Eletrnica 1

Diodos

Prof. Hermano Cabral

Depto de Eletrnica e Sistemas  UFPE

Conceitos Bsicos de Semicondutores

Introduo
O silcio intrnseco tem uma estrutura com organizao
atmica regular mantida por ligaes covalentes.

Conceitos Bsicos de Semicondutores

Introduo
O silcio intrnseco tem uma estrutura com organizao
atmica regular mantida por ligaes covalentes.
Algumas destas ligaes podem ser rompidas por ionizao
trmica, gerando um par de lacuna-eltron que podem fazer
parte da corrente eltrica.

Conceitos Bsicos de Semicondutores

Introduo
O silcio intrnseco tem uma estrutura com organizao
atmica regular mantida por ligaes covalentes.
Algumas destas ligaes podem ser rompidas por ionizao
trmica, gerando um par de lacuna-eltron que podem fazer
parte da corrente eltrica.
A ionizao trmica gera iguais quantidades de lacunas e
eltrons, tambm chamados de portadores.

Conceitos Bsicos de Semicondutores

Introduo
O silcio intrnseco tem uma estrutura com organizao
atmica regular mantida por ligaes covalentes.
Algumas destas ligaes podem ser rompidas por ionizao
trmica, gerando um par de lacuna-eltron que podem fazer
parte da corrente eltrica.
A ionizao trmica gera iguais quantidades de lacunas e
eltrons, tambm chamados de portadores.
O processo inverso a recombinao, quando um eltron e
uma lacuna se combinam para formar uma ligao de
covalncia, acarretando o desaparecimento de ambos da
corrente eltrica.

Conceitos Bsicos de Semicondutores

Semicondutores dopados
Semicondutores dopados diferem do semicondutor intrnseco
por apresentarem uma predominncia de um dos tipos de
portadores (eltrons para o tipo n, lacunas para o tipo p).

Conceitos Bsicos de Semicondutores

Semicondutores dopados
Semicondutores dopados diferem do semicondutor intrnseco
por apresentarem uma predominncia de um dos tipos de
portadores (eltrons para o tipo n, lacunas para o tipo p).
Estes semicondutores so obtidos pela introduo de um
pequeno nmero de tomos de impureza.

Conceitos Bsicos de Semicondutores

Mecanismos de Corrente Eltrica em um Semicondutor

H 2 mecanismos de deslocamento dos portadores:
Difuso
Deriva

Conceitos Bsicos de Semicondutores

Mecanismos de Corrente Eltrica em um Semicondutor

H 2 mecanismos de deslocamento dos portadores:
Difuso
Deriva

Ambos so importantes para o estudo da corrente eltrica em

um semicondutor.

Conceitos Bsicos de Semicondutores

Difuso
A difuso acontece quando h uma variao na concentrao
de um tipo de portador, fazendo com que os portadores se
desloquem da regio de maior concenrtao para a de menor.

Conceitos Bsicos de Semicondutores

Difuso
A difuso acontece quando h uma variao na concentrao
de um tipo de portador, fazendo com que os portadores se
desloquem da regio de maior concenrtao para a de menor.
A densidade de corrente de difuso para um dado tipo de
portador, J , proporcional ao negativo da taxa de
variao de concentrao do portador multiplicada pela carga
eltrica do portador.
difuso

Conceitos Bsicos de Semicondutores

Deriva
O mecanismo de deriva de portadores acontece quando um
campo eltrico aplicado a um pedao de silcio.

Conceitos Bsicos de Semicondutores

Deriva
O mecanismo de deriva de portadores acontece quando um
campo eltrico aplicado a um pedao de silcio.
A densidade de corrente de deriva para um dado tipo de
portador, J , proporcional magnitude do campo
eltrico multiplicada pela magnitude da carga eltrica do
portador e pela quantidade de portadores na regio.
deriva

A Juno pn na Condio de Circuito Aberto

Introduo
Consideremos agora uma juno pn na condio de circuito em
aberto.

A Juno pn na Condio de Circuito Aberto

Corrente de Difuso
Devido diferena de concentrao de portadores na juno,
existe uma corrente de difuso I .
D

A Juno pn na Condio de Circuito Aberto

Corrente de Deriva
Devido recombinao de portadores, isto cria uma regio,
denominada de regio de depleo, com cargas xas
descobertas, o que leva ao aparecimento de um campo
eltrico E .

A Juno pn na Condio de Circuito Aberto

Corrente de Deriva
Devido recombinao de portadores, isto cria uma regio,
denominada de regio de depleo, com cargas xas
descobertas, o que leva ao aparecimento de um campo
eltrico E .
Este campo eltrico leva ao aparecimento de uma diferena de
potencial V entre a regio p e a n.
0

A Juno pn na Condio de Circuito Aberto

Corrente de Deriva
Esta queda de tenso leva tanto a uma corrente de deriva I
no sentido oposto ao da de difuso, como coloca um limite a
esta ltima.
s

A Juno pn na Condio de Circuito Aberto

Corrente de Deriva
Esta queda de tenso leva tanto a uma corrente de deriva I
no sentido oposto ao da de difuso, como coloca um limite a
esta ltima.
A corrente I formada pelos portadores minoritrios gerados
termicamente, e portanto depender da temperatura mas no
de V .
s

A Juno pn na Condio de Circuito Aberto

Corrente de Deriva
Esta queda de tenso leva tanto a uma corrente de deriva I
no sentido oposto ao da de difuso, como coloca um limite a
esta ltima.
A corrente I formada pelos portadores minoritrios gerados
termicamente, e portanto depender da temperatura mas no
de V .
O oposto ocorre com a corrente I .
s

A Juno pn na Condio de Circuito Aberto

Corrente de Deriva
Esta queda de tenso leva tanto a uma corrente de deriva I
no sentido oposto ao da de difuso, como coloca um limite a
esta ltima.
A corrente I formada pelos portadores minoritrios gerados
termicamente, e portanto depender da temperatura mas no
de V .
O oposto ocorre com a corrente I .
Como os terminais da juno esto em aberto, no pode haver
corrente lquida e portanto
s

ID = Is

A Juno pn na Condio de Polarizao Inversa

Introduo
Consideremos agora a situao de uma juno pn em
polarizao reversa causada por uma fonte de corrente I .

A Juno pn na Condio de Polarizao Inversa

Anlise
Esta corrente I retira eltrons da regio n e lacunas da regio
p, o que aumenta a regio de depleo e a queda de tenso V .
0

A Juno pn na Condio de Polarizao Inversa

Anlise
Esta corrente I retira eltrons da regio n e lacunas da regio
p, o que aumenta a regio de depleo e a queda de tenso V .
Isto faz com que a corrente I diminua at que no equilbrio
tenhamos
0

I = Is ID

A Juno pn na Condio de Polarizao Inversa

Anlise
O aumento da diferena de potencial na regio de depleo
ocasiona o aparecimento de uma tenso externa V entre os
terminais da juno com a polaridade mostrada acima.
R

A Juno pn na Condio de Polarizao Inversa

Capacitncia de Depleo
Devido s cargas xas, existe uma analogia entre a regio de
depleo e um capacitor.

A Juno pn na Condio de Polarizao Inversa

Capacitncia de Depleo
Pode-se mostrar que a relao entre a quantidade de carga Q
na regio e a tenso reversa V no-linear.

A Juno pn na Condio de Polarizao Inversa

Capacitncia de Depleo
Pode-se mostrar que a relao entre a quantidade de carga Q
na regio e a tenso reversa V no-linear.
Este efeito, entretanto, signica que, ao mudar V , haver um
transiente na corrente para se recarregar este capacitor.
j

A Juno pn na Condio de Polarizao Inversa

Capacitncia de Depleo
Pode-se mostrar que a relao entre a quantidade de carga Q
na regio e a tenso reversa V no-linear.
Este efeito, entretanto, signica que, ao mudar V , haver um
transiente na corrente para se recarregar este capacitor.
Esta capacitncia denominada de capacitncia de depleo
ou capacitncia de juno.
j

A Juno pn na Condio de Polarizao Direta

Introduo
Consideremos agora a situao de uma juno pn em
polarizao direta causada por uma fonte de corrente I .

A Juno pn na Condio de Polarizao Direta

Anlise
Esta corrente I fornece portadores majoritrios em ambos os
lados da juno.

A Juno pn na Condio de Polarizao Direta

Anlise
Esta corrente I fornece portadores majoritrios em ambos os
lados da juno.
Isto acarreta um estreitamento da regio de depleo e uma
diminuio em V .
0

A Juno pn na Condio de Polarizao Direta

Anlise
Esta diminuio em V causa um aumento na corrente I .
0

A Juno pn na Condio de Polarizao Direta

Anlise
Esta diminuio em V causa um aumento na corrente I .
No equilbrio teremos
0

I = ID Is

A Juno pn na Condio de Polarizao Direta

Anlise
Em termos de concentrao de portadores minoritrios, a
corrente I acarreta um aumento exponencial nestas
concentraes nas regies prximas regio de depleo.

A Juno pn na Condio de Polarizao Direta

Anlise
Devido recombinao, esta concentrao diminui medida
que se afasta da regio de depleo.

A Juno pn na Condio de Polarizao Direta

Anlise
Devido recombinao, esta concentrao diminui medida
que se afasta da regio de depleo.
esta diferena na concentrao que causa o aumento da
corrente de difuso I .
D

A Juno pn na Condio de Polarizao Direta

Capacitncia de Difuso
A concentrao de portadores nas imediaes da regio de
depleo tambm tem um efeito capacitivo.

A Juno pn na Condio de Polarizao Direta

Capacitncia de Difuso
A concentrao de portadores nas imediaes da regio de
depleo tambm tem um efeito capacitivo.
Se a tenso entre os terminais da juno muda, existir um
transiente na corrente para mudar esta concentrao at
chegar ao equilbrio novamente.

A Juno pn na Condio de Polarizao Direta

Capacitncia de Difuso
A concentrao de portadores nas imediaes da regio de
depleo tambm tem um efeito capacitivo.
Se a tenso entre os terminais da juno muda, existir um
transiente na corrente para mudar esta concentrao at
chegar ao equilbrio novamente.
Esta capacitncia, denominada de capacitncia de difuso,
proporcional corrente de polarizao.