TI Modulepv4

Modules photovoltaques
Aspects technico-conomiques
par
Alain RICAUD
Grant de CYTHELIA Consultants (Savoie-Technolac)
Professeur associ lUniversit de Savoie
Ancien directeur de France-Photon (Angoulme),
Solarex Corp (Frederick, Md), et Solems SA (Palaiseau)
1.
1.1
1.2
1.3
2.
2.1
Applications des couches minces .......................................................

Petites puissances .......................................................................................
1.1.1 Produits grand public usage intrieur............................................
1.1.2 Produits grand public usage extrieur...........................................
Grandes surfaces .........................................................................................
1.2.1 Secteur du btiment ...........................................................................
1.2.2 Secteur de lautomobile .....................................................................
Systmes connects au rseau ..................................................................
D 3 941 2
2.2
2.3
2.4
Production de masse ..............................................................................

Cots.............................................................................................................
2.1.1 Objectifs...............................................................................................
2.1.2 Projection de cot des modules ........................................................
2.1.3 Courbe dapprentissage .....................................................................
Disponibilit des matriaux ........................................................................
Du laboratoire au produit commercial.......................................................
Rcapitulatif .................................................................................................
5
5
5
5
7
8
10
11
3.
Conclusion .................................................................................................
11
Rfrences bibliographiques .........................................................................
12
n sait les difficults rencontres par la filire au silicium cristallin ses

dbuts, pour avoir voulu dmarrer sa carrire en remplacement des groupes Diesel sur un march non solvable (les pompes africaines) aux besoins
immenses, et sur un march solvable (les faisceaux hertziens) aux besoins relativement limits. On pourrait donc penser a priori que si les couches minces ne
sont pas capables de se substituer la filire cristalline, par un cot de production moindre pour des performances semblables, leur avenir est srieusement
compromis. Ce serait ne pas voir les avantages concurrentiels propres aux filires couches minces .
Les caractristiques des cellules photovoltaques en couches minces qui dans
certaines applications, peuvent les rendre plus attrayantes ou plus performantes
que les cellules cristallines sont :
la grande flexibilit de taille et de forme permettant de faire des modules
sur mesure ;
lesthtique (couleur fonce, homogne et uniforme, connections des cellules en srie presque invisibles lil) ;
une gamme varie de tensions et de courants dont les limites ne sont fixes
que par loptimisation des largeurs de bandes ;
la possibilit de les rendre vraiment semi-transparentes ;
la possibilit de les intgrer sur toutes sortes de substrats, notamment des
supports souples ;
Toute reproduction sans autorisation du Centre franais dexploitation du droit de copie est strictement interdite.
Techniques de lIngnieur
D 3 941 1
MODULES PHOTOVOLTAQUES ____________________________________________________________________________________________________________
la capacit de faire des gnrateurs 12 V de petite taille beaucoup moins

chers que les gnrateurs cristallins quivalents (pnaliss par la dcoupe et les
cots dassemblage de petites cellules) ;
la capacit de faire des gnrateurs monolithiques de trs grande taille
(jusqu 2 m2).
Les technologies photovoltaques des couches minces devront affronter plusieurs obstacles dans leur qute de diminution des cots pour devenir comptitives avec les sources traditionnelles dlectricit.
Indpendamment des aspects commerciaux, de circuits de distribution et de
marges de distributeurs, qui gouvernent lheure actuelle le prix de vente final
au consommateur, vu sous langle du producteur industriel, pour amliorer les
cots des modules il est ncessaire de progresser sur trois fronts :
la performance des modules (rendement ou Wc/m 2) ;
le cot de fabrication (/m2) ;
le volume de production (conomie dchelle).
1. Applications des couches

minces
1.1 Petites puissances
Il existe une multitude doptions prix/rendement/qualit pour les
petits modules, dans les domaines des applications professionnelles et grand public, de petite puissance o ils sont intgrs par les
fabricants eux-mmes dans leurs propres botiers.
Pour le grand public, on y trouve des objets aussi divers que les
calculettes de poche, les montres, les sonnettes de portes, les lampes de poche, les dtecteurs de prsence, les lampes de jardin, les
toits ouvrants dautomobiles, les modules souples pour le camping
et la navigation de plaisance.
Pour les professionnels, il y a les cltures lectriques, linstrumentation scientifique, les parcmtres urbains, les tlphones durgence
autoroutiers, les casques soudure, les paratonnerres, etc.
Au-dessous de 5 Wc, la performance des produits nest pas dtermine par la densit de puissance (le rendement), pas plus que par
le prix par watt-crte (Wc). Elle est principalement dfinie par la
flexibilit de loutil de production, les considrations esthtiques, la
capacit dintgration et le prix par unit de surface. Ces critres
font que les photopiles en films minces sont beaucoup mieux
adaptes ces marchs que les photopiles traditionnelles.
1.1.1 Produits grand public usage intrieur

Il sagit de micromodules de puissance infrieure 1 Wc, dont la
quasi-totalit utilise les technologies des films minces (silicium
amorphe-a-Si:H, dont Sanyo est le leader incontest, et tellure de
cadmium CdTe utilis par Matsushita-Panasonic pour les
D 3 941 2
afficheurs des calculettes et des montres). Ce segment qui fit la

gloire des socits japonaises au dbut des annes 1980, na une
croissance moyenne que de 5 % par an et nentre pas toujours dans
les statistiques officielles dans la mesure o il ne peut tre quantifi
en termes de watts-crte, mais en termes de surface (puisque la
puissance lectrique dlivre ne lest pas sous un soleil, mais sous
quelques centaines de lux). En 2003, le volume des ventes mondiales de ce segment tait de lordre de 85 000 m2 et le chiffre daffaire
de 107 M, en croissance de 7 % par an.
1.1.2 Produits grand public usage extrieur

Il sagit de modules de puissance infrieure 50 Wc, dont encore
plus de la moiti utilise la technologie du silicium cristallin. Ce segment a une croissance moyenne de 15 % par an et verra progressivement les technologies films minces se substituer entirement aux
technologies traditionnelles pour des raisons de meilleure intgration permise par la plus grande flexibilit de taille, de forme et de
tension. Il sagit souvent damliorations de produits existants en
les rendant autonomes (march dit des OEM : Original Equipment
Manufacturer). En 2003, le volume des ventes mondial de ce segment tait de lordre de 285 000 m2 et le chiffre daffaire de 170 M,
en croissance de 14 % par an.
1.2 Grandes surfaces

Si les petits systmes grand public ont t le principal dbouch
du silicium amorphe pendant de nombreuses annes, des produits
souples de grandes dimensions et des applications pour les
btiments sont vises depuis la fin des annes 1990. Ainsi des lments de faade de plusieurs mtres carrs, des panneaux semitransparents, des tuiles, des bardeaux et autres lments de toitures
incorporant des cellules amorphes ont t dvelopps en coopration avec les verriers et les professionnels du btiment.
___________________________________________________________________________________________________________ MODULES PHOTOVOLTAQUES
Figure 2 lments de toitures a-Si:H coll sur bac acier
Figure 1 Exemple de vitrage semi-transparent au a-Si:H, document

Phototronics Solar-Technik
1.2.1 Secteur du btiment

Depuis quelques annes, les produits phares pour les applications des systmes photovoltaques (PV) en Europe sont bass sur
les lments de construction des btiments [1]. Les modules classiques monts sur des supports mtalliques disparatront peu peu
du champ des applications btiment et seront remplacs par des
modules intgrs aux allges, en pare-soleil ou en toiture.
1.2.1.1 lments de faade
Le produit sur lequel lindustrie a dj tabli sa rputation est la
faade ; elle sest dvelopp principalement en Allemagne avec Pilkington Solar, Vegla (Prosol) et Schco, le leader incontest de la
faade vitre et en Suisse avec Atlantis. Sans surprise, cest dans les
rgions septentrionales de lEurope que ce produit a le plus de succs (Allemagne, Danemark, Pays-Bas). Il est encore trs li aux programmes de dmonstration et se vend plus sur la base de
considrations de prestige que sur la capacit du systme produire du courant lectrique de faon conomique.
1.2.1.2 Modules semi-transparents
On peut aussi incorporer la fonction dombrage directement dans
les vitres du btiment. Pour cela, on se sert de vitrages semi-transparents qui peuvent incorporer des cellules photovoltaques. De
cette faon, lnergie solaire qui ne rentre pas dans la salle nest pas
perdue mais sert encore produire de llectricit.
Si lon souhaite obtenir un vritable effet de semi-transparence
(plus fin que celui obtenu avec lespacement des cellules au silicium
cristallin), et voir une vritable image, il est ncessaire de pratiquer
des ouvertures sous forme de lignes ou de petits trous dont la distance interligne (ou intertrou) est infrieure au diamtre de la
pupille. Ainsi, un observateur situ lintrieur (ct de faible clairement) mme sil se trouve proche des vitres peut rellement voir
les images au travers.
Les brevets dposs en 1990 par Solems SA ont t repris par
Phototronics Solartechnik GmbH (PST), une compagnie bavaroise
tablie en 1989 en sappuyant sur la technologie franaise, seul
fabricant en Europe de modules en silicium amorphe qui peuvent
tre achets semi-transparents en option (ASITHRU 30 SG,
100 cm 60 cm, 27 W) et assembls sur un support de faade en
verre de 6 mm comme indiqu la figure 1.
Les vrandas ont dmarr un peu plus tard, mais devraient se

rpandre notamment dans lhabitat individuel en associant le produit un systme autonome de ventilation.
Le pare-soleil photovoltaque est un produit relativement
nouveau dans larchitecture des grands btiments (lyces,
collges). Il sy adapte trs bien. Son dveloppement dans
lhabitat individuel ncessite de lassocier dautres fonctions
qui restent dfinir.
1.2.1.3 lments de toiture
Lintgration des modules en toiture rpond trois critres :
la rponse adquate au besoin de couverture ;
lesthtique ;
et la facilit dinstallation.
Les modules en couches minces sont mieux adapts ces critres
que les modules classiques. Ce sous-segment napparatra pas
auprs du grand public avant leur maturit technico-conomique,
cest--dire probablement pas avant lan 2006. En attendant, la
socit USSC propose toute une gamme de produits souples ou
semi-rigides, bien adapts aux toitures nord-amricaines : bac acier
(standing seams) ou ardoises (shingles).
Les modules PVL-64, respectivement PVL-128 dUnisolar a-Si:H
triple jonction dpose au dfil sur substrat acier inoxydable et
encapsuls dans un sandwich EVA-Tefzel sont livrs sous forme de
rouleaux de 285 cm de long (respectivement 549 cm) et de 40 cm de
large qui peuvent tre colls sur un substrat mtallique (figure 2 et
tableau 1).
Les modules au silicium amorphe en tandem sont trois fois moins
chers produire au mtre carr que les modules cristallins, mais
deux fois moins performants en termes de kWh/m2 produits. Il en
rsulte quils sont les meilleurs candidats dans les applications o le
cot dinstallation est modeste puisquune partie importante de
celui-ci est proportionnel la surface des panneaux. Ainsi la filire
amorphe, malgr ses faiblesses, reste un candidat crdible pour le
remplacement des tuiles, puisque pour cette application
particulire, le rendement nest pas le problme majeur (on estime
en effet quune puissance installe de 3 kW est amplement suffisante pour une installation domestique ; celle-ci occupe une surface
de 50 m2 avec un rendement stabilis de 6 %).
Si lon tient compte en outre, du fait que les rendements des
modules cristallins (rendement cellules) et des modules amorphes
(rendement douverture) ne sont gnralement pas comptabiliss
de la mme faon, on aboutit sur le terrain des rsultats beaucoup
plus proches que sur les tiquettes des constructeurs.
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(0)
Tableau 1 Caractristiques lectriques et mcaniques des modules a-Si:H sur bac-acier

Caractristique
SSR-64
SSR-128
Puissance crte Pp ................................................................................................................ (W)
64
128
Cellules par module triple jonction...........................................................................................
11
22
Tension dutilisation Vpm ...................................................................................................... (V)
16,5
33
Courant dutilisation Ipm ....................................................................................................... (A)
3,9
3,9
Tension de circuit ouvert Vco ............................................................................................... (V)
23,8
47,6
Tension maximale de circuit ouvert Vco ( 10 C ; 1 250
W/m2) ........................................
(V)
27,1
54,2
Intensit de courant de court-circuit Icc ............................................................................... (A)
4,80
4,8
Intensit de courant maximal de court-circuit Icc (75 C ; 1 250 W/m2) ............................ (A)
6,3
6,3
Fusible srie........................................................................................................................... (A)
Diode antiretour .................................................................................................................... (A)
Longueur............................................................................................................................... (m)
3,050
5,800
Largeur .................................................................................................................................. (m)
0,450
0,418
Masse surfacique ...........................................................................................................(kg/m2)
8,57
8,46
paisseur du substrat ....................................................................................................... (mm)
0,75
0,75
Densit de puissance ..................................................................................................... (W/m2)
46,63
52,80
Densit de puissance ...................................................................................................... (W/kg)
5,44
6,24
Surface .................................................................................................................................(m2
1,37
2,42
Masse ....................................................................................................................................(kg)
11,76
20,51
On voit donc par ces considrations que mme pour les grandes
surfaces, terme, les couches minces ne laisseront pas le champ
libre au silicium cristallin.
1.2.2 Secteur de lautomobile

Une application industrielle pour usage grand public des modules
au Si amorphe semi-transparent est le module intgr en lieu et
place du toit ouvrant, ventilant lhabitacle du vhicule au fil du
soleil sans solliciter la batterie, lorsque ce dernier est larrt
(figure 3).
La ventilation solaire de lhabitacle est assure par un systme
de trois petits ventilateurs de 2 W chacun, aliments par un
module solaire de 9 Wc. Le diagramme de la figure 4 montre que
la temprature intrieure du vhicule, qui peut facilement monter
en t 55 C, est rduite 35 C par extraction de lair chaud, ce
qui donne aux passagers un vrai sentiment de confort cot
nergtique extrmement rduit. Ce projet a t dvelopp de
1988 1991 par la joint-venture franco-allemande Solems-Phototronics. Certains vhicules haut de gamme sont quips de ce systme solaire chez Audi.
1.3 Systmes connects au rseau

La vente des modules photovoltaques (PV) augmente en
moyenne de 35 % par an depuis 1998. On estime la vente mondiale
de modules en 2004 environ 990 MWc, soit 3,2 milliards de dollars
de CA avec un prix moyen de vente 3,1 $/Wc. Aujourdhui, les
modules PV sont vendus en grandes quantits (> 100 kW) environ
2,5-3 /Wc. Le phnomne nouveau, cest que les deux tiers de ces
ventes se font au Japon et en Allemagne dans des systmes domestiques connects au rseau.
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Figure 3 Toit ouvrant solaire (silicium amorphe semi-transparent)

ventilant lhabitacle dune Golf, document Solems-PST
Dpendant des applications, le cot des systmes complets se

situe entre deux fois (toitures connectes au rseau) et cinq fois plus
(maisons isoles autonomes avec stockage) que le cot des modules.
Le prix dun systme connect au rseau doit prendre en compte
le prix des modules qui dpend du circuit de distribution (environ
1,5 fois le cot usine, soit 4 /Wc), le prix des onduleurs (environ
1 /Wc), le prix du reste du systme (RDS) qui comprend lemballage, le transport, linstallation (montage, cblage, connexion au
rseau) et qui sestime en /m2 install (typiquement 225 /m2 pour
une maison individuelle de 3 kWc).
2. Production de masse
T (C)
E (mW/cm2)
Ensoleillement au milieu de la journe

70
60
int rieur du vhicule

Air intrieur
v hicule
sans ventilateur
Nous traitons ici surtout les cots de fabrication (/m2) et les

effets dchelle en production.
radiation solaire E
Irradiation
50
T = 25 K
40
2.1 Cots
T = 8 K
30
20
10
2.1.1 Objectifs
Air int
intrieur
rieur du vhicule
v hicule
avec ventilateur
0
9:00
10:00
11:00
Temp
Temprature
emprature
rature de llair
air ambian
ambiant
12:00
13:00
Le dpartement dnergie des tats-Unis (DOE) a fix comme

objectif trs ambitieux sur le long terme, un cot des couches minces de 0,33 /Wc, bas sur un objectif de rendement des modules
de 15 % et un cot de fabrication des modules par unit de surface
de 50 /m2. Cet objectif est considrer comme lobjectif ultime de
production gnralise dlectricit solaire.
14:00
15:00 16:00 17:00

Aot 1990 VW Gol f
Volume dair 280 m3/h (taux nominal)
Toit solaire
6W
( midi)
Plusieurs tudes ont montr le potentiel pour les couches minces

datteindre 50 70 /m2. Aucune tude na valid le mme potentiel
pour le silicium cristallin. Nous traitons ici la question de comment
accomplir cet objectif de 50 /m2 partir dun document de Ken
Zweibel, lui-mme tir dinformations en provenance de la socit
Solar Cells Inc [2].
Figure 4 Effet du toit ouvrant solaire sur la temprature

de lhabitacle dune Golf, document Solems-PST
Le tableau 2 montre la situation actuelle des cots dinstallation

dun systme domestique connect au rseau et compare les quatre
technologies en comptition : sc-Si (silicium monocristallin), mc-Si
(silicium multicristallin), CIGS et a-Si:H (silicium amorphe). Il montre
pour les couches minces quelques combinaisons possibles futures
de cot de fabrication et de rendement, le but ultime atteindre
tant un cot de systme infrieur 1,5 /Wc qui permettrait
datteindre un cot global actualis de llectricit solaire 0,15 /
kWh, cot qui correspond au tarif dachat en vigueur de llectricit
solaire en 2004 en France mtropolitaine.
(0)
Tableau 2 Cot dun systme install en toiture (en /Wc)

en fonction du prix dachat des modules (en /m2),
de leur rendement ainsi que du reste du systme (RDS).
Situation actuelle et projections (1)
Caractristiques
Situation actuelle
Projections
Achat modules ...... (/m2) 600
501
401
300
150
75
RDS ........................ (/m2) 225
225
225
225
150
100
Cot toiture vit .. (/m2)
45
Onduleur ................(/Wc) 1,00

Rendement
45
1,00
45
1,00
45
1,00
30
0,50
20
0,25
sc-Si mc-Si CIGS a-Si:H Films minces
7,5 %
10,0 %
7,81
12,5 %
7,24
15,0 %
6,20
6,45
8,74
7,40
4,10
2,32
6,81
5,80
3,20
1,80
2,66
1,49
2,30
1,28
(1) Sur fond gris les valeurs correspondant ltat de lart, sur fond bleu
lobjectif ultime.
Un prix de systme en dessous de 3 /Wc est ncessaire pour

commencer ouvrir les segments de march des toitures, faades
et autres systmes distribus connects au rseau sans subvention
linvestissement. En effet, avec un cot module 1,50 /Wc, un
rendement de 10 %, un cot dinstallation de 150 /m2, un cot de
toiture vit de 30 /m2, un cot donduleur 500 /kW, on peut
produire de llectricit solaire 0,30 /kWh, cot qui correspond au
tarif dachat en vigueur en 2003 en Corse et dans les DOM-TOM.
Pour ce faire, nous indiquons les amliorations dans la recherche

des procds ncessaires dans les filires de CIS, de CdTe, et des
technologies de couches minces en silicium pour atteindre cet
objectif ambitieux. Nous examinons les paramtres cls, tel que les
cots dinvestissements, les vitesses de dpt, lpaisseur des couches, le cot des matriaux, les rendements de production, les cots
des substrats et des parties amont et aval de la fabrication.
2.1.2 Projection de cot des modules

Le tableau 3 montre la situation actuelle des cots de fabrication
des quatre technologies en comptition : silicium monocristallin,
silicium multicristallin, CIGS et silicium amorphe.
(0)
Tableau 3 Cot de fabrication (en /m2) et rendement

dterminent le cot des modules (en /Wc) (1)
Caractristiques
Cot usine
(/m2)
Rendement
Situation actuelle
400
sc-Si
334
3,34
12,5 %
3,20
15,0 %
2,67
200
100
50
mc-Si CIGS a-Si:H Films minces
7,5 %
10,0 %
267
Projections
3,56
2,67
1,33
0,67
2,67
2,00
1,00
0,50
0,80
0,40
0,67
0,33
2,67
(1) Sur fond gris les valeurs correspondant ltat de lart, sur fond bleu
lobjectif ultime.
Il montre pour les couches minces quelques combinaisons possibles futures de cot de fabrication et de rendement. Le cot le plus
lev (2,67 /Wc) reprsente ltat de lart en 2003 pour la production de couches minces. Le cot le plus bas, qui est une combinaison de 15 % de rendement du module avec 50 /m2 de cot de
fabrication, reprsente le but long terme du DOE amricain. Toute
combinaison de cot et de performance en dessous 0,50 /Wc permet datteindre lobjectif. Le problme du rendement des modules
est surtout quil doit tre maintenu ou augment en dpit des stratgies de rduction des cots [3].
D 3 941 5
2.1.2.1 Similitudes
2.1.2.2 Cot matire
Les technologies en couches minces ont de nombreuses similitudes. Ces ressemblances simplifient lanalyse des cots de fabrication des modules. Dans la configuration verre en superstrat, on a en
gnral :
Afin de vrifier le bien fond des approches silicium en couches

minces dans la production de cellules photovoltaques, il est intressant de chiffrer le simple cot du silane, matriau de base des cellules au a-Si-H.
un verre en face avant qui protge de lenvironnement

extrieur ;
une couche transparente et conductrice pour collecter le courant servant de contact avant ;
un sandwich central mince (1 4 m) semi-conducteur ;
un contact arrire qui est souvent une couche mince
mtallique ;
une couche arrire protgeant de lenvironnement qui pourra
aussi constituer un support rigide ou flexible.
qui cote environ 300 /kg, une masse volumique gazeuse de 1 kg/m3,
une masse volumique solide de 2,3 g/cm3 et pour 1 m2 de cellule photovoltaque, on dpose 7 g. Un rendement de dpt de 25 % implique
une consommation de 28 g, soit 8 . Avec un rendement PV de 10 %
(100 Wc/m2), on trouve 0,08 /Wc, ce qui nest pas ngligeable lorsque lon vise des cots de production < 1 /Wc.
Plusieurs procds intermdiaires se retrouvent dans tous les

cas : srigraphie ou rayures pour linterconnexion des cellules,
recuit pour activer ou complter certaines couches ; lamination pour
lencapsulation ; connexion des bus ; isolation des bords ; sorties
fils.
lintrieur mme de chaque catgorie, il y a des ressemblances.
Par exemple, presque tous les modules en couches minces
ncessitent une couche doxyde transparent conducteur (OTC) pour
le contact avant. Celle-ci peut tre produite ou achete prdpose
comme le verre de superstrat. Il y a aussi presque toujours un dpt
de mtal pour le contact arrire, souvent obtenu par pulvrisation
cathodique magntron daluminium. Finalement, les contraintes
imposes au cur des cellules, labsorbeur et la formation de la
jonction ont aussi de nombreuses similitudes telles que la faible
paisseur, le bas cot des matriaux, la vitesse de dpt et des exigences nergtiques acceptables dans les procds.
tant donnes ces ressemblances, do viennent les diffrences
de cots entre les diffrentes filires de couches minces
photovoltaques ? Les facteurs les plus importants sont :
certaines structures de cellules photovoltaques sont plus
complexes que dautres : le a-Si:H en jonction triple a, par exemple,
12 interfaces ;
certains semi-conducteurs sont plus difficiles fabriquer en
srie tout en maintenant la performance : couches gradues tel que
Cu(In,Ga)(S,Se)2 ;
certains procds ncessitent des investissements plus lourds
que dautres ;
certains procds utilisent plus de matriaux de base coteux ;
certains procds ncessitent plus de nettoyage ou de contrles au niveau de lenvironnement ;
certains procds ont des rendements intrinsquement
infrieurs ;
certains procds exigent plus de contrle, dentretien ou ont
des temps dinterruption plus longs ;
certains procds ncessitent des tapes supplmentaires de
recuit thermique ou de traitement chimique.
Ce sont ces diffrences qui dterminent les variations dans les
cots de fabrications.
Exemple : la technologie de base de First Solar pour les couches
minces CdTe nutilise que trs peu de matriaux semi-conducteurs
dposs trs vite (1 m/s), ncessite un investissement relativement
faible, et emploie un substrat de verre peu cher (cest bien le moindre
des avantages que de se trouver Toledo, la rgion des verriers amricains). Le cot total par mtre carr est estim moins de $100 pour
20 MW de production annuelle, avec une asymptote de $50 si la technologie est optimise pour des volumes de production plus grands. Le
rsidu de cot asymptotique dune telle technologie viendra probablement de lencapsulation.
Les autres technologies varient par rapport cette ligne de
base suivant les diffrences mentionnes plus haut.
D 3 941 6
Exemple : avec une paisseur de couche e = 3 m, un silane (SiH4)
2.1.2.3 Effet dchelle

Le tableau 4 qui peut servir comme rfrence pour les autres filires, rcapitule de manire trs condense tous les aspects des cots
(y compris les cots administratifs, de vente et de marketing) de la
filire a-Si:H depuis lchelle dun laboratoire celle dune usine de
grande taille. La plupart des tudes prvisionnelles sur les cots,
proposes par les chercheurs, sarrtent en gnral au cot direct
(matriau et main-duvre). Le plus souvent, il y manque les amortissements des quipements, la location des btiments, les cots de
ladministration, du marketing et des ventes, et le cot de la garantie. Ainsi les prvisions de rduction de cot vues par les chercheurs
sont toujours trop optimistes. Sans parler des sommes importantes
quil faut en permanence investir en recherche et dveloppement et
pour lesquelles il est normal de prvoir sur le long terme un juste
retour dinvestissement. Ce tableau 4 a le mrite de montrer que le
a-Si:H a le potentiel pour tre produit 0,80 /Wc dans des usines
de 100 MWc si le volume est l.
Trois voies majeures rglent la rduction des cots :
(1) rendements photovoltaques ;
(2) optimisation des procds ;
(3) conomie dchelle suivant laugmentation de volume de
production.
Les chercheurs ont tendance penser que cest leur effort en
recherche et dveloppement qui a limpact le plus dterminant.
Cependant, lexprience passe nous a montr que les sauts technologiques ne se produisent pas tous les deux ans. Nous pensons,
pour notre part, que dans la phase o nous nous trouvons, le travail
des ingnieurs process (optimisation des procds) et louverture
de nouveaux marchs auront un rle bien plus dterminant. En
outre, il est clair que le prix de vente final dpendra aussi des cots
de marketing et de la chane de distribution, qui sont eux-mmes
trs dpendant du volume.
2.1.2.4 Optimisation des procds
Les efforts de recherche et dveloppement sur loptimisation des
procds doivent porter sur :
de meilleures performances en gnral (par consensus, il faut
viser les 15 % de rendement au niveau module) ;
de nouvelles options doxyde transparent conducteurs ;
des superstrats et des substrats innovants ;
une vitesse de dpt plus leve (viser 0,1 m/s) ;
des tempratures plus basses (rduction de lnergie ajoute) ;
des procds plus simples (rduction du nombre dtapes) ;
une rduction des cots dentretien ;
une rduction des temps dinterruption ;
de meilleurs rendements de fabrication chaque tape ;
une optimisation du back end (rayures, encapsulation,
interconnexions).
(0)
Tableau 4 Analyse prospective du cot des modules au a-Si:H, du laboratoire la production de masse [4]
chelle de temps
Taille de lunit
Volume annuel (m2)
t + 10
t + 20
t + 30
Laboratoire
Pilote
Petite usine
Grande usine
600
30 000
300 000
1 000 000
Rendement module............................... (%)
10
12
Capacit.............................................(MWc)
0,036
2,400
30,000
120,000
Cot direct (/m2) :
352
120
73
54
superstrat TCO ..........................................
112
24
15
11
autres matriaux.......................................
80
56
42
31
salaires directs ..........................................
160
40
16
12
personnel direct ........................................
(5 ouvriers)
(60 ouvriers)
(300 ouvriers)
(660 ouvriers)
Cot variable indirect ..................................
28
16
12
11
Cot total variable .......................... (/m2)
380
136
85
65
Cots fixes de fabrication
(/m2)
472
116
31
27
amortissements ........................................
320 (960 k)
106 (16 M)
28 (52 M)
26 (130 M)
salaires ......................................................
152 (2 employs)
10 (6 employs)
3 (20 employs)
1 (35 employs)
Cot fixe indirect .........................................
60
Cot fixe total .................................. (/m2)
532
120
33
28
912
256
118
93
Administration .............................................
132 (3 employs)
14 (9 employs)
3 (35 employs)
2 (60 employs)
Ventes et marketing ....................................
200 (3 employs)
20 (9 employs)
5 (45 employs)
4 (120 employs)
Cot total au m2 ..........................................
1 244
290
126
99
Cot total ......................................... (/Wc)
20,70
3,60
1,26
0,83
Ressources humaines .................................
13 employs
84 employs
400 employs
875 employs
produit.........................................(m2)
0,09
0,60
1,50
1,50
Puissance unitaire ............................... (Wc)
5,4
48
150
180
Taille
2.1.2.5 Volumes
Les effets du volume sur les prix viendront essentiellement des
paramtres suivants :
achat des matriaux en gros de meilleurs prix (sauf problmes de disponibilit) ;
contribution des frais fixes (frais gnraux dadministration et
de vente) rduits par rapport aux frais de production ;
rduction du cot dinvestissement par unit (surtout si les
substrats sont plus grands) ;
meilleure optimisation des flux dans la fabrication ;
cots de garantie diminuant avec lapprentissage.
Cot des modules PV (/Wc)
Cot de fabrication ......................................
10
1993
c-Si (/Wc)
2003
1
2011
Films minces (/Wc)
( /Wc)
2022
0,1
10
10 2
103
104
105
106
Volume cumul (MWc)
Figure 5 Cot usine moyen des modules au c-Si et au a-Si:H pass

et projet, document : Cythelia
2.1.3 Courbe dapprentissage

Le prix de vente en quantits de 10 kWc des modules en 2004 tait
un peu infrieur 3 /Wc. On estimait alors que les cots usine de
fabrication des modules standards amorphes et cristallins taient
voisins de 2,4 /Wc, lavantage de la fabrication en grandes surfaces
unitaires compensant pour le silicium amorphe, le plus faible rendement de conversion (6 8 %).
Mais parce que le volume de leur production cumule est dix fois
plus faible, il ne fait pas de doute quils puissent, plus tt que les
photopiles cristallines classiques, descendre sous le seuil fatidique
de 1 /Wc (figure 5).
La figure 5 montre sur une chelle log/log, lvolution historique

du cot moyen des modules de puissance (/Wc en monnaie constante de 2000), en fonction du volume des ventes cumules.
En faisant certaines hypothses, le comportement pass permet
dlaborer les tendances du futur. La formule classique utilise est la
loi de Verdoorn :
ln(P1/P0) = (lna/ln2)ln(V1/V0)
avec
a
P
V
le coefficient dapprentissage,
le prix de vente unitaire,
le volume des ventes cumules.
D 3 941 7
proprement parler, la thorie de la courbe dapprentissage

sapplique la productivit du travail humain, tout au plus lvaluation des cots directs. Il faut donc rester prudent dans son usage
pour prdire des volutions de prix :
elle ne prend pas en considration les variations du cot de
lnergie auxquelles cette industrie est trs sensible, les priodes de
rcession entranant la guerre des prix, ni les profits regagner ;
elle ignore limplantation de nouvelles technologies (en particulier elle ne dit rien sur les effets perturbateurs que peuvent provoquer lentre en production de nouvelles usines de trs grande
capacit).
Dans lindustrie lectronique, le coefficient dapprentissage est
gal 0,79 ; nous avons ici utilis un coefficient dapprentissage de
0,82 pour le c-Si et de 0,80 pour le a-Si:H.
Le scnario de croissance est un scnario optimiste, rsultant de
politiques volontaires telles que celles qui prvalent depuis 1997 au
Japon et en Allemagne. Il donne lieu une croissance moyenne de
30 % par an pour lensemble des technologies. En lan 2010, le volume
des ventes atteindrait alors 4 640 MWc, les ventes cumules
20 000 MWc, le chiffre daffaire annuel des modules 8 milliards
deuros et leur prix de vente moyen serait de 1,75 /Wc. La courbe
montre que les films minces, qui ne comptaient encore que pour le
dixime de la production cumule des modules cristallins et qui cotaient peu prs le mme prix en 1999, voient leur cot diminuer plus
vite, leur part de march devrait donc augmenter en consquence.
Avec les hypothses ci-dessus, le taux de croissance des films
minces serait de 42 %/an, et en 2010 le volume des ventes atteindrait
1 060 MWc, leur part 23 %, les ventes cumules 3 840 MWc, le CA
annuel 1,5 milliards deuro leur cot de 1,1 /Wc et leur prix de
vente moyen de 1,4 /Wc. En gardant les mmes hypothses de
croissance et de coefficient dapprentissage, lobjectif du DOE amricain de 0,33 $/Wc ne peut tre atteint quen 2022, avec une production cumule de 150 GWc de films minces !...
2.1.3.1 Taille critique
En plus de leffet dapprentissage, on a pu noter des rductions de
cot lies la taille unitaire des modules. Dans le domaine des couches minces, lexprience montre en effet que le cot variable par
unit de surface des produits se trouve rduit de 19 % chaque fois
que double la surface unitaire des dits produits. Cest lune des raisons de la course aux plus grands modules.
En outre, sachant que lindustrie des films minces est deux fois
plus gourmande en capital que celle des photopiles traditionnelles,
les capacits de production doivent tre plus importantes pour
mieux absorber des amortissements proportionnellement plus levs et les cots variables doivent tre plus faibles. Deux raisons
supplmentaires pour favoriser les modules de grandes tailles.
Ces deux derniers arguments sont aussi les raisons pour lesquelles il y a un double risque vouloir pntrer trop tt le march avec
des produits en films minces : si la taille de lusine est trop petite, le
point mort est au-dessus de la capacit de production et ne peut
jamais tre atteint ; si lusine est trop grande, les cots fixes ne peuvent pas tre absorbs par le volume limit quimpose le march.
2.1.3.2 Expriences industrielles
Les expriences successives de Sanyo Electric (a-Si:H) au Japon,
ARCO-Siemens (a-Si:H, CIS), APS (a-Si:H), Solarex-BP (a-Si:H, CdTe),
Canon-USSC (a-Si:H), First Solar (CdTe) aux tats-Unis, SolemsPhototronics (a-Si:H), ANTEC (CdTe), Wrth Solar (CIS) en Europe,
dans la mise au point dateliers pilote, puis de petites usines, ont
dmontr la ncessit dune surface financire considrable. Les
dbouchs des photopiles en couches minces vers des produits de
grandes dimensions pour le btiment pouvaient seuls justifier de
tels investissements. Avec les photopiles de grande surface deux
ou trois jonctions, les entreprises cites ont dj pris ce tournant,
mais trois dentre elles ont d abandonner la course. En Europe,
cest lquipementier Unaxis (filiale de Balzers) qui semble
aujourdhui vouloir relever le dfit face au Japonais Kaneka qui a
D 3 941 8
annonc en 2000 son intention de construire une usine de capacit

20 MWc. De son ct, Sanyo Electric a augment la capacit de 3
10 MWc, ds 1999, de son usine ddie aux modules hybrides de la
srie HIT et a augment sa capacit de 60 MWc en 2004.
2.1.3.3 Machines de dpt
Outre les recherches sur les procds, des innovations rcentes
portent sur les machines permettant de fabriquer des structures de
plus en plus complexes. Depuis 1990, les performances des machines
RFPECVD (Radio-frequency plasma enhanced chemical vapour deposition) ont volu essentiellement par la taille et par lhomognit
des dpts. On notera que les quipementiers, qui les fabriquent, ont
dvelopp, partir dun savoir-faire photovoltaque, des machines de
dpt plasma de grandes dimensions pour la fabrication dcrans
plats pour des socits japonaises. Par un juste retour des choses, les
progrs raliss dans la qualit des dpts pour TFT (transistors en
films minces) sont rpercuts nouveau dans la fabrication de modules photovoltaques de trs grandes dimensions (plaques de 210 cm
185 cm). La vitesse de dpt est de 1 nm/s (3,6 m/h).
2.2 Disponibilit des matriaux

long terme, les technologies du photovoltaque en couches minces ont le potentiel de devenir comptitives avec dautres sources
dnergies. On est donc en droit de poser la question des limites
potentielles qui se prsenteront dans le cas dune conomie base
sur une de ces technologies. Il est bien vident que, dans la ralit,
on trouvera toujours un mlange de plusieurs technologies, mais
lexprience industrielle montre aussi que, longue chance, une
solution devient prdominante. titre purement acadmique, il
semble alors intressant dtudier les cas o toute lnergie primaire mondiale qui se chiffre approximativement 100 000 TWh/an
soit produite par une des technologies du photovoltaque en couches minces, CIS, CdTe ou Cellule Grtzel . La discussion qui suit
est issue dun article de B. Andersson et al., Chalmers University
of Technology, Gteborg en Sude qui fait rfrence [5].
Pour estimer les besoins en matriaux, ils ont tudi les structures suivantes de cellules photovoltaques :
cellule Grtzel : TiO2 (10 m) entre 2 couches de SnO2
(0,5 + 0,5 m). La cellule contient aussi une couche de Pt (0,002 m)
et 0,1 g/m2 de Ru (dans le pigment) [10] ;
cellule CIS : ZnO (2 m), CdS (0,05 m), CuInSe2 (2,0 m), Mo
(1,0 m) [7] [8]. On pourra substituer une partie de lindium par du
gallium ;
cellule CdTe : SnO2 (0,12 m), CdS (0,2 m), CdTe (1,5 m), Cu
(0,001 m) Mo (1,0 m) [9].
Le modle fait lhypothse dun rendement des cellules de 15 %,
dune insolation moyenne de 2 000 kWh/(m2 an) et dune dure de
vie de 30 ans. Le taux de croissance annuel du systme global de
production dnergie solaire photovoltaque est de 1 000 TWh/an
entre 2000 et 2100 (soit une production de cellules de 75 000 MWc/
an) et le cumul est stabilis 100 000 TWh/an au dbut du
XXIIe sicle. De plus, on fait lhypothse quil ny a pas de pertes de
matriaux pendant la priode de croissance, cest--dire que le recyclage et lutilisation des matriaux mins est de 100 %.
Le tableau 5 rsume les rsultats du modle. Dans la colonne 3, il
devient vident que toutes les technologies contiennent au moins
un lment pour lequel le besoin dpasse largement les rserves
prsentes. Lindium est le plus critique de ces lments et les
besoins dpassent les rserves par un facteur 570. Dautres exemples de tels lments sont Te (73), Ga (> 70), Se (20), Ru (5,6) et Cd
(3,0). Il faut noter cependant, que les rserves sont dfinies par les
prix et les technologies daujourdhui, et que ceux-ci peuvent changer rapidement tant donn une augmentation rapide de la
demande pour ces mtaux. Par exemple, il y a beaucoup de dpts
minraux dindium connus qui pour linstant, ne sont pas consid-
rs comme faisant partie des rserves, d au prix bas de lindium.

Pour cette raison les auteurs ont estim le ratio entre les besoins et
une valuation approximative des ressources maximales (0,01 % de
la crote terrestre jusqu 4,6 km en dessous de la surface [12]).
Pour plusieurs lments la situation peut tre critique mme dans
cette perspective (voir colonne 4).
Dans la colonne 5 on peut voir que toutes les cellules contiennent
au moins un lment pour lequel le taux de croissance du modle
(1 000 TWh/an) exigerait une forte augmentation de lexploitation
minire par rapport lexploitation actuelle. Il faut noter par contre,
que les quantits de Ga et de Ge contenues dans la production
annuelle de cendre de charbon dpassent leur exploitation minire
par des facteurs de 500 et 150 respectivement [6].
Les implications dune plus forte demande sont difficiles prvoir
car plusieurs de ces lments sont des sous-produits de lextraction
de minerais et de mtaux plus communs. Par exemple, tant donn
que le Ga est un sous-produit du traitement de la bauxite et lIn un

sous-produit de lextraction du Zn, il semble prfrable, dun point
de vue environnemental, de substituer lIn par le Ga dans les cellules CIS, parce que lextraction de lAl est moins nocive que celle du
Zn. Lexploitation minire dlments abondants tels que Zn, Al et Cu
limitera probablement la disponibilit sur le march dlments
rares tels que Ga, In, et Ge.
D au fait que les besoins dpassent les rserves pour plusieurs
lments, on doit sinterroger sur lampleur des augmentations de
prix correspondants. Il est aussi intressant de mesurer les effets
que cela pourra avoir sur le cot des modules photovoltaques.
Actuellement le cot de ces lments rares reprsente seulement
une petite fraction du cot des modules, mme si on fait lhypothse
dun cot aussi faible que 0,5 /Wc (voir la colonne 7). En outre il ne
sera pas sans intrt de prvoir les consquences gopolitiques de
la distribution gographique des mtaux stratgiques.
(0)
Tableau 5 Besoins en matriaux et indicateurs associs pour un scnario de production de cellules

photovoltaques de 75 000 MWc/an dans un systme global dnergie solaire bas sur une des technologies
de couches minces
Matriau
1. Besoin
spcifique (1)
(g/m2)
2. Besoin total (2) 3. Besoin total /

rserves (3)
(Gg)
4. Besoin total /
5. Besoin annuel
ressources
(5)/ minerai (6)
maximales (4)
6. Fuites
potentielles (7)/
dsagrgation
naturelle (4)
7. Cot du
matriau (8)
(base de 0,5 /Wc)
(%)
Cellule CIS
Zn
9,1
3 000
0,02
0,000 23
0,004 2
0,095
0,012
Cu
1,8
590
0,001 1
0,000 062
0,000 65
0,026
0,005 2
In
3,8
1 300
570
0,84
95
350
0,69
Se
4,8
1 600
20
0,17
7,7
72
0,067
Cd
0,19
63
0,12
0,003 4
0,032
1,4
0,000 56
Mo
10
3 400
0,62
0,012
0,31
5,1
0,081
Ga (9)
2,1
700
> 70
0,000 24
190
0,1
1,1
Sn
0,66
220
0,037
0,000 58
0,01
0,24
0,005 3
Cd
4,9
1 600
0,088
0,82
3,7
0,014
Cellule CdTe
Te
4,7
1 600
73
0,38
86
160
0,36
Cu
0,009
3,0
5,70 106
3,20 107
3,30 106
0,000 13
0,000 26
Mo
10
3 400
0,62
0,012
0,31
5,1
0,081
Ru
0,1
33
5,6
0,29
56
120
0,056
Pt
0,05
17
0,56
0,001 3
1,3
0,53
0,94
107
0,001 6
0,000 18
0,021
0,004 8
0,087
0,044
Cellule Grtzel
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
(8)
(9)
Ti
1,2
400
0,001 4
Sn
5,5
1 800
0,31
4,20
CIS : [7] [8] ; CdTe : [9] ; Grtzel : [10].

Besoin en matriaux pour cellules photovoltaques produisant 100 000 TWh/an (insolation = 2 000 kWh/m2 par an et = 15 %).
Estim partir de [11]. Les rserves de Ga ont t estimes moins de 10 % de la quantit totale de Ga dans les rserves de bauxite et de zinc.
Les ressources maximales sont estimes 0,01 % du contenu total dans la crote terrestre jusqu 4,6 km en profondeur [12] en utilisant la concentration
moyenne dans la crote terrestre [13]. La dsagrgation naturelle est calcule en utilisant la concentration moyenne dans la crote terrestre et le flux global de
sdiments suspendus de 15 Pg par anne dans les rivires du monde [14]. Pour quelques lments il y a des grandes incertitudes dans lestimation des concentrations dans la crote terrestre. Pour Ru, Pt et Te, la concentration dans le manteau est utilise. Daprs des valuations, la concentration dans la crote est
infrieure au manteau pour ces lments, cest--dire les contraintes pour ces lments sont plus dures qunonces dans le tableau. Par contre, la valeur de
la concentration dindium est probablement estime sa valeur infrieure.
Les besoins annuels sont calculs comme 1 % du besoin total.
Donnes de [11].
Les fuites potentielles sont calcules comme 1/30 du besoin total (dure de vie de 30 ans pour les cellules photovoltaques).
US bureau of Mines [15].
Le Ga pourra remplacer une partie du In dans les cellules CIS. Ici nous avons calcul les besoins en Ga pour une substitution de 100 % de In par Ga.
D 3 941 9
(0)
Tableau 6 Avantages, inconvnients et performances des trois filires les plus matures industriellement
Filire et procd
a-Si:H pin
(PECVD)
Avantages
Dsavantages
Procd basse temprature
Faibles rendements PV
Procds bien matriss
Dgradation sous lumire 30 %
Rayures laser au point
Trs faibles vitesses de dpt

Prcurseurs dangereux
Performances photovoltaques stabilises

(surface douverture)
Performances
Laboratoire
Pilote
Rendement (%)
12,70
9,80
6,68
933
4 939
Surface (cm2)
Quand
Qui
Commercial
1992
1990
1988
Sanyo
Solarex
ARCO Solar
Procds sous vide secondaire

Prsence de pin-holes
a-Si-Ge:H pin-pin
(PECVD)
Rponse dans le rouge amliore Dgradation sous lumire 18 %

Cot lev du germane
Structure complexe (14 interfaces)
Rendement (%)
8,50
6,95
Surface (cm2)
1 200
10 125
Quand
Qui
a-Si:H pin-pin-pin
(PECVD)
CdS-CdTe
(CSVT)
Stabilit amliore
Dgradation sous lumire 12 %

Structure trs complexe
(20 interfaces)
1990
1996
Fuji Electric
Solarex
Rendement (%)
13,50
7,70
6,32
Surface (cm2)
0,27
4 095
10 125
Quand
1996
1996
1996
Qui
USSC
Kaneka
USSC
Optimum band gap pour spectre Utilisation du Cd et de ses composs Rendement (%)
solaire
16,00
9,20
7,25
3 360
7 200
1997
1997
1994
Golden
Photon
SCI inc
Rendements PV corrects
Ressources en Te limites
Bonne stabilit
Recyclage ncessaire
Parfaite stchiomtrie
Difficults avec le contact arrire
Trs grandes vitesses de dpt
Couche fentre CdS ncessaire
Surface (cm2)
Quand
Qui Matsushita
Procd de fabrication compatible industrie du verre

Cot potentiel le plus faible
CdTe compos inerte
Configuration verre en superstrat
CdS-CIGS
Trs bons rendements PV
(CBD/covaporation)
Possibilit de tandem
Forte sensibilit lhumidit

Procd de dpt sous vide
Bonne stabilit
Faibles vitesses de dpt
Faible cot potentiel
Raret de lindium
Rendement (%)
18,80
14,70
7,88
20
1 269
Quand
1998
1999
1998
Qui
NREL
ASC
Uppsala
Siemens
Solar
Surface (cm2)
Encapsulant frontal requiert traitement UV

CBD
CIGS
CSVT
PECVD
Chemical bath deposition

dislniure de cuivre, dindium et de gallium
Closed space vapour transport
Plasma enhanced chemical vapour deposition
2.3 Du laboratoire au produit commercial

Dans la course aux rendements, afin dapprcier les rsultats
publis par les organismes de recherches leur juste valeur, il convient de clairement distinguer :
les cellules de laboratoire (s < 1 cm2) qui nont le plus souvent
pas de grille de collecte ;
les mini-modules de recherche et dveloppement
(surface < 1 000 cm2), le plus souvent non encapsuls, que lon ne
saurait pas ncessairement produire conomiquement ;
D 3 941 10
les modules prototypes encapsuls et fiabiliss et enfin les

modules commerciaux.
Tenant compte du fait que les rendements des modules cristallins
(rendement cellules) et en films minces (rendement douverture) ne
sont gnralement pas comptabiliss de la mme faon, il faut
ramener toutes les performances de rendement la puissance par
unit de surface douverture.
Pour illustrer les difficults de passage dune catgorie lautre,
nous rappelons quune technologie mature telle que celle du silicium monocristallin a un rendement thorique de 27 %, les meilleures cellules de laboratoire 24,4 % (UNSW), le meilleur module pilote
dun pied carr, 21,6 % (Sun Power), le meilleur module commercial

15,3 % (Saturn, BP Solar), et les produits de grande production entre
12,5 (Photowatt) et 14,5 % (Photovoltech).
Le silicium microcristallin na pas encore fait ses preuves au

niveau dun produit industriel, les vitesses de dpt tant trop
lentes.
Lcart de 15 % entre la thorie physique et la ralit industrielle

est le rsultat dun compromis entre les performances potentielles
et le cot conomique de production. La technologie du silicium
cristallin a dabord profit des connaissances de lindustrie lectronique. Compte tenu des faibles taux de rentabilit, il lui a ensuite
fallu plus de 15 ans defforts en interne, et tre aid par des financements publics, pour dvelopper et optimiser des procds conomiquement mieux adapts aux grandes surfaces. Cest seulement
depuis 1997 que les industriels commencent sortir de la phase
dveloppement de procds pour srieusement sintresser
des mthodes de production de masse trs automatises. La stratgie de lactionnaire canadien ATS de Photowatt en France en est un
parfait exemple.
La filire CdTe a un formidable potentiel industriel grce aux

vitesses de dpt trs leves, la configuration en verre superstrat, et au cot de production le plus faible pour des rendements
photovoltaques corrects. Malheureusement le matriau CdTe ne
passera probablement pas la barrire environnementale dans
certains pays.
Une technologie non mature (bien que trs prometteuse), telle

que le CdTe, a un cart encore plus grand entre rendement thorique (22 %), les cellules de laboratoire (15,8 %, South Florida University) et les produits commerciaux (7,5 %, First Solar). Les difficults
rencontres dans les pilotes industriels nous ont en tous cas enseign une rgle dor : ne jamais mettre en production un procd dont
on nest pas tout fait sr. Photon Power (filiale de Total) lavait
appris ses dpends au dbut des annes 1980 et BP Solar la pay
au prix fort sur son site de Fairfield de 1998 2002.
2.4 Rcapitulatif
Dans le tableau 6 enfin, nous rcapitulons les avantages, les
inconvnients et les performances des trois filires couches minces
les plus matures industriellement.
Parmi les filires couches minces en comptition, cest la filire
CIGS qui donne les meilleures performances au niveau du laboratoire (18,8 % sur 1 cm2, NREL, dc. 98), au niveau du pilote de laboratoire (mini-module de 16,5 % sur 20 cm2, ASC), et au niveau
industriel (modules commerciaux de 40 W Shell Solar, 9,4 % sur
129 33 cm2).
La disponibilit et les cots des matriaux a t vue au
paragraphe 2.2. cause de lindium, cest la filire CIGS qui pose le
plus de problmes long terme. Cependant, compte tenu des volumes limits projets dans le plus ambitieux des scnarii, il ny a
aucune inquitude avoir dici 2020.
La productivit des machines nest pas trs bonne pour les machines de covaporation du CIGS, elle est trs faible pour les mthodes
de dpt lectrolytique du CdTe (1 m/h) et elle est excellente pour
les techniques VT (vapour transport), CSVT (Close spaced vapour
transport) et CSS (Close spaced sublimation) utilises dans les
dpts de CdTe (0,1 1 m/s).
Limpact sur lenvironnement a t couvert dans le
paragraphe 2.2 ; on y a montr que les taux de fuite cologiquement
acceptables sont probablement trs infrieurs aux taux de dsagrgation naturelle. Il est cependant important de crer des incitations conomiques et technologiques pour faciliter un taux lev de
recyclage. Des procdures de recyclage adaptes existent dj aux
tats-Unis.
Bien que la filire silicium amorphe soit en recul actuellement, on
ne peut pas passer par pertes et profits les choix faits pour cette
filire par des socits aussi prestigieuses que ECD, Canon, Fuji,
Sanyo, Kaneka ou Solarex. Nous pensons cependant que le a-Si:H
seul, mme en jonction tandem a un avenir limit cause de son
rendement photovoltaque insuffisant.
Associ du silicium cristallin comme le fait Sanyo (procd HIT),
il donne dexcellents rsultats (les modules commerciaux
HIP 190 BE de 190 W 16,1 % sont en effet champions toutes catgories).
Les cellules Grtzel ne sont pas fiables et encore trop loin de la

maturit pour les envisager court terme.
Aussi, la filire la plus pertinente reste notre avis la technologie
CIGS qui combine le meilleur compromis de haut rendement, de
bonne stabilit et de faible cot potentiel sans offenser lenvironnement.
3. Conclusion
Le march des systmes photovoltaques autonomes pour lesquels la comparaison au cot de llectricit du rseau ne se pose
pas, pourrait se satisfaire longtemps de la technologie des cellules
photovoltaques en silicium cristallin, dont le cot baisse petit
petit.
Nous estimons en effet que dans les tapes du processus de production de cellules classiques, conduisant de la charge de silicium
au module solaire, les baisses de cot rsulteront principalement de
la courbe dapprentissage dj constate, suivant laquelle les cots
de fabrication diminuent de 20 % chaque fois que double la production cumule. Ajoute une meilleure organisation de la production
et une automatisation des machines et des transferts, cette courbe
devrait conduire des cots asymptotiques de 1,5 /Wc pour une
production mondiale cumule de 20 GWc en 2010. Cette limite
asymptotique de cot permettrait de produire de llectricit
0,33 /kWh en systmes distribus et 0,16 /kWh en systmes
centraliss.
Elle ne leur permettra pas de rendre comptitifs les systmes
connects aux rseaux des pays dvelopps. Dun point de vue
purement conomique, et pas seulement sur le court terme, il semble que lnergie olienne ait beaucoup plus de chances de pouvoir
profiter de la drglementation europenne. Mais dun point de vue
social, malgr son trs lourd handicap de cot, il semble que le photovoltaque (PV) garde des atouts certains pour le long terme. Le
premier est dordre gographique : contrairement au gisement
olien relativement limit, le soleil brille partout avec des diffrences minimes suivant les rgions. Le second est dordre culturel : en
effet, un des aspects les plus frappants du solaire photovoltaque est
son pouvoir dattraction auprs du grand public ; cela tient au fait
que le solaire PV est la fois peru comme la plus propre et la plus
noble des nergies alors que sa simplicit la met la porte de tout
le monde. Dans un monde o saccrot chaque anne la sensibilit
lenvironnement et au dveloppement durable, tout citoyen peut
apporter sa contribution personnelle en quipant sa propre maison
dun gnrateur propre et prenne. Il nest donc pas surprenant que
les programmes de systmes photovoltaques connects au rseau
aient commenc dans les pays forte sensibilit cologiste.
Concernant lavenir du photovoltaque comme source dlectricit dans les pays industriels, se posent les questions suivantes :
comment traiter lavenir une lectricit encore de 4 8 fois
trop chre compare dautres sources dlectricit verte, et qui ne
contribue qu environ 0,02 % de la consommation totale ?
sur quels critres des consommateurs avertis dcideront de
payer une tiquette verte PV si dautres sources dlectricit vertes
cotent 6 fois moins cher ?
doit-on sengager dans des programmes europens de recherche et dveloppement massifs pour baisser les cots des modules
D 3 941 11
PV grce de nouvelles gnrations de cellules solaires en films

minces actuellement au stade du laboratoire et qui ont des potentiels de cots industriels infrieurs 1 /Wc ?
Des perces nouvelles sont donc indispensables ; il apparat que
la marge de progrs technique disponible sur les filires de cellules
photovoltaques en films minces est importante. La mise au point de
filires bas cot rendant raliste un objectif de 15 % de rendement
moins de 150 /m2 est dj commence en Allemagne grce une
troite collaboration entre luniversit, les centres de transfert et
lindustrie.
Concernant les cots prvisibles des modules en couches minces
pour des usines de grande taille, en retrait assez net par rapport aux
valuations amricaines, nous prdisons quune usine de capacit
1 000 000 m2/an (100 MWc) pourrait produire en 2010 des modules
100 /m2 (dont 54 /m2 de cot direct) avec des rendements PV de
10 % (1 /Wc), et que cela ncessiterait un investissement de
130 M.
Rcapitulant les avantages, les inconvnients et les performances

des trois filires couches minces les plus matures industriellement,
nous pensons que la filire CdTe avait un formidable potentiel
industriel grce aux vitesses de dpt trs leves, la configuration en verre superstrat, et au cot de production le plus faible pour
des rendements PV corrects. Malheureusement le matriau CdTe ne
passera probablement pas la barrire environnementale dans certains pays. Pour linstant, il semble que la filire la plus pertinente
pour se lancer dans la phase dun pilote industriel est la technologie
CIGS par covaporation qui combine le meilleur compromis de haut
rendement, de bonne stabilit, de flexibilit de substrat et de faible
cot potentiel sans offenser lenvironnement.
Un plan renouvel de recherche et dveloppement sur les cellules
photovoltaques trouverait en France sa justification dans les efforts
visant rendre comptitifs les systmes photovoltaques connects
au rseau et intgrs au bti. Mais ltat franais ayant, jusqu fin
1999, dlibrment choisi de ntre pas prsent sur ce segment de
march, il nest pas surprenant que les recherches sur les couches
minces ny aient pas t trs favorises.
Rfrences bibliographiques
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
RICAUD (A.). Panorama des volutions

technologiques. Journe du 10 dc. 1998 sur
le Dveloppement du solaire photovoltaque,
SFT, SEE, Paris.
ZWEIBEL (K.) NREL. Issues in Thin Film PV
Manufacturing Cost Reduction. Solar Energy
and Solar Cells (1999).
ZWEIBEL (K.). Thin Films : Past, Present,
Future. Progress in Photovoltaics, vol. 3,
no 5, sept./oct. 1995.
RICAUD (A.). PV Euromed. Istanbul, feb.
1992.
ANDERSSON (B.), AZAR (C.), HOLMBERG
(J.), KARLSSON (S.) et LINDGREN (K.) Institute of Physical Resource Theory, Chalmers
University of Technology and Gteborg University, Sweden. Material constraints in a
global energy scenario based on thin-film
solar cells. World Renewable Energy Congress, Denver, 15-21 june 1996.
D 3 941 12
[6]
AZAR (C.), HOLMBERG (J.) et LINDGREN (K.).

Socio-ecological indicators for sustainability. Forthcoming Ecological Economics,
1996.
[10]
HAGFELDT (A.). Uppsala University, Sweden,

Personal
communication
to
B. Anderson, 1 february 1996.
[7]
ZWEIBEL (K.) et BARNETT (A.M.). Polycrystalline

thin
photovoltaics,
in
T.B. JOHANSSON, H. KELLY, A.K.N. REDDY,
R. WILLIAMS, (Editors) Renewable energy
Sources for fuel and electricity, Island Press,
1993, pp. 437-481.
[11]
CROWSON (P.). Minerals Handbook 1992-93

Statistics and Analyses of the Worlds Minerals Industry. Stockton Press, New York, 1992.
[12]
TILTON (J.E.) et SKINNER (B.J.). The Meaning of Resources, in D.J. McLAREN,

B.J. SKINNER, Resources and World Development, John Wiley & Sons, U.K., 1987.
[13]
CARR (D.D.) et HERZ (N.) (Editors). Concise

encyclopaedia of mineral resources. Pergamon Press, 1989.
[14]
NRIAGU (J.O.). Global metal pollution.

Environment 32, 7-32, 1990.
[15]
U.S. Bureau of Mines.
[8]
[9]
KAPUR (V.) et BASUL (B.M.). Key issues and

cost estimates for the fabrication of CuInSe2
(CIS) PV modules by the two-stage process.
Proc. 21st IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 1990, 1:467-470.
HYNES (K.M.), BAUMANN (A.E.) et HILL (R.).
Life cycle analysis of PV modules based on
cadmium telluride. 12th European Photovoltaic Solar Energy Conference, 11-15 april
1994, pp. 309-312.

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Modules photovoltaques

Applications des couches minces .......................................................

Production de masse ..............................................................................

Rfrences bibliographiques .........................................................................

n sait les difficults rencontres par la filire au silicium cristallin ses

MODULES PHOTOVOLTAQUES ____________________________________________________________________________________________________________

la capacit de faire des gnrateurs 12 V de petite taille beaucoup moins

1. Applications des couches

1.1.1 Produits grand public usage intrieur

afficheurs des calculettes et des montres). Ce segment qui fit la

1.1.2 Produits grand public usage extrieur

1.2 Grandes surfaces

___________________________________________________________________________________________________________ MODULES PHOTOVOLTAQUES

Figure 2 lments de toitures a-Si:H coll sur bac acier

Figure 1 Exemple de vitrage semi-transparent au a-Si:H, document

1.2.1 Secteur du btiment

Les vrandas ont dmarr un peu plus tard, mais devraient se

MODULES PHOTOVOLTAQUES ____________________________________________________________________________________________________________

Tableau 1 Caractristiques lectriques et mcaniques des modules a-Si:H sur bac-acier

Puissance crte Pp ................................................................................................................ (W)

Cellules par module triple jonction...........................................................................................

Tension dutilisation Vpm ...................................................................................................... (V)

Courant dutilisation Ipm ....................................................................................................... (A)

Tension de circuit ouvert Vco ............................................................................................... (V)

Tension maximale de circuit ouvert Vco ( 10 C ; 1 250

Intensit de courant de court-circuit Icc ............................................................................... (A)

Fusible srie........................................................................................................................... (A)

Diode antiretour .................................................................................................................... (A)

Largeur .................................................................................................................................. (m)

Masse surfacique ...........................................................................................................(kg/m2)

paisseur du substrat ....................................................................................................... (mm)

Densit de puissance ..................................................................................................... (W/m2)

Densit de puissance ...................................................................................................... (W/kg)

1.2.2 Secteur de lautomobile

1.3 Systmes connects au rseau

Figure 3 Toit ouvrant solaire (silicium amorphe semi-transparent)

Dpendant des applications, le cot des systmes complets se

___________________________________________________________________________________________________________ MODULES PHOTOVOLTAQUES

Ensoleillement au milieu de la journe

int rieur du vhicule

Nous traitons ici surtout les cots de fabrication (/m2) et les

Le dpartement dnergie des tats-Unis (DOE) a fix comme

15:00 16:00 17:00

Plusieurs tudes ont montr le potentiel pour les couches minces

Figure 4 Effet du toit ouvrant solaire sur la temprature

Le tableau 2 montre la situation actuelle des cots dinstallation

Tableau 2 Cot dun systme install en toiture (en /Wc)

Achat modules ...... (/m2) 600

RDS ........................ (/m2) 225

Cot toiture vit .. (/m2)

Onduleur ................(/Wc) 1,00

sc-Si mc-Si CIGS a-Si:H Films minces

Un prix de systme en dessous de 3 /Wc est ncessaire pour

Pour ce faire, nous indiquons les amliorations dans la recherche

2.1.2 Projection de cot des modules

Tableau 3 Cot de fabrication (en /m2) et rendement

mc-Si CIGS a-Si:H Films minces

MODULES PHOTOVOLTAQUES ____________________________________________________________________________________________________________

2.1.2.2 Cot matire

Afin de vrifier le bien fond des approches silicium en couches

un verre en face avant qui protge de lenvironnement

Plusieurs procds intermdiaires se retrouvent dans tous les

Exemple : avec une paisseur de couche e = 3 m, un silane (SiH4)

2.1.2.3 Effet dchelle