DDR SDRAM

Mdulo de memoria DDR.

DDR (Double Data Rate) significa doble tasa de transferencia de datos en espaol. Son
mdulos de memoria RAM compuestos por memorias sincrnicas (SDRAM),
disponibles en encapsulado DIMM, que permite la transferencia de datos por dos
canales distintos simultneamente en un mismo ciclo de reloj. Los mdulos DDR
soportan una capacidad mxima de 1 GiB (1 073 741 824 bytes).
Fueron primero adoptadas en sistemas equipados con procesadores AMD Athlon. Intel
con su Pentium 4 en un principio utiliz nicamente memorias RAMBUS, ms
costosas. Ante el avance en ventas y buen rendimiento de los sistemas AMD basados en
DDR SDRAM, Intel se vio obligado a cambiar su estrategia y utilizar memoria DDR, lo
que le permiti competir en precio. Son compatibles con los procesadores de Intel
Pentium 4 que disponen de un Front Side Bus (FSB) de 64 bits de datos y frecuencias
de reloj internas que van desde los 200 a los 400 MHz.

Comparacin grfica entre memorias DDR, DDR2 y DDR3

Se utiliza la nomenclatura PCxxxxx, dnde se indica el ancho de banda del mdulo y
pueden transferir un volumen de informacin de 8 bytes en cada ciclo de reloj a las
frecuencias descritas. Un ejemplo de clculo para PC1600:
100 MHz x 2 Datos por Ciclo x 8 B = 1600 MB/s = 1 600 000 000 bytes/s
Muchas placas base permiten utilizar estas memorias en dos modos de trabajo distintos:

Single Memory Channel: Todos los mdulos de memoria intercambian

informacin con el bus a travs de un slo canal, para ello slo es necesario
introducir todos los mdulos DIMM en el mismo banco de slots.
Dual Memory Channel: Se reparten los mdulos de memoria entre los dos
bancos de slots diferenciados en la placa base, y pueden intercambiar datos con
el bus a travs de dos canales simultneos, uno para cada banco.

Contenido
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1 Especificaciones estndar
o 1.1 Chips y Mdulos

2 Vase tambin

3 Referencias

[editar] Especificaciones estndar

[editar] Chips y Mdulos
Nombre
estndar

Velocidad
del reloj

Tiempo
entre
seales

Velocidad Datos
del reloj de transferidos
E/S
por segundo

Nombre Mxima
del
capacidad de
mdulo transferencia

DDR-200
(2001)

100 MHz

10 ns

100 MHz

200 millones PC1600

1600 MB/s

DDR-266
(2002)

133 MHz

7,5 ns

133 MHz

266 millones PC2100

2133 MB/s

DDR-300
(2003)

150 MHz

7-ns

150 MHz

300 millones PC2400

2400 MB/s

DDR-333
(2004)

166 MHz

6 ns

166 MHz

337,5
millones

PC2700

2667 MB/s

DDR183 MHz
366(2004)

5,5 ns

183 MHz

366 millones PC3000

2933 MB/s

DDR-400
(2004)

200 MHz

5 ns

200 MHz

400 millones PC3200

3200 MB/s

DDR-433
(2004)

216 MHz

4,6 ns

216 MHz

433 Millones PC3500

3500 MB/s

DDR-466
(2004)

233 MHz

4,2 ns

233 MHz

466 millones PC3700

3700 MB/s

DDR-500
(2004)

250 MHz

4 ns

250 MHz

500 millones PC4000

4000 MB/s

DDR-533
(2004)

266 MHz

3,7 ns

266 MHz

533 millones PC4300

4264 MB/s

No hay diferencia arquitectnica entre los DDR SDRAM diseados para diversas
frecuencias de reloj, por ejemplo, el PC-1600 (diseado para correr a 100 MHz) y el
PC-2100 (diseado para correr a 133 MHz). El nmero simplemente seala la velocidad
en la cual el chip est garantizado para funcionar. Por lo tanto el DDR SDRAM puede
funcionar a velocidades de reloj ms bajas para las que fue diseado (underclock) o para
velocidades de reloj ms altas para las que fue diseado (overclock).
Los DIMMs DDR SDRAM tienen 184 pines (en comparacin con los 168 pines en el
SDRAM, o los 240 pines en el DDR2 SDRAM), y pueden ser diferenciados de los
DIMMs SDRAM por el nmero de muescas (el DDR SDRAM tiene una, y el SDRAM
tiene dos). El DDR SDRAM funciona con un voltaje de 2,5 V, comparado a 3,3 V para
el SDRAM. Esto puede reducir perceptiblemente el uso de energa. Nota: algunos
DIMMs tiene un voltaje nominal de 2,6 o 2,7 V.1
Muchos chips nuevos usan estos tipos de memoria en configuraciones Dual Channel, lo
que dobla o cuadruplica el ancho de banda efectivo.

DDR2
DDR2 es un tipo de memoria RAM. Forma parte de la familia SDRAM de tecnologas
de memoria de acceso aleatorio, que es una de las muchas implementaciones de la
DRAM.

Un mdulo DDR2 de 1 GB con disipador

Los mdulos DDR2 son capaces de trabajar con 4 bits por ciclo, es decir 2 de ida y 2 de
vuelta en un mismo ciclo mejorando sustancialmente el ancho de banda potencial bajo
la misma frecuencia de una DDR SDRAM tradicional (si una DDR a 200 MHz reales
entregaba 400 MHz nominales, la DDR2 por esos mismos 200 MHz reales entrega 800
MHz nominales). Este sistema funciona debido a que dentro de las memorias hay un
pequeo buffer que es el que guarda la informacin para luego transmitirla fuera del
mdulo de memoria, este buffer en el caso de la DDR convencional trabajaba tomando
los 2 bits para transmitirlos en 1 slo ciclo, lo que aumenta la frecuencia final. En las
DDR2, el buffer almacena 4 bits para luego enviarlos, lo que a su vez redobla la
frecuencia nominal sin necesidad de aumentar la frecuencia real de los mdulos de
memoria.

Comparacin grfica entre memorias DDR, DDR2 y DDR3

Las memorias DDR2 tienen mayores latencias que las conseguidas con las DDR
convencionales, cosa que perjudicaba su rendimiento. Reducir la latencia en las DDR2
no es fcil. El mismo hecho de que el buffer de la memoria DDR2 pueda almacenar 4
bits para luego enviarlos es el causante de la mayor latencia, debido a que se necesita
mayor tiempo de "escucha" por parte del buffer y mayor tiempo de trabajo por parte de
los mdulos de memoria, para recopilar esos 4 bits antes de poder enviar la informacin.

Contenido
[ocultar]
1 Caractersticas
2 Estndares
o

2.1 Mdulos

3 La variante GDDR2

4 Integracin

5 Vase tambin

[editar] Caractersticas

Las memorias DDR2 son una mejora de las memorias DDR (Double Data Rate),
que permiten que los bferes de entrada/salida trabajen al doble de la frecuencia
del ncleo, permitiendo que durante cada ciclo de reloj se realicen cuatro
transferencias.
Operan tanto en el flanco alto del reloj como en el bajo, en los puntos de 0
voltios y 1,8 voltios, lo que reduce el consumo de energa en aproximadamente
el 50 por ciento del consumo de las DDR, que trabajaban a 0 voltios y a 2,5.
Terminacin de seal de memoria dentro del chip de la memoria ("Terminacin
integrada" u ODT) para evitar errores de transmisin de seal reflejada.

[editar] Estndares
[editar] Mdulos
Para usar en PC, las DDR2 SDRAM son suministradas en tarjetas de memoria DIMM
con 240 pines y una localizacin con una sola ranura. Las tarjetas DIMM son
identificadas por su mxima capacidad de transferencia, llamado ancho de banda.
Nombre Velocidad
estndar del reloj

Tiempo
entre
seales

Velocidad Datos
del reloj de transferidos
E/S
por segundo

Nombre
del
mdulo

Mxima
capacidad de
transferencia

DDR2400

100 MHz

10 ns

200 MHz

400 millones

PC23200

3200 MB/s

DDR2533

133 MHz

7,5 ns

266 MHz

533 millones

PC24200

4264 MB/s

DDR2600

150 MHz

6,7 ns

300 MHz

600 millones

PC24800

4800 MB/s

DDR2667

166 MHz

6 ns

333 MHz

667 Millones

PC25300

5336 MB/s

DDR2800

200 MHz

5 ns

400 MHz

800 Millones

PC26400

6400 MB/s

DDR21000

250 MHz

3,75 ns

500 MHz

1000
Millones

PC28000

8000 MB/s

DDR21066

266 MHz

3,75 ns

533 MHz

1066
Millones

PC28500

8530 MB/s

DDR21150

286 MHz

3,5 ns

575 MHz

1150
Millones

PC29200

9200 MB/s

DDR21200

300 MHz

3,3 ns

600 MHz

1200
Millones

PC29600

9600 MB/s

Nota: DDR2-xxx indica la velocidad de reloj efectiva, mientras que PC2-xxxx indica el
ancho de banda terico (aunque suele estar redondeado). El ancho de banda se calcula
multiplicando la velocidad de reloj efectiva por ocho, ya que la DDR2 (como la DDR)
es una memoria de 64 bits, hay 8 bits en un byte, y 64 es 8 por 8 y por ltimo por 2
(doble tasa de transferencia), esto se empez a usar para mostrar la velocidad de
transferencia frente a las memorias "Rambus" que eran mas rpidas en sus ciclos de
reloj operacin, pero solo eran de 16 bits
1

Algunos fabricantes etiquetan sus memorias DDR2-667 como PC2-5400 en vez de

PC2-5300. Al menos un fabricante ha reportado que esto refleja pruebas satisfactorias
a una velocidad ms rpida que la normal.

[editar] La variante GDDR2

Artculo principal: GDDR2

El primer producto comercial en afirmar que usaba tecnologa GDDR2 fue la tarjeta
grfica nVIDIA GeForce FX 5800. Sin embargo, es importante aclarar que la memoria
"DDR2" usada en las tarjetas grficas (llamada oficialmente GDDR2) no es DDR2, sino
un punto intermedio entre las DDR y DDR2. De hecho, no incluye el (importantsimo)
doble ratio del reloj de entrada/salida, y tiene serios problemas de sobrecalentamiento
debido a los voltajes nominales de la DDR. ATI Technologies (ahora AMD)
posteriormente ha desarrollado an ms el formato GDDR, hasta el GDDR3, que es ms
parecido a las especificaciones de la DDR2, aunque con varios aadidos especficos
para tarjetas grficas.
Tras la introduccin de la GDDR2 con la serie FX 5800, las series 5900 y 5950
volvieron a usar DDR, pero la 5700 Ultra usaba GDDR2 con una velocidad de 450
MHz (en comparacin con los 400 MHz de la 5800 o los 500 MHz de la 5800 Ultra).
La Radeon 9800 Pro de ATI con 256 MiB de memoria (no la versin de 128 MiB) usaba
tambin GDDR2, porque esta memoria necesita menos pines que la DDR. La memoria
de la Radeon 9800 Pro de 256 MiB slo va 20 MHz ms rpida que la versin de 128
MiB, principalmente para contrarrestar el impacto de rendimiento causado por su mayor
latencia y su mayor nmero de chips. La siguiente tarjeta, la Radeon 9800 XT, volvi a
usar DDR, y posteriormente ATI comenz a utilizar GDDR3 en su lnea de tarjetas
Radeon X800 hasta la mayora de la serie Radeon HD 4000.
Actualmente, las tarjetas de nueva generacin usan el formato GDDR5; por parte de
ATi, las tarjetas de alto rendimiento, algunas serie HD4000(solo la hd4870, hd4890 y la
hd4770), las gamas medio-altas de las series HD5000 y HD6000, utilizan GDDR5. Por
parte de Nvidia, las tarjeta grficas de gama alta de las series 400 y 500

[editar] Integracin
DDR2 se introdujo a dos velocidades iniciales: 200 MHz (llamada PC2-3200) y 266
MHz (PC2-4200). Ambas tienen un menor rendimiento que sus equivalentes en DDR,
ya que su mayor latencia hace que los tiempos totales de acceso sean hasta dos veces
mayores. Sin embargo, la DDR no ha sido oficialmente introducida a velocidades por
encima de los 266 MHz. Existen DDR-533 e incluso DDR-600, pero la JEDEC ha
afirmado que no se estandarizarn. Estos mdulos son, principalmente, optimizaciones
de los fabricantes, que utilizan mucha ms energa que los mdulos con un reloj ms
lento, y que no ofrecen un mayor rendimiento.
Actualmente, Intel soporta DDR2 en sus chipsets 9xx. AMD incluye soporte DDR2 en
procesadores de la plataforma AM2 introducidos en el 2006.
Los DIMM DDR2 tienen 240 pines, mientras que los de DDR tienen 184 y los de SDR
168.

DDR3
En este artculo se detect el siguiente problema:
Carece de fuentes o referencias que aparezcan en una fuente acreditada.
Por favor, edtalo para mejorarlo, o debate en la discusin acerca de estos
problemas.
Estas deficiencias fueron encontradas el 3 de noviembre de 2010.

Comparacin grfica entre memorias DDR, DDR2 y DDR3

DDR3 es un tipo de memoria RAM. Forma parte de la familia SDRAM de tecnologas
de memoria de acceso aleatorio, que es una de las muchas implementaciones de la
SDRAM.
El principal beneficio de instalar DDR3 es la habilidad de poder hacer transferencias de
datos ms rpido,y con esto nos permite obtener velocidades de transferencia y
velocidades de bus ms altas que las versiones DDR2 anteriores. Sin embargo, no hay
una reduccin en la latencia, la cual es proporcionalmente ms alta. Adems la DDR3
permite usar integrados de 512 MB a 8 GB, siendo posible fabricar mdulos de hasta 16
GiB. Tambin proporciona significativas mejoras en el rendimiento en niveles de bajo
voltaje, lo que lleva consigo una disminucin del gasto global de consumo.
Se prev que la tecnologa DDR3 puede ser dos veces ms rpida que la DDR2 y el alto
ancho de banda que promete ofrecer DDR3 es la mejor opcin para la combinacin de
un sistema con procesadores dual-core, quad-core y hexaCore (2, 4 y 6 ncleos por
microprocesador). Las tensiones ms bajas del DDR3 (1,5 V frente 1,8 V de DDR2)
ofrecen una solucin trmica y energtica ms eficientes.

Contenido
[ocultar]
1 Historia
2 Estndares

3 GDDR3

4 Vase tambin

[editar] Historia
En febrero de 2009, Samsung Electronics anunci un chip prototipo de 512 MiB a 1.066
MHz (la misma velocidad de bus frontal del Pentium 4 Extreme Edition ms rpido)
con una reduccin de consumo de energa de un 40% comparado con los actuales
mdulos comerciales DDR2, debido a la tecnologa de 80 nanmetros usada en el
diseo del DDR3 que permite ms bajas corrientes de operacin y tensiones (1,5 V,
comparado con los 1,8 del DDR2 los 2,5 del DDR). Dispositivos pequeos,
ahorradores de energa, como computadoras porttiles quizs se puedan beneficiar de la
tecnologa DDR3.
Tericamente, estos mdulos pueden transferir datos a una tasa de reloj efectiva de 8002600 MHz, comparado con el rango actual del DDR2 de 400-1200 MHz 200-533
MHz del DDR. Existen mdulos de memoria DDR y DDR2 de mayor frecuencia pero
no estandarizados por JEDEC.
Si bien las latencias tpicas DDR2 fueron 5-5-5-15 para el estndar JEDEC, para
dispositivos DDR3 son 7-7-7-20 para DDR3-1066 y 7-7-7-24 para DDR3-1333.
Los DIMMs DDR3 tienen 240 contactos, el mismo nmero que DDR2; sin embargo,
los DIMMs son fsicamente incompatibles, debido a una ubicacin diferente de la
muesca.

[editar] Estndares
Estos son los estndares de memoria DDR3 actualmente en el mercado:
Nombre Velocidad
estndar del reloj

Tiempo
entre
seales

Velocidad Datos
del reloj de transferidos
E/S
por segundo

Nombre
del
mdulo

Mxima
capacidad de
transferencia

DDR31066

133 MHz

7,5 ns

533 MHz

1066
Millones

PC38500

8530 MB/s

DDR31200

150 MHz

6,7 ns

600 MHz

1200
Millones

PC39600

9600 MB/s

DDR31333

166 MHz

6 ns

667 MHz

1333
Millones

PC310700

10664 MB/s

DDR31375

170 MHz

5,9 ns

688 MHz

1375
Millones

PC311000

11000 MB/s

DDR31466

183 MHz

5,5 ns

733 MHz

1466
Millones

PC311700

11700 MB/s

DDR31600

200 MHz

5 ns

800 MHz

1600
Millones

PC312800

12800 MB/s

DDR31866

233 MHz

4,3 ns

933 MHz

1866
Millones

PC314900

14930 MB/s

DDR32000

250 MHz

4 ns

1000 MHz

2000
Millones

PC316000

16000 MB/s

[editar] GDDR3
La memoria GDDR3, con un nombre similar pero con una tecnologa completamente
distinta, ha sido usada durante varios aos en tarjetas grficas de gama alta como las
series GeForce 6x00 ATI Radeon X800 Pro, y es la utilizada como memoria principal
de la Xbox 360. A veces es incorrectamente citada como "DDR3".

SIPP

SIPP es el acrnimo ingls de Single In-line Pin Package (Paquete de Pines en Lnea
Simple) y consiste en un circuito impreso (tambin llamado mdulo) en el que se
montan varios chips de memoria RAM, con una disposicin de pines correlativa (de ah
su nombre). Tiene un total de 30 pines a lo largo del borde del circuito, que encajan con
las ranuras o bancos de conexin de memoria de la placa base del ordenador, y
proporciona 8 bits por mdulo. Se us en sistemas 80286 y fueron reemplazadas por las
SIMM, ms fciles de instalar y que proporcionan 8 o 32 bits por mdulo (segn si son
de 30 o de 72 contactos).

RIMM

Mdulo de memoria Rambus.

RIMM, acrnimo de Rambus Inline Memory Module(Mdulo de Memoria en Lnea
Rambus), designa a los mdulos de memoria RAM que utilizan una tecnologa

denominada RDRAM, desarrollada por Rambus Inc. a mediados de los aos 1990 con
el fin de introducir un mdulo de memoria con niveles de rendimiento muy superiores a
los mdulos de memoria SDRAM de 100 MHz y 133 MHz disponibles en aquellos
aos.
Los mdulos RIMM RDRAM cuentan con 184 pines y debido a sus altas frecuencias de
trabajo requieren de difusores de calor consistentes en una placa metlica que recubre
los chips del mdulo. Se basan en un bus de datos de 16 bits y estn disponibles en
velocidades de 300MHz (PC-600), 356 Mhz (PC-700), 400 MHz (PC-800) y 533 Mhz
(PC-1066) que por su pobre bus de 16 bits tena un rendimiento 4 veces menor que la
DDR. La RIMM de 533MHz tiene un rendimiento similar al de un mdulo DDR133, a
pesar de que sus latencias son 10 veces peores que la DDR.
Inicialmente los mdulos RIMM fueron introducidos para su uso en servidores basados
en Intel Pentium 4. Rambus no manufactura mdulos RIMM si no que tiene un sistema
de licencias para que estos sean manufacturados por terceros siendo Samsung el
principal fabricante de stos.
A pesar de tener la tecnologa RDRAM niveles de rendimiento muy superiores a la
tecnologa SDRAM y las primeras generaciones de DDR RAM, debido al alto costo de
esta tecnologa no tuvo gran aceptacin en el mercado de PC. Su momento lgido tuvo
lugar durante el periodo de introduccin del Pentium 4 para el cual se disearon las
primeras placas base, pero Intel ante la necesidad de lanzar equipos ms econmicos
decidi lanzar placas base con soporte para SDRAM y ms adelante para DDR RAM
desplazando esta ltima tecnologa a los mdulos RIMM del mercado que ya no
ofrecan ninguna ventaja.

SIMM

SIMM de 30 pines y 72 pines (tercera y cuarta desde arriba).

30, VRAM de 68, y 72 contactos.

SIMM (siglas de Single In-line Memory Module), es un formato para mdulos de
memoria RAM que consisten en placas de circuito impreso sobre las que se montan los
integrados de memoria DRAM. Estos mdulos se inserta en zcalos sobre la placa base.
Los contactos en ambas caras estn interconectados, esta es la mayor diferencia respecto
de sus sucesores los DIMMs. Fueron muy populares desde principios de los 80 hasta
finales de los 90, el formato fue estandarizado por JEDEC bajo el nmero JESD-21C.

Contenido
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1 Historia
2 Patillajes

2.1 SIMM de 30 contactos

2.2 SIMM de 72 contactos

3 Enlaces externos

[editar] Historia
En los tiempos de la Computadora domstica y del computador personal, los circuitos
integrados de memoria (por lo general DIP de 14 o 16 pines) se soldaban o se insertaban
en zcalos sobre la tarjeta madre como cualquier otro componente de la misma. Esto
supona el uso de un rea muy grande ya que los integrados iban colocados uno al lado
del otro, adems que en el caso de un fallo, la reparacin era difcil o imposible
condenando toda la placa. La actualizacin de memoria no se contemplaba en equipos
individuales, dado que el mercado de memoria no era tan comn. Con el desarrollo de
nuevas tarjetas madre se hicieron claras esas desventajas y en un principio se plantearon
formatos SIPP (no estndar en computadores 80286) que fueron las primeras
presentaciones modulares de memoria RAM y el antecedente directo de las SIMM.
Skip Coppola propuso durante su estancia en IBM usar un SIPP de 3,5 pulgadas sin los
pines que tan fcilmente se quebraban. IBM los adopta como estndar en su gama IBM
Personal System/2, y se extienden a todos los compatibles con CPU Intel 80286 e Intel

80386. Es tambin adoptado por Apple para sus Mac (el Macintosh IIfx usa unos
SIMMs no estndar de 64 pines, y la VRAM de los Macintosh LC de 68), y ms
tardamente por Atari (en los Atari STe y Atari MEGA STe, aunque de los primeros
existen unos pocos con SIPPs en lugar de SIMMs) y Commodore para los Amiga (los
fabricantes de ampliaciones lo hicieron mucho antes). Se construyen de 8 chips + uno
de paridad (9 bits) o sin paridad (8 bits, con el ahorro de un chip, pero menor
fiabilidad), mayoritariamente de doble cara, y con capacidades de 256 kB, 1 MB, 4 MB,
16 MB. En algunos sistemas deban usarse a pares ya que cada banco de memoria
estaba integrado por dos mdulos.
Su gran ventaja es que elimina casi la mitad de la placa madre, convierte los conectores
en independientes del formato de chip de memoria utilizado, y aporta ms seguridad a la
hora del mantenimiento y las ampliaciones. Vienen adems nominados en Bytes en
lugar de en bits como los chips de memoria. Las primeras placas requieren insertarlos a
presin, pero al poco se generaliza el formato actual de insercin por giro.
La aparicin del Intel 80486 trae tambin el paso al nuevo formato de 108 mm (4,25
pulgadas) y 72 pines. Esto era debido a que en un 386/486 era necesario instalar 4
SIMMs de 30 pines para completar una bancada de memoria. Dicha bancada poda
sustituirse por un slo DIMM de 72 pines (dos en los equipos Pentium) lo que permiti
conservar el factor de forma Baby AT en las placas madre pese a cuadruplicarse la
capacidad de memoria. Se fabrican con memoria EDO/FPM/ECC y capacidades de 1
MB, 2 MB, 4 MB, 8 MB, 16 MB, 32 MB, 64 MB, 128 MB (estos ltimos slo usados
en servidores).
El factor de forma de memoria RAM utilizado en PC es una presentacin de los
mdulos de memoria que fue utilizado en los sistemas cuyos buses de datos eran de 32
bits o menos. A partir del uso de buses de 64 bits han sido reemplazados por los DIMM,
que son el nuevo factor de forma estndar para los mdulos de memoria usados en
ordenadores personales, en los que la capacidad de almacenamiento ya se mide en
gigabytes.
Un PC usa tanto memoria de nueve bits (ocho bits para datos y un bit para chequeo, o
control, de paridadad, en 9 chips de memoria RAM dinmica) como memoria de ocho
bits sin paridad.

[editar] Patillajes
[editar] SIMM de 30 contactos
SIMM de 30 pines
Pin Nombre
Descripcin
1 VCC
+5 VDC
2 /CAS
Column Address Strobe
3 DQ0
Data 0
4 A0
Address 0
5 A1
Address 1
6 DQ1
Data 1
7 A2
Address 2

8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30

A3
Address 3
GND
Ground
DQ2
Data 2
A4
Address 4
A5
Address 5
DQ3
Data 3
A6
Address 6
A7
Address 7
DQ4
Data 4
A8
Address 8
A9
Address 9
A10
Address 10
DQ5
Data 5
/WE
Write Enable
GND
Ground
DQ6
Data 6
A11
Address 11
DQ7
Data 7
QP
Data Parity Out
/RAS
Row Address Strobe
/CASP Column Address Strobe Parity
DP
Data Parity In
VCC
+5 VDC
QP y DP no est conectados en los modelos sin paridad
A9 no est conectado en los de 256 kB.

A10 no est conectado en los de 256 kB y 1 MB.

A11 no est conectado en los de 256 kB, 1 MB y 4 MB.

[editar] SIMM de 72 contactos

72-pin ECC SIMM Memory Module
Pin # Non-Parity Parity
Signal Description
1
VSS
VSS
Ground
2
DQ0
DQ0 Data 0
3
DQ1
DQ1 Data 1
4
DQ2
DQ2 Data 2
5
DQ3
DQ3 Data 3
6
DQ4
DQ4 Data 4
7
DQ5
DQ5 Data 5
8
DQ6
DQ6 Data 6
9
DQ7
DQ7 Data 7
10
VCC
VCC +5 VDC
11
PD1
PD1 Presence Detect 1
12
A0
A0
Address 0

13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57

A1
A2
A3
A4
A5
A6
A10
n/c
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
A7
A11
VCC
A8
A9
/RAS3
/RAS2
DQ16
n/c
DQ18
DQ19
VSS
/CAS0
/CAS2
/CAS3
/CAS1
/RAS0
/RAS1
A12
/WE
A13
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQ24
DQ25
n/c
DQ27
DQ28

A1
A2
A3
A4
A5
A6
A10
PQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
A7
A11
VCC
A8
A9
RAS3
RAS2
DQ16
PQ17
DQ18
DQ19
VSS
CAS0
CAS2
CAS3
CAS1
RAS0
RAS1
A12
WE
A13
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQ24
DQ25
PQ26
DQ27
DQ28

Address 1
Address 2
Address 3
Address 4
Address 5
Address 6
Address 10
Data 8 (Parity 1)
Data 9
Data 10
Data 11
Data 12
Data 13
Data 14
Data 15
Address 7
Address 11
+5 VDC
Address 8
Address 9
Row Address Strobe 3
Row Address Strobe 2
Data 16
Data 17 (Parity 2)
Data 18
Data 19
Ground
Column Address Strobe 0
Column Address Strobe 2
Column Address Strobe 3
Column Address Strobe 1
Row Address Strobe 0
Row Address Strobe 1
Address 12
Read/Write
Address 13
Data 20
Data 21
Data 22
Data 23
Data 24
Data 25
Data 26 (Parity 3)
Data 27
Data 28

58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72

DQ29
DQ31
DQ30
VCC
DQ32
DQ33
DQ34
n/c
PD2
PD3
PD4
PD5
PD6
PD7
VSS

DQ29
DQ31
DQ30
VCC
DQ32
DQ33
DQ34
PQ35
PD2
PD3
PD4
PD5
PD6
PD7
VSS

Data 29
Data 31
Data 30
+5 VDC
Data 32
Data 33
Data 34
Data 35 (Parity 4)
Presence Detect 2
Presence Detect 3
Presence Detect 4
Presence Detect 5
Presence Detect 6
Presence Detect 7
Ground

DIMM

Mdulos de memoria en formato DIMM (dos mdulos SDRAM PC133).

DIMM son las siglas de Dual In-line Memory Module y que podemos traducir como
Mdulo de Memoria en lnea doble. Son mdulos de memoria RAM utilizados en
ordenadores personales. Se trata de un pequeo circuito impreso que contiene chips de
memoria y se conecta directamente en ranuras de la placa base. Los mdulos DIMM
son reconocibles externamente por poseer sus contactos (o pines) separados en ambos
lados, a diferencia de los SIMM que poseen los contactos de modo que los de un lado
estn unidos con los del otro.
Las memorias DIMM comenzaron a reemplazar a las SIMM como el tipo predominante
de memoria cuando los microprocesadores Intel Pentium dominaron el mercado.
Un DIMM puede comunicarse con el PC a 64 bits (y algunos a 72 bits) en vez de los 32
bits de los SIMM.
Funciona a una frecuencia de 123 MHz cada una...
El hecho de que los mdulos en formato DIMM (Mdulo de Memoria en Lnea
Doble),sean memorias de 64 bits, explica por qu no necesitan emparejamiento. Los

mdulos DIMM poseen chips de memoria en ambos lados de la placa de circuito

impresa, y poseen a la vez, 84 contactos de cada lado, lo cual suma un total de 168
contactos. Adems de ser de mayores dimensiones que los mdulos SIMM
(130x25mm), estos mdulos poseen una segunda muesca que evita confusiones.
Cabe observar que los conectores DIMM han sido mejorados para facilitar su insercin,
gracias a las palancas ubicadas a ambos lados de cada conector.
Tambin existen mdulos ms pequeos, conocidos como SO DIMM (DIMM de
contorno pequeo), diseados para ordenadores porttiles. Los mdulos SO DIMM slo
cuentan con 144 contactos en el caso de las memorias de 64 bits, y con 77 contactos en
el caso de las memorias de 32 bits.

Contenido
[ocultar]
1 Especificacin de los mdulos DIMMs
2 Correcin de errores

3 Organizacin

4 "Filas" de los mdulos

[editar] Especificacin de los mdulos DIMMs

DIMMs de 168 contactos, [DIMM] SDR SDRAM. (Tipos: PC66, PC100,

PC133, ...)
DIMMs de 184 contactos, DDR SDRAM. (Tipos: PC1.600 (DDR-200),
PC2.100 (DDR-266), PC2.400 (DDR-300), PC2.700 (DDR-333), PC3.000
(DDR-366), PC3.200 (DDR-400), PC3.500 (DDR-433), PC3.700 (DDR-466),
PC4.000 (DDR-500), PC4.300 (DDR-533), PC4.800 (DDR-600) => Hasta 1
GiB/mdulo)

DIMMs de 240 contactos, DDR2 SDRAM. (Tipos: PC2-3.200 (DDR2-400),

PC2-3.700 (DDR2-466), PC2-4.200 (DDR2-533), PC2-4.800 (DDR2-600),
PC2-5.300 (DDR2-667), PC2-6.400 (DDR2-800), PC2-8.000 (DDR2-1.000),
PC2-8.500 (DDR2-1.066), PC2-9.200 (DDR2-1.150) y PC2-9.600 (DDR21.200) => Hasta 4 GiB por mdulo)

DIMMs de 240 contactos, DDR3 SDRAM. (Tipos: PC3-6.400 (DDR3-800),

PC3-8.500 (DDR3-1.066), PC3-10.600 (DDR3-1.333), PC3-13.300 (DDR31.666), PC3-14.400 (DDR3-1.800), PC3-16.000 (DDR3-2.000) => Hasta 4 GiB
por mdulo)

ETC.

[editar] Correcin de errores

Los ECC DIMMs son aquellos que tienen un mayor nmero de bits de datos, los cuales
son usados por los controladores del sistema de memoria para detectar y corregir
errores. Hay multitud de esquemas ECC, pero quizs el ms comn es el Corrector de
errores individuales-Detector de errores dobles (SECDED) que usa un byte extra por
cada palabra de 64 bits. Los mdulos ECC estn formados normalmente por mltiplos
de 9 chips y no de 8 como es lo ms usual.

[editar] Organizacin
La mayora de mdulos [DIMM] se construyen usando "x4" (de 4) los chips de
memoria o "x8" (de 8) con 9 chips de memoria de chips por lado. "X4" o "x8" se
refieren a la anchura de datos de los chips DRAM en bits.
En el caso de los [DIMM] "x4", la anchura de datos por lado es de 36 bits, por lo tanto,
el controlador de memoria (que requiere 72 bits) para hacer frente a las necesidades de
ambas partes al mismo tiempo para leer y escribir los datos que necesita. En este caso,
el mdulo de doble cara es nico en la clasificacin.
Para "DIMM x8",cada lado es de 72 bits de ancho, por lo que el controlador de memoria
slo se refiere a un lado a la vez (el mdulo de dos caras es de doble clasificacin).

[editar] "Filas" de los mdulos

Las filas no pueden ser accedidas simultneamente como si compartieran el mismo
camino de datos. El diseo fsico de los chips [DRAM] en un mdulo DIMM no hace
referencia necesariamente al nmero de filas.
Las DIMMs frecuentemente son referenciadas como de "un lado" o de "doble lado",
refirindose a la ubicacin de los chips de memoria que estn en uno o en ambos lados
del chip DIMM. Estos trminos pueden causar confusin ya que no se refieren
necesariamente a cmo estn organizados lgicamente los chips DIMM o a qu formas
hay de acceder a ellos.
Por ejemplo, en un chip DIMM de una fila que tiene 64 bits de datos de entrada/salida,
slo hay conjunto de chips [DRAM] que se activan para leer o recibir una escritura en
los 64 bits. En la mayora de sistemas electrnicos, los controladores de memoria son
diseados para acceder a todo el bus de datos del mdulo de memoria.
En un chip DIMM de 64 bits hecho con dos filas, debe haber dos conjuntos de chips
DRAM que puedan ser accedidos en tiempos diferentes. Slo una de las filas puede ser
accedida en un instante de tiempo desde que los bits de datos de los DRAM son
enlazados para dos cargas en el DIMM.
Las filas son accedidas mediante seales "chip select" (CS). Por lo tanto para un mdulo
de dos filas, las dos [DRAM] con los bits de datos entrelazados pueden ser accedidas
mediante una seal CS por [DRAM].