REPBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA

MINISTERIO DEL PODER POPULAR PARA LA EDUCACIN UNIVERSITARIA

VICE-MINISTERIO DE POLTICAS ACADMICAS
UNIVERSIDAD POLITCNICA TERRITORIAL JOS FLIX RIBAS
SOCOP ESTADO BARINAS

Docente:
Juan Alarcn

Elect
rnic
a

Bachilleres:
Jessy Contreras.
C.I. 26.270.220

Socop, Octubre de 2015

ndice
Introduccin

Semiconductores Intrnsecos
Semiconductores Extrnsecos
Semiconductor Tipo N
Semiconductor Tipo P

3
4
5
5
5
6

Diodos
Historia Del Diodo
Diodos rectificadores

7
8
8

Diodo Zener
9

Diodo Varicap
9

Diodo Schottky
9

Fotodiodo
9

Varistor
10

Diodo Shockley
Tnel Diodo
Diodo LED
Anexos
Conclusin
Bibliografa.

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11
12
13
14

Introduccin

Un Semiconductor es una sustancia que se comporta como conductor o como aislante

dependiendo del campo elctrico en el que se encuentre, La gran utilidad del diodo esta en
los dos diferentes estados en que se puede encontrar dependiendo de la corriente
elctrica que este fluyendo en l, al poder tener estos dos estados, estos dos
comportamientos los diodos tienen la opcin de ser usados en elementos electrnicos en los
que estos facilitan el trabajo.
Un diodo es un elemento electrnico que tiene un cierto comportamiento cuando se le
induce una corriente elctrica a travs de l, pero depende de las caractersticas de esta
corriente para que el dispositivo tenga un comportamiento que nos sea til.

Semiconductores Intrnsecos
Un material semiconductor hecho
denomina semiconductor intrnseco.

slo

de

un

nico

tipo

de

tomo,

se

Los ms empleados histricamente son el germanio (Ge) y el silicio (Si); siendo ste ltimo
el ms empleado (por ser mucho ms abundante y poder trabajar a temperaturas mayores
que
el
germanio).
Cada tomo de un semiconductor tiene 4 electrones en su rbita externa (electrones de
valencia), que comparte con los tomos adyacentes formando 4 enlaces covalentes. De esta
manera cada tomo posee 8 electrones en su capa ms externa., formando una red
cristalina, en la que la unin entre los electrones y sus tomos es muy fuerte. Por
consiguiente, en dicha red, los electrones no se desplazan fcilmente, y el material en
circunstancias normales
se
comporta
como
un
aislante.
Sin embargo, al aumentar la temperatura, los electrones ganan energa, por lo que algunos
pueden separarse del enlace e intervenir en la conduccin elctrica. De esta manera, la
resistividad de un semiconductor disminuye con la temperatura (su conductividad
aumenta). A temperatura ambiente, algunos electrones de valencia absorben suficiente
energa calorfica para librarse del enlace covalente y moverse a travs de la red cristalina,
convirtindose en electrones libres. Si a estos electrones, se les somete al potencial
elctrico, como por ejemplo de una pila, se dirigen al polo positivo. Cuando un electrn
libre abandona el tomo de un cristal de silicio, deja en la red cristalina un hueco, cuyo
efecto
es
similar
al
que
provocara
una
carga
positiva.
Los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. La conduccin elctrica a
travs de un semiconductor es el resultado del movimiento de electrones (de carga
negativa) y de los huecos (cargas positivas) en direcciones opuestas al conectarse a un
generador. Si se somete el cristal a una diferencia de potencial se producen dos corrientes
elctricas: una debida al movimiento de los electrones libres de la estructura cristalina, y
otra debida al desplazamiento de los electrones en la banda de valencia, que tendern a
saltar a los huecos prximos, originando una corriente de huecos. Los electrones libres se
dirigen hacia el polo positivo de la pila (ctodo), mientras que los huecos pueden
considerarse como portadores de carga positiva y se dirigen hacia el polo negativo de la
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pila, llamado nodo (hay que considerar que por el conductor exterior slo circulan los
electrones que dan lugar a la corriente elctrica; los huecos slo existen en el seno del
cristal semiconductor).

Semiconductores Extrnsecos
Para mejorar las propiedades de los semiconductores, se les somete a un proceso de
impurificacin (llamado dopaje), consistente en introducir tomos de otros elementos con el
fin de aumentar su conductividad. El semiconductor obtenido se denominar semiconductor
extrnseco. Segn la impureza (llamada dopante) distinguimos:
Semiconductor Tipo N
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo un
cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de
carga libres (en este caso negativos o electrones).
Cuando se aade el material dopante, aporta sus electrones ms dbilmente vinculados a los
tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambin conocido como material
donante, ya que da algunos de sus electrones.
El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el
material. Para ayudar a entender cmo se produce el dopaje tipo n considrese el caso
del silicio (Si). Los tomos del silicio tienen una valencia atmica de cuatro, por lo que se
forma un enlace covalente con cada uno de los tomos de silicio adyacentes. Si un tomo
con cinco electrones de valencia, tales como los del grupo 15 de la tabla peridica
(ej. fsforo (P), arsnico (As) o antimonio (Sb)), se incorpora a la red cristalina en el lugar
de un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr cuatro enlaces covalentes y un electrn
no enlazado. Este electrn extra da como resultado la formacin de "electrones libres", el
nmero de electrones en el material supera ampliamente el nmero de huecos, en ese caso
los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios.
A causa de que los tomos con cinco electrones de valencia tienen un electrn extra que
"dar", son llamados tomos donadores. Ntese que cada electrn libre en el semiconductor
nunca est lejos de un ion dopante positivo inmvil, y el material dopado tipo N
generalmente tiene una carga elctrica neta final de cero.
Semiconductor Tipo P
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, aadiendo un
cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de
carga libres (en este caso positivos o huecos).
5

Cuando se aade el material dopante libera los electrones ms dbilmente vinculados de los
tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin conocido como material
aceptor y los tomos del semiconductor que han perdido un electrn son conocidos
como huecos.
El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio, un
tomo tetravalente (tpicamente del grupo 14 de la tabla peridica) se le une un tomo con
tres electrones de valencia, tales como los del grupo 13 de la tabla peridica (ej. Al, Ga, B,
In), y se incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese tomo
tendr tres enlaces covalentes y un hueco producido que se encontrar en condicin de
aceptar un electrn libre.
As los dopantes crean los "huecos". No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado por
la red, un protn del tomo situado en la posicin del hueco se ve "expuesto" y en breve se
ve equilibrado como una cierta carga positiva. Cuando un nmero suficiente de aceptores
son aadidos, los huecos superan ampliamente la excitacin trmica de los electrones. As,
los huecos son los portadores mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores
minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb), que contienen
impurezas de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se produce de
manera natural.
Un diodo es un componente electrnico de dos terminales que permite la circulacin de
la corriente elctrica a travs de l en un solo sentido. Este trmino generalmente se usa
para referirse al diodo semiconductor, el ms comn en la actualidad; consta de una pieza
de cristal semiconductor conectada a dos terminales elctricos. El diodo de vaco (que
actualmente ya no se usa, excepto para tecnologas de alta potencia) es un tubo de
vaco con dos electrodos: una lmina como nodo, y un ctodo.
De forma simplificada, la curva caracterstica de un diodo (I-V) consta de dos regiones: por
debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no
conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado con una resistencia elctrica muy
pequea. Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son
dispositivos capaces de suprimir la parte negativa de cualquier seal, como paso inicial para
convertir una corriente alterna en corriente continua. Su principio de funcionamiento est
basado en los experimentos de Lee De Forest.
Diodos:
Los primeros diodos eran vlvulas o tubos de vaco, tambin llamados vlvulas
termoinicas constituidos por dos electrodos rodeados de vaco en un tubo de cristal, con
un aspecto similar al de las lmparas incandescentes. El invento fue desarrollado

en 1904 por John Ambrose Fleming, empleado de la empresa Marconi, basndose en

observaciones realizadas por Thomas Alva Edison.
Al igual que las lmparas incandescentes, los tubos de vaco tienen un filamento (el ctodo)
a travs del cual circula la corriente, calentndolo por efecto Joule. El filamento est tratado
con xido de bario, de modo que al calentarse emite electrones al vaco circundante los
cuales son conducidos electrostticamente hacia una placa, curvada por un muelle doble,
cargada positivamente (el nodo), producindose as la conduccin. Evidentemente, si el
ctodo no se calienta, no podr ceder electrones. Por esa razn, los circuitos que utilizaban
vlvulas de vaco requeran un tiempo para que las vlvulas se calentaran antes de poder
funcionar y las vlvulas se quemaban con mucha facilidad.

Historia Del Diodo

Diodo de vaco, usado comnmente hasta la invencin del diodo semiconductor, este
ltimo tambin llamado diodo de estado slido.
Aunque el diodo semiconductor de estado slido se populariz antes del diodo termoinico,
ambos se desarrollaron al mismo tiempo.
En 1873 Frederick Guthrie descubri el principio de operacin de los diodos trmicos.
Guhtrie descubri que un electroscopio cargado positivamente podra descargarse al
acercarse una pieza de metal caliente, sin necesidad de que ste lo tocara. No suceda lo
mismo con un electroscopio cargado negativamente, reflejando esto que el flujo de
corriente era posible solamente en una direccin.
Independientemente, el 13 de febrero de 1880 Thomas Edison re-descubre el principio. A
su vez, Edison investigaba por qu los filamentos de carbn de las bombillas se quemaban
al final del terminal positivo. l haba construido una bombilla con un filamento adicional y
una con una lmina metlica dentro de la lmpara, elctricamente aislada del filamento.
Cuando us este dispositivo, confirm que una corriente fluia del filamento incandescente a
travs del vaco a la lmina metlica, pero esto slo suceda cuando la lmina estaba
conectada positivamente.
Edison dise un circuito que reemplaza la bombilla por un resistor con un voltmetro
de DC. Edison obtuvo una patente para este invento en 1884. Aparentemente no tena uso
prctico para esa poca. Por lo cual, la patente era probablemente para precaucin, en caso
de que alguien encontrara un uso al llamado Efecto Edison.

Aproximadamente 20 aos despus, John Ambrose Fleming (cientfico asesor de Marconi

Company y antiguo empleado de Edison) se dio cuenta que el efecto Edison podra usarse
como un radio detector de precisin. Fleming patent el primer diodo termoinico en Gran
Bretaa el 16 de noviembre de 1904.
En 1874 el cientfico alemn Karl Ferdinand Braun descubri la naturaleza de conducir por
una sola direccin de los cristales semiconductores. Braun patent el rectificador de cristal
en 1899. Los rectificadores de xido de cobre y selenio fueron desarrollados para
aplicaciones de alta potencia en la dcada de los 1930.
El cientfico indio Jagdish Chandra Bose fue el primero en usar un cristal semiconductor
para detectar ondas de radio en 1894. El detector de cristal semiconductor fue desarrollado
en un dispositivo prctico para la recepcin de seales inalmbricas por Greenleaf Whittier
Pickard, quin invent un detector de cristal de silicio en 1903 y recibi una patente de ello
el 20 de noviembre de 1906. Otros experimentos probaron con gran variedad de sustancias,
de las cuales se us ampliamente el mineral galena. Otras sustancias ofrecieron un
rendimiento ligeramente mayor, pero el galena fue el que ms se us porque tena la ventaja
de ser barato y fcil de obtener. Al principio de la era del radio, el detector de cristal
semiconductor consista de un cable ajustable (el muy nombrado bigote de gato) el cual se
poda mover manualmente a travs del cristal para as obtener una seal ptima. Este
dispositivo problemtico fue rpidamente superado por los diodos termoinicos, aunque el
detector de cristal semiconductor volvi a usarse frecuentemente con la llegada de los
econmicos diodos de germanio en la dcada de 1950.
En la poca de su invencin, estos dispositivos fueron conocidos como rectificadores. En
1919, William Henry Eccles acu el trmino diodo del griego dia, que significa separado,
y ode (de ), que significa camino.

Diodos rectificadores:
Un diodo rectificador es uno de los dispositivos de la familia de los diodos ms sencillos.
El nombre diodo rectificador procede de su aplicacin, la cual consiste en separar los
ciclos positivos de una seal de corriente alterna.
Si se aplica al diodo una tensin de corriente alterna durante los medios ciclos positivos, se
polariza en forma directa; de esta manera, permite el paso de la corriente elctrica.
Pero durante los medios ciclos negativos, el diodo se polariza de manera inversa; con ello,
evita el paso de la corriente en tal sentido.

Durante la fabricacin de los diodos rectificadores, se consideran tres factores: la

frecuencia mxima en que realizan correctamente su funcin, la corriente mxima en que
pueden conducir en sentido directo y las tensiones directa e inversa mximas que
soportarn.
Una de las aplicaciones clsicas de los diodos rectificadores, es en las fuentes de
alimentacin; aqu, convierten una seal de corriente alterna en otra de corriente directa.

Diodo Zener
El diodo Zener es un diodo de cromo1 que se ha construido para que funcione en las zonas
de rupturas, recibe ese nombre por su inventor, el Dr. Clarence Melvin Zener. El diodo
Zener es la parte esencial de los reguladores de tensin casi constantes con independencia
de que se presenten grandes variaciones de la tensin de red, de la resistencia de carga
y temperatura.
Son mal llamados a veces diodos de avalancha, pues presentan comportamientos similares
a estos, pero los mecanismos involucrados son diferentes. Adems si el voltaje de la fuente
es inferior a la del diodo ste no puede hacer su regulacin caracterstica.

Diodo Varicap
El diodo Varicap conocido como diodo de capacidad variable o varactor, es un diodo que
aprovecha determinadas tcnicas constructivas para comportarse, ante variaciones de la
tensin aplicada, como un condensador variable. Polarizado en inversa, este dispositivo
electrnico presenta caractersticas que son de suma utilidad en circuitos sintonizados (LC), donde son necesarios los cambios de capacidad.

Diodo Schottky
El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky, llamado as en honor del fsico
alemn Walter H. Schottky, es un dispositivo semiconductor que proporciona
conmutaciones muy rpidas entre los estados de conduccin directa e inversa (menos de
1nsen dispositivos pequeos de 5 mm de dimetro) y muy bajas tensiones umbral (tambin
conocidas como tensiones de codo, aunque en ingls se refieren a ella como "knee", es
9

decir, rodilla). La tensin de codo es la diferencia de potencial mnima necesaria para que el
diodo acte como conductor en lugar de circuito abierto; esto, dejando de lado la regin
Zener, que es cuando existe una diferencia de potencial lo suficientemente negativa para
que a pesar de estar polarizado en inversa ste opere de forma similar a como lo hara
regularmente.

Fotodiodo
Un fotodiodo es un semiconductor construido con una unin PN, sensible a la incidencia de
la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se polariza
inversamente, con lo que se producir una cierta circulacin de corriente cuando sea
excitado por la luz. Debido a su construccin, los fotodiodos se comportan como clulas
fotovoltaicas, es decir, iluminados en ausencia una fuente exterior de energa generan una
corriente muy pequea con el positivo en el nodo y el negativo en el ctodo.
Varistor
Un varistor es un componente electrnico con una curva caracterstica similar a la
del diodo. El trmino proviene de la contraccin del ingls variable resistor. Los varistores
suelen usarse para proteger circuitos contra variaciones de tensin al incorporarlos en el
circuito de forma que cuando se active la corriente no pase por componentes sensibles. Un
varistor tambin se conoce como Resistor Dependiente de Voltaje o VDR. La funcin del
varistor es conducir una corriente significativa cuando el voltaje es excesivo.
Nota: Slo los resistores variables no ohmicos son usualmente llamados varistores. Otros
tipos de resistores variables incluyen al potencimetro y al reostato.

Diodo Shockley
Un diodo Shockley es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados estables: uno
de bloqueo o de alta impedancia y de conduccin o baja impedancia. No se debe confundir
con el diodo de barrera Schottky.
Est formado por cuatro capas de semiconductor de tipo N y P, dispuestas alternadamente.
Es un tipo de tiristor.

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La caracterstica Tensin-Corriente (V-I) se muestra en la figura. La regin I es la regin de

alta impedancia y la III, la regin de baja impedancia. Para pasar del estado apagado al de
conduccin, se aumenta la tensin en el diodo hasta alcanzar la tensin de conmutacin,
denominada Vs. La impedancia del diodo desciende bruscamente, haciendo que la corriente
que lo atraviesa se incremente y disminuya la tensin, hasta alcanzar un nuevo equilibrio en
la regin III (Punto B). Para volver al estado apagado, se disminuye la corriente hasta la
corriente de mantenimiento, denominada Ih. En ese instante el diodo aumenta su
impedancia, reduciendo, todava ms la corriente, mientras aumenta la tensin en sus
terminales, cruzando la regin II, hasta que alcanza el nuevo equilibrio en la regin I (Punto
A). La tensin inversa de avalancha es denominada Vrb.
Este dispositivo fue desarrollado por el fsico estadounidense William Bradford
Shockley (1910-1989), tras abandonar los Laboratorios Bell y fundar Shockley
Semiconductor. Fueron fabricados por Clevite-Shockley. Shockley fue el descubridor
del transistor por el que obtuvo el Premio Nobel de Fsica en 1956.
Tnel Diodo
El diodo tnel es una forma de diodo semiconductor muy rpido que puede funcionar bien
en la regin de frecuencia de radio de microondas.
Se diferencia de otras formas de diodo semiconductor que utiliza un efecto mecnico
cuntico llamado efecto tnel. Esto proporciona el diodo tnel con una regin de resistencia
negativa en su curva caracterstica IV que permite que sea utilizado como un oscilador y
como un amplificador.
A pesar de que no se utilizan tan ampliamente como algunos dispositivos hoy en da, estos
dispositivos tienen su lugar dentro de la tecnologa de RF. Fueron utilizados en el receptor
de televisin osciladores frontales y circuitos de disparo del osciloscopio, entre otros. Ellos
han demostrado que tienen una vida muy larga y puede ofrecer un alto nivel de rendimiento
cuando se utiliza como un pre-amplificador de RF. Sin embargo hoy en da, sus
aplicaciones son a menudo limitadas por tres terminales ms tradicionales pueden ofrecer
un mejor nivel de rendimiento en muchas reas.

Diodo LED
Si alguna vez ha visto, unas pequeas luces de diferentes colores que se encienden y
apagan, en algn circuito electrnico, ha visto los diodos LED en funcionamiento. Ver
Smbolo del diodo LED

11

El LED es un tipo especial de diodo, que trabaja como un diodo comn, pero que al
ser atravesado por la corriente elctrica, emite luz. Existen diodos LED de varios colores
que dependen del material con el cual fueron construidos. Hay de color rojo, verde,
amarillo, mbar, infrarrojo, entre otros

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Anexos
Semiconductores Intrnsecos

Semiconductor Tipo N

Semiconductor Tipo P

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Conclusin:

Concluyo que los diodos son elementos

importantes en la electrnica que nos rodea hoy
en da, que para su comprensin hay que estar al
tanto de ciertos conocimientos relativos a su
funcionamiento y comportamiento.
Los diodos son de gran versatilidad, se pueden implicar en muchos aspectos con el
propsito de resolver algn problema.
Para m la uno de los aspectos ms importantes del diodo es que no se quedan en un
solo tipo de diodo y ms bien se ha desarrollado el diodo en formas que extienden su
rea de aplicacin.

Bibliografa

Paginas consultadas en internet:

https://curiosoando.com/que-es-un-semiconductor-extrinseco
https://es.wikipedia.org/wiki/Semiconductor
https://es.wikipedia.org/wiki/Diodo
https://sites.google.com/site/electronica4bys/tipos-de-diodos