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Practica #1 Polarizacion de los Transistores

FET-MOSFET
Leonardo Ormaza, lormaza@est.ups.edu.ec
Laboratorio de Analogica II, Universidad Politecnica Salesiana,Cuenca-Ecuador
ResumenEn el presente documento se expone el funcionamiento, caractersticas, ecuaciones y simulaciones de los transistores FET y MOSFET, en el cual se analiza diferente tipos de
polarizaciones y su comportamiento de cada uno de los circuitos
propuestos, y mediante el software MULTISIM o PROTEUS se
comprobar los datos que se realiz con los calculos y con los
datos obtenidos en la prctica
Index TermsSimple, Completo y Elegante

I.

O BJETIVOS

1. Disear, calcular y comprobar el funcionamiento de los

siguientes circuitos de polarizacin FET
Polarizacin con doble Fuente de Alimentacion
Autopolarizacion con Resistencia de Source
Polarizacin con Divisor de Tensin.
Polarizacin con fuente doble Simtrica. .
2. Disear y comprobar el Funcionamiento de los transistores
MOSFET Incremental y Decremental.
II.
II-A.

regin de agotamiento se extender completamente a travs

del canal, con lo que la resistencia del mismo se har infinita
y se impedir el paso de ID (Figura 2). El potencial al
que sucede este fenmeno se denomina potencial de bloqueo
(Pinch Voltage, VP).
Por lo tanto, para valores ms negativos que VP el transistor
JFET se encuentra polarizado en la regin de corte, y la
corriente de drenaje resulta ser nula.

Figura 2. Esquema del transistor JFET de canal N polarizado con la tensin

de bloqueo.

M ARCO T EORICO

TRANSISTOR JFET

El transistor JFET es un dispositivo controlado por voltaje.

Una de las caractersticas ms importantes del FET es su
alta impedancia de entrada. Los FET son ms estables a la
temperatura que los BJT, y en general son ms pequeos que
los BJT, lo que los hace particularmente tiles en chips de
circuitos integrados

II-B2. REGION LINEAL. : Si en la estructura de la

Ilustracin 2 se aplica una tensin VDS mayor que cero,
aparecer una corriente circulando en el sentido del drenaje
a la fuente, corriente que llamaremos ID. El valor de dicha
corriente estar limitado por la resistencia del canal N de
conduccin. En este caso pueden distinguirse dos situaciones
segn sea VDS grande o pequea en comparacin con VGS.
II-B3. REGION DE SATURACION. : Si VDS se incrementa ms, se llegar a un punto donde el espesor del canal
en el extremo del drenaje se acerque a cero. A partir de ese
momento, la corriente se mantiene independiente de VDS,
puesto que los incrementos de tensin provocan un mayor
estrechamiento del canal, con lo que la resistencia global
aumenta
II-B4. Propiedades de transferencia: : La ecuacin de
Shockley define la relacin entre ID y VGS por:
ID = IDSS(1

Figura 1. Arquitectura interna del JFET

II-B.

PRINCIPIO DE OPERACIN DEL JFET

II-B1. REGION DE CORTE: Aplicando una tensin VGS

negativa aumentamos la anchura de la zona de depleccin,
con lo que disminuye la anchura del canal N de conduccin.
Si el valor de VGS se hace lo suficientemente negativo, la

V gs 2
)
Vp

(1)

El trmino al cuadrado en la ecuacin produce una relacin

no lineal entre ID y los terminales DRAIN y SOURCE, en
el cual su caracterstica principal es la alta impedancia que
tiene en su ingreso. Una de las caractersticas principales del
transistor JFET es que maneja una alta impedancia de en VGS,
la cual genera una curva que crece exponencialmente con la
magnitud decreciente de VGS

Cuadro I
TABLA DE VALORES INICIALES

ID = IDSS(1

V gs 2
)
Vp

Figura 3. Curva Caracteristica del JFET

II-C.

ID = 9, 4 103 (1

Polarizaciones del Transistor FET

II-C1.

2 2
)
4, 5

Polarizacin con doble Fuente de Alimentacion :

ID = 2, 9mA
Una vez encontrada la ID procedemos a calcular la resistencia de Drain
RD =

V DD V DS
ID

RD =

(2)

12 6
2, 9 103

Figura 4. Polarizacion con doble Fuente de Alimentacion

Como primer punto hemos establecido que el punto de

trabajo del transistor sea en la mitad de la recta de
carga por lo tanto su recta de carga de salida me
representa la siguiente grfica.

RD = 2068 2K
Para obtener el punto maximo de ID calculamos la IDmax
IDmax =

V DD
RD

IDmax =

12
2068

(3)

IDmax = 5, 8mA
II-C2.

Autopolarizacion con Resistencia de Source:

II-C3.

Polarizacin con Divisor de Tensin. :

Figura 5. Recta de carga

Como podemos apreciar en la figura anterior la curva de

la salida de carga del transistor nos verifica que segn los
clculos a mostrar a continuacin, cumple con las condiciones
necesarias.
Tabla de Datos
Parametro Valor Medida
IDSS
9,4
mA
VP
-4,5
V
VDD
12
V
VDS
6
V
VD
-2
V
Con los datos claros vamos a realizar el clculo de ID.

II-C4.

Polarizacin

con

fuente

doble

Calculamos la Resistencia de Drain

Simtrica.:

RD =

V DD + V SS V DS
RS
ID

RD =

12 + 12 12
2200
5, 05 103

RD = 176,23 180
III.

L ISTA DE M ATERIALES
IV.

D ESARROLLO

V.

Citation: [?]

Figura 6. Fuente doble Simetrica

Como primer punto hemos establecido que el punto de

trabajo del transistor sea en la mitad de la recta de
carga
Tabla de Datos
Parametro Valor Medida
IDSS
9,4
mA
VP
-4,5
V
VDD
12
V
VDS
12
V
VSS
-12
V
Cuadro II
TABLA DE VALORES INICIALES

Calculamos el Voltaje Vgs mediante

V gs =

V SS
10

(4)

12
= 1, 2V
10
Calculamos la Corriente de Drain
V gs 2
ID = IDSS(1
)
Vp
V gs =

ID = 9, 4 103 (1

1, 2 2
)
4, 5

ID = 5, 05mA
Calculamos la Resistencia de Source
RS =
RS =

V SS V GS
ID
12 + 1, 2
5, 05 103

RS = 2613 2, 2k

(5)

A NALISIS

VI.

C ONCLUSIONES

VII.

B IBLIOGRAFIA

(6)