite sa zone de slection
lors dune quantification, comme illustr la Fig. 2.13 : chaque fois que la rfrence traverse cette zone, le phaseur correspondant est slectionn. La rfrence
est reprsente par ltat associ au polygone quelle traverse comme la Fig.
2.14. Pour une rfrence continue ou respectant lhypothse de signal lent, des
transitions ne sont possibles que vers les phaseurs spatiaux associs aux droites de

64

2. C OMBINAISONS DE CELLULES

commutation formant le plus petit polygone autour dun tat donn. Ces phaseurs
spatiaux sont les voisins du phaseur spatial considr. Ainsi la Fig. 2.14 reprsente
les polygones de slection pour un ensemble de vecteurs de tension qui ne sont pas
partout disposs rgulirement. La forme et la disposition de ces polygones permet
de se faire une ide de la rsolution de londuleur lorsque ses vecteurs sont placs
plus ou moins rgulirement. Par la suite, on utilisera souvent cette reprsentation
pour les configurations qui ne sont pas rgulires, et chaque fois quon obtient la
sortie par quantification.

ta ts n e fo r m a n t
a u c u n c t d u p o ly g o n e

V
A

p o ly g o n e d e
s le c tio n d e V
A

F IG . 2.13 : Polygone de slection du vecteur de tension V A . Il est construit par les droites
de commutation formant le plus petit polygone autour de V A . Lorsque la rfrence quitte
ce polygone, on commute dun vecteur vers un des voisins. Les voisins sont marqus par
des cercles.

Il faut remarquer quen priphrie, le polygone de slection nexiste pas, car


en sloignant dun vecteur depuis la priphrie vers lextrieur on neffectue plus
de transition vers un autre vecteur, moins de se dplacer tangentiellement la
priphrie. Un des cts permettant de refermer le polygone de slection manque.
A la Fig. 2.14 nous les avons referms en priphrie en reliant les vecteurs priphriques voisins entre eux. Cependant, lorsque la rfrence peut sortir de la surface
ainsi forme, nous ne refermerons pas ces polygones afin de dterminer les vecteurs de tension de londuleur lorsquil fonctionne en mode satur.
Except pour les configurations (les plus rpandues) prsentant de nombreuses
symtries, il est assez laborieux de dterminer les voisins dun vecteurs partir
de cette dfinition. Lannexe B dcrit une mthode de recherche qui permet de dterminer les vecteurs voisins nimporte quel ensemble de phaseurs spatiaux. Cette
mthode peut tre assez facilement implante, elle a t utilise pour dterminer

65

2.2. Rgles dassociation des onduleurs triphass

1.5

us,ref

1
0.5

us

0
0.5
1
1.5
2

1.5

0.5

0.5

1.5

F IG . 2.14 : Quantification dun signal de rfrence vectoriel continu : le signal est reprsent par les phaseurs spatiaux les plus proches de sa trajectoire. Les polygones dfinissent
les zones de slection des phaseurs spatiaux quils circonscrivent. Les phaseurs spatiaux
possibles sont reprsents par des , les phaseurs spatiaux slectionns sont reprsents
par des +.

les vecteurs voisins de configurations dont les phaseurs spatiaux sont irrgulirement distribus.

2.2.3

Condition duniformit vectorielle

2.2.3.1

Mthodes de construction de lensemble des vecteurs de tension

En monophas, les niveaux de sortie de deux cellules combines sont obtenus


en additionnant chacun des niveaux de sortie de la cellule de plus grand pas avec
chacun des niveaux de sortie de la cellule de petit pas. En triphas, nous pouvons
construire lensemble des vecteurs de sortie :
en une tape, en combinant les niveaux de trois onduleur multiniveau monophas pour former les phaseurs spatiaux de londuleur multiniveau triphas,
en deux tapes, tout dabord en construisant les phaseurs spatiaux gnrs
par des cellules triphases construites partir des cellules monophases,
puis en additionnant les vecteurs de sortie de la cellule triphase de grand
pas avec les vecteurs de sortie de la cellule triphase de petit pas. Prises in-

66

2. C OMBINAISONS DE CELLULES

dividuellement, les cellules de la structure de la Fig. 2.15 permettent dobtenir les phaseurs spatiaux de la Fig. 2.16(a), combines les phaseurs spatiaux
obtenus sont montrs la Fig. 2.16(b). La reprsentation des transitions possibles de un pas la Fig. 2.16(c) nous permet dtudier la finesse obtenue.
Les vecteurs de tension obtenus sont videmment les mmes, quelle que soit lapproche, cependant la seconde prsente lavantage de nous permettre denvisager
les conditions duniformit et de modulation sous un autre angle. Dautre part,
il est alors vident quon peut envisager la combinaison de structures purement
triphases.
n 2= 2

n 1= 3

n 2= 2

n 1= 3

n 2= 2

n 1= 3

D U 2= 4

D U 2= 4

D U 2= 4

D U 1= 1

D U 1= 1

D U 1= 1

b ,1

b ,2

b ,3

F IG . 2.15 : Exemple de structure examine : dans chaque phase, une cellule 2 niveaux par
branche de grand pas (une branche 2 transistors) est combine avec une cellule 3 niveaux
(un pont en H).

2.2.3.2

Proprits duniformit de quelques configurations de deux cellules

Observons comment sont combins les vecteurs de tension dans lexemple de


la structure de la Fig. 2.15 lorsquon fait varier le pas de la grande cellule. Dans cet
exemple, 2 cellules triphases sont combines. Dmarrons avec la configuration la
plus asymtrique qui satisfasse la condition de modulation, puis augmentons le pas
de la cellule haute tension par pas de la cellule basse tension :
1. Avec le rapport 2, cas illustr la Fig. 2.17(a) (p. 69), londuleur obtenu
respecte les conditions de modulation (2.33) et duniformit (2.22). Les tensions de branches gnres sont au nombre de 5 :
Vi = {2, 1, 0, 1, 2}
61 vecteurs de sortie diffrents sont gnrs.
2. Avec le rapport 3, cas illustr la Fig. 2.17(b), londuleur obtenu respecte
la condition duniformit (2.22). Les tensions de branches gnres sont au

2.2. Rgles dassociation des onduleurs triphass

67

nombre de 6 :
Vi = {2.5, 1.5, 0.5, 0.5, 1.5, 2.5}
91 vecteurs de sortie diffrents sont gnrs.
3. Avec le rapport 4, cas illustr aux Fig. 2.16 et 2.17(c), londuleur obtenu
ne respecte plus la condition duniformit (2.22). Les tensions de branche
gnres sont au nombre de 6 avec une irrgularit du pas entre -1 et 1 :
Vi = {3, 2, 1, 1, 2, 3}
Les 121 vecteurs de sortie gnrs sont rpartis uniformment dans un seul
ensemble. En monophas, les tensions de branche ne permettent pas cette
configuration de gnrer les petites amplitudes avec la mme finesse que
les grandes amplitudes, puisque le pas est double autour de zro. Pourtant,
lanalyse des vecteurs de tension obtenus montre bien quil est possible de
suivre une rfrence vectorielle avec la mme finesse de pas quun onduleur
disposant du niveau 0, cest--dire de 7 niveaux au total, soit :
Vi = {3, 2, 1, 0, 1, 2, 3}
La rsolution obtenue est particulirement visible sur la reprsentation des
transitions possibles de pas la Fig. 2.16(c). La mme reprsentation montre
cependant que la prcision est moindre pour les trs grandes amplitudes,
puisque par rapport londuleur 7 niveaux qui gnre 127 vecteurs de tension, 6 vecteurs de tension manquent en priphrie aux positions clefs permettant de gnrer une sinusode de la plus grande amplitude possible. Par
rapport londuleur 6 niveaux du cas 2, 30 vecteurs de tension supplmentaires sont gnrs en priphrie. Avec la mme tension pour la cellule basse
tension, la finesse est identique et une amplitude plus grande peut tre atteinte. Avec la mme tension de service pour les deux configurations, une
finesse suprieure est obtenue, sauf en priphrie.
4. Avec le rapport 5, cas illustr la Fig. 2.17(d), cet onduleur ne respecte pas
la condition duniformit. Les tensions de branche gnres sont au nombre
de 6 avec une irrgularit du pas entre -1.5 et 1.5 :
Vi = {3.5, 2.5, 1.5, 1.5, 2.5, 3.5}
Les 133 vecteurs de sortie gnrs ne sont pas rpartis uniformment dans
un seul ensemble mais dans 7 sous-ensembles. Cette configuration na ni
un pas uniforme au niveau des tensions de branche, ni des vecteurs uniformment disposs. Elle ne prsente pas autant dintrt que la configuration
prcdente.

68

2. C OMBINAISONS DE CELLULES

Cet exemple simple dmontre que la connaissance de la condition duniformit (2.22) est trop stricte pour choisir les tensions dalimentation dun onduleur
triphas : dautres choix sont possibles et il faut formuler une nouvelle condition
complte qui prenne en considration ces possibilits supplmentaires.

(a)

(b)

(c)

(d)

F IG . 2.16 : Combinaison de 2 cellules triphases, configuration (Ui , ni ) =


{(1, 3), (4, 2)} (a) ensembles de vecteurs de tension des cellules triphases prises individuellement, (b) ensemble des vecteurs obtenu par la combinaison, (c) lensemble des
transitions possible mesurant un pas donne le domaine duniformit obtenu, (d) lunion des
surfaces atteignables par chacun des vecteurs de la cellule de grand pas donne le domaine
de modulation optimise.

69

2.2. Rgles dassociation des onduleurs triphass

(a)
M
U
VM
VU

(b)
U
VM
VU

(c)

VU

(d)

F IG . 2.17 : Combinaisons de 2 cellules triphases, de haut en bas le pas de la cellule haute


tension est augment : (a) U2 = 2U1 , (b) U2 = 3U1 , (c) U2 = 4U1 , (d)
U2 = 4U1 . A gauche ensembles des phaseurs spatiaux des cellules prises individuellement ; au centre ensemble de phaseurs spatiaux obtenus par combinaison ; droite domaines
duniformit et de modulation obtenus ; lextrme droite, proprits de la combinaison :
M, respecte la condition scalaire de modulation optimise ; Urespecte la condition duniformit monophase ; VM, respecte la condition vectorielle de modulation optimise ; VU,
respecte la condition vectorielle duniformit.

70
2.2.3.3

2. C OMBINAISONS DE CELLULES

Condition duniformit vectorielle exprime sous forme gomtrique


Dfinition du domaine duniformit
La surface lintrieur de laquelle les vecteurs de tension sont disposs rgulirement de manire former un maillage rgulier est le
domaine duniformit. A lintrieur de cette surface, une trajectoire
de rfrence peut tre reprsente avec une mme finesse par quantification ou par modulation. La trajectoire de rfrence est continue
ou varie lentement, le domaine duniformit doit par consquent
tre dun seul tenant. Sil y a plusieurs surfaces lintrieur desquelles les vecteurs de tension sont disposs rgulirement, une de
ces surfaces pourra tre considre comme tant le domaine duniformit, celle qui convient le mieux notre application. Les trous
que peut prsenter ce domaine, lintrieur desquels le maillage ne
prsente plus la mme rgularit, nappartiennent pas au domaine
duniformit, car la rfrence ne peut pas y tre reprsente avec la
mme finessea .
a La finesse correspond lerreur avec laquelle la trajectoire de rfrence est reproduite. En dplaant la rfrence lintrieur du domaine de modulation ou en lui faisant effectuer une rotation, la qualit du signal ne doit pas changer. Cela nest quapproximativement exact pour des translations et rotations quelconques. Cela nest rigoureusement exact que pour des translations dun multiple du pas le long des axes
des tensions, et pour des rotations de 60 de la trajectoire de rfrence autour dun
des vecteurs de londuleurs.

Dans le cas monophas, luniformit est dfinie par des critres trs prcis.
Dans le cas vectoriel il faut dterminer sur quel domaine une configuration est
uniforme. La forme du domaine tant dtermine, lexamen de lapplication pour
laquelle il est destin devrait permettre de dterminer sil convient ou non. Pour
une application de type moteur, londuleur gnre des trajectoires de type circulaire, du centre vitesse zro vers la priphrie vitesse maximale. La forme idale
du domaine duniformit pour une application de type moteur est un disque.
Pour une application de type onduleur connect un rseau alternatif frquence et tension fixe, comme par exemple le filtrage actif dharmoniques, londuleur gnre des trajectoires de type circulaire avec une gamme damplitude donne.
La forme idale du domaine duniformit qui convient ce type dapplications est
un disque vid.
Pour ces applications typiques, il faut que la forme du domaine duniformit
soit convexe.

2.2. Rgles dassociation des onduleurs triphass

2.2.3.4

71

Caractrisation des capacits de londuleur

Lensemble des vecteurs de tension distincts que londuleur est capable de gnrer permet de dterminer plusieurs proprits importantes. Le nombre de vecteurs de tension distincts fournit une premire information sur la rsolution de
londuleur que le domaine duniformit, illustr en Fig. 2.18(a), permet de prciser. Nous allons examiner quelques autres grandeurs qui permettent de caractriser
cet onduleur.
Domaine de tension atteignable
Prenons le plus grand polygone reliant des vecteurs de tension. Ce polygone
dfinit la surface contenant toutes les trajectoires que londuleur est capable de
gnrer. Une trajectoire ne peut pas tre gnre en dehors de cette surface. Cette
surface peut tre dsigne comme tant le domaine de tension atteignable par londuleur. Elle peut tre daire plus grande ou gale au domaine duniformit : elle
le contient. Le domaine atteignable ainsi quune trajectoire (de rfrence) qui ne
peut pas tre suivie (en tout point) sont illustrs la Fig. 2.18(b).
Dans la configuration de notre exemple, ce plus grand polygone est un hexagone, qui contient le domaine duniformit et 6 petits polygones en priphrie. Le
domaine atteignable est le mme que celui de la configuration uniforme gnrant 7
niveaux : les trajectoires qui peuvent tre atteintes sont les mmes (ce qui nest pas
tonnant puisque les niveaux extrmes des tensions de branche sont les mmes),
mais la rsolution est moindre (puisque le zro manque aux tensions de branche).
Disque atteignable
Lintgralit du domaine atteignable nest utilise quen mode rectangulaire.
Dans le cas de la modulation en largeur dimpulsions, les trajectoires de rfrence
sont souvent des systmes sinusodaux quilibrs. Elles sont circulaires dans le
plan (ub, , ub, ) et les vecteurs de tension proches des sommets de lhexagone ne
sont par consquent gnralement pas utiliss. La dimension du plus grand cercle
centr sur lorigine et inscrit dans le domaine atteignable permet de dterminer la
plus grande amplitude dun signal sinusodal quilibr que londuleur est capable
de gnrer. Ce domaine est illustr la Fig. 2.18(d).
Disque uniforme
La dimension du plus grand cercle centr sur lorigine et inscrit dans le domaine duniformit permet de dterminer la plus grande amplitude dun signal
sinusodal quilibr que londuleur est capable de gnrer avec la mme finesse
sur lensemble de la trajectoire. Ce domaine est illustr la Fig. 2.18(c).

72

2. C OMBINAISONS DE CELLULES

(a) domaine duniformit

(b) domaine atteignable

(c) disque uniforme

(d) disque atteignable

F IG . 2.18 : Domaines dterminant les capacits de londuleur pour la configuration


(ni , Ui ) = {(3, 1), (2, 4)}. Les domaines sont tests avec 3 trajectoires damplitudes
diffrentes : la premire marque peut tre gnre uniformment, la deuxime marque
+ peut tre gnre, la troisime marque ne pas tre gnre.

2.2. Rgles dassociation des onduleurs triphass

73

Pour londuleur 7 niveaux uniformes, et plus gnralement pour toutes les


configurations respectant la condition duniformit scalaire, le disque atteignable
et le disque uniforme sont confondus. Pour la configuration de notre exemple, le
disque uniforme est plus petit, il est de mme dimension que celui de la configuration 6 niveaux uniformes : cette nouvelle configuration na pas dintrt si lon
restreint son domaine dutilisation au disque uniforme.
2.2.3.5

Condition duniformit vectorielle exprime sous forme algbrique

Pour des ensembles de vecteurs de tension de forme simple, il est possible


dexprimer la condition duniformit vectorielle sous forme algbrique. Lorsque
les tensions de branche sont rparties uniformment, les domaines duniformit
combins sont des hexagones rguliers.
Lanalyse des vecteurs de tension obtenus en combinant 2 ensembles de vecteurs rpartis uniformment dans des hexagones rguliers nous permet dtablir
quune nouvelle rpartition uniforme sera obtenue si les pas sont tels que :
3 nA 1
UA
2
3 nA 2
UA UB
UA
2

UA UB

nA impair
(2.39)
nA pair

avec nA le nombre de niveaux de la cellule de pas le plus petit UA et nB le


nombre de niveaux de la cellule de pas le plus grand UB .
Cette ingalit engendre un largissement du pas possible par rapport la
condition duniformit (2.19). On peut expliciter la diffrence en rcrivant lingalit (2.39) sous la forme :

nA 1
UA
2


nA 2
UA UB nA +
UA
2


UA UB

nA +

nA impair
(2.40)
nA pair

Les nouvelles configurations obtenues avec cette condition algbrique ne donnent


pas un domaine duniformit hexagonal. Il nest par consquent pas possible de
gnraliser (par rcurrence) cette condition qui ne sapplique quaux domaines
duniformit hexagonaux. Lanalyse gomtrique de 2.2.3.3 savre plus gnrale et plus maniable. En utilisant comme cellule basse tension une cellule triphase compose de 3 cellules monophases 3 niveaux, la diffrence nA21 vaut 1.
Cela confirme les rsultats de notre exemple : il est effectivement possible dutiliser un pas 4 fois plus grand pour la cellule haute tension, alors que la condition
scalaire duniformit (2.22) interdit un pas plus grand que 3 dans ce cas.

74

2. C OMBINAISONS DE CELLULES

2.2.3.6

Conditions duniformit vectorielle stricte et large

Pour que le domaine duniformit couvre lensemble du domaine atteignable,


il faut que la condition duniformit scalaire soit respecte. Pour les configurations triphases nous parlerons aussi de la loi duniformit vectorielle stricte.
Les autres configurations qui viennent dtre dfinies et dont le domaine duniformit ne couvre pas certaines parties priphriques du domaine atteignable seront
dtermines par la loi duniformit vectorielle large.

2.2.4

Condition de modulation vectorielle optimise

2.2.4.1

Modulation vectorielle

La modulation scalaire consiste moduler les 2 niveaux les plus proches placs
autour du niveau de rfrence de manire gnrer la mme valeur moyenne. La
modulation vectorielle consiste moduler des vecteurs de tension placs autour du
vecteur de rfrence de manire gnrer le mme vecteur moyen. Gnralement,
pour les configurations uniformes, les 3 vecteurs formant le plus petit triangle autour du vecteur de rfrence sont moduls. Pour les configurations irrgulires,
il peut y avoir plusieurs triangles possibles et quivalents, lensemble de vecteur
de tension le plus adapt peut former un polygone plus complexe quun triangle.
Pour limiter les pertes par commutation, qui seraient sans cela trop leves, nous ne
gnrerons cependant la rfrence par modulation de plusieurs phaseurs spatiaux
qu lintrieur du domaine duniformit8 . Nous ne traiterons par consquent pas
de la modulation en dehors du domaine duniformit.

D
V

D
B ,i

m o d ,B ,i

m o d ,B ,i+ j

m o d ,B ,j

B ,j

B ,i

m o d ,B ,i+ j

m o d ,B ,i

r f r e n c e
m o d ,B ,j

B ,j

r f r e n c e
(a) pas de modulation de la cellule B

(b) modulation de la cellule B

F IG . 2.19 : La surface Dmod,B,i est engendre par le vecteur de base V B,i . La surface
Dmod,B,j est engendre par le vecteur de base V B,j . La surface Dmod,B,i+j ne peut tre
gnre que par modulation des vecteurs de base V B,i et V B,j .
8 La plupart du temps, nous ne procderons la modulation qu lintrieur du domaine de modulation optimise qui sera dfini dans cette section.

2.2. Rgles dassociation des onduleurs triphass

2.2.4.2

75

Proprits en modulation de quelques configurations de deux cellules

Examinons nouveau la structure de la Fig. 2.15 (p. 66), cette fois du point
de vue de la modulation. La cellule basse tension gnre 19 vecteurs de tension
distincts rpartis uniformment dans un hexagone rgulier. La cellule haute tension en gnre 7. Combin avec les vecteurs de tension de la cellule basse tension,
chacun est un vecteur de base qui permet datteindre 19 vecteurs de tension de
londuleur multiniveau. Avec un rapport 4, nous obtenons 7 groupes de vecteurs
bien distincts reprsents en gris la Fig. 2.16(d). Pour suivre une rfrence situe
lintrieur de la surface couverte par les groupes de vecteurs de tension gnrs
par un vecteur de base, il nest videmment pas ncessaire de commuter la cellule
haute tension : le vecteur de base est le mme. Sur la Fig. 2.19(a), les deux vecteurs
de base V B,i et V B,j nont pas besoin dtre moduls lorsque la rfrence appartient soit la surface Dmod,B,i , atteignable par le vecteur de base V B,i , soit la
surface Dmod,B,j , atteignable par le vecteur de base V B,j . Au contraire, pour gnrer une rfrence situe entre deux surfaces gnres par deux vecteurs de base
distincts, il faut moduler les deux vecteurs de base correspondant, ce qui entrane
la commutation de la cellule haute tension. Sur la Fig. 2.19(b), la rfrence ne peut
tre atteinte que par modulation des vecteurs de base V B,i et de V B,j lorsquelle
appartient laire dsigne Dmod,B,i+j . Examinons ce qui se passe pour diffrents
rapports de tensions dentre avec notre structure :
1. Avec un rapport 2, cas illustr la Fig. 2.17(a) (p. 69), les groupes de vecteurs de tension se chevauchent, de sorte que chacun des vecteurs de tension
peut tre gnr de plusieurs manires diffrentes. Dautre part, les surfaces
gnres par tous les vecteurs de base couvrent lensemble du domaine atteignable par londuleur, ce qui signifie que nimporte quel point dans le domaine gnrable peut tre obtenu par modulation, sans commuter la cellule
haute tension. Cela confirme les rsultats obtenus avec la condition scalaire
de modulation.
2. Avec un rapport 3, cas illustr la Fig. 2.17(b), contrairement ce qui se
passait pour les tensions de branche o les segments ne se chevauchent pas,
les groupes de vecteurs se chevauchent partiellement. Seuls 6 triangles lmentaires appartenant au domaine atteignable en priphrie nappartiennent
aucun groupe de vecteurs. Il nest pas possible de gnrer une rfrence
dans ces triangles sans commuter la cellule haute tension. En revanche, il
est possible de gnrer une rfrence quelconque partout ailleurs, sans commuter la cellule haute tension. Cette configuration ne permet pas de gnrer
une tension de branche de moyenne amplitude sans modulation de la cellule
haute tension. Elle le permet nanmoins pour nimporte quelle rfrence
vectorielle des basses aux hautes amplitudes. Seules les rfrences damplitudes maximales, croisant les 6 triangles en priphrie, ne peuvent pas tre

76

2. C OMBINAISONS DE CELLULES

gnres sans modulation de la cellule haute tension. Pour une trajectoire


circulaire damplitude maximale, la modulation de la cellule haute tension
ne pourra pas tre vite sur une fraction de la trajectoire, ce qui peut tre
acceptable selon lapplication. Le cas problmatique de la rfrence damplitude moyenne causant une frquence de pulsation aussi leve pour la
cellule haute tension que pour la cellule basse tension ne se pose pas9 .
3. Avec un rapport 4, cas illustr la Fig. 2.17(c), les groupes de vecteurs ne
se chevauchent pas, seuls quelques sommets des hexagones sont confondus.
De nombreuses parties du domaine atteignable ne peuvent pas tre gnres sans moduler la cellule haute tension ( frquence de pulsation leve).
Cette configuration est vectoriellement uniforme, mais nest pas pas vectoriellement modulable.
Cet exemple simple montre les limites de la condition de modulation optimise
des onduleurs monophass. La condition (2.33) limite, de manire injustifie, le
choix des tensions dalimentation dun onduleur triphas sans neutre reli. Dautre
choix sont possibles. Il nous faut formuler une nouvelle condition qui prenne en
considration ces possibilits additionnelles.
2.2.4.3

Condition vectorielle de modulation optimise exprime sous forme


gomtrique
Dfinition gomtrique du domaine de modulation optimise

La surface couverte par les triangles lmentaires qui peuvent tre atteints
partir dun vecteur de base donn est la surface atteignable depuis ce vecteur. La
surface obtenue en combinant les surfaces atteignables par tous les vecteurs de
base est le domaine de modulation optimise. Cette surface diffre du domaine atteignable. Pour former le domaine atteignable de londuleur multiniveau, les zones
entre les surfaces atteignables par les vecteurs de base peuvent tre atteintes par
modulation des vecteurs de base. Au contraire le domaine de modulation optimise
est form sans moduler les vecteurs de base. Par exemple, la surface Dmod,B,i+j
la Fig. 2.19 appartient au domaine atteignable, mais pas au domaine de modulation
optimise.
Expression gomtrique de la condition de modulation optimise
Lorsque le domaine de modulation optimise est une surface continue dun
seul tenant et sans trou, la configuration qui la gnr convient pour la modulation
vectorielle optimise.
9 Il pourrait se poser pour des trajectoire particulire centre autour des triangles nappartenant pas
au domaine de modulation optimise

77

2.2. Rgles dassociation des onduleurs triphass

Condition de modulation optimise stricte


Lorsque le domaine de modulation optimise couvre lensemble du domaine
atteignable (ce qui nest le cas quavec le rapport 2 pour notre exemple), la configuration respecte la condition de modulation optimise stricte.
Considrations pratiques, condition de modulation optimise large
La condition de modulation optimise stricte a un intrt pratique limit. Pour
notre exemple,le rapport 3 conduit un domaine atteignable dont une partie minime nappartient pas au domaine de modulation optimise. La consquence est
quil est possible de moduler une trajectoire circulaire damplitude maximale avec
une frquence de commutation tout fait acceptable pour la cellule haute tension.
Lorsque le domaine de modulation optimise ne couvre pas la totalit du domaine
atteignable, cest--dire lorsquil ne respecte que le premier nonc, la configuration respecte la condition de modulation optimise large.
2.2.4.4

Condition vectorielle de modulation optimise exprime sous forme


algbrique

La condition gomtrique est la plus gnrale et la plus facile exprimer. Pour


une combinaison de deux onduleurs gnrant des vecteurs rpartis uniformment
dans des hexagones rguliers, il est possible dexprimer la condition de modulation
optimise sous forme algbrique :
3 nA 3
UA
2
3 nA 4
UA UB
UA
2

UA UB

nA impair
(2.41)
nA pair

Cette expression largit lensemble des configurations possibles par rapport la


condition de modulation optimise scalaire (2.32). La diffrence peut tre explicite en rcrivant lingalit (2.39) sous la forme :

nA 1
UA
UA UB nA 1 +
2


nA 2
UA UB nA 1 +
UA
2


nA impair
(2.42)
nA pair

Les stratgies de commande de ces onduleurs seront dcrites au chapitre 4.

78
2.2.4.5

2. C OMBINAISONS DE CELLULES

Interprtation de la reprsentation des domaines duniformit et de


modulation optimise

On reprsente les domaines duniformit et de modulation optimise sur un


mme graphe. Le domaine duniformit est donc reprsent par les traits la Fig.
2.17 (p. 69). Les zones qui ne sont pas couvertes par des triangles lmentaires
(utiliss en modulation) nappartiennent pas au domaine duniformit. Une configuration prsentant des trous lintrieur de ce treillis nest pas vectoriellement
uniforme. Le domaine de modulation optimise est reprsent par une surface
grise. Les zones blanches nappartiennent pas au domaine de modulation optimise, mme lorsquelles sont couvertes par du treillis. La configuration qui prsente
des trous dans la surface grise du domaine de modulation optimise ne vrifie pas
la condition vectorielle de modulation optimise.

2.2.5

Proprits de quelques configurations triphases

Quelques exemples supplmentaires aux Fig. 2.20 et Fig. 2.21 permettent de


vrifier et dillustrer les nouvelles configurations permises par les lois vectorielles
duniformit et de modulation optimise.
La Fig. 2.20 illustre des exemples supplmentaires avec une cellule haute tension deux niveaux sur la tension de branche, pour des nombres de niveaux suprieurs 3 pour la cellule basse tension (ce qui peut tre ralis simplement par la
combinaison srie de plusieurs cellules 3 niveaux). Des agrandissements de zones
critiques permettent de vrifier les proprits duniformits et de modulation.
Toute configuration scalairement uniforme est vectoriellement modulable, le
domaine de modulation est plus petit que le domaine duniformit lorsque cette
configuration nest pas scalairement modulable. La rciproque nest pas vraie,
une configuration vectoriellement modulable nest pas forcment scalairement uniforme comme le montre la configuration Fig. 2.20(c).
La profondeur des entailles en priphrie est gale laugmentation du pas
par rapport la configuration scalairement uniforme la plus asymtrique : pour les
configurations Fig. 2.20(b) et (c), elle vaut 2, pour la configuration Fig. 2.20(d),
elle vaut 3. Pour une grande cellule avec 2 niveaux sur la tension de branche, le
nombre de couches supplmentaire de vecteurs de tension par rapport la configuration scalairement uniforme la plus asymtrique est galement gal la profondeur de cette entaille. En consquence, le disque uniforme ne peut pas tre plus
grand quavec cette configuration et cela confirme quen sen tenant luniformit
stricte, il ny a pas de gain avec ces nouvelles configurations. Pratiquement, cela
provoque une perte de finesse pour les plus grandes amplitudes. En agrandissant le
domaine de modulation de la configuration Fig. 2.20(d), on y distingue des trous
de la dimension dun triangle lmentaire : cette configuration ne respecte donc

2.2. Rgles dassociation des onduleurs triphass

79

pas la loi de modulation vectorielle. Pratiquement, ces trous couvrent une fraction
tellement petite du domaine de modulation que cela ne pose pas de problme. La
dimension dj relativement importante des entailles en priphrie pose davantage
de problme pour les plus grandes amplitudes.
Au contraire, avec une cellule plus de 2 niveaux par branche comme grande
cellule, le disque uniforme est plus grand avec les nouvelles configurations. La
profondeur des entailles en priphrie et toujours la mme, mais le nombre de
couches ajoutes est multipli par le nombre de niveaux supplmentaires ajout de
un. Mme en sen tenant luniformit stricte, ces configurations sont intressantes
et pratiquement, la finesse est suprieure mme pour les plus grandes amplitudes.
La Fig. 2.21 illustre des exemples de configurations avec une cellule haute tension
plus que deux niveaux sur la tension de branche (elle peut par exemple tre
constitue dun onduleur NPC). Le nombre de phaseurs spatiaux obtenu est plus
grand mais les proprits sont les mmes.

80

2. C OMBINAISONS DE CELLULES

(a)
U
VM
VU

(b)

VU

(c)

VM
VU

(d)

VU

F IG . 2.20 : Combinaisons de 2 cellules triphases, de haut en bas le pas de la cellule haute


tension est augment. Les conditions duniformit et de modulation vectorielles permettent
de trouver de nouvelles configurations vectoriellement uniformes VUet convenant ventuellement pour la modulation vectorielle optimise VM : (a) (Ui , ni ) = {(1, 5), (5, 2)} ;
(b) (Ui , ni ) = {(1, 5), (7, 2)} ; (c) (Ui , ni ) = {(1, 8), (10, 2)} ; (d) (Ui , ni ) =
{(1, 8), (11, 2)}.

2.2. Rgles dassociation des onduleurs triphass

81

(a)
U
VM
VU

(b)

VU

(c)
U
VM
VU

(d)

VU

F IG . 2.21 : Combinaisons de 2 cellules triphases en fonction du pas. Lorsque 2 cellules


sont combines, luniformit ne dpend pas du nombre de niveaux de la cellule grand
pas : (a) (Ui , ni ) = {(1, 3), (3, 3)} ; (b) (Ui , ni ) = {(1, 4), (3, 3)} ; (c) (Ui , ni ) =
{(1, 3), (3, 4)} ; (d) (Ui , ni ) = {(1, 3), (4, 4)}.

82

2.2.6

2. C OMBINAISONS DE CELLULES

Evaluation de quelques configurations

Dans cette section, nous valuons deux configurations avec asymtrie maximale selon la loi duniformit vectorielle. Nous les comparons une configuration
avec asymtrie maximale selon la loi duniformit monophase, pour vrifier que
lon obtient un gain de rsolution, et avec une solution ayant les mmes phaseurs
spatiaux plus ceux qui manquent en priphrie, afin dvaluer la perte de rsolution
occasionne.
2.2.6.1

Onduleur triphas avec une cellule pont en H en srie par phase

Daprs la loi de modulation monophase, cette structure est capable de gnrer 5 niveaux uniformes, 6 daprs la condition duniformit monophase. Elle
est en outre capable de gnrer 121 vecteurs alors quune configuration gnrant 7
niveaux uniformes en gnrerait 127. La distorsion harmonique est compare pour
ces 3 configurations la Fig. 2.22(a). Sur toute la gamme damplitude les performances sont identiques celle de londuleur 7 niveaux uniformes et pour les plus
grandes amplitudes, la performance est lgrement infrieure celle de londuleur
6 niveaux uniformes.
2.2.6.2

Onduleur triphas NPC avec une cellule pont en H en srie par phase

Daprs la loi de modulation monophase, cette structure est capable de gnrer 7 niveaux uniformes, 9 daprs la condition duniformit monophase. Elle
est en outre capable de gnrer 319 vecteurs alors quune configuration gnrant
11 niveaux uniformes en gnrerait 331. La distorsion harmonique est compare
pour ces 3 configurations la Fig. 2.22(b). Sur toute la gamme damplitude les
performances sont identiques celles de londuleur 11 niveaux uniformes et pour
les plus grandes amplitudes, la performance est lgrement infrieure celle de
londuleur 11 niveaux uniformes tout en restant meilleure que celle de londuleur
9 niveaux uniformes.
Cette valuation nous montre que ces solutions non-uniformes sont dautant
plus avantageuses qu la base le nombre de niveaux est lev.

2.3

Combinaisons de cellules rapports de pas rationnels

Dans cette section nous explorons les moyens daugmenter la rsolution des
onduleurs triphass par lutilisation de pas qui sexpriment comme des fractions
rationnelles du plus petit pas.

83

2.3. Combinaisons de cellules rapports de pas rationnels

5
THD1
THD2
THD3

10

THD [dB]

THD [dB]

10

THD1
THD2
THD3

15

15

20

20
25

25
0

0.5

1
magnitude []

(a)

1.5

30
0

0.5

1.5

magnitude []

(b)

F IG . 2.22 : Rduction de la distorsion harmonique avec les configurations pas nonuniforme : (a) pont triphas + 1 pont monophas par phase ; (b) onduleur NPC 3-niveaux +
1 pont monophas par phase (voir Fig. 2.32 et 2.33 pour les configurations compares).

2.3.1

Objectif : dpasser le cadre impos par la condition duniformit

Les contraintes imposes par la condition duniformit des onduleurs monophass (2.22) sont relativement strictes. Elles limitent les possibilits dalimentation des cellules, dans certains cas, cela ne permet pas dutiliser de manire optimale les semi-conducteurs disposition. En respectant la condition duniformit
(2.22), il faut en effet considrer deux cas :
1. Les tensions dalimentation des cellules sont choisies pour utiliser de manire optimale la capacit de blocage des semi-conducteurs disponibles. La
rsolution obtenue dpend des tensions admises par les interrupteurs choisis.
Elle peut tre plus ou moins importante.
2. Si le premier cas aboutit une rsolution insuffisante pour le cahier des
charges, les semi-conducteurs peuvent alors tre choisis selon la rsolution
que nous voulons obtenir. Pour obtenir une rsolution donne, il faut dans
ce cas trouver des interrupteurs qui soient compatibles en calibre de courant,
dans les bons rapports de tensions, dans la bonne gamme de tension et avec
les frquences dutilisation adaptes. Les semi-conducteurs adquats ne seront pas forcment disponibles. Dans ce cas, pour certaines cellules, nous
serons contraints de choisir des semi-conducteurs surdimensionns en tension ou en courant qui sont utiliss en de de leur capacit en tension. Cela
se traduit par un surcot et par un rendement moins lev pour la plupart des
types dinterrupteurs. En effet, les pertes en conduction et en commutation
augmentent gnralement avec la tension de blocage des interrupteurs.

84
2.3.1.1

2. C OMBINAISONS DE CELLULES

Utilisation dinterrupteurs de tensions de blocage loignes

Pour employer des interrupteurs de tensions de blocage loignes dans diffrentes cellules, il faut choisir des tensions dentre dans des rapports correspondants approximativement aux rapports des tensions de blocage. La condition duniformit scalaire (2.22) et la condition duniformit vectorielle (2.39) permettent
un grand nombre de configurations possibles avec des interrupteurs de tensions de
blocage loignes.
2.3.1.2

Utilisation dinterrupteurs de tensions de blocage proches

Pour employer des interrupteurs de tensions de blocage proches pour les diffrentes cellules, il faut soit choisir des tensions dentre identiques pour chaque
cellule, ce qui conduit une rsolution faible, soit choisir des tensions dentre
diffrentes, ce qui conduit sous-utiliser certains interrupteurs en tension.
Le problme est que la condition duniformit (2.22) impose lutilisation dune
combinaison de cellules dont le pas de chacune est un multiple entier du pas de la
plus petite.
En combinant des cellules monophases de pas qui sexpriment comme des
facteurs rationnels du pas de la plus petite des cellules, les niveaux redondants
peuvent tre spars, ce qui devrait permettre une augmentation de la rsolution.
En combinant des cellules triphases dont le rapport des pas est entier, les
ensembles de vecteurs gnrs se superposent et gnrent des redondances, mme
si londuleur monophas employant les mmes rapports nen a pas. Lutilisation de
pas de rapports non-entiers conduit lentrelacement des ensembles de vecteurs
gnrs, ce qui permet davoir un nombre suprieur de niveaux distincts et peut
permettre une augmentation de la rsolution.

2.3.2

Dimensionnement scalaire

2.3.2.1

Expression rationnelle du pas

Essayons dalimenter deux cellules de telle sorte que leur pas soient dans un
rapport dune fraction lgrement suprieure 1. Lexpression de ce rapport est de
la forme :
UB
q+1
=
(2.43)
UA
q
avec UA et UB les pas des cellules. En dsignant nA , et nB le nombre de
niveaux des cellules, nous obtenons nA nB niveaux. Le passage dun niveau un
niveau adjacent seffectue en faisant varier de manire oppose les tensions des 2
cellules. De cette faon, le plus petit pas rsultant est gal la diffrence des pas

2.3. Combinaisons de cellules rapports de pas rationnels

des cellules :
UAB = UB UA =

UA
q

85

(2.44)

Le pas de londuleur rsultant nest pas uniforme comme le montre la condition


duniformit qui stipule que le rapport des pas doit tre entier. Il est au minimum
gal la diffrence des pas des cellules. Cela conduit une rduction du pas alors
quen respectant la condition duniformit, le pas rsultant est gal au pas de la
plus petite des cellules. La consquence de ce choix de pas et que pour passer dun
niveau un de ses voisins, il faut la plupart du temps commuter plusieurs cellules.
Cela est radicalement oppos au cas uniforme, et cela est d au fait que le pas
rsultant nest pas celui de la cellule de plus basse tension.
2.3.2.2

Transitions entre niveaux adjacents

Pour passer dun niveau un niveau adjacent suprieur dun pas lmentaire
UAB , on fait varier de manire oppose les tensions des 2 cellules. De manire
plus gnrale, on peut chercher les grandeurs de commande qui permettent daugA
menter la tension de sortie dun pas lmentaire de UAB = U
q . Pour cela,
crivons un niveau de londuleur et son successeur sous la forme :
Vk = a1 UA + b1 UB
Vk+1 = a2 UA + b2 UB

(2.45)
(2.46)

Avec a1 , a2 , b1 , b2 Z. Nous voulons que la diffrence entre ces deux niveaux


adjacents soit gale un pas lmentaire :
UA
q

(2.47)

aq + b (q + 1) = 1

(2.48)

Vk+1 Vk = (b1 a1 ) UA + (b2 a2 ) UB =


Substituant a = a2 a1 , b = b2 s1 , nous obtenons :

En sparant les termes dpendant de q des autres :


(a + b) q = 1 a

(2.49)

Avec q le paramtre caractrisant le rapport entre UB et UA . a et b sont entiers


et sont les deux inconnues permettant deffectuer une variation de un pas. Cette
quation admet la solution a = 1, b = 1 quel que soit q. En dautres termes, on
peut passer dun niveau son voisin suprieur en augmentant le pas de UB et

86

2. C OMBINAISONS DE CELLULES

en le diminuant de UA (voir les transitions V2 V3 ,V4 V5 et les transitions


parallles sur lexemple de la Fig. 2.23). Il y a galement dautres solutions dpendant de q. Cherchons la solution de (2.49) lorsquon ne peut plus augmenter u2
ou diminuer u1 , cest--dire lorsquon arrive en bordure du graphe des transitions
(par exemple en V3 , V6 , V10 , V13 ou V15 sur la Fig. 2.23). La solution nexiste pas
pour tout b, posons b = 1 q, nous obtenons :
aq + (1 q)(q + 1) = 1
aq + q 2 + 1 = 1
aq = q 2
a=q
On peut galement passer dun niveau son voisin suprieur en diminuant u2 de
1 qUB et augmentant UA de qUA (voir les transitions V6 V7 , V10 V11
sur lexemple de la Fig. 2.23).
2.3.2.3

Obtention dune rpartition quasi-uniforme des niveaux

Toutes les transitions en diagonale de gauche droite en bas sont des transitions
provoquant une variation de la sortie de un pas lmentaire. Elles correspondent
la solution nB = 1, nA = 1 de (2.49). Parmi les transitions dans lautre diagonale den bas gauche en haut telles, certaines sont galement solutions de (2.49).
Ce sont les solutions telles que nB = q 1, nA = 2 et correspondent galement
au dplacement dun pas lmentaire.
Les autres transitions provoquent des variations de la sortie suprieure au pas
lmentaire. Ces transitions sont dues aux effets de bord. Dans lexemple de la Fig.
2.23, le plus petit niveau V1 est reprsent en bas gauche. Le niveau immdiatement suprieur V2 est forcment suprieur dun pas de la petite cellule, cest--dire
de q pas lmentaires. De ltude du graphe nous dduisons que le nombre de niveaux nA doit au moins tre gal q pour obtenir une rpartition uniforme sauf
dans les bords :
q nA
(2.50)
Le nombre de transitions dpassant un pas lmentaire cest--dire ntant pas
uniformes ne dpend alors pas du nombre de niveaux (voir les transitions en
pointill sur lexemple de la Fig. 2.23). Il dpend uniquement du rapport des pas
employ. Partant du niveau le plus bas V1 , nous avons une transition de q 1 pas, 1
transition de 1 pas, 1 transition de q 2 pas, 2 transition de 1 pas et ainsi de suite.
Nous avons chaque extrmit q 1 transitions plus grandes que la transition
lmentaire sur un total de nA nB 1 transitions.

87

2.3. Combinaisons de cellules rapports de pas rationnels

n B-1
V

V
7

1 1

1 6

1 5

1 3

1 4

n A-1
V

V
2

V
1

V
3

V
6

1 0

q + 1
q
F IG . 2.23 : Graphe des tats, niveaux et transitions entre niveaux adjacents pour un
onduleur compos de 2 cellules dont le rapport entre les pas et rationnel.

2.3.3

Dimensionnement vectoriel

Le respect de la condition (2.50) sur nA permet dobtenir une rpartition uniforme des niveaux sur un intervalle. En combinant deux cellules dont le rapport
entre les pas est rationnel non-entier, nous pouvons obtenir une rpartition uniforme des vecteurs de sortie, si les pas respectent la condition suivante :

UB
q+1

r = UA = q
(2.51)
q nA

q nB 1
Dans ce cas, les pas entre les couches dhexagones proches de lextrieur sont les
mmes que pour la distribution monophases, alors qu lintrieur les couches
vides sont compltes cause des redondances. Cest la condition supplmentaire
sur nB qui assure que ces couches vides sont compltes et cest la diffrence
avec la condition (2.50) qui porte seulement sur nA . Nous obtenons un domaine
duniformit qui comprend N hexagones concentriques :
N = (nA 1) q + (nB 1) (q + 1)

(2.52)

Dont NU appartiennent au domaine duniformit :


NU = q + (nB 1) (q + 1)

(2.53)

88

2. C OMBINAISONS DE CELLULES

Us,1

Les exemples des Fig. 2.24 et 2.25 nous permettent de vrifier les distributions de
vecteurs obtenues.
1

0.25

1.75

0.75

0.75

1.75
0.75

0.25
0.75

Us,2

(a)

(b)

(c)

(d)

(e)

F IG . 2.24 : Obtention dun pas uniforme avec un rapport de pas rationnel : (a) mme combinaison monophase (b) ensembles de vecteurs des cellules de dpart prises individuellement, (c) ensemble des vecteurs obtenu par la combinaison, (d) domaine duniformit
obtenu, (e) entrelacement des vecteurs de sortie = pas de domaine de modulation.

2.3.4

Proprits des configurations pas rationnel

Cette rpartition de niveau tant base sur les diffrences de pas entre plusieurs
cellules, elle est trs sensible aux erreurs sur les pas des cellules. La sensibilit est
augmente du facteur q.
Ce type de configuration permet dobtenir une rsolution plus leve lorsquon
dispose dune structure dont la rsolution est dj leve. Le gain en rsolution est
dautant plus lev que le nombre de niveaux redondants est lev, son intrt est
limit lorsque le nombre de niveaux des cellules combines est rduit.
Ce type donduleur est intrinsquement peu efficace en termes de pertes par
commutation. En effet, l o le pas est uniforme, il faut toujours commuter 2
groupes de cellules dau moins un pas en opposition pour varier la sortie dun pas
lmentaire. L o le pas pas nest pas uniforme, il faut galement commuter deux
groupes de cellules en opposition la plupart des cas. Il ny a quaux extrmits o
le pas est le plus large que les cellules ne travaillent pas en opposition. Au mieux,
le dplacement provoqu par la commutation est de UA + UB , il peut mme

2.3. Combinaisons de cellules rapports de pas rationnels

(a)

(b)

(c)

(d)

(e)

(f)

89

F IG . 2.25 : Rpartitions obtenues pour diffrents cas avec un rapport de pas rationnel r.
Pas de domaine duniformit : (a) r = 43 , nA,B = [2 4] (b) r = 43 , nA,B = [4 2] (c) r = 34 ,
nA,B = [3 3]. Solutions uniformes : (d) r = 43 , nA,B = [4 3] (e) r = 54 , nA,B = [4 5] (f)
r = 45 , nA,B = [5 5]. Des couches vides apparaissent prs de lextrieur.

valoir qUA + (q 1)UB , voire davantage, alors quavec les configurations


asymtriques respectant la condition de modulation le dplacement permettant la
modulation vaut le pas. Par rapport une configuration symtrique, les pertes par
commutation sont doubles. Par rapport une configuration asymtrique, les pertes
sont augmentes dun facteur 2q.
Il y a dautres possibilits dtendre la rsolution de la mme manire. Pour
les configurations triphases, il nest notamment pas ncessaire davoir une rpartition la plus uniforme possible des niveaux de la tension de branche. En explorant
dautres types de fractions gnrant davantage de trous, il est possible dobtenir
une rsolution plus leve. Nous nexplorerons cependant pas davantage ce type
de configuration en raison des inconvnients majeurs en termes de commutation.

90

2.4

2. C OMBINAISONS DE CELLULES

Combinaisons de cellules phases asymtriques

Dans cette section, nous explorons un autre moyen de sparer les niveaux redondants en vue damliorer la rsolution. Le nombre dtats dun onduleur triphas n niveaux sur la tension de branche est :
N E = n3

(2.54)

Si les niveaux sont identiques pour chaque phase, que le point neutre nest pas
reli, alors du 2.2.1.2 le nombre de vecteurs de tension dans le plan (ub, , ub, )
est :
ND = 3 (n2 n) + 1
(2.55)
Le nombre de vecteurs de tension redondants est trs important, puisque le nombre
de vecteurs distincts crot comme n2 alors que le nombre dtats crot comme n3 .
En trouvant un moyen de sparer ces vecteurs redondants, le potentiel daugmentation de la rsolution est considrable. Les voies que nous avons explores jusqu
prsent nexploitent quune petite partie de cette augmentation potentielle. Pour
mmoire, notre configuration 2 cellules 6 niveaux gnre 91 vecteurs distincts en
la dimensionnant de la manire la plus asymtrique avec la loi duniformit scalaire, 121 avec la loi duniformit vectorielle, alors quil y a 236 tats possibles :
il est encore possible daugmenter la rsolution. La raison essentielle de la prsence des vecteurs redondants est que les tensions de branche sont identiques pour
les diffrentes phases. Nous allons tudier ce qui se passe lorsque les tensions de
branche sont diffrentes pour chacune des phases.

2.4.1

Etude du cas habituel, pas identiques

Les onduleurs triphass sont gnralement aliment de la mme manire pour


chacune des phases, de sorte que les niveaux gnrs sont les mmes pour les trois
phases. En maintenant zro une des trois tensions de branche, les deux autres
tensions de branche gnrent des phaseurs spatiaux qui sont situes lintrieur
dun losange dans le plan (ub, , ub, ). En faisant varier cette tension de branche,
le losange se dplace paralllement laxe de cette phase par pas. La superposition
de ces losanges dcals donne lhexagone des phaseurs spatiaux de londuleur.
La plupart des vecteurs obtenus par ces translations sont confondus dans le plan
(ub, , ub, ), de sorte quil y a des nombreux tats redondants. La composition
vectorielle des trois pas est nulle :
Ub,1 u1 + Ub,2 u2 + Ub,3 u3 = Ub,1 u1 + Ub,1 u2 + Ub,1 u3 = 0
(2.56)
Trois dplacements successifs, dun pas selon chacun des axes, conduisent au
point de dpart, cest--dire un vecteur redondant.

2.4. Combinaisons de cellules phases asymtriques

91

Par exemple, la Fig. 2.26(a), montre le losange obtenu avec un onduleur 5


niveaux, les droites le long desquelles la translation est effectue et la composition
des trois pas U 1 + U 2 + U 3 . La Fig. 2.26(b) montre les nouveaux vecteurs
obtenus par translations successives de un pas.
5

4
u

1
u1

u1

u3

u2

u2

4
5
5

4
0
( ni, ui)={(5,1),(5,1.5), (5,0.6)}

(a)

5
5

0
( ni, ui)={(5,1),(5,1), (5,1)}

(b)

F IG . 2.26 : Construction des phaseurs spatiaux dun onduleur phases symtriques. (a)
En maintenant zro la tension dune des phases et en faisant varier les 2 autres tous les
phaseurs spatiaux sont situs dans un losange. (b) En faisant varier la tension de la phase
auparavant fixe, le losange et translat le long de laxe de cette tension et cela donne lhexagone des vecteurs de sortie. Il y a de nombreux tats redondant dans cet hexagone, car la
maille U1,2,3 est ferme.

2.4.2

Vecteurs obtenus avec deux pas diffrents

En reprenant les phaseurs spatiaux gnrs par 2 phases avec pas identiques, et
en faisant varier la tension de la troisime phase avec un pas diffrent, des vecteurs
qui peuvent tre tous distincts sont gnrs. Les vecteurs gnrs par le dplacement dun tat sont tous situs sur les droites de translation. La composition
vectorielle des trois pas nest pas nulle :
Ub,1 u1 + Ub,2 u2 + Ub,3 u3 = Ub,1 u1 + Ub,1 u2 + Ub,3 u3 6= 0
(2.57)
Lajout dun pas selon chacun des axes conduit autre point que celui de dpart,
un dplacement et un nouveau phaseur spatial distinct des autres sont engendrs.
Ce phaseur spatial est situ quelque part entre le point de dpart et le point atteint

92

2. C OMBINAISONS DE CELLULES

par la composition des deux pas identiques. Un choix judicieux du troisime pas
permet dobtenir une distribution plus ou moins rgulire des vecteurs. En le choisissant par exemple de moiti des deux autres, nous lobtenons au milieu, mais
une nouvelle composition conduit alors un point existant. Pour obtenir une distribution rgulire et des phaseurs tous distincts, il faut choisir une fraction dont le
dnominateur corresponde au nombre de compositions successives possibles.
Cela est illustr par lexemple de la Fig. 2.27. Dans cet exemple, nous avons
choisi deux pas identiques pour deux des phases et puisque la tension de branche
cinq niveaux un pas fraction des deux autres avec le dnominateur valant 5 pour
la dernire phase :
Ub,1 = Ub,2 = 1

Ub,3 =

3
5

(2.58)

Cela conduit une sparation des tats redondants et une augmentation de la


rsolution selon laxe de la phase de pas diffrent. Les phaseurs spatiaux sont
effectivement disposs rgulirement vers le centre, avec des lacunes toujours plus
nombreuses en sapprochant de la priphrie.
Un inconvnient de ce type de configuration est que laugmentation de la rsolution est limite au troisime axe.
5

4
u

1
u1

u1

u3

u2

u2

4
5
5

4
0
( ni, ui)={(5,1),(5,1), (5,0.6)}

(a)

5
5

0
( ni, ui)={(5,1),(5,1), (5,0.6)}

(b)

F IG . 2.27 : Construction des tats dun onduleur phases asymtriques. Une des 3 phases
des niveaux diffrent ub,3 . Par consquent, la maille U1,2,3 est ouverte, et en faisant varier
ub,3 , nous obtenons des tats distincts pour la plupart. Les tats distincts supplmentaires
par rapport au cas symtrique sont aligns selon ub,3 .

2.4. Combinaisons de cellules phases asymtriques

2.4.3

93

Vecteurs obtenus avec trois pas diffrents

Pour obtenir une augmentation de la rsolution selon deux des axes du plan,
il faut choisir trois pas diffrents pour les trois phases de londuleur. Les phaseurs
spatiaux gnrs par deux phases de pas diffrents sont situes lintrieur un quadrilatre. Contrairement aux cas prcdent, ce quadrilatre nest plus un losange,
de sorte quil peut y avoir autant de droites de translations quil y a de vecteurs
dans ce quadrilatre. Remarquons que prcdemment, les droites de translations
taient pour la plupart confondues. En choisissant judicieusement le rapport des
deux premiers pas, nous pouvons obtenir des droites de translations rgulirement
espaces. Ce faisant, nous obtiendrons des vecteurs qui sont rgulirement espacs perpendiculairement ces droites. En choisissant le pas de la troisime phase
diffrent des deux autres phases, des tats qui peuvent tre tous distincts sont gnrs. Les phaseurs spatiaux gnrs par le dplacement dun tat du quadrilatre
sont tous situs sur une mme droite de translations. En choisissant de manire
adquate ce troisime pas, les phaseurs spatiaux gnrs par translation du quadrilatre peuvent tre rgulirement espacs le long des droites de translation. Nous
pouvons donc obtenir des tats rgulirement disposs dans le plan. Le triangle
lmentaire ne peut cependant plus tre quilatral. La composition vectorielle
des trois pas nest pas nulle :
Ub,1 u1 + Ub,2 u2 + Ub,3 u3 = Ub,1 u1 + Ub,1 u2 + Ub,3 u3 6= 0
(2.59)
Un dplacement de chacun des pas selon chacun des axes conduit autre point
que celui de dpart et la gnration dun vecteur diffrent. Contrairement au cas
prcdents, le vecteur reliant le point de dpart au point darrive nest parallle
aucun des axes. Cela permet une augmentation de la rsolution dans les deux axes
du plan.
Les phaseurs spatiaux obtenus avec un tel dimensionnement sont illustrs la
Fig. 2.28. Les pas ont t choisis de manire obtenir une distribution rgulire
des vecteurs dans les deux axes :
Ub,1 = 1

Ub,2 =

3
2

Ub,3 =

3
5

(2.60)

Tous les tats conduisent des vecteurs distincts.

2.4.4

Proprits des configurations phases asymtriques

La Fig. 2.29 illustre clairement le gain en rsolution quil est possible de tirer
de ce type de configuration.
A nombre de niveaux gal dans chaque phase, le fait que le pas soit diffrent
pour les diffrentes phases implique obligatoirement que lamplitude maximale

94

2. C OMBINAISONS DE CELLULES

nest pas la mme dans les diffrentes phases. Pour gnrer un systme sinusodal,
lamplitude maximale nest pas atteinte dans toutes les axes. Il faut remarquer que
lors de la gnration dun systme sinusodal avec un onduleur phases symtriques, lamplitude maximale nest pas atteinte dans toutes les directions. Cependant ce phnomne est plus marqu avec des onduleurs phases asymtriques, car
une plus petite fraction du domaine atteignable peut tre utilise par manque de
symtrie du domaine atteignable.
Tout comme les configurations pas rationnel, ce type de configuration a un
dfaut intrinsque. Pour passer dun phaseur spatial un de ses voisins, plusieurs
phases doivent tre commutes, ventuellement de plusieurs pas, puisque le pas
lmentaire est effectu par diffrence entre plusieurs pas de diffrentes phases.
Ce type de configuration nest donc pas trs adapt la modulation.
Il faut en outre observer qu chaque pas lmentaire les dplacements selon laxe homopolaire peuvent tre importants. Ils sont de lordre de plusieurs
pas de tension de branche est peuvent faire circuler un courant de mode commun
des bornes de londuleur au point neutre travers la capacit parasite. Cela peut
conduire des perturbations importantes, aussi bien du systme alimenter que de
londuleur lui mme.
La position des vecteurs de tension selon laxe homopolaire permet de mesurer
la distance effective en terme de commutation et de perturbation entre deux phaseurs spatiaux voisins dans le plan. La Fig. 2.30 illustre cette distance pour la grille
de lexemple prcdent. La Fig. 2.30(a) montre cette distance pour un onduleur
phases asymtriques. La contrainte selon laxe homopolaire chaque commutation est comparable celle que nous obtenons avec un onduleur 2 ou 3 niveaux.
Pour comparaison, la Fig. 2.30(b) montre cette distance pour un onduleur phases
symtriques. Dans ce dernier cas, il y a plusieurs vecteurs avec la mme projection
dans le plan (ub, , ub, ) , et seuls ceux qui ont la plus petite composante homopolaire sont reprsents. Le pas est plus grossier, mais la contrainte selon laxe
homopolaire est nettement rduite, les pertes par commutation sont en moyennes
2 3 fois plus faibles avec ce type donduleurs.
Lalimentation des cellules triphases doit tre diffrente pour chaque phase
pour permettre lasymtrie. Cela rduit la possibilit dutiliser ce type de dimensionnement avec des onduleurs comportant des cellules triphases alimentation
unique.

2.4.5

Evaluation de configurations phases asymtriques

Nous valuons quelques configurations dimensionnes avec des phases asymtriques. Nous les comparons une configuration avec asymtrie maximale selon la
loi duniformit monophase et selon la loi duniformit vectorielle pour vrifier
que lon obtient un gain de rsolution.

2.4. Combinaisons de cellules phases asymtriques

95

Les deux premires configurations sont similaires celles que nous avons testes prcdemment au 2.2.6. A priori, elles ne sont cependant pas ralisables de
la mme manire. En effet, pour obtenir des tensions dalimentation diffrentes qui
permettent une asymtrie de phase, il faut sparer les alimentations intermdiaires
de la grande cellule qui sont sans cela identiques sur ces structures. Nous perdons
donc lavantage de ces structures alimentation unique de la grande cellule. Pour
les configurations suivantes nous regardons ce qui se passe avec une alimentation
partiellement asymtrique permettant dutiliser une cellule alimentation unique.
2.4.5.1

Cellule 6 niveaux (une cellule 2 niveaux en srie avec une 3 niveaux)

Daprs la loi de modulation monophase, cette structure est capable de gnrer 5 niveaux uniformes, 6 daprs la condition duniformit monophase. Elle
est en outre capable de gnrer 121 vecteurs alors quune configuration gnrant
7 niveaux uniformes en gnrerait 127. Avec la configuration phase asymtrique
de notre exemple, nous obtenons 189 vecteurs diffrents. La distorsion harmonique est compare pour ces 3 configurations la Fig. 2.31(a). Pour les petites et
moyennes amplitudes, la performance est lgrement suprieure celle des onduleurs phases symtriques. Pour les grandes amplitudes, cette performance est
lgrement infrieure. En effet, le nombre de vecteur en priphrie est similaire et
dans ce cas, la distribution uniforme est celle qui permet la plus haute rsolution
nombre de niveaux gal.
2.4.5.2

Cellule 9 niveaux (deux cellules 3 niveaux en srie)

Daprs la loi de modulation monophase, cette structure est capable de gnrer 7 niveaux uniformes, 9 daprs la condition duniformit monophase. Elle est
en outre capable de gnrer 319 vecteurs alors quune configuration gnrant 11
niveaux uniformes en gnrerait 331. Avec la configuration phase asymtrique
propose, nous obtenons 729 vecteurs de tension distincts. La distorsion harmonique est compare pour ces 4 configurations la Fig. 2.31(b). Sur toute la gamme
damplitude les performances de la configuration phases asymtriques sont suprieures. Comme prcdemment, il ny a que pour les plus grandes amplitudes
que la performance diminue.
2.4.5.3

Cellule haute-tension alimentation unique

Il est possible dutiliser des cellules triphases alimentation unique, la cellule haute-tension est alors phase symtrique et les cellules basse-tension sont
phase asymtrique. Avec une cellule 3 niveaux cette possibilit est toutefois rduite et il ny a quasiment pas de gain en rsolution comme illustr en Fig. 2.34(a)

96

2. C OMBINAISONS DE CELLULES

et 2.34(c). Le nombre de vecteurs est plus grand, mais la distribution des vecteurs
est trop irrgulire pour observer un gain. Au del par exemple avec deux cellules
3 niveaux en srie formant une cellule 5 niveaux, il y a nouveau un gain comme
illustr en Fig. 2.34(e). Par ailleurs, pour ces configurations, lamplitude du domaine atteignable est la mme dans presque toutes les directions, en consquence,
contrairement aux autres configurations la rsolution est meilleure mme pour les
plus grandes amplitudes.
5

5
THD1
THD
2
THD3
THD4

10

THD [dB]

THD [dB]

10

THD1
THD
2
THD3
THD4

15

15

20

20
25

25
0

0.5

1
magnitude []

(a)

1.5

30
0

0.5

1.5

magnitude []

(b)

F IG . 2.31 : Comparaison de la distorsion harmonique obtenue pour des configurations


scalairement uniforme ((2) 6 et 9 niveaux (3) 7 et 11 niveaux), des configurations vectoriellement uniforme ((1) 6 et 9 niveaux), des configurations phase asymtrique (4) : (a) pont
triphas + 1 pont monophas par phase (b) onduleur NPC 3-niveaux + 1 pont monophas
par phase (voir Fig. 2.32 et 2.33 pour les configurations compares)

97

2.4. Combinaisons de cellules phases asymtriques

4
u

1
u1

u1

3
u2

u3

4
5
5

u2

0
( ni, ui)={(5,1),(5,1.5), (5,0.6)}

5
5

0
( ni, ui)={(5,1),(5,1.5), (5,0.6)}

(a)

(b)

F IG . 2.28 : Construction des tats dun onduleur avec 3 phases asymtriques. La maille
u1,2,3 est ouverte. Lasymtrie est choisie telle que les nouveaux tats sont rpartis de
faon homogne dans le centre du losange.
6

6
u3

u3

u1 0

u1

4
u2

6
6

u2

2
0
2
( ni, ui)={(5,1),(5,1), (5,0.6)}

(a)

6
6 6

2
0
2
( ni, ui)={(5,1),(5,1.5), (5,0.6)}

(b)

F IG . 2.29 : Comparaison des tats dun onduleur multiniveau asymtrique (grille) avec
les tats dun onduleur multiniveau asymtrique avec une phase disymtrise (). (a) La
rsolution nest amliore que dans laxe ub,3 qui est laxe asymtrique. (b) La rsolution
est amliore dans tous les axes. Lamplitude atteignable est augmente dans laxe ub,2 ,
mais rduite dans laxe ub,3 , ce qui implique une diminution de lamplitude du plus grand
cercle centr atteignable.

98

2. C OMBINAISONS DE CELLULES

0.1
0.2

2.5

0.6

2
1.5

0.9
1.3

1
0.5
0
0.5
1
1.5
2

0.5

1.0

0.8

1.6

1.4

2.2

2.0

2.5

1.2

1.7
2.3
2.9
1.0
0.4
0.2
0.8
1.3
2.1
2.7
3.2
0.6
0.1
0.5
1.1
1.7
1.8
2.4
3.0
3.6
0.3
0.3
0.9
1.4
2.0
1.8
1.3
0.7
0.1
0.5
0.1
0.6
1.2
1.8
2.4
1.5
0.9
0.3
0.2
0.8
0.4
1.0
1.6
2.1
2.7
1.2
0.6
0.0
0.6
1.2
2.7
2.1
1.6
1.0
0.4
0.8
0.2
0.3
0.9
1.5
2.4
1.8
1.2
0.6
0.1
0.5
0.1
0.7
1.3
1.8
2.0
1.4
0.9
0.3
0.3
3.6
3.0
2.4
1.8
1.3
1.7
1.1
0.5
0.1
0.6
3.2
2.7
2.1
1.5
0.9
1.3
0.8
0.2
0.4
1.0
2.9
2.3
1.7
1.2
0.6
1.5

2.5

2.5

2.2

2.0
1.6

1.4
1.0

0.8
0.5

1
0
1
( ni, ui)={(5,1),(5,1.5), (5,0.6)}

0.2
0.1

(a)
0.6

0.0

0.6

2.5
0.6

0.0

0.6

0.6

0.0

0.6

2
0.0

1.5
1

0.6

0.6

0.6

0.6

0.0

0.0

0.6

0.6

0.6

0.6

0.0

0.0

0.6

0.6

0.5
0.0

0
0.5

0.6

0.6

0.6

0.6

0.0

0.0

0.6

0.6

0.6

0.6

0.0

0.0

0.6

0.6

1
0.0

0.6

0.6

0.0

0.6

0.6

0.0

1.5
2

0.6

0.0

0.6

0.6

0.0

0.6

2.5
0.6

0.0

0.6

1
0
1
( ni, ui)={(5,1),(5,1), (5,1)}

(b)

F IG . 2.30 : La position des phaseurs spatiaux selon laxe homopolaire permet de mesurer
la distance entre voisins entre terme de commutation : (a) onduleur phases asymtriques ;
(b) onduleur phases symtriques.

99

2.4. Combinaisons de cellules phases asymtriques

(a) 91 vecteurs distincts

(b) 121 vecteurs distincts

(c) U1,2,3 = {1,

20 4
, },
23 3

216 vecteurs distincts

F IG . 2.32 : Polygones de slection obtenus par (a) une configuration pas uniforme (b)
une configuration pas variable (c) une configuration phase asymtrique. Pour un pont
triphas 6 interrupteurs combin avec 1 pont monophas quatre interrupteurs par phase

100

2. C OMBINAISONS DE CELLULES

(a) 217 vecteurs distincts

(b) 319 vecteurs distincts

(c) Ub,i = {1,

20 4
, },
23 3

729 vecteurs distincts

F IG . 2.33 : Polygones de slection obtenus par (a) une configuration pas uniforme (b) une
configuration pas variable (c) une configuration phase asymtrique. Pour un pont NPC
triphas 3 niveaux combin avec 1 pont monophas quatre interrupteurs par phase

101

2.4. Combinaisons de cellules phases asymtriques

THD
1
THD2
THD3
THD

5
2

THD [dB]

10

15

20

25
0
6

0.5

1.5

magnitude []

(a) 189 vecteurs distincts

(b)
5

THD1
THD2
THD3
THD4

10

THD [dB]

15

20

25

30
0
8

0.5

1.5

magnitude []

(c) Ub,i = { 75
, 1, 23 } 513 vecteurs distincts
62

(d)
5

THD1
THD2
THD3
THD4

10

THD [dB]

15

20

25

30
0
8

(e) Ub,i = {1,

20 4
, },
23 3

875 vecteurs distincts

0.5

1.5

magnitude []

(f)

F IG . 2.34 : Polygones de slection obtenus par des configurations phases symtriques


pour la cellule haute tension et asymtriques pour les cellules basses tension (a) pont 6
interrupteurs + ponts en H 3 niveaux (c) pont NPC triphas + ponts en H 3 niveaux (f) pont
6 interrupteurs + 2 ponts en H 3 niveaux qui possde 271 et 325 vecteurs distincts.

102

2.5

2. C OMBINAISONS DE CELLULES

Conclusions

Les diffrents concepts introduits dans ce chapitre et les relations entre les diffrentes proprits des convertisseurs multiniveaux asymtriques sont rsums aux
Tab. 2.2. Pour un cahier des charges donn, nous sommes maintenant en mesure
de choisir la configuration adapte qui possde les proprits souhaites10 .
Les lois duniformit et de modulation scalaires optimises permettent de formaliser les mthodes dobtention de structures monophases. Des concepts dj
plus ou moins bien connus dans des travaux antrieurs sont gnraliss. La loi
duniformit est utile pour dimensionner un convertisseur gnrant un pas rgulier.
La tension gnre sera de prfrence obtenue par quantification de la rfrence.
Pour certaines configurations, la modulation de certaines paires de niveaux provoquera la commutation de la cellule haute tension. Une loi un peu plus restrictive,
la loi de modulation optimise permet de saffranchir de ce problme et de rduire
de faon significative les pertes par commutation.
Les lois duniformit et de modulation vectorielle optimise permettent de dfinir pratiquement et formellement de nouvelles configurations plus asymtriques.
Les lois duniformit et de modulation scalaire correspondent aux lois duniformit stricte et de modulation optimise stricte qui possdent ces proprits sur
lensemble du domaine atteignable. Les concepts de domaine duniformit et de
domaine de modulation optimise permettent dtendre les possibilits. La loi
duniformit vectorielle large permet de concevoir un onduleur multiniveau asymtrique avec une rsolution plus leve quavec la loi duniformit stricte. Luniformit nest toutefois pas obtenue en tout point du domaine atteignable, le domaine duniformit est de dimension lgrement rduite. Cela naffecte toutefois
pas de manire sensible les performances de londuleur. De la mme manire, la
loi de modulation optimise large permet de concevoir un onduleur avec des pertes
par commutation fortement rduite et avec une rsolution plus leve. Les configurations qui respectent la condition duniformit stricte satisfont cette condition.
Dautres configurations qui ne satisfont pas la condition duniformit scalaire satisfont galement la condition de modulation optimise large.
En renonant luniformit, nous avons explor deux nouvelles voies permettant daugmenter la rsolution par dissociation des tats redondants.
Le dimensionnement avec des pas dans des rapports rationnels est conceptuellement intressant, mais ne permet pas la rduction des commutations qui est gnralement associe aux onduleurs multiniveaux. Cela conduit une augmentation
des pertes par commutation et nous fait mettre ces configurations de ct. Des in10 Le Tab. A.1 en annexe A donne un extrait du tableau de slection des configurations ( rapport de
pas entiers). Certaines des proprits numres seront prsentes au chapitre 5.

2.5. Conclusions

103

terrupteurs de tension de blocage proche peuvent tre employs, mais la rsolution


nest pas augmente par rapport aux configurations asymtrie maximale.
Le dimensionnement avec des pas diffrents pour les diffrentes phases conduit
une importante augmentation de la rsolution pour des configurations possdant
dj un nombre important de niveaux. Les configurations phases compltement
asymtriques prsentent linconvnient dliminer la possibilit dutiliser des cellules alimentation commune pour les 3 phases. Les configurations partiellement
asymtriques liminent cet inconvnient, et sont intressantes.
La redondance des tats permettant des optimisations intressantes, nous focaliserons la suite de ltude sur les configurations pas dans des rapports entiers.

104

2. C OMBINAISONS DE CELLULES

c o n fig u r a tio n

c o n v e r tis s e u r s
m o n o p h a s s

c o n v e r tis s e u r s
tr ip h a s s

m o d u la tio n
o p tim is e

u n ifo r m it

m o d u la tio n v e c to r ie lle
o p tim is e s tr ic te
u n ifo r m it
v e c to r ie lle
s tr ic te
u n ifo r m it
v e c to r ie lle
la r g e

m o d u
v e c to
o p tim
la r

la tio n
r ie lle
is e
g e

u n ifo r m it p a r tie lle

n 'e x is te p a s

r s o lu tio n d u c o n v e r tis s e u r

r a p p o r ts d e p a s p h a s e s s y m tr iq u e s
r a p p o r ts d e p a s
r a p p o r ts d e p a s e n tie r s
p h a se s
r a p p o r ts d e p a s
a s y m tr iq u e s
r a tio n n e ls
a s y m tr ie d e s r a p p o r ts d e p a s

o n d u le u r s m u ltin iv e a u x s y m tr iq u e s

u n ifo r m it v e c to r ie lle
p h a s e s a s y m tr iq u e s

TAB . 2.2 : Proprits des onduleurs multiniveaux asymtriques. En se dplaant vers le


bas la rsolution augmente (axe de droite) : exception cette rgle, la rsolution diminue
pour les configurations o luniformit est perdue. Pour les configurations rapports de pas
entier, lasymtrie augmente en se dplaant vers le bas (axe de gauche) : une configuration
possde toutes les proprits mentionnes pour les configurations plus asymtriques situes
plus bas, dautre part il y a quivalence des proprits selon laxe horizontal.

C HAPITRE 3

Modulation

3.1

Etat de lart

3.1.1

Rle de la modulation

3.1.1.1

Digression, cas des tlcommunications

Dans le cas des tlcommunications, les modulations permettent de transformer un signal afin de ladapter un canal de transmission. Elles peuvent galement permettre de rendre le signal robuste aux perturbations quil subit lors de son
transport. Un dplacement frquentiel fait souvent partie de la transformation. Le
contenu informatif du signal nest idalement pas modifi par la transformation,
une fois achemin, le signal est restitu sous sa forme originale par transformation inverse. La restitution est fidle aux pertes dinformation prs. Peu importe sa
nature, le signal est ici vecteur dun message quil faut transmettre distance.
3.1.1.2 Cas de llectronique industrielle
Dans le cas de llectronique de puissance, un dispositif lectrique est command laide dun convertisseur dont la tension est borne et quantifie. La tension quil est possible dappliquer la charge est borne par des limitations telles
que le courant et la tension supports. En revanche, la forme donde appliquer
pour obtenir leffet souhait nest gnralement pas quantifie.
Dans ce contexte, les modulations regroupent les techniques qui permettent de
gnrer un signal quantifi, image du signal de rfrence continu. Le signal de rfrence du modulateur (son entre) est limage du signal quil faudrait idalement
appliquer au dispositif contrler pour obtenir leffet dsir. Le signal gnr par
le modulateur (sa sortie, le signal modul) est limage du signal le plus proche que
londuleur est capable dimposer laide des niveaux dont il dispose. Leffet ob-

106

3. M ODULATION

tenir peut tre un changement dtat (courant, vitesse) ou un apport de puissance,


il est gnralement associ un transfert dnergie.
Le signal de rfrence ne transporte pas dnergie, au contraire le signal gnr
par londuleur transporte de lnergie, et ses proprits sont proches de celles du
signal de mme nature qui aurait la forme du signal de rfrence. La notion de
proximit est lie aux proprits que lon cherche favoriser, elle comporte un
flou que nous tcherons dattnuer en 3.3.

3.1.2

Principes de la MLI

Londuleur tant capable de gnrer un ensemble de niveaux donns, chacun


pouvant tre considr comme constant, les mthodes de modulation adaptes sont
les modulations en largeur dimpulsion (MLI, PWM en anglais).
p r io d e d e
m o d u la tio n

p r io d e
d ' c h a n tillo n n a g e

s ig n a l d e r f r e n c e

p r io d e d u
s ig n a l d e r f r e n c e
s ig n a l m o d u l

p r io d e d u
s ig n a l d e m o d u l

F IG . 3.1 : Dfinitions des grandeurs associes la modulation

Dfinitions
La Fig. 3.1 dfinit quelques grandeurs clef associes la modulation. Le signal quon souhaiterait appliquer un dispositif lec-

3.1. Etat de lart

107

trique laide de londuleur est le signal de rfrence. Le signal


effectivement gnr par londuleur est le signal modul. Les signaux appliqus aux interrupteurs afin dobtenir le signal modul
en sortie de londuleur sont les signaux de commande. La priode
de rptition du signal de sortie pour une rfrence constante est la
priode de modulation. Elle correspond gnralement la priode
des porteuses. La priode dintersection du signal de rfrence avec
les porteuses est la priode dchantillonnage. Pour une rfrence
discrte, il sagit simplement de la priode des chantillons. Soulignons que la priode du signal modul nest pas forcment gale
la priode du signal de rfrence.

Distinction entre modulation et commande


Lambivalence des signaux de comparaison conduit parfois la
confusion des mcanismes de modulation et de commande. Pourtant ces mcanismes sont radicalement distincts comme illustr
la Fig. 3.2. La modulation cherche obtenir la reprsentation la
plus proche du signal de rfrence partir dun ensemble de niveaux fix. Elle ne ncessite pas la connaissance de la topologie
du convertisseur qui va appliquer cette reprsentation la charge.
Au contraire, la commande applique la reprsentation obtenue au
convertisseur, ce qui ncessite la connaissance prcise de la topologie et de son fonctionnement. Cependant, selon la mthode de modulation, le passage aux signaux de commande est plus ou moins
difficile et par consquent, certaines mthodes peuvent tre mieux
adaptes une implantation simple. Dautre part, la mthode de
modulation influe la trajectoire de la tension et donc celle des signaux de commande. Les trajectoires peuvent influencer les sollicitations imposes au convertisseur.

3.1.2.1

Projection de la rfrence sur laxe temporel

Prenons un signal en dents de scie comme porteuse, et un signal de rfrence


quelconque variant lentement par rapport cette porteuse, comme reprsents la
Fig. 3.3. Le signal modul est dans ce cas obtenu par comparaison de la porteuse
avec le signal de rfrence. Lorsque la porteuse est plus grande que le signal de
rfrence, le niveau bas du signal modul est appliqu ; lorsquelle est infrieure,
le niveau haut est appliqu. Le signal de rfrence est chantillonn ses points

108

3. M ODULATION

u s( t)
s
s

re f
m e s

r g u la te u r

re f

m o d u la te u r

s
d
1

c o m m a n d e

c o m m a n d e

p a ra m tre s
d e tra m e

s ig n a u x d e c o m m a n d e
d e s in te rru p te u rs

F IG . 3.2 : Plusieurs fonctions distinctes permettent de commander un convertisseur

dintersection avec la porteuse, et ses chantillons sont projets sur laxe temporel.
Une des reprsentations possibles deux niveaux est obtenue. Par la mme opration nous obtenons implicitement une reprsentation chantillonne du signal
temps continu, et pour chacun des chantillons les deux dures dapplication du
niveau haut et du niveau bas. Ce mcanisme de projection permet de cette manire
dobtenir le rapport cyclique de modulation puis de construire le signal de sortie
sans avoir effectuer de calcul. Il est la base du fonctionnement des modulateurs
en largeur dimpulsion bass sur la comparaison dun signal de rfrence avec un
ensemble de porteuses. Il assure lgalit de la valeur moyenne du signal modul
avec la valeur du signal chantillonn :
uref =

t1
t2
v1 + v2 = v1 + d (v2 v1 )
Te
Te

(v1 uref )(v2 uref ) 0 (3.1)

avec t1 et t2 les dures dapplication des niveaux v1 et v2 , d le rapport cyclique


correspondant, Te la priode dchantillonnage. La condition de droite impose que
uref est compris entre v1 et v2 . Le rapport cyclique se dduit de (3.1) :
d=

uref v1
v2 v1

(3.2)

v1 et v2 sont obtenus en ordonnant vB le niveau immdiatement infrieur uref


et vH le niveau immdiatement suprieur. Lorsque les niveaux du modulateur sont
uniformes, vB et vH peuvent tre obtenus par arrondi de la rfrence :



uref 21

vB = U arrondir
(3.3)
U

vH = vB + U

3.1. Etat de lart

v
u

109

t,1

t,2

T e

t2

t1
k T
e

T
e

(k + 1 )T
e

F IG . 3.3 : Modulateur 2 niveaux avec porteuse en forme de dents de scie : ut,1 et ut,2 sont
projets sur laxe temporel en t1 et t2 (lindice k a t omis pour allger lcriture)

3.1.2.2

Echantillonnage de la rfrence

Lchantillonnage qui vient dtre dcrit est lchantillonnage naturel dun


signal temps continu par la porteuse. Les instants dchantillonnage dpendent de
la valeur du signal. En consquence, il ny a pas de relation linaire entre le signal
continu et sa reprsentation chantillonne. En terme de fonction de transfert, le
signal chantillonn subit une distorsion et contient gnralement des composantes
frquentielles napparaissant pas dans le signal dorigine.
Par opposition, en rglage automatique, les instants dchantillonnage ne dpendent gnralement pas de la valeur du signal temps continu. On parle gnralement dchantillonnage pas rgulier, ou plus simplement dchantillonnage,
la suite tant implicite. Pour autant que le thorme de Shannon sur lchantillonnage soit respect, il existe une relation linaire entre le signal temps continu et
sa reprsentation chantillonne. A ce niveau, il ny a pas de distorsion, dun point
de vue frquentiel, le signal chantillonn est identique au signal continu.
Nous reviendrons plus loin sur les consquences de chacune de ces mthodes
dchantillonnage.
3.1.2.3

Priode du signal modul

En fonction du rapport entre la frquence de modulation (la frquence porteuse) et la frquence du signal de rfrence, nous pouvons distinguer trois cas
(Fig. 3.4) :
1. rapport entier : la priode du signal modul est gale la priode du signal
de rfrence,

110

3. M ODULATION

2. rapport rationnel : la priode du signal modul est plus grande que la priode
du signal de rfrence, des phnomnes de battement apparaissent,
3. rapport rel : le signal modul nest pas priodique.
p r io d e d e
m o d u la tio n

p r io d e
d ' c h a n tillo n n a g e

s ig n a l d e r f r e n c e

p r io d e d u
s ig n a l d e r f r e n c e

s ig n a l m o d u l

p r io d e d u
s ig n a l d e m o d u l

F IG . 3.4 : Illustration de la relation entre la priode de la rfrence, la priode de modulation


et la priode du signal modul. Ici P = 7/2, le signal modul se rpte toutes les deux
priodes du signal de rfrence.

Nous allons maintenant tablir les relations entre la priode du signal de rfrence et celle du signal modul. Considrons un modulateur de frquence fm
gnrant un signal de rfrence de frquence fref . Notons le rapport entre ces deux
frquences1 P :
fm
P =
(3.4)
fref
P Z
Lorsque P est entier, une priode du signal de rfrence est compose dun
nombre entier de priodes du modulateur. Le signal de rfrence est chantillonn
1 Par

analogie avec la notation de [30, 31].

3.1. Etat de lart

111

aux mmes positions dune de ses priodes lautre. Il a donc la mme priode
que le signal continu et il en va de mme pour le signal modul.
P 6 Z
Lorsque P nest pas entier, une priode du signal de rfrence est compose dun nombre de priodes du modulateur qui nest pas entier. Dune priode
lautre, le signal de rfrence est chantillonn des positions diffrentes. Pour
simplifier les explications, considrons momentanment un chantillonnage pas
rgulier et notons Pe lentier le plus proche de P . Dune priode lautre, lchantillonnage est dcal de P Pe . La reprsentation chantillonne du signal de
rfrence change donc chaque priode et se rpte lorsque aprs un nombre de
priodes Pd tels que Pd (P Pe ) est entier. Lorsque lchantillonnage est naturel,
on ne peut pas dterminer le dcalage de lchantillonnage dune priode lautre,
cause du lien entre la valeur du signal de rfrence et la position des instants
dchantillonnage. La condition de rptition du signal est cependant la mme.
P 6 Z , P Q
Lorsque P est rationnel, il peut tre mis sous forme dune fraction irrductible :
P =

Pn
Pd

(3.5)

Le signal gnr par le modulateur se rpte toutes les Pd priodes du signal de


rfrence. En effet, remplaons le signal de rfrence par un signal identique, mais
0
considrons que sa priode est plus grande Tref
= Pd Tref . Le rapport entre la
frquence du modulateur et celle du nouveau signal vaut P 0 = Pn qui est entier,
par consquent la priode du signal de sortie est gale celle du signal dentre
0
Tref
. Nous avons donc :
0
Ts0 = Tref
= Pd Tref
(3.6)
La priode du signal de sortie est plus grande que celle du signal de rfrence
dun facteur Pd . Le modulateur introduit une distorsion harmonique de frquence
plus basse que celle du signal de rfrence qui se traduit par des phnomnes de
battement plus ou moins marqus. Un moteur aliment par une tension module
sera donc susceptible dosciller basse frquence cause du battement entre la
frquence du modulateur et celle du signal de rfrence.
P 6 Q , P R
Lorsque P nest pas rationnel, il est rel, il ne peut pas tre mis sous forme de
fraction. Concrtement, cela signifie que le signal gnr par le modulateur ne se
rpte jamais. Il nest pas priodique et son spectre est continu. Lintrt de ce cas
nest que thorique, et pratiquement, il ne peut pas tre distingu du cas rationnel.

112
3.1.2.4

3. M ODULATION

Forme de la porteuse

Pour que le principe de projection fonctionne linairement, la porteuse doit


tre forme de segments de droite de pentes identiques, positive ou ngative. On
distingue la porteuse en dents de scie (Fig. 3.3) et la porteuse triangulaire symtrique2 . La dernire prsente lavantage de permettre un chantillonnage deux
fois la frquence de pulsation, ce qui se traduit par un signal gnralement de
meilleure qualit.

3.1.3

Principes des modulateurs multiniveaux classiques

Les principes prsents prcdemment sont galement valables pour les modulateurs multiniveaux dont nous prsenterons maintenant les spcificits. La plupart des modulateurs dcrits dans la littrature sont bass sur la comparaison dun
ensemble de porteuses triangulaires avec le signal de rfrence [32]. Ils peuvent
galement tre bass sur le calcul des angles de commutation, en vue dliminer
des harmoniques spcifiques [4]. Les modulateurs multiniveaux sont gnralement
bass sur lutilisation de porteuses triangulaires symtriques. Ces porteuses sont au
nombre dune de moins que le nombre de niveaux, leur agencement caractrise la
mthode de modulation. La combinaison des signaux de comparaison permet de
dterminer le signal modul et plus ou moins directement dobtenir les signaux de
commande. Le signal modul est gnr par le convertisseur par lintermdiaire
des signaux de commande, il na gnralement pas dutilit en tant que signal et
souvent on passe directement des signaux de comparaison aux signaux de commande du convertisseur, comme illustr la Fig. 3.5.
Les agencements les plus frquemment rencontrs sont [32]3 :
1. porteuses en phase (PD), Fig. 3.6(a),
2. porteuses alternes (APD), Fig. 3.6(b),
3. porteuses en phase du mme ct de laxe du zro, avec opposition de part
et dautre de laxe zro (APO), Fig. 3.6(c).
2 les

deux types de porteuses mentionnes ici sont triangulaires, cependant lorsque ce nest pas
prcis, cest de cette dernire dont il est question.
3 Nous utiliserons les acronymes de [32].

113

3.1. Etat de lart

p
1

p
2

lo g iq u e
g n ra tio n s ig n a u x

c o m m a n d e

re f

p
n

F IG . 3.5 : Schma dimplantation dun modulateur multiniveau avec un ensemble de


porteuses
2

1.5

1.5

1.5

0.5

0.5

0.5

0.5

0.5

0.5

1.5

1.5

1.5

2
0

10

15

(a) porteuses en phase

20

2
0

10

15

(b) porteuses alternes

20

2
0

10

15

(c) porteuses en opposition

F IG . 3.6 : Principaux agencements de porteuses

Pour caractriser compltement la mthode de modulation, il faut encore spcifier si lchantillonnage est naturel ou pas rguliers.

3.1.4

Proprits des modulateurs multiniveaux classiques

Les proprits obtenues dpendent de lagencement des porteuses et du mode


dchantillonnage.
3.1.4.1

Mthode adapte aux applications polyphases

Lutilisation de porteuses en phase convient bien aux applications polyphases. Pour cela, les porteuses doivent galement tre en phase pour les diffrentes

20

114

3. M ODULATION

phases. Pour comprendre le bnfice de cet agencement, il faut observer les tensions composes. Dans une priode de modulation, elles sont toujours modules
entre 2 niveaux adjacents autour de la rfrence, ce qui produit une erreur infrieure ou gale au pas, Fig. 3.7(a). Au contraire, avec les autres agencements,
lorsque la tension compose est obtenue par deux porteuses dphases, trois niveaux sont moduls dans une priode de modulation, ce qui conduit une erreur
qui dpasse un pas Fig. 3.7(b).

s ,1

u
0
u

s ,2

s ,1

u
0

s ,1 2

-1
e rre u r
(a) porteuses en phase

s ,2

e rre u r
s ,1 2

-1

1
(b) porteuses alternes

F IG . 3.7 : Comparaison de la tension compose obtenue avec deux agencements diffrents


de porteuses

3.1.4.2

Apparition dune composante continue parasite et dharmoniques


paires

La MLI est un processus non linaire qui conduit lapparition dharmoniques


sur lensemble du spectre frquentiel. Selon les proprits du signal de rfrence
et selon son interaction avec le modulateur, la composante continue ou les harmoniques paires peuvent tre nuls.
La linarit de lchantillonnage pas rgulier est une proprit extrmement
intressante rattache aux modulateurs discrets. Lorsque la rfrence ne comporte
pas de composante continue, le signal chantillonn pas rgulier nen comporte
pas non plus. Bien quil soit non-linaire, le processus de modulation garanti la
proportionnalit entre la valeur du signal chantillonn, et celle de la surface du
signal modul. Le signal modul ne comporte donc pas de composante continue si
le signal de rfrence nen a pas.
Pour les modulateurs chantillonnage naturel, lchantillonnage tant nonlinaire, des distorsions peuvent apparatre dans le signal chantillonn. Labsence
de composante continue pour le signal modul nest donc pas garantie et une telle
composante parasite apparat souvent. Elle peut tre annule dans certains cas spcifiques caractriss par un signal de rfrence prsentant des symtries et des
rapports de frquence permettant la modulation de les conserver.

115

3.1. Etat de lart

1.5

1.5

1.5

0.5

0.5

0.5

0.5

0.5

0.5

1.5

1.5

1.5

2
0

(a) porteuses en phase

2
0

(b) porteuses alternes

2
0

(c) porteuses en opposition

F IG . 3.8 : Exemple de signaux moduls avec les principaux agencements de porteuses

Les signaux sinusodaux prsentent de nombreuses symtries. Considrons un


signal prsentant les mmes symtries quun signal sinusodal et un ensemble de
porteuses alternes ou un ensemble de porteuses en opposition :
1. Lorsque Pn est un entier pair4 , que le dphasage est nul, toutes les symtries
sont conserves.
2. Si le dphasage nest pas nul ou que Pn est impair, toutes les symtries
ne sont pas conserves, mais les surfaces sont identiques et la composante
continue est nulle.
Avec un ensemble de porteuses en phase, les surfaces sont identiques lorsque Pn
est un entier impair.
Lorsque labsence de composante continue nest pas garantie par des conditions de symtrie telles que celles mentionnes prcdemment, lvaluation des
mthodes de modulation traite la section 3.3 montre que la composante continue parasite est nettement plus leve avec un ensemble de porteuses en phase
quavec les autres agencements. La raison essentielle est labsence de symtrie
autour de laxe zro.
3.1.4.3

Echantillonnage naturel et priode dchantillonnage

Avec un ensemble de porteuses alternes et un chantillonnage naturel, lintervalle maximum entre 2 chantillons est de 2 priodes de modulation. Avec un ensemble de porteuses en phase ou en opposition, cet intervalle peut tre plus grand,
ce qui conduit localement une augmentation de la priode dchantillonnage et
une mauvaise reprsentation du signal de rfrence.
Etudions la position des intersections entre la rfrence et les porteuses pour
diffrents agencements de porteuses en faisant varier les rapports de frquences,
les amplitudes et les dphasages.
4 rappelons

que Pn est le numrateur du rapport entre les frquences de modulation et de rfrence.

116

3. M ODULATION

Pour un ensemble de porteuses en phase, la position des points dintersection


et leur nombre sont trs sensibles aux paramtres, surtout lorsque P est pair. Selon sa configuration, le signal de rfrence peut traverser de longs intervalles sans
croiser de porteuse, ou au contraire traverser des porteuses intervalles plus resserrs. Pour une rfrence sinusodale, certaines amplitudes le nombre de points
dintersection varie trs fortement entre la partie positive et la partie ngative. Par
symtrie du signal sinusodal et antisymtrie de lensemble des porteuses, lorsque
les intersections sont rares dans une des parties du signal de rfrence, elles sont
plus nombreuses dans la partie oppose, le nombre de points dintersection ne variant pas. La consquence de cet chantillonnage pas trs variable est lapparition
dune composante continue et dun harmonique de rang deux, tous deux provoqus
par la reprsentation trs diffrente des parties positives et ngatives du signal. Il
sensuit une augmentation trs importante de la distorsion harmonique pondre
par la frquence.
Dautre part, ces 2 composantes ne sont pas limines sur la tension compose, elles sont difficilement filtrables et inacceptables dans bien des applications.
En consquence, si un ensemble de porteuses en phase peut convenir lorsque la
forme de la rfrence, son dphasage et son rapport de frquence sont connus, il
ne conviendra pas dans les autres cas, par exemple lorsque la rfrence est issue de
la sortie dun rgulateur. Dans le premier cas, il est possible de se limiter aux rapports impairs qui ne posent pas de problmes et alors de profiter de performances
convenables. Dans les autres cas, lorsque la rfrence nest pas bien connue, ou
quil nest pas possible de contrler ses caractristiques, il sera prfrable dopter
pour une autre mthode de modulation.
Lapparition de ces composantes est provoque par labsence de symtrie de
lensemble des porteuses en phase entre la partie positive et la partie ngative du
signal. Elles napparaissent pas avec les autres agencements de porteuses qui prsentent une symtrie entre la partie positive et la partie ngative du signal. Cest
un problme spcifique lagencement des porteuses en phase avec chantillonnage naturel, qui rend cette mthode inadapte pour gnrer le signal modul dun
signal de rfrence alatoire.
Exemples
Nous illustrons ces phnomnes, laide quelques exemples rsums dans un tableau, en comparant le nombre dchantillons obtenus par intersection avec les porteuses, dans la partie positive du
signal avec celui obtenu dans la partie ngative :

3.1. Etat de lart

conf ig.
F ig.3.10(a)(c)
F ig.3.10(e)(g)

F ig.3.10(i)(k)
F ig.3.9(a)(b)
F ig.3.9(c)(d)

F ig.3.9(e)(f )

paramtres porteuses en phase porteuses alternes


ref Nint,pos Nint,neg Nint,pos Nint,neg
P [ ] U
10 0 1.5
7
13
10
10
10 67 1.5
10
10
10
10
10 90 1.5
10
10
10
10
10 67 1.4
8
12
10
10
11 0 1.5
11
11
11
11
11 67 1.5
12
12
12
10
11 90 1.5
10
10
12
10
11 67 1.4
10
10
12
10

La rfrence est sinusodale, est le dphasage entre les porteuses


et le signal de rfrence, Nint,pos est le nombre dintersections dans
la partie positive, Nint,neg dans la partie ngative. Nous voyons que
pour certains points de fonctionnement, le signal nest pas chantillonn avec la mme prcision dans sa partie positive et dans sa
partie ngative. Nous vrifions la prsence dune composante continue et dun harmonique deux pour la modulation avec porteuses en
phase.

117

118

3. M ODULATION

1.5

1.5

0.5

0.5

0.5

0.5

1.5

1.5

2
0

10

15

20

2
0

(a) = 0, A = 1.5
2

1.5

1.5

0.5

0.5

0.5

0.5

1.5

1.5

2
0

10

15

20

2
0

(c) = 67, A = 1.5


2

2
1.5

0.5

0.5

0.5

0.5

1.5

1.5
5

10

15

(e) porteuses en phase

15

20

10

15

20

(d) porteuses alternes

1.5

2
0

10

(b)

20

2
0

10

15

20

(f) = 67, A = 1.4

F IG . 3.9 : Comparaison de signaux obtenus pour un rapport P impair

119

3.1. Etat de lart

1.5

1.5

0.5

0.5

0.5

0.5

1.5

1.5

2
0

10

15

20

2
0

(a) = 0, A = 1.5
2

1.5

1.5

0.5

0.5

0.5

0.5

1.5

1.5

2
0

10

15

20

2
0

(c) = 67, A = 1.5


2

1.5

1.5

0.5

0.5

0.5

0.5

1.5

1.5
5

10

15

(e) porteuses en phase

15

20

10

15

20

(d) porteuses alternes

2
0

10

(b)

20

2
0

10

15

20

(f) = 67, A = 1.4

F IG . 3.10 : Comparaison de signaux obtenus pour un rapport P pair (voir spectres la Fig.
3.11).

120

3. M ODULATION

0.8

0.8

0.7

0.7

0.6

0.6

0.5

0.5

0.4

0.4

0.3

0.3

0.2

0.2

0.1

0.1

0
0

10

15

20

0
0

(a) = 0, A = 1.5
0.8

0.8

0.7

0.7

0.6

0.6

0.5

0.5

0.4

0.4

0.3

0.3

0.2

0.2

0.1
0
0

10

15

20

15

20

(b)

0.1
5

10

15

20

0
0

(c) = 67, A = 1.5

10

(d) porteuses alternes

0.8

0.7

0.7

0.6

0.6

0.5

0.5
0.4
0.4
0.3
0.3
0.2

0.2

0.1

0.1
0
0

10

15

(e) porteuses en phase

20

0
0

10

15

(f) = 67, A = 1.4

F IG . 3.11 : Comparaison de signaux obtenus pour un rapport P pair

20

3.2. Modulateur trames orientes

3.2
3.2.1

121

Modulateur trames orientes :


amliorations du modulateur monophas
Points amliorer

Les modulateurs classiques sont caractriss par lagencement des porteuses.


Les modulateurs chantillonnage naturel prsentent soit linconvnient davoir
une composante continue importante, soit dtre moins adapts aux applications
triphases. Les modulateurs discrets ne prsentent pas de composante continue
lorsque la rfrence nen a pas, en revanche il prsentent des squences de trames
qui ne sont pas toujours favorables lors des changements de bande.

3.2.2

Trames et squences de trames

En ne modulant que des niveaux adjacents, les 2 types de trames possibles sont
v, v + 1 et v + 1, v comme illustr la Fig. 3.12.
v + 1

v + 1

v
(a)

(b)

F IG . 3.12 : Trames possibles

3.2.2.1

Optimisation de la trame par lerreur quadratique minimale

Prenons un signal de rfrence normalis entre 0 et 1, uref (t), et le signal modul y correspondant v(t). Nous dfinissons le signal de rfrence comme un seg0
ment de droite de pente Uref
et de valeur moyenne U ref . La valeur moyenne sur le
segment est celle qui permet la dtermination du rapport cyclique :
0
Uref
0
+ Uref
t
2
d = U ref

uref (t) = U ref

(3.7)
(3.8)

Le signal modul peut prendre 2 formes comme illustr la Fig. 3.13.


Lintuition nous indique que la trame 01 est meilleure pour reproduire une
rfrence croissante. Vrifions cela par le calcul de lerreur quadratique entre la

122

3. M ODULATION

u
s

e
U

re f

u
s

re f

U
t

re f

e
2

re f

(a) trame 10

(b) trame 01

F IG . 3.13 : Signal modul en fonction de la pente et de la trame

rfrence est chacune de ses deux ralisations :


Z 1
2
Eerreur =
(us (t) uref (t)) dt

(3.9)

Pour les deux types de trames, elle vaut :


Z
Z U ref
2
(1 uref (t)) dt +
Eerreur,10 =
0

(0 uref (t)) dt

(3.10)

U ref

(1 uref (t)) dt +

Eerreur,01 =
1U ref

1U ref

(0 uref (t)) dt

(3.11)

Aprs quelques dveloppement, nous obtenons lexpression des 2 erreurs quadratiques :


Eerreur,10 =

02
Uref
2
0
0
+ (Uref
+ 1) U ref + (Uref
1) U ref
12

U 02
2
0
0
1) U ref
Eerreur,01 = ref + (Uref
+ 1) U ref + (Uref
12
La diffrence entre les 2 erreurs quadratiques vaut :
2

0
0
Eerreur,10 Eerreur,01 = 2Uref
U ref 2Uref
U ref

(3.12)

(3.13)

Lerreur quadratique moyenne vaut :


Eerreur,10 + Eerreur,01
U 02
2
= ref + U ref U ref
(3.14)
2
12
Lerreur quadratique peut tre exprime en fonction de la moyenne des deux erreurs quadratiques :

E erreur =

0
U 0 U ref Uref
U ref

Eerreur,10 = E erreur 1 + ref

02
Uref
2
+ U ref U ref
12

(3.15)

123

3.2. Modulateur trames orientes

Nous obtenons les fonctions derreur reprsentes la Fig. 3.14. Ces fonctions
sont symtriques par rapport la pente.

0.6

0.6

nergie erreur

0.8

nergie erreur

0.8

0.4

0.4

0.2
0
1

0.2

0.5

0
pente

0.5

0
1

0.5

(a) Eerreur,01

0
pente

0.5

(b) Eerreur,10

F IG . 3.14 : (a),(b) Erreurs quadratiques en fonction de la pente et du rapport cyclique :


d = 0.1(+), d = 0.3(), d = 0.5().

En premire approximation, le terme


nettement plus petit que U ref

2
U ref ,

02
Uref
12

peut tre nglig puisque quil est

lexpression devient :

0
Eerreur,10 = E erreur (1 + Uref
)

(3.16)

0
Lerreur est proportionnelle la pente. Lorsque la pente du signal Uref
est nulle,
les 2 erreurs sont identiques, le choix du type de trame est indiffrent. Dans tous
les autres cas, il faut choisir lune ou lautre des trames, selon le signe de la pente.
Ce rsultat est valable, quelle que soit la rfrence, pourvu quelle soit monotone
sur la dure de la trame, ou que le thorme dchantillonnage soit respect5 .

3.2.2.2

Squences de trames

Lorsque la paire de niveaux moduls ne change pas dun chantillon lautre,


cest--dire lorsque la rfrence ne change pas de bande, nous pouvons avoir les
squences de trames (v, v + 1, v, v + 1), (v + 1, v, v + 1, v), (v, v + 1, v + 1, v)
ou finalement (v + 1, v, v, v + 1) comme illustr la Fig. 3.15.
3.2.2.3

Optimisation de la squence de trame

Daprs loptimisation de lerreur quadratique, il conviendrait de choisir une


squence (v, v + 1, v, v + 1) pour une rfrence croissante et une squence (v +
5 cela

semble plus difficile dmontrer dans ce cas plus gnral.

124

3. M ODULATION

1, v, v + 1, v) pour une rfrence dcroissante. Cela nest cependant pas judicieux,


dune part parce que ce type de squence provoque deux fois plus de transition
quune squence avec inversion du motif (v, v + 1, v + 1, v) ou (v + 1, v, v, v + 1),
et dautre part, parce que lorsque la pente de la rfrence est faible, linfluence de
la squence de trame et faible sur lerreur quadratique.
Lorsque la rfrence change de bande, pour une rfrence croissante, nous
avons 4 squences de trames possibles comme illustr la Fig. 3.16 :
1. (v, v + 1, v + 1, v + 2),
2. (v, v + 1, v + 2, v + 1),
3. (v + 1, v, v + 1, v + 2),
4. (v + 1, v, v + 2, v + 1).
La premire squence est la plus judicieuse. Cest celle qui minimise lerreur
quadratique et le nombre de transitions. La dernire est la pire.

3.2.3

Principe doptimisation des squences de trames

3.2.3.1

Rgles

Le modulateur optimisant les squences de trames doit suivre les rgles suivantes :
lorsque la rfrence ne change pas de bande, les trames (v, v+1) et (v+1, v)
sont alternes,
lorsque la rfrence change de bande pour une bande croissante, une bande
(v, v + 1) est applique, (v + 1, v) pour une bande dcroissante.
Ce mcanisme permet de supprimer la pire des squences et choisit la meilleure
des squences lorsque la rfrence change de bande plusieurs fois de suite.

v + 1

v + 1

v
(a) squence 0101

(b) squence 1010

v + 1

v + 1

v
(c) squence 0110

(d) squence 1001

F IG . 3.15 : Squences de trames possibles lorsque la rfrence ne change pas de bande

3.2. Modulateur trames orientes

v + 2

v + 2

v + 1

v + 1

v
(a) squence 0112

(b) squence 0121

v + 2

v + 2

v + 1

v + 1

v
(c) squence 1012

125

(d) squence 1021

F IG . 3.16 : Squences de trames possibles lorsque la rfrence passe une bande


suprieure

3.2.3.2

Algorithme dimplantation

Lorganigramme de la Fig. 3.17 explique une mthode possible dimplantation


de la mthode permettant doptimiser les squences de trames. Les 2 niveaux moduler vB et vH sont les entres du systme : vB < vH . Le plus petit des niveaux
prcdemment modul, vB,1 , fait office de variable dtat qui permet de dterminer la paire de niveaux prcdemment moduls. Les deux sorties du systme
sont les niveaux moduls par ordre dapparition v1 et v2 . vB suffit pour dterminer la paire de niveau laquelle appartiendrons les nouveaux niveaux moduler
v1 et v2 . En comparant vB vB,1 , on dtermine si la rfrence change de paire
de niveau et si cest pour une paire croissante ou dcroissante. En fonction de la
comparaison de ces grandeurs, lordre dans lequel il faut moduler vB et vH est
dtermin de manire minimiser le nombre de transitions et la distorsion harmonique. Ce mcanisme peut tre simplement implant par un programme laide
dun microprocesseur, ou par une machine dtat laide de composants logiques.

126

3. M ODULATION

e x c u tio n c h a q u e
p r i o d e d ' c h a n t i l l o n n a g e

d b u t

v B> v

n o n

B ,- 1

v B= v

v 1= v
v 2= v

v B< v

v 1= v
v 2= v
H

B ,- 1

= v

n o n
n o n

B ,- 1

v B= v

B ,- 1

v B= v
1

H
B

fin
F IG . 3.17 : Organigramme dimplantation du modulateur amlior

127

3.3. Mthodes dvaluation des modulateurs

3.3

Mthodes dvaluation des modulateurs

La performance dun modulateur est caractrise par sa capacit gnrer un


signal proche du signal de rfrence. La ressemblance entre les signaux dentre
et de sortie dun modulateur nest pas aise dterminer sans critres prcis. Diffrentes mesures permettent dvaluer la distance entre les signaux dentre et de
sortie dun modulateur. Nous verrons que la classification dun ensemble de modulateurs dpend de la mesure choisie. Il est donc important de dterminer les critres
ou mesures les plus importants pour une application donne avant de se prononcer.
Les principales mesures sont passes en revue puis la manire de les obtenir est
dcrite.

3.3.1

Mesures

3.3.1.1

Mesure du spectre frquentiel

Le spectre frquentiel du signal de rfrence peut tre compar au spectre du


signal de rfrence. A moins de disposer dun gabarit objectif ne pas dpasser,
cette mesure ne se prte pas facilement linterprtation, parce que la comparaison
de signaux doit tre effectue harmonique par harmonique.
3.3.1.2

Mesure de la distorsion totale

La distance entre le signal de rfrence et le signal modul peut tre mesure


par lerreur quadratique entre le signal du modulateur et le signal de rfrence.
Cette mesure est celle de lnergie du signal derreur, cest--dire de la distorsion
totale. Elle peut tre mesure temporellement ou frquentiellement, pour un signal
priodique, elle sexprime :
Z
1
2
2
(uref (t) us (t)) dt
Dtot =
(3.17)
T
T
+
X

2
Dtot =
(Uref, Us, ) (Uref, Us, )
(3.18)
=

avec les signaux de rfrence et modul se dcomposant comme :


uref (t) =

+
X
=

i T 2 t

Uref, e

mod

us (t) =

+
X
=

i T2 t

Us, e

mod

(3.19)

128
3.3.1.3

3. M ODULATION

Mesure de la distorsion harmonique, du retard et de lerreur damplitude

La mesure de la distorsion totale est une mesure synthtique de type indice,


mais elle ne suffit pas ou nest pas toujours adapte. Selon lapplication, le retard
introduit par le modulateur est un facteur plus ou moins important qui ne doit pas
ncessairement rentrer en ligne de compte. Nous ne pouvons pas affirmer quun
modulateur ne dformant pas le signal mais le retardant est un mauvais modulateur. Pourtant, en prenant pour critre de comparaison lerreur quadratique, un
modulateur ayant un retard important sera plus mal jug quun modulateur avec
un retard faible mais avec une dformation importante. Il en va de mme avec
les erreurs damplitude. Nous voyons les limites de la mesure de lerreur quadratique. Pour pallier ce dfaut de mesure, la distorsion damplitude, le retard et la
distorsion harmonique peuvent tre mesurs sparment.
Pour un signal de rfrence sinusodal, la distorsion harmonique correspond
simplement la somme (3.18) sur toutes les composantes sauf celle de la rfrence :
X
2

Dharm
=
Us,
Us,
(3.20)
Z{1 ,1 }

avec 1 = Pd le rang harmonique du fondamental6 .


Le dphasage entre la composante fondamentale et le signal de rfrence permet dobtenir le retard du modulateur. Le rapport entre lamplitude de cette composante et celle de la rfrence permet de mesurer lerreur sur lamplitude.
Nous disposons ainsi de 3 mesures spares permettant de qualifier de manire
plus fine les performances des modulateurs avec rfrence sinusodale.
3.3.1.4

Mesure de la dformation, du retard et de lerreur damplitude pour


des signaux non-sinusodaux

Pour un signal de rfrence non sinusodal, la distorsion harmonique na pas


de sens tant donn que la rfrence est constitue dharmoniques. Le terme distorsion harmonique fait place au concept de dformation du signal de rfrence.
La mesure spare du retard, de la distorsion en amplitude et de la dformation est
moins vidente que pour le cas sinusodal.
Une sparation directe des harmoniques nest pas possible. On peut cependant
imaginer mesurer le retard introduit par le modulateur et la rponse en amplitude
laide de la fonction dintercorrlation entre sa sortie et sa rfrence. Cette fonction mesure la ressemblance entre 2 signaux. La position du maximum de cette
6 Le dnominateur de P , P dtermine le rapport entre la frquence fondamentale de la rfrence et
d
la frquence du plus petit harmonique du signal modul (voir ce propos 3.1.2.3).

3.3. Mthodes dvaluation des modulateurs

129

fonction donne le retard de la sortie sur la rfrence et sa valeur normalise donne


la distorsion en amplitude. La dformation du signal de rfrence est alors obtenue
en soustrayant de la sortie la rfrence retarde et amplifie.
3.3.1.5

Mesure de la rponse en amplitude

Pour un systme rgl, il est important que lorsque la grandeur de sortie du


rgulateur augmente de manire proportionnelle et continue, cette grandeur augmente effectivement de manire proportionnelle et continue. Si elle augmente plus
rapidement localement, cela peut dtriorer la rponse, voire conduire des instabilits, de mme si elle ne ragit que par palier, cela dtriore galement la rponse
du systme rgl.
Il est donc important de vrifier que le modulateur fournisse bien une rponse
linaire en amplitude.
3.3.1.6

Mesure de la distorsion harmonique pondre

Souvent le signal utile est obtenu en filtrant le signal de sortie du modulateur


par un intgrateur : dans un moteur par exemple, le modulateur dlivre la trame
de la tension, mais les grandeurs qui nous intressent sont la qualit du couple, les
pertes qui sont dpendantes de la forme du courant qui est lui-mme dpendant du
flux, cest--dire de la tension intgre.
Dans ce cas, la grandeur dterminante nest pas la distorsion de la tension,
mais la distorsion de la tension intgre, ce qui donne une importance inversement
proportionnelle lordre des harmoniques.
Ces constations introduisent une nouvelle mesure, la distorsion harmonique
pondre. La composante continue doit tre traite part, sans quoi son coefficient de pondration est infini7 . Dans la plupart des cas, un facteur de pondration
unitaire convient pour la composante continue :
2
2
Dharm,pond
= Us,0
+

X
Z {1 ,1 }

3.3.2

Us,
Us,
2

(3.21)

Analyse par transforme de Fourier rapide

Le signal modul peut tre obtenu facilement laide dun modle de simulation ou par mesure dun dispositif exprimental. Le spectre frquentiel est alors
7 Ce qui est justifi puisque la moindre composante continue fait diverger le courant dans une inductance pure. Au contraire, dans certains cas, on ne se proccupe pas de la valeur de la composante
continue car on est capable de lliminer. Dans les autres cas, la composante continue peut remplacer
le fondamental qui occupe le rang 1 et qui nintervient pas dans la mesure de lerreur.

130

3. M ODULATION

obtenu simplement par transforme de Fourier rapide (FFT). La position des transitions du signal influenant fortement le contenu harmonique, un grand nombre
dchantillons est requis pour obtenir un rsultat prcis, cela conduit un temps de
calcul qui est considrable, particulirement si le modulateur doit tre valu sur
une grande plage de fonctionnement.

3.3.3

Analyse par double srie de Fourier

Le calcul thorique des harmoniques dun signal modul en largeur dimpulsion est fastidieux, car il passe gnralement par le calcul dintgrales de Bessel.
Lorsque lchantillonnage est effectu par les porteuses, les instants dchantillonnage dpendent de la valeur du signal de rfrence, ce qui constitue un des obstacles lanalyse. Afin de contourner ces obstacles, et sur la base des travaux
publis dans [33], [34] propose de construire un signal auxiliaire deux variables
partir du signal de rfrence et danalyser ce signal.
3.3.3.1

Notations

Les signaux rentrant en jeu sont :


le signal de rfrence du modulateur, uref (t),
sa porteuse, p(t),
le signal modul us (t).
Les paramtres sont :
lamplitude dune porteuse crte crte, qui correspond gnralement au
pas de londuleur U ,
le rapport P entre la frquence de la porteuse, fp et la frquence du signal
de rfrence, fref ,
la pente de la porteuse a qui se dduit des autres paramtres et de la forme
de la porteuse. Pour une porteuse triangulaire symtrique, a vaut :
a = 2 U fp = 2P U fref
3.3.3.2

(3.22)

Signal auxiliaire

Pour illustrer lexplication de la mthode, nous prendrons comme exemple un


modulateur 2 niveaux chantillonnage naturel gouvern par une porteuse triangulaire symtrique. La sortie de ce modulateur scrit :

lorsque uref (t) p(t) 0


+ U
2
(3.23)
us (t) =

U lorsque u (t) p(t) < 0


ref
2

3.3. Mthodes dvaluation des modulateurs

131

Pour viter de comparer le signal de rfrence lensemble des segments de droite


formant la porteuse, nous construisons un signal auxiliaire de deux variables qui
doit permettre de reconstruire le signal modul. Ce signal qui dpend de la mthode de modulation et de la valeur du signal de rfrence est illustr la Fig.
3.18. Il est quantifi et prend les mmes valeurs que le signal modul, ici +U/2
dans les zones fonces, U/2 dans les zones claires. Ces zones sont dlimites
par des fonctions obtenues par transformation du signal de rfrence uref (t). Les
transformations de base sont la translation selon laxe vertical et la symtrie selon
laxe horizontal. La rfrence nest gnralement pas translate le long de laxe horizontal car ce dernier est associ au temps. Dans notre exemple, par translations
et symtrie, nous construisons un signal priodique selon laxe vertical. Cette priodicit permet de retrouver le signal par intersection avec un plan unique (il est
vu sur sa tranche et traverse la page dans notre exemple). Le signal auxiliaire du
modulateur 2 niveaux est dcrit de la manire suivante :

si uref (x) + kU y < uref (x) + (k + 1)U, k Z


+ U
2
f (x, y) =

U ailleurs
2
(3.24)
avec f (x, y) le signal auxiliaire, x la variable associe au temps t.
+U/2
U/2
+U/2
U/2

+U/2
U/2
+U/2
U/2
+U/2
U/2

ref = 0.6U , P = 4)
F IG . 3.18 : Signal auxiliaire dun modulateur triangulaire (U

Lintersection du signal auxiliaire avec un plan perpendiculaire aux axes x et


y, contenant lorigine et orient selon la porteuse, nous permet de gnrer le signal
modul. Nous pouvons vrifier la Fig. 3.18 que les intersections obtenues avec
le plan dessin sur la tranche en gras et avec la porteuse triangulaire en gras sont
identiques. Le plan est dfini par :
y = ax + 2kU

kZ

(3.25)

132

3. M ODULATION

Le signal modul sexprime comme fonction du signal auxiliaire sur la droite dfinissant la porteuse :
us (t) = f (t, at + 2kU )

k Z

(3.26)

Le signal auxiliaire ne dpend pas de la pente de la porteuse qui apparat comme


argument de (3.26). Pour obtenir le signal modul avec un autre rapport P (une
autre pente de porteuse), il suffit de tirer un autre plan de pente diffrente. Cest un
des intrts de cette reprsentation.
En revanche, pour trouver le signal modul pour une autre forme ou une autre
amplitude de rfrence, il faut changer de signal auxiliaire.
Exemples de signaux auxiliaires
En remplaant la porteuse triangulaire symtrique par une porteuse
triangulaire en dents de scie, on obtient le signal auxiliaire illustr
la Fig. 3.19.
Pour un modulateur 3 niveaux avec porteuses alternes, le signal
auxiliaire est illustr la Fig. 3.20. Lorsque lamplitude du signal
dpasse U/2, ce signal auxiliaire est galement valable pour un
nombre quelconque de niveaux, en ajoutant les valeurs des niveaux
se chevauchant et en crant de nouvelles zones de cette manire.
Pour un modulateur 3 niveaux avec porteuses en phase, le signal
auxiliaire est illustr la Fig. 3.21.

+U/2
U/2

+U/2

U/2

+U/2

U/2

+U/2

U/2

+U/2

U/2

+U/2

U/2

+U/2

U/2

+U/2

U/2

ref = 0.6U , P = 8)
F IG . 3.19 : Signal auxiliaire dun modulateur en dents de scie (U

133

3.3. Mthodes dvaluation des modulateurs

+U

+U

+U

+U

+U

U
0

+U

U
0

F IG . 3.20 : Signal auxiliaire dun modulateur multiniveau avec porteuses alternes


ref = 0.6U , P = 4)
(U

+U

+U

+U

+U
0

F IG . 3.21 : Signal auxiliaire pour un modulateur multiniveau avec porteuses en phase


ref = 0.6U , P = 4)
(U

3.3.3.3

Srie de Fourier du signal auxiliaire

Le signal auxiliaire tant priodique selon les deux axes x et y, il peut se dcomposer en une srie de Fourier :
f (x, y) =

+
X

+
X

Fm,n eimx x+iny y

(3.27)

m= n=

Les coefficients sont obtenus par une intgrale double :


Z x0 +Tx Z y0 +Ty
1
f (x, y) eimx xiny y dy dx
Fm,n =
Tx Ty x0
y0

(3.28)

134

3. M ODULATION

avec x = T2x et y = T2y . En gnral, cette intgrale se rsout laide dintgrales de Bessel, ce qui conduit des expressions relativement compliques selon
le modulateur. Pour le modulateur 3 niveaux chantillonnage naturel porteuses
alternes, dont le signal auxiliaire est reprsent la Fig. 3.20, nous obtenons les
coefficients (dont le dveloppement peut tre consult en annexe E.1) :
8
>
>
>
>
>
>
>
>
>
>
>
<

Fm,n =

>
>
>
>
>
>
>
>
>
>
>
:

iU
Jm
2n

ref
U
U

{(1)m 1} lorsque n 6= 0
(3.29)

ref
mU
2i

lorsque n = 0 et |m| = 1

lorsque n = 0 et |m| =
6 1

o Jm est une fonction de Bessel de premire espce illustre en Fig. 3.22.


0

0.5

0.5

1
10

10

F IG . 3.22 : Famille de fonctions de Bessel Jm (n) : n est largument de la fonction


associe aux abscisses, m indice les diffrentes courbes.

En introduisant lexpression du signal modul (3.26) dans la srie (3.27), on


obtient lexpression du signal modul daprs les harmoniques du signal auxiliaire :
+
+
X
X
us (t) = f (t, at) =
Fm,n ei(mx +any )t
(3.30)
m= n=

135

3.3. Mthodes dvaluation des modulateurs

Pour le modulateur 3 niveaux, nous obtenons (une expression qui nest pas trop
complique) :
ref sin (2fref t)
us (t) = U
|

{z

rfrence

nZ m1 Z
2

iU
Jm
n

ref
U
n
U

ei 2fref (m+P n)t

{z

distorsion totale
(3.31)

Le terme de gauche est gal au signal de rfrence, le terme de droite contient les
harmoniques, la composante continue, la distorsion damplitude du fondamental
et le retard.
3.3.3.4

Srie de Fourier du signal modul

Le signal modul peut tre obtenu partir des coefficients de sa srie de Fourier
(ses harmoniques) :
+
X
us (t) =
Us, eimod t
(3.32)
=

Il peut galement tre obtenu partir des coefficients de la srie de Fourier du


2
signal auxiliaire en substituant x par ref = Pd mod et y par U
, la relation
(3.30) devient :
us (t) = f (t, at) =

+
X

+
X

Fm,n ei(m+P n)ref t

(3.33)

m= n=

En identifiant les deux expressions (3.32) et (3.33), nous obtenons lexpression des
harmoniques du signal modul Us, partir des coefficients de la srie de Fourier
du signal auxiliaire. Chacun des termes de la double-srie conduisant la frquence fref contribue lharmonique correspondant Us, . Pour obtenir la valeur
de lharmonique de rang , il faut par consquent additionner tous les coefficients
de la srie de Fourier du signal auxiliaire satisfaisant lquation m + P n = ,

cest--dire tout ceux qui appartiennent la droite dquation n = m


P + P :
X
Us, =
Fm,n
(3.34)
(m,n)Z2
m+P n=

Cela est illustr la Fig. 3.23. Les droites permettant dobtenir les harmoniques
sont parallles et dcales le long de laxe m. La pente des droites est inversement
proportionnelle P .
Bien que la rfrence soit le terme dominant de la srie du fondamental du
modulateur 3 niveaux, une infinit de termes satisfaisant m + P n = 1 sajoutent

136

3. M ODULATION

n
m

P=8
20

10

10

20

(a) P = 8

n
m

P=3
20

10

10

20

(b) P = 3

F IG . 3.23 : Les harmoniques du signal modul sont obtenus en sommant les coefficients
de la srie du signal auxiliaire le long dune droite. Droites des harmoniques = 2 (),
= 19 (+).

cette valeur. Ces termes ont une valeur dautant plus faible que P est lev :
nous savions dj que la distorsion damplitude du fondamental est dautant plus
faible que la frquence de pulsation augmente. La valeur des autres harmoniques
dpend fortement de P dont une infime variation conduit sommer un ensemble
de coefficients diffrents : nous savions en effet que des sous-harmoniques et des
phnomnes de battements apparaissent en passant de P entier P rel.
Les coefficients de la double-srie ntant ni de mme signe, ni de mme orientation, leur connaissance ne donnent pas dinformation sur lamplitude des harmoniques : un harmonique nul peut tre obtenu en sommant un ensemble de coefficients non nuls. Cela empche la comparaison terme terme des coefficients de
diffrents modulateurs en vue dune valuation comparative.

Il est important de ne faire la confusion entre les harmoniques du


signal auxiliaire et les harmoniques du signal modul. Les premiers
nont pas de signification physique alors que les seconds contiennent
lnergie du signal modul.

3.3. Mthodes dvaluation des modulateurs

137

Dans la plupart des cas, une valuation numrique de (3.32) est ncessaire pour
obtenir les harmoniques du signal modul en vue dune mesure de performance.
Dans ce but, nous approchons chacune des sries dfinissant un des harmoniques
en sommant un nombre limit des coefficients de la double-srie (3.29) satisfaisant (3.34). Cela rend cette mthode dtourne relativement lourde, lente et peu
prcise. De plus son champ dapplication est pratiquement limit aux rfrences
sinusodales.

3.3.4

Analyse par dcomposition du signal en lments simples

La caractristique commune des signaux moduls en largeur damplitude est


dtre construits comme un assemblage dlments rectangulaires damplitudes et
de largeurs variables. Cela est mis en vidence la Fig. 3.24(a) qui illustre un
signal modul et la Fig. 3.24(b) o une des trames lmentaires composant le
signal modul est isole.
Grce la linarit de la srie de Fourier, le spectre du signal modul complet
peut tre obtenu en ajoutant les spectres des lments rectangulaires le composant.
Ainsi, la mthode consiste :
1. identifier les trames lmentaires qui dcomposent le signal modul et les
paramtres caractrisant ces trames en fonction de la rfrence,
2. calculer lexpression du spectre de la trame lmentaire en fonction des paramtres retenus,
3. en appliquant la linarit de la transforme de Fourier et le thorme du retard, dduire lexpression du spectre du signal modul si les relations liant
les paramtres de trame la rfrence sont suffisamment simples, sinon calculer ce spectre numriquement.
Il est assez ais de constater que la plupart des modulateurs multiniveaux peuvent
tre dcomposs en trames lmentaires de dures gales la priode dchantillonnage et caractrises chacune par deux niveaux et un rapport cyclique comme
illustr la Fig. 3.24(b).

138

3. M ODULATION

0.5

1
0

0.5

trame lmentaire

v1

0.5

0
dT

1
1

(a) ensemble des trames

(b) une des trames

F IG . 3.24 : (a) le signal modul peut tre dcoup en trames lmentaires, ici 10 trames ;
(b) la troisime des trames

3.3.4.1

Spectre dune trame lmentaire

Le spectre dune trame lmentaire caractrise par son indice k, les 2 niveaux
moduls v1,k et v2,k par ordre dapparition, le rapport cyclique de modulation dk
et une dure de la trame gale la priode dchantillonnage Te , est :
partie module v2 v1
base v1
 z niveau de

}|
}|
{ z

{
i
iTe
iTe
idk Te
1 + (v2,k v1,k ) e
e
Uk () = v1,k e

(3.35)
avec les paramtres de trame tels que dfinis la Fig. 3.25.

tr a m e k

tr a m e k + 1

v
T

2 ,k

, U

v
t0

1 ,k + 1

d
k
e

1 ,k

k + 1
e

2 ,k + 1

T
m

F IG . 3.25 : Deux trames lmentaires successives dun modulateur triangulaire

3.3. Mthodes dvaluation des modulateurs

3.3.4.2

139

Spectre du signal modul

En appliquant la linarit de la transforme de Fourier et le thorme du retard, nous obtenons le spectre du signal modul en additionnant la contribution de
chacune des trames sur une priode du signal modul :
U () =

PX
t 1

Uk () eikTe

(3.36)

k=0

Le signal modul est caractris par Pt trames. Le nombre de trames est li au


nombre de priode de modulation composant une priode de signal modul :
Pt = Pm Pn

(3.37)

avec Pm le nombre de trames composant une priode de modulation (une dans le


cas dune dent de scie, deux dans le cas dun triangle symtrique), Pn le numrateur du rapport entre la priode du signal de rfrence et la priode de modulation
(cf. 3.1.2.3). Lexpression (3.36) est celle du spectre du signal pendant une seule
priode. Le spectre du signal priodique est obtenu en chantillonnant (frquentiellement) le spectre continu et en le divisant par la priode du signal modul
(Tm = Pt Te ) :
"
PX
t 1


dk
i
U =

v1,k ei2 Pt 1
2
k=0
(3.38)
#

d 
i2 P
i2 P k
i2 k
Pt
t e
t
+ (v2,k v1,k ) e
e
Contrairement (3.28) et (3.34), cette expression nest pas une srie mais une
somme finie qui ne comporte que des sinus. Elle est calcule partir de la suite
des paramtres caractrisant chacune des trames :

v1,k
v1,1
v1,Pt
v1,0
v2,k = v2,0 , v2,1 , . . . , v2,Pt
(3.39)

dk
d0
d1
d Pt
Ces derniers tant obtenus partir de la suite des chantillons de la rfrence :
uref,i = {uref,0 , uref,1 , . . . , uref,Pt }

(3.40)

La principale difficult et seule inexactitude de la mthode consiste dterminer


la valeur des chantillons de la rfrence des modulateurs chantillonnage par

140

3. M ODULATION

la porteuse. La mthode est exacte dans le cas des modulateurs discrets ( chantillonnage rgulier), le lien entre la rfrence continue et la rfrence discrte tant
linaire. Dans les deux cas, les paramtres de trame sont obtenus partir des chantillons de la rfrence, selon (3.2) et (3.3), la difficult consistant ordonner les
niveaux vB et vH pour obtenir v1 et v2 .
3.3.4.3

Spectre dun modulateur discret 3 niveaux

Dans le cas dun modulateur discret 3 niveaux avec porteuses alternes auquel
nous appliquons une rfrence sinusodale damplitude, de frquence et de phase
variable, le spectre du signal modul calcul selon (3.38) vaut :
(
h U
i
X
2k
ref
iU
i2
i2 k+1
Pt
U sin( P +)+k
P
t
U =
e
e

2
k{0,2,...,2Pn 2}
lP k<(l+ 21 )P,lN

{z

trames 01 rfrence positive


i2
P

h U

sin( 2k
P +)+k

ref
U

ei2 Pt

k{1,3,...,2Pn 1}
lP k<(l+ 12 )P

{z

trames 10 rfrence positive

ei2

k+1
Pt

i2
Pt

h U

ref
U

sin( 2k
P +)k

k{0,2,...,2Pn 2}
(l+ 12 )P k<(l+1)P

{z

trames 01 rfrence ngative

i2
Pt

h U

ref
U

sin( 2k
P +)k

)
i2 k
P

k{1,3,...,2Pn 1}
(l+ 12 )P k<(l+1)P

{z

trames 10 rfrence ngative

(3.41)
Dans le cas gnral, bien que tous ses termes soient connus et en nombre fini, la
somme (3.38) ne se prte pas une interprtation sans valuation numrique. Elle
est toutefois exacte et son calcul est dautant plus rapide que le nombre de trames
Pt est petit.
Cette mthode est particulirement adapte aux modulateurs discrets et ceux
sexprimant sous forme dalgorithmes. Elle convient bien pour valuer numriquement le spectre du signal modul pour une rfrence quelconque.

3.4. Evaluation des performances des modulateurs

3.4

141

Evaluation des performances des modulateurs

Dans cette partie, nous valuerons les performances des principaux modulateurs prsents. Nous dsignerons ces modulateurs de manire abbrge :
PPEN : modulateur avec porteuses en phase et chantillonnage naturel,
PAEN : modulateur avec porteuses alternes et chantillonnage naturel,
PPER : modulateur avec porteuses en phase et chantillonnage pas rguliers,
PAER : modulateur avec porteuses alternes et chantillonnage pas rguliers,
MTO : modulateur avec trames orientes,
Les mesures retenues pour lvaluation seront :
la distorsion harmonique, Dharm ,
la distorsion harmonique pondre par la frquence, Dharm,pond .

3.4.1

Evaluation pour les applications monophases

Nous vrifions aux Fig. 3.26(a), (b), (c) et (d) que le modulateur trames orientes est un petit peu plus performant que les autres. Lorsque le rapport P augmente
aux Fig. 3.26(e) et (f), les disparits sattnuent.
Aux Fig. 3.26(b), (d) et (f), la distorsion harmonique pondre par la frquence
est plus lev pour le modulateur PPEN cause de la prsence dune composante
continue et dharmoniques pairs de bas rang.
3.4.1.1

Sensibilit de lchantillonnage naturel

A la Fig. 3.26(c), le modulateur PAEN prsente les meilleures performances


pour certains points de fonctionnement en termes de distorsion harmonique. Au
contraire, il prsente les moins bonnes performances pour dautres points de fonctionnement, comme la Fig. 3.26(b). Cela est d la sensibilit de lchantillonnage (naturel) au signal de rfrence. Ce type dchantillonnage devrait tre vit
chaque fois que le signal de rfrence est mal connu, comme par exemple lorsquil
provient de la sortie dun rgulateur.

3.4.2

Evaluation pour les applications triphases

Le modulateur propos (MTO) ne donne pas les rsultats escompts. En effet,


les bnfices obtenus en terme de poursuite de la tension simple sont plus faibles
que la distorsion introduite lorsque les trames sont orientes diffremment dune

142

3. M ODULATION

0.5

0.04

0.4

0.03

0.3

0.02

0.2

0.01

0.1
0

0
0

(a) P=17 DH

(b) P=17 DHPF

0.5

0.025
0.02

0.4

0.015
0.3
0.01
0.2

0.1
0

0.005

0
0

(c) P=18 DH
0.1

0.4

0.08

0.3

0.06

0.2

0.04

0.1

0.02

(d) P=18 DHPF

0.5

0
0

(e) P=40.5 DHPF

0
0

(f) P=40.5 DH

F IG . 3.26 : Distorsion harmonique sur la tension simple ( = 0 ) : PAER (), PPER (+),
PAEN (), PPEN (4), TOER () ; axe horizontal : amplitude. Les amplitudes et distorsions
sont rapportes au pas du modulateur.

phase lautre8 . Les modulateurs avec porteuses en phase, PPEN et PPER, sont
clairement plus performants en termes de distorsion harmonique. Le modulateur
PPEN prsente cependant une mauvaise distorsion harmonique pondre par la
frquence cause de la composante continue et des harmoniques paires qui ne
sont pas rduit par la composition des tensions Fig. 3.29.
8 lintrt dutiliser des porteuses en phase pour les applications polyphases a t discut au
3.1.4.1.

143

3.4. Evaluation des performances des modulateurs

2.5

2.5

1.5

1.5

0.5

0.5

1.5

0.5

0
0

0
0

(a) P=16

0
0

(b) P=19

(c) P=37.14

F IG . 3.27 : Nombre de transitions par priode du modulateur ( = 0 ) : PAER (), PPER


(+), PAEN (), PPEN (4), TOER () ; axe horizontal : amplitude.

0.8

0.08

0.6

0.06

0.4

0.04

3.5
3
2.5
2
1.5

0.2

0.02

0.5
0
0

(a) Dharm

0
0

(b) Dharm,pond

0
0

(c) nombre de transitions

F IG . 3.28 : Distorsion harmonique sur la tension compose et nombre de transitions avec


injection dharmonique 3 pour augmenter lamplitude maximale (P = 16, = 25 ) :
PAER (), PPER (+), PAEN (), PPEN (4), TOER () ; axe horizontal : amplitude.

144

3. M ODULATION

0.8

0.06
0.05

0.6
0.04
0.4

0.03
0.02

0.2
0.01
0
0

0
0

(a) P = 17 Dharm
0.8

0.08

0.6

0.06

0.4

0.04

0.2

0.02

0
0

0
0

(c) P = 18 Dharm
0.04

0.6

0.03

0.4

0.02

0.2

0.01

(e) P = 40.6 Dharm

(d) P = 18 DHPF

0.8

0
0

(b) P = 17 DHPF

0
0

(f) P = 40.6 DHPF

F IG . 3.29 : Distorsion harmonique sur la tension compose ( = 0 ) : PAER, + PPER,


PAEN, 4 PPEN, MTO. axe horizontal : amplitude. Les amplitudes et distorsions sont
rapportes au pas du modulateur.

3.5. Rpartition des niveaux

3.5

145

Rpartition des niveaux

En tlcommunications, une des normes de compression utilise une loi de


quantification logarithmique qui permet de mieux reproduire les signaux de petites amplitudes et dviter quils soient noys dans le bruit.
En lectronique de puissance, les niveaux des onduleurs idaux sont toujours
considrs comme tant rpartis uniformment sur un intervalle. Lorsque les tensions dalimentation sont dsquilibres, les niveaux sont dplacs. Le pas varie
au cours du temps en fonction du couple de niveaux adjacents choisi et au gr des
fluctuations des tensions dalimentation des cellules de londuleur. Comme ces
tensions ne sont jamais rigoureusement quilibres, le pas nest jamais parfaitement uniforme. Cependant, ces irrgularits ne sont ni trs marques, ni un effet
recherch. Au contraire, on cherche les minimiser en quilibrant les tensions
dalimentation.
Lobjectif tant de gnrer un signal reproduisant le mieux possible les proprits dun signal de rfrence, il est lgitime de se demander si la rpartition
uniforme des niveaux est la plus adapte cette tche.
Nous pourrions imaginer dsquilibrer volontairement les tensions dalimentation afin dobtenir une rpartition donne. Toutefois, les rgles de gnration
des niveaux des onduleurs multiniveaux ne permettent pas dobtenir nimporte
quelle rpartition de niveaux. Disposant par exemple dun convertisseur compos
de 2 cellules 3 niveaux connectes en srie, nous pouvons agir sur lamplitude de
lensemble des niveaux et sur le rapport des deux tensions dalimentations pour
gnrer un maximum de 9 niveaux. Les rpartitions de niveaux qui peuvent tre
obtenues sont relativement limites.
En faisant abstraction des possibilits des onduleurs, nous supposerons tre
en mesure de choisir individuellement tous les niveaux de londuleur. Disposant
dun nombre de niveaux donn, nous tenterons alors de dterminer la rpartition
de niveaux la plus adapte pour reproduire une catgorie de signaux spcifie. La
distribution des amplitudes du signal de rfrence est un lment cl pour rsoudre
ce problme.

3.5.1

Rpartitions types de la rfrence

La distribution des valeurs que prend un signal triangulaire est uniforme sur
lintervalle allant de la plus petite la plus grande des amplitudes, comme illustr
la Fig. 3.30(a). En consquence, un ensemble de niveaux rpartis uniformment
sur cet intervalle semble adapt pour reproduire un tel signal.

146

3. M ODULATION

D(x)

D(x)

3.5

2.5

0.8

2
2.5

0.6

1.5

1.5

0.4

0.2

0.5
0.5

0
1

0.5

(a) triangle

0.5

0.5

0.5

(b) sinus damplitude 1

0.5

0.5

(c) famille de sinus

F IG . 3.30 : Quelques densits de rpartitions damplitude de signaux : (a) triangle damplitude 1 (b) sinusode damplitude 1 (c) ensemble de sinusodes dont les amplitudes sont
quiprobables entre 0 et 1

Pour un signal sinusodal, la pente est maximale autour de zro et minimale


vers la valeur de crte. Autrement dit, le signal passe rapidement autour de zro
et lentement autour de la valeur de crte. La densit de rpartition est donc plus
leve pour les valeurs extrmes, comme reprsent la Fig. 3.30(b). Une erreur
donne aura globalement moins dimpact autour de zro quautour de la valeur de
crte. Avec le mme nombre de niveaux, un pas plus fin vers les valeurs extrmes
et plus grossier vers zro devrait permettre une meilleure reproduction du signal.
Ces arguments sont intuitifs et qualitatifs, ils ne permettent pas de dterminer
la rpartition la plus adapte. Afin de dterminer cette rpartition, examinons les
diffrentes mthodes pour gnrer un signal laide dun ensemble de niveaux et
les moyens dvaluer les rsultats obtenus.

3.5.2

Reprsentation la plus proche de la rfrence

La mthode la plus simple pour gnrer une image de la rfrence uref (t)
consiste choisir en tout instant le niveau de londuleur le plus proche par quantification de la rfrence. Le signal obtenu, us (t), est le plus proche de uref (t), il
minimise lerreur quadratique Dtot :
Z
1
2
Dtot
=
(us (t) uref (t))2 dt
(3.42)
Tmod Tmod
On peut dterminer lerreur en fonction de la valeur du signal uref comme illustr
aux Fig. 3.31(a) et (b). Cette erreur est nulle lorsque uref concide avec un des niveaux de londuleur. Ailleurs, elle est gale la distance au niveau le plus proche.
En faisant le produit de cette erreur avec la densit de rpartition des amplitudes
dun signal donn, on obtient lerreur moyenne du signal en fonction de lamplitude comme illustr aux Fig. 3.31 (c) et (d). La surface de cette erreur moyenne

147

3.5. Rpartition des niveaux

constitue une mesure de performance de la rpartition des niveaux choisie pour


une classe de signaux de densit de rpartition donne.
Erreur(N,x)

Erreur(N,x)

0.4

0.4

0.35

0.35

0.3

0.3

0.25

0.25

0.2

0.2

0.15

0.15

0.1

0.1

0.05

0.05

0.5

0.5

0.5

(a) erreur
Erreur pondre(N,x)

0.5

Erreur pondre(N,x)

0.4

=0.056093

0.35

0.4

=0.05527

0.35

0.3

0.3

0.25

0.25

0.2

0.2

0.15

0.15

0.1

0.1

0.05

0.05

(b) erreur

0.5

0.5

(c) erreur pondre

0.5

0.5

(d) erreur pondre

F IG . 3.31 : (a) (b) Erreurs fonctions de la valeur du signal de rfrence pour 2 distributions
de niveaux ; (c) (d) Mmes erreurs mais pondres par la densit de rpartition dun signal
sinusodal.

3.5.3

Proprits du signal quantifi : relation entre


lerreur quadratique et la distorsion harmonique

Lorsque la rfrence est sinusodale, les mesures utilises sont bases sur lvaluation des harmoniques plutt que sur lerreur quadratique. Cette dernire peut se
dcomposer en une somme dharmoniques. Lexpression de la distorsion totale,
(3.18), se rcrit en prenant en considration que la priode du signal quantifi est
toujours gale la priode de la rfrence9 (Tref = Tmod , 1 = 1) :
2

2
Dtot
= 2 kUref,1 Us,1 k + kUref,0 Us,0 k + 2

kUref, Us, k

(3.43)

=2
9 nous nutilisons que les coefficients de rang harmonique positif, ce qui fait apparatre un facteur 2
devant les harmoniques de rang non nul.

148

3. M ODULATION

Lorsque la rfrence, uref (t), est purement sinusodale, lexpression se simplifie :


2

2
Dtot
= 2 kUref,1 Us,1 k + kUs,0 k + 2

kUs, k

(3.44)

=2

Lensemble des niveaux reproduisant au mieux une sinusode est symtrique par
rapport zro. Le choix du niveau le plus proche conduira donc un signal sans
composante continue :

X
2
2
2
Dtot
= 2 kUref,1 Us,1 k + 2
kUs, k
|
{z
}
=2
distorsion damplitude
|
{z
}

(3.45)

distorsion harmonique

Il subsiste deux termes dans cette expression. Le premier terme contient lerreur
damplitude ou distorsion damplitude ainsi que le retard ou la distorsion de phase,
2
regroups sous la distorsion du fondamental, Dfond
. Le deuxime terme ne con2
. Le signal quantifi est le
tient que la valeur de la distorsion harmonique Dharm
plus proche de la rfrence, il produit la plus petite erreur en tout instant. Lorsque
lensemble de niveaux est symtrique par rapport zro, le fondamental, Us,1 ,
nest pas retard et est en phase avec la rfrence, Uref,1 . Sil existe un autre signal
u0s (t) dont le fondamental est plus proche de la rfrence, uref (t), nous aurons :
(
(
02
2
02
2
Dfond
< Dfond
Dfond
< Dfond

02
2
02
02
2
2
Dtot
> Dtot
Dfond
+ Dharm
> Dfond
+ Dharm
(3.46)
02
2
Dharm
> Dharm

Le signal qui provoque lerreur quadratique la plus faible provoque galement la


distorsion harmonique la plus faible. Un signal plus proche par le fondamental est
forcment plus loign par les harmoniques. La distorsion harmonique obtenue par
quantification est une borne infrieure infranchissable. Le signal qui ne prsente
pas de distorsion damplitude prsente une distorsion harmonique plus grande que
celle du signal quantifi.
Bien que ses proprits le rendent intressant comme outil thorique dvaluation, la quantificateur nest gnralement pas un dispositif de modulation appropri. Pour sen convaincre, il suffit dexaminer le comportement dun convertisseur
dont la sortie serait obtenue par quantification. Il ne dlivrerait aucune tension tant
que la rfrence ne dpasserait pas son demi-pas et dautre part, sa rponse en amplitude serait fortement non-linaire, ce qui pourrait conduire des instabilits du
systme rgl.

3.5. Rpartition des niveaux

149

3.5.4

Mthodes doptimisation de la distribution des niveaux

3.5.4.1

Distribution de niveaux calcule

Supposons en premire approximation que les niveaux soient continment rpartis sur un intervalle au lieu dtre placs ponctuellement. La densit de niveaux
devrait tre inversement proportionnelle la densit de rpartition du signal reproduire ou son carr selon lerreur minimiser. La construction dune distribution de niveaux base sur cette premire approximation est illustre la Fig.
3.32(b) pour un signal sinusodal. Elle conduit une solution qui rduit lerreur
par rapport la rpartition uniforme, mais qui reste loigne de loptimum. Ce
constat nous a conduit utiliser un algorithme gntique afin de dterminer des
rpartitions plus proches de loptimum.
3.5.4.2

Meilleur quantificateur

Une optimisation consiste rechercher la distribution de niveaux minimisant


lerreur quadratique obtenue par quantification Nquant . Cette distribution est illustre la Fig. 3.32(c) pour un signal sinusodal. Elle ne permet pas datteindre toute
la gamme damplitude du signal.
3.5.4.3

Meilleur quantificateur bornes fixes

Il ne suffit pas que londuleur reproduise un signal le plus proche possible du


signal de rfrence. Il faut galement quil soit capable de dlivrer la puissance
requise pour tous les rgimes de fonctionnement. Pour cela, il doit tre capable
datteindre une amplitude donne qui fixe ses niveaux extrmes une valeur minimale et maximale. La deuxime optimisation consiste donc rechercher la distribution de niveaux, dont deux sont fixs, qui minimise lerreur quadratique. Cette
distribution est illustre la Fig. 3.32(d) pour un signal sinusodal.
3.5.4.4

Meilleurs modulateurs

Comme nous lavons vu prcdemment, bien quil permette dobtenir le signal


le plus proche de la rfrence partir dun ensemble de niveaux donns, le quantificateur a linconvnient de prsenter une rponse en amplitude non-linaire. La
modulation des niveaux adjacents la rfrence engendre une rponse en amplitude de meilleur qualit pour une distorsion harmonique un peu plus leve. Nous
supposons pour cette optimisation que la priode de modulation est infiniment
courte, ce qui nous fournit un rsultat indpendant de lagencement des trames.
Nous effectuons deux optimisations, lune avec bornes libres, lautre avec bornes
fixes.

150

3. M ODULATION

Distribution uniforme

Distribution calcule
=0.026475

0.5

0.5

0.5

0.5

=0.024636

1
1

(a) uniforme
Distribution optimise

Distribution optimise
=0.015323

(b) calcule

0.5

0.5

0.5

0.5

=0.023513

1
1

(c) optimise

(d) borne optimise

F IG . 3.32 : Quelques distributions possibles de niveaux pour gnrer un signal sinusodal


par quantification et lerreur quadratique associe note ici

3.5.5

Optimisation des distributions de niveaux

A la Fig. 3.33, nous illustrons les distributions optimales de niveaux obtenues


par diffrentes mthodes :
(A) distribution uniforme,
(B) distribution calcule,
(C) optimisation de la surface de lerreur de quantification,
(D) optimisation de lerreur quadratique de quantification,
(E) optimisation de lerreur quadratique de modulation,
(F) optimisation de la surface de lerreur de quantification avec deux niveaux
fixs,
(G) optimisation de lerreur quadratique de quantification avec deux niveaux
fixs,
(H) optimisation de lerreur quadratique de modulation avec deux niveaux
fixs.
Les optimisations sont effectues pour plusieurs familles de signaux types.

151

3.5. Rpartition des niveaux

1.5

1.5
A

0.5

0.5

0.5

0.5

1.5

1.5

(a) sinus

(b) famille uniforme de sinus

1.5
A

1
0.5
0
0.5
1
1.5

(c) sinus de grandes amplitudes

F IG . 3.33 : Quelques distributions possibles de niveaux. Nous illustrons un signal type


reprsentatif de chaque distribution.

3.5.5.1

Sinusode damplitude constante

Le signal de rfrence sera une sinusode damplitude constante pour des applications o londuleur sert dinterface au rseau. Dans ce cas, la rfrence sera
mieux reproduite par des niveaux plus resserrs en priphrie, comme illustr la
Fig. 3.33(a).
3.5.5.2

Famille uniforme de sinusodes

Nous pourrons rencontrer ce type de rfrence dans les entranements vitesse variable. La distribution des valeurs dune famille de sinusodes damplitudes variables, toutes les amplitudes tant quiprobables entre zro et lamplitude
maximale est inverse de celle dune sinusode damplitude constante. Les valeurs
proches de zro sont plus prsentes car elles sont utilises pour toutes les amplitudes, tandis que les valeurs extrmes ne sont utilises que pour les plus grandes
amplitudes. Au contraire de la distribution optimale pour une sinusode, la distribution optimale est davantage resserre autour de zro, comme illustr la Fig.
3.33(b).

152
3.5.5.3

3. M ODULATION

Autre famille de sinusodes

Pour certains entranements vitesse variable, les rgimes les plus frquents
sont proches de la vitesse nominale. Nous recherchons la distribution de niveaux
optimale pour une famille de sinusodes damplitudes variables, les fortes amplitudes tant plus probables que les faibles (1% dutilisation de 0 50% de lamplitude, 9% de 50% 75% damplitude, 90% de 75% 100%). La Fig. 3.33(c)
illustre les distributions obtenues. La distribution des valeurs du signal est relativement uniforme, de sorte que les distributions optimales des niveaux sont galement
assez uniformes.

3.5.6

Bilan des optimisations

Plusieurs points sont retenir des analyses de rpartitions optimises :


1. Diffrents signaux assez typiques de ce que lon peut rencontrer en lectronique de puissance ont des distributions de niveaux assez diffrentes. Il
faut dterminer assez prcisment les besoins de lapplication pour pouvoir
tablir une rpartition optimise.
2. Les rsultats varient dans une moindre mesure avec la mthode de gnration du signal modul (quantification ou modulation).
3. Les niveaux extrmes doivent tre fixs car ils bornent lintervalle damplitude atteignable par londuleur.
4. Pour une application donne, connaissant prcisment la rpartition de la
rfrence, il faudrait reprendre loptimisation en prenant en considration
les possibilits de la structure. Les onduleurs multiniveaux asymtriques
perdent les proprits de modulation optimise partir du moment o le pas
nest plus uniforme, de sorte quil faut choisir entre cette dernire proprit
et un petit gain possible en termes derreur.

3.6

Conclusions

Nous avons tabli une mthode dvaluation des modulateurs qui est la fois
simple, rapide et prcise. Elle est mme exacte pour les modulateurs discrets et
particulirement adapte aux modulateurs dont le fonctionnement est dcrit par un
algorithme.
Nous avons montr limportance du mode dchantillonnage de la rfrence et
lavantage des modulateurs discrets dont les performances sont presque insensibles
au signal de rfrence.
Nous avons dvelopp un modulateur trames orientes qui permet une reproduction optimale des signaux avec une lgre rduction du nombre de transitions.

3.6. Conclusions

153

Ce modulateur est dautant plus performant que la pente du signal (proportionnelle


P ) est leve. Le modulateur discret porteuses en phase est cependant plus performant pour les applications triphases, car il dlivre une tension compose de
meilleure qualit.
Les rsultats de ce chapitre ne sont pas limits aux onduleurs multiniveaux asymtriques, ils sont gnraux et applicables la plupart des structures donduleurs
multiniveaux.

154

3. M ODULATION

C HAPITRE 4

Stratgies de commande

4.1

Introduction

La commande regroupe lensemble des mcanismes permettant dimposer un


point de fonctionnement ou une trajectoire londuleur. Elle gnre les signaux
de contrle des interrupteurs partir du signal modul. Cette opration est triviale
lorsquil ny a quune faon de gnrer chaque niveau, cest--dire lorsquil y a absence de niveaux redondants. Dans le cas contraire, une stratgie doit tre labore,
et cest cet aspect que nous nous attacherons dans ce chapitre.

4.1.1
s
s

re f
m e s

Structure de la commande

r g u la te u r

re f

m o d u la te u r

d
2

a s s o c ia tio n
n iv e a u x - ta ts

e
e

1
2

g n ra tio n s ig n a u x

c o m m a n d e

c o m m a n d e
F IG . 4.1 : Schma fonctionnel de la commande dun onduleur multiniveau

La commande peut tre divise en deux fonctions illustres par le diagramme


de la Fig. 4.11 . Une premire fonction associe la trame forme des niveaux moduler la trame des signaux de commande des interrupteurs moduler. Les rapports
cycliques de ces deux trames sont gnralement identiques, les tats des interrupteurs associer chacun des niveaux moduler sont dtermins sur la base dune
1 Nous avons repris le diagramme introduit au chapitre 3 la Fig. 3.2 en focalisant cette fois sur la
partie commande.

156

4. S TRATGIES DE COMMANDE

stratgie prdfinie. Une deuxime fonction retranscrit linformation discrte forme par les deux tats moduler et leur rapport cyclique en signaux continus
permettant de commander les interrupteurs.

4.1.2

Gnration des signaux de commande

Au chapitre 3, nous avons dcompos le signal modul en trames lmentaires durant chacune une priode dchantillonnage. Chaque trame est compose de deux niveaux successifs appliqus avec un rapport cyclique. Trois signaux
dcrivent le signal modul selon la reprsentation par trames lmentaires :
1. le signal associ au premier niveau de la trame, v1 ,
2. le signal associ au deuxime niveau de la trame, v2 ,
3. le signal binaire slectionnant quel niveau est activ un instant donn ssel .
La Fig. 4.3 situe ces trois signaux, laide desquels il est possible de reconstruire
le signal modul partir dun multiplexeur, comme illustr la Fig. 4.2.
g n ra tio n d u
s ig n a l m o d u l
p r e m ie r n iv e a u
d e la tr a m e
d e u x i m e n iv e a u
d e la tr a m e

m u ltip le x e u r

v
2

v (t)

s ig n a l m o d u l

s ig n a l d e s le c tio n

se l

F IG . 4.2 : Gnration du signal modul laide dun multiplexeur

Cette reprsentation du signal modul souligne la ressemblance entre la trame


des niveaux moduler et la trame des ensembles de signaux permettant dactiver
les deux niveaux correspondant. La structure de ces deux trames est identique, de
sorte que le passage de lune lautre est immdiat en remplaant les deux niveaux
moduler par les deux tats de commande des interrupteurs qui y sont associs,
comme reprsent la Fig. 4.4.
Cette reprsentation a surtout un intrt pratique. En termes de conception de la
commande, elle met en vidence la possibilit de raliser facilement un modulateur
multiniveau laide dun seul modulateur deux niveaux et dun multiplexeur. Ces
composants tant standards, limplmentation des fonctions de modulation et de
commande est grandement simplifie.

157

4.1. Introduction

s ig n a l d e
r f r e n c e

u n e tr a m e d u
s ig n a l m o d u l

s ig n a l
m o d u l

s ig n a l d e
s le c tio n

u n e tr a m e d u
s ig n a l d e s le c tio n

se l

s le c tio n d e v

s le c tio n d e v

F IG . 4.3 : Association des niveaux moduler aux tats moduler laide dun signal de
slection

g n ra tio n s ig n a u x
c o m m a n d e
s ig n a u x
g n ra n t v
s ig n a u x
g n ra n t v

m u ltip le x e u r

e
2

e (t)
e

s ig n a u x a p p liq u s
a u x in te r r u p te u r s

s ig n a l d e s le c tio n

se l

F IG . 4.4 : Gnration des signaux de commande laide dun multiplexeur

158

4. S TRATGIES DE COMMANDE

4.2

Stratgies de minimisation des commutations :


onduleurs monophass

Dans cette section, nous dcrirons les mthodes permettant de choisir les tats
qui minimisent les commutations lorsquil y a des niveaux redondants.

4.2.1

Etat de lart : dcomposition de la rfrence

4.2.1.1

Principe

Cette mthode a t introduite par R. Lund et M. Manjrekar en 1999 dans


[35]. Elle est adapte aux configurations de convertisseurs vrifiant la condition
de modulation optimise (2.33), pour lesquelles elle assure que seule la cellule de
tension la plus basse module la frquence de pulsation apparente.

re f

r e f ,m

r e f ,m - 1

s ,m

c o m m a n d e

r e f ,1

r e f ,m - 2

s ,m - 1

s ,1

m o d u la tio n

F IG . 4.5 : La tension des cellules est calcule de la cellule plus haute tension la cellule
plus basse tension, en soustrayant chaque fois de la rfrence la tension slectionne.

4.2. Stratgies de minimisation des commutations

159

La rfrence de londuleur est dcompose successivement afin dobtenir les


rfrences et tensions de sortie de chacune des cellules (Fig. 4.5). La cellule de
plus haute tension approche grossirement la rfrence. Chaque cellule de pas plus
petit corrige lbauche prcdente et permet dapprocher plus finement lobjectif.
Le principe est illustr la Fig. 4.5. La tension de rfrence de chacune des cellules
est obtenue partir des tensions de rfrence et de sortie de la cellule de pas plus
lev. La tension de sortie est soustraite de la tension de rfrence :
uref,k+1 = uref,k+1 us,k+1

(4.1)

Chacune des cellules (sauf ventuellement la plus petite) gnre son niveau le plus
proche de la tension de rfrence : ce niveau est obtenu par quantification de la
valeur de la rfrence, le pas de quantification tant gal au pas de la cellule. La
rfrence de la cellule de plus haute tension est gale la rfrence du convertisseur.
uref,m = uref
(4.2)
La tension sortie de la cellule de plus petit pas peut tre obtenue de la mme manire o par modulation pour que la valeur moyenne de la rfrence soit gale
la valeur moyenne de la tension de sortie du convertisseur. Les signaux de sortie
obtenus par quantification permettent dobtenir directement les signaux de commande des interrupteurs2 . Le signal de rfrence de la cellule de plus petit pas est
appliqu au modulateur.
4.2.1.2

Domaine de validit

La mthode ne fonctionne quavec les configurations vrifiant la condition de


modulation optimise (2.33). Pour les autres configurations, la rfrence ne sera
pas atteinte lorsque la solution sans modulation des cellules haute tension nexiste
pas.
4.2.1.3

Limites de la mthode

Pour chacune des cellules, le niveau le plus proche de la rfrence est choisi
en tout instant, de sorte que la commutation dun niveau lautre est effectue
mi-parcours entre deux. La condition de commutation est :
|Uref,k | > Uk

(4.3)

Lorsque le pas de chaque cellule est gale lamplitude du convertisseur form


par les cellules de plus petit pas, cette mthode convient bien comme illustr la
2 Il

faut encore ajouter la stratgie effectuant lalternance des zros.

160

4. S TRATGIES DE COMMANDE

Fig. 4.6(a) :
Uk = U1..k1

(4.4)

Cette galit correspond la limite suprieure de la condition de modulation optimise, (2.33).


Lorsquau contraire, le pas dune des cellules est plus petit que lamplitude
du convertisseur form par les cellules de plus petit pas, cette mthode provoque
plus de commutation que ncessaire, comme illustr la Fig. 4.6(b). Une rfrence
oscillant3 autour dun des points de commutation engendre loscillation de la sortie
de la cellule correspondante, alors mme que lamplitude du convertisseur form
par les cellules de plus petit pas permet au convertisseur dosciller autour de ce
point sans commutation de la cellule concerne.

5 U

, U

m ,+ 1

1 ..m - 1

m ,0

m ,- 1

p o in ts d e
c o m m u ta tio n

5 U

1 ..m - 1

, U
m

m ,0

m ,+ 1

m ,0

m ,+ 1

m ,0

p o in ts d e
c o m m u ta tio n

m ,- 1

(a)

m ,+ 1

(b)

F IG . 4.6 : La tension des cellules est calcule en quantifiant la rfrence (a) situation pour
laquelle la mthode est performante (b) situation pour laquelle la mthode pourrait tre
amliore

4.2.2

Premire amlioration :
introduction dune mesure de distance

Le problme doscillation existe parce que le point de commutation est unique.


Il est possible dy pallier en introduisant une mesure de distance entre la rfrence
de la cellule et lamplitude du convertisseur compos des cellules de plus petit
pas. La nouvelle fonction de commutation prsente une hystrsis, la cellule k est
commute lorsque :
|Uref,k | > U1..k1
(4.5)
3 Une

telle rfrence est frquente dans le domaine des actionneurs rgls.

161

4.2. Stratgies de minimisation des commutations

Le schma fonctionnel de la nouvelle mthode obtenue est illustr la Fig. 4.7.


Cette amlioration permet de rduire le nombre de commutations pour certaines
rfrences. Le nombre de commutation est inchang pour une rfrence sinusodale, pour une rfrence avec adjonction dharmonique 3 ou pour une rfrence
issue dun rgulateur, le nombre de commutation peut tre sensiblement rduit.

re f

r e f ,m

s ,m

r e f ,m - 1

r e f ,1

r e f ,m - 2

s ,m - 1

s ,1

F IG . 4.7 : La tension des cellules est calcule de la cellule plus haute tension la cellule
plus basse tension, en soustrayant chaque fois de la rfrence la tension slectionne.

4.2.3

Deuxime amlioration : reformulation

La modulation et la commande sont intriques dans la description que nous


venons de faire. Le schma Fig. 4.5 diffre sensiblement du schma Fig. 4.1 dcrit
en introduction Cette diffrence nest pas lie la mthode, mais la manire dont
nous lavons formule.
La tension de rfrence du convertisseur est dcompose afin dobtenir les tensions de rfrence de chacune des cellules. Cette dcomposition qui est lie la
topologie na rien voir avec la modulation et ressort clairement de la commande.
Dans notre description, elle est obtenue partir de la rfrence du convertisseur,
mais elle peut tout aussi bien tre obtenue de la mme manire partir dun des
niveaux moduler, v1 ou v2 .
La tension de rfrence obtenue par dcomposition pour la petite cellule est
utilise comme rfrence pour un modulateur 3 niveaux. La rfrence de la modulation est issue de la commande, pourtant les paramtres permettant de moduler
la sortie de la petite cellule peuvent tre obtenus partir du signal de rfrence du
convertisseur. Cette dernire variante est mme prfrable, car en utilisant la tension de rfrence dcompose, comme nous lavons fait dans la premire description, nous perdons linformation spcifiant quels niveaux sont moduls. Il nest pas
possible dimplanter une mthode de modulation dpendant des niveaux moduls
du convertisseur. Il nest par exemple pas possible dimplmenter un modulateur
avec porteuses en opposition de phase, puisquil nest pas possible de savoir le
signe des niveaux moduls. Il nest pas non plus possible dimplanter le modula-

162

4. S TRATGIES DE COMMANDE

teur trames orientes sur cette base, puisquil a besoin de connatre la pente de la
rfrence du convertisseur.
En effectuant ces deux modifications, nous obtenons le diagramme de la Fig.
4.8 (comparer avec les Fig. 4.5 et 4.7) qui est conforme la structure dcrite la
Fig. 4.1. Il faut remarquer que comme les cellules de grands ne modulent pas, les
deux grandeurs de commande modules sont identiques :
v1,k = v2,k = us,k

k > 1

(4.6)

Cest la raison pour laquelle, la sortie des cellules de grand pas na pas besoin de
passer par le multiplexeur modulant les tats de commande.
d

v
2

v
1

m in
v

r e f ,m

s ,m

r e f ,m - 1

s ,2 ,1

s ,1 ,1

r e f ,m - 2

s ,m - 1

s ,1

c o m m a n d e
F IG . 4.8 : La tension des cellules est calcule de la cellule plus haute tension la cellule
plus basse tension, en soustrayant chaque fois de la rfrence la tension slectionne.

4.2.4

Troisime amlioration : commutation dans lespace des


tats (stratgie de commutation optimale)

4.2.4.1

Bilan des mthodes prcdentes

La mthode de dcomposition de la rfrence assure que la modulation de


nimporte quelle paire de niveaux module est effectue uniquement au moyen
de la petite cellule. La mthode de dcomposition de la rfrence avec mesure
de distance supprime loscillation de certaines cellules lorsque la rfrence oscille

4.2. Stratgies de minimisation des commutations

163

autour dun point de commutation. La mthode de dcomposition de la rfrence


reformule permet de bien dcoupler la modulation et la commande, ce qui nous
offre davantage de flexibilit et de clart.
Dans les trois cas, les cellules sont commutes lorsque la tension de rfrence
franchi un seuil. La paire dtat dont la modulation ne fait pas commuter les cellules de pas les plus lev est slectionne. Pour les mthodes les plus volues,
la commutation nest effectue que lorsque la rfrence est trop grande pour tre
atteinte sans commutation.
Exemple
Les transitions qui ne provoquent pas de commutation de la cellule
de plus grand pas sont reprsentes sur la reprsentation dtat de
la configuration (Ui , ni ) = {(1, 3), (2, 3)} la Fig. 4.9. Les stratgies de commutation examines jusquici slectionnent une des
paires de niveaux reprsentes. La modulation de ces paires de niveaux ne fait pas commuter la cellule haute tension de sorte que les
pertes par commutation sont rduites.

2,1

0,1

2,3

3,2

1,0

1,2

1
2

F IG . 4.9 : Transition ne provoquant pas de commutation de la cellule haute tension pour la


configuration (Ui , ni ) = {(1, 3), (2, 3)}

Le fonctionnement stationnaire est optimis, mais il faut remarquer que les


commutations de la cellule haute tension ne peuvent pas tre vites lors de certains changement de paires de niveaux moduler. La manire dont se droulent
les changements de paires de niveaux nest pas contrle. Elle ne peut pas tre
contrle laide de ces mthodes qui nen ont pas la capacit, principalement
parce que leur fonctionnement ne dpend pas de lordre dans lequel les niveaux
sont moduls.

164

4. S TRATGIES DE COMMANDE

4.2.4.2

Description des lacunes combler

Une dficience existe au niveau des changements de paires de niveaux. Nous


avons vu au 3.2 que la meilleure squence de trames pour passer dune paire de
niveaux moduls une autre avait son niveau commun plac lextrmit commune des deux trames, comme illustr la Fig. 4.10(a).
Cette squence de trame minimise le nombre de transitions de la tension de
sortie, ce qui limite le nombre de commutation du convertisseur, sauf lorsque la
transition entre ces deux paires implique une commutation de la grande cellule,
auquel cas nous nous retrouvons dans la situation illustre sur la reprsentation
dtat de la Fig. 4.10(b).
Dans ce dernier cas, le bnfice du nombre de transitions rduit peut tre perdu
si une commutation est effectue pour gnrer le mme niveau dans deux paires de
niveaux successives, comme cest le cas la Fig. 4.10(b) : la commutation de ltat
ei,a ltat ei,b provoque des pertes par commutation sans changer la valeur de la
tension de sortie du convertisseur. Il serait plus judicieux de sauter directement de
ltat ei,a ltat ei+1 , sans passer par ltat ei,b , comme illustr la Fig. 4.10(c),
cela conomiserait deux commutations de la cellule basse tension.

V
s

V
V

i-1

i-1

t
(a)

i+ 1

e
e

i+ 1

i-1

s ,1

V
i

i-1

i,a

i,b

s ,2
(b)

i+ 1
i

e
e

i,a

i-1

i+ 1

s ,1

i,b

i+ 1

V
i

s ,2
(c)

F IG . 4.10 : Trames gnrer et trajectoire correspondante dans lespace dtat : (b) et (c)
produisent la mme sortie avec moins de pertes pour (c)

4.2.4.3

Etablissement de la mthode optimale

Lors de la premire apparition de la paire de niveaux a moduler, il faudrait


sauter un tat. En passant de la paire dtat (ei1 , ei,a ) la paire dtat (ei,b , ei+1 )
la Fig. 4.10(c), il faudrait sauter ltat ei,b . Par la suite, il faudrait moduler normalement les tats ei,b et ei+1 . Il peut tre relativement ardu de supprimer tous les
cas dficients en raisonnant de cette manire.

4.2. Stratgies de minimisation des commutations

165

Le problme se rsout par une approche base sur la reprsentation des tats
de commande du convertisseur et dont le coeur est un principe de moindre effort
qui snonce comme suit :
Il faut commuter le plus longtemps possible paralllement aux axes
des cellules de plus petit pas et neffectuer des transitions transversales que lorsquil ny a pas dautre possibilit.
En appliquant ce principe, les transitions transversales ne sont autorises qu
sens unique. En effet, si pour passer dun niveau Vi au niveau Vi+1 il est ncessaire de franchir une transition transversale commutant de ltat ei,a ltat ei+1 ,
alors par la condition de modulation optimise, il existe une transition parallle
quivalente qui va de ltat ei,b ltat ei+1 . Ainsi, partant de ltat ei,a , en gnrant successivement les niveaux Vi , Vi + 1, V , le principe de moindre effort nous
impose la trajectoire ei,a , ei+1 , ei,b . La transition retour de ei+1 ei,a est interdite.

Exemples
Reprenons la configuration (Ui , ni ) = {(1, 3), (2, 3)}. Par rapport
la reprsentation des paires de niveaux de la Fig. 4.9 (p. 161),
des transitions transversales sens unique sont ajoutes la Fig.
4.11. Ces transitions permettent dtablir sans quivoque comment
commuter dune paire dtat une autre.
La configuration (Ui , ni ) = {(1, 3), (2, 3), (6, 2)} prsente les
mmes proprits, la Fig. 4.12. La reprsentation des transitions
possibles peut tre associe une machine dtat.
La machine dtat convient bien pour une implmentation laide
de circuits logiques. Pour une implmentation logicielle, il peut tre
plus ais davoir deux reprsentations associes des tables, comme
la Fig. 4.13 : la Fig. 4.13(a) est utilise pour les sorties croissantes,
la Fig. 4.13(b) pour les sorties dcroissantes.

166

4. S TRATGIES DE COMMANDE

F IG . 4.11 : Configuration (Ui , ni ) = {(1, 3), (2, 3)}, les transitions sens unique
permettent de dterminer sans ambigut la trajectoire suivre

1
0
1
2

3
0

0
2 3

F IG . 4.12 : Configuration (Ui , ni ) = {(1, 3), (2, 3), (6, 2)}, reprsentation des
transitions possibles

1
0
1
2

3
5

1
2

3
0

(a)

(b)

F IG . 4.13 : Lalgorithme de commutation optimale dispose dune trajectoire pour les niveaux croissants (a) et dune autre trajectoire pour les niveaux dcroissants (b). De cette
manire, la commutation optimale est garantie pour les signaux lents.

167

4.3. Commande vectorielle des onduleurs triphass

4.3

Commande vectorielle des onduleurs triphass

La structure de commande de londuleur multiniveau triphas est similaire


celle du cas monophas, les grandeurs scalaires sont remplaces par des vecteurs.
Il est possible deffectuer un changement de coordonnes et dappliquer les
mmes mthodes que dans le cas monophas, mais pour commander facilement
les configurations qui possdent des proprits vectorielles, il est prfrable demployer une commande toute vectorielle.
Dans le cas monophas, il faut trouver les 2 niveaux moduler partir de la
rfrence scalaire. Dans le cas triphas, partir du vecteur de rfrence, il faut trouver les trois vecteurs moduler. Ces vecteurs sont situs sur le plus petit triangle
form par les vecteurs disponibles autour du vecteur de rfrence.

4.3.1

Quantification de la rfrence

La quantification de la rfrence permet de dterminer les vecteurs gnrer.


2
1.7321
1.5
1

0.866

0.5
0

0.5
0.866

1
1.5

1.7321
2
2

(a)

2 1.5 1 0.5

0.5

1.5

(b)

F IG . 4.14 : Nous pouvons trouver les vecteurs moduler par quantification des coordonnes : (a) quadrillage de quantification ; (b) quadrillage rectangulaire de troncation de la
rfrence

4.3.1.1

Mthode itrative par comparaison

Cette mthode consiste mesurer la distance entre la rfrence est chacun des
vecteurs de sortie possible de londuleur et choisir le vecteur le plus proche. Elle
est lente lorsque londuleur est capable de gnrer un grand nombre de phaseurs
spatiaux possibles.

168

4. S TRATGIES DE COMMANDE

4.3.1.2

Mthode directe

Nous commenons par rechercher le vecteur le plus proche de la rfrence


que nous notons V 1 . Par troncation des coordonnes de la rfrence selon le quadrillage de la Fig. 4.15(a), nous dlimitons un domaine rectangulaire autour de V 1
comme la Fig. 4.15(b). Les polygones de slection des vecteurs tant des hexagones rguliers, la troncation ne suffit pas dterminer le vecteur le plus proche
du vecteur de rfrence. En revanche, le vecteur le plus proche est soit celui obtenu par troncation soit celui obtenu en majorant du pas ce dernier vecteur. Nous
tronquons les coordonnes de V ref et en prenant les coordonnes suprieures dun
pas, nous obtenons deux coordonnes possibles pour chaque axes :


ref
I = 0.5 U tronquer
(4.7)
0.5 U
II = I + 0.5 U

(4.8)


a = U tronquer

ref
U


(4.9)

b = a + U

(4.10)

avec la rfrence et les pas :



uref =

ref
ref


U =

2
U
3

r
U =


2
U cos
3
6

(4.11)

Les diffrentes combinaisons de ces coordonnes donnent 4 vecteurs. Compte tenu


de la forme du quadrillage form par les vecteurs de sortie possibles, seuls 2 de
ces 4 vecteurs existent et correspondent aux deux vecteurs les plus proches de la
rfrence. Pour obtenir les 2 vecteurs possibles, il faut associer les coordonnes
de la manire suivante : Si a est un multiple pair du pas U alors a = I ,
b = II sinon a = II , b = I . Nous obtenons deux vecteurs appartenant au
triangle de modulation :
 
 
a
b
Vb =
(4.12)
Va =
a
b
Pour savoir lequel de ces deux vecteurs est V 1 , nous mesurons leur distance la
rfrence et nous retenons le plus proche, lautre vecteur est V 2 . Il nous reste
dterminer V 3 . Notons V c celui des vecteurs V 1 et V 2 qui a la plus petite coordonne , V d celui qui a la plus grande. Les deux candidats llection de V 3

169

4.3. Commande vectorielle des onduleurs triphass

sont :




c + 0.5U
d 0.5U
Ve =
Vf =
c
d
 
 
c
d
,V d =
Vc =
c
d

(4.13)

V 3 est obtenu par mesure de distance de V e et V f uref .

a
u

re f

II

V
b

(a)

b
a

V
d

V
b

re f

V
a

V
3

V
c

re f

(b)

(c)

F IG . 4.15 : Les vecteurs moduler sont obtenus par quantification des coordonnes en
plusieurs tapes : (a) les deux vecteurs les plus proches sont trouvs parmis 4 candidats (b)
le troisime vecteurs est trouv parmi deux candidats (c) on obtient finalement le triangle
de modulation de uref

4.3.2

Calcul des rapports cycliques de modulation

Un vecteur moyen quelconque peut tre gnr en modulant les 3 vecteurs


dlimitant la plus petite maille de modulation autour de cet tat de rfrence. En
imposant lgalit des valeurs moyennes, nous obtenons le systme dquations
suivant :

d1 1 + d2 2 + d3 3 = ref
d1 1 + d2 2 + d3 3 = ref
(4.14)

d1
+
d2
+
d3
=
1
En remplaant d3 daprs la troisime quation, nous obtenons :

(1 3 ) d1 + (2 3 ) d2 = ref 3
(1 3 ) d1 + (2 3 ) d2 = ref 3

(4.15)

Toutes les coordonnes sont rfrs lorigine V 3 , introduisons les grandeurs


composes correspondantes pour allger lcriture 13 = 1 3 , 13 = 1 3 ,

170

4. S TRATGIES DE COMMANDE

ref3 = ref 3 et ref3 = ref 3 , nous obtenons :

ref3 23 ref3 23

d1 =

13 23 13 23

ref3 13 ref3 13
d2 =

23 13 23 13

d3 =
1 d1 d2

(4.16)

Ces quations ont t prsentes par N. Schibli en 1998 dans [36].

4.4

Stratgie vectorielle de minimisation des commutations : onduleurs triphass

Les commutations peuvent tre rduites au minimum en utilisant une machine


dtat comme dans le cas monophas dcrit au 4.2.4. Cette machine dtat est
cependant volumineuse et difficile reprsenter. Nous allons tablir une mthode
plus simple en nous appuyant sur ce qui a t fait dans le cas monophas.

4.4.1

Principe

Dcomposons londuleur en 2 cellules triphases. La cellule A est constitue


par la mise en srie de toutes les cellules de plus petit pas U1 . La cellule B est
compose de la mise en srie des autres cellules de pas plus grand. La cellule A
est utilise pour la modulation, les autres cellules sont utilises en quantification.
Les vecteurs de la cellule B sont les vecteurs de base de londuleur. La cellule A
permet datteindre un domaine de forme hexagonale autour de chacun des vecteurs
de base. De manire similaire ce qui a t tabli pour le cas monophas au 4.2.4,
la stratgie consiste changer de vecteur de base le moins souvent possible. Pour
cela la rfrence uref est dcompose en une partie gnrer par B, uref,B , et une
partie gnrer par A, uref,A :
uref = uref,B + uref,A

(4.17)

Dun vecteur de base slectionn v B , la rfrence de la cellule A est obtenue par


soustraction :
uref,A = uref v B
(4.18)

4.4. Stratgie vectorielle de minimisation des commutations

4.4.2

171

Stratgie de commutation de la grande cellule

La commutation a lieu lorsque la rfrence quitte le domaine engendr par


la cellule A autour du vecteur de base actif v B . Il y a plusieurs mthodes pour
dterminer lorsque la rfrence quitte ce domaine.
4.4.2.1

Dtermination algbrique des limites du polygone atteignable

Il est possible de dterminer algbriquement si la rfrence uref,A appartient


au domaine atteignable par A. Plusieurs comparaisons sont ncessaires pour si le
domaine de modulation est de forme hexagonale. Si la forme du domaine est plus
complexe quun hexagone rgulier, le problme est plus ardu.
4.4.2.2

Dtection dune saturation

Les niveaux moduler et les rapports cycliques associs la rfrence de la


petite cellule, uref,A , sont calculs. La rfrence ne peut pas tre atteinte si un des
niveaux obtenus nexiste pas ou quun des rapports cycliques dpasse lunit ou est
ngatif. La dtection dune telle saturation est un signal qui conduit la dcision
de changer de vecteur de base. Le dfaut de cette mthode est de ne permette la
dtection de la saturation quaprs avoir chang de coordonnes, ce qui implique
de recommencer lensemble des calculs. Lavantage est de permettre la couverture
de lensemble du domaine atteignable par la petite cellule quel que soit sa forme.
4.4.2.3

Approximation des domaines par des cercles

En approchant les domaines atteignables par la cellule A depuis un vecteur de


base de B par un cercle, une mesure de distance par rapport au vecteur de base
actif permet de dterminer si la cible peut tre atteinte, comme reprsent la Fig.
4.16.
Pour couvrir lensemble du domaine de modulation, il faut approcher le domaine atteignable par A par un cercle couvrant lintgralit de la surface du polygone, comme la Fig. 4.17(b). Dans ce cas, nous vrifions que tous les triplets
lmentaires de vecteurs de sortie appartiennent bien au nouveau domaine de modulation. Comme ces domaines sont plus grands que les domaines rels, cette approximation est dficiente pour limplantation. Certains points appartenant ces
domaines approchs nappartiennent pas au domaine concern et ne sont pas atteignables.
Il faut donc approcher le polygone atteignable par un cercle plus petit, inscrit
comme la Fig. 4.17(c). Toutes les rfrences obtenues par cette approximation
sont atteignables par A. Par rapport au domaine rel, les transitions dun vecteur
lautre seront effectues plus rapidement, ce qui pourrait se traduire par davantage

172

4. S TRATGIES DE COMMANDE

de commutation pour une rfrence oscillant dans la zone qui nest pas couverte
par lapproximation.

D
b

D
a

D
b

u
u
V

B ,b

A ,a

re f( t )

u
V

B ,a

(a)

B ,b

re f

(t)

B ,a

(b)

F IG . 4.16 : (a) Domaine de modulation de deux vecteurs de sortie adjacents de la grande


cellules (b) Approximation des polygones par des cercles

(a)

(b)

(c)

F IG . 4.17 : (a) domaine de modulation (b) approximation des hexagones par des cercles (c)
approximation pour la modulation

4.4.3

Choix du vecteur de base actif aprs commutation

Lorsque la dcision de commuter le vecteur de base est prise, le plus proche


est choisi comme nouveau vecteur actif par quantification de la rfrence de londuleur complet uref . La rfrence de A est recalcule par (4.18).

4.5

Conclusions

Dans ce chapitre, nous avons tabli les mthodes permettant dimposer la trame
choisie par le modulateur londuleur. Nous avons tabli les stratgies de com-

4.5. Conclusions

173

mande permettant de rduire les commutations des configurations vrifiant la loi


de modulation optimise.

174

4. S TRATGIES DE COMMANDE

C HAPITRE 5

Alimentation des cellules :


solutions, rsolution et
rendement du convertisseur
complet

Au chapitre 1 nous avons montr lintrt possible des topologies asymtriques


en termes de rendement. Au chapitre 2, nous avons dtermin comment dimensionner notre onduleur pour obtenir un ensemble de proprits donnes, en nous intressant surtout la rsolution du convertisseur. Au chapitre 3, nous avons choisi
la mthode de modulation. Au chapitre 4, nous avons dcrit les mthodes de commande spcifiques. Jusquici, pour simplifier ltude, nous avons fait abstraction
de ce qui se passait au niveau de lalimentation des cellules. Dans ce chapitre,
nous tudierons les problmes poss par lalimentation des cellules. Les topologies
dalimentations possibles seront tablies et des solutions pour rduire leurs pertes
leves seront proposes. Diffrentes possibilits dalimentation seront values
thoriquement. Les proprits tablies au chapitre 2 seront compltes en prenant
en considration les contraintes de lalimentation. Le rendement et la rsolution
du convertisseur complet seront valus.

5.1
5.1.1

Contraintes imposes lalimentation


Circulation de puissance entre cellules

La gnration de certains niveaux passe par une action antagoniste de deux


groupes de cellules. Cela provoque une circulation de puissance lintrieur mme

176

5. A LIMENTATION DES CELLULES

a c tio n
a n ta g o n is te
-2
1
-3
-4

a c tio n
-1
c o n c e r t e

s ,1

a c tio n
c o n c e r t e 3

4
u

s ,1

4
u

s ,2

s ,2

F IG . 5.1 : Reprsentation dtat pour londuleur (Ui , ni ) = {(1, 3), (3, 3)} : le niveau
4 est produit par action concerte de us,1 et us,2 , le niveau 2 est produit par leur action
antagoniste conduisant une circulation de puissance lintrieur du convertisseur.

du convertisseur. Cette proprit est mise en vidence sur la reprsentation dtat


dont un exemple est reprsent la Fig. 5.1. Seuls les niveaux situs dans des
quadrants dont tous les axes sont orients dans la mme direction sont gnrs par
une action concerte de toutes les cellules dans le mme sens. La consquence
est quil existe des ensembles de trajectoires pour lesquelles une circulation de
puissance en valeur moyenne ne peut pas tre vite.
Exemples de rpartitions de puissance
Lexamen de la reprsentation dtat des niveaux de la configuration
(Ui , ni ) = {(1, 3), (3, 3)}, la Fig. 5.1, montre que les niveaux
2 et 2 conduisent une circulation de puissance entre les cellules.
Ainsi en imposant une trajectoire sinusodale de courant et de tension
cet onduleur, nous constatons la Fig. 5.2(a) que lorsque la charge
absorbe de la puissance, la cellule basse tension doit fonctionner en
mode regnratif pour les amplitudes comprises entre 45 % et 85 %.
Londuleur monophas (Ui , ni ) = {(1, 3), (2, 3)} (Fig. 5.3(a))
et londuleur triphas (Ui , ni ) = {(1, 3), (3, 2)} (Fig. 5.4(a)) prsentent le mme problme lorsquune stratgie de minimisation des
commutations leur est appliqus.
Pour toutes ces configurations, la consquence de cette circulation
de puissance en valeur moyenne est que lalimentation de la cellule
basse tension doit tre rversible en puissance, mme si la charge
nest pas. Cest probablement une des raisons pour lesquelles [37]
prconise un redresseur pour alimenter la cellule haute tension et un
onduleur pour la cellule basse tension, sagissant de la configuration
(Ui , ni ) = {(1, 3), (2, 3)} dont la rpartition est illustre la Fig.
5.3.

5.2. Topologies du convertisseur complet

177

Modle de calcul des rpartitions de puissance


Nous utilisons un modle moyen o tous les phnomnes lis la
pulsation sont ngligs. Nous supposons que la tension se rpartit
entre les cellules selon la stratgie de commande et que chacune des
cellules dlivre une tension gale sa tension de rfrence.
La plupart des rpartitions sont reprsentes en fonction de lamplitude de la tension de rfrence qui est sinusodale (systme de sinusode damplitudes gales et dphases de 120 pour les convertisseurs triphass). La charge est alors suppose ohmique, et son
courant est sinusodal.

5.1.2

Pertes lies aux changes de puissance

Les pertes provoques par les convertisseurs dalimentation AC-DC des cellules augmentent avec la puissance redresse moyenne qui circule dans ces cellules. La circulation de puissance augmente les pertes sans augmenter la puissance
utile dlivre la charge, elle dgrade donc le rendement. La somme des puissances redresses moyennes est suprieure la puissance utile la Fig. 5.2(b) pour
une rfrence sinusodale de 68 % damplitude. En comparant la puissance utile de
la Fig. 5.3(a) la puissance redresse moyenne de la Fig. 5.3(b) nous constatons
quil en va de mme pour les amplitudes allant de environ 35 % 100 % pour la
configuration monophase (Ui , ni ) = {(1, 3), (2, 3)}.
Ce problme de circulation de puissance constitue un des inconvnients majeurs des onduleurs multiniveaux asymtriques. Nous proposerons plusieurs solutions pour rduire les consquences de ce problme.

5.2

Topologies du convertisseur complet

Au 1.2 nous avons tabli lintrt des onduleurs multiniveaux asymtriques


pour obtenir un rendement lev. Pour montrer quun gain est possible, nous avons
nglig les pertes de lalimentation que nous avons suppose idale. Pourtant, la
contrainte disoler les sources de tension les unes des autres impose dutiliser une
alimentation complexe dont les pertes ne peuvent pas tre ngliges1 . Nous allons
dterminer comment rduire ces pertes.
1 Elles ne peuvent pas tre ngliges dans labsolu, en relatif elles pourraient ltre pour comparer
entre elles des structures qui disposeraient de toutes manires dune alimentation isole.

178

0.5

5. A LIMENTATION DES CELLULES

1.5

PC,1
PC,2
P

P
C,1
PC,2
Ptot

tot

0.5
0

0
0.5
0

0.2

0.4

ref

0.6

0.8

1 0.50

ref = 0.68
(b) Puissances instantanes U

(a) Puissances moyennes

F IG . 5.2 : Puissances des cellules de londuleur monophas 9 niveaux (Ui , ni ) =


{(1, 3), (3, 3)} pour une trajectoire sinusodale de tension et de courant

0.5

1.5

PC,1
PC,2
Ptot

0.5
0

SC,1
SC,2
Stot

0.5

0.2

0.4

0.6

ref

(a) Puissances moyennes

0.8

0
0

0.2

0.4

0.6

0.8

ref

(b) Puissances redresses moyennes

F IG . 5.3 : Puissances des cellules de londuleur monophas 7 niveaux (Ui , ni ) =


{(1, 3), (2, 3)} lorsquil est command avec une stratgie de rduction des commutations

179

5.2. Topologies du convertisseur complet

1.5
1

2
P1
P2
Ptot

1.5

0.5

0.5

0.5
0

0.2

0.4

0.6
ref

0.8

0
0

(a) Puissances moyennes

S1
S2
Stot

0.2

0.4

0.6
ref

0.8

(b) Puissances redresses moyennes

F IG . 5.4 : Puissances moyennes des cellules de londuleur triphas 6 niveaux (Ui , ni ) =


{(1, 3), (3, 2)} lorsquil est command avec une stratgie vectorielle de minimisation des
commutations

5.2.1

Convertisseurs dalimentation

Les cellules de londuleur multiniveau sont alimentes individuellement. Pour


chacune des cellules, selon les contraintes qui lui sont appliques, il y a trois configurations possibles dalimentation, comme illustr la Fig. 5.6 :
(a) Lorsque la cellule fonctionne aussi bien comme charge que comme gnrateur, lalimentation laide dun convertisseur DC-DC rversible est ncessaire.
(b) Lorsque la cellule ne fonctionne que comme gnrateur, lalimentation
laide dun convertisseur DC-DC non-rversible est possible. Si pour certains points de fonctionnement la cellule fonctionne aussi comme charge, il
faut prvoir un dispositif pour dissiper la puissance, ce qui dgrade le rendement du systme.
(c) Lorsque la cellule nchange pas de puissance active, cest dire quelle ne
remplit quune fonction de compensation de puissance ractive ou de filtrage
actif, il est possible de nutiliser quun simple condensateur pour alimenter
la cellule.
Nous considrons un convertisseur DC-DC constitu dun convertisseur DCAC connect par lintermdiaire dun transformateur haute-frquence un convertisseur AC-DC. Il faut autant de transformateurs quil y a de cellules londuleur.
Pour la configuration avec convertisseur DC-DC rversible, lorsque la puissance
circule entre deux cellules, elle transite travers 6 convertisseurs comme illustr
la Fig. 5.5(a). A la place, utilisons un mme transformateur avec plusieurs enrou-

180

5. A LIMENTATION DES CELLULES

lements sur le mme noyau magntique pour lensemble des cellules. Il faut autant
denroulements quil y a de cellules, plus un pour fournir le bilan de puissance et
les alimenter. Le chemin que suivra la puissance qui circule entre deux cellules ne
traversera plus que 4 convertisseurs, comme illustr la Fig. 5.5(b). Nous avons
ainsi un convertisseur DC-AC connect au primaire du transformateur, et pour m
cellules, m convertisseurs AC-DC connects aux secondaires du transformateur.
Le convertisseur DC-AC connect au primaire ne voit pas la puissance circulant
entre les cellules et ne leur fournit que le bilan de puissance. Les pertes peuvent
ainsi tre rduites.
Il y a donc 2 configurations possibles supplmentaires pour des groupes de
cellules (illustrations la Fig. 5.6) :
(d) Alimentation dun ensemble de cellules partir dun mme transformateur
est de convertisseurs DC-DC rversibles coupls2 ,
(e) Alimentation dun ensemble de cellules partir dun mme transformateur
et de redresseurs.

e ,k

s ,k

e ,k

s ,l

(a) structure avec plusieurs transformateurs

e ,1

s ,k

e ,C

s ,l

(b) structure avec un transformateur multisecondaire

F IG . 5.5 : Circulation de la puissance : les pertes sont moindres avec un seul


transformateur.

2 La modlisation dun tel convertisseur DC-DC, avec transformateur multi-enroulement est traite
en annexe C.

181

5.2. Topologies du convertisseur complet

e ,k

s ,k

e ,k

s ,l

(a)

U
e

e ,k

s ,k

e ,k

(b)

(c)

e ,1

s ,1

e ,C

s ,C

s ,k

e ,1

s ,1

e ,C

s ,C

(d)
(e)

F IG . 5.6 : Configurations possibles pour alimenter une cellule de londuleur multiniveau :


(a) convertisseur DC-DC rversible ; (b) convertisseur DC-DC avec redresseur ; (c) condensateur ; (d) ensemble de cellules alimentes par convertisseurs DC-DC rversibles sur un
mme transformateur ; (e) ensemble de cellules alimentes par convertisseurs DC-DC avec
redresseur sur un mme transformateur.

182

5.2.2

5. A LIMENTATION DES CELLULES

Convertisseurs DC-AC

En comparant un convertisseur DC-AC standard avec un convertisseur DCAC asymtrique aux Fig. 5.7(a) et (c), nous constatons que la puissance transite
travers 2 convertisseurs et un transformateur HF supplmentaires dans le cas de la
structure multiniveau.
Evidemment, dans le cas o il est de toute faon ncessaire disoler lalimentation continue du convertisseur standard par un tage de conversion DC-DC haute
frquence, les deux structures Fig. 5.7(b) et 5.7(c) deviennent comparables. Dans
ce cas, en y regardant de plus prs, les pertes dans les convertisseurs DC-DC sont
alors lgrement suprieures pour la structure asymtrique. La puissance apparente qui cause les pertes est presque tout le temps suprieure. Elle lest pour les
points de fonctionnement o il y a une circulation de puissance moyenne entre
plusieurs cellules. Elle lest mme pour les autres points de fonctionnement o les
cellules fonctionnent de concert en moyenne. La raison est que mme dans ce cas,
il est difficile de ne pas utiliser de niveaux gnrant une circulation de puissance
provoquant des pertes additionnelles. Ces pertes peuvent tre rduites en tolrant
une fluctuation suprieure de la tension et en ne faisant circuler que la puissance
moyenne travers le convertisseur DC-DC. Cette rduction des pertes se fait videmment au dtriment de la qualit de la tension. Dans ce cas, il faut mettre en
balance, les pertes additionnelles dans les convertisseurs DC-DC de londuleur
multiniveau avec les pertes par commutation plus leves de londuleur simple.
Dans certains cas, nous pouvons prendre en considration la rduction des pertes
dans la charge qui peut tre occasionne par une tension de qualit suprieure.
5.2.2.1

Structure monophase DC-AC simplifie

Sil nest pas ncessaire disoler ltage continu de ltage alternatif, il parait
difficile de compenser les pertes additionnelles de lalimentation par le gain que
lon peut avoir au niveau des pertes par commutation. Toutefois, si la tension continue dalimentation est compatible avec la tension alternative gnrer, alors il est
possible de simplifier le convertisseur en couplant directement la cellule haute tension avec ltage continu intermdiaire, comme la Fig. 5.8. Le gain est assez
intressant, car la plus grosse partie de la puissance transite par la cellule haute
tension sans transiter par les convertisseurs DC-DC.
5.2.2.2

Structure triphase DC-AC simplifie

Cette possibilit de simplification est limite la structure monophase. On ne


peut pas lappliquer 3 fois un onduleur triphas ralis avec 3 de ces structures.
Seule une des alimentations peut tre couple directement ltage continu, ce

183

5.2. Topologies du convertisseur complet

U
e

u
s

(a) convertisseur DC-AC standard

u
e

(b) convertisseur DC-AC standard avec couplage HF

u
U

(c) convertisseur DC-AC asymtrique avec couplage HF

F IG . 5.7 : Schmas de comparaison des pertes de convertisseurs DC-AC

u
U

F IG . 5.8 : Structure asymtrique DC-AC avec couplage direct de la cellule haute tension
et couplage HF de la cellule basse tension.

qui rduit le gain que lon peut en attendre. Un moyen de contourner ce problme
consiste utiliser une cellule triphase avec une alimentation unique comme cellule haute tension. Les cellules basse tension doivent naturellement tre alimentes
par des convertisseurs isols. On utilise alors un transformateur multisecondaire
pour rduire les pertes dues la circulation de puissance entre ces cellules. Cette
structure est illustre la Fig. 5.9(a).
Les convertisseurs qui conviennent sont les onduleurs triphass 2 niveaux 6
transistors, les onduleurs NPC, les onduleurs cellules imbriques ou nimporte
quelle autre structure triphase alimentation unique.
La cellule haute tension fournissant le plus gros de la puissance, la tension
quelle bloque est approximativement celle de la charge alimenter. Deux aspects
contradictoires gouvernent le choix de sa structure :

184

5. A LIMENTATION DES CELLULES

1. Dun ct, la structure de la cellule haute-tension doit tre la plus simple


possible, pour rduire ses pertes par conduction. Daprs les caractristiques
des semi-conducteurs tablies au chapitre 1, une tension donne doit tre
bloque avec un minimum dinterrupteurs du plus fort calibre possible.
2. Dun autre ct, il faut bloquer la plus grande part possible de la tension de
la charge avec la cellule haute-tension de manire ce que la cellule basse
tension participe aussi faiblement que possible lapport de puissance. Cela
rduit sa contribution aux pertes, ce qui amliore le rendement complet du
convertisseur, puisque dune part ses pertes par conduction sont leves et
que dautre part son alimentation a un trs mauvais rendement. Finalement
cela permet galement de rduire ses pertes par commutation qui diminuent
avec sa tension dalimentation. Pour augmenter la contribution de la cellule
haute tension la puissance, nous pouvons augmenter son pas et son nombre de niveaux. Le pas maximum tant limit par la tension bloque par la
cellule basse tension, le seul paramtre est son nombre de niveaux qui doit
tre le plus grand possible, ce qui conduit une structure complexe.
Nous voyons quil y a un optimum trouver entre ces deux aspects dont lobjectif
commun est un rendement lev, mais qui agissent de manires opposes sur la
complexit de la structure.
Exemple
Pour atteindre une mme tension denviron 400 V damplitude, avec
un nombre similaire de niveaux et en prenant un facteur 2 entre la
tension de blocage de linterrupteur et sa tension nominale, nous
avons par exemple le choix entre :
1. Un onduleur NPC 3 niveaux ralis partir dIGBT 600 V en
srie avec un pont en H par phase construit avec des MOSFET
200V. Les cellules tant alimentes avec respectivement 600 V
et 100 V cet onduleur est capable de gnrer 9 niveaux de 400 V 400 V.
2. Un onduleur 2 niveaux ralis partir dIGBT 1200 V en srie avec un pont en H par phase construit avec des MOSFET
300 V. Les cellules tant alimentes avec 480 V et 160 V, cet
onduleur est capable de gnrer 6 niveaux de -400 V 400 V.
3. un onduleur 2 niveaux ralis partir dIGBT 1200 V en srie
avec deux ponts en H identiques par phase construit avec des
MOSFET 200 V. Les cellules alimentes avec 480 V 80 V et
80 V, on obtient un onduleur gnrant 11 niveaux entre -400 V
et 400 V.

5.2. Topologies du convertisseur complet

185

Comme il nexiste pas dinterrupteurs adapts faire exactement la


bonne tension de service, nous surdimensionnons les interrupteurs
du pont deux niveaux denviron 25 %, ce qui augmente dautant les
pertes par conduction3 . Mme dans ces conditions nous y gagnons
du ct des pertes par conduction. Cependant, prenant en considration la proportion de la tension bloque qui est de 75 % pour la
premire configuration et de 60 % pour les deux dernires configurations, nous risquons daboutir un statu quo. En prenant en plus en
considration les pertes de lalimentation, ces dernires prdomineront et la premire configuration sera probablement la plus avantageuse. Il faut donc examiner en dtail le contexte dapplication pour
pouvoir dterminer quel aspect prdomine.
Il faut remarquer que le convertisseur DC-AC primaire est coupl ltage
continu intermdiaire alimentant la cellule haute tension, tandis que les convertisseurs AC-DC secondaires alimentent les cellules basse tension. Ces convertisseurs
sont ainsi constitus dinterrupteurs de calibres en tension diffrents alors quils
fonctionnent la mme frquence. Cette situation peut tre amliore en utilisant
un convertisseur DC-AC multiniveau au primaire constitu de convertisseurs DCAC simples connects en srie du ct continu, et employant des enroulements
primaires distincts du ct transformateur Fig. 5.9(b). Cela permet demployer des
convertisseurs et des enroulements identiques. Les caractristiques en commutation des semiconducteurs sont alors les mmes pour tous les convertisseurs DC-AC
primaires et AC-DC secondaires. Selon la configuration, la charge de ces convertisseurs pourra tre similaire.
5.2.2.3

Structures simplifies avec redresseurs

Un des moyens permettant daugmenter le rendement consiste employer une


alimentation constitue dun redresseur pour les cellules basses tensions. La limitation engendre par cette simplification est la non-rversibilit partielle de la
structure. La structure nest rversible que sur la gamme de tension pour laquelle
seule la cellule haute tension rgnre, ce qui lui confre une caractristique diffrente en modes gnrateur et charge.
3 Ce problme de choix dinterrupteurs se pose ds quil sagit de raliser un convertisseur multiniveau asymtrique pour contrler des dispositifs existants. La raison est que les interrupteurs existant
sont dimensionns pour obtenir la tension des quipements standards avec des structures classiques.
Aussi, nous mettrons un peu de ct ces problmes lis une situation de march.

186
5.2.2.4

5. A LIMENTATION DES CELLULES

Structures simplifies avec alimentation partielle

Lutilisation de redresseur pour alimenter les cellules basse tension rend les
hautes amplitudes inaccessibles en mode regnratif. Pour les applications ou une
caractristique identique est ncessaire en mode gnrateur et en mode regnratif
autant simplifier davantage le convertisseur en supprimant lalimentation de ces
cellules. Les tensions dalimentation sont alors maintenues par des condensateurs.
La stabilisation de ces tensions autour de leur valeur nominale ncessite dtre en
mesure de rgler les flux de puissances dans les diffrentes cellules du convertisseur, de manire ce que ces flux soient en moyenne nuls dans les cellules qui ne
sont pas alimentes. Il faut galement limiter les fluctuations de puissance au cours
de la priode de manire optimiser la dimension des condensateurs ncessaires.
La thse de M. Veenstra [18] traite de ce problme en dtail. Dans les sections qui
suivent, nous prsenterons le principe de la mthode dquilibrage utilise, puis
nous driverons les conditions dutilisation dune alimentation simplifie.

5.2.3

Convertisseurs AC-AC

Le cas des convertisseurs AC-AC est similaire celui des convertisseurs DCAC trait prcdemment au 5.2.2. En comparant la structure 2 niveaux au convertisseur multiniveau asymtrique la Fig. 5.10, nous constatons quil ncessite un
transformateur basse frquence pour isoler lalimentation des cellules.
5.2.3.1

Structures AC-AC simplifies

Si les tensions sont compatibles (rapport de transformation 1), lalimentation


de la cellule haute-tension peut tre couple directement ltage intermdiaire
continu du convertisseur AC-DC primaire. Le schma de cette structure simplifie
est dessin la Fig. 5.11.
La structure avec couplage haute frquence peut tre ramene la combinaison
de 2 structures AC-DC. Nous pouvons obtenir des structures simplifies avec les
mmes proprits que celles dcrites prcdemment pour les convertisseurs DCAC au 5.2.2. Nous illustrons quelques unes de cesstructures la Fig. 5.12. Par la
suite, nous ne traiterons que le convertisseur DC-AC avec couplage HF.

187

5.2. Topologies du convertisseur complet

u
2

u
1

(a) un seul convertisseur DC-AC primaire

(b) plusieurs convertisseurs DC-AC primaires

F IG . 5.9 : Convertisseur DC-AC triphas simplifi

u
2

u
1

188

5. A LIMENTATION DES CELLULES

u
u
u

p ,3
p ,2
p ,1

u
u

2
1

(a) convertisseur AC-AC standard

u
3

u
2

u
1

tra n s fo s B F
u
u

p ,3
p ,2
p ,1

(b) convertisseur AC-AC, multiniveau asymtrique au secondaire

F IG . 5.10 : Convertisseurs AC-AC

u
2

u
1

tra n s fo B F
u
u
u

p ,3
p ,2
p ,1

F IG . 5.11 : Convertisseurs AC-AC multiniveau asymtrique au secondaire avec alimentation


simplifie. Seule lalimentation de la cellule basse tension est isole avec un transformateur
basse frquence.

189

5.2. Topologies du convertisseur complet

u
3

u
2

u
1

tra n s fo H F
u
u

p ,3
p ,2
p ,1

U
e

(a) un seul convertisseur DC-AC primaire

u
2

u
1

tra n s fo H F
u
u
u

p ,3
p ,2
p ,1

U
e

(b) plusieurs convertisseurs DC-AC primaires

F IG . 5.12 : Convertisseurs AC-AC multiniveau asymtrique au secondaire avec alimentation


simplifie. Seule la cellule basse tension est alimente par un convertisseur DC-DC haute
frquence.

190

5.3

5. A LIMENTATION DES CELLULES

Thorie du rglage des flux dnergie des onduleurs monophass

En prambule, nous nous intresserons au moyen de nalimenter les cellules


de londuleur multiniveau quau moyen de redresseurs. De l nous largirons le
problme et nous tablirons dans quels cas et sous quelles conditions il est possible
domettre lalimentation dun groupe de cellules dun onduleur monophas.

5.3.1

Prambule : alimentation constitue de redresseurs uniquement

5.3.1.1

Configurations de deux groupes de cellules sans circulation de puissance

Dans ces travaux [29], C. Rech recherche les configurations permettant (naturellement) de garantir labsence de circulation moyenne de puissance entre les
cellules. Lintrt de ces configurations rside dans le fait que les cellules peuvent
tre alimentes uniquement avec des redresseurs pour les convertisseurs ne fonctionnant que comme gnrateurs. Dans cette section nous driverons la solution
publie dans [29] pour deux groupes de cellules.
Hypothses du modle tudi
1. Londuleur analys est constitu dun ensemble de cellules 3 niveaux. Sa
configuration vrifie la loi de modulation optimise (2.34), il est command
par la mthode dcrite au 4.2.1 : seule la cellule basse tension module,
toutes les autres cellules de tension dentre suprieure au pas sont commandes par quantification de la rfrence.
2. Ltude est restreinte aux trajectoires sinusodales :
ref sin(t)
uref (t) = U

(5.1)

La tension de sortie de la grande cellule prsente 4 commutations par priode


dfinies par un seul angle comme reprsent la Fig. 5.13.
3. La distorsion sur le courant de londuleur est nglige : il est suppos sinusodal, en consquence la puissance moyenne sur une priode change
entre londuleur et sa charge sur une priode ne dpend que de la composante fondamentale de la tension.
Harmoniques du signal de la grande cellule
Calculons les harmoniques du signal rectangulaire gnr par la grande cellule de londuleur. Ce signal est caractris par lamplitude V1 et langle comme

5.3. Rglage des flux dnergie des onduleurs monophass

191

illustr la Fig. 5.13. Ce signal est pair, il ne prsente donc que des composantes
sinusodales (pas de composantes cosinusodales). Le signal de rfrence de londuleur est dfini par lexpression :
ref sin(t)
uref = U

(5.2)

Lexpression gnrale des coefficients de la srie de Fourier est :


a =

=2

x() sin ()d

(5.3)

=0

En introduisant lexpression du signal dans lintgrale, il vient :


Z
2 =
V1 sin ()d
=
2V1
{cos () cos ( )}
=

a =

Nous obtenons lexpression des harmoniques en fonction de :


(
a = 0
pair
4V1 cos ()
a =
impair

(5.4)
(5.5)

(5.6)

Le signal de sortie de la grande cellule est rectangulaire et commute de la valeur


0 la valeur V1 lorsque le signal de rfrence dpasse la valeur de changement de
bande VC . Ce signal est illustr la Fig. 5.13. Langle de commutation correspondant vaut :
!
VC
ref VC
U
(5.7)
= arcsin
ref
U
ref VC . Lorsque U
ref < VC ,
Cette quation na de solution que lorsque U
il ny a pas de commutation, la tension de sortie de la grande cellule reste nulle.
Introduisant (5.7) dans lexpression (5.6), nous obtenons la valeur des harmoniques
en fonction du seuil de commutation :
(
!)
VC
4V1
a =
cos arcsin
(5.8)
ref

U
Expression du fondamental et de la puissance de la grande cellule
En rgime tabli, seul le fondamental fait circuler de la puissance. On obtient
donc une expression proportionnelle la puissance moyenne en posant = 1 dans

192

5. A LIMENTATION DES CELLULES

U re f
V 1
V C

p - a

p + a

2 p - a
q

F IG . 5.13 : Signal de rfrence et signal gnr de la cellule de plus haute tension

(5.8) :
4V1
a1 =

VC2
2
U

(5.9)

1K2

(5.10)

ref

[29] crit V1 sous la forme :


V1 = K

est la somme des tensions dentre de toutes les cellules sauf celle de tension
la plus leve. K est le rapport entre la tension dentre de la grande cellule et la
somme des tensions dentre des petites cellules . Introduisant (5.10) dans (5.11),
lexpression du fondamental devient :
4K
a1 =

s
1

VC2
2
U

(5.11)

ref

Domaine de fonctionnement sans circulation de puissance


Imposer que la puissance gnre par lensemble des cellules est positive en valeur moyenne implique que lamplitude du fondamental gnr par la plus grande
des cellules soit plus petite que lamplitude du fondamental gnr par londuleur :
ref
a1 U
En substituant a1 par (5.11), nous obtenons :
s
V2
4K
ref 0
1 2C U

U
ref

(5.12)

(5.13)

5.3. Rglage des flux dnergie des onduleurs monophass

193

ref doivent tre tous


Cette ingalit est difficile rsoudre. Sachant que a1 et U
deux positifs, il est plus simple de comparer leurs carrs :
!
2

VC2
4K
2
ref
1 2
U
0
(5.14)

U
ref
Pour dterminer les limites du domaine circulation de puissance, cherchons les
ref :
zros de cette expression en fonction de U
!

2
4K
VC2
2 = 0
1 2
U
(5.15)
ref

U
ref

Aprs quelques dveloppements, dcrits en annexe E.2, nous obtenons les racines de (5.15) qui dlimitent lintervalle lintrieur duquel il y a une circulation
moyenne de puissance :
v
s
u


2
u
p
VC
2
2K
t
ref 1,2 = E1,2 =
U
1 1
(5.16)

2K
Configuration la plus asymtrique sans circulation de puissance
Notre objectif est de ne pas avoir de circulation moyenne de puissance. La
puissance tire des petites cellules ne doit pas changer de signe quelle que soit
ref . Autrement dit le dterminant (E.19) doit tre ngatif pour quil
lamplitude U
ny ait pas de zros (5.13). Nous trouvons la limite lorsque ce dterminant est nul
et que les 2 zros dcrits par (5.16) sont identiques :
s

2
VC
1
=0
(5.17)
2Kmax
Nous obtenons ainsi le rapport maximum qui permet une absence de circulation
de puissance en valeur moyenne :
Kmax =

VC
2

(5.18)

Le rapport (5.18) dpend de la valeur de commutation VC . Plus cette valeur est


grande, plus Kmax est grand. Nous pouvons commuter au plus tard lorsquon atteint le maximum de lamplitude des petites cellules, soit lorsque VC vaut . Nous
obtenons alors le rapport maximum donn dans [29] :
Kmax =

(5.19)

194

5. A LIMENTATION DES CELLULES

Lquation (5.19) nous indique que le rapport maximum appliquer entre la tension dentre de la cellule de plus grande tension et la somme des tensions dentre
des autres cellules ne doit pas dpasser 2 si lon souhaite obtenir des puissances
qui soient dans le mme sens entre ces 2 groupes de cellule. Au del de ce rapport,
il y a une circulation de puissance pour les amplitudes comprises entre les racines
dfinies en (5.16) (illustration Fig. 5.15).
La configuration Uj = {1, 2 } nest pas uniforme, de sorte que la configuration Uj = {1, 1} est la seule configuration de deux cellules qui satisfasse la
condition 5.19. Il ny a pas de configuration asymtrique deux cellules satisfaisant cette condition.
Cependant, le problme de deux groupes de cellules diffrentes se dduit directement de ces dveloppements en supposant que la sollicitation en puissance est
rpartie uniformment lintrieur de chacun des groupes de cellules. La condition peut alors tre mieux approche par des configurations plus complexes pour
lesquelles lquilibrage entre petites cellules est trivial, cest dire lorsque toutes
les cellules du groupe des cellules de basse tension sont identiques :
Uk

p U1
2

(5.20)

avec p le nombre de cellules du groupe des cellules de basse tension. Quelques


exemples des configurations les plus asymtriques satisfaisant cette condition :
Uj = {1, 1, 3}
Uj = {1, 1, 1, 4}

5.3.1.2

(5.21)

Alimentation de plus de deux cellules par des redresseurs dans le cas


de trajectoires sinusodales

Pour plus que deux groupes de cellules diffrentes, il faut rpter les dveloppements.
Nouveau modle
La plus grande des cellules restantes est prise comme nouvelle cellule dont il
faut dterminer le fondamental. Dans le cas gnral, sa rfrence nest pas sinusodale, puisquelle est constitue dune rfrence sinusodale retranche du signal
rectangulaire de la grande cellule. Les rfrences de trois cellules dun onduleur
sont illustres pour exemple la Fig. 5.15. Dans le nouveau modle, il faut prendre
en considration tous ces nouveaux points de commutation, ce qui complique les
dveloppements qui deviennent de plus en plus compliqu au fur et mesure que
le nombre de cellules augmente.

195

5.3. Rglage des flux dnergie des onduleurs monophass

0.8

0.8

0.6

0.6
PC,n
Ptot

0.4

PC,n
Ptot

0.4

0.2

0.2

0
0

0.2

0.4

0.6

0.8

0
0

(a) (Ui , ni ) = {(1, 3), (2, 3)}

0.2

0.4

0.6

0.8

(b) (Ui , ni ) = {(1, 3), (, 3)}

1
0.8
0.6
0.4
0.2

PC,n
Ptot

0
0

0.2

0.4

0.6

0.8

(c) (Ui , ni ) = {(1, 3), (1, 3)}

F IG . 5.14 : Rpartition de la puissance : (a) K = 2 ; (b) K =

15

20

uref,n
u

10

; (c) K = 1

20

uref,n1
u

s,n

uref,n2
u

s,n1

s,n2

10

10

10

10

5
0
5
10
15
0

0.2

0.4

(a)

0.6

0.8

20
0

0.2

0.4

(b)

0.6

0.8

20
0

0.2

0.4

0.6

0.8

(c)

F IG . 5.15 : Rfrence et signal de sortie pour la configuration (Ui , ni ) =


ref = 13.6 ; rfrences : (a) de la
{(1, 3), (2, 3), (4, 3), (10, 3)} pour une amplitude U
grande cellule ; (b) de la deuxime cellule de tension la plus leve ; (c) de la cellule troisime cellule de tension la plus leve

196

5. A LIMENTATION DES CELLULES

5.3.2

Gnralits

5.3.2.1

Puissance du convertisseur

Le convertisseur est compos de m cellules. Dsignons par mG le nombre


des cellules du groupe haute tension aliment et par mP le nombre de cellules
du groupe basse tension non aliment4 . Pendant un intervalle de t, lnergie se
rpartit entre les cellules du convertisseur selon lexpression :

Z t0 +t
Z t0 +t j=m
j=p

X
X
p(t) dt =
sj (t) Uj +
sj (t) Uj i(t) dt

t0
t0
j=mP +1

j=1

(5.22)
avec sj la fonction de commande de la cellule j :

nj 1
nj 1
sj
2
2

(5.23)

La premire somme est la contribution du groupe des mG cellules de haute tension au transfert dnergie, la deuxime celle du groupe des mP cellules de basse
tension.
5.3.2.2

Amplitude de londuleur avec omission de lalimentation des petites


cellules

Lorsque lalimentation du groupe des cellules basse tension est omise, lamplitude minimale atteignable par londuleur est celle atteignable par le groupe des
cellules haute tension :
U(mP +1)m =

m
X
j=mP

n1
Uj
2
+1

(5.24)

Lamplitude minimale atteignable en rgime sinusodal est lamplitude maximale


du fondamental gnrable par la cellule haute tension :
m
4 X nj 1
Uj
j=p+1 2

(5.25)

Les expressions (5.25) et (5.24) donnent les amplitudes maximales de la composante de tension parallle au courant, cest dire gnrant de la puissance active.
Nous pouvons ajouter une composante perpendiculaire qui ne gnre que de la
puissance ractive ces amplitudes.
4 Sans perte de gnralit, nous parlons parfois plus simplement de cellule haute tension et de cellule
basse tension pour allger lcriture.

5.3. Rglage des flux dnergie des onduleurs monophass

5.3.3

197

Principe dquilibrage applicable toute configuration

Lorsque la tension de rfrence est atteignable par le groupe des cellules de


haute tension sans lappoint du groupe des cellules basse tension, alors il est possible de satisfaire le bilan nergtique uniquement laide des cellules du groupe
haute tension :
1

t=t0 +t j=m
X

t=t0

sj Uj i dt = uref i

(5.26)

j=p+1

Le groupe de cellules basse tension ne participant pas au transfert dnergie, il


vient :
Z t=t0 +t X
j=p
sj Uj i dt = 0
(5.27)
t=t0

j=1

Si les expressions (5.26) et (5.27) sont satisfaites en tout instant (t 0), la


contribution des cellules basse tension est nulle aussi bien en termes de puissance
quen termes de tension et elles deviennent inutiles. Pour que le groupe des cellules
de basse tension contribue la qualit de la tension, il faut quil y ait participation
lchange de puissance : on ne peut pas choisir t aussi petit que possible. Nous
devons nous contenter dimposer (5.26) et (5.27) en valeur moyenne.
Il est donc toujours possible de rgler les flux dnergie entre les deux groupes
de cellules en renonant parfois luniformit du pas donc au dtriment de
la qualit de la tension gnre, nous reviendrons sur ce point et en les faisant travailler de manire indpendante. A cause de la dgradation de la qualit
de la tension occasionne par cette mthode dquilibrage, il nest pas souhaitable
dutiliser londuleur de cette manire. Nous verrons dautres moyens dquilibrage
plus intressant qui ne dgradent pas la qualit de la tension. Cependant cette premire possibilit dquilibrage est trs intressante car elle fonctionne pour toute
configuration et en toutes conditions. Elle est trs utile pour regagner lquilibre
en cas de sollicitation importante et de fort dsquilibre, ou pour prcharger les
condensateurs au dmarrage du convertisseur.

5.3.4

Configurations satisfaisant quilibrage et pas uniforme

Il faut considrer trois cas de fonctionnement numr en ordre inverse de la


qualit de la tension gnre :
1. Londuleur applique la valeur moyenne de la rfrence la charge laide
de niveaux adjacents sans moduler la cellule haute tension.
2. Londuleur applique la valeur moyenne de la rfrence la charge laide
de niveaux adjacents.

198

5. A LIMENTATION DES CELLULES

3. Londuleur applique la valeur moyenne de la rfrence la charge laide de


niveaux qui ne sont pas adjacents. Le pas entre les niveaux moduls est plus
grand que le pas lmentaire de londuleur et bien que ce dernier dispose
thoriquement de niveaux uniformes, on peut considrer que luniformit
est momentanment perdue.
4. Londuleur napplique pas la bonne valeur moyenne de tension la charge.
Prcdemment, nous avons toujours considr que londuleur fonctionnait dans
un des deux premiers modes. Les contraintes dquilibrage imposes lalimentation peuvent nous obliger quitter ce mode de fonctionnement idal. Le principe
dquilibrage trait au 5.3.3 ne permet pas toujours de moduler des niveaux adjacents. Il impose souvent de passer dans le troisime mode qui assure lquilibrage,
lapplication de la rfrence correcte, mais pas luniformit du pas appliqu. En
cas de rglage de courant sur une charge inductive, le courant pourra tre rgl
convenablement, mais une ondulation inacceptable pourra apparatre. En cas de
fort dsquilibre des tensions, il est mme possible de se retrouver dans le quatrime mode, cest dire dtre dans lincapacit dappliquer la bonne tension la
charge. Dans ce dernier cas quil faut absolument viter, on peut perdre le contrle
de la charge. Dans cette section, nous dcrirons comment dimensionner une configuration quilibrable et uniforme.
5.3.4.1

Exemple de configurations ne convenant pas simultanment lquilibrage et luniformit

Les configurations les plus asymtriques sont les plus simples tudier, car
de part labsence de redondance, il ny a quune seule trajectoire possible pour
une rfrence donne. Par exemple, il est simple de dduire que la configuration (Ui , ni ) = {(1, 3), (3, 3)} ne garantit pas labsence dchange de puissance
entre ses deux cellules par simple examen de la reprsentation dtat. Les niveaux
2 et 2 sont gnrs par action antagoniste des cellules :



+4
+3
+1
+3
+3
0



+2
+3
1



+1
0
+1



0 U1 = 0 U1 + 0 U1
(5.28)



1
0
1



2
3
+1



3
3
0
4
3
1
Lorsque le signal gnr comporte une proportion importante de niveaux obtenus
par action antagoniste de deux groupes de cellules, il y a une circulation de puis-

5.3. Rglage des flux dnergie des onduleurs monophass

199

sance en valeur moyenne. Cette circulation de puissance va gnralement dans


le sens du courant, des cellules haute tension vers les cellules basse tension, les
premires donnant le sens gnral de la tension, les dernires effectuant le plus
souvent une correction dintensit. Par nature des onduleurs cellules en srie,
des niveaux obtenus par action antagoniste existent pour toutes les configurations
comportant au moins une cellule bipolaire. Pour toutes les configurations les plus
asymtriques, ces niveaux ne peuvent pas tre vits puisquil nexiste quune trajectoire de sortie possible pour une rfrence donne. Dans ce cas, il existe des
trajectoires de rfrence pour lesquelles lquilibre nest pas possible5 .
5.3.4.2

Condition de dimensionnement garantissant labsence dchange de


puissance

La configuration (Ui , ni ) = {(1, 3), (2, 3)} permet de garantir labsence de


circulation de puissance, car tous les niveaux peuvent tre gnr de faon concerte :

+1
+2
+3
+2 +2 0

+1 0 +1

0 = 0 + 0
(5.29)

1 0 1

2 2 0
1
2
3
Cette configuration possde deux autres tats de commutation possible qui permettent de gnrer les niveaux 1 et +1. Nous nutiliserons cependant pas ces
tats qui conduisent une circulation de puissance :
     
+1
+2
1
=
+
(5.30)
1
2
+1
Pour quune configuration puisse tre alimente uniquement au moyen de redresseurs, quelles que soient les trajectoires de tension et de courant, il faut quil y
ait absence de circulation de puissance en tout instant. Aucun niveau ne doit tre
gnr par diffrence de deux tensions de cellules, tous les niveaux utiliss doivent
pouvoir tre gnrs par actions concertes de toutes les cellules.
Des niveaux sont souvent gnrs par actions antagonistes des cellules lorsque
la petite cellule atteint son amplitude maximale et quil faut passer au niveau suivant : la tension de la grande cellule est alors incrmente dun pas et le niveau
suivant est obtenu en inversant la tension de la petite cellule.
5 Il suffit de considrer celle qui suit un de ces niveaux gnrs par action antagoniste, et il en existe
nombre dautres moins pathologiques, comme des sinusodes damplitudes moyennes.

200

5. A LIMENTATION DES CELLULES

Passant du plus grand des niveaux gnrs par la petite cellule au niveau suivant, il nest pas ncessaire de soustraire une contribution de la petite cellule au
niveau suivant de la grande cellule que si ce niveau est plus petit ou gal la cible
atteindre. Cela se traduit par la condition :
VB,i + VA,nA + UA VB,i+1

(5.31)

g n ra tio n
a n ta g o n is te

g n ra tio n
c o n c e rt e

+ D U B+ 2 D U
+ D U B+ D U A
+ D U B
+ 2 D U A
+ D U A
A

D U
B

D U
B

- D U A
- 2 D U
A

- D U A
- 2 D U A
- D U B
- D U B- D U A
- D U B- 2 D U

- D U
- D U
B

+ D U
+ D U
A
A

F IG . 5.16 : Illustration graphique de la condition limite duniformit et dquilibrage pour


deux cellules : tous les niveaux peuvent tre obtenus par addition de deux niveaux de mme
signe.

Cette condition est illustre la Fig. 5.16, elle est facilement rcrite en termes
des pas et nombre de niveaux :
UB

nA + 1
UA
2

(5.32)

Elle se gnralise facilement pour une combinaison de plus de deux cellules :


k

Uk+1 U1 +

1X
(nj 1) Uj
2 j=1

(5.33)

201

5.3. Rglage des flux dnergie des onduleurs monophass

Ainsi, pour une combinaison de pont en H 3 niveaux, la configuration la plus


asymtrique satisfaisant la condition (5.33) est :
Ui = {1, 2, 4, 8, 16, . . .} U1

(5.34)

Si la grande cellule ne comporte pas de zro, alors les niveaux de londuleur situs
dans lintervalle autour de zro ne pourront tre gnr que par action antagoniste
de plusieurs cellules, comme illustr la Fig. 5.17. Pour que la condition (5.33)
permette dobtenir des niveaux qui puissent tous tre gnrs en concertation, il
faut que la grande cellule et toutes les combinaisons de grandes cellules gnrent
un zro.
g n ra tio n
a n ta g o n is te

g n ra tio n
c o n c e rt e

+ D U
+ D U
+ D U

- D U
- D U
- D U

B
B
B

/2 + 2 D U
/2 + D U A
/2
A

- D U
- D U
B

/2 + D U A
/2 + 2 D U
A

+ D U
+ D U
B

/2 - D U A
/2 - 2 D U
A

/2
/2 - D U A
/2 - 2 D U
A

F IG . 5.17 : Si la grande cellule ne gnre pas de niveau zro, certains niveaux ne peuvent
pas tre gnrs autrement que par action antagoniste.

5.3.4.3

Condition de dimensionnement assurant lquilibrage

Le fait dtre en mesure dalimenter londuleur uniquement laide de redresseurs ne nous avance pas beaucoup pour les applications rversibles en puissance.
Il serait plus intressant dtre en mesure de ne pas alimenter un groupe de cellules
basse tension. Pour cela, il faudrait tre en mesure de gnrer chacun des niveaux
de deux manires diffrentes permettant dinverser le flux de puissance dans la
petite cellule.
Nous venons de rsoudre ce problme en rsolvant celui de lalimentation
redresseurs. Reprenons la condition (5.33). Si tous les niveaux situs entre deux

202

5. A LIMENTATION DES CELLULES

niveaux adjacents de la grande cellule peuvent tre atteints depuis son niveau infrieur par une contribution (positive) de la cellule basse tension, alors rciproquement ils peuvent ltre par une contribution ngative de la petite cellule depuis son
niveau suprieur :
VB,i + VA,nA + UA VB,i+1 VB,i+1 + VA,1 UA VB,i

(5.35)

Autrement dit, lorsque la condition (5.33) est satisfaite, tout niveau Vi compris
entre VB,i et VB,i+1 peut sexprimer de deux manires diffrentes :


UB
nA 1
(5.36)
Vi = VB,i +kUA = VB,i+1
k UA 0 < k
UA
2
Lorsque la limite de la condition (5.33) est atteinte, VB,i et VB,i+1 ne peuvent
sexprimer que dune seule manire, sans contribution de la petite cellule, tous les
niveaux intermdiaires sexprimant de deux manires diffrentes impliquant des
contributions opposes de la petite cellule. Cela valable mme lorsque la grande
cellule ne gnre pas de zro. Ces niveaux redondants permettant lquilibrage
sont illustrs aux Fig. 5.16 et 5.17.
La condition dquilibrage et celle permettant dannuler la circulation de puissance (5.32) sont donc quivalentes :
UB

nA + 1
UA
2

(5.37)

Chacune de ces deux cellules peut tre forme dun ensemble de cellules. Il ne peut
pas y avoir dchange de puissance entre les cellules non alimentes qui forment la
cellule basse tension quivalente, elles doivent en consquence tre dimensionnes
daprs la condition (5.37). En revanche, le principal critre de dimensionnement
de la cellule haute tension est de disposer dune alimentation unique afin davoir
un rendement lev.
5.3.4.4

Compensation des dsquilibres

Tous les niveaux intermdiaires aux niveaux de la grande cellule sont redondants, tandis que dans le cas limite, les niveaux de la grande cellule ne sont pas
redondants. Ces derniers niveaux ne font pas intervenir la petite cellule, ils naggravent pas les carts ni ne permettent de les compenser.
La stratgie de compensation des dsquilibres consiste moduler deux ralisations diffrentes dun niveau redondant pour obtenir la bonne rpartition de
puissance. Il faut observer que la frquence de modulation pour la compensation
des dsquilibres na gnralement pas besoin dtre aussi leve que la frquence

203

5.3. Rglage des flux dnergie des onduleurs monophass

de modulation apparente du signal de sortie6 . Elle nest lie qu la prcision de


rglage des tensions rgler. Une frquence basse conduit une excursion importante de la frquence rgler, voire une perte de contrlabilit du systme.
1

0.5

0.5

0.5
0

0.2

0.4

0.6

0.8

(a) enveloppe puissance petite cellule

0.5
0

0.2

0.4

0.6

0.8

(b) enveloppe puissance grande cellule

F IG . 5.18 : Rpartition possible de la puissance pour la configuration


(Ui , ni ) = {(1, 3), (2, 3)}.

Exemple
Pour la configuration (Ui , ni ) = {(1, 3), (2, 3)}, pour une trajectoire sinusodale de courant et de tension, les Fig. 5.18(a) et (b)
montrent les enveloppes lintrieur desquelles il est possible de
modifier le flux de puissance, respectivement pour la grande et pour
la petite cellule. Pour une trajectoire quelconque, daprs (5.24) il
est possible domettre lalimentation pour une amplitude thorique
allant de 0 environ 67 %, pour une trajectoire sinusodale, daprs
(5.25), cette plage va de 0 environ 85 %.

5.3.5

Configurations satisfaisant quilibrage et modulation optimise

Nous venons de voir quil est possible domettre lalimentation de la petite


cellule de la configuration (Ui , ni ) = {(1, 3), (2, 3)}. Pourtant nous vu prcdemment en introduction (cf. 5.1.2 Fig. 5.3) que la trajectoire dans lespace
6 A loppos, elle pourrait tre plus leve, mais cela gnrerait des pertes par commutation considrables.

204

5. A LIMENTATION DES CELLULES

dtat tait impose par la stratgie de commande lorsquon cherchait supprimer


la modulation de la grande cellule, et que cette trajectoire imposait une circulation
moyenne de puissance entre les cellules.
Lorsque la configuration est la limite suprieure de la condition (5.33), les
niveaux de la cellule haute tension ne sont pas redondants. Cela nest pas gnant
pour la rgler la rpartition de puissance car la petite cellule nintervient pas dans
la gnration de ces niveaux. Cependant en modulant un de ces niveaux avec soit le
niveau immdiatement suprieur, soit linfrieur, nous devons choisir un des deux
reprsentants de ce niveau adjacent. Un de ces reprsentants ne diffre que par la
tension de la petite cellule, lautre diffre par les deux tensions. La minimisation
des pertes par commutation impose le choix du premier reprsentant, mais ce choix
supprime toute possibilit dintervention sur le flux de puissance. Le choix du
deuxime reprsentant entrane une commutation de la grande cellule chaque
priode de modulation, ce qui conduit des pertes leves.
Pour tre en mesure de ne moduler une paire quelconque de niveaux sans moduler la cellule haute tension et tout en conservant la capacit dintervenir sur la
rpartition de la puissance, il faut galement que les niveaux de la cellule haute tension possde deux ralisations obtenues par deux niveaux diffrents de la cellule
haute tension. La condition satisfaisant quilibrage et modulation scrit :
UB

nA 1
UA
2

(5.38)

En gnralisant (5.38) pour une configuration comportant un nombre quelconque


de cellules, nous obtenons :
k

Uk+1

1X
(nj 1) Uj
2 j=1

(5.39)

Ainsi, pour une combinaison de pont en H 3 niveaux, la configuration la plus


asymtrique satisfaisant la condition (5.39) est :
Ui = {1, 1, 2, 4, 8, . . .} U1

(5.40)

Pour ce type de configurations, certaines paires de niveaux peuvent tre modules de manires diffrentes dont aucune nimplique que la grande cellule la
frquence de modulation apparente du convertisseur. Il est possible dannuler la
puissance moyenne gnre par lensemble des cellules de basse tension tout en
rduisant les pertes par commutation.

5.3. Rglage des flux dnergie des onduleurs monophass

5.3.6

205

Retour lquilibre en cas de sollicitation importante

Selon le degr de contrlabilit des flux de puissance, il nest pas toujours possible de limiter suffisamment la sollicitation en puissance moyenne dune cellule,
de sorte que lon peut sloigner de manire importante du point dquilibre. La
capacit le retrouver lquilibre peut tre perdue si la configuration effective est
trs loigne de la configuration thorique.
Pour les configurations satisfaisant quilibrage et modulation optimise (5.39),
il est toujours possible de gagner le point dquilibre (plus rapidement) en passant
dun mode de fonctionnement sans commutations simultanes des cellules haute et
basse tension un mode moins restrictif o ces commutations sont permises. Des
tats qui ne sont pas utilisables dans le premier mode le deviennent et permettent
de regagner plus rapidement le point dquilibre.
Pour les configurations satisfaisant quilibrage et uniformit (5.33), ou pour
gagner encore plus rapidement le point dquilibre, il est possible de passer un
mode de fonctionnement o les cellules fonctionnent en cherchant regagner le
point dquilibre sans chercher moduler des niveaux adjacents.
Si la charge et londuleur tolrent ces modes de fonctionnement, ils peuvent
tre utiliss pendant une partie brve du fonctionnement de londuleur sans dgrader le fonctionnement moyen du systme de manire notable.

206

5. A LIMENTATION DES CELLULES

c o m m a n d e a v e c q u ilib r a g e
e t p a s u n ifo r m e

c o m m a n d e a v e c q u ilib r a g e
e t r e s p e c t d e la r f r e n c e

q u a lit d e la te n s io n

c a p a c it d ' q u ilib r a g e

c o m m a n d e a v e c m o d u la tio n
o p tim is e e t q u ilib r a g e

c o m m a n d e a v e c q u ilib r a g e

F IG . 5.19 : Relations entre les modes de fonctionnement du convertisseur

5.4. Rglage des flux dnergie des cellules des onduleurs triphass

5.4
5.4.1

207

Thorie du rglage des flux dnergie des cellules


des onduleurs triphass
Introduction

Nous allons tudier dans quels cas et sous quelles conditions il est possible
domettre lalimentation dun groupe de cellules pour un onduleur triphas sans
neutre reli7 . La puissance dlivre par le convertisseur la charge est donne par
le produit scalaire du courant et de la tension :
p=ui

(5.41)

Pour simplifier lanalyse, nous supposerons que le convertisseur est form de deux
groupes de cellules, lun formant la cellule basse tension appele A, lautre formant la cellule haute tension appele B. La puissance se rpartit entre ces deux
groupes de cellules selon leur contribution la formation de la tension totale du
convertisseur :
p = (uB + uA ) i = uB i + uA i
(5.42)
| {z } | {z }
pB
pA
Pour pouvoir supprimer lalimentation de la cellule basse tension, sa puissance
moyenne doit tre nulle, de sorte que toute lnergie est fournie par la cellule haute
tension :
Z
Z
pA dt = uA i dt = 0
(5.43)
Z

Z
p dt =

pB dt

(5.44)

Lorsque ces galits sont satisfaites, le rgime stable existe. Cette existence tablie, il faut examiner la fluctuation dnergie engendre par un ensemble de trajectoires donnes pour dterminer si elle est compatible avec la taille admissible des
condensateurs dalimentation en puissance ractive.
7 Londuleur triphas neutre reli pouvant tre ramen trois onduleurs monophass indpendants.

208

5. A LIMENTATION DES CELLULES

tra je c to ire
d u c o u ra n t i

u
u
B

tra je c to ire d e
la te n s io n u

F IG . 5.20 : Phaseurs spatiaux de tension et de courant de londuleur : la puissance est


obtenue par le produit scalaire des vecteurs de tension et de courant.

5.4.2

Prambule : mthodes dquilibrage

5.4.2.1

Mthode dquilibrage par rglage du fondamental de la composante


homopolaire

Fixons-nous comme premier objectif dalimenter les cellules de petits pas avec
des redresseurs de telle sorte que nous devons assurer que la puissance moyenne
dlivre par ces cellules est toujours positive. En observant la distribution de puissance de la configuration (Ui , ni ) = {(1, 3), (3, 3)} pour une rfrence sinusodale quilibre la Fig. 5.22(b), nous constatons que la courbe de puissance de la
petite cellule comporte une zone ou la puissance est ngative. Il faut absolument
viter de faire fonctionner londuleur dans cette zone qui est interdite. Dans le
diagramme des phaseurs, reprsentons cette zone comme interdite la Fig. 5.21.
Lorsque les phaseurs reprsentant les tensions de branche appartiennent la
zone interdite, il est possible de les dcaler dun mme phaseur quelconque sans
changer les tensions composes pour obtenir 3 phaseurs situs hors de la zone
interdite, comme la Fig. 5.21(b). Si la zone interdite nest pas trop large, il sera
toujours possible de trouver une solution.

5.4. Rglage des flux dnergie des cellules des onduleurs triphass

209

z o n e s
p u is s a n c e
p o s itiv e
d c a la g e
h o m o p o la ire
z o n e
p u is s a n c e
n g a tiv e
F IG . 5.21 : Principe

1
1
0.8
0.6

0.5

PC,1
PC,2
P
tot

0.4
0.2
0

0.2
0.4
0.6
0.8

0.5
0

0.8 0.6 0.4 0.2

0.2

0.4

0.6

0.8

0.2

(a)
1

0.5

0.5

0.2

0.4

ref

(c)

ref

0.6

0.8

0.6

0.8

(b)

0.5
0

0.4

0.6

0.8

0.5
0

0.2

0.4

ref

(d)

F IG . 5.22 : Rpartition de la puissance de la configuration (Ui , ni ) = {(1, 3), (3, 3)} (a)
phaseurs dplacs ; (b) rpartition de la puissance sans compensation ; (c) et (d) rpartition
de la puissance avec compensation ; (c) phase 1 ; (d) phases 2 et 3.

La Fig. 5.22 montre que cette mthode peut tre applique la configuration (Ui , ni ) = {(1, 3), (3, 3)}. Les phaseurs dplacs sont reprsents la Fig.
5.22(a). La zone interdite est hachure. Une solution est trouve, except pour les
plus grandes amplitudes de la zone interdite pour lesquelles le module des phaseurs
dplacs dpasse lamplitude maximale de londuleur.
Cette mthode ne fonctionne quen rgime permanent pour une rfrence sinusodale pour laquelle le modle des phaseurs est valide. Pour une rfrence "alatoire", nous passons une autre mthode galement base sur le rglage de la
composante homopolaire, mais dont les mcanismes sont totalement diffrents.

210

5. A LIMENTATION DES CELLULES

5.4.2.2

Mthode dquilibrage par rglage des harmoniques de la composante homopolaire

Dans sa thse [18], M. Veenstra tudie une stratgie dquilibrage permettant


de faire fonctionner un onduleur multiniveau asymtrique sans alimenter les cellules basse tension. A laide dune fonction de cot, cette stratgie vise minimiser les fluctuations des tensions des condensateurs dalimentations de ces cellules.
Cela permet de simplifier la structure du convertisseur et dliminer les pertes dans
les convertisseurs dalimentation. Nous dcrivons le principe gnral sur lequel repose cette mthode8 .
Le mcanisme qui dcompose de la tension de branche dans les tensions des
cellules est non-linaire : une rfrence purement sinusodale conduit un ensemble de tensions contenant des composantes harmoniques. Le fait dajouter un
signal avec un contenu purement harmonique sans fondamental peut conduire
une variation de la rpartition du fondamental entre les cellules dune phase. En
consquence, lajout dun signal de mode commun (homopolaire) permet de faire
varier la rpartition du fondamental et donc de la puissance sans modifier les tensions composes (de mode diffrentiel). Lutilisation de composantes de mode
commun dharmoniques 3 (3,6,9,etc.) permet deffectuer la mme modification
sur lensemble des phases. Lutilisation de composantes de mode commun dautres
ordres permet deffectuer une modification distincte pour les diffrentes phases.
Le principe est dmontr la Fig. 5.23. Lajout dun harmonique 3 sur une
rfrence sinusodale influence la largeur du signal rectangulaire dlivr par la
cellule haute tension. La largeur de cette impulsion est directement lie la valeur
du fondamental et par voie de consquence la valeur de la puissance. La tension
compose nest pas modifie.
3

rfrence
haute tension

1
0

3
0

(a) pas dharmonique 3

3
0

rfrence
haute tension

0
rfrence
haute tension

1
2

(b) harmonique 3 15 %

3
0

(c) harmonique 3 -15 %

F IG . 5.23 : Illustration du principe de modification de la rpartition de puissance par ajout


dharmoniques sur la composante homopolaire : effet dun harmonique 3 sur la partie prise
en charge par la cellule haute tension pour la configuration (Ui , ni ) = {(1, 3), (2, 3)}.
8 Pour de plus amples dtails, se rfrer la thse de M. Veenstra, [18], ou une de ses publications
sur le sujet [38, 39, 40].

5.4. Rglage des flux dnergie des cellules des onduleurs triphass

5.4.3

211

Configurations satisfaisant quilibrage et modulation optimise


Rappel
Le domaine atteignable dune cellule est laire dlimite par lenveloppe des plus grands phaseurs spatiaux que cette cellule est capable de gnrer. Le domaine atteignable de la cellule haute tension
est reprsent la Fig. 5.24.

Prenons par exemple la configuration (Ui , ni ) = {(1, 3), (2, 2)}. Si la composante parallle au courant est situe lintrieur du domaine atteignable par
la cellule haute tension, alors le bilan nergtique peut-tre satisfait sans contribution de la cellule basse tension. Toutes les rfrences dont la trajectoire de la
composante parallle au courant est entirement situe lintrieur de ce domaine
peuvent tre gnres sans alimentation de la cellule basse tension. Toutes celles
qui sont situes entirement lextrieur de ce domaine ncessitent une contribution active de la cellule basse tension qui ne peut pas tre fournie en rgime
permanent sans alimentation. Pour les autres trajectoires, il faut procder une
tude au cas par cas.
Nimporte quel point de fonctionnement situ lintrieur du domaine atteignable par la cellule haute tension peut tre engendre de trois manires diffrentes
nentranant pas la modulation de la cellule haute tension :
uref = V B,a + uA,a = V B,b + uA,b = V B,c + uA,c

(5.45)

avec V B,a , V B,b et V B,c , les 3 phaseurs de la cellule haute tension qui forment
un triangle autour de la rfrence, et uA,a , uA,b et uA,c , les contributions de la
petite cellule qui sont obtenues par modulation.
Dun autre ct, la rfrence peut aussi tre atteinte sans contribution de la
cellule basse tension par la cellule haute tension par composition des trois vecteurs
V B,a , V B,b et V B,c :
uref = (1 dB,b dB,c ) V B,a + dB,b V B,b + dB,c V B,c

(5.46)

Bien que cela ne soit pas ncessaire pour atteindre la rfrence uniquement laide
de la grande cellule, lorsque (5.46) est vrifie, nous conservons les contributions
de la cellule basse tension inchanges pour conserver la mme forme donde gnre et pour ne pas introduire de distorsion supplmentaire. Reprenant les ralisations de (5.45), il vient :
0 = (1 dB,b dB,c ) uA,a + dB,b uA,b + dB,c uA,c

(5.47)

212

5. A LIMENTATION DES CELLULES

a m p litu d e m a x im a le
c e llu le d e p e tit p a s

re f

d o m a in e a tte ig n a b le
g ra n d e c e llu le
a m p litu d e m a x im a le
e n v e lo p p e p h a s e u rs
c o n v e rtis s e u r
c e llu le d e g ra n d p a s
d o m a in e a tte ig n a b le
c o n v e rtis s e u r
(a) domaines et enveloppes

V
u
u
V

A ,a
B ,a

B ,c

A ,c

i
A ,b

B ,b

(b) 3 manires de gnrer uref

F IG . 5.24 : Configuration (Ui , ni ) = {(1, 3), (2, 2)} : nimporte quelle rfrence
lintrieur du domaine atteignable par la cellule haute-tension peut tre gnre de trois
manires diffrentes sans modulation de la cellule haute tension.

5.4. Rglage des flux dnergie des cellules des onduleurs triphass

213

avec dB,b et dB,c les rapports cycliques permettant de composer les ralisations
combines.
Le bilan nergtique sexprime alors de la manire suivante :
Z

t=t0 +t

uref i

E=

(5.48)

t=t0

t=t0 +t



sB,a (t) V B,a + sB,b (t) V B,b + sB,c (t) V B,c i

(5.49)

t=t0

t=t0 +t

0=



sB,a (t) uA,a + sB,b (t) uA,b + sB,c (t) uA,c i

(5.50)

t=t0

avec sB,a (t), sB,b (t) et sB,c (t), les fonctions de commutations des phaseurs
V B,a , V B,b et V B,c . Ces fonctions du temps valent 1 ou 0, selon que le phaseur
correspondant est activ ou non.
En suivant une trajectoire quelconque, il est possible de commuter autant de
fois que ncessaire entre ces diffrentes ralisations de manire assurer lquilibre des puissances. La frquence de commutation dtermine lamplitude de la
fluctuation de tension des condensateurs dalimentation en puissance ractive de
la cellule basse tension. Lorsque t tend vers 0, le bilan nergtique a toujours au
moins une solution triviale :
uref = (1 dB,b dB,c ) V B,a + dB,b V B,b + dB,c V B,c

(5.51)

avec dB,b et dB,c les rapports cycliques des fonctions de commutation sB,b et sB,c .
Cette solution annule toute sollicitation nergtique de la cellule basse tension. En
revanche, il faut commuter la cellule haute tension frquence leve (idalement
infinie, pratiquement gale la frquence de commutation de la cellule basse tension) entre V B,a , V B,b et V B,c . En tolrant une certaine fluctuation dnergie de
la cellule basse tension, nous pouvons abaisser cette frquence de commutation.
Il est important de remarquer que la frquence de commutation de la cellule
haute tension est indpendante de la frquence de commutation de la cellule basse
tension. La premire frquence est lie la fluctuation dnergie tolre, la seconde
est lie londuleur de courant tolre sur une charge inductive. On peut toujours
raliser lquilibre des puissances moyenne pour cette configuration, sans avoir
moduler la cellule haute tension la mme frquence que la cellule basse tension.
Condition vectorielle de modulation optimise et dquilibrage
Nous venons de montrer les proprits de la configuration (Ui , ni ) = {(1, 3),
(2, 2)}. Dune manire gnrale, toute configuration pour laquelle lexpression

214

5. A LIMENTATION DES CELLULES

tout point de fonctionnement appartenant au domaine atteignable par la grande


cellule peut tre atteint de trois manires diffrentes sans moduler la cellule haute
tension possde les mme proprits de modulation optimise et dquilibrage.
Cela revient satisfaire (5.45). La petite cellule doit avoir une amplitude suffisante
pour permettre datteindre tous les voisins dun des phaseurs spatiaux de la cellule
haute tension, ce qui signifie que son amplitude est gale au pas de la grande
cellule :
UB (nA 1) UA
(5.52)
Cette expression est quivalente la loi de modulation optimise scalaire (2.32).
Toutes les configurations qui satisfont la loi de modulation scalaire (2.33) satisfont galement quilibrage et modulation pour une configuration triphase sans
neutre :
k
X
Uk Uk+1
(nj 1) Uj
(5.53)
j=1

5.4.4

Configurations satisfaisant quilibrage et pas uniforme

Prenons pour deuxime exemple la configuration (Ui , ni ) = {(1, 3), (3, 2)}.
Comme prcdemment, lalimentation de la cellule basse tension peut-tre omise
lorsque la composante de la rfrence parallle au courant est situe lintrieur
du domaine limit par lenveloppe des phaseurs de la grande cellule. Les diffrents
domaines atteignables sont reprsents la Fig. 5.25(a).
Contrairement la configuration (Ui , ni ) = {(1, 3), (2, 2)}, il ny a que 6
points situs aux intersections des enveloppes gnrables par la petite cellule qui
peuvent tre gnrs de trois manires diffrentes sans modulation de la cellule
haute tension : (5.45) nest presque jamais satisfait, cette configuration ne vrifie
pas la loi vectorielle de modulation optimise et dquilibrage. En revanche, chacun des 3 phaseurs spatiaux moduler pour gnrer la rfrence peut tre ralis
de plusieurs manires diffrentes, comme illustr la Fig. 5.25(b).
Revenons au cas gnral et supposons que le pas de la grande cellule est de un
pas trop grand pour satisfaire (5.52) :
UB = nA UA

(5.54)

Nous nous retrouvons dans la situation illustre la Fig. 5.26. Les 3 phaseurs de
la grande cellule enveloppant la rfrence forment les sommets du grand triangle.
Chacune des parties en forme de losange partant dun sommet nest accessible
que du phaseur de la grande cellule correspondant. Les trapzes situs entre deux
sommets (losanges) sont accessibles des deux sommets considrs. Finalement le
triangle central en hachur est accessible des trois phaseurs de la grande cellule.

5.4. Rglage des flux dnergie des cellules des onduleurs triphass

215

a m p litu d e m a x im a le
c e llu le d e p e tit p a s

i
re f

d o m a in e a tte ig n a b le
g ra n d e c e llu le
a m p litu d e m a x im a le
c e llu le d e g ra n d p a s

a m p litu d e m a x im a le
c o n v e rtis s e u r

d o m a in e a tte ig n a b le
c o n v e rtis s e u r
(a) domaines et enveloppes

V
v
v
i

A ,c

u
A ,a

B ,c

re f

B ,a

A ,b

B ,b

(b) gnration de uref

F IG . 5.25 : Configuration (Ui , ni ) = {(1, 3), (3, 2)} : nimporte quelle rfrence lintrieur du domaine atteignable par la cellule haute-tension peut tre gnre par modulation
de trois vecteurs voisins forms de trois vecteurs diffrents de la cellule haute tension.

216

5. A LIMENTATION DES CELLULES

Dans ce triangle central (5.45) est vrifi et les proprits de modulation vectorielle
optimise avec quilibrage y sont satisfaites. Ce triangle est rduit un simple
point pour la configuration (Ui , ni ) = {(1, 3), (3, 2)}.
Lorsque la rfrence est situe en dehors du triangle central, les phaseurs spatiaux v a , v b et v c permettant dengendrer la rfrence sont situs soit sur les cts
du grand triangle soit sur les cts du triangle central. Deux sont situs sur lun,
un sur lautre.
Les proprits dquilibrage dpendent du triangle sur lequel ces phaseurs sont
placs :
1. Si le phaseur de sortie gnrer est situ sur un des sommets du grand
triangle alors il nest gnrable que de ce sommet. La contribution de la
petite cellule est alors nulle et il ny a pas de possibilit de rglage de sa
contribution nergtique.
2. Si le phaseur de sortie gnrer est situ sur un des cts du grand triangle, alors il est gnrable de deux manires diffrentes. Chacun des deux
phaseurs de la cellule haute tension formant le ct permet datteindre le
phaseur de sortie. Il dcoule que les contributions de la petite cellule sont
de directions opposes selon le cas, comme illustr la Fig. 5.26(a), ce qui
signifie que la contribution nergtique de la petite cellule peut tre annule
par modulation de ces deux possibilits. Les possibilits de rglage du flux
nergie dpendent de lorientation du courant par rapport au ct concern.
3. Si le phaseur gnrer est situ sur le ct du triangle central, alors il est
gnrable de trois manires diffrentes par les trois phaseurs de la cellule
haute tension formant le grand triangle, comme illustr la Fig. 5.26(b).
Les contributions de la petite cellule associes ces possibilits forment un
triangle. Par modulation, il est possible dimposer la petite cellule nimporte quelle contribution la tension lintrieur du triangle. Par ce moyen
la contribution nergtique peut tre rgle quelle que soit lorientation du
courant. Lintensit de rglage en fonction de la direction dpend de la position de la rfrence lintrieur du triangle.
Il y a toujours au moins un des sommets du triangle form par les phaseurs spatiaux moduler qui appartiennent au triangle central. Lorsque la rfrence appartient au triangle extrieur, le rapport cyclique du phaseur spatial situ sur le triangle
central sannule. Il est toujours possible dannuler la consommation soutire de la
cellule basse tension. En revanche lintensit de compensation des dsquilibres
dpend de la rfrence et du courant.
Condition vectorielle duniformit et dquilibrage
Les configurations qui satisfont (5.56) sont des configurations pour lesquelles
lquilibrage est ralisable. La rfrence est obtenue en modulant les trois pha-

5.4. Rglage des flux dnergie des cellules des onduleurs triphass

B ,c

217

B ,c

B ,a

re f

v
c

v
b

e
lu l
cel
e
n d e
lu l
g ra
cel
p as
ite
p et
d e

tu
p li
am

tria n g le a c c e s s ib le
d e V B ,a , V B ,b e t V B ,c
(a) domaines et enveloppes

B ,b

u
i

v
a

re f

v
c

v
b

B ,a

B ,b

(b) gnration de uref

F IG . 5.26 : Lquilibrage peut toujours tre ralis, car nimporte quel phaseur spatial peut
tre gnr : (a) de deux manires anti-parallle permettant dannuler toute contribution ;
(b) de trois manires diffrentes permettant de rgler nimporte quelle contribution.

seurs spatiaux lentourant. Chacun de ces phaseurs peut tre obtenu de plusieurs
faons diffrentes. Nous en choisissons les trois qui imposent le flux dnergie
dans le sens souhait. Aprs une priode lie la fluctuation dnergie tolre, il
faut gnralement remplacer cet ensemble par un autre permettant de gnrer les
trois mmes phaseurs spatiaux. Une partie des ensembles contiennent des phaseurs
spatiaux qui sont gnrs par des phaseurs spatiaux diffrents de la grande cellule.
Dans ces cas, la grande cellule commute au cours de la modulation de la rfrence.
Sa frquence de pulsation nest plus seulement lie la priode doscillation de la
fluctuation dnergie mais la frquence de pulsation apparente du convertisseur
qui est plus leve : la modulation nest pas optimise. Les configurations qui satisfont (5.54) gnrent une sortie uniforme puisque nous sommes toujours capables
de moduler trois niveaux adjacents.
Vrifions quil ny a pas de configuration plus asymtrique qui prsente les
mmes proprits. Pour cela, examinons les configurations un peu plus asymtriques qui ne satisfont pas (5.54) mais qui satisfont :
UB (nA + 1) UA

(5.55)

Prs de chacun des sommets du grand triangle, des losanges sont forms par
des phaseurs spatiaux ne pouvant tre gnrs que dune manire possible par la
grande cellule (voir illustration la Fig. 5.27). La puissance des cellules ne peut
pas tre modifie lorsquil faut gnrer des phaseurs spatiaux situs lintrieur de
ces losanges. Les configurations qui satisfont (5.55) ne possdent pas les mmes
proprits dquilibrage que celles vrifiant (5.54).

218

5. A LIMENTATION DES CELLULES

re f

n
g ra
p as
e
e tit
e p
tu d
p li
am

B ,c

e
lu l
cel
d e
e
lu l
cel

i
lo s a n g e a c c e s s ib le
d e V B ,a s e u l e m e n t

B ,a

p h a s e u r a c c e s s ib le
d e V B ,a , V B ,b e t V B ,c

B ,b

F IG . 5.27 : Lquilibrage peut toujours tre ralis, car nimporte quel phaseur spatial peut
soit tre gnr : (a) de deux manires anti-parallles permettant dannuler toute contribution ; (b) de trois manires diffrentes permettant de rgler nimporte quelle contribution.

Ainsi la loi vectorielle duniformit et dquilibrage pour deux groupes de cellules sexprime :
UB nA UA
(5.56)
Cette condition est quivalente la condition scalaire duniformit (2.22) :
Uk Uk+1 U1 +

k
X

(nj 1) Uj

(5.57)

j=1

Il est important de bien faire la diffrence entre les configurations vrifiant (5.53)
et celles vrifiant (5.57). La frquence de pulsation de la cellule haute tension
des dernires nest pas seulement lie la fluctuation de lnergie stocke, mais
galement la frquence de pulsation de la cellule basse-tension, puisquil faut
parfois galement moduler avec la cellule haute tension9 .

5.4.5

Principe dquilibrage applicable toute configuration

La configuration (Ui , ni ) = {(1, 4), (3, 2)} vrifie lingalit (5.55) qui qualifie les configurations qui ne satisfont pas simultanment uniformit et quilibrage. Il y a des zones qui ne peuvent tre atteintes que dune seule manire
9 Les rsultats de ltude mene par M. Veenstra sur lquilibrage de la configuration (U , n ) =
i
i
{(1, 3), (3, 3)} confirment que des commutations simultanes de la cellule haute tension et de la cellule
basse tension ne peuvent pas tre vites pour certains rgimes de fonctionnement [18].

5.4. Rglage des flux dnergie des cellules des onduleurs triphass

219

possible par la grande cellule. Il sagit des losanges hachurs la Fig. 5.28 qui
ne peuvent tre atteints que dun seul phaseur spatial de la grande cellule et des
triangles hachurs qui ne peuvent tre atteints que par modulation des phaseurs
spatiaux de la grande cellule. Pour ces derniers, la composante homopolaire sur laquelle il est possible dagir ninfluence pas la rpartition dnergie entre la grande
et la petite cellule10 .
Cette configuration est cependant quilibrable lintrieur du domaine atteignable par la cellule alimente. Pour cela, il suffit de faire fonctionner indpendamment les 2 cellules de manire satisfaire le bilan nergtique. Le bilan nergtique
du convertisseur est :
Z
Z
(u1 (t) + u2 (t)) i(t) dt =
uref i(t) dt
(5.58)
t

La grande cellule fournit toute la tension de la charge moins un terme de correction


permettant dassurer lquilibrage de la petite cellule :
Z


s2,a (t) V 2,a + s2,b (t) V 2,b + s2,c (t) V 2,c i dt =
t
Z
(5.59)
(uref ucorr ) i dt
t

La petite cellule absorbe lnergie ncessaire son quilibrage :


Z
Z


s1,a (t) v 1,a + s1,b (t) v 1,b + s1,c (t) v 1,c idt =
ucorr idt (5.60)
t

Comme nous lavons dj vu pour les configurations monophases, si la grande


cellule satisfait le bilan nergtique en tout instant, la contribution de la petite
cellule la qualit de la tension sannule. Il faut se contenter de satisfaire (5.59) et
(5.60) en valeur moyenne, cest dire sur un intervalle t pas trop petit.

5.4.6

Perte damplitude atteignable

Lomission dalimentations conduit une rduction de lamplitude de la composante de tension parallle au courant, cest dire une rduction du domaine
atteignable par londuleur. Lamplitude sans alimentation du groupe de cellule de
petit pas vaut :
U =
10 Par

(nB 1)UB
UB
=
UA + UB
(nA 1)UA + (nB 1)UB

(5.61)

soucis de clart, insistons sur le fait que la mthode dcrite en prambule au 5.4.2 agit sur
le choix des phaseurs spatiaux de manire indirecte par action sur la composante homopolaire de la
rfrence. La composante homopolaire de tension gnre par le convertisseur et le courant sont des
vecteurs orthogonaux qui ne peuvent par consquent pas interagir.

220

5. A LIMENTATION DES CELLULES

d o m a in e a v e c re d o n d a n c e
( p o s s i b i l i t s d ' q u i l i b r a g e )
a m p litu d e m a x im a le
c e llu le d e p e tit p a s

lo s a n g e a c c e s s ib le
u n iq u e m e n t p a r V B

B ,c

,c

tria n g le a c c e s s ib le
u n iq u e m e n t p a r m o d u la tio n
d e V B ,a , V B ,b e t V B ,c

u
i

re f

B ,a

B ,b

e n v e lo p p e p h a s e u rs
c e llu le d e g ra n d p a s
F IG . 5.28 : Configuration (Ui , ni ) = {(1, 3), (4, 2)} : dans les zones hachures, il ny
a aucune possibilit dquilibrage permettant de conserver luniformit. Dans la zone avec
redondance, il est possible deffectuer lquilibrage tout en conservant luniformit du pas.
La capacit dquilibrage est dautant plus faible que le point de fonctionnement gnrer
est prs dune zone hachure.

Appliquant la condition vectorielle de modulation optimise et dquilibrage cet


onduleur (5.52), la tension maximale atteignable par londuleur ne dpend pas de
la structure de la cellule basse tension, et elle vaut au maximum :
U =

nB 1
nB

(5.62)

Si le nombre de niveau de la cellule de grand pas nest que de 2, la moiti de la


tension atteignable est perdue. Cela signifie aussi que la puissance de la cellule de
petit pas est celle de la cellule de grand pas sont gales. En terme de quantit de
silicium employe, nous doublons la quantit utilise.
Appliquant la condition vectorielle duniformit et dquilibrage (5.56) cet
onduleur, la tension maximale atteignable par londuleur vaut au maximum :
U =

nB 1
nB n1A

(5.63)

5.4. Rglage des flux dnergie des cellules des onduleurs triphass

221

nA vaut au minimum 12 , la tension atteignable est donc comprise dans lintervalle :


nB 1
nB 1
U
nB
nB 12

(5.64)

Comme prcdemment, il faut que le nombre de niveau de la cellule haute tension


soit le plus lev possible, il faut en outre que celui de la cellule basse tension soit
le plus bas possible. La perte damplitude est un peu moins leve que prcdemment. Nous donnons quelques exemples de rduction damplitude atteignable pour
diffrentes configurations dans le tableau suivant :
configuration
(Ui , ni )
{(1, 3), (2, 2)}
{(1, 5), (4, 2)}
{(1, 3), (2, 3)}
{(1, 5), (4, 3)}
{(1, 3), (2, 5)}
{(1, 3), (3, 2)}
{(1, 5), (5, 2)}
{(1, 3), (3, 3)}
{(1, 5), (5, 3)}
{(1, 3), (3, 5)}

U
%
50 %
50 %
60 %
60 %
80 %
67 %
56 %
75 %
71 %
86 %

proprit
mod. opt. eq.
mod. opt. eq.
mod. opt. eq.
mod. opt. eq.
mod. opt. eq.
uni. eq.
uni. eq.
uni. eq.
uni. eq.
uni. eq.

o les paramtres dterminants ont t mis en gras.


Le convertisseur est dimensionn pour bloquer la tension complte quil serait
capable de dlivrer si toutes les cellules taient alimentes. Comme il nest utilis
que sur une plage rduite cause de la perte damplitude occasionne par lomission dalimentation, les pertes par conduction rapporte la tension de service et
son rendement diminuent. Du point de vue de la combinaison des interrupteurs, la
technologie nous indique quil est prfrable de choisir la structure la plus simple
possible comme cellule haute tension. Au contraire, lanalyse de la structure nous
indique quil faut choisir une structure gnrant le plus de niveaux possible pour
cellule haute tension, afin de perdre le moins de tension possible lorsquune partie
de lalimentation des cellules est omise.

5.4.7

Equilibrage entre phases

Dans les dveloppements prcdents, nous navons trait que de lquilibrage


de la puissance entre grande et petite cellule. Nous navons pas encore trait de
lquilibrage entre phases. Le contrle de la rpartition de lnergie entre les phases
de la cellule haute tension nest pas ncessaire puisque la puissance est fournie par

222

5. A LIMENTATION DES CELLULES

la mme alimentation. En revanche, il est indispensable pour quilibrer les tensions dalimentation des diffrentes phases de la cellule basse tension, les alimentations tant toutes distinctes et aucune circulation de puissance ntant possible
entre elles. Lorsque la charge est symtrique, lquilibrage de la puissance entre
les phases ne pose pas de problme en rgime permanent, il sagit seulement de
rattraper quelques petits dsquilibres. En revanche, en rgime transitoire ou en
rgime dsquilibr, il faut intervenir de faon plus importante.
Nous avons deux moyens dagir sur la rpartition de la puissance entre les
phases de la petite cellule :
1. la composante homopolaire de la tension de la petite cellule,
2. la composante de tension orthogonale au courant.
La composante homopolaire ninfluence pas la rpartition de puissance entre les
cellules haute et basse tension. En revanche, elle agit au niveau de la contribution
des diffrentes phases. Elle modifie dans un sens la puissance dlivre par dune
des phases, dans lautre sens la puissance des deux autres phases, comme illustr
la Fig. 5.29. Une stratgie consiste agir sur la phase prsentant le plus grand
cart.

u
u
B

re f

u
u
A

A ,1

(a)

A ,3

re f

A ,2

A ,3

A ,1

(b)

F IG . 5.29 : Modification de la rpartition de la puissance entre les phases par action sur la
composante homopolaire.

La composante de tension perpendiculaire au courant ninfluence pas la rpartition de puissance entre les cellules haute et basse tension, cependant elle permet daugmenter ou de diminuer la contribution des phases qui lui sont alignes.
Contrairement la composante homopolaire, il est ncessaire dagir la fois sur
la composante perpendiculaire au courant de la cellule basse tension et en sens
oppos sur celle de la cellule haute tension, comme illustr la Fig. 5.30.

5.5. Comparaison des performances de deux convertisseurs complets

u
u
B

re f

u
u
A

A ,1

(a)

223

re f

i
u

A ,3

u
A

A ,2
A ,3

A ,1

(b)

F IG . 5.30 : Modification de la rpartition de la puissance entre les phases par action sur la
composante perpendiculaire au courant.

5.5

Comparaison des performances de deux convertisseurs complets

Au chapitre 1, nous navons pas pris en compte les pertes de lalimentation


pour valuer le rendement du convertisseur.
La structure avec alimentation omise semble trs intressante pour obtenir un
convertisseur performant sans tous les problmes lis la mise en place dun
convertisseur dalimentation. Elle a toutefois une rsolution plus faible que la
mme structure avec alimentation complte. En effet, toute la puissance moyenne
doit tre fournie (absorbe) par la cellule haute tension, ce qui rduit la tension atteignable dans la plupart des cas : moins de niveaux sont disponibles. Cependant,
si la comparaison est effectue sur la base de la quantit de semi-conducteurs utilise, les convertisseurs dalimentations peuvent tre utiliss (recycls) comme cellules srie permettant damliorer la rsolution du convertisseur avec alimentation
omise. Nous comparerons donc une structure avec le mme nombre de convertisseurs DC/AC et avec la mme puissance installe en termes de semi-conducteurs.

5.5.1

Dimensionnement des convertisseurs comparer

Les mP petites cellules de la structure alimente sont alimentes par mP


convertisseurs AC-DC connects au secondaire du transformateur. Le primaire du
transformateur est aliment par 1 mP convertisseurs DC-AC. La puissance des
convertisseurs dalimentation primaire est approximativement gale la puissance
des convertisseurs au secondaire, pour que le bilan de puissance soit satisfait.
Nous allons comparer une structure alimente mP petites cellules avec une
structure alimentation omise ayant de 2mP 3mP petites cellules. Les propri-

224

5. A LIMENTATION DES CELLULES

ts des convertisseurs compars doivent tre similaires, aussi nous choisissons de


comparer deux convertisseurs triphass commandables avec une stratgie de modulation optimise pour la commutation.
Pour que londuleur triphase aliment soit capable dengendrer une sortie module sans moduler les niveaux ou phaseurs spatiaux de la cellule haute tension,
sa configuration doit respecter la condition de modulation optimise vectorielle.
Dsignons la cellule haute tension de cet onduleur B, sa cellule basse tension A :
UB (nA 1) +

nA 1
UA
2

(5.65)

Pour obtenir les mmes proprits, la configuration avec cellule basse tension non
alimente doit respecter la condition vectorielle de modulation optimise et dquilibrage. Dsignons la cellule haute tension de cet onduleur D, sa cellule basse
tension C :
UD (nC 1)UC
(5.66)
Les convertisseurs dalimentation tant identiques aux convertisseurs aliments,
supposons la nouvelle cellule basse tension forme de cellules symtriques11 . La
relation entre le nombre de niveaux de cette cellule et le nombre de niveau de la
cellule basse tension du convertisseur aliment est :
(nC 1) = 2..3(nA 1)

(5.67)

Rintroduisant (5.67) dans (5.66), nous obtenons :


UD 2..3(nA 1)UC

5.5.2

(5.68)

Comparaison du nombre de niveaux

La tension atteignable par londuleur aliment est gale celle de la cellule


haute tension plus celle de la cellule basse tension :
UB+A = (nB 1)UB + (nA 1)UA
Remplaant UB par sa valeur maximale selon lingalit (5.65) :


(nA 1)(nB 1)
UB+A nB (nA 1) +
UA
2
11 Bien

(5.69)

(5.70)

que le choix de petites cellules asymtriques soit possible et permette daugmenter considrablement la rsolution, il est judicieux de choisir des cellules symtriques pour la construction de la
petite cellule. Cela simplifie considrablement lquilibrage de ces cellules lintrieur de la cellule
basse tension. Pratiquement cela limite le nombre de convertisseurs diffrents raliser.

5.5. Comparaison des performances de deux convertisseurs complets

Le nombre de niveaux obtenu est :




(nA 1)(nB 1)
UB+A
+ 1 nB (nA 1) +
+1
nB+A =
UA
2

225

(5.71)

Les nombres de niveaux des grandes cellules des deux convertisseurs sont identiques :
nD = nB
(5.72)
La tension atteignable par londuleur avec alimentation partiellement omise est
celle de la grande cellule :
UD (nB 1) [2..3(nA 1)] UC

(5.73)

Le nombre de niveaux est :


nD+C =

UD
+ 1 (nB 1) [2..3(nA 1)] + 1
UC

(5.74)

Comparons les nombres de niveaux des deux convertisseurs dans le cas limite :


(nA 1)(nB 1)
nD+C nB+A = (nB 1) [2..3(nA 1)] nB (nA 1) +
2
(5.75)
Posons kc = 2..3 le facteur du nombre de petites cellules supplmentaires et mettons (nA 1) en facteur :


3
nD+C nB+A = (nA 1) (kc )(nB 1) 1
2

(5.76)

Numriquement, considrant que la cellule haute tension sera constitue soit dun
pont triphas 2 niveaux soit dun onduleur NPC 3 niveaux et que la cellule basse
tension sera constitue dun ou de deux ponts en srie par phase, nous obtenons le
tableau suivant :
kc
2
2
2
2
3
3
3
3

nA
5
3
5
3
3
5
3
5

nB
2
2
3
3
2
2
3
3

nD+C
9
5
17
9
7
13
13
25

nB+A
11
6
17
9
6
11
9
17

nD+C nB+A
2
1
0
0
1
2
4
8

(5.77)

226

5. A LIMENTATION DES CELLULES

Le gain est presque toujours en faveur de la structure non alimente, sauf lorsque
on nutilise pas tous les convertisseurs dalimentation comme cellule additionnelle
(kc = 2).

Si tous les convertisseurs dalimentation sont utiliss comme cellules additionnelles alors le convertisseur avec alimentation partiellement omise permet dobtenir un nombre de niveaux plus grand.

5.5.3

Comparaison des pertes

Pour que les deux convertisseurs dlivrent la mme tension de service, il faut
alimenter la cellule haute tension du convertisseur partiellement aliment avec une
tension plus leve. Nous devons avoir :
UD = UB+A

(5.78)

Ecrivons les amplitudes atteignables en fonction des nombres de niveaux et des


pas :
(nB 1) UD = (nB 1) UB + (nA 1) UA
(5.79)
Exprimons le pas de la cellule haute tension du convertisseur sans alimentation en
fonction des autres grandeurs :
UD = UB +

nA 1
UA
nB 1

(5.80)

Le convertisseur partiellement aliment doit bloquer une tension plus grande pour
atteindre la mme tension de service, ses pertes par conduction seront plus leves.
Rcrivons (5.79) comme une fonction du pas UA :


(nA 1)(nB 1)
(nB 1) UD = nB (nA 1) +
UA
2

(5.81)

Remplaant UD par sa fonction de UC , nous obtenons


kc (nA 1)UC =

(3nB 1)(nA 1)
UA
2(nB 1)

(5.82)

Aprs simplification, il vient :


UC =

nB 13
3

UA
nB 1 2kc

(5.83)

5.5. Comparaison des performances de deux convertisseurs complets

227

A tension gale, le pas du convertisseur non aliment est dans la plupart des cas
plus petit. Nous avions dj obtenu ce rsultat par le bilan du nombre des niveaux.
Rintroduisant ces rsultats dans les pertes par conduction, nous obtenons des
pertes plus leves au niveau de la cellule haute tension selon le rapport des pas
(5.80) :


vce,sat,D
pcond,D
vce,sat,D UD
UA (nA 1)

= 1+
(5.84)
pcond,B
vce,sat,B UB
UB (nB 1)
vce,sat,B
Bien que le pas de la cellule basse tension du convertisseur partiellement aliment
soit gnralement plus petit par (5.83), le nombre de cellules la constituant tant
plus leves, ses pertes par conduction sont galement plus leves :
pcond,C
vce,sat,C UC
3 nB 31
= kc

=
pcond,A
vce,sat,A UA
2 nB 1

(5.85)

Pour nB = 2, nous avons environ 2.5 fois plus de pertes par conduction, environ
2 fois pour nB = 3.
Les pertes par commutation du convertisseur partiellement aliment sont plus
faibles au niveau de la cellule basse tension dans le rapport des pas. Pour tre
prcis, il faudrait prendre en considration les commutations supplmentaires ncessaires au maintient de lquilibre des tensions des cellules composant le groupe
basse tension. Il parat toutefois difficile de prendre en compte ces dsquilibres
qui nexistent idalement pas et sont difficiles estimer.
Les pertes par commutation du convertisseur partiellement aliment sont plus
leves au niveau de la cellule haute tension. Cela provient dune part modrement
du rapport des pas de la cellule haute tension, et dautre part principalement de
la frquence de commutation qui augmente afin dassurer la rpartition des puissances. De nouveau, il parat difficile de spcifier ce dernier facteur qui dpend de
lnergie stocke et de la fluctuation de tension admise.
Le convertisseur partiellement aliment ne prsente pas de pertes au niveau de
lalimentation de ses cellules basse tension (qui ne sont pas alimentes).
Nous devons faire le bilan de trois diffrentes sources de pertes. Il sagit principalement de comparer les pertes par conduction supplmentaire du convertisseur
partiellement aliment avec les pertes de lalimentation de la cellule basse tension
du convertisseur totalement aliment.

La structure qui prsente le rendement le plus lev est la structure


disposant dune alimentation qui nest pas utilise lorsque cest possible et que cela permet dobtenir un rendement plus lev.

228

5.5.4

5. A LIMENTATION DES CELLULES

Comparaison de la complexit

Dun ct, la structure avec alimentation partiellement omise permet dobtenir


une rsolution plus leve en terme de nombre de niveaux avec un transformateur
HF en moins mais avec des lments stockeurs dnergie qui doivent tre de taille
plus importante.
Dun autre ct, la fluctuation des tensions dalimentation se rpercute sur les
niveaux, ce qui introduit une distorsion de la tension gnre qui est difficile
compenser et qui peut anantir le gain obtenu par le nombre de niveaux plus lev.
Il faut peser ces diffrents aspects en fonction de lapplication.

5.6

Conclusions

Dans ce chapitre, nous avons abord le problme de lalimentation du convertisseur. Nous avons vu que lorsque lalimentation tait bidirectionnelle en puissance, elle pouvait tre assimile une source idale ; lorsque lalimentation tait
unidirectionnelle, il fallait agir sur la commande du convertisseur pour liminer
la circulation de puissance ; lorsque lalimentation tait omise, seule la puissance
ractive pouvait tre dlivre. Le Tab. 5.1 complte le Tab. 2.2 tabli au chapitre 2,
cette fois en prenant en considration les proprits dquilibrage que le convertisseur doit possder lorsque certaines de ses alimentations sont soit constitues de
redresseurs, soit omises12 . Chacun des ensembles de configurations tablis prcdemment se voit subdivis en deux parties, lune contenant les configurations les
moins asymtriques satisfaisant lquilibrage, lautre contenant les configurations
les plus asymtriques ne satisfaisant pas lquilibrage. Cette nouvelle classification porte dix le nombre de catgories de convertisseurs rapports de pas entiers.
Nous avons montr que tout convertisseur alimentation partielle est quilibrable
dans le domaine atteignable par ses cellules alimentes. Lors de sollicitations causant des dsquilibres important, le convertisseur peut commuter dans un mode
dgrad lui permettant de regagner son quilibre. Nous avons montr que le choix
du mode dalimentation du convertisseur rsulte dun compromis entre complexit,
rendement et qualit de la tension dlivre. Finalement, nous avons dcrit comment
contrler les flux dnergie du convertisseur DC-DC multi-source.

12 Le Tab. A.1 en annexe A donne un extrait de tableau permettant de choisir la configuration approprie en fonction des proprits souhaites.

229

5.6. Conclusions

c o n v e r tis s e u r s m o n o p h a s s
e t tr ip h a s s a v e c n e u tr e r e li

c o n v e r tis s e u r s tr ip h a s s
s a n s n e u tr e r e li

m o d u la tio n
o p tim is e

m o d u la tio n
o p tim is e e t
q u ilib r a g e
u n ifo r m it
e t
q u ilib r a g e

u n ifo r m it

m o d u la tio n v e c to r ie lle
o p tim is e s tr ic te
e t q u ilib r a g e

u n ifo r
v e c to r
s tr ic t
q u ilib

m it
ie lle
e e t
r a g e

m o d u
v e c to
o p tim
la r

la tio n
r ie lle
is e
g e

r s o lu tio n d u c o n v e r tis s e u r

a s y m tr ie d e s r a p p o r ts d e p a s

o n d u le u r s m u ltin iv e a u x s y m tr iq u e s

u n ifo r m it
v e c to r ie lle
la r g e
u n ifo r m it p a r tie lle

TAB . 5.1 : Proprits des onduleurs multiniveaux asymtriques. En se dplaant vers le bas
lasymtrie (axe de gauche) et la rsolution (axe de droite) augmentent : une configuration
possde toutes les proprits mentionnes pour les configurations plus asymtriques situes
plus bas, dautre part il y a quivalence des proprits selon laxe horizontal. Les proprits
qui ont t ajoutes par rapport au Tab. 2.2 sont en gris avec contour gras. Pour simplifier le
tableau, seules les configurations rapports de pas entiers ont t conserves.

230

5. A LIMENTATION DES CELLULES

C HAPITRE 6

Validation exprimentale

6.1

Description du prototype

Un convertisseur modulaire a t ralis pour valider les configurations et stratgies proposes. Nous dcrirons dans un premier temps la partie de puissance du
prototype, puis sa partie commande.

6.1.1

Partie puissance

Les lments composant la partie de puissance sont reprsents la Fig. 6.1.


Le convertisseur comprend :
1. Cinq modules de puissance de structure identique, qui sont composs chacun
de 3 ponts en H. Les PCB de ces modules sont identiques, mais des semiconducteurs de calibre et de technologie diffrents ont t mont pour les
diffrencier et pour tester un maximum de configurations possibles.
2. Un bus de puissance qui connecte entre eux les modules de puissance et leur
assigne une fonction. Le bus est en outre muni des connecteurs dalimentation continue, des connecteurs de la charge, de connecteurs de configuration
et de mesure. Le bus contient 5 positions distinctes dont les fonctions sont
prcises ci-aprs et la Fig. 6.1 :
(a) Une position pour le pont triphas constitu de trois branches et pour
le convertisseur DC-AC (primaire du transformateur).
(b) Deux positions pour les cellules triphases sries qui sont constitues
chacune de trois ponts en H.
(c) Deux positions pour les cellules AC-DC dalimentation des deux cellules prcdentes. Chacun de ces convertisseurs est constitu de trois
ponts en H.

232

6. VALIDATION EXPRIMENTALE

3. Un transformateur multi-enroulement permettant la conversion DC-DC (frquence de 10 20 kHz). Ce transformateur comprend 8 enroulements que
nous associons selon les besoins de la configuration teste.
Le prototype prsente une modularit utile pour les besoins de lexprimentation. Pour un convertisseur industriel, il serait intressant de disposer dune modularit au niveau des cellules basse tension et des cellules dalimentation, en revanche la cellule haute tension devrait tre constitue dun convertisseur de plus
fort calibre dont les dimensions seraient suprieures. Ainsi, dans le cas du prototype, le module qui contient la cellule triphase haute tension et le convertisseur
DC-AC a la mme dimension que chacun des modules basse tension. Le premier
module traite lintgralit de la puissance du convertisseur, les seconds ne traitent
quune fraction de la puissance. Nous avons fait ce choix de modularit pour faciliter le dveloppement et rendre le systme compltement configurable. Les semiconducteurs utiliss ayant tous le mme botier, le courant nominal est plus lev
pour les cellules basse tension que pour les cellules haute tension :
1. La grande cellule est constitue dIGBT 1200 V 15 A. Le convertisseur
DC-AC primaire plac lintrieur du mme module a d tre ralis
laide dIGBT 600 V 22 A afin de supporter la puissance ractive trs leve
gnre par certains points de fonctionnement.
2. Deux des autres modules sont raliss laide dIGBT 600 V 22 A.
3. Les deux derniers modules sont constitus de MOSFET 100 V 50 A.
La charge peut tre connecte en sortie de la grande cellule, de la moyenne cellule
ou de la petite cellule, de sorte quil est possible de tester un onduleur standard,
un onduleur constitu de deux cellules mise en srie ou un onduleur constitu de
trois cellules mise en srie. Les convertisseurs dalimentation peuvent tre commands et tre utiliss comme convertisseurs AC-DC rversibles, ils peuvent tre
utiliss comme redresseurs lorsquils ne sont pas commands, dans ce cas, seules
les diodes anti-parallles sont utilises, dans un mode avec alimentation partielle
lorsquune stratgie dquilibrage est applique, ils peuvent ne pas tre connects.
Les modes les plus reprsentatifs ont t tests.

6.1.2

Partie commande

La Fig. 6.3 montre une photo de la face avant du prototype. Le schma fonctionnel de linstallation est donn la Fig. 6.4. Le convertisseur est command par
une carte contenant un processeur de signal DSP et un circuit logique programmable FPGA. Le PC sert dinterface entre la carte de commande et lutilisateur. Il
permet la programmation du DSP et du FPGA, le tlchargement des programmes,
le contrle du systme, lacquisition et la visualisation des mesures provenant de

g ra n d e c e llu le
IG B T 1 2 0 0 V

D C -A C
IG B T 6 0 0 V

F IG . 6.1 : Schma des lments de la partie de puissance


A C -D C
m o y e n n e c e llu le

A C -D C
IG B T 6 0 0 V

p e tite c e llu le

A C -D C
p e tite c e llu le

p e tite c e llu le
M O S F E T 1 0 0 V

b u s d e p u is s a n c e , b o rn e s d e c o n n e x io n e t d e m e s u re s

m o y e n n e c e llu le

tra n s fo rm a te u r
m u lti-e n ro u le m e n t

D C -A C &
g ra n d e c e llu le

m o y e n n e c e llu le
IG B T 6 0 0 V

A C -D C
M O S F E T 1 0 0 V

6.1. Description du prototype

233

234

6. VALIDATION EXPRIMENTALE

F IG . 6.2 : Photo dun module de puissance comprenant 3 ponts en H et ses drivers

la carte de commande. La communication entre PC et carte de commande passe


via linterface srie RS232. La carte de commande excute tous les algorithmes
de rglages, de commande et de modulation qui sont partags entre le DSP et le
FPGA. Elle contrle le convertisseur travers une carte dinterface qui distribue
les signaux de commande vers les diffrents modules de puissance. En retour, les
signaux de mesure ncessaires au rglage du systme sont filtrs et mis en forme
par la carte dinterface.
6.1.2.1

PC

Le PC sert dinterface entre lutilisateur et le systme travers la carte de commande. Il permet la programmation du systme et son contrle par lintermdiaire
de lenvironnement de dveloppement. Lutilisateur communique ses instructions
au systme sous la forme de commandes :
acceleration 1
vitesse 10
DCDCvect

assigner 1 [1/s2 ] la consigne dacclration


acclrer de la vitesse actuelle la vitesse 10 [1/s]
activer les convertisseurs DC-DC et la commande vectorielle

6.1. Description du prototype

235

F IG . 6.3 : Face avant du convertisseur complet : on distingue quatre modules placs verticalement et les nappes de commande (une nappe par pont en H) partant de la carte de
commande.

6.1.2.2

Carte de commande

La carte de commande utilise est dveloppe et distribue par la socit CHS


engineering. Parmi les lment que nous utilisons, elle comprend un DSP dAnalog Device, un Sharc ADSP21262 cadenc 40 MHz, un circuit FPGA, une Spartan XCS40 de XILINX et 24 convertisseurs AD.
Programmes du DSP
Le DSP excute un ensemble de programmes crits en langage "C". Il excute
les instructions asynchrones transmises par lutilisateur travers le PC. Ces commandes peuvent changer la trajectoire de rfrence et le mode de fonctionnement
du convertisseur. Les paramtres caractrisant la rfrence sont :
son amplitude actuelle,
sa frquence actuelle,
sa frquence de consigne,

u tilis a te u r

c o m m a n d e s,
c o n s ig n e s

P C

R S 2 3 2

D S P

F P G A

c a rte D S P
c o m m a n d e

in te rfa c e
D S P
c o n v e rtis s e u r

m e su re s

m o d u le
p u is s a n c e
3 p o n ts H

m o d u le
p u is s a n c e
3 p o n ts H

m o d u le
p u is s a n c e
3 p o n ts H

c h a rg e

tra n s fo rm a te u r
H F m u ltie n ro u le m e n t

so u rc e

S y s t m e c o n tr le r

in te ra c tio n

n e rg ie

236
6. VALIDATION EXPRIMENTALE

F IG . 6.4 : Schma fonctionnel du prototype

6.1. Description du prototype

237

sa consigne dacclration.
Les modes de commande possibles pour londuleur multiniveau asymtrique sont :
1. commande avec modulation scalaire,
2. commande avec modulation scalaire optimise,
3. commande avec modulation vectorielle optimise,
4. commande avec quantification vectorielle, pour tester les configurations respectant la loi duniformit vectorielle large,
5. commande avec modulation vectorielle optimise et quilibrage.
Les modes de commande possibles pour le convertisseur DC-DC sont :
1. Pas dactivation du convertisseur DC-DC. Ce mode est appliqu en mme
temps que la modulation vectorielle optimise avec quilibrage (mode 4).
2. Commande du pont primaire seulement, les ponts secondaires fonctionnant
en redresseur. Dans ce mode, lquilibrage des tensions secondaires par
ajout dharmonique 3 est activ. Ce mode peut tre appliqu en mme temps
que la commande avec modulation scalaire optimise (mode 1).
3. Commande du pont primaire et des ponts secondaires. Le pont primaire
fonctionne phase fixe, les ponts secondaires ajustent le dphasage afin de
maintenir la tension des cellules en fonction de la charge.
A chaque priode dchantillonnage, en fonction du mode de fonctionnement, la
rfrence est traduite en niveaux moduler avec un rapport cyclique donn, avant
dtre traduite en tats de commande moduler avec le mme rapport cyclique.
Le code source permettant dappliquer les nouvelles grandeurs dtats au circuit
FPGA a lallure suivante :
// programmation des tats moduler
PWMetat(e1b,e1h,1) ;
PWMetat(e2b,e2h,2) ;
PWMetat(e3b,e3h,3) ;

// appliquer les tats e1b et e1h la phase 1


// appliquer les tats e2b et e2h la phase 2
// appliquer les tats e3b et e3h la phase 3

// programmation des rapports cycliques


PWMcons(urefs1, urefs2, urefs3) ;

// appliquer les rapports cycliques

Le DSP excute galement un programme de rglage du convertisseur DC-DC.


Les dphasages calculs par le rgulateur sont transmis de la manire suivante au
FPGA :

238

6. VALIDATION EXPRIMENTALE

// programmation des dphasages des convertisseurs AC-DC


PWMdephGHc( tension_prim, 0.5) ;
PWMdephIJc( tension_sec1, 0.5+phi1) ;
PWMdephKLc( tension_sec2, 0.5+phi2) ;
PWMdephMNc( tension_sec3, 0.5+phi3) ;

// angle rfrence DC-AC


// dphasage convertisseur 1
// dphasage convertisseur 2
// dphasage convertisseur 3

Modulateur multiniveau
Le modulateur multiniveau a t ralis partir du logiciel ddition FPGA de
Xilinx "Xilinx fundation". Le concept la base de son dveloppement repose sur
la constatation que les modulateurs multiniveaux et deux niveaux sont similaires.
Un modulateur multiniveau se conoit comme une gnralisation vectorielle du
modulateur deux niveaux. Il se construit laide dun modulateur deux niveaux et
dun multiplexeur. Le signal dterminant lequel des 2 niveaux est activ rentre sur
le multiplexeur et active successivement les 2 tats de commutation haut et bas qui
commutent les interrupteurs correspondant.
A chaque priode dchantillonnage, le modulateur reoit du DSP les tats de
commande moduler et les rapports cycliques de modulation. Un mcanisme de
synchronisation assure que les informations en provenance du DSP sont prises en
considration simultanment au bon moment. Les signaux de sortie du modulateur
vont aux interrupteurs travers la carte dinterface. La gnration des signaux
complmentaires des interrupteurs de chacune des cellules de commutation ainsi
que le temps dantichevauchement de ses interrupteurs est ralise au niveau des
modules de puissance par des circuits logiques et par le circuit de pilotage des
interrupteurs.
Modulateur DC-DC
Le modulateur DC-DC est ralis a partir des mmes outils que le modulateur
multiniveau. Il gnre un ensemble de signaux moduls dphass afin de permettre
la commande dcale des ponts en H.
Carte dinterface DSP
La carte dinterface (photo la Fig. 6.5) sert distribuer les signaux de commande sur les diffrents modules de puissance. Elle assure le dmarrage et larrt
synchronis de la commande des interrupteurs. Elle est conue pour permettre un
arrt (de scurit) contrl en aval du DSP. Elle permet finalement dacqurir, de
filtrer et de mettre en forme les grandeurs ncessaires au rglage (courants, tensions, etc.) pour quelles puissent tre chantillonnes correctement par les convertisseurs AD prsent sur la carte DSP.

6.1. Description du prototype

6.1.2.3

239

Carte micro-contrleur

Pour les premiers tests du convertisseur monophas, le convertisseur DC-DC


tait command par une carte micro-contrleur. Cette carte micro-contrleur
dveloppe pour soulager le DSP dune partie des traitements (photo Fig. 6.6) intgre un microcontrleur, de la mmoire RAM et FLASH, un circuit FPGA, des
convertisseurs AD et DA, les circuits dalimentations lui permettant de fonctionner
avec une seule source variant de 12 20 V, les circuits de filtrage et de mise en
forme des mesures et des connecteurs permettant de contrler les modules de puissance sans circuits additionnel. La rpartition des tches entre micro-contrleur et
FPGA ainsi que la programmation est la mme que pour la carte de commande
DSP. Le modulateur DC-DC employ est par ailleurs le mme.

F IG . 6.5 : Carte dinterface, effectuant lacquisition des courants, tensions et dirigeant les
signaux de commande vers les cartes de puissance

240

6. VALIDATION EXPRIMENTALE

F IG . 6.6 : Carte micro-contrleur Nec pour la commande des convertisseurs DC-DC

6.2. Mesures et vrifications

6.2
6.2.1

241

Mesures et vrifications
Onduleur monophas, 3 cellules alimentes par convertisseur DC-DC rversible : validation de la loi de modulation optimise

Les deux configurations testes sont :


1. la configuration (Ui , ni ) = {(1, 3), (2, 3), (4, 2)} dont le schma est reprsent la Fig. 6.7,
2. la configuration (Ui , ni ) = {(1, 3), (2, 3), (4, 2)} dont le schma est reprsent la Fig. 6.9.
Lalimentation des cellules moyenne et basse tensions est ralise laide dun
convertisseur DC-DC rversible unique avec transformateur multi-enroulement.
Le convertisseur DC-DC fonctionne en abaisseur pour la deuxime configuration,
car le transformateur multi-enroulement ne comporte que 8 enroulements identiques sur les 9 qui seraient ncessaires.
Les interrupteurs utiliss pour la cellule haute tension et pour le convertisseur
DC-AC primaire sont des IGBT 1200 V. Les cellules moyenne et basse tensions
ainsi que leurs convertisseurs AC-DC dalimentation sont quipes dIGBT 600 V.
Nous vrifions que la loi doptimisation (thorie au 4.2.4) permet de dcharger les cellules haute et moyenne tensions de la modulation frquence de pulsation apparente :
la cellule haute tension commute frquence fondamentale aux Fig. 6.8(c)
et 6.10(c),
la cellule moyenne tension commute frquence 6 fois plus leve, aux Fig.
6.8(b) et 6.8(b),
la modulation est supporte par la cellule basse tension, aux Fig. 6.8(a) et
6.8(a).

242

6. VALIDATION EXPRIMENTALE

c o n v e rtis s e u r
a s y m triq u e

tra n s fo
m u lti-e n ro u le m e n t

s e c o n d a ire
a lim e n ta tio n

p rim a ire
a lim e n ta tio n
F IG . 6.7 : Configuration monophase (Ui , ni ) = {(1, 3), (2, 3), (4, 2)}

243

6.2. Mesures et vrifications

(a) us,1

(b) us,2

(c) us,3

(d) us

F IG . 6.8 : Configuration (Ui , ni ) = {(1, 3), (2, 3), (4, 2)}, alimentation avec convertisseur DC-DC rversible. Fonctionnement pleine amplitude, 11 niveaux sont gnrs.

244

6. VALIDATION EXPRIMENTALE

c o n v e rtis s e u r
a s y m triq u e

tra n s fo
m u lti-e n ro u le m e n t

s e c o n d a ire
a lim e n ta tio n

p rim a ire
a lim e n ta tio n
F IG . 6.9 : Configuration monophase (Ui , ni ) = {(1, 3), (2, 3), (6, 2)}

245

6.2. Mesures et vrifications

(a) us,1

(b) us,2

(c) us,3

(d) us

F IG . 6.10 : Configuration (Ui , ni ) = {(1, 3), (2, 3), (6, 2)}, alimentation avec convertisseur DC-DC rversible. Fonctionnement pleine amplitude, 13 niveaux sont gnrs.

246

6.2.2

6. VALIDATION EXPRIMENTALE

Onduleur triphas, 2 cellules alimentes par redresseurs

Deux configurations sont testes tension rduite sur un moteur, elles sont
alimentes par des redresseurs, il sagit de :
1. la configuration (Ui , ni ) = {(1, 3), (2, 2)} dont le schma est reprsent
la Fig. 6.11,
2. la configuration (Ui , ni ) = {(1, 3), (3, 2)} dont le schma est reprsent
la Fig. 6.21.
La rfrence est un systme de trois tensions sinusodales dphases de 120 . A
composante homopolaire nulle, la cellule basse tension fonctionne en mode regnratif pour certaines gammes damplitudes. Dans ces gammes damplitudes,
lajout dune composante homopolaire de rang harmonique 3 des deux autres composantes permet dannuler la circulation moyenne de puissance. Le rglage de la
composante de compensation est effectu par un rgulateur PI des tensions intermdiaires. Lannulation de la puissance est assure en imposant une consigne de
tension proche de la tension vide.
6.2.2.1

Test de la configuration (Ui , ni ) = {(1, 3), (2, 2)} : vrification de


la loi de modulation optimise stricte

Cette structure, qui est illustre la Fig. 6.11, vrifie la loi de modulation
scalaire (2.33). Elle gnre 5 niveaux sur la tension de branche et 61 phaseurs
spatiaux (voir 2.2.3.2 et 2.2.4.2 pour la thorie). Pour une rfrence sinusodale
quilibre, nous distinguons plusieurs modes de fonctionnement illustrs aux Fig.
6.12 6.15 :
1. A petite amplitude, cas illustr la Fig. 6.12, lajout dune composante homopolaire constante permet que toute la puissance soit fournie par la cellule
basse tension.
2. Sur une partie des moyennes amplitudes, la puissance fournie par la cellule
haute tension est suprieure la puissance de la charge. La cellule basse
tension devrait alors rgnrer lorsque la composante homopolaire est nulle.
Lajout dune composante homopolaire dharmonique 3 permet dajuster la
puissance de la cellule haute tension celle de la charge, comme illustr
la Fig. 6.13. On voit bien quune tension de frquence suprieure est superpose au fondamental de la tension de branche la Fig. 6.13(a). Le courant
reste sinusodal la Fig. 6.13(c). Bien que le rglage de tension fonctionne
en moyenne, les tensions intermdiaires subissent une fluctuation importante
au cours dune priode.
3. Sur une partie des moyennes amplitudes et sur les grandes amplitudes, cas
illustrs la Fig. 6.14, la puissance fournie par la cellule haute tension est

6.2. Mesures et vrifications

247

lgrement infrieure la puissance de la charge. Mme composante homopolaire nulle, la cellule basse tension na pas besoin de rgnrer.
4. Pour atteindre les trs grandes amplitudes, de 100 % 115 %, cas illustr la
Fig. 6.15, il faut ajouter une composante homopolaire harmonique 3. Cette
composante est en opposition avec la composante permettant lquilibrage.

6 0 V

Nous vrifions que la loi de commande fonctionne bien et quil ny a jamais de


commutations simultanes rptes des deux cellules. Avec cette commande, deux
commutations simultanes ne se succdent jamais. La cellule haute tension fonctionne en mode fondamental, sauf lorsque la stratgie dquilibrage est applique
la Fig. 6.13. En effet dans ce cas, lamplitude de la tension de branche prsente une
forte composante harmonique 3. Les fluctuations de la rfrence qui en rsultent
ne peuvent tre suivies quavec laide de la cellule haute tension qui commute alors
6 fois par priode.

F IG . 6.11 : Schma de test de la configuration triphase (Ui , ni ) = {(1, 3), (2, 2)}
alimente par redresseurs

248

6. VALIDATION EXPRIMENTALE

100

100

50

50

50

50

100

100

(a) us
2

(b) us,1
100

1.5
1

50

0.5
0

0.5
1

50

1.5
2

100

(c) is

(d) us,2

F IG . 6.12 : Configuration (Ui , ni ) = {(1, 3), (2, 2)}, alimentation redresseurs. Foncref = 0.8 U1 = 40 %.
tionnement petite amplitude, U

249

6.2. Mesures et vrifications

100

100

50

50

50

50

100

100

(a) us
2

(b) us,1
100

1.5
1

50

0.5
0

0.5
1

50

1.5
2

100

(c) is

(d) us,2

F IG . 6.13 : Configuration (Ui , ni ) = {(1, 3), (2, 2)}, alimentation redresseurs. Foncref =
tionnement moyenne amplitude avec compensation de la puissance ngative, U
1.2 U1 = 60 %.

250

6. VALIDATION EXPRIMENTALE

100

100

50

50

50

50

100

100

(a) us
2

(b) us,1
100

1.5
1

50

0.5
0

0.5
1

50

1.5
2

100

(c) is

(d) us,2

F IG . 6.14 : Configuration (Ui , ni ) = {(1, 3), (2, 2)}, alimentation redresseurs. Foncref = 1.6 U1 = 80 %
tionnement amplitude moyenne, U

251

6.2. Mesures et vrifications

100

100

50

50

50

50

100

100

(e) us
2

(f) us,1
100

1.5
1

50

0.5
0

0.5
1

50

1.5
2

100

(g) is

(h) us,2

F IG . 6.15 : Configuration (Ui , ni ) = {(1, 3), (2, 2)}, alimentation redresseurs. Foncref = 2.2 U1 = 110 %.
tionnement pleine tension avec contrle vectoriel, U

252
6.2.2.2

6. VALIDATION EXPRIMENTALE

Test de la configuration (Ui , ni ) = {(1, 3), (3, 2)} : modulation de


la cellule haute tension

La configuration (Ui , ni ) = {(1, 3), (3, 2)} gnre 6 niveaux uniformes et


distincts. Elle respecte la loi duniformit scalaire 2.22, mais ne respecte pas la loi
de modulation scalaire (2.33), car la paire de niveaux (0.5, 0.5) ne peut pas tre
module sans effectuer de transitions de la cellule haute tension (voir 2.2.3.2 et
2.2.4.2 pour la thorie). Comme prcdemment, nous distinguons plusieurs modes
de fonctionnement illustrs aux Fig. 6.17 6.20 :
1. Grce lajout dune composante homopolaire constante, le problme des
transitions simultanes nintervient pas lors de la gnration des petites amplitudes, infrieures au pas de londuleur, cas illustr la Fig. 6.17.
2. Pour les amplitudes moyennes, lquilibrage des puissances par ajout dharmonique 3 aggrave le problme des commutations simultanes, en diminuant le signal de telle sorte que la rpartition des niveaux dans ces 2 bandes
augmente, comme illustr aux Fig. 6.18 et 6.19.
3. Le problme des commutations simultanes est faible pour les grandes amplitudes, comme illustr la Fig. 6.20.
Ces mesures mettent en vidence le problme des commutations simultanes de
certaines configurations. Il est possible dalimenter les cellules basse tension de
cette configuration laide de redresseurs, cela conduit cependant une frquence
de pulsation trs leve pour la cellule haute tension.

253

8 0 V

6.2. Mesures et vrifications

F IG . 6.16 : Schma de test de la configuration triphase (Ui , ni ) = {(1, 3), (2, 2)}
alimente par redresseurs

254

6. VALIDATION EXPRIMENTALE

100

100

50

50

50

50

100

100

(a) us
2

(b) us,1
100

1.5
1

50

0.5
0

0.5
1

50

1.5
2

100

(c) is

(d) us,2

F IG . 6.17 : Configuration (Ui , ni ) = {(1, 3), (3, 2)}, alimentation redresseurs. Foncref = 0.5U1 = 20 %.
tionnement petite amplitude U
100

100

50

50

50

50

100

100

(e) us
2

(f) us,1
100

1.5
1

50

0.5
0

0.5
1

50

1.5
2

100

(g) is

(h) us,2

F IG . 6.18 : Configuration (Ui , ni ) = {(1, 3), (3, 2)}, alimentation redresseurs. Foncref = 1.00 U1 = 40 %.
tionnement avec compensation de puissance U

255

6.2. Mesures et vrifications

100

100

50

50

50

50

100

100

(a) us
2

(b) us,1
100

1.5
1

50

0.5
0

0.5
1

50

1.5
2

100

(c) is

(d) us,2

F IG . 6.19 : Configuration (Ui , ni ) = {(1, 3), (3, 2)}, alimentation redresseurs. Foncref = 1.75 U1 = 70 %.
tionnement avec compensation de puissance U
100

100

50

50

50

50

100

100

(a) us
2

(b us,1
100

1.5
1

50

0.5
0

0.5
1

50

1.5
2

100

(c) is

(d) us,2

F IG . 6.20 : Configuration (Ui , ni ) = {(1, 3), (3, 2)}, alimentation redresseurs. Foncref = 2.5 U1 = 100 %.
tionnement pleine amplitude U

256

6.2.3

6. VALIDATION EXPRIMENTALE

Onduleur triphas, 2 cellules alimentes par convertisseur DC-DC rversible

Les cellules basse tension des configurations testes sont alimentes par des
convertisseurs DC-DC rversibles. Il sagit de :
1. la configuration (Ui , ni ) = {(1, 3), (3, 2)} dont le schma est dessin la
Fig. 6.21,
2. la configuration (Ui , ni ) = {(1, 3), (4, 2)} dont le schma est dessin la
Fig. 6.29.
Les puissances des convertisseurs DC-DC sont rgles par lintermdiaire du dphasage des ondes fondamentales des cellules du convertisseurs DC-DC. Le dphasage du convertisseur DC-AC primaire est fixe. Les dphasages de chacun des
convertisseurs AC-DC secondaires sont ajusts indpendamment laide de rgulateurs PI, de manire maintenir chacune des tensions intermdiaires sa valeur
de consigne.
6.2.3.1

Test de la configuration (Ui , ni ) = {(1, 3), (3, 2)} : perturbations


lies aux commutations simultanes

Nous visualisons les impulsions parasites, provoques par le dcalage des commutations des cellules haute et basse tensions, sur une priode complte la Fig.
6.22 et lchelle de la priode de pulsation, la Fig. 6.23. Les perturbations sont
bien visibles sur la tension de branche autour de 5 et 15 ms.

6.2. Mesures et vrifications

257

F IG . 6.21 : Schma de test de la configuration triphase (Ui , ni ) = {(1, 3), (3, 2)}
alimente par convertisseur DC-DC rversible

258

6. VALIDATION EXPRIMENTALE

100

100

50

50

50

50

100
0

10
t [ms]

15

20

100
0

(a) us

10
t [ms]

15

20

15

20

(b) us,1

100

50

50

2
0

10
t [ms]

15

20

100
0

(c) is

10
t [ms]

(d) us,2

F IG . 6.22 : Configuration (Ui , ni ) = {(1, 3), (3, 2)}, contrle scalaire sans optimisation,
alimentation avec convertisseur DC-DC rversible. Fonctionnement moyenne amplitude
ref = 1.6 U1 = 70 %. Zoom la Fig. 6.23.
U
100

100

50

50

50

50

100
0

10

20
t [s]

30

40

100
0

10

(a) us

30

40

30

40

(b) us,1

100

50

50

2
0

20
t [s]

10

20
t [s]

(c) is

30

40

100
0

10

20
t [s]

(d) us,2

F IG . 6.23 : Configuration (Ui , ni ) = {(1, 3), (3, 2)}, contrle scalaire sans optimisation,
alimentation avec convertisseur DC-DC rversible. Fonctionnement moyenne amplitude
ref = 1.6 U1 = 70 %. Zoom sur une des commutations de la Fig. 6.22.
U

6.2. Mesures et vrifications

6.2.3.2

259

Test de la configuration (Ui , ni ) = {(1, 3), (3, 2)}, stratgie vectorielle de suppression des commutations simultanes

La configuration (Ui , ni ) = {(1, 3), (3, 2)} respecte la loi de modulation


vectorielle 2.41 (voir 2.2.3.2 et 2.2.4.2 pour la thorie). Nous pouvons vrifier
le bon fonctionnement de la stratgie de minimisation des commutations qui empche la modulation de la cellule haute tension sur lensemble de la gamme damplitude aux Fig. 6.25 6.28. Nous vrifions galement que la tension compose est
bien sinusodale la Fig. 6.24.
200

200

150

150

100

100

50

50

50

50

100

100

150

150

200

200

ref = 40 %
(a) U

ref = 60 %
(b) U

200

200

150

150

100

100

50

50

50

50

100

100

150

150

200

200

ref = 80 %
(c) U

ref = 90 %
(d) U

200

200

150

150

100

100

50

50

50

50

100

100

150

150

200

200

ref = 100 %
(e) U

ref = 110 %
(f) U

F IG . 6.24 : Configuration (Ui , ni ) = {(1, 3), (3, 2)}, alimentation avec convertisseur
DC-DC rversible. Tension compose.

260

6. VALIDATION EXPRIMENTALE

100

100

50

50

50

50

100

100

(a) us
2

(b) us,1
100

1.5
1

50

0.5
0

0.5
1

50

1.5
2

100

(c) is

(d) us,2

F IG . 6.25 : Configuration (Ui , ni ) = {(1, 3), (3, 2)}, alimentation avec convertisseur
ref = 1.0 U1 = 40 %.
DC-DC rversible. Fonctionnement petite amplitude U
100

100

50

50

50

50

100

100

(a) us
2

(b) us,1
100

1.5
1

50

0.5
0

0.5
1

50

1.5
2

100

(c) is

(d) us,2

F IG . 6.26 : Configuration (Ui , ni ) = {(1, 3), (3, 2)}, alimentation avec convertisseur
ref =
DC-DC rversible. Fonctionnement amplitude moyenne, puissance ngative U
1.5U1 = 60 %.

6.2. Mesures et vrifications

100

100

50

50

50

50

100

261

100

(a) Us
2

(b) Us,1
100

1.5
1

50

0.5
0

0.5
1

50

1.5
2

100

(c) is

(d) Us,2

F IG . 6.27 : Configuration (Ui , ni ) = {(1, 3), (3, 2)}, alimentation avec convertisseur
ref = 2.5 U1 = 100 %.
DC-DC rversible. Fonctionnement amplitude leve U
100

100

50

50

50

50

100

100

(a) Us
2

(b) Us,1
100

1.5
1

50

0.5
0

0.5
1

50

1.5
2

100

(c) is

(d) Us,2

F IG . 6.28 : Configuration (Ui , ni ) = {(1, 3), (3, 2)}, alimentation avec convertisseur
ref = 2.75 U1 = 110 %.
DC-DC rversible. Fonctionnement pleine amplitude U

262
6.2.3.3

6. VALIDATION EXPRIMENTALE

Test de la configuration (Ui , ni ) = {(1, 3), (4, 2)} : validation de la


loi duniformit vectorielle

La configuration (Ui , ni ) = {(1, 3), (4, 2)} respecte la loi duniformit vectorielle (2.2.3.3) (voir 2.2.3.2 et 2.2.4.2 pour la thorie). A la Fig. 6.31, nous
comparons la tension de branche des configurations (Ui , ni ) = {(1, 3), (3, 2)}
et (Ui , ni ) = {(1, 3), (4, 2)}. La premire prsente 6 niveaux distincts qui sont
peu prs uniformes, tandis que la seconde prsente un pas double au centre. A
la Fig. 6.32(b), nous vrifions que la deuxime configuration teste prsente 2 pas
supplmentaires au niveau de la tension compose. Cela permet de gnrer un courant avec un peu plus de finesse la Fig. 6.32(d). A la Fig. 6.30, lapplication dune
rfrence spirale nous permet de visualiser les 121 phaseurs spatiaux distincts sont
obtenus (soit 30 de plus quavec la configuration (Ui , ni ) = {(1, 3), (3, 2)}).

F IG . 6.29 : Schma de test de la configuration triphase (Ui , ni ) = {(1, 3), (4, 2)}
alimente par convertisseur DC-DC rversible

263

6.2. Mesures et vrifications

100

50

50

100
100

50

50

100

F IG . 6.30 : Phaseurs spatiaux gnrs par la configuration (Ui , ni ) = {(1, 3), (4, 2)}

60

60

40

40

20

20

20

20

40

40

60

60

(a) (Ui , ni ) = {(1, 3), (3, 2)}

(b) (Ui , ni ) = {(1, 3), (4, 2)}

F IG . 6.31 : Tension de branche us lors du fonctionnement pleine amplitude,


ref = 110 %.
U

264

6. VALIDATION EXPRIMENTALE

5
4
3
2
1
0
1
2
3
4
5

6
5
4
3
2
1
0
1
2
3
4
5
6

(a) us,12 : 11 niveaux

(b) us,12 : 13 niveaux

1.5

1.5

0.5

0.5

0.5

0.5

1.5

1.5
2

(c) is

(d) is

F IG . 6.32 : Tensions composes et courants lors du fonctionnement pleine amplitude,


ref = 110 %. (a) et (c) : configuration (Ui , ni ) = {(1, 3), (3, 2)} ; (b) et (d) configuraU
tion (Ui , ni ) = {(1, 3), (4, 2)}.

6.3. Comparaison de structures

6.3

265

Comparaison de structures : mesures de rsolution, de rendement et de tension atteignable

Nous comparons la configuration (Ui , ni ) = {(100, 3), (300, 2)} dont le


schma est reprsent la Fig. 6.33, avec la configuration (Ui , ni ) = {(75, 3),
(75, 3), (300, 2)} dont le schma est reprsent la Fig. 6.34. Le module convertisseur AC-DC dalimentation de la petite cellule de la premire configuration
est utilis comme cellule additionnelle permettant damliorer la rsolution de la
deuxime configuration. La cellule basse tension de la premire configuration est
alimente par un convertisseur DC-DC rversible tandis celles de la seconde ne le
sont pas. Lide est de dterminer comment utiliser le mieux possible un ensemble
de semi-conducteur donn. Le transformateur multi-enroulement et le convertisseur DC-AC ne sont pas utiliss pour la deuxime configuration qui utilise ainsi
un peu moins de matriel. Le prototype ne permet pas le test dune configuration
avec quatre cellules en srie, par ailleurs le convertisseur rsultant utiliserait mal
les petites cellules ce qui occasionnerait dimportantes pertes par conduction. Pour
tester les deux convertisseurs avec des conditions similaires, les deux configurations vrifient la loi de modulation vectorielle optimise pour la premire et la loi
de modulation vectorielle optimise avec quilibrage pour la seconde.

6.3.1

Convertisseur avec alimentation complte

6.3.1.1

Adaptation du mode de fonctionnement du convertisseur DC-DC

Lors des premires mesures, le rendement du convertisseur DC-DC se dgradait considrablement lorsque la tension de service augmentait.
Pour illustrer le problme observ, nous mesurons les grandeurs du convertisseur DC-DC lorsque lamplitude en sortie de londuleur est de 80 %. La puissance
fournie la charge rsistive est de 5 kW, elle est presque entirement dlivre par
la cellule haute tension1 . Bien que la puissance ncessaire aux petites cellules soit
presque nulle pour ce point de fonctionnement, on peut vrifier la Fig. 6.35(e)
que les cellules du convertisseur DC-DC dlivre une puissance ractive trs leve : la puissance moyenne dlivre la petite cellule nest que de quelques watts,
mais la puissance instantane qui circule est de plusieurs kW. Cela cause des pertes
(principalement par conduction) trs importantes.
Ce problme est li au type de convertisseur DC-DC employ et lutilisation
que nous en faisons. Lorsque le rapport des tensions continues, qui interagissent,
nest pas gal au rapport des nombres de spires du transformateur, un courant ractif proportionnel la diffrence des tensions circule dans linductance de fuite du
1 voir la rpartition thorique de la configuration (U , n )
i
i

= {(1, 3), (3, 2)}, en p. 175 au 5.1.2.

266

6. VALIDATION EXPRIMENTALE

3 0 0 V

transformateur. Ainsi, le courant ractif lev est en grande partie caus par les imperfections de bobinage du transformateur dont chaque enroulement comporte ici
10 spires. Les rapports de transformation tant imparfaits, les rapports de tension
ne sont pas tout fait corrects. Conjugue avec une inductance de fuite relativement faible, une petite erreur de bobinage cause une puissance ractive importante.
Nous avons fortement attnu ce phnomne en renonant au terme intgrateur du rgulateur de tension qui annulait lerreur permanente. Ainsi en ayant des
rapports de tension un tout petit peu moins prcis, le rendement du convertisseur
DC-DC a t amlior de faon consquente. Pour le point de fonctionnement prcdent, le rendement du convertisseur complet est pass de moins de 88 % plus
de 94 % en appliquant cette solution.

F IG . 6.33 : Schma de la configuration compltement alimente


(Ui , ni ) = {(1, 3), (3, 2)}

267

3 0 0 V

6.3. Comparaison de structures

F IG . 6.34 : Schma de la configuration partiellement alimente


(Ui , ni ) = {(1, 3), (1, 3), (4, 2)}

La tension applique aux bornes du transformateur est rectangulaire deux niveaux. Une autre solution un peu moins directe mettre en oeuvre, consiste adapter la forme donde de ces tensions laide du niveau zro, de manire ce que
les amplitudes correspondent. Ce principe a galement t test mais lalgorithme
permettant dajuster automatiquement les formes donde au point de fonctionnement na pas t mis en oeuvre. Ce mode de fonctionnement permet galement de
rduire la magntisation du transformateur, voire de passer la conduction intermittente lorsque le convertisseur fonctionne charge partielle. Cela peut rduire
les pertes dans le transformateur et les pertes par commutation du convertisseur
DC-DC.

268

6. VALIDATION EXPRIMENTALE

6.3.1.2

Test du convertisseur pleine amplitude

Aux Fig. 6.36(a)-(e), nous reportons les oscillogrammes des formes dondes
gnres par le convertisseur pendant la mesure de rendement pour une amplitude
de 100 %. A pleine amplitude, la tension compose prsente 11 niveaux la Fig.
6.36(a), la tension de branche 6 la Fig. 6.36(b). La cellule haute tension commute
frquence fondamentale la Fig. 6.36(c), la cellule basse tension la frquence
de pulsation la la Fig. 6.36(d).

20

500
400
300
200
100
0
100
200
300
400
500
0

20

500
400
300
200
100
0
100
200
300
400
500
0

u [V]

u12 [V]

500
400
300
200
100
0
100
200
300
400
500
0

10
t [ms]

15

(a) tension compose

15

20

us,1 [V]
5

10
t [ms]

15

(c) grande cellule

10
t [ms]

15

20

150

200

(d) petite cellule


0

10

20
I2,[dB]

5
i [A]

10
t [ms]

(b) tension de branche

us,3 [V]

500
400
300
200
100
0
100
200
300
400
500
0

40

60

10
0

10
t [ms]

(e) courant

15

20

80
0

50

100

(f) spectre du courant

F IG . 6.36 : Configuration alimente (Ui , ni ) = {(100, 3), (300, 2)}

269

6.3. Comparaison de structures

6.3.2

Convertisseur avec alimentation partielle

6.3.2.1

Ajout de condensateurs lintermdiaire

Nous avons ajout trois condensateurs en parallle dun des modules AC-DC
pour augmenter la capacit intermdiaire et rduire les fluctuations de tension
dalimentation pendant la mesure de rendement.
6.3.2.2

Test du convertisseur pleine amplitude

Les oscillogrammes des formes dondes gnres par le convertisseur partiellement alimentat sont reportes la Fig. 6.37. La tension compose prsente 9 niveaux la Fig. 6.37(a) ; la tension de la grande cellule commute 6 fois par priode
pour assurer lquilibrage la Fig. 6.37(b) ; la Fig. 6.37(c), le courant prsente
une lgre distorsion due aux imperfections de lquilibrage.
300

300

200

200

100

100

100

100

200

200

300
0

10

20

t [ms]

30

40

50

300
0

(a) tension compose

10

20

t [ms]

30

40

50

(b) grande cellule

5
0

I2,[dB]

20

40

60

5
0

10

20

t [ms]

30

(c) courant

40

50

80
0

50

100

150

200

(d) spectre du courant

F IG . 6.37 : Configuration partiellement alimente (Ui , ni ) = {(75, 3), (75, 3), (300, 2)}

270

6. VALIDATION EXPRIMENTALE

6.3.3

Comparaison des performances

6.3.3.1

Qualit des signaux gnrs

Avec un terme intgrateur chacun des rgulateurs de tensions intermdiaires,


pour une amplitude partielle de 80 %, la tension compose illustre la Fig. 6.35(a)
prsente 9 niveaux et un taux de distorsion harmonique de 17 %. Le courant de la
Fig. 6.35(b) prsente un taux de distorsion harmonique de 1.6 %.
Sans terme intgrateur, pour la pleine amplitude de 100 %, la tension compose
de la Fig. 6.36(a) prsente 11 niveaux et un taux de distorsion harmonique de 13 %.
Le courant de la Fig. 6.36(e) dont le spectre frquentiel est reprsent la Fig.
6.36(f) prsente un taux de distorsion harmonique de 2.6 %.
Conformment la thorie, les taux de distorsion harmonique de la tension
compose sont approximativement dans le rapport du nombre de paires de niveaux
adjacents, cest dire proportionnels n 1. En revanche, le taux de distorsion
harmonique du courant est plus faible pour le point de fonctionnement dlivrant
moins de niveaux. Il faut observer que le courant mesur tait double pour la mesure avec terme intgrateur. Cela pourrait laisser croire que la diffrence entre les
taux de distorsion harmonique du courant provient de londulation de courant qui
est plus faible en grandeur relative dans ce cas. Une analyse des spectres rvle cependant que la diffrence de distorsion prsente surtout des composantes basse
frquence la Fig. 6.38. Cela indique quune partie de la distorsion supplmentaire est introduite par le dplacement des niveaux de londuleur : le rapport des
pas prsente une erreur et le pas rsultant nest pas uniforme, ce qui introduit des
dformations de lenveloppe du signal.
Avec la configuration partiellement alimente, le dplacement des niveaux est
encore plus marqu. Le taux de distorsion harmonique du courant, illustr la
Fig. 6.37(c), dont le spectre est reprsent la Fig. 6.37(d) grimpe 6.6 %. Le
taux de distorsion harmonique de la tension compose de la Fig. 6.37(a) est de
20 %. Comme prcdemment, la distorsion harmonique prsente surtout des composantes basses frquences provoques par le dcalage des niveaux. Pour cette
raison, les diffrences entre les taux de distorsion harmonique sont marques au
niveau des courants mais pas au niveau des tensions.
Ces rsultats confirment que le nombre de niveaux nest pas le seul indicateur
de qualit de la tension gnre par le convertisseur. La stabilit des niveaux est
galement un lment dterminant. Conformment aux rsultats du chapitre 3, ils
confirment galement que le taux de distorsion harmonique est une mesure souvent
insuffisante qui ne permet pas de dterminer la qualit du courant.

271

6.3. Comparaison de structures

La fluctuation des tensions intermdiaires de la configuration partiellement alimente peut tre rduite, dune part en augmentant la frquence de commutation
de la cellule haute tension, dautre part en optimisant lalgorithme de rglage : il
y a des possibilits damlioration de lalgorithme de compensation des dsquilibres entre phases.
Leffet de la fluctuation des niveaux peut partiellement tre compens par rtroaction de la mesure des tensions sur les grandeurs caractrisant la trame applique.
Cela rend la commande plus complexe et certaines valeurs de rfrence ne peuvent
pas tre atteintes sans modulation de la cellule haute tension.
Les diffrences de qualit de signaux entre la configuration alimente et la
configuration partiellement alimente pourrait tre rduites en appliquant ces modifications.
6.3.3.2

Mesure des rendements

Le schma de mesure est report la Fig. 6.39. Un wattmtre monophas ct


continu permet de mesurer la puissance en entre du systme. Un wattmtre triphas ct alternatif permet de mesurer la puissance dlivre la charge. Des inductances de lissage sont places entre le convertisseur et la charge pour rduire
la pulsation de tension qui pourrait dgrader sans cela la qualit de la mesure de
rendement.
L

lis s a g e

U
e

P
e

c o n v e rtis s e u r
D C -A C
m u ltin iv e a u
m e su re r
A

V
s

V
A

c h a rg e

F IG . 6.39 : Schma de mesure du rendement

Les mesures de rendement sont illustres la Fig. 6.40. A amplitude gale, le


convertisseur sans alimentation prsente un meilleur rendement sur presque toute
sa gamme de fonctionnement. Le convertisseur aliment permet cependant datteindre un rendement plus lev ds que le convertisseur DC-DC ne fournit plus
lintgralit de la puissance (vers 120 V) et surtout dans la gamme des tensions
plus leves qui ne sont pas accessibles par le convertisseur alimentation partielle (au del de 150 V).

272

6. VALIDATION EXPRIMENTALE

Le fait dutiliser du semi-conducteur additionnel en srie qui ne contribue pas


la tension de sortie pnalise considrablement le rendement du convertisseur. Ce
rsultat tranche plutt en faveur de la configuration alimente.
Il faut toutefois observer quil dpend fortement de la configuration mesure.
La cellule haute tension de du prototype est la plus simple qui puisse tre employe. Cela implique que le rapport des puissances des cellules est le plus petit
qui soit : 1.5 pour les cellules de la configuration alimente, 1 pour celles de la
configuration partiellement alimente. Ce rapport augmente lorsque le nombre de
niveaux de la cellule haute tension augmente, ce qui fait diminuer la perte damplitude de la configuration pas alimente et permet damliorer son rendement relativement la configuration alimente. Lcart peut donc tre rduit, voire sinverser
si une cellule haute tension plus complexe est choisie. Un tel choix nest cependant judicieux que si la tension de service augmente, car la tension de service de la
cellule haute tension fixe celle du convertisseur complet. Le choix dune structure
complexe pour un convertisseur basse tension conduit des pertes par conduction
leves.
Nous pouvons galement attendre une amlioration du rendement de la configuration alimente. Une voie consiste amliorer le rendement du convertisseur
DC-DC, pour lequel les recherches et optimisations nont pas t pousses. Une
autre voie consiste mettre en place une stratgie dquilibrage des puissances
afin de rduire au minimum la part prise en charge par le convertisseur DC-DC.
Dans ce cas, il faudra vraisemblablement opter pour un compromis entre qualit
des signaux et rendement, loptimum du rendement amplitude rduite consistant
dsactiver le convertisseur DC-DC.
Les pertes par conduction sont prpondrantes pour le prototype, principalement parce quil emploie des composants de tensions rduites (100 V,600 V et
1200 V). La prdominance de ces pertes est encore accentue par le fait que la
plupart des interrupteurs ne sont pas employs leur pleine capacit en tension.
Les phnomnes lis la possible amlioration du rendement par hybridation dun
interrupteur performant en conduction avec un autre performant en commutation
ne ressortent pas. La motivation de raliser un onduleur multiniveau dont la tension de service est de lordre de celle du prototype sera lie soit lobtention dune
rsolution leve, soit au choix dune frquence de pulsation trs leve (plusieurs
dizaines de kHz).

273

6.3. Comparaison de structures

200

10
i [A]

20

u12 [V]

400

10

200

400
0

10
t [ms]

15

20

20
0

(a) tension compose

10
t [ms]

15

20

150

200

(b) courant
20

400

15
10
idc,1 [A]

udc,1 [V]

200

5
0
5

200

10
400
0

50

100
t [ms]

150

200

15
0

(c) tension primaire DC-DC


5
4
3
2
1
0
1
2
3
4
5
0

50

100
t [ms]

(d) courant primaire DC-DC


20
15

idc,2 [A]

Pdc,1 [kW]

10
5
0
5
10

50

100
t [ms]

150

200

15
0

(e) puissance primaire DC-DC

50

100
t [ms]

150

200

(f) courant secondaire DC-DC

F IG . 6.35 : Mesure de toutes les grandeurs du convertisseur pour la configuration


(Ui , ni ) = {(100, 3), (300, 2)}, us = 80 %, Ps = 5 kW

20

20
I2,[dB]

I2,[dB]

40

40

60

80
0

60

50

100

150

(a) avec rgulateur P

200

80
0

50

100

150

200

(b) avec rgulateur PI

F IG . 6.38 : Spectres des courants en fonction du type de rgulateur de tension intermdiaire

274

6. VALIDATION EXPRIMENTALE

2.5

Pe {(100,3),(300,2)}
Ps

P [kW]

P [kW]

1.5

3
2

0.5

0
0

Pe {(75,3),(75,3),(300,2)}
Ps

50

100

150
200
ref [V]

250

300

0
0

(a) puissance avec DC-DC

20

40

60
80
ref [V]

100

120

(b) puissance sans DC-DC

1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0

{(75,3),(75,3),(300,2)}
{(100,3),(300,2)}
50

100

150
200
ref [V]

250

300

(c) rendements

F IG . 6.40 : (a) Puissance du convertisseur aliment ; (b) Puissance du convertisseur partiellement aliment ; (c) Rendements des convertisseurs sur une charge rsistive : convertisseur
aliment (), convertisseur partiellement aliment ().

Conclusions

Le travail expos dans le prsent mmoire a consist dfinir des classes dassociation de cellules, chacune tant un onduleur (de complexit plus simple que
lensemble), lensemble formant un convertisseur multiniveau asymtrique. Les
classes dassociation correspondent aux proprits importantes qui permettent de
concevoir un convertisseur multiniveau asymtrique prsentant une bonne rsolution et un bon rendement avec une structure aussi simple que possible. Les
proprits permettant de caractriser ces performances sont luniformit du pas,
la possibilit de faire de la modulation optimise du point de vue des pertes par
commutation, la possibilit dquilibrer le bilan de puissance de certaines cellules.
Les classes sont dfinies sous forme de relations algbriques et de critres gomtriques. Elles constituent une aide au choix et au dimensionnement du convertisseur appropri une application donne. Ce choix effectu, les mthodes de
commandes et de modulation appropries ont t dveloppes ou compltes.
Cette tude systmatique constitue la principale contribution. Nous allons passer en revue ces diffrents thmes qui fournissent les lments permettant de choisir et de concevoir un onduleur multiniveau asymtrique.
Les principales topologies donduleurs multiniveaux ont t tudies au chapitre 1. Toutes ces structures commutent une tension de pas qui est une fraction
de la tension de service. Cela leur permet davoir des pertes par commutation rduites et cela situe leur utilisation au niveau des applications moyennes et hautes
tensions, moyennes et hautes frquences de pulsation. Les proprits intrinsques
de ces structures les rendent performantes en commutation. Au contraire, les onduleurs multiniveaux asymtriques se distinguent par les paramtres technologiques
des interrupteurs les composant. Les interrupteurs haute tension provoquent moins
de pertes par conduction, tandis que les interrupteurs basse tension sont plus rapides. Lhybridation de cellules composes dinterrupteurs de calibres en courant

276

C ONCLUSIONS

similaires mais de calibres en tension diffrents permet de raliser un convertisseur


qui prsente moins de pertes par conduction quun autre onduleur multiniveau, tout
en prsentant de plus faibles pertes par commutation. La frquence de pulsation et
la tension de service partir de laquelle une structure multiniveau est plus intressante en sont abaisses. Lhybridation dinterrupteurs de calibres en tension
diffrents conduit aux applications moyennes tensions frquences de pulsation
moyennes et hautes.
Les performances des convertisseurs multiniveaux asymtriques en termes de
rsolution ont t tudies au chapitre 2. La finesse de londuleur est inversement
proportionnelle la distance sparant deux de ses niveaux successifs. La loi duniformit du pas dfinit la classe des onduleurs possdant la mme finesse sur lensemble de leur amplitude. Les onduleurs ainsi dfinis sont caractriss par les pas
et nombres de niveaux des cellules les composant.
Les pertes par commutation des interrupteurs haute tension tant plus leves,
londuleur prsente de meilleures performances lorsque ses cellules haute tension
commutent moins que ses cellules basse tension. La loi de modulation optimise dfinit la classe des onduleurs capables de moduler nimporte quelle paire
de niveaux adjacents en ne commutant que les cellules de plus basse tension. La
frquence de pulsation des cellules basse tension est alors directement lie la
frquence de pulsation apparente du convertisseur, tandis que la frquence de pulsation des cellules haute tension nest lie qu la forme donde du signal de rfrence. Cette nouvelle classe est incluse dans la prcdente.
La loi duniformit vectorielle (des onduleurs triphass sans neutre reli) dfinit une classe plus large que la loi duniformit scalaire. De mme, la loi vectorielle
de modulation optimise dfinit une classe plus large que la loi scalaire de modulation optimise. Les configurations possibles donduleurs triphass sans neutre sont
plus nombreuses que celles donduleurs monophass.
Les aspects lis la gnration du signal de sortie partir des niveaux disponibles, cest dire la modulation, ont t traits au chapitre 3. La modulation ntant pas lie la topologie, ces rsultats sont applicables tous les onduleurs multiniveaux. Les principaux modulateurs multiniveaux sont caractriss par
lagencement de leurs porteuses et par leur mode dchantillonnage. Lorsquil est
effectu par les porteuses, lchantillonnage est non-linaire et une composante
continue et des harmoniques de rangs faibles peuvent apparatre. Cela conduit
une distorsion importante du courant dans les charges inductives. Les modulateurs discrets dont lchantillonnage est linaire nont pas ces dfauts. Ils sont trs
performants et plus adapts, surtout lorsque la rfrence nest pas dtermine
lavance. La manire dont les transitions entre paires de niveaux sont effectues

C ONCLUSIONS

277

nest cependant pas optimale. Le modulateur trames orientes (MTO) permet


doptimiser les transitions entre paires de niveaux, ce qui permet de rduire la
distorsion et le nombre de transitions du signal modul. Ce modulateur est particulirement adapt aux applications monophases. Pour les applications triphases,
il est moins performant que le modulateur discret porteuses en phase.
Lvaluation des performances des modulateurs sur un large domaine de fonctionnement (amplitude, frquence et forme de la rfrence) est pratiquement impossible avec les mthodes traditionnelles. Le nombre de points requis est considrable en passant par un modle de simulation (par exemple avec un logiciel tel que
Simplorer). Lanalyse par double-srie de Fourier ncessite un modle par forme
de rfrence et par modulateur. Elle est inapplicable si le modulateur na pas de
modle gomtrique. Lanalyse par dcomposition du signal modul en trames
lmentaires permet dviter ces obstacles. Elle permet dobtenir rapidement et
prcisment, exactement pour les modulateurs discrets, les harmoniques de tout
modulateur pouvant tre dcrit sous forme dalgorithme.
Les mthodes de commande ont t dveloppes au chapitre 4. Contrairement
la modulation, la commande est ddie une topologie particulire, puisquelle
associe le signal modul aux signaux de commande des interrupteurs composant
le convertisseur. Cette association est directe lorsque londuleur na pas de niveaux
redondants. Lorsque londuleur permet la modulation optimise, la reprsentation
dtat des niveaux peut tre directement associe une machine dtat permettant de commuter londuleur de manire optimale (du point de vue de ses pertes
par commutation). La commutation des cellules des configurations vectorielles est
plus facilement effectue par une mesure de distance, qui dtermine lorsquune
commutation des cellules de tension plus leves est ncessaire pour atteindre la
rfrence.
Les problmes lis lalimentation des cellules de londuleur ont t traits au
chapitre 5. La ncessit dalimenter les cellules, par des sources isoles les unes
des autres, rend ncessaire lutilisation de convertisseurs dalimentation passant
par des transformateurs, ce qui diminue le rendement. En outre, la circulation de
puissance qui nat au coeur mme du convertisseur complet, pour certains points de
fonctionnement, dgrade davantage le rendement. Elle rend ncessaire lutilisation
de convertisseurs rversibles, pour alimenter certaines cellules, mme lorsque le
convertisseur complet ne fonctionne que comme gnrateur.
Le rendement des structures dont la cellule haute tension est directement alimente partir de ltage intermdiaire continu prsente des pertes nettement plus
faibles. La fraction de la puissance dlivre par les petites cellules de ces structures
transite par de multiples tages de conversion, mais la majeure partie de la puis-

278

C ONCLUSIONS

sance passe par un seul tage. Lemploi dun convertisseur DC-DC unique avec
transformateur multi-enroulement permet de rduire le nombre dtages de conversion dune partie de la puissance des petites cellules. La circulation de puissance
est boucle au niveau du noyau magntique du transformateur, au lieu de passer
par ltage intermdiaire continu. Le convertisseur DC-AC primaire ne fournit que
le bilan de puissance, ce qui permet de rduire sensiblement ses dimensions et
ses pertes. Le choix de la frquence de conversion est compliqu par le fait que
les niveaux de tension sont diffrents au primaire et au secondaire du transformateur. Cela contraint demployer des semi-conducteurs dont la caractristique en
commutation est diffrente. Ladoption dun convertisseur DC-AC multiniveau au
primaire du transformateur permet demployer des modules identiques au primaire
et au secondaire.
Un moyen radical pour rduire les pertes des convertisseurs dalimentation (des
cellules basse tension) consiste les remplacer par des lments stockeurs (capacitifs). Ds lors, il est ncessaire de contrler les flux dnergie, de manire annuler
la puissance moyenne soutire des cellules non-alimentes. Les classes dassociations tablies au chapitre 2 ne sont plus valables lorsquune stratgie dquilibrage
est applique :
la loi duniformit et dquilibrage dfinit la classe des onduleurs capables
de gnrer une sortie pas uniformes lorsquune stratgie dquilibrage des
puissances leur est applique,
la loi de modulation optimise et dquilibrage dfinit la classe des onduleurs capables de moduler nimporte quelle paire de niveaux adjacents sans
commutation des cellules haute tension lorsquune stratgie dquilibrage
des puissances est applique.
Ces deux nouvelles rgles de dimensionnement sont diffrentes pour les onduleurs monophass et pour les onduleurs triphass sans neutre, de sorte que quatre
nouvelles conditions dfinissent quatre nouvelles classes dassociation permettant
lquilibrage des flux dnergie. Au total, huit conditions classifient les onduleurs
multiniveaux asymtriques selon leurs proprits.
En regard des structures alimentes, le convertisseur avec alimentation partiellement omise prsente lavantage de possder une structure simplifie. En revanche, lamplitude quil est capable datteindre dpend du facteur de puissance
de la charge. Il peut dlivrer sa pleine amplitude une charge purement ractive,
dans ce cas, lensemble de lalimentation peut tre omise. Il ne peut dlivrer que
lamplitude de ses cellules alimentes une charge purement rsistive, ce qui diminue la tension de service, le rendement, le nombre de niveaux disponibles et la
rsolution. A amplitude rduite, le rendement est amlior parce que les cellules
basse tension ne sont pas alimentes, il diminue haute amplitude pour la mme

C ONCLUSIONS

279

raison. Du point de vue du rendement, la meilleure structure dispose dune alimentation qui nest pas utilise lorsque la cellule basse tension nest pas requise pour
atteindre la tension de sortie.
Du point de vue de la rsolution, il nest pas judicieux de comparer une structure partiellement alimente avec la mme structure alimente, tant donn que
cette dernire ncessite davantage de convertisseurs. Il est plus judicieux de comparer deux convertisseurs constitus dun nombre similaire de cellules DC-AC,
lun ayant ses cellules basse tension alimentes. Lomission de lalimentation permet dobtenir un nombre de niveaux plus lev, cependant la fluctuation de ces
derniers dtriore leur qualit. Le rsultat final dpend de la quantit dnergie
stocke et de la qualit du rglage.
La validation exprimentale a soulign limportance de stabiliser les niveaux
de londuleur. La stabilit des niveaux a une influence relativement rduite sur la
distorsion harmonique des tensions, au contraire les courants obtenus sont de bien
meilleure qualit lorsque les niveaux sont stables. Cette diffrence est due aux
harmoniques basse frquence introduits par le dcalage des niveaux. La sensibilit
est telle que dans le cas aliment, le mode de rglage des tensions intermdiaires
influence galement la qualit des niveaux obtenus. Il faut observer que le rglage
des tensions peut tre amlior, ce qui laisse esprer une augmentation de la qualit
du courant pour la configuration partiellement alimente.
Au niveau du rendement qui dpend de nombreux paramtres (souvent antagonistes), la validation exprimentale a galement tranch en faveur de la configuration alimente. A basse amplitude, la configuration partiellement alimente prsente un rendement plus lev : les pertes par conduction du semi-conducteur srie
additionnel sont plus faibles que les pertes des deux tages de conversion supplmentaires de la petite cellule. Lemploi dune cellule haute tension plus complexe
(londuleur deux niveaux du prototype est la structure la plus simple qui puisse tre
employe) devrait rduire lcart de rendement, voire inverser sa tendance, mais
un tel choix ne serait judicieux que pour des applications moyenne tension.
Pour obtenir un rendement lev, le choix de la structure de la cellule haute tension sera gouvern par la tension de service du convertisseur : la structure de cette
cellule sera la plus simple qui permette de sapprocher de la tension de service.
En fin de compte, lensemble du travail prsent dans ce mmoire vise, partir
dun cahier des charges, dterminer sil est intressant dutiliser un convertisseur
multiniveau asymtrique. Le cas chant, lensemble des rgles proposes permet
de choisir la configuration approprie et les mthodes de commande et de modulation adaptes.

280

C ONCLUSIONS

Une perspective dapprofondissement de ce travail consisterait utiliser lensemble des rgles proposes, pour raliser un systme expert daide la conception
de convertisseurs.
Parmi les applications pour lesquelles il serait intressant dopter pour un onduleur multiniveau asymtrique, nous pouvons relever le filtrage actif dharmoniques. Une bande passante leve est requise conjointement avec une faible injection de distorsion lie la pulsation. Cela rend difficile le dimensionnement
des filtres dinterface et une rsolution plus leve permettrait de surmonter cet
obstacle. La structure employe serait relativement simple, lalimentation pourrait
tre compltement omise. Lassociation de semi-conducteurs de tensions standards
permettrait dobtenir une tension juste suprieure celle du rseau de distribution
local filtrer, ce qui serait idal pour disposer dune marge de tension suffisante
pour filtrer les harmoniques de rangs levs. Le rendement serait plus lev que
celui dun filtre actif de structure conventionnelle.
Lutilisation de convertisseurs multiniveaux asymtriques peut galement tre
envisage pour des applications telles que les entranements lectriques. Laugmentation de complexit de la structure pourrait tre compense par la rduction
des sollicitations imposes au moteur en termes dondulation de courant et de drive de tension.
Une autre perspective dapprofondissement, serait dtudier un tel systme (par
exemple source, convertisseur, moteur et charge) dans son ensemble pour valuer
le gain (ventuel) de la structure.

A NNEXE A

Tableau de slection des


configurations

dfinition des cellules


(U1 , n1 ) (U2 , n2 ) (U3 , n3 )
(1, 3)
(2, 2)

(1, 3)
(3, 2)

(1, 3)
(4, 2)

(1, 3)
(5, 2)

(1, 3)
(1, 3)

(1, 3)
(2, 3)

(1, 3)
(3, 3)

(1, 3)
(4, 3)

(1, 3)
(5, 3)

(1, 3)
(1, 3)
(3, 2)
(1, 3)
(1, 3)
(4, 2)
(1, 3)
(1, 3)
(5, 2)
(1, 3)
(1, 3)
(6, 2)
(1, 3)
(1, 3)
(7, 2)
(1, 3)
(1, 3)
(8, 2)
(1, 3)
(1, 3)
(3, 3)
(1, 3)
(1, 3)
(4, 3)
(1, 3)
(1, 3)
(5, 3)
(1, 3)
(1, 3)
(6, 3)
(1, 3)
(1, 3)
(7, 3)
(1, 3)
(1, 3)
(8, 3)

U
2
2.5
3
3.5
2
3
4
5
6
3.5
4
4.5
5
5.5
6
5
6
7
8
9
10

proprits de londuleur
nV
lois vrifies
61 M|U|VM|VU
UE|VME|VUE
91
U|VM|VU
VUE
6(7) 121
VU

6
133

5
61 M|U|VM|VU ME|UE|VME|VUE
7 127 M|U|VM|VU
UE|VME|VUE
9 217
U|M|VU
VUE
9(11) 319
VU

9
361

8 169 M|U|VM|VU ME|UE|VME|VUE


9 217 M|U|VM|VU
UE|VME|VUE
10 271 U|VM|VU
VUE
10(11) 331
VM|VU

10(12) 397
VU

10
469

11 331 M|U|VM|VU ME|UE|VME|VUE


13 469 M|U|VM|VU
UE|VME|VUE
15 631
u|vm|vu
vue
15(17) 805
vm|vu

15(19) 991
vu

15
1117

n
5
6

282

A. TABLEAU DE SLECTION DES CONFIGURATIONS

dfinition des cellules


(U1 , n1 ) (U2 , n2 ) (U3 , n3 )
(1, 3)
(2, 3)
(4, 2)
(1, 3)
(2, 3)
(5, 2)
(1, 3)
(2, 3)
(6, 2)
(1, 3)
(2, 3)
(7, 2)
(1, 3)
(2, 3)
(8, 2)
(1, 3)
(2, 3)
(9, 2)
(1, 3)
(2, 3)
(10, 2)
(1, 3)
(2, 3)
(11, 2)
(1, 3)
(2, 3)
(4, 3)
(1, 3)
(2, 3)
(5, 3)
(1, 3)
(2, 3)
(6, 3)
(1, 3)
(2, 3)
(7, 3)
(1, 3)
(2, 3)
(8, 3)
(1, 3)
(2, 3)
(9, 3)
(1, 3)
(2, 3)
(10, 3)
(1, 3)
(2, 3)
(11, 3)
(1, 3)
(3, 3)
(8, 3)
(1, 3)
(3, 3)
(9, 3)
(1, 3)
(3, 3)
(10, 3)
(1, 3)
(3, 3)
(11, 3)
(12, 3)
(1, 3)
(3, 3)
(1, 3)
(3, 3)
(13, 3)
(1, 3)
(3, 3)
(14, 3)

U
5
5.5
6.5
7
7.5
8
8.5
9
7
8
9
10
11
12
13
14
12
13
14
15
16
17
18

proprits de londuleur
nV
lois vrifies
331 M|U|VM|VU ME|UE|VME|VUE
397 M|U|VM|VU
UE|VME|VUE
469 M|U|VM|VU
VME|VUE
547
U|VM|VU
VUE
13(14) 625
VM|VU

13(15) 703
VM|VU

13(16) 781
VU

13
841

15 631 M|U|VM|VU ME|UE|VME|VUE


17 817 M|U|VM|VU
UE|VME|VUE
19 1027 M|U|VM|VU
VME|VUE
21 1261 U|VM|VU
VUE
21(23) 1507
VM|VU

21(25) 1765
VM|VU

21(27) 2035
VU

21
2245

25 1801 U|VM|VU
VUE
27 2107 U|VM|VU
VUE
27(29) 2425
VM|VU

27(31) 2755
VM|VU

27(33) 3097
VU

27(35) 3451
VU

27
3745

n
11
12
13
13

TAB . A.1 : Extrait de tableau de slection

Lgende du tableau de slection


Symboles
m nombre de cellules composant le convertisseur,
(U1 , n1 ) caractristiques de la plus petite cellule,
(U2 , n2 ) caractristiques de la deuxime cellule,
(U3 , n3 ) caractristiques de la troisime cellule,
U amplitude de londuleur,
n nombre de niveau du convertisseur (nombre de niveaux du convertisseur
"quivalent") ,
nV nombre de phaseur spatiaux du convertisseur .

283
Lois vrifies
M loi de modulation optimise,
U loi duniformit,
V M loi vectorielle de modulation optimise,
V U loi vectorielle duniformit
M E loi de modulation optimise et dquilibrage,
U E loi duniformit et dquilibrage,
V M E loi vectorielle de modulation optimise et dquilibrage,
V U E loi vectorielle duniformit et dquilibrage
me mu m vme u vmu vm vu

les nombres sont plus petits lorsque les niveaux ou phaseurs spatiaux obtenus ne
sont pas uniformes.

284

A. TABLEAU DE SLECTION DES CONFIGURATIONS

A NNEXE B

Mthode de recherche des


vecteurs voisins

Nous dcrivons une mthode itrative permettant de trouver les vecteurs voisins du vecteur O.

B.1

Voisin le plus proche :

Arriv mis parcours en se dplaant de O en direction de ltat le plus proche


dnomm A (Fig. B.2), il y aura une commutation sur cet tat. En se dplaant le
long du segment reliant O A, il ne pourra y avoir aucune commutation vers un
autre tat. Le long de la droite passant par O et A, il nest dautre part pas possible
deffectuer une commutation vers tat situ au del de A sans commuter dabord
vers A. Ltat le plus proche de O, A est par consquent forcment un voisin de O
(le plus proche) et les tats situs le long de OA au del de A ne peuvent pas tre
des voisins de O.

B.2

Deuxime voisin :

Dnommons B ltat le plus proche de O diffrent de A et dirig dans une


direction diffrente. La droite de commutation entre O et B (dc,O,B ) coupe ncessairement celle entre O et A (dc,O,A ) et cest la plus proche de O aprs dc,O,A .
Elle formera par consquent un des cts du polygone recherch. Par consquent
B est aussi un voisin de O. Les points le long de OB au del de B ne sont pas des
voisins de O. Les droites perpendiculaires OA et OB se coupent en un point que
nous appelons I ( condition que OA et OB ne soient pas confondues).

286

B. M THODE DE RECHERCHE DES VECTEURS VOISINS

Supposons tout dabord que I appartient au secteur OAB. Un point situ sur le
segment OI possde une droite de commutation qui rtrcit le plus petit domaine
autour de O. Il en est de mme dun point situ dans le quadrilatre OAIB et des
points situs en dehors du secteur OAB. Tout ces points sont potentiellement des
voisins de O. Au del de I le long de OI, le domaine nest pas rduit. Il en est
de mme du domaine au del de la droite perpendiculaire OI et dlimit par le
secteur OAB : dnommons pour la suite IA et IB les intersections de cette droite
avec OA et OB. Tout ces points ne peuvent pas tre des voisins de O. Reste
statuer du sort des tats appartenant aux triangles AIPA et BIPB .
Appelons d la longueur du segment OI. Lorsque I appartient au secteur OAB,
tout point situ au del de la courbe :
c () = (I O) cos exp i
[arg (I O) arg (B O) ; arg (A O) arg (I O)]

(B.1)

et appartenant le secteur OAB nest pas un voisin de O.


Lorsque I nappartient pas au secteur OAB, la situation est plus simple, tout
point situ au del de la droite BPB et dans le secteur OAB nest pas un voisin de
O.

B.3

Dfinition gnrale de voisin

La mthode permettant de dterminer si un tat est voisin de O connaissant


deux de ses voisins A et B est base sur la mthode dlimination prcdente qui
peut tre applique 2 tats quelconques. De cette manire, itrativement on peut
liminer les tats qui ne sont pas voisins de O 1 .
Puisque les seules commutations possibles le sont entre des tats voisins, ce
sont les seules optimiser.

1 Dune manire plus gnrale, pour un systme polyphas, la commutation entre deux tats seffectuera lorsquon traverse lhyperplan situ gale distance

287

B.3. Dfinition gnrale de voisin

1
0.8
0.6
V5

V4

0.4
0.2

V6

V1

0.2
V3

0.4

V2

0.6
0.8
1
1

0.5

0.5

F IG . B.1 : Schma complet avec les 6 voisins de 0. Tout nouvel tat ajout lintrieur de la
zone non-hachure sera un voisin de 0 et rduira cette zone. Selon sa position, lajout dun
nouveau voisin peut en exclure danciens. Tout tat ajout lextrieur, c--d dans la zone
hachure ne sera pas un voisin de 0 et ne modifiera en consquence pas la forme de cette
zone.

288

B. M THODE DE RECHERCHE DES VECTEURS VOISINS

0.8

0.8

0.6

0.6

0.4

0.4

0.2

0.2

C
I

0.2
0.4

0.4

0.6

0.6

0.8

0.8

1
1

0.5

0.5

C
I

0.2

1
1

0.5

(a)
1

0.8

0.8

0.6

0.6

0.4

0.4

0.2
O

0.2

0.2

0.4

0.6

0.6

0.8

0.8
0.5

(c)

0.5

1
1

A
C

0.2

0.4

1
1

0.5

(b)

B
I

0.5

0.5

(d)

F IG . B.2 : (a) Ltat le plus proche de ltat O est recherch et marqu A. La droite OA
passe par ces 2 tats. Les tats situs sur OA et situ au del de A ne sont pas des voisins
de O. Ltat le plus proche de O et diffrent de A est ensuite recherch et marqu B. La
droite AI est la droite perpendiculaire OA passant par A, BI celle perpendiculaire
OB passant par B. Ces deux droites se coupent en I. C est le milieu du segment OI et
le centre dun cercle passant par O, A, B et I. Les tats situs sur le cercle ont leur droite
de commutation avec O qui se coupent en C. (b) Les points situs dans le secteur OAB et
hors de ce cercle ne sont pas des voisins de O. Ce critre est un critre valable applicable
nimporte quel ensemble dtats. .

A NNEXE C

Modlisation du convertisseur
dalimentation

La solution qui a t retenue pour alimenter les cellules (lorsquelles sont alimentes) est un convertisseur DC-DC avec un couplage transformateur moyenne
frquence. En 5.2, nous avons slectionn des structures qui minimisent la puissance transitant par ces convertisseurs DC-DC. Dans cette section, nous tudierons
le principe de lalimentation.

C.1

Modlisation dun convertisseur rversible

Nous tudions tout dabord le convertisseur deux sources qui est constitu de
deux ponts en H avec commutations dures. Le schma quivalent de ce convertisseur est reprsent la Fig. C.1(a). Ce dispositif permet un change de puissance
bidirectionnel. Les deux ponts peuvent tre command en mode rectangulaire et
la puissance change peut alors tre contrle en rglant le dphasage des deux
ondes gnres par chacun des ponts en H.
i
u
(a)

u
1

(b)

F IG . C.1 : Schma quivalent et modle du convertisseur continu-continu bidirectionnel

290

C.1.1

C. M ODLISATION DU CONVERTISSEUR D ALIMENTATION

Hypothses simplificatrices

Remplaons tout dabord le condensateur et la charge par une source de tension. On ramne le secondaire au primaire et on nglige le courant magntisant.
On suppose que les convertisseurs DC-AC fonctionnent comme des sources de
tension alternative. On obtient le modle quivalent de la Fig. C.1(b).

C.1.2

Etude de lchange de puissance

En rgime permanent, on peut utiliser les phaseurs pour tudier lchange de


puissance pour un harmonique donn. Lexpression obtenue, les rsultats peuvent
tre superposs pour les diffrents harmoniques pour obtenir lexpression complte de lchange de puissance. Lexpression du courant dans linductance est la
suivante :
iL =

u1 u2
jL

(C.1)

La puissance dlivre par la premire source vaut :


P1 = <e {u1 iL }

(C.2)

Exprim en fonction des modules et arguments des phaseurs :


P1 = <e



U1 ej1 U2 ej2
U1 ej1
jL

(C.3)

On obtient lexpression de la puissance :


P1 = P2 =

U1 U2
sin(2 1 )
L

(C.4)

Pour pouvoir changer de la puissance travers un lment purement inductif,


il faut un dphasage entre les tensions des deux sources. La puissance change
est maximale pour un dphasage de 90 et llment fixant cette puissance est
linductance de fuite du transformateur.
De mme, on obtient la puissance ractive :


j1
U2 ej2
j1 U1 e
Q1 = =m U1 e

(C.5)
jL


U1 U2
U1
Q1 =
cos(1 2 )
(C.6)
L
U2

291

C.1. Modlisation dun convertisseur rversible

Le facteur de puissance diminue lorsque le dphasage augmente comme illustr la Fig. C.2(c) pour deux sources identiques. Le courant traversant les sources
tant le mme, la puissance ractive ne peut que crotre lorsque les tensions sont
de modules diffrents, ce quon peut vrifier en comparant les Fig. C.2(a) et (b).
Les pertes croissent avec la puissance apparente, il apparat que lefficacit dun
tel convertisseur diminue lorsque le rapport des tensions des sources est diffrent
de lunit. Pour alimenter les cellules de londuleur, il est donc prfrable dajuster les rapports de tension par les rapports de transformation des bobinages du
transformateur plutt quavec le convertisseur DC-DC.
Du point de vue du rglage, en rglant la puissance par le dphasage, on perd
le contrle de ce convertisseur au del de 90 de dphasage positif ou ngatif.
4

3
P
1
S1
S2
S1+S2

3
2

P
1
S1
S2
S1+S2

1
1
0

0
1
3

1
3

(a)

(b)

0.8

0.8

K
1
K2
K

0.6

K1
K2

0.6

0.4

0.4

0.2
0
3

0.2

(c)

0
3

(d)

F IG . C.2 : Puissances changes : (a) lorsque les tensions sont gales ; (b) lorsque les tensions ne sont pas gales. Rapport courant utile sur courant apparent : (c) sans prise en
compte du courant magntisant du transformateur ; (d) avec.

292

C.2

C. M ODLISATION DU CONVERTISSEUR D ALIMENTATION

Modlisation dun convertisseur multisource

Il est possible dchanger de la puissance entre plusieurs ponts en H en les


connectant sur diffrents enroulements dun mme transformateur monophas. Le
schma quivalent de ce dispositif est reprsent la Fig. C.3(a).
i
u
u

C ,2

C ,2

i
U
e

u
u

u
2

i2

u
3

i3

u
n

in

C ,3

C ,3

C ,n

i1

C ,n

(a) schma

(b) modle quivalent

F IG . C.3 : Schma et modle quivalent dun convertisseur continu-continu bidirectionnel


avec multiples sources

C.2.1

Hypothses simplificatrices

Les condensateurs et charges sont remplacs par des sources de tensions. Les
diffrents enroulements du transformateur peuvent tre ramens au primaire. Les
lments limitant la puissance sont les inductances de fuite des enroulements. En
premire approximation, nous ngligeons le fait que linductance de fuite est diffrente pour chaque paire denroulement. Nous supposons que les inductances de
fuite sont toutes rapportes au mme point et nous obtenons le schma quivalent
de la Fig. C.3(b).

293

C.2. Modlisation dun convertisseur multisource

C.2.2

Etude de lchange de puissance

Le systme est dcrit par les quations diffrentielles suivantes :

di1
di2

u2 + L2
=0
u1 L1

dt
dt

di3
di2

u3 + L3
=0
u2 L2

dt
dt

..

din1
din

un + Ln
=0
un1 Ln1

dt
dt

i1 + i2 + ... + in = 0
crit sous forme matricielle, cela donne :

0L1
B
0
B
B
0
B
B
..
B
.
B
@ 0
1

L2
L2
0
..
.
0
1

0
L3
L3
..
.
0
1

01
B
0
B
B
0
B
B
..
B
.
B
@0
0

0
0
L4
..
.
0
1
1
1
0
..
.
0
0

0
1
1
..
.
0
0

0
0
0
..
.
Ln1
1
0
0
1
..
.
0
0

(C.7)

1 0 1
i1
B
i2 C
B
C
B
i3 C
B
C=
B
.. C
@ A

0
0 C
C
0 C d
C
.. C
. C
C dt
Ln A
1
0
0
0
..
.
1
0

.
in

0 0 1
u1
0C
B
C
u C
0C B 2 C
C Bu C
.. C B 3 C
.C
CB
@ ... C
A
1A
un
0

(C.8)

En rgime permanent, lexpression des courants peut directement tre tablie en


appliquant le principe de superposition. Cela revient rsoudre directement le
systme prcdent en appliquant les rgles de mises en parallles des impdances :
u1
iL1 + i(L1 L2 . . . Ln )
u2
L1 L3 L4 . . .

iL2 + i(L1 L3 . . . Ln )
L1
u3
L1 L2 L4 . . .

iL3 + i(L1 L2 L4 . . . Ln )
L1
...
i1 =

(C.9)

De plus, la relation entre la tension continue et les phaseurs est la suivante :


1
ui = u
rec, uc,i eii
2

(C.10)

294

C. M ODLISATION DU CONVERTISSEUR D ALIMENTATION

Avec lordre de lharmonique considr, uc,i la tension continue de la source


i, u
rec, lamplitude de lharmonique dun signal rectangulaire. La composante
fondamentale est prdominante et peut tre considre seule en premire approximation. Pour un signal rectangulaire u
rec,1 = 4 . Posons :
Kii =

Kij =

1
[iLi + i(L1 L2 Li1 Li+1 Ln )]

L1 L2 Lj1 Lj+1 . . . Ln
Li [iL2 + i(L1 L2 Lj1 Lj+1 . . . Ln )]

(C.11)

i 6= j
(C.12)

Il vient :
i=Ku

C.2.3

(C.13)

Modle de commande

Les fluctuations importantes des tensions des condensateurs rendent le systme rel relativement complexe contrler. Lorsque la tension aux bornes des
condensateurs fluctue peu, ce qui se passe lorsquils sont de taille importante et
peuvent tre considrs comme des sources de tension idales, le systme est relativement stable et facile contrler et un simple rgulateur peut convenir. Dans
le cas contraire, on peut vrifier1 que le systme est sensible et difficile contrler. Pourtant, si le convertisseur DC-DC fournit la puissance ncessaire chacune
des cellules du convertisseur multiniveau, la capacit intermdiaire pourrait tre
fortement rduite sans affecter la tension dalimentation. Pour cela, il faut tre
mme de trouver rapidement et avec prcision les angles satisfaisant lquilibre
des puissances du systme.
Pour pouvoir satisfaire rapidement lquilibre des puissances du systme, cherchons lensemble des angles satisfaisant une consigne de puissance. En supposant
que toutes les inductances de fuite sont gales et en linarisant la relation sinusodale qui relie les angles la puissance change, nous pouvons inverser le systme
1 On

la fait exprimentalement et en simulation

C.2. Modlisation dun convertisseur multisource

295

(C.9). Les dveloppements permettant dtablir cette expression sont dtaills en


annexe E.3, nous trouvons :

00
B
1
B
B
B1
LN B
B1
= P
B .
Uk B ..
B
B
1
B
@
1
1

0
1
0
0
..
.
0
0
0

0
0
1
0
..
.
0
0
0

0
0
0
0
..
.
0
0
0

...
...
...
...
..
.
...
...
...

0
0
0
0
..
.
0
0
0

0
0
0
0
..
.
1
0
0

0
0
0
0
..
.
0
1
0

0
0C
C
0C
C
0C

C
Ic
C
C
C
0C
C
0A

(C.14)

Numriquement, on obtient assez facilement cette matrice pour des inductances


diffrentes les unes des autres. Cette relation nous permet destimer rapidement les
angles qui permettent de stabiliser notre convertisseur DC-DC.
En connaissant la charge, cela nous permet de stabiliser grossirement les tensions dalimentation des cellules. Les erreurs du modle conduisent ses tensions
fluctuer lentement. Un rgulateur relativement simple permet de rattraper ces
erreurs.

296

C. M ODLISATION DU CONVERTISSEUR D ALIMENTATION

A NNEXE D

Transformation de coordonnes
pour les systmes triphass

La matrice de transformation permettant de passer des tensions de branche aux


systme , , 0 est :
r

2
1
1

3
6
6

1
1

R= 0
(D.1)

2
2
1
1
1

3
3
3
Il sagit dune rotation1 qui scrit de faon compacte sous forme matricielle :

u0
= R u123
b
b
avec les tensions de branche :

ub,1
ub,2
ub,3

et les tensions dans le plan , et selon laxe homopolaire 0.

ub,
ub,
ub,0

(D.2)

(D.3)

1 Nous avons choisi ici la rotation sans dformation, dautres transformation dformant le systme
de tension sont galement utilises.

298

D. T RANSFORMATION DE COORDONNES

La matrice de transformation inverse est simplement la transpose de R :

= Rt u0
u123
b
b

A NNEXE E

Dveloppements

E.1

Dveloppement des coefficients de la doublesrie de Fourier pour un modulateur avec porteuses alternes

La srie de Fourier dun signal priodique de deux variables sexprime comme


suit :
Z 2 Z 2
1
Fm,n =
f (x, y) eimx xiny y dy dx
(E.1)
Tx Ty 0
0
ref
Pour un modulateur 3 niveaux auquel une rfrence sinusodale damplitude U
est appliqu, cette srie sexprime comme suit :
Fm,n =

fref
2U

(
Z Z U
ref sin x x
0

U eimx xiny y dy dx

ref sin x x
U

Z 2 Z U
ref sin x x

)
imx xiny y

U e

(E.2)

dy dx

ref sin x x
U

Lorsque n 6= 0, lexpression sintgre comme suit :


Fm,n

fref
=
2

(
Z

1

in
y
0

ref sin x x

eimx xiny y

ref sin x x
U
)
U
Z 2
ref sin x x

1 imx xiny y

e
dx
in

y
ref sin x x

dx
(E.3)

300

E. D VELOPPEMENTS

En remplaant y = /U :
Fm,n =

ifref U
n2

Z
0

eimx xiny Uref sin x x eimx x+iny Uref sin x x dx

Z 2

eimx+iny Uref sin x x eimxiny Uref sin x x dx

(E.4)

Il sagit dintgrales de Bessel, en remplaant par la fonction Ji , il vient :


Fm,n =

iU
4n 2

k=+
X

Jk

k=

Jk
(

iU
=
2n

(1) Jm

Z 2

ei(mk) d
0

ref
U
n
U

(E.5)

Z 2
i(mk)

ref
U
n
U

ref
U
U

Jm

ref
U
n
U

!)

(E.6)

Pour n 6= 0 on obtient finalement :


Fm,n

U
Jm
=
i2n

ref
U
n
U

{(1)m 1}

(E.7)

Lorsque n = 0, lexpression (E.2) se rcrit comme suit :


(

Fm,n

fref
=
2

Z Z U
ref sin x x
0

eimx x dy dx

ref sin x x
U
imx x

fref
2

Z

ref
= fref U

ref sin x x eimx x dx


2U

Z 2

dy dx

ref sin x x
U

En intgrant une premire fois :


Fm,n =

(E.8)

Z 2 Z U
ref sin x x

Z 2

ref
sin x x eimx x dx = fref U

ref sin x x eimx x dx


2U

Z 2

sin x x eimx x dx

(E.9)

(E.10)

Cette intgrale vaut 0 lorsque |m| =


6 1:
ref
Fm,n = fref U

Z 2
0

im sin(x x)2 dx =

ref
mU
2i

|m| = 1

(E.11)

E.2. Calcul dune configuration sans circulation de puissance

301

On obtient finalement :
8
>
>
>
>
>
>
>
>
>
>
>
<

Fm,n =

E.2

>
>
>
>
>
>
>
>
>
>
>
:

iU
Jm
2n

ref
U
n
U

{(1)m 1} pour n 6= 0
(E.12)

ref
mU
2i

pour n = 0 et |m| = 1

pour n = 0 et |m| 6= 1

Calcul dune configuration sans circulation de


puissance moyenne

Nous dcrivons ici les dveloppements permettant de trouver les racines de


lexpression de la puissance :
ref
a1 U

(E.13)

En remplaant a1 par son expression (5.11), nous obtenons :


4K

s
1

VC2
ref 0
U
2
U

(E.14)

ref

ref doivent tre tout


Cette expression est difficile rsoudre. Sachant que a1 et U
deux positifs, il est plus simple de comparer leurs carrs :


4K

2

V2
1 2C

!
2
ref
U
0

(E.15)

ref

Pour dterminer lorsque la puissance devient ngative, cherchons les zros de cette
ref :
expression en fonction de U


4K

2

V2
1 2C

ref

!
2 = 0
U
ref

(E.16)

302

E. D VELOPPEMENTS

ref 6= 0, les 2 termes de cette quation peuvent tre multiplis par


En supposant U
2

Uref :


4K

2 


2
4
ref
ref
U
VC2 U
=0

(E.17)

2 . Pour la simplifier la rsolution, subCette expression se rsoud aisment en U


ref
2 :
stituons E U
ref


4K

2


E+

4K

2

VC2 = 0

(E.18)

Le dterminant de cette quation du deuxime ordre vaut :


2

= b 4ac =

4K

4


4

4K

2

VC2


=

8K

2 (

2K

2

VC2

(E.19)
On en tire les racines de (E.18) :

s


2
2

b
1 4K
8K
2K
E1,2 =
=

VC2

2a
2

2

, il vient :
En multipliant le contenu de la racine carre par 2K

s

2

2

2 2
1
4K
16K
VC
E1,2 =

1
2

2
2K
Cela permet de factoriser lexpression (E.21) :

s

2

2
1 4K
VC
E1,2 =
1 1

2K

(E.20)

(E.21)

(E.22)

Les racines de (E.14) sobtiennent en prenant la racine carre de E1,2 :

ref 1,2 =
U

E1,2

v
s
u


2
2 2K u
VC
t
=
1 1

2K

(E.23)

303

E.3. Echange de puissance entre n sources de tension alternative

E.3

Angles satisfaisant un change de puissance


donn entre n sources de tension alternative

Soit linductance quivalente vue de la source n :


Ln = L +

N
L
=
L
N 1
N 1

(E.24)

N
L
N 1

(E.25)

Soit limpdance correspondante :


Znn = j

Le courant circulant dans la source n produit par cette mme source lorsque toutes
les autres sources sont court-circuites vaut :
inn =

un
un N 1
=
Znn
jL N

(E.26)

Le courant circulant dans la source n produit par la source k lorsque toutes les
autres sources sont court-circuites vaut :
ikn = ikk

uk
1
=
N 1
jLN

(E.27)

En appliquant le principe de superposition, on trouve le courant circulant dans la


source n :
X
in = inn +
ikn
(E.28)
k6=n

La puissance fournie par la source n vaut :


Pn = <e {un in } = <e
8
<

= <e

Un2

: Znn

+
k6=n

8
<

un inn +

X
k6=n

un ikn

9
=

(E.29)

;
9
=

Un Uk
exp(j(n k ))
;
Zkn

(E.30)
9
=

8
<

Un2 N 1 X Un Uk
= <e

+
exp(j(n k ))
: jL
;
N
jN L

(E.31)

k6=n

=
k6=n

Un Uk
sin(n k )
N L

(E.32)

304

E. D VELOPPEMENTS

Le courant ct continu vaut :


X Uk
Pn
sin(n k )
=
Un
N L

Icn =

(E.33)

k6=n

En linarisant autour de = 0, il vient :


X Uk
(n k )
N L

Icn =

(E.34)

k6=n

Sous forme matricielle :


0Pk6=1 Uk
P U2U
BB U1
k6=2 k
B U1
U2
B
1
BB .
Ic =
.
B .
.
LN B
BB .
.
@ U1
U2
U1

U3

P U3U

k6=3 k
.
.
.
U3
U3

U2

U4
U4
U4
.
.
.
U4
U4

Un1
Un1
Un1

...
...
...
.

.
...
...

Un
Un
Un

.
.
.

.
.
.
Un
k6=N Uk

k6=N 1 Uk
UN 1

1
C
C
C
C
C
C

C
C
C
C
A

(E.35)

Posons 1 = 0 et abandonnons la dernire quation qui est linairement dpendante des autres :
01 0 0 0 0 . . . 0 0 01
0
1
0
0
0
...
0
0
0C
B
B
0
0
1
0
0
...
0
0
0C
C
B
B
0
0
0
1
0
.
.
.
0
0
0C
CC I = 1
B
B
C c LN
B
B
B ... ... ... ... ... . . . ... ... ... CCC
B
@0 0 0 0 0 . . . 1 0 0A
0

00
P U2U
B
0
k6=2 k
B
B
0
U2
B
B
0
U2
B
B
B
.
.
B
B
.
.
B
.
.
B
@0
U

...

U4
U4
U4
k6=4 Uk

.
.
.
U3
U3

2
U2

U3
U3
k6=3 Uk
U3

.
.
.
U4
U4

U5
U5
U5
U5
.
.
.
U5
U5

...
...
...
...
.

.
...
...

UN 2
UN 2
UN 2
UN 2

UN 1
UN 1
UN 1
UN 1

UN
UN
UN
UN

.
.
.

.
.
.

.
.
.
UN
UN

k6=N 2 Uk
UN 1

UN 1
k6=N 1 Uk

1
C
C
C
C
C
C
C

C
C
C
C
C
A

Calculons les vecteurs rduits Ic0 et 0 :

01
BB0
BBB00
BB .
BB .
B@ .
0
0

1
CC
CC
CC I 0 =
c
.C
.C
C
.C
A
0

0
1
0
0

0
0
1
0

0
0
0
1

0
0
0
0

...
...
...
...

0
0
0
0

0
0
0
0

0
0
0
0

.
.
.
0
0

.
.
.
0
0

.
.
.
0
0

.
.
.
0
0

.
.
.
...
...

.
.
.
0
0

.
.
.
1
0

0 U2
BBPk6=2 Uk
BB U2
BB U2
1
B
B .
LN B
BB ..
B@ U
2
U2

U3
U3
k6=3 Uk
U3

.
.
.
U3
U3

U4
U4
U4
k6=4 Uk

.
.
.
U4
U4

U5
U5
U5
U5

...
...
...
...

.
.
.
U5
U5

.
.
.
...
...

UN 2
UN 2
UN 2
UN 2

.
.
.
k6=N 1 Uk
UN 2

UN 1
Un1
Un1
Un1
.
.
.
UN 1
k6=N 1 Uk

UN
UN
UN
UN
.
.
.
UN
UN

1
C
C
C
C
C
C
0
C

C
C
C
C
C
A

305

E.3. Echange de puissance entre n sources de tension alternative

Soustrayons la ligne n de la ligne n 1 en partant de la ligne N 1 jusqu la


ligne 2 :

01
BB1
BB 0
BB 0
BB .
BB ..
@0
0

0
1
1
0

0
0
1
1

0
0
0
1

0
0
0
0

.
.
.
0
0

.
.
.
0
0

.
.
.
0
0

.
.
.
0
0

0 U2
BB PPUk
BB Uk
BB 0
1
B
LN B
BB ..
B@ .
0

U3
0
Uk

Uk

Mettons

.
...
...

U4
0
0
Uk

P
P

0
0
0
0

0
0
0
0

.
.
.
1
0

.
.
.
1
1

U5
0
0
0

.
.
.
0
0

...
...
...
...

.
.
.
0
0

1
CC
CC
CC I 0 =
.C
C c
.C
.C
A
0
0
0
0
0

1
UN 2
0
0
0

...
...
...
...
.
.

.
.

P. U

.
...
...

P U.
P Uk

UN 1
0
0
0

UN
0
0
0

.
.
.
0
Uk

.
.
.
0
0

1
C
C
C
C
C
C
0

C
C
C
C
C
A

Uk en facteur :

01
BB1
BB 0
BB 0
BB .
BB ..
@0
0

0 PU2
BB Uk
1
P U BBBB 1
k B
0
B
LN B
BB ..
B@ .
0
0

0
1
1
0

0
0
1
1

0
0
0
1

0
0
0
0

.
.
.
0
0

.
.
.
0
0

.
.
.
0
0

.
.
.
0
0

U3
Uk
0
1
1

...
...
...
...
.

.
...
...

0
0
0
0

.
.
.
1
0

.
.
.
1
1

U4
Uk
0
0
1

.
.
.
0
0

0
0
0
0

.
.
.
0
0

U5
Uk
0
0
0

...
...
...

.
.
.
...
...

.
.
.
1
0

1
CC
CC
CC I 0 =
c
.C
.C
C
.C
A
0
0
0
0
0

UN 2
Uk
0
0
0

...

.
.
.
1
1

UN 1
Uk
0
0
0
.
.
.
0
1

PUUN 1
kC
C
0
C
C
0
C
C
0
0
C
C
C
.
C
.
C
C
.
A
0
0

Ajoutons la ligne n la ligne n + 1 en partant de 2 N 1 :


0 P Uk 0 0 0 0 . . . 0 0 01
1
0
0
0
...
0
0
0C
BB 1
C
0
1
0
0
...
0
0
0C
BB 1
0
0
1
0
...
0
0
0C
BB 1
C
C Ic0 =
BB .
.
.
.
.
.
.
.C
.
.
.
.
.
.
.
.
.C
BB ..
C
.
.
.
.
.
.
.
.C
@
A
1
1

0U2
BB 1
P U BBB 00
k B
B
.
LN B
BBB ..
@0
0

0
0

0
0

0
0

0
0

...
...

0
0

1
0

0
1

U3
0
1
0

U4
0
0
1

U5
0
0
0

...
...
...
...

UN 2
0
0
0

UN 1
0
0
0

UN
0
0
0

.
.
.
0
0

.
.
.
0
0

.
.
.
...
...

.
.
.
0
0

.
.
.
1
0

.
.
.
0
1

.
.
.
0
0

1
C
C
C
C
C
C
0

C
C
C
C
C
A

306

E. D VELOPPEMENTS

Soustrayons la ligne n multiplie par Un la ligne 1 en allant de 2 N 1 :


0 P Uk + U2 + U3 + + UN 1 U2 U3 U4 . . . UN 3 UN 2 UN 1 1
C
B
1
1
0
0
...
0
0
0
C
B
C
B
1
0
1
0
...
0
0
0
C
B
C
B
1
0
0
1
...
0
0
0
C
B
C
B
C
B
.
.
.
.
.
.
.
.
C
B
.
.
.
.
.
.
.
.
C
B
.
.
.
.
.
.
.
.
C
B
A
@
1
1

0
Ic =

PU

LN

00
BB1
BBB00
B
BB .
BB ..
@0
0

0
0

0
0

0
0

0
0
1
0

0
0
0
1

0
0
0
0

...
...
...
...

0
0
0
0

0
0
0
0

UN
0
0
0

.
.
.
0
0

.
.
.
0
0

.
.
.
0
0

.
.
.
...
...

.
.
.
1
0

.
.
.
0
1

.
.
.
0
0

1
CC
CC
CC 0
CC
CC
A

...
...

0
0

1
0

0
1

Permutons les lignes 1 et N 1, nous obtenons finalement lexpression des angles


en fonctions des courants :
1
0 1
1
0
0
...
0
0
0
0
1
0
...
0
0
0
C
BB 1
C
0
0
0
...
0
0
0
C
BB 1
C
C
B
.
.
.
.
.
.
.
.
LN
C
B
0
0
.
.
.
.
.
.
.
.
C
B
Ic
B
= P
.
C
.
.
.
.
.
.
.
C
Uk B
C
BB 1
0
0
0
...
0
1
0
C
C
B@ 1
0
0
0
...
0
0
1
A
U1 UN
UN

U2
UN

U3
UN

U4
UN

...

UN 3
UN

UN 2
UN

UN 1
UN

La dernire ligne est diffrente car elle contient lidentit de la somme des puissances zro. En reprenant les vecteurs complets, la dernire ligne est indpendante du bilan de puissance et les angles sont obtenus par :

00
B
1
B
B
1
B
B
LN B1
= P
B .
Uk B ..
B
B
1
B
@
1
1

0
1
0
0
..
.
0
0
0

0
0
1
0
..
.
0
0
0

0
0
0
0
..
.
0
0
0

...
...
...
...
..
.
...
...
...

0
0
0
0
..
.
0
0
0

0
0
0
0
..
.
1
0
0

0
0
0
0
..
.
0
1
0

0
0C
C
0C
C
0C

C
Ic
C
C
C
0C
C
0A

(E.36)

Il faut que les courants Ic respectent le bilan de puissance afin que cette expression
soit correcte.

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[40] M. Veenstra and A. Rufer. PWM-control of multi-level voltage-source inverters. PESC00, June.

310

B IBLIOGRAPHIE

Glossaire

U1 , U
Uk
uk
(Uk , nk )
E
Eoff,diode
Eoff,IGBT
Eon,IGBT
fp
I cr
icr
Ieff
ieff
Inom
cr,eff
m
n
n1..k
nD
NE
nk
P

pas du convertisseur
pas de la cellule k
pas de la cellule k rapport lamplitude de londuleur
couple caractrisant la cellule k
nergie
nergie dissipe au dclenchement dune diode courant et
tension nominaux
nergie dissipe au dclenchement dun IGBT courant et
tension nominaux
nergie dissipe lenclenchement dun IGBT courant et
tension nominaux
frquence de pulsation
courant redress moyen en [A]
valeur relative du courant redress moyen
courant efficace en [A]
valeur relative du courant efficace
courant nominale dun semi-conducteur [A]
facteur de puissance de la charge
nombre de cellule composant le convertisseur
nombre de niveaux du convertisseur
nombre de niveaux dun onduleur compos de k cellules
nombre dtats de commutation distincts
nombre dtats de commutation
nombre de niveaux de la cellule k
rapport entre la frquence de modulation et la frquence de
la rfrence

52
52
40
52
274
31
31
31
30
31
31
31
31
31
31
52
52
59
75
26
52
143

312
Pcommut
Pcond
P n , Pd
Ppertes
U1..k
Te
Tm
Tmod
Tref
ub,1 , ub,2 , ub,3
Ub,i
uc,i
Ue,k
Unom
u
rec,
uref
us
Uservice
uservice
us,k
Us,
us , v
v 1 , v2
v B , vH
Vce,sat
Vi,j
vi,j

I NDEX

pertes par commutation


pertes par conduction
numrateur et dnominateur de P
pertes totale
amplitude crte crte dun onduleur compos de k cellules
priode dchantillonnage
priode de modulation
priode du signal modul
priode du signal de rfrence
tensions de branche de londuleur triphas
pas de la phase i, cette notation nest employe quavec les
onduleurs phases asymtriques
tension continue de la source i
tension dalimentation de la cellule k
tension nominale dun semi-conducteur [V]
valeur de lharmonique dun signal rectangulaire
signal de rfrence
tension de sortie du convertisseur
tension de service en [V]
tension de service en valeur relative
tension de sortie de la cellule k
Harmonique du signal modul lorsquil est priodique
signal modul
niveaux dfinissant une trame moduler, classs par ordre
dapparition
niveaux dfinissant une trame moduler, classs par niveau
croissant
chute de tension de linterrupteur (IGBT) ltat passant
niveau j de la cellule i
niveau j de la cellule basse tension i

31
31
143
31
59
139
139
139
139
74
120
377
52
31
379
139
52
30
30
52
166
139
140
142
31
55
55

Index des termes et acronymes

APD
APO
cellule
domaine duniformit
domaine de modulation
LM
LME
LU
LUE
LVM
LVME
LVU
LVUE
MLI
MTO
MTO
NPC
OFM
PAEN
PAER
PD
phaseur spatial

Alternate Phase Disposition, porteuses alternes


Alternate Phase Opposition, porteuses en opposition
un des onduleurs lmentaires composant le convertisseur multiniveau

Loi de Modulation optimise


Loi de Modulation et dEquilibrage
Loi dUniformit du pas
Loi dUniformit et dEquilibrage
Loi Vectorielle de Modulation optimise
Loi Vectorielle de Modulation et dEquilibrage
Loi Vectorielle dUniformit
Loi Vectorielle dUniformit et dEquilibrage
Modulation en Largeur dImpulsion
Modulateur Trames Orientes (OFM)
modulateur avec trames orientes (OFM)
Neutral Point Clamped, point neutre reli
Oriented-Frame Modulator (MTO)
modulateur avec porteuses alternes et chantillonnage naturel (natural sampling APO)
modulateur avec porteuses alternes et chantillonnage pas rguliers (regular sampling APO)
Phase Disposition, porteuses en phase
appellation du vecteur de tension lorsquil est project dans le plan (ub, , ub, )

147
147
52
93
102
71
263
60
258
103
275
97
280
138
157
183
7
157
183
183
147
74

314
PPEN
PPER
PWM
transition de modulation
transition transversale

I NDEX

modulateur avec porteuses en phase et chantillonnage naturel (natural sampling PD)


modulateur avec porteuses en phase et chantillonnage pas rguliers (regular sampling PD)
Pulse Width Modulation
transition entre deux niveaux adjacents ne provoquant pas de commutation des cellules haute tension
transition entre deux niveaux adjacents provoquant
une commutation des cellules haute tension

183
183
138
64
64

Liste des publications

1. S. Marithoz, A. Rufer, "New configurations for asymmetrical multilevel


inverters", IAS04 Conference, October 2004.
2. S. Marithoz, A. Rufer, "A New Single-Phase Multilevel Modulator - A Fast
and Accurate Method to Compute the Modulator Harmonic Spectra", EPEPEMC04 Conference, September 2004.
3. S. Marithoz, A. Rufer, "Resolution and efficiency improvements for threephase cascade multilevel inverters", PESC04 Conference, June 2004.
4. S. Marithoz, "Mesure et amlioration des performances des modulateurs
multiniveaux", Confrence JCGE03, Juin 2003.
5. S. Marithoz, M. Veenstra, "Alimentation donduleurs multiniveaux asymtriques : analyse des possibilits de ralisation et mthodes de rpartition
de la puissance", Confrence JCGE03, Juin 2003.
Revue internationale de gnie lectrique RIGE, vol. 7, no. 3-4, pp. 263-278,
Juin 2004.
6. S. Marithoz, A. Rufer, "Design and control of asymmetrical multilevel inverters", IECON02 Conference, November 2002.
7. S. Marithoz, A. Rufer, "Open loop and closed loop spectral frequency active filtering" IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 17, no. 4 pp.
564-573, July 2002.
8. S. Marithoz, A. Rufer, "Dimensionnement et commande des onduleurs multiniveaux asymtriques", Confrence CIFA02, Juin 2002.
e-STA Science et Technologie de lAutomatique,
http ://www.e-sta.see.asso.fr/accueil.php, Dcembre 2003.
9. S. Marithoz, A. Rufer, "Control of the frequency spectrum with the help
of open loop and closed loop algorithms in active filters" PCIM02 Conference, May 2002.

10. J. Song-Manguelle, S. Marithoz, M. Veenstra, A. Rufer, "A generalized design principle of a uniform step asymmetrical multilevel converter for high
power conversion" EPE01 Conference, August 2001.
11. J. Song-Manguelle, M. Veenstra, S. Marithoz, A. Rufer, "Convertisseurs
muliniveaux asymtriques pour des applications de moyenne et forte puissance" Confrence EPF00, Novembre 2000.
12. S. Marithoz, A. Rufer, "Vers le traitement numrique de lnergie", Bulletin
de lAssociation Suisse des Electriciens, no.25, pp. 28-31, Dcembre 1999

Curriculum vit

Jean-Sbastien
Marithoz

n le 11 avril 1972 Genve

Activits professionnelles
1999-2005
2000-2001
1997-1998

mai-aot 1997

assistant au Laboratoire dElectronique Industrielle


(LEI - EPFL)
ingnieur consultant pour la socit IMV, Riazzino
service civil comme assistant au Laboratoire
dElectronique des Systmes et de Traitement de
lInformation LESTI - ENSERG - INPG, Grenoble
dveloppement dune alimentation de moteur au laboratoire dlectromcanique (LEME - EPFL)

Formation
2005
1997
1993

Docteur s sciences techniques EPFL


Ecole Polytechnique Fdrale de Lausanne (EPFL)
Diplme dingnieur lectricien EPFL
Ecole Polytechnique Fdrale de Lausanne (EPFL)
Diplme dingnieur lectricien ETS
orientation tlcommunications
Ecole dIngnieurs de Genve (EIG)

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