Vous êtes sur la page 1sur 40

La logique,

des tubes aux transistors


L'volution rciproque des
technologies et des concepts logiques

Franois ANCEAU
Prof CNAM mrite
Lip6/CIAN
CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 1

Un apparition progressive....
Les montages logiques sont apparus progressivement au cours du XXme
sicle
D'abord (fin du XIX), avec des montages purement mcaniques pour la
ralisation des machines mcanographiques et des calculatrices sans
vraiment dvelopper de concepts logiques.
Ensuite les relais lectromagntiques furent utiliss pour la ralisation des
centraux tlphoniques automatiques avec le dveloppement de la logique
de niveaux et de la logique de conduction.
Les tubes ont t ensuite utiliss (WWII) pour acclrer les oprations pour
les RADAR et les calculatrices lectroniques avec l'introduction de la
logique vnementielle
L'apparition des transistors industriels (1958) a permis le dveloppement
rapide de Mcanos logiques et l'mergence de l'informatique.
Les circuits intgrs (1965) ont permis la portabilit de ces appareils, ainsi
que leur complexification exponentielle jusqu'aux Mcanos informatiques
puis systmes (SOC)
CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 2

Page 1

Une volution trs "branchue"


La logique mathmatique est une abstraction de
plusieurs phnomnes physiques
Nous allons revenir ses interprtations pour en
comprendre leurs limitations et les interfaces entre elles
Le dveloppement des circuits logiques lectroniques a
donn lieu de nombreuses branches avec des
ramifications complexes. Cet expos ne les citera pas
toutes.......
Ceux qui se sentiraient frustrs sont invits proposer
des exposs complmentaires......

CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 3

Les tubes lectroniques

CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 4

Page 2

Histoire des tubes lectroniques


Invents en 1906 par
Lee Deforest
Perfectionns en taille et en
performance jusqu'aux annes
195x

Audion 1906

Abandonns au dbut des


annes 196x avec l'arrive des
transistors industriels au
silicium.

Tube
crayon
1960

XFG1
Tube de puissance
194x 195x

12AU7
1950

CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 5

Anatomie simplifie d'un tube lectronique


La cathode est un tube
mtallique recouvert
d'oxydes de terres rares
mettrices d'lectrons
chaud.

isolant
(alumine)

anode / plaque

Elle est porte environ


500 par un filament
isol.
La cathode reoit un flux
d'ions positifs qui
l'altrent relativement
rapidement.

grille
filament

CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

cathode

diapo 6

Page 3

Anatomie et symbole d'une triode

anode

grille

cathode

CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 7

Emission d'lectrons par la cathode chauffe


La cathode est
recouverte d'oxydes de
terres rares librant
facilement leurs
lectrons.

nuage d'lectrons

Le chauffage de la
cathode vers 500
provoque l'extraction
de certains ce ses
lectrons.
Il se forme un nuage
d'lectrons autour
d'elle

cathode
(chauffe 500)

grille
(isole)
plaque
(isole)

CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 8

Page 4

Fonctionnement en diode
Si l'anode est porte un
potentiel positif, par rapport la
cathode, cette anode attire les
lectrons du nuage.

courant
d'lectrons

Elle les repousse si elle est


porte un potentiel ngatif
(effet de diode)
cathode
(ngative)

grille
(isole)
plaque
(positive)

CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 9

fonctionnement en triode
Si la grille est porte un
potentiel ngatif, chaque
brin cre un zone sans
lectron autour de lui, ce
qui freine le flux d'lectrons
courant
qui atteignent la plaque.
zones sans d'lectrons
La tension grille module le
courant d'lectrons entre la
cathode et la plaque.

lectron

cathode
(ngative)

rduit

grille
(lgrement
ngative)

CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

plaque
(positive)
diapo 10

Page 5

Tube bloqu

courant
d'lectrons
bloqu

Si le potentiel de la grille est


fortement ngatif (environ -12v)
le courant d'lectrons vers
l'anode est bloqu.

grille
cathode
(ngative) (trs ngative)
plaque
(positive)

CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 11

Amplificateur tubes
Val
Vs
Vgc

Courant grille

150v
Vs

0v
100v
-10v

Seuil de
conduction

Avantages :

Problmes :

La grille se comporte comme une


diode en entre pour les potentiels
positifs (courant grille)

La plage d'volution de la tension de


sortie est fortement dcale par
rapport celle d'entre

Le fonctionnement des tubes et


indpendant de la temprature

Le seuil de conduction n'est pas net

CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 12

Page 6

Logique de niveaux
Il faut imprativement distinguer
entre :
Les niveaux d'entre (par
rapport la cathode):
- 0v avec un effet de diode
(courant grille) pour > 0v
- -15v avec un effet de seuil
(mou) pour < -15v
Les niveaux de sortie :
- 150v (alimentation)
- 100v (saturation)

Val (150v)

Vs
Ve
{100v, 150v}
{0v, -15v}

Ces niveaux sont tellement spars


que les connexions directes
(rsistives) sont trs difficiles.
L'utilisation d'un pont rsistif fait
perdre le gain du tube
CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 13

Logique de niveau OU par couplage cathodique


Vs suit la valeur maximale des
tensions d'entre, avec un
dcalage correspondant la
tension grille-cathode, avec un
coefficient dpendant du pont
diviseur de sortie.

Val

Val

EA

EB

Vs = K [max (EA, EB ) 5]
LL

Ce montage ralise le "OU" de


deux niveaux de sortie (100150v) et peux ramener le
rsultat dans le domaine des
tensions d'entre.

Vs

Rg

Rg

L
La

Rk
Vpol

Vpol
Vpol

CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 14

Page 7

Logique de niveau NON-OU couplage cathodique


Au dpart, les tubes T1x sont
bloqus par une polarisation
Vpol1 adquate. Le tube T2
conduit saturation par une
polarisation (fixe) Vpol2 de sa
grille Vk.
LL
Le dblocage
d'un tube T1
produit une monte de Vk qui
bloque T2. La sortie remonte
Va.

Val

Val

E1
S

T11
Val
Vpol1

Vk

La

T2

En

Rg
T12

Rk
Vpol2

Vpol1

CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 15

Couplage capacitif
Val

La diffrence entre les niveau


d'entre et de sortie d'un tage
tube ncessitent l'usage d'un
moyen de couplage qui ne
transmet pas le continu.

Val

Vs

On utilise une capacit de


couplage Cc
Cc

Les signaux transmis doivent


possder un spectre centr sur
les hautes frquences
par
exemple des impulsions.
Le RC constitu par Rg et Cc
peut se comporter comme un
diffrentiateur vis vis d'un
signal amont bas sur des
niveaux.

Rg

Vpol
CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 16

Page 8

Impulsions positives et ngatives


Les impulsions positives et ngatives correspondent
deux formes possibles des mmes vnements et non
deux valeurs logiques diffrentes.
Les montages tubes transmettent les impulsions en les
changeant de sens.
Pour s'y retrouver, les montages impulsion taient
quelquefois diviss en couches dans lesquelles les
vnements taient successivement reprsents par des
impulsions positives et ngatives

CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 17

Transmission des impulsions


La transmission des impulsions
ngatives se fait par un tube dont
la grille est polarise 0v, ce qui
prsente l'avantage d'crter tous
les parasites positifs (rebonds).
La transmission des impulsions
positives se fait par un tube dont la
grille est polarise au del du point
de blocage, ce qui introduit un effet
de seuil qui masque les petits
parasites.

Val

Vs

Cc

Val

Rg
Vs

Cc
Rg

Vpol<Vseuil
CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 18

Page 9

Porte "OU" impulsions positives


Val

Vs

Cc

Cc

Rg

Rg

Vpol

Vpol

CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 19

Val

Drivateur

Vs

Cd

Capacit de
faible valeur

Rg

Vpol<Vseuil

La fabrication d'impulsions positives ou ngatives se fait l'aide


d'un RC de frquence leve.
Les impulsions positives ou ngatives sont slectionnes par le
choix de la polarisation du tube suivant. Une polarisation de la grille
0v slectionne les impulsions ngatives.
CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 20

Page 10

Condititionnement d'une impulsion par un niveau


Val

L'entre de conditionnement
doit pouvoir polariser le tube
une tension suffisamment
ngative pour empcher une
impulsion positive de le
dbloquer.

Cond
Vs
Imp
Cc
Rg

Vpol

CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 21

Les bascules tubes

Val

Premire bascule invente


par W. Eccles et F. W. Jordan
en 1918
Les sorties de cette bascule
sont des niveaux et ses
entres des impulsions
Les impulsions d'entre
peuvent avoir des effets
opposs suivant leur polarit
La conception d'une bascule
tube est trs difficile et son
fonctionnement est souvent
dlicat.
L'utilisation dissymtrique
d'une bascule provoque une
usure dissymtrique de ses
tubes qui finit par entraner
des dfauts de
fonctionnement.

Val

Ra

Ra

Rpg

Rpg

Vs
Cpg

Cpg

EA

EB
Ce

Ce
Rg

Vpol

Rg

Vpol

Le basculement est aid par des capacits Cpg


qui court-circuitent les rsistances de couplage
pour faciliter le passage des transitions.

CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 22

Page 11

Les bascules tubes (2)


Le couplage symtrique et
continu entre les deux cts
de la bascule ne peut se faire
qu'avec des ponts rsistifs
qui risquent de diviser
l'excursion de sortie au del
du gain du tube.
A cause de cette contrainte,
l'excursion des bascules
n'atteint gnralement pas,
la fois, le courant grille et le
blocage des tubes.

Val

Val

Ra

Ra

Rpg

Rpg

Vs
Cpg

Cpg

EA

EB
Ce

Ce
Rg

L'attaque commune des


cathodes, polarises par une
rsistance, peut provoquer
l'inversion du contenu de la
bascule, donc raliser un ouexclusif entre le contenu de
la bascule et l'impulsion
d'entre.
(peu fiable !)

Vpol

Rg

Rk

EC

Vpol

CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 23

Principe de la logique tubes


Entre
(niveau)

Niveau
Impulsion

Bascules
d'tat
Sortie
(niveau)

Cond.

Drivateur

Bascule
de sortie

Ampli
de sortie

Il s'agit de conditionner des impulsions pour attaquer des bascules


CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 24

Page 12

Val

Tubes gaz
E

Dispositifs lents.
Diodes gaz
deux points
de fonctionnement
points
mmoire + affichage du
contenu.

Ia

Aussi utilis comme


rfrence de tension

"1"

Amorc

"0"

Non amorc
Vak
Vref

CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 25

Evolution de la logique tube


Conception de nombreux types de porte souvent bases sur des
astuces de circuiterie.
Par exemple, logique diffrentielle
Mlange de plusieurs types de circuiterie
Utilisation de tubes complexes
Par exemple, portes NON-ET en utilisant les grilles suppresseuses
de penthodes
Utilisation de logiques porteuse (impulsionnelle ou harmonique)
Utilisation de dispositifs semiconducteurs
Utilisation de diodes semiconducteur (pb de leur tenue des
tensions inverses, fortes pour l'poque)

CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 26

Page 13

Conclusion sur la logique tubes


Complexe
Difficile rgler
Encore trs proche de l'analogique
Peu fiable (vieillissement rapide des tubes)
mais, bonne tenue en temprature
Forte dissipation d'nergie (chauffage des tubes)
ncessite un systme de refroidissement efficace
Gros volume (armoires ventiles !)
Rapidement abandonne ds qu'une solution de remplacement est
apparue

CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 27

Les relais lectromagntiques

CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 28

Page 14

Les relais
Assez fiables mais :
Usure et collages des contacts
Lent
Bruyant
Rebondissements des contacts
Volume minimal important
(quelques cm3) mais plus petit
qu'un tube.
Les relais ont t largement utiliss
depuis le dbut des annes 1920
jusqu' la fin des annes 1960 en
tlphonie, mcanographie. Ils sont
toujours utiliss en automatisme
industriel.

CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 29

Deux types de logique


contacts
(conductance)

Les niveaux (tensions lectriques) pour


alimenter les bobines.
valeurs : {aliment, (isol / non aliment)}
La conductance des contacts
valeurs : {conduit, isol}
La mcanique du relais produit une liaison
entre l'excitation de la bobine et la
conduction des contacts
Un relais peut avoir plusieurs contacts
L'interconnexion des contacts produit des
oprations logiques
(logique de contact)
ET par mise en srie
OU par mise en parallle
Constitution de rseaux de conduction
complexes

CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

entre
(niveau)

A ET B

A
B

A OU B

diapo 30

Page 15

Fonctions de conduction
Expressions mixtes :
Entres niveaux
d'excitation des bobines
Sortie
tat de conduction
du rseau de contacts

Niveaux

Conduction

C <= Fc( B, B )
C

Les oprandes des expressions


sont assimiles aux niveaux
d'excitation des bobines

Ngation d'une entre par


l'utilisation du contact de repos

C1
C1
C2
C2

Les diffrents contacts d'un


mme relais sont identifis par
des indices

CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 31

Liaison entre les deux types de logique


Une fonction de conduction
dtermine le passage conditionnel
d'un niveau qui peut tre :
Une constante (l'alimentation)
(Il est souvent inutile de
vhiculer la masse car
l'absence d'alimentation lui est
souvent quivalente)
Un niveau lectrique issus d'un
prcdent rseau

V/C

F(V) / F(C)
Fonction de conduction

Niveaux
d'entre

Niveaux de sortie
{{V/C}, isol}

La fonction de conduction ajoute


la valeur isole l'ensemble des
valeurs de son entre (passage en
3 tats)

CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 32

Page 16

Fonction de connexion complexe


Si un niveau est dfini par
plusieurs fonctions de
conduction, ceux-ci constituent un
rseau de conduction complexe :
Les sorties des fonctions de
conduction ne doivent pas
fournir de valeurs
contradictoires
Le rseau de conduction
complexe possde plusieurs
entres mais une seule sortie.
Attentions aux risques de courtcircuit en cas de panne !

V1

Vs

Fonction de conduction

Cn
Fonction de conduction
Fonction de conduction
complexe
12v

Suite du
rseau

0v

CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 33

Montages complexes
Un relais est excit lorsque la
tension entre les bornes de sa
bobine est suffisante, quelquesoit son sens.
(valeur "flottante")
Il est donc possible d'alimenter
une bobine par deux rseaux de
conductions complexes
fournissant chacun une tension
(12v) ou 0v.
Le relais utilisant cette bobine
sera donc excit par le OUEX
de ces deux rseaux.

CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

Fonction de conduction

A
C

Fonction de conduction

0v

0v

0v

12v

0v

12v

0v

12v

12v

12v

12v

0v
diapo 34

Page 17

Conclusions sur les relais


Les relais ont t utiliss avec satisfaction depuis le dbut des annes 1920
jusqu' la fin des annes 1970
Leur emploi est beaucoup plus simple que celui des tubes. Il permet des
optimisations
Des relais spciaux permettent d'optimiser les montages
- Relais de commutation tlphonique
- Relais contacts multiples
- Relais enclenchement (mmorisation mcanique)
- Relais retards
- .......
Ils permettent des montages complexes comme des centraux tlphoniques
Leur lenteur ne leur a pas permis de participer aux processeurs
informatiques
Ces techniques seront rutilises par les transistors MOS.....
CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 35

Les dispositifs semi-conducteurs

CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 36

Page 18

Matriaux semiconducteurs
Occupent la colonne centrale du tableau priodique
Possdent 4 lectrons sur leur couche priphrique
(valence 4)
Isolants l'tat pur
Lgre conductance croissant avec la temprature

CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 37

Exemple : Silicium
Densit 2,33
Point de fusion 1410c
Cristallisation cubique
5 1022 atomes par cm3
Trs pur < 10-12
Constituant principal du sable
Isol en 1823 par
Jns Jacob Berzelius

CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 38

Page 19

Reprsentation planaire d'un cristal semiconducteur

--

--

+
-

--

--

--

--

--

+
--

--

--

CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 39

Semiconducteur dop N
Adjonction d'une trs faible
quantit d'un matriau de
valence 5, (10-7 10-4) appel
dopant N (ex phosphore)
Introduit:
des charges ngatives
mobiles (les lectrons)
des charges positives
fixes (les atomes de
dopant ioniss)
Le matriau devient
conducteur

- +

CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

- -

+
-

lectron mobile

- -

- P

- +

- -

diapo 40

Page 20

Semiconducteur dop P
-

Adjonction d'une trs faible


quantit d'un matriau de
valence 3 (10-19 10-4) appel
dopant (ex : Bore)
Introduit:
des charges positives
mobiles (les absences
lectrons)
des charges ngatives fixes
(les atomes de dopant
ioniss)
Le matriau devient conducteur
(moins que dans le cas d'un
matriau N)

- -

- -

- -

- +

trou mobile

- -

- -

CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 41

Courant dans un semiconducteur


Deux types de porteurs de charge mobiles
lectrons
trous

absences d'lectron (positifs!)

Le dplacement d'un trou rsulte des dplacements


successifs d'lectrons. Les trous sont donc moins
rapides que les lectrons.
Mobilit
Vitesse moyenne, d'un porteur, atteinte sous
l'effet d'un champ lectrique

CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 42

Page 21

Jonction
Coexistence de deux
zones N et P contiges
dans un mme cristal de
semiconducteur

Porteurs mobiles
Electrons libres

Trous libres

- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -

+ + + + + + + +
+ + + + + + +
+ + + + + + + +
+ + + + + + +
+ + + + + + + +
+ + + + + + +
+ + + + + + + +

type N

type P
Jonction

CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 43

Polarisation spontane
Polarisation spontane

Recombinaison
spontane (thermique)
des porteurs N et P au
niveau de la jonction.
Diminution du nombre de
charges mobiles de
chaque ct.
Polarisation spontane
de chaque zone:
apparition dune
diffrence de
potentiel spontane.

Recombinaison
thermique
- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -

+ + + + + + + +
+ + + + + + +
+ + + + + + + +
+ + + + + + +
+ + + + + + + +
+ + + + + + +
+ + + + + + + +

type N

type P
Zone
dplte

CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 44

Page 22

Polarisation directe d'une jonction


Lorsque le potentiel
appliqu est
suprieur la
diffrence de
potentiel spontane:
Les porteurs sont
pousss se
recombiner au
niveau de la
jonction
--La tension
ncessaire pour
Injection
provoquer cette d'lectrons
recombinaison
libres
est appele la
tension de seuil
de la diode

+
i

- - - - - - - - -+ + + + + + + +
- - - - - - - - + + + + + + +
- - - - - - - - -+ + + + + + + +
- - - - - - - - + + + + + + +
- - - - - - - - -+ + + + + + + +
- - - - - - - - + + + + + + +
- - - - - - - - -+ + + + + + + +

--Extraction
d'lectrons
libres

recombinaisons

CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 45

Polarisation inverse d'une jonction


Les porteurs sont
repousss de la jonction.

Formation dune capacit


variable avec la tension.
Si la tension inverse est
trop forte, il y a claquage
de la jonction (effet
d'avalanche).
(peut tre matris
diodes Zener)

Cration d'une zone vide


de charges d'o isolante
(dite dplte).

i=0
- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -

Pas de courant !

+ + + + + + + +
+ + + + + + +
+ + + + + + + +
+ + + + + + +
+ + + + + + + +
+ + + + + + +
+ + + + + + + +

zone dplte

CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 46

Page 23

Effet de seuil
Caractristique d'une diode
(Fonction exponentielle)
Pratiquement assimile un
seuil dpendant du matriau
0,2v diode Schottky
seuil

0,6v diode Germanium


0,8v diode Silicium
Utilis comme un dcaleur de
tension
(Zener)

Il existe un autre seuil, de


tension beaucoup plus lev,
d l'effet d'avalanche (diode
Zener)
CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 47

Diode
Dispositif lectronique comportant
une jonction
A pointe (ex : dtecteur
galne) Le contact de la pointe
forme un dopage
jonction
dite de Schottky
A jonction
Largement utilis
Dtection (radio, radar....)
Logique
Redressement (alimentation,
puissance...)
Diodes spciales :
(optolectronique, capacits
variables, de protections,
dtecteurs nuclaires, clairage,
photo-voltaque, etc...)

Symbole
d'une diode

CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 48

Page 24

Logique diode

Va

Principe :
Calcul d'un min / max entre
plusieurs tensions
Vs

Fournit le ET des entres


Ncessite un organe
amplificateur (rgnrateur)
(tube, transistor)

Vs = min(Ei)+seuil
E1

E2

CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

En

diapo 49

Les transistors bipolaires

CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 50

Page 25

Les transistors pointes


Les premiers transistors bipolaires
taient des transistors pointes.
Ils ont t invents quasiment
simultanment par les amricains
(J. Bardeen et WH. Brattain ) et les
allemands (Herbert Matar et
Heinrich Welker) juste aprs la
WWII au cours de l'tude des
diodes pointes utilises par les
RADAR.
Les transistors pointes ont t
fabriques en petite srie en
Allemagne par H. Matar, mais pas
aux USA qui se sont rorients
vers les transistors jonctions.
Les noms des lectrodes des
transistors bipolaires, ainsi que
leur symbole viennent des
transistors pointes.

r
ur
teu
cte
t
e
e
l
l
Em
Co

Base

CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

Transistor bipolaire
Aussi appel BJT
(Bipolar Jonction
Transitor)
Constitu de deux
jonctions trs
rapproches
Emetteur / base
Base /
collecteur

diapo 51

- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -

Emetteur

+
+
+

Base

- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -

Collecteur

L'paisseur de la
base est infrieure
au micron.....

CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 52

Page 26

Fonctionnement du transistor bipolaire jonctions


La jonction base / collecteur
est bloque. La zone
dplte couvre toute la
base.

ic

- Vce +

La jonction base / metteur


est passante. Les porteurs
injects dans la base par
l'metteur sont pigs et
attirs vers le collecteur
plus de 99% (effet de pige).

- Vbe+

ib

- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - e
- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -

Le courant base commande


le courant collecteur avec un
coefficient d'amplification
>100.
Le transistor bipolaire
semble symtrique. Le
collecteur semble
permutable avec l'metteur,
mais la succession des
niveaux de dopage rendent
cette permutation ineffective.

Jonction
passante

- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -

Jonction
bloque

CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 53

Caractristiques des transistors bipolaires


Ib

Ic
Ib = 0,5mA

Vce=3v

Saturation
Ib = 0,3mA
Vbe
Ic
Vce=3v
Ib = 0,1mA

2N2222

Blocage
Ib = 0,0mA
Ib

Vce

Vsat

CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 54

Page 27

Transistors bipolaires complmentaires


Les transistors bipolaires sont
typs par la succession des
types des dopants de ses 3
zones (ex NPN)

C
B
E

Il est possible de fabriquer des


transistors complmentaires
(PNP) qui fonctionnent avec
des tensions et des courants
inverses de ceux des NPN.

Symbole tr. NPN

Il est possible de raliser des


montages logiques duaux, mais
la commande en courant des
transistors rend dlicate la
conception de ces circuits.

B
E
Symbole tr. PNP

CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 55

"Tirage" des lingots de silicium


Traction
Rotation inverse
Flux dArgon
Cristal germe

Cristal de silicium

Interface solide /
liquide

Creuset en silice
Graphite

Solnode de
chauffage
Silicium liquide

Des "impurets" sont mises


dans le silicium fondu pour
produire des lingots P ou N

Rotation

CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 56

Page 28

Sciage des lingots en tranches


Les tranches font quelques
diximes de mm d'paisseur
Leur diamtre a volu de 25
500mm

CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 57

Insolation par groupes de transistors


Masque

Dplacements
de la tranche

CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 58

Page 29

Transistors sur une tranche


Les transistors sont raliss
collectivement sur la tranche
Le cot de fabrication d'un
transistor est celui de la tranche
divis par le nombre de transistors
bons
Le rendement du procd
technologique se mesure par:
= nb de tr. bons
nb de tr. potentiellement bons

CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 59

Ralisation des bases - masquage


Masque (ngatif)

Processus de
photogravure
Etalement de la
rsine
photosensible

Rsine photosensible
SiO2

Masquage et
insolation aux UV

Silicium dop P
(collecteur)

Vue de dessus
Image du masque

1mm env.

CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 60

Page 30

Ralisation des bases dveloppement de la


rsine
Suite processus de
photogravure
Dveloppement de
la rsine (avec un
solvant)
La rsine va servir
de masque la
gravure du SiO2

Solvant

Rsine insole
SiO2
Silicium dop P
(collecteur)

Vue de dessus
Rsine restante

CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 61

Ralisation des bases gravure du SiO2


Suite processus de
photogravure

FH FNH4

Gravure du SiO2
avec du FH FNH4
La rsine est
ensuite enleve
totalement

Rsine servant de masque


SiO2 grav
Silicium dop P
(collecteur)

La silice va servir
de masque pour
diffuser la base

Vue de dessus

CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 62

Page 31

Ralisation des bases diffusion de la base


Dpt de Phosphore sur
le silicium nu
dpt phosphore

La silice sert de masque


pour doper le silicium de
la base

SiO2 servant de masque

Diffusion thermique du
phosphore dans le
silicium (surdopage)

N+

Silicium dop N
(Base)

Silicium dop P
(collecteur)

Vue de dessus

Roxydation

Dans le cas de dopages


successifs, seul compte le dopant
majoritaire. Le taux de dopage
crot donc chaque surdopage.

CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 63

Ralisation des metteurs


Idem que la
fabrication des
bases

dpt bore

Dpt de bore
L'paisseur de la
base doit tre une
fraction de m

SiO2 (protection)
P+

N+

Base
Emetteur

Base du transistor

Collecteur

Vue de dessus

CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 64

Page 32

Finition

Connexion metteur

Dpt et gravure des plots


des connexions des
metteurs et des base

N+

Tests des transistors,


marquage des mauvais

P+
Connexion collecteur
(boitier)

Sciage des puces


Pour les bonnes :
Soudure sur l'embase
du boitier
Pose des fils de
connexion
Pose du capot
Test final

Connexion base

Connexion metteur

CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 65

Transistor fini
(ouvert !)
CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 66

Page 33

Des transistors PLANAR aux circuits intgrs


La technologie Planar permet
d'interconnecter les transistors entre eux.
Cette interconnexion conduit aux Circuits
Intgrs, co-invents par Robert Noyce
(Fairchild) et Jack Kilby (Texas
Instruments) en 1965 (La paternit de
l'invention a t attribue Jack Kilby)

Le circuit de Jack Kilby (1965)

Apparition des circuits MSI qui ont permis


en 1965 la cration par TI d'un mcano
logique appel "Srie 54/74"

CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 67

Logique RTL
RTL (Resistors Transistors Logic)

Va

Consiste relier directement les


transistors d'une chaine logique
pour raliser des portes NON-OU

Rc
Vs

Les rsistances Rb sont


ncessaires pour quilibrer les
courants dans les bases des tr.
Le fonctionnement de ce type de
porte est dissymtrique :

Rb

Rb

Rb

Temps de descente faible


Temps de monte plus
important

E1

CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

E2

En

diapo 68

Page 34

Va

Va

Logique DTL
S

DTL (Diodes Transistors Logic)


Consiste associer un ET diodes
avec un transistor de rgnration
pour raliser une porte NON-ET
L'ensemble des diodes peut tre vu
comme un transistor multimetteurs

E1

E2

En

transistor
multi-metteurs

Il suffit que l'une des entres soit


porte une tension < seuil pour
provoquer le blocage du transistor.
Le fonctionnement de ce type de
porte est disymtrique :
Temps de descente faible
Temps de monte plus
important

Emetteurs

Base

P+

N+
Collecteur

P
CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 69

Va

Logique TTL

Va

Va

TTL (Totem-Pole)

transistor
multi-metteurs

Dveloppement d'une porte de


base
Le fonctionnement de ce type de
porte est presque symtrique.
Ce type de portes logiques est
l'origine de la srie de modules
74xxx devenue un standard de
fait.
La srie 74xxx d'origine est
entirement construite l'aide
de la porte TTL de base 7400
et de ses variantes.
Elle contient plusieurs
centaines de boitiers.
Cette srie a t ensuite
dcline avec d'autres
technologies.

S
E1 E2

En

Totem-Pole

SN7400N

CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 70

Page 35

Va transistor
multi-collecteurs

Logique I2L

Sn

Ri

Par commutation de courant


Forme un ET de connexion en entre.

S1

Niveaux logiques :
0,2v

"0" absorption d'un courant


d'injection vers la masse

0,8v

"1" isol

E1

Utilisation "inverse" du transistor


multi-metteurs (qui devient multicollecteurs) et d'un transistor
complmentaire "latral"
(utilisation non rationnelle de la
technologie bipolaire !)

Ep

Surtout utilis pour raliser des


circuits intgrs
CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 71

Logique ECL

Va 5,2v

Va

Va

ECL (Emitter Coupled Logic)


Logique diffrentielle trs
rapide signaux de faible
amplitude.

Sorties directe et
complmente.

E1

En

SB

Ref.
1,15v

Ce montage ncessite
l'utilisation d'une tension de
rfrence de 1,15v situe entre
les niveaux 1 et 0.
Consommation importante,
indpendante du niveau
logique.
CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 72

Page 36

Logique asynchrone
Avant l'arrive de la TTL.... (et
mme aprs....)

Chargement
des entres

Gnration de signaux
d'acquisition, en parallle des
organes, par des retards ou
des multivibrateurs.
(chane de retards)

Retard
ajustable

Validation
du rsultat

Opration
prcdente

Pb : Difficult d'estimation du
pire cas de dure de
fonctionnement de l'organe,
surtout en prenant en compte
son vieillissement et de celui
de la chane de retards !

Opration
suivante

Temps de
fonctionnement

CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 73

Srie (54) 74
Introduite par Texas Instruments en
1964.
Base initialement sur la logique
TTL a ensuite volu avec la
technologie.
Tension d'alimentation : 5v
Niveaux logiques :
> 2,4v
"1"
< 0,8v
"0"
Mcano de plus d'une centaine de
boitiers permettant de raliser la
majorit des applications logiques.
Introduction de la logique
synchrone.
Devenue la base de la culture
logique.
CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 74

Page 37

Logique synchrone
Deux "tres" logiques :
Les niveaux logiques
Les vnements (fronts d'horloge)
- Manipulables via les signaux dont ils sont les fronts
Idalement, utilisation d'un signal d'horloge unique,
porteur des vnements princeps du systme (rgle trs
souvent viole !)

CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 75

Bascules synchrones

horloge
temps de prpositionnement
temps de maintient

Les bascules sont des dispositifs


complexes, raliss par les
fondeurs pour simuler le
comportement thorique des
bascules

entre
temps de basculement

A l'occurrence de l'horloge, les


bascules doivent toutes
simultanment :
Acqurir leurs nouvelles
valeurs d'entres
Afficher leurs nouvelles
valeurs de sortie
Plusieurs techniques sont
utilises
Automates asynchrones
(bascule 28 transistors !)
Bascule drivateur
(Partovi)
Matres-suiveur 20
transistors

sortie

Flip-flop

QB

CLK
CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

SN7474
diapo 76

Page 38

Contraintes de la logique synchrone


Contraintes sur les chaines
longues :
Le temps d'tablissement des
circuits combinatoires doit
toujours tre infrieur la
priode de l'horloge.
Contraintes sur les chanes
courtes :
Les bascules alimentes
directement par la sortie d'une
autre bascule (registre
dcalage) doivent toujours
disposer de cette valeur au
moment de l'occurrence de
l'vnement d'horloge. Il faut
donc faire trs attention aux
dcalages d'horloges.

Temps
d'tablissement
H

B2

B1

CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 77

Mtastabilit
info

Dans le cas d'asynchronisme


pur entre une variation de
l'entre et le signal de
chargement
Risque de concidence
pathogne entre la lecture et
l'criture dans une bascule
Concidence infrieure la
picoseconde (10-12 s)

bascule

chargement

info
chargement

Probabilit de l'ordre de 10-12


10-14

Les sorties sont mises dans un


tat intermdiaire
Dure d'autant plus longtemps
que la concidence est plus
prcise
CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

Q
QB

mtastabilit
t

diapo 78

Page 39

Mtastabilit (suite)
La mise en mtastabilit dpend de
la prcision de la concidence entre
la variation de l'entre et celle du
signal d'acquisition
La mtastabilit se propage dans le
systme car le retour un tat
logique produit une nouvelle
transition asynchrone
Il semble qu'il n'y ait aucun moyen
logique de supprimer le risque de
mtastabilit
Une faon de rduire ce risque
est d'augmenter l'nergie interne
des bascules dans l'tat
mtastable.
La mtastabilit est responsable
d'une partie des pannes
transitoires.
CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

Exemple: SN7474
diapo 79

Rgle gnrale (Loi d'volution de l'lectronique (?)


Abandon (progressif) des solutions opratoires physiques et analogiques au
profit de dispositifs de base "idaux" permettant de les construire logiquement
(rapides, petits, compatibilit entrs-sorties, dualit, seuils, environnement
"humain")
Remplacement du physique par du construit, de l'analogique par du numrique
exemples d'abandon de technologies :
- Mcanique (fragilit, usure, lenteur).
- Mmoires physiques (Hystrsis et rsistances ngatives) (signaux de
sortie trop faibles).
- Calcul optique ex : diffraction pour raliser des FFT (analogique, d'o des
convertisseurs).
- Supraconductivit (fonctionnement trs basses tempratures)
- Lumire pour des connexions internes aux CI (taille des dispositifs,
rgnration ncessaire).
Abandon de dispositifs
Effectifs : mmoires tores, afficheurs tube, tubes lectroniques.
Programms : disques magntiques.
Probables : machines optiques, dispositifs supraconducteurs, mmoires
magntiques.
CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013

diapo 80

Page 40