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lectricit photovoltaque

Principes
par

Jean-Claude MULLER
Membre du Programme interdisciplinaire nergie du CNRS
Institut dlectronique du solide et des systmes InESS (UMR 7163, CNRS-ULP)

1.
1.1
1.2

Physique du rayonnement solaire .......................................................


Rayonnement du corps noir : soleil hors atmosphre, constante solaire
Rayonnement peru au sol : rle de latmosphre...................................

BE 8 578 2

2.
2.1
2.2
2.3

Physique du composant photovoltaque ...........................................


lectrons dans un potentiel priodique, schma de bandes ...................
Semi-conducteurs intrinsques et dops ..................................................
Effet photovoltaque ....................................................................................

3
3
4
5

3.
3.1
3.2

Caractristiques I-V et rponse spectrale.........................................


Paramtres caractristiques et rendement de conversion dune cellule
Rendement quantique dune cellule ..........................................................

7
7
8

4.
4.1
4.2
4.3
4.4
4.5
4.6
4.7

Convertisseur photovoltaque ..............................................................


La cellule, un lment gnrateur de courant...........................................
Le module photovoltaque ..........................................................................
Problme du stockage de lnergie photovoltaque .................................
Effet de la temprature dutilisation sur le module photovoltaque........
Modules hybrides photovoltaque-thermique...........................................
Champs de modules et cellules sous concentration ................................
Dimensionnement dune installation photovoltaque ..............................

8
8
9
10
10
10
10
11

5.

Conclusion .................................................................................................

12

Rfrences bibliographiques .........................................................................

12

e secteur des composants opto-lectroniques qui se dveloppe le plus rapidement est, sans conteste, celui du photovoltaque (PV), pour une production dlectricit base sur la conversion de la lumire du soleil.
Le but de ce premier dossier est de donner au lecteur un minimum de connaissance des principes de la conversion photovoltaque. Dans le premier paragraphe, quelques notions relatives lnergie transmise par le soleil hors
atmosphre (considr comme un corps noir) et au niveau du sol sont donnes.
Dans le deuxime paragraphe, on prsente en termes simples quelques lments de physique des semi-conducteurs incluant les modles de schma de
bandes, les formules de base qui rgissent la rpartition des lectrons lquilibre thermodynamique et les mcanismes de la conduction lectrique. Les
paragraphes 3 et 4 dcrivent les caractristiques lectriques fondamentales (tension, courant et rendement de conversion) du dispositif photovoltaque et son
usage en tant que gnrateur de courant (convertisseur lumire-lectricit).
Ce dossier se termine par une application pratique : on valuera rapidement le
dimensionnement dune installation photovoltaque partir des donnes
densoleillement de la rgion pour une habitation individuelle afin de satisfaire
les besoins en nergie lectrique dune famille de quatre personnes.

Toute reproduction sans autorisation du Centre franais dexploitation du droit de copie


est strictement interdite. Editions T.I.

BE 8 578 1

LECTRICIT PHOTOVOLTAQUE ___________________________________________________________________________________________________________

(0)

Abrviations
c-Si

Silicium microcristallin

a-Si

Silicium amorphe

CIS

Chalcognures

1 700 K

E()

1 600 K

Cz

Tirage Czochralski

EMC

Croissance lectromagntique

FZ

Tirage par zone flottante

HIT

Htrostructure

mc-Si

Silicium multicristallin

pc-Si

Silicium polycristallin

p-i-n

Structure zone intrinsque

pm-Si

Silicium polymorphe

p-n

Structure jonction plane

RCC

Cellule contacts arrires

Sc-Si

Silicium monocristallin

1 500 K
1 400 K
1 300 K
1 200 K
1 100 K

1 000 K
3

1. Physique du rayonnement
solaire

Visible Infra-rouge

clairement solaire hors atmosphre (AM0)

O3

1,5

1.1 Rayonnement du corps noir : soleil


hors atmosphre, constante solaire

Raies d'absorption par l'atmosphre


H2O
O2 H2O
Composante diffuse (lgre brume)
H2O
H2O
H2O
Composante diffuse (ciel clair)

1,0

H2O

0,5

H2O CO2

O3

0
0

H2O CO2

0,4

0,8

1,2

1,6

2,0

2,4

H2O CO2

2,8

3,2

Longueur d'onde (m)


Figure 2 Spectre de rayonnement du soleil

On peut considrer, en premire approximation, que lnergie du


rayonnement du soleil hors de latmosphre suit la loi du rayonnement du corps noir (figure 1). En effet, pour de grandes longueurs
dondes, cest--dire pour des photons peu nergtiques, la loi donnant lnergie moyenne rayonne (E(, T)) par unit de volume des
photons dans un intervalle de longueur donde d se rduit la loi
classique de Rayleigh-Jeans (1) :
(1)

Ainsi, plus le corps noir met une temprature leve, plus son
rayonnement est nergtique, et la longueur donde du maximum
nergtique diminue : cest la loi de dplacement de Wien. Le rayonnement devient visible par lil humain pour des couleurs allant du
rouge au violet.
En intgrant la densit moyenne dnergie totale par unit de
volume des photons sur toutes les frquences (ou longueurs donde
), nous obtenons la clbre loi de Stefan-Boltzmann :
(2)

flux nergtique par unit de surface, en W/m2,

constante de Stefan ( = 5,7 108 W m2 K4).

Le soleil a une temprature de surface estime 5 760 K. Le flux


nergtique, en provenance de cet astre, intercept dans langle
solide reprsent par la terre vaut : E0 = 1 350 W/m2. Il est connu
sous la dnomination : constante solaire hors atmosphre, cest-dire pour une masse atmosphrique nulle (AM0, Air Mass 0).

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Courbe relative au corps noir 5760 K


clairement solaire au niveau de la mer (AM1)

Pour plus de dtails sur lintensit et lnergie transmise par le


soleil (considr comme un corps noir), hors atmosphre et au
niveau du sol, on peut se rfrer aux articles consacrs au rayonnement thermique des matriaux opaques [1] et semi-transparents [2]
des Techniques de lIngnieur, ainsi qu louvrage dAlain Ricaud [3]
sur les photopiles solaires.

avec

(m)

clairement spectral (kW/m2 m)


Ultraviolet

E(T) = T4

Figure 1 Rayonnement du corps noir en fonction de sa temprature

2,0

E(, T) d = (8kT/4) d

1.2 Rayonnement peru au sol :


rle de latmosphre
Pour la fabrication de cellules photovoltaques pour un usage terrestre, il est ncessaire de connatre le spectre du rayonnement
solaire reu au niveau du sol (figure 2). Latmosphre terrestre
modifie le spectre nergtique du rayonnement solaire par laction
de trois mcanismes principaux :
labsorption par les gaz : chaque gaz possde des raies caractristiques. Les plus marquantes sont, dans lordre des longueurs
dondes croissantes : lozone (O3), loxygne (O2), toute une srie de
raies dabsorption, dues la vapeur deau (H2O), et dans linfrarouge lointain au gaz carbonique CO2 ;
la diffusion molculaire de Rayleigh est cause par les molcules dair, dont la taille est trs infrieure la longueur donde de la
lumire. La diffusion de Rayleigh varie en 4 et explique la couleur
bleu du ciel clair et le passage de la couleur du soleil lorange et au
rouge lorsquil est bas sur lhorizon (lorsque le soleil est bas, le trajet
optique augmente et contribue lattnuation des UV et des longueurs donde du bleu) ;
la diffusion par les arosols (de taille semblable la longueur
donde de la lumire), par les poussires et les fumes (dont la taille
des particules varie de 0,5 10 m) provoque galement une
variation spectrale en n, avec n compris entre 0 et 4. Par contre,

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LECTRICIT PHOTOVOLTAQUE

pour les gouttelettes deau des nuages, dont la taille est nettement
suprieure la longueur donde, la diffusion est sans variation de
spectre. Elle provient de lensemble des phnomnes de rflexion,
rfraction et de diffraction.
Le rayonnement diffus des jours forte nbulosit peut reprsenter 10 15 % du rayonnement solaire arrivant au sol en provenance
de toute la vote cleste. Il est sans orientation particulire, et il est
donc impossible de le concentrer au moyen de lentilles optiques.

Dans les rgions nordiques, o le ciel est souvent couvert, le


rayonnement diffus peut reprsenter jusqu 80 % du rayonnement
global, de sorte que lon peut poser directement les modules photovoltaques au sol. Par contre, dans ce cas, on ne bnficiera plus de
lalbdo (figure 3), cest--dire de la fraction du rayonnement
rflchi par un sol blanc (albedo en latin).
Par convention, le rayonnement global (G) peru au niveau du sol
est donn en fonction de lpaisseur atmosphrique effectivement
traverse (Air Mass x, AMx) par rapport lpaisseur normalise 1
(x = 1) pour un soleil au znith (Air Mass one, AM1).
Exemple : on a un soleil sous AM1,5 lorsque le soleil fait un angle
avec lhorizon, tel que lpaisseur datmosphre effectivement traverse est gale une fois et demi lpaisseur pour un soleil au znith.

h
Albedo
Figure 3 Les trois composantes du rayonnement solaire global

nergie (ev)

Ainsi le rayonnement qui arrive au sol possde au moins deux


composantes : une composante diffuse (D) et la composante directe (I)
qui peut tre collecte par des systmes optiques concentration. Le
tout forme le rayonnement global (G) qui est le rayonnement pris en
compte pour la dtermination du rendement des cellules solaires.

Diffus

Direct

Ge

Si

AsGa

3
lectrons de
conduction
2
E = 0,36 = V
1

Eg
0

Trous
lgers
Lourds

Valle
infrieure

Eg

Eg

-1

-2

2. Physique du composant
photovoltaque

[111]

[100]

[111]

[100]

[111]

[100]

Figure 4 Exemple de structures de bandes dnergie de semiconducteurs gap indirects (Ge et Si) et direct (AsGa)

Lobjectif de cette section est de prsenter en termes simples quelques lments du modle physique du schma de bandes dans les
semi-conducteurs cristallins et de donner les formules de base qui
rgissent la rpartition des lectrons lquilibre thermodynamique
et les mcanismes de la conduction lectrique. Pour plus de dtails
sur cette partie, qui relve de la physique quantique des solides, on
se rfrera louvrage dAlain Ricaud [3] sur les Photopiles solaires,
ainsi que louvrage de Physique de ltat solide de Kittel [4].

2.1 lectrons dans un potentiel


priodique, schma de bandes

Exemple : les matriaux composs binaires, tels que larsnure de


galium (AsGa) ou le tellurure de cadmium (CdTe), ou ternaires, comme
les chalcognures (CuInSe2), sont des semi-conducteurs gap direct,
alors que les semi-conducteurs de la colonne IV du tableau de classification priodique des lments, comme le silicium et le germanium
(Si, Ge), sont gap indirect (figure 4).
Il y a une absorption optique ds que lnergie dun photon incident est suffisante pour dclencher le transfert dun lectron de la
bande de valence vers la bande de conduction. La dtermination
exprimentale du seuil dabsorption optique constitue le moyen le
plus simple de mesurer avec prcision la largeur de bande interdite.
La figure 5 donne la variation du coefficient dabsorption optique
() en fonction de la longueur donde . Lintensit I de la lumire
absorbe une profondeur x dans le matriau suit la relation :

Dans un cristal o les atomes sont lis leurs proches voisins, il


faut faire appel la solution de lquation de Schrdinger, propose
par Bloch en 1928, pour expliquer lexistence de bandes dnergies
permises spares par une bande dnergie interdite.
Pour ne pas rentrer dans des dtails qui relvent de la physique
quantique des solides, il est suffisant de retenir quil existe une
bande suprieure permise pour les lectrons dnergie (E) en fonction du vecteur donde (k) de londe lectromagntique associe au
photon :
k = 2/

(3)

La bande permise pour les lectrons dnergie (E) est appelle


bande de conduction (Ec) avec des minimums dnergie permise. La
bande infrieure est appelle bande de valence (Ev) (figure 4) avec
des maximums dnergie permise pour les vacances dlectrons,
cest--dire des trous. Les bandes Ec et Ev sont spares par une
bande dnergie interdite Eg (g pour la dnomination anglaise de
gap), et ne sont pas forcment en vis--vis, do la notion de semiconducteurs nergie de bande interdite directe ou indirecte.

I(x) = I0 exp[ ()x]

(4)

partir de cette relation, on dtermine la profondeur dabsorption


(chelle reporte droite de la figure 5) de chaque longueur donde
dans le matriau. Les radiations de courtes longueurs donde dans
lultra-violet sont absorbes trs rapidement, cest--dire dans une
zone proche de la surface du semi-conducteur. Le rayonnement
infrarouge est absorb sur une paisseur plus importante, dautant
plus si le matriau est nergie de bande interdite indirecte, comme
cest le cas pour le silicium cristallin (c-Si sur la figure 5). Cette
dpendance de la profondeur dabsorption la longueur donde
limite les performances des cellules (voir paragraphe 2.3.2).
Pour les semi-conducteurs nergie de bande de transition
directe (AsGa, CdTe, CuInSe2 ou silicium amorphe hydrogn (a-Si :
H)), le front dabsorption en fonction de lnergie des photons, ou de
leur longueur donde, est trs raide (figure 5). La transition de bande
de valence bande de conduction est alors satisfaite sans faire
intervenir une particule supplmentaire : le phonon, cette particule
est associe aux modes vibratoires du rseau du cristal. Elle rend la

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BE 8 578 3

LECTRICIT PHOTOVOLTAQUE ___________________________________________________________________________________________________________

2.2.1 Semi-conducteur intrinsque

nergie du photon (eV)


2,0

1,5

1,25

1,15
0,01

106

CuInSe2

104

AsGa

104

0,1

Profondeur d'absorption (m)

Coefficient d'absorption (cm1)

2,5
106

CdTe

600

800

c-Si
CuInSe2

2.2.2 Semi-conducteur dop


Un donneur est une impuret qui sest substitue lun des atomes du rseau, cest--dire un lment atomique, dont le nombre
dlectrons de valence est suprieur celui de latome du rseau
quil remplace.

1 000
1 000
1 200
Longueur d'onde (nm)

Figure 5 Absorption optique des semi-conducteurs gap direct


et indirect

probabilit dabsorption plus faible et le front dabsorption plus progressif, comme cest le cas pour le silicium.
Exemple : il faut une paisseur de silicium de 200 300 m pour
absorber le rayonnement solaire alors que quelques micromtres de
matire suffisent pour absorber le rayonnement pour les matriaux dits
nergie de bande interdite directe.
Aprs cette analyse du caractre optique du rayonnement, passons au caractre nergtique du photon associ. Selon la loi de la
mcanique quantique dquivalence, lnergie minimale ncessaire
au photon pour franchir la bande dnergie interdite est gale
lnergie de propagation lectromagntique de londe associe :
E = mc2 = hc/
avec

n i2 = n c p v = N c N v exp Eg/kT

100
AsGa

a-Si:H
CdTe

10
400

La concentration intrinsque des porteurs de charge (ni) est donne en faisant :

o Nc et Nv sont des densits effectives dtats. Ils dsignent, respectivement, un nombre de places disponibles en bas ou en haut
des bandes de conduction et de valence.

c-Si
102

Pour une temprature donne T, les concentrations dlectrons


dans la bande de conduction (nc (T)) et de trous (pv (T)) dans la
bande de valence sont gales nc (T) = pv (T), et le niveau de Fermi est
situ au milieu de la bande interdite (figure 6 a).

ni = 1,6 1010 cm3 pour le silicium

10

a-Si:H

Pour un semi-conducteur intrinsque, la probabilit de trouver un


trou au-dessous du niveau dquilibre des charges, appel niveau
de Fermi (EF), est la mme que celle de trouver un lectron au-dessus du niveau de Fermi.

(5)

nergie de la particule.

Le produit hc, o h est la constante de Planck et c la vitesse de la


lumire, est une constante gale 1,24 lorsque la longueur donde
est exprime en micromtre et lnergie E en lectron-volt (chelle
reporte en haut de la figure 5).
Exemple : pour le silicium, o lnergie de bande interdite Eg est
gale 1,12 eV, lnergie minimale apporter pour franchir la bande
interdite est de 1,12 eV (figure 4), et toutes les longueurs dondes
infrieures 1,12 m seront absorbes (figure 5). La partie du rayonnement solaire situe dans linfrarouge de longueurs dondes suprieures 1,1 m nest pas absorbe et traverse la matire sans interaction
(voir le paragraphe 2.3 sur les pertes).

Pour le silicium, ces lments sont du groupe V du tableau priodique (P, AS, Sb). Sur les cinq lectrons de valence dun atome de
phosphore incorpor au rseau de silicium, quatre servent tablir
les liaisons chimiques covalentes et le cinquime se libre, sous
leffet de la temprature, dans la bande de conduction. Latome donneur est alors ionis positivement (figure 6 b).
Sachant qu temprature ambiante toutes les impurets sont
dj ionises et que Nd est le nombre datomes donneurs, le nombre dlectrons n dans la bande de conduction est presque gal
Nd+. Comme ces lectrons sont beaucoup plus nombreux que les
lectrons librs par la temprature, le niveau de Fermi se dplace
vers la bande de conduction.
Pour le silicium, o le nombre datomes est de 5 1022 cm3, une
concentration dimpurets introduite dune part par million (ppm)
reprsente une concentration dlectrons dans la bande de conduction de 5 1016 cm3. Cette dernire est trois millions de fois plus
importante que celle des porteurs intrinsques. On dit alors que le
matriau est dop de type n, ou plus simplement quil est de type n
(figure 6 b).
Un semi-conducteur de type p du groupe IV est dop par une impuret qui sest substitue lun des atomes du rseau cristallin mais
cette fois-ci, limpuret est du groupe III (B, Al, Ga), et elle comporte
trois lectrons de valence (un de moins que latome quil remplace).
Les liaisons manquantes (on parle de dfauts dlectrons de valence)
sont dcrites comme des trous positifs p, dont la concentration est
gale celle des accepteurs Na, en ngligeant les trous librs par la
temprature. Limpuret sionise ngativement. Le niveau de Fermi se
dplace alors vers la bande de valence (figure 6 c).

2.2.3 Jonction de deux semi-conducteurs dops

2.2 Semi-conducteurs intrinsques


et dops
Sous linfluence de la temprature, quelques lectrons de la
bande de valence peuvent acqurir suffisamment dnergie pour
franchir la bande dnergie interdite et passer dans la bande de
conduction.

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Si maintenant on runit deux semi-conducteurs de mme bande


interdite (figure 7 a), lun dop n (avec une concentration de phosphore Nd de 2 1015 cm3), lautre dop p (avec une concentration
de bore Na de 1015 cm3), il se forme la jonction entre ces deux
matriaux une zone de transition. Afin de conserver lquilibre des
charges, on a : qNa = qNd (figure 7 b), et on appelle cette rgion
zone de charge despace ou zone de dpltion.

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Si

Si

Si

Si

Ec

Ec
Eg
Ev

Si

nc = ni

Ev
+

Ef

Ef

pv = ni

Bande de
valence

Si

Si
intrinsque

Si

nc = Nc exp (Ec Ef)/kT

Bande de
conduction
Si

LECTRICIT PHOTOVOLTAQUE

pv = Nv exp (Ef Ev) /kT

Si

Si

qe
P+

Si

Si

type n

Si

Si

Si

Ec
Ed

Ev

Ef

Nd+

n e Nd+

Ec
Ef

n p = ni2

Ev
+

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

+qe

type p

Si

Ec

Ec

Ea
Ev

Ne

Ef

Ef

Ev

+ + + +

n p = ni2
p e Na

Si
Densit d'tats
N (E)

0,5

1
F (B)

Densit de porteurs
n et p

Figure 6 Dopage des semi-conducteurs

Le niveau de Fermi de la rgion dope n est dautant plus proche de


la bande de conduction que le niveau de dopage au phosphore est
lev. De mme, le niveau de Fermi de la rgion dope p est proche
de la bande de valence. La diffrence dnergie entre leurs niveaux de
Fermi est gale la diffrence entre leurs potentiels chimiques.
Comme ces potentiels doivent sgaliser, il apparat une diffrence
dnergie qVb la jonction entre les bandes de conduction et de
valence respectives des deux semi-conducteurs dops n et p. Le
niveau de Fermi rsultant de la runion des deux matriaux est unique tout en restant proche de la bande de conduction dans la zone
dope n et proche de la bande de valence dans la zone dope p
(figure 7 c). Cette barrire de potentiel (figure 7 d) soppose au courant de majoritaires, cest--dire aux lectrons, pour les semi-conducteurs dops n, ou aux trous, ceux dops p, qui tendent diffuser vers
la rgion o ils sont peu nombreux. Le champ lectrique qui rgne
dans la zone de transition est reprsent figure 7 e, et les concentrations en trous et en lectrons sont donnes sur la figure 7 f.

(typiquement une concentration de 5 1015 1 1016 cm3). Le ct


n, appel metteur, est expos la lumire et est dop par une diffusion datomes de phosphore sur une trs faible paisseur (typiquement de lordre de 0,3 m) une forte concentration, proche de la
solubilit limite de llment dans le silicium (de 1 2 1020 cm3).
Ainsi la barrire de potentiel maximale est de : vB = 0,9 V.
Les porteurs minoritaires (trous de la rgion n et lectrons de la
rgion p) vont migrer sous laction du champ interne qui favorise
leur passage dans la rgion oppose leur rgion dorigine. Ils donnent naissance deux courants inverses de minoritaires qui sadditionnent pour sopposer au courant de diffusion des majoritaires.

En ralit, dans une cellule photovoltaque au silicium, la jonction


est trs dissymtrique : le ct p, appel base, est pais pour absorber
une grande partie du rayonnement solaire (typiquement de lordre de
200 300 m) et peu dop en atomes de bore lors de sa fabrication

2.3.1 Gnration dune paire lectron-trou

2.3 Effet photovoltaque

Chaque photon incident de la lumire du soleil, ou de tout autre


corps lumineux, cre dans le rseau cristallin du semi-conducteur

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BE 8 578 5

LECTRICIT PHOTOVOLTAQUE ___________________________________________________________________________________________________________

Nd (2 1015 cm 3)

Nd Na
Concentration
des impurets

Ec
n0

0 N

Na(1015 cm 3)

Zone de transition

Rpartition
idalise
qNd

+
qVB

Eg = 1,12 eV
Ev

P0

rpartition relle

Charge
d'espace

qNa

E
nergie
des lectrons

Ec

+ xa

Ei

qVb

n
Barrire
de potentiel x
Vb ~ 0,7 V

xp

xn

(micron)

106
2 1015

n et p
Concentrations
des trous et
des lectrons
par cm3
(chelle
logarthmique)

pop

n0
p0

nop

f
pon

5 1010 2,5 1010

x
Figure 7 Formation dune jonction p-n entre deux semiconducteurs dops

Motif cristallin
du Si

avec

i = g ( x, ph ) r ( x. , ph )

(6)

i = iph id

(7)

ph

flux de photons incidents,

iph

courant photognr une profondeur x,

id

pertes de courant dans la diode jonction n-p.

2.3.3 Pertes de paires lectron-trou


Photon incident

lectron
photoexcit

Trou
photognr
Figure 8 Gnration des paires lectron-trou dans le rseau
cristallin du silicium

une paire lectron-trou (figure 8), si son nergie est suffisante pour
provoquer la monte dlectrons supplmentaires aux lectrons
dorigine thermique de la bande de valence vers la bande de
conduction.

BE 8 578 6

Exemple : voici les dimensions typiques dune cellule


photovoltaque :
la zone dope, n0, appele metteur (E), prsente une concentration en atomes de phosphore de 1 2 1020 cm3, son paisseur est
u = 0,3 m ;
la zone de transition (de charge despace ou de dpltion), w, de
lordre de 0,3 m, et stend presque totalement dans la zone moins
dope p0 ;
la zone dope p0, appele base (B), a une faible concentration
datomes de bore, de 5 1015 1 1016 cm3 ; son paisseur e est de
lordre de 200 300 m, afin dabsorber la partie proche infrarouge du
rayonnement solaire.
Le courant rsulte des taux nets de gnration (g(x, ph)) et de
recombinaison (r(x, ph)) de photo-porteurs, et est donn par :

non

1015

La figure 9 reprsente la jonction n-p dune cellule solaire p+n,


dont la hauteur de barrire, qVB, est au mieux gale 0,9 eV (q dsigne la charge de llectron). Un courant y circule, dont lintensit (i)
dpend des valeurs caractristiques relatives lmetteur, la zone
de dpltion et la base.

E
Champ
lectrique
interne
(en V/m)

Ei

2.3.2 Courant gnr dans une cellule


jonction n-p
x

= q

Figure 9 Schma de bande de la jonction n-p dune cellule solaire

EF Niveau de Fermi
Ev

Potentiel
lectrique
interne
(en volts)

uw

Les plus importantes pertes non compressibles sont les pertes


radiatives dues aux photons trop nergtiques (ultra-violet : UV) ou
pas assez nergtiques (infrarouge : IR) pour gnrer une paire
dlectron-trou :
les photons IR, qui ne sont pas absorbs par la cellule, traversent tout le matriau (zone hachure A de la figure 10). La perte en
nergie due aux photons IR reprsente 18 % de lnergie incidente ;
les photons UV ne gnrent quune seule paire dlectrontrou. Lexcdent dnergie est transfr au rseau sous forme de
chaleur et contribue lever la temprature de la cellule en fonctionnement (zone hachure B de la figure 10). La perte en nergie
due aux photons UV reprsente 28 % de lnergie incidente.
Il reste donc en thorie un rendement de conversion potentiel de
54 %. Malheureusement, il existe dautres pertes qui sont dorigine
lectrique et optique.
Parmi les plus importantes pertes dorigine lectrique, on cite la
perte en tension. En effet, si la hauteur de barrire maximale est de

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LECTRICIT PHOTOVOLTAQUE

o (id) le courant dobscurit circulant dans la jonction est gal :


Radiance
(Wcm-2m-1)

id = i0 [exp(qV/kT) 1]

02

(8)

La densit de courant de court-circuit (icc), dtermin pour V = 0,


est directement proportionnel lclairement (iph) :
icc = iph

B
01

(9)

On en dduit la tension en circuit-ouvert (Vco) par annulation du


courant :

EG silicium (T = 300 K)

Vco = kTln(iph/i0 + 1)/q


A
0

0,5

1,5

(m)

Figure 10 Pertes des porteurs photognrs par transmission


et excs dnergie

lordre de 0,9 V pour le silicium, les meilleures tensions en circuitouvert (Voc) sont de 600 mV et au maximum de 700 mV pour les cellules trs haut rendement.
Le facteur de forme de la courbe de la diode (dfini au
paragraphe 3.1) est aussi un facteur important de pertes, ainsi que
les recombinaisons des porteurs en surface ou en volume de la cellule (la diode nest pas une diode parfaite) avec une rsistance srie
et shunt des contacts. La grille mtallique de collecte des charges
sur la face frontale couvre 5 7 % de la surface totale.
Le silicium rflchit 30 % de la lumire, les pertes optiques peuvent tre rduites par le dpt dune couche anti-reflet. Au dbut de
lindustrialisation, le dpt tait base de TiO2. Maintenant, un
dpt de nitrure de silicium hydrogn SiN (H) est prfr pour ses
bonnes proprits anti-reflet (avec un taux rsiduel de rflexion de
3 4 %) et surtout pour sa passivation de surface et de volume.
Dautres procds permettent damliorer le rendement :
la structuration de la surface en pyramides inverses ou en nid
dabeilles augmente le pigeage de la lumire ;
le dpt de couches de passivation sur les surfaces et lintroduction dun sur-dopage n+ sous les doigts de la grille de collecte
rduisent les pertes par rsistance srie des contacts ;
lapplication dun champ lectrique p+ sur la face arrire diminue la recombinaison des porteurs gnrs trop prs de cette face.

La puissance dbite par la cellule est : P = I V, et au point de


fonctionnement maximal m :
Pm = ImVm

FF = ImVm/(iccVco)

Comme nous lavons dcrit prcdemment, le courant sera donn


par la relation (7) :
i = iph id

(12)

Le rendement de conversion nergtique (C) de la cellule est le


plus souvent donn sous la forme suivante, en fonction des grandeurs mesurables :
C = FFiccVco/Pincid
avec

(13)

puissance incidente.

Pincid

Par convention, le rendement de conversion dune cellule est toujours mesur pour une puissance incidente de 100 mW/cm2 et un
spectre solaire correspondant un soleil sous AM1,5.
Exemple : la cellule reprsente sur le graphique de la figure 11 a
une densit de courant icc gale 33 mA/cm2, une tension Vco de
0,56 V et un FF gal 0,81, elle a un rendement de conversion (C) de
15 %.

Rayonnement solaire

Contact avant

Couche de type n
(conductivit des lectrons)

Tension lectrique

Couche de type p
(conductivit des trous)

icc(mA/cm2) et P(mW/cm2)

Contact arrire

3.1 Paramtres caractristiques


et rendement de conversion
dune cellule

(11)

Le facteur de remplissage (ou de forme) FF est dfini par le


rapport :

Ces oprations technologiques coteuses permettent dobtenir en


laboratoire un rendement lev, avec un record de 24,7 % proche du
rendement thorique [5]. Le cot reste toutefois un facteur dterminant pour les cellules industrielles, dont les rendements se situent
au moins 8 points de rendement au-dessous de la valeur record.

3. Caractristiques I-V
et rponse spectrale

(10)

Jonction n p
(champ lectrique)

40
35
30
25
20
15
10
5
0

0,1

0,2

0,3

0,4

0,5
0,6
V (volt)

Figure 11 Schma et caractristiques I-V dune cellule

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LECTRICIT PHOTOVOLTAQUE ___________________________________________________________________________________________________________

Le courant photognr (iph ()) sur toute lpaisseur e dune


base dune cellule est la somme de trois contributions :
la premire, relative labsorption des photons, est en exp( x) ;
la deuxime dpend de la cration de paires lectron-trou que
lon peut considr comme gal 1 ;
la troisime, en rapport avec la collecte des lectrons, dpend
de la longueur de diffusion des porteurs LD dans la zone o ils sont
minoritaires.
La longueur de diffusion des porteurs minoritaires LD (cest--dire
des lectrons Ln de la base ou des trous Lp de lmetteur) est dtermine par la qualit du matriau et par son niveau de dopage.
LD = (D )1/2 = [(kT/q) ]1/2
avec

(14)

D = (kT/q)

coefficient de diffusion des lectrons ou


des trous,

(m2/V s)

mobilit des lectrons et des trous,

dure de vie des lectrons et des trous (n


ou p).

Exemple : pour
p = 600 cm2/ V s.

le

silicium,

n = 1 500

cm2/ V

et

Le rendement quantique dune cellule (Q()) est donn par le


rapport du courant photognr iph sur le flux de photons incidents
ph. Il est la somme des rendements quantiques des trois zones
relatives lmetteur (E), la zone de dpltion (w) et la base (B).
Q() = Q()E + Q()w + Q()B

(15)

Afin de simplifier la rsolution du systme dquations diffrentielles, on considre gnralement que :


le photocourant dmetteur est essentiellement compos dun
courant de trous minoritaires ;
dans la base dun courant dlectrons minoritaires ;
dans la zone de charge despace, compte tenu du champ
intense qui y rgne, toutes les paires y sont immdiatement spares et collectes.
On peut ainsi exprimer le rendement quantique de la cellule
(appel galement rponse spectrale) en fonction du coefficient
dabsorption, de lpaisseur (e) et de la longueur de diffusion des
porteurs minoritaires LD. Lexpression simplifie du rendement
quantique de la cellule pour la base (Q()B) sexprime (pour lmetteur on remplace Ln par Lp) :

Ln
i ph
1

Q ( ) = ----------- = -------------------- 1 exp e 1 + ----------


q 0
Ln + 1
Ln

Rendement quantique totale (%)

3.2 Rendement quantique dune cellule


100

Total

80
Base
60
40
metteur
20
0
400

Contribution des
photons rflchis
sur la face arrire

zone de charge
500

600

700

800

900 1 000
Longeur d'onde (nm)

Figure 12 Rponse spectrale dune cellule (rendement quantique)

longueur de diffusion ;
vitesses de recombinaison des trous et des lectrons respectivement sur la face avant (Sp) et arrire (Sn). Il est noter que la
recombinaison en surface est dautant plus importante que le
dopage est lev.
Exemple :
les valeurs typiques pour un metteur n+ dop avec des atomes
de phosphore Nd = 5 1019 cm3 sont : Dp = 1 cm2/s, Lp = 1 m,
p = 108 s, Sp = 103 cm/s ;
les valeurs typiques pour une base p dope avec des atomes de
bore Na = 1,5 1016 cm3 sont : Dn = 20 cm2/s, Ln = 140 m,
n = 105 s, Sn = 102 cm/s.

4. Convertisseur
photovoltaque
4.1 La cellule, un lment gnrateur
de courant

(16)

Il est souvent trs utile pour les utilisateurs et installateurs de systmes photovoltaques de considrer la cellule en tant quun lment gnrateur de courant.

(17)

4.1.1 Schma quivalent dune cellule solaire

Le rendement quantique dans la zone de dpltion est :


Q()w = exp e(1 exp w)

La figure 12 montre la rponse spectrale dtaille des trois zones


(metteur, zone de charge despace et base) de la cellule, ainsi que
la rponse globale. On note que les contributions sont
complmentaires :
lmetteur exploite les photons les plus nergtiques qui ne
pntrent que trs peu dans le matriau ;
la zone de dpltion est sensible aux radiations intermdiaires
du visible (avec un maximum dans le jaune) ;
la base soccupe des photons de plus basse nergie jusqu la
limite dabsorption du silicium 1,1 eV.
Limportance relative des trois zones dpend dune utilisation
astucieuse des paramtres suivants :
coefficient dabsorption ;
profondeur de jonction ;

BE 8 578 8

Le schma quivalent dune cellule solaire (figure 13) comprend


le gnrateur dnergie, dont le courant iph est proportionnel
lclairement. Le courant i, dfini par la relation (7), circule dans le
circuit extrieur (cest--dire dans la charge et dans la rsistance
srie Rs). Il est gal au courant iph moins le courant perdu dans la
diode id qui circule dans la rsistance de shunt Rsh.
Les valeurs de Rs rsistance srie et Rsh de shunt doivent tre trs
faibles pour la premire et leves pour la seconde. Les valeurs typiques sont :
Rs = 0,5 2 cm2
Rsh = 2 103 2 104 cm2

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Vi

R's
A
Id (Vj)

Vj

Iph

LECTRICIT PHOTOVOLTAQUE

Rsh

R
Ns

R
NsVi

R'

D
Figure 13 Schma quivalent dune cellule

Vi

NsVi

Courant (A)
I
3,5

1 000W/m2

3,0

NpIi

2,5

1/R''

750 W/m2

2,0
b

2
1,5 450 W/m
2
1,0 300 W/m

0
0,1

Ii

+
V

0,5 100 W/m2


0

0,2

0,3

0,4

0,5

R''

Ii

0,6
Tension (V)

Np
Figure 14 Courant dbit et tension aux bornes dune cellule

4.1.2 Performances relles dune cellule solaire


Les performances relles dune cellule solaire de 10 cm de ct
(cest--dire de 100 cm2), une temprature maintenue 25 C, sont
donnes sur la figure 14.

Figure 15 Assemblage en srie et en parallle de cellules

Le courant de court-circuit est proportionnel lclairement


(i = iph). Le courant dbit dans le circuit extrieur est de 3,2 ampres
pour une intensit du rayonnement solaire de 1 000 W/m2 et de
lordre 300 mA pour une intensit du rayonnement de 100 W/m2.
Pour une journe sans soleil direct avec un rayonnement diffus de
lordre de 100 W/m2, la tension chute de 580 mV une valeur de
lordre de 520 mV. Dans ce cas, le courant iD perdu dans la diode
nest plus ngligeable.

4.2 Le module photovoltaque


Les cellules individuelles sont assembles en montage en srie
(les tensions sadditionnent, figure 15 a) ou en parallle (les courants sadditionnent, figure 15 b). On ralise ainsi des modules photovoltaques.
Les cellules sont tries par le fabriquant afin quelles aient peu
prs toutes les mmes caractristiques et pour viter que la plus
mauvaise cellule, cest--dire celle de rsistance srie la plus leve,
ne dtermine les performances de lensemble.
Un module relativement courant est reprsent sur la figure 16.
Ce module de 75 W de la Socit Photowatt S.A. [6] se compose de
36 cellules de 12,5 cm 12,5 cm et de 300 m dpaisseur, montes
en quatre ranges de neuf cellules. Deux ranges de neuf sont en
srie, ainsi on peut choisir une tension maximale de lordre de 9 V
(montage parallle des deux sries de 18 cellules) ou de 18 V (toutes
les sries sont en srie).
Avec son cadre en aluminium, la taille de ce module est de
124 cm 56 cm, alors que les cellules occupent une surface de

Figure 16 Assemblage en srie et en parallle de cellules


en module. Photo dun module de 75 W de la socit Photowatt S.A.

5 625 cm2. Le rapport entre ces deux surfaces (Tf ) est appel taux de
foisonnement. Cest le taux doccupation en cellules du module.
Exemple : pour le modle de module de la figure 16, le taux Tf est
gal :
Tf = 81 %
Pour assurer, par exemple une recharge dune batterie de 12 V, un
systme de diode anti-retour et un systme de contrle de la charge
complte linstallation.

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LECTRICIT PHOTOVOLTAQUE ___________________________________________________________________________________________________________

4.3 Problme du stockage de lnergie


photovoltaque

Courant (A)
8

Il est ncessaire de stocker llectricit chaque fois que la demande


nergtique est dcale dans le temps par rapport lapport du soleil.
Les dures de stockage peuvent tre trs variables, de quelques heures
(passage de nuages), dune nuit, plusieurs jours ou plusieurs mois
pour des systmes autonomes, et selon le degr que lon se fixe au
niveau de la scurit dapprovisionnement.
Lintrt des accumulateurs lectrochimiques est la disponibilit
dune tension quasiment constante. Le point de fonctionnement est
fix, par cette tension, sur une droite. Celle-ci doit tre aussi proche
que possible de la droite dfinissant la charge optimale dun gnrateur photovoltaque.
Les plus anciennes et les plus robustes, pour de profondes
dcharges, restent les batteries au plomb. Les accumulateurs du
type Cd-Ni devront tre abandonns en raison de la prochaine interdiction du cadmium. Dsormais on se tourne davantage vers les
accumulateurs qui utilisent un lectrolyte liquide (ions lithium dans
du bisulfure de titane) et qui ont une grande capacit de stockage,
une bonne stabilit en temprature et une tanchit parfaite.
Le stockage est le maillon faible dun ensemble de production
dlectricit photovoltaque : en effet, la dure de vie des batteries
est souvent infrieure trois ans, pour des cycles avec des
dcharges profondes. Le temps de retour nergtique de la batterie
est un autre point faible. Si le module photovoltaque rembourse en
2 4 ans lnergie dpense pour sa fabrication, soit un dixime de
sa dure de vie, en revanche, le temps de retour nergtique des
batteries est de deux quatre ans, et donc suprieur la dure de
vie de certaines batteries.
De ce fait, llectricit photovoltaque dlivre en courant continu,
avec un stockage par batterie, est proche de 1,5 /kWh. Alors que les
systmes connects aux rseaux sont 0,5 /kWh. Il est donc
urgent de lancer des programmes de recherche sur de nouvelles
batteries (par exemple sur les batteries Li-Ions) afin dallonger leur
dure de vie et de rendre cette dernire la plus proche possible de
celle des modules.
La baisse des cots et le dveloppement du march dpendront
de trois facteurs : le cot du gnrateur photovoltaque, du stockage
de lnergie et du rendement global du systme.

4.4 Effet de la temprature dutilisation


sur le module photovoltaque
La temprature dutilisation est un paramtre important dans le
comportement des cellules et des modules photovoltaques en raison de leur exposition un flux nergtique solaire de 1 kW/m2
(plus communment appel irradiance). Avec une conversion au
mieux de lordre de 15 %, cette nergie est majoritairement dissipe
en chaleur (environ 80 %), le reste tant rflchi (environ 5 %).
Ainsi en labsence dune ventilation correcte, la temprature de la
cellule et du module peut monter plus de 70 C midi (figure 17).
On observe alors une lgre augmentation du courant en raison de
la diminution de la largeur de la bande interdite et une diminution
significative de la tension ( 0,4 %/K) en raison dune forte augmentation du courant direct de la diode [6].
En rsum, laugmentation de temprature se traduit par une
baisse de la puissance ( 0,35 %/K) et surtout par un dplacement
du point de puissance maximum, qui ncessite une adaptation de la
valeur de la charge. Durant lt, la perte peut reprsenter jusqu
12 % en relatif du rendement de conversion effectif moyen du
module.

BE 8 578 10

0
0

10

15

20

25
Tension (V)

Incid. Irrad = 1 000 W/m2


Cell Temp = 10 C, Pmpp = 108,1 W
Cell Temp = 25 C, Pmpp = 100,5 W
Cell Temp = 40 C, Pmpp = 92,9 W
Cell Temp = 55 C, Pmpp = 85,4 W
Cell Temp = 70 C, Pmpp = 77,9 W
Figure 17 volution des performances dun module photovoltaque
en fonction de la temprature dutilisation

4.5 Modules hybrides photovoltaquethermique


En France, une autre stratgie a t propose en 2005 par lOffice
Parlementaire dvaluation des choix scientifiques et techniques.
Cest le plan Face Sud de la loi sur lnergie, qui prvoit linstallation
de capteurs hybrides sur 50 000 toits pour la dcennie en cours. Il
vise rduire le surcot dune maison zro mission avec une
toiture qui occupe toute la face sud et qui combine les fonctions
couverture, production dlectricit et chauffage de la maison.
Dans cet habitat innovant, la chaleur est rcupre sur la face
arrire des modules en les refroidissant. On augmente ainsi jusqu
25 % le rendement de conversion de ceux-ci, et on chauffe la maison
par un rseau de circulation de la chaleur dans le plancher. Avec un
surcot de moins de 3 % sur le total de la construction, cet habitat
est en mesure de produire plus dnergie quelle nen consomme.
Le module hybride Face Sud est une enveloppe du btiment utilise pour raliser des toitures ou des faades. Il est vendu au mtre
carr. Lassociation des fonctions enveloppe, lectricit et chauffage
rend ce procd trs rapidement attractif (figure 18).

4.6 Champs de modules et cellules


sous concentration
Afin dobtenir des puissances de quelques kilowatts quelques
mgawatts, sous une tension convenable, il est ncessaire dassocier entre eux, les modules en panneaux et de les monter en ranges de panneaux en srie et en parallle. Comme les modules
nont pas tous une caractristique identique, il y a des rgles dassociation pour coupler de faon optimale les modules dune mme
ligne.
Loccultation partielle dune cellule, dun groupe de cellules ou
dun module de lensemble du champ, se traduit par une transformation du gnrateur en rcepteur (charge rsistive) : au lieu de
gnrer de lnergie, cette zone en reoit de la part des autres l-

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Rayonnement
solaire

LECTRICIT PHOTOVOLTAQUE

Valeur annuelle

Partie opaque
(cellule PV)

Isolant
Partie transparente
(Vitrage)
Couverture
Absorbeur
Figure 18 Schma de principe dun module hybride (capteur
photovoltaque et capteur air)

a Source : Sunpower, USA

b Concentrateur HISICON (CEA, Fr)


Lentille de primaire + lentille
secondaire colle sur la cellule

Figure 19 Exemples de modules photovoltaques avec lentilles


de concentration

de 1 490 1 620

de 1 220 1 350

de 1 620 1 760

de 1 350 1 490

plus de 1 760 1 760 h

Figure 20 Valeurs annuelles du rayonnement solaire reu en France


sur un plan dinclinaison gal la latitude et orient vers le sud
(en kWh/m2). En italique : valeurs annuelles en heures pour
un rayonnement solaire maximum de 1 kWh/m2

4.7 Dimensionnement dune installation


photovoltaque

ments bien clairs. Elle doit alors dissiper une nergie thermique
qui peut dpasser largement la capacit de sa structure. Si lnergie
nest pas vacue correctement, les dgradations sont redoutables
et peuvent aller jusqu lincendie. La protection la plus simple consiste mettre des diodes de contournement, by-pass , pour viter
les points chauds, hot-spot .
Une autre faon daugmenter le courant dbit, autrement que
par une mise en parallle des cellules, consiste focaliser le rayonnement solaire laide de lentilles sur une cellule refroidie place au
foyer (voir figure 19).
Des facteurs de concentration (nc) de 10 500 sont possibles. Le
courant photognr est en thorie multipli par le mme facteur, si
les pertes rsistives et thermiques sont matrises. La tension augmente, un peu, selon la relation :
Vco = kTln(nc iph /i0 + 1)/q

Moins de 1 220 1 220 h

(18)

Les cellules, installes dans les systmes concentration, reoivent une puissance lumineuse quivalente celle de 10
500 soleils. Elles doivent donc tre imprativement refroidies avec
des radiateurs efficaces afin dvacuer lnergie dissipe. Cette dernire rsulte dune part des pertes ohmiques : i2 Rs due au courant dbit dans la rsistance srie Rs , et dautre part par lnergie
perdue par thermalisation et qui est la diffrence entre lnergie
absorbe et celle photo-gnre.

Lnergie solaire globale, G, rayonne au niveau du sol en France


par an et par mtre carr est donne sur la figure 20. Par convention, le rendement de conversion dune cellule est toujours mesur
pour une puissance incidente de 100 mW/cm2 et un spectre solaire
correspondant un soleil sous AM1,5. Le rayonnement global, G,
peru au niveau du sol est donc souvent donn en fonction du
nombre total dheures quivalentes un plein ensoleillement, cest-dire pour un flux nergtique (puissance) en provenance du soleil
au niveau du sol de Esol = 1 000 W/m2, que lon peut trouver dans la
littrature sous la dnomination constante solaire au niveau du
sol.
Si on choisit Lyon, comme lieu dimplantation dune installation
photovoltaque qui assure les besoins dune famille franaise de
quatre personnes en nergie lectrique, on aura en moyenne lquivalent de 1 500 h de plein ensoleillement par an.
La consommation de la famille en nergie lectrique est estime
5 MWh/an. Ce chiffre ne prend pas en compte les besoins de chauffage et de production deau sanitaire, qui reprsentent souvent 80 %
dune consommation totale dnergie de lordre de 25 MWh/an, et qui
peuvent tre satisfaits soit par des nergies fossiles ou, de prfrence, par des capteurs solaires thermiques.
On dispose de cellules identiques celle de la figure 14. Le rendement de londuleur, qui convertit le courant continu en courant alternatif, est gnralement de lordre de 90 %. On calcule en premier le
nombre de cellules indispensables pour assurer lnergie stricte-

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LECTRICIT PHOTOVOLTAQUE ___________________________________________________________________________________________________________

On en dduit lnergie lectrique annuelle (Ee) pouvant tre produite par mtre carr, compte tenu du rendement de conversion de
13,5 % :

I
Icc
Im

FF = ImVm / IccVco

Ee = C puissance rayonne maximale par m2 nombre dheures


de plein soleil

Pm

Ee = 0,135 1 000 W/m2 1 500 h = 202,5 kWh/m2 an

Vm Vco

Comme les besoins sont de 5,56 MWh/an (en tenant compte des
pertes dans londuleur), le nombre minimum de mtres carrs est
de 27,46 m2, soit 2 746 cellules de 100 cm2 ou 77 modules entiers de
36 cellules. Si le taux de foisonnement Tf est de 81 %, la surface du
champ Sch de module est de :

Figure 21 Dtermination graphique du facteur de forme FF

Sch = nombre de modules 1/Tf surface des cellules


Sch = 77 1,235 36 0,01 = 34,23 m2

ment ncessaire, puis le nombre de modules de 36 cellules. Enfin,


on dtermine la surface rellement occupe, et le rendement global
de linstallation pour le taux de foisonnement est donn au
paragraphe 4.2.
Les modules doivent tre installs avec un angle dinclinaison par
rapport au sol gal la latitude du lieu pour tre dans une position
optimale sur lanne, cest--dire 45 pour Lyon. Si lon prfre
optimiser pour lt, on diminuera cet angle de la moiti de langle
de dclinaison maximum du soleil aux quinoxes, cest--dire de la
moiti de 23. On augmentera du mme angle pour lhiver.
Le rendement de conversion nergtique de la cellule, dfini au
paragraphe 3.1 (relations (12) et (13)), est gal :
= FF icc Vco/Pincid = Im Vm/Pincid
FF = Im Vm/icc Vco
Le point de puissance maximum, Pm, se dtermine graphiquement, pour la cellule de la figure 14, de la faon indique sur la
figure 21 : on mesure le courant en fonction de la tension (courbe
en bleu), et on en dduit icc et Vco. Lintersection de la droite de pente
(icc /Vco) avec la courbe bleue donne Pm, Im et Vm. On calcule alors le
facteur de forme FF puis le rendement, ou directement le rendement.
On trouve pour la cellule de la figure 14 que Vm = 0,5 V et
Im = 2,7 A. Son rendement de conversion C est de 13,5 %.

Si un champ de 34,23 m2, qui reoit une nergie solaire Lyon de


51,34 MWh/an, est ncessaire pour produire effectivement les
besoins de 5,56 MWh/an, on en dduit que le rendement global G
de linstallation nest que de 10,8 %.

5. Conclusion
Dans ce premier dossier, consacr la production dlectricit par
conversion de la lumire du soleil laide de cellules solaires, le but
tait de donner au lecteur un minimum de connaissances des principes de la conversion photovoltaque, incluant des notions relatives lnergie transmise par le soleil, ainsi que quelques lments
de physique des semi-conducteurs et des principaux mcanismes
de transport des charges lectriques. Les caractristiques lectriques fondamentales (tension, courant et rendement de conversion)
du dispositif photovoltaque et son usage en tant que gnrateur de
courant (convertisseur lumire-lectricit) ont t donnes ainsi
quune valuation rapide du dimensionnement dune installation
photovoltaque.
Dans le dossier [BE 8 579], les diffrentes filires dlaboration du
dispositif photovoltaque de la cellule classique ( base de silicium
massif) aux couches minces sont abordes ainsi que les potentialits dautres matriaux semi-conducteurs binaires ou ternaires et
organiques. Des exemples dapplication du photovoltaque en site
isols ou connects des rseaux seront donns, ainsi que lvolution du march et des prix du kilowattheure photovoltaque
lhorizon 2040.

Rfrences bibliographiques
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de lIngnieur, dossier [A 1 520], base
documentaire : Archives nergie (1992).

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DIANOUS (P.). Rayonnement thermique
des matriaux semi-transparents. Techniques
de lIngnieur, dossier [B 8 215], base
documentaire : Gnie nergtique (1995).

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physique de la conversion photovoltaque
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Lausanne (1997).

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ZHANG (Z.), WENHAM (S.R.), ZHAO (J.), SHI
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