Digitally signed by Adrian Dario

Rosa
cn=Adrian Dario Rosa, c=AR
Date: 2000.09.16 22:00:52 -03'00'
Reason: I am the author of this
document
Buenos Aires

Captulo 3
Fenmenos de ruptura

3.1) Introduccin
En la caracterstica del diodo observamos una zona en la cual a pesar de estar en polarizacin inversa, se obtienen corrientes inversas que son mucho ms elevadas que las de saturacin. Decimos entonces que el diodo
entra en ruptura.
Los dos tipos de fenmenos de ruptura que se conocen son el de avalancha y el efecto tnel.
3.2) Ruptura por avalancha
En polarizacin inversa, la tensin aplicada hace aumentar la barrera de potencial y consecuentemente el
campo elctrico en la juntura. Este campo, como vimos es el encargado
de Adrin
producirDaro
las corrientes
Ing.
Rosa de arrastre
de los electrones en la zona p hacia la zona n y los huecos de la regin n hacia la p. Estos electrones y huecos
poseen cierta energa cintica en virtud de la velocidad, que adquieren debido al campo, en su movimiento a
travs de la zona desierta de la juntura.
Considerando que la polarizacin inversa aumenta el ancho de la regin de carga espacial, los portadores tendrn una mayor distancia para recorrer, de manera que debido a la aceleracin adquirida mediante la fuerza
creada por el campo, adquirirn una mayor velocidad y consecuentemente, una mayor energa cintica
1
(recordemos que Ec = mv2 ). Si el campo sigue aumentando por efecto de la polarizacin inversa, llegar un
2
momento para el cual esos portadores tendrn suficiente energa cintica como para que cuando choquen
contra los tomos del cristal lo ionicen, destruyendo enlaces y produciendo pares electrn - hueco secundarios. Luego, esos portadores secundarios, liberados por las colisiones, chocarn contra nuevos tomos producindose una multiplicacin de esos portadores libres en avalancha o alud
Debido a este proceso aumenta la corriente en forma indefinida, de manera que si se hace trabajar al diodo en
esa zona, es necesario protegerlo mediante un resistor que limite la intensidad de dicha corriente a valores
que el diodo pueda soportar sin degradarse ni destruirse por efecto de la disipacin trmica.
En la regin de ruptura, la tensin se mantiene aproximadamente constante, a pesar del crecimiento
indefinido de la corriente.
Los diodos a los que se hace trabajar en la zona de ruptura son diodos de referencia, ya que para un rango
dado de corriente, la tensin inversa queda prcticamente constante.
Jn(choque)
Jp(choque)

Fp
+
-

Fn

fig. 3.1
La ley matemtica que explica el fenmeno de ruptura por avalancha es emprica; definimos un factor de
I ( ald )
multiplicacin M =
. Por lo tanto I ( ald ) = IsM , siendo el valor de M el dado por la expresin
Is
1
sig.M =
n , donde VA es la tensin de ruptura por avalancha y n es un exponente cuyo valor est
V
1
VA
comprendido en el intervalo sig. 1. 5 n 6 , segn el material y el tipo de diodo. En la expresin anterior se
observa que lm M = , de manera que al alcanzarse la tensin de ruptura, la corriente aumenta indefinida-

F
I
G
J
HK
V VA

mente.
3.3) Ruptura por efecto tnel
1

El fenmeno que describiremos a continuacin, fue descubierto por Zener en 1934, es por ello que tambin se
conoce como efecto Zener.
Los diodos que poseen altos niveles de contaminacin ( concentracin de impurezas ), tienen zonas desiertas
muy estrechas y, con tensiones inversas pequeas, se producen campos elctricos muy elevados. Cuando aumentamos la tensin negativa, aumenta el campo elctrico y, consecuentemente el ancho de la zona de carga
espacial. En tales casos, el campo puede alcanzar valores tan elevados que produce la rotura de enlaces antes
que la zona desierta aumente lo suficiente como para que se produzca avalancha.
La ruptura por efecto tnel consiste pues en la rotura directa de los enlaces covalentes debido al alto valor de
la fuerza que acta sobre el electrn, ocasionada por el campo elctrico intenso y no requiriendo aceleracin
de un portador primario. De esta forma la ruptura por efecto Zener, no depende de la extensin de la zona
desierta ( como ocurra en avalancha ), pero s del campo elctrico en ella. La ruptura por efecto tnel, se produce con valores del campo elctrico del orden del MV/cm, que tienen lugar en junturas de Si cuando la contaminacin es de alrededor de 1018 cm 3 y la tensin inversa aplicada es de unos 5V.
Podemos afirmar adems que diodos que trabajan en la zona de ruptura con tensiones de ruptura mayores a
Ing. Adrin Daro Rosa
8V, lo hacen segn el efecto avalancha, mientras que los que tienen tensiones disruptivas menores que 5V,
trabajan por efecto tnel. Para valores intermedios de tensin, se produce una mezcla de efectos, dependiendo
de la densidad de contaminacin, el comportamiento preponderante.
Es importante tener presente que la denominacin diodo Zener se usa independientemente del tipo de ruptura
y para identificar a un diodo que trabaja en la regin de ruptura. Creo por ello ms adecuado el nombre diodo
de ruptura o regulador. Esta ltima denominacin, por el hecho de mantener entre sus bornes una tensin
prcticamente constante, independientemente de la corriente que lo atraviesa.
Por su parte, desde el punto de vista de los diagramas de bandas de energa, podemos decir que debido a un
potencial de juntura elevado ( campo elevado ), pueden enfrentarse banda de conduccin de la zona n con la
banda de valencia de la zona p y debido a la reduccin del ancho de la barrera de potencial, que separa a la
los electrones en la parte superior de la banda de valencia de los estados desocupados de la banda de
conduccin , puede producirse el tnel a travs de la barrera de potencial como vemos en la fig. 3.2.

Ec

-e( Vj0 - V )
Eg
Ev

tnel
A
B
Ec

Eg

Ev

fig. 3.2
La distancia A-B es tan pequea y el campo tan alto, que los electrones de la banda de valencia de la zona p
pueden atravesar la barrera de potencial y pasar a la banda de conduccin de la zona n.
El proceso descripto, es tambin el de ruptura de los aisladores.
3.4) Diodo tnel
Como vimos, el diagrama de bandas de un semiconductor se caracteriza por tener las bandas de valencia y
conduccin parcialmente llenas. Esto significa que tendremos electrones que se encontraban en la b.v. y que
han pasado a la b.c..
En general, en la b.v. es ms probable que estn llenos los niveles de energa de los electrones ms
fuertemente ligados. Mientras tanto, en la b.c. es ms probable que estn llenos los niveles de los electrones
libres que poseen menor energa.. Podemos entonces dibujar un diagrama de bandas de acuerdo a las
consideraciones anteriores.

Banda de conduccin
parcialmente llena

Banda de valencia
parcialmente llena

Ing. Adrin Daro Rosa

fig. 3.3
Por lo tanto, si tenemos una juntura con muy alta contaminacin, del orden de 1018 1019 cm 3 , la tensin de
juntura en equilibrio, ser lo suficientemente elevada como para tener efecto tnel con polarizaciones negativas muy dbiles e incluso con polarizaciones positivas. Analizaremos a continuacin los diagramas de bandas
para un diodo de alta contaminacin para distintos casos de polarizacin.
I) Juntura en equilibrio ( polarizacin cero )
Vemos que las b.c. y de valencia ya se solapan an sin polarizacin. En estas condiciones como se enfrentan
niveles llenos de la b.c. de la zona p con niveles llenos de la b.c. de la zona n, la corriente promedio ser nula.

Ec

-e Vj0
Ev

Ec

Ev

niveles llenos enfrentados

fig. 3.4.1
II) Polarizacin inversa
Si aplicamos una polarizacin inversa an muy dbil, se opondrn niveles llenos de la b.v. de la zona p con
niveles vacos de la b.c. de la regin n, por lo cual se producir efecto tnel en inversa.

Ec

Ev
tnel
Ec

Ing. Adrin Daro Rosa

Ev

fig. 3.4.2
III) Polarizacin directa dbil
Si disminuimos la polarizacin inversa y la hacemos ligeramente positiva, el nivel de conduccin de la zona n
subir, de manera que habr niveles llenos de la b.c. de la regin n opuestos a niveles vacos en la banda de
valencia de la zona p. De esta forma aparecer efecto tnel ahora con polarizacin directa. Es as que aumenta
la corriente en sentido directo.

Ec

tnel
Ev

Ec

Ev
fig. 3.4.3
IV) Polarizacin directa ms intensa
Si seguimos aumentando la polarizacin directa, se observa que al ir disminuyendo la barrera de potencial,
tambin lo hace la cantidad de niveles llenos en la b.c. de la zona n, enfrentados a niveles vacos de la b.v. de
la zona p. Esto significa que, a medida que aumenta la tensin, disminuye la corriente. Aparecer entonces,
en la caracterstica del diodo tnel, una regin de resistencia negativa, particularidad de este tipo de diodo.

Ec

tnel
Ec
Ev

Ev
Ev

fig. 3.4.4
V) Polarizacin directa alta
Si seguimos aumentando la polarizacin directa, ya no habr solapamiento entre las b.c. de la regin n y la
b.v. de la zona p, en virtud de la disminucin de la barrera de potencial. Es as que nos encontramos ahora en
condiciones semejantes a las de un diodo comn. Por lo tanto la caracterstica volt-amper del diodo tnel,
para estos valores de polarizacin ser igual a la del diodo comn.

Ec

Ec
Ev

Ev

fig. 3.4.5
En la fig. 3.4.7, vemos la caractersticadel diodo tnel, que tambin recibe el nombre de diodo de Esaki, ya
que este investigador explic el mecanismo expuesto. Finalmente, el smbolo es el indicado a continuacin:

fig. 3.4.6

fig. 3.4.7

Ing. Adrin Daro Rosa

3.5) Capacitancia de juntura

Como vimos, una polarizacin inversa de la juntura, favorece el aumento de la carga almacenada en la zona
desierta y, consecuentemente un aumento en el potencial de dicha juntura. En forma contraria, si la polarizacin inversa se hace ms dbil o se torna directa, la carga almacenada disminuye, al igual que el potencial de
juntura.
Observamos entonces que ante un cambio en el potencial aplicado, se produce un cambio en la carga almacenada. Esto promueve la idea que existe en la juntura un efecto capacitivo. La unin pues, se comporta como
un capacitor plano de rea igual al rea transversal de la juntura y largo igual a la extensin de la zona
desierta y permitividad igual a la del semiconductor ( Ge o Si ).
Es interesante destacar que si la densidad volumtrica de concentracin de impurezas es uniforme, como en
general ocurre, la nica posibilidad para que vare la carga almacenada, es que cambie la extensin de la zona
desierta.
Por la condicin de neutralidad elctrica deber cumplirse que Qp = Qn , donde los smbolos anteriores representan las cargas almacenadas en la zona p y en la zona n, respectivamente.
En consecuencia se deber cumplir la ecuacin sig.:eAlpNA = eA ln ND , donde A representa el rea de la seccin transversal de la juntura, lp y ln, las extensiones de la zona desierta en la regin p y n reapectivamente,
NA y ND, las densidades volumtricas de concentracin de impurezas y finalmente e, la carga elctrica del
electrn.
Simplificando queda: lpNA = ln ND , de donde se ve que la zona desierta se extiende ms en la regin menos
contaminada..
De lo anteriormente explicado se infiere que si aplicamos una tensin variable en el tiempo a la juntura. se
producir una modulacin o variacin en la zona desierta consecuentemente la carga elctrica.
Grficamente podemos observar lo anteriormente expresado.
densidad de carga
eND
lp

lp

ln

distancia
ln

-eNA
fig. 3.5.1

Como esta capacitancia vara con la tensin, es decir que no es constante, se la debe definir en forma increQ
, donde el signo menos deviene del hecho que si la tensin de polarizacin
mental, del sig. modo: Cj =
V
aumenta, es decir, se hace menos negativa, la carga almacenada disminuye.
A
Considerando que la juntura se comporta como un capacitor plano de capacitancia Cj =
, puede llelp + ln
garse a la expresin de la capacitancia de juntura o de transicin en funcin de la tensin aplicada. El
resultado es el sig.:
A
2e
, la que, expresada sintticamente, agrupando trminos
Cj =
2 ( Vj 0 V )( 1 + 1 )
NA ND
constantes, puede escribirse finalmente:
k
, la cual puede simplificarse para el caso en que la
Cj =
Vj 0 V
polarizacin inversa es elevada del sig. modo:
k
Ing. Adrin Daro Rosa
V > > Vj 0 Cj =
V
es muy interesante observar en cualquiera de las frmulas anteriores que esta propiedad del diodo nos
permite variar una capacitancia variando la tensin inversa aplicada entre sus bornes, dando origen a un
nuevo tipo de diodo que recibe el nombre de diodo varactor o de capacitancia variable o su nombre
comercial varicap.
Una aplicacin tpica de los diodos varactores es su uso en circuitos de sintona, en los cuales es necesario
variar una capacitancia para lograr que el circuito entre en resonancia. Segn las expresiones vistas, la capacitancia de juntura tendr una variacin como la sig.:
1200
1000

Cj (pF)

800
Serie1

600
400
200

-1.05

-0.9

-0.75

-0.65

-0.55

-0.45

-0.35

-0.25

-0.15

-0.05

0.05

0.15

0.25

0.35

0.45

V (volt)

fig. 3.5.2

Vemos en el grfico, que la zona til es la de polarizacin negativa, ya que para polarizacin directa, el crecimiento es muy rpido cuando nos cercamos al valor del potencial de juntura en equilibrio, hacindose pues
incontrolable. En cambio, para la zona de polarizacin negativa, la variacin es muy lenta, por lo cual es
fcilmente regulable la capacitancia mediante la tensin.
El smbolo del diodo varactor es el sig.:
fig. 3.5.3

3.6) Capacitancia de difusin

En el captulo anterior vimos que cuando se polarizaba al diodo en directa, se produca un exceso de portadores en cada lado de la juntura debido al proceso de difusin. Esa carga en exceso vara con la tensin de manera que aparece una variacin de la carga almacenada frente a una variacin en la tensin. Por lo tanto podemos afirmar que aparece un efecto capacitivo al que llamaremos capacitancia de difusin. No se trata pues
de una capacitancia real como el caso de la de juntura, sino de un efecto capacitivo, pero que tiene gran
importancia para polarizaciones directas por su valor elevado ( alrededor de decenas de F ), especialmente
en diodos que deban trabajar rpidamente como es el caso de la conmutacin.