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ELE2302 – Circuits électroniques Solutionnaire examen final - Automne 2006
ELE2302 – Circuits électroniques Solutionnaire examen final - Automne 2006

ELE2302 – Circuits électroniques Solutionnaire examen final - Automne 2006

ÉCOLE POLYTECHNIQUE DE MONTRÉAL

ELE2302 : CIRCUITS ÉLECTRONIQUES

SOLUTIONNAIRE EXAMEN FINAL

Notes :

1. Documentation : Feuilles manuscrites autorisées.

2. Calculatrice autorisée.

3. Nombre de pages : 9 (à vérifier avant de commencer à répondre aux questions).

4. Justification des réponses : les réponses non justifiées seront considérées incomplètes.

5. Justification des calculs : pour les questions d’applications numériques, les résultats balancés sans explication ne seront pas pris en compte.

Conseils :

1. Lire tous les exercices avant de commencer à répondre aux questions.

2. Bien répartir votre temps en fonction du barème.

3. Pour les calculs numériques, donner toujours le calcul analytique avant de remplacer par les valeurs numériques.

ELE2302 – Solutionnaire examen final A2006

18/12/2006

1/9

A. Khouas

1. Exercice X1 X (4pt)

Répondre brièvement aux questions suivantes en justifiant vos réponses :

1.1 Dessiner un montage de polarisation d’un transistor bipolaire NPN par une tension base-émetteur fixe. Pourquoi cette polarisation ne convient-elle pas pour une production en série ?

Le point de polarisation n’est pas stable, il est sensible aux variations des paramètres du transistor.

1.2 Dessiner un montage de polarisation d’un transistor NMOS avec une tension grille- source et une résistance de source. Quel est l’avantage de cette polarisation ?

Le point de polarisation est moins sensible aux variations des paramètres du transistor.

1.3 Expliquer en utilisant un graphique l’influence de la valeur de la résistance de collecteur sur la polarisation d’un transistor NPN. Un choix adéquat de la valeur de la résistance de collecteur permet une grande plage de variation de la tension de sortie. En général, on utilise la règle de 1/3 pour choisir la résistance de collecteur.

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2/9

A. Khouas

1.4

Pourquoi utilise-t-on les modèles petits signaux des transistors ? Pour simplification des calculs dans le cas de petit variations autour du point de polarisation.

2. Exercice X2 X (8 pts)

On considère le montage émetteur commun de la XFigure 2-1X. On suppose qu’on a VB CC B=15V, la tension thermique V T = 25 mV, et que le transistor NPN a β=100 et VB A B=100V. On suppose aussi que toutes les capacités de couplage/découplage sont infinies (équivalentes à des courts- circuits pour les fréquences considérées) et qu’on néglige les capacités internes du transistor.

et qu’o n néglige les capacités internes du transistor. Figure 2-1 2.1 On souhaite polariser cet

Figure 2-1

2.1 On souhaite polariser cet amplificateur avec un courant de collecteur I C =1mA et les tensions V CE =V E =V CC /3. Calculer les valeurs de toutes les résistances.

On a

:

I

=

1

mA

CB

⇒=

I

0.01

mA

V CC VV = = =⇒ 5 V V = 5 V E CE R
V
CC
VV
=
=
=⇒
5
V
V
=
5
V
E
CE
R
3
C
V R
5
R
=
C
== Ω
5
k
C
I
1
C
V
5
E
R
==
=
4.95 k
Ω
E
I
1.01
E
V
− V
15
− 5.7
CC
B
R
=
=
930
k
B
I
B 0.01

et

et

I

E

=

1.01

mA

VV

B

=+ =

E

0.7

5.7

V

2.2 Calculer les paramètres petits signaux (g m , r π ,, r e , et r o ) du transistor pour la polarisation de la question 2.1.

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3/9

A. Khouas

I 1 C g == = 40 mA / V m V 0.025 t β
I
1
C
g
==
= 40
mA / V
m
V
0.025
t
β
100
r
==
=
2.5 k
Ω
π
g
40
m
α 0.99
r
=
=
25
e
g
m 40
V
100
A
r
==
=
100 k
Ω
o
I
C 1

2.3 Dessiner le circuit petit signal équivalent de l’amplificateur en remplaçant le transistor par son modèle petit signal en π.

2.4 Dessiner le circuit petit signal équivalent de l’amplificateur en remplaçant le transistor par son modèle petit signal en Τ.

2.5 En négligeant la résistance r o , donner l’expression et la valeur du gain en tension

GB v B=v B

out B/v B

in B. Pour l’application numérique, on prendra R L =10kΩ.

Pour le calcul du gain on a le choix entre l’utilisation du circuit équivalent avec le modèle en T et

du circuit équivalent avec le modèle en π.

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4/9

A. Khouas

En entrée

En sortie

v

G

,

,

on a

on a

out

:

:

v

in

v

out

β

(

=

r i

π

b

=−

β

i

//

RR

C

+

b

L

R

E

(

)

R

C

(

β

//

+ =+

b

r

π

R

L

1)

)

i

(

β

R

E

(

β

+

1))

//

RR

i

b

v

v

in

=−

rR

π

++

E

(

β

Application numérique :

1)

=−

rR

π

++

E

(

β

1)

(

CL

)

 

10

×

5

 

(

//

RR

C

L

)

=

3.33

k

Ω

 
   

r

π

G

v

+

+= +

10

1)

/

VV

5

2.5

+

R

E

(

β

0.66

(101 ×= 5)

502.45 k

Ω

2.6 Calculer

la

V ce_sat =0.3V.

plage

de

variation

permise

de

la

tension

Il faut avoir : v ≤ 10 mV et V ≤≤ v be ce _
Il faut avoir :
v
10 mV
et
V
≤≤
v
be
ce
_
sat
OUT
r
π
v
==
ri
v
= 0.005
v
be
π
b
in
in
+
(
β +
1)
R
r π
E
10 mV
⇒≤ 2V
v
v be
in
v
=
v
=
V
+
v
=+
5
Gv
=−
5
0.66
v
OUT
C
C
out
v
in
in
0.3
Vv
15
V
0.3
V
≤ −
5
0.66
v
15
V
⇒−
OUT
in
Il faut donc avoir
: v
≤ 2V
in

V

CC

7.6

Vv

in

14.7

d’entrée.

V

On

suppose

que

2.7 On suppose maintenant qu’on a R C =R E =2.5kΩ et R B =462kΩ, calculer les courants (I B , I C , et I E ) et les tensions de polarisation (V B , V C , et V E ).

I E On a : V =++= ++ V V V R I 0.7 R
I
E
On a
:
V
=++= ++
V
V
V
R
I
0.7
R
CC
R
BE
R
E
E
B
E
B
β
+
1
V
− 0.7
15
− 0.7
CC
⇒= I
=
= 2.02
mA
E
R
462
R
+
B
2.5
+
E
β
+ 1
101
I
E
= =
0.02
mA
et
I
==
β
I
2
mA
I B
CB
β
+ 1
V
= RI
=
5.05
V
;
V
=
V
RI
=
10
V
,
V
=+ V
E
E
E
C
CC
C
C
B
E

0.7

V

=

5.75

V

2.8 Pour la polarisation de la question 2.7, calculer le pourcentage de variation du courant de polarisation I C si on utilise un autre transistor ayant β=75. Que peut-on conclure ?

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5/9

A. Khouas

V − 0.7 = CC On a : I E R R B E +
V
− 0.7
= CC
On a
: I
E R
R
B
E +
β + 1
15
− 0.7
Pour
,
on a
:
I
=
E 462
2.5 +
76
I
=
β I
= 1.64
mA
C
E
β + 1
% variation
= 18%

= 1.66 mA

==> Mauvaise polarisation pour une production en série, car la polarisation est sensible à β.

2.9 Proposer une solution au problème de la question 2.8.

Pour diminuer la sensibilité du point de polarisation par rapport à β, il faut avoir :

R

E >> R B /(β+1)

Il

faut donc diminuer la résistance R B . Pour pouvoir diminuer R B tout en gardant le même point

de polarisation, il faut diminuer la tension VB soit par l’utilisation d’une source de tension différente de V CC ou par l’utilisation de la même source V CC , mais avec un diviseur en pont.

3. Exercice X3 X (3 pts)

Soit le circuit de la XFigure 3-1X. On suppose qu’on a VB DD B=10V, et que le transistor NMOS a VB t B=2V, KB n B=μB n BCB ox BW/L=0,5mA/V2 et VB A B=100V.

n B C B o x B W/L=0,5mA/V2 et V B A B =100V . Figure

Figure 3-1

3.1 Calculer les valeurs des résistances R D B et RB G , pour polariser le circuit avec un courant

D B=1 mA.

I

B

La valeur de RB G n’a pas d’influence sur la polarisation, car le courant de grille est nul. Il faut

juste choisir une valeur très grande (exemple : RB G = 1MΩ).

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6/9

A. Khouas

3.2

3.3

3.4

I

1

On a

I

0.5

K

V

V

2

V

V

2

D

 

:

D

RI

D

=

n

(

GS

−⇒ −=

t

GS

t

)

(

)

− =⇒

t

D

V

DS

V

=== 4

2

V

=

4

GS

V

GS

V

V

10

4

V

0.5

K

n

=

0.25

=

 

DD

GS

=

6

k

 
 

I

D

1

 

GS

D

VV

V

DD

R

= 4

On suppose qu’on a R D B=1kΩ, calculer le courant de polarisation I D B B et les tensions V GS et

V DS .

I

=

VV

On a

:

D

=

0.5

K

n

(

V

GS

I

64

−−

D

0

V

t

2)

2

)

I

=−=

D

2

=

0.25(

4

mA

V

GS

2)

2

et

V

GS

=

V

DS

=

V

DD

R

D

I

D

10

=−

I

D

GS

I

D

0.25(10

I

2

20

I

DD

=

DS

10

+ =⇒ =

D

I

6

V

Quel est le rôle des condensateurs de couplage/découplage dans un montage d’amplification ? Protéger la polarisation.

Tracer et expliquer l’allure du gain du montage en fonction de la fréquence. On a un gain en milieu de bande. Pour les basses fréquence, le gain est atténué par les capacités de couplage /découplage. Pour les hautes fréquences, le gain est atténué par les capacités internes du transistor.

4. Exercice X4 X (2 pts)

On considère la technologie CMOS pour laquelle l’inverseur est réalisé avec un transistor PMOS ayant (W/L)p=4μm/0.25μm et un transistor NMOS ayant (W/L)B n B=1μm/0.25μm.

4.1 Donner le schéma en transistors de la porte qui permet de réaliser la fonction suivante :

Y = A + BCD

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7/9

A. Khouas

4.2 Donner les dimensions des transistors qui permettent d’obtenir dans les pires cas les mêmes délais de propagation que l’inverseur.

Pour les transistors N, le pire cas correspond aux chemins Q B

transistors doivent donc être 2 fois plus gros que le transistor N de L’inverseur :

B = (W/L) B NC B = (W/L) ND

NA BQ B

NB B, Q B

NA BQ B

NC B, etQ B

NA BQ B

ND B, ces

(W/L) B NA B= (W/L) NB

B

B = 2μm/0.25μm

B

Pour les transistors P, le pire cas correspond au chemin Q être 3 fois plus gros que le transistor P de L’inverseur :

PB BQ PC

B

B

PD B, ces transistors doivent donc

BQ B

(W/L) PB B= (W/L) PC

B

B

B= (W/L) B ND B = 12μm/0.25μm et (W/L) NA

B

B = 4μm/0.25μm

5. Exercice X5 X (3 pts)

5.1 Dessiner le schéma en transistors d’un inverseur CMOS.

5.2 On suppose qu’on a un inverseur CMOS fonctionnant avec VB DD B=5V, et qu’on a VB tn =- VB tp =1V, μB n BCB ox =4μB p BCB ox =1mA/V2 et (W/L) n B B=(W/L) p =1μm/0.25μm. Calculer les résistances R DSN (résistance équivalente du transistor NMOS lorsqu’il conduit) et R DSP (résistance équivalente du transistor PMOS lorsqu’il conduit).

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A. Khouas

R

R

DSN

DSP

=

=

1

62.5

C WL

μ

n ox

(

/

)(

1

n

V

GS

V

tn

)

μ

p

C WL

ox

(

/

)(

p

V

GS

V

tp

)

250

5.3 On suppose que l’inverseur de la question 5.2 est connecté à une capacité C=10pF, et que l’entrée de l’inverseur varie instantanément de 0 à VDD et de VDD à 0. En remplaçant le transistor par sa résistance équivalente, calculer le temps t PLH nécessaire à la sortie pour passer de 0 à VDD/2 et le temps t PHL nécessaire à la sortie pour passer de VDD à

VDD/2.

Pour le calcul de t PLH , on a un circuit RC composé de la capacité C=10pF et la résistance R DSP =250Ω, et pour le calcul de t PHL , on a un circuit RC composé de la capacité C=10pF et la résistance R DSN =62.5Ω.

Pour t

PLH

( )

Vout t

=

,

on a

V

DD

(1

:

e

τ

p

t

τ

p

)

=

R

DSP

et

C

=

2.5

(

Vout t

ns

PLH

)

V DD

==

V

2 DD

1

⇒ −

t

τ

PLH

p

t

τ

PLH

p

eet

=

=

0.5

0.5

PLH

=−

t

⇒=

PLH

0.69

τ

p

Pour t

t

⇒=

PLH

,

on a

0.69

τ

n

PHL

=

:

=

1.725

ns

τ

n

=

R

DSN

C

43 1ps

=

0.625

ns

ln(0.5)

τ

p

(1

e

t

PLH

p

τ

)

5.4 Quelle est la puissance dissipée par l’inverseur lorsque connecté à une capacité de 10pF et fonctionnant à la fréquence de 100MHz. Puissance dissipée = f*C*VDD 2 = 25 mW

5.5 Pourquoi les temps t PLH et t PHL calculés à la question 5.3 sont-ils différents? Que faut-il faire pour avoir le même temps de propagation ? Pour avoir le même temps propagation, il faut avoir R DSN = R DSP , et pour cela, il faut avoir (W/L) p B=4(W/L) n .

B

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9/9

Bonne chance !

A. Khouas